• Главная
  • Coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, method for manufacturing organic transistor, and method for manufacturing organic semiconductor film

Coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, method for manufacturing organic transistor, and method for manufacturing organic semiconductor film

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Organic semiconductor material

Номер патента: US20150236270A1. Автор: Raffaella Capelli,Michele Muccini,Massimo Zambianchi,Manuela MELUCCI,Laura Favaretto. Владелец: ETC SRL. Дата публикации: 2015-08-20.

Organic semiconductor materials and methods of preparing and use thereof

Номер патента: WO2008051552A2. Автор: He Yan,Tobin J. Marks,Antonio Facchetti. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2008-05-02.

N-type semiconductor materials in thin film transistors

Номер патента: EP2266150A1. Автор: Deepak Shukla,Thomas Robert Welter. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-12-29.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices

Номер патента: US9276215B2. Автор: Pascal Hayoz,Patrice Bujard. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-03-01.

Organic semiconductor material

Номер патента: EP2920184A1. Автор: Raffaella Capelli,Michele Muccini,Massimo Zambianchi,Manuela MELUCCI,Laura Favaretto. Владелец: ETC SRL. Дата публикации: 2015-09-23.

Coating solution and process for producing glassy layers

Номер патента: US4842901A. Автор: Hans-Joachim Merrem,Werner Graf. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1989-06-27.

Organic semiconductors, their manufacture and semiconductor devices comprising them

Номер патента: EP2573833A1. Автор: Ulrich Berens,Frank Bienewald,Hans Jürg Kirner. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-03-27.

Method of doping an organic semiconductor and doping composition

Номер патента: US09960352B2. Автор: Thomas Kugler,Sheena Zuberi. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic semiconductor polymers

Номер патента: US20180287066A1. Автор: Tobin J. Marks,Mohammed Al-Hashimi,Hugo Bronstein,Kealan Fallon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-04.

Organic semiconductor polymers

Номер патента: US11196003B2. Автор: Tobin J. Marks,Mohammed Al-Hashimi,Hugo Bronstein,Kealan Fallon. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2021-12-07.

Organic semiconductor polymers

Номер патента: US10547005B2. Автор: Tobin J. Marks,Mohammed Al-Hashimi,Hugo Bronstein,Kealan Fallon. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2020-01-28.

Organic semiconductors with dithienofuran core monomers

Номер патента: US10062847B2. Автор: Joseph Kuczynski,Brandon M. Kobilka,Jason T. Wertz,Scott B. King. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Organic semiconductors with dithienofuran core monomers

Номер патента: US10454035B2. Автор: Joseph Kuczynski,Brandon M. Kobilka,Jason T. Wertz,Scott B. King. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic semiconductor material and semiconductor device

Номер патента: US20080119009A1. Автор: Akito Ugawa,Mao Tatsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Novel liquid-crystalline compound and organic semiconductor device containing the compound

Номер патента: US20120007062A1. Автор: YASUYUKI Sasada,Tetsuharu Miwa. Владелец: JNC Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Organic semiconductor material

Номер патента: US20170069845A1. Автор: Shiro Hamamoto,Hikaru Tanaka,Kazutake Hagiya,Atsushi Wakamiya. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Electrode material for organic semiconductor device

Номер патента: US20170358765A1. Автор: Kenichi Umeda,Keisuke USHIROGATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Doped organic semiconductor material and method for production thereof

Номер патента: CA2463377C. Автор: Ansgar Werner,Martin Pfeiffer,Karl Leo,Torsten Fritz. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2015-01-06.

N-type semiconductor materials for thin film transistors

Номер патента: EP1825533A2. Автор: Deepak Shukla,Diane Carol FREEMAN,Shelby Forrester Nelson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-08-29.

Organic semiconductor liquid composition, organic semiconductor element and method for producing same

Номер патента: EP3240056A1. Автор: Teruki Niori. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20240292641A1. Автор: Yosuke Saito,Yasuharu Ujiie,Mari Ichimura,Yuki NEGISHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Organic semiconductor material

Номер патента: EP4421103A1. Автор: Yasuhiro Sakamoto,Hikaru Tanaka,Kazutake Hagiya,Yoshiki Imanishi,Akari HIRATA. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Process for preparing crystalline organic semiconductor material

Номер патента: WO2016027218A1. Автор: Ilja VLADIMIROV,Thomas Weitz,Tiziana CHIODO,Thomas SEYFRIED. Владелец: Basf (China) Company Limited. Дата публикации: 2016-02-25.

Polymer for anode buffer layer, coating solution for anode buffer layer, and organic light emitting device

Номер патента: WO2005057677A1. Автор: Kunio Kondo,Tamami Koyama. Владелец: SHOWA DENKO K.K. Дата публикации: 2005-06-23.

Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing

Номер патента: US6087196A. Автор: James C. Sturm,Chung Chih Wu,Duane Marcy,Thomas R. Hebner. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-07-11.

Organic semiconductor material and thin-film transistor

Номер патента: US20140312317A1. Автор: Chien-Lung Wang,Chain-Shu Hsu,Jhong-Sian Wu,Jyun-Fong Jheng,Ching-Yang Liu,Yao-Min Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-10-23.

Organic semiconductor material and thin-film transistor

Номер патента: US9156947B2. Автор: Chien-Lung Wang,Chain-Shu Hsu,Jhong-Sian Wu,Jyun-Fong Jheng,Ching-Yang Liu,Yao-Min Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-10-13.

