Memory and fabrication method thereof and memory system.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1
Опубликовано: 17-10-2024
Автор(ы): Zhaoyun TANG
Принадлежит: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Switching element, switching element drive method and fabrication method, reconfigurable logic integrated circuit, and memory element

Номер патента: US7960712B2. Автор: Toshitsugu Sakamoto,Hisao Kawaura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220285363A1. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, electronic device

Номер патента: EP4380329A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US12082393B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory and manufacturing method and erasing method thereof

Номер патента: US20080099818A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Anti-fuse storage layout and circuit thereof, and anti-fuse memory and design method thereof

Номер патента: US20230207456A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertically-integrated 3-dimensional flash memory for high reliable flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20190393237A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138184A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10475798B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US20220384445A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory and electronic device

Номер патента: EP4421863A1. Автор: Jie Zhao,Min Zhang,Jeffrey Junhao XU,Heng Zhang,Hangbing Lv,Xichao Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6870216B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10685962B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138183A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20220028890A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional memory, fabricating method thereof and memory system

Номер патента: US20240164097A1. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Weiming Chen,Weiwei CHU,Wenhao Xiong,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory and storage on a single chip

Номер патента: US20240130143A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory and formation method and application method thereof

Номер патента: CN105789113A. Автор: 张怡,刘宪周. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-20.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Direct interconnection between processor and memory component

Номер патента: US20090144486A1. Автор: Tan Tat-Hin. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-04.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090057748A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240015954A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905797B2. Автор: YUTING ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240334685A1. Автор: Keng-Ping Lin,Te-Hsuan Peng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory and fabricating method thereof

Номер патента: US11877441B2. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated package device, fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240332152A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Vehicle memory system based on 3d memory and method operating thereof

Номер патента: US20220293202A1. Автор: Hong Yeol Lim,Myung Hyun Koo. Владелец: Hyundai AutoEver Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TW200633231A. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof and circuit system including the non-volatile memory

Номер патента: US20080266960A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US20070108504A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Yung-Chung Lee,Hann-Ping Hwang,Chin-Chung Wang,Chih-Ming Chao. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Flash memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US20110182123A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TWI281753B. Автор: Pin-Yao Wang,Liang-Chuan Lai. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-21.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TW200633230A. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20220302061A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Nan-Chun Lin,Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Electronic package, packaging substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282689A1. Автор: Yu-Cheng Pai,Chan-Yu YEH,Yuan-Ping YEH,Yuan-Chang NI,Meng-Jou HE. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240266335A1. Автор: Yih-Jenn Jiang,Wei-Son Tsai,Cheng-Kai Chang,Yi-Chieh Wang,Huan-Shiang Li. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: EP4437588A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and 3d nand memory

Номер патента: US20230253511A1. Автор: LAN Yao,Lu Zhou,Quan Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Memory and working method and forming method thereof

Номер патента: CN110010605B. Автор: 潘梓诚,廖淼. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-04-02.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US20060186481A1. Автор: Chih-Chen Cho,Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TW200719440A. Автор: Saysamone Pittikoun,Yung-Chung Lee,Hann-Ping Hwang,Shi-Shien Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Fabrication method of a memory and the memory

Номер патента: US12114482B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Stacked connections in 3D memory and methods of making the same

Номер патента: US11765898B2. Автор: Jun Liu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032291A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Memories and memory components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20240257863A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright,Scott C. Best,Ely K. Tsern,John E. Linstadt,Thomas A. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4365901A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130328119A1. Автор: Chun-Lien Su,Shaw-Hung Ku,Chi-Pei Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180197778A1. Автор: LIANG Chen,LIANG Han,Sheng Fen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Memory and forming method therefor

Номер патента: EP3933894A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US09978728B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11088149B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US9293469B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20150255473A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Charge coupled memory system

Номер патента: US4009473A. Автор: Joseph R. Burns. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-02-22.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US20230253030A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Substrate processing apparatus with capabilities of automatic device configuration and a method thereof

Номер патента: US20240210906A1. Автор: Tsutomu Makino,Trung Ngo Minh. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US12002788B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929167B2. Автор: Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Tsun-Kai Tsao,Shun-Shing Yang,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,S. K. Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Silicon-controlled-rectifier electrostatic protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303368A1. Автор: Jie Chen,Guang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Nitride Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170309773A1. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Display panel and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12087747B2. Автор: LIANG Xing. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US09929308B2. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated memory and control dies

Номер патента: US20240276740A1. Автор: Srinivasan Sivaram,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Layered polycrystalline lead selenide photoelectric film and fabrication method thereof

Номер патента: US11781222B2. Автор: Jian Yang,Yuan Zhu,Junlin Liu,Guiwu LIU,Guanjun QIAO,Xiangzhao ZHANG,Quanjiang LV,Haigang HOU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-10-10.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11659702B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Bonded semiconductor devices having programmable logic device and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11996389B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170192155A1. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof, and semiconductor apparatus using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20140299918A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20180017730A9. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Display backplane and fabrication method thereof, display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US12002913B2. Автор: Qi Qi,Ke Wang,Guangcai Yuan,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Ltps substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US20190237488A1. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

LTPS substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US10916565B2. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: Wei Zhang,Wenjun Liu,Shibing QIAN,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Stacked connections in 3D memory and methods of making the same

Номер патента: US11910602B2. Автор: Jun Liu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Photovoltaic device through lateral crystallization process and fabrication method thereof

Номер патента: EP2025006A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Young-Joo Eo,Heon-Min Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-02-18.

Non-volatile memory and fabrication thereof

Номер патента: US20040105321A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Phase change memory and manufacturing method and reading method thereof

Номер патента: CN112234140B. Автор: 刘峻. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Transistor capable of switching infrared photoelectric memory and detection functions and preparation method thereof

Номер патента: CN112420768B. Автор: 王军,何泽宇,陶斯禄,韩嘉悦,杜晓扬. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory cell and producing method thereof, semiconductor elements and memory cell

Номер патента: CN1773692A. Автор: 龙翔澜. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-17.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224540A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memories, manufacturing methods thereof, and memory systems

Номер патента: US20240365544A1. Автор: Jie Yuan,Yali SONG,Quanshan Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224546A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Single-gate non-volatile memory and operation method thereof

Номер патента: US20080173915A1. Автор: Ming-Tsang Yang,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang,Hao-Cheng Chang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Three-dimensional memory and manufacturing method therefor, and storage system

Номер патента: EP4440277A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Memory and controlling method thereof, memory system and electronic device

Номер патента: US20240164105A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system

Номер патента: US20230297272A1. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US12131062B2. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Image processing apparatus using alpha plane and method thereof

Номер патента: US20060228023A1. Автор: Byeungwoo Jeon,Young-pum Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Image processing apparatus using alpha plane and method thereof

Номер патента: US20100039442A1. Автор: Byeungwoo Jeon,Young-pum Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-18.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Superconducting quantum circuit and fabrication method thereof, quantum computer

Номер патента: US20240341202A1. Автор: Liangliang Ma,Bing YOU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Aerosol generating device capable of providing notification and operating method thereof

Номер патента: WO2023113314A1. Автор: Yong Hwan Kim,Dong Sung Kim,Hun Il Lim,Seok Su Jang. Владелец: KT&G CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-22.

Aerosol generating device capable of providing notification and operating method thereof

Номер патента: US20240251878A1. Автор: Yong Hwan Kim,Dong Sung Kim,Seok Su Jang,Hun ll LIM. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20060043378A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040150341A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Fuel cell and fabricating method thereof

Номер патента: WO2010079376A1. Автор: Tsung-Her Yeh,Chen-Chia Chou. Владелец: National Taiwan University Of Science & Technology. Дата публикации: 2010-07-15.

