Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device including fin having condensed channel region

Semiconductor device including fin having condensed channel region

Номер патента: US20170033219A1
Опубликовано: 02-02-2017
Автор(ы): Effendi Leobandung, Gen Tsutsui, Hong He, Tenko Yamashita
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240312792A1. Автор: Ding-I Liu,Yuh-Ta FAN,Hui-An Han,Kai-Shiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US11929419B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240055526A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Yu-Chi Lin,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297252A1. Автор: Chan-Lon Yang,Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Finfet semiconductor device with isolated channel regions

Номер патента: US20160093739A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device with source/drain via

Номер патента: US20240266282A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

FinFET having an epitaxially grown semiconductor on the fin in the channel region

Номер патента: US09530843B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12142533B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20200075597A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device with source/drain via

Номер патента: US12021023B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905467B2. Автор: Chi-Wen Liu,Hsin-Chieh Huang,Chih-Sheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20180076203A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09871138B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having metallic source and drain regions

Номер патента: US9583487B2. Автор: Annalisa Cappellani,Cory E. Weber,Rafael Rios,Aaron A. Budrevich,Martin D. Giles,Sanaz Kabehie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240306369A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180175173A1. Автор: Chia-Wei Chang,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068394B2. Автор: Chia-Wei Chang,Yu-Ting WENG,Chiung Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052157A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20140363939A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09570604B2. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20160218210A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor devices

Номер патента: US12100735B2. Автор: Jeong Yun Lee,Seung Hun Lee,Namkyu Edward CHO,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09449968B2. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Franz Hirler,Markus Zundel,Peter Irsigler,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09590075B2. Автор: Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09397156B2. Автор: Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US20080296635A1. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US8102030B2. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US20100193846A1. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device including dual-layer source/drain region

Номер патента: US09793400B2. Автор: Kangguo Cheng,Zhen Zhang,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including dual-layer source/drain region

Номер патента: US09748336B2. Автор: Kangguo Cheng,Zhen Zhang,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Stacked semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20200168606A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Steven Demuynck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-28.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device including dual-layer source/drain region

Номер патента: US20170104101A1. Автор: Kangguo Cheng,Zhen Zhang,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device including dual-layer source/drain region

Номер патента: US20170104065A1. Автор: Kangguo Cheng,Zhen Zhang,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device structure for improved performance and related method

Номер патента: US09929241B2. Автор: Jingjing Chen. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240097028A1. Автор: Kazuhiro Tamura,Yusuke Shimizu,Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09349834B2. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device comprising an isolation trench

Номер патента: US09825148B2. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with silicide structures surrounding epitaxial structures and method of making the same

Номер патента: US20230268422A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297253A1. Автор: Yan-Ting Shen,Chia-Chi Yu,Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09520477B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230063993A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11830929B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230066077A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: WO2024226119A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20190296018A1. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming a semiconductor device including an active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material

Номер патента: US11862476B2. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20210175344A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076590A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09825139B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09564524B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200211839A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the same

Номер патента: US20200251557A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US11869765B2. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20210151319A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20240087884A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Buffer layer on semiconductor devices

Номер патента: US20140291777A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Buffer layer on semiconductor devices

Номер патента: US10374055B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for forming counterdoped semiconductor device comprising first epitaxial layer and second epitaxial layer formed over first epitaxial layer having conductivity type different than second epitaxial layer

Номер патента: US09887272B2. Автор: Martin Christopher Holland,Richard Kenneth Oxland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991384B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160240537A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method therof

Номер патента: US09837536B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of co-integration of strained silicon and strained germanium in semiconductor devices including fin structures

Номер патента: US09735160B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09406680B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Methods of forming semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09887100B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Tzu-Chiang CHEN,Chia-Cheng Ho,Wei-Jen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor Device Having a Charge Compensation Region

Номер патента: US20150263165A1. Автор: Andrew Wood,Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including dual spacer and uniform epitaxial buffer interface of embedded SiGe source/drain

Номер патента: US09601621B1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device including dual spacer and uniform epitaxial buffer interface of embedded SiGe source/drain

Номер патента: US09595597B1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: EP3084811A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US20150318219A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-05.

