Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Random access memory with bit or byte addressing capability

Random access memory with bit or byte addressing capability

Номер патента: US4099253A
Опубликовано: 04-07-1978
Автор(ы): Philip G. Dooley, Jr.
Принадлежит: DYNAGE Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Programmable logic device with subroutine stack and random access memory

Номер патента: US5042004A. Автор: Kapil Shankar,Om Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-08-20.

Random access memory systems

Номер патента: GB1496563A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1977-12-30.

Reference voltage generator for dynamic random access memory

Номер патента: CA2096627C. Автор: Richard Stephen Phillips. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1997-08-19.

Reference voltage generator for dynamic random access memory

Номер патента: US5187429A. Автор: Richard S. Phillips. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

The reliability of computer memory with data movement and address re-mapping

Номер патента: US20240354262A1. Автор: Alastair Wolman,Stefan Saroiu,Lucian COJOCAR,Kevin Robert LOUGHLIN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage

Номер патента: EP2761469A1. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Tony Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Dynamic Management of Random Access Memory

Номер патента: US20120215975A1. Автор: Loic Pallardy,Michel Catrouillet. Владелец: ST Ericsson France SAS. Дата публикации: 2012-08-23.

Apparatus and method of accessing random access memory

Номер патента: EP1031083A1. Автор: David Ashley Brown. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 2000-08-30.

Platform storage hierarchy with non-volatile random access memory having configurable partitions

Номер патента: EP2761468A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer,Mark S. Doran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: EP4459468A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US12073897B2. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-27.

Implementing an asymmetric memory with random port ratios using dedicated memory primitives

Номер патента: US11416659B1. Автор: Bing Tian,Nithin Kumar Guggilla,Pradip Kar. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-08-16.

Joint command dynamic random access memory (DRAM) apparatus and methods

Номер патента: US12135901B2. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-11-05.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US09734909B2. Автор: Tsai-Kan Chien,Lih-Yih Chiou,Yi-Sung Tsou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-08-15.

Multi-level memory with direct access

Номер патента: US09703502B2. Автор: Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami,Frank T. Hady,Raymond S. Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic random access memory (MRAM)-based frame buffering apparatus, display driving apparatus and display apparatus including the same

Номер патента: US09805444B2. Автор: Dae-Shik Kim,Bo-Young Seo,Gwan-Hyeob Koh,Choong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09852069B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: US20210165580A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: EP4070202A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US11894098B2. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20190035440A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20210217451A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US09715930B2. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20210090618A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20220254392A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method and apparatus to implement an integrated circuit including both dynamic random-access memory (dram) and static random-access memory (sram)

Номер патента: US20230315331A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method, apparatus, device and storage medium for accessing static random access memory

Номер патента: US20200159658A1. Автор: Jing Wang,Xiaozhang Gong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

System setting operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US11899584B2. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

System setting including operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US20240152456A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Storage method and apparatus for random access memory using codeword storage

Номер патента: US9691450B1. Автор: Amin Shokrollahi,Harm Cronie. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2017-06-27.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Force page paging scheme for microcontrollers of various sizes using data random access memory

Номер патента: US20010030905A1. Автор: Randy Yach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Accessing of a modified word organized random access memory

Номер патента: CA1058768A. Автор: David C. Van Voorhis,Thomas H. Morrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

Reliability of computer memory with data movement and address re-mapping

Номер патента: US20230129255A1. Автор: Alastair Wolman,Stefan Saroiu,Lucian COJOCAR,Kevin Robert LOUGHLIN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Dynamic random access memory (dram) with configurable wordline and bitline voltages

Номер патента: US20240257860A1. Автор: Gary Bela Bronner,Brent Steven Haukness,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Communicating random access memory

Номер патента: US4616310A. Автор: Richard E. Matick,Frederick H. Dill,Daniel T. Ling,Dennis J. McBride. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Integrated cache memory with system control logic and adaptation of RAM bus to a cache pinout

Номер патента: US6131140A. Автор: Thurman J. Rodgers,Peter Voss,Raymond M. Leong,Tek Wei. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: EP2839462A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: WO2013158958A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-24.

Dynamic random access memory (DRAM) backchannel communication systems and methods

Номер патента: US09881656B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory-access management method and system for synchronous dynamic random-access memory or the like

Номер патента: WO2003083661A1. Автор: Jiin Lai,Chihkuo Kao. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Streaming access memory device, system and method

Номер патента: US11823771B2. Автор: Surinder Pal Singh,Giuseppe Desoli,Thomas Boesch,Anuj Grover,Nitin Chawla. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-21.

Random access memory power savings

Номер патента: WO2019045931A1. Автор: Sebastien Andre Jean. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Peer-to-peer non-volatile random-access memory

Номер патента: US20180095871A1. Автор: Ronald Karr,Peter E. Kirkpatrick,Roland Dreier. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Systems and Methods for Managing Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20200004691A1. Автор: Jani Kokkonen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: US20170286214A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: EP3436957A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: WO2017172258A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Random access memory assembly

Номер патента: US5819304A. Автор: William Schmidt,Kelvin D. Nilsen. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1998-10-06.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US20230343405A1. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-26.

Speculative exit from power down mode of a dynamic random access memory rank

Номер патента: EP3867730A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: EP4266313A1. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-25.

Method and apparatus for accessing banked embedded dynamic random access momory devices

Номер патента: US20030005211A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Application pre-layout in byte-addressable persistent random access memory

Номер патента: US09952879B2. Автор: KY Srinivasan,Edmund NIGHTINGALE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A2. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-08-17.

Method and system for providing instant responses to sleep state transitions with non-volatile random access memory

Номер патента: US09958926B2. Автор: Raj K. Ramanujan,Vincent J. Zimmer,Blaise Fanning,Michael Rothman,Leena K. Puthiyedath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated Sensor Device with Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210397771A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Integrated sensor device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257651A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Fail-safe random access memory

Номер патента: RU2579954C2. Автор: Александр Алексеевич Павлов,Алексей Николаевич Царьков,Александр Викторович Гусев,Алексей Александрович Павлов,Денис Евгеньевич Сорокин,Алексей Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Институт управления образованием Российской академии образования" (ФГБНУ "ИУО РАО"). Дата публикации: 2016-04-10.

Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory

Номер патента: US09829951B2. Автор: Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: WO2021207237A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: US11942135B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Deep Learning Accelerator and Random Access Memory with a Camera Interface

Номер патента: US20210319823A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: WO2018102538A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-07.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20170315768A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US09715419B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Byte addressable memory for variable length instructions and data

Номер патента: CA1183275A. Автор: Martin J. Schwartz,H. Frank Howes,Richard J. Edry. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1985-02-26.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: EP3549024A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Intelligent Microphone having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210398542A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Intelligent microphone having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257579A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Non-volatile random access memory with a control circuit for preventing an initial resistance failure, a solid state drive, and a computer system including the same

Номер патента: US8111559B2. Автор: Jong-Chul Park,Dong Jun Shin,Sun-Mi Yoo,Min Cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-07.

Disturb condition detection for a resistive random access memory

Номер патента: US09734903B2. Автор: Tz-yi Liu,Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Ran ZAMIR,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: WO2021061596A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US11874897B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: US20210089663A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: EP4035052A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A3. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Jani Klint. Дата публикации: 2007-01-18.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20170351627A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance,high-capacity registered memory modules

Номер патента: EP3234784A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-25.

Parity data in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US12061518B2. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09685213B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Self-timed random access memory chip

Номер патента: US4712190A. Автор: Alan Kotok,Paul M. Guglielmi,Ronald J. Melanson. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

Method of preventing pry for random access memory

Номер патента: US20170316218A1. Автор: Shaw Hwa Hwang,Bing Chih Yao,Cheng Yu Yeh,Yao Hsing Chung,Chi Jung Huang,Li Te Shen,Ning Yun KU,Kuan Lin Chen,Shun Chieh Chang,Ming Che Yeh,Chao Ping Chu,Tzu Hung Lin. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-02.

Surveillance Camera Upgrade via Removable Media having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20230007317A1. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Hardware/software co-compressed computing method and system for static random access memory computing-in-memory-based processing unit

Номер патента: US20220366971A1. Автор: Kea-Tiong Tang,Syuan-Hao Sie,Jye-Luen LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-17.

Cross-layer reconfigurable static random access memory (SRAM) based compute-in-memory macro and method for edge intelligence

Номер патента: US12112797B1. Автор: Xinfei GUO,Runxi Wang. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Surveillance camera upgrade via removable media having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12088861B2. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734890B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734878B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and related apparatus for maintaining data stored in a dynamic random access memory

Номер патента: US20040107310A1. Автор: I-Ming Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Wearable electronic device with built-in intelligent monitoring implemented using deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257372A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Intelligent digital camera having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257580A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Controller and control method for dynamic random access memory

Номер патента: US09966129B1. Автор: CHEN CHEN,PENG Shen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Video compression in removable storage device having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12135671B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20240170062A1. Автор: Darsen Duane Lu,Mohammed Aftab BAIG,Siao-Shan HUANG,Fu Yuan CHANG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and system for secure management of backup copies of states of remote computing devices, with the function of encryption of random access memory on a central processing unit, using quantum key distribution

Номер патента: RU2739135C1. Автор: Олег Дмитриевич Гурин. Владелец: Олег Дмитриевич Гурин. Дата публикации: 2020-12-21.

Branch predictor using random access memory

Номер патента: CA1162313A. Автор: James E. Smith. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Method and apparatus for simulating a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US20040102943A1. Автор: Joseph Nahas. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US9047969B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Error recovery in magnetic random access memory after reflow soldering

Номер патента: US20200310930A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and apparatus for testing error correcting code (ecc) function of fpga on-chip block random access memory (bram)

Номер патента: US20240275406A1. Автор: NIU Li,YUE Han,Zheng Wang,Qi Zhou,Yunjie Fan,Jingxiang Wang,Tianping Wang. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Hardware signal logging in embedded block random access memory

Номер патента: US20160217021A1. Автор: Yang Wang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-07-28.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Dynamic random access memory timing adjustments

Номер патента: WO2016048628A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Michael Drop,Raghu Sankuratri. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

System and method to improve enterprise reliability through tracking I/O performance metrics in non-volatile random access memory

Номер патента: US09842660B1. Автор: Ajith Kumar,Vijay Karamcheti,Ashish Singhai,Ashwin Narasimha,Muthugopalkrishnan Adiseshan,Viswesh Sankaran. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Controlling a refresh mode of a dynamic random access memory (DRAM) die

Номер патента: US09754655B2. Автор: Pratik Patel,Mosaddiq Saifuddin,Keunsoo ROH,Sankararao Kunapareddy,Chun Xiang HE,Nicholas AMBUR,Jeremy HAUGEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Intelligent low power modes for deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2022031447A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: US20230333928A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Error correction system for random access memory

Номер патента: US4031374A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1977-06-21.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Dynamic random access memory

Номер патента: NL1042100A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-06-07.

