Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20180204725A1
Опубликовано: 19-07-2018
Автор(ы): Daniel Kueck, Dethard Peters, Gerald Reinwald, Gerald Unegg, Roland Rupp, Romain Esteve, Thomas Aichinger, Victorina Poenariu, Wolfgang Bergner
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: US20230094592A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: EP4160655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-05.

Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Reza Ghandi,Christopher Bauer,Shaoxin Lu,William Gregg Hawkins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods of forming fin isolation regions under tensile-strained fins on finfet semiconductor devices

Номер патента: US20160225676A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9431285B2. Автор: Naoyoshi Tamura,Mitsuaki Hori,Hiroe Kawamura,Keita Nishigaya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130196482A1. Автор: Naoyoshi Tamura,Mitsuaki Hori,Hiroe Kawamura,Keita Nishigaya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984499B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190341484A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Yu Suzuki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10516046B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Yu Suzuki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for Manufacturing a Semiconductor Substrate, and Method for Manufacturing Semiconductor Devices Integrated in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20140087541A1. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of fabricating three-dimensional gate-all-around vertical gate structures and semiconductor devices, and three-dimensional gate-all-round vertical gate structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US09466610B1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of increasing resistivity of silicon carbide wafer and high-frequency device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207386A1. Автор: Mao-Nan Chang,Ta-Ching HSIAO,Kuo-Lun Huang,Pei-Ying Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2770764A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: GB2622268A. Автор: Antoniou Marina,Gammon Peter,Qi Yunyi,Renz Ben. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2024-03-13.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: EP4113581A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-04.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: US20220415655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevating machine

Номер патента: US20210184030A1. Автор: Katsuhisa Tanaka,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

METHODS OF FORMING FIN ISOLATION REGIONS UNDER TENSILE-STRAINED FINS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160225676A1. Автор: Fronheiser Jody A.,AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate

Номер патента: US09577073B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180068856A1. Автор: Masakazu Nakano,Katsuhiro Uchimura,Kazuya Horie,Kazuhiro TOI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of smoothing a surface

Номер патента: EP3331000A1. Автор: Roland MUMFORD. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-06-06.

Method of forming a silicon oxide layer of a semiconductor device and method of forming a wiring having the same

Номер патента: US6645879B2. Автор: Myeong-Cheol Kim,Ju-Bum Lee,Hong-Gun Kim,Ju-seon Goo,Eun-Kee Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of achieving higher inversion layer mobility in silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: WO2001045148A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-06-21.

Ldmos semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120418A1. Автор: Sang II Hwang. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicon Carbide Devices, Semiconductor Devices and Methods for Forming Silicon Carbide Devices and Semiconductor Devices

Номер патента: US20200176580A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,von Koblinski Carsten,Siemieniec Ralf,AICHINGER Thomas,Moder Iris. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2759856A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and method of making thereof

Номер патента: US20200185493A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A2. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-13.

SYSTEMS AND METHODS OF MASKING DURING HIGH-ENERGY IMPLANTATION WHEN FABRICATING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Hawkins William Gregg,Bauer Christopher,Ghandi Reza,Lu Shaoxin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793376B2. Автор: Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09728463B2. Автор: Ha-Jin Lim,Gi-gwan PARK,Sang-yub IE,Jong-Han Lee,Jeong-hyuk YIM,Hye-ri HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728633B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9330916B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09892919B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Naoto Fujishima,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of etching a trench in a silicon-containing dielectric material

Номер патента: US20030211750A1. Автор: Yunsang Kim,Hongqing Shan,Claes Björkman,Kenny Doan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES, AND THREE-DIMENSIONAL GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES THEREOF

Номер патента: US20160284725A1. Автор: Yang Ta-Hone. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Contact and die attach metallization for silicon carbide based devices and related methods of sputtering eutectic alloys

Номер патента: US12051669B2. Автор: Scott Sheppard,Kevin Schneider,Alexander Komposch. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: GB202213240D0. Автор: . Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2022-10-26.

Silicon carbide MOS type semiconductor device

Номер патента: JP5369464B2. Автор: 俊一 中村,喜幸 米澤,雅秀 後藤. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Methods of forming epitaxial semiconductor cladding material on fins of a finfet semiconductor device

Номер патента: US20150318169A1. Автор: YI Qi,Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,David Paul Brunco,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138708A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US09490338B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Seiji Suzuki,Kazuhiro Adachi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Tsutomu Yatsuo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09647106B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190074360A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Ryouji Kosugi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09761453B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019159680A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11501971B2. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8653533B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20230282741A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887263B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09608104B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of simultaneously siliciding a polysilicon gate and source/drain of a semiconductor device, and related device

Номер патента: US20100176462A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Joe G. Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20050282372A1. Автор: Alvaro Maury,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US7811944B2. Автор: Alvaro Maury,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor Devices Including Decoupling Capacitors

Номер патента: US20210358842A1. Автор: Chung-Hui Chen,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor Devices Including Decoupling Capacitors

Номер патента: US20230386993A1. Автор: Chung-Hui Chen,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices including decoupling capacitors

Номер патента: US11837535B2. Автор: Chung-Hui Chen,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Correction method of photomask pattern

Номер патента: US20200218144A1. Автор: Byung-In Kwon,Siwon YANG,Jiyong YOO. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010021557A1. Автор: Masazumi Matsuura,Kinya Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Номер патента: US20200027716A1. Автор: Komatsu Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

FinFET with silicon germanium stressor and method of forming

Номер патента: US9105663B1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Nicolas Loubet,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20110278595A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Optimized method of transfer of a thin layer of silicon carbide to a receiving substrate

Номер патента: WO2003063213A3. Автор: Fabrice Letertre,Bruno Ghyselen. Владелец: S O I Tec Silicon Insulator Te. Дата публикации: 2004-01-15.

Method of transfer of a thin layer of silicon carbide to a receiving substrate

Номер патента: TWI266362B. Автор: Fabrice Letertre,Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2006-11-11.

Silicon carbide wafer and semiconductor device

Номер патента: KR102434780B1. Автор: 김정규,구갑렬,견명옥,서정두,박종휘,최정우. Владелец: 주식회사 쎄닉. Дата публикации: 2022-08-22.

METHODS OF FORMING A GATE CONTACT ABOVE AN ACTIVE REGION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160359009A1. Автор: Labonte Andre,KNORR Andreas,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100503344B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing nitrogen-face nitride semiconductor and nitrogen-face nitride semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240153766A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of making a graded grown, high quality oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US6541394B1. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Pradip Kumar Roy,Yuanning Chen. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high break down voltage

Номер патента: US20020167010A1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

High resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: EP1386026A1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-02-04.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: WO2002092886A1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc.. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160163853A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250082A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799515B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716157B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680006B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140231827A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09548205B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210265469A1. Автор: Toru Hiyoshi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2740244A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09627525B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Silicon carbide semiconductor device and power converter using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250165A1. Автор: Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Low temperature polycrystalline semiconductor device amd manufacturing method thereof

Номер патента: US20210005737A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160300943A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090170264A1. Автор: Masahiro Niizato. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647072B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543429B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09536776B2. Автор: Takahiro Maruyama,Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09502552B2. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09472635B2. Автор: Shunsuke Yamada,Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299152A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230223443A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling and Devices Fabricated Using Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling

Номер патента: US20180069083A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12107123B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722027B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09337031B2. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Hyuk Kim,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140001472A1. Автор: Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device with termination structure including field zones and method of manufacturing

Номер патента: US10541325B2. Автор: Roland Rupp,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius,Reinhold Schoerner,Larissa Wehrhahn-Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-21.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling

Номер патента: US09768259B2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8575648B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama,Rajesh Kumar Malhan. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240055258A1. Автор: Akimasa Kinoshita,Yoshihito ICHIKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230395664A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060157715A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070075383A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11929397B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor Device Including Trench Contact Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20210020740A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313083A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09704957B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11276754B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200286991A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7855412B2. Автор: Hideo Matsuki,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Silicon carbide semiconductor devices having buried silicon carbide conduction barrier layers therein

Номер патента: US5543637A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1996-08-06.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240096938A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210288158A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device, electro-optic device, power conversion device, and electronic apparatus

Номер патента: US20140217424A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7968892B2. Автор: Takeshi Endo,Hideo Matsuki,Jun Kojima,Eiichi Okuno,Yoshihito Mitsuoka,Yoshiyuki Hisada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Methods of reducing the electrical and thermal resistance of SiC substrates and devices made thereby

Номер патента: US09780206B2. Автор: James Albert Cooper, Jr.. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US09728645B2. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Hyuk Kim,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US11854869B2. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US20220344200A1. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287731A1. Автор: HIROSHI Ashihara,Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Toshiyuki Kikuchi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387219A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Tomoo Nakayama,Katsuhiro Uchimura,Futoshi Komatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09711515B1. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of preventing deterioration of film quality of transparent conductive film a semiconductor device

Номер патента: US5900646A. Автор: Yutaka Takizawa,Ken-ichi Yanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Method of manufacturing a metal silicide layer above a silicon carbide substrate, and semiconductor device comprising a metal silicide layer

Номер патента: US20230215729A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Axel König,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Gregor Langer,Florian Markus GRASSE,Bemhard LEITL,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of annealing semiconductor device having silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: JPWO2008136126A1. Автор: 真果 柴垣,明宏 江上. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

PROCESS FOR MANUFACTURING A VERTICAL CONDUCTION SILICON CARBIDE ELECTRONIC DEVICE AND VERTICAL CONDUCTION SILICON CARBIDE ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20220415655A1. Автор: FRANCO Giovanni,BASSI Anna,"BADALA PAOLO",BOSCAGLIA Massimo,SCUDERI Valentina. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2022-12-29.

