Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US20230050783A1
Опубликовано: 16-02-2023
Автор(ы): Harsh Rawat, Praveen Kumar Verma
Принадлежит: STMicroelectronics International NV Switzerland
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US12040013B2. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-16.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation with a modulated word line assertion

Номер патента: US20230280915A1. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods and apparatuses to reduce power dissipation in a static random access memory (sram) device

Номер патента: US20190147943A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU,Kumar Shuvadeep. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: WO2015081056A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3757998A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3074980A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Method and apparatus for supplying power to a static random access memory (SRAM) cell

Номер патента: US8582387B1. Автор: Karthik Swaminathan,Jason T Su. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Robust write driver scheme for static random access memory compilers

Номер патента: EP3685381A1. Автор: Raghav Gupta,Rakesh Kumar Sinha,Mukund Narasimhan,Shiba Narayan Mohanty. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Random access memory and memory access method thereof

Номер патента: US09496014B2. Автор: Nan-Chun Lien,David C. Yu. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Static random access memory (sram) array power supply circuit

Номер патента: US20190035435A1. Автор: Chia Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang,Dong Xiang LUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Adaptive control circuit of static random access memory

Номер патента: US12087355B2. Автор: Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Static random access memory device

Номер патента: US11875844B2. Автор: Younghwan Park,Sang-Yeop BAECK,Jaesung CHOI,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Output control interface circuit for static random access memory and output control method for the same

Номер патента: US20240021227A1. Автор: Kuo-Chi Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Modular memory architecture with more significant bit sub-array word line activation in single-cycle read-modify-write operation dependent on less significant bit sub-array data content

Номер патента: US20230135708A1. Автор: Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-05-04.

System and method for selective static random-access memory partition initialization

Номер патента: US12046275B2. Автор: Shobhit Singhal,Ruchi Shankar,Sverre Brubæk,Praveen Kumar Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for selective static random-access memory partition initialization

Номер патента: US20230197143A1. Автор: Shobhit Singhal,Ruchi Shankar,Sverre Brubæk,Praveen Kumar Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Systems for performing a read-modify-write operation

Номер патента: US11176976B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Systems for performing a read-modify-write operation

Номер патента: US20210327479A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Static random access memory that initializes to pre-determined state

Номер патента: US20140063920A1. Автор: Sterling A. Knickerbocker. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-03-06.

Static random access memory supporting a dynamically variable duration self-time delay for a single clock cycle read-modify-write operation

Номер патента: US20240170032A1. Автор: Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-23.

Self-timed strobe generator and method for use with multi-strobe random access memories to increase memory bandwidth

Номер патента: US20040052153A1. Автор: Robert Landers,Mustafa Erdoğan,Keerthinarayan Heragu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Pseudo static random access memory and method for operating pseudo static random access memory

Номер патента: US20200273504A1. Автор: Yukihiro Nomura,Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

6T static random access memory cell, array and memory thereof

Номер патента: US09627040B1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Chien-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Low power static random access memory

Номер патента: EP2948955A1. Автор: Micky Harris,Wasim Khaled. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-12-02.

Device comprising a plurality of FDSOI static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US09490007B1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Static random access memory

Номер патента: US5408437A. Автор: Won-Jung Cho,Kwang-Ju Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Six-transistor static random access memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20180190344A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Chih-Wei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Architecture to communicate signals for operating a static random access memory

Номер патента: US20180219015A1. Автор: Donald W. Nelson,Eric A. KARL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Low power static random access memory

Номер патента: WO2014116612A1. Автор: Micky Harris,Wasim Khaled. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-07-31.

Dynamic video RAM incorporating single clock random port control

Номер патента: US5142637A. Автор: Richard A. Herrington,Roy E. Harlin. Владелец: Solbourne Computer Inc. Дата публикации: 1992-08-25.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Control circuit and control method for controlling delay lock loop in dynamic random access memory

Номер патента: US20190311761A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Random access memory and method of adjusting read timing thereof

Номер патента: US20150117127A1. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Processing-memory architectures performing atomic read-modify-write operations in deep learning systems

Номер патента: US11249724B1. Автор: Shlomo Raikin,Ron Shalev,Sergei Gofman,Ran Halutz,Nadav Klein. Владелец: Habana Labs Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Static random-access memory (SRAM) sensor for bias temperature instability

Номер патента: US09812188B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Progressive random access scan circuitry

Номер патента: US20080091995A1. Автор: Dong Hyun Baik,Kewal K. Saluja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

List sort static random access memory

Номер патента: EP2873075A1. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-20.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Multi-channel physical interfaces and methods for static random access memory devices

Номер патента: US20150117092A1. Автор: Dinesh Maheshwari,Derwin W. Mattos,Avi Avanindra. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Static random-access memory (sram) sensor

Номер патента: US20160247554A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Address dependent wordline timing in asynchronous static random access memory

Номер патента: US12068024B2. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Static random access memory (SRAM) with recovery circuit for a write operation

Номер патента: US09799394B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US09455025B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Ming-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Self-storing and self-restoring non-volatile static random access memory

Номер патента: US09437298B1. Автор: Shigeki Tomishima,Robert S. Chau,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Elijah V. Ilya Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Static random access memory device including write assist circuit and writing method thereof

Номер патента: US09496027B2. Автор: Taejoong Song,Seong Ook Jung,Woojin Rim,Hanwool Jeong,Gyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Static random access memory with bitline boost

Номер патента: US09460778B2. Автор: Jin Seung SON,Prashant Umakant KENKARE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2016191046A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: EP3304562A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Ultra-deep compute static random access memory with high compute throughput and multi-directional data propagation

Номер патента: EP3905248A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Chen Koren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-03.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Static random access memory

Номер патента: US20210287740A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Non-volatile static random access memory (nvsram) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20240296887A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09805788B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of using a static random access memory

Номер патента: US09704565B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

8-transistor dual-ported static random access memory

Номер патента: US09627021B2. Автор: John W. Poulton,Brian Zimmer. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09576643B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Write assist circuit integrated with leakage reduction circuit of a static random access memory for increasing the low voltage supply during write operations

Номер патента: US09542998B1. Автор: Ashish Akhilesh,Yogesh Malviya,Prakash Ravikumar Bhatia. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Static random access memory

Номер патента: US09472267B2. Автор: Jinming Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09455021B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US10127976B2. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-13.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20180261277A1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-13.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09466356B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: EP2976770A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: WO2014182554A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Static random access memory with improved noise immunity

Номер патента: US5636177A. Автор: Chien-Chih Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Static random access memory including assist circuit

Номер патента: US20190027213A1. Автор: Ju Hyun PARK,Seong Ook Jung,Se Hyuk OH,Han Wool JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-01-24.

Synchronous random access memory (SRAM) chip and two port SRAM array

Номер патента: US09911486B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Self-storing and self-restoring non-volatile static random access memory

Номер патента: US20160284406A1. Автор: Shigeki Tomishima,Robert S. Chau,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Elijah V. Ilya Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Static random access memory with a supplementary driver circuit and method of controlling the same

Номер патента: US11205475B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20220093172A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20200273519A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Dynamic Adjustment of Word Line Timing in Static Random Access Memory

Номер патента: US20230352082A1. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Dynamic adjustment of wordline timing in static random access memory

Номер патента: US11935587B2. Автор: Robert F. WISER,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Dynamic adjustment of word line timing in static random access memory

Номер патента: WO2023114552A3. Автор: Robert Wiser,Jay Chesavage,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Dynamic adjustment of word line timing in static random access memory

Номер патента: WO2023114552A2. Автор: Robert Wiser,Jay Chesavage,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Dynamic Adjustment of Wordline Timing In Static Random Access Memory

Номер патента: US20230197146A1. Автор: Robert F. WISER,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Static random access memory

Номер патента: US4712194A. Автор: Seiji Yamaguchi,Eisuke Ichinohe,Johji Katsura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-08.

Static random access memory with modulated loads

Номер патента: US5018106A. Автор: Mohammed E. Ul Haq,Kenneth R. Smits. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Seven-transistor static random-access memory bitcell with reduced read disturbance

Номер патента: US20160093365A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Young Hwi YANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-03-31.

Static random access memory devices

Номер патента: WO2013150260A2. Автор: . Владелец: Silicon Basis Ltd.. Дата публикации: 2013-10-10.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US20230343390A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Ultra-low-voltage static random access memory (sram) cell for eliminating half-select disturbance under bit interleaving structure

Номер патента: US20240212748A1. Автор: Hongyu Chen,Jian Chen,Yifei Li,Yajun Ha. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-06-27.

NON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (nvSRAM) WITH MULTIPLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELLS

Номер патента: US20230298665A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Compound semiconductor static random access memory device equipped with precharging circuit controlled by boosted signal

Номер патента: US5604704A. Автор: Takao Atsumo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-02-18.

Multi-level cell (mlc) static random access memory (sram) (mlc sram) cells configured to perform multiplication operations

Номер патента: US20190088309A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Nicholas Ka Ming Stevens-Yu,Venkat Rangan,Rashid Ahmed Akbar Attar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Static random access memory

Номер патента: US20160055902A1. Автор: Jinming Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Non-volatile static random access memory (nvSRAM) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11984164B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Static random-access memory with virtual banking architecture, and system and method including the same

Номер патента: US20200251164A1. Автор: Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU,Akash Kumar GUPTA,Gayatri NAIR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

NON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (nvSRAM) WITH MULTIPLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELLS

Номер патента: US20210201997A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Static random access memory method

Номер патента: US20200286550A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Static random access memory circuit

Номер патента: US20190139600A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Static random-access memory (sram) threshold voltage shift sensor

Номер патента: WO2016137670A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Coincident activation of pass transistors in a random access memory

Номер патента: US5384730A. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Multi-bit non-volatile random-access memory cells

Номер патента: US09607695B1. Автор: Jayant Ashokkumar,David Still,Joseph Tandingan,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

High operating speed resistive random access memory

Номер патента: US09633723B2. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Random access memory

Номер патента: US6366504B1. Автор: Frédéric ROBIN,Christian Piguet,Jean-Marc Masgonty,Stefan Cserveny. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2002-04-02.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Word shift static random access memory (WS-SRAM)

Номер патента: US09589623B2. Автор: Frederick A. Perner,Matthew D. Pickett. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Dynamic/static random access memory (D/SRAM)

Номер патента: US09466352B2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Cell structure for dual-port static random access memory

Номер патента: US09892781B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Static random access memory unit structure and static random access memory layout structure

Номер патента: US20170018302A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chin-Sheng Yang,Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Operating voltage tuning method for static random access memory

Номер патента: US20100135093A1. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,fu-chao Liu,Min-Chin Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Static random access memory (sram) unit and related device

Номер патента: EP3832648A1. Автор: Han Xu,Miao Zheng,Fei QIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: EP2948954A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Static random access memory cell

Номер патента: US20090303776A1. Автор: Hugh T. Mair. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: WO2022093413A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: WO2014116655A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Cross-layer reconfigurable static random access memory (SRAM) based compute-in-memory macro and method for edge intelligence

Номер патента: US12112797B1. Автор: Xinfei GUO,Runxi Wang. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: EP4204950A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11990181B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Static random access memory device having decreased sensitivity to variations in channel physical characteristics

Номер патента: US20050007831A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Static random access memory and driving method thereof

Номер патента: US09466359B2. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2016-10-11.

