Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device, temperature sensor and power supply voltage monitor

Semiconductor device, temperature sensor and power supply voltage monitor

Номер патента: US20210231508A1
Опубликовано: 29-07-2021
Автор(ы): Masanori Ikeda, Tadashi Kameyama
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US12078659B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device including a temperature sensor circuit

Номер патента: US09671294B2. Автор: Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20150268101A1. Автор: Chiaki Kumahara,Akira Tsurugasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for determining abnormalities of temperature sensors, and apparatus for power supply

Номер патента: DE602005002975D1. Автор: Teruo Ishishita. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A TEMPERATURE SENSOR CIRCUIT

Номер патента: US20160041042A1. Автор: Pan Dong. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Temperature sensor

Номер патента: US20090168841A1. Автор: Je Il RYU. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device having potential monitoring terminal to monitor potential of power-supply line

Номер патента: US09515001B2. Автор: Atsushi Hatakeyama,Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for determining a fault state, battery sensor and vehicle onboard power supply system

Номер патента: US20190018068A1. Автор: Hans-Michael Graf. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device and burn-in test method thereof

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Koji Suzuki,Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Temperature sensor linearization techniques

Номер патента: US20240240995A1. Автор: Jun Tan,Martin Brox,Elena Cabrera Bernal,Luiza Souza Correa,Julius Löckemann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Temperature sensor and related method

Номер патента: US09709445B2. Автор: Michele Caldara. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-18.

Low-power-consumption low-voltage digital temperature sensor

Номер патента: US20240310220A1. Автор: Chen Li,LU LIU,Jingjing Guo,Yufeng Guo,Zixuan Wang,Zhikuang CAI,Zushuai XIE. Владелец: Nanjing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor temperature sensor with high sensitivity

Номер патента: US09464942B2. Автор: BO LIU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20120176835A1. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Detection apparatus, power supply apparatus and power supply system for supplying power

Номер патента: US09939472B2. Автор: Koji Kamiya,Masaki Awaji,Yasuyuki Haruta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Power supply device and power supply system

Номер патента: US11916473B2. Автор: Masaaki Nagano,Tomonori Watanabe. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US11789061B2. Автор: Isao Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Power supply monitoring circuit

Номер патента: US20240255577A1. Автор: Yuki Uchida,Masashi Ueno,Yoshiaki Katsumi,Takamichi Kubo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Control apparatus, device, method and computer program for determining a device-specific supply voltage for a semiconductor device

Номер патента: EP4155741A1. Автор: Eric Fetzer,Nasser A. Kurd,Gregory Iovino,Narasimha LANKA,Monib Ahmed,Mohammad Rashid,Grant McFarland,Michael Rifani,Roman Rechter,Kurt HENINGER,Qinxin YU,Preethi RAMASWAMY,Pauline GOITIA,Kit Seong WONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US20240142497A1. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Measurement correction method and apparatus for sensor, and server power supply

Номер патента: US20240061061A1. Автор: Hongrui HAN,Mingwei WU. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POTENTIAL MONITORING TERMINAL TO MONITOR POTENTIAL OF POWER-SUPPLY LINE

Номер патента: US20130162282A1. Автор: Hatakeyama Atsushi,Ishikawa Toru. Владелец: ELPIDA MEMORY INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Power semiconductor devices with a temperature sensor circuit

Номер патента: KR100471521B1. Автор: 브렌던 패트릭 켈리. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-04-21.

METHOD FOR DETERMINING A FAULT STATE, BATTERY SENSOR AND VEHICLE ONBOARD POWER SUPPLY SYSTEM

Номер патента: US20190018068A1. Автор: GRAF Hans-Michael. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2019-01-17.

Milk foil device temperature sensor mounting assembly

Номер патента: RU2719183C2. Автор: Николас МакКОЛЛ,Чиу Кэунг Кеннет ЛИ,Кон ПСАРОЛОГОС,Джерард Эндрю УАЙТ,Даниель Роберт КОРКИН,Ксянг РЭН. Владелец: БРЕВИЛЛ ПТИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2020-04-17.

Power semiconductor device, manufacturing method therefor, and method for operating the power semiconductor device

Номер патента: US09450019B2. Автор: Christoph Kadow,Marc Strasser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Ambient temperature sensor which may be coupled to a printed circuit board with an improved package

Номер патента: US12025506B2. Автор: Marco Omar Ghidoni,Massimiliano Pesaturo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-02.

Temperature control method, method of manufacturing semiconductor device, temperature control system, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: EP4401117A1. Автор: Hideto Yamaguchi,Kento NAKANISHI,Seiya SHIGEMATSU. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Temperature control method, method of manufacturing semiconductor device, temperature control system, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20240242986A1. Автор: Hideto Yamaguchi,Kento NAKANISHI,Seiya SHIGEMATSU. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having temperature sensor circuit that detects a temperature range upper limit value and a temperature range lower limit value

Номер патента: US9958341B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Darryl G. Walker. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having temperature sensor circuit that detects a temperature range upper limit value and a temperature range lower limit value

Номер патента: US20180010968A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Darryl G. Walker. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20170271457A1. Автор: Shuhei Mitani,Toru Onishi,Atsushi Onogi,Yusuke Yamashita,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200191661A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Temperature control system, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20240319021A1. Автор: Hideto Yamaguchi,Kento NAKANISHI. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having variable parameter selection based on temperature and test method

Номер патента: US09766135B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Nytell Software LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20200168434A1. Автор: Masanori Nakayama,Teruo Yoshino,Koichiro Harada,Hiroto Igawa,Masaki Murobayashi. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11049785B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Integrated temperature sensor for discrete semiconductor devices

Номер патента: US20160011058A1. Автор: Frank Wolter,Holger Ruething,Andreas Kiep. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Linear temperature sensor

Номер патента: WO2000037892A2. Автор: Shaun Goodwin. Владелец: Airpax Corporation Llc. Дата публикации: 2000-06-29.

Semiconductor device having temperature sensor circuit that detects a temperature range upper limit value and a temperature range lower limit value

Номер патента: US09772232B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having temperature sensor circuits

Номер патента: US09631982B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-25.

Power detector device and power detection method

Номер патента: US20240361365A1. Автор: Xiang Zhang,Kai Sun,Wei-Ping Wang,Jian-Feng XUE,Ze-Wei HE. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Power-supply voltage sensing device

Номер патента: US09910072B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

High-reliability protection circuit and power supply system

Номер патента: US20240088641A1. Автор: Hui Sun,Yunli LIU. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200041547A1. Автор: Akira Murayama,Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji,Yosuke Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device having circuitry for detecting abnormalities in a power supply wiring network

Номер патента: US09797945B2. Автор: Masayuki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor test apparatus and test method for semiconductor device

Номер патента: US20100237893A1. Автор: Norifumi Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Configuration of semiconductor device supply voltage

Номер патента: US09502956B1. Автор: Norman L. Swenson,Michael Yeo. Владелец: Clariphy Communications Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and analyzing method thereof

Номер патента: US11754614B2. Автор: Yuan-Yao Chang,Chia Wei Huang,Chia-Chia Kan,Wei-Jhih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20080309378A1. Автор: Hiroki Taniguchi,Kazunari Ikeda,Masaya Hirose,Kinya Daio,Takahisa Tokushige. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Power supply voltage stabilizing method, semiconductor device, and power supply system

Номер патента: US10447164B2. Автор: Masayuki Ida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Power supply voltage stabilizing method, semiconductor device, and power supply system

Номер патента: US20190393787A1. Автор: Masayuki Ida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Power supply voltage stabilizing method, semiconductor device, and power supply system

Номер патента: US20190199219A1. Автор: Masayuki Ida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Monitor circuit for determining the lifetime of a semiconductor device

Номер патента: US20110261491A1. Автор: Scott S. Roth,Jason C. Perkey,Tim J. Zoerner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Voltage-to-time converter and method for reducing parasitic capacitance and power supply influences

Номер патента: US20210203344A1. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Jian'an Wang,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-07-01.

Voltage-to-time converter and method for reducing parasitic capacitance and power supply influences

Номер патента: US11115039B2. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Jian'an Wang,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-09-07.

Negative voltage monitoring circuit and light receiving device

Номер патента: US20240219434A1. Автор: Tsukasa Kagaya. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Low power and high accuracy voltage monitor with built-in reference

Номер патента: US20240295589A1. Автор: Ricardo Pureza Coimbra,Mateus Ribeiro Vanzella. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-05.

Wireless charging circuit, wireless charging system and semiconductor device

Номер патента: US09520739B2. Автор: Takefumi Endo,Masanori Kayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Power switching circuit, semiconductor integrated circuit, radio apparatus, radio system, and power switching method

Номер патента: US09812894B2. Автор: Satoshi Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, measurement device, and correction method

Номер патента: US20170126233A1. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device, measurement device, and correction method

Номер патента: US20180076817A1. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Supply voltage monitoring apparatus

Номер патента: US20240201233A1. Автор: Mansoor Shah,Naiwu Yuan. Владелец: ZF Automotive UK Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Digital droop detector, semiconductor device including the same, and calibration method thereof

Номер патента: US12057844B2. Автор: Sangheon Lee,Jungho Lee,Michael Choi,Heewook SHIN,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with oscillation frequency error correction

Номер патента: US09838022B2. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Correcting temperature based oscillation frequency errors in semiconductor device

Номер патента: US09584134B2. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Integrated circuit having power supply voltage monitor

Номер патента: US20010035682A1. Автор: Hideki Kabune,Hajime Kumabe,Hiroyasu Kidokoro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Power supply circuit, voltage monitoring circuit, and power supply device

Номер патента: US20240361390A1. Автор: Kohei Shibata. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Electronic apparatus, power supply device, and power supply monitoring method

Номер патента: US09923360B2. Автор: Ryo Kubota,Hiroki Tashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190369688A1. Автор: Akira Tanabe,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having circuitry for detecting abnormalities in a power supply wiring network

Номер патента: US20170269153A1. Автор: Masayuki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device having circuitry for detecting abnormalities in a power supply wiring network

Номер патента: US20170299652A9. Автор: Masayuki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device having circuitry for detecting abnormalities in a power supply wiring network

Номер патента: US20140239989A1. Автор: Masayuki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20160103159A1. Автор: Tomoya Katsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and device for analysing the state, condition and power quality of transformers in power grids

Номер патента: AU2021332948A1. Автор: Paul Henri Marcel Didier,Rasmus Per Johansson,Anders Filtenborg,Golam Reza Wöhlk SADEGHNIA. Владелец: Okto Grid Aps. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20230296669A1. Автор: Kazunori Masuda,Makoto Iwai,Takuya Kusaka,Hirosuke NARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and device for analysing the state, condition and power quality of transformers in power grids

Номер патента: AU2021332948A9. Автор: Paul Henri Marcel Didier,Rasmus Per Johansson,Anders Filtenborg,Golam Reza Wöhlk SADEGHNIA. Владелец: Okto Grid Aps. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09599644B2. Автор: Tomoya Katsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Process, voltage, and temperature sensor

Номер патента: GB2484442B. Автор: Jung Hee Lee. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Power supply voltage monitoring circuit

Номер патента: US20190310677A1. Автор: Fumihiko Terasaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US8196084B2. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20090153176A1. Автор: Hideo Inaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420445A1. Автор: Makoto Ueno,Kazuhiro Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and test method for semiconductor device

Номер патента: US20120319719A1. Автор: Takashi Ootake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Nitride-based semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20240096726A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI,Haohua MA,Hehong WU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Voltage detection circuit and power-on reset circuit

Номер патента: US20210265991A1. Автор: Hiroyuki Ideno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method for inspecting the same

Номер патента: US20080239605A1. Автор: Shinichiro Kataoka,Takehiro YANO. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Apparatus and method for measuring the current consumption and the capacitance of a semiconductor device

Номер патента: US20080204045A1. Автор: Frank C. Mielke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-28.