Organic semiconductor device and organic semiconductor thin film

Номер патента: EP1995801A1. Автор: Yoshihiro Miyamoto,Mao Katsuhara,Akito Ugawa,Toshiyuki Kunikiyo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Pyromellitic diimide organic semiconductors and devices

Номер патента: EP2313415A2. Автор: Howard Edan Katz,Byung Jun Jung,Qingdong Zheng. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-04-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881818B2. Автор: Nobuaki Yamanaka,Daisuke CHIKAMORI,Shinichirou KATSUKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Organic semiconductor and organic thin-film transistor

Номер патента: US20100213444A1. Автор: Takehiko Mori,Masato Kanno. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Organic semiconductor material

Номер патента: US20230276703A1. Автор: Akito Yamamoto,Toshihiro Okamoto,Junichi Takeya,Tadanori KUROSAWA,Daiji IKEDA,Craig Peiqi YU. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Organic semiconductor element and compound

Номер патента: EP3220434A1. Автор: Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-09-20.

Solution processable organic semiconductors

Номер патента: WO2009154877A1. Автор: Peiwang Zhu. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2009-12-23.

Solution Processable Organic Semiconductors

Номер патента: US20110079775A1. Автор: Peiwang Zhu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2011-04-07.

Coating solution of polyetherimide oligomers

Номер патента: US4374972A. Автор: Donald A. Bolon,Thomas B. Gorczyca. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-02-22.

Derivatized fullerene-based dopants for organic semiconductors

Номер патента: EP2335299A1. Автор: Nir Tessler,Olga Solomeshch. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Liquid-crystalline coating solution and polarizing film

Номер патента: US8790544B2. Автор: Shoichi Matsuda,Sadahiro Nakanishi,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Liquid-crystalline coating solution and polarizing film

Номер патента: US20120105795A1. Автор: Shoichi Matsuda,Sadahiro Nakanishi,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Coating solution for light guide plate and method of fabricating light guide plate

Номер патента: WO2022225741A1. Автор: Jooyoung Lee,Euiho Kim,ChaHyun KU. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-27.

Coating solution for forming porous organic film

Номер патента: US20010038887A1. Автор: Atsushi Sukumoda,Yuji Yoshida,Hyuncheol Choi. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Coating solution for forming a silica-based coating film

Номер патента: US4865649A. Автор: Toshihiro Nishimura,Akira Hashimoto,Muneo Nakayama,Eiichi Kashiwagi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1989-09-12.

Electrophoretic coating solution, electrophoretic display panel and display device

Номер патента: US20240270986A1. Автор: Jian Jin,Bin Cheng. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Water-washable masking coating solution for post-processing shoe sole and method for using coating solution

Номер патента: US20170112239A1. Автор: Heedae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-27.

Coating Solutions, Coatings Formed Therefrom, And Coated Medical Devices

Номер патента: US20180258363A1. Автор: Alan Rhodes,Bethany Sheila HUDDART. Владелец: BioInteractions Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Coating solutions, coatings formed therefrom, and coated medical devices

Номер патента: AU2016361081B2. Автор: Alan Rhodes,Bethany Sheila HUDDART. Владелец: BioInteractions Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Coating solutions, coatings formed therefrom, and coated medical devices

Номер патента: EP3380596A1. Автор: Alan Rhodes,Bethany Sheila HUDDART. Владелец: BioInteractions Ltd. Дата публикации: 2018-10-03.

Coating solutions, coatings formed therefrom, and coated medical devices

Номер патента: WO2017089739A1. Автор: Alan Rhodes,Bethany Sheila HUDDART. Владелец: Biointeractions Ltd.. Дата публикации: 2017-06-01.

Interfacial layer and coating solution for forming the same

Номер патента: CA2704444A1. Автор: Yuhua Tong,Edward F. Grabowski,Robert D. Bayley. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-11-22.

Antimicrobiological coating, coating solution and method for manufacturing and reforming the coating

Номер патента: EP2214489A1. Автор: Petri Sorsa,Jari Knuutila,Mika Kolari. Владелец: MILLIDYNE Oy. Дата публикации: 2010-08-11.

Antimicrobiological coating, coating solution and method for manufacturing and reforming the coating

Номер патента: WO2009060123A1. Автор: Petri Sorsa,Jari Knuutila,Mika Kolari. Владелец: MILLIDYNE Oy. Дата публикации: 2009-05-14.

Coating solution for forming light diffusion layer, and light diffusion plate

Номер патента: EP2048523A1. Автор: Toshihiko Higuchi,Hisao Inokuma. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-15.

Coating material for coating metal plate

Номер патента: EP4382589A1. Автор: Takeshi Matsuda,Shinichi Furuya,Tomohiro Aoyama,Shun KOIBUCHI. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Polymer compositions and coating solutions

Номер патента: US20230279262A1. Автор: Kostantinos Kourtakis,Benjamin SAMSON,Michael Thomas Kwasny,Michael Mulzer. Владелец: DuPont Electronics Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Scratch masking coating solution for glass containers

Номер патента: ZA202101058B. Автор: Birken Isabelle,Hoekman Leendert. Владелец: Arkema France. Дата публикации: 2023-10-25.

Scratch masking coating solution for glass containers

Номер патента: WO2020127922A1. Автор: Isabelle Birken,Leendert Hoekman. Владелец: Arkema France. Дата публикации: 2020-06-25.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2780409A1. Автор: Subramanian Vaidyanathan,Nikolai Kaihovirta,Tero Mustonen,Jean-Luc Budry. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-09-24.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8975620B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan,Hsing-Yi Wu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-10.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140042404A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan,Hsing-Yi Wu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Organic semiconductor doping process

Номер патента: US9929343B2. Автор: Alan Sellinger,Henry Snaith,Tomas LEIJTENS,Antonio Abate. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Controlled organic semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230085106A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Michael Sawatzki. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2023-03-16.

