Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Номер патента: US20200027716A1
Опубликовано: 23-01-2020
Автор(ы): Komatsu Yuji
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2770764A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12074021B2. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240363338A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Methods of Re-using a Silicon Carbide Substrate

Номер патента: US20210265484A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Two-dimensional material-based wiring conductive layer contact structures, electronic devices including the same, and methods of manufacturing the electronic devices

Номер патента: US12142697B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: WO2003023860A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2003-03-20.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-04-28.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A4. Автор: Richard L Woodin,Howard D Bartlow,Martin E Kordesch. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices

Номер патента: US09960247B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Bochao Huang,Da Teng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US11682553B2. Автор: Hasan Naser. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure having insulator pillars and semiconductor material on substrate

Номер патента: US09793113B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7855412B2. Автор: Hideo Matsuki,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313116A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755026B2. Автор: Weonhong Kim,Moonkyun Song,Minjoo Lee,Soojung CHOI,Dong Su Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20110278595A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method of forming crystallized semiconductor layer, method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, and display apparatus

Номер патента: US11101368B2. Автор: Yonglian QI,Dan Wang,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Yun Qiu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Method of forming crystallized semiconductor layer, method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, and display apparatus

Номер патента: US20210217872A1. Автор: Yonglian QI,Dan Wang,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Yun Qiu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Integrated circuit devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20190123051A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Thin film transistor and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09911863B2. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor on a silicon on insulator (SOI) substrate using solid epitaxial regrowth (SPER) and semiconductor device made thereby

Номер патента: US7122452B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2006-10-17.

Method of forming a polycrystalline silicon layer

Номер патента: US20050095821A1. Автор: Myoung-Su Yang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: EP1683201A1. Автор: Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Jr. Calvin H. Carter,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-07-26.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: CA2542704A1. Автор: Calvin H. Carter, Jr.,Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-06.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of forming a wiring structure, method of manufacturing a semiconductor device using the same, and semiconductor device manufactured by the same method

Номер патента: US20230411161A1. Автор: Minsik Kim,Yongjun SHIN,Sukhoon KIM,Gwanhyoung LEE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09627525B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US09613860B2. Автор: Hiroto Miyake,Arichika Ishida,Yohei Yamaguchi,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for formation of an ultra-thin film and semiconductor device containing such a film

Номер патента: US20050170531A1. Автор: Bum-Ki Moon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of intercalating insulating layer between metal and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the intercalation method

Номер патента: US09825182B2. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812557B2. Автор: Dong-Suk Shin,Cheol-Woo Park,Han-jin Lim,Hyun-Kwan Yu,Ryong Ha,Woon-Ki Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138708A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Silicon carbide single crystal and semiconductor apparatus

Номер патента: US12129571B2. Автор: Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of controlling optical properties of a capping insulating layer on memory devices, and system for performing same

Номер патента: US7026170B1. Автор: Matthew A. Purdy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-04-11.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of manufacturing photomasks, methods of forming photoresist patterns and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160202611A1. Автор: Sang-Hyun Kim,Dong-gun Lee,Chan-uk Jeon,Byung-gook Kim,Byoung-Hun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods of manufacturing photomasks, methods of forming photoresist patterns and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09798241B2. Автор: Sang-Hyun Kim,Dong-gun Lee,Chan-uk Jeon,Byung-gook Kim,Byoung-Hun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130075733A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09536994B2. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7772645B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283106A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09576946B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Low temperature polycrystalline semiconductor device amd manufacturing method thereof

Номер патента: US20210005737A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-07.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997624B2. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming insulating layer and method of manufacturing transistor using the same

Номер патента: US8183136B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Deok-Hyung Lee,Dong-Chan Kim,Soo-jin Hong,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09559217B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming dielectric layer on Ge-based semiconductor layer and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: KR101152441B1. Автор: 박인성,최영재,안진호. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-06-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US09806204B2. Автор: Hyun-Sung Kim,Bum-soo Kim,Seung-pil Chung,Sung-Soo Ahn,Won-Bong Jung,Kyoung-sub Shin,O Ik Kwon,Min-Kyung YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same

Номер патента: US20090256146A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-10-15.

A semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same

Номер патента: WO2005064662A3. Автор: Bartlomiej J Pawlak. Владелец: Bartlomiej J Pawlak. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140349444A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US09647088B2. Автор: Xin Zhang,Jingfeng Xue,Gui Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490159B2. Автор: Yang Bok Lee,Seung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Epitaxial structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360909A1. Автор: Po-Jung Lin,Han-Zong Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Epitaxial structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360910A1. Автор: Po-Jung Lin,Han-Zong Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Film embedding method and semiconductor device

Номер патента: US20130249062A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of manufacturing epitaxial wafer and silicon-based substrate for epitaxial growth

Номер патента: US20160365239A1. Автор: Shoichi Kobayashi,Hirotaka Kurimoto,Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE BASE BODY, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE BASE BODY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210217619A1. Автор: OTA Chiharu,Nishio Johji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of patterning a substrate

Номер патента: US20120322267A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20190333766A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010021557A1. Автор: Masazumi Matsuura,Kinya Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US7846850B2. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of forming a polysilicon to polysilicon capacitor

Номер патента: US20030124795A1. Автор: Shyh-Dar Lee. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20100151668A1. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same

Номер патента: US5494859A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Methods of forming a silicon layer, methods of forming patterns, and methods of manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20180102260A1. Автор: Nam-Gun Kim,Youn-Joung Cho,Kong-Soo Lee,Yoon-chul Cho,Badro IM,Sun-Hye HWANG,Won-Woong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20090042383A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin Gyun Kim,Bon-young Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496277B2. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09779933B2. Автор: Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190148397A1. Автор: Do Hyung Kim,Keun Lee,Hyun Seok Lim,Jeong Gil Lee,Sung Nam Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09887084B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: TW200518356A. Автор: Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Valeri Fedorovich Tsvetkov,Clavin H Carter Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09478548B2. Автор: Chan-Sic Yoon,Hyeon-Ok Jung,Ki-Seok Lee,Do-Yeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09953924B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09711453B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190206744A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Takahiro Maruyama,Toshiya Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of forming overlay mark structure

Номер патента: US20200013724A1. Автор: Yi-Ting Chen,En-Chiuan Liou,Hsiao-Lin Hsu,Sho-Shen Lee,zheng-feng Chen,Lu-Wei KUO. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Manufacturing method of metal-insulator-metal device

Номер патента: US20180254316A1. Автор: Hsin Tai,Ming-Chen Lu,Po-Cheng Chang,Hui-Chin Huang,Pei-Ting Tou. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of manufacturing mask for deposition

Номер патента: US09543520B1. Автор: Youngmin Moon,Minho Moon,Sungsoon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming a pattern

Номер патента: US12051590B2. Автор: Sangjin Kim,Taemin CHOI,Yigwon Kim,Jinhee Jang,Yongchul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Silicon carbide epi wafer and semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR102288817B1. Автор: 김무성. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2021-08-11.

A method of preparing figure graphene on an insulating substrate

Номер патента: CN106904599B. Автор: 王刚,张苗,王曦,薛忠营,狄增峰,郑晓虎,戴家赟,汪子文. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-03-01.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US7642177B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-05.

Method of manufacturing nanowire

Номер патента: US8258049B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-04.

Heterogeneously integrated semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303377A1. Автор: Shih-Chang Lee,Ta-Cheng Hsu,Jen-Inn Chyi,Wen-Kuan Yeh,Shih-Pang CHANG,Rong-Ren LEE,Meng-yang CHEN,Guang-Li Luo,Szu-Hung Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Heterogeneously integrated semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11515307B2. Автор: Shih-Chang Lee,Ta-Cheng Hsu,Jen-Inn Chyi,Wen-Kuan Yeh,Shih-Pang CHANG,Rong-Ren LEE,Meng-yang CHEN,Guang-Li Luo,Szu-Hung Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Technique for Forming Cubic Silicon Carbide and Heterojunction Silicon Carbide Device

Номер патента: US20240047207A1. Автор: Hans Weber,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Andreas Voerckel,Christian Zmoelnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory incorporating insulating layers of progressively decreasing band gaps and method of manufacturing the same

Номер патента: US09514946B2. Автор: Masao Inoue,Yoshiki Maruyama,Atsushi Yoshitomi,Tomoya Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of removing a patterned multilevel resist from a surface layer on a substrate

Номер патента: US5160404A. Автор: Takushi Motoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-11-03.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Silicon carbide single-crystal and semiconductor element

Номер патента: WO2020255343A1. Автор: 木下　博之. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2020-12-24.

Cell structure of silicon carbide mosfet device, and power semiconductor device

Номер патента: US20230006044A1. Автор: Yafei Wang,Changwei Zheng,Shasha Jiao,Chengzhan LI,Haihui Luo. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230335602A1. Автор: Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12015059B2. Автор: Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09941112B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of producing a transistor with an insulated control electrode

Номер патента: US3690945A. Автор: Max Kuisl. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1972-09-12.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160351445A1. Автор: Jongseon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12100596B2. Автор: HyunKi Lee,Kwang-Ho You,Keunhee Bai,Duck-nam Kim,Sae Il Son,Cheolin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates

Номер патента: US6316793B1. Автор: Scott Thomas Sheppard,John Williams Palmour,Scott Thomas Allen. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2001-11-13.

Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates

Номер патента: CA2334823C. Автор: Scott Thomas Sheppard,John Williams Palmour,Scott Thomas Allen. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8618555B2. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Hideo Matsuki,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Silicon carbide horizontal channel buffered gate semiconductor devices

Номер патента: CN1308774A. Автор: R·辛格. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2001-08-15.

Silicon carbide horizontal channel buffered gate semiconductor devices

Номер патента: CA2336933A1. Автор: Ranbir Singh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-20.

PROCESS FOR THE APPLICATION OF SURFACE LAYERS ON A SUPPORT, PREFERRED FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: NL140655B. Автор: Ties Ir Siebolt,Mevrouw Gertruda Wilhel Helden. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1973-12-17.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US09466765B1. Автор: Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Yeon Ji Kim,Ju Heon YOON,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170358362A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170018575A1. Автор: Youngmin Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Silicon carbide crystal and method of manufacturing silicon carbide crystal

Номер патента: US09725823B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

A method of forming electrical conductors on an insulating substrate

Номер патента: GB2213319A. Автор: Roy Charles Winter,Gillian Denise Kellet. Владелец: Marconi Electronic Devices Ltd. Дата публикации: 1989-08-09.

