Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device
Номер патента: US20210358949A1
Опубликовано: 18-11-2021
Автор(ы): Jin Ha Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-11-2021
Автор(ы): Jin Ha Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of Forming Contact Features in Semiconductor Devices
Номер патента: US20210280426A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.