Coating solution for forming cell scaffold and production method thereof

Номер патента: AU2022428176A1. Автор: Daigo Kobayashi,Yuuhei ARAI. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Coating solution for forming cell scaffold and production method thereof

Номер патента: CA3239283A1. Автор: Daigo Kobayashi,Yuuhei ARAI. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Iridium complex compounds, organic electroluminescent devices and uses thereof

Номер патента: WO2009011447A3. Автор: Takeshi Igarashi,Isamu Taguchi. Владелец: Isamu Taguchi. Дата публикации: 2009-03-26.

Automated adjustment system for non-light-emitting variable transmission devices and a method of using the same

Номер патента: EP4338378A1. Автор: Dallas AKRE,Leo SU. Владелец: Sage Electrochromics Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US9123791B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor device and process of forming the same

Номер патента: US20210083092A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130153927A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20170365678A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20160056298A1. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Coating solution for metal surfaces

Номер патента: US4273592A. Автор: Timm L. Kelly. Владелец: Amchem Products Inc. Дата публикации: 1981-06-16.

Coating solution of polyetherimide oligomers

Номер патента: CA1196445A. Автор: Donald A. Bolon,Thomas B. Gorczyca. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-05.

Apparatus and process for producing a crystal of semiconductor material

Номер патента: US09828693B2. Автор: Georg Brenninger,Georg Raming. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Photovoltaic semiconductor device using an organic material as an active layer

Номер патента: US4106951A. Автор: James V. Masi. Владелец: Uce Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

Liquid organic semiconductor material

Номер патента: US20190044082A1. Автор: Jun-Ichi Hanna,Hiroaki Iino,Keiji Tokunaga. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2019-02-07.

Liquid organic semiconductor material

Номер патента: US20210119165A1. Автор: Jun-Ichi Hanna,Hiroaki Iino,Keiji Tokunaga. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for producing organic semiconductor film and organic transistor

Номер патента: US09960351B2. Автор: Hiroshi Ohta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus for applying coating solution and method of fabricating liquid crystal display device using the same

Номер патента: US20060283535A1. Автор: Tae Jeong. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Carbon nanotube resistor, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100320569A1. Автор: Kaoru Narita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Film forming method for organic semiconductor film

Номер патента: US20210359212A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A9. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-10-26.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A3. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-12-13.

System and Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20170084666A1. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-03-23.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP1766685A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: WO2005109510A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Artto Aurola. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device including a resistor and method for the formation thereof

Номер патента: US20140264342A1. Автор: Alexandru Romanescu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234423A9. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Laser printable organic semiconductor compositions and applications thereof

Номер патента: US20190006604A1. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2019-01-03.

Organic semiconductor element

Номер патента: US20190326522A1. Автор: Hiroyuki Matsui,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of forming semiconductor devices and devices formed using such methods

Номер патента: US8445388B2. Автор: Robert V. Fox,Rene G. Rodriguez,Joshua Pak. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2013-05-21.

Multi-stack semiconductor device

Номер патента: US20120056306A1. Автор: Chih-Hsien Chien,Chang-Shiang Yang,Ke-Hsuan Liu. Владелец: Sun Well Solar Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays

Номер патента: US4754544A. Автор: Joseph J. Hanak. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1988-07-05.

Semiconductor device having a passivating layer

Номер патента: CA1098608A. Автор: Jacques Lebailly. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-03-31.

Semiconductor devices

Номер патента: GB1066911A. Автор: Roger Cullis. Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1967-04-26.

Metallized semiconductor device including an interface layer

Номер патента: CA1258718A. Автор: Daniel Brasen,Ronald H. Willens. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-08-22.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US3797102A. Автор: T Huffman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-03-19.

Method of forming a semiconductor device and an optical device and structure thereof

Номер патента: WO2006091288A3. Автор: Robert E Jones. Владелец: Robert E Jones. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming a semiconductor device and an optical device and structure thereof

Номер патента: WO2006091288A2. Автор: Robert E. Jones. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-08-31.

Methods and semiconductor materials suitable for photovoltaic cells

Номер патента: US20140261665A1. Автор: Suneel Girish Joglekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Formation of thin layers of semiconductor materials

Номер патента: EP2399286A1. Автор: Robert Cameron Harper. Владелец: IQE SILICON COMPOUNDS LTD. Дата публикации: 2011-12-28.

Organic semiconductor formulation

Номер патента: US09805838B2. Автор: Miguel Carrasco-Orozco,Toby Cull. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for enhancing aggregation state stability of organic semiconductor thin film

Номер патента: GB2617975A. Автор: Hu Wenping,LI Liqiang,Chen Xiaosong,Qi Jiannan. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-25.

Coating solution for lithium ion battery separators and lithium ion battery separator

Номер патента: US11881595B2. Автор: Makoto Kato,Noriko Kasai,Kukjin YOON. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Coating solution for metal surface

Номер патента: US4148670A. Автор: Timm L. Kelly. Владелец: Amchem Products Inc. Дата публикации: 1979-04-10.

Coating solution and method for capturing and preserving biological materials

Номер патента: US20090053806A1. Автор: Deirdre Daniels,Darren Radke. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2009-02-26.

