Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same
Номер патента: US12133474B2
Опубликовано: 29-10-2024
Автор(ы): Chang-Min Li, Chen-Yi Weng, Chien-Ting Lin, Chin-Yang Hsieh, Hui-Lin WANG, I-Ming Tseng, Jing-Yin Jhang, Jun Xie, Kun-Chen Ho, Yi-An Shih, Yi-Hui Lee, Yi-Syun Chou, Yi-Wei Tseng, Ying-Cheng Liu, Yu-Ping Wang, Yu-Tsung Lai
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-10-2024
Автор(ы): Chang-Min Li, Chen-Yi Weng, Chien-Ting Lin, Chin-Yang Hsieh, Hui-Lin WANG, I-Ming Tseng, Jing-Yin Jhang, Jun Xie, Kun-Chen Ho, Yi-An Shih, Yi-Hui Lee, Yi-Syun Chou, Yi-Wei Tseng, Ying-Cheng Liu, Yu-Ping Wang, Yu-Tsung Lai
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Magnetoresistive random access memory (mram) device and method of forming the same
Номер патента: US20240032441A1. Автор: Chung Yi Chiu,Chih-Wei Kuo,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.