Multi-threaded random access storage device qualification tool

Номер патента: US20030037203A1. Автор: Tanjore Suresh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Dynamic random access memory refresh control system

Номер патента: CA1213675A. Автор: Ronald P. Kappeler,Robert C. Hughes. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1986-11-04.

System on a chip with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021207236A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Magnetoresistive random-access memory (MRAM) random number generator (RNG) and a related method for generating a random bit

Номер патента: US11531524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih,Chih-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

A dynamic random access memory (dram) structure with adaptive body bias voltage depending on temperature limit

Номер патента: WO2021050020A1. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-03-18.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20220365888A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: WO2022093413A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Multi-threaded random access storage device qualification tool

Номер патента: WO2002082274A3. Автор: Tanjore K Suresh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Random access memory apparatus for a waveform measuring apparatus

Номер патента: US4093995A. Автор: Steven R. Smith,Frederick A. Rose. Владелец: Norland Corp. Дата публикации: 1978-06-06.

Real-Time Quantum Random Access Memory

Номер патента: US20230229948A1. Автор: Hichem El Euch,Ashraf KHALIL,Mohammed Abdellatif Abdelaal Zidan,Abdulhaleem Mohamed Ahmed Abdelaty,Mahmoud Mohamed Ahmed Abdel-Aty. Владелец: Abu Dhabi University. Дата публикации: 2023-07-20.

Random access memory imaging system

Номер патента: WO1980002629A1. Автор: J Petty,H Gardner. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-11-27.

Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells

Номер патента: EP4334979A1. Автор: Michael RIZZOLO,Eric Raymond EVARTS,Saba Zare,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Methods for fabricating artificial neural networks (ANN) based on doped semiconductor resistive random access memory (RRAM) elements

Номер патента: US11024803B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Non-volatile memories with mixed oxram/feram technologies

Номер патента: US20230186061A1. Автор: François RUMMENS,Laurent Grenouillet,Alexandre Valentian,Elisa Vianello,Thomas MESQUIDA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-15.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Photochromic polymers for three dimensional optical random access memory

Номер патента: RU2345997C2. Автор: Валерий Александрович Барачевский,Сергей Николаевич Иванов,Алексей Иванович Ковалев,Валерий Александрович Васнев,Игорь Викторович Заварзин,Михаил Владимирович Алфимов,Александр Львович РУСАНОВ,Александр Александрович Дунаев,Михаил Михайлович Краюшкин,Владимир Николаевич Яровенко,Юрий Александрович Пьянков,Мухаммед Ластанбиевич Кештов,нков Юрий Александрович Пь,Юрий Петрович Строкач. Владелец: Центр Фотохимии Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-02-10.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Cell of magnetic random access memory (mram) with self reference inlcudning ferrimagnetic intrinsic layers

Номер патента: RU2599939C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Methods and apparatus for reusing lookup table random-access memory (LUTRAM) elements as configuration random-access memory (CRAM) elements

Номер патента: US09940995B1. Автор: Kenneth Duong,Trevis Chandler,Jung Ko,Dipak Sikdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Static random-access memory (SRAM) sensor for bias temperature instability

Номер патента: US09812188B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US20170140616A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042103A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09786136B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

System and method of forming magnetic random access memory

Номер патента: RU2464672C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-20.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Test system for random access memory

Номер патента: CA1287409C. Автор: Katsuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Sram memory with random deterministic initialization

Номер патента: US20240203487A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11238911B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Method, apparatus and device for operating logical operation array of resistive random access memory

Номер патента: US09767900B2. Автор: Yi Li,Junfeng Zhao,Yaxiong Zhou,Zhulin Wei,Xiangshui Miao,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Ultra-deep compute static random access memory with high compute throughput and multi-directional data propagation

Номер патента: EP3905248A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Chen Koren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-03.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

List sort static random access memory

Номер патента: EP2873075A1. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-20.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetoresistive random access memory for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US11980026B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Chun-Yuan Lo,Chun-Chieh Chao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Multi-channel physical interfaces and methods for static random access memory devices

Номер патента: US20150117092A1. Автор: Dinesh Maheshwari,Derwin W. Mattos,Avi Avanindra. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Customizable plug and play random access memory (ram) module

Номер патента: WO2019150221A1. Автор: Swarna Kumari Adari. Владелец: Adari Swarna Kumari. Дата публикации: 2019-08-08.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Multiport memory with test signal generating circuit controlling data transfer from ram port to sam port

Номер патента: US5233564A. Автор: Tatsuo Ikawa,Shigeo Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-03.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

System for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: EP4386754A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Magnetic random access memory with dual spin torque reference layers

Номер патента: EP2374130A1. Автор: Thomas Clinton,Mike Seigler. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-10-12.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Static random access memory unit structure and static random access memory layout structure

Номер патента: US20170018302A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chin-Sheng Yang,Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: WO1980001733A1. Автор: W Huber,F Procyk,D Clemons,R Cenker. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-08-21.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Magnetic random access memory and electronic device

Номер патента: US20220351767A1. Автор: LI Ye,Wenjing Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Static random access memory (sram) unit and related device

Номер патента: EP3832648A1. Автор: Han Xu,Miao Zheng,Fei QIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Random access memory with volatile data storage

Номер патента: CA1094687A. Автор: Hendrik H.M. Tromp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-27.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Operating voltage tuning method for static random access memory

Номер патента: US20100135093A1. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,fu-chao Liu,Min-Chin Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20180182469A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A3. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2022-01-13.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A2. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-05-14.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Address dependent wordline timing in asynchronous static random access memory

Номер патента: US12068024B2. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Номер патента: US20030210596A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-13.

Test interface for verification of high speed embedded synchronous dynamic random access memory (SDRAM) circuitry

Номер патента: US20020042898A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20070253244A1. Автор: Yu-Jen Wang,Chih-Huang Lai,Denny Tang,Chih-Huo Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09947377B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a dual mode ferroelectric random access memory (FRAM) having imprinted read-only (RO) data

Номер патента: US09711715B2. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

High aspect ratio vertical interconnect access (via) interconnections in magnetic random access memory (MRAM) bit cells

Номер патента: US09704919B1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory with integrated diode

Номер патента: US11915734B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Memory with fram and sram of ic

Номер патента: US20240055049A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Dynamic random access memory apparatus

Номер патента: US20140146597A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11990181B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Leakage compensation circuit for dynamic random access memory (dram) cells

Номер патента: US20100073994A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Ali Keshavarzi,DiaaEldin S. Khalil,Arijit Rayehowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: WO2014066160A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory Devices with Magnetic Random Access Memory (MRAM) Cells and Associated Structures for Connecting the MRAM Cells

Номер патента: US20140361392A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09941287B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Static random access memory (SRAM) with recovery circuit for a write operation

Номер патента: US09799394B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09767868B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Write driver circuits for resistive random access memory (RAM) arrays

Номер патента: US09583171B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic non-volatile random access memory

Номер патента: US5396455A. Автор: Michael J. Brady,Richard J. Gambino,Lia Krusin-Elbaum,Ralph R. Ruf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Multiple bank memory with auto refresh to specified bank

Номер патента: US5627791A. Автор: Hua Zheng,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Resistive random access memory with electric-field strengthened layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US9099178B2. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Peng Zhou,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-04.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of accessing syncronous dynamic random access memory in scanner

Номер патента: US20020133667A1. Автор: Kuo-Jeng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Sparsity-aware reconfigurable compute-in-memory (cim) static random access memory (sram)

Номер патента: US20230178125A1. Автор: Indranil Chakraborty,Kaushik Roy,Utkarsh Saxena,Amogh Agrawal,Mustafa Fayez Ahmed Ali,Aayush ANKIT. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: EP2948954A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: EP2909837A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US11875847B2. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Stmicroelectro Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2024-01-16.

Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory

Номер патента: US09698202B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-referenced magnetic random access memory

Номер патента: US09679626B2. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Static random access memory with improved noise immunity

Номер патента: US5636177A. Автор: Chien-Chih Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Static random-access memory (sram) sensor

Номер патента: US20160247554A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Pseudo static random access memory and method for operating pseudo static random access memory

Номер патента: US20200273504A1. Автор: Yukihiro Nomura,Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same

Номер патента: US20030103367A1. Автор: Gabriel Aeppli,David Norris,Christophe Renner,Yeong-Ah Soh. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Assisted write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20210241809A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: WO2014116655A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

Random access memory

Номер патента: US6366504B1. Автор: Frédéric ROBIN,Christian Piguet,Jean-Marc Masgonty,Stefan Cserveny. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2002-04-02.

Memory circuit, dynamic random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20240237328A9. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit and control method for controlling delay lock loop in dynamic random access memory

Номер патента: US20190311761A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Shared source line architectures of perpendicular hybrid spin-torque transfer (stt) and spin-orbit torque (sot) magnetic random access memory

Номер патента: WO2018101998A1. Автор: Shaoping Li,Hong Tsai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-06-07.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: EP1252630A2. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A9. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David R Hanson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A1. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Dynamic random access memory and method for accessing same

Номер патента: US7626843B2. Автор: Shou-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Vertical static random access memory and method of fabricating thereof

Номер патента: US12063766B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Bi-stable static random access memory (sram) bit cells formed from iii-v compounds and configured to achieve higher operating speeds

Номер патента: WO2019050848A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Magnetic random access memory devices including shared heating straps

Номер патента: EP2758961A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Handling of the Transmit Enable Signal in a Dynamic Random Access Memory Controller

Номер патента: US20080046620A1. Автор: Mark Bellows. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230260574A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic random access memory

Номер патента: US12082511B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical Static Random Access Memory and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240341073A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordline landing pads split across boundary edges of the SRAM bit cells

Номер патента: US09876017B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: US09806083B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Spin-transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) with enhanced write current

Номер патента: US09646668B2. Автор: Yuchen Zhou,Ebrahim Abedifard,Mahmood Mozaffari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2176675C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042104A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Flash memory with RDRAM interface

Номер патента: US20030043625A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor memory with boosted word line

Номер патента: WO1986004726A1. Автор: Howard Clayton Kirsch,James Harold Stefany,Clinton Hays Holder, Jr.. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-08-14.

Ferroelectric random access memory device and method for operating the same

Номер патента: US6088257A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Refresh cell for a random access memory

Номер патента: US4805152A. Автор: Grigory Kogan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: CA1133635A. Автор: Donald G. Clemons,Ronald P. Cenker,William R. Huber, Iii,Frank J. Procyk. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-10-12.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Vccmin for a dual port synchronous random access memory (dpsram) cell utilized as a single port synchronous random access memory (spsram) cell

Номер патента: US20140146631A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Static random access memory unit cell structure and static random access memory unit cell layout structure

Номер патента: US20140241027A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Shu-Ru Wang,Po-Chao Tsao,Chia-Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11727974B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Random access memory and method of adjusting read timing thereof

Номер патента: US20150117127A1. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Non-volatile static random access memory incorporating resistive random-access memory

Номер патента: US11984158B2. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: EP2976770A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetoresistive random access memory with data scrubbing

Номер патента: US20240087630A1. Автор: Heng Wu,Eric Raymond EVARTS,Krishna Thangaraj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200020375A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200312393A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20230335171A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20220157360A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

System architecture, structure and method for hybrid random access memory in a system-on-chip

Номер патента: US20240172456A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: US20240194253A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Static random access memory structure and control method thereof

Номер патента: US20130028006A1. Автор: Chun-Yu Chiu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: WO2013090762A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: EP2791940A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2014-10-22.

