Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Resistive random access memory device having nano-scale tip and nanowire, memory array using the same and fabrication method thereof

Resistive random access memory device having nano-scale tip and nanowire, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US10050195B2
Опубликовано: 14-08-2018
Автор(ы): Byung-gook Park, Minhwi Kim, Sung Hun JIN, Sunghun Jung
Принадлежит: Industry Academic Cooperation Foundation of INU, SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Resistive random access memory device having nano-scale tip and nanowire, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20180190903A1. Автор: Byung-gook Park,Sung Hun JIN,Sunghun Jung,Minhwi Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2018-07-05.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US11063089B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111838A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111837A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: US20210193737A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11316106B2. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US9368722B2. Автор: Wen-Chun YOU,Chih-Ming Chen,Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for manufacturing a resistive random access memory structure

Номер патента: US20210336133A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Resistive random access memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210013403A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210366986A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor material for resistive random access memory

Номер патента: US20210384419A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells

Номер патента: US9246097B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Barrier layer for resistive random access memory

Номер патента: US20200136039A1. Автор: Hsia-Wei CHEN,Tzu Chung TSAI,Yan-Chi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230413698A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20220216401A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Top contact on resistive random access memory

Номер патента: WO2024131449A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Chanro Park. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Top contact on resistive random access memory

Номер патента: US20240206352A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Cmos-compatible resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20240114813A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Resistive random access memory device with improved bottom electrode

Номер патента: US20240164225A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Jheng-Hong Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20230065317A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: US20210074917A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Planar resistive random-access memory (rram) device with a shared top electrode

Номер патента: US20220013723A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Saumya Sharma,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Resistive random-access memory (RRAM) cell with recessed bottom electrode sidewalls

Номер патента: US11871686B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

A resistive random access memory device with switching multi-layer stack and methods of fabrication

Номер патента: US20200203603A1. Автор: Namrata S. ASURI,Oleg Golonzka,Nathan STRUTT,Hiten KOTHARI,Matthew J. ANDRUS,Dragos SEGHETE,Timothy Glassman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Resistive random access memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240260490A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US11856878B2. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US20230345848A1. Автор: Dejin Kong,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiang Bo Kong. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US11737381B2. Автор: Dejin Kong,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiang Bo Kong. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random-access memory (rram) device and forming method thereof

Номер патента: US20220271223A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Resistive random-access memory (rram) device and forming method thereof

Номер патента: US20220271222A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Resistance random access memory device

Номер патента: US20140353572A1. Автор: Shosuke Fujii,Hidenori Miyagawa,Riichiro TAKAISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11793091B2. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive random-access memory (rram) device and forming method thereof

Номер патента: US20230019178A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US11489114B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11758740B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chiung-Lin Hsu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371406A1. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Reliable resistive random access memory

Номер патента: US20200287136A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Andrew Tae Kim,Ernest Y Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory devices and method of forming the same

Номер патента: US11818969B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US20160240777A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US9711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Resistive random access memory device with reduced power consumption

Номер патента: US09853214B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-12-26.

Resistive random access memory

Номер патента: US20210175418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Rare earth metal&metal oxide electrode interfacing of oxide memory element in resistive random access memory cell

Номер патента: EP3221892A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Resistance random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20210175420A1. Автор: QI Liu,Ming Liu,Hangbing Lv,Shibing Long. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Vertical resistive random access memory

Номер патента: US20210098533A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Al-w-o stack structure applicable to resistive random access memory

Номер патента: US20160072062A1. Автор: HE Qian,YUE BAI,Huaqiang Wu,Minghao WU. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-10.

Resistive random access memory

Номер патента: US20160315255A1. Автор: Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Resistive random-access memory with protected switching layer

Номер патента: US20200006650A1. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&wram Devices Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive random access memory cell and method of fabricating the same

Номер патента: US11800815B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US20230422638A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive random access memory (RRAM) structure

Номер патента: US9780145B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistive random access memory (rram) structure

Номер патента: US20150214276A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Resistive random access memory (rram) structure

Номер патента: US20160276408A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Resistive random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12127488B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: WO2024151641A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20240292765A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11882773B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210028358A1. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-28.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10804465B2. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-13.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US11793095B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive random access memory

Номер патента: US20240107901A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US11770985B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for forming resistive random-access memory device

Номер патента: US20240057488A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming resistive random access memory structure

Номер патента: US20240074338A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory devices having an electrode with tapered sides

Номер патента: US11844292B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Resistive random access memory (rram-) zellen und konstruktionsverfahren

Номер патента: DE112021007784T5. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Cmos-compatible resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: WO2024073681A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Resistive random access memory (RRAM) cells and methods of construction

Номер патента: US12010932B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of forming an integrated circuit structure including a resistive random access memory (rram) cell

Номер патента: US20240215464A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma co-doping to reduce the forming voltage in resistive random access memory (ReRAM) devices

Номер патента: US11844290B2. Автор: Takashi Ando,Hongwen Yan,Hiroyuki Miyazoe,Qingyun Yang,Devi Koty,Marinus Johannes Petrus Hopstaken. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Resistive random access memory

Номер патента: US20150228895A1. Автор: Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US11997935B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US11950521B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Resistive random access memory and fabrication techniques

Номер патента: US11793093B2. Автор: Sundar Narayanan,Zhen Gu,Sung-Hyun JO. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing resistive random access memory

Номер патента: US11758832B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Resistive random-access memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11864473B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Resistive random-access memory devices with compound non-reactive electrodes

Номер патента: US20230413697A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random-access memory devices with compound non-reactive electrodes

Номер патента: WO2023245204A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140239A1. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: WO2022241125A9. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-08-24.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: WO2022241125A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

High density multi-time programmable resistive memory devices and method of forming thereof

Номер патента: US20180026076A1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-25.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: EP4338206A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Resistive random access memory and method for controlling manufacturing of corresponding sub-resolution features of conductive and resistive elements

Номер патента: US20140170832A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US20220069218A1. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory and method for initializing the same

Номер патента: US20220069208A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wen-Chung Chen,Yi-Ting Tseng,Chun-Chu Lin,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-03.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

Номер патента: US20140291600A1. Автор: Jinn Chu,Berhanu Tulu Kacha,Wen-Zhi Chang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US20170047514A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US09871198B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: US20240237359A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US20230301206A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Resistive random access memory

Номер патента: US9159918B2. Автор: Yu-Lun Chueh,Chi-Hsin HUANG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2015-10-13.

Resistive random access memory

Номер патента: US20140191183A1. Автор: Yu-Lun Chueh,Chi-Hsin HUANG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-07-10.

Resistive random-access memory devices with engineered electronic defects and methods for making the same

Номер патента: EP4338207A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US09806255B1. Автор: LIANG Yi,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Resistive random access memory and method of preparing the same

Номер патента: US20240023469A1. Автор: Xiaoyan Li,Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods and apparatus for resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09847478B2. Автор: Ying-Lang Wang,Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Fu-Yen Jian,Yong-En Syu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Resistive random access memory

Номер патента: US20170279041A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Non-volatile resistive random access memory and a manufacturing method

Номер патента: US11944023B2. Автор: Ananthakrishnan Srinivasan,Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU. Владелец: SOUTH AFRICA, University of. Дата публикации: 2024-03-26.