Semiconductor device comprising a floating gate flash memory device

Номер патента: US09972634B2. Автор: Ralf Richter,Peter Krottenthaler,Martin Mazur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing transistor

Номер патента: US20220190142A1. Автор: Jaewoo JEONG,Jong Oh Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170062447A1. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170317094A1. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9735166B2. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10056396B2. Автор: Hiroki Mukai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming a trench in an insulating layer exceeding the photolithographic resolution in a semiconductor manufacturing

Номер патента: KR100334577B1. Автор: 정태영,우형수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-03.

Body contact soi transistor structure and method of making

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Dongping Wu,Shili Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

Method of doping polysilicon layer that utilizes gate insulation layer to prevent diffusion of ion implanted impurities into underlying semiconductor substrate

Номер патента: US7833864B2. Автор: Yong-Chul Oh,Gyo-Young Jin,Nak-Jin Son,Wook-Je Kim,Se-Myeong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-16.

Methods of Forming CMOS Integrated Circuits that Utilize Insulating Layers with High Stress Characteristics to Improve NMOS and PMOS Transistor Carrier Mobilities

Номер патента: US20090124093A1. Автор: Kyoung-Woo Lee,Ja-hum Ku,Seung-Man Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within In-insulator layer cavities and method

Номер патента: US11894450B2. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Devices and methods of forming SADP on SRAM and SAQP on logic

Номер патента: US09761452B1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Devices and methods of forming sadp on sram and saqp on logic

Номер патента: US20180012760A1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same including RGB insulating layer configuration

Номер патента: US09570710B2. Автор: Jiyoun Lee,Jaebeom Choi,Sehun PARK,Jaehwan Oh,Yongduck Son,Youngjin CHANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of forming image sensors including deposited negative fixed charge layers on photoelectric conversion regions

Номер патента: US09741758B2. Автор: Hyoungsun Park,Hyungjoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of forming wiring structures and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09666478B2. Автор: Nae-in Lee,Thomas Oszinda,Sang-hoon Ahn,Tae-Jin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of forming wiring structures and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160329242A1. Автор: Nae-in Lee,Thomas Oszinda,Sang-hoon Ahn,Tae-Jin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US09857688B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of reducing the roughness of a gate insulator layer after exposure of the gate insulator layer to a threshold voltage implantation procedure

Номер патента: US6281140B1. Автор: Sheng-Liang Pan,Chie-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-08-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190221646A1. Автор: Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Device having a contact between semiconductor regions through a buried insulating layer, and process for fabricating said device

Номер патента: US09490264B2. Автор: Richard Ferrant,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having a planar insulating layer

Номер патента: US09972720B2. Автор: Dong Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11769837B2. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220165877A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

DEVICE AND MANUFACTURING METHOD HAVING CONTACT BETWEEN SEMICONDUCTOR REGIONS THROUGH AN INSULATED INSULATED LAYER

Номер патента: FR2955200A1. Автор: Richard Ferrant,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2011-07-15.

Cell structure of silicon carbide MOSFET device and power semiconductor device

Номер патента: CN113053992B. Автор: 张超,张文杰,王亚飞,李诚瞻,罗海辉,陈喜明. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

Cell structure of silicon carbide MOSFET device and power semiconductor device

Номер патента: CN113053992A. Автор: 张超,张文杰,王亚飞,李诚瞻,罗海辉,陈喜明. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Cell structure of silicon carbide MOSFET device and power semiconductor device

Номер патента: CN112786680B. Автор: 王亚飞,李诚瞻,王彦刚,陈喜明,戴小平,唐龙谷. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021736A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of fabricating thin film transistor including ald deposited protection layer on the oxide semiconductor

Номер патента: KR100857455B1. Автор: 박상희,조경익,추혜용,황치선. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2008-09-08.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, template, and method of manufacturing template

Номер патента: US12068244B2. Автор: Yasuhito Yoshimizu,Kaori Umezawa,Kosuke TAKAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09799551B2. Автор: Jongseon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing capacitor array

Номер патента: US12034034B2. Автор: Yu-Shan Wu,Zhi-Xuan Shen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing capacitor array

Номер патента: US20230238424A1. Автор: Yu-Shan Wu,Zhi-Xuan Shen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Method of high voltage device fabrication

Номер патента: US09966265B2. Автор: Bo Hong,Shuai ZHANG,Jui Lin Lu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing inverter and inverter

Номер патента: US20210366781A1. Автор: Huafei XIE. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230274938A1. Автор: Chi On Chui,Da-Yuan Lee,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Hao-Ming Tang,Yun-San Chien,Yi-Hsin Ting,Han-Shen WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060115935A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Cell Field Portion and a Contact Area

Номер патента: US20160093529A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US9852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US09852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

FinFET semiconductor devices including recessed source-drain regions on a bottom semiconductor layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US09716176B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Gate-all-around nanowire MOSFET and method of formation

Номер патента: US09443948B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Rfsoi semiconductor structures including a nitrogen-doped charge-trapping layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240274659A1. Автор: Cheng-ta Wu,Chiu Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793415B2. Автор: Junghyun Kim,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180315662A1. Автор: Soo Yeon Jeong,Kyung Yub JEON,Jae Kwang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-01.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080102575A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Methods of manufacturing semiconductor devices including device isolation processes

Номер патента: US09564369B1. Автор: Sang-min Lee,Ju-youn Kim,Min-Yeop Park,Min-Choul Kim,Bo-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor devices including raised source/drain stressors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09502413B2. Автор: Sang-pil Sim,Dong-Kyun Sohn,Se-Chan Lim,Su-Youn Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484271B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240234211A9. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of forming a hole having a vertical profile and semiconductor devices having a vertical hole

Номер патента: US20110201203A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Hyo-san Lee,Kun-tack Lee,So-Ra Han,Seong-ho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor die having a sodium stopper in an insulation layer groove and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230307512A1. Автор: Ingmar Neumann,Oliver Blank,Christof Altstätter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093795A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978795B2. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220189963A1. Автор: Chunhyung Chung,NamHoon LEE,Donghyun IM,Sungmi YOON,Jooyub Kim,Juhyung We. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced power consumption without a reduction in the source/drain breakdown voltage

Номер патента: US20020094614A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Shigenobu Maeda,Toshiaki Iwamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

FinFET device on silicon-on-insulator and method of forming the same

Номер патента: US09793174B1. Автор: Yu-Ren Wang,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7501317B2. Автор: Hiroshi Kitajima,Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161197A1. Автор: Hiroshi Kitajima,Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Wide gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960228B2. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices having silicide and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09704865B2. Автор: Junggun YOU,Wei-Hua Hsu,Hyungjong LEE,Choongho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Array Substrate, Method of Fabricating the Same and Liquid Crystal Display Panel

Номер патента: US20170343871A1. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Array substrate, method of fabricating the same and liquid crystal display panel

Номер патента: US9766519B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230223296A1. Автор: Hajime Okuda,Yoshinori Fukuda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140051190A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140011307A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US8592323B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US9105518B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of stripping an opening in an insulating layer

Номер патента: FR1547881A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1968-11-29.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20010025975A1. Автор: Kazusuke Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-04.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR960019528A. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR0174594B1. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트주식회사. Дата публикации: 1999-04-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device including an IGBT as a power transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09780187B2. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yuta IKEGAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of Manufacturing Array Substrate and Method of Manufacturing Display Device

Номер патента: US20190027512A1. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: US20060099757A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of making IC capacitor

Номер патента: US20030068868A1. Автор: Jen-Chieh Chang,Yi-Fu Chung,Tsai-Sen Lin,Chou-Shin Jou,Chuan-Yi Wang,Chun-Pey Cho,Huei-Ping Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device with a copper barrier layer and formation thereof

Номер патента: US6093966A. Автор: John Mendonca,Jeffrey T. Wetzel,Sam S. Garcia,Gregory N. Hamilton,Ramnath Venkatraman,Tze W. Poon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20170154858A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20200312791A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20180350756A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20200144202A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09416446B2. Автор: Tatsuyuki Saito,Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Takashi Yokogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Contact structure and method of making

Номер патента: US20220278040A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Chi-Feng Lin,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Micromachined ultra-miniature piezoresistive pressure sensor and method of fabrication of the same

Номер патента: US09708175B2. Автор: Bin QI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having a contact structure

Номер патента: US20230275019A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Chi-Feng Lin,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INSULATED INSULATED LAYER IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, BY ION IMPLANTATION

Номер патента: FR2563377A1. Автор: Michel Bruel,Jean Du Port De Poncharra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-10-25.

Insulating film forming method capable of enhancing adhesion of silicon carbide film, etc. and semiconductor device

Номер патента: US20070173054A1. Автор: Tamotsu Owada,Ken Sugimoto,Hirofumi Watatani,Shun-ichi Fukuyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Method of forming contact holes

Номер патента: US5320932A. Автор: Hiroshi Haraguchi,Yasuhisa Yoshida,Hitoshi Tsuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20160024649A1. Автор: Tatsuyuki Saito,Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Takashi Yokogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-01-28.

Micromachined ultra-miniature piezoresistive pressure sensor and method of fabrication of the same

Номер патента: US20160039661A1. Автор: Bin QI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-11.

Micromachined ultra-miniature piezoresistive pressure sensor and method of fabrication of the same

Номер патента: US20140242740A1. Автор: Bin QI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device, imaging device, and manufacturing apparatus

Номер патента: US11444005B2. Автор: Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method of forming a metal seed layer for subsequent plating

Номер патента: US20010011638A1. Автор: Dinesh Chopra,Terry Gilton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A FUNCTIONALIZED LAYER ON A SUPPORT SUBSTRATE

Номер патента: FR2978605B1. Автор: Ionut Radu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-10-16.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A FUNCTIONALIZED LAYER ON A SUPPORT SUBSTRATE

Номер патента: FR2978605A1. Автор: Ionut Radu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-02-01.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing an electronic device and electronic device manufactured thereby, method for manufacturing an electronic device package and electronic device package manufactured thereby, and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW201233560A. Автор: Toshihiro Sato,Etsu Takeuchi,Hiromichi Sugiyama,Masakatsu Maeda,Masakazu Kawata,Toshiharu Kuboyama,Junya Kusunoki. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of making a conductive lateral connection between two wiring layers on a substrate

Номер патента: JP3314165B2. Автор: ヘールマン マルセル,ファン プイムブレック ヨーゼフ. Владелец: シーメンス ソシエテ アノニム. Дата публикации: 2002-08-12.