Apparatus for controlling operations of a communication device and methods thereof

Номер патента: US09917636B2. Автор: Robert Bennett,Farhad Barzegar,Irwin Gerszberg,Donald J. Barnickel,Thomas M. Willis, III,Paul Shala Henry. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-03-13.

Electrode and fabricating method therefor, electrochemical device, and electronic device

Номер патента: EP4432388A1. Автор: Qingwen Zhang,Yajie LI,Mingju LIU. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Multifunctional antistatic non-woven fabric and fabrication method thereof

Номер патента: US20100159773A1. Автор: Wei-Jen Lai,Sheng-Shan Chang. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2010-06-24.

Bipolar plate of fuel cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP1704614A1. Автор: Hong Choi,Cheol-Hwan Kim,Tae-hee Cho,Sam-Chul Ha,Kyu-Jung Kim,Seung-Tae Ko,Yong-Jun LG Electronics Dormitory H-324 HWANG,Myung-Seok Wooseong Apt. 107-103 PARK,Myeong-Ho; Lee,Seong-Geun; Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-27.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Piezoelectric device and fabricating method thereof, and electronic device and controlling method thereof

Номер патента: US11985898B2. Автор: YuJu CHEN,Shuai Hou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory and forming methods and control methods thereof

Номер патента: US11805701B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

High-speed automatic channel memory and switching device and control method thereof

Номер патента: KR970073034A. Автор: 김재성,심봉천. Владелец: 구자홍. Дата публикации: 1997-11-07.

Resistance change memory, and data write and erase methods thereof

Номер патента: US7869259B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-11.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: US20230409471A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Distributed database architecture based on shared memory and multi-process and implementation method thereof

Номер патента: US20220043805A1. Автор: Xiaozhong Wang,Xianliang JI,Zhenxing HE,Yingshuai LI. Владелец: Guizhou Esgyn Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Distributed database architecture based on shared memory and multi-process and implementation method thereof

Номер патента: US11526496B2. Автор: Xiaozhong Wang,Xianliang JI,Zhenxing HE,Yingshuai LI. Владелец: Guizhou Esgyn Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Memory controller and control method thereof, memory apparatus, and memory system

Номер патента: US20240168679A1. Автор: Feifei Zhu,Jiaguo LI,Na CAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory systems and operation methods thereof, memory controllers and memories

Номер патента: US20240126478A1. Автор: Hua Tan,Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Remote Direct Memory Access in Multi-Tier Memory Systems

Номер патента: US20240272835A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Display apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20210011540A1. Автор: Hyunseok Choi,Yoojin PARK,Cheulhee Hahm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Display apparatus and operating method thereof

Номер патента: EP3720140A1. Автор: Hyunseok Choi,Yoojin PARK,Cheulhee Hahm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-07.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160070316A1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US09939855B2. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Detecting data integrity in memory systems

Номер патента: US09984759B1. Автор: NaiPing Kuo,Yi-Chun Liu,Yuchih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for soft decision generation in a solid state memory system

Номер патента: US09941901B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: EP3828891A1. Автор: Jinwoo Hong,Heewon Lee,Chanha KIM,Seungkyung Ro,Kangho Roh,Yunjung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Image capturing device and quick turn-on method thereof

Номер патента: US20110050957A1. Автор: Cing-Shin Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

The display apparatus having electronic album function and method thereof

Номер патента: EP1796382A3. Автор: Byung Soo An. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-04-21.

Memory includes transmitter for data synchronization transmission after a mode switch and method thereof

Номер патента: US9552870B1. Автор: Shwetal Arvind Patel. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Display apparatus having electronic album function and method thereof

Номер патента: US20070174725A1. Автор: Byung Soo An. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-07-26.

Memory system and decoding method

Номер патента: US10778258B2. Автор: Daiki Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Time de-interleaving circuit and method thereof

Номер патента: US20170359208A1. Автор: Chun-Chieh Wang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-12-14.

Time de-interleaving circuit and method thereof

Номер патента: US9900201B2. Автор: Chun-Chieh Wang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system and data encrypting method

Номер патента: US20240323007A1. Автор: Tadashi Nagahara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Time de-interleaving circuit and method thereof

Номер патента: US09900201B2. Автор: Chun-Chieh Wang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system

Номер патента: US20210081275A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Apparatus for notifying mobile phone call and method thereof

Номер патента: WO2008130197A1. Автор: Seung Bok Park. Владелец: Han, Kyung Ho. Дата публикации: 2008-10-30.

Dual-processor system and control method thereof

Номер патента: US20170277250A1. Автор: Fang-Sheng Lin,Hong-Chi Chen,Lin-Chung Tsai,Chih-Hsiang Chiu. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-09-28.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Memory system

Номер патента: US09929750B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Erika KAKU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display apparatus, content recognizing method thereof, and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US20200204857A1. Автор: Hae-Dong Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory system

Номер патента: US20190364093A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Smart message solution having mobile advertising function in mobile communication terminal, driving method thereof, and method and system for smart message service using same

Номер патента: WO2002014976A3. Автор: Sun-Yang Hwang. Владелец: Sun-Yang Hwang. Дата публикации: 2003-01-03.

Electronic device, network system, and control method thereof

Номер патента: US20230111313A1. Автор: Junhyung Kim,Dongkeon Kong,Hyejung Cho,Taewon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory system

Номер патента: US20160352809A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: US12105780B2. Автор: Yosub PARK,Sejin Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Server, electronic apparatus for enhancing security of neural network model and training data and control method thereof

Номер патента: US20240185031A1. Автор: Jung Woo Kim,Junbum SHIN,Seewoo Lee. Владелец: Crypto Lab Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory system

Номер патента: US20210344360A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory system

Номер патента: US20200371867A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Image processing apparatus and processing method thereof

Номер патента: US20070110323A1. Автор: Shun-Pin Yang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Electronic device and control method thereof

Номер патента: US20200266992A1. Автор: Jinsu Kim,Junbum SHIN,Jungkon KIM,Seungtaek HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Electronic device for providing transaction information and operating method thereof

Номер патента: EP4070259A1. Автор: Sungjin Park,Dohyun JO,Youna LEE,Seongmin Je,Seungmin Ha,Gyuhyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Electronic device and operating method thereof

Номер патента: US11082636B2. Автор: Cheng-Wei Huang,Wei-Yu Chien,Ten-Long Dan,Hung-Chieh WANG,Chiang-Yi SHEN,Shih-Yang LIU. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Electronic device and operating method thereof

Номер патента: US20200213531A1. Автор: Cheng-Wei Huang,Wei-Yu Chien,Ten-Long Dan,Hung-Chieh WANG,Chiang-Yi SHEN,Shih-Yang LIU. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Electronic device for controlling beamforming and operation method thereof

Номер патента: EP4404196A1. Автор: Seonmi Kim,Kyoungho BANG,Hangil MOON,Sangeun KIM,Gunwoo Lee,Soonho BAEK,Seunghun O,Junwoo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Processor and memory system

Номер патента: US20230289485A1. Автор: Veeramanikandan Raju,Jonathan William Nafziger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: EP4408021A1. Автор: Doosuk KANG,Gupil CHEONG,Juyeon JIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Network interface and buffer control method thereof

Номер патента: US12113721B2. Автор: Nobuhiro Yokoi,Hiroka IHARA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Lighting device and voice broadcasting system and method thereof

Номер патента: US09990175B2. Автор: Jinxiang Shen,ShuYu Cao,Zhen XIE,Weisheng Zhou,Zonggen Zhang. Владелец: Zhejiang Shenghui Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic device for processing image and image processing method thereof

Номер патента: US11922607B2. Автор: Jungwon Lee,Donghyun Yeom,Sanguk Park,Changho Kim,Bongsoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Electronic device for synchronizing time of different data records and method thereof

Номер патента: US12063609B2. Автор: Sungjun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

System for controlling network access and method thereof

Номер патента: US20240340274A1. Автор: Young Rang Kim. Владелец: Pribit Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Electronic apparatus, server apparatus and control method thereof

Номер патента: US20240236409A9. Автор: Minho Kim,Doohyun Kim,WooSeok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Decoding device and operating method thereof

Номер патента: US12028510B2. Автор: Pureuna Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic device comprising power amplifier, and operating method thereof

Номер патента: EP4380047A1. Автор: John Moon,Dongil YANG,Hyoseok NA,Doohwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: US20170180992A1. Автор: Akihito Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: US9807616B2. Автор: Akihito Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

High speed interleaver/deinterleaver device supporting line rate, and method thereof

Номер патента: US20200014490A1. Автор: Bala Subramaniam,Yanlai Liu,Sri Bhat. Владелец: HUGHES NETWORK SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

High speed interleaver/deinterleaver device supporting line rate, and method thereof

Номер патента: US20180351701A1. Автор: Bala Subramaniam,Yanlai Liu,Sri Bhat. Владелец: HUGHES NETWORK SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2018-12-06.