Methods for Fabricating Strained Gate-All-Around Semiconductor Devices by Fin Oxidation Using an Undercut Etch-Stop Layer

Номер патента: US20160284605A9. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-29.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US20170047416A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-16.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: WO2014051728A2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for fabricating strained gate-all-around semiconductor devices by fin oxidation using an undercut etch-stop layer

Номер патента: US09484272B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device including a gate structure wrapped around a fin structure

Номер патента: US09437698B2. Автор: Tai-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having planar transistor and finfet

Номер патента: US20200091004A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Kuang-Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

FinFET and nanowire semiconductor devices with suspended channel regions and gate structures surrounding the suspended channel regions

Номер патента: US09577100B2. Автор: Kern Rim,Michael P. Chudzik,Kangguo Cheng,Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Eric C. Harley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240194749A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US20240250155A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213314A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Chun Hsiung Tsai,Ya-Yun Cheng,Clement Hsing Jen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343339A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Chun Hsiung Tsai,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068399B2. Автор: Takashi Okada,Tomoyuki Ito,Toshiki Kaneko,Akihiro Hanada,Takuo Kaitoh,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: US20240363720A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200259001A1. Автор: Liang-Yin Chen,Wei-Ting Chien,Chia-Ling Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220376089A1. Автор: Liang-Yin Chen,Wei-Ting Chien,Chia-Ling Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230025796A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Contact structures for compound semiconductor devices

Номер патента: US09666705B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240332091A1. Автор: Huang-Lin Chao,Kenichi Sano,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE,Huiching Chang,Shao An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric

Номер патента: US09484460B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014793A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080048247A1. Автор: Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Hiroaki Kuriyama,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748363B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711642B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020179979A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Han-Soo Kim,Yong Park,Kang-Sik Cho,Hoo-Seung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device with improved short circuit withstand time and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20210111279A1. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282820A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Song-Bor Lee,Jung-Ting Chen,Ting Tsai,Chung-Wei HUNG,Ying-Hua LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917185B2. Автор: Kengo OMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865734B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09577098B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09401427B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US12068386B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230282725A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device gate structures

Номер патента: US20240371963A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087857B2. Автор: Tao Chen,Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including superlattice SiGe/Si fin structure

Номер патента: US09660035B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device including a repeater/buffer at upper metal routing layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381414A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11942554B2. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with strain-inducing regions and method thereof

Номер патента: US20130313572A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for making semiconductor device including source/drain dopant diffusion blocking superlattices to reduce contact resistance

Номер патента: US20200161429A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Daniel Connelly,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for manufacturing a semiconductor device having a low junction leakage current

Номер патента: US20050153528A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461164B2. Автор: Thorsten Meyer,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor Device Including Insulating Layer of Cubic System or Tetragonal System

Номер патента: US20120168904A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sung-Hae Lee,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sang-Yeol Kang,Jun-noh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025432A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954076B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device having an air gap along a gate spacer

Номер патента: US11817491B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Array substrate, display panel, and display device, including thin film transistor having increased effective length of channel region

Номер патента: US10444585B2. Автор: Lina Sun,Yiming Wang,Shoufu Jian. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09620588B2. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20150318307A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20160111340A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US09530699B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US09419117B2. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09466601B2. Автор: Junggil YANG,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160218217A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09793271B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09653463B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601626B2. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09589956B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170162696A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966469B2. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200035840A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

FinFET semiconductor device having integrated SiGe fin

Номер патента: US09985030B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor Device Including Electrode Trench Structure and Isolation Trench Structure and Manufacturing Method Therefore

Номер патента: US20200303528A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-24.

Hybrid Channel Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230352534A1. Автор: Pei-Yu Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US9275908B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US20170317077A1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US20170365601A1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device including fin structures disposed over buffer structures

Номер патента: US09997600B2. Автор: Yen-Ming Chen,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device including fin shaped structure including silicon germanium layer

Номер патента: US09954108B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including Fin-FET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882029B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chia-Jung Hsu,Gin-Chen Huang,Feng-Cheng Yang,Tzu-Hsiang HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including Fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680014B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170186872A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including fin capacitors

Номер патента: US09478536B2. Автор: Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Yongwoo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837547B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with composite drift region

Номер патента: US09478456B2. Автор: Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182122A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: US20240290885A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Channel structures including doped 2D materials for semiconductor devices