Voltage monitor for generating delay codes

Номер патента: US09984732B2. Автор: Insub SHIN,Jun SEOMUN,Jungyun Choi,Kyungtae DO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and battery voltage monitoring device

Номер патента: US09735567B2. Автор: Junko Kimura,Hirohiko Hayakawa,Yoshitaka Muramoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Foreign object detection method and power system capable of detecting foreign object

Номер патента: US11137733B2. Автор: Jung-Won Kim,Wei-Hsu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20120224433A1. Автор: Yoko MOCHIDA. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

Monitoring system for monitoring a supply voltage for an electronic component

Номер патента: US12119637B2. Автор: Sebastian Uchman. Владелец: Truma Geraetetechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Foreign object detection method and power system capable of detecting foreign object

Номер патента: US20200285212A1. Автор: Jung-Won Kim,Wei-Hsu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20210365093A1. Автор: Kenichi Shimada,Kazuki Fukuoka,Ryo Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Service life diagnostic device and power conversion device

Номер патента: US20240255565A1. Автор: Yukihiko Wada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device, battery pack, and mobile terminal including voltage measurement, current measurement, and control

Номер патента: US09759778B2. Автор: Hidekazu Nagato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Voltage monitor

Номер патента: US4281290A. Автор: Frank Kitzinger,John G. Peacey,Ralph R. Ebersole,Jean-Claude Viens. Владелец: Noranda Inc. Дата публикации: 1981-07-28.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US10069347B2. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US10014727B2. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US20170353059A1. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US20170353057A1. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US20170353058A1. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150333742A1. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and multi-chip module

Номер патента: US20170350933A1. Автор: Yutaka Uematsu,Hideki Osaka,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Device and method for monitoring power supply voltage of electronic circuit

Номер патента: US20240310418A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Mingming Zhang,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Junyan GUO,Weifeng Dong. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and multi-chip module

Номер патента: US09933475B2. Автор: Yutaka Uematsu,Hideki Osaka,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US09711998B2. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Temperature dependent power supply circuitry

Номер патента: US09939827B1. Автор: Ping-Chen Liu,Justin Jon Philpott,Ravi Thiruveedhula. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module

Номер патента: US09846067B2. Автор: Tsutomu Kono,Keiji Hanzawa,Takeshi Morino,Yuuki Okamoto. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Power supply circuit for physical quantity sensor

Номер патента: US20050216102A1. Автор: Yukihiko Tanizawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Power semiconductor device and method for detecting aging-related damage to a power semiconductor device

Номер патента: US20240219350A1. Автор: Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Radiation generator and power supply configuration for well logging instruments

Номер патента: RU2481600C2. Автор: Брэдли Аллен РОСКО. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2013-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Wireless power supply device

Номер патента: EP3876390A1. Автор: YONEZAWA Satoshi. Владелец: SMK Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and control system

Номер патента: US09472510B2. Автор: Kazuki Watanabe,Yosuke TANNO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Internal power supply generating circuit without a dead band

Номер патента: US20070206427A1. Автор: Atsunori Hirobe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160334827A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US10175898B2. Автор: Hajime Matsumoto,Toyokazu Eguchi,Hitoshi YAGISAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Internal power control circuit for a semiconductor device

Номер патента: US5892386A. Автор: Seung-Moon Yoo,Jung-Hwa Lee,Kyu-Chan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-04-06.

Semiconductor device, control method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20100188907A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device, control method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US8120982B2. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Printing device temperature management

Номер патента: US20210129525A1. Автор: Bradley D Chung,Huy Le,Jeffrey K Pew,Thomas P Abadilla. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-05-06.

Printing device temperature management

Номер патента: EP3573832A1. Автор: Huy Le,Bradley D. Chung,Jeffrey K. Pew,ThomasP. ABADILLA. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2019-12-04.

Power generation detection circuit, semiconductor device, electronic device, clockwork, power generation detection and power consumption control method

Номер патента: DE69811428T2. Автор: Teruhiko Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-17.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US09741662B2. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240074122A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US20230017372A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US20060186435A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: EP3807933A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: US20210257355A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US11855114B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US20230187467A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024881A1. Автор: Naohisa Nishioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device whose operation frequency and power supply voltage are dynamically controlled according to load

Номер патента: US7532539B2. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and SRAM having plural power supply voltages

Номер патента: US5825707A. Автор: Kenichi Nakamura,Takayuki Otani,Makoto Segawa,Yasumitsu Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor device and operation method having power-on operation

Номер патента: US12027217B2. Автор: Kenichi Arakawa. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and power receiving device

Номер патента: US09531214B2. Автор: Takeshi Osada,Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US8773938B2. Автор: Toshiro Sasaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20230106646A1. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US11942928B2. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Power supply conductive trace structure of semiconductor device and power supply conductive trace layout method of semiconductor device

Номер патента: US12100659B2. Автор: Mitsuru Onodera. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20190260363A1. Автор: Koichi Takeda,Yoji Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107924A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Takao Watanabe,Hiroyuki Mizuno,Mitsuru Hiraki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US8488406B2. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20180323779A1. Автор: Yoichi Yoshida,Koichi Nose,Yoshifumi Ikenaga,Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US10033372B2. Автор: Yoichi Yoshida,Koichi Nose,Yoshifumi Ikenaga,Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20100074043A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor device

Номер патента: US10547170B2. Автор: Makoto Tanaka,Akihiro Nakahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190129488A1. Автор: Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Ryo Mori,Yuko Kitaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09467047B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09455189B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09431088B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device capable of reducing power consumption

Номер патента: US09934835B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09812178B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with power distribution network

Номер патента: US09454998B2. Автор: Jai-Hwan SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having signal line and power supply line intersecting with each other

Номер патента: US09379053B2. Автор: Kazuhiko Matsuki,Yoshimi Terui. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of designing semiconductor device using power supply bump connections

Номер патента: US6928632B2. Автор: Yuji Wachi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Semiconductor device including a rectification circuit

Номер патента: US9881246B2. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160055406A1. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device including buffer circuit and level shifter circuit, and electronic device including the same

Номер патента: US09755643B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Power supplying circuit, power supplying system and power supplying method

Номер патента: US09507397B2. Автор: Chien-Liang Chen,Chien-Fu Liao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Circuits, systems and methods to detect and accommodate power supply voltage droop

Номер патента: US09483098B2. Автор: Jeffrey Todd Bridges,Sanjay B. Patel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Power supply voltage monitoring circuit, and electronic circuit including the power supply voltage monitoring circuit

Номер патента: US09454174B2. Автор: Atsushi Igarashi,Nao OTSUKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09454161B1. Автор: Yoshinori Ura. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and power management ic

Номер патента: US20230361092A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US12015020B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US11742336B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20080089165A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US7623407B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09941304B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Power supply device and power supply method using the same

Номер патента: US09819223B2. Автор: Sang Hun Jeon,Ho-Jin Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09460377B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09407269B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160284391A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Power supply management device and power supply management method

Номер патента: US11774993B2. Автор: Bin Sun,Su-Hang CHEN,Qing-Zhe Qiu,Zhan-Peng Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Power supply management device and power supply management method

Номер патента: US20230152829A1. Автор: Bin Sun,Su-Hang CHEN,Qing-Zhe Qiu,Zhan-Peng Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US9460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Bitline sense amplifier and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240371431A1. Автор: Taeyun Kim,Donghwee Kim,Junmyung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Power control apparatus, image forming apparatus, and power control program product

Номер патента: EP2363757A3. Автор: Tomokazu Takeuchi,Yuusuke Kohri. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Power-up signal generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09847780B2. Автор: Sang-Ho Lee,Kyoung-youn Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Power supply circuit, image forming apparatus incorporating same, and power supply method to supply voltage to image forming apparatus

Номер патента: US20130164017A1. Автор: Akira Yashiro,Kunihiro Komai,Takayuki Kawamoto,Motohiro Kawanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US11750194B2. Автор: Kiyoshi Kato,Masashi Fujita,Yutaka Shionoiri,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Voltage generation circuits, semiconductor devices including the same, and methods of generating voltages

Номер патента: US20180091120A1. Автор: Byung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09886997B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: EP3080811A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080137780A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Current supply circuit, ring oscillator, nonvolatile semiconductor device and electronic card and electronic device

Номер патента: US7518406B2. Автор: Katsuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Current supply circuit, ring oscillator, nonvolatile semiconductor device and electronic card and electronic device

Номер патента: US7190234B2. Автор: Katsuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor device employing closed loop and open loop DVFS control and semiconductor system including the same

Номер патента: US09671847B2. Автор: Je-kook Kim,Young-Hoon Lee,Min-Shik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device including pg-aligned cells and method of generating layout of same

Номер патента: US20210110098A1. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US12040704B2. Автор: Kyungsoo Ha,Sungju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Internal power supply voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US6281745B1. Автор: Hoon Ryu,Jae Hoon Kim,Hyun Soon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-28.

Electronic device with temporary flag for fail safe and power cycling

Номер патента: US20070208957A1. Автор: Michael Leis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260556A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Internal power supply circuit and semiconductor device

Номер патента: US09871440B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09852787B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Data training device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09646675B1. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices having initialization circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09524762B1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Voltage reference circuit and power supply circuit based on same

Номер патента: US20240338044A1. Автор: Szu-Lin LIU,Bei-Shing Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09570188B2. Автор: Akihiko Kanda,Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions

Номер патента: US5822267A. Автор: Takao Watanabe,Ryoichi Hori,Yoshiki Kawajiri,Takayuki Kawahara,Goro Kitsukawa,Kiyoo Itoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20190006278A1. Автор: Takafumi Betsui,Tetsushi Hada,Nobuyuki MORIKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20170033045A1. Автор: Takafumi Betsui,Tetsushi Hada,Nobuyuki MORIKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Power supply unit

Номер патента: US20020140409A1. Автор: Hitoshi Takeda,Masayasu Ito,Tomokazu Suzuki. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09906124B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having active mode and standby mode

Номер патента: US09727106B2. Автор: Hiromi Notani,Takayuki Fukuoka,Takashi Yamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having an internal voltage step-up control circuit

Номер патента: US5663926A. Автор: Eiji Haseo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Multilayered semiconductor device

Номер патента: US20160133301A1. Автор: Tetsuo FUKUSHI,Atsunori Hirobe,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20150261245A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of supplying voltage in the same, and semiconductor device

Номер патента: US8248865B2. Автор: Daichi KAKU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: US20220236785A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20070127178A1. Автор: Takashi Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Midpoint potential generating circuit for use in a semiconductor device

Номер патента: US20070216473A1. Автор: Atsushi Takeuchi,Masafumi Yamazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US7818598B2. Автор: Takefumi Hiraga. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US5841698A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device having a controllable voltage supply

Номер патента: US5706242A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-06.