Zirconium/titanium coating solution for aluminum surfaces

Номер патента: CA1098253A. Автор: Timm L. Kelly. Владелец: Amchem Products Inc. Дата публикации: 1981-03-31.

Coating solution for metal surfaces

Номер патента: US4370177A. Автор: Timm L. Kelly,Frank J. Frelin,Anthony J. Malloy. Владелец: Amchem Products Inc. Дата публикации: 1983-01-25.

Conversion coating solution for treating metallic surfaces

Номер патента: US4220486A. Автор: Yasunobu Matsushima,Nobuyuki Oda,Haruyoshi Terada. Владелец: Nihon Parkerizing Co Ltd. Дата публикации: 1980-09-02.

pH STABLE TRIVALENT CHROMIUM COATING SOLUTIONS

Номер патента: US20180327909A1. Автор: Sjon Westre,Jake Cruson. Владелец: Chemeon Surface Technology LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Conversion coating solution for treating metal surfaces

Номер патента: CA1321859C. Автор: Shigeo Tanaka,Tomoyuki Aoki,Yasunobu Matsushima,Yohji Ono. Владелец: Nihon Parkerizing Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-07.

Acidic chromium containing coating solution for zinc or cadmium surfaces

Номер патента: CA1286957C. Автор: Klaus-Peter Klos,Karl-Heinz Lindemann,Willi Birnstiel. Владелец: Lever Sutter GmbH. Дата публикации: 1991-07-30.

Coating solution of polyetherimide-forming monomers

Номер патента: CA1109175A. Автор: Edith M. Boldebuck,Eugene G. Banucci. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-09-15.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09864248B2. Автор: Yasumori Fukushima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Process for preparing of semiconductor device and pattern-forming coating solution used for this process

Номер патента: US5087551A. Автор: Satoshi Takechi,Yuko Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

Electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150017766A1. Автор: Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

OLED display device and method for producing organic transistor

Номер патента: US10204972B2. Автор: HAO Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Organic Transistor, Method for Producing the Same and OLED Display Device

Номер патента: US20180047795A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Encapsulated organic semiconductor device and method

Номер патента: WO2003085698A2. Автор: Andrew Skipor,Steven Scheifers,Krishna Kalyanasundaram,Daniel Gamota. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-10-16.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Bottom and Top Gate Organic Transistors with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20140054560A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Organic semiconductor element, production method therefor and organic semiconductor device

Номер патента: EP1532688A4. Автор: Akira Unno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-11-09.

Silicon on insulator semiconductor device with mixed doped regions

Номер патента: US20190371943A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4199117A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Tritium direct conversion semiconductor device

Номер патента: US09887018B2. Автор: Peter Cabauy,Noren Pan,Larry C Olsen. Владелец: City Labs Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Organic semiconductor composition, organic thin film transistor, electronic paper, and display device

Номер патента: US09882137B2. Автор: Yasuaki Matsushita,Tokihiko MATSUMURA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09825139B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Electroluminescent organic transistor

Номер патента: US8772765B2. Автор: Raffaella Capelli,Michele Muccini. Владелец: ETC SRL. Дата публикации: 2014-07-08.

Organic transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20140191224A1. Автор: Junichi Takeya,Takafumi Uemura,Mayumi Uno. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240055503A1. Автор: Mark Griswold,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12052858B2. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9735258B2. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040175873A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240266424A1. Автор: Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor Device Having a Charge Compensation Region

Номер патента: US20150263165A1. Автор: Andrew Wood,Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-17.

Dual silicide wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: WO2020176814A1. Автор: Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170263507A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170179251A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device structure and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2007072021A1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device with superlattice fin

Номер патента: US20220108983A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240373624A1. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160172609A1. Автор: Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20220352362A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230282739A1. Автор: Po-hsun Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230284449A1. Автор: Hyunmook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device including two-dimensional semiconductor material

Номер патента: US12062697B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240365559A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12069865B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including two-dimensional semiconductor material

Номер патента: US20240363689A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Forming layers with different conductivity types, etching, and epitaxially growing semiconductor material

Номер патента: NZ568487A. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-07-29.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Hybrid semiconductor device

Номер патента: US20220209007A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Hybrid semiconductor device

Номер патента: EP4272240A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Passivation technique for wide bandgap semiconductor devices

Номер патента: US20150091061A1. Автор: Bin Lu,Feng Gao,Di Chen,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device with different fin sets

Номер патента: US20160197072A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7745318B2. Автор: Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Finfet semiconductor device with isolated channel regions

Номер патента: US20160093739A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device having buried bias pads

Номер патента: EP3937242A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11756793B2. Автор: Yohei Ishii,Kathryn Maier,Medhat Khalil. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296455A1. Автор: Akira Ezaki,Shinji Onduka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20070117305A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor Device and Method for Power MOSFET on Partial SOI

Номер патента: US20230207568A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240321884A1. Автор: Jongsu Kim,Sangmoon Lee,Junggil YANG,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Forming a contact for a semiconductor device

Номер патента: US09917060B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Reducing leakage current in semiconductor devices

Номер патента: US09911813B2. Автор: Bin Lu,Tomas Apostol Palacios,Elison De Nazareth Matioli. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

A Thin-Film Transistor Comprising Organic Semiconductor Materials

Номер патента: US20210257568A1. Автор: Yu Xia,Antonio Facchetti,Zhihua Chen,Shaofeng Lu,Timothy Chiu. Владелец: Flexterra Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388615A1. Автор: Hidetoshi Tanaka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190319109A1. Автор: Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device having buried bias pads