Static random access memory structure

Номер патента: US20190096892A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chien-Hung Chen,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Random access memory

Номер патента: US20240144994A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Ming-Hsiu Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Structures and methods for embedded magnetic random access memory (mram) fabrication

Номер патента: US20190165042A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Voltage-switched magneto-resistive random access memory (mram) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path

Номер патента: WO2019006066A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-03.

Ferroelectric random access memory (feram) array with segmented plate lines

Номер патента: WO2018081403A1. Автор: Tianhong Yan. Владелец: AUCMOS Technologies USA, Inc.. Дата публикации: 2018-05-03.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2016191046A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: EP3304562A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4240131A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Ultrafast magnetic recording element and nonvolatile magnetic random access memory using the magnetic recording element

Номер патента: EP2206120A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20130021842A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP4397154A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolile Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2024-07-10.

Soft Error Robust Static Random Access Memory Cell Storage Configuration

Номер патента: US20090316505A1. Автор: Manoj Sachdev,Shah M. Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Resistive random-access memory (reram) cell optimized for reset and set currents

Номер патента: US20230096127A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Random access memory data resetting method

Номер патента: US20090168579A1. Автор: Shu-Liang Nin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US20070223269A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Static random access memory

Номер патента: US20210287740A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Oxram oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US20200194671A1. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-18.

OxRAM oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US11329224B2. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-10.

Static random access memory (sram) array power supply circuit

Номер патента: US20190035435A1. Автор: Chia Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang,Dong Xiang LUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Global data line of multi-array synchronous random access memory (sram)

Номер патента: US20230352062A1. Автор: Bin Xie,Hee Choul PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods and apparatuses to reduce power dissipation in a static random access memory (sram) device

Номер патента: US20190147943A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU,Kumar Shuvadeep. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Resistive random-access memory (reram) configured for overcoming the affects of read disturb

Номер патента: WO2024150022A1. Автор: Gabriel Molas,Giuseppe PICCOLBONI. Владелец: Weebit Nano Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetoresistive random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074209A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20140127831A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A2. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: EP3186831A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: WO2016032642A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Metal-oxide-based conductive-bridging random access memory (CBRAM) having the solid electrolyte doped with a second metal

Номер патента: US9431607B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Memcapacitor, programming method for memcapacitor and capacitive random access memory

Номер патента: US20200143864A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015035053A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US7511991B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits including static random access memory blocks with associated addressing and buffering circuits

Номер патента: US20230361059A1. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20230292635A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Data write in control circuit for toggle magnetic random access memory

Номер патента: US20090010087A1. Автор: Young-Shying Chen,Chien-Chung Hung,Chia-Pao Chang,Chung-Chih Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-01-08.

Static random access memory cell and method

Номер патента: US20020085409A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile static random access memory (nvsram) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20240296887A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Sheet random access memory

Номер патента: WO1990003032A1. Автор: Richard M. Lienau,Kenneth E. Pope. Владелец: Bednarz, Joseph, J.. Дата публикации: 1990-03-22.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Pulse generating circuit for dynamic random access memory device

Номер патента: US6114891A. Автор: Dae Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-05.

System and method for reducing critical current or magnetic random access memory

Номер патента: US20090046497A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Xiu Ye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Direct measurement test structures for measuring static random access memory static noise margin

Номер патента: US20200319243A1. Автор: Manuel F. Cabanas-Holmen,Ethan H. Cannon,Mark Yao. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-08.

Magnetic Random Access Memory Devices Including Multi-Bit Cells

Номер патента: US20120314487A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Lucian Prejbeanu,Guillaume Prenat,Lucien Lombard,Ricardo Alves Ferreira Costa E Sousa. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Static Random Access Memory Cell

Номер патента: US20130107609A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Lai-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-05-02.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: US20180061467A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: WO2018038849A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: EP3504711A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Static random access memory device having decreased sensitivity to variations in channel physical characteristics

Номер патента: US20050007831A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Methods of fabricating static random access memories (SRAMS) having vertical transistors

Номер патента: US20070155085A1. Автор: Seung-Heon Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Static random access memory

Номер патента: US20080137398A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Chih Yeh,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Yi-Hsun Chung,Gia-Hua Hsieh. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Magnetic random access memory and method of reducing critical current of the same

Номер патента: US20080205123A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Hsiu Ye. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2008-08-28.

Power supplying circuit and phase-change random access memory including the same

Номер патента: US20090122601A1. Автор: Won-seok Lee,Kwang-Ho Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Data sensing method for dynamic random access memory

Номер патента: US20090323433A1. Автор: Ling Wen Hsiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US20210158850A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnon junction, magnon random access memory, magnon microwave oscillator and detector, electronic device

Номер патента: US20240274177A1. Автор: Tianyi Zhang,Wenqing He,Xiufeng Han,Leina JIANG. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Adaptive control circuit of static random access memory

Номер патента: US12087355B2. Автор: Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20150280120A1. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with end of life margin sensor

Номер патента: US12094510B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy,Thomas Stephen Harp. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044793A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: EP2673779A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US12094517B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Dynamic random access memory

Номер патента: EP1297532A2. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-02.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A3. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-08-02.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: AU2020392975A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: AU2020392975B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: WO2012109094A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

One transistor one magnetic tunnel junction multiple bit magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US12108610B2. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Layout einer static random access memory-zelle

Номер патента: DE102016117043B4. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Stack with a high tunneling magnetoresistance ratio for a magnetic random access memory device

Номер патента: US20240290368A1. Автор: Robert Carpenter,Kiroubanand Sankaran,Xiaoyu Piao,Sofie MERTENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A2. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-06-27.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347105A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US12112784B2. Автор: Sungchul Lee,Kyungjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) Manufacturing Process for a Small Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Design with a Low Programming Current Requirement

Номер патента: US20130149797A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US12133477B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US12075631B2. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Circuitry for parallel set and reset of resistive random-access memory (ReRAM) cells

Номер патента: US12068028B2. Автор: Ilan Sever,Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for selective static random-access memory partition initialization

Номер патента: US12046275B2. Автор: Shobhit Singhal,Ruchi Shankar,Sverre Brubæk,Praveen Kumar Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US12040017B2. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Ferroelectric random access memory (FeRAM) array with segmented plate lines that are electrically-isolated from each other

Номер патента: US09972374B1. Автор: Tianhong Yan. Владелец: Aucmos Technologies USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US09953728B2. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J MERCED GRAFALS. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Spin hall write select for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US09947383B1. Автор: Daniel C. Worledge,Luqiao Liu,Jonathan Z. Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Static random access memory (SRAM) device for improving electrical characteristics and logic device including the same

Номер патента: US09935204B2. Автор: Dong-won Kim,Dong-Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) die including a magnetic field sensing structure

Номер патента: US09923025B2. Автор: Romney R. Katti,Bryan C. Westberg. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Synchronous random access memory (SRAM) chip and two port SRAM array

Номер патента: US09911486B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Cell structure for dual-port static random access memory

Номер патента: US09892781B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Low power magnetic random access memory cell

Номер патента: US09886989B2. Автор: Ioan Lucian Prejbeanu,Clarisse Ducruet,Celine Portemont. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-02-06.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373649A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240373756A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Programming of resistive random access memory for analog computation

Номер патента: US09842647B1. Автор: John Paul Strachan,Brent Buchanan,Emmanuelle Merced Grafals. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-12.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09805788B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Layout pattern for static random access memory

Номер патента: US09780099B1. Автор: Tsung-hsun Wu,Shu-Wei Yeh,Chih-Ming Su,Zhi-Xian Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US09779808B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US09773791B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of using a static random access memory

Номер патента: US09704565B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetoresistive random access memory cell and fabricating the same

Номер патента: US09685604B2. Автор: Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Magnetic random access memory (MRAM) cell with low power consumption

Номер патента: US09679624B2. Автор: Ioan Lucian Prejbeanu,Lucien Lombard. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Controlling both current and voltage of resistive random access memory device

Номер патента: US09672907B2. Автор: Chih-Kai Huang,Chih-Hao Lai,Jou-Hung Wang. Владелец: Brocere Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and apparatus for testing random access memory devices

Номер патента: US6018484A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-25.

Memory with FRAM and SRAM of IC

Номер патента: US11830550B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile static random access memory with independently accessible non-volatile bit cell and method of operating the same

Номер патента: US11900987B2. Автор: Mohit Gupta,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory with interleaved preset

Номер патента: WO2024035561A1. Автор: Thomas Vogelsang,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Ferroelectric Random Access Memory with Single Plate Line Pulse During Read

Номер патента: US20120147654A1. Автор: Saim Ahmad Qidwai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Static random access memory with a supplementary driver circuit and method of controlling the same

Номер патента: US11205475B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: WO2014182554A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Low power static random access memory

Номер патента: EP2948955A1. Автор: Micky Harris,Wasim Khaled. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-12-02.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20110012179A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US20170179134A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6405297B1. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6134639A. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Dynamic random access memory cell

Номер патента: US20020181271A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US20240331772A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Hidden refresh control in dynamic random access memory

Номер патента: US09761297B1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Resistive random access memory device with a solid electrolyte including a region made of a first metal oxide and doped by a second element distinct from the first metal

Номер патента: US09722177B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-01.

Two transistor ternary random access memory

Номер патента: US09704555B2. Автор: Simon Peter Tsaoussis. Владелец: Rangel Tsaoussis And Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Random access memory and process for writing to and reading from the same

Номер патента: IL129310A. Автор: Cathal G Phelan,Simon J Lovett,Mathew R Arcoleo,Ashish Pancholy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-06-20.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Shift register latch with embedded dynamic random access memory scan only cell

Номер патента: US20090010077A1. Автор: Vikas Agarwal,Sam Gat-Shang Chu,Saiful Islam,Philip George Shephard, III. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: CA2573147C. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2013-03-26.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Memory device including resistance random access memory, and storing method that stores data in the resistance random access memory

Номер патента: US9892788B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US10127976B2. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-13.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: WO2006014558A9. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2007-03-08.

Voltage random access memory (vram)

Номер патента: US20090085787A1. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2009-04-02.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: WO2006014558A3. Автор: Michael P Anthony,Lawrence J Kushner. Владелец: Lawrence J Kushner. Дата публикации: 2006-06-15.

Voltage random access memory (VRAM)

Номер патента: US20060017593A1. Автор: Michael Anthony,Lawrence Kushner. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2006-01-26.

Phase random access memory with high density

Номер патента: US7838862B2. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-23.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Multi-block non-volatile memories with single unified interface

Номер патента: US20180336948A1. Автор: Shu Wang,Xiaoming Jin,Zhijiong Luo. Владелец: Aspiring Sky Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Static random access memory cell array, static random access memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20180261277A1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Yung-Chen CHIEN. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-13.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile magnetic random access memory

Номер патента: US5289410A. Автор: Jiin-Chuan Wu,Henry L. Stadler,Romney R. Katti. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-02-22.