Driving device, printer device, and method thereof

Номер патента: US20190028048A1. Автор: Tsutomu Kawamoto. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Image decoding device and still frame image decoding method thereof

Номер патента: US20240265947A1. Автор: Bo-Zai LI,Song RAO. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Base station for detecting abnormality in cell coverage and operation method thereof

Номер патента: EP4447533A1. Автор: Byoungha Yi,Bumgon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US09936334B2. Автор: Joonwon Park,Hyeeun LEE,Hyunjung Kwon,Jaeho KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof, filter, and radio frequency communication system

Номер патента: US12081197B2. Автор: Fei Qi,Guohuang YANG,Huan SUI. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic device and control method thereof

Номер патента: US12080256B2. Автор: Sungbo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic device and controlling method thereof

Номер патента: US20240313563A1. Автор: Wonjae LEE,Jongkeun LEE,Kihyun SONG,Sukhoon YOON,Kwanyoung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic device for controlling at least one input device and control method thereof

Номер патента: US20240231733A1. Автор: Bokun Choi,Jaeyung Yeo,Gajin SONG,Minho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device for performing evaluation of encrypted messages and methods thereof

Номер патента: US20240223541A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Jung Hee Cheon,Yongdong Yeo,Jeongdae Hong. Владелец: Crypto Lab Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US20210295353A1. Автор: Sangmin Lee,Yongkuk You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Tv and control method thereof

Номер патента: EP4425909A1. Автор: Jinhee Lee,Gowoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of saving messages in messages memory and corresponding messages memory

Номер патента: RU2398357C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ,Кристиан ХОРСТ,Франц БАЙЛЕР. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2010-08-27.

Memory and electronic device

Номер патента: EP4447090A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: EP4262190A1. Автор: Jinyoung Hwang,Seongwoo OH,Yeonggyo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US11926947B2. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-12.

Image reading apparatus, image formation apparatus, image processing system, memory area sharing method for image reading apparatus, and memory area sharing method for image processing system

Номер патента: US20070008576A1. Автор: Hiroshi Hayashi,Hiromi Kita,Tadaomi Suzuki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Anti-virus protection system and method thereof

Номер патента: EP2333686A3. Автор: InSeon YOO. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-30.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US20200115839A1. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-04-16.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Fused memory and arithmetic circuit

Номер патента: US20240235556A1. Автор: Michael Philip Fitton,Raymond Nijssen,Daniel Pugh. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device for providing digital ID information and method thereof

Номер патента: US12028717B2. Автор: Junsuk OH,Nahyeong PARK,Shinyoung Na,Wonseok BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US20220301631A1. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

A method and an apparatus to speed the video system optimization using genetic algorithms and memory storage

Номер патента: EP1500261A1. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-01-26.

A method and an apparatus to speed the video system optimization using genetic algorithms and memory storage

Номер патента: WO2003088647A1. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-10-23.

Fused memory and arithmetic circuit

Номер патента: EP3956986A1. Автор: Michael Philip Fitton,Raymond Nijssen,Daniel Pugh. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-02-23.

Processing and memory device and system

Номер патента: US20240251566A1. Автор: Chung-Te Lin,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU,Han-Ting Tsai,Katherine Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Electronic device and gesture recognition method thereof

Номер патента: EP3827328A1. Автор: Changryong HEO,Chihyun CHO,Kihuk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Electronic device and gesture recognition method thereof

Номер патента: US20200104581A1. Автор: Changryong HEO,Chihyun CHO,Kihuk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Login system based on server, login server, and verification method thereof

Номер патента: US20150113265A1. Автор: Yang Wang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Electronic device for performing satellite communication and operating method thereof

Номер патента: US20240340080A1. Автор: Seokkun HYUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Imaging Device Including Wear Leveling for Non-Volatile Memory and Secure Erase of Data

Номер патента: US20150002900A1. Автор: Bryan Scott Willett,Howard Charles Cochran,Michael James Klein. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory and control method thereof

Номер патента: US11864379B2. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Ternary content addressable memory and two-port static random access memory

Номер патента: US20220238158A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A4. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for writing data in flash memory and error correction coding/decoding method thereof

Номер патента: TW200846898A. Автор: Dong-Yu He,Chun-Ting Liao,Jian-Qiang Ni. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Storage device including flash memory and block continuous-write operation method thereof

Номер патента: EP4339954A1. Автор: Sang-Won Park,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-20.

Storage device including flash memory and block continuous-write operation method thereof

Номер патента: US20240087658A1. Автор: Sang-Won Park,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Distributed database architecture based on shared memory and multi-process and implementation method thereof

Semiconductor memory and writing method and reading method thereof

Номер патента: JP3773476B2. Автор: 欣哉足利. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-10.

Milk powder for improving memory and relieving pressure and preparation method thereof

Номер патента: CN111616221A. Автор: 马晓明,刘雷,袁林,马跃,李德政,王家乐,牟善波,张泽军,郝志亮,刘子汇,桑艳玲. Владелец: Beian Yeeper Nuka Dairy Industry Co ltd. Дата публикации: 2020-09-04.

Oral emulsion for improving memory and senile dementia and preparation method thereof

Номер патента: CN111743996A. Автор: 刘俊,许永春. Владелец: Shanghai Hoo Pharmaceuticals Co ltd. Дата публикации: 2020-10-09.

OTP (one time programmable) embedded memory and programming method and reading method thereof

Номер патента: CN110459257B. Автор: 王志刚,李弦,贾宬. Владелец: Zhuhai Chuangfeixin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-23.

Spin torque magnetic memory and offset magnetic field correcting method thereof

Номер патента: US7755932B2. Автор: Jun Hayakawa,Kenchi Ito,Katsuya Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-07-13.