Non-volatile resistive random access memory and a manufacturing method therefor

Номер патента: WO2020109991A1. Автор: Ananthakrishnan Srinivasan,Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory device design

Номер патента: US20100109085A1. Автор: Jinyoung Kim,Antoine Khoueir,Muralikrishnan Balakrishnan,Yongchul Ahn,Tangshiun Yeh. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Resistive random access memory, memory device, chip and preparation method of resistive random access memory

Номер патента: CN112838161A. Автор: 张锐,刘明,许晓欣,吕杭炳,王侃文. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-05-25.

Resistive random access memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: CN112786780A. Автор: 傅志正,林铭哲. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory arrays and methods of forming same

Номер патента: US20130193398A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for producing a resistive random access memory

Номер патента: US20170025607A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-01-26.

Vertical resistive memory device with embedded selectors

Номер патента: US20210167128A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: US20170117324A1. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US11793004B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923028B1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Wen-Hsin HSU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138184A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10475798B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for fabricating a resistor for a resistance random access memory

Номер патента: US20110171811A1. Автор: Tseung-Yuen Tseng,Sheng-Yu Wang,Chen-Han Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-07-14.

Resistive memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180175110A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Wen-Hsin HSU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Resistive random-access memory with implanted and radiated channels

Номер патента: WO2016111724A1. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: Shih-Ping Wang. Дата публикации: 2016-07-14.

Lateral transistors for selecting blocks in a three-dimensional memory array and methods for forming the same

Номер патента: US11882702B2. Автор: Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US20160240779A1. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-18.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Conductive path in switching material in a resistive random access memory device and control

Номер патента: US8558212B2. Автор: Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Integrated magnetic random access memory with logic device having low-k interconnects

Номер патента: US09972775B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI,Francis Yong Wee POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated magnetic random access memory with logic device having low-K interconnects

Номер патента: US10461247B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI,Francis Yong Wee POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-10-29.

Cross-point spin-transfer torque magnetoresistive memory array and method of making the same

Номер патента: US20210126052A1. Автор: Lei Wan,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Cross-point spin-transfer torque magnetoresistive memory array and method of making the same

Номер патента: US11631716B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: WO2017074548A1. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20080157055A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Resistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005868A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Magneto-resistive random access memory with tapered sidewalls

Номер патента: US20230403944A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Oscar van der Strate. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20180350877A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Tien-Wei Chiang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853087B2. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Ki-Seok SUH,Kil-Ho Lee,Yoon-Jong Song,Jae-chul Shim,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for fabricating semiconductor device including embedded magnetic resistance random access memory

Номер патента: US20210126191A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Selective growth of seed layer for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US10355204B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US9799705B1. Автор: LIANG Yi,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen,Guoan Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20140264463A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Tien-Wei Chiang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Spin-orbit-torque magneto-resistive random access memory with stepped bottom electrode

Номер патента: US20210159390A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Beveled magneto-resistive random access memory pillar structure

Номер патента: US20230422630A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2022133990A1. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US11871573B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151801A1. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetoresistive random access memory cell and fabricating the same

Номер патента: US09991440B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure, resistive random access memory unit structure, and manufacturing method of the semiconductor structure

Номер патента: US20150357562A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10700281B2. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US12112784B2. Автор: Sungchul Lee,Kyungjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: US11665913B2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11818966B2. Автор: Chun-Hao Wang,Yu-Ru Yang,Chung Yi Chiu,Yi Yu Lin,Po Kai Hsu,Ju Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20230136441A1. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: WO2022128646A9. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US12048250B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240349616A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240298547A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20030015745A1. Автор: Belford Coursey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Resistive random-access memory structures with stacked transistors

Номер патента: US20240130142A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

Floating gate memory devices and fabrication

Номер патента: WO2007149515A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-12-27.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Free layer, magnetoresistive cell, and magnetoresistive random access memory device having low boron concentration region and high boron concentration region, and methods of fabricating the same

Номер патента: US09905753B2. Автор: Kiwoong Kim,Yongsung PARK,JoonMyoung LEE,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10685962B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138183A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Ultrafast magnetic recording element and nonvolatile magnetic random access memory using the magnetic recording element

Номер патента: EP2206120A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: EP4264692A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: WO2022128646A1. Автор: Yang Chih-Chao,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: EP2036122A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240373756A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Dynamic random access memory cell layout and fabrication method thereof

Номер патента: US20050045936A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

In-situ encapsulation of metal-insulator-metal (MIM) stacks for resistive random access memory (RERAM) cells

Номер патента: US11882776B2. Автор: Dina Triyoso,Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240090336A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11849644B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US20200227625A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Meng-Jun Wang,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: US20230371394A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

In-array magnetic shield for spin-transfer torque magneto-resistive random access memory

Номер патента: WO2023006411A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory devices having reduced word line current and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20090147588A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Floating gate memory array and method of making the same

Номер патента: DE112004000753B4. Автор: Richard Cupertino Fastow,Yue-Song San Jose He,Kazuhiro Sunnyvale Mizutani,Timothy Sunnyvale Thurgate. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Magnetic memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2007027757A. Автор: Guo Yimin,Po Kang Wang,王　伯剛,一民 郭. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US09881924B2. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Three-dimensional hexagonal matrix memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2238622A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-10-13.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US11856779B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190244967A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US20210375885A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160086971A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150357341A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device having a buried gate that can realize a reduction in gate-induced drain leakage (gidl) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110275188A1. Автор: Min Soo Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Resistance random access memory device and fabricating method of the same

Номер патента: US20200212300A1. Автор: Won Bin Kim,Jae Myeong Lee,Sangmyeong Lee,Hyun Suk Jung,Ohyeong GONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-07-02.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287061A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Magneto-resistive random storage unit, memory, and access method

Номер патента: EP3872879A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Huan Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20150280120A1. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2015-10-01.

Resistive random access memory with electric-field strengthened layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US9099178B2. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Peng Zhou,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-04.

MgO NANOWIRE RRAM WITH LOW LEAKAGE CURRENT AND LARGE RESISTANCE RATIO AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: NL2030987B1. Автор: Li Tiejun,GAO Yunlong,ZHENG Haojian,Pan Jinyan,Huang Huixiang,Lin Xiangyujie. Владелец: Univ Jimei. Дата публикации: 2023-09-05.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US12133477B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Metal-oxide-based conductive-bridging random access memory (CBRAM) having the solid electrolyte doped with a second metal

Номер патента: US9431607B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Oxram oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US20200194671A1. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-18.

OxRAM oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US11329224B2. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-10.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287059A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287060A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Resistive random access memory

Номер патента: US20190067567A1. Автор: Yuan-Heng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor

Номер патента: US4649625A. Автор: Nicky C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Electrically formed memory array

Номер патента: WO2022132905A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Structure including stacked memory array and method of forming the same

Номер патента: CN111653586B. Автор: 安德烈亚·雷达埃利. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-21.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP4397154A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolile Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2024-07-10.

Magneto-resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050036399A1. Автор: Sang-jin Park,Tae-Wan Kim,Wan-jun Park,I-hun Song,Taek-Dong Lee,Byeong-kook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: WO2023031760A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolille Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2023-03-09.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Resistive random access memory on a buried bitline

Номер патента: US20240215266A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Resistive random access memory on buried bitline

Номер патента: WO2024131451A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240334685A1. Автор: Keng-Ping Lin,Te-Hsuan Peng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024137135A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240215221A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US20240331772A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US12040017B2. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Resistive random access memory device having nano-scale tip and nanowire, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: KR101624565B1. Автор: 진성훈,박병국,정성헌,김민휘. Владелец: 인천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-05-26.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING A NANO-SCALE TIP, MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160104838A1. Автор: Park Byung-Gook,Cho Seongjae,JUNG Sunghun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Static random access memory cell and method for forming the same, Static random access memory array and method for forming the same

Номер патента: KR950034804A. Автор: 알. 피에스터 제임스,디. 헤이덴 제임스. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1995-12-28.