Dynamic random access memory and method for writing data thereto

Номер патента: US5014245A. Автор: Takashi Ohsawa,Tohru Furuyama,Kazuyoshi Muroka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Static random access memory with modulated loads

Номер патента: US5018106A. Автор: Mohammed E. Ul Haq,Kenneth R. Smits. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Static random access memory cell

Номер патента: US20180174642A1. Автор: Praveen Raghavan,Julien Ryckaert,Trong Huynh Bao,Pieter Weckx. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2018-06-21.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US8199593B2. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3074980A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory with magnetic field-free current-induced perpendicular magnetization reversal

Номер патента: US20210074344A1. Автор: Jiamian Hu,Minyi Dai. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-03-11.

Magnetic film, multilayer magnetic film, method and mechanism of magnetization inversion of magnetic film, and magnetic random access memory

Номер патента: US20050047262A1. Автор: Takashi Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US20220013158A1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor memory with local phase generation from global phase signals and local isolation signals

Номер патента: US6236614B1. Автор: William K. Waller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-22.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: EP4435786A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: US20240321372A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetoresistive random access memory with shared word and digit lines

Номер патента: US5946227A. Автор: Peter K. Naji. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Fast access multi-bit random access memory

Номер патента: US5563836A. Автор: Masahiro Tsunoda,Tamio Saito. Владелец: Tsunoda; Masahiro. Дата публикации: 1996-10-08.

Dynamic random access memory

Номер патента: US3727196A. Автор: Kenny V Mc. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1973-04-10.

Programming method of magnetic random access memory

Номер патента: US7508702B2. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-24.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Nonvolative random access memory device

Номер патента: CA2124355C. Автор: John W. Palmour,Calvin H. Carter, Jr.,James A. Cooper, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-01-25.

Magneto-resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050036399A1. Автор: Sang-jin Park,Tae-Wan Kim,Wan-jun Park,I-hun Song,Taek-Dong Lee,Byeong-kook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Storage node, phase change random access memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070200108A1. Автор: Ki-Joon Kim,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Test device and test method for resistive random access memory and resistive random access memory device

Номер патента: US20110019492A1. Автор: Kazushige Kanda,Kazuaki Kawaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Pseudo bidimensional randomly accessible memory

Номер патента: US20040115879A1. Автор: Bernard Plessier,Ming Yap. Владелец: STMICROELECTRONICS ASIA PACIFIC PTE LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Transmission of multi-slot modified random access channel with extended coverage

Номер патента: RU2718965C1. Автор: Юрген ХОФМАНН,Хартмут ВИЛЬГЕЛЬМ,Сатхиаселан СУНДАРАЛИНГАМ,Сринивасан СЕЛВАГАНАПАТХИ,Мунендер ЧИРАНДЖИ. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-04-15.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of preliminary resource definition at random access, user device and base station

Номер патента: RU2638181C2. Автор: Фан НАНЬ,Чжэн ЮЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-12.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09839121B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of converting data streams with possibility of random access and corresponding method of its decording

Номер патента: RU2331914C2. Автор: Хайву ЧЖАО,Йонг ЧЭН,Гуожонг ВАНГ,Юн ХЕ. Владелец: Сентрал Рисерч Акэдеми Оф Сва Груп. Дата публикации: 2008-08-20.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Three-dimensional dynamic random access memory with an ancillary electrode structure

Номер патента: US8357964B1. Автор: Chih-Yuan Chen,Chih-Wei Hsiung,Meng-Hsien Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-22.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods and structures for controlling retransmission of device over random access channel in wireless communication network

Номер патента: RU2699394C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Бьёрн ХОФСТРЁМ,Джон Уолтер ДИАЧАЙНА,Клаэс-Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-09-05.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US20230087231A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US12108685B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array and forming method thereof

Номер патента: US09728541B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Transmitting a random access response message

Номер патента: RU2687033C1. Автор: Рапепат РАТАСУК,Юань Тао ЧЗАН,Янь Цзи ЧЗАН,Нитин МАНГАЛВЕДЕ. Владелец: Нокиа Солюшнс энд Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2019-05-06.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory

Номер патента: US20230008840A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Xianqin Hu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-12.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Dynamic random access memory and forming method therefor

Номер патента: US20240244833A1. Автор: XING Yu,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US20160240777A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US9711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133474B2. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive random access memory

Номер патента: US09773975B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US09711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Layouts and fabrication methods for static random access memory

Номер патента: US09679902B2. Автор: Yu Li,Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

Номер патента: US20140291600A1. Автор: Jinn Chu,Berhanu Tulu Kacha,Wen-Zhi Chang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-10-02.

Dynamic random access memory structure

Номер патента: US20200006347A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of making dynamic random access memory having a reliable contact

Номер патента: US5288655A. Автор: Toshio Nomura,Daitei Shin,Masaaki Higasitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-02-22.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Low leakage non-planar access transistor for embedded dynamic random access memory (eDRAM)

Номер патента: US09741721B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Rahul RAMASWAMY,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for random access and terminal device

Номер патента: RU2736415C1. Автор: Нин ЯН,Цзяньхуа ЛЮ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-17.

Network device, user device and random access method

Номер патента: RU2738820C1. Автор: Цзянь ВАН,Хайбо СЮЙ,Чжэньчжэнь ЦАО,Бинчжао ЛИ,Сяндун ЧЖАН,Чутин ЯО. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-17.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Static random access memory (SRAM) cells including vertical channel transistors

Номер патента: US09721957B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Donghwan Kim,Suhwan Kim,Sungkweon Baek,Taehyun An,Yubin Kim,Jin Soak Kim,Gabjin Nam,Eunae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Random access with switching of parts of bandwidth

Номер патента: RU2739330C1. Автор: Чуньли ВУ,Бенуа СЕБИР,Самули ТУРТИНЕН. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-12-22.

Method and base station for allocation of special random access resources

Номер патента: RU2454037C2. Автор: Пэн ХАО,Бинь ЮЙ,Чжунда ДУ,Кэсюе ЛУ. Владелец: Зти Корпорейшн. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for allocating random access resources for communication nodes with integrated access and transit connection

Номер патента: RU2757673C1. Автор: Пэн ХАО,Цзюньфэн ЧЖАН,Фэн БИ. Владелец: Зтэ Корпорейшн. Дата публикации: 2021-10-20.

Method for random access in wireless communication system, wireless communication system, wireless terminal and base station module

Номер патента: RU2519920C2. Автор: Йосихару ТАДЗИМА,Казухиса ОБУТИ,Йосихиро КАВАСАКИ,Йосиаки ОХТА. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2014-06-20.

Method and apparatus for mapping the primary operational sequences of an algorithm in a compute unit having an internal random access memory

Номер патента: US7650322B2. Автор: Yosef Stein,Hazarathaiah Malepati,Gregory M. Yukna. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-19.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Process integration flow for embedded memory with multi-pocket masks for decoupling processing of memory areas from non-memory areas

Номер патента: US11792998B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Embedded memory with encapsulation layer adjacent to a memory stack

Номер патента: US11785782B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Al-w-o stack structure applicable to resistive random access memory

Номер патента: US20160072062A1. Автор: HE Qian,YUE BAI,Huaqiang Wu,Minghao WU. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-10.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

IC memory with divisional memory portions

Номер патента: US5708797A. Автор: Yuji Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-01-13.

Blind random-access response physical downlink shared channel detection

Номер патента: WO2024158377A1. Автор: Karri Markus Ranta-aho,Navin Hathiramani. Владелец: Nokia of America Corporation. Дата публикации: 2024-08-02.

Random access memory

Номер патента: US20020001901A1. Автор: Kirk Prall,Christopher Murphy,D. Durcan,Robert Kerr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20020061610A1. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Le-Tien Jung,Ling-Yuk Tsang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Random access preamble to minimize latency pa

Номер патента: RU2702083C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Асбьёрн ГРЁВЛЕН,Мортен СУНДБЕРГ,Деннис ХЬЮИ,Ютао СУЙ,И-Пинь Эрик ВАН,Синцинь ЛИНЬ,Ансуман АДХИКАРИ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-10-03.

Random access in next-generation wireless communication systems

Номер патента: RU2750617C2. Автор: Поль МАРИНЬЕ,Дж. Патрик ТУХЭ,Мартино М. ФРЕДА,Жислен ПЕЛЕТЬЕ,Тао ДЭН. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2021-06-30.

Load sharing for random access

Номер патента: RU2718416C1. Автор: Али НАДЕР,Бела РАТОНЬИ,Андреас ХЁГЛУНД. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2020-04-02.

Method for random access to a secondary cell and receiving data

Номер патента: RU2596802C2. Автор: Юнь ДЭН. Владелец: Алькатель Люсент. Дата публикации: 2016-09-10.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US20010017670A1. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US6559897B2. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-06.

Stacked conductive bridge random access memory and access devices

Номер патента: US20230200269A1. Автор: Takashi Ando,Gloria Wing Yun Fraczak,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Narrowband random access preambles for non-terrestrial network communications

Номер патента: EP4179833A1. Автор: Peter Gaal,Jun Ma,Le Liu,Liangping Ma,Alberto RICO ALVARINO,Xiao Feng Wang,Bharat Shrestha,Umesh Phuyal,Ayan Sengupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method and apparatus for configuring random access

Номер патента: US20200260484A1. Автор: Xiaowei Jiang. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Random access method, user equipment, and network device

Номер патента: EP4383914A2. Автор: Jian Wang,Haibo Xu,Xiangdong Zhang,Bingzhao Li,Zhenzhen CAO,Chuting YAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Random access method, user equipment, and network device

Номер патента: EP4383914A3. Автор: Jian Wang,Haibo Xu,Xiangdong Zhang,Bingzhao Li,Zhenzhen CAO,Chuting YAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Narrowband random access preambles for non-terrestrial network communications

Номер патента: US20220015148A1. Автор: Peter Gaal,Jun Ma,Le Liu,Liangping Ma,Alberto RICO ALVARINO,Xiao Feng Wang,Bharat Shrestha,Umesh Phuyal,Ayan Sengupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Random access procedure based on two-step random access channel procedure and four-step random access channel procedure

Номер патента: US12069741B2. Автор: Jing Lei,Linhai He,Ruiming Zheng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Random access procedure logging and reporting for wireless networks

Номер патента: WO2022152483A1. Автор: Frank Frederiksen,Anna Pantelidou. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-07-21.

Random access method and device

Номер патента: EP3920647A1. Автор: Yue Ma,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

User equipment and base station participating in prioritized random access

Номер патента: US20240260080A1. Автор: Hidetoshi Suzuki,Rikin SHAH,Ming-Hung Tao,Quan KUANG. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2024-08-01.