English unit memory system based on forgetting curve and method thereof

Номер патента: LU505091B1. Автор: MIN Su. Владелец: Jiaxing Vocational & Technical College. Дата публикации: 2024-03-14.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memories and operation methods thereof, memory systems and electronic devices

Номер патента: US20240312536A1. Автор: LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20230244616A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20210097008A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Operating device of cross-power domain multiprocessor and communication method thereof

Номер патента: US11921563B1. Автор: WEI Tian,Lai ZHANG,Zhaohua Bao. Владелец: Chipintelli Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Computer architecture with unified cache and main memory and associated methods

Номер патента: US20210064527A1. Автор: QIANG LI,William Xiao-Qing Huang. Владелец: Cloudminds Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory architecture for display device and control method thereof

Номер патента: US20140164691A1. Автор: Hsi-Chi Ho,Ching-Wen Lai. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Tag memory and cache system with automating tag comparison mechanism and cache method thereof

Номер патента: US09990302B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tien-Fu Chen,Keng-Hao Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2018-06-05.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: EP2901286A1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Memory with multiple selectable specification grades and operating method thereof

Номер патента: US20150301756A1. Автор: Ming Fang,Yingjiao FANG,Jimmy LEI. Владелец: WUXI ADVANCE SUNRISE CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Device for writing data into memory and method thereof

Номер патента: US20080310239A1. Автор: Kin-Ming So. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Organic light-emitting diode display device and operating method thereof

Номер патента: US20230072388A1. Автор: Shao-Ping Hung,Yuhe Chiou,Shih Hsun Huang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US20210104281A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory system and method for delta writes

Номер патента: US09904472B2. Автор: Abhijeet Manohar,Judah Gamliel Hahn,Daniel E. Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: US20180276032A1. Автор: Young-Ho Choi,Jae-ook Kwon,Chang-hyeon CHAE,Ju-sun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-27.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: US20210056025A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US20240264938A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: WO2018174501A1. Автор: Young-Ho Choi,Jae-ook Kwon,Chang-hyeon CHAE,Ju-sun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system

Номер патента: US09990143B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system

Номер патента: US09977604B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system with improved efficiency of data transfer between host, buffer, and nonvolatile memory

Номер патента: US09904619B2. Автор: Hiroyuki Goto,Yasuhiro Nakamura,Fumio Hara,Hirofumi Shibuya,Shigemasa Shiota. Владелец: Emergence Memory Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Variable-resistance memory and writing method thereof

Номер патента: US09887007B1. Автор: Chia-Chen Kuo,Shyh-Shyuan Sheu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-06.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Storage service device with dual controller and backup method thereof

Номер патента: US20100250832A1. Автор: Xu Ming Zhang,Tom Chen. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: EP3821332A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: WO2020014054A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

System and Method to Provide Non-Coherent Access to a Coherent Memory System

Номер патента: US20140372709A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Jeffrey A. Pangborn,Aseem Maheshwari. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

System and method to provide non-coherent access to a coherent memory system

Номер патента: US20130103909A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Aseem Maheshwari,Jeffrey Pangborn. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12099732B2. Автор: Hiroshi KATOUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system

Номер патента: US20170109076A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system

Номер патента: US09990283B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system

Номер патента: US09977606B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Page merging for buffer efficiency in hybrid memory systems

Номер патента: US20130042059A1. Автор: Xiaochen Guo,Arun Jagatheesan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-14.

Low power microprocessor cache memory and method of operation

Номер патента: WO2006128079A2. Автор: Muhammad Ahmed,Sujat Jamil,Ajay Anant Ingle,Baker Mohammad,Paul Bassett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2006-11-30.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Systems and methods for performing data recovery in a memory system

Номер патента: US09965362B2. Автор: Abhijeet Manohar,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US12001342B2. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US20200301848A1. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory system

Номер патента: US11740965B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Data storage system including backup memory and managing method thereof

Номер патента: US20130067171A1. Автор: Hung-Ming Chien,Che-Jen Wang,Yi-Hua Peng. Владелец: Promise Technology Inc Taiwan. Дата публикации: 2013-03-14.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240329882A1. Автор: Hiroki MIURA,Naoto Oshiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Off-memory-module ECC-supplemental memory system

Номер патента: US09921911B2. Автор: Siamak Tavallaei,Matthew SCHUMACHER,Chanh HUA,Harvey White, JR.. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Mouse with expandable memory capacity and an operating method thereof

Номер патента: US20100281184A1. Автор: Yuan-Jung Chang. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Memory system

Номер патента: US20200293198A1. Автор: Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Cache memory systems having a flexible buffer memory portion and methods of operating the same

Номер патента: US8443161B2. Автор: Woo-young Jung,Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Water-repellent resin, water-repellent fabric, and fabricating method thereof

Номер патента: US11746466B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chen-Shou Hsu,Sun-Wen Juan. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210034522A1. Автор: Sarath Kumar Kunnumpurathu Sivan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device for performing sum-of-product computation and operating method thereof

Номер патента: US20200133635A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Mouse with expandable memory capacity and an operating method thereof

Номер патента: US7979596B2. Автор: Yuan-Jung Chang. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller for scheduling commands based on power consumption

Номер патента: US11461022B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory Processing System of Enhanced Efficiency and Method Thereof

Номер патента: US20240281382A1. Автор: Kai-Hsiang Chang,Yuan-Chun Lin,Yi-Che TSAI,En-Shou Tang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: US20240274219A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: EP4418122A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Electronic device and control method thereof

Номер патента: EP4443300A1. Автор: Seungjun LEE,Minseok KANG,Bongjae JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Data storage device to swap addresses and operating method thereof

Номер патента: US09977610B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory and processor hierarchy to improve power efficiency

Номер патента: US09959202B2. Автор: Jan van Lunteren,Heiner Giefers. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Embedded device and memory management method thereof

Номер патента: US09892055B2. Автор: Chien-Hsing Huang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-02-13.

Storage device, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240220414A1. Автор: Jinwoong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Storage device, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: EP4394612A1. Автор: Jinwoong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Memory systems

Номер патента: US20140244913A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20220147273A1. Автор: Won Gyu SHIN,Ju Yeong YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Power management associated with memory and controller

Номер патента: US20240290396A1. Автор: Liang Yu,Jonathan S. Parry,Tal Sharifie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755492B2. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US20240311047A1. Автор: Shinya Koizumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system adaptively allocating a buffer memory, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240361956A1. Автор: Woong Sik SHIN,Hae Lyong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and write control method

Номер патента: US12093572B2. Автор: Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and method

Номер патента: US09971522B2. Автор: Koichi Nagai,Yukimasa Miyamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Organic light emitting display device and driving method thereof

Номер патента: US09966035B2. Автор: Do Wan Kim,Chang-Man Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system

Номер патента: US09959212B2. Автор: Susumu Takeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system and method of controlling cache memory

Номер патента: US09959206B2. Автор: Naoya Fukuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20110157986A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory system and controller

Номер патента: US20230288973A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Micro-system for burn-in system program from a plug-able subsystem into main memory and method thereof

Номер патента: US20040255178A1. Автор: Chi-Cheng Hung. Владелец: Cheertek Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Electronic device and hibernation recovery method thereof

Номер патента: US20220300170A1. Автор: Chen-Wei YU,Yu-Ting TING,Sheng-Tzu Yang,Chang-Hao Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Multi-Way Set Associative Cache and Processing Method Thereof

Номер патента: US20170300417A1. Автор: Hengchao Xin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system with memory and controller

Номер патента: US12067250B2. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US20240118834A1. Автор: Zeng-Peng Chen. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor storage device and production method thereof

Номер патента: US6538927B1. Автор: Hitoshi Nakamura,Kiyokazu Ishige,Kazuhiko Sanada,Kenji Saitou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Computing system, and driving method and compiling method thereof

Номер патента: US20190079779A1. Автор: Chae-seok Im,Seung-Won Lee,Suk-Jin Kim,Seok-hwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

Memory and memory system inclduing the memory

Номер патента: US20230282302A1. Автор: Hoiju CHUNG,Yoonna OH,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12073217B2. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and power supply control circuit

Номер патента: US20240281153A1. Автор: Kengo Kumagai,Daiki KAMADA,Yuta HIBE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Non-volatile memory storage device and operation method thereof

Номер патента: US20100030933A1. Автор: Fuja Shone,Shih Chieh Tai,Chih Wei Tsai,Yung Li Ji,Chuang Cheng,Chih Cheng Tu. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Neuromorphic memory management system and method thereof

Номер патента: US20210042615A1. Автор: Jae Kyu Lee,Sang Yub Lee,Jae Jin KO,In Pyo CHO. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2021-02-11.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20130046919A1. Автор: Bong-Gwan Seol,Jun-Seok Park,Wan-soo Choi,Hee-tak Shin,Won-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory system and storage device

Номер патента: US20230305953A1. Автор: Nobuaki Tojo,Shogo Ochiai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system

