• Главная
  • Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US11784257B2. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US12015087B2. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices having multi-channel active regions and methods of forming same

Номер патента: US11798949B2. Автор: Daewon HA,Munhyeon Kim,Soonmoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device including junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9543453B2. Автор: Koichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230307241A1. Автор: SHEN Wang,Hsu Ming Hsiao,Kung Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device, semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047343A1. Автор: Ho-Ming Tong. Владелец: Nd Hi Technologies Lab inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Semiconductor devices having stressed active regions therein and methods of forming same

Номер патента: US20190393348A1. Автор: Hoon-Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor device including work function adjusting element, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130280872A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Lateral semiconductor device having raised source and drain, and method of manufacture thererof

Номер патента: US20200343368A1. Автор: Viet Dinh,Paul Grudowski,Guido Sasse. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-10-29.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US11563086B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US20210005714A1. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including a deep contact and a method of manufacturing such a device

Номер патента: US20130280906A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2013-10-24.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: US3765970A. Автор: T Athanas,A Anastasio. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-16.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: GB1334494A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-17.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including buried capacitive structures and a method of forming the same

Номер патента: US09929148B1. Автор: Frank Jakubowski,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150200273A1. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US12027523B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150140749A1. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device, in particular integrated monolithic circuit, and method of manufacturing same

Номер патента: CA1102012A. Автор: Else Kooi. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-05-26.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005084342A2. Автор: Jiong-Ping Lu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method of suppressing diffusion in a semiconductor device

Номер патента: US7592243B2. Автор: Kenichi Okabe,Takashi Saiki,Hidenobu Fukutome,Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-22.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device including air gaps between interconnects and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922940B2. Автор: Takashi Watanabe,Takeshi Arakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device including through via, semiconductor package, and method of fabricating the same

Номер патента: US12107109B2. Автор: Taeseong Kim,Yi Koan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device including three-dimensional inductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12094921B2. Автор: Chia-Wie Chang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device having recessed landing pad and its method of fabrication

Номер патента: US20070152257A1. Автор: Je-min Park,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Device Including Three-Dimensional Inductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230006029A1. Автор: Chia-Wie Chang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device with self-aligning landing pad and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200373305A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Semiconductor device including interconnection structure including mxene and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230123138A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device with through-substrate via and its method of manufacture

Номер патента: US20210005534A1. Автор: Victor Sidorov,Georg Parteder,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device with through-substrate via and its method of manufacture

Номер патента: EP3756216A1. Автор: Victor Sidorov,Georg Parteder,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-12-30.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Semiconductor device of multi-layered wiring structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010021580A1. Автор: Hidenori Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Microelectronic devices, and related electronic systems and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US11810838B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Microelectronic devices, and related electronic systems and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: WO2023278971A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor devices including self aligned refractory contacts and methods of fabricating the same

Номер патента: CA2651670C. Автор: Adam William Saxler,Scott Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Bipolar transistor, semiconductor device, and bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09627503B2. Автор: Kenji Sasaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with reduced gate-overlap capacitance and method of forming the same

Номер патента: US7791133B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having gate-all-around transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653361B2. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US20180301552A1. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US11973114B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-30.

Power semiconductor device having a trench gate electrode and method of making the same

Номер патента: WO2001082380A2. Автор: Jun Zeng,Linda Brush. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2001-11-01.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of manufacturing channel all-around semiconductor device

Номер патента: US11715765B2. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device having gate-all-around transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013309A1. Автор: Kang-ill Seo,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of Treating Protective Coatings for Semiconductor Devices

Номер патента: GB1175392A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1969-12-23.