Feedback on network-assisted fallback to contention-based random access

Номер патента: US12089098B2. Автор: Andreas Lobinger,Ahmad Awada,Muhammad NASEER-UL-ISLAM. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-10.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP4456648A3. Автор: HAN Zhou,Xiaolei Tie,Gengshi Wu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Random access signalling transmission for system access in wireless communication

Номер патента: RU2427106C2. Автор: Хуан МОНТОХО,Дурга Прасад МАЛЛАДИ,Александар ДАМНЯНОВИЧ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Access method and apparatus for random-access channel based handover

Номер патента: RU2441346C2. Автор: Чжунда ДУ. Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2012-01-27.

Response to preamble of random access channel with flexible dedication of upperlink resources

Номер патента: RU2469512C2. Автор: Юха С. КОРХОНЕН,Эса М. МАЛКАМАКИ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-12-10.

Frequency hopping for random access

Номер патента: RU2696561C1. Автор: Юфэй БЛАНКЕНШИП,Йохан БЕРГМАН,Асбьёрн ГРЁВЛЕН,Ютао СУЙ,И-Пинь Эрик ВАН,Синцинь ЛИНЬ,Ансуман АДХИКАРИ,РАЗАГИ Хазир ШОКРИ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-08-05.

Random access system and method for terminal in communication environment with high-speed mobile objects

Номер патента: RU2572585C1. Автор: Лэй ЛИ,Бинь ЛИ,Сюэ ВАН,Сяосяо ЛЮ,Хунфэн ЦИНЬ. Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2016-01-20.

Random access procedure(s) for radio system

Номер патента: RU2763751C2. Автор: Ацуси ИСИИ. Владелец: ЭфДжи ИННОВЕЙШН КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2022-01-10.

Conductive-bridging random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10181560B2. Автор: Chu-Jie HUANG,Tseung-Yuen Tseng,Chun-An Lin,Guang-Jyun DAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for manufacturing an internally shielded dynamic random access memory cell

Номер патента: US5352621A. Автор: Jae-Kap Kim,In-Sool Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-04.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11882773B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Resistive random access memory

Номер патента: US20240107901A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Chun-hung Cheng,Kai Jiun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US10468420B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: AU2021234176B2. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US9941288B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Vertical resistive random access memory

Номер патента: US20210098533A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods for fabricating magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240215457A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Hong-Hui Hsu,Yiheng XU,Chih-Yuan Lee. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Random access method and device

Номер патента: AU2018355497A1. Автор: YONG Cheng,Xiaoxian Li,Gaokun Pang,Qinghai Zeng,Ping Fang,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Four transistors static-random-access-memory and forming method

Номер патента: US20020094616A1. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151801A1. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Random access methods, user equipment and base station device

Номер патента: EP4287754A2. Автор: Hiroki Matsuda,Naoki Kusashima,Kazuyuki Shimezawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: WO2024151641A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of determining frequency-domain offset parameter, user equipment (ue), random access method, method for configuring random access information, corresponding device and computer readable medium

Номер патента: EP3698595A1. Автор: Chen Qian,Bin Yu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Random access method and random access apparatus

Номер патента: US20200367292A1. Автор: ZHENG Li,Xiaosong Zhu,Yiling Wu,Jian Ren. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

User equipment and base station participating in prioritized random access

Номер патента: WO2019063321A1. Автор: Hidetoshi Suzuki,Rikin SHAH,Ming-Hung Tao,Quan KUANG. Владелец: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY CORPORATION OF AMERICA. Дата публикации: 2019-04-04.

Four transistors static-random-access-memory

Номер патента: US6686635B2. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Random access occasions for connected and initial access operating modes

Номер патента: US20240276550A1. Автор: Qian Zhang,Yan Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating a static random access memory

Номер патента: US6287909B1. Автор: Yu-Chih Chuang,Tse-Yi Lu,Yi-Min Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20240292765A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317087A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Ferroelectric random access memory device with seed layer

Номер патента: US12069867B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US12075613B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: WO2000067321A3. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-04-26.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: EP1206801A2. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-05-22.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157274A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of making a load resistor of a static random access memory on a semiconductor wafer

Номер патента: US6046080A. Автор: Yi-Tyng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20200321342A1. Автор: Kai Jen,Ting-Ting Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US12048250B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120273844A1. Автор: Yoshiaki Asao,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20220029087A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yen-Chun Liu,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Random access method and device

Номер патента: US20210352744A1. Автор: Yue Ma,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Random access method and apparatus

Номер патента: US20180310344A1. Автор: HAN Zhou,Xiaolei Tie,Gengshi Wu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Static random-access memory (SRAM) and manufacture thereof

Номер патента: US11152379B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Method and apparatus for generating massive interrupts in random access memory (ram)

Номер патента: WO2002023942A3. Автор: Sandra Maria Frazier,Ben-Zur Raanan,Shi-Woang Wang. Владелец: Shi-Woang Wang. Дата публикации: 2003-01-09.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271042A1. Автор: Yi-Sheng Cheng,Chien-Chang Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240298547A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Dynamic random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306372A1. Автор: Hsueh-Cheng Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Resistive random access memory

Номер патента: US20150228895A1. Автор: Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Multi transmission point operation following random access in a wireless communication system

Номер патента: EP4427536A1. Автор: Igor Moaco GUERREIRO,Carlos Filipe Moreira e SILVA. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-09-11.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: US20240306514A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Random access method and apparatus, and storage medium

Номер патента: US20240340963A1. Автор: Xiaofei Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

개선된 FeRAM(Ferroelectric Random-Access Memory)에 관한 방법 및 구조

Номер патента: KR20240147973A. Автор: 쿠오-치 투,쯔-유 첸,솅-훙 시,푸-첸 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2024-10-10.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240349477A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

METHOD AND STRUCTURES PERTAINING TO IMPROVED FERROELECTRIC RANDOM-ACCESS MEMORY (FeRAM)

Номер патента: US20240357833A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Resistive random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12127488B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Layout pattern of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US12063791B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh,Ya-Lan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Layout pattern of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240349515A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh,Ya-Lan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Dynamic random access memory

Номер патента: US10998323B2. Автор: Kai Jen,Ting-Ting Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US20160240779A1. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-18.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240373615A1. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

High performance and low power three-dimensional static random access memory and method of forming same

Номер патента: US20240373617A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-11-07.

Dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240334685A1. Автор: Keng-Ping Lin,Te-Hsuan Peng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Perpendicular magnetic anisotrophy free layers with iron insertion and oxide interfaces for spin transfer torque magnetic random access memory

Номер патента: US09978935B2. Автор: Guohan Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240349616A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947669B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Kazuaki TAKESAKO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for performing random access procedure in wireless communication system

Номер патента: US09894684B2. Автор: Sung Jun Park,Sung Duck Chun,Seung June Yi,Young Dae Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Dynamic random access memory

Номер патента: US09887200B2. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Resistive random access memory device with reduced power consumption

Номер патента: US09853214B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-12-26.

Reduced process degradation of spin torque magnetoresistive random access memory

Номер патента: US09853210B2. Автор: Stephen M. Rossnagel,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods and apparatus for resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09847478B2. Автор: Ying-Lang Wang,Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Fu-Yen Jian,Yong-En Syu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Static random access memory

Номер патента: US09831250B2. Автор: Feng-Ming Chang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and apparatus for controlling uplink random access procedure in mobile communication system

Номер патента: US09814006B2. Автор: Sungho Choi,Mingoo Kim,Junghwa Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Resistive random access memory and method of forming the same

Номер патента: US09806255B1. Автор: LIANG Yi,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for transmitting random access channel designed for transmission in high carrier frequency in a wireless communication system

Номер патента: US09781747B2. Автор: Kitae Kim,Hyunsoo Ko,Jaehoon Chung,Jinmin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US09773789B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetic random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09761792B2. Автор: Seung-Woo Lee,Jun-Soo Bae,Mi-Lim Park,Shi-jung Kim,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Hardmask for a halo/extension implant of a static random access memory (SRAM) layout

Номер патента: US09761594B2. Автор: Randy Mann,Xusheng Wu,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP4456648A2. Автор: HAN Zhou,Xiaolei Tie,Gengshi Wu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Static random access memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09754947B2. Автор: Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US09754943B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for transmitting and receiving random access request and transmitting and receiving random access response

Номер патента: US09750054B2. Автор: DRAGAN Vujcic,Jin Sam Kwak,Seung Hee Han,Min Seok Noh,Yeong Hyeon Kwon,Hyun Woo Lee,Dong Cheol Kim,Sung Ho Moon. Владелец: Goldpeak Innovations Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Random access method and apparatus in wireless communication system

Номер патента: US09736865B2. Автор: Min Lee,Seong-Keun Oh. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-08-15.

Resistive random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US09691979B2. Автор: Shuo-Che Chang,Chia-Hua Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing a resistive random access memory

Номер патента: US09685610B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-06-20.

Structure and method for a complimentary resistive switching random access memory for high density application

Номер патента: US09680091B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Resistive random access memory (RRAM) structure

Номер патента: US09647207B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wen-Ting Chu,Chin-Chieh YANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601497B1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Uplink scrambling during random access

Номер патента: RU2483490C2. Автор: Стефан ПАРКВАЛЛЬ,Тобиас ТИНДЕРФЕЛЬДТ,Эрик ДАЛЬМАН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2013-05-27.

Apparatus and method for configuring arrigental access, apparatus and method for random access and base station

Номер патента: RU2755157C1. Автор: Мин ЧЖАН,Миньгуй ЛИ. Владелец: Бейджин Сяоми Мобайл Софтвеа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-09-13.

Method and device for generation of a zc sequence of a random access channel

Номер патента: RU2658551C1. Автор: Цян У,Цзянхуа ЛЮ,Чжихэн ГО,Леймин ЧЖАН,Цзянцинь ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-06-22.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5650350A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

One-bit memory cell in static random access memory device with PMOS thin film transistor load pair

Номер патента: US5404030A. Автор: Jhang-Rae Kim,Sung-Bu Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-04.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5739056A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Method of and operating architectural enhancement for multi-port internally cached dynamic random access memory (AMPIC DRAM) systems, eliminating external control paths and random memory addressing, while providing zero bus contention for DRAM access

Номер патента: US6138219A. Автор: Subhasis Pal,Satish S. Soman. Владелец: Nexabit Networks Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US11856797B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Resistive random access memory and method for initializing the same

Номер патента: US20220069208A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wen-Chung Chen,Yi-Ting Tseng,Chun-Chu Lin,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-03.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20200020696A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US11758711B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20190326296A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Thin-film transistor embedded dynamic random-access memory with shallow bitline

Номер патента: US20220208770A1. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Handling of cross-link interference on physical random access channel occasions on flexible/full duplexing slots

Номер патента: US20230354437A1. Автор: Benoist Pierre Sebire,Claudio Rosa,Sheyam Lal Dhomeja,Guillermo POCOVI,Elena PERALTA CALVO,Perttu Aukusti Mella. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-11-02.

Random access in a wireless communication network

Номер патента: EP4133877A1. Автор: Jan Christoffersson,Min Wang,Johan Rune,Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN,Henrik Enbuske. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-02-15.