Preparation method of high-k gate dielectric layer and silicon carbide MOS power device

Номер патента: CN108257855B. Автор: 田亮,郑柳,李永平,张文婷,夏经华,杨霏,查祎英,李嘉琳,焦倩倩. Владелец: Global Energy Interconnection Research Institute. Дата публикации: 2021-09-10.

Silicon carbide wafer and semiconductor device applied the same

Номер патента: KR102236397B1. Автор: 김정규,구갑렬,서정두,박종휘,최정우. Владелец: 에스케이씨 주식회사. Дата публикации: 2021-04-02.

Silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: CN102422388A. Автор: 藤原伸介,原田真,西口太郎,佐佐木信,并川靖生. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: EP2432002A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Method of forming stress memorization layer on backside of semiconductor substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: US11444153B2. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Methods of selectively forming epitaxial semiconductor layer on single crystalline semiconductor and semiconductor devices fabricated using the same

Номер патента: US7611973B2. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-03.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640610B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12125881B2. Автор: Hiromu Shiomi,Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Methods of the etching to enhance the conductivity of copper line in semiconductor devices

Номер патента: KR100850087B1. Автор: 주상민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Methods of the etching to enhance the conductivity of copper line in semiconductor devices

Номер патента: KR20080060901A. Автор: 주상민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-02.

Method of forming an interconnection structure and corresponding interconnection structure for a semiconductor device

Номер патента: EP4187583B1. Автор: Zheng Tao,Stefan Decoster. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-14.

Method of Manipulating Deposition Ratges of Poly-Silicon and Method of Manufacturing a SiGe HBT Device

Номер патента: US20220172950A1. Автор: Zhenqi Li,Gim Chye OWE,Ronghao FU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09947530B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer

Номер патента: US20050095742A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of analyzing metal contamination of silicon wafer and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20190371616A1. Автор: Taisuke Mizuno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming patterns, patterns formed according to the method, and semiconductor device including the patterns

Номер патента: US20180204730A1. Автор: Junyoung JANG,Jinwoo SEO,Jin-Hee Bae,Huichan Yun,Taeksoo Kwak,Kunbae Noh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Methods of performing concurrent fin and gate cut etch processes for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09761495B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US7803703B2. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Methods of forming a gate contact above an active region of a semiconductor device

Номер патента: US09780178B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide

Номер патента: US20190371601A1. Автор: Komatsu Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide

Номер патента: EP3571710B1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor device with spacer and c-shaped channel portion, method of manufacturing semiconductor device with spacer and c-shaped channel portion, and electronic apparatus

Номер патента: US20240096709A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices having dual spacers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050087802A1. Автор: Jeong Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Multi-Gate Devices With Reduced Contact Resistance And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20240079465A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

METHODS OF PERFORMING CONCURRENT FIN AND GATE CUT ETCH PROCESSES FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170243790A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Labelle Catherine B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Method of controlling an etching process for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US9397013B2. Автор: Chongkwang Chang,Sungwoo Kang,Chunghowan Kim,Youngmook Oh,Seobum Lee,Gahyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Manufacturing Method of Semiconductor Substrate having Defect-Free Nitride Semiconductor for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101391960B1. Автор: 이원석,이동헌,장종진,남옥현,우서휘. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-05-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100133698A1. Автор: Naoto Kurosawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Method of manufacturing plated-through microholes in silicon substrate

Номер патента: RU2629926C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Юрий Михайлович Заботин,Алексей Евгеньевич Ануров,Сергей Геннадьевич Подгородецкий. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2017-09-04.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20180151511A1. Автор: Jian-Hong Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Ching Lee,Kuo-Yen Liu,Hsin-Chun Chang,Yih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming a barrier layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070117382A1. Автор: Sangwook Park,Kyeongmo Koo,Jaihyung Won,Hyeonill Um,Junhyuk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20190371741A1. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Correction method of photomask pattern

Номер патента: US11340523B2. Автор: Byung-In Kwon,Siwon YANG,Jiyong YOO. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Low-temperature method of depositing ruthenium metal layer on substrate, computer readable medium and semiconductor device

Номер патента: KR101351711B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-01-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056257A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US9966442B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20170345903A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US09966442B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425261B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10770548B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Yohei Iwahashi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1796148A3. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09559217B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190333998A1. Автор: Tomohisa Kato,Takashi Mitani,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO,Kazuma ETO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240234509A9. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240136403A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120302051A1. Автор: Yoichiro Tarui,Yoshinori Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Silicon carbide switching devices including P-type channels

Номер патента: US09552997B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9059086B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Yoshio Fujii,Yoshiyuki Nakaki,Tsuyoshi Kawakami,Shuhei Nakata,Yuji Ebiike,Takahiro Nakatani,Sunao Aya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20180358448A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: US6225671B1. Автор: Zhiping Yin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-01.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide mos-gated semiconductor device

Номер патента: US20230071655A1. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

SOI-type semiconductor device, and production method for manufacturing such SOI-type semiconductor device

Номер патента: US20050250259A1. Автор: Takayuki Suzuki,Akihito Sakakidani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US7723818B2. Автор: Hermann Wendt,Armin Tilke,Frank Huebinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-05-25.

Silicon-controlled rectifiers in a silicon-on-insulator technology

Номер патента: US20230420551A1. Автор: Souvick Mitra,Shesh Mani Pandey,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon-controlled rectifiers in a silicon-on-insulator technology

Номер патента: US11935946B2. Автор: Souvick Mitra,Shesh Mani Pandey,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20090001502A1. Автор: Lincoln O'riain,Armin Tilke,Cajetan Wagner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-01.

SUBSTRATE WITH SILICON CARBIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE WITH SILICON CARBIDE FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160126321A1. Автор: WATANABE Yukimune. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Substrate with silicon carbide film, method for producing substrate with silicon carbide film, and semiconductor device

Номер патента: US9362368B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: TW200305952A. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

Silicon carbide MOS-gated semiconductor device

Номер патента: US11888056B2. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: TW591751B. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-06-11.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: EP1386026B1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

Method of forming a contact on a silicon-on-insulator wafer

Номер патента: CN1610058A. Автор: 曾同庆,章勋明,侯全评,陈盈和. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

REDUCED PRESSURE VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD OF A BOROPHOSPHOSILICATE GLASS ON A SILICON SLAB

Номер патента: FR2564642A1. Автор: Thomas Charles Foster,Jon Charles Goldman,Gary Wayne Hoeye. Владелец: Thermco Systems Inc. Дата публикации: 1985-11-22.

PROCESS FOR TREATING A SILICON NITRIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2344963A1. Автор: . Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1977-10-14.

Method of Protecting STI Structures From Erosion During Processing Operations

Номер патента: US20120302037A1. Автор: Stephan Kronholz,Hans-Juergen Thees,Joerg Radecker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF FORMING AN EPITAXIAL SEMICONDUCTOR LAYER IN A RECESS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160079362A1. Автор: TSAI Chun Hsiung,KWOK Tsz-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD OF FORMING AN EPITAXIAL SEMICONDUCTOR LAYER IN A RECESS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150318167A1. Автор: TSAI Chun Hsiung,KWOK Tsz-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of making a graded grown, high quality oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: GB2347265B. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Pradip Kumar Roy,Yuanning Chen. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-13.

Method for Manufacturing a Semiconductor Substrate, and Method for Manufacturing Semiconductor Devices Integrated in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20140087541A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Werner Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09287495B2. Автор: Kazuhiro Tomioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US09484288B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US7777312B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Method of manufacturing a semiconductor device having frame structures laterally surrounding backside metal structures

Номер патента: US20220085174A1. Автор: Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Ronny Kern,Matteo Piccin,Guenter Denifl,Michael KNABL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US11682553B2. Автор: Hasan Naser. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-20.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716011B2. Автор: Takayuki Sumida,Masaaki Minowa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device, heat treatment apparatus, and storage medium

Номер патента: US09997365B2. Автор: Mitsuhiro Okada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09613972B1. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Processed wafer and method of manufacturing chip formation wafer

Номер патента: US20220130675A1. Автор: Kazuya Hirata,Masatake Nagaya,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Asahi Nomoto. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040235254A1. Автор: Kazuhiro Eguchi,Seiji Inumiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755037B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Substrate processing apparatus, substrate mounting table cover, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US20220415700A1. Автор: Takayuki Sato,Yuichiro Takeshima,Masaki Murobayashi,Tomokazu WAKUI. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150104942A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming insulating layer and method of manufacturing transistor using the same

Номер патента: US8183136B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Deok-Hyung Lee,Dong-Chan Kim,Soo-jin Hong,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-22.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of reworking photoresist layer

Номер патента: US20020081534A1. Автор: Chia-Chieh Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Base material with single-crystal silicon carbide film, method of producing single-crystal silicon carbide film, and method of producing base material with single-crystal silicon carbide film

Номер патента: US8906487B2. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of reducing wrap imparted to silicon wafer by semiconductor layers

Номер патента: US12004344B2. Автор: Toshiaki Ono,Bong-Gyun Ko. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US3709726A. Автор: R Nuttall. Владелец: Ferranti PLC. Дата публикации: 1973-01-09.