Method of de-chucking a wafer using a direct voltage and a alternating voltage alternately and apparatus for fabricating a semiconductor device employing the same

Номер патента: KR101295776B1. Автор: 박해중,신동준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-08-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570316B2. Автор: Yoon-ho Son,Sang-Jun Lee,Mong-Sup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20070123030A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming contact holes using pillar masks and mask bridges

Номер патента: US09875932B2. Автор: Nam-Gun Kim,Chan-Mi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09524925B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09613972B1. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method to reduce resistance for a copper (CU) interconnect landing on multilayered metal contacts, and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US09991202B2. Автор: Atsushi Ogino,Justin C. Long,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601507B2. Автор: Munio ISHIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160197012A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09484257B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Abrasive particle, polishing slurry, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09469800B2. Автор: Seung Won Jung. Владелец: INDUSTRIAL BANK OF KOREA. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of a semiconductor device and method for creating a layout thereof

Номер патента: US11990406B2. Автор: Chikaaki Kodama,Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US8541288B2. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20130164908A1. Автор: Sheng-Fa Liu,Der-Chun Wu,Yu-Hsien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device drive method

Номер патента: US09915961B2. Автор: Hitoshi Abe,Toshiyuki Matsui,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220302267A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display

Номер патента: US20150028331A1. Автор: Jin Jang,Tae-Woong Kim,Young-Gug Seol,Christophe Avis. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor Device and Method using a Sacrificial Layer

Номер патента: US20120068240A1. Автор: Rudolf Berger,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150340417A1. Автор: Jang-soon Im,Jin-Seong Park,Min-Kyu Kim,Yeon-Gon Mo,Kwang-Suk Kim,Tae-kyung Ahn,Jae-Kyeong Jeong,Jong-Han Jeong,Hui-Won Yang,Eun-Hyun Kim,Jae-Wook Kang,Hyun-Joong Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130109119A1. Автор: Jin-Seong Park,Min-Kyu Kim,Yeon-Gon Mo,Kwang-Suk Kim,Tae-kyung Ahn,Jae-Kyeong Jeong,Jong-Han Jeong,Hui-Won Yang,Eun-Hyun Kim,Jae-Wook Kang,Hyun-Joong Chung,Jae-Soon IM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device having insulation layer with concave portion and semiconductor layer that includes channel area disposed at concave portion, electro-optical device, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US09543327B2. Автор: Masashi Nakagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Power trench MOS-gated device and method of manufacturing it

Номер патента: EP1041640A3. Автор: Christopher Kocon. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Methods of manufacturing a vertical memory device

Номер патента: US20200135760A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Ik-Soo Kim,Il-woo Kim,Sang-Ho Rha,Min-Jae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09960183B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method of manufacture

Номер патента: US20230389310A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Byeongjoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10115792B2. Автор: Shinya Yamazaki,Ryotaro Yagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160163795A1. Автор: Shinya Yamazaki,Ryotaro Yagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140306275A1. Автор: Shinya Yamazaki,Ryotaro Yagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Thin film transistor, thin film transistor array substrate and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20240194793A1. Автор: Deng-Kai Chang,Tai-Hsing LEE,Chan-Kuan Huang,Tuan-Fei Gu. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080826B2. Автор: Joon Seok Park,Jun Hyung LIM,Myoung Hwa KIM,Tae Sang Kim,Yeon Keon Moon,Hye Lim Choi,Geun Chul PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666720B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yutaka Okazaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Atsuo Isobe,Keitaro Imai,Mizuho IKARASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US09941313B2. Автор: Junghyun Kim,Seunghwan CHO,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249314A1. Автор: Tohru Kawai,Yuta MIZUKAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US11183546B2. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US20210043708A1. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor devices including an air-gap and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859288B2. Автор: Keun-Ho Lee,Young-Kwan Park,Seon-Young Lee,Dae-Sin Kim,Sang-Woo OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8823005B2. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120037913A1. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230411481A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060118872A1. Автор: Tatsushi Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768069B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Chia-Chun Liao,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Electronic component, method of manufacturing same, composite module including electronic component, and method of manufacturing same

Номер патента: US09543268B2. Автор: Tadaji Takemura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing organic light emitting display panel

Номер патента: US09484395B2. Автор: Younghak Lee,JoongKeun PARK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device including a gate electrode of lower electrical resistance and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080048274A1. Автор: Hyun-Young Kim,Jin-gi Hong,Jung-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Methods of forming metal interconnections including thermally treated barrier layers

Номер патента: US6077772A. Автор: Sung-Tae Kim,In-Seon Park,Won-Goo Hur,Du-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12063777B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304699A1. Автор: JunYoung KWON,Gwanhyung LEE,Heeje RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240357807A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162296A1. Автор: Daniel Maurer,Sabine Konrad,Thomas Ostermann,Steffen SACK. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200388671A1. Автор: Toshihiro Okuda,Mizue Kitada,Gotaro TAKEMOTO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090280610A1. Автор: Junji UMEZAKI. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: US20040063374A1. Автор: Woo-Young So,Sang-il Park,Kyung-Jin Yoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09842934B2. Автор: Sang-Hyun Bae,Ju-Yeon Kim,Yong-Woo Yoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773772B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755054B2. Автор: Hyeon Jun Lee,Ki Hwan Kim,Kap Soo Yoon,Jeong Uk Heo,Myung Kwan Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory devices having reduced susceptibility to leakage of stored charges and methods of forming same

Номер патента: US20140197471A1. Автор: Kwang Soo SEOL,Jaeduk LEE,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128795A1. Автор: Toshifumi Minami,Teppei Higashitsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US8148212B2. Автор: Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor device including ferroelectric layer and metal particles embedded in metal-organic framework layer

Номер патента: US12058871B2. Автор: Won Tae KOO,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Treatment solution for producing an insulating coating and a method of producing a metal having an insulating coating

Номер патента: RU2689353C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Рюйти СУЭХИРО,Макото ВАТАНАБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-27.

Method of making power cable with thermoplastic electric insulating layer

Номер патента: RU2590904C1. Автор: Габриеле ПЕРЕГО. Владелец: Призмиан С.П.А.. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of designing and manufacturing an array antenna

Номер патента: US20090211079A1. Автор: Giovanni Toso,Piero Angeletti. Владелец: AGENCE SPATIALE EUROPEENNE. Дата публикации: 2009-08-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110156220A1. Автор: Satoru Nakayama,Shoetsu KOGAWA,Seigo Kamata,Shigemitsu Seito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of manufacturing silicon on insulator substrate

Номер патента: US20170278741A1. Автор: Tetsuya Yamada,Shinjirou Uchida,Masamitsu Fukuda,Hiromichi Kinpara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of forming low height split gate memory cells

Номер патента: US09972493B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing barrier-metal-free metal interconnect structure, and barrier-metal-free metal interconnect structure

Номер патента: US20230230878A1. Автор: Takeshi Iizumi,Shinro Ota,Ryota Koshino. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacture of elastic elements of micromechanical sensors

Номер патента: RU2648287C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-03-23.

Nanolithography and microlithography devices and method of manufacturing such devices

Номер патента: WO2005086880A3. Автор: Sadeg M Faris. Владелец: Sadeg M Faris. Дата публикации: 2009-04-16.

Nanolithography and microlithography devices and method of manufacturing such devices

Номер патента: WO2005086880A2. Автор: Sadeg M. Faris. Владелец: Reveo, Inc.. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5627391A. Автор: Yasuhiro Shimada,Akihiro Matsuda,Koji Arita,Toru Nasu,Atsuo Inoue,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Method of making a ROM diode

Номер патента: US5874339A. Автор: Kuang-Yeh Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Method of manufacturing flexible display apparatus

Номер патента: US09911918B2. Автор: HAYK Khachatryan,Kihyun Kim,Sunho Kim,Jeongho KIM,Yeongon MO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240032271A1. Автор: Yi-Chin Chen,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210351386A1. Автор: Yong-Hoon Kwon,Junehyoung Park,Hyun a Lee,Hyunji LEE,Somi Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of cutting substrate and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09755192B2. Автор: Taeyong KIM,Jinho Lee,Gyoowan Han,Jekil Ryu,Hyojin Kim,Junghwa You,Ilyoung Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic component with an insulating layer formed from fluorinated norbornene polymer and method for manufacturing the insulating layers

Номер патента: US20020103318A1. Автор: Alfred Haimerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Wafer base for silicon carbide semiconductor devices, incorporating alloy substrates

Номер патента: US5043773A. Автор: Walter Precht,Richard Koba,Donald Kupp,Delwyn Cummings. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-08-27.

METHOD OF MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH SEMICONDUCTOR LAYERS ON AN INSULATING SUBSTRATE

Номер патента: ATA1035072A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-02-15.

Method of forming an integrated avalanche photodiode

Номер патента: WO2024128976A1. Автор: Yue Chen,Xiao Gong,Jishen ZHANG,Haiwen Xu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit substrate and semiconductor device using same

Номер патента: EP2669941A1. Автор: Toshiaki Morita,Takashi Ando,Eiichi Ide,Yusuke Yasuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-04.

Method of forming acoustic resonator using intervening seed layer

Номер патента: US09608589B2. Автор: John Choy,Chris Feng,Phil Nikkel,Kevin J. Grannen. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having inductor

Номер патента: US09583555B2. Автор: Sheng-Yuan Lee. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Fiber to chip coupler and method of making the same

Номер патента: US12050348B2. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Solid state imaging device having high sensitivity and exhibiting high degree of light utilization and method of manufacturing the same

Номер патента: US5691548A. Автор: Tetsuro Akio. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Image Sensor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20100117177A1. Автор: Young Je Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of making an electronic device having a liquid crystal polymer solder mask and related devices

Номер патента: US09763324B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,Travis L. Kerby,Casey Philip Rodriguez. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2017-09-12.

Producing Method of Organic Solar Cell Including an Insulator Layer

Номер патента: KR102372237B1. Автор: 고동욱,김종복. Владелец: 금오공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-03-08.

Methods of manufacturing a micro-electro-mechanical system (MEMS) structure

Номер патента: US8973250B2. Автор: Anthony K. Stamper,Christopher V. Jahnes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-10.

Method of cutting substrate and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20160315293A1. Автор: Taeyong KIM,Jinho Lee,Gyoowan Han,Jekil Ryu,Hyojin Kim,Junghwa You,Ilyoung Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of designing semiconductor integrated circuit, designing apparatus, semiconductor integrated circuit system, semiconductor integrated circuit mounting substrate, package and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110012260A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hiroaki Suzuki,Yuichi Nishimura,Nobufusa Iwanishi,Kazuhiko Fujimoto,Mitsumi Ito,Shinya Tokunaga,Koichi Seko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device wafer bonding method

Номер патента: US20120244678A1. Автор: Takashi Mori. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240154078A1. Автор: Chih-Wen Lu,Hao-An Chuang,Chun-Yueh Hou. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition

Номер патента: US20240134273A1. Автор: Young Keun Kim,Dong Wan RYU,Kyungsoo MOON. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Curved semiconductor and method of forming the same

Номер патента: US11848349B1. Автор: Geoffrey P. Mcknight,Andrew C. Keefe,Alexander R. Gurga,Ryan Freeman. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of fabricating servo integrated template

Номер патента: US20130186856A1. Автор: Hongying Wang,Kim Lee,XiaoMin Yang,Shuaigang Xiao,Yuatzong Hsu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-07-25.