Static random access memory unit cell structure and static random access memory unit cell layout structure

Номер патента: US20140241027A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Shu-Ru Wang,Po-Chao Tsao,Chia-Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: US20240194253A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical static random access memory and method of fabricating thereof

Номер патента: US12063766B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical Static Random Access Memory and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240341073A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Static random access memory structure and control method thereof

Номер патента: US20130028006A1. Автор: Chun-Yu Chiu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

Static random access memory structure

Номер патента: US20190096892A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chien-Hung Chen,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Soft Error Robust Static Random Access Memory Cell Storage Configuration

Номер патента: US20090316505A1. Автор: Manoj Sachdev,Shah M. Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A2. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: WO2016032642A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Non volatile static random access memory device and corresponding control method

Номер патента: US20230005540A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-05.

Static random access memory cell and method

Номер патента: US20020085409A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Static Random Access Memory Cell

Номер патента: US20130107609A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Lai-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods of fabricating static random access memories (SRAMS) having vertical transistors

Номер патента: US20070155085A1. Автор: Seung-Heon Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Dual-port static random access memory

Номер патента: US09646974B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Static random access memory layout structure

Номер патента: US09627036B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Chin-Sheng Yang,Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Aging sensor for a static random access memory (SRAM)

Номер патента: US09564210B2. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Layout of static random access memory array

Номер патента: US09558809B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Structure for static random access memory

Номер патента: US09465905B1. Автор: Israel A. Wagner,Noam Jungmann,Lior Arie,Lidar Herooti,Elazar Kachir,Hezi Shalom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: US09336864B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: EP3186831A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits including static random access memory blocks with associated addressing and buffering circuits

Номер патента: US20230361059A1. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Static random access memory

Номер патента: US20080137398A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Chih Yeh,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Yi-Hsun Chung,Gia-Hua Hsieh. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Layout pattern for static random access memory

Номер патента: US09780099B1. Автор: Tsung-hsun Wu,Shu-Wei Yeh,Chih-Ming Su,Zhi-Xian Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Cell Structure for Dual-Port Static Random Access Memory

Номер патента: US20180005691A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Non-volatile static random access memory incorporating resistive random-access memory

Номер патента: US11984158B2. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Shift register latch with embedded dynamic random access memory scan only cell

Номер патента: US20090010077A1. Автор: Vikas Agarwal,Sam Gat-Shang Chu,Saiful Islam,Philip George Shephard, III. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20230253037A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: EP4205115A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: WO2022046288A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Disturb-free static random access memory cell

Номер патента: US20110128796A1. Автор: Hung-Yu Li,Wei Hwang,Jihi-Yu Lin,Ching-Te Chuang,Ming-Hsien Tu,Shyh-Jye Jou,Hao-I Yang,Shyh-Chyi Yang,Kun-Ti Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Low-power static random access memory

Номер патента: WO2022269493A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether Ai Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20230420040A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20240021237A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Static random access memory comprising a current source, and method to put memory cells of such a memory into sleep or write mode using said current source

Номер патента: WO2010026500A1. Автор: Roelof Herman Willem Salters. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-03-11.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11955170B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN,Joseph Francis ROHLMAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Static random-access memory cell design

Номер патента: US11710521B2. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: CA2573147C. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2013-03-26.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20230395142A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Low leakage current static random access memory

Номер патента: US20050185448A1. Автор: Shih-Chin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Static random access memory and riving method thereof

Номер патента: US20150364184A1. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2015-12-17.

Low-power static random access memory

Номер патента: US20230395141A1. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: WO2006014558A9. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2007-03-08.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: US20090085787A1. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2009-04-02.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: WO2006014558A3. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2006-06-15.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: US20060017593A1. Автор: Michael Anthony,Lawrence Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor integrated circuit device including static random access memory having diffusion layers for supplying potential to well region

Номер патента: US20090091964A1. Автор: Hiroshi Furuta,Junji Monden,Ichiro Mizuguchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Static Random Access Memory Cell with Single-Sided Buffer and Asymmetric Construction

Номер патента: US20130182490A1. Автор: Anand Seshadri,Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Static random access memory apparatus that maintains stable write performance in low power environment

Номер патента: US20240177782A1. Автор: Sangheon Lee,Jaehyun Park,Hanwool Jeong. Владелец: Kwangwoon University Industry Acadamic Collaboration Foundation. Дата публикации: 2024-05-30.

Soft Error Robust Static Random Access Memory Cells

Номер патента: US20080094925A1. Автор: Manoj Sachdev,Shad M. Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Static random access memory cell with single-sided buffer and asymmetric construction

Номер патента: US20140078819A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi,Anand Seshardi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Soft error robust static random access memory cells

Номер патента: US7613067B2. Автор: Manoj Sachdev,Shah M Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-03.

Eight-transistor static random access memory cell

Номер патента: US20220310629A1. Автор: Nigel Chan,Jörg D. Schmid. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Non volatile static random access memory device and corresponding control method

Номер патента: US11817149B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Silicon-on-insulator semiconductor device with a static random access memory circuit

Номер патента: US20240015945A1. Автор: Promod Kumar,Olivier Weber,Pascal Urard,Christophe Lecocq,Kedar Janardan Dhori,Shafquat Jahan Ahmed. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Static random memory device

Номер патента: US6001680A. Автор: Minoru Ishida,Teruo Hirayama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Static random access memory (SRAM) unit and method for operating the same

Номер патента: US20040240308A1. Автор: Rajesh Pendurkar. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Asynchronous static random access memory

Номер патента: WO2005008672B1. Автор: Andrew Lines,Uri Cummings. Владелец: Uri Cummings. Дата публикации: 2005-08-18.

Static random access memory array pattern

Номер патента: EP4294144A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Static random access memory array pattern

Номер патента: US20230403837A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Layout of static random access memory periphery circuit

Номер патента: US20200020700A1. Автор: Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Chi-Lung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Static random-access memory cell, transistor, and method thereof

Номер патента: US20230309285A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Layout of static random access memory periphery circuit

Номер патента: US11856747B2. Автор: Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Chi-Lung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Pseudo-static random-access memory and reading method thereof

Номер патента: US20230352083A1. Автор: Kaoru Mori,Junichi Sasaki. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Static random access memory device

Номер патента: US11935882B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Strap cell design for static random access memory (sram) array

Номер патента: US20200143874A1. Автор: Feng-Ming Chang,Lien-Jung Hung,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Static random access memory cell structure

Номер патента: US10546631B1. Автор: Su Xing. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Asynchronous static random access memory

Номер патента: EP1647030A2. Автор: Andrew Lines,Uri Cummings. Владелец: Fulcrum Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-04-19.

Asynchronous static random access memory

Номер патента: EP1647030A4. Автор: Andrew Lines,Uri Cummings. Владелец: Fulcrum Microsystems Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Static random access memory

Номер патента: US20170338233A1. Автор: Huai-Ying Huang,Shau-Wei LU,Jordan HSU,Tang-Hsuan Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Static random-access memory for deep neural networks

Номер патента: US20190087719A1. Автор: Jae-sun Seo,Mingoo Seok,Zhewei Jiang,Shihui Yin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2019-03-21.

Reducing or avoiding mechanical stress in static random access memory (sram) strap cells

Номер патента: WO2018222586A1. Автор: Youn Sung Choi,Shashank Ekbote,Samit Sengupta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-12-06.

Layout of static random access memory periphery circuit

Номер патента: US20210057423A1. Автор: Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Chi-Lung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Layout of static random access memory periphery circuit

Номер патента: US20220285370A1. Автор: Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Chi-Lung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Layout of static random access memory periphery circuit

Номер патента: US20240074136A1. Автор: Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Chi-Lung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Reducing or avoiding mechanical stress in static random access memory (sram) strap cells

Номер патента: US20180350819A1. Автор: Youn Sung Choi,Shashank Ekbote,Samit Sengupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: US20160351250A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Static random-access memory for deep neural networks

Номер патента: US20220309330A1. Автор: Jae-sun Seo,Mingoo Seok,Zhewei Jiang,Shihui Yin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2022-09-29.

Static random access memory test structure

Номер патента: US20130094315A1. Автор: Oliver D. Patterson,Thomas A. Wallner,Shenzhi Yang,Jin Zheng Wallner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

Static random access memory device

Номер патента: US20240186312A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A3. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: Sudha Thiruvengadam. Дата публикации: 2009-04-16.

Acht-transistor-static-random-access-memory-zelle

Номер патента: DE102022103701A1. Автор: Nigel Chan,Jörg D. Schmid. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Radiation hardened six transistor random access memory and memory device

Номер патента: AU4331899A. Автор: Robert C. Bertin. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 1999-12-20.

Combined Write Assist and Retain-Till-Accessed Memory Array Bias

Номер патента: US20110261632A1. Автор: Vinod Menezes,Michael Patrick Clinton,Lakshmikantha V. Holla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Global data line of multi-array synchronous random access memory (sram)

Номер патента: US20230352062A1. Автор: Bin Xie,Hee Choul PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US12073897B2. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-27.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: EP4266313A1. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-25.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US20230343405A1. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-26.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Data security for dynamic random access memory using body bias to clear data at power-up

Номер патента: US20120087176A1. Автор: Michael Launsbach,Todd Alan Christensen,Derick Gardner Behrends,Daniel Mark Nelson,Travis Reynold Hebig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Random access memory data resetting method

Номер патента: US20090168579A1. Автор: Shu-Liang Nin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory component having internal read modify-write operation

Номер патента: US09983830B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-29.