Electric field assisted MRAM and method for using the same

Номер патента: US9166146B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100078685A1. Автор: Satoshi Miyazaki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Architecture of three-dimensional memory device and methods regarding the same

Номер патента: US12068192B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Rare-Earth Metal Oxide Resistive Random Access Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170346005A1. Автор: Goux Ludovic,Chen Chao-Yang,Fantini Andrea. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING COPLANAR DIGIT LINE CONTACTS AND STORAGE NODE CONTACTS IN MEMORY ARRAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180102366A1. Автор: Wang Kuo-Chen,Kuan Shih-Fan,Heineck Lars,Tang Sanh. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US20170330882A1. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: TWI615921B. Автор: 管式凡,王國鎮,拉爾斯 黑尼克,山 唐. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2018-02-21.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

INTEGRATED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH LOGIC DEVICE HAVING LOW-K INTERCONNECTS

Номер патента: US20180233663A1. Автор: Jiang Yi,Cong Hai,TAN Juan Boon,YI Wanbing,SHUM Danny Pak-Chum,POH Francis Yong Wee. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

INTEGRATED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH LOGIC DEVICE HAVING LOW-K INTERCONNECTS

Номер патента: US20160268336A1. Автор: Jiang Yi,Cong Hai,TAN Juan Boon,YI Wanbing,SHUM Danny Pak-Chum,POH Francis Yong Wee. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US11935624B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device having error detection function, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20220085019A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory array word line routing

Номер патента: US12002534B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

MEMORY DEVICE, MEMORY ARRAY AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220052112A1. Автор: CHANG WEI,Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,TAN Juan Boon. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device having principal surface of polar plane and side surface at specific angle to nonpolar plane and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090283760A1. Автор: Tetsuo Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

MULTI-LAYER MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160086971A1. Автор: Shih Yen-Hao,Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

TRANSISTOR DEVICE, MEMORY ARRAYS, AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200083237A1. Автор: Tan Shyue Seng,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160104532A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

VERTICAL 1T-1R MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150131360A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

STRING SELECT LINE (SSL) OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY ARRAY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150137250A1. Автор: Lai Erh-Kun. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-21.

Memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20200135275A1. Автор: Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS, AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220302212A1. Автор: Pellizzer Fabio,Sarpatwari Karthik,Yang Lingming,Wei Lei,Gajera Nevil N.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140252300A1. Автор: Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela,Somaschini Roberto,Nastasi Nicola. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170169864A1. Автор: YANG Hao-I,Lin Geng-Cing,Chen Yi-Tzu,CHANG Cheng-Jen,HU Yu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180240505A1. Автор: YANG Hao-I,Lin Geng-Cing,Chen Yi-Tzu,CHANG Cheng-Jen,HU Yu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

VERTICAL 1T FERROELECTRIC MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190237470A1. Автор: Petti Christopher J.,Mine Teruyuki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190244967A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS, MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160351261A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

MULTI-LAYER MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150357341A1. Автор: Shih Yen-Hao,Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

String select line (SSL) of three-dimensional memory array and method of fabricating the same

Номер патента: US9093502B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical 1t ferroelectric memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2019152087A1. Автор: Christopher J. Petti,Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-08.

Memory array and method of forming the same

Номер патента: US9959911B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hao-I Yang,Yu-Hao Hu,Cheng-Jen Chang,Geng-Cing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160104532A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160351261A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A4. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Device having a plurality of driver circuits to provide a current to a plurality of loads and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160057842A1. Автор: Andrea Logiudice,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-25.

Device having a plurality of driver circuits to provide a current to a plurality of loads and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150181658A1. Автор: Andrea Logiudice,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Solid-state imaging device having wiring layer which includes lamination of silicide layer in order to reduce wiring resistance, and manufacturing method for the same

Номер патента: US20080173911A1. Автор: Ryohei Miyagawa,Tatsuya Hirata,Shouzi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160247809A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190198501A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170373068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200350316A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140328106A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240049449A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

MEMORY DEVICE WITH MEMORY CELL PILLAR HAVING RESISTIVE MEMORY LAYER WITH WEDGE MEMORY PORTION AND BODY MEMORY PORTION, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190341547A1. Автор: KIM Sung-Won,JEONG Ji-Hyun,PARK Jong-Chul,Song Seul-ji,Park Il-mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in light emitting end surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030091079A1. Автор: Makoto Yokota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Ignition device having an electrode with a platinum firing tip and method of construction

Номер патента: US7923909B2. Автор: Paul Tinwell. Владелец: Federal Mogul World Wide LLC. Дата публикации: 2011-04-12.

Method of correcting errors in a memory array and system for implementing the same

Номер патента: TW201805952A. Автор: 李嘉富,池育德,呂士濂,劉建瑛,史毅駿,陳冠均,楊學之. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-02-16.

Method of correcting errors in a memory array and system for implementing the same

Номер патента: KR101939472B1. Автор: 치아푸 리,유더 치이,시이리엔 리누스 루,치엔인 리우,수에치이 양,콴춘 첸,이춘 시이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-01-16.

Semiconductor device having music generation function, and mobile electronic device, mobile telephone device, spectacle instrument, and spectacle instrument set using the same

Номер патента: WO2005106839A1. Автор: Masamichi Ishihara,Shunsuke Nakamura. Владелец: KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2005-11-10.

DEVICE HAVING A PLURALITY OF DRIVER CIRCUITS TO PROVIDE A CURRENT TO A PLURALITY OF LOADS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160057842A1. Автор: Logiudice Andrea,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20230292635A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Method, apparatus and device for operating logical operation array of resistive random access memory

Номер патента: US09767900B2. Автор: Yi Li,Junfeng Zhao,Yaxiong Zhou,Zhulin Wei,Xiangshui Miao,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11329102B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20140091273A1. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Fault-tolerance through silicon via interface and controlling method thereof

Номер патента: US20160132403A1. Автор: Chi-chun Yang,Ding-Ming Kwai,Chih-Yen Lo,Jin-Fu Li,yun-chao Yu,Kuan-Te Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-05-12.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454020A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210159275A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Resistive random access memory cells having variable switching characteristics

Номер патента: US9047940B2. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Non-volatile resistive random-access memory device with reliable operation indicator, device-to-device uniformity, and multilevel cell storage, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9966134B1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Min Park,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-05-08.