Semiconductor device

Номер патента: US5687126A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Operational amplifying circuit and semiconductor device comprising the same

Номер патента: US09628034B2. Автор: Jin-soo Kim,Seung-Hwan Baek,Ji-Yong Jeong,Ha-Joon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Substrate voltage generator and method therefor in a semiconductor device having selectively activated internal stepped-down power supply voltages

Номер патента: US5315166A. Автор: Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US10103100B2. Автор: Takafumi Betsui,Tetsushi Hada,Nobuyuki MORIKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Electronic control device, in-vehicle system, and power supply device

Номер патента: US11192507B2. Автор: Hiroshi Shinoda,Hideyuki Sakamoto,Tomohiko YANO. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Source driver and power down detector thereof

Номер патента: US20090153220A1. Автор: Tsung-Yu Wu,Yu-Jui Chang,Chuan-Che Lee,Kuan-Sheng Huang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Adaptive Power Supply Voltage Transient Protection

Номер патента: US20240364104A1. Автор: Sebastian Artur Ciesluk. Владелец: Blaize Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Adaptive power supply voltage transient protection

Номер патента: US12057697B2. Автор: Sebastian Artur Ciesluk. Владелец: Blaize Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with volatile and non-volatile memories to retain data during power interruption

Номер патента: US09898194B2. Автор: Masaaki Hiroki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20110057703A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device having a complementary field effect transistor

Номер патента: US8773195B2. Автор: Hitoshi Tanaka,Seiji Narui,Shinichi Miyatake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11934243B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Power source circuit, input and output circuit, semiconductor storage device, and power supply control method

Номер патента: US11815925B2. Автор: Tomonori KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Storage device and power supply control method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4297032A1. Автор: Kou Kou,Yunpeng Wang,Bingwu Ji,Tanfu Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20130271209A1. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225421A1. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20110317501A1. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20160065070A1. Автор: Yoichi Yoshida,Koichi Nose,Yoshifumi Ikenaga,Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Circuits, systems, and methods to detect and accommodate power supply voltage droop

Номер патента: WO2011123453A1. Автор: Jeffrey Todd Bridges,Sanjay B. Patel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device that employs SATA power supply terminals for data transmission

Номер патента: US09971725B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09933806B2. Автор: Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US09870816B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and power source supply method description

Номер патента: US09740219B2. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Oscillation circuit, booster circuit, and semiconductor device

Номер патента: US10193535B2. Автор: Masaya Murata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Power supply step-down circuit and semiconductor device

Номер патента: US20080061749A1. Автор: Tatsuo Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device incorporating voltage reduction circuit therein

Номер патента: US5463585A. Автор: Kohji Sanada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US11894055B2. Автор: Ahreum Kim,Homoon Shin,Ansoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: EP4099328A3. Автор: Ahreum Kim,Homoon Shin,Ansoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20100067289A1. Автор: Yukio Fuji. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230344417A1. Автор: Chulwoo Kim,Kwanyeob CHAE,Kyeongkeun Kang,Yoonjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US7602593B2. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Internal supply voltage generator capable of reducing latch-up and semiconductor device having the same

Номер патента: US20090315528A1. Автор: Jae-Youn Lee,Byung-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US09531388B2. Автор: Tetsuya Suzuki,Takahiko GOMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory storage device and power management method thereof

Номер патента: US9886071B2. Автор: Yun-Chieh Chen,Zeh-Yang Chew,Shou-Chih Lee,Po-Chun Hsieh,I-Chung Tsai. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US11886271B2. Автор: Takayoshi Shiraishi,Tomohiro Katayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor Devices with Frontside and Backside Power Rails

Номер патента: US20240008243A1. Автор: Hou-Yu Chen,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20170134020A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device, control device for transmission, and control method of electronic control unit

Номер патента: US20240186046A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Keishi KOMORIYAMA,Minoru MIGITA. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, and display device and electronic device having the same

Номер патента: US12027532B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09716100B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09672873B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device including power storage elements and switches

Номер патента: US09595955B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US09484083B2. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Display device and power setting method thereof

Номер патента: US11790849B2. Автор: Ki Hyun PYUN,Hee Sook PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11823735B2. Автор: Yohei Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor Devices, Operating Methods Thereof, And Memory Systems Including The Same

Номер патента: US20120081986A1. Автор: Jung-han Kim,Jong Doo Joo,Cheol Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device having a power down mode

Номер патента: US20050231991A1. Автор: Yoshinobu Nakagome,Masayuki Nakamura,Masashi Horiguchi,Kazuhiko Kajigaya,Sadayuki Ohkuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for performing system and power management over a serial data communication interface

Номер патента: US12026033B2. Автор: James M. Hollabaugh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for performing system and power management over a serial data communication interface

Номер патента: WO2021247322A1. Автор: James M. Hollabaugh. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2021-12-09.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device based on power gating in multilevel wiring structure

Номер патента: US20130328589A1. Автор: Toshinao Ishii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20210034137A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Method for Performing System and Power Management Over a Serial Data Communication Interface

Номер патента: US20240345647A1. Автор: James M. Hollabaugh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09991887B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, method for driving the same, and electronic appliance

Номер патента: US09979386B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Fixing device temperature sensor

Номер патента: US09557691B2. Автор: Tatsuya Yamanaka,Ryohei Tokunaga. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US09537484B2. Автор: Kazuya Kayama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Near field communication device operating in multiple battery modes and power management method of electronic apparatus comprising the same

Номер патента: US9223370B2. Автор: Myunggun KIM,HyukJun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-29.

Half power supply voltage generating circuit for a semiconductor device

Номер патента: US5592119A. Автор: Seung-Moon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-01-07.

Power-on-reset request functionality in semiconductor devices and power management ics

Номер патента: US20240053808A1. Автор: Jean-Philippe Meunier,Loic HUREAU,Maxime Clairet,Thomas Henry Luedeke,Alaa Eldin Y. El Sherif. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Power-on-reset request functionality in semiconductor devices and power management ics

Номер патента: EP4322407A1. Автор: Loic HUREAU,Maxime Clairet,Thomas Henry Luedeke,Alla Eldin Y EL SHERIF,Jea-Philippe MEUNIER. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Power supply voltage monitor circuit

Номер патента: US20110316619A1. Автор: Masaru Numano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20150070084A1. Автор: Masaru Koyanagi,Noriyasu Kumazaki,Yasufumi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device, such as a synchronous DRAM, including a control circuit for reducing power consumption

Номер патента: US6680875B2. Автор: Yoshinobu Nakagome,Masayuki Nakamura,Masashi Horiguchi,Kazuhiko Kajigaya,Sadayuki Ohkuma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20010008497A1. Автор: Yoshinobu Nakagome,Masayuki Nakamura,Masashi Horiguchi,Kazuhiko Kajigaya,Sadayuki Ohkuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Interface circuit, and semiconductor device and liquid crystal display device including the same

Номер патента: US20110157251A1. Автор: Ji-hyun Lee,Jae-Youn Lee,Sang-Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-30.

Imaging device, temperature estimation method of imaging device, and non-transitory storage medium storing temperature estimation program of imaging device

Номер патента: US20180267389A1. Автор: Takeru Kayano. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of estimating capacitance value

Номер патента: US20090164157A1. Автор: Takaaki Okumura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and method of estimating capacitance value

Номер патента: US8224601B2. Автор: Takaaki Okumura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-07-17.

Head mounted display device and power management method thereof

Номер патента: US20220137697A1. Автор: Chuan-li WU,LungTing Chin,Shang Ze Lin,Chin-Chiang Huang,Cheng Hsiao Shih. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12040007B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20220208245A1. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device and entry into test mode without use of unnecessary terminal

Номер патента: US20060268636A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Kenichi Kawabata,Naoya Watanabe,Tomohiro Wada,Norihiro Nakatsuhama,Tomohide Yamamoto,Yoshiaki Nagatomi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device with reduced power consumption that selectively drives one of a plurality of signal receivers according to level of external supply voltage

Номер патента: US7512823B2. Автор: Dae Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20220130434A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP3989228A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor device having a high-speed memory with stable operation

Номер патента: US11710511B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor devices including voltage monitors

Номер патента: US20240176373A1. Автор: Chung-Sheng Yuan,Chih-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09454923B2. Автор: Kiyoshi Kato,Hidetomo Kobayashi,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US09412764B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Substrate bias generator with power supply control means to sequence application of bias and power to prevent CMOS SCR latch-up

Номер патента: US4670668A. Автор: Wei-Ti Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1987-06-02.

Semiconductor device realizing internal operational factor corresponding to an external operational factor stably regardless of fluctuation of the external operational factor

Номер патента: US6072345A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Semiconductor device and method of generating power on reset signal

Номер патента: US20190393872A1. Автор: Tetsuaki Yotsuji. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Voltage Supply Circuit and Power Supply Unit Delivering Constant Power

Номер патента: US20220200474A1. Автор: Yi-Lun Shen. Владелец: ARK Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Image-Forming Apparatus that Corrects Detected Temperature of Heating Member Detected by Non-Contact Temperature Sensor

Номер патента: US20140153948A1. Автор: Tatsuya Koyama,Yuki Fukusada. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Power supply control circuit

Номер патента: US20170085095A1. Автор: Keisuke Ogawa,Fumiyuki Okawa,Tomoharu Ogihara. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20110234309A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US10211731B2. Автор: Wataru Suzuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-19.

Separate CAM Core Power Supply For Power Saving

Номер патента: US20100046265A1. Автор: Scott Chu,Kee Park. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device from transferring programs from a ROM to an SRAM

Номер патента: US11392192B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Power supply circuit

Номер патента: US20110175449A1. Автор: Atsushi Wada,Kouichi Yamada,Shigeto Kobayashi,Yoshitaka Ueda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Storage system and semiconductor package with improved power supply efficiency

Номер патента: US20240242742A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200133381A1. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and methods for compensating supply sensitive circuits for supply voltage variation

Номер патента: US12124284B2. Автор: Mohamed El-Nozahi,Amr G. Elgamal. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09887450B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09875963B2. Автор: Hidefumi Kushibe,Masayuki USUDA,Hiroyuki Ideno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Pulse output circuit and semiconductor device

Номер патента: US09742378B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Manabu Sato,Kenichi Okazaki,Yoshifumi Tanada,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and display device having semiconductor device

Номер патента: US09735282B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20070024349A1. Автор: Masaki Tsukude. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device with pump circuit

Номер патента: US7180362B2. Автор: Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Minoru Senda,Satoshi Kawasaki,Kiyohiro Furutani,Shigehiro Kuge. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US6567309B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-05-20.