Method of forming closely spaced metal electrodes in a semiconductor device

Номер патента: US5486483A. Автор: Michael D. Lammert. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Semiconductor device, production method and production device thereof

Номер патента: US7679148B2. Автор: Hirohito Watanabe,Toru Tatsumi,Shinji Fujieda,Heiji Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

A method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100600286B1. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100593136B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method of manufacturing non-volatile memory device including self-aligned gate structure and device by the same

Номер патента: KR100393229B1. Автор: 이승민,황재성,서강일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-31.

Silicon carbide channel-type semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN103606551B. Автор: 陈彤,倪炜江. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

METHOD OF FORMING NICKEL SALICIDE ON A SILICON-GERMANIUM LAYER

Номер патента: US20150004767A1. Автор: CHEN Chienwei,CHANG Hsusheng,Han Xiaogang,Cai Junsheng,Kong Xiangtao. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of forming an oxide layer on a surface of a germanium semiconductor device

Номер патента: FR1396405A. Автор: . Владелец: CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA. Дата публикации: 1965-04-23.

Method of forming a thin film having a uniform thickness in a semiconductor device and Apparatus for performing the same

Номер патента: KR100508755B1. Автор: 박인성,김경석,박영욱,김재웅,최한메,임은택,이병근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09786778B1. Автор: Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240250168A1. Автор: Jong Min Kim,Geum Ho AHN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266436A1. Автор: Nam Kyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: US20230290864A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technnology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of fabricating lightly doped drain transistor device

Номер патента: US5472894A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-12-05.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240136404A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220238679A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

SILICON CARBIDE SUPERJUNCTION POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006496A1. Автор: VEMULAPATI Umamaheswara,Bellini Marco,Knoll Lars,Minamisawa Renato,Bauer Friedhelm. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Silicon carbide based power semiconductor device with low on voltage and high speed characteristics

Номер патента: US10622446B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-14.

Source/Drain Features For Multi-Gate Device And Method Of Fabricating Thereof

Номер патента: US20230378298A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of forming epi semiconductor material in a trench formed above a semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US20160181426A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

METHODS OF FORMING EPI SEMICONDUCTOR MATERIAL IN A TRENCH FORMED ABOVE A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150318398A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of forming a topside contact to a backside terminal of a semiconductor device

Номер патента: US8536042B2. Автор: John T. Andrews,Hamza Yilmaz,Ihsiu Ho,Bruce Marchant. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method of manufacturing wafer and method of manufacturing stacked device chip

Номер патента: US12087589B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Method of degassing thin layer and method of manufacturing silicon thin film

Номер патента: US20070264800A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of manufacturing laminated wafer by high temperature laminating method

Номер патента: US20130288453A1. Автор: Yoshihiro Nojima,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Kouichi Tanaka,Yuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080124892A1. Автор: Takuo Ohashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US09966249B2. Автор: Kenji Kanbara,Taro Nishiguchi,So Tanaka,Kyoko Okita,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Methods of fabricating surgical blades from silicon wafers by etching

Номер патента: NZ551031A. Автор: Vadim Daskal,Joseph Keenan,James Hughes,Attila Kiss,Susan Chavez. Владелец: Becton Dickinson Co. Дата публикации: 2010-08-27.

Method of conditioning an etch chamber for contaminant free etching of a semiconductor device

Номер патента: EP3422391B1. Автор: Clemens Ostermaier,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Method of producing through microholes in a silicon substrate

Номер патента: RU2692112C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Валентин Михайлович Запетляев. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-06-21.

Method of forming a trench by a silicon-containing mask

Номер патента: CN102810471A. Автор: 陈逸男,刘献文,李秀春. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Method of etching a trench in a silicon-on-insulator (soi) structure

Номер патента: WO2003096392A3. Автор: AJAY Kumar,Chan-Syun David Yang,Padmapani C Nallan,Anisul H Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of etching a trench in a silicon-on-insulator (soi) structure

Номер патента: TW200408047A. Автор: AJAY Kumar,Chan-Syun David Yang,Padmapani C Nallan,Anisul H Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-16.

Monitoring method of polishing state, monitor of polishing state, polishing apparatus, processed wafer, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: CN101791781B. Автор: 石川彰,潮嘉次郎. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

METHOD OF CONTROLLING AN ETCHING PROCESS FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160099185A1. Автор: Oh Youngmook,Chang Chongkwang,Kang SungWoo,Kim Chunghowan,Lee Seobum,Lim Gahyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Method of etching aluminum layer using hard mask and metalization method for semiconductor device

Номер патента: KR100464430B1. Автор: 손승용,강창진,이철규,남병윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-03.

Silicon carbide wafer and semiconductor device applied the same

Номер патента: US20220320296A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Jung Woo Choi,Kap-Ryeol KU,Jung Doo Seo. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: EP1882273A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-30.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006124174A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-11-23.

Silicon on insulator integrated high-current N type combined semiconductor device

Номер патента: US8754442B2. Автор: Shengli Lu,Longxing Shi,Weifeng Sun,Qinsong Qian,Changlong Huo. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-17.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US20240234155A1. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12037704B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929005B1. Автор: Masanori Nakayama,Teruo Yoshino,Satoshi Shimamoto,Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09805950B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09793107B2. Автор: Yoshiro Hirose,Takaaki Noda,Satoshi Shimamoto,Kiyohiko Maeda,Shingo Nohara. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09698007B2. Автор: Yoshiro Hirose,Takaaki Noda,Satoshi Shimamoto,Kiyohiko Maeda,Shingo Nohara. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09418840B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1275137A1. Автор: Antonius M. P. J. Hendriks,Margriet L. Diekema. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20170092486A1. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Takafumi Nitta. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of Etching a device using a hard mask and etch stop layer

Номер патента: US20090166330A1. Автор: Gary Yama. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-07-02.

Substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490132B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing silicon single crystal and method of manufacturing wafer using the same

Номер патента: US20240191389A1. Автор: Hyeyun Park,Inji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168697A1. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of manufacturing products, containing silicon substrate with silicon carbide film on its surface and reactor of realising thereof

Номер патента: RU2522812C1. Автор: Сергей Германович Жуков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2014-07-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140370445A1. Автор: Hideaki Yuki,Sunao Aya,Shozo Shikama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of manufacturing semiconductor device by determining and selecting cooling recipe based on temperature

Номер патента: US09870964B1. Автор: Takeshi Yasui,Teruo Yoshino. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing semiconductor device using organic underlayer film forming composition for solvent development lithography process

Номер патента: US09384977B2. Автор: Yasunobu Someya,Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Keisuke Hashimoto,Tetsuya Shinjo. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device having increased reliability and method of producing the same and semiconductor chip suitable for such a semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6507092B1. Автор: Norio Fukasawa,Toshimi Kawahara,Takashi Hozumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-14.

Method for manufacturing a spin on glass film in a semiconductor device

Номер патента: KR100246779B1. Автор: 권혁진,홍상기,전상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: WO2021173186A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Method Of Forming A Device With FINFET Split Gate Non-volatile Memory Cells And FINFET Logic Devices

Номер патента: US20210272973A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Sillicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a device with finfet split gate non-volatile memory cells and finfet logic devices

Номер патента: EP4111500A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11955567B2. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon carbide substrate, silicon carbide wafer, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250128A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230299144A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: WO2009013531A2. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2009-01-29.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230335632A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

SILICON CARBIDE WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220403551A1. Автор: CHOI Jung Woo,PARK Jong Hwi,KU Kap-Ryeol,KIM Jung-Gyu,KYUN Myung Ok,SEO Jung Doo. Владелец: SENIC INC.. Дата публикации: 2022-12-22.

Silicon carbide single crystal, semiconductor device

Номер патента: JP6806270B1. Автор: 博之 木下,木下　博之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220109049A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12094966B2. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220376054A1. Автор: Shingo Hayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150214353A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8618555B2. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Hideo Matsuki,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

METHOD OF MAKING LESS ELECTRIC CURRENT DEPENDENCE OF ELECTRIC CURRENT GAIN OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Hayashi Yutaka,Ota Toshitaka,Nagamune Yasushi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-01-30.