Circuit and layout for resistive random-access memory arrays

Номер патента: US20200006430A1. Автор: John L Mccollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Non-volatile resistive random-access memory device with reliable operation indicator, device-to-device uniformity, and multilevel cell storage, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130947A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Min Park,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-05-10.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: AU2021234176B2. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods for fabricating artificial neural networks (ANN) based on doped semiconductor resistive random access memory (RRAM) elements

Номер патента: US11024803B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US09953728B2. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J MERCED GRAFALS. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Spin hall write select for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US09947383B1. Автор: Daniel C. Worledge,Luqiao Liu,Jonathan Z. Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20210210555A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor structure and the method of making the same

Номер патента: US20190123104A1. Автор: Chih-Chien Liu,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US20190362786A1. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US20210264976A1. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US20230024213A1. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Resistive random-access memory with implanted and radiated channels

Номер патента: US09978939B2. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US11856797B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: US20220077389A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US20170309332A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Resistive random access memory integrated under a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210175285A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US12002788B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20160196874A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Three dimension programmable resistive random accessed memory array with shared bitline and method

Номер патента: US20150188051A1. Автор: Sung Hyun Jo,Scott Brad Herner,Hagop Nazarian,Harry Gee. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20230113903A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Resistive random-access memory devices with metal-nitride compound electrodes

Номер патента: US20220367804A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes

Номер патента: US20220367803A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Three dimension programmable resistive random accessed memory array with shared bitline and method

Номер патента: US20130234092A1. Автор: Sung Hyun Jo,Scott Brad Herner,Hagop Nazarian,Harry Gee. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for controlling the forming voltage in resistive random access memory devices

Номер патента: US20200381624A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Kandabara Tapily,Eduard A. Cartier,Paul C. Jamison,Takaaki Tsunomura,Cory Wajda,Steven CONSIGLIO,Marinus J.P. Hopstaken. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Back gate biasing magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to reduce or avoid write operation failures caused by source degeneration

Номер патента: WO2019040891A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for controlling the forming voltage in resistive random access memory devices

Номер патента: US20210234096A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Kandabara Tapily,Eduard A. Cartier,Paul C. Jamison,Takaaki Tsunomura,Cory Wajda,Steven CONSIGLIO,Marinus J.P. Hopstaken. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Resistive random-access memory random number generator

Номер патента: US20230284462A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20190164606A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20210280245A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20200395070A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12027463B2. Автор: LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: EP3909048A1. Автор: Chun Yuan Hou,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Resistive random access memory cell structure with reduced programming voltage

Номер патента: US9214230B2. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US20230028701A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Stacked random-access memory devices with refrigeration

Номер патента: US20230275067A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Optimized static random access memory

Номер патента: US12016169B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Choh fei Yeap,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive random access memory device

Номер патента: US11011576B2. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Cheung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11785755B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11088149B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Forming-free random-access memory (rram) devices

Номер патента: US20240023466A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US20220238156A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US20180025790A1. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J. Merced Grafals. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-25.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US11758711B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

3d dram memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US20230329013A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

3D DRAM memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US11812620B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11943936B2. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Wen Zhang Lin,Chrong Jung Lin,May-Be Chen,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20190326296A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20220208770A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20170025414A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20170323891A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Channel structure having tunneling layer with adjusted nitrogen weight percent and methods for forming the same

Номер патента: US20210217856A1. Автор: Song Liu,Xinxin Huang,Wenting Wang,Zhiping Xu,Chao SHEN,Dejian Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Thyristor volatile random access memory and methods of manufacture

Номер патента: US09837418B2. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Three-dimensional transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799728B2. Автор: Ying Jin,Xinyuan Lin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11659702B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Static random access memory array pattern

Номер патента: EP4294144A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Static random access memory array pattern

Номер патента: US20230403837A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase transition based resistive random-access memory

Номер патента: US20190363250A1. Автор: Feng Zhang,Sergiy Krylyuk,Albert V. Davydov,Joerg Appenzeller,Leonid A. Bendersky,Yuqi Zhu,Huairuo Zhang. Владелец: National Institute of Standards and Technology (NIST). Дата публикации: 2019-11-28.

Bonded semiconductor devices having programmable logic device and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11996389B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Memory devices based on ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US20200083234A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-12.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09941287B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic random access memory (MRAM) layout with uniform pattern

Номер патента: US8441850B2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Tae Hyun Kim,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Resistive random-access memory using stacked technology

Номер патента: US20230354620A1. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&wram Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180151572A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240164107A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120241787A1. Автор: Yeo Jin Yoon,Chang Yeon Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US20100135057A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US7915745B2. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-29.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US20070241465A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096982A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20180097005A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20240304727A1. Автор: Sunhee Lee,Junghoon Lee,Yeonkeon MOON,Eunhyun Kim,Yeonhong KIM,Jongbeom Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

COMPOSITE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL HAVING M1-xRuxO3 (M=Sr, Ba, Mg), SUPERCAPACITOR USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120063058A1. Автор: Yong-Won Song,Il Doo Kim,Tae Seon HYUN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-03-15.

Method for manufacturing a magnetic random-access memory device using post pillar formation annealing

Номер патента: US12069957B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Jacob Anthony HERNANDEZ,Georg Wolf,Thomas D. Boone. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Mold for ceramic membrane tube and fabrication method of ceramic membrane tube using the same

Номер патента: WO2007067011A1. Автор: Ji-Haeng Yu,Ki-Suk Hong,Sang-Kuk Woo,In-Sub Han,Doo-Won Seo,Shi-Woo Lee. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2007-06-14.

Thin film for optical applications, light-emitting structure using the same and the fabrication method thereof

Номер патента: WO2003065092A1. Автор: Se-Young Seo,Jung-Hoon Shin,Hak-Seung Han. Владелец: Luxpert Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-08-07.

MRAM device and fabrication method thereof

Номер патента: US8884386B2. Автор: Tien-Wei Chiang,Chwen Yu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Display driver integrated circuit having embedded resistive random access memory and display device having same

Номер патента: EP4014226A1. Автор: Ximeng Guan. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

High speed mos random access read/write memory device

Номер патента: US3848237A. Автор: M Geilhufe,R Mehta. Владелец: Advanced Memory Systems Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Semiconductor device having a connection inspecting circuit for inspecting connections of power source terminals and grounding terminals, and inspection method for the same

Номер патента: US7211996B2. Автор: Keiichi Kusumoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor storage device having a driver that applies voltage to memory cells based on location of memory cells and method for controlling the same

Номер патента: US10832743B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Super-sparse image compression using cross-bar non-volatile memory device

Номер патента: US20200257936A1. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Minghai Qin,Won Ho Choi,Wen Ma,Pi-Feng Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Novel resistive random access memory device

Номер патента: US20240237357A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Cheung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Voltage-switched magneto-resistive random access memory (mram) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path

Номер патента: WO2019006066A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Green Transistor for Resistive Random Access Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110063888A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Resistive random access memory device with three-dimensional cross-point structure and method of operating the same

Номер патента: US11972796B2. Автор: Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Non-volatile static random access memory incorporating resistive random-access memory

Номер патента: US11984158B2. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Method and apparatus for forming a contact in a cell of a resistive random access memory to reduce a voltage required to program the cell

Номер патента: US20140104928A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

System architecture, structure and method for hybrid random access memory in a system-on-chip

Номер патента: US20240172456A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Resistive random-access memory random number generator

Номер патента: US11856798B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Resistive random-access memory devices with metal-nitride compound electrodes

Номер патента: WO2023245205A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive random access memory device

Номер патента: US11915754B2. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for controlling the forming voltage in resistive random access memory devices

Номер патента: WO2020243417A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Kandabara Tapily,Paul Jamison,Takaaki Tsunomura,Cory Wajda,Steven CONSIGLIO,Eduard Albert Cartier,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Resistive random-access memory random number generator

Номер патента: WO2023165935A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20240153559A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Synchronous DRAM device having a control data buffer

Номер патента: US5680370A. Автор: MASASHI Hashimoto,Gene A. Frantz,John Victor Moravec,Jean-Pierre Dolait. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20230253037A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Resistive random access memory cell structure with reduced programming voltage

Номер патента: US20150124520A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Super-sparse image compression using cross-bar non-volatile memory device

Номер патента: US20220171992A1. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Minghai Qin,Won Ho Choi,Wen Ma,Pi-Feng Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Geometrically enhanced resistive random access memory (rram) cell and method of forming same

Номер патента: EP3238282A1. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Hung Quoc Nguyen,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-01.

