Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory
Номер патента: US20230008840A1
Опубликовано: 12-01-2023
Автор(ы): Huihui Li, Xianqin Hu, XIAOGUANG WANG
Принадлежит: Beijing Superstring Academy of Memory Technology, Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-01-2023
Автор(ы): Huihui Li, Xianqin Hu, XIAOGUANG WANG
Принадлежит: Beijing Superstring Academy of Memory Technology, Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure
Номер патента: US20230087231A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.