MEMORY COMPONENT HAVING INTERNAL READ-MODIFY-WRITE OPERATION

Номер патента: US20210089237A1. Автор: Ware Frederick A.,Vogelsang Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Memory component having internal read modify-write operation

Номер патента: US20160231962A1. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-11.

MEMORY COMPONENT HAVING INTERNAL READ-MODIFY-WRITE OPERATION

Номер патента: US20190294378A1. Автор: Ware Frederick A.,Vogelsang Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

MEMORY COMPONENT HAVING INTERNAL READ-MODIFY-WRITE OPERATION

Номер патента: US20180341432A1. Автор: Ware Frederick A.,Vogelsang Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

MEMORY COMPONENT HAVING INTERNAL READ-MODIFY-WRITE OPERATION

Номер патента: US20220357893A1. Автор: Ware Frederick A.,Vogelsang Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Register status protection during read-modify-write operation

Номер патента: KR960706131A. Автор: 숄란더 케빈,번스 닐,오슬러 파렐,굿후 그레고리,로이 산타누. Владелец: 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 1996-11-08.

Memory device for performing parallel read-modify-write operation

Номер патента: US10521293B2. Автор: Sang-Uhn CHA,In-Woo JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-31.

Method and circuit for enabling a clock-synchronized read-modify-write operation on a memory array

Номер патента: US6745302B1. Автор: Kazuo Taniguchi,Masaharu Yoshimori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Register status protection during read-modify-write operation

Номер патента: EP0729604A1. Автор: Santanu Roy,Gregory Goodhue,Kevin Scholander,Neil Birns,Farrel Ostler. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1996-09-04.

Memory component having internal read-modify-write operation

Номер патента: US10248358B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-02.

Memory component having internal read-modify-write operation

Номер патента: US20240118837A1. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory component having internal read-modify-write operation

Номер патента: US11822822B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Self-timed random access memory chip

Номер патента: US4712190A. Автор: Alan Kotok,Paul M. Guglielmi,Ronald J. Melanson. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

Method, apparatus, device and storage medium for accessing static random access memory

Номер патента: US20200159658A1. Автор: Jing Wang,Xiaozhang Gong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Hardware/software co-compressed computing method and system for static random access memory computing-in-memory-based processing unit

Номер патента: US20220366971A1. Автор: Kea-Tiong Tang,Syuan-Hao Sie,Jye-Luen LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-17.

Static random access memory cell

Номер патента: US20180174642A1. Автор: Praveen Raghavan,Julien Ryckaert,Trong Huynh Bao,Pieter Weckx. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2018-06-21.

Non-volatile static random access memory with independently accessible non-volatile bit cell and method of operating the same

Номер патента: US11900987B2. Автор: Mohit Gupta,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-13.

Pseudo-static random access memory

Номер патента: US20240055037A1. Автор: Hitoshi Ikeda. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20220365888A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20210357335A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: WO2023186507A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Pseudo static random access memory and refresh method thereof

Номер патента: US20190139597A1. Автор: Yuji Nakaoka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: US20230320055A1. Автор: Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Brent A Anderson,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Single command for reading then clearing dynamic random access memory

Номер патента: US11775197B2. Автор: Kenneth A. Schmidt. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic random access memory

Номер патента: EP1297532A2. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-02.

MOSFET Random access memory chip

Номер патента: US4477739A. Автор: Robert J. Proebsting,Paul R. Schroeder. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Device and method for supplying current to a semiconductor memory to support a boosted voltage within the memory during testing

Номер патента: US20010028580A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: EP4459468A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Dynamic random access memory

Номер патента: US3727196A. Автор: Kenny V Mc. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1973-04-10.

Dynamic random access memory

Номер патента: US3821717A. Автор: Kenny V Mc. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1974-06-28.

System for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: EP4386754A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: WO1980001733A1. Автор: W Huber,F Procyk,D Clemons,R Cenker. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-08-21.

Random access memory imaging system

Номер патента: WO1980002629A1. Автор: J Petty,H Gardner. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-11-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20180182469A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A3. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2022-01-13.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A2. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-05-14.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Parity data in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US12061518B2. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Test interface for verification of high speed embedded synchronous dynamic random access memory (SDRAM) circuitry

Номер патента: US20020042898A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Techniques for accessing a dynamic random access memory array

Номер патента: US09472249B2. Автор: Andre Schaefer,Pei-Wen Luo,Jen-Chieh Yeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device for a dynamic random access memory

Номер патента: US20180102365A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Hyungrock OH. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-12.

Dynamic random access memory apparatus

Номер патента: US20140146597A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Leakage compensation circuit for dynamic random access memory (dram) cells

Номер патента: US20100073994A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Ali Keshavarzi,DiaaEldin S. Khalil,Arijit Rayehowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Dynamic random access memory with configurable refresh rate for communications systems

Номер патента: US09659625B2. Автор: Curtis Ling. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for temperature compensated refresh of dynamic random access memory

Номер патента: US09640242B1. Автор: Dexter Tamio Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Sense amplifier with dual parallel driver transistors in MOS random access memory

Номер патента: US4286178A. Автор: Lionel S. White, Jr.,G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-08-25.

Random access memory cell with different capacitor and transistor oxide thickness

Номер патента: US4240092A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-12-16.

Method and related apparatus for maintaining data stored in a dynamic random access memory

Номер патента: US20040107310A1. Автор: I-Ming Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Random access memory cell with implanted capacitor region

Номер патента: US5168075A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Dynamic random access memory with a secondary source voltage to reduce injection

Номер патента: US3761899A. Автор: Kenny V Mc,R Donnely. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1973-09-25.

Method for clock control in dynamic random access memory devices

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Kallol Mazumder,Debra Bell. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Design of dynamic random-access memory pass transistors with statistical variations in leakage currents

Номер патента: WO2021163136A1. Автор: Jaehyun Lee,Andrew R. Brown,Binjie CHENG,Salvatore Maria Amoroso,Plamen A. Asenov,Manuel Aldegunde Rodriguez,Andrew John Pender,David T. Reid. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory circuit, dynamic random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20240237328A9. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-07-11.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: EP1252630A2. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A9. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David R Hanson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A1. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Dynamic random access memory and method for accessing same

Номер патента: US7626843B2. Автор: Shou-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Dynamic random access memory (dram) with configurable wordline and bitline voltages

Номер патента: US20240257860A1. Автор: Gary Bela Bronner,Brent Steven Haukness,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Handling of the Transmit Enable Signal in a Dynamic Random Access Memory Controller

Номер патента: US20080046620A1. Автор: Mark Bellows. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Dynamic random access memory (DRAM) backchannel communication systems and methods

Номер патента: US09881656B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734890B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734878B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile random access memory (NVRAM) with backup control

Номер патента: US09595329B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: CA1133635A. Автор: Donald G. Clemons,Ronald P. Cenker,William R. Huber, Iii,Frank J. Procyk. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-10-12.

Data security for dynamic random access memory at power-up

Номер патента: US8395963B2. Автор: Travis R. Hebig,Derick G. Behrends,Daniel M. Nelson,Todd A. Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Data security for dynamic random access memory at power-up

Номер патента: US20120147661A1. Автор: Travis R. Hebig,Derick G. Behrends,Daniel M. Nelson,Todd A. Christensen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

System and method for accessing memory

Номер патента: US20140281193A1. Автор: Andre Schaefer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Carrier injection dynamic random access memory having stacked depletion region in Mesa

Номер патента: US5321285A. Автор: Stanley N. Protigal,Ruojia Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-06-14.

Refresh cell for a random access memory

Номер патента: US4805152A. Автор: Grigory Kogan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US8199593B2. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Priority adjustment of dynamic random access memory (dram) transactions prior to issuing a per-bank refresh for reducing dram unavailability

Номер патента: WO2015167754A1. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-05.

System and method for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: US20240185907A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-modal refresh of dynamic, random-access memory

Номер патента: US12001697B2. Автор: Steven C. Woo,Thomas Vogelsang,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-04.

Dynamic random access memory cell including a ferroelectric capacitor

Номер патента: WO2016032644A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Changhan Hobie Yun,Woo Tag Kang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Random access memory

Номер патента: US20240144994A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Ming-Hsiu Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Vccmin for a dual port synchronous random access memory (dpsram) cell utilized as a single port synchronous random access memory (spsram) cell

Номер патента: US20140146631A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20170351627A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance,high-capacity registered memory modules

Номер патента: EP3234784A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-25.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20210090618A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20220254392A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Scannable-latch random access memory

Номер патента: US20200105360A1. Автор: Jason F. Ross,David D. Moser,Michael J. Frack, Jr.,Kevin Linger. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Cache memory having a read-modify-write operation and simultaneous burst read and write operations and a method therefor

Номер патента: US5802586A. Автор: Kenneth W. Jones,Mark D. Bader,Arthur D. Kahlich. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

System and Method for Reduced Latency of Read-Modify-Write Operations

Номер патента: US20210209030A1. Автор: Hongmei Xie,Hyuk Il Kwon,Dhanunjaya Rao Gorrle. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Accelerated Read, Modify, Write Operations

Номер патента: US20230176738A1. Автор: David Mickey,Michael Catherwood,Ashish Desai. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Accelerated read, modify, write operations

Номер патента: WO2023101907A1. Автор: David Mickey,Michael Catherwood,Ashish Desai. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-06-08.

Read-modify-write operation

Номер патента: US5008886A. Автор: Kumar Chinnaswamy,Michael A. Gagliardo,John J. Lynch,James E. Tessari,Paul M. Goodwin. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-04-16.

Accessing memory circuit

Номер патента: US20220310140A1. Автор: Jussi TAKKALA. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device including resistance random access memory, and storing method that stores data in the resistance random access memory

Номер патента: US9892788B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Vccmin for a dual port synchronous random access memory (dpsram) cell utilized as a single port synchronous random access memory (spsram) cell

Номер патента: US20140146631A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Fast access multi-bit random access memory

Номер патента: US5563836A. Автор: Masahiro Tsunoda,Tamio Saito. Владелец: Tsunoda; Masahiro. Дата публикации: 1996-10-08.