In-memory resistive random access memory XOR logic using complimentary switching

Номер патента: GB2617036A. Автор: Ando Takashi,Gong Nanbo,M Cohen Guy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of preliminary resource definition at random access, user device and base station

Номер патента: RU2638181C2. Автор: Фан НАНЬ,Чжэн ЮЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-12.

Set-while-verify circuit and reset-while verify circuit for resistive random access memory cells

Номер патента: US11646078B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Resistive random access memory device

Номер патента: US11950433B2. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Cheung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Forming-free random-access memory (rram) devices

Номер патента: WO2024016015A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-01-18.

Smart message solution having mobile advertising function in mobile communication terminal, driving method thereof, and method and system for smart message service using same

Номер патента: WO2002014976A3. Автор: Sun-Yang Hwang. Владелец: Sun-Yang Hwang. Дата публикации: 2003-01-03.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230386566A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-30.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307304A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-04-17.

Multiple serial access memory for use in feedback systems such as motion compensated television

Номер патента: CA2082133C. Автор: Paul Shen,Edward A. Krause,Woo H. Paik. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory array

Номер патента: GB2624142A. Автор: Hashemi Pouya,Worledge Daniel,Kenneth Debrosse John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory array

Номер патента: US12020736B2. Автор: Pouya Hashemi,Daniel Worledge,John Kenneth Debrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Dynamic random access memory device with long retention and operating method thereof

Номер патента: US11922988B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for reducing the size and nanowire length used in nanowire crossbars without reducing the number of nanowire junctions

Номер патента: US20060190896A1. Автор: Gregory Snider. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-08-24.

Random access method, parameter assignment method, wireless communication device, and base station using the same

Номер патента: US20120082103A1. Автор: Chie-Ming Chou,Jung-Mao Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-04-05.

Hybrid memory device for lookup operations

Номер патента: US20190220203A1. Автор: Hillel Gazit,Sohail Syed,Gevorg Torjyan. Владелец: Corigine Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US20110209980A1. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Kazuhiko Matsumoto,Yasuhide Ohno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US20110214983A1. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Yasuhide Ohno,Kazuhike Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US7964066B2. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Kazuhiko Matsumoto,Yasuhide Ohno. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2011-06-21.

Semiconductor device having redundancy circuit

Номер патента: US5617365A. Автор: Masakazu Aoki,Masashi Horiguchi,Kiyoo Itoh,Jun Etoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Display driver integrated circuit having embedded resistive random access memory and display device having same

Номер патента: EP4014226A4. Автор: Ximeng Guan. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Novel dynamic inhibit voltage to reduce write power for random-access memory

Номер патента: US20230335189A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Programmable conductor random access memory and method for sensing same

Номер патента: WO2003077256A3. Автор: John T Moore,Glen Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Stacked memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20120294059A1. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: WO2005021420A1. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Kazuhiko Matsumoto,Yasuhide Ohno. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2005-03-10.

MAGNETOELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190027201A1. Автор: Petti Christopher,Bandyopadhyay Abhijit,ROBERTSON Neil. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Charge loss compensation during read operations in a memory device

Номер патента: US12057174B2. Автор: Theodore T. Pekny,Taehyun Kim,Michele Piccardi,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Charge loss compensation during read operations in a memory device

Номер патента: US20240355397A1. Автор: Theodore T. Pekny,Taehyun Kim,Michele Piccardi,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Image forming apparatus including developer contact media having nano-scale roughness

Номер патента: US8315544B2. Автор: Jong-Moon Eun,Cheol-Soo Yang,Jean-Man Sur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-20.

Image forming apparatus including developer contact media having nano-scale roughness

Номер патента: US20100143007A1. Автор: Jong-Moon Eun,Cheol-Soo Yang,Jean-Man Sur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Composite ceramic having nano-scale grain dimensions and method for manufacturing same

Номер патента: US20060043644A1. Автор: Zwi Kalman,Bernard Kear,William Mayo,Ganesh Skandan. Владелец: Mayo William E. Дата публикации: 2006-03-02.

Composite ceramic having nano-scale grain dimensions and method for manufacturing same

Номер патента: US20090020916A1. Автор: Ganesh Skandan,Zwi H. Kalman,Bernard H. Kear,William E. Mayo. Владелец: Mayo William E. Дата публикации: 2009-01-22.

Article having nano-scaled structures and a process for making such article

Номер патента: US7851016B2. Автор: Mehran Arbab,Songwei Lu,Deirdre D. Ragan. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Article having nano-scaled structures and a process for making such article

Номер патента: EP1546056B1. Автор: Mehran Arbab,Songwei Lu,Deirde D. Ragan. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2013-12-11.

Article having nano-scaled structures and a process for making such article

Номер патента: CN100335434C. Автор: 陆松伟,M·阿巴博,D·D·拉甘. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Article having nano-scaled structures and a process for making such article

Номер патента: US20090208648A1. Автор: Mehran Arbab,Songwei Lu,Deirdre A. Ragan. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Command triggered power gating for a memory device

Номер патента: US11935614B2. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kwang-Ho Cho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device and associated access method

Номер патента: US20200371710A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Command triggered power gating for a memory device

Номер патента: US20210375332A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kwang-Ho Cho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Program and sense operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100124115A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Operating method for memory device and memory array and operating method for the same

Номер патента: US20140036570A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR101774496B1. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR20120063734A. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-06-18.

Storing and recovering critical data in a memory device

Номер патента: US20230367515A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device with configurable performance and defectivity management

Номер патента: US20220197769A1. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device with configurable performance and defectivity management

Номер патента: US20210064495A1. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device with configurable performance and defectivity management

Номер патента: US11579996B2. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-14.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150325287A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),WANG Bing,KIM Young Suk,CHANG Jacklyn,TAO Derek C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Bio signal measuring device having trap unit for measuring bio signals of animals and bio signal measurement method of micro animals using the same

Номер патента: KR101994341B1. Автор: 조성준,김소희,강양준. Владелец: 조선대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-07-08.

Memory device command history management

Номер патента: US20240061616A1. Автор: Vipul Patel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US11881251B2. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20240161809A1. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Methode for preparing metamaterial, metamaterial film prepared by the same and super-resolution imaging system using the the same

Номер патента: KR101472682B1. Автор: 이헌,최원식,변경재. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-12-15.

Volatile Memory Device for buffering between non-Volatile Memory and host, Multi-chip packaged Semiconductor Device and Apparatus for processing data using the same

Номер патента: KR100606242B1. Автор: 김세진,손한구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-31.

Memory device circuit and method for concurrently addressing columns of multiple banks of a multi-bank memory array

Номер патента: EP0737981A2. Автор: Michael C. Parris,H. Kent Stalnaker. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-10-16.

Memory device and method for storing and reading a file system structure in a write-once memory array

Номер патента: US7003619B1. Автор: J. James Tringali,Christopher S. Moore,Roger W. March,James E. Schneider. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-02-21.