Random access control in communication system

Номер патента: US20240237075A9. Автор: Pankaj SHETE. Владелец: Rakuten Mobile Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

User equipment for random access and method thereof, base station for random access and method thereof

Номер патента: EP4256887A1. Автор: Yi Wang,Min Wu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Device and Method of Handling Random Access Procedure

Номер патента: US20170290063A1. Автор: Shiang-Rung Ye. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Random access for aerial user equipments in connected mode

Номер патента: EP4397097A1. Автор: Le Liu,Kazuki Takeda,Alberto RICO ALVARINO,Umesh Phuyal,Chiranjib Saha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Apparatus and method for performing random access in wireless communication system

Номер патента: EP3738390A1. Автор: Dong Hyun Park,Ki Bum Kwon,Hyo Sun YANG. Владелец: Innovative Technology Lab Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-18.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: AU2021266219A1. Автор: Xuelong Wang,Haibo Xu,Bingzhao Li,Zhenzhen CAO,Junren Chang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Capability-based random access to a wireless communications network for radio frequency identification devices

Номер патента: WO2024145887A1. Автор: Junyi Li,Xiaoxia Zhang,Xiaojie Wang,Luanxia YANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive switching memory with replacement metal electrode

Номер патента: US20200263620A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Method and device for sending and receiving random access sequence

Номер патента: US9924546B2. Автор: Kun Liu,Jing Shi,Bo Dai,Huiying Fang,Zhaohua Lu,Shuqiang Xia,Xincai LIN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP3917268A1. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Method and apparatus for random access

Номер патента: EP4369835A2. Автор: Jingya Li,Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-05-15.

Interference management for two-step random access

Номер патента: EP3935910A1. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Yiqing Cao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Random access response (rar) monitoring for multiple preamble transmissions in multi-beam operation

Номер патента: WO2019139844A1. Автор: Tao Luo,Sumeeth Nagaraja,Linhai He. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-18.

Enhancement on random access channel occasion and ss/pbch block association

Номер патента: US20210136828A1. Автор: Sami-Jukka Hakola,Karol Schober. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2021-05-06.

Enhancement on random access channel occasion and SS/PBCH block association

Номер патента: US11432338B2. Автор: Sami-Jukka Hakola,Karol Schober. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-08-30.

Random access message differentiation

Номер патента: EP4408115A2. Автор: Jing Lei,Linhai He,Ruiming Zheng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for performing random access procedure in wireless communication system

Номер патента: EP2060027A1. Автор: Sung Jun Park,Sung Duck Chun,Seung June Yi,Young Dae Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-05-20.

Two-step random access procedure for a backhaul node

Номер патента: WO2021252847A1. Автор: Tao Luo,Wanshi Chen,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-16.

Resistive random access memory

Номер патента: US20210175418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Random access radio network temporary identifier (ra-rnti) with physical random access channel (prach) repetition

Номер патента: EP4151036A1. Автор: Tao Luo,Xiaoxia Zhang,Aleksandar Damnjanovic,Jing Sun,Changlong Xu,Mahmoud Taherzadeh Boroujeni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Method and apparatus for performing random access procedure in wireless communication system

Номер патента: US20230239931A1. Автор: Youngdae Lee,Seunggye Hwang,Jaehyung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-07-27.

Method, terminal device, base station for power control in random access procedure

Номер патента: EP4243513A1. Автор: Zhipeng LIN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-09-13.

Probabilistic random access

Номер патента: WO2022006522A1. Автор: Tao Luo,Qiang Wu,Juan Montojo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Yuchul Kim,Junyi Li,Linhai He,Wooseok Nam,Iyab Issam SAKHNINI,Mahmoud Taherzadeh Boroujeni. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-06.

Probabilistic random access

Номер патента: EP4176676A1. Автор: Tao Luo,Qiang Wu,Juan Montojo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Yuchul Kim,Junyi Li,Linhai He,Wooseok Nam,Iyab Issam SAKHNINI,Mahmoud Taherzadeh Boroujeni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Random access and consistent LBT failure recovery

Номер патента: US12047155B2. Автор: Alireza Babaei. Владелец: Apex Beam Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Random access method and apparatus

Номер патента: AU2020220922A1. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Random access method and apparatus

Номер патента: CA3130415A1. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Random access method and apparatus

Номер патента: AU2020220922B2. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Three-dimensional nanoribbon-based dynamic random-access memory

Номер патента: US12058849B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Uygar E. Avci,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Random access method and apparatus

Номер патента: US12063691B2. Автор: Wei Hong. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Increasing preamble transmission opportunities for random access in unlicensed band

Номер патента: EP3925379A1. Автор: Sami Hakola,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2021-12-22.

Dynamic random access channel resources

Номер патента: WO2024167496A1. Автор: Frank Frederiksen,Zexian Li,Navin Hathiramani,Juha Sakari Korhonen,Luis Guilherme Uzeda Garcia. Владелец: Nokia of America Corporation. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for performing random access procedure in wireless communication system

Номер патента: US20240276557A1. Автор: Youngdae Lee,Seunggye Hwang,Jaehyung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-15.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: AU2021266219B2. Автор: Xuelong Wang,Haibo Xu,Bingzhao Li,Zhenzhen CAO,Junren Chang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for random access communication device, and storage medium

Номер патента: US20230292365A1. Автор: Wei Hong. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12082388B2. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP4387367A1. Автор: Jianghua Liu,Junren Chang,Nannan Liu,Jiaojiao LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method and apparatus for determining random access resource configuration, and devices and storage medium

Номер патента: EP4447597A1. Автор: Yumin Wu,Xiaofei Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Random access method and communications apparatus

Номер патента: US12127269B2. Автор: Li Zhao,Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Random access message differentiation

Номер патента: EP4408115A3. Автор: Jing Lei,Linhai He,Ruiming Zheng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Random access method and apparatus, and device

Номер патента: US12120731B2. Автор: Bin Wang,Rong Li,Jun Wang,Hejia LUO,Xiaolu Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Interference management for two-step random access

Номер патента: US20240314850A1. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Yiqing Cao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Random access procedures for machine-type communications

Номер патента: US09924542B2. Автор: Erik Eriksson,Johan Bergman. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-20.

Wireless communication system, base station apparatus, mobile station apparatus, and random access method

Номер патента: US09814067B2. Автор: Yasuyuki Kato,Shoichi Suzuki,Shohei Yamada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Full random access from clean random access pictures in video coding

Номер патента: US09736476B2. Автор: Ye-Kui Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuits including magnetic tunnel junctions for magnetoresistive random-access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09691971B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Ming He,Craig CHILD,Seowoo Nam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and device for random access

Номер патента: RU2742048C1. Автор: Хуа СЮЙ,Нин ЯН,Цзяньхуа ЛЮ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-02-02.

Random access to mobile communication system

Номер патента: RU2232469C2. Автор: Кристиан РОБОЛЬ,Риаз ЭСМАИЛЗАДЕХ,Карим ДЖАМАЛ. Владелец: ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ ЛМ ЭРИКССОН (пабл.). Дата публикации: 2004-07-10.

Method and device for processing random access preamble

Номер патента: RU2658187C2. Автор: Бин ЛИ,Ки ГУО,Мейлинг ДИНГ. Владелец: ЗэтТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-19.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US20220069218A1. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Random access method, base station and terminal

Номер патента: EP3634072A1. Автор: Pengfei Li,Bin Jian,Jing Tu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Random access channel access and validity procedures

Номер патента: EP4301054A2. Автор: Xiaoxia Zhang,Kapil Bhattad,Jing Sun,Ozcan Ozturk,Ananta Narayanan Thyagarajan,Pravjyot Singh DEOGUN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Random access in a wireless communication system

Номер патента: US12022529B2. Автор: Jan Christoffersson,Min Wang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-06-25.

Random access in communication system

Номер патента: AU2024201999B2. Автор: Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-06-20.

User station (sta) and access point (ap) and method for random access contention using cascaded trigger frames

Номер патента: EP3284309A1. Автор: Chittabrata Ghosh. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-02-21.

Techniques for performing random access using multiple beams in wireless communications

Номер патента: WO2021202778A1. Автор: Tao Luo,Qian Zhang,Yan Zhou,Junyi Li,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-07.

Random access method and device

Номер патента: EP4175396A1. Автор: Yali Zhao. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Efficient new radio-light message a repetition in two-step random access channel procedure

Номер патента: EP4082285A1. Автор: Jing Lei,Chao Wei,Qiaoyu Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Apparatus and method for random access with multiple antennas in a wireless network

Номер патента: EP2873284A1. Автор: Ying Li,Zhouyue Pi,Richard Stirling-Gallacher,Pavan NUGGEHALLI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-20.

Random Access Method, Terminal Device, and Network Device

Номер патента: US20240032110A1. Автор: Xuelong Wang,Haibo Xu,Bingzhao Li,Zhenzhen CAO,Junren Chang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Validation rules for random access message transmission occasions

Номер патента: WO2021030010A1. Автор: Jing Lei,Linhai He,Enoch LU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-02-18.

Methods and systems of performing predictive random access using a background picture

Номер патента: EP3360325A1. Автор: YING Chen,Ning Bi,Mayank Tiwari,Prasanjit Panda,Xuerui Zhang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-15.

Random access method and device

Номер патента: AU2019386691A1. Автор: Weijie XU,Cong Shi,Jing Xu,Chuanfeng He,Zuomin Wu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2021-06-10.

Random access method and device

Номер патента: CA3120900A1. Автор: Weijie XU,Cong Shi,Jing Xu,Chuanfeng He,Zuomin Wu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Random access channel selection and configuration method, access device and network device

Номер патента: EP3975654A1. Автор: Yingmin Wang,Shaohui Sun,Shaoli Kang,Deshan Miao. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Method for determining random access resource, terminal device, and network device

Номер патента: EP3972174A1. Автор: Chuanfeng He. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Method and apparatus for random access

Номер патента: US12041669B2. Автор: Robert Karlsson,Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN,Asbjörn Grövlen,Johan Axnäs. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-07-16.

Techniques for selecting a slice-based random access procedure

Номер патента: EP4275444A1. Автор: Peng Cheng,Linhai He,Huilin Xu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Apparatus and method for performing random access

Номер патента: US11985696B2. Автор: Su Han CHOI. Владелец: Uucom Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Random access with bandwidth part switch

Номер патента: CA3082698C. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-04-02.

Random access with bandwidth part switch

Номер патента: EP4301072A3. Автор: SEBIRE Benoist,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-02-21.

Random access process backoff method, and devices and system

Номер патента: EP3986078A1. Автор: Wei Bao,Yumin Wu,Yitao MO. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Apparatus and method for performing random access

Номер патента: US20240260078A1. Автор: Su Han CHOI. Владелец: Uucom Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of random access, terminal device, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US20220117001A1. Автор: Cong Shi. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Random access in communication system

Номер патента: AU2020427793C1. Автор: Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-08-01.

Random access coverage extension in wireless communications

Номер патента: EP3785482A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Zhifei Fan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Random access in a wireless communication network

Номер патента: EP4215014A1. Автор: Jan Christoffersson,Min Wang,Marten Ericson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-07-26.

