Interconnect structure for stacked device and method
Номер патента: US20160276383A1
Опубликовано: 22-09-2016
Автор(ы): Chun-Chieh Chuang, Dun-Nian Yaung, Feng-Chi Hung, Jen-Cheng Liu, Min-Feng KAO, Shu-Ting Tsai, Tzu-Hsuan Hsu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-09-2016
Автор(ы): Chun-Chieh Chuang, Dun-Nian Yaung, Feng-Chi Hung, Jen-Cheng Liu, Min-Feng KAO, Shu-Ting Tsai, Tzu-Hsuan Hsu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Interconnect structure for stacked device and method
Номер патента: US09865645B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.