Номер патента: US12100755B2. Автор: Ching-Hua Lee,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Three-dimensional germanium-based semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US09472399B2. Автор: Abhijit Jayant Pethe,Annalisa Cappellani,Bruce E. Beattie,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230335631A1. Автор: Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of forming semiconductor devices including fin structures and related devices

Номер патента: US7205609B2. Автор: Yong-Hoon Son,Deok-Hyung Lee,Si-Young Choi,Byeong-Chan Lee,In-Soo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-17.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290883A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290884A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182119A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182120A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647068B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450075B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160133743A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US9496393B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US8969877B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-03-03.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Channel strain control for nonplanar compound semiconductor devices

Номер патента: US09502565B2. Автор: Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150144967A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US9257521B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-02-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240321884A1. Автор: Jongsu Kim,Sangmoon Lee,Junggil YANG,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240204106A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including fin field effect transistor and planar fin field effect transistor

Номер патента: US20230299083A1. Автор: Sungwoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11469252B2. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139834A1. Автор: Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20180138313A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11043589B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11127640B2. Автор: Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10622258B2. Автор: Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10204834B2. Автор: Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180166344A1. Автор: Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device including nanowire transistor

Номер патента: US09978835B2. Автор: Sang-Su Kim,Jung-Gil YANG,Sung-Gi HUR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09755050B2. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device including nanowire transistor

Номер патента: US09515147B2. Автор: Sang-Su Kim,Jung-Gil YANG,Sung-Gi HUR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200152652A1. Автор: Tomohiro Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20220181487A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210280715A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20170012123A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20190273158A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210399130A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20200119192A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11777030B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US10546954B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US9893180B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices including fin bodies with varied epitaxial layers

Номер патента: US20160315193A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20200411687A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09825025B2. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices including fin bodies with varied epitaxial layers

Номер патента: US09773908B2. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Wet chemistry processes for fabricating a semiconductor device with increased channel mobility

Номер патента: US09396946B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar,Jason Gurganus,Daniel Jenner Lichtenwalner,Erik Maki. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180122930A1. Автор: Shinichi Okamoto,Tsutomu Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09478618B1. Автор: Jun Taek Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: WO2024118238A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12107134B2. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266351A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Hiroshi Sato,Shinsuke Harada,Atsushi Yao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20220367268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US20160268431A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device with increased source/drain area

Номер патента: US09837407B1. Автор: Peng Xu,Jie Yang,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US09502564B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with an inclined source/drain and associated methods

Номер патента: US20140054715A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09449886B2. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240128373A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US20230282524A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi On Chui,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472620B1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor Device Structure and Method for Manufacturing the same

Номер патента: US20120043593A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09735243B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653358B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8871583B2. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device and method of checking semiconductor storage device

Номер патента: US20030117151A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Kyoji Yamashita,Mutsumi Kobayashi,Hiroyuki Umimoto,Katsuhiro Ohtani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory cell in semiconductor device

Номер патента: US09425203B2. Автор: Kunihiko Iwamoto,Bungo Tanaka,Michihiko Mifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190221562A1. Автор: Yu-Ying Lin,Chun-Jen Chen,Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Keng-Jen Lin,Yen-Hsing Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device with reduced gate length

Номер патента: US20150097227A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ta-Pan Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9614084B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614084B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107013B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09825034B2. Автор: Jae-Hwan Lee,Sangsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09536950B2. Автор: Jae-Hwan Lee,Sangsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor devices with fin-shaped active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US11482523B2. Автор: Jae Hun Jeong,Yoon Seok Lee,Jong Ki JUNG,Chan Geun Ahn,Soo Hun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332386A1. Автор: Yung-Chun Wu,Yi-Ju Yao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Junction Field Effect Transistor Cell with Lateral Channel Region

Номер патента: US20150137143A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716157B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09425327B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device including field-effect transistor

Номер патента: US20080079034A1. Автор: Taiki Komoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240063277A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Channel structures including doped 2d materials for semiconductor devices

Номер патента: US20230402534A1. Автор: Ching-Hua Lee,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US11990512B2. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20180190772A1. Автор: Sung Dae Suk,Jeongyun Lee,Kyungseok MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Stress-inducing silicon liner in semiconductor devices