Power source management system and power source management method for sram circuit, and fpga chip

Номер патента: US20220283626A1. Автор: LEI Tian,Yinghao Liao. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device for preventing erroneous write to memory cell in switching operational mode between normal mode and standby mode

Номер патента: US20110116321A1. Автор: Hiroaki Nakai,Hirotoshi Sato,Minoru Senda,Kiyoyasu Akai,Takeshi Agari. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210373635A1. Автор: Ryuichi Nishiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Current source circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110215859A1. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Power source management system and power source management method for SRAM circuit, and FPGA chip

Номер патента: US11853145B2. Автор: LEI Tian,Yinghao Liao. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatuses and methods for providing an indicator of operational readiness of various circuits of a semiconductor device following power up

Номер патента: US20180254075A1. Автор: Yantao Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: EP1736954A3. Автор: TAKAHIRO Nomiyama. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-11-10.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20120206172A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Apparatuses and methods for providing an indicator of operational readiness of various circuits of a semiconductor device following power up

Номер патента: US20190019543A1. Автор: Yantao Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Low voltage high precision power detect circuit with enhanced power supply rejection ratio

Номер патента: US12079022B2. Автор: Vahid Majidzadeh Bafar,Mansour Keramat,Ali Mesgarani,Seyedeh Sedigheh Hashemi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with reduced power consumption

Номер патента: US20060139984A1. Автор: Dae Han Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8638593B2. Автор: Masatoshi Hasegawa,Daisuke Sasaki,Masahiko Nishiyama,Takumi Takagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-01-28.

Switchable power supply

Номер патента: US20230288950A1. Автор: Bing Wang,Kuoyuan Hsu,Sungchieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Power supply circuit module for tdc and calibration method of said power supply circuit module

Номер патента: EP3983852A1. Автор: Matteo Perenzoni. Владелец: Fondazione Bruno Kessler. Дата публикации: 2022-04-20.

Power supply apparatus for supplying various voltages and image forming apparatus operating on voltage supplied from power supply apparatus

Номер патента: US12099323B2. Автор: Masayuki Sakai,Toshiaki Sugiyama,Shuichiro Sugimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Wideband low dropout voltage regulator with power supply rejection boost

Номер патента: US09921593B2. Автор: James Lawrence GORECKI,Han-Yuan Tan. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Display device compensating variation of power supply voltage

Номер патента: US09837018B2. Автор: Baek-woon Lee,Jin-woo Kim,Jae-Hoon Lee,Byung-Hyuk Shin,Do-Hyung Ryu,Hae-Goo Jung,Byeong-Doo KANG,Jong-Man Bae,Jae-Woo Song. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and module for providing instructions for setting a supply voltage

Номер патента: US09817456B2. Автор: Per Ingelhag,Fredrik Larsson,Bjorn Olsson,Anders Aronsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-11-14.

Power supply circuit, display panel driver and display device incorporating the same

Номер патента: US09721524B2. Автор: Teru Yoneyama. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-08-01.

Power supply voltage control system

Номер патента: US09575528B2. Автор: Takeshi Aoyagi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Wideband low dropout voltage regulator with power supply rejection boost

Номер патента: US09552006B1. Автор: James Lawrence GORECKI,Han-Yuan Tan. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of power supply control, device for power splitter and power supply splitter

Номер патента: RU2688759C2. Автор: Янь СЕ. Владелец: Бейджин Сяоми Мобайл Софтвеа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-22.

Electronic circuits supply voltage stabilizer

Номер патента: RU2767990C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Ставропольский государственный аграрный университет». Дата публикации: 2022-03-22.

Voltage detection level correction circuit and semiconductor device

Номер патента: US20030103405A1. Автор: Yoshitaka Mano,Joji Nakane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240063797A1. Автор: Kiyoshi Kato,Masashi Fujita,Yutaka Shionoiri,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device including pg-aligned cells and method of generating layout of same

Номер патента: US20190065659A1. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20100110801A1. Автор: YUN Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Differential amplifier, semiconductor device and offset cancellation method

Номер патента: US20230145662A1. Автор: Yoshinobu Kaneda,Koichi Takeda,Masaya Nakano,Hidenori Mitani,Takahiro Shimoi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device, method of controlling semiconductor device, and semiconductor system

Номер патента: US10346336B2. Автор: Masashi Tominaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Phase locked loop circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240106441A1. Автор: Seung Jin Kim,Kyung Min Lee,Gyu Sik Kim,Jae Hong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Ldo power supply circuit and power amplifier

Номер патента: EP4231114A1. Автор: Jiashuai GUO,Yongfeng Zhou. Владелец: Lansus Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Power supply system and ICT device

Номер патента: US12021453B2. Автор: Zhongshu ZHANG,Junwei HAN,Lei Zan. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US20070087477A1. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Protection voltage generating circuit with monotonic and stable power supply voltage behavior

Номер патента: GB2626648A. Автор: Thomsen Axel,Angel C Abusleme Hoffman. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Power-supply circuit

Номер патента: WO2012004083A1. Автор: Henrik Johansson. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2012-01-12.

Power supply circuit and related methods for generating a power supply voltage in a semicondutor package

Номер патента: US20190377375A1. Автор: Hee-Won Kang,Nam-Su Kim,Eun-Ji MOON,In-Hyuk Go,Jae-sang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Supply voltage generating circuit

Номер патента: US20130265103A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-10.

Power supply shutoff device and power supply shutoff method

Номер патента: EP4113785A1. Автор: Takashi Hirano,Takeshi Aoki,Yusuke Saito,Shingo FUJIMURA,Sota Mizuno,Masato Yamagiwa,Shigenori Tanakamaru. Владелец: Fuji Corp. Дата публикации: 2023-01-04.

Power supply device, and vehicle-mounted apparatus and vehicle using same

Номер патента: US20130335047A1. Автор: Yuhei Yamaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory system and power supply control circuit

Номер патента: US20240281153A1. Автор: Kengo Kumagai,Daiki KAMADA,Yuta HIBE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Temperature control method, method of obtaining a temperature correction value, method of manufacturing a semiconductor device and substrate treatment apparatus

Номер патента: US20090105867A1. Автор: Hideto Yamaguchi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device, power supply circuit, and computer

Номер патента: US20190189758A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Akira Mukai,Daimotsu Kato,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Storage subsystem and power supply system

Номер патента: US20110258473A1. Автор: Masahiro Sone. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180109233A1. Автор: Shingo Sakamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Connector and power supply control method applied to connector

Номер патента: US20240291285A1. Автор: Yue Ma. Владелец: Shining Reality Wuxi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, display device and electronic device

Номер патента: US09984640B2. Автор: Yasunori Yoshida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Power saving with dual-rail supply voltage scheme

Номер патента: US09973191B2. Автор: Edgardo F. Klass. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Multiple path configuration for power supply power of semiconductor chip modules

Номер патента: US09892764B2. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Power supply device and display device having the same

Номер патента: US09754523B2. Автор: Sung-Chun Park,Jeong-Min Seo,Soon-Gi Kwon,Yoon-Young Lee,Kwang-Hun KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Power supply module and power supply system with sequential smart activation/deactivation based on load

Номер патента: US09703363B2. Автор: Jianjun Zhou. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Power supply

Номер патента: US09535491B2. Автор: Serge Francois Drogi,Marcus Charles Mertsching,Luigi Panseri. Владелец: Quantance Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Power supply decoupling circuit with decoupling capacitor

Номер патента: US09525349B1. Автор: Yeong-Sheng Lee. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09455225B2. Автор: Kiyotada Funane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Rack and power controlling method thereof

Номер патента: US09436249B2. Автор: Hao-Yen Kuan. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, display device and electronic device

Номер патента: US09396676B2. Автор: Yasunori Yoshida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Power supply unit and power supply method for electrically operated device

Номер патента: RU2540803C2. Автор: Маркус ВОЛЬШЛАГЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-02-10.

Wearable device and power supply system

Номер патента: RU2678600C2. Автор: Такаюки ХИРАБАЯСИ,Такатоси НАКАМУРА,Итару КАВАКАМИ,Масанори ИВАСАКИ,Масакадзу ЯДЗИМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-01-30.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US12013712B2. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Power supply system and power supply method

Номер патента: US20230411957A1. Автор: Min Zhou,Wulong Cong,Yiqing Ye. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power supply arbitration device, power supply device, power consumption device, power supply remote controller, power supply arbitration method, and power system

Номер патента: US20210167600A1. Автор: Tadashi Morita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Power supply circuit

Номер патента: US20140157029A1. Автор: Katsumi Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Static pulsed bus circuit and method having dynamic power supply rail selection

Номер патента: WO2008025682A1. Автор: Rahul Rao,Kevin John Nowka,Robert Matthew Senger,Harmander Singh Deogun. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-03-06.

Static pulsed bus circuit and method having dynamic power supply rail selection

Номер патента: EP2062148A1. Автор: Rahul Rao,Kevin John Nowka,Robert Matthew Senger,Harmander Singh Deogun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

Power control method and power control system

Номер патента: US20210048871A1. Автор: Daiki Sato. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Power supply device that supplies power to power receiving device in contactless manner, method of controlling power supply device, and storage medium

Номер патента: US20190097470A1. Автор: Yudai Fukaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Power supply circuit and related methods for generating a power supply voltage in a semiconductor package

Номер патента: US20190072991A1. Автор: Hee-Won Kang,Nam-Su Kim,Eun-Ji MOON,In-Hyuk Go,Jae-sang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Level converter and semiconductor device

Номер патента: US20080042725A1. Автор: Yasushi Aoki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Power supply circuit with high speed response to large rush voltage in power supply

Номер патента: US12009739B2. Автор: Chen Kong TEH. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Controllable power supply device with step-up function

Номер патента: US20080252146A1. Автор: Yung-Lun Lin. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Storage device, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US10860080B2. Автор: Kiyoshi Kato,Shuhei Maeda,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

System power supply circuit

Номер патента: US20190109456A1. Автор: Takashi Kimura,Akira Fujiwara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Power Supply Switch with Programmable Switching Decision

Номер патента: US20190155354A1. Автор: Chung Fai Au Yeung,Chi Hong Chan,Hok San YU. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2019-05-23.

Power Supply Powering-On Structure

Номер патента: US20210018945A1. Автор: Ning Zhang,Yifei Qian. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Power supply circuitry

Номер патента: US20210064071A1. Автор: Hirokazu Kadowaki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Power supply management method, apparatus, and system

Номер патента: US20230273672A1. Автор: YU Ding,Chao Ren,Jianhua Xu,Jincan Cao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Memory Device with Control Circuit for Regulating Power Supply Voltage

Номер патента: US20070257731A1. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Power supply controlling apparatus and power supply controlling system

Номер патента: US20090217064A1. Автор: Yuichiro Terasawa. Владелец: Fujitsu Component Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Power generation control system and power generation control method

Номер патента: US12081029B2. Автор: Yoshiaki Kotani,Tatsuya Jinno,kohei Okaguchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Power supply circuit and power supply method for camera module and electronic device

Номер патента: US12124161B2. Автор: Yongcheng LAN. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Mini LED driving power supply and mini LED television

Номер патента: US12131687B2. Автор: Hao Wei,Jianhua Zhou,Shengping CAI,Zantian CHEN,Xuan YUAN. Владелец: Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Configurable, power supply voltage referenced single-ended signaling with ESD protection

Номер патента: US09923602B2. Автор: Frederick A. Ware,John W. Poulton,Carl W. Werner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-03-20.

Power management method, power management system, and power supply apparatus

Номер патента: US09887540B2. Автор: Yuki Waki,Kazuya Ohshima,Haruka Nakasone,Hideshi Aoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Forwarding signal supply voltage in data transmission system

Номер патента: US09881652B2. Автор: John W. Poulton,Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Power supply system and power supply method thereof

Номер патента: US09864390B2. Автор: Zih-Min Yang,Ting-Hsi Huang. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Information processing apparatus, non-transitory computer-readable medium, and power management method

Номер патента: US09778714B2. Автор: Masaaki Igarashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Driving circuit for increasing a driving power supply voltage for a display panel

Номер патента: US09761195B2. Автор: Jia-Chi ZHENG. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-09-12.

Power supply unit for a computer system and arrangement having a corresponding power supply unit and a computer system

Номер патента: US09740263B2. Автор: Peter Busch,Willi Sterzik. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2017-08-22.

Power supply system and power control circuit thereof

Номер патента: US09705323B2. Автор: Wei-Te Huang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11296118B2. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210111194A1. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device

Номер патента: US10879271B2. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190319047A1. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device, electronic system device, and driving method thereof

Номер патента: US20200321861A1. Автор: Kazuya Hashimoto,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit

Номер патента: US20240203880A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09876499B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09461646B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068326B2. Автор: Young-hun Kim,Jae-Seok Yang,Hae-Wang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Temperature controller for semiconductor device

Номер патента: US4689659A. Автор: Hideo Watanabe. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09954024B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09762835B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09641777B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09634052B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09565383B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Isolated power supply with input voltage monitor

Номер патента: US09866136B2. Автор: Xudong Huang,Jun Duan,Liuqing Yang,Renjian Xie,Zhijie Zhu. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-01-09.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US12080743B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A TEMPERATURE SENSOR, TEMPERATURE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A TEMPERATURE SENSOR

Номер патента: US20170236931A1. Автор: Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-17.

Power supply device and power supply method of voltage monitor

Номер патента: CN111463799A. Автор: 郭成,覃日升,何鑫,姜訸. Владелец: Electric Power Research Institute of Yunnan Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20170272069A1. Автор: Junichi CHISAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Impact sound stressing for semiconductor devices

Номер патента: US4018626A. Автор: Guenter H. Schwuttke,Kuei-Hsiung Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20120217591A1. Автор: Yoichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20130077352A1. Автор: Atsushi Yamada,Sanae Shimizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS

Номер патента: US20150091173A1. Автор: KAMADA Youichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method for producing the same, and power supply

Номер патента: US8492784B2. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060033526A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: TWI460861B. Автор: Tadahiro Imada,Kazukiyo Joshin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: TW201225295A. Автор: Tadahiro Imada,Kazukiyo Joshin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

Bonded body, power semiconductor device and method for manufacturing bonded body and power semiconductor device

Номер патента: EP2650074A4. Автор: Masanori Minamio,Tatsuo Sasaoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

JOINED BODY, POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS OF JOINED BODY AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130221502A1. Автор: Minamio Masanori,SASAOKA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-29.

DBC SUBSTRATE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR FABRICATING A DBC SUBSTRATE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A DBC SUBSTRATE

Номер патента: US20220301974A1. Автор: Roth Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US7462886B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: CN101271871A. Автор: 菅原良孝. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-09-24.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US7462888B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US20060208276A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device used as high-speed switching device and power device

Номер патента: US20070040216A1. Автор: Tomoko Matsudai,Kenichi Matsushita,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20180294201A1. Автор: Kondo Satoshi,KAJI Yusuke. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-10-11.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20220415738A1. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20220020672A1. Автор: Yamamoto Kei,ROKUBUICHI Hodaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-01-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20200020622A1. Автор: Kondo Satoshi,KAJI Yusuke,ROKUBUICHI Hodaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-01-16.

A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A TEMPERATURE SENSOR

Номер патента: US20210257355A1. Автор: Zhu Chunlin,Suresh Vinay,DEVINY Ian,WANG Yangang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device with backside coil for wireless signal and power coupling

Номер патента: CN110603635B. Автор: K·K·柯比. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PRESSURE SENSOR, MICROPHONE, ACCELERATION SENSOR AND METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180222744A1. Автор: Haubold Marco,Kaemmer Kerstin,FEICK Henning. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

ISOLATED POWER SUPPLY WITH INPUT VOLTAGE MONITOR

Номер патента: US20150162837A1. Автор: Duan Jun,Xie Renjian,Yang Liuqing,Huang Xudong,Zhu Zhijie. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-06-11.

Power supply system and voltage monitoring method

Номер патента: CN101836174B. Автор: 小椋仁成. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

Power supply system and voltage monitoring method

Номер патента: EP2214072B1. Автор: Yoshinari Ogura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Power supply apparatus and voltage monitoring method

Номер патента: US20100201193A1. Автор: Yoshinari Ogura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US11929372B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US20240047484A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US11869915B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US20240178257A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding

Номер патента: US20230275111A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate driver circuit and power conversion apparatus using same

Номер патента: US09660511B2. Автор: Atsushi Morimoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234266A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power storage device and semiconductor device provided with the power storage device

Номер патента: US09985464B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Power storage device and semiconductor device provided with the power storage device

Номер патента: US09620988B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, semiconductor device design method, semiconductor device design apparatus, and program

Номер патента: US09589893B2. Автор: Masayuki Tsukuda,Masafumi TOMODA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09831209B2. Автор: Motoo Suwa,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor device, photoelectric conversion system, movable object

Номер патента: US20240339477A1. Автор: Nobuaki Kakinuma,Akira Oseto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09531269B2. Автор: Chen Kong TEH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Back side power supply for electronic devices

Номер патента: EP4156263A2. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150171844A1. Автор: Kenichi Kawasaki,Satoshi Tanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device for controlling power supply

Номер патента: US09960690B2. Автор: Hiroki Matsuda. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device, power control device and electronic system

Номер патента: US09866207B2. Автор: Junichi Nakamura,Yasushi Nakahara,Yoshinori Kaya,Ryo Kanda,Tetsu Toda,Tomonobu Kurihara,Kazuyuki Umezu,Takahiro Nagatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Power supply control semiconductor device and power supply device

Номер патента: US12027972B2. Автор: Hiroki Matsuda,Yusuke Ohba,Naoya Nishio,Koji Tsuzurabara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Power supply control semiconductor device and power supply device

Номер патента: US20230268828A1. Автор: Hiroki Matsuda,Yusuke Ohba,Naoya Nishio,Koji Tsuzurabara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09647647B2. Автор: Koki Narita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210066911A1. Автор: Dai KAMIMARU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device including esd diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4439667A1. Автор: Jungmin Seo,Sangeun Lee,Chanho LEE,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device including esd diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332431A1. Автор: Jungmin Seo,Sangeun Lee,Chanho LEE,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, power control device and electronic system

Номер патента: US09559687B2. Автор: Junichi Nakamura,Yasushi Nakahara,Yoshinori Kaya,Ryo Kanda,Tetsu Toda,Tomonobu Kurihara,Kazuyuki Umezu,Takahiro Nagatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device whose internal power supply voltage is generated by voltage step-up circuit

Номер патента: US20090219082A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-03.

Power supply device, electronic device using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090273327A1. Автор: Tomoyuki Ito,Isao Yamamoto,Yoichi Tamegai,Koki Tamakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20140159778A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US12003236B2. Автор: Kazuya Matsuzawa,Ryuji Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Power supply circuit and power distribution method thereof

Номер патента: US12095304B2. Автор: Chih Wei Huang,Yi-Hsuan Lee,Yu Cheng Lin,Chun-Wei Ko,Liang-Cheng Kuo,Ya Ju Cheng,Ywh Woei Yeh,Yen Ting Wang. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12136589B2. Автор: Taro Nishioka,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI,Tsunehisa Ono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09647665B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09467090B2. Автор: Katsuyoshi Mitsui,Tsukasa Oishi,Naoki Otani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Switched-mode power supply, power supply circuit thereof, and power supply method

Номер патента: US20230143637A1. Автор: HAO Long. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200266761A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Switched-mode power supply, power supply circuit thereof, and power supply method

Номер патента: US12101025B2. Автор: HAO Long. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Power supply voltage detection and power delivery circuit

Номер патента: US09912325B2. Автор: Ioannis Savidis,Divya Pathak. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor circuit, semiconductor device and potential supply circuit

Номер патента: US09634663B2. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09543947B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for no-break power supply to loads of power system operating on renewable energy sources (alternatives)

Номер патента: RU2208890C1. Автор: В.С. Дмитриев,В.К. Куролес,В.Д. Савчук,В.Н. Трусов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Государственное машиностроительное конструкторское бюро "Радуга". Дата публикации: 2003-07-20.

Level shifter and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240235553A9. Автор: Chanhee Jeon,Jinsu JEONG,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

A method for controlling a linear amplifier and power amplifier arrangement

Номер патента: EP2044687A1. Автор: Richard Hellberg,Tony FONDÉN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2009-04-08.

Power supply circuit and power supply method for switching power supply

Номер патента: US09906140B2. Автор: Jin Jin,Zhiliang Hu,Yongjiang Bai,Shaobin Zhang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Envelope tracking with reduced circuit area and power consumption

Номер патента: US09634620B2. Автор: Nadim Khlat,Michael R. Kay. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Audio amplifier and power supply voltage switching method

Номер патента: US09571040B2. Автор: Morito Yamada. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Power supply noise reduction circuit and power supply noise reduction method

Номер патента: US09537384B2. Автор: Toshiyuki Sato. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20110193640A1. Автор: Katsuyoshi Mitsui,Tsukasa Oishi,Naoki Otani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device having transfer gate between pre-buffer and main buffer

Номер патента: US20090015292A1. Автор: Kenichi Kawakami,Tomoya Nishitani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Power supply circuit and power supply voltage supply method

Номер патента: US20240333150A1. Автор: David Perreault,Takeshi Kogure,John Hoversten,Yevgenly TKACHENKO,Muneyoshi YAMMAMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09478525B2. Автор: Machio Segawa,Hisayuki Nagamine. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-25.

Control method of electric power supply of industrial power district with sources of distributed generation at short circuit on section of reserved line

Номер патента: RU2694070C1. Автор: Александр Леонидович Куликов,Павел Владимирович Илюшин. Владелец: Павел Владимирович Илюшин. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor devices with voltage adjustment

Номер патента: EP4369601A2. Автор: Chanhee Jeon,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor devices with voltage adjustment

Номер патента: US20240235187A9. Автор: Chanhee Jeon,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12052014B2. Автор: Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices with voltage adjustment

Номер патента: EP4369601A3. Автор: Chanhee Jeon,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device

Номер патента: US12074589B2. Автор: Junichi CHISAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Electronic apparatus, power supply and power control method thereof

Номер патента: US09780668B2. Автор: Jin-Hyung Lee,Sung-bum JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240348247A1. Автор: Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Power supply apparatus, image forming apparatus, and power supply control method

Номер патента: US20240051319A1. Автор: Ryota Ogura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US20080055806A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Electronic apparatus and power controlling method thereof

Номер патента: US20150131332A1. Автор: Jin-Hyung Lee,Gil-Yong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-14.

Thermoelectric semiconductor device for contrast thermoodontometry with removable radiator

Номер патента: RU2616999C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Олег Викторович Евдулов,Тамила Арслановна Рагимова,Меджид Нисрединович Меджидов,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-19.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: CA2734701C. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Airbag control device and semiconductor device

Номер патента: US9827937B2. Автор: Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic apparatuses with two-surface conductive contacts, power modules, multiple-switch encapsulations, and power supply systems

Номер патента: US20240242871A1. Автор: Jianhong Zeng. Владелец: Shanghai Metapwr Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20120014155A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20070198821A1. Автор: Hiroshi Kamiya,Yasushi Nobutaka,Kunio Ohno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Vibration capsule and power supply method thereof

Номер патента: US12053427B2. Автор: Xiaodong Duan,Jianming DU. Владелец: Ankon Medical Technologies Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09871103B2. Автор: Ho Jun Kim,Sung Dae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, dc-dc converter, and protective element

Номер патента: US20120262827A1. Автор: Takehito Ikimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device, DC-DC converter, and protective element

Номер патента: US8526148B2. Автор: Takehito Ikimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20090154209A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Electronic apparatus for generating a pulse width modulation and power controlling method thereof

Номер патента: US09559599B2. Автор: Jin-Hyung Lee,Gil-Yong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having an inner power supply plate structure

Номер патента: US09431337B2. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Communication device, power supplying method therefor,and power supply system

Номер патента: EP2522128A2. Автор: Masanori Baba,Tsuyoshi Yamaguchi,Yoshimi Tokunaga,Mutsuhiko Ooishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Communication device, power supplying method therefor,and power supply system

Номер патента: WO2011158972A2. Автор: Masanori Baba,Tsuyoshi Yamaguchi,Yoshimi Tokunaga,Mutsuhiko Ooishi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US09680380B2. Автор: Satoru Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Apparatus, system and method for controlling temperature and power supply voltage drift in a digital phase locked loop

Номер патента: US09484938B2. Автор: Martin Vandepas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods and systems for monitoring a power supply for a fire pump motor

Номер патента: US09453505B2. Автор: Douglas A. Stephens,Harlan A. Rosenthal. Владелец: Asco Power Technologies LP. Дата публикации: 2016-09-27.

Thermoelectric semiconductor device for thermoodontometry

Номер патента: RU2624806C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Ширали Абдулкадиевич Юсуфов,Тамила Арслановна Рагимова,Меджид Нисрединович Меджидов,Зейнаб Шахмандаровна Шахмаева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-07-06.

Spacecraft electric power supply system

Номер патента: RU2613660C2. Автор: Юрий Александрович Шиняков,Александр Владимирович Осипов,Мария Михайловна Черная. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2017-03-21.

Load device and power supply device for powering load

Номер патента: RU2719344C2. Автор: ДЕЛЬДЕН Мартинус Херманус Вильхельмус Мария ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-04-17.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20170026036A1. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Surge protection circuit and power supply for operating from a dc grid

Номер патента: EP4387399A1. Автор: Dietmar Klien. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-19.

Feed cable, power supply system and electric-powered vehicle

Номер патента: WO2013121472A3. Автор: Daisuke Ishii,Shigeki Kinomura. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-11-07.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US20220166309A1. Автор: Hiroshi Maruyama,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12087735B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09761544B1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Compact structure of power-supply apparatus capable of minimizing electromagnetic noise

Номер патента: US09647535B2. Автор: Shuji KURAUCHI,Shotaro Yamasaki,Katsutoyo Misawa,Yuuki Takemoto,Yuuichi HANDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Uninterrupted power supply source for on-board equipment

Номер патента: RU2666523C1. Автор: Алексей Николаевич Чаплыгин,Григорий Сергеевич Наумов,Кирилл Александрович Безгрешнов,Денис Владимирович Булатников. Владелец: Акционерное общество "Авиаавтоматика" имени В.В. Тарасова". Дата публикации: 2018-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20180068971A1. Автор: Motoo Suwa,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20080067647A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

A semiconductor device including an integrated circuit housed in an array package having signal terminals arranged about centrally located power supply terminals

Номер патента: WO2001086721A2. Автор: Anthony Andric. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-15.

Power module and power conversion system

Номер патента: EP4422059A1. Автор: Eryong Guan,Dongyang Wang. Владелец: Jingtsing Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US8952576B2. Автор: Masatoshi Hasegawa,Daisuke Sasaki,Masahiko Nishiyama,Testuya Fukuoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and motor control unit

Номер патента: US09859794B2. Автор: Yutaka Ohashi,Hiroyuki Miyaki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and semiconductor device operating method

Номер патента: US09722625B2. Автор: Takahiro Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09653421B2. Автор: Atsunori Hattori. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240056071A1. Автор: Yusuke Sato,Yasuyuki Fujiwara,Yiyao LIU,naotsugu Kako,Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11838013B2. Автор: Yusuke Sato,Yasuyuki Fujiwara,Yiyao LIU,naotsugu Kako,Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US9344073B2. Автор: Kenichi Kawasaki,Satoshi Tanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor Device and Ultrasonic Diagnostic Apparatus Using the Same

Номер патента: US20120108963A1. Автор: Kenji Hara,Junichi Sakano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and ultrasonic diagnostic apparatus using the same

Номер патента: US9190992B2. Автор: Kenji Hara,Junichi Sakano. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20150280568A1. Автор: Chen Kong TEH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device drive circuit

Номер патента: US20240072791A1. Автор: Kazuya Hokazono,Jun Fukudome. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20140159041A1. Автор: Kenichi Osada,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Stray inductance reduction in packaged semiconductor devices

Номер патента: US20210066256A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US12040270B2. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Photo-detecting semiconductor device and an apparatus having such a photo-detecting semiconductor device

Номер патента: US20020166947A1. Автор: Hiroshi Suzunaga,Shigeyuki Sakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Photo-detecting semiconductor device and an apparatus having such a photo-detecting semiconductor device

Номер патента: US6737623B2. Автор: Hiroshi Suzunaga,Shigeyuki Sakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-18.

Semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US12074082B2. Автор: Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Tomohisa Yamane,Hisayuki Taki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Comparator, Oscillator, and Power Converter

Номер патента: US20230261624A1. Автор: Tomokazu Kojima,Yuhei Morimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and power supply unit utilizing the same

Номер патента: US09812964B2. Автор: Atsushi Kitagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Solid-state image sensor and camera

Номер патента: US09774810B2. Автор: Takashi Moriyama,Toshiaki Ono,Kazuaki Tashiro,Tatsuhito Goden. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Igniter semiconductor device, igniter system, and ignition coil unit

Номер патента: US09771916B2. Автор: Kenichi Ishii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Power FET with integrated sensors and method of manufacturing

Номер патента: US09748376B2. Автор: David J Baldwin,Abidur Rahman,Simon John Molloy,Gary Eugene DAUM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Wireless power transmission system, power transmitting device, and power receiving device

Номер патента: US09698629B2. Автор: Keiichi Ichikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Stacked semiconductor device and method of controlling thereof

Номер патента: US09691740B2. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09589948B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including back side power supply circuit

Номер патента: US20240332188A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material

Номер патента: US09508742B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Power supply arrangement for semiconductor device

Номер патента: US09406648B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Monsen Liu,Sen-Kuei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Electric circuit and arc detection sensor and glazing with usage of above circuit and sensor

Номер патента: RU2562966C1. Автор: Джозеф МЕДЗИУС,Юй ЦЗЯО,Харс ДЬОРДЬ,Али Н. РАШИД. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device having CMOS circuit and bipolar circuit mixed

Номер патента: US5561388A. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-10-01.

Switching power supply protection circuit and power supply system

Номер патента: EP4300800A1. Автор: Shanghua Feng,Qingjun Chen. Владелец: Guangdong Carrier Hvac Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Back side power supply for electronic devices

Номер патента: EP4156263A3. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240055399A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and power supply control processing method for control circuit of semiconductor device

Номер патента: US20230403009A1. Автор: Hiroshi Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Back Side Power Supply for Electronic Devices

Номер патента: US20230094594A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device design mitigating latch-up

Номер патента: US20230307363A1. Автор: David Wolpert,Terence Hook,Leon Sigal. Владелец: Infinite Computer Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus of cleaning substrate, apparatus of semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package using the same

Номер патента: US20240242979A1. Автор: Ho Jun Lee,Hyo Shin LIM. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Pulsing assembly and power supply arrangement

Номер патента: EP4189724A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-06-07.

Pulsing assembly and power supply arrangement

Номер патента: WO2022023422A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device design mitigating latch-up

Номер патента: WO2023180092A1. Автор: David Wolpert,Terence Hook,Leon Sigal. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230021125A1. Автор: Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US20160073872A1. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Power module and power conversion device

Номер патента: US12136582B2. Автор: Yoshinori Yokoyama,Koji Yamazaki,Tetsu Negishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US09687181B2. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09449951B2. Автор: Yushi Inoue,Shiro Harashima,Yukitoshi Hirose,Takuya MORIYA,Chihoko YOKOBE. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11843371B2. Автор: Fumiaki YANAGIHASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20080315851A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

High step-down modular DC power supply

Номер патента: US11973422B2. Автор: LIN ZHU,Huan Yang,Xiangning HE,Wuhua Li,Jing SHENG,Chushan LI,Shengdao REN,Huiqiang YAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20020153534A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Power amplifier circuit and power amplification method

Номер патента: US20240162860A1. Автор: Kenji Tahara,Kae YAMAMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Power supply voltage detection and power delivery circuit

Номер патента: US20160301400A1. Автор: Ioannis Savidis,Divya Pathak. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-13.

Power supply apparatus

Номер патента: US7598694B2. Автор: Toru Arai,Hideo Ishii. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Methods of starting power converter systems, and power converter systems

Номер патента: US12040697B2. Автор: Martin Geske,Thomas Brueckner,Hendrik Gloes. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic atomization device and power supply assembly thereof

Номер патента: EP4197371A1. Автор: Zhiwen Pan. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230198378A1. Автор: Hideyuki Tajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043093A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Server motherboard, server, and power supply control method

Номер патента: US12101885B2. Автор: Yongbin HU. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355833A1. Автор: Seiichi Yoneda,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and system for targeted transmission of information over alternating current power supply lines

Номер патента: RU2735950C1. Автор: Максим Игоревич Вавуло,Андрей Иванович Киричок,Александр Николаевич Притула,Михаил Николаевич Юханов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Светосервис ТелеМеханика». Дата публикации: 2020-11-11.