Номер патента: US20240311039A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240338215A1. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system

Номер патента: US20220391130A1. Автор: Terufumi Takasaki,Kenji Sakaue,Taro IWASHIRO,Sachiyo MIYAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Flash storage device and operating method thereof

Номер патента: US20100268868A1. Автор: Shuihua Hu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Memory including error correction circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240168845A1. Автор: Jin Ho Jeong,Munseon JANG,Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Electronic device including controller for system booting and operating method thereof

Номер патента: US20230305855A1. Автор: Junhyeok SONG,Kwangsik Yang,Sunghyun Yoo,Kyungil IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Storage device for determining memory cell type after data input during program operation and operating method thereof

Номер патента: US20240274201A1. Автор: Dong Sop LEE,Ie Ryung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory controller, memory system and memory control method

Номер патента: US20170075623A1. Автор: Takashi Ogasawara,Ikuo Magaki,Naoto Oshiyama,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory Systems and Methods Involving High Speed Local Address Circuitry

Номер патента: US20160196858A1. Автор: Patrick Chuang,Lee-Lean Shu,Mu-Hsiang Huang. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

External memory system having programmable graphics processor for use in a video game system or the like

Номер патента: AU2060392A. Автор: Ben Cheese,Jeremy E. San,Carl N. Graham,Peter R. Warnes. Владелец: A/N Inc. Дата публикации: 1993-08-19.

Data accessing interface having multiplex output module and sequential input module between memory and source to save routing space and power and related method thereof

Номер патента: US20080094338A1. Автор: Ching-Fang Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: US20240152272A1. Автор: Jaehoon Jeong,Youngho Choi,Jusun SONG,Jihun JUNG,Changhyeon CHAE,Jaeook KWON,Kyeonghwan JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Suture-free coagulation-assisted fixed cardiac patch and preparation method thereof

Номер патента: US20240335272A1. Автор: Yang Zhu,Changyou Gao,Yuwen LU,Tanchen REN,Liyin SHEN,Xiaoqian HONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

Display control chip, operating method thereof and display system comprising the same

Номер патента: US20240329903A1. Автор: Wei-Chih Lin,Yung-Chih Chen,Po-An Chen,Jui-Te Wei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system that carries out an atomic write operation

Номер патента: US09940071B2. Автор: Satoshi Arai,Hiroyuki Nemoto,Kazuya Kitsunai,Shunitsu KOHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory controller, memory system and memory control method

Номер патента: US09870170B2. Автор: Takashi Ogasawara,Ikuo Magaki,Naoto Oshiyama,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory controller communicating with host, operating method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09864704B2. Автор: Hyun Ju Lee,Jae Han Park,Dae Geun JEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Display device and control method thereof

Номер патента: US10860288B2. Автор: Soungsoo Park,Jongpil Won. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-12-08.

Memory system and method

Номер патента: US20190087324A1. Автор: Hiroshi Yao,Naomi Takeda,Kenta Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Antifuse-type non-volatile memory and control method thereof

Номер патента: US20240161844A1. Автор: Chia-Fu Chang,Ming-Hsuan Tan,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Data path interface circuit, memory and storage system

Номер патента: EP4009326A1. Автор: Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Electronic device and control method thereof

Номер патента: EP4198967A1. Автор: Kihyun Choo,Sangjun Park,Kyoungbo MIN,Seungdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Storage device with variable cell area size and operating method thereof

Номер патента: US20240272816A1. Автор: YoungMin Lee,Gyuseok Choe,Myungsub SHIN,Seongyong JANG,Seongheum BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20200034299A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Method and memory system for legacy hosts

Номер патента: EP1952404A2. Автор: Carlos Gonzalez,Kevin M. Conley,Daniel C. Guterman,Yoram Cedar,Charles Schroter,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20230297273A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Autonomous driving control apparatus and method thereof

Номер патента: US20240317217A1. Автор: Su Young CHOI,Kyung Won Kang,Jeong Soo Kim,Hae Ryong Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US12093529B2. Автор: Wonsuk Jung,Taesoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Display control chip, operating method thereof and display system comprising the same

Номер патента: US20240331231A1. Автор: Wei-Chih Lin,Yung-Chih Chen,Po-An Chen,Jui-Te Wei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system and management table

Номер патента: US09996139B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Status displaying device and method thereof for solid-state drive

Номер патента: US09865143B2. Автор: Meng-Hung Tsai. Владелец: Apacer Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12033700B2. Автор: Katsuya KANAMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system

Номер патента: US20230305718A1. Автор: Takashi Takemoto,Kensaku Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Optical storage media and fabrication method thereof

Номер патента: US20050142323A1. Автор: Shin-Shin Wang,Hui-Ping Tsai,Wen-Yih Liao,Ming-Chia Lee,Wen-Ping Chu,Hsin-Hong Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-30.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Magnetically driven capsule robot with controllable drug administration and sampling functions and fabrication method thereof

Номер патента: US20240299715A1. Автор: Liang Li,WANG Zhang,Yuxuan Sun,Enmin SONG,Quanliang Cao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US7936619B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Composition for sheet using biomass, eco-friendly composite sheet, and fabrication method for thereof

Номер патента: US09963832B2. Автор: Chan Suk Yoon,Chung Ku Han,Seung In Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Touch display panel and fabrication method thereof, and touch display apparatus

Номер патента: US09927911B2. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Liguang DENG,Huizhong ZHU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system

Номер патента: US09891974B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Masami Aochi,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabricating method thereof, and display panel

Номер патента: US09891495B2. Автор: Fu Chen,Zhi Hou,Ying Zhang,Xin Ding,Rong Shen,Yinan WANG,Ziheng Yang,Jianhui Liu,Daeoh Oh. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Security system and control method thereof

Номер патента: US20220405140A1. Автор: Chun-Wei Liao,Kai-Shian MOOI. Владелец: Skyrec Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Dram and access and operating method thereof

Номер патента: US20150370699A1. Автор: Der-Ping LIU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US20240272910A1. Автор: Xiao-Min Zhang,Yan-Xiong WU,Qin-Wei SHE. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Signalling for heterogeneous memory systems

Номер патента: US11748034B2. Автор: James R. Magro,Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Control system with multiple processors and control method thereof

Номер патента: US20090132788A1. Автор: Kim-Yeung Sip. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Electronic apparatus, system comprising electronic apparatus and server and controlling method thereof

Номер патента: US12080289B2. Автор: Hojung Lee,Jonggu Kim,Hyeonmok KO,Jiyeon HONG,Changho PAEON,Kyenghun LEE,Saebom JANG,Dayoung KWON,Seoha SONG,Pureum JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Data input/output unit, electronic apparatus, and control methods thereof

Номер патента: EP3472711A1. Автор: Jong-Hun Lee,Kang-Jin YOON,Jung-Uk Cho,Dong-Kwan Suh,Ki-seok KWON,Jae-Un Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-24.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system

Номер патента: US09928138B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and block management method

Номер патента: US20240086111A1. Автор: Yu Nakanishi,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Nonvolatile memory capable of outputting data using wraparound scheme, computing system having the same, and read method thereof

Номер патента: US20200183619A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US12038815B2. Автор: Youngjin Cho,Yeunwook Lim,Eunkyung Kim,Jooyoung Jeon,Sangheon KIM,Sehwan KIM,Jeonghui YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system

Номер патента: US20240193080A1. Автор: Masaru Ogawa,Kenji Sakaue,Noriyuki Moriyasu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic device providing augmented reality and operating method thereof

Номер патента: US20230222746A1. Автор: Hyunwoo Kim,Sunpil Hwang,Chanmin Park,Sangwon Chae,Jeoungju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Image apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20230252958A1. Автор: Toshihiko Araki,Naoki Sumi,Jian-Cheng Chen,Keiko Edo. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory system