Номер патента: US20220013542A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor Devices And Methods For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170148639A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

Номер патента: US20240339322A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09991265B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240243205A1. Автор: Sanghoon Uhm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230317852A1. Автор: Chih-I Wu,Ang-Sheng Chou,I-Chih NI,Shun-Siang JHAN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290888A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Forming of Slope Liners in Trench Based Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363728A1. Автор: FAN CHEN,Randy Yin,Nasir Ilyas. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Forming of slope liners in trench based semiconductor devices

Номер патента: EP4456142A1. Автор: FAN CHEN,Randy Yin,Nasir Ilyas. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09978723B2. Автор: Yoshitaka Tadaki,Naohiro Takazawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09887084B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with reduced emitter efficiency

Номер патента: US09859378B2. Автор: Wolfgang Wagner,Johannes Baumgartl,Volodymyr Komarnitskyy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thin film transistor and organic semiconductor material thereof

Номер патента: US5936259A. Автор: Howard Edan Katz,Joyce G. Laquindanum. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Ethylenic compound sensor including an organic semiconductor

Номер патента: US20180180584A1. Автор: Howard E. Katz,Kalpana Besar. Владелец: Johns Hopkins Technology Ventures. Дата публикации: 2018-06-28.

Methods for making double-sided semiconductor devices and related devices, assemblies, packages and systems

Номер патента: US20210233851A1. Автор: Hyunsuk CHUN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods for making double-sided semiconductor devices and related devices, assemblies, packages and systems

Номер патента: WO2021150346A1. Автор: Hyunsuk CHUN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-29.

Etch stop for oxide semiconductor devices

Номер патента: US20240222514A1. Автор: Vladimir Nikitin,Christopher CONNOR,Vishak Venkatraman,Yasin Kaya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device with strain-inducing regions and method thereof

Номер патента: US20130313572A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397447A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397448A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Bottom gate type organic semiconductor transistor

Номер патента: US20190221754A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Eiji Fukuzaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307467A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: US12074079B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Method and apparatus for irradiating a semiconductor material surface by laser energy

Номер патента: EP2539104A2. Автор: Bruno Godard,Cyril Dutems,Herve Besaucele. Владелец: EXCICO FRANCE. Дата публикации: 2013-01-02.

Method and apparatus for irradiating a semiconductor material surface by laser energy

Номер патента: WO2011104198A2. Автор: Bruno Godard,Cyril Dutems,Herve Besaucele. Владелец: EXCICO FRANCE. Дата публикации: 2011-09-01.

Stress release structures for metal electrodes of semiconductor devices

Номер патента: US20110291159A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Doped Organic Semiconductors and Methods of Making the Same

Номер патента: US20220328764A1. Автор: Andre D. Taylor,Jaemin Kong,Jason Alexander Rohr. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2022-10-13.

Structures and methods for source-down vertical semiconductor device

Номер патента: US12094967B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Stress release structures for metal electrodes of semiconductor devices

Номер патента: US20140332854A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US20150253121A1. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Solution for a semiconducting layer of an organic electronic device

Номер патента: US09905783B2. Автор: Christopher Newsome,Daniel Tobjork. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09905557B2. Автор: Toshihiko Saito,Kiyoshi Kato,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09881900B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device including multilayer wiring layer

Номер патента: US09786668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20130168662A1. Автор: Thomas Kugler,Christopher Newsome,Mohd K. Othman. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Organic semiconductor device and method

Номер патента: WO2003100827A2. Автор: Manes Eliacin,Aroon Tungare,Robert T. Croswell,Ke Keryn Lian. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-12-04.

Organic semiconductor device

Номер патента: US20220157911A1. Автор: Ching-Wen Chen,Ying-Hui Lai,Shih-Hua Hsu,Shuo-Yang SUN. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220254742A1. Автор: Toshiaki Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

A semiconductor device

Номер патента: WO2007133123A1. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2007-11-22.

Tunable radiation emitting semiconductor device

Номер патента: EP1627436A2. Автор: Erik P. A. M. Bakkers,Stefan P. Grabowski. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-02-22.

Electric field management in semiconductor devices

Номер патента: WO2023069796A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2023-04-27.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11728456B2. Автор: Meng-yang CHEN,Yuan-Ting Lin. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor Material Doping

Номер патента: US20160260867A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20130256771A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Jun Koyama,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor material doping

Номер патента: WO2011069140A3. Автор: Michael Shur,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor material doping

Номер патента: EP2507820A2. Автор: Michael Shur,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-10.

Semiconductor material doping

Номер патента: WO2011069140A2. Автор: Michael Shur,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20120193722A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: US12080790B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor Material Doping

Номер патента: US20140077154A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Remigijus Gaska,Jinwei Yang,Maxim S Shatalov. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for the manufacture of semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20020109139A1. Автор: Kramadhati Ravi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Electronic semiconductor device having a thermal spreader

Номер патента: US20020017705A1. Автор: Benedetto Vigna,Ubaldo Mastromatteo,Bruno Murari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Methods and structures for contacting shield conductor in a semiconductor device

Номер патента: US20240266434A1. Автор: Peter A. Burke. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230274948A1. Автор: Mann Ho CHO,Gi Hyeon KWON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-31.