Initialization Process for Magnetic Random Access Memory (MRAM) Production

Номер патента: US20190311754A1. Автор: Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Cell of magnetic random access memory (mram) with self reference inlcudning ferrimagnetic intrinsic layers

Номер патента: RU2599939C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11238911B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Resistive memory subcell, resistive random access memory for in-memory-computing and in-memory-processor

Номер патента: EP4345823A1. Автор: Gerhard Kahmen,Marc REICHENBACH,Max Uhlmann,Philip Ostrovskyy,Markus Fritscher. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2024-04-03.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: US09437272B1. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus, system, and method for writing multiple magnetic random access memory cells with a single field line

Номер патента: EP2766906A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Magnetic random access memory device

Номер патента: US20130058157A1. Автор: Jiwei Lu,Stuart A. Wolf,Mircea R. Stan. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2013-03-07.

Nonvolatile random access memory

Номер патента: WO1994003899A1. Автор: Richard M. Lienau. Владелец: Lienau Richard M. Дата публикации: 1994-02-17.

Nonvolatile random access memory

Номер патента: AU4802693A. Автор: Richard M. Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 1994-03-03.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Sheet random access memory

Номер патента: WO1990003032A1. Автор: Richard M. Lienau,Kenneth E. Pope. Владелец: Bednarz, Joseph, J.. Дата публикации: 1990-03-22.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20070253244A1. Автор: Yu-Jen Wang,Chih-Huang Lai,Denny Tang,Chih-Huo Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a dual mode ferroelectric random access memory (FRAM) having imprinted read-only (RO) data

Номер патента: US09711715B2. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory cell including electret and random access memory thereof

Номер патента: US09627406B1. Автор: Kim P. Cheung. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2017-04-18.

Magnetic-assisted nondestructive self-reference sensing method for spin-transfer torque random access memory

Номер патента: US09627024B2. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Enes Eken,Wujie Wen,Xiuyuan Bi. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-04-18.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Magnetic random access memory and electronic device

Номер патента: US20220351767A1. Автор: LI Ye,Wenjing Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Номер патента: US20030210596A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-13.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: WO2014066160A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory Devices with Magnetic Random Access Memory (MRAM) Cells and Associated Structures for Connecting the MRAM Cells

Номер патента: US20140361392A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Self-referenced magnetic random access memory

Номер патента: US09679626B2. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09652386B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Write driver circuits for resistive random access memory (RAM) arrays

Номер патента: US09583171B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Determining and storing bit error rate relationships in spin transfer torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)

Номер патента: US09418721B2. Автор: Hillery C. Hunter,Pradip Bose,Alper Buyuktosunoglu,Vijayalakshmi Srinivasan,Jude A. Rivers,Xiaochen Guo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: EP2839462A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: WO2013158958A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-24.

Initialization process for magnetic random access memory (mram) production

Номер патента: WO2019099274A1. Автор: Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-23.

Bar-type magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US11997931B2. Автор: Shy-Jay Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Initialization Process for Magnetic Random Access Memory (MRAM) Production

Номер патента: US20190156876A1. Автор: Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Shared source line architectures of perpendicular hybrid spin-torque transfer (stt) and spin-orbit torque (sot) magnetic random access memory

Номер патента: WO2018101998A1. Автор: Shaoping Li,Hong Tsai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-06-07.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240284804A1. Автор: Shinji Yuasa. Владелец: GODO KAISHA IP BRIDGE 1. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic random access memory devices including shared heating straps

Номер патента: EP2758961A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Magnetic random access memory

Номер патента: US12082511B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: EP2909837A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09646670B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Spin-transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) with enhanced write current

Номер патента: US09646668B2. Автор: Yuchen Zhou,Ebrahim Abedifard,Mahmood Mozaffari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09589619B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Error correction system for random access memory

Номер патента: US4031374A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1977-06-21.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11727974B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200020375A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200312393A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20230335171A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20220157360A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Assisted write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20210241809A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Ferroelectric random access memory device and method for operating the same

Номер патента: US6088257A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Magnetic non-volatile random access memory

Номер патента: US5396455A. Автор: Michael J. Brady,Richard J. Gambino,Lia Krusin-Elbaum,Ralph R. Ruf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Magnetoresistive random access memory with data scrubbing

Номер патента: US20240087630A1. Автор: Heng Wu,Eric Raymond EVARTS,Krishna Thangaraj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

System architecture, structure and method for hybrid random access memory in a system-on-chip

Номер патента: US20240172456A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: WO2013090762A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: EP2791940A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2014-10-22.

Structures and methods for embedded magnetic random access memory (mram) fabrication

Номер патента: US20190165042A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Voltage-switched magneto-resistive random access memory (mram) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path

Номер патента: WO2019006066A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-03.

Ferroelectric random access memory (feram) array with segmented plate lines

Номер патента: WO2018081403A1. Автор: Tianhong Yan. Владелец: AUCMOS Technologies USA, Inc.. Дата публикации: 2018-05-03.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4240131A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Ultrafast magnetic recording element and nonvolatile magnetic random access memory using the magnetic recording element

Номер патента: EP2206120A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20130021842A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US20070223269A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Magnetic random access memory with dual spin torque reference layers

Номер патента: EP2374130A1. Автор: Thomas Clinton,Mike Seigler. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-10-12.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells

Номер патента: EP4334979A1. Автор: Michael RIZZOLO,Eric Raymond EVARTS,Saba Zare,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20140127831A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US9047969B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20110012179A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Memcapacitor, programming method for memcapacitor and capacitive random access memory

Номер патента: US20200143864A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015035053A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US7511991B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US09734909B2. Автор: Tsai-Kan Chien,Lih-Yih Chiou,Yi-Sung Tsou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-08-15.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478552B2. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus to implement an integrated circuit including both dynamic random-access memory (dram) and static random-access memory (sram)

Номер патента: US20230315331A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Techniques for transferring commands to a dynamic random-access memory

Номер патента: US20240069812A1. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Techniques for transferring commands to a dynamic random-access memory

Номер патента: US11861229B2. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Direct measurement test structures for measuring static random access memory static noise margin

Номер патента: US20200319243A1. Автор: Manuel F. Cabanas-Holmen,Ethan H. Cannon,Mark Yao. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-08.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09941287B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09558791B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20240170062A1. Автор: Darsen Duane Lu,Mohammed Aftab BAIG,Siao-Shan HUANG,Fu Yuan CHANG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-23.

Sparsity-aware reconfigurable compute-in-memory (cim) static random access memory (sram)

Номер патента: US20230178125A1. Автор: Indranil Chakraborty,Kaushik Roy,Utkarsh Saxena,Amogh Agrawal,Mustafa Fayez Ahmed Ali,Aayush ANKIT. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Bi-stable static random access memory (sram) bit cells formed from iii-v compounds and configured to achieve higher operating speeds

Номер патента: WO2019050848A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordline landing pads split across boundary edges of the SRAM bit cells

Номер патента: US09876017B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: US09806083B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Layout einer static random access memory-zelle

Номер патента: DE102016117043B4. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Static random access memory (SRAM) device for improving electrical characteristics and logic device including the same

Номер патента: US09935204B2. Автор: Dong-won Kim,Dong-Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09773791B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09515077B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US20170179134A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method and system for latching an address for accessing synchronous random access memory using a single address status signal control line

Номер патента: US6044432A. Автор: Vishal Anand. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

High reliable and low power static random access memory

Номер патента: US20090129172A1. Автор: Nian Yang,Sachit Chandra,Hung-Jen Lin,Jinsook Kim. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-05-21.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US11755471B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20220253379A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Layout pattern of static random access memory and the forming method thereof

Номер патента: US20240161818A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yu-Fang Chen,Tzu-Feng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: EP4147134A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20230350800A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

In-memory computing using a static random-access memory (sram)

Номер патента: US20210327495A1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Akhilesh Patil. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-Dimensional Static Random Access Memory Device Structures

Номер патента: US20200388623A1. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory repair circuit and repairable pseudo-dual port static random access memory

Номер патента: US20100014367A1. Автор: Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Sparsity-aware reconfigurable compute-in-memory (CIM) static random access memory (SRAM)

Номер патента: US11929141B2. Автор: Indranil Chakraborty,Kaushik Roy,Utkarsh Saxena,Amogh Agrawal,Mustafa Fayez Ahmed Ali,Aayush ANKIT. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-03-12.

Dynamic redundancy for random access memory assemblies

Номер патента: MY117769A. Автор: Timothy Jay Dell,Mark William Kellogg. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-08-30.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US12002788B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Layout pattern of static random access memory

Номер патента: CN109545252B. Автор: 曾俊砚,龙镜丞,郭有策,黄俊宪,陈建宏,黄莉萍,王淑如,庄孟屏. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-08.

The layout patterns of static random access memory

Номер патента: CN109545252A. Автор: 曾俊砚,龙镜丞,郭有策,黄俊宪,陈建宏,黄莉萍,王淑如,庄孟屏. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-29.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180151572A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Layout einer static random access memory-zelle

Номер патента: DE102016117043A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Output device for static random access memory

Номер патента: US20050093578A1. Автор: Chao Huang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200266201A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2176675C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Mos battery backup controller for microcomputer random access memory

Номер патента: CA1188002A. Автор: Yong K. Lee,Joseph R. Domitrowich,James S. Gordon. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-05-28.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09658780B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Apparatus and method of error detection and correction in a radiation-hardened static random access memory field-programmable gate array

Номер патента: US6838899B2. Автор: William C. Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Apparatus and method of error detection and correction in a radiation-hardened static random access memory field-programmable gate array

Номер патента: US20080007288A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-01-10.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09898204B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Resistive random access memory (reram) and conductive bridging random access memory (cbram) cross coupled fuse and read method and system

Номер патента: EP2965320A1. Автор: Kent Hewitt,Traian Bontas,Claudiu-Dumitru Nechifor,Iulian Dumitru. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Resistive random access memory device

Номер патента: US09792987B1. Автор: Wen-Ting Chu,Yue-Der Chih,Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Single deposition layer metal dynamic random access memory

Номер патента: US20010046148A1. Автор: Todd Merritt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-29.