Method of maximizing power efficiency for power amplifier system and power amplifier system thereof

Номер патента: US20230268888A1. Автор: Chung-Cheng Wang,Tzu-Yun Wang,Kang-Ming Tien. Владелец: Rafael Microelectronics Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Power supply device and semiconductor device

Номер патента: US20240097561A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12009822B2. Автор: Shinji Sakai,Kazuhiro Kawahara,Teruaki Nagahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20180286774A1. Автор: Yuji Nishibe,Shinichi Miura,Yasuyuki Kageyama,Yasuhide Yagyu,Yasuyoshi Saito. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device substrate and semiconductor device

Номер патента: US8659120B2. Автор: Atsushi Kikuchi,Yoshihiko Ikemoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12046598B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device including functional circuits

Номер патента: US9438226B2. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20150365070A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20210091217A1. Автор: Mutsuhiro Mori,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor device and power semiconductor chip

Номер патента: US12094961B2. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332300A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Power line layout structure for semiconductor device

Номер патента: US09870992B1. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09787135B2. Автор: Toyohiko Yoshida,Akira Oizumi,Yoshinori Tokioka,Tomoki YASUKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and electric power control apparatus

Номер патента: US09621151B2. Автор: Koichi Yamazaki,Hiroshi Kuroiwa,Masatoshi Maeda,Ryo Kanda,Tetsu Toda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including functional circuits

Номер патента: US09438226B2. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Power converter used to feed electric arc furnace with direct current and power converter unit

Номер патента: RU2115268C1. Автор: Дю Парк Жак,Гленски Кристоф,Вюрстейзен Мишель. Владелец: Сежелек Металь Систем. Дата публикации: 1998-07-10.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US20230051610A1. Автор: Yoshinori Kobayashi,Hiroaki Matsumoto,Masayuki Yamadaya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Radio frequency power amplifier with adjustable power supply

Номер патента: WO2020204912A1. Автор: Yi Zheng,Xiaotong Lin. Владелец: CoolStar Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-10-08.

Power supply threshold activation circuit

Номер патента: CA1201765A. Автор: William R. Houk,Hayagriva V. Rao. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-03-11.

Rotational electric machine, drive control system, and power generation method

Номер патента: US20210305926A1. Автор: Kenji Kitada,Kohsuke MURATA. Владелец: Exedy Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180358925A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Power supply system and power supply method

Номер патента: AU2018229926B2. Автор: Xun Wang,Yongbing GAO,Yanfeng Li. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US11735514B2. Автор: Seiji Oka,Shota Morisaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20220230953A1. Автор: Seiji Oka,Shota Morisaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Switching power supply protection circuit and power supply system

Номер патента: US20240007002A1. Автор: Shanghua Feng,Qingjun Chen. Владелец: Guangdong Carrier Heating Ventilation & Air Conditioning. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device whose internal power supply voltage is generated by voltage step-up circuit

Номер патента: US7868684B2. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Gate driver and power converter

Номер патента: US20210143812A1. Автор: Kunio Matsubara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200309282A1. Автор: Shiro Kamohara,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US11936305B2. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240164118A1. Автор: Kazuaki TSUCHIYAMA,Tatsuaki Tsukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230006571A1. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258236A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Power supply voltage monitors

Номер патента: US20090085619A1. Автор: Xiaoling Guo,Jia-Hau Liu,Alan L. Westwick,Dazhi Wei. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Method for operating a power electronic converter, and power electronic converter

Номер патента: EP3973625A1. Автор: Martin KLAEUSLER,Simon Herold,Jerome Fischer,Giulia Beanato,Luigi Lucano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-30.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor Device

Номер патента: US20200294922A1. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Dc/dc converter and semiconductor device using dc/dc converter

Номер патента: US20110241441A1. Автор: Masafumi Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20060289897A1. Автор: Tamotsu Murakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274536A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240371876A1. Автор: Myung Yoon UM,Deok Han Bae,Yoon Young Jung,Ju Hun Park,Ye Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12068323B2. Автор: Myung Yoon UM,Deok Han Bae,Yoon Young Jung,Ju Hun Park,Ye Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Power supply apparatus for reducing noise induced in DC wires

Номер патента: US09923473B2. Автор: Shuji KURAUCHI,Shotaro Yamasaki,Katsutoyo Misawa,Yuuki Takemoto,Yuuichi HANDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device having low power consumption

Номер патента: US09692415B2. Автор: Atsushi Okamoto. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Power semiconductor device

Номер патента: US09462708B2. Автор: Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, electronic appliance, and vehicle

Номер патента: US09391603B2. Автор: Takashi Fujimura,Hirofumi Yuki,Muga Imamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Multimode high-voltage power supply system for multi-section train and train

Номер патента: RU2679314C1. Автор: Мэн СЮЙ,Чжэнвэй ЛЮ,Далэй ХА. Владелец: СиАрАрСи ЧАНЧУНЬ РЭЙЛВЭЙ ВИИКЛЗ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device having improved immunity to power supply voltage fluctuations

Номер патента: US6060946A. Автор: Kenichi Nakamura,Takayuki Harima,Masami Masuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-09.

Management device and power supply system

Номер патента: US20190202384A1. Автор: Hideyuki Sasao. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and power feed system

Номер патента: US20190157863A1. Автор: Takefumi Endo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor circuit, semiconductor device and potential supply circuit

Номер патента: US20150280711A1. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and electronic device each having oscillator

Номер патента: US11870393B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US10651790B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20150048874A1. Автор: Tatsufumi Kurokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Level shifter and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240137023A1. Автор: Chanhee Jeon,Jinsu JEONG,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and automobile

Номер патента: US20150194895A1. Автор: Fumio Wada,Noboru Miyamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: EP4365944A1. Автор: Cristina SOMMA,Damian HALICKI,Auroroa SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US7319575B2. Автор: Hiroki Yamashita,Masayoshi Yagyu,Tatsuya Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-01-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20090057723A1. Автор: Atsushi Kaneko,Yasuo Okada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Pad Layout for Flipchip Semiconductor Die

Номер патента: US20120241984A9. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device, switching power supply device, dc/dc converter, vehicle, and motor drive device

Номер патента: US20240291481A1. Автор: Isao Takobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Drive circuit and inverter for voltage driving type semiconductor device

Номер патента: EP2015439A3. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-02-17.

Power Semiconductor Device, Method for Manufacturing Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240274489A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing stator and power supply apparatus

Номер патента: US20230369951A1. Автор: Hiroaki Urano,Akihide Takehara,Akihide SHIMMEI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09948283B2. Автор: Koji Takayanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of forming pad layout for flipchip semiconductor die

Номер патента: US09780057B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and automobile

Номер патента: US09742285B2. Автор: Fumio Wada,Noboru Miyamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, driving mechanism and motor driving control method

Номер патента: US09716451B2. Автор: Takashi Yamashita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Image capturing apparatus, solid-state image sensor, and camera that may suppress electrical interference

Номер патента: US09635297B2. Автор: Takamasa Sakuragi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and driving system

Номер патента: US09564844B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Voltage converter and power management device including the same

Номер патента: US09531249B2. Автор: Hyoung-Seok Oh,Kyoung-Jin Lee,Sang-Ik Cho,Ha-Neul Kim,Je-hyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of data transmission along power supply lines and device for its implementation

Номер патента: RU2733052C1. Автор: Роман Александрович Матвеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СТК-ВИКОМ". Дата публикации: 2020-09-29.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Tape automated bonding semiconductor device and production process thereof

Номер патента: US5357400A. Автор: Koichi Takekawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-10-18.

Radio frequency power amplifier controlled by dual control voltages; the bias supply voltage and the power supply voltage.

Номер патента: GB2438457A. Автор: Gerard Wimpenny. Владелец: Nujira Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Stacked semiconductor device including hybrid bonding structure

Номер патента: US20240030266A1. Автор: Pyong Su Kwag. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Power storage unit and power storage system

Номер патента: US20190074699A1. Автор: Junya Yano,Jun Asakura,Tomoyuki MATSUBARA,Hidetsugu Mukae. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20120042188A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Switching control circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210152075A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20200027952A1. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US10892329B2. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343715A1. Автор: Xiangdong Chen,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US20190288082A1. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074168B2. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and process for production thereof

Номер патента: US20050179054A1. Автор: Takayuki Toyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US12101067B2. Автор: Takayuki Ikeda,Hitoshi KUNITAKE,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device package with open sensor cavity

Номер патента: US20240363466A1. Автор: Jeffrey Salvacion SOLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363637A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371748A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US10529813B2. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US12136665B2. Автор: Katsumi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Power supply device and semiconductor device

Номер патента: US09899926B2. Автор: Hiroaki Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power unit and power conversion apparatus

Номер патента: US09893610B2. Автор: Takayoshi Miki,Yukio Nakashima,Hisanori Yamasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Switching power supply with internal power supply circuit

Номер патента: US09882495B2. Автор: Kenichi Nishijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09735081B2. Автор: Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09711486B2. Автор: Toshiaki Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09691713B2. Автор: Takeshi Fujii,Yasushi Ookura,Tetsutaro Imagawa,Shun SUGIURA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09673823B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Charge-pump power supply with voltage-headroom-dependent supply voltage

Номер патента: US09634621B1. Автор: Daniel John Allen,Anand Ilango,Aniruddha SATOSKAR,Bharath Kumar THANDRI. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09515019B2. Автор: Kazuo Tanaka,Kazuo Sakamoto,Takahiro Hayashi,Naozumi Morino,Shunsuke Toyoshima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09438032B2. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Power supply unit with a current input

Номер патента: RU2771461C1. Автор: Николай Николаевич Милюшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Надежные технические решения" (ООО "НТР"). Дата публикации: 2022-05-04.

Power supply system that has detachable fuel block and power generation unit, electrical device actuated by power supply system, and biodegradable shell of fuel block used in system

Номер патента: RU2244988C2. Автор: Масахару СИОЯ. Владелец: Касио Компьютер Ко., Лтд. Дата публикации: 2005-01-20.

Domestic heat and power cogeneration system

Номер патента: RU2294045C2. Автор: Дэвид Энтони КЛАРК,Уэйн Кеннет ЭЛДРИДЖ,Джордж МакЧесни ФРЭНСИС,Хитер ОЛЛДЕРИДЖ,Грэхэм Ричард РОБЕРТС. Владелец: Майкроджен Энерджи Лимитед. Дата публикации: 2007-02-20.

Non-contact power supply equipment, non-contact device for power receipt and non-contact power supply system

Номер патента: RU2486651C1. Автор: Синдзи ИТИКАВА,Такуми ИНОУЕ,Хироюки САКАКИБАРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-06-27.

Motor control circuit with a low voltage monitor

Номер патента: US5814955A. Автор: Michael E. Bauer,Michael A. Urbassik. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Semiconductor device, DC/DC converter and power supply

Номер патента: US8207558B2. Автор: Takayuki Iwasaki,Masaki Shiraishi,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Vibration capsule and power supply method thereof

Номер патента: US20210369556A1. Автор: Xiaodong Duan,Jianming DU. Владелец: ANX IP Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device, system, and device using the same

Номер патента: US11838664B2. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Power Conversion Device and Power Conversion System

Номер патента: US20190319548A1. Автор: Yasuaki Norimatsu,Yuki Kawaguchi,Takae Shimada,Mitsuhiro Kadota,Mizuki Nakahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Power amplifier circuit and power amplification method

Номер патента: US20240146259A1. Автор: Kenji Tahara,Kae YAMAMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having plural wiring layers

Номер патента: US8686567B2. Автор: Hiroki Fujisawa,Kazuteru Ishizuka,Kiyotaka Endo. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-01.