Semiconductor device having a connection inspecting circuit for inspecting connections of power source terminals and grounding terminals, and inspection method for the same

Номер патента: US20070164765A1. Автор: Keiichi Kusumoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Memory device circuit and method for concurrently addressing columns of multiple banks of a multi-bank memory array

Номер патента: EP0737981A3. Автор: Michael C Parris,H Kent Stalnaker. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Memory device circuit and method of simultaneous addressing of multi-bank columns of a multi-bank memory array

Номер патента: KR100386442B1. Автор: 시. 파리스 미카엘,켄트 스탈네이커 에이치.. Владелец: 모셀 바이텔릭 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2003-08-14.

Deterministic Diagnostic Information Capture from Memory Devices with Built-in Self Test

Номер патента: US20080077834A1. Автор: Ajay Khoche,Klaus-Dieter Hilliges. Владелец: Verigy Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory device, memory system and electronic instrument

Номер патента: US6721231B2. Автор: Yasuhiko Tomohiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor memory device, memory system and electronic instrument

Номер патента: US20030123315A1. Автор: Yasuhiko Tomohiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Composition for control anthracnose comprising natural mineral ingredients and method for control anthracnose using the the same

Номер патента: KR100768478B1. Автор: 윤문영,김보미,박정극. Владелец: 동국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-10-19.

Remover solution composition for resist and method for removing resist using the the same

Номер патента: EP0773480B1. Автор: Masakazu Kobayashi,Kazumasa Wakiya,Toshimasa Nakayama,Masahito Tanabe. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-24.

Memory device performing near-data processing using a plurality of data processing engines that independently perform data processing operations, and system including the same

Номер патента: US10430353B2. Автор: Byungchul Hong,Hongsik Kim,Jungho Ahn,John Dongjun KIM,Yongkee KWON. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-10-01.

Die Casting Mold and Die Casting Method using the the Same

Номер патента: KR101921508B1. Автор: 박영훈. Владелец: 박영훈. Дата публикации: 2018-11-23.

Snow Skis and Snowboards Having Split Tips and/or Tails

Номер патента: US20070267847A1. Автор: Scott Carlson,David Mazzarella. Владелец: Ski Logic Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Optical modulator and Method of adjusting optical angle using the the same

Номер патента: KR102026738B1. Автор: 이장원,박연상,김언정,김진은,노영근,이재숭,천상모. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device with memory cells, each having an FG cell transistor and select gate transistor, and a method of writing data into the same

Номер патента: US20060083066A1. Автор: Takehiro Hasegawa,Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

CHARGING DEVICE HAVING A HOLDING MEMBER THAT HOLDS A CHARGING MEMBER AND A CLEANING MEMBER, AND IMAGE FORMING APPARATUS USING THE CHARGING DEVICE

Номер патента: US20160282744A1. Автор: OHASHI Shiro,HOSHINO Yuta,Onishi Naoki,SOGA Tatsuya. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-29.

Resistive random access memory (reram) and conductive bridging random access memory (cbram) cross coupled fuse and read method and system

Номер патента: EP2965320A1. Автор: Kent Hewitt,Traian Bontas,Claudiu-Dumitru Nechifor,Iulian Dumitru. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Resistive random-access memory (reram) configured for overcoming the affects of read disturb

Номер патента: WO2024150022A1. Автор: Gabriel Molas,Giuseppe PICCOLBONI. Владелец: Weebit Nano Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

Circuitry for parallel set and reset of resistive random-access memory (ReRAM) cells

Номер патента: US12068028B2. Автор: Ilan Sever,Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: WO2016144609A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: EP3268967A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

System and method for performing layer optimization of stacked resistive random-access memory device by using artificial intelligence technology

Номер патента: US20240020511A1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-01-18.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory devices and methods for high random transaction rate

Номер патента: US20140293717A1. Автор: Bruce Barbara,Dinesh Maheshwari,John Marino. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

1T-1R architecture for resistive random access memory

Номер патента: US09824752B2. Автор: Deepak Chandra Sekar,Wayne Frederick Ellis. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Test device and test method for resistive random access memory and resistive random access memory device

Номер патента: US20110019492A1. Автор: Kazushige Kanda,Kazuaki Kawaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Resistive random-access memory (reram) cell optimized for reset and set currents

Номер патента: US20230096127A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09898204B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Memory device including resistance random access memory, and storing method that stores data in the resistance random access memory

Номер патента: US9892788B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device witih a built-in self test circuit for adjusting a memory device property

Номер патента: US10629284B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device and adjustment method thereof

Номер патента: US20180166147A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Memory device and method having a data bypass path to allow rapid testing and calibration

Номер патента: WO2006121874A3. Автор: Troy A Manning,James B Johnson. Владелец: James B Johnson. Дата публикации: 2007-08-02.

Static random access memory device having decreased sensitivity to variations in channel physical characteristics

Номер патента: US20050007831A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Devices and methods for selecting a forming voltage for a resistive random-access memory

Номер патента: US09865348B2. Автор: Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Programming of resistive random access memory for analog computation

Номер патента: US09842647B1. Автор: John Paul Strachan,Brent Buchanan,Emmanuelle Merced Grafals. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-12.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Resistance random access memory, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US20160372195A1. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Programming and reading circuit for resistive random access memory device

Номер патента: US20160217851A1. Автор: Chih-Kai Huang,Chih-Hao Lai,Jou-Hung Wang. Владелец: Brocere Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Resistive memory subcell, resistive random access memory for in-memory-computing and in-memory-processor

Номер патента: EP4345823A1. Автор: Gerhard Kahmen,Marc REICHENBACH,Max Uhlmann,Philip Ostrovskyy,Markus Fritscher. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2024-04-03.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US09959232B2. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Fracturable x-y storage array using a ram cell with bidirectional shift

Номер патента: US4813015A. Автор: Michael E. Spak,Craig S. Tyl,Philip C. Wottrich. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-03-14.

Semiconductor memory device having sense amplifier having improved activation timing thereof and operating method thereof

Номер патента: US4916671A. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Circuitry for parallel set and reset of resistive random-access memory (reram) cells

Номер патента: US20220284955A1. Автор: Ilan Sever,Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020023200A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020016895A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Write verify method for resistive random access memory

Номер патента: US20110026302A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-02-03.

Rubbing method, method of fabricating liquid crystal display device using the same, and liquid crystal display device manufactured thereby

Номер патента: US20090128763A1. Автор: Kyung Mo Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Static random-access memory (sram) apparatus and method for reducing wire delay

Номер патента: US20240071438A1. Автор: Manish Chandra Joshi,Lava Kumar PULLURU,Pushp KHATTER,Gopi Sunanth Kumar Gogineni. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device having integral instruction buffer

Номер патента: WO2010139850A1. Автор: Kimmo Kalervo Kuusilinna,Eero Tapani Aho,Jari Antero Nikara. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2010-12-09.

Sequential-access memory

Номер патента: US4779228A. Автор: Shigeki Yamamoto,Yasuji Uchiyama. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-18.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

MOSFET Random access memory chip

Номер патента: US4477739A. Автор: Robert J. Proebsting,Paul R. Schroeder. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

High operating speed resistive random access memory

Номер патента: US8619459B1. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US11468966B2. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional Resistive Random-Access Memory (3D-RRAM)

Номер патента: US20200350030A1. Автор: WANG Zhang,Xiaodong Xiang,Guobiao Zhang,Mei Shen,Hongyu Yu,Yida Li,Shengming Zhou,Guoxing Zhang,Yuejin Guo,Guangzhao LIU,Mingtao HU. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for checking dependencies of data units and apparatuses using the same

Номер патента: US9892484B2. Автор: YING Liang,Heng QUE,Heng Xiao. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory device and power management method using the same

Номер патента: US20210241803A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Methods for checking dependencies of data units and apparatuses using the same

Номер патента: US20170140499A1. Автор: YING Liang,Heng QUE,Heng Xiao. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Special test modes for a page buffer shared resource in a memory device

Номер патента: US5623620A. Автор: Mamun Rashid,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Ranjeet Alexis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-04-22.