Semiconductor device including electrostatic discharge protection patterns and method of forming the same

Номер патента: SG10201807599QA. Автор: ROH Junghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Insulating substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20140291814A1. Автор: Hiromasa Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Buried decoupling capacitors, devices and systems including same, and methods of fabrication

Номер патента: US20080048231A1. Автор: Badih El-Kareh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device including memory cell including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276741A1. Автор: Bo Min Park,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7915731B2. Автор: Masafumi Uehara,Hiroshi Ishizeki. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20140131887A1. Автор: Chia-Yen Lee,Hsin-Chang Tsai,Peng-Hsin Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09768155B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332358A1. Автор: Jinkyu Kim,Yunsuk NAM,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices with minimized current flow differences and methods of same

Номер патента: US20140106517A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor Devices with Minimized Current Flow Differences and Methods of Same

Номер патента: US20120161208A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor devices with minimized current flow differences and methods of same

Номер патента: US20140175460A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor devices with minimized current flow differences and methods of same

Номер патента: WO2012092193A2. Автор: John Victor D. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US8153495B2. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US20060006387A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and ltps-tft within and method of making the same

Номер патента: US20090061570A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US9112162B2. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20150102333A1. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device with t-shaped active region and methods of forming same

Номер патента: US20230343594A1. Автор: Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN,Huaixin XIAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11803683B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230376666A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20150076482A1. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US9117942B2. Автор: Akihito Miyamoto,Yuko OKUMOTO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Thin planar semiconductor device having electrodes on both surfaces and method of fabricating same

Номер патента: US20080169550A1. Автор: Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor package, semiconductor device and semiconductor package manufacturing method

Номер патента: US20200381341A1. Автор: Kazuya Hirasawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device with a gap control electrode and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US10867950B2. Автор: Makoto Murai,Yuji Takaoka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Led-chip sorting device and led chip manufacturing method

Номер патента: US20240213062A1. Автор: Jongha HWANG,Yusung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method

Номер патента: US11791250B2. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method

Номер патента: US20200144166A1. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Lead frame and method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: MY151950A. Автор: Etsuo Uematsu. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2014-07-31.

Lead frame and method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: SG137825A1. Автор: Etsuo Uematsu. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2007-12-28.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240178113A1. Автор: Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, electric circuit using the same and method of controlling electric circuit

Номер патента: US9293570B2. Автор: Akio Iwabuchi,Hironori Aoki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Methods of forming dielectric structures in semiconductor devices

Номер патента: WO2008054689A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403844A1. Автор: Dong Soo Kim,Mun Gi SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor chip, and manufacturing method and application of the chip

Номер патента: US20060125060A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Lead frame and semiconductor device having the same as well as method of resin-molding the same

Номер патента: US20030020148A1. Автор: Toshinori Kiyohara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device with capacitor and/or inductor and method of making

Номер патента: US20110001214A1. Автор: Ertugrul Demircan,Jack M. Higman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection device near the edge of the chip

Номер патента: US09812408B2. Автор: Shigeru Hirata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, camera module, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110304003A1. Автор: Hideo Numata,Naoko Yamaguchi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: EP4216259A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-26.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: EP4436348A1. Автор: Huei-Siou CHEN,Yi-Cheng Liu,Maochung LIN,Chiu Yen SU. Владелец: Taizhou Guanyu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

TFT array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US09847354B2. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20230269913A1. Автор: Kumiko YOSHINAGA. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Improvements in or relating to methods of and apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB1014990A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1965-12-31.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device including square type storage node and method of manufacturing the same

Номер патента: US7183603B2. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-27.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device, structure of mounting the same, and method of removing foreign matter from the same

Номер патента: US20090079054A1. Автор: Nobuaki Asai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Mounting component, semiconductor device using same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006310A1. Автор: Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US7183635B2. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device including capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268379A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Semiconductor device including spin-orbit torque line and method of operating the same

Номер патента: US20200082858A1. Автор: Jae Hoon Kim,Ung Hwan Pi,Hee Ju SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device including spin-orbit torque line and method of operating the same

Номер патента: US20210027822A1. Автор: Jae Hoon Kim,Ung Hwan Pi,Hee Ju SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Tft array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Display screen, electronic device, and display screen manufacturing method

Номер патента: EP3905226A1. Автор: Yanfeng JIA. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US11848351B2. Автор: Jinwoo Choi,Minwoo Kim,Hyung-il Jeon,Daeho Song. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: EP3780109A1. Автор: Yong Hoon Kwon,Jung Hyun Kim,Woo Suk SEO,Si Joon SONG,Eui Jeong KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12113049B2. Автор: Chulwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Spark ignition device and ground electrode therefor and methods of construction thereof

Номер патента: WO2011123229A1. Автор: Frederick J. Quitmeyer. Владелец: FEDERAL-MOGUL IGNITION COMPANY. Дата публикации: 2011-10-06.