METHODS OF FORMING EPI SEMICONDUCTOR MATERIAL IN A TRENCH FORMED ABOVE A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160181426A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240213332A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230223470A1. Автор: Shingo Hayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Silicon carbide semiconductor power transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230326972A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234569A9. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194781A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240282824A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240313058A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234515A9. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240222493A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220190117A1. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor Device Including Trench Structures and Manufacturing Method

Номер патента: US20200176568A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313057A1. Автор: Takeru Suto,Tomoka Suematsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180114836A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Akimasa Kinoshita,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210036149A1. Автор: Katsuhisa Tanaka,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321967A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923090B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Heterogeneous fan-out structure and method of manufacture

Номер патента: US20200035590A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Heterogeneous fan-out structure and method of manufacture

Номер патента: US20210272888A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Heterogeneous Fan-Out Structure and Method of Manufacture

Номер патента: US20230253301A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor-device mounted board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110127656A1. Автор: Toshio Kobayashi,Takashi Kurihara,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US20150228558A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US20160276253A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

METHODS OF MODIFYING SURFACES OF STRUCTURES USED IN THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE VIA FLUORINATION

Номер патента: US20170137589A1. Автор: GARZA César M.,AHN Sungil. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Manufacturing method of board temperature sensor, temperature control system, board processing device and semiconductor device

Номер патента: JP7034324B2. Автор: 等 村田,正昭 上野,徳信 赤尾,昭典 田中. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-11.

Process for manufacturing a multi-layer lead frame

Номер патента: US5231756A. Автор: Akira Kobayashi,Norihiro Masuda,Mitsuharu Shimizu,Masakuni Tokita,Shinichi Yamakawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-03.

Method for manufacturing a functional device by forming 45-degree-surface on (100) silicon

Номер патента: US20020048962A1. Автор: Masayuki Sekimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837272B2. Автор: Hyun-Woo Kim,Hyo-Jin Yun,Kyoung-seon Kim,Su-min Park,So-Ra Han,Su-min Kim,Hai-sub Na,Min-Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Conductivity modulation in a silicon carbide bipolar junction transistor

Номер патента: EP2593967A1. Автор: Martin Domeij,Benedetto Buono. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020160613A1. Автор: Hirokazu Sayama,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device for reducing grain size of polysilicon

Номер патента: US09852912B1. Автор: LIANG Yi,Sheng Zhang,Chien-Kee Pang,Yu-Yang Chen,Wen-Bo Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130228797A1. Автор: NAGASAWA Hiroyuki,Hatta Naoki,Kawahara Takamitsu,Yagi Kuniaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225855A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691859B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09985125B1. Автор: Takashi Hasegawa,Osamu Kusumoto,Kouichi Saitou,Osamu Ishiyama,Tsutomu Kiyosawa,Tsuneichiro Sano,Atsushi Ohoka,Daisuke Shindo,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339499A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240371766A1. Автор: Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9397155B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Masaki Furumai,Mitsuhiko Sakai,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150295048A1. Автор: Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347599A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of determining whether a silicon-carbide semiconductor device is a conforming product

Номер патента: US20200292612A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080044993A1. Автор: Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057496B2. Автор: Shiro Hino,Hideyuki HATTA,Koji Sadamatsu,Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara,Shingo Tomohisa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090152644A1. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7750427B2. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10658466B2. Автор: Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190245043A1. Автор: Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304673A1. Автор: Tomohiro Moriya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: US20020022296A1. Автор: Daniel VERBUGT,Hermanus Peek,Monique Beenhakkers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-02-21.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321968A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: EP1269544A2. Автор: Daniel W. E. Verbugt,Hermanus L. Peek,Monique J. Beenhakkers. Владелец: Dalsa Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20240297229A1. Автор: Yutaka Fukui,Yoshitaka Kimura,Tetsuo Takahashi,Katsutoshi Sugawara,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Improved purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices

Номер патента: US20010007241A1. Автор: Gerald Dietze,Zbigniew Radzimski,Sean Hanna. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5977593A. Автор: Hideki Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

A leadframe and a method of manufacturing a semiconductor device device by use of it

Номер патента: GB9805912D0. Автор: . Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-13.

Method of making low profile sensor package with cooling feature

Номер патента: US09666625B2. Автор: Vage Oganesian,Zhenhua Lu. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Low profile sensor package with cooling feature and method of making same

Номер патента: US09461190B2. Автор: Vage Oganesian,Zhenhua Lu. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Ceramics substrate, method of manufacturing the same, electrostatic chuck, substrate fixing device, and semiconductor device package

Номер патента: US11417558B2. Автор: Tomotake Minemura. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230111881A1. Автор: Seung Bum Hong,Ji Hoon An,Byung Sang Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US09482519B2. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Radiation hardened semiconductor devices and packaging

Номер патента: US20230387079A1. Автор: Chong Leong Gan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

A method of manufacturing a unit for a ball grid array semiconductor device and producing a ball grid array semiconductor device

Номер патента: DE19802575B4. Автор: Yong Tae Kwon,Jin Sung Kim,Kwang Sung Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of texturing the surface of a silicon substrate, and textured silicon substrate for a solar cell

Номер патента: US8592949B2. Автор: Mario Moreno,Pere Roca I Cabarrocas,Dimitri Daineka. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2013-11-26.

Ceramics substrate , method of manufacturing the same, electrostatic chuck, substrate fixing device, and semiconductor device package

Номер патента: US20210335644A1. Автор: Tomotake Minemura. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

3d printing techniques for forming interconnects for flip-chip assemblies or tuning resonators of a semiconductor device

Номер патента: WO2023278362A3. Автор: Douglas CARLSON,Wayne Struble,Rathnait LONG. Владелец: Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND A MOUNTING STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140106509A1. Автор: SHIMANUKI YOSHIHIKO. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Capacitor having an electrode structure, method of manufacturing a capacitor having an electrode structure and semiconductor device having an electrode structure

Номер патента: TW201140852A. Автор: Kyung-hyun Kim,Sung-Jun Kim,Suk-Hun Choi,Jin-I LEE,Chang-Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of incoming inspection of monocrystalline silicon wafers

Номер патента: RU2745634C1. Автор: Константин Юрьевич Фроленков,Евгений Юрьевич Орлов,Сергей Иванович Матюхин,Дмитрий Петрович Санников,Борис Михайлович Иоэль,Михаил Дмитриевич Санников. Владелец: Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС", АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС". Дата публикации: 2021-03-29.

METHOD OF CLEANING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: FR2949237B1. Автор: Mario Moreno,I Cabarrocas Pere Roca. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2011-09-30.

METHOD OF CLEANING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: FR2949237A1. Автор: Mario Moreno,I Cabarrocas Pere Roca. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2011-02-25.

Surface mounted led structure and packaging method of integrating functional circuits on a silicon

Номер патента: US20120025242A1. Автор: YU Hou,Yugang Zhou,Haiying Chen,Zhaoming Zeng,Guowei David Xiao. Владелец: Apt Electronics Co ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

A method of forming diffusion regions in a silicon substrate

Номер патента: DE112012004079T5. Автор: Steven M. Kraft,Paul LOSCUTOFF,Kahn C. Wu,Steve Edward Molesa. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of design and manufacture of a power electronics converter for an electrical power system, power electronics converter for an aircraft, and an aircraft

Номер патента: US20230387909A1. Автор: Claus Müller,Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT,Marco BOHLLÄNDER. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US20160161248A1. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of Forming Device Level Conductive Contacts to Improve Device Performance and Semiconductor Devices Comprising Such Contacts

Номер патента: US20130207275A1. Автор: Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky,Ricardo P. MIKALO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device, card, system, and methods of initializing and checking the authenticity and the identify of the semiconductor device

Номер патента: US20050051351A1. Автор: Edwin Roks,Petra De Jongh,Robertus Wolters,Hermanus Peek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

HEAT-CURABLE SILICONE RESIN SHEET HAVING PHOSPHOR-CONTAINING LAYER AND WHITE PIGMENT-CONTAINING LAYER, METHOD OF PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE USING SAME AND ENCAPSULATED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20140175488A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,SHIOBARA Toshio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Process of manufacturing scanning electron microscopic sample and process of analyzing semiconductor device

Номер патента: KR100451604B1. Автор: 엔도테츠오,마수오카후지오,타니가미타쿠지,요코야마타카시,타케우치노보루. Владелец: 후지오 마스오카. Дата публикации: 2004-10-08.

Method of arranging micro spheres with liquid, micro sphere arranging device, and semiconductor device

Номер патента: CN100341126C. Автор: 北城荣,久保雅洋,栌山一郎,二上和彦,石塚新一,南光进,安间仁志,山田敏司,片平明夫. Владелец: Japan E Co ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, method of producing light emitting device using same and encapsulated light emitting semiconductor device produced thereby

Номер патента: CN103879099A. Автор: 柏木努,盐原利夫. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Method of protecting during transportation the lead pins and guide pins of semiconductor devices

Номер патента: EP0825649B1. Автор: Shin Fuji Eletric Co. Ltd. Soyano,Susumu Fuji Eletric Co. Ltd. Toba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Method of arranging micro spheres with liquid, micro sphere arranging device, and semiconductor device

Номер патента: AU2003202505A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Susumu Nanko,Kazuhiko Futakami,Hitoshi Anma,Shinichi Ishiduka,Akeo Katahira,Tosiji Yamada. Владелец: Japan EM Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices

Номер патента: CA898628A. Автор: Edward F. Duffek, Jr.,A. Blech Ilan. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1972-04-25.