Staggered row line firing in a single ras cycle

Номер патента: WO1998020495A1. Автор: James P. Rupp. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-05-14.

Staggered row line firing in a single ras cycle

Номер патента: AU5102798A. Автор: James P. Rupp. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-05-29.

Non-volatile static randomm-access memory cell

Номер патента: CA1206615A. Автор: Parviz Keshtbod. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-06-24.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US09953728B2. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J MERCED GRAFALS. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods and apparatus for reusing lookup table random-access memory (LUTRAM) elements as configuration random-access memory (CRAM) elements

Номер патента: US09940995B1. Автор: Kenneth Duong,Trevis Chandler,Jung Ko,Dipak Sikdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Joint command dynamic random access memory (DRAM) apparatus and methods

Номер патента: US12135901B2. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-11-05.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Sequence-controlled polymer random access memory storage

Номер патента: US20230073209A1. Автор: Remi Veneziano,Sakul Ratanalert,Tyson Shepherd,Mark Bathe,James Banal. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and apparatus for implementing error correction coding in a random access memory

Номер патента: US20070079217A1. Автор: Galen Kerber,Rodger Haugan,David Haldeman. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US20170140616A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042103A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: EP3549024A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: WO2018102538A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-07.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Retiming programmable devices incorporating random access memories

Номер патента: US8929152B1. Автор: Benjamin Gamsa,Gordon Raymond Chiu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-01-06.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09852069B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09786136B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606731B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09535827B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method of forming magnetic random access memory

Номер патента: RU2464672C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-20.

Fail-safe random access memory

Номер патента: RU2579954C2. Автор: Александр Алексеевич Павлов,Алексей Николаевич Царьков,Александр Викторович Гусев,Алексей Александрович Павлов,Денис Евгеньевич Сорокин,Алексей Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Институт управления образованием Российской академии образования" (ФГБНУ "ИУО РАО"). Дата публикации: 2016-04-10.

Sequence-controlled polymer random access memory storage

Номер патента: US11961008B2. Автор: Remi Veneziano,Sakul Ratanalert,Tyson Shepherd,Mark Bathe,James Banal. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-04-16.

Sequence-controlled polymer random access memory storage

Номер патента: US20240211771A1. Автор: Remi Veneziano,Sakul Ratanalert,Tyson Shepherd,Mark Bathe,James Banal. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20170315768A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic random access memory (MRAM)-based frame buffering apparatus, display driving apparatus and display apparatus including the same

Номер патента: US09805444B2. Автор: Dae-Shik Kim,Bo-Young Seo,Gwan-Hyeob Koh,Choong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method, apparatus and device for operating logical operation array of resistive random access memory

Номер патента: US09767900B2. Автор: Yi Li,Junfeng Zhao,Yaxiong Zhou,Zhulin Wei,Xiangshui Miao,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Disturb condition detection for a resistive random access memory

Номер патента: US09734903B2. Автор: Tz-yi Liu,Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Ran ZAMIR,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Serial data transmission for dynamic random access memory (dram) interfaces

Номер патента: EP3097491A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-30.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US11894098B2. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20190035440A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20210217451A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Customizable plug and play random access memory (ram) module

Номер патента: WO2019150221A1. Автор: Swarna Kumari Adari. Владелец: Adari Swarna Kumari. Дата публикации: 2019-08-08.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US09715930B2. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

High aspect ratio vertical interconnect access (via) interconnections in magnetic random access memory (MRAM) bit cells

Номер патента: US09704919B1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09685213B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Devices and methods for programming a resistive random-access memory

Номер патента: US09620208B2. Автор: Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

NAND type variable resistance random access memory and methods

Номер патента: US09548398B2. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-01-17.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09543004B1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Resistive random access memory structure and method for operating resistive random access memory

Номер патента: US09419053B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Test system for random access memory

Номер патента: CA1287409C. Автор: Katsuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Pseudo bidimensional randomly accessible memory

Номер патента: US20040115879A1. Автор: Bernard Plessier,Ming Yap. Владелец: STMICROELECTRONICS ASIA PACIFIC PTE LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US11874897B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetoresistive random access memory for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US11980026B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Chun-Yuan Lo,Chun-Chieh Chao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Processing core and MRAM memory unit integrated on a single chip

Номер патента: US11968843B2. Автор: Chung-Te Lin,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU,Han-Ting Tsai,Katherine Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6405297B1. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6134639A. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09947377B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09767868B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory

Номер патента: US09698202B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09570512B2. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-14.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09484535B1. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-01.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: WO2021207237A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: US11942135B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Deep Learning Accelerator and Random Access Memory with a Camera Interface

Номер патента: US20210319823A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Resistive random access memory

Номер патента: US20190067567A1. Автор: Yuan-Heng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Speculative exit from power down mode of a dynamic random access memory rank

Номер патента: EP3867730A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Controller and control method for dynamic random access memory

Номер патента: US09966129B1. Автор: CHEN CHEN,PENG Shen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Resistance random access memory with accurate forming procedure, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US09627058B2. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US09530493B2. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Resistive random access memory with non-linear current-voltage relationship

Номер патента: US09406379B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Random access memory with volatile data storage

Номер патента: CA1094687A. Автор: Hendrik H.M. Tromp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-27.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Multiple simultaneous access memory

Номер патента: US4656614A. Автор: Naruhito Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-04-07.

Single clock CMOS logic circuit with selected threshold voltages

Номер патента: US4250406A. Автор: Allan A. Alaspa. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042104A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Streaming access memory device, system and method

Номер патента: US11823771B2. Автор: Surinder Pal Singh,Giuseppe Desoli,Thomas Boesch,Anuj Grover,Nitin Chawla. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-21.

In-situ encapsulation of metal-insulator-metal (MIM) stacks for resistive random access memory (RERAM) cells

Номер патента: US11882776B2. Автор: Dina Triyoso,Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of accessing syncronous dynamic random access memory in scanner

Номер патента: US20020133667A1. Автор: Kuo-Jeng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same

Номер патента: US20030103367A1. Автор: Gabriel Aeppli,David Norris,Christophe Renner,Yeong-Ah Soh. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Multiple serial access memory for use in feedback systems such as motion compensated television

Номер патента: CA2082133C. Автор: Paul Shen,Edward A. Krause,Woo H. Paik. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Method and apparatus for testing random access memory devices

Номер патента: US6018484A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-25.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (ram) array

Номер патента: US20240006012A1. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US20180025790A1. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J. Merced Grafals. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP4397154A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolile Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2024-07-10.

Resistive random-access memory (reram) cell optimized for reset and set currents

Номер патента: US20230096127A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Oxram oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US20200194671A1. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-18.

OxRAM oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US11329224B2. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-10.

Resistive random-access memory (reram) configured for overcoming the affects of read disturb

Номер патента: WO2024150022A1. Автор: Gabriel Molas,Giuseppe PICCOLBONI. Владелец: Weebit Nano Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetoresistive random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074209A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Metal-oxide-based conductive-bridging random access memory (CBRAM) having the solid electrolyte doped with a second metal

Номер патента: US9431607B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

USING CONTENT ADDRESSABLE MEMORY TO PERFORM READ-MODIFY-WRITE OPERATIONS IN NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY (NVRAM)

Номер патента: US20200319821A1. Автор: FISHER TIMOTHY J.,Sallese Kevin E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Write control for read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US20240281329A1. Автор: Timothy David Anderson,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Write control for read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US20230013270A1. Автор: Timothy David Anderson,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Write control for read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US12001282B2. Автор: Timothy David Anderson,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for performing spatial read-modify-write operations

Номер патента: WO1997030412A1. Автор: Clay Von Mueller,Robert J. Mos. Владелец: Dh Technology, Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

MEMORY DEVICE FOR PERFORMING PARALLEL READ-MODIFY-WRITE OPERATION

Номер патента: US20190087263A1. Автор: CHA SANG-UHN,JUN In-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

System and Method for Reduced Latency of Read-Modify-Write Operations

Номер патента: US20210209030A1. Автор: Xie Hongmei,Gorrle Dhanunjaya Rao,Kwon Hyuk Il. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Method and system for performing a read-modify-write operation on a network element

Номер патента: US20170339015A1. Автор: Robert Marinelli,Aaron Levitan,Neal Thomas Nuckolls,Grzegorz Poloczek. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

PIPELINED READ-MODIFY-WRITE OPERATIONS IN CACHE MEMORY

Номер патента: US20200371877A1. Автор: Chachad Abhijeet Ashok,Thompson David Matthew,WU Daniel Brad. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

WRITE CONTROL FOR READ-MODIFY-WRITE OPERATIONS IN CACHE MEMORY

Номер патента: US20200371918A1. Автор: Chachad Abhijeet Ashok,Thompson David Matthew,Anderson Timothy David,WU Daniel Brad. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Methods and apparatus for improving read/modify/write operations

Номер патента: US6226017B1. Автор: J. Andrew Goossen,Andrew C. Godfrey. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Pipelined read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US20220156149A1. Автор: David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Pipelined read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: WO2020243102A1. Автор: Timothy David Anderson,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-12-03.

Pipelined read-modify-write operations in cache memory

Номер патента: US20200371877A1. Автор: David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Daniel Brad WU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Photochromic polymers for three dimensional optical random access memory

Номер патента: RU2345997C2. Автор: Валерий Александрович Барачевский,Сергей Николаевич Иванов,Алексей Иванович Ковалев,Валерий Александрович Васнев,Игорь Викторович Заварзин,Михаил Владимирович Алфимов,Александр Львович РУСАНОВ,Александр Александрович Дунаев,Михаил Михайлович Краюшкин,Владимир Николаевич Яровенко,Юрий Александрович Пьянков,Мухаммед Ластанбиевич Кештов,нков Юрий Александрович Пь,Юрий Петрович Строкач. Владелец: Центр Фотохимии Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-02-10.

Single clock data communication in direct stream digital system

Номер патента: WO2004044897A3. Автор: Jason Powell Rhode,Aryesh Amar,Brian David Trotter. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Single clock data communication in direct stream digital system

Номер патента: EP1568015A2. Автор: Jason Powell Rhode,Aryesh Amar,Brian David Trotter. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Single clock data communication in direct stream digital system

Номер патента: US20040091063A1. Автор: Aryesh Amar,Brian Trotter,Jason Rhode. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Single clock data communication in direct stream digital system

Номер патента: WO2004044897A2. Автор: Jason Powell Rhode,Aryesh Amar,Brian David Trotter. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-05-27.