Electrode assembly manufacturing device and electrode assembly manufacturing method

Номер патента: EP3614478A1. Автор: Sang Wook Kim,Dong Hyeuk PARK,Su Ho Jeon,Nam Hyuck KIM,Il Un Chu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method

Номер патента: US20240047785A1. Автор: Wei Chen,Dongyang SHI,Baiqing Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electrode assembly manufacturing device and electrode assembly manufacturing method

Номер патента: US20240313252A1. Автор: Yonggu Lee,Jongsik Park. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gas laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240339797A1. Автор: Yoichi Sasaki,Michael Von Dadelszen,Jeffrey P. Sercel,Hiroshi Umeda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-10-10.

Laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US12113326B2. Автор: Yoichi Sasaki,Kouji Kakizaki,Hakaru Mizoguchi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-10-08.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240241448A1. Автор: Atsushi Ueda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Electrode unit manufacturing device, and electrode unit manufacturing method

Номер патента: EP4418351A1. Автор: Noriyuki Matsumoto,Tetsuya Koyama,Tatsuya Kinugawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2036440A. Автор: UEDA Atsushi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-07-22.

Lighting device and lighting device manufacturing method

Номер патента: US09978581B2. Автор: Masataka Kamahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Electronic device and method for changing a working state of the electronic device

Номер патента: US09703360B2. Автор: Peng GU. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Battery module manufacturing device and battery module manufacturing method

Номер патента: US20240145754A1. Автор: Lu Wu,Hong Zhu,Yue Cui,Sitong CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Water heater tank arrangement, control device and shaft extension therefor and methods of making the same

Номер патента: US5159658A. Автор: James R. Tuttle. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method

Номер патента: EP4318740A1. Автор: Xiaoming Ge,Manman Wang,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Micro-small cell assembly device and electrode stack manufacturing method using same

Номер патента: EP4391132A1. Автор: Min Jung Kim,Tai Joon Seo,Ha Ye Lin CHOI. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Gas laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240136787A1. Автор: Yousuke FUJIMAKI. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-04-25.

Line narrowing module, gas laser device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240039236A1. Автор: Hitoshi OHGA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrode assembly manufacturing device and electrode assembly manufacturing method

Номер патента: EP4307416A1. Автор: Yonggu Lee,Jongsik Park. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240042544A1. Автор: Takuma YAMANAKA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-02-08.

Coil component, electronic device, and coil component manufacturing method

Номер патента: US11823829B2. Автор: Katsuyuki Horie,Tetsuya Oga. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Plug attaching device, and secondary battery manufacturing method using the same

Номер патента: US11909075B2. Автор: Seigo FUJISHIMA. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Plug attaching device, and secondary battery manufacturing method using the same

Номер патента: US20220376370A1. Автор: Seigo FUJISHIMA. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Ultraviolet laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240128701A1. Автор: Atsushi Fuchimukai. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-04-18.

Gas laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240146011A1. Автор: Shinichi Matsumoto,Koji ASHIKAWA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-05-02.

Pulse width extension device, laser device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20230061530A1. Автор: Shinichi Matsumoto,Hirotaka Miyamoto,Hitoshi OHGA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2023-03-02.

Connector device and wire harness manufacturing method

Номер патента: EP4109681A1. Автор: Terumitsu Sugimoto,Sadaharu Okuda,Syuji Kimura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Battery cell manufacturing device and battery cell manufacturing method

Номер патента: EP4117070A1. Автор: Seokho JANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Waterproof plug insertion device and connector housing manufacturing method with waterproof plug

Номер патента: US20190393641A1. Автор: Kazuhiko Takada,Yusuke MACHIDA. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Electronic component, diaphragm, electronic device, and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20190088403A1. Автор: Shingo Ito. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20220376455A1. Автор: Yoichi Sasaki,Kouji Kakizaki,Hakaru Mizoguchi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2022-11-24.