Manufacturing method of thermosetting type sticky crystal film, cut crystal sticky film and semiconductor device

Номер патента: TWI664263B. Автор: 宍戶雄一郎,大西謙司,三隅貞仁. Владелец: 日商日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-01.

A heat-conducting layer, a photosensitive layer, a photosensitive composition, the manufacturing method of a heat-conducting layer, and a laminated body and a semiconductor device

Номер патента: KR102386491B1. Автор: 카즈토 시마다,코스케 야마시타. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of forming a gate electrode and a gate line in a semiconductor device

Номер патента: KR20010093013A. Автор: 김용석,윤태언. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Manufacturing Method of Semiconductor Template having Nano-Structure Nitride Semiconductor for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101512958B1. Автор: 이경재,김진완,전민환,남옥현,엄대용. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-04-21.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09422639B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304676A1. Автор: Takaya MIYASE,Hideyuki Hisanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: US20230203707A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of joining electrical and mechanical components using laminated modular preforms

Номер патента: WO2023138902A8. Автор: Bawa Singh,Oscar Khaselev,Matthew SIEBENHUHNER,Maurizio FENECH,Andres SOCARRAS. Владелец: Setna, Rohan, P.. Дата публикации: 2024-08-15.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20140248721A1. Автор: Hideaki Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Ultrasonic probe and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180198056A1. Автор: Young-Il Kim,Min-seog Choi,Jong-Keun Song,Tae-ho JEON. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing them

Номер патента: US09896781B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, solid-state image sensor, methods of manufacturing the same, and camera

Номер патента: US09412778B2. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Method of manufacturing silicone cured product, silicone cured product and optical member

Номер патента: US12065567B2. Автор: Kikuo Mochizuki. Владелец: MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS JAPAN LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Silicon carbide seed crystal and method of manufacturing silicon carbide ingot

Номер патента: US11821105B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US20200274043A1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of manufacturing gas barrier film

Номер патента: US20230257874A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Shinya Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US09842976B2. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US09455386B2. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing silicon carbide ingot

Номер патента: US20230067197A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A3. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: EP3916348A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: US20240151522A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Image sensor having a plurality of phototransistors separated by trench-gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472706B2. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Conductive resin composition and electrode substrate using the same and method of manufacturing the electrode substrate

Номер патента: US20030136947A1. Автор: Toru Sasaki,Satoru Matsumora,Shunetsu Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Conductive resin composition and electrode substrate using the same and method of manufacturing the electrode substrate

Номер патента: US7029604B2. Автор: Toru Sasaki,Satoru Matsumora,Shunetsu Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Electrode composition comprising a silicon powder and method of controlling the crystallinity of a silicon powder

Номер патента: US20140220347A1. Автор: Byung K. HWANG,Raymond Tabler,Paul Fisher,Jeong Yong Lee,William Herron,Max Dehtiar,Joel P. Mcdonald,Takakazu Hino,Matthew A. Gave,Jennifer Larimer,Mark Schrauben. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

A kind of preparation method of biomass carbon material in situ growth silicon carbide nano material

Номер патента: CN109052404A. Автор: 王峰,陈厚,高善民,杨正龙,秦晓芳. Владелец: Ludong University. Дата публикации: 2018-12-21.

Improvements in and relating to methods of fabricating sealed glass envelopes

Номер патента: GB671854A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1952-05-14.

Manufacturing method of electrod for electric energy storage device and electrod for electric energy storage device by the method

Номер патента: KR101815190B1. Автор: 이용욱. Владелец: 주식회사 씨엘씨팩토리. Дата публикации: 2018-01-05.

METHOD OF ELECTROPHOTO GRAPHICALLY MANUFACTURING A SCREEN ASSEMBLY FOR SCREEN ASSEMBLY

Номер патента: KR970705827A. Автор: 고로그 이스트반,마이클 릿 피터. Владелец: 어윈 엠. 크리트만. Дата публикации: 1997-10-09.

Method of fabricating a cell contact and a digit line for a semiconductor device

Номер патента: US20120329274A1. Автор: Shyam Surthi,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A3. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A2. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing semiconductor optical device

Номер патента: US20240186763A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of manufacturing silicon optical member, silicon optical member, and light-emitting device

Номер патента: US20240255679A1. Автор: Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing a photonic integrated circuit optically coupled to a laser of III-V material

Номер патента: US09507089B2. Автор: Alain Chantre,Sebastien Cremer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Highly integrated power electronics and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240341027A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20240364341A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12143106B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

MEMS device and method of making a MEMS device

Номер патента: US09580299B2. Автор: Alfons Dehe,Martin Wurzer,Christian Herzum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

MEMS device and method of making a MEMS device

Номер патента: US09409763B2. Автор: Alfons Dehe,Martin Wurzer,Christian Herzum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of individually fitting a hearing device or hearing aid

Номер патента: EP2183928A2. Автор: Bernd Waldmann. Владелец: PHONAK AG. Дата публикации: 2010-05-12.

Method of designing a piezoelectric component

Номер патента: US6543108B1. Автор: Yasuhiro Itasaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12057832B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including a level shifter and method of mitigating a delay between input and output signals

Номер патента: US12088295B2. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Cured body, method of manufacturing cured body, laminated body, printed wiring board and semiconductor device

Номер патента: KR102200637B1. Автор: 히로히사 나라하시,시게오 나카무라. Владелец: 아지노모토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230387915A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230396252A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device Including a Level Shifter and Method of Mitigating a Delay Between Input and Output Signals

Номер патента: US20230387914A1. Автор: Jerrin Pathrose Vareed,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

METHOD OF COMPUTING THREE-DIMENSIONAL DRIVE PARAMETER OF A THREE-DIMENSIONAL NUMERICAL DRIVE CONTROL DEVICE BY DRIVING MEASUREMENT OF A TRACKING LASER DISTANCE METER

Номер патента: US20200371244A1. Автор: Murakami Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Method of computing three-dimensional drive parameter of a three-dimensional numerical drive control device by driving measurement of a tracking laser distance meter

Номер патента: KR20230128386A. Автор: 나오유키 무라카미. Владелец: 나오유키 무라카미. Дата публикации: 2023-09-04.

Method for manufacturing a dynamic random access memory cell

Номер патента: US5270239A. Автор: Jae K. Kim,Wi S. Min. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-12-14.

Frequency multiplier and method of multiplying frequency of external clock signal, data output buffer, and semiconductor device including the frequency multiplier and the data output

Номер патента: US20040061560A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hyun-Soon Jang,Kyoung-Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of measuring real-time junction temperature in silicon carbide power mosfet devices using turn-on delay, related circuits, and computer program products

Номер патента: US20210396596A1. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Chi XU,Bilal Akin,Bhanu Vankayalapati. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

Method of making magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric

Номер патента: US5098541A. Автор: Arnold W. Funkenbusch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1992-03-24.

A method of modifying or manufacturing a colostomy appliance

Номер патента: GB2476081A. Автор: Peter Argent,Neil Wiltshire. Владелец: Salts Healthcare Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: EP4238543A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: US20230315931A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: CA3191961A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-04.

A method of designing and manufacturing a delayed coker drum

Номер патента: WO1998001512A1. Автор: Richard S. Boswell,Thomas D. Farraro. Владелец: Citgo Petroleum Corporation. Дата публикации: 1998-01-15.

Method of designing and manufacturing a hydraulic valve block based on selective laser melting

Номер патента: US20220250156A1. Автор: Pengfei Chen,Bing He,Yajie Liu. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of producing silicon carbide sintered body for heater

Номер патента: US20070117722A1. Автор: Toshikazu Shinogaya,Fumio Odaka,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing silicon composite material and device for producing silicon composite material

Номер патента: RU2714070C1. Автор: Такеси НАКАМУРА,Ясутомо ТАНАКА,Кодзуе АКАДЗАКИ,Ясуюки ФУКУСИМА,Кадзума АКИКУБО,Юкихиро СИМОГАКИ,Такеси МОМОСЕ,Нобору САТО,Кохеи СИМА,Юити ФУНАТО. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Токио. Дата публикации: 2020-02-11.

Method of coating silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2466116C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Себастьян ЛЮКА,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-10.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: EP4017428A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-06-29.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: WO2021032227A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of gum protection

Номер патента: RU2673371C1. Автор: Эльвира Нурфикатовна Шарафутдинова. Владелец: Эльвира Нурфикатовна Шарафутдинова. Дата публикации: 2018-11-26.

Methods of fabricating cutting elements including adhesion materials for earth-boring tools

Номер патента: US9839989B2. Автор: Danny E. Scott. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Side airbag cushion and method of manufacture

Номер патента: US09573551B1. Автор: Atsushi Yamada,Xiaohong Wang,Takayuki Makioka,Hongseok Kim. Владелец: Autoliv ASP Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Operating method of internal combustion engine, in particular, diesel engine

Номер патента: RU2731133C2. Автор: Йоахим ВАЙСС,Томас МАЛИСХЕВСКИЙ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2020-08-31.