Номер патента: US12046300B2. Автор: Tomoya Kamata,Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US12079060B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Image apparatus and operating method thereof

Номер патента: US12100371B2. Автор: Toshihiko Araki,Naoki Sumi,Jian-Cheng Chen,Keiko Edo. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system

Номер патента: US20240320097A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Vehicle and controlling method thereof

Номер патента: US20240331547A1. Автор: JiYeol PARK. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory with electrically programmable fuse blown result correcting function and operational method thereof

Номер патента: US20240330107A1. Автор: Ho-Yin Chen,Ting-Feng Chang,bo-han Zhang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device for predicting sarcopenia and operation method thereof

Номер патента: US20240346656A1. Автор: Jin Kuk Kim,Ik Hee Ryu,Tae Keun YOO,Eok Soo HAN. Владелец: Visuworks Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device for typo correction and method thereof

Номер патента: US11989375B2. Автор: Yeunwook Lim,Seoghee JEONG,Taekyoung Kim,Sangheon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Light-emitting panel, and driving method and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US11244603B1. Автор: Lihua Wang,Conghua MA,Xiaoping Sun,Qiang Dong. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Control circuit for refreshing voltages in a non-volatile memory during a standby mode and a method thereof

Номер патента: US20090003116A1. Автор: Kerry D. Tedrow,Gerald Barkley,Balaji SIVAKUMAR,Bharat CHAUHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Data storage device and voltage protection method thereof

Номер патента: US09990999B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Data storage device and voltage protection method thereof

Номер патента: US09847134B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US20230364465A1. Автор: Jongwon Kim,Seokwoo SONG,Hongyoon KIM,Kiljong KIM,Hyunkook CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Robot and controlling method thereof

Номер патента: EP4375024A1. Автор: Duckhwan KIM,Woojong YOO,Junesuk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Electronic device and payment information output method thereof

Номер патента: US20210166306A1. Автор: Sungju Park,Hanna Kim,Yoonho LEE,Byungin Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Electronic device and displaying method thereof

Номер патента: US20190325847A1. Автор: Tae-Kyoung Kim,Hyun-Suk Choi,Hyesoon JEONG,Songgeun Kim,Kyu-Chul KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Storage device and stream filtering method thereof

Номер патента: US9292551B2. Автор: Dawoon Jung,Jeonguk Kang,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-22.

Storage device and stream filtering method thereof

Номер патента: US20140006428A1. Автор: Dawoon Jung,Jeonguk Kang,Chanik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-02.

Robot and controlling method thereof

Номер патента: US20240264611A1. Автор: Duckhwan KIM,Woojong YOO,Junesuk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Server and electronic device for processing user speech on basis of synthetic vector, and operating method thereof

Номер патента: EP4404188A1. Автор: Sangmin Park,Jaeyung Yeo,Gajin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Server and control method thereof

Номер патента: US20210073634A1. Автор: Jaeyun Jung,Geunsik LIM,Myungjoo HAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US20240290325A1. Автор: Jaechul YANG,Yeonho Lee,Munjo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190332324A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US20230197062A1. Автор: Jonghyun Kim,Yongjin Cho,Haejun Lee,Eunji Lee,Sungja CHOI,Yubin Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Context aware system and context aware method thereof

Номер патента: US8010478B2. Автор: Seon Hee Park,Soo Jun Park,Jae Hun Choi,Myung Eun LIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-08-30.

Electronic device for obtaining information used to compile application, and method thereof

Номер патента: EP4372549A1. Автор: Kwanhee Jeong,Sergei LONCHAKOV,Ivan TITARENKO,Ivan MAIDANSKII,Hyoungjong KIM,Chanbin LIM,Stanislav MOLOGIN,Andrei VISOCHAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US11494151B2. Автор: Hyerin CHOI,Changhoon SON,Jongkil SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-08.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: WO2022108008A1. Автор: Donghyun Kim,Seungho Park,Hyunseung LEE,Youngsu Moon,Younghoon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-05-27.

Context aware system and context aware method thereof

Номер патента: US20090157587A1. Автор: Seon Hee Park,Soo Jun Park,Jae Hun Choi,Myung Eun LIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-06-18.

Bis(styryl)pyrimidine or bis(styryl)benzene compounds, pharmaceutically acceptable salts thereof, preparation method thereof, and pharmaceutical composition for prevention or treatment of diseases featuring amyloids comprising the same as an active ingredient

Номер патента: US20100190803A1. Автор: Yun Suk LEE,Eun Joo Roh,Kye Jung Shin. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-29.

Buffer control system for reducing buffer delay time between the playback of tracks and method thereof

Номер патента: US20070195654A1. Автор: Yeow-Chyi Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2007-08-23.

Apparatus for correcting dye mixing ratio and method thereof

Номер патента: US20240175202A1. Автор: Hyun Woo Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-05-30.

Dynamic random-access memory (dram) configured for block transfers and method thereof

Номер патента: US20240086346A1. Автор: Weidong Zhang. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US12100118B2. Автор: Donghyun Kim,Seungho Park,Hyunseung LEE,Youngsu Moon,Younghoon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Electronic apparatus and UI providing method thereof

Номер патента: US12105934B2. Автор: Junpyo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Smart key controller for vehicle routing pattern-based variable control and method thereof

Номер патента: US09990789B2. Автор: Jin Kim,Chul Min Kim,Young Su Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-05.

Data storage device and data maintenance method thereof

Номер патента: US09940058B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Gaming device for developing visual-spatial memory and fine motor skills of children and adults

Номер патента: RU2710139C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Андрей Русланович Ведерников,Максим Русланович Ведерников,Ангелина Евгеньевна Ведерникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2019-12-24.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electronic apparatus for quantizing neural network model and control method thereof

Номер патента: US20240256843A1. Автор: HyukJin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Analog content-address memory and operation method thereof

Номер патента: US11657876B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Computing system of setting device configuration and operating method thereof

Номер патента: US12056389B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Medical image processing system and method thereof

Номер патента: US20220020150A1. Автор: Fu-Yuan Shih,Syu-Jyun Peng. Владелец: Kaohsiung Chang Gung Memorial Hospital. Дата публикации: 2022-01-20.

Metal nanoparticle sensor and fabrication method

Номер патента: US12077844B2. Автор: BO XIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827A. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-06-19.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827B1. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-10-11.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Data storage device and data maintenance method thereof

Номер патента: US09933958B2. Автор: Kuo-Tung Huang,Chang-Hao Chiang,Yueh-Hsien Li,De-Wei Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2016188087A1. Автор: Junwei Wang,Weitao CHEN,Xiaopeng CUI,Zhixiao Yao,Jianguo XING. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: US11113130B2. Автор: Minhee PARK,Hyosung Park,Heejun CHOI,Somi LEE,Myoungil LEE,Byulna LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-07.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: US20220328044A1. Автор: Hojung Lee,Hyeonmok KO,Inchul Hwang,Munjo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Latent hardener with improved storage stability through a dry surface treatment process, one-component epoxy adhesive formulation comprising the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20210155749A1. Автор: Jong Hyuk Park,Min Park,Jongwon Kim,Tae Ann KIM,Sung Min JEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-27.

Data storage device and data maintenance method thereof

Номер патента: US20170270047A1. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Image processing apparatus that manages checking work performed on articles and image processing method thereof

Номер патента: US12106566B2. Автор: Masaaki Yasunaga,Keita Yamazaki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US11080198B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20200285581A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Solid state drive (ssd) memory system improving the speed of a read operation using parallel dma data transfers

Номер патента: US20210326075A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of sharing memory resource for memory cloud and memory resource sharing system using the same

Номер патента: US20240086313A1. Автор: Jang Ho PARK. Владелец: Cosignon. Дата публикации: 2024-03-14.