Fiber to chip coupler and method of making the same

Номер патента: US20230384526A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of reducing surface tackiness of silicone rubber cured product, liquid silicone rubber composition for sealing semiconductor, silicone rubber-sealed semiconductor device, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20070077360A1. Автор: Masanobu Sato,Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Koki Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of evaluating systematic defect, and apparatus therefor

Номер патента: US20130191807A1. Автор: Yuji Takagi,Yuichi Hamamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of reducing surface tackiness of silicone rubber cured product, liquid silicone rubber composition for sealing semiconductor, silicone rubber-sealed semiconductor device, and method of producin

Номер патента: CN1944499B. Автор: 柏木努,松本公树,盐原利夫,佐藤雅信. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method of reducing surface tackiness of silicone rubber cured product, liquid silicone rubber composition for sealing semiconductor, silicone rubber-sealed semiconductor device, and method of producin

Номер патента: CN1944499A. Автор: 柏木努,松本公树,盐原利夫,佐藤雅信. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Methods of forming metal-insulator-metal (mim) capacitors with passivation layers on dielectric layers and devices so formed

Номер патента: CN100452292C. Автор: 金钟采,李德珉,郑相日,洪钟郁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-14.

Methods of forming metal-insulator-metal (MIM) capacitors with passivation layers on dielectric layers and devices so formed

Номер патента: TW200707767A. Автор: Duk-min Yi,Sang-il Jung,Jong-Wook Hong,Jong-Chae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-16.

REACTOR FOR LAYING A LAYER ON A MOBILE SUBSTRATE FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2613535A1. Автор: Hiroshi Okaniwa,Kenji Nakatani,Mitsuaki Yano. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1988-10-07.

REACTOR FOR LAYING A LAYER ON A MOBILE SUBSTRATE FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2613535B1. Автор: Hiroshi Okaniwa,Kenji Nakatani,Mitsuaki Yano. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1996-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US6201291B1. Автор: Srdjan Kordic,Mareike K. Klee,Wilhelm A. Groen,Cornelis A. H. A. Mutsaers. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO1999030363A3. Автор: Srdjan Kordic,Cornelis Adrianus Hen Mutsaers,Wilhelm Albert Groen,Mareike Katharine Klee. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of manufacturing array substrate, and array substrate

Номер патента: US20210124226A1. Автор: Wei Li,Jun Liu,Bin Zhou,Jingang Fang,Leilei CHENG,Luke Ding. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Integrated circuit packaging system with insulated trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406642B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US9190462B2. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US20150008560A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11776924B2. Автор: Ching-Hung Chang,Chiang-Lin Shih,Hsih-Yang Chiu,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070018276A1. Автор: Masayuki Itou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240162135A1. Автор: Jingu Kim,Wooyoung Kim,Sangkyu Lee,Bongju Cho,Yieok KWON,Gongje LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device including laser treatment for contact plug

Номер патента: US12009255B2. Автор: Jeong Do Ryu. Владелец: Rnr Lab Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220230956A1. Автор: Wandon Kim,Hyunbae Lee,Minjoo Lee,Sunyoung NOH,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040238865A1. Автор: Takahisa Hayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09754990B2. Автор: Masaki Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Pad structure of a semiconductor device, method of manufacturing the pad structure and semiconductor package including the pad structure

Номер патента: US09570411B2. Автор: Young-Min Lee,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09431448B2. Автор: Masaki Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210375676A1. Автор: Jeong Do Ryu. Владелец: Rnr Lab Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of Manufacuturing Semiconductor Memory Apparatus and Semiconductor Memory Apparatus Manufactured Thereby

Номер патента: US20090294976A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Method of manufacturing interconnect

Номер патента: US20010018265A1. Автор: Chien-Chih Lin,Nien-Tsu Peng,Bill Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of manufacturing package substrate and semiconductor package

Номер патента: US09905438B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1360722A2. Автор: Thomas Weiss,Nicolaas J. A. Van Veen,Marc A. De Sambre. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-12.

Through via structure, methods of forming the same

Номер патента: US09608026B2. Автор: Byung-Jun Park,Seung-Hun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device including through vias with different widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230298937A1. Автор: Jin Woong Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

SOI substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070108522A1. Автор: Noriyuki Takao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991271B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Chang-Sup Lee,Shin-Hwan Kang,Young-Hwan Son,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10756026B2. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of forming bond-on-lead interconnection for mounting semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09679824B2. Автор: Rajendra D. Pendse,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Circuit board, semiconductor device and method of manufacturing circuit board

Номер патента: US20220369454A1. Автор: Shinichiro Sekijima. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

CMOS-MEMS integrated device including a contact layer and methods of manufacture

Номер патента: US09718680B2. Автор: Peter Smeys,Jongwoo Shin,Daesung Lee,Jong Il Shin. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8349698B2. Автор: Hironori Aoki,Eiichi Kikkawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070231957A1. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100244183A1. Автор: Hironori Aoki,Eiichi Kikkawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232480A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9379155B2. Автор: Hiroshi Asami,Yoshihiro Nabe,Yoshimichi Harada,Yuji Takaoka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9041179B2. Автор: Hiroshi Asami,Yoshihiro Nabe,Yoshimichi Harada,Yuji Takaoka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090057898A1. Автор: Eiji Takaike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160372368A1. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of forming contact holes

Номер патента: US8883630B2. Автор: Yong Jae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941159B2. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09761463B2. Автор: Takamitsu Yoshida,Atsuko Kawasaki,Kazumasa Tanida,Kuniaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit packaging system with pad connection and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120280376A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20150325519A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP2842164A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-03-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090014830A1. Автор: Min-Hyung Lee,Oh-Jin Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of manufacturing semiconductor packages

Номер патента: US12040297B2. Автор: Jeongseok Kim,Myungsam Kang,Youngchan KO,Kyungdon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Interconnect substrate, method of making the same, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240222246A1. Автор: Kensuke Uchida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming conductors in semiconductor devices

Номер патента: US20070035027A1. Автор: Gurtej Sandhu,Fernando Gonzalez,Mike Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for forming conductors in semiconductor devices

Номер патента: US20030122162A1. Автор: Gurtej Sandhu,Fernando Gonzalez,Mike Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of manufacturing semiconductor device including isolation process

Номер патента: US20090181510A1. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09997477B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Tsung-Hsien Tsai,Chih-Hsien Chiu,Yude Chu,Hsin-Lung Chung,Heng-Cheng Chu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09773697B2. Автор: Satoshi Tsukiyama,Motoshi SETO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of manufacturing a package

Номер патента: US09653531B2. Автор: Yu-Ling Lin,Hsien-Pin Hu,Tzuan-Horng LIU,Hsiao-Tsung Yen,Chung-Yu Lu,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor package and method of producing the semiconductor package

Номер патента: US09640477B1. Автор: Daisuke Iguchi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11935895B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240203998A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: EP4235775A2. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-08-30.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: EP3876265A1. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-09-08.

SRAM Devices Utilizing Strained-Channel Transistors and Methods of Manufacture

Номер патента: US20140099758A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

SRAM devices utilizing strained-channel transistors and methods of manufacture

Номер патента: US9059310B2. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Heating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110021039A1. Автор: Hitoshi Murata,Masaaki Ueno,Tetsuya Kosugi,Shinobu Sugiura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324181A1. Автор: Jongmin Kim,Ho-ju Song,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US12125834B2. Автор: Bek Hyun LIM,Hee Keun Lee,Jung-Hwan Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

TFT array substrate, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09799744B2. Автор: HAO WANG,Zhilong PENG,Pengju ZHANG,Huanping LIU,Mengxiao PAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150021610A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4610076A. Автор: Seiji Ueda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1986-09-09.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US9305993B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Electronic device including laterally arranged P-type and N-type regions in a two dimensional (2D) material layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647166B2. Автор: JIA LEE,Seunghwan Lee,Minsup CHOI,Wonjong YOO,Deshun QU,Changho RA,Xiaochi LIU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-05-09.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Method of manufacturing array substrate, array substrate, and lcd panel

Номер патента: US20210208459A1. Автор: Xia Zhang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of manufacturing a semiconductor device having an alignment mark

Номер патента: US20050170615A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170084665A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Frank Caris,Brian Rees. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of manufacturing compound thin-film photovoltaic cell

Номер патента: US20160197217A1. Автор: Akihiko Asano. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of manufacturing compound thin-film photovoltaic cell

Номер патента: US09472698B2. Автор: Akihiko Asano. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-10-18.

Shielding film and method of manufacturing same

Номер патента: US09345181B2. Автор: Yu Hao Lai. Владелец: T-KINGDOM Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory

Номер патента: US20230008840A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Xianqin Hu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9608170B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9356196B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100001380A1. Автор: Manabu Iguchi,Mami Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of manufacturing array substrate for use in liquid crystal display device

Номер патента: US20010034073A1. Автор: Kyo-Ho Moon,Hu-Sung Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985149B2. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09977186B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Driving circuit board, method of manufacturing the same, display unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09401486B2. Автор: Ryouichi Yasuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of manufacturing an alignment mark

Номер патента: US20020182821A1. Автор: Takashi Taguchi,Sachiko Yabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12101933B2. Автор: Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated semiconductor devices with single crystalline beam, methods of manufacture and design structure

Номер патента: US09758365B2. Автор: Anthony K. Stamper,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Pad electrode structure, flat display apparatus comprising the pad electrode structure, and the method of manufacturing the flat display apparatus

Номер патента: US09722009B2. Автор: Jongwon Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating an optical device package with an adhesive having a reflective material

Номер патента: US09496469B2. Автор: Ji Haeng Lee,Jee Heum Paik. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240250074A1. Автор: Seunghyun Lee,Sungho Kim,Kwanhee Lee,Jiseon Lee,Sewan Son,Hyeri Cho,Sugwoo Jung,Kyeongwoo Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of manufacturing optical image stabilizer

Номер патента: US09502464B2. Автор: Seung Seoup Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220158005A1. Автор: Takashi Ogura,Shinichi Watanuki,Shotaro Kudo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285656A1. Автор: Young Seo Choi,Dongjo Kim,Seonggeun Won,Danbi Choi,Youngji KIM,Soukjune Hwang,Youngki Chai. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of manufacturing pram using laser interference lithography

Номер патента: US20130224908A1. Автор: Yong Tae Kim,Young Hwan Kim,Jinn Il CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-08-29.

Methods of forming a layer and methods of manufacturing magnetic memory devices using the same

Номер патента: US09660187B1. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US20140116985A1. Автор: Jun Hayakawa,Naohiro Yamamoto,Takeshi Shimada,Atsushi Yoshida,Tsutomu Tetsuka,Makoto Satake. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230114633A1. Автор: Wooseup HWANG,Junyong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Light-emitting element mounting package, light-emitting element package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153945A1. Автор: Yasuyuki Kimura,Tadashi Arai,Kazutaka Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09997741B2. Автор: Seong-Hyun Jin,Jong-Hyun Choi,Dae-woo Lee,Dong-Hyun Lee,Guang-Hai Jin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276643A1. Автор: Sang Hoon Kim,Suk Chang HONG,Young Kuk Ko,Gyu Mook Kim,Hea Sung KIM,Chi Won Hwang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus thereof

Номер патента: US20210175261A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282736A1. Автор: Koichi Miyasaka,Yoshikatsu Imazeki,Shuichi Osawa,Yoichi KAMIJO,Yoshifumi Kamei. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Light emitting diode for surface mount technology, method of manufacturing the same, and method of manufacturing light emitting diode module

Номер патента: US09997673B2. Автор: Hyun A Kim,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Won Young Roh,Dae Woong SUH,Joon Sub LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660163B2. Автор: Tae-hyung Kim,Cheol-soo Sone,Si-Hyuk Lee,Sang-Yeob Song,Hak-Hwan Kim,Jong-in Yang,Jin-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing a semiconductor device using purified block copolymers and semiconductor devices

Номер патента: US09627205B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jung-Sik Choi,Su-Jin KWON,Jun Won HAN,Hye-Ryun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Micro-fabricated integrated coil and magnetic circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09607748B2. Автор: Robert L. Borwick, III,Jeffrey F. DeNatale,Philip A. Stupar,Rahul Ganguli,Vivek Mehrotra,Robert E. Mihailovich,Alex P. Papavasiliou. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12034030B2. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210384144A1. Автор: Seok-hyun Lee,Youn-ji MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220068985A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Interposer substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160064317A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu,Chih-Wen Liu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Interposer substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US9831165B2. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu,Chih-Wen Liu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US12082448B2. Автор: Hyuntae Kim,Changwoo SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing array substrate for use in liquid crystal display device

Номер патента: US20020187574A1. Автор: Kyo-Ho Moon,Hu-Sung Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991464B2. Автор: Yonghoon Choi,Kangju Lee,Sookang Kim,Wonhoe KOO,Mingeun Choi,Hyunsoo LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929171B2. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Circuit module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09883587B2. Автор: Petteri Palm,Risto Tuominen,Antti Iihola. Владелец: GE EMBEDDED ELECTRONICS OY. Дата публикации: 2018-01-30.

Organic EL display device and method of manufacturing an organic EL display device

Номер патента: US09773992B2. Автор: Hirohisa Tanaka,Satoshi Maruyama,Takanobu Takenaka,Masakazu Kaida,Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Integrated circuit packaging system with plated copper posts and method of manufacture thereof

Номер патента: US09693455B1. Автор: Heesoo Lee,Minjung Kim,Changhwan KIM,Seong Won Park,Hun Teak Lee,GwangTae Kim,WoonJae Beak,ByungHyun Kwak. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US09466640B2. Автор: Kei Aoki,Masaki Kurihara,Daisuke Shimoyama,Naoki Inatani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of producing laminated substrate, method of producing semiconductor module, laminated substrate, and semiconductor module

Номер патента: US20200043872A1. Автор: Keisuke Yamashiro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Device mounting board and semiconductor module

Номер патента: US20110100696A1. Автор: Kiyoshi Shibata,Takanori Hayashi,Masayuki Nagamatsu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120161335A1. Автор: Manabu Iguchi,Mami Miyasaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210020726A1. Автор: Wangwoo Lee,Min Woo Woo,Moo-Soon Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Composite substrate sensor device and method of manufacturing such sensor device

Номер патента: US09788435B2. Автор: Hsien-Ming Wu. Владелец: LEE MEI-YEN. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a wiring board

Номер патента: US09655248B2. Автор: Daisuke Narumi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Heat radiation printed circuit board, method of manufacturing the same, backlight unit including the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US09504146B2. Автор: Hyun Gyu Park,Hyuk Soo Lee,Min Jae Kim,In Hee Cho,Seung Kwon Hong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139986A1. Автор: Yu-Jen Chen. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Array substrate, manufacturing method of array substrate, and display panel

Номер патента: US20210327921A1. Автор: Peipei XU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240130168A1. Автор: Donghoon Lee,Jangmi KANG,Byungchang Yu,Myunghoon PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20220310670A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Storage electrode of a capacitor and a method of forming the same

Номер патента: US20060113575A1. Автор: Jae-Young Park,Ki-Vin Im,In-sun Park,Won-Jun Jang,Yong-woo Hyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Printed circuit board and semiconductor package which include multi-layered photosensitive insulating layer, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230042852A1. Автор: Hyejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Wiring board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199513A1. Автор: Chia-Lung Lin,Chun-Hao Chen,Chien-Chen Lin,Yi-Lin Chiang,Chien-Hsiang CHOU. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Light emitting diode for surface mount technology, method of manufacturing the same, and method of manufacturing light emitting diode module

Номер патента: US09859469B2. Автор: Hyun A Kim,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Won Young Roh,Dae Woong SUH,Joon Sub LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing display device

Номер патента: US09842890B2. Автор: Jaehyuk JANG,Yongjae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741759B2. Автор: Jung-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: US09640603B2. Автор: Seung Wook Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Fingerprint recognition semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09490233B2. Автор: Takashi Ozawa,Kazuya Kojima,Yukinori Hatori,Futoshi Tsukada. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09305985B2. Автор: Dae-Won Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of manufacture of a multi-site high-speed silicon pin-photosensitive element

Номер патента: RU2654961C1. Автор: Андрей Константинович Будтолаев,Павел Евгеньевич Хакуашев,Галина Владимировна Либерова,Андрей Викторович Рыбаков,Владимир Евгеньевич Степанюк. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-23.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20240234446A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of producing photodiode and the photodiode

Номер патента: US7932115B2. Автор: Noriyuki Miura. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200091209A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010045652A1. Автор: Yoshihiko Toyoda,Takeshi Mori,Tetsuo Fukada,Yoshiyuki Kitazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of manufacturing solar cell

Номер патента: US20130210187A1. Автор: Hiroyuki Mori,Tsuyoshi Takahama,Kei Tamoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Touch control micro light emitting diode display apparatus, method of operating touch control micro light emitting diode display apparatus, and method of fabricating touch control micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: US20220004304A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Electrical component of a subsea connector and method of manufacture therefore

Номер патента: US11923648B2. Автор: Wesley Barrett,Alan Crichton,Steven Fitton. Владелец: Siemens Energy Global &co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Hv busbar made of dissimilar metals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220407188A1. Автор: Dong Hyun Kim,Ju Hwan Shin,Hyoung Suk Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Apparatus and methods of preventing power outages

Номер патента: US12051525B2. Автор: Larry MCHENRY. Владелец: Power Grid Professionals Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method of display substrate, display substrate and display device

Номер патента: US20200033675A1. Автор: Qi Yao,Shi Shu,Kang GUO,Jiangnan Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of making an electrochemical cell

Номер патента: US20210043956A1. Автор: Michael Paul HUMBERT,Tianli Zhu. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

METHOD OF MANUFACTURING A HEATING ELEMENT BY DEPOSITING THIN LAYERS ON AN INSULATING SUBSTRATE AND THE ELEMENT OBTAINED

Номер патента: FR2927218B1. Автор: Christophe Heau,Perrier Philippe Maurin,Benoît Terme. Владелец: Hydromecanique et Frottement SAS. Дата публикации: 2010-03-05.

Apparatus and methods of preventing power outages

Номер патента: AU2022353228A1. Автор: Larry MCHENRY. Владелец: Power Grid Professionals Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Apparatus and methods of preventing power outages

Номер патента: GB2624831A. Автор: Mchenry Larry. Владелец: Power Grid Professionals Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Apparatus and methods of preventing power outages

Номер патента: CA3232666A1. Автор: Larry MCHENRY. Владелец: Power Grid Professionals Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Surface modified insulator and method of modifying the surface of an insulator

Номер патента: NO20000561L. Автор: Eckhard Just,Peter Jenkner,Johannes Liebermann. Владелец: Degussa. Дата публикации: 2000-08-04.

Method of, and apparatus for, terminating an electrical conductor to an electrical connector

Номер патента: CA1209796A. Автор: Jack Urbin,Jean-Bernard Guerout. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1986-08-19.

Cathode structure and method of operating the same

Номер патента: CA1098578A. Автор: Robert A. Gange. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-03-31.

Method of manufacturing pipe-like metal conductors with superconductive layer on surface

Номер патента: SU1166670A3. Автор: Маркс Карл-Хайнц,Шатц Фридрих,Ронер Петер. Владелец: Кабельметал Электро Гмбх (Фирма). Дата публикации: 1985-07-07.

Designing method of π type LC filter

Номер патента: US5173670A. Автор: Yasuyuki Naito,Hiroshi Morii,Takeshi Azumi,Yoshiaki Kohno. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1992-12-22.

Aluminum oxide layer on anode foil for aluminum electrolytic capacitor

Номер патента: US11972906B2. Автор: Ralph Jason Hemphill,James Brian Smith. Владелец: Pacesetter Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Aluminum oxide layer on anode foil for aluminum electrolytic capacitor

Номер патента: US20230386756A1. Автор: Brian Smith,David Bowen,Ralph Jason Hemphill,Henry Buser,Corina Geiculescu. Владелец: Pacesetter Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating superconducting wire

Номер патента: US20220319740A1. Автор: Sergey Li,Valery PETRYKIN. Владелец: SUPEROX JAPAN LLC. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of fabricating superconducting wire

Номер патента: EP3973555A1. Автор: Sergey Li,Valery PETRYKIN. Владелец: SUPEROX JAPAN LLC. Дата публикации: 2022-03-30.

Method of forming robust metal, metal oxide, and metal alloy layers on ion-conductive polymer membranes

Номер патента: CA2227507C. Автор: Robert J. Allen,James R. Giallombardo. Владелец: De Nora Elettrodi Spa. Дата публикации: 2006-10-31.

A method of passivating surface effects in metal oxide layers and devices comprising thereof

Номер патента: EP4334487A1. Автор: Morten Madsen,Mehrad AHMADPOUR. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2024-03-13.

Preparation method of silver-nickel graphite electrical contact with continuous decarburized layer on side surface

Номер патента: CN113245547B. Автор: 宋振阳,林万焕,孔欣,李小珍,林旭彤,费家祥,宋林云,刘映飞. Владелец: Zhejiang Fuda Alloy Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-10.

Method of forming robust metal, metal oxide, and metal alloy layers on ion-conductive polymer membranes

Номер патента: EP0860888A1. Автор: Robert J. Allen,James R. Giallombardo. Владелец: De Nora SpA. Дата публикации: 1998-08-26.

Method of forming an anchor on an insulated cable

Номер патента: US09461450B2. Автор: Kimleigh George Montague Pratley. Владелец: Pratley Investments Pty Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

A Method of Forming an Anchor on an Insulated Cable

Номер патента: EP2362509A3. Автор: Kimleigh George Montague Pratley. Владелец: Pratley Investments Pty Ltd. Дата публикации: 2012-08-08.

Method of improving the bond strength of electrolessly deposited metal layers on plastic- material surfaces

Номер патента: CA1272079A. Автор: Klaus Schuster,Joachim Probst,Gerhard Dieter Wolf,Henning Giesecke. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1990-07-31.

Method of manufacturing an insulated bar element for a busbar system

Номер патента: WO2019234532A1. Автор: Alexandre François Medolago. Владелец: BTICINO S.p.A.. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of manufacturing an insulated bar element for a busbar system

Номер патента: EP3804063A1. Автор: Alexandre François Medolago. Владелец: BTicino SpA. Дата публикации: 2021-04-14.

Double-sided mounting board, method of manufacturing double-sided mounting board, and semiconductor laser

Номер патента: MY197093A. Автор: Aoki Hisashi,KIKUCHI Naoto,TAKEMORI Hideaki. Владелец: Hitachi Power Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583274B2. Автор: Makoto Aoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing chip electronic component

Номер патента: US09496084B2. Автор: Moon Soo Park,Tae Young Kim,Jin Ok HAN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing a super-capacitor electrode

Номер патента: RU2660819C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Николаевич Козлов,Сергей Викторович Булярский,Алексей Васильевич Живихин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2018-07-10.

Insulation composition, insulating product, method of their manufacturing and component product for the electrical cable on their basis

Номер патента: RU2628332C2. Автор: Ин Ши,Мин ЧЖАН,Ци СУ,Хуншень СЮЙ,Мен ЧЖУАН,Ямин ВАН,Цзинцян ХОУ,Сяолинь ЦЗИНЬ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2017-08-16.

Compositions for forming a porous insulating layer, electrode for non-aqueous electrolyte rechargeable battery, rechargeable battery including the electrode and method of manufacturing the electrode

Номер патента: US20240304818A1. Автор: Tomoyuki Fukatani,Koji Hoshiba. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a submarine power cable

Номер патента: US20240194374A1. Автор: Sonny LÅNGSTRÖM. Владелец: NKT HV Cables AB. Дата публикации: 2024-06-13.

A method of manufacturing a submarine power cable

Номер патента: CA3221976A1. Автор: Sonny LÅNGSTRÖM. Владелец: NKT HV Cables AB. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrode, non-aqueous power storage element, and method of manufacturing electrode

Номер патента: WO2024194743A1. Автор: Takuya Saiga,Hiroki Hagiwara,Daisuke NOSE,Keigo TAKAUJI,Miku OHKIMOTO. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing laminated electronic component

Номер патента: US20180090268A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Yamamoto,Yutaka Noguchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Coaxial cable utilizing a plated carbon nanotube elements and method of manufacturing same

Номер патента: CA3104517A1. Автор: Natalie Garrett,Ronald A. Souders,Nicholas Pizzo. Владелец: Carlisle Interconnect Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing cold cathode field emission device and method of manufacturing cold cathode field emission display

Номер патента: EP1073085A3. Автор: Ishiwata Mika. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-09.

Method of manufacturing solid-state battery, and solid-state battery

Номер патента: US20240283030A1. Автор: Sachie Akiba,Akio Kaneyama. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing inductor

Номер патента: US09859054B2. Автор: Kazuhiko Yamano. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Insulated wire, electrical equipment, and method of producing insulated wire

Номер патента: US09728296B2. Автор: Makoto Onodera,Makoto Oya,Keiichi Tomizawa. Владелец: Furukawa Magnet Wire Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Common mode filter and method of manufacturing the same

Номер патента: US09424988B2. Автор: Yong Suk Kim,Young Seuck Yoo,Won Chul SIM,Sung Kwon Wi,Jeong Bok Kwak,Sang Moon Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Field emission device and its method of manufacture

Номер патента: US20080111464A1. Автор: Yong-wan Jin,Yong-Chul Kim,Ho-Suk Kang,Sun-Il Kim,Deuk-seok Chung,Chan-Wook Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Method of manufacturing an electron gun, electron gun, display device with such an electron gun, and sub-assembly for use in such an electron gun

Номер патента: WO2000077817A1. Автор: Johannes P. L. Houben,Marinus A. M. Van De Veerdonk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-12-21.

Method of manufacturing an electron gun, electron gun, display device with such an electron gun, and sub-assembly for use in such an electron gun

Номер патента: EP1105905A1. Автор: Johannes P. L. Houben,Marinus A. M. Van De Veerdonk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-06-13.

Electron emitting device and method of manufacturing the same and display apparatus using the same

Номер патента: EP1421594A1. Автор: N. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. NEGISHI,T. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. YAMADA,T. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. YOSHIKAWA,K. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. OGASAWARA,H. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. SATOH,T. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. CHUMAN,S. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. IWASAKI,K. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. SAKEMURA,T. Corp. Res. & Dev. Lab. Pioneer Corp. HATA. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Method of manufacturing laminate for battery, apparatus for manufacturing laminate for battery, method of manufacturing member for battery, and apparatus for manufacturing member for battery

Номер патента: WO2023175544A1. Автор: Naoto Abe,Takuya Yamazaki,Naoki Sugihara,Daisuke NOSE,Manabu Arita,Hiromichi KURIYAMA,Nozomi Terai,Keigo TAKAUJI,Miku OHKIMOTO,Sayaka Kai. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-09-21.

Electron emitting device and method of manufacturing the same and display apparatus using the same

Номер патента: WO2003049132A1. Автор: Takashi Yamada,Takamasa Yoshikawa,Kiyohide Ogasawara,Kazuto Sakemura,Nobuyasu Negishi,Takuya Hata,Shingo Iwasaki,Takashi Chuman,Hideo Satoh. Владелец: PIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2003-06-12.

Wiring board and method of manufacturing same

Номер патента: US09814137B2. Автор: Ryota Asai. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240237195A1. Автор: Chung-Jyh Lin,Ker-Yih Kao,Chin-Ming Huang,Chien-Lin Lai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Mask having a plating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12031224B2. Автор: Hyunjun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Hinged MEMS diaphragm, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09906869B2. Автор: Ronald N. Miles,Weili Cui. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing printed circuit network devices

Номер патента: US4415607A. Автор: Oscar L. Denes,Lynn R. Kiphart,Paul P. Szalewski. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1983-11-15.

Preparation method of patterned film, display substrate and display device

Номер патента: US09445506B2. Автор: LIN Li,SHAN CHANG,Chen Tang,Yangyang Xin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Substrate connection structure of display device and method of providing the same

Номер патента: US12058920B2. Автор: Yong-Hoon Kwon,Junehyoung Park,Hyun a Lee,Hyunji LEE,Somi Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Hinged mems diaphragm and method of manufacture thereof

Номер патента: US20170127189A1. Автор: Ronald N. Miles,Weili Cui. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of connecting cables

Номер патента: US4289721A. Автор: Kojiro Ishise. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1981-09-15.

Method of forming conductive lines on an insulating surface of a substrate

Номер патента: TW201625095A. Автор: 廖本逸,易聲宏. Владелец: 綠點高新科技股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-01.

Towards the parallel image measuring method of spoke balanced cable section thickness of insulating layer

Номер патента: CN105115428B. Автор: 刘翔,夏永祥,石蕴玉. Владелец: Shanghai University of Engineering Science. Дата публикации: 2018-02-02.

Methods of Forming Carbon Nanotubes

Номер патента: US20100136226A1. Автор: Xiaofeng Wang,In-Seok Yeo,Hong-Sik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Ultrasound treatment system and method of designing and manufacturing an ultrasound system

Номер патента: JP6517393B2. Автор: ホール，ティモシー・エル,マックスウェル，アダム,ケイン，チャールズ・エイ,キム，ヨハン,シュイ，ジェン. Владелец: ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン. Дата публикации: 2019-05-22.

A method of planning and manufacturing an lng storage tank or the like and an aluminium lng storage tank manufactured using the method

Номер патента: EP1723053A1. Автор: Jukka Gustafsson,Matti Torma. Владелец: Aker Yards Oy. Дата публикации: 2006-11-22.

Method of forming a pipe joint, pipe joint component, and pipe joint, fluid control device, fluid control unit and semiconductor fabrication apparatus including the pipe joint component

Номер патента: US20180119860A1. Автор: Kazunari Watanabe,Tsutomu Shinohara,Izuru Shikata,Toshiyuki Inada. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of powder metallurgically manufacturing an object

Номер патента: US4723999A. Автор: Per Hasselstrom. Владелец: UDDEHOLMS AB. Дата публикации: 1988-02-09.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20240298465A1. Автор: Jun Yamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230422470A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Display apparatus comprising irradiated regions and dams and method of manufacturing the same

Номер патента: US12069894B2. Автор: Gyoowan Han,Wonyong Kim,Jongki KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing printed circuit board with embedded electronic components positioned by using solder paste

Номер патента: US09974186B2. Автор: Ming Yi YEH,Shun Yueh Hsu,Kun Chi Chen,Hung Min Chen. Владелец: Unitech Printed Circuit Board Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing an electronic high-current circuit by means of gas injection technology and sealing with an insulating polymer

Номер патента: US09414483B2. Автор: Erich Mattmann. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing pram using laser interference lithography

Номер патента: US8652876B2. Автор: Yong Tae Kim,Young Hwan Kim,Jinn Il CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-02-18.

Method of manufacturing insulation film and printed circuit board

Номер патента: US09907182B2. Автор: Jae-Kul Lee,Hwa-Young Lee,Ho-Hyung HAM,Ok-Seon YOON. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240284601A1. Автор: Kazuhiro Yokoi,Yusuke Fujii,Norihide Shimohara,Kazuo Kamohara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230209825A1. Автор: Suhyeong LEE,Gukhyon Yon,Seohee PARK,Yongsuk Tak,MinKyung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US09894764B2. Автор: Jae-Hoon Choi,Yong-Ho Baek,Il-Jong SEO,Sung-Uk Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing piezoelectric actuator, and liquid ejection head

Номер патента: US20090244203A1. Автор: Tsuyoshi Mita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298449A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US9095063B2. Автор: Suk Jin Ham,Eun Ju Yang,Mi Yang KIM,Gyu Seok KIM,Hee Suk CHUNG,Se Yoon Park,Jin Uk CHA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-28.

Printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150136458A1. Автор: Suk Jin Ham,Eun Ju Yang,Mi Yang KIM,Gyu Seok KIM,Hee Suk CHUNG,Se Yoon Park,Jin Uk CHA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method and device of manufacturing printed circuit board having a solid component

Номер патента: US09585258B2. Автор: Sang Myung Lee,Yeong Uk Seo,Hyun Seok Seo,Chang Woo Yoo,Byeong Ho Kim,Ki Do Chun. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing multilayer wiring board, probe card including multilayer wiring board manufactured by the method, and multilayer wiring board

Номер патента: US20150008951A1. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Display device having an opening in an insulating layer exposing an conductive layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12150347B2. Автор: Ju Won Yoon,Tae Hoon Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Copper clad laminate, printed circuit board, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09578740B2. Автор: Chang Jae Lee,Tae Ho Ko,Jun Ho Kang,Seok Jun Ahn. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuit board, laminated circuit board, and method of manufacturing circuit board

Номер патента: US20200344879A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Keigo Sato,Hiroshi TANEDA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Flexure of disk drive suspension, and method of manufacturing conductive circuit portion of flexure

Номер патента: US20170236540A1. Автор: Sei Kawao. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of producing a conductive silicon carbide-based sintered compact

Номер патента: AU7288596A. Автор: Helmut Schmidt,Mesut Aslan,Rüdiger Nass. Владелец: Leibniz Institut fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige GmbH. Дата публикации: 1997-04-30.

Method of manufacturing a composite of copper and resin

Номер патента: US20080026565A1. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2008-01-31.

Ultrasonic transducers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09872120B2. Автор: Dongsik Shim,Seogwoo Hong,Seokwhan CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Flexure of disk drive suspension, and method of manufacturing conductive circuit portion of flexure

Номер патента: US09761256B2. Автор: Sei Kawao. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing multilayer wiring board, probe card including multilayer wiring board manufactured by the method, and multilayer wiring board

Номер патента: US09523709B2. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing a surface mounted device and corresponding surface mounted device

Номер патента: WO2012084291A1. Автор: Francois Lechleiter. Владелец: Microconnections SAS. Дата публикации: 2012-06-28.

Display panel and method of manufacturing the same, display apparatus

Номер патента: US20240324336A1. Автор: Yao Huang,Yuanjie Xu,Dongfang Yang,Binyan Wang,Yue Long,Benlian WANG,Zhuoran YAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Photosensitive matter for electrophotography and method of the production thereof

Номер патента: US3948657A. Автор: Hirokazu Negishi,Hideo Yoshikawa,Takehiko Matsuo,Umi Tosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1976-04-06.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor devices of optical neural network and methods of forming the same

Номер патента: US20230409894A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US11827999B2. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US20240052521A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: EP3074366A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-05.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: WO2015112232A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMAPNY. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of forming photomasks and photomasks formed by the same

Номер патента: US20130122404A1. Автор: Sang Hyun Kim,Donggun Lee,Jongju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-16.

Reflective masks for use in extreme ultraviolet lithography apparatus and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09645484B2. Автор: Seong-Sue Kim,In-sung Kim,Tae-Geun Kim,Hwan-Seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: US09511417B2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing silicon carbide, silicon carbide, composite material, and semiconductor element

Номер патента: EP1160361A1. Автор: Hiroyuki Nagasawa,Takamitsu Kawahara,Kuniaki Yagi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2001-12-05.

Method of manufacturing mother substrate assembly

Номер патента: US09910201B2. Автор: Taewoo Kim,Seung-Won Park,Moongyu Lee,Minhyuck Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing mother substrate assembly

Номер патента: US09423541B2. Автор: Taewoo Kim,Seung-Won Park,Moongyu Lee,Minhyuck Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of producing composite material

Номер патента: RU2732258C1. Автор: Сергей Николаевич Петров,Алексей Сергеевич Орыщенко,Михаил Валентинович Ковальчук,Владимир Ярославович Шевченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-09-14.

Method of producing composite material

Номер патента: RU2687343C1. Автор: Евгений Акимович Богачев,Анатолий Николаевич Тимофеев,Иван Анатольевич Тимофеев,Юрий Евгеньевич Скуратовский,Иван Александрович Коломийцев,Алексей Яковлевич Сафонов. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит". Дата публикации: 2019-05-13.

Insulating coupling for drill collars and method of manufacture thereof

Номер патента: CA1254247A. Автор: Robert J. Maron,Frederick A. Stone. Владелец: Teleco Oilfield Services Inc. Дата публикации: 1989-05-16.

Exposure mask, method of designing and manufacturing the same, exposure method and apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171A1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of designing an exposure mask, exposure method, pattern forming method and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171B1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: CA3027396C. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-21.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: CA3027396A1. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Manufacturing method of color filter substrate

Номер патента: US09760001B2. Автор: Qingde LONG,Zerong Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: US20150147186A1. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent MCCLASKY. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-05-28.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: WO2015080837A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nichilas Vincent MCLASKY. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-06-04.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: EP3074363A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nichilas Vincent MCLASKY. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-05.

High-solids curable film-forming compositions and methods of improving appearance of coatings containing effect pigments

Номер патента: US20240327564A1. Автор: Jun Deng,Hongying Zhou. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Preparation method of a medical implant by application of oxidized ceramic layer on surface of zirconium

Номер патента: EP3936634C0. Автор: Yu Shen,Tianbai Yu,Chih-Hsin Weng. Владелец: Suzhou Microport Orthorecon Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of manufacturing corrugated board

Номер патента: US20150140250A1. Автор: Wayne Connelly,Michael Ramos-Gonzalez,David J. Pain. Владелец: GMC Marketing Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of manufacturing corrugated board

Номер патента: EP2800661A1. Автор: Wayne Connelly,David Pain,Michael Ramos-Gonzalez. Владелец: GMC Marketing Ltd. Дата публикации: 2014-11-12.

Method of manufacturing corrugated board

Номер патента: WO2013102758A1. Автор: Wayne Connelly,David Pain,Michael Ramos-Gonzalez. Владелец: GMC MARKETING LIMITED. Дата публикации: 2013-07-11.

Transducer device and method of manufacture

Номер патента: US20230372970A1. Автор: Chi-Yuan Shih,Shih-Fen Huang,Yan-Jie Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Transducer device and method of manufacture

Номер патента: US20230381815A1. Автор: Wen-Chuan Tai,Chi-Yuan Shih,Shih-Fen Huang,Yan-Jie Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of making articles comprised of an insulating glass unit, and article made from insulating glass unit

Номер патента: HU9603025D0. Автор: Philip J Lingle,Klaus W Hartig,Steven L Larson. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 1996-12-30.

Cigarette and method of making same

Номер патента: US5469871A. Автор: Siegfried Schlisio,Vernon B. Barnes,Donald R. Wilkinson,Lloyd H. Hancock,Erwin Oesterling,Werner Hinz. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 1995-11-28.

Manufacturing method of color filter substrate

Номер патента: US20150248051A1. Автор: Qingde LONG,Zerong Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of coating glass

Номер патента: CA2049441C. Автор: Robert Terneu,Michel Hannotiau. Владелец: Glaverbel Belgium SA. Дата публикации: 2002-10-15.

Methods of testing

Номер патента: GB1237809A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-06-30.

Method of modifying a surface of an insulator

Номер патента: US6270857B2. Автор: Masato Kobayashi,Hiroyuki Okita,Mitsunori Ueda,Minehiro Tonosaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20030135835A1. Автор: Masaki Komaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Method of fabricating pellicle structure

Номер патента: US20230273515A1. Автор: Ki Bong Nam,Changyoung Jeong,Mun Ja KIM,Ji Beom YOO,Jin Ho Yeo,Qicheng Hu. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of making a metallic soap layer as a gliding layer on a metallized record carrier

Номер патента: US4539227A. Автор: Marian Briska,Dietrich J. Bahr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-09-03.

METHOD OF FORMING A PIPE JOINT, PIPE JOINT COMPONENT, AND PIPE JOINT, FLUID CONTROL DEVICE, FLUID CONTROL UNIT AND SEMICONDUCTOR FABRICATION APPARATUS INCLUDING THE PIPE JOINT COMPONENT

Номер патента: US20180119860A1. Автор: SHINOHARA Tsutomu,INADA Toshiyuki,WATANABE Kazunari,Shikata Izuru. Владелец: FUJIKIN INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-03.

Manufacturing method of basalt composite fiber fabric for heat-insulating layer of heat-resistant conveyor belt

Номер патента: CN105821561A. Автор: 许其军,朱群伟,华强昕. Владелец: JIANGSU TAIJI INDUSTRY NEW MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-03.

A kind of preparation method of the stainless steel material with surface insulation layer

Номер патента: CN106756714B. Автор: 黎淑娟. Владелец: Foshan Gaoming Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

High-solids curable film-forming compositions and methods of improving appearance of coatings containing effect pigments

Номер патента: AU2022306591A1. Автор: Jun Deng,Hongying Zhou. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

High-solids curable film-forming compositions and methods of improving appearance of coatings containing effect pigments

Номер патента: EP4367157A1. Автор: Jun Deng,Hongying Zhou. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of welding nut to steel plate having insulating layer

Номер патента: JPS60137580A. Автор: Yuji Takahashi,雄二 高橋. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 1985-07-22.

A method of producing an acid-proof and alkali-proof coloured layer on the surface of aluminium or its alloys

Номер патента: GB489926A. Автор: . Владелец: Kenzo Nagata. Дата публикации: 1938-08-02.

A method of novel electrolytic bath trough pool side insulating layer is made using carbon brick

Номер патента: CN109136991A. Автор: 李国涛,张洪涛,梁晓辉,范岩峰,崔永亮,朱光,姚光,王玉昭,温铁军,王占欣,侯飞瑞,申善俊,谷万铎,蔡正涛. Владелец: YUGANG LONGQUAN ALUMINUM IND CO Ltd HENAN. Дата публикации: 2019-01-04.