Method of coating carbon components

Номер патента: GB2582379A. Автор: Philip Reid Daniel,Richard Butterworth James,Olivia Birch Erin,Howard Grundy Trevor. Владелец: Tenmat Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Reduced-weight bearing pins and methods of manufacturing such bearing pins

Номер патента: US20180195559A1. Автор: Darren Lee Hallman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of designing a last used for manufacturing an article of footwear with reverse upper process

Номер патента: EP4052603A1. Автор: Giuseppe SANTONI. Владелец: Santoni SpA. Дата публикации: 2022-09-07.

Method for manufacturing silicone carbide bodies

Номер патента: CA1092793A. Автор: Wendel G. Brown. Владелец: Coors Porcelain Co. Дата публикации: 1981-01-06.

Roughened and oxidized well chips and method of making same

Номер патента: US20020137078A1. Автор: Jeffrey May. Владелец: Tactical Fabs Inc. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of designing and manufacturing cam device and three-dimensional design-support computer program for the same

Номер патента: US20110202158A1. Автор: Satoshi Nakamura,Hiroyoshi Kako,Akihito Ishizaka. Владелец: Sankyo Oilless Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of manufacturing III nitride crystal, III nitride crystal substrate, and semiconductor device

Номер патента: TW201000696A. Автор: Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-01-01.

Apparatus for manufacturing reaction bonded silicon carbide

Номер патента: US6126749A. Автор: Sang-Whan Park,Huesup Song,Sang-Dong Kim,Jo-Woong Ha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of manufacturing a dense polycrystalline silicon carbide article

Номер патента: DE3367763D1. Автор: Christoph Dr Hahn,Axel Dr Muller-Zell. Владелец: Hutschenreuther AG. Дата публикации: 1987-01-08.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: EP3911283A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2021-11-24.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: WO2021032228A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Process Of Designing And Manufacturing A Prosthetic Socket

Номер патента: US20220339008A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-10-27.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: US12042409B2. Автор: Ji{hacek over (r)}í Rosický,Tomá{hacek over (s)} Bouma,Ale{hacek over (s)} Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods of blade tip repair and manufacturing using field assisted sintering

Номер патента: US20240263557A1. Автор: Xuan Liu,Brian T. Hazel,Michael J. Minor,Steven Ivory,Christopher J. Bischof,Nicholas M. LoRicco,Brian Richard Craig,Luke Henry Rettberg,Stewart S. Fowler. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Preparation method of silicon carbide crystal, silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: CN113463197A. Автор: 王治中,林大野,蔡钦铭. Владелец: Guangzhou Aisiwei Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

A silicone hydrogel lens with a crosslinked hydrophilic coating

Номер патента: MY156626A. Автор: Qiu Yongxing,Kolluru Chandana,Qian Xinming,Pruitt John Dallas,Nelson Jared,Winterton Lynn Cook,Wu Daqing,Newton T Samuel,Arturo N Medina. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2016-03-15.

Method of analyzing electrostatic discharge network using common resistance removal, system performing the same and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240193339A1. Автор: Chanhee Jeon,Woojin SEO,Jordan Timothy Davis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing pipes from silicon or silicon carbide and device for effecting same

Номер патента: SU593646A3. Автор: Дитце Вольфганг,Ройшель Конрад. Владелец: Сименс Аг (Фирма). Дата публикации: 1978-02-15.

Method of manufacturing a group of bicycles

Номер патента: US20140151975A1. Автор: Christopher P. D'Aluisio. Владелец: Specialized Bicycle Components Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Consumable product for an aerosol generating device and methods of filling and manufacturing a consumable product for an aerosol generating device

Номер патента: US12016367B2. Автор: Yves Jordil,Rui Nuno BATISTA,Clément BESSO,Dorothy Tritz,Nazan Gunduz,Joanne VENOUIL. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of protecting a surface with a silicon-slurry/aluminide coating

Номер патента: US4310574A. Автор: Daniel L. Deadmore,Stanley G. Young. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1982-01-12.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

Method of producing thin layers of a silicon, and thin silicon

Номер патента: US20100178824A1. Автор: Kurt Stark,Werner Schmidt,Walter Gunter. Владелец: Huhtamaki Forchheim Zweigniederlassung der Hutamaki Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-07-15.

Chemical vapor infiltration method of refractory material, especially for carbon and silicon carbide, and application of the method

Номер патента: JP2001508388A. Автор: フッティンガー，クラウス・ジェイ,ベンツィンガー・バルター. Владелец: ジンテック・ケラミク・ゲーエムベーハー・ウント・コ・カーゲー. Дата публикации: 2001-06-26.

METHOD OF METATHESIS OF OLEFINS USING A SILICON CONTAINING SILICON AND MOLYBDENUM

Номер патента: RU2018107136A. Автор: Одрэ БОНДЮЭЛЛЬ,Александра ШОМОННО,Кристоф ВАЛЛЕ,Дамьен ДЕЛЬКРУА,Суад РАФИК-КЛЕМАН,Северин ФОРЖЕ. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2019-08-28.

Method of Producing a Body Comprising Porous Alpha Silicon Carbide and the Body Produced by the Method

Номер патента: US20180257994A1. Автор: WOLFF Thomas,HVAM Jeanette,WARNER Terence Edwin. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

METHOD OF ELECTROLESS NICKLE PLATING ON SURFACE OF SILICON CARBIDE POWDER

Номер патента: US20190264330A1. Автор: Yang Huijing. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

METHODS OF MEASURING REAL-TIME JUNCTION TEMPERATURE IN SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES USING TURN-ON DELAY, RELATED CIRCUITS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20210396596A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Vankayalapati Bhanu. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

METHODS OF MONITORING CONDITIONS ASSOCIATED WITH AGING OF SILICON CARBIDE POWER MOSFET DEVICES IN-SITU, RELATED CIRCUITS AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS

Номер патента: US20200400738A1. Автор: Yang Fei,Akin Bilal,PU Shi,XU Chi,Ugur Enes,Vankayalapati Bhanu Teja. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Preparation method of dye-sensitized solar cell platinum loaded silicon carbide counter electrodes

Номер патента: CN103413687B. Автор: 朱江,云斯宁. Владелец: Xian University of Architecture and Technology. Дата публикации: 2017-02-08.

Method of separating and recovering polyethylene glycol and silicon carbide abrasives for their reuse

Номер патента: DE69904986T2. Автор: Carlo Zavattari,Guido Fragiacomo. Владелец: GARBO SERVIZI Srl. Дата публикации: 2003-11-06.

In-situ hot pressing generates the preparation method of enhancing aluminum-base composite material by silicon carbide particles

Номер патента: CN106893880A. Автор: 马宁,王芬,秦毅,朱建锋,侯小江,李文君,卢博. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of preparing crucibles to grow monocrystals of silicone carbide

Номер патента: EA033855B1. Автор: Юрий Михайлович Таиров,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков,Андрей Евгеньевич Комлев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2019-12-02.

Preparation method of nitrate catalyzed nitridation sialon fiber combined silicon carbide-corundum composite high-temperature-resistant material

Номер патента: CN112500177B. Автор: 陈凯,张梦,陈智,黄军同,李喜宝,刘玲玉. Владелец: NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-30.

Method of producing a body comprising porous alpha silicon carbide and the body produced by the method

Номер патента: US10597332B2. Автор: Thomas Wolff,Jeanette HVAM,Terence Edwin WARNER. Владелец: Dinex AS. Дата публикации: 2020-03-24.

The preparation method of low-porosity reaction sintering silicon nitride silicon carbide ceramic material

Номер патента: CN106673664B. Автор: 张颖,张军战. Владелец: Xian University of Architecture and Technology. Дата публикации: 2019-04-02.

A kind of preparation method of enhancing aluminum-base composite material by silicon carbide particles surface gold plate

Номер патента: CN109371439A. Автор: 王旭光,程德,靳宇,徐俊杰,李家峰,李思振,陈学成,白晶莹,刘云彦,蔺鹏婷,曹克宁,姚雪征. Владелец: Beijing Satellite Manufacturing Factory Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-22.

METHOD OF CONTROLLING THE CRYSTALLINITY OF A SILICON POWDER

Номер патента: US20140225030A1. Автор: HERRON William,HWANG Byung K.,Dehtiar Max,Larimer Jennifer,Schrauben Mark,Tabler Raymond. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

Epitaxial growth on low degree off-axis silicon carbide substrates and semiconductor devices made thereby

Номер патента: CN102037164B. Автор: 张洁. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2013-08-14.

Method of grinding the surface of a silicon wafer

Номер патента: JPH066258B2. Автор: 三男 関家. Владелец: Disco Abrasive Systems KK. Дата публикации: 1994-01-26.

A METHOD OF TREATING HUMAN TRANSPIRATION USING A SILICONE GRAFT POLYMER; Compositions

Номер патента: FR2973243B1. Автор: Odile Aubrun,Arnaud Laurence Sebillotte,Xavier Jalenques. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2015-03-20.

Method of bonding a fluoropolymer to a silicone layer

Номер патента: CN101198465B. Автор: 史蒂文·G·科威林,爱德华·霍尔曼斯. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2011-05-04.