Номер патента: US20240379817A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4295409A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12020926B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09966375B2. Автор: Seong-Ju Kim,Mirco Cantoro,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Woong-Ki Hong,Do-hyoung Kim,Dong-Hoon KHANG,Chang-Jae Yang,Seung-Mo Ha,Tae-yong Kwon,Woo-Ram KIM,Seung-Jin MUN,So-Ra YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Spacer formation on semiconductor device

Номер патента: US09911831B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Eric R. Miller,Sanjay C. Mehta,Thamarai Selvi Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with false drain

Номер патента: US09741793B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Spacer formation on semiconductor device

Номер патента: US09443855B1. Автор: Soon-Cheon Seo,Eric R. Miller,Sanjay C. Mehta,Thamarai Selvi Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices including superlattice depletion layer stack and related methods

Номер патента: US09406753B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert Mears,Erwin Trautmann. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device including epitaxially formed buried channel region

Номер патента: US20170062570A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Jie Deng,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11842933B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Tsai-Yu Huang,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230378001A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Tsai-Yu Huang,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240178269A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for making semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391446A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

High-voltage semiconductor device

Номер патента: US10784369B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Thin body semiconductor devices having improved contact resistance and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20110062443A1. Автор: Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11894451B2. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200058738A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288168A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US11862681B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210118995A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240088227A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device and associated memory device

Номер патента: US20220037484A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Strained semiconductor device

Номер патента: US09773870B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Strained semiconductor device

Номер патента: US20170373150A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20170301581A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US09728535B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US09847389B2. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device including metal insulator semiconductor transistor

Номер патента: US20100187590A1. Автор: Hirokazu Ishigaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device with junction fet transistor having multi pinch-off voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243132A1. Автор: Ji Man Kim,Hee Hwan JI,Song Hwa HONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180301446A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09673106B2. Автор: Yuri Masuoka,So-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device including a LDMOS transistor

Номер патента: US09960229B2. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Matthias Zigldrum,Christian Eckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having internal stress film

Номер патента: US7417289B2. Автор: Hiroyuki Umimoto,Masafumi Tsutsui,Kaori Akamatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-26.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US9461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230275091A1. Автор: Yang Xu,Sanggil Lee,Namkyu CHO,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US20150303202A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US12062662B2. Автор: Yang Xu,Sanggil Lee,Namkyu CHO,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US09461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180144988A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device

Номер патента: US12080785B2. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121704B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614055B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Ooishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device with low pinch-off voltage and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20230261116A1. Автор: Daping Fu,Yanjie Lian. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20180174889A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US9305825B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US09954052B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722030B1. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US20200335627A1. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US11081591B2. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388608A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device, semiconductor module, and packaged semiconductor device

Номер патента: US11069783B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Mitsuaki Sakamoto,Toshikazu Imai,Yasuyuki Masumoto,Shigetoshi Sota,Tomonari OOTA,Masaaki HIRAKO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-20.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US09704864B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: EP1355362B1. Автор: Yutaka Center for Microelectronic Systems ARIMA. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Oxide semiconductor devices, methods of forming oxide semiconductor devices and organic light emitting display devices including oxide semiconductor devices

Номер патента: US09614020B2. Автор: Tae-Young Kim,Hye-Hyang Park,Shin-Hyuk Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09748378B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068369B2. Автор: Jongchul Park,BokYoung Lee,Jongsoon Park,Jeongyun Lee,Hyunggoo LEE,Yeondo Jung,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and display device comprising an oxide semiconductor channel region having a different crystal orientation than source/drain regions

Номер патента: US09748399B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Shigeyasu Mori,Junichi Koezuka,Takuya Matsuo,Yosuke Kanzaki,Hiroshi Matsukizono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device including epitaxially formed buried channel region

Номер патента: US20170062589A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Jie Deng,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device including epitaxially formed buried channel region

Номер патента: US09679969B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Jie Deng,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US09653581B2. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Chang Lin,Chun-Feng Nieh,Wen-Tai Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US09450087B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor devices including a recessed access device and methods of forming same

Номер патента: US09449978B2. Автор: Haitao Liu,Mark Fischer,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey,Mingtao Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8097914B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10192962B2. Автор: Yuto OSAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-29.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Power Semiconductor Device Having a Control Cell for Controlling a Load Current

Номер патента: US20220231125A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100052045A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258425A1. Автор: Hidefumi Takaya. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Power Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200395443A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device including vertical-type field effect transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US10297687B2. Автор: Sharma Deepak,YeonCheol Heo,Kwanyoung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-21.