Preparation method of ethylene propylene diene monomer for heat insulation layer

Номер патента: CN112940166B. Автор: 王博,宫立波,王明超,杜鹃,孙聚华,肖岩,冯克新. Владелец: Petrochina Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Method Of Forming A Frame Of A Seat Back For A Vehicle

Номер патента: US20160009009A1. Автор: Kipp O. Grumm. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of erecting tank under foundations - consists of placing concrete layer on flat sub-base, with walls, spacers and plates

Номер патента: DE3938541A1. Автор: Andreas Ludwig,Thomas Ludwig,Josef Ludwig. Владелец: HUBERT MEES BAUUNTERNEHMUNG GM. Дата публикации: 1991-05-23.

Preparation method of compact high-corrosion-resistance micro-arc oxidation film layer on surface of zirconium alloy

Номер патента: CN113774459A. Автор: 刘磊,董帅,董杰. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-12-10.

A method of arranging terraces with an increase in the humus layer on the excavated part of the canvas for intensive gardening

Номер патента: RU2015126319A. Автор: Владимир Нажмудинович Бербеков,Жамал Хажиосманович Бакуев,Хадис Ибрагимович Кучмезов,Садин Талович Кармов,Ильяс Османович Темиржанов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное научное учреждение "Северо-Кавказский научно-исследовательский институт горного и предгорного садоводства". Дата публикации: 2017-01-12.

Preparation method of a medical implant by application of oxidized ceramic layer on surface of zirconium

Номер патента: EP3936634B1. Автор: Yu Shen,Tianbai Yu,Chih-Hsin Weng. Владелец: Suzhou Microport Orthorecon Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of packing articles in carton - involves assembling articles in layer on support lowered into carton and piled with successive layers

Номер патента: FR2505773A1. Автор: Frederick William Clegg,Peter John Thwaites. Владелец: Dufaylite Developments Ltd. Дата публикации: 1982-11-19.

Method of designing and manufacturing an ethnic-specific orthopaedic implant

Номер патента: EP3449847A1. Автор: Mohamed Rashwan Mahfouz. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Interlayer insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070293035A1. Автор: Yukinori Ikegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20090265917A1. Автор: Masanori Tachibana,Koichi Sugimoto,Yoshiyuki Ikeda,Kazuaki Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of fabricating mirrors for liquid crystal on silicon display device

Номер патента: US20080135515A1. Автор: Yiqun Chen,Xianyong Pu,Jing Fu,Jianhong Mao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Method of producing silicon composite material and device for producing silicon composite material

Номер патента: RU2714070C1. Автор: Такеси НАКАМУРА,Ясутомо ТАНАКА,Кодзуе АКАДЗАКИ,Ясуюки ФУКУСИМА,Кадзума АКИКУБО,Юкихиро СИМОГАКИ,Такеси МОМОСЕ,Нобору САТО,Кохеи СИМА,Юити ФУНАТО. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Токио. Дата публикации: 2020-02-11.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Liquid crystal display and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9488889B2. Автор: Jong Chan Lee,Dongjo Kim,Jungkyu Lee,Shin Il Choi,Sanggab Kim,Jiseon Lee,Yoonho Khang,Sehwan Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of zinc oxide nanorod arrays and nanorod arrays made by the same and semiconductor device using the same

Номер патента: WO2014182129A1. Автор: Jong Lam Lee,Sung Joo Kim,Buem Joon Kim. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-13.

Method of manufacturing active matrix substrate and liquid crystal display device

Номер патента: US12111555B2. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing a part from carbide-based refractory composite material

Номер патента: RU2235704C2. Автор: Дональд К. ГИДТ,Уэйд Р. ШМИДТ. Владелец: Юнайтид Текнолоджиз Копэрейшн. Дата публикации: 2004-09-10.

System and method of using overlapping thermal unit

Номер патента: RU2587206C2. Автор: Ричард Р. МАККЛУР. Владелец: Блюскоуп Билдингз Норт Америка, Инк.. Дата публикации: 2016-06-20.

Mandrel-wound, eccentric monolithic fuel assembly core, fuel assembly and reactor incorporating same, and methods of manufacture

Номер патента: WO2024215965A2. Автор: Benjamin D. Fisher,Richard W. Goettler,John R. SALASIN,David J. GARNER,Sabrina Emerson Amy MCCOY. Владелец: BWXT Advanced Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Partial discharge measurement method, partial discharge measurement device, and method of producing insulated wire

Номер патента: US09891263B2. Автор: Hidehito Hanawa. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system of manufacturing an insulated member

Номер патента: AU2019382868A1. Автор: Rudi Delgas,Tomasz Cwik,Erik METZ. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of manufacturing products from reactive sand-made composite material

Номер патента: RU2670819C1. Автор: Владимир Евгеньевич Низовцев,Елена Николаевна Бредихина,Михаил Иванович Ступеньков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2018-10-25.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: US20240248391A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120293748A1. Автор: Won-Cheol Jung,Byung-Ki Kim,Seoung-jae Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Reflection-type liquid crystal display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20050052598A1. Автор: Koji Ichimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: WO2024155654A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of determining amount of change of power of peat layer on reclaimed land

Номер патента: RU2513837C1. Автор: Александр Евгеньевич Касьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет природообустройства". Дата публикации: 2014-04-20.

Method of determining value of change of thickness of peat layer on reclaimed lands

Номер патента: RU2452950C1. Автор: Александр Евгеньевич Касьянов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет природообустройства". Дата публикации: 2012-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of creating shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon

Номер патента: RU2523732C1. Автор: Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Иосифович Зиненко,Юрий Андреевич Агафонов,Владимир Васильевич Сарайкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "научно-исследовательский институт Физических проблем им. Ф.В. Лукина (ФГУП НИИФП им. Ф.В. Лукина). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of making airtight articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2568670C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Федор Викторович Трубин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-11-20.

Method of extracting and manufacturing oyster meat extract using depressurized or pressurized extraction method

Номер патента: SG2013037288A. Автор: Mitsugu Watanabe. Владелец: Watanabe Oyster Lab Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126251A1. Автор: Sasaki Makoto,Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Inoue Hiroki,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo,Horii Taku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of extracting and manufacturing oyster meat extract using continuous centrifuge

Номер патента: SG2013037296A. Автор: Mitsugu Watanabe. Владелец: Watanabe Oyster Lab Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Reaction chamber for silicon carbide epitaxial wafer, exhaust device for silicon carbide epitaxial wafer, and semiconductor device

Номер патента: CN213781995U. Автор: 周长健,吴从俊. Владелец: Clc Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2021-07-23.

Method of extracting and manufacturing oyster meat extract using depressurized or pressurized extraction method

Номер патента: MY173575A. Автор: Watanabe Mitsugu. Владелец: Watanabe Oyster Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

The preparation method of the toughness reinforcing boron carbide ceramics matrix material of a kind of silicon carbide whisker and product

Номер патента: CN103833403B. Автор: 林文松,杨国良,段丽慧. Владелец: Shanghai University of Engineering Science. Дата публикации: 2016-04-20.

A method of making abrasive articles, cutting tools and machine parts from boron carbide or silicon carbide or a mixture thereof

Номер патента: SU63648A1. Автор: А.В. Тихонов. Владелец: А.В. Тихонов. Дата публикации: 1943-11-30.

Method of and apparatus for applying a damp insulating layer onto an optical fibre cable

Номер патента: PL283882A1. Автор: Jacek Sakowski,Stanislaw Zbyrad,Boleslaw Domanski,Ryszard Weclawski. Владелец: Osrodek Techniki Optotelekomun. Дата публикации: 1991-08-26.

Method of making hollow masonry units heaving thermally insulating layer and hollow masonry unit obtained thereby

Номер патента: PL285986A4. Автор: Janusz Janczewski. Владелец: Janusz Janczewski. Дата публикации: 1991-04-08.

Method of and apparatus for the production of a magnetisable layer on a non-magnetic carrier

Номер патента: CA525672A. Автор: Fries Gustav. Владелец: Pollopas Patents Ltd. Дата публикации: 1956-05-29.

METHODS OF FORMING BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING TWO OR MORE PROCESSED SEMICONDUCTOR STRUCTURES CARRIED BY A COMMON SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS

Номер патента: US20120248622A1. Автор: Sadaka Mariam. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-10-04.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A NITRIDE ACTIVE LAYER ON A DOPED SILICON CARBIDE HEAT SPREADER

Номер патента: US20130320356A1. Автор: Torabi Abbas,Bielunis Alan,Southard Todd. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of altering electrostatic charge on an insulating material

Номер патента: CA832084A. Автор: B. Gibbons Carl. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1970-01-13.

Method of extracting and manufacturing oyster meat extract using continuous centrifuge

Номер патента: MY167460A. Автор: Watanabe Mitsugu. Владелец: Watanabe Oyster Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

A kind of preparation method of thin film transistor (TFT) polyimide gate insulating layer

Номер патента: CN109872951A. Автор: 王刚,张青红,李耀刚,王宏志,陈彦平,侯成义,何中媛. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-11.

The method of installation of the tie on the insulating layer under the roll roof

Номер патента: SU80485A1. Автор: Ф.С. Дудник,С.П. Голиков. Владелец: С.П. Голиков. Дата публикации: 1949-11-30.

METHODS OF FORMING TRANSISTOR DEVICES WITH HIGH-K INSULATION LAYERS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140027859A1. Автор: Flachowsky Stefan,Kessler Matthias,GERHARDT Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

The producing method of the flash memory system having the insulated layer with rapid thermal process

Номер патента: TW396550B. Автор: Li-Wei Yan,Ruei-Lin Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-01.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured ceramic matrix composite material and method of producing said material

Номер патента: RU2415109C1. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2011-03-27.

Proppants With Carbide And/Or Nitride Phases

Номер патента: US20120003136A1. Автор: Skala Robert D.,Coker Christopher E.,Loscutova John R.. Владелец: Oxane Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INKJET RECORDING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF THE INKJET RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120001971A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing products from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2469950C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-12-20.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of siliconizing large-size articles and a retort of a device for its implementation with seams of low permeability

Номер патента: RU2705185C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-11-05.

Method of making light optical mirrors

Номер патента: RU2591209C1. Автор: Александр Федорович Ильющенко,Евгений Владимирович Звонарев,Галина Александровна Миронович,Владимир Анатольевич Осипов,Владимир Иванович Беляковский,Юрий Михайлович Поташников. Владелец: Государственное научное учреждение "Институт порошковой металлургии". Дата публикации: 2016-07-20.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of product manufacture containing silicon substrate with film from carbide of silicon on its surface

Номер патента: RU2352019C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл". Дата публикации: 2009-04-10.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494043C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Владимир Юрьевич Чунаев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-09-27.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.