Electronic device that accesses memory and data writing method

Номер патента: US20230072176A1. Автор: Yue-Feng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Memory devices supporting read/modify/write memory operations involving both volatile memory and nonvolatile memory

Номер патента: US20230153247A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Flash-Control LLC. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory and storage pool interfaces

Номер патента: US12086446B2. Автор: Bassam N. Coury,Thomas E. Willis,Sujoy Sen,Donald L. Faw,Durgesh Srivastava,Marcelo Cintra,Francois DUGAST. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Embedded dram cache memory and method having reduced latency

Номер патента: US20070168616A1. Автор: Joseph Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US20130073794A1. Автор: Taro IWASHIRO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Memory system, data processing system and operating method thereof

Номер патента: US11194587B2. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Hardware acceleration system for simulation of logic and memory

Номер патента: WO2007064716A2. Автор: William Watt,Henry T. Verheyen. Владелец: Liga Systems, Inc.. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Method for detecting memory and device for detecting memory

Номер патента: US20230010129A1. Автор: Xing Liu,Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Read/write buffers for complete hiding of the refresh of a semiconductor memory and method of operating same

Номер патента: EP1119862A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-01.

Processor and operating method thereof

Номер патента: EP4411537A1. Автор: Hyunwoo SIM,Hyunpil KIM,Seongwoo AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US20190287608A1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory access system in which processor generates operation request, and memory interface accesses memory, and performs operation on data

Номер патента: US20010042143A1. Автор: Yoshinori Takeuchi,Akira Kitajima,Masaharu Imai,Takeshi Toyoyama,Masami Yamazaki,Yasuhiro Ooba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Memory hardware fault detection method and apparatus, and memory controller

Номер патента: EP4421636A1. Автор: Zheng Tan,Yangbin Diao,Jiantao MA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Storage system which utilizes two kinds of memory devices as its cache memory and method of controlling the storage system

Номер патента: US20110296091A1. Автор: Kentaro Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Processor and operating method thereof

Номер патента: US20240264859A1. Автор: Hyunwoo SIM,Hyunpil KIM,Seongwoo AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory evaluating board and memory evaluating method

Номер патента: US20240345973A1. Автор: Tetsuji Tsunekawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US09990276B2. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and memory management method thereof

Номер патента: US20170344300A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Yu-Ming Chang,Hsiu-Chang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system including nonvolatile and volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US9411719B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: Seong University Industry Academy Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170153844A1. Автор: Yong-Ju Kim,Hong-Sik Kim,Do-Sun HONG,Sang-Gu JO,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20200057653A1. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for operating non-volatile memory on basis of temperature of memory and electronic device for supporting same

Номер патента: EP4394577A1. Автор: Changmi SHIN,Jaekab LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Hardware acceleration system for simulation of logic and memory

Номер патента: EP1958105A2. Автор: William Watt,Henry T. Verheyen. Владелец: Liga Systems Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and memory controller for accessing multiple memories

Номер патента: US20240241658A1. Автор: Shuai LIN,Zhao-Yao Hu,Zhi-Fan Liang. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US20170018305A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Non-volatile storage device, non-volatile storage system, and memory control method with a refresh processing of a data

Номер патента: US9965202B2. Автор: Hirokazu So,Toshiyuki Honda,Shigekazu Kogita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Data processor apparatus and memory interface

Номер патента: US20070011412A1. Автор: Malcolm Stewart,Denny Wong. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Memory operation method, memory and electronic device

Номер патента: US20240289025A1. Автор: Ze He,Nanfei WANG,Yingwu ZHANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190196964A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system including semiconductor memory device and refresh operation method thereof

Номер патента: US20150235693A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Memory system managing mapping information corresponding to write data and operation method thereof

Номер патента: US10838874B2. Автор: Su-Chang Kim,Hae-Gi CHOI,Kyeong-Rho KIM,Sung-Kwan HONG,Yeong-Sik YI,Ji-Hoon YIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory system, controller, memory and reading method thereof

Номер патента: US10719390B2. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system controller, memory and operation methods thereof, and electronic device

Номер патента: US20240168633A1. Автор: Hua Tan,Yaolong Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012601A1. Автор: Seung-Gyu JEONG,Su-Hae WOO,Chang-Soo HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US20220091786A1. Автор: Hiroyuki Yamaguchi,Atsushi Okamoto,Ryoichi Kato,Hiroki Matsudaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Information processing apparatus and memory access control method

Номер патента: US20230281129A1. Автор: Ken Iizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Compositions and methods for improving learning and memory

Номер патента: EP1178835A1. Автор: Joe Z. Tsien. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-02-13.

Memory data refresh method and controller therefor, and memory

Номер патента: EP4002368A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: EP4004695A1. Автор: Sunghyun Park,Jaehwan Kim,Wonsuk Chung,Soonyong Cho,Jisup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Read-once memory and method of operating same

Номер патента: US20200272580A1. Автор: Bin Sai,Shixiong Lu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Electronic device applying bokeh effect to image and controlling method thereof

Номер патента: US20200265565A1. Автор: Jonghun WON,Jongmin Hyun,Subash Pandey,Insung Hwang,Jeena Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Electronic device applying bokeh effect to image and controlling method thereof

Номер патента: US20220222789A1. Автор: Jonghun WON,Jongmin Hyun,Subash Pandey,Insung Hwang,Jeena Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Random reads using multi-port memory and on-chip memory blocks

Номер патента: US12079484B2. Автор: Henri Fraisse,Dinesh D. Gaitonde,Abhishek Kumar Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US09842645B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Peripheral control device having preset error states, and control method thereof

Номер патента: RU2613982C2. Автор: Кёртис Кевин ЙЕНСЕН. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2017-03-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20120290813A1. Автор: In Wook Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190206501A1. Автор: Sang Hune JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10431316B2. Автор: Sang Hune JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Memory system in which controller acquires status of nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US10998060B2. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Memory managing method used in adding memory and information processing apparatus

Номер патента: US20020029325A1. Автор: Yasuhiro Ishii,Hiroshi Yashiro,Daisuke Sasaki,Hideki Murayama,Kazuo Horikawa,Masahiko Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Memory and training method for neutral network based on memory

Номер патента: US20230034366A1. Автор: Po-Kai Hsu,Yu-Hsuan Lin,Ming-Liang WEI. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Buffer memory, and computation device and system using the same

Номер патента: US11210017B2. Автор: Seok Joong Hwang,Yong Sang PARK. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-28.

Buffer memory, and computation device and system using the same

Номер патента: US20200310676A1. Автор: Yong Sang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Computer system architecture and memory controller for close-coupling within a hybrid processing system utilizing an adaptive processor interface port

Номер патента: EP1559021A4. Автор: Jon M Huppenthal,Thomas R Seeman,Lee A Burton. Владелец: SRC Computers LLC. Дата публикации: 2006-12-06.

Pre-charge voltage generation circuit for random memory and random memory

Номер патента: US20240257859A1. Автор: Miaomiao Wu,Meifeng WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Block-row decoders, memory block-row decoders, memories, methods for deselecting a decoder of a memory and methods of selecting a block of memory

Номер патента: US20140119149A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Operation methods of memories, memories, and storage systems

Номер патента: US20240274204A1. Автор: Zhiliang Xia,Yifan Li,Tianyu Wang,Xueqing Huang,Junyao Zhu,Wenhui Pei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Artificial intelligence device for providing recommendations and control method thereof

Номер патента: US20240211723A1. Автор: Ali PESARANGHADER,Touqir SAJED. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of controlling memory and electronic device performing the method

Номер патента: US12093108B2. Автор: Myungkee LEE,Chiwoong BYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Autonomous copy between external memory and internal memory

Номер патента: EP4435613A1. Автор: Po-Chun Fan,Pao-Hung Kuo,Sheng-Yen YANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Autonomous copy between external memory and internal memory

Номер патента: US20240319904A1. Автор: Po-Chun Fan,Pao-Hung Kuo,Sheng-Yen YANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Task Allocation with Chipset Attached Memory and Additional Processing Unit

Номер патента: US20240330076A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory protection circuitry testing and memory scrubbing using memory built-in self-test

Номер патента: US09984766B1. Автор: Alan Jeremy BECKER,Peter Logan Harrod. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US20230259277A1. Автор: Kiyotaka Hayashi,Kyoko Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system for garbage collection operation and operating method thereof

Номер патента: US20200387447A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memorial Having Persistent Computer-Readable Memory and Interface Means

Номер патента: US20210156166A1. Автор: Gregory Raab. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-27.