Terminal insertion device and wiring module manufacturing method

Номер патента: US20180083405A1. Автор: Hideoki HORIKI. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Chamber device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20230387641A1. Автор: Junichi Fujimoto,Jeffrey P. Sercel,Kazuki Nagai,Takahiro Tatsumi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2023-11-30.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device capable of correcting time stamp and method of correcting time stamp

Номер патента: US20040136375A1. Автор: Hiroshi Koguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Semiconductor device and it's manufacturing method

Номер патента: US7087956B2. Автор: Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20230106646A1. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US11942928B2. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US20240260386A1. Автор: Takahiro Adachi,Yasushi Asaoka,Sentaro KIDA. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2036152A. Автор: UEDA Atsushi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-06-14.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240196505A1. Автор: Atsushi Ueda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-06-13.

Resonance device and resonance device manufacturing method

Номер патента: US20230208392A1. Автор: Yoshiyuki Higuchi,Masakazu FUKUMITSU. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Target supply device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240260164A1. Автор: Masaki Nakano. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Target supply device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2036459A. Автор: Nakano Masaki. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-08-09.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US09915982B2. Автор: Kenichi Murakami,Daigo Dohi. Владелец: Furuno Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Resonance device and resonance device manufacturing method

Номер патента: US20240375940A1. Автор: Masakazu FUKUMITSU. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US12059849B2. Автор: Seungmin Lee,Donghwan SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Laser ablation device and display device manufacturing method using the same

Номер патента: US20230226643A1. Автор: Joonhyung Kim,Woohyun Kim,Seungil Jang,Daewoang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Touch-based mobile device and method for performing touch lock function of the mobile device

Номер патента: US09584643B2. Автор: Seung Woo Shin,Il Geun BOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including error correction code unit, and methods of operating the same

Номер патента: US20190103884A1. Автор: Dae Sung Kim,Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: EP3563760A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-11-06.

Electrode removal device and vehicle positioning system and method of use

Номер патента: US20180014367A1. Автор: Damon Trent Ginn,Clarence David Sullivan. Владелец: Nucor Steel Gallatin LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Electronic device and time-lapse image generation method of electronic device

Номер патента: US11930277B2. Автор: Jonghun WON,Seunghun KIM,Haesun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Protective case for electronic device and protective case manufacturing method

Номер патента: US20240097732A1. Автор: Bo Zhang. Владелец: Shenzhen Zhangla Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240160107A1. Автор: Yoshiyuki Honda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-05-16.

Display device, electronic device, and display device manufacturing method

Номер патента: EP4358148A1. Автор: Sanggun Choi,Myounggeun Cha,Donghwan SHIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US12004362B2. Автор: Tsuyoshi Kamada,Shigeru Aomori,Yasushi Asaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2035896A. Автор: Honda Yoshiyuki. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-05-28.

Extreme ultraviolet light generation device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2026231A. Автор: SAUMAGNE Georg. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2021-05-17.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: US20220143931A1. Автор: Seungmin Lee,Donghwan SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Electronic device, electronic component, contactless electronic device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: EP4095591A1. Автор: Manabu Furuya,Taku Kinoshita. Владелец: Seed Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Touch-based mobile device and method for performing touch lock function of the mobile device

Номер патента: US20110256848A1. Автор: Seung Woo Shin,Il Geun BOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Camera device and method for determining field of view of the camera device

Номер патента: US9473705B2. Автор: Hsiao-Ping Chiu,Hsueh-Tsen Tsai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Camera device and method for determining field of view of the camera device

Номер патента: US20130335577A1. Автор: Hsiao-Ping Chiu,Hsueh-Tsen Tsai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

[scan device and a method for enhacing the life of the same]

Номер патента: US20040105130A1. Автор: Chin-Chung Lien. Владелец: Veutron Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Receiving device and method for dynamically adjusting the attenuation of the received signal

Номер патента: US20210367632A1. Автор: Hsin Hung Liu. Владелец: Moxa Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Illumination device and illumination process with measurement and display of the distance

Номер патента: US20240077189A1. Автор: Hanno Kretschmann,Ralf Buchtal. Владелец: Draegerwerk AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: EP4437811A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Template and method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method using the template

Номер патента: US20110237086A1. Автор: Ikuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Dust cover, suspension device and dust cover manufacturing method

Номер патента: EP4292803A2. Автор: Shoji Shimizu,Hiroo KAWANO. Владелец: Excell Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Dust cover, suspension device and dust cover manufacturing method

Номер патента: EP4292803A3. Автор: Shoji Shimizu,Hiroo KAWANO. Владелец: Excell Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Mold clamping force setting device and mold clamping force setting method of injection molding machine

Номер патента: US09597827B2. Автор: Daisuke Hirose. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, battery monitoring system, and address setting method of semiconductor device

Номер патента: US20160055890A1. Автор: Yoshikatsu Matsuo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Dust cover, suspension device and dust cover manufacturing method

Номер патента: EP3951215A1. Автор: Shoji Shimizu,Hiroo KAWANO. Владелец: Excell Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Dry ice making device, and exhaust structure and exhaust method of dry ice making device

Номер патента: EP4431453A1. Автор: QI Lin,Tongying SHI. Владелец: Xiamen Jin Rui Yi Industrial&trading Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Device and system for and a method of monitoring a cable for a physical disturbance

Номер патента: US09778227B2. Автор: Ernst Jacobus Gustav Pretorius. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US20180268880A1. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US10424349B2. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Semiconductor device including pre-charge circuit and a method of operating thereof

Номер патента: US20240144993A1. Автор: Motoki Tamura. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Adhesive label manufacturing device and adhesive label manufacturing method

Номер патента: EP2210814A3. Автор: Minoru Hoshino,Yoshinori Sato,Norimitsu Sanbongi,Shuji Tozaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-23.

Adhesive label manufacturing device and adhesive label manufacturing method

Номер патента: EP2210814B1. Автор: Minoru Hoshino,Yoshinori Sato,Norimitsu Sanbongi,Shuji Tozaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Tubular sensor, constituent measuring device, and tubular sensor manufacturing method

Номер патента: US09521972B2. Автор: Hideo Kawamoto. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device configured to store parity data and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240021223A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Air filter, light source device, and air filter manufacturing method

Номер патента: US20190366253A1. Автор: Ryotaro Matui,Koji Maejima,Kyoichi MURAYAMA,Yasumasa Hakamata. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-12-05.

Heat exchanger, information processing device, and flat tube manufacturing method

Номер патента: US20180135920A1. Автор: Hideo Kubo,Hidehisa Sakai,Tsuyoshi So,Yoshiteru Ochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Vapor generator, vapor generation device, and vapor generator manufacturing method

Номер патента: US20240318928A1. Автор: Atsushi Murata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Molten glass transport device, glass article manufacturing device, and glass article manufacturing method

Номер патента: EP4446287A1. Автор: Kazuyuki TENYAMA. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of manufacturing photo masks and semiconductor devices

Номер патента: US20230418151A1. Автор: Wen-hao Cheng,Chun Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: WO2022175793A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp S.R.L.. Дата публикации: 2022-08-25.

Detection device, and corresponding system for determining the orientation of the wheels of a vehicle

Номер патента: EP2659224A1. Автор: Piero Cerruti,Fausto Manganelli. Владелец: Space SRL. Дата публикации: 2013-11-06.

Device and method for the actuating and unlatching of the shaft doors of an elevator

Номер патента: AU1073992A. Автор: Richard H. Pilsbury. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 1992-08-13.

Display device and method for compensation of image data of the same

Номер патента: US09875685B2. Автор: Choong-Sun Shin,Won-Tae Choi,Oh-Jo Kwon,Jeong-Kyoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

A device and a method for non-contacting sensing of the rotational state of a rotor

Номер патента: WO2002012836A1. Автор: Tord Kjellin,Staffan Ralberg. Владелец: Elster Messtechnik GmbH. Дата публикации: 2002-02-14.

A device and a method for non-contacting sensing of the rotational state of a rotor

Номер патента: EP1325286A1. Автор: Tord Kjellin,Staffan c/o Hansson RALBERG. Владелец: Elster Messtechnik GmbH. Дата публикации: 2003-07-09.

Display panel and manufacturing a translucent carrier element of the display panel

Номер патента: US09865184B2. Автор: Uwe Jungnickel,Wolfgang Stegmann. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2018-01-09.

Device and method for conditioning the flow surface of the headbox of a fiber web machine

Номер патента: WO2012175801A1. Автор: Seppo Romo. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

Touch panel, display device, and touch panel manufacturing method

Номер патента: US09952713B2. Автор: Yuji Takahashi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Display panel, display device and display panel manufacturing method

Номер патента: US20210405444A1. Автор: Qin Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Image forming device and printed matter manufacturing method

Номер патента: EP4094945A1. Автор: Jun Yamanobe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

A printing head with a nozzle-cleaning device and a method for decoration by means of the printing head

Номер патента: EP2085225B1. Автор: Gian Mario Guidotti. Владелец: Ingegneria Ceramica SRL. Дата публикации: 2011-04-06.

Banana fermentation product and manufacturing method and use of the same

Номер патента: US20180055905A1. Автор: Po-Chun Hsu,Yung-Hsiang Lin,Cheng-Yu Ho. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Banana fermentation product and manufacturing method and use of the same

Номер патента: US10426811B2. Автор: Po-Chun Hsu,Yung-Hsiang Lin,Cheng-Yu Ho. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Device and method to thermally affect delimited regions of the body of a patient

Номер патента: US20130261509A1. Автор: Patrick Gross,Clifford Weiss. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-10-03.

Centrifugal filtration device and cell separation system and methods of use thereof

Номер патента: CA2873077C. Автор: Chong ZHENG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

A device and a system and a method of examining a tubular channel

Номер патента: WO2011032928A1. Автор: Wilhelmus Hubertus Paulus Maria Heijnen. Владелец: Maersk Oil Qatar A/S. Дата публикации: 2011-03-24.

Device and method for measuring information processing speed of the brain

Номер патента: WO2008091399A9. Автор: David M Eagleman,Matthew P Fiesta,Chess A Stetson. Владелец: Chess A Stetson. Дата публикации: 2008-09-12.

A device and a system and a method of examining a tubular channel

Номер патента: EP2478180A1. Автор: Robert BOUKE PETERS,Wilhelmus Hubertus Paulus Maria Heijnen. Владелец: Maersk Oil Qatar As. Дата публикации: 2012-07-25.

Display panel and manufacturing a translucent carrier element of the display element

Номер патента: CA2777227C. Автор: Uwe Jungnickel,Wolfgang Stegmann. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 2016-02-09.

Exposure method, exposure device, and micro device manufacturing method

Номер патента: US20090280441A1. Автор: Kei Nara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Packaging of microfluidic devices and microfluidic integrated systems and method of fabrication

Номер патента: US11926522B1. Автор: Michael A. Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-03-12.

Metal product manufacturing device and metal product manufacturing method

Номер патента: CA3085425A1. Автор: Kenzo Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-16.

Metal product manufacturing device and metal product manufacturing method

Номер патента: AU2018364870A1. Автор: Kenzo Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-28.

Decorative member manufacturing device and decorative member manufacturing method

Номер патента: EP3858618A1. Автор: Tomohiro Mizuno. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Sealing device and sealing device manufacturing method

Номер патента: US5884919A. Автор: Takayuki Saito. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Glass sheet, display device, and glass sheet manufacturing method

Номер патента: EP4276082A1. Автор: Masabumi Ito,Yuichi Masuda,Hiroyuki Ezura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Check valve and air conditioning device, and check valve manufacturing method

Номер патента: EP3951223A1. Автор: Hideki Takeda,Tsukasa TANIGAWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Resin container manufacturing device and resin container manufacturing method

Номер патента: EP4364920A1. Автор: Atsushi Sakurai. Владелец: Nissei ASB Machine Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Dimming device, image display device, and display device, and dimming device manufacturing method

Номер патента: US20200355976A1. Автор: Yui Ishii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Surface light source device, display device and optical sheet manufacturing method

Номер патента: US20210349352A1. Автор: Tatsuya Ito. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Surface light source device, display device and optical sheet manufacturing method