Magnetic random access memory

Номер патента: US09459961B2. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Stack-memory-based writable instruction set computer having a single data bus

Номер патента: US5053952A. Автор: Philip J. Koopman, Jr.,Glen B. Haydon. Владелец: WISC Tech Inc. Дата публикации: 1991-10-01.

Method and apparatus for non-atomic level parity protection for storing data in a random access memory

Номер патента: US5325375A. Автор: Thomas E. Westberg. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1994-06-28.

Asynchronous multiport parallel access memory system for use in a single board computer system

Номер патента: US4654788A. Автор: Daniel A. Boudreau,Edward R. Salas. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1987-03-31.

Method and apparatus for accessing a memory core multiple times in a single clock cycle

Номер патента: US20040109381A1. Автор: Eric Badi,Jean-Marc Bachot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Broadside random access memory for low cycle memory access and additional functions

Номер патента: US20190369996A1. Автор: David Alston Lide,Pratheesh Gangadhar Thalakkal Kottilaveedu,Thomas Anton Leyrer,William Cronin WALLACE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Dynamic Management of Random Access Memory

Номер патента: US20120215975A1. Автор: Loic Pallardy,Michel Catrouillet. Владелец: ST Ericsson France SAS. Дата публикации: 2012-08-23.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Broadside random access memory for low cycle memory access and additional functions

Номер патента: US20210224070A1. Автор: David Alston Lide,Pratheesh Gangadhar Thalakkal Kottilaveedu,Thomas Anton Leyrer,William Cronin WALLACE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

State machine architecture with multiplexed random access memory

Номер патента: CA2234493C. Автор: Larrie Simon Carr,Winston Ki-Cheong Mok. Владелец: PMC Sierra Ltd. Дата публикации: 2002-12-31.

Multidimensional storage array and method utilizing an input shifter to allow an entire column or row to be accessed in a single clock cycle

Номер патента: US09442661B2. Автор: Charles J. Camp,Thomas Parnell,Tobias Blaettler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Logic for generating multiple clock pulses within a single clock cycle

Номер патента: US4217639A. Автор: Henry F. Hartley,Ralph G. Schuberth. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1980-08-12.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A2. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-08-17.

Superscalar microprocessor employing a data cache capable of performing store accesses in a single clock cycle

Номер патента: US5987561A. Автор: David B. Witt,Rajiv M. Hattangadi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Multidimensional partitioned storage array and method utilizing input shifters to allow multiple entire columns or rows to be accessed in a single clock cycle

Номер патента: US09715343B2. Автор: Charles J. Camp,Thomas Parnell,Tobias Blaettler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Circuitry and method for performing two operating instructions during a single clock in a processing device

Номер патента: US5598545A. Автор: Yutaka Takahashi,Seiichi Yamamoto,Peter Reinecke,Jim Childers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Single clock lane operation for a main band of a die-to-die connection

Номер патента: US20240345976A1. Автор: Lekhya Pavani GODAVARTHI,Ravindranath DODDI,Umamaheshwaran V,Afreen HAIDER,Harinatha Reddy RAMIREDDY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Single clock lane operation for a main band of a die-to-die connection

Номер патента: WO2024215417A1. Автор: Lekhya Pavani GODAVARTHI,Ravindranath DODDI,Umamaheshwaran V,Afreen HAIDER,Harinatha Reddy RAMIREDDY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and apparatus for implementing a single clock cycle line replacement in a data cache unit

Номер патента: US5526510A. Автор: Andrew F. Glew,Glenn J. Hinton,Paul D. Madland,Haitham Akkary,Mandar S. Joshi,Rob Murray,Brent E. Lince. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-06-11.

Accessing of a modified word organized random access memory

Номер патента: CA1058768A. Автор: David C. Van Voorhis,Thomas H. Morrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A3. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Jani Klint. Дата публикации: 2007-01-18.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: WO2021061596A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: US20210089663A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: EP4035052A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Apparatus and method of accessing random access memory

Номер патента: EP1031083A1. Автор: David Ashley Brown. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 2000-08-30.

Random access memory with bit or byte addressing capability

Номер патента: US4099253A. Автор: Philip G. Dooley, Jr.. Владелец: DYNAGE Inc. Дата публикации: 1978-07-04.

Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage

Номер патента: EP2761469A1. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Tony Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

System for providing gapless data transfer from page-mode dynamic random access memories

Номер патента: US5278967A. Автор: Brian W. Curran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-01-11.

Method and system for providing instant responses to sleep state transitions with non-volatile random access memory

Номер патента: US09958926B2. Автор: Raj K. Ramanujan,Vincent J. Zimmer,Blaise Fanning,Michael Rothman,Leena K. Puthiyedath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method and apparatus for supporting a plurality of load accesses of a cache in a single cycle to maintain throughput

Номер патента: US20180150403A1. Автор: Karthikeyan Avudaiyappan,Sourabh Alurkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated Sensor Device with Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210397771A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Dynamic random-access memory (dram) configured for block transfers and method thereof

Номер патента: US20240086346A1. Автор: Weidong Zhang. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Real-Time Quantum Random Access Memory

Номер патента: US20230229948A1. Автор: Hichem El Euch,Ashraf KHALIL,Mohammed Abdellatif Abdelaal Zidan,Abdulhaleem Mohamed Ahmed Abdelaty,Mahmoud Mohamed Ahmed Abdel-Aty. Владелец: Abu Dhabi University. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated sensor device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257651A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and apparatus for supporting a plurality of load accesses of a cache in a single cycle to maintain throughput

Номер патента: US09916253B2. Автор: Karthikeyan Avudaiyappan,Sourabh Alurkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Approach for allocating virtual bank managers within a dynamic random access memory (DRAM) controller to physical banks within a DRAM

Номер патента: US09436625B2. Автор: John H. Edmondson,Shu-Yi Yu,Ram Gummadi. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Systems and methods for supporting a plurality of load accesses of a cache in a single cycle

Номер патента: US09430410B2. Автор: Mohammad Abdallah,Karthikeyan Avudaiyappan. Владелец: Soft Machines Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Edge sensitive single clock latch apparatus with a skew compensated scan function

Номер патента: US4692633A. Автор: Chuck H. Ngai,Gerald J. Watkins. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Neuromorphic computing in dynamic random access memory

Номер патента: US20200285945A1. Автор: Daniel WADDINGTON,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory

Номер патента: US09829951B2. Автор: Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Stack processor using a ferroelectric random access memory (F-RAM) for code space and a portion of the stack memory space having an instruction set optimized to minimize processor stack accesses

Номер патента: US09588881B2. Автор: Franck Fillere. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: US20210165580A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: EP4070202A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Intelligent Microphone having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210398542A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Intelligent microphone having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257579A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Application pre-layout in byte-addressable persistent random access memory

Номер патента: US09952879B2. Автор: KY Srinivasan,Edmund NIGHTINGALE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Memory-access management method and system for synchronous dynamic random-access memory or the like

Номер патента: WO2003083661A1. Автор: Jiin Lai,Chihkuo Kao. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Processor with single clock decode architecture employing single microROM

Номер патента: US5644741A. Автор: Raul A. Garibay, Jr.,Mark W. Hervin,Mark W. Bluhm,Steven C. McMahan. Владелец: Cyrix Corp. Дата публикации: 1997-07-01.

Providing single data rate (sdr) mode or double data rate (ddr) mode for the command and address (ca) bus of registering clock drive (rcd) for dynamic random access memory (dram)

Номер патента: EP3586237A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Surveillance Camera Upgrade via Removable Media having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20230007317A1. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Force page paging scheme for microcontrollers of various sizes using data random access memory

Номер патента: US20010030905A1. Автор: Randy Yach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Programmable logic device with subroutine stack and random access memory

Номер патента: US5042004A. Автор: Kapil Shankar,Om Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-08-20.

Method of preventing pry for random access memory

Номер патента: US20170316218A1. Автор: Shaw Hwa Hwang,Bing Chih Yao,Cheng Yu Yeh,Yao Hsing Chung,Chi Jung Huang,Li Te Shen,Ning Yun KU,Kuan Lin Chen,Shun Chieh Chang,Ming Che Yeh,Chao Ping Chu,Tzu Hung Lin. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-02.

Providing single data rate (sdr) mode or double data rate (ddr) mode for the command and address (ca) bus of registering clock drive (rcd) for dynamic random access memory (dram)

Номер патента: US20180246665A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

System setting operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US11899584B2. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

System setting including operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US20240152456A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Wearable electronic device with built-in intelligent monitoring implemented using deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257372A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Platform storage hierarchy with non-volatile random access memory having configurable partitions

Номер патента: EP2761468A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer,Mark S. Doran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Intelligent digital camera having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257580A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Surveillance camera upgrade via removable media having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12088861B2. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for holding multiple types of diagnostic test consumables in a random access single container

Номер патента: US09731847B2. Автор: Jens H. Jorgensen,Joseph Wycallis. Владелец: Ortho Clinical Diagnostics Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Video compression in removable storage device having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12135671B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory controller having all dram address and control signals provided synchronously from a single device

Номер патента: CA2118662C. Автор: Gary W. Thome,Paul A. Santeler. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

Communicating random access memory

Номер патента: US4616310A. Автор: Richard E. Matick,Frederick H. Dill,Daniel T. Ling,Dennis J. McBride. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Memory controller having all DRAM address and control singals provided synchronously from a single device

Номер патента: US5652856A. Автор: Gary W. Thome,Paul A. Santeler. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1997-07-29.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: EP4246337A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: US20230289063A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: US20230333928A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Register file management for operations using a single physical register for both source and result

Номер патента: US09582286B2. Автор: Francesco Spadini,Gregory W. Smaus,Debjit Das Sarma,Ganesh VENKATARAMANAN,Betty A. McDaniel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and system for secure management of backup copies of states of remote computing devices, with the function of encryption of random access memory on a central processing unit, using quantum key distribution

Номер патента: RU2739135C1. Автор: Олег Дмитриевич Гурин. Владелец: Олег Дмитриевич Гурин. Дата публикации: 2020-12-21.