Power semiconductor device having a control cell for controlling a load current

Номер патента: US12087816B2. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250186A1. Автор: Sung-dae Suk,Geumjong BAE,Mongsong LIANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240290829A1. Автор: Yuki Mori,Haruka Shimizu,Takeru Suto. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090189199A1. Автор: Naoharu Sugiyama,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US09601495B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200161467A1. Автор: Shuhei Mitani,Yasuhiro Ebihara,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9640671B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US5977564A. Автор: Tomoki Inoue,Takashi Shinohe,Setsuko Kobayashi,Akihiro Yahata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170301783A1. Автор: Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371978A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20220344466A1. Автор: Kentaro NASU,Takaaki Yoshioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device including gate electrode extending between nanosheets

Номер патента: US09825183B2. Автор: Jong Ho Lee,Geum Jong Bae,Ho Jun Kim,Sung Dae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

High-voltage metal-oxide-semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070111415A1. Автор: Chin-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8901643B2. Автор: Seung-Hyun Lim,Jae-Young Ahn,Chang-Woo Sun,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi-O KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210036153A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device having a multilayer source/drain region and methods of manufacture

Номер патента: US12132118B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799762B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711608B1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Gate isolation features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240379673A1. Автор: Chia-Ta Yu,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20240339546A1. Автор: Chin-Yi Huang,Wade SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US12021155B2. Автор: Chin-Yi Huang,Wade SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20120037986A1. Автор: Yongdon Kim,Eungkyu Lee,Sungryoul Bae,Soobang Kim,Dong-Eun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20180026136A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20210050449A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20200083376A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20190189802A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20170012127A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having channel regions with non-uniform edge

Номер патента: US09716144B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US09466718B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Finfet cascode laterally-diffused semiconductor device

Номер патента: US20190131402A1. Автор: Akira Ito,Qing Liu. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Power semiconductor device and production method

Номер патента: WO2023285555A1. Автор: Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09911864B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device using diamond

Номер патента: US09711638B2. Автор: Daisuke Takeuchi,Satoshi Yamasaki,Hiromitsu Kato,Kazuhiro Oyama,Masahiko Ogura,Toshiharu Makino,Norio Tokuda,Takao INOKUMA,Takuma MINAMIYAMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device

Номер патента: US09577110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having an enhanced well region

Номер патента: US8283722B2. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US11824089B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US20220149155A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US20210273050A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Core-Shell Nanostructures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20230411455A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US20160043167A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020106860A1. Автор: Shuichi Kikuchi,Takao Maruyama,Eiji Nishibe. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09761734B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US09450048B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09425217B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352527A1. Автор: Jongchul Park,BokYoung Lee,Jongsoon Park,Jeongyun Lee,Hyunggoo LEE,Yeondo Jung,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11362113B2. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11830914B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US20160329397A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for making semiconductor device including body contact dopant diffusion blocking superlattice to reduce contact resistance

Номер патента: US20200161425A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Daniel Connelly,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128273A1. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170373196A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09741846B2. Автор: Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Atsushi Kasahara,Hiroshi KAMEOKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US09698259B2. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with a pillar-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09379125B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

N-channel bipolar power semiconductor device with P-layer in the drift volume

Номер патента: US10546939B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11894387B2. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230389290A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12009428B2. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274717A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240322018A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240332356A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US09666489B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US09559013B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Under-spacer doping in fin-based semiconductor devices

Номер патента: US09496356B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466705B2. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Under-spacer doping in fin-based semiconductor devices

Номер патента: US09455323B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, method of manufacturing gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072135A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US9343566B2. Автор: Kazuhiko Takada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US11769803B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240072122A1. Автор: Dethard Peters,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230075396A1. Автор: Lain-Jong Li,Wen-hao Chang,Ming-Yang Li,Han YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115541A1. Автор: Lain-Jong Li,Wen-hao Chang,Ming-Yang Li,Han YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305375A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180308960A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151758A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US11799008B2. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230087572A1. Автор: Tomonari SHIODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device including a resonant tunneling diode structure with electron mean free path control layers comprising a superlattice and associated methods