Номер патента: EP3910413A1. Автор: Tatsuya Ito. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Photoacoustic element, photoacoustic imaging device, and photoacoustic element manufacturing method

Номер патента: US20220334084A1. Автор: Shunya FUKUI. Владелец: Tamron Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Laser processing device and processed article manufacturing method

Номер патента: US20230398638A1. Автор: Hideo Ichihashi,Keita Mizuma,Shun Hirano,Takeshi Yachiguchi,Hikaru Kimura. Владелец: Towa Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Plastic bottle manufacturing device and plastic bottle manufacturing method

Номер патента: US11897178B2. Автор: Seiji Kuwano. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Machining device, and moving body manufacturing method

Номер патента: EP3702091A1. Автор: Masayuki Shiraishi,Yosuke Tatsuzaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Machining device, and moving body manufacturing method

Номер патента: AU2018357516A1. Автор: Masayuki Shiraishi,Yosuke Tatsuzaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Glass article manufacturing device and glass article manufacturing method

Номер патента: EP4023615A1. Автор: Takanori Iwasaki,Taiki Tanaka,Takehiro Yonezawa. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Glass article manufacturing device and glass article manufacturing method

Номер патента: US20230015041A1. Автор: Takanori Iwasaki,Taiki Tanaka,Takehiro Yonezawa. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Supply device and procedure for press actuators, with recovery of the raising energy

Номер патента: US5074192A. Автор: Victor Gheorghita. Владелец: Pomini Farrel SpA. Дата публикации: 1991-12-24.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: AU2022223740A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2023-08-03.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: EP4295149A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2023-12-27.

Opthalmic surgical device and method with image data reflected off of the eye

Номер патента: US4870964A. Автор: Paul F. Bailey, Jr.,Isidro G. Nilsson,George M. Alf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-10-03.

Devices and methods for transnasal dilation and irrigation of the sinuses

Номер патента: CA2843145A1. Автор: Eric A. Goldfarb,Hung V. Ha,Ketan P. Muni,Mina Wai-Bing Chow. Владелец: Acclarent Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Device and Method for Calibration, Monitoring and Control of the Integrated Photonic Systems

Номер патента: US20230185117A1. Автор: Yaniv BEN HAIM,Yosef BEN EZRA. Владелец: Newphotonics Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Catheter device and method for selective occlusion of arteries of the descending aorta or iliac vasculature

Номер патента: US20240090901A1. Автор: Sundaram Ravikumar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-21.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: US20240085397A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2024-03-14.

Catheter device and method for selective occlusion of arteries of the descending aorta or iliac vasculature

Номер патента: EP4362863A1. Автор: Sundaram Ravikumar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-08.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: AU2022223740A9. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2024-05-09.

Device and method for measuring the water content of the ground, vegetation and/or snow

Номер патента: CA3205199A1. Автор: Luca Stevanato,Marcello Lunardon,Sandra Moretto. Владелец: Finapp Srl. Дата публикации: 2022-08-25.

Computing device and method for controlling temperature of processor of the computing device

Номер патента: US20140118925A1. Автор: Yu-Chen Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Device and method for recording and analysing images of the skin

Номер патента: US12011250B2. Автор: Heiko Redtel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-18.

Systems, devices, and methods for diagnosing and treating conditions of the spine

Номер патента: US20130138027A1. Автор: Mark A. Reiley. Владелец: SI Bone Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor memory device and method for performing data compression test of the same

Номер патента: US20110103164A1. Автор: Jong-Chern Lee,Jae-Woong Yun,Hee-Jin BYUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Systems, devices, and methods for diagnosing and treating conditions of the spine

Номер патента: WO2011028268A1. Автор: Mark A. Reiley. Владелец: Reiley Mark A. Дата публикации: 2011-03-10.

Injectable securement device and related delivery system and method of use

Номер патента: US20150025540A1. Автор: Jeffrey Olson. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2015-01-22.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Systems and methods of characterizing semiconductor materials

Номер патента: US12085516B2. Автор: Gordon Deans,Hamidreza GHODDAMI,Johnson Kai Chi WONG. Владелец: Aurora Solar Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device having turn-on and turn-off capabilities

Номер патента: CA1201214A. Автор: Victor A.K. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-02-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.