Random access memory apparatus for a waveform measuring apparatus

Номер патента: US4093995A. Автор: Steven R. Smith,Frederick A. Rose. Владелец: Norland Corp. Дата публикации: 1978-06-06.

Branch predictor using random access memory

Номер патента: CA1162313A. Автор: James E. Smith. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Random access memory assembly

Номер патента: US5819304A. Автор: William Schmidt,Kelvin D. Nilsen. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1998-10-06.

Random access memory systems

Номер патента: GB1496563A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1977-12-30.

Chipset Attached Random Access Memory

Номер патента: US20240053891A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and Bus for Accessing Dynamic Random Access Memory

Номер патента: US20170262404A1. Автор: Hu Liu,Jun Liang,Zhiqiang Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Intelligent low power modes for deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2022031447A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory access management for low-power use cases of a system on chip via secure non-volatile random access memory

Номер патента: WO2019089155A1. Автор: Azzedine Touzni,Dexter Tamio Chun,Yanru Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-09.

Stack processor using a ferroelectric random access memory (f-ram) for code space and a portion of the stack memory space having an instruction set optimized to minimize processor stack accesses

Номер патента: US20120297120A1. Автор: Franck Fillere. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Chipset attached random access memory

Номер патента: WO2024035452A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Random access memory power savings

Номер патента: WO2019045931A1. Автор: Sebastien Andre Jean. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Peer-to-peer non-volatile random-access memory

Номер патента: US20180095871A1. Автор: Ronald Karr,Peter E. Kirkpatrick,Roland Dreier. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and apparatus for simulating a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US20040102943A1. Автор: Joseph Nahas. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-05-27.

Methods for fabricating artificial neural networks (ANN) based on doped semiconductor resistive random access memory (RRAM) elements

Номер патента: US11024803B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Systems and Methods for Managing Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20200004691A1. Автор: Jani Kokkonen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Random access method and apparatus, terminal, and readable storage medium

Номер патента: US20230232459A1. Автор: Li Chen. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Random access procedure selection

Номер патента: EP4104314A1. Автор: Jeroen Wigard,Istvan Zsolt Kovacs,Mads LAURIDSEN,Rafhael MEDEIROS DE AMORIM. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-12-21.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Static random-access memory (SRAM) cell array and forming method thereof

Номер патента: US09728541B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Layouts and fabrication methods for static random access memory

Номер патента: US09679902B2. Автор: Yu Li,Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Static random access memory (SRAM) cells including vertical channel transistors

Номер патента: US09721957B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Donghwan Kim,Suhwan Kim,Sungkweon Baek,Taehyun An,Yubin Kim,Jin Soak Kim,Gabjin Nam,Eunae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US10468420B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US9941288B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Four transistors static-random-access-memory and forming method

Номер патента: US20020094616A1. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating a static random access memory

Номер патента: US6287909B1. Автор: Yu-Chih Chuang,Tse-Yi Lu,Yi-Min Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317087A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (SRAM) and manufacture thereof

Номер патента: US11152379B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240373615A1. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

High performance and low power three-dimensional static random access memory and method of forming same

Номер патента: US20240373617A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-11-07.

Static random access memory

Номер патента: US09831250B2. Автор: Feng-Ming Chang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Hardmask for a halo/extension implant of a static random access memory (SRAM) layout

Номер патента: US09761594B2. Автор: Randy Mann,Xusheng Wu,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Static random access memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09754947B2. Автор: Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601497B1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Static random access memory

Номер патента: US09589966B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Static random access memory

Номер патента: US09379119B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5650350A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5739056A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Four transistors static-random-access-memory

Номер патента: US6686635B2. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Method of making a load resistor of a static random access memory on a semiconductor wafer

Номер патента: US6046080A. Автор: Yi-Tyng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12082388B2. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Static random access memory

Номер патента: US09484349B1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11785755B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Static random access memory device having a memory cell array region in which a unit cell is arranged in a matrix

Номер патента: US6118158A. Автор: Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: WO2000067321A3. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-04-26.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: EP1206801A2. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-05-22.

One-bit memory cell in static random access memory device with PMOS thin film transistor load pair

Номер патента: US5404030A. Автор: Jhang-Rae Kim,Sung-Bu Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-04.

Method for fabricating embedded static random access memory

Номер патента: US20090023256A1. Автор: Chien-Li Kuo,Tung-Hsing Lee,Chih-Ming Su,Yun-San Huang,Buo-Chin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Method of making single layer thin film transistor static random access memory cell

Номер патента: US5451534A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Method for making static random-access memory device

Номер патента: US4774203A. Автор: Shuji Ikeda,Satoshi Meguro,Sho Yamamoto,Kotaro Nishimura,Nobuyoshi Tanimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-27.

Single layer thin film transistor static random access memory cell

Номер патента: US5592011A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-07.

Static random access memory and its layout pattern

Номер патента: US20240147683A1. Автор: Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of making static random access memory cell having a trench field plate for increased capacitance

Номер патента: US5879980A. Автор: Raymond T. Lee,Asim A. Selcuk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

One-transistor static random access memory with integrated vertical PNPN device

Номер патента: US7781797B2. Автор: Robert C. Wong,Phung T. Nguyen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Stacked random-access memory devices with refrigeration

Номер патента: US20230275067A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High resistivity carbide or nitride film for four transistor static random access memory structures (4T SRAM)

Номер патента: GB2357185A. Автор: Vivek Saxena,Seungmoo Choi,Amal Ma Hamad,Felix Llevada,Pai H Yih. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970003952A. Автор: 김규철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-29.

Integrated circuit including static random access memory device

Номер патента: US20230389258A1. Автор: Tae-hyung Kim,Dae Young Moon,Eo Jin LEE,Ho Young TANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11088149B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180350820A1. Автор: Chong-De LIEN,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Layout pattern of static random access memory and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216220A1. Автор: Wei-Chi Lee,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Layout pattern of a static random access memory

Номер патента: US20200083232A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Static random-access memory (sram) and manufacture thereof

Номер патента: US20180337190A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11832429B2. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Static random-access memory (sram) devices

Номер патента: US20190122938A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Static random access memory cell

Номер патента: US11864368B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Kuo-Hung Lo,Shau-Wei LU,Jordan HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional static random-access memory and preparation method therefor

Номер патента: US20230005937A1. Автор: Huaxiang Yin,XIANG Lin,Zhanfeng LIU,Yanna Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-01-05.

Static random access memory cells with arranged vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US20190355730A1. Автор: Randy W. Mann,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Static random-access memory (SRAM) and manufacture thereof

Номер патента: US10490561B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200035689A1. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230413503A1. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Static random-access memory (sram) and manufacture thereof

Номер патента: US20200006357A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Static random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343250A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Static random access memory

Номер патента: US20160322366A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Static random access memory cell

Номер патента: US20200126997A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Kuo-Hung Lo,Shau-Wei LU,Jordan HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Bit Cell for Static Random Access Memory

Номер патента: US20230413504A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-21.

Static random access memory

Номер патента: US20170256549A1. Автор: Feng-Ming Chang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor

Номер патента: US4649625A. Автор: Nicky C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

ReRAM STRUCTURE FORMED BY A SINGLE PROCESS

Номер патента: US20190341546A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

ReRAM STRUCTURE FORMED BY A SINGLE PROCESS

Номер патента: US20200006648A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Transmission of multi-slot modified random access channel with extended coverage

Номер патента: RU2718965C1. Автор: Юрген ХОФМАНН,Хартмут ВИЛЬГЕЛЬМ,Сатхиаселан СУНДАРАЛИНГАМ,Сринивасан СЕЛВАГАНАПАТХИ,Мунендер ЧИРАНДЖИ. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-04-15.

Dynamic random access memory

Номер патента: EP1148545A3. Автор: Ulrike Gruening,Rainer Florian Schnabel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-08-02.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: WO2024151641A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Single-clock-based multiple-clock frequency generator

Номер патента: US8595538B2. Автор: Peiqi XUAN,Yifeng Zhang,Kanyu Cao,Xiaodong Jin. Владелец: Quintic Holdings Cayman Islands. Дата публикации: 2013-11-26.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of and operating architectural enhancement for multi-port internally cached dynamic random access memory (AMPIC DRAM) systems, eliminating external control paths and random memory addressing, while providing zero bus contention for DRAM access

Номер патента: US6138219A. Автор: Subhasis Pal,Satish S. Soman. Владелец: Nexabit Networks Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Random access preamble slot allocation

Номер патента: EP4064603A1. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Random Access Preamble Slot Allocation

Номер патента: US20200015276A1. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-01-09.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Random access preamble slot allocation

Номер патента: US12068998B2. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-20.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09839121B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of preliminary resource definition at random access, user device and base station

Номер патента: RU2638181C2. Автор: Фан НАНЬ,Чжэн ЮЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-12.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US20230087231A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US12108685B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Random access in a single-frequency communication network

Номер патента: RU2751998C2. Автор: Андреас Шмидт,Мартин ХАНС,Маик БИЕНАС. Владелец: АйПиКОМ ГМБХ УНД КО. КГ. Дата публикации: 2021-07-21.

Method and device for processing random access preamble

Номер патента: RU2658187C2. Автор: Бин ЛИ,Ки ГУО,Мейлинг ДИНГ. Владелец: ЗэтТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-19.

Single gate three-dimensional (3d) dynamic random- access memory (dram) devices

Номер патента: WO2024063895A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method for controlling volume with a single knob

Номер патента: US7596233B2. Автор: Kuan-Hong Hsieh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-29.