Номер патента: EP3497728A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7915680B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110147841A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010019858A1. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Naoaki Yamaguchi,Mutsuo Yamamoto,Masamitsu Hiroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Two-dimensional material semiconductor device

Номер патента: US09899501B2. Автор: Geoffrey Pourtois,Cedric Huyghebaert,Anh Khoa Lu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device

Номер патента: US09847406B2. Автор: Masami Endo,Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including oxide semiconductor

Номер патента: US09640555B2. Автор: Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Field-effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US09613961B2. Автор: Yoshiki Kamata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09548301B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09530895B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having localized charge balance structure and method

Номер патента: US09412811B2. Автор: Peter Moens,Piet Vanmeerbeek,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device including first interface and second interface as an upper surface of a convex protruded from first interface and manufacturing device thereof

Номер патента: US09349856B2. Автор: Toru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-planar semiconductor device having active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US9018680B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Vertical semiconductor device with body contact, method of manufacturing vertical semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072173A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20240063256A1. Автор: Zheng He,Yi Tang,Qiong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200091321A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

3d hybrid memory using horizontally oriented conductive dielectric channel regions

Номер патента: US20230019692A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device including epitaxially formed buried channel region

Номер патента: US9595598B1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Jie Deng,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device including epitaxially formed buried channel region

Номер патента: US20170062602A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Jie Deng,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device including epitaxially formed buried channel region

Номер патента: US9590106B1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Jie Deng,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Passivation layers for semiconductor devices

Номер патента: US11929422B2. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4000102A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device including resonant tunneling diode structure having a superlattice and related methods

Номер патента: EP3494599A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09362373B2. Автор: Koji Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Power semiconductor device with dV/dt controllability through select trench electrode biasing, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10347754B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20180012982A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US09337185B2. Автор: Frank Pfirsch,Carsten Schaeffer,Dorothea Werber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230025977A1. Автор: Yushi Sekiguchi,Tadayuki YAMAZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method of manufaturing the same

Номер патента: US20070243684A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050087774A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240313061A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240371944A1. Автор: Shih-Yen Lin,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having fin active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US09991257B2. Автор: Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Yong-Suk Tak,Miseon PARK,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09502549B2. Автор: Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210134956A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603407A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09991340B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US09923051B1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180197962A1. Автор: Hiroyoshi Kitahara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09397090B1. Автор: Hsin-Liang Chen,Shyi-Yuan Wu,Ying-Chieh Tsai,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Double height cell regions, semiconductor device having the same, and method of generating a layout diagram corresponding to the same

Номер патента: US11756999B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices including channel dopant layer

Номер патента: US09484409B2. Автор: Ji Hun Kim,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: EP4376568A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device including ESD protection circuit

Номер патента: US09893053B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Kee-Moon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having a planar insulating layer

Номер патента: US09972720B2. Автор: Dong Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of operating and forming semiconductor devices including dual-gate electrode structures

Номер патента: US09449677B2. Автор: Jiyoung Kim,Hyun-Woo CHUNG,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Yongchul Oh,Gyoyoung JIN,Sungkwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240282857A1. Автор: Tasuku Kaneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus

Номер патента: US09941324B2. Автор: Shuhei NARA. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including optimized gate stack profile

Номер патента: US09929250B1. Автор: Victor Chan,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Different height cell subregions, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20230378267A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor Device Including a Channel Stop Zone

Номер патента: US20120012902A1. Автор: Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-19.

Devices including control logic structures, and related methods

Номер патента: US11742344B2. Автор: Scott E. Sills,Kurt D. Beigel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having a channel separation trench

Номер патента: US09893178B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09748400B2. Автор: Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device including magneto-resistive device

Номер патента: US09583534B2. Автор: Yong-kyu Lee,Bo-Young Seo,Choong-Jae Lee,Aliaksei IVANIUKOVICH,Hong-Kook Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12040374B2. Автор: Kazuhiro Tamura,Yusuke Nishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device including threshold voltage measurement circuitry

Номер патента: US20180052196A1. Автор: Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device including vertical active pillar

Номер патента: US20240276712A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Hongjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090130804A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09806068B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