Data processor apparatus and memory interface

Номер патента: US20070011411A1. Автор: Malcolm Stewart,Denny Wong. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for finding common optimal reference voltage and memory storage system

Номер патента: US20230317201A1. Автор: Youngjoon Choi,Goyo CHIANG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory control method and memory control device

Номер патента: US20100284234A1. Автор: Nobukazu Koizumi,Shizuko Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Magnetic semiconductor memory and the reading method using spin-polarized electron beam

Номер патента: US6912148B2. Автор: Eric C. Hannah,Michael A. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-28.

Method for accessing a memory and memory access circuit

Номер патента: US20150332756A1. Автор: Gerd Dirscherl,Thomas Kuenemund,Gunther Fenzl,Joel Hatsch,Nikolai Sefzik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory and electronic device

Номер патента: US12073863B2. Автор: Yanxiang Liu,Yue Pan,Stephane Badel. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods and apparatus for persistent volatile computer memory and related applications thereof

Номер патента: EP1277115A2. Автор: Thomas Olson. Владелец: Stratus Technologies Bermuda Ltd. Дата публикации: 2003-01-22.

Vector processing engine employing format conversion circuitry in data flow paths between vector data memory and execution units, and related method

Номер патента: EP3069232A1. Автор: Raheel Khan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-21.

Memory control method and memory control device

Номер патента: US8264902B2. Автор: Nobukazu Koizumi,Shizuko Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Information processing apparatus and control method thereof

Номер патента: US20090100442A1. Автор: Mikio Hama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Pattern generator and memory testing device using the same

Номер патента: US20110119539A1. Автор: Takahiro Yasui. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic apparatus that monitors a safety function and a controlling method thereof

Номер патента: EP4004736A1. Автор: Woomok Kim,Sangyoung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Robot and control method thereof

Номер патента: US20240231362A9. Автор: Minsu HWANGBO,HyunSeok Hong,Daehwan JUNG,Dongeui SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device providing operation state information of home appliance, and operation method thereof

Номер патента: EP4276826A1. Автор: Taejun KWON,Dukkyun NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Applications of Butyrolactone-I in Preparing Medicine for Preventing Neuroinflammation and/or Memory and Cognitive Disorders

Номер патента: LU501597B1. Автор: Yi Zhang. Владелец: Shenzhen Institute Of Guangdong Ocean Univ. Дата публикации: 2022-08-11.

Portable receiver and memory for remotely controlled presentations

Номер патента: EP1629368A2. Автор: Ivan Reiff,Huong Tovan,Mark D. O'keefe. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

Controlling attention and memory by altering neuronal carbonic anhydrase activity

Номер патента: WO2001093744A3. Автор: Wei-Qin Zhao,Miao-Kun Sun,Daniel L Alkon. Владелец: Daniel L Alkon. Дата публикации: 2003-02-06.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Serial access memory and data write/read method

Номер патента: US20030086323A1. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Methods for the protection of memory and cognition

Номер патента: WO2004108085A3. Автор: Mark G Currie,John Jeffrey Talley,Yueh-tyng Chien,Craig Zimmerman,Brian M Cali. Владелец: Brian M Cali. Дата публикации: 2005-07-14.

Electronic device controlling an operation of a volatile memory and method for operating the same

Номер патента: US20230133234A1. Автор: Minjung Kim,Jeyoon KIM,Hakhyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Co-reference understanding electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: EP3953931A1. Автор: Jaewon Kim,Kangwook Lee,Hojin JUNG,Kunal Chawla,Jiin NAM,Huiwon Yun,Akhil KEDIA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Co-reference understanding electronic apparatus and controlling method thereof

Номер патента: WO2021029582A1. Автор: Jaewon Kim,Kangwook Lee,Hojin JUNG,Kunal Chawla,Jiin NAM,Huiwon Yun,Akhil KEDIA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-18.

Chromium complexes for improvement of memory and cognitive function

Номер патента: WO2009009393A4. Автор: James Komorowski,Vijaya Juturu. Владелец: Nutrition 21 Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Techniques to aggregate compute, memory and input/output resources across devices

Номер патента: EP3014464A1. Автор: Paul S. Diefenbaugh,Eugene Gorbatov,John S. Howard,Nithyananda Siva JEGANATHAN,Neven M. Abou Gazala,Vincent A. MERRICK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-04.

Applications of Butyrolactone-I in Preparing Medicine for Preventing Neuroinflammation and/or Memory and Cognitive Disorders

Номер патента: US20220249435A1. Автор: Yi Zhang,Cai Song,Yanmei Li,Yongping Zhang,Yuan Wang,Pengzhi Hong,Xiaoxiang Ma,Yingying Nie,Yayue Liu,Jinyue Liang,Zhiyou Yang,Zhongji Qian. Владелец: Shenzhen Research Institute of Guangdong Ocean University. Дата публикации: 2022-08-11.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Control and memory accesses using streaming audio

Номер патента: US20240281196A1. Автор: Satheesh Chellappan,Tomasz Pielaszkiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic apparatus that monitors a safety function and a controlling method thereof

Номер патента: US12135606B2. Автор: Woomok Kim,Sangyoung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

User terminal apparatus, display apparatus, server and control method thereof

Номер патента: US09898774B2. Автор: Sun Choi,Hyung-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Fault bits scrambling memory and method thereof

Номер патента: US20150019924A1. Автор: Shyue-Kung Lu,Hao-Cheng Jheng. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2015-01-15.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof and circuit system including the non-volatile memory

Номер патента: TW200843099A. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Nand type non-volatile memory and manufacturing method and operstion method thereof

Номер патента: TWI302741B. Автор: Pittikoun Saysamone,Houng Chi Wei,Chao Wei Kuo,Chih Ming Chao,Hann Ping Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-01.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TWI304250B. Автор: Heiji Kobayashi,Wei Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

NAND type non-volatile memory and manufacturing method and operstion method thereof

Номер патента: TW200746399A. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Chao-Wei Kuo. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-12-16.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TW200727411A. Автор: Heiji Kobayashi,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-16.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TWI265604B. Автор: Chih-Chen Cho,Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-11-01.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TW200608529A. Автор: Chih-Chen Cho,Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-01.

Memory and 1-bit error checking method thereof

Номер патента: TW200908007A. Автор: Shih-Chang Huang,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-16.

Memory and 1-bit error checking method thereof

Номер патента: TWI349290B. Автор: Shih Chang Huang,Chun Yu Liao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Data structure suitable for flash memory and data writing and reading method thereof

Номер патента: CN101308702B. Автор: 何东宇,倪剑强,廖峻廷. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-06-02.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TW200701439A. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-01.

Non-volatile memory and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: TWI271855B. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-21.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

CONTAINER ELECTRONIC SEAL DEVICE WHICH CAN BE SELECTIVELY LOCKED AND UNLOCKED USING EXTERNAL MEMORY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120001757A1. Автор: LEE Hye-Jin,Kim Hyun-Chul,JUNG Sea-Hee,LEE Hyun-Chel,KONG Jae-Hoon,SON Ho-Jun,KU Sang-Gun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of filling cache memory and commands output to execute and device for filling cache memory and commands output to execute

Номер патента: RU2592465C2. Автор: Сергей Иванович Аряшев,Константин Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-07-20.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты