Dram cell with enhanced capacitor area and the method of manufacturing the same
Номер патента: US20090057741A1
Опубликовано: 05-03-2009
Автор(ы): Jai-Hoon Sim
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-03-2009
Автор(ы): Jai-Hoon Sim
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of fabricating a storage node in a semiconductor device and methods of fabricating a capacitor using the same
Номер патента: US20120208340A1. Автор: Jong Kook Park,Han Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.