High voltage semiconductor devices

Номер патента: US09455275B2. Автор: Maryam Shojaei Baghini,Harald Gossner,Cornelius Christian Russ,Ramgopal Rao,Mayank Shrivastava. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device with a tunneling layer having a varying nitrogen concentration, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882018B2. Автор: Jae Young Ahn,Jae Ho Choi,Seung Hyun Lim,Kwang Min Park,Jeon Il LEE,Young Jin Noh,Dong Chul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Vertical-channel semiconductor device

Номер патента: US09761710B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US09502409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chih Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Three transistor semiconductor device with metal oxide channel region, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US11996132B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and production method

Номер патента: US20180374883A1. Автор: Susumu Tonegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device having control conductors

Номер патента: US09762226B2. Автор: Radu Surdeanu,Anco Heringa,Erwin Hijzen. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040175873A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Transistor, circuit, semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US09825181B2. Автор: Shinpei Matsuda,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masashi TSUBUKU,Motoki Nakashima,Noritaka ISHIHARA,Toshimitsu Obonai,Tsutomu Murakawa,Hiroshi Kanemura,Kazuya Sugimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US09761705B2. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09548399B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20170345842A1. Автор: Yosuke Takeuchi,Shibun TSUDA,Eiji Tsukuda,Kenichiro Sonoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20040031993A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Tetsuya Okada,Mitsuhiro Yoshimura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240258334A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357831A1. Автор: Hyeran Lee,Hyun-mook CHOI,Jeon Il LEE,Seryeun Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09780109B2. Автор: Yosuke Takeuchi,Shibun TSUDA,Eiji Tsukuda,Kenichiro Sonoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices including contact structures that partially overlap silicide layers

Номер патента: US09768255B2. Автор: Shigenobu Maeda,Chul-Sung Kim,Sang-Jin Hyun,Do-Sun LEE,Chang-Woo SOHN,Young-Moon Choi,Hyo-Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09735180B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09620595B2. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20210134848A1. Автор: Akihiro Hanada,Toshihide Jinnai. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Odd-fin height cell regions, semiconductor device having the same, and method of generating a layout diagram corresponding to the same

Номер патента: US20200006335A1. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Multi-level stacked transistor device including capacitor and different semiconductor materials

Номер патента: US09755084B2. Автор: Yasuyuki Arai,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038768A1. Автор: Akihiro Hanada,Toshihide Jinnai. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US11824063B2. Автор: Akihiro Hanada,Toshihide Jinnai. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210375889A1. Автор: Yushi Sekiguchi,Tadayuki YAMAZAKI,Yasunobu Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11856759B2. Автор: Yushi Sekiguchi,Tadayuki YAMAZAKI,Yasunobu Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US6621130B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-16.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen

Номер патента: US09755082B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09570625B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials

Номер патента: US09553105B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices including a channel pad, and methods of manufacturing semiconductor devices including a channel pad

Номер патента: US09525065B1. Автор: Woong Seop Lee,Dong Min Kyeon,Jin Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Power Semiconductor Device Having Different Channel Regions

Номер патента: US20190371794A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-05.

Power Semiconductor Device Having Fully Depleted Channel Regions

Номер патента: US20180006029A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Power Semiconductor Device Having Different Channel Regions

Номер патента: US20180366464A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-20.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US20190109188A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20190305126A1. Автор: Toru Oka,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including multi-layer gate insulating layer and electronic device including the same

Номер патента: US20240178307A1. Автор: Sungil Park,Jaehyun Park,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12074195B1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Silicon carbide mos-gated semiconductor device

Номер патента: US20230071655A1. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor devices including charge storage patterns

Номер патента: US09960171B2. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Junghoon Park,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09831351B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09812466B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Jun Koyama,Masayuki Sakakura,Tomoaki Atsumi,Tetsuhiro Tanaka,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09806149B2. Автор: Masahiro Tomioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09768320B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Akihisa Shimomura,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device including ion gel material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09548368B2. Автор: Sungwoo HWANG,Yeonsang Park,Changwon Lee,Unjeong KIM,Youngseon SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Thin film semiconductor device

Номер патента: US09536907B2. Автор: Takashi Nakamura,Masahiro Tada. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US20180006027A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: US20240170574A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230085550A1. Автор: Yasunobu Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device, electronic device, and vehicle

Номер патента: US20240235190A1. Автор: Naoki Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079410A1. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12062628B2. Автор: Sunghoon Kim,Daeseok Byeon,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20220139443A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20230014583A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030052378A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroyuki Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US09478467B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020093040A1. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device comprising a conductive layer having an air gap