Single gate three-dimensional (3d) dynamic random-access memory (dram) devices

Номер патента: US20240098971A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and apparatus for selecting random access configuration and uplink carrier for random access procedure based on physical downlink control channel order in wireless communication system

Номер патента: US20240357666A1. Автор: Soenghun KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478741B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory

Номер патента: US20230008840A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Xianqin Hu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-12.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Dynamic random access memory and forming method therefor

Номер патента: US20240244833A1. Автор: XING Yu,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Dynamic random access memory structure

Номер патента: US20200006347A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US20160240777A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US9711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making dynamic random access memory having a reliable contact

Номер патента: US5288655A. Автор: Toshio Nomura,Daitei Shin,Masaaki Higasitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-02-22.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Random access channel enhancements for supporting two timing advances configured with respect to a single serving cell with user equipment triggered random access channels

Номер патента: WO2024206101A1. Автор: Hong He,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Jie Cui,Chunxuan Ye. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133474B2. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive random access memory

Номер патента: US09773975B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Low leakage non-planar access transistor for embedded dynamic random access memory (eDRAM)

Номер патента: US09741721B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Rahul RAMASWAMY,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US09711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09537086B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09525125B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US09496493B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Doped oxide dielectrics for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425394B2. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09385314B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Heng-Yuan Lee,pei-yi Gu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Random access with switching of parts of bandwidth

Номер патента: RU2739330C1. Автор: Чуньли ВУ,Бенуа СЕБИР,Самули ТУРТИНЕН. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-12-22.

Transmitting a random access response message

Номер патента: RU2687033C1. Автор: Рапепат РАТАСУК,Юань Тао ЧЗАН,Янь Цзи ЧЗАН,Нитин МАНГАЛВЕДЕ. Владелец: Нокиа Солюшнс энд Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2019-05-06.

Methods and structures for controlling retransmission of device over random access channel in wireless communication network

Номер патента: RU2699394C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Бьёрн ХОФСТРЁМ,Джон Уолтер ДИАЧАЙНА,Клаэс-Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-09-05.

Single clock reference for compressed domain processing systems

Номер патента: CA2400421C. Автор: Alfonse Anthony Acampora,Paul Wallace Lyons,John Prickett Beltz,Victor Vincent D'Alessandro,Clifford Arthur Pecota. Владелец: Leitch Inc. Дата публикации: 2007-02-06.

Method for manufacturing crown-shaped storage capacitors on dynamic random access memory cells

Номер патента: US5700731A. Автор: Daniel Hao-Tien Lee,John C. H. Lin,Meng-Jaw Cherng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-12-23.

Programmable logic array with single clock dynamic logic

Номер патента: CA1260560A. Автор: Bradley S. Masters,Randall M. Chung. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Magnetoresistive random-access memory with top and bottom electrodes deposited in unison

Номер патента: US20240090337A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Random access response techniques based on synchronization signal block transmissions

Номер патента: EP3695659A1. Автор: Navid Abedini,Juergen Cezanne,Bilal SADIQ,Muhammad Nazmul ISLAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-19.

Random access response techniques based on synchronization signal block transmissions

Номер патента: WO2019074702A1. Автор: Navid Abedini,Juergen Cezanne,Bilal SADIQ,Muhammad Nazmul ISLAM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US20010017670A1. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US6559897B2. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-06.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: US20240237359A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of unified control of random access and traffic ingress in a congested radio access network

Номер патента: US20150289195A1. Автор: Aleksandar Gogic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Control of random access and traffic ingress in a congested radio access network

Номер патента: EP3130177A1. Автор: Aleksandar Gogic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Control of random access and traffic ingress in a congested radio access network

Номер патента: WO2015157214A1. Автор: Aleksandar Gogic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-15.

Random access memory

Номер патента: US20020001901A1. Автор: Kirk Prall,Christopher Murphy,D. Durcan,Robert Kerr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20020061610A1. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Le-Tien Jung,Ling-Yuk Tsang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Random access channel enhancements for supporting two timing advances configured with respect to a single serving cell with physical downlink control channel orders

Номер патента: WO2024206098A1. Автор: Hong He,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Chunxuan Ye. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Conductive oxide random access memory (CORAM) cell and method of fabricating same

Номер патента: US09548449B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for making self-aligned node contacts to bit lines for capacitor-over-bit-line structures on dynamic random access memory (DRAM) devices

Номер патента: US5837577A. Автор: George Meng-Jaw Cherng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Method and apparatus for mapping the primary operational sequences of an algorithm in a compute unit having an internal random access memory

Номер патента: US7650322B2. Автор: Yosef Stein,Hazarathaiah Malepati,Gregory M. Yukna. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-19.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

Номер патента: US20140291600A1. Автор: Jinn Chu,Berhanu Tulu Kacha,Wen-Zhi Chang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-10-02.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Random Access Preamble Slot Allocation

Номер патента: US20210212127A1. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-07-08.

Random access preamble slot allocation

Номер патента: EP3590215A1. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-01-08.

Random Access Preamble Slot Allocation

Номер патента: US20230119731A1. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-04-20.

Stacked conductive bridge random access memory and access devices

Номер патента: US20230200269A1. Автор: Takashi Ando,Gloria Wing Yun Fraczak,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Static signal value storage circuitry using a single clock signal

Номер патента: US20140306744A1. Автор: David Theodore Blaauw,Dennis Michael Sylvester,Yejoong KIM,Michael B. HENRY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-16.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Random access in a wireless communication network

Номер патента: EP4133877A1. Автор: Jan Christoffersson,Min Wang,Johan Rune,Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN,Henrik Enbuske. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-02-15.

Methods and arrangements for supporting a random access procedure

Номер патента: EP3513612A1. Автор: Nicklas Johansson,Mårten Sundberg,Stefan Eriksson Löwenmark,John Walter Diachina,Gustav Almquist. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2019-07-24.

Method and apparatus for accessing an uplink random access channel in a singular carrier frequency division multiple access system

Номер патента: US09839046B2. Автор: Guodong Zhang,Allan Y. Tsai,Kyle Jung-Lin Pan. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Frequency hopping for random access

Номер патента: US09756662B2. Автор: Yufei Blankenship,Yi-Pin Eric Wang,Xingqin LIN,Asbjörn Grövlen,Yutao Sui,Ansuman Adhikary,Hazhir SHOKRI RAZAGHI,Johan Mikael Bergman. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-09-05.

Radio communication system, base station device, mobile station device, and random access method

Номер патента: US09730221B2. Автор: Yasuyuki Kato,Yasuo Sugawara,Shohei Yamada,Daiichiro Nakashima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Cross-scheduling for random access response

Номер патента: RU2577481C2. Автор: Чуньли ВУ,Бенуа Пьер СЕБИР. Владелец: Нокиа Солюшнз энд Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2016-03-20.

Conductive-bridging random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10181560B2. Автор: Chu-Jie HUANG,Tseung-Yuen Tseng,Chun-An Lin,Guang-Jyun DAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for manufacturing an internally shielded dynamic random access memory cell

Номер патента: US5352621A. Автор: Jae-Kap Kim,In-Sool Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-04.

Output circuit for producing positive and negative pulses at a single output terminal

Номер патента: US4940904A. Автор: Cheng F. Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1990-07-10.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11882773B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Resistive random access memory

Номер патента: US20240107901A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Resistive random access memory and method for initializing the same

Номер патента: US20220069208A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wen-Chung Chen,Yi-Ting Tseng,Chun-Chu Lin,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-03.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20200020696A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: AU2021234176B2. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Enhanced contention-free random access (cfra) preamble assignment

Номер патента: EP4374649A1. Автор: UMUR Karabulut,Jedrzej STANCZAK,Ömer BULAKCI,Ahmad Awada,Halit Murat Gürsu. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-05-29.

Vertical resistive random access memory

Номер патента: US20210098533A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Non-transparent inband relay node in a single frequency network

Номер патента: EP4355008A3. Автор: Chao Wei,Wanshi Chen,Le Liu,Alberto RICO ALVARINO,Umesh Phuyal,Ayan Sengupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Methods for fabricating magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240215457A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Hong-Hui Hsu,Yiheng XU,Chih-Yuan Lee. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-transparent inband relay node in a single frequency network

Номер патента: EP4023033A1. Автор: Chao Wei,Wanshi Chen,Le Liu,Alberto RICO ALVARINO,Umesh Phuyal,Ayan Sengupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151801A1. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Random access with bandwidth part switch

Номер патента: CA3082698C. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-04-02.

Random access with bandwidth part switch

Номер патента: EP4301072A3. Автор: SEBIRE Benoist,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-02-21.

Coverage extension of random access channels

Номер патента: US20240113766A1. Автор: Ali ESSWIE. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-04.

Resistive random access memory

Номер патента: US20210175418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20240292765A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional nanoribbon-based dynamic random-access memory

Номер патента: US12058849B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Uygar E. Avci,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Three-dimensional dynamic random access memory with an ancillary electrode structure

Номер патента: US8357964B1. Автор: Chih-Yuan Chen,Chih-Wei Hsiung,Meng-Hsien Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-22.

Ferroelectric random access memory device with seed layer

Номер патента: US12069867B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US12075613B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZING READ-MODIFY-WRITE OPERATIONS IN A RAID 6 VOLUME

Номер патента: US20120290905A1. Автор: . Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2012-11-15.

MEMORY ARCHITECTURE FOR READ-MODIFY-WRITE OPERATIONS

Номер патента: US20130159812A1. Автор: Loh Gabriel H.,Beckmann Bradford M.,"OConnor James M.",Ignatowski Michael,Jayasena Nuwan S.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Cell of static random access memory

Номер патента: RU2573226C2. Автор: Сергей Феофентович Тюрин. Владелец: Сергей Феофентович Тюрин. Дата публикации: 2016-01-20.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2319239C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

RANDOM ACCESS RESPONSE PROCESSING

Номер патента: US20120002606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS CHANNEL RESOURCE ALLOCATION

Номер патента: US20120002617A1. Автор: Vujcic Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hardware component of an index-based weightless neural cortex using a single common index with a systematic expansion

Номер патента: NZ526795A. Автор: Yang Ming Pok,Mikhailov Alexei. Владелец: Mikhailov Alexei. Дата публикации: 2003-11-28.

Error correction means for random access memories

Номер патента: CA1073114A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-03-04.

Method of determining periodicity of inspecting random access memory during operation in radiation conditions of cosmic space on sun-synchronous orbit

Номер патента: RU2438163C1. Автор: Евгений Владимирович Фролков,Александр Владимирович Шатунов. Владелец: Войсковая часть 32103. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of creating antivirus record when detecting malicious code in random-access memory

Номер патента: RU2592383C1. Автор: Алексей Владимирович Монастырский,Денис Александрович Назаров,Михаил Александрович Павлющик. Владелец: Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2016-07-20.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.