ANTI-SOIL VARNISH, METHOD OF APPLYING THE VARNISH TO A SILICONE SUPPORT AND SUPPORT THUS PROCESSED

Номер патента: FR2849446B1. Автор: Jean Marc Frances,Laurent Dumont,Didier Dhaler,Francis Lafaysse,Pierre Luciani. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2006-07-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Systems and methods of blade tip repair and manufacutring using field assisted sintering

Номер патента: EP4350121A2. Автор: Xuan Liu,Brian T. Hazel,Michael J. Minor,Steven Ivory,Christopher J. Bischof,Nicholas M. LoRicco,Brian Richard Craig,Luke Henry Rettberg,Stewart S. Fowler. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Method of design and manufacture of a power electronics converter for an aircraft

Номер патента: WO2023232647A1. Автор: Claus Müller,Uwe Waltrich,Stanley BUCHERT,Marco BOHLLÄNDER. Владелец: ROLLS-ROYCE DEUTSCHLAND LTD & CO KG. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of pneumatic tyre manufacture and device for making pneumatic tyre top reinforcement

Номер патента: RU2120381C1. Автор: Лоран Даниель,Деброш Клод. Владелец: Седепро. Дата публикации: 1998-10-20.

A method of checking the operation of sensors located on a dialysis liquid circuit and device by applying.

Номер патента: FR2693110A1. Автор: GOUX Nicolas,Bene Bernard. Владелец: Hospal Industrie SAS. Дата публикации: 1994-01-07.

METHOD OF DESIGNING AND MANUFACTURING A DISTRIBUTOR BAR FOR APPLYING A VISCOUS FOAMABLE LIQUID MIXTURE ONTO A LAMINATOR

Номер патента: US20190255555A1. Автор: Brennan Mark Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD OF DESIGNING AND MANUFACTURING A DISTRIBUTOR BAR FOR APPLYING A VISCOUS FOAMABLE LIQUID MIXTURE ONTO A LAMINATOR

Номер патента: US20170285619A1. Автор: Brennan Mark Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

PROPELLANT CAGE FOR A TUBULAR INFLATOR, PACKING ELEMENT FOR A TUBULAR INFLATOR, TUBULAR INFLATOR FOR AN AIRBAG MODULE, AIRBAG MODULE, VEHICLE SAFETY SYSTEM, METHOD OF OPERATING AND MANUFACTURING A TUBULAR INFLATOR

Номер патента: US20190351863A1. Автор: Ramp Manfred,Tautschnig Georg. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method of designing and manufacturing a distributor bar for applying a viscous foamable liquid mixture onto a laminator

Номер патента: CA2961109A1. Автор: Mark Joseph Brennan. Владелец: Huntsman International LLC. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of designing and manufacturing a distributor bar for applying a viscous foamable liquid mixture onto a laminator.

Номер патента: MX2017003159A. Автор: Joseph Brennan Mark. Владелец: Huntsman Int Llc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of designing and manufacturing a distributor bar for applying a viscous foamable liquid mixture onto a laminator

Номер патента: WO2016037842A1. Автор: Mark Joseph Brennan. Владелец: Huntsman International LLC. Дата публикации: 2016-03-17.

PRINCIPLES AND METHODS OF DESIGNING AND MANUFACTURING A MEDIUM AND / OR CATALOG OF ARCHIVES AND EVIDENCE FOR THE AUTHENTICATION OF A CERTAIN DATE AND ALL OBJECTS

Номер патента: FR2863392B1. Автор: Serge Schlee. Владелец: Serge Schlee. Дата публикации: 2006-03-31.

Method of designing and manufacturing low-profile customized patient-specific orthopaedic surgical instruments

Номер патента: AU2019212318B2. Автор: R. Patrick Courtis,Daniel D. Fritzinger. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

METHOD OF PACKAGING AND MANUFACTURING A CONTACT LENS IN A CONTAINER

Номер патента: US20130180212A1. Автор: HUANG Chen-Yi,Wang Chung-Lin,Wu Tsung-Lin. Владелец: Largan Medical Co., Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of forming interlayer dielectric layer using high density plasma oxide in semiconductor device

Номер патента: KR100345672B1. Автор: 고재홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-24.

CONSUMABLE PRODUCT FOR AN AEROSOL GENERATING DEVICE AND METHODS OF FILLING AND MANUFACTURING A CONSUMABLE PRODUCT FOR AN AEROSOL GENERATING DEVICE

Номер патента: US20210161195A1. Автор: BATISTA Rui Nuno,Jordil Yves,Besso Clement,Tritz Dorothy,Gunduz Nazan,Venouil Joanne. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

METHOD OF NAVIGATING AND MANUFACTURING A WIND VEHICLE DRIVEN WIND VEHICLE

Номер патента: AT505353A1. Автор: Tobias Proell,Roland Stelzer,Karim Jafarmadar. Владелец: Roland Stelzer. Дата публикации: 2008-12-15.

Customized prosthesis and method of designing and manufacturing a customized prosthesis by utilizing computed tomography data

Номер патента: US6944518B2. Автор: Jeffrey Roose. Владелец: DePuy Products Inc. Дата публикации: 2005-09-13.

Method of designing and manufacturing a composite component

Номер патента: GB2524007B. Автор: Timothy James Dodwell. Владелец: GKN Aerospace Services Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

Consumable product for an aerosol generating device and methods of filling and manufacturing a consumable product for an aerosol generating device

Номер патента: WO2020038868A1. Автор: Yves Jordil,Rui Nuno BATISTA,Clément BESSO,Dorothy Tritz,Nazan Gunduz,Joanne VENOUIL. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2020-02-27.

Consumable product for an aerosol generating device and methods of filling and manufacturing a consumable product for an aerosol generating device

Номер патента: EP3840595C0. Автор: Yves Jordil,Rui Nuno BATISTA,Clément BESSO,Dorothy Tritz,Nazan Gunduz,Joanne VENOUIL. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2023-12-27.

Consumable product for an aerosol generating device and methods of filling and manufacturing a consumable product for an aerosol generating device

Номер патента: EP3840595B1. Автор: Yves Jordil,Rui Nuno BATISTA,Clément BESSO,Dorothy Tritz,Nazan Gunduz,Joanne VENOUIL. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09844893B2. Автор: Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

SiC growth apparatus comprised of a base having a plurality of graphite plates having anisotropy of a thermal expansion coefficient and method of manufacturing a SiC crystal using the apparatus

Номер патента: US11708645B2. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-07-25.

Method of producing monocrystalline sic

Номер патента: RU2736814C1. Автор: Наталья Владимировна Андреева,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-11-20.

Method of measuring temperature

Номер патента: RU2691766C1. Автор: Андрей Николаевич Анисимов,Роман Андреевич Бабунц,Марина Викторовна Музафарова,Виктор Андреевич Солтамов,Павел Георгиевич Баранов,Анна Павловна Бундакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2019-06-18.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US20080053371A1. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of measuring magnetic field

Номер патента: RU2601734C1. Автор: Андрей Николаевич Анисимов,Роман Андреевич Бабунц,Марина Викторовна Музафарова,Виктор Андреевич Солтамов,Павел Георгиевич Баранов,Анна Павловна Бундакова,Данил Олегович Толмачев,Георгий Владимирович Астахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US7879150B2. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Method of manufacturing mold and method of manufacturing pattern sheet

Номер патента: US20170095947A1. Автор: Atsushi Fujita,Shotaro Ogawa,Toshihiro Usa,Aya Mochizuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Cubic silicon carbide film manufacturing method, cubic silicon carbide film-attached substrate manufacturing method, and power device by use of the cubic silicon carbide film

Номер патента: US20150275394A1. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US09512542B2. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of producing mould from material with heat-resistant polymer matrix

Номер патента: RU2604285C2. Автор: Леонид Викторович Воронцов,Георгий Виликович Оганесов,Андрей Викторович Буянкин. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2016-12-10.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of nepheline concentrate desiliconization and device for its implementation

Номер патента: RU2688083C1. Автор: Андрей Анатольевич Николаев,Анатолий Владимирович Николаев,Дмитрий Евгеньевич Кирпичев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-05-17.

Hollow wide-chord blade of the fan and method of its manufacture

Номер патента: RU2622682C1. Автор: Александр Иванович Ермаков,Изольд Давидович Эскин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2017-06-19.

Method of conducting material electrochemical deposition of silicon-carbon films

Номер патента: RU2676549C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-01-09.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Method of manufacturing green sheet

Номер патента: EP4227283A1. Автор: Yasuhiro Araki,Dai Kusano,Kunihiro Gotoh. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Silicon carbide crystal manufacturing apparatus, control device of silicon carbide crystal manufacturing apparatus, and method of generating learning model and controlling silicon carbide crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US12043918B2. Автор: daisuke Uematsu. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing a part from carbide-based refractory composite material

Номер патента: RU2235704C2. Автор: Дональд К. ГИДТ,Уэйд Р. ШМИДТ. Владелец: Юнайтид Текнолоджиз Копэрейшн. Дата публикации: 2004-09-10.