Error rate reduction in a non-volatile memory (NVM), including magneto-resistive random access memories (MRAMS)

Номер патента: US11755411B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Resistive random-access memory and architecture with select and control transistors

Номер патента: US20210035636A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Sram memory device and testing method thereof

Номер патента: US20130128656A1. Автор: Ashish Kumar,Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Error rate reduction in a non-volatile memory (nvm), including magneto-resistive random access memories (mrams)

Номер патента: US20220179740A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY(ReRAM) DEVICE

Номер патента: US20130235647A1. Автор: Kwang Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US12040013B2. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: EP1252630A2. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A9. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David R Hanson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A1. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US20230050783A1. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-02-16.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Method and system for providing instant responses to sleep state transitions with non-volatile random access memory

Номер патента: US09958926B2. Автор: Raj K. Ramanujan,Vincent J. Zimmer,Blaise Fanning,Michael Rothman,Leena K. Puthiyedath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Porous silicon carbide nanocomposite structure comprising nanowires and method of preparing the same

Номер патента: US09776172B2. Автор: In Ho Kim,Sang Woo Kim,Dong Ju Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for finding out optimum operation condition of resistance random access memory

Номер патента: CN110570889B. Автор: 林立伟,蔡宗寰,王文廷,曾逸贤. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Generation of memory column addresses using memory array type bits in a control register of a computer system

Номер патента: US5737764A. Автор: Akio Shigeeda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20230350800A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Photomask blanks, photomasks fabricated using the same, and methods of fabricating photomask using the same

Номер патента: US20160238926A1. Автор: Eui Sang PARK,Kung Hoon NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

In-memory computing (imc) memory device and imc method thereof

Номер патента: US20240231623A9. Автор: Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Flash storage device and operating method thereof

Номер патента: US20100268868A1. Автор: Shuihua Hu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Memory device and method for input and output buffer control thereof

Номер патента: US20220020401A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Enhanced valley tracking with trim setting updates in a memory device

Номер патента: US20240096408A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Power Reduction in Thyristor Random Access Memory

Номер патента: US20160093358A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2737484A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013016467A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-31.

Parity data in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US12061518B2. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for maintaining a storage mapping table and apparatuses using the same

Номер патента: US09846643B2. Автор: Hou-Yun Lee,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Communicating random access memory

Номер патента: US4616310A. Автор: Richard E. Matick,Frederick H. Dill,Daniel T. Ling,Dennis J. McBride. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (ram) array

Номер патента: US20240006012A1. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and system for testing a random access memory (RAM) device having an internal cache

Номер патента: US20070204189A1. Автор: Joseph Soetemans. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2007-08-30.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US11755471B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20220253379A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory device and storing method

Номер патента: US20170076781A1. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: EP4147134A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Adaptive body bias management for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116974A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Integrated circuit and configuration method thereof

Номер патента: US11960402B2. Автор: Xiaolong LIU. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230410892A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-21.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307303A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-04-24.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Solid State Memory Device with PCI Controller

Номер патента: US20080040533A1. Автор: Jason Caulkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20090265592A1. Автор: Jih-Nung Lee,Hsiang-Huang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Multi-channel physical interfaces and methods for static random access memory devices

Номер патента: US20150117092A1. Автор: Dinesh Maheshwari,Derwin W. Mattos,Avi Avanindra. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Data drive circuit, clock recovery method of the same, and display drive device having the same

Номер патента: US11749167B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Bae YUN,Yong Jung Kwon,Gi Baek CHOI. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Low noise memory array

Номер патента: US20130286716A1. Автор: Robert Newton Rountree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device and method having a data bypass path to allow rapid testing and calibration

Номер патента: EP1886155A4. Автор: Troy A Manning,James B Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-10.

Programming an array of resistance random access memory cells using unipolar pulses

Номер патента: US20130279238A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US11978509B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Programming an array of resistance random access memory cells using unipolar pulses

Номер патента: US20120182783A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Numonyx BV Amsterdam Rolle Branch. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory device and method having a data bypass path to allow rapid testing and calibration

Номер патента: WO2006121874A2. Автор: Troy A. Manning,James B. Johnson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and system for hiding refreshes in a dynamic random access memory

Номер патента: WO2002015194A1. Автор: Charles H. Dennison,Brent Keeth,Brian M. Shirley,Kevin J. Ryan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-02-21.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: EP3080811A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

System for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: EP4386754A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2016188087A1. Автор: Junwei Wang,Weitao CHEN,Xiaopeng CUI,Zhixiao Yao,Jianguo XING. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230012303A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4270395A2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-01.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116976A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4270395A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory device with split power switch and related methods

Номер патента: EP2118717B1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Ferroelectric memory device and control method thereof

Номер патента: US20040076053A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Byung-Jun Min,Mun-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Latent hardener with improved storage stability through a dry surface treatment process, one-component epoxy adhesive formulation comprising the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20210155749A1. Автор: Jong Hyuk Park,Min Park,Jongwon Kim,Tae Ann KIM,Sung Min JEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-27.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Detecting a cryogenic attack on a memory device with embedded error correction

Номер патента: US09940457B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and system for power signature suppression in memory devices

Номер патента: US09870810B2. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Betina Hold. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Backup memory administration using an active memory device and a backup memory device

Номер патента: US09836370B2. Автор: Jeffrey R. Hamilton,Ross L. Mickens,Markesha F. Parker,Melba I. Lopez. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Extracting selective information from on-die dynamic random access memory (DRAM) error correction code (ECC)

Номер патента: US09811420B2. Автор: Bill Nale,Debaleena Das,Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Magnetic random access memory (MRAM)-based frame buffering apparatus, display driving apparatus and display apparatus including the same

Номер патента: US09805444B2. Автор: Dae-Shik Kim,Bo-Young Seo,Gwan-Hyeob Koh,Choong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Multi-port cell of operating memory device

Номер патента: RU2665248C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр". Дата публикации: 2018-08-28.

Method and apparatus for collision-free data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US6044429A. Автор: Terry R. Lee,Kevin J. Ryan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: EP4246337A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Built-in self test circuit for segmented static random access memory (sram) array input/output

Номер патента: US20240071546A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory Device, Devices Having the Same, and Method of Operating the Same

Номер патента: US20120151124A1. Автор: BAEK Sung Hoon,Cheon Won Moon. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

3-D STRUCTURED NONVOLATILE MEMORY ARRAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120061637A1. Автор: Huang Ru,Cai Yimao,Qin Shiqiang,Tang Poren,Tang Yu,Zhang LIjie. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

DIODES WITH NATIVE OXIDE REGIONS FOR USE IN MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120193756A1. Автор: Chen Yung-Tin,Hou Kun,Ping Er-Xuan,XIAO Li,Bandyopadhyay Abhijit,Maxwell Steven. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY AND METHOD FOR PROGRAMMING THE SAME

Номер патента: US20120243313A1. Автор: Huang Ru,Cai Yimao,Qin Shiqiang,Tang Poren. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

MEMORY ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Yuan Qing Peng. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

MEMORY ARRAYS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130200322A1. Автор: Pellizzer Fabio,Cupeta Carmela,Somaschini Roberto,Nastasi Nicola. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

RESISTANCE MEMORY CELL, RESISTANCE MEMORY ARRAY AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140077149A1. Автор: Chen Frederick T.,Chen Yu-Sheng,LEE HENG-YUAN,WU TAI-YUAN,Chen Wei-Su,Chen Pang-Hsu. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: CN107634066B. Автор: 陈柏安. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-17.