Номер патента: US09972639B2. Автор: Ju Hak Song,Seon Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of recycling substrate

Номер патента: US12148666B2. Автор: Mie Matsuo,Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor arrangement having first semiconductor device over first shallow well having first conductivity type and second semiconductor device over second shallow well having second conductivity type and formation thereof

Номер патента: US09401361B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device including data storage material pattern

Номер патента: US20200388758A1. Автор: Jiho Park,Hideki Horii,Gyuhwan Oh,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Jungmoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230282534A1. Автор: Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341368A1. Автор: Chih-Pin Hung,Chih-Yi Huang,Ian HU,Ming-Han WANG,Tsun-Lung HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371748A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09666530B1. Автор: Chen-Shien Chen,Han-Ping Pu,Mirng-Ji Lii,Yu-feng Chen,Kuo-Lung Pan,Yu-Jen Cheng,Yu-Chih Huang,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Contactless damage inspection of perimeter region of semiconductor device

Номер патента: US09658279B2. Автор: Eric GRAETZ,Hermann Bilban,Rudolf Pairleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09613930B2. Автор: Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US09520361B2. Автор: Seok-Ho Kim,Tae-Yeong Kim,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Jin-Ho Chun,Joo-Hee Jang,Hyo-Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210125976A1. Автор: Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20180226400A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11715789B2. Автор: Hidenori Fujii,Tetsuo Takahashi,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20020105006A1. Автор: Kazuhiro Morishita,Kenji Oota,Katsumi Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227405A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device having a semiconductor channel region and a semiconductor auxiliary region

Номер патента: US11721689B2. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Philip Christoph Brandt,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device having a semiconductor channel region and a semiconductor auxiliary region

Номер патента: US20220367443A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Philip Christoph Brandt,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230197799A1. Автор: Kohei MURASAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09871103B2. Автор: Ho Jun Kim,Sung Dae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234585A1. Автор: Hong Sik Shin. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20130099325A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070284691A1. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US8022409B2. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and inverter including the semiconductor device

Номер патента: US09887279B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

One-time programming device and a semiconductor device

Номер патента: US09761595B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US09989828B2. Автор: Yohsuke Kanzaki,Tadayoshi Miyamoto,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Hiroshi Matsukizono,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20140022857A1. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210118888A1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Guoliang Zhu,Tongqing CHEN,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786806B2. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3087606A1. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-02.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device with burried semiconductor regions

Номер патента: US20060046369A1. Автор: HISANORI Ihara,Hiroshige Goto,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312937A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060081852A1. Автор: Kazushige Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having channel holes

Номер патента: US09853045B2. Автор: Zhiliang Xia,Se Jun Park,Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Jang Gn Yun,Ahn Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Interconnect structures for assembly of multi-layer semiconductor devices

Номер патента: US09812429B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and inverter including the semiconductor device

Номер патента: US20170077272A1. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12125943B2. Автор: Huan-Yu LAI,Li-Chi PENG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09419013B1. Автор: Dong Sik Lee,Byung Jin Lee,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device including antifuse element

Номер патента: US20120199943A1. Автор: Sumio Ogawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including antifuse element

Номер патента: US20090052221A1. Автор: Sumio Ogawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device assembly with through-mold cooling channel formed in encapsulant

Номер патента: US09960150B2. Автор: XIAO Li,Jaspreet S. Gandhi,Bradley R. Bitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09917131B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices including a support for an electrode and methods of forming semiconductor devices including a support for an electrode

Номер патента: US09647056B2. Автор: Jaehong Park,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09570499B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09490441B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09431450B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240357812A1. Автор: Byung Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170170192A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and dc-to-dc converter

Номер патента: US20110156678A1. Автор: Hiroshi Saito,Yuichi Goto,Ryo Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Stacked chip scale semiconductor device

Номер патента: US20240243101A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240146030A1. Автор: Shih-Chun Ling,Wan-Jung Lee. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US11830539B2. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060189070A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Hitomi Yasutake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7145197B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Hitomi Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Integrated circuit semiconductor devices including channel trenches and related methods of manufacturing

Номер патента: US8686393B2. Автор: Daewon HA,Jihyung Yu,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2548052C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-10.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.