Method of manufacturing a silicone grip

Номер патента: WO2011102973A1. Автор: Scott S. Simpson,Walter J. Paciorek,Karen Phifer,Victor Rios,Daniel J. Kubick,Sharon Y. Soong,Dave Sherman. Владелец: WORLD PROPERTIES, INC.. Дата публикации: 2011-08-25.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20070068447A1. Автор: Hiroyuki Saito,Takashi Watanabe,Kazuhiko Kashima,Takeshi Senda,Koji Izunome,Yumiko Hirano. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacturing a silicon carbide ingot comprising moving a heater surrounding a reactor to induce silicon carbide raw materials to sublimate and growing the silicon carbide ingot on a seed crystal

Номер патента: US11795572B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Silicone broom and a manufacturing method of silicone broom

Номер патента: WO2012085905A4. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Dror Bachar. Дата публикации: 2012-08-16.

Silicone broom and a manufacturing method of silicone broom

Номер патента: EP2654491A1. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-30.

Method of manufacturing a low temperature polysilicon film

Номер патента: US20070117290A1. Автор: Mao-Yi Chang,Chih-Chin Chang,Chien-Shen Wung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of manufacturing a low temperature polysilicon film

Номер патента: US7425349B2. Автор: Mao-Yi Chang,Chih-Chin Chang,Chien-Shen Wung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-09-16.

Method of manufacturing a silver dendrite platform for biomedical applications

Номер патента: WO2024069605A1. Автор: Sabrina Conoci,Salvatore Guglielmino,Domenico FRANCO,Maria Giovanna Rizzo,Alessia Irrera,Antonio Alessio Leonardi,Corrado Rosario Spinella,Giovanna Calabrese,Emanuele Luigi Sciuto. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of treating joint in ceramic assembly

Номер патента: US09868276B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques,Khaled LAYOUNI,Yanxia Ann Lu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

Method of producing ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide and ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide

Номер патента: RU2440956C1. Автор: Владимир Валерьевич Ленский,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Валерий Анатольевич Быков,Евгений Федорович Харченко (RU),Владимир Александрович Анискович (RU),Владимир Валерьевич Ленский (RU),Илья Сергеевич Гавриков (RU),Валерий Анатольевич Быков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-01-27.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Sophisticated Metallization Systems in Semiconductors Formed by Removing Damaged Dielectric Surface Layers After Forming the Metal Features

Номер патента: US20120001343A1. Автор: Feustel Frank,Huisinga Torsten,Grillberger Michael. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making light optical mirrors

Номер патента: RU2591209C1. Автор: Александр Федорович Ильющенко,Евгений Владимирович Звонарев,Галина Александровна Миронович,Владимир Анатольевич Осипов,Владимир Иванович Беляковский,Юрий Михайлович Поташников. Владелец: Государственное научное учреждение "Институт порошковой металлургии". Дата публикации: 2016-07-20.

Process for cementing diamond to silicon-silicon carbide composite and article produced thereby

Номер патента: CA1171666A. Автор: Minyoung Lee,Lawrence E. Szala. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of preparing a burger patty with jackfruit pith extender and jackfruit seed flour

Номер патента: PH22017000174Y1. Автор: Roberta D Lauzon,Lorina A Galvez,Felix J Amestoso,Dennis C Varron,Rubilyn Sonon Ramis. Владелец: Univ Visayas State. Дата публикации: 2017-06-23.

Method of preparing a burger patty with jacfruit pith extender and jackfruit seed flour

Номер патента: PH22017000174U1. Автор: Roberta D Lauzon,Lorina A Galvez,Felix J Amestoso,Dennis C Varron,Rubilyn Sonon Ramis. Владелец: Univ Visayas State. Дата публикации: 2017-06-23.

BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, METHOD OF PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, AND METHOD OF PRODUCING BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM

Номер патента: US20120021173A1. Автор: Shimada Hiroyuki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of hitting of ground targets

Номер патента: RU2146350C1. Автор: Б.П. Таланов. Владелец: Таланов Борис Петрович. Дата публикации: 2000-03-10.

Method of reducing pin holes in a silicon nitride passivation layer

Номер патента: TW418504B. Автор: Liang-Dung Jang,Shiang-Ping Jeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-01-11.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE FABRICATION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120112209A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126251A1. Автор: Sasaki Makoto,Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Inoue Hiroki,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo,Horii Taku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012862A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD OF TEXTURING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE, AND TEXTURED SILICON SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL

Номер патента: US20120146194A1. Автор: Moreno Mario,Roca i Cabarrocas Pére,Daineka Dimitri. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

Process of manufacture of rectifying contacts from silicon carbide of n type

Номер патента: RU2031478C1. Автор: Е.Г. Иванов,В.В. Лучинин,Д.В. Чуйков,В.Л. Семакин. Владелец: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им.В.И.Ульянова (Ленина). Дата публикации: 1995-03-20.

The method of two-step method solid-phase sintered silicon carbide ceramics with no pressure

Номер патента: CN104446493B. Автор: 李�瑞,于建波. Владелец: Qingdao Runjianze New Material Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-18.

Manufacturing method of filter core of catcher for catching silicon carbide mass particles in diesel engine exhaust

Номер патента: CN102701776B. Автор: 庞俊峰,宫俊贤. Владелец: TIANJIN TANLUAN ENERGY-SAVING ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Preparation method of high-uniformity high-yield semi-insulation silicon carbide substrate

Номер патента: CN103696012A. Автор: 徐现刚,胡小波,陈秀芳,彭燕. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-04-02.

A method of fabricating short-gate-length electrodes for integrated III-V compound semiconductor devices

Номер патента: TW200949953A. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Kuo Lin,Tsung-Chi Tsai,Ming-Chang Tu,Chia-Liang Chao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120061687A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND A MOUNTING STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120146228A1. Автор: SHIMANUKI YOSHIHIKO. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CONTACT PLUGS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120156848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

Method of neutralising spatial charge of ion stream

Номер патента: RU2520270C2. Автор: Юрий Александрович Манкелевич,Павел Владимирович Минаков,Василий Васильевич Сень,Александр Юрьевич Поройков,Александр Турсунович Рахимов,Владимир Владимирович Дворкин,Александр Александрович Ястребов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2014-06-20.

Preparation method of self-healing carbon/carbon or carbon/silicon carbide composite material

Номер патента: CN101774806A. Автор: 成来飞,张立同,殷小玮,时凤鸣. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2010-07-14.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

EPITAXIAL GROWTH ON LOW DEGREE OFF-AXIS SILICON CARBIDE SUBSTRATES AND SEMICONDUCTOR DEVICES MADE THEREBY

Номер патента: US20120248463A1. Автор: Zhang Jie. Владелец: SS SC IP, LLC. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and circuit arrangement comprising such a semiconductor device

Номер патента: CA858126A. Автор: J. P. F. Le Can Claude,B. M. Spaapen Joseph. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-12-08.

Method of planarizing interlayer insulating layer and forming diffusion barrier layer of semiconductor device

Номер патента: KR960026354A. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

The preparation method of transition metal element doped ZnO nano array and comprise the semiconductor devices of this nano-array

Номер патента: CN103147130B. Автор: 张翔宇,杨美佳,朱丽萍,胡亮,李亚光,文震,许鸿斌,陈文丰,万尾甜,周梦萦. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2016-05-11.

METHOD OF FABRICATING A CELL CONTACT AND A DIGIT LINE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120329274A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

METHODS OF AVOIDING SHADOWING WHEN FORMING SOURCE/DRAIN IMPLANT REGIONS ON 3D SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140113420A1. Автор: Kim Jeong Soo,Wei Yayi,Kim Seung Y.,SARGUNAS Vidmantas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

반도체장치의 저항용으로 사용되는 폴리실리콘막의 형성방법(a method of forming a polysilicon layer used as a resistor in a semiconductor device)

Номер патента: KR970024143A. Автор: 김종섭. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

METHOD OF INSPECTING AND MANUFACTURING A STACK CHIP PACKAGE

Номер патента: US20130052760A1. Автор: CHO Sung-Dong,PARK Yeong-Lyeol,YOON Min-Seung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-28.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing products from composite material

Номер патента: RU2531503C1. Автор: Павел Аркадьевич Киселёв. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Керамет-Пермь". Дата публикации: 2014-10-20.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ear Implant Electrode and Method of Manufacture

Номер патента: US20120004715A1. Автор: Ramachandran Anup,Nielsen Stefan B.,Jolly Claude,Zimmerling Martin. Владелец: MED-EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ceramic-matrix composite material having hardened reinforcing component and method of making said material

Номер патента: RU2457192C2. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2012-07-27.

Method of primary annealing for processing silicon-carbide tubes

Номер патента: RU2376675C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of measuring spatial distribution gas temperature

Номер патента: RU2466362C2. Автор: Владимир Александрович Карачинов,Дмитрий Владимирович Карачинов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого. Дата публикации: 2012-11-10.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLARED TIP FAN BLADE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003098A1. Автор: . Владелец: SPX Cooling Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of product manufacture containing silicon substrate with film from carbide of silicon on its surface

Номер патента: RU2352019C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл". Дата публикации: 2009-04-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.