Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
Номер патента: US20150236148A1
Опубликовано: 20-08-2015
Автор(ы): Takeyoshi Masuda
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-08-2015
Автор(ы): Takeyoshi Masuda
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including transistor and method of manufacturing the same
Номер патента: US8937343B2. Автор: NaeIn Lee,Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-20.