Charged polaron-polaritons in an organic semiconductor microcavity

Номер патента: US20210376568A1. Автор: Noel C. Giebink,Chiao-Yu Cheng. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304699A1. Автор: JunYoung KWON,Gwanhyung LEE,Heeje RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US9916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Electric field management in semiconductor devices

Номер патента: US12106960B2. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Gate structure and semiconductor device including the gate structure

Номер патента: EP4447122A2. Автор: Byounghoon Lee,Sungnam LYU,Hyojung NOH,Eulji JEONG,Minwoo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor devices with doped semiconductor materials

Номер патента: US12094714B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US12132119B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor material doping

Номер патента: US09997667B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Organic light emitting diode comprising an organic semiconductor layer

Номер патента: US09923153B2. Автор: Carsten Rothe,Vygintas Jankus. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-03-20.

Strained and unstrained semiconductor device features formed on the same substrate

Номер патента: US09917154B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US09916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Spacer formation on semiconductor device

Номер патента: US09911831B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Eric R. Miller,Sanjay C. Mehta,Thamarai Selvi Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having schottky junction between substrate and drain electrode

Номер патента: US09905684B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Tsunehiro Nakajima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12119392B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09806079B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Keitaro Imai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Crosstalk suppression in wireless testing of semiconductor devices

Номер патента: US09791498B2. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of creating a high performance organic semiconductor device

Номер патента: US6784017B2. Автор: Yang Yang,Liping Ma,Michael L. Beigel. Владелец: Precision Dynamics Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240047379A1. Автор: Alim Karmous,Norbert Labrenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Organic semiconductor element, production method therefor and organic semiconductor device

Номер патента: EP1532688A1. Автор: Akira Canon Kabushiki Kaisha Unno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-05-25.

Semiconductor device

Номер патента: WO1997022150A1. Автор: Patrick Reginald Palmer,David Alistair Hinchley. Владелец: Cambridge University Technical Services Ltd.. Дата публикации: 1997-06-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8871583B2. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

False collectors and guard rings for semiconductor devices

Номер патента: US20230317775A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Guruvayurappan S. MATHUR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Coating method and solutions for enhanced electromigration resistance

Номер патента: US20070262449A1. Автор: Isabelle Bispo,Paolo Mangiagalli,Nathalie Thieriet. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2007-11-15.

Solution for TSV substrate leakage

Номер патента: US09984926B2. Автор: YAN Gao,Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of passivating semiconductor devices and the passivated devices

Номер патента: US5880029A. Автор: Kurt Eisenbeiser,Jenn-Hwa Huang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Strained semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: GB2418533A. Автор: Zoran Krivokapic,Daniel R Collopy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with memory capacitor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO1999003152A2. Автор: Wiebe Barteld De Boer,Marieke Cornelia Martens. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-01-21.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US3678346A. Автор: Jack M Hirshon,Philip D Warner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1972-07-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US11901410B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160181421A1. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20220052187A1. Автор: Yihwan Kim,Sangmoon Lee,DongSuk Shin,Dong Chan Suh,Seung Ryul Lee,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170084729A1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4276912A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor device with epitaxial liftoff layers for directly converting radioisotope emissions into electrical power

Номер патента: US11783956B2. Автор: Peter Cabauy. Владелец: City Labs Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor devices with dissimlar materials and methods

Номер патента: US20220093745A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240153993A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of making semiconductor device having buried bias pad

Номер патента: US11973083B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098917A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151734A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20170148883A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device with epitaxial liftoff layers for directly converting radioisotope emissions into electrical power

Номер патента: US20240087767A1. Автор: Peter Cabauy. Владелец: City Labs Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity

Номер патента: CA2402662A1. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

"fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity"

Номер патента: MY126104A. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-09-29.

Fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity

Номер патента: US20020173165A1. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Cree Lighting Co. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2008047928A1. Автор: Naoto Kusumoto,Ryoji Nomura,Takaaki Nagata. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2008-04-24.

System for continuous fabrication of micro-structures and thin film semiconductor devices on elongate substrates

Номер патента: US5273622A. Автор: Stephen C. Jacobsen. Владелец: Sarcos Group. Дата публикации: 1993-12-28.

Semiconductor device with superlattice-structured graded buffer layer and fabrication method thereof

Номер патента: US5847409A. Автор: Tatsuo Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device for RF integrated circuit

Номер патента: US11557539B1. Автор: Brian Romanczyk,Matthew Guidry. Владелец: Monde Wireless Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US11699755B2. Автор: ASHISH Pal,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Mehdi Saremi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Dual silicide wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20220109066A1. Автор: Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955551B2. Автор: Georgios Vellianitis,Gerben Doornbos,Marcus van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4199112A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US11881398B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US11355341B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-07.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: EP4297067A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20140070312A1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-13.

Dual metal wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: WO2020176811A1. Автор: Kandabara Tapily,Hiroaki Niimi,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20210313235A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Organic semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150340654A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of making semiconductor device having buried bias pad

Номер патента: US20230395606A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150034967A1. Автор: Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Methods for forming semiconductor devices with isolation structures

Номер патента: US20240071808A1. Автор: Soo Doo Chae,Mingmei Wang,Hojin Kim. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US20180301552A1. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: EP1776743A1. Автор: Keith James Nash,Geoffrey Richard QinetiQ Limited NASH,John Henry QinetiQ Limited JEFFERSON. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240088043A1. Автор: Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11948933B2. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: WO2006016118A1. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230238405A1. Автор: Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Shohei SHIMADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20230299199A1. Автор: ASHISH Pal,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Mehdi Saremi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1579488B1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130207201A1. Автор: Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Dual metal wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20220310812A1. Автор: Hiroaki Niimi,Takahiro Hakamata,Kandabara N Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Methods for forming semiconductor devices with isolation structures

Номер патента: WO2024049625A1. Автор: Soo Doo Chae,Mingmei Wang,Hojin Kim. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US10672607B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-02.