Random access preamble slot allocation

Номер патента: EP4064603A1. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-09-28.

Random access method, parameter assignment method, wireless communication device, and base station using the same

Номер патента: US20120082103A1. Автор: Chie-Ming Chou,Jung-Mao Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-04-05.

Dynamic estimation of random access response repetitions

Номер патента: US11743946B2. Автор: Dino PJANIC,Fredrik SAARNAK,Sergio ALMANSA-VALVERDE,Waqas Nawaz KHAN,Gabriel CERCEL,André NYBERG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of random access response reception

Номер патента: EP2645792A3. Автор: Shiang-Rung Ye. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-09-06.

Random access resources based on network conditions

Номер патента: US11576215B2. Автор: Le Liu,Alberto RICO ALVARINO,Umesh Phuyal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

Apparatus and method for performing random access

Номер патента: EP4164325A1. Автор: Su Han CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dankook University. Дата публикации: 2023-04-12.

Validation rules for random access message transmission occasions

Номер патента: US20210045159A1. Автор: Jing Lei,Linhai He,Enoch Shiao-Kuang Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Method and apparatus for random access relay system

Номер патента: US20120307716A1. Автор: Li Chen,Wei Bao,Yali Zhao,Ji-amin Liu. Владелец: China Academy of Telecommunications Technology CATT. Дата публикации: 2012-12-06.

Method and apparatus for random access relay system

Номер патента: US10257864B2. Автор: Li Chen,Wei Bao,Yali Zhao,Ji-amin Liu. Владелец: China Academy of Telecommunications Technology CATT. Дата публикации: 2019-04-09.

Association of synchronization signal blocks to random access occasions

Номер патента: EP4014671A1. Автор: Chao Wei,Hao Xu,Wanshi Chen,Qiaoyu Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Association of synchronization signal blocks to random access occasions

Номер патента: US20220330348A1. Автор: Chao Wei,Hao Xu,Wanshi Chen,Qiaoyu Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Random Access Preamble Slot Allocation

Номер патента: US20200015276A1. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-01-09.

Random Access in a Wireless Communication Network

Номер патента: US20240292451A1. Автор: Min Wang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for detecting random access of user equipment

Номер патента: US7554955B2. Автор: Feng Li,Xiaolong Ran,Tiezhu Xu,Libao Zhang. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-30.

Two-step random access procedure for a backhaul node

Номер патента: US11770861B2. Автор: Tao Luo,Wanshi Chen,Junyi Li,Karl Georg Hampel,Navid Abedini,Luca Blessent,Jianghong LUO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Random Access and Consistent LBT Failure Recovery

Номер патента: US20210298081A1. Автор: Alireza Babaei. Владелец: PanPsy Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-23.

Random access timeline for a reduced capability device

Номер патента: US20240267952A1. Автор: Muhammad Nazmul ISLAM,Yongjun KWAK,Hung Dinh LY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method for performing random access in multi-carrier system

Номер патента: WO2011126343A2. Автор: Myung Cheul Jung,Ki Bum Kwon. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-10-13.

Random access for aerial user equipments in connected mode

Номер патента: WO2023034035A1. Автор: Le Liu,Kazuki Takeda,Alberto RICO ALVARINO,Umesh Phuyal,Chiranjib Saha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and apparatus for random access to multimedia content in wireless communication system

Номер патента: US20130132579A1. Автор: Ji Eun Keum,Sung Ryeul RHYU,Jae Yeon Song,Seo Young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Random access in a wireless communication system

Номер патента: EP3900466A1. Автор: Jan Christoffersson,Min Wang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-10-27.

Random access preamble slot allocation

Номер патента: US12068998B2. Автор: Henrik Sahlin,Andres Reial,Oskar Mauritz. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods, apparatuses, and computer readable media for random access in case of congestion

Номер патента: US20240251449A1. Автор: Chunli Wu,Jussi-Pekka Koskinen,Samuli Heikki TURTINEN. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-07-25.

Random access method and apparatus, device, and storage medium

Номер патента: EP4426052A1. Автор: Mingju Li. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Contention resolution in random access procedure

Номер патента: AU2023204620B2. Автор: Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-19.

User equipment involved in performing a random access procedure

Номер патента: US12101825B2. Автор: Hidetoshi Suzuki,Tetsuya Yamamoto,Hongchao Li,Rikin SHAH,Ming-Hung Tao. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2024-09-24.

Random access method and device, electronic device and computer-readable storage medium

Номер патента: US12089256B2. Автор: Ming Zhang,Xiaowei Jiang. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Random access in a wireless communication network

Номер патента: EP4364518A1. Автор: Min Wang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-05-08.

Increasing preamble transmission opportunities for random access in unlicensed band

Номер патента: US12082260B2. Автор: Sami Hakola,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-03.

Random access procedure timing designs

Номер патента: US12089258B2. Автор: Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Tingfang JI,Renqiu Wang,Amir Aminzadeh Gohari,Hung Dinh LY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Random access timeline for a reduced capability device

Номер патента: WO2024163286A1. Автор: Muhammad Nazmul ISLAM,Yongjun KWAK,Hung Dinh LY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-08.

Information transmission in random access

Номер патента: US12089268B2. Автор: Frank Frederiksen,Chunhai Yao,Emad Farag,Nuno PRATAS. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for random access

Номер патента: US20240334499A1. Автор: Robert Karlsson,Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN,Asbjörn Grövlen,Johan Axnäs. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus for determining random access occasion resource information, and method and apparatus for indicating random access occasion resource information

Номер патента: EP4447598A1. Автор: Yumin Wu,Xiaofei Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of random access, terminal device, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US12108458B2. Автор: Cong Shi. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Additional time offset for random access channel preamble

Номер патента: WO2024213221A1. Автор: Fabian WIACEK. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for balancing resources utilized in random-access procedures

Номер патента: US12114363B2. Автор: Andreas Cedergren,Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN,Jonas SEDIN,Krishna CHITTI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-08.

Telecommunications apparatus using a first random access procedure and a second random access procedure

Номер патента: US12114366B2. Автор: Vivek Sharma,Hideji Wakabayashi,Brian Alexander Martin,Yuxin Wei,Anders Berggren. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Enhanced contention-free random access (cfra) preamble assignment

Номер патента: US20240334497A1. Автор: UMUR Karabulut,Jedrzej STANCZAK,Ömer BULAKCI,Ahmad Awada,Halit Murat Gürsu. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-10-03.

Random access in communication system

Номер патента: AU2024219810A1. Автор: Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and apparatus for random access in communications system

Номер патента: US09907093B2. Автор: Young Jo Ko,Eun-Young Choi,Seung Chan Bang,Young Seog SONG,Juho Park,Jun Hwan LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for random access in virtual cell network system

Номер патента: US09907090B2. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Ho Cho,Byung-Chang CHUNG,Min-Hoe Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for obtaining mapping between random access parameter and resource

Номер патента: US09860910B2. Автор: Fan Wang,Lingli PANG,Xiaoxiao ZHENG,Xueli Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for performing random access procedure

Номер патента: US09826554B2. Автор: Daesung HWANG,Suckchel Yang,Yunjung Yi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Dynamic random access resource size configuration and selection

Номер патента: US09794959B2. Автор: Erik Eriksson,Robert Baldemair,Pal Frenger,Konstantinos Dimou,Johan Bergman. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-10-17.

Random access to wireless network

Номер патента: US09750052B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Robert J. Stacey,Eldad Perahia,Chittabrata Ghosh. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Radio communication system, base station device, mobile station device, and random access method

Номер патента: US09730221B2. Автор: Yasuyuki Kato,Yasuo Sugawara,Shohei Yamada,Daiichiro Nakashima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

User station (STA) and access point (AP) and method for random access contention using cascaded trigger frames

Номер патента: US09706577B2. Автор: Chittabrata Ghosh. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and device for random access for beam failure recovery

Номер патента: RU2741560C1. Автор: Жуй ФАНЬ,Хелька-Лиина МЯТТАНЕН,Икаро Л. Дж. ДА СИЛЬВА. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-01-26.

Method and apparatus for mapping between random access parameter and resource

Номер патента: RU2608950C1. Автор: Фань ВАН,Сяосяо ЧЖЭН,Сюэли МА,Линли ПАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-01-27.

Static random access memory device having a memory cell array region in which a unit cell is arranged in a matrix

Номер патента: US6118158A. Автор: Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP4383758A2. Автор: Lei Chen,Hong Wang,Bingzhao Li,Bin Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Techniques for communicating random access messages based on beam refining in wireless communications

Номер патента: EP4108038A1. Автор: Tao Luo,Juan Montojo,Peter Gaal,Mahmoud Taherzadeh Boroujeni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Enhanced contention-free random access (cfra) preamble assignment

Номер патента: EP4374649A1. Автор: UMUR Karabulut,Jedrzej STANCZAK,Ömer BULAKCI,Ahmad Awada,Halit Murat Gürsu. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-05-29.

Random access method and apparatus, and configuration indication method and apparatus

Номер патента: EP4192131A1. Автор: Xiaowei Jiang. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

User station (sta) and access point (ap) and method for random access contention using cascaded trigger frames

Номер патента: US20180077731A1. Автор: Chittabrata Ghosh. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Random access channel access and validity procedures

Номер патента: EP4301054A3. Автор: Xiaoxia Zhang,Kapil Bhattad,Jing Sun,Ozcan Ozturk,Ananta Narayanan Thyagarajan,Pravjyot Singh DEOGUN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Random access method, base station, user equipment and device with storage function

Номер патента: US20230119085A1. Автор: HUA QIAN,Jianxin JIA,Zhenyu Tang,Kai Kang,Zhenghang ZHU,Xuming PEI. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Mechanism for first random access mode falling back to second random access mode

Номер патента: US12022523B2. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-06-25.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP3796725A1. Автор: Le Jin,Yongbo ZENG,Hongcheng Zhuang,Yunbo HAN,Bingguang Peng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Method for detecting random access of user equipment

Номер патента: US20060050775A1. Автор: Feng Li,Xiaolong Ran,Tiezhu Xu,Libao Zhang. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Control mechanism for random access procedure

Номер патента: US12048018B2. Автор: Istvan Zsolt Kovacs,Samuli Heikki TURTINEN. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-07-23.

Random access channel optimization for group handovers

Номер патента: WO2024155267A1. Автор: Navin Hathiramani. Владелец: Nokia of America Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Random access responses with bandwidth limitation

Номер патента: EP4366442A1. Автор: Jussi-Pekka Koskinen,Samuli Heikki TURTINEN,Ahlem KHLASS. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-05-08.

Random access method and apparatus, and storage medium

Номер патента: EP4369811A1. Автор: Qin MU. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Random access processing method and apparatus, and terminal

Номер патента: EP4336945A1. Автор: Xiaodong Yang,Wenjuan PU. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Techniques for communicating random access messages based on beam refining in wireless communications

Номер патента: WO2021168251A1. Автор: Tao Luo,Juan Montojo,Peter Gaal,Mahmoud Taherzadeh Boroujeni. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-26.