Non-volatile memory array and method of fabricating the same

Номер патента: TWI606578B. Автор: 陳柏安. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: TWI583035B. Автор: 葉騰豪,胡志瑋,施彥豪. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-11.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: TW201547073A. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VPN NETWORK CLIENT FOR MOBILE DEVICE HAVING DYNAMICALLY CONSTRUCTED DISPLAY FOR NATIVE ACCESS TO WEB MAIL

Номер патента: US20120002814A1. Автор: Wei Yin,Iyer Subramanian,Campagna Richard,Wood James. Владелец: JUNIPER NETWORKS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VPN NETWORK CLIENT FOR MOBILE DEVICE HAVING FAST RECONNECT

Номер патента: US20120002815A1. Автор: . Владелец: JUNIPER NETWORKS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND TERMINAL SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004000A1. Автор: CHOI Byungsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS HAVING HUMAN BODY CONTACT SENSING FUNCTION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003929A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTOR ASSEMBLY FOR USE IN ENVIRONMENTS CONTAINING BACKGROUND MAGNETIC NOISE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004878A1. Автор: . Владелец: U.S. Government as represented by the Secretary of the Army. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND INFORMATION DISPLAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003990A1. Автор: LEE Min Ku. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SCANNING APPARATUS TO ALTERNATE SCANNING AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002249A1. Автор: KIM Cheoul-young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS RESPONSE PROCESSING

Номер патента: US20120002606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS CHANNEL RESOURCE ALLOCATION

Номер патента: US20120002617A1. Автор: Vujcic Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR SIGNAL SPACE PARTITION AND ASSIGNMENT AND APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120002622A1. Автор: MAHADEVAPPA Ravishankar H.,ULN Kiran,PARE,JR. Thomas E.. Владелец: Ralink Technology (Singapore) Corporation PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fullerene Derivatives and Organic Electronic Device Comprising the Same

Номер патента: US20120004476A1. Автор: KIM Dong Wook,LIM Hyun Seok,LEE Jaemin,JUNG Jae Wook,Yoon Sung Cheol,Lim Jongsun,Lee Chang Jin,KANG YONGKU,NAM So Youn. Владелец: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

CUFF FOR BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE AND BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME

Номер патента: US20120004560A1. Автор: KAWANO Atsushi,SANO Yoshihiko,FUJITA Reiji,Nishioka Takanori,Tanaka Takahide. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CODEBOOK FOR MULTIPLE USER MULTIPLE INPUT MULTIPLE OUTPUT SYSTEM AND COMMUNICATION DEVICE USING THE CODEBOOK

Номер патента: US20120001780A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS AND PRINTING POSITION ADJUSTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001972A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ROLLING STOCK SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000739A1. Автор: YUUKI Kazuaki,Koizumi Satoshi,Nakazawa Yosuke,Nogi Masayuki,INAGAKI Katsuhisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001097A1. Автор: . Владелец: NuFlare Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same

Номер патента: US20120001154A1. Автор: Kato Tomoki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PLANAR ILLUMINATION DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002136A1. Автор: NAGATA Takayuki,YAMAMOTO Kazuhisa,Itoh Tatsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, IMAGE READING APPARATUS, AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002235A1. Автор: Hinaga Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FIXED STATION RECEIVER FOR MIMO COMMUNICATION SYSTEM AND UPLINK ADAPTATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002710A1. Автор: Kim Daeho,Ko Young Jo,PARK Ok-Sun,PARK Gi Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DNA CHIP, KIT FOR DETECTING OR GENOTYPING BACTERIA CAUSING SEXUALLY TRANSMITTED DISEASES, GENOTYPING ANTIBACTERIAL DRUG RESISTANCE AND DETECTING OR GENOTYPING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120004113A1. Автор: . Владелец: GOODGENE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

MILKING PARLOUR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120000427A1. Автор: . Владелец: DELAVAL HOLDING AB. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC MATERIAL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001157A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC IMPEDANCE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20120001626A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH-TUNABLE SPECTROMETER AND WAVELENGTH TUNING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002198A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SECONDARY BATTERY AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003512A1. Автор: SATO Yutaka,Tsunaki Takuro,Kohno Ryuji,HIRANO Fujio,Koseki Mitsuru. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CORE-SHEATH IMPLANT DEVICE HAVING AN INNER CORE LOBE

Номер патента: US20120004724A1. Автор: Hudson Michael E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLDING DEVICES AND METHODS FOR USING THE SAME

Номер патента: US20120000571A1. Автор: Foscarota Valentino. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING TOUCH INPUT SENSING AND TOUCH SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001865A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE PROGRAMMED PIXEL CIRCUIT, DISPLAY SYSTEM AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001888A1. Автор: Chaji Gholamreza,Nathan Arokia,Servati Peyman. Владелец: Ignis Innovation Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001893A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLARIZATION-TRACKING DEVICE HAVING A WAVEGUIDE-GRATING COUPLER

Номер патента: US20120002971A1. Автор: Doerr Christopher R.. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING DEVICE HAVING CHARGING WIRE CLEANING MECHANISM

Номер патента: US20120002999A1. Автор: Itabashi Nao. Владелец: BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNERGISTIC COMBINATION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003268A1. Автор: NANDI Dipankar,RAKSHIT Srabanti,PONNUSAMY Manikandan. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL COMPLEXES HAVING AZABOROL LIGANDS AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004407A1. Автор: Stoessel Philipp,Joosten Dominik,Gerhard Anja,Pflumm Christof,Heil Holger. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2012-01-05.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

Laser Beam Irradiation Apparatus and Substrate Sealing Apparatus Including the Same

Номер патента: US20120000611A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM OF A VEHICLE WITH ELECTRIC PROPULSION AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001480A1. Автор: Favaretto Fabrizio,STEFANI Giovanni. Владелец: FERRARI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

RGBW DISPLAY APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001947A1. Автор: Cheng Sheng-Wen,CHU-KE Hui. Владелец: AU OPTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHORETIC DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001958A1. Автор: Hsieh Yao-Jen,Hung Chi-Mao,Liu Chun-Ting,Tseng Hsu-Ping,Hsu Ying Hua. Владелец: SIPIX TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROLLER APPARATUS FOR CONTROLLING A MULTIPHASE MULTILEVEL VOLTAGE SOURCE INVERTER AND A METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002453A1. Автор: HU JWU-SHENG,CHEN Keng-Yuan,TANG Chi-Him. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DERMAL MICRO-ORGANS, METHODS AND APPARATUSES FOR PRODUCING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120003276A1. Автор: Bellomo Stephen F.,Lippin Itzhak,Piva Guillermo Alberto,Rosenberg Lior,Bukhman Mordechay,Stern Baruch S.,Shalhevet David,Shavitt Menachem D.,Pearlman Andrew L.,Shani Noam,Almon Einat. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR CALCULATING FUEL AMOUNT OF TRAVELLING ROUTE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.