Method of manufacturing organic semiconductor devices

Номер патента: WO2019096731A1. Автор: Patrick Too,Herve VANDEKERCKHOVE. Владелец: FLEXENABLE LIMITED. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230253397A1. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2023247545A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230343777A1. Автор: Yupeng Chen,Rouying Zhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150104920A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-16.

Dual metal wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20200279942A1. Автор: Kandabara N. Tapily,Hiroaki Niimi,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20140235025A1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240145558A1. Автор: Akira Ezaki,Shinji Onduka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device contacts

Номер патента: US20120045868A1. Автор: Fabrice Dierre,Mohamed Ayoub. Владелец: Durham Scientific Crystals Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device contacts

Номер патента: WO2010133869A1. Автор: Mohamed Ayoub,Fabrice Diere. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369487A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device package with semiconductive thermal pedestal

Номер патента: US12021003B2. Автор: Han GAO,Dwayne Richard Shirley,Roberto Coccioli,Ershad Ali,Shrinath Ramdas. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240203975A1. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236138A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2013157619A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09984946B2. Автор: Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09760007B2. Автор: Shoichi KUGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Bi doped gasb alloy infrared semiconductor devices

Номер патента: WO2013164567A1. Автор: Peter Carrington,Anthony KRIER. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd.. Дата публикации: 2013-11-07.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20240297479A1. Автор: Keisuke Matsumoto,Shogo Ito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Liquid organic semiconductor material

Номер патента: US12041801B2. Автор: Jun-Ichi Hanna,Hiroaki Iino,Keiji Tokunaga. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-07-16.

Controlled organic semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP4139972A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Michael Sawatzki. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2023-03-01.

Controlled organic semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: WO2021214219A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Michael Sawatzki. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT DRESDEN. Дата публикации: 2021-10-28.

Stressed organic semiconductor

Номер патента: US20060214163A1. Автор: Kiyotaka Mori,Daniel Hogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Stressed organic semiconductor

Номер патента: US20060208255A1. Автор: Daniel Hogan,Klyotaka Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-21.

Stressed organic semiconductor

Номер патента: WO2005096410A1. Автор: Kiyotaka Mori,Daniel Hogan. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co, Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Stressed organic semiconductor

Номер патента: EP1741150A1. Автор: Kiyotaka Mori,Daniel Hogan. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-10.

Semiconductor device including conductive network of protective film molecules and fine particles

Номер патента: US7626197B2. Автор: Shinichiro Kondo,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Laser printable organic semiconductor compositions and applications thereof

Номер патента: EP3408877A1. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2018-12-05.

Organic semiconductor devices having low contact resistance

Номер патента: US7208756B2. Автор: Yi Chen,Chunong Qiu,Ishiang Shih,Steven Shuyong Xiao,Cindy X. Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-24.

Active semiconductor devices

Номер патента: US7732812B2. Автор: Ingolf Hennig,Florian Doetz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for manufacturing organic transistor and organic transistor

Номер патента: US20090256144A1. Автор: Masataka Kano,Kazuhito Tsukagoshi,Takeo MINARI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Organic transistor and active matrix display

Номер патента: EP2047512A1. Автор: Ikue Kawashima,Yoshikazu Akiyama,Takumi Yamaga. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-15.

Organic Transistor with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20120181512A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa H. Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Organic transistor and active matrix display

Номер патента: WO2008015947A1. Автор: Ikue Kawashima,Yoshikazu Akiyama,Takumi Yamaga. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-02-07.

Organic transistor, organic transistor array and display apparatus

Номер патента: US20100224865A1. Автор: Keiichiro Yutani,Takanori Tano,Takumi Yamaca. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Organic transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20100084637A1. Автор: Seok-Hee Yoon,Hyeon Choi,Roman Kiselev. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Organic transistor including an organic semicnductor layer and method for fabricating the same

Номер патента: US8247803B2. Автор: Seok-Hee Yoon,Hyeon Choi,Roman Kiselev. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Organic transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP2111642A1. Автор: Seok-Hee Yoon,Hyeon Choi,Roman Kiselev. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2009-10-28.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20110204346A1. Автор: Kiyoshi Nakamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of producing plurality of organic transistors using laser patterning

Номер патента: WO2006106312A1. Автор: Thomas M. Brown,Paul A. Cain,Anoop Menon,Carl Hayton. Владелец: PLASTIC LOGIC LIMITED. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of Producing Plurality of Organic Transistors Using Laser Patterning

Номер патента: US20080194056A1. Автор: Thomas M. Brown,Paul A. Cain,Anoop Menon,Carl Hayton. Владелец: Plastic Logic Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Organic semiconductor device

Номер патента: EP1398840A3. Автор: Kenji Nakamura,Kenichi Nagayama. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-06-07.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110248248A1. Автор: Takaaki Ukeda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240172426A1. Автор: Junhyeok Ahn,Myeongdong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Organic transistor, method for producing organic transistor, electro-optical device, and electronic equipment

Номер патента: US8288765B2. Автор: Keiichi Inoue. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Vertical organic transistor

Номер патента: US7772079B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Sheng-fu Horng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-08-10.

Organic transistor, organic transistor array and display apparatus

Номер патента: WO2009072401A1. Автор: Takumi Yamaga,Keiichiro Yutani,Takanori Tano. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

A method for doping a semiconductor material with cesium

Номер патента: EP1648042A1. Автор: Ansgar Werner,Tilmann Romainczyk. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2006-04-19.