Fallback procedures for two-step random access procedures

Номер патента: US11765771B2. Автор: YING Wang,Jing Lei,Wanshi Chen,Naga Bhushan,Joseph Binamira Soriaga,Hung Dinh LY,Linhai He,Seyong Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Design considerations for a random access response for a two-step random access procedure

Номер патента: WO2020251853A1. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Linhai He. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-12-17.

Random access procedure

Номер патента: WO2021056388A8. Автор: Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: Nokia Shanghai Bell Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-27.

Random access procedure

Номер патента: EP3799509A1. Автор: Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2021-03-31.

Method of determining frequency-domain offset parameter, user equipment (ue), random access method, method for configuring random access information, corresponding device and computer readable medium

Номер патента: US20190215877A1. Автор: Chen Qian,Bin Yu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Random access response reception of random access procedure

Номер патента: US12052761B2. Автор: Hua Zhou,Yunjung Yi,Hyoungsuk Jeon,Ali Cagatay Cirik,Esmael Hejazi Dinan. Владелец: Ofinno LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for reporting aperiodic csi on pucch during random access

Номер патента: EP4226554A1. Автор: Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN,Jonas FRÖBERG OLSSON,Yufei Blankenship,Shiwei Gao,Sorour Falahati,Siva Muruganathan. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-08-16.

Considerations for a random access response for a two-step random access procedure

Номер патента: US11672013B2. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Linhai He. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Enhanced configuration for physical random access channel mask and random access response window

Номер патента: US20230164844A1. Автор: Jing Lei,Chao Wei,Wanshi Chen,Qiaoyu Li,Linhai He,Peter Pui Lok Ang,Huilin Xu,Ruiming Zheng,Krishna Mukkavilli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and apparatus for random access

Номер патента: EP3963818A1. Автор: Jingya Li,Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-03-09.

Method and apparatus for random access in wireless communication system and user terminal

Номер патента: US20210084695A1. Автор: Jing Xu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

A method and apparatus for random access

Номер патента: EP3755110A1. Автор: Bo Dai,Wei Zou,Ting Lu,Qian Dai,YuanFang Yu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2020-12-23.

A method and apparatus for random access

Номер патента: EP4221436A1. Автор: Bo Dai,Wei Zou,Ting Lu,Qian Dai,YuanFang Yu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Multi-link-based random access method and device in wireless lan system

Номер патента: US20240292463A1. Автор: Sang Gook Kim,Jinsoo Choi,Insun JANG,Sunhee BAEK,Jiin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-29.

Random access method, random access apparatus, and storage medium

Номер патента: EP4408096A1. Автор: Xuemei QIAO. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Random access in communication system

Номер патента: US20240298354A1. Автор: Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method for restricting random access procedure-related activity in connection with a background application

Номер патента: WO2018219172A1. Автор: Limei Wang,Julia Wang. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-12-06.

System and method for restricting random access procedure-related activity in connection with a background application

Номер патента: US20180352580A1. Автор: Limei Wang,Julia Wang. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

High-efficiency wi-fi (hew) station and access point (ap) and method for random access contention

Номер патента: US20180084575A1. Автор: Shahrnaz Azizi,Po-Kai Huang,Robert J. Stacey,Chittabrata Ghosh. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

3d memory with cell stacking using an in-situ capacitor stack

Номер патента: US20230301058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and device for performing random access procedure in wireless communication system

Номер патента: EP4418784A1. Автор: Jiwon Kang,Hyungtae Kim,Chanho Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-21.

System and method for beam-based physical random-access

Номер патента: US11751238B2. Автор: Henrik Sahlin,Qiang Zhang,Stefan Parkvall,Mattias Frenne,Johan FURUSKOG,Hakan Andersson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-09-05.

System and method for random access resource selection

Номер патента: US12082235B2. Автор: Chie-Ming Chou,Hung-Chen Chen,Yu-Hsin Cheng,Mei-Ju Shih. Владелец: FG Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Device and method for transmitting random access preamble

Номер патента: US20180049249A1. Автор: Xiaoqiang Li,Yujian Zhang,Yingyang Li. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Random Access Preambles Using Transmit Beams of Base Station

Номер патента: US20220232505A1. Автор: Hua Zhou,Alireza Babaei,Hyoungsuk Jeon,Kyungmin Park,Esmael Hejazi Dinan. Владелец: Ofinno LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Random access method and apparatus

Номер патента: US20240224341A1. Автор: Jianghua Liu,Junren Chang,Nannan Liu,Jiaojiao LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Random access channel preamble assignments for dual connectivity

Номер патента: US20240196447A1. Автор: Reman Pezhumkad Balakrishna,Michael Chanicka. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Carrier selection for downlink random access messages

Номер патента: US20240324021A1. Автор: Hwan Joon Kwon,Hung Dinh LY,Kexin XIAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Supporting view direction based random access of bitstream

Номер патента: US12101489B2. Автор: Ajit Ninan,Chaitanya ATLURU. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Random access method and apparatus

Номер патента: US12101818B2. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for random access in repetition mode in wireless mobile communication system

Номер патента: US20240306191A1. Автор: Soenghun KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-12.

Random access method and apparatus, and communication apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: EP4429386A1. Автор: Qin MU. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Random access enhancement for multi-transmission and reception points

Номер патента: WO2024168568A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Xiaoxia Zhang,Shaozhen GUO,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Carrier selection for downlink random access messages

Номер патента: EP4410031A1. Автор: Hwan Joon Kwon,Hung Dinh LY,Kexin XIAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Random access method and device, and storage medium

Номер патента: US20240306209A1. Автор: Xiaowei Jiang,Xiaofei Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Random access process control methods and related device

Номер патента: US20240349352A1. Автор: Bosen DUN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Random access method and apparatus, and storage medium

Номер патента: US20240349350A1. Автор: Qin MU. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Contention free random access method and device

Номер патента: US12127247B2. Автор: Li Chen,Bertrand Pierre,Chandrika Kumudinie Worrall. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP4383758A3. Автор: Lei Chen,Hong Wang,Bingzhao Li,Bin Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method and apparatus for determining random access occasion resource information, and method and apparatus for indicating random access occasion resource information

Номер патента: EP4447599A1. Автор: Yumin Wu,Xiaofei Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Systems and methods of enhanced random access procedure

Номер патента: US12137483B2. Автор: HE Huang,Zhihong Qiu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Method, apparatus, communication device and storage medium for random access

Номер патента: US12075489B2. Автор: Tong Sha,Yang Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Random access method, terminal equipment and computer storage medium

Номер патента: US12075487B2. Автор: Chen Qian,Bin Yu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Random access method and apparatus, and storage medium

Номер патента: US12069732B2. Автор: Wei Hong,YONG Li,Junli Li,Yajun Zhu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Fallback procedures for two-step random access procedures

Номер патента: US12114356B2. Автор: YING Wang,Jing Lei,Wanshi Chen,Naga Bhushan,Joseph Binamira Soriaga,Hung Dinh LY,Linhai He,Seyong Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Random access method and device

Номер патента: US09986588B2. Автор: Zhongming Chen,Yada Huang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Random access procedure

Номер патента: US09980293B2. Автор: Magnus Stattin,Johnny KAROUT. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and apparatus for configuring random access sequence length for high carrier frequency band in wireless communication system

Номер патента: US09924543B2. Автор: Kitae Kim,Hyunsoo Ko,Jaehoon Chung,Jinmin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for beam-based physical random-access

Номер патента: US09814068B2. Автор: Henrik Sahlin,Qiang Zhang,Stefan Parkvall,Mattias Frenne,Johan FURUSKOG,Hakan Andersson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-11-07.

Device and method for transmitting random access preamble

Номер патента: US09807801B2. Автор: Xiaoqiang Li,Yujian Zhang,Yingyang Li. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Random access method and user equipment

Номер патента: US09807791B2. Автор: Rongdao Yu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for random access

Номер патента: US09775175B2. Автор: Tao Yang,Seau Sian Lim. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2017-09-26.

System and method for contention-free random access

Номер патента: US09756658B2. Автор: Brian Classon,Vipul Desai,Philippe Satori. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Wireless communication device, a network node and methods therein for improved random access

Номер патента: US09730248B2. Автор: Muhammad Kazmi,Imadur Rahman. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatus and method for random access with multiple antennas in a wireless network

Номер патента: US09699811B2. Автор: Ying Li,Zhouyue Pi,Richard Stirling-Gallacher,Pavan NUGGEHALLI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

High-efficiency Wi-Fi (HEW) station and access point (AP) and method for random access contention

Номер патента: US09699807B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Po-Kai Huang,Robert J. Stacey,Chittabrata Ghosh. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Random access method, terminal and network device

Номер патента: RU2734167C1. Автор: Нин ЯН,Цзяньхуа ЛЮ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-10-13.

Stacked spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US11251362B2. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Random access procedure in handover during multibeam propagation

Номер патента: RU2739790C1. Автор: Янне ПЕЙСА,Прадипа РАМАЧАНДРА,Икаро Л. Дж. ДА СИЛЬВА. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2020-12-28.

Method of forming dynamic random access memory circuitry and dynamic random access memory

Номер патента: US5977578A. Автор: Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Magnetic random access memory with thermally stable magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US6518588B1. Автор: Stuart S. P. Parkin,Mahesh G. Samant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Method of forming dynamic random access memory circuitry and dynamic random access memory

Номер патента: US5807776A. Автор: Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-15.

Method for manufacturing dynamic random access memory cell

Номер патента: US5200354A. Автор: Jae C. Om,In S. Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-06.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Cell of static random access memory

Номер патента: RU2573226C2. Автор: Сергей Феофентович Тюрин. Владелец: Сергей Феофентович Тюрин. Дата публикации: 2016-01-20.

RANDOM ACCESS RESPONSE PROCESSING

Номер патента: US20120002606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS CHANNEL RESOURCE ALLOCATION

Номер патента: US20120002617A1. Автор: Vujcic Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining periodicity of inspecting random access memory during operation in radiation conditions of cosmic space on sun-synchronous orbit

Номер патента: RU2438163C1. Автор: Евгений Владимирович Фролков,Александр Владимирович Шатунов. Владелец: Войсковая часть 32103. Дата публикации: 2011-12-27.

Method for random access in wireless communication system, wireless communication system, wireless terminal and base station module

Номер патента: RU2461999C2. Автор: Йосихару ТАДЗИМА,Казухиса ОБУТИ,Йосихиро КАВАСАКИ,Йосиаки ОХТА. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2012-09-20.

Error correction means for random access memories

Номер патента: CA1073114A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-03-04.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2319239C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of creating antivirus record when detecting malicious code in random-access memory

Номер патента: RU2592383C1. Автор: Алексей Владимирович Монастырский,Денис Александрович Назаров,Михаил Александрович Павлющик. Владелец: Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2016-07-20.

Method and apparatus for handling random access channel information in a wireless communication system

Номер патента: WO2024215103A1. Автор: Aby Kanneath ABRAHAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.