Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US11955567B2
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Kuo-Chi Tsai, Wei-Fan Chen
Принадлежит: Leap Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Kuo-Chi Tsai, Wei-Fan Chen
Принадлежит: Leap Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.