Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US20240332363A1
Опубликовано: 03-10-2024
Автор(ы): Naoyuki Ohse
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-10-2024
Автор(ы): Naoyuki Ohse
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon carbide lateral power semiconductor device
Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.