Organic semiconductors and growth approaches therefor

Номер патента: US20090294760A1. Автор: Zhenan Bao,Ajay A. Virkar,Stefan Christian Bernhardt Mannsfeld. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of making an organic semiconductor device

Номер патента: WO2011146307A1. Автор: Mingqian He,Jianfeng Li,Michael L. Sorensen. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-24.

Field effect type organic transistor and process for production thereof

Номер патента: WO2005029605A1. Автор: Shinichi Nakamura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240260280A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Joo-Heon Kang,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Thin-film transistor comprising organic semiconductor materials

Номер патента: US11882710B2. Автор: Yu Xia,Antonio Facchetti,Zhihua Chen,Shaofeng Lu,Timothy Chiu. Владелец: Flexterra Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240276710A1. Автор: Min Hee Cho,Sanghoon Uhm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Odor sensor with organic transistor circuitry

Номер патента: US20020117693A1. Автор: Ananth Dodabalapur,Howard Katz,Alan Gelperin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for manufacturing organic semiconductor element

Номер патента: US20240188408A1. Автор: Shigeo Hara,Kosuke HIRONAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-06-06.

Production method for organic semiconductor thin film

Номер патента: EP3923359A1. Автор: Eijiro Iwase,Akihiko Suyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Organic semiconductor devices and organic electroluminescent devices produced by using wet process

Номер патента: US20060177696A1. Автор: Byoung-Choo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US8269216B2. Автор: Kiyoshi Nakamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Organic semiconductor device, RF modulation circuit, and IC card

Номер патента: US7115898B2. Автор: Tadahiko Hirai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-10-03.

Organic semiconductor transistor

Номер патента: US20130161589A1. Автор: Katsuhiro Sato,Koji Horiba,Hidekazu Hirose. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20230371313A1. Автор: Kano Masataka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Soft direct 3d printing of organic semiconductors

Номер патента: WO2024182802A1. Автор: Mohammad Reza Abidian,Omid DADRAS-TOUSSI,Sheereen Majd,Anthony KISUCKY. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2024-09-06.

Coating solution for forming antireflective coating film

Номер патента: US6132928A. Автор: Masakazu Kobayashi,Kazumasa Wakiya,Toshimasa Nakayama,Masahito Tanabe. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-17.

Photographic coating solutions

Номер патента: US4902612A. Автор: John L. Cawse,David Rowland. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-02-20.

Self-adjusting return line and dip coating solution apparatus including the same

Номер патента: US20040055535A1. Автор: Man Yip. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Self-adjusting return line and dip coating solution apparatus including the same

Номер патента: US6884293B2. Автор: Man Kit Yip. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Method for purging stagnant coating solution

Номер патента: US20020119257A1. Автор: Eugene Swain,Steven Grammatica,Christopher Fridd,Kathryn Lalone. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of manufacturing catalyst coating solution and catalyst body using the same

Номер патента: US20130072379A1. Автор: Young Kee Youn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of manufacturing catalyst coating solution and catalyst body using the same

Номер патента: US9138723B2. Автор: Young Kee Youn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-09-22.

Method and apparatus for applying coating solution with bar

Номер патента: EP1872861A3. Автор: Satoru Matsumoto,Atsushi Ooshima,Yasuhito Naruse,Nobuyuki Sone. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for applying a coating solution

Номер патента: US5298292A. Автор: David Rich,John J. Darcy,Robert S. Foltz,Richard J. Manzolati,John T. Dilko,Gene O'Dell. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Double acting pneumatic three-way valve for handling coating solution

Номер патента: WO2005089952A1. Автор: Todd Robida. Владелец: Scimed Life Systems, Inc.. Дата публикации: 2005-09-29.

New sugar coating solution

Номер патента: GB1144439A. Автор: . Владелец: Ciba AG. Дата публикации: 1969-03-05.

Halohydrocarbon-free timed-release coating solution for pharmaceutical preparations

Номер патента: AU1207292A. Автор: Michael Walz. Владелец: BOEHRINGER INGELHEIM INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 1992-10-06.

Halohydrocarbon-free timed-release coating solution for pharmaceutical preparations

Номер патента: AU659132B2. Автор: Michael Walz. Владелец: BOEHRINGER INGELHEIM INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 1995-05-11.

Method of manufacturing a stacked material for a point-of-care testing system

Номер патента: WO2024058786A1. Автор: Javier L. Prieto,Herschel Max WATKINS,Kristy Mckeating. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20120033484A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Systems and methods of characterizing semiconductor materials

Номер патента: US12085516B2. Автор: Gordon Deans,Hamidreza GHODDAMI,Johnson Kai Chi WONG. Владелец: Aurora Solar Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Exterior material for home appliance and air conditioner including same

Номер патента: US20230408112A1. Автор: Youngdeog KOH,Jungsoo LIM,Jimin Hong,Kihun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

An improved material for the insulating of pipes or similar parts against heat or cold

Номер патента: GB160453A. Автор: . Владелец: OLOF JONATHAN MELLGREN. Дата публикации: 1921-10-27.

Solution for a Treatment of a Resist, a Modified Resist, a Process for the Treatment of a Resist and an Intermediate Product

Номер патента: US20090104558A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-04-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD FOR IMPROVED ISOLATION REGIONS AND DEFECT-FREE ACTIVE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20120094466A1. Автор: YANG Bin,Ng Man Fai. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD FOR IMPROVED ISOLATION REGIONS AND DEFECT-FREE ACTIVE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20120220095A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-30.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.