Power supply system and power supply device

Номер патента: US20220320996A1. Автор: Iwao Nakanishi,Yuusuke Shimizu,Kei FUKUHARA. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20200052573A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Takashi Masuhara,Mamoru Kamikura,Kodai Katagiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Power supply system

Номер патента: US20080136263A1. Автор: Takashi Sekiguchi,Yoshihiro Onoda,Yoshihiro Kaneda,Takao Sumiya,Takuya Suemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Vehicle-mounted power supply circuit, and vehicle

Номер патента: EP4403419A1. Автор: Sheng Yu. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20220278194A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor component and power module

Номер патента: US20210225724A1. Автор: Yutaka Satou,Yasuyuki Ooi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20170154833A1. Автор: Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Switching power supply device

Номер патента: US20160241149A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device, power-supply unit, amplifier and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8487384B2. Автор: Keiji Watanabe,Masayuki Takeda,Norikazu Nakamura,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor device and power converting device

Номер патента: US20240274557A1. Автор: Seiji Oka,Tetsu Negishi,Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Control device of power factor correction circuit, power factor correction circuit, power supply device, and semiconductor device

Номер патента: US11736003B2. Автор: Yoshinori Sato,Satoru Nate,Yifei Tang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Power supply regulation in laundry treatment machines or dishwashers

Номер патента: EP3314051A1. Автор: Paolo Driussi,Alessandro Cecco. Владелец: Electrolux Appliances AB. Дата публикации: 2018-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US9735081B2. Автор: Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080248652A1. Автор: Keiichirou Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device, power-supply unit, amplifier and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130256693A1. Автор: Keiji Watanabe,Masayuki Takeda,Norikazu Nakamura,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Supply voltage generating method

Номер патента: US09966843B2. Автор: Jian Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Switching power supply device

Номер патента: US09966839B2. Автор: Jian Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Automatic voltage switching circuit for selecting a higher voltage of multiple supply voltages to provide as an output voltage

Номер патента: US09960596B2. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Burt Lee Price,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09960096B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Tomomi Okumura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Envelope tracker with variable boosted supply voltage

Номер патента: US09837962B2. Автор: Lennart Karl-Axel Mathe,Yunfei Shi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Network distributed dynamic equalized power supply method

Номер патента: US09806562B2. Автор: ZHI Li,Ning Li,Zhiqiang Wang,Stone Tseng. Владелец: GCCALLIANCE Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Power supplies having multi-tap voltage attenuators and methods of power supply assembly

Номер патента: US09755531B2. Автор: Edward Alan Cheesman. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor switch with integrated temperature sensor

Номер патента: US09735264B2. Автор: Bernhard Auer,Robert Illing,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Supply voltage generating circuit and switching power supply

Номер патента: US09729049B2. Автор: Jian Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method to package multiple MEMS sensors and actuators at different gases and cavity pressures

Номер патента: US09725304B2. Автор: Shingo Yoneoka,Wenhua Zhang. Владелец: MCube Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for operating an on-board power supply system of a motor vehicle

Номер патента: US09493128B2. Автор: Niklas Schalli,Holger Haecker. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Electric power supply system

Номер патента: RU2756390C1. Автор: Юрий Семенович Никонов,Игорь Михайлович Эренбург,Илья Абрамович Минухин,Евгений Петрович Храмцов,Игорь Васильевич Дробыш. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Московский Прожекторный Завод". Дата публикации: 2021-09-30.

Method of controlling voltage and power

Номер патента: RU2600572C2. Автор: Сергей Васильевич Носач. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for emergency shutdown of supply voltage or traction power supply on electrified line or electrified line section for rail vehicle

Номер патента: RU2742843C2. Автор: Дирк ВЕСТФАЛЬ. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2021-02-11.

Horizontal deflection and power supply circuit with a start-up arrangement

Номер патента: US4240013A. Автор: Werner F. Wedam. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-12-16.

Semiconductor device allowing fast and stable transmission of signals

Номер патента: US6087885A. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor device having conducting layers connected through contact holes

Номер патента: US5355023A. Автор: Yasuo Sato,Yugo Tomioka,Yukihiro Okeda. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Semiconductor devices with voltage adjustment

Номер патента: US20240136811A1. Автор: Chanhee Jeon,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230231043A1. Автор: Shoji Yamada,Masahiro Sasaki,Yuichi Onozawa,Norihiro Komiyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Power Semiconductor Apparatus and Power Conversion Apparatus

Номер патента: US20240243041A1. Автор: Yasuhiro Sakai,Tsuyoshi Uraji,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and device for switching power supply in electric power system

Номер патента: WO2024047147A1. Автор: Fei Wang,Sebastian Schneider,Klaus Bohme,Yan Ma,Ya Li Wang,Lei Ming QIN,Hai Tao LIAN,Zhi Xiong LIU,Jun Hong Li,Gu GONG. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device, battery protection circuit, and power management circuit

Номер патента: US20230215940A1. Автор: Kouki Yamamoto,Haruhisa Takata. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-07-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor Device Which Generates a DC Power Supply from an AC Power Supply

Номер патента: US20150280606A1. Автор: Yoichi Yoshida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Power supply having a charge pump circuit

Номер патента: US20110248776A1. Автор: Georgios Petridis. Владелец: Flextronics International Kft. Дата публикации: 2011-10-13.

Power supply controller and related methods

Номер патента: US20170104405A1. Автор: Jiri Bubla,Ivo Vecera,Zdenek PFOF. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device and power converter using it

Номер патента: EP2365532A3. Автор: Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-12-28.

Power control apparatus and power control method

Номер патента: US20140097695A1. Автор: Hitoshi Kuwahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Detecting Power Supply Noise Events and Initiating Corrective Action

Номер патента: US20220140833A1. Автор: Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz,Sanjay Pant. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240291402A1. Автор: Chihiro Kawahara,Kenichi Morokuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20080283965A1. Автор: Kazutoshi Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Power supply controller and related methods

Номер патента: US20190229610A1. Автор: Jiri Bubla,Ivo Vecera,Zdenek PFOF. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-07-25.

Power supply controller and related methods

Номер патента: US20180138807A1. Автор: Jiri Bubla,Ivo Vecera,Zdenek PFOF. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Power supply system, server, and power balancing method

Номер патента: US20230278451A1. Автор: Tomoya Takahashi,Yuki Takahashi,Hiroki Murata,Tomoyuki Kubota,Daiki Yokoyama,Keisuke Fukuoka,Sachio Toyora,Masato Ehara,Zidan Xu,Wenfeng Liang. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Switching power supply

Номер патента: US20180076724A1. Автор: Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Three-rail power supply control system for electrified railway train

Номер патента: US12109914B2. Автор: Kai Guo,Bo Wu,Qunzhan LI,Yuhua Guo,Shaofeng Xie,Xiaohong Huang,Zihan LI,Shuqian Li. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-08.

Power supply system and power supply method

Номер патента: US20240333025A1. Автор: HONG Liu,Weiqiang Zhang,Baihui SONG,Sanyuan OUYANG. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power supply controller and related methods

Номер патента: US09876421B2. Автор: Jiri Bubla,Ivo Vecera,Zdenek PFOF. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing a semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US09812535B1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection device near the edge of the chip

Номер патента: US09812408B2. Автор: Shigeru Hirata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09800130B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for producing the same, power supply device, and high-frequency amplifier

Номер патента: US09755061B2. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-contact power supply system, non-contact power supply device, and power supply target device

Номер патента: US09735626B2. Автор: Satoshi Hyodo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09685862B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Adaptive supply voltage for a power amplifier

Номер патента: US09641131B2. Автор: Udo-Michael VETTER. Владелец: ANDREW WIRELESS SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2017-05-02.

Power control apparatus, power supply control method, and power supply control program

Номер патента: US09634521B2. Автор: Yoichiro Sako,Mitsuru Takehara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Step-down chopper type switching power-supply device

Номер патента: US09627968B2. Автор: Yoshimichi TADAMASA. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Power supply system, power supply management device, and power supply

Номер патента: EP4089872A1. Автор: Keiji Watanabe,Hiroaki Hasegawa,Takanori Yamazoe,Futoshi Furuta,Akinori Nishide. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-16.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Capacitor power supply unit for small electrical loads with a high current requirement

Номер патента: US09525360B2. Автор: Kay-Steffen Gurr,Gernot Liebhard,Rene Wichert,Rudolf Saemann. Владелец: Andreas Stihl AG and Co KG. Дата публикации: 2016-12-20.

Magazine for power supply components, power supply components, unit of power supply components and methods of assembly

Номер патента: RU2422959C2. Автор: Майкл Джон ХЭРРИСОН. Владелец: Итон Пауэр Кволити Кампани. Дата публикации: 2011-06-27.

Vehicle and power supply

Номер патента: RU2667415C1. Автор: Такахиро МИСАВА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-09-19.

Power supply for two-wire communication line

Номер патента: RU2667221C2. Автор: Валерий Васильевич Овчинников. Владелец: Валерий Васильевич Овчинников. Дата публикации: 2018-09-17.

Method to transfer electric, pneumatic or hydraulic power and power transfer system

Номер патента: RU2381129C2. Автор: Хосе АЛЬГУЭРА. Владелец: Йост-Верке Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2010-02-10.

Power supply circuit for aircraft deicing system

Номер патента: RU2523303C1. Автор: Рашид БУДЬЯФ,Николя Ален БАДЕР,Алексис ПАТУЙЯР,Себастьен Даниель ПЬЕРРОН. Владелец: Испано-Сюиза. Дата публикации: 2014-07-20.

Method for power supply and power supply unit

Номер патента: RU2647354C2. Автор: Ронни КНЕППЛЕ,Бенно ПЕТЕРСЕН,Бернд ШПЕТ. Владелец: Диль Аэроспейс Гмбх. Дата публикации: 2018-03-15.

Wireless power feeding system and power transmission device

Номер патента: RU2649905C2. Автор: Томофуми ОКАМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-05.

Power supply for led lighting system

Номер патента: RU2658313C2. Автор: Леннарт ИСЕБОДТ,ГОР Дейв Виллем ВАН. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-06-20.

Device for automatic control of traction power supply system

Номер патента: RU2735158C1. Автор: Юрий Викторович Плотников,Владислав Леонидович Незевак,Василий Титович Черемисин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2020-10-28.

Powered method and powered device automatically adjusting power demand level

Номер патента: RU2654514C2. Автор: Вэй ГАО,Мин ПЭН. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2018-05-21.

Method of power supply to electric collectors maintaining continuous production process at industrial facilities

Номер патента: RU2352046C1. Автор: Сергей Юрьевич Жилин,Евгений Васильевич Мартынов,Владимир Николаевич Кудряшов,Владимир Михайлович Шкедов,Рузил Хабибулхакович Галимов. Владелец: ГУ "Центр энергосберегающих технологий РТ при Кабинете Министров Республики Татарстан" (ЦЭТ РТ при КМ РТ). Дата публикации: 2009-04-10.

Overvoltage protection circuit and power supply source system

Номер патента: RU2460189C2. Автор: Такео ОХКИДО,Масафуми ХАСИМОТО. Владелец: Дайкин Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2012-08-27.

Method and device for improvement of alternating currant power transmission system dispatching capabilities, system stability and power flow controllability using direct currant power transmission system

Номер патента: RU2343614C1. Автор: Стивен Уоллес ЭКРОУД. Владелец: Электрик Пауэр Рисерч Инститьют, Инк.. Дата публикации: 2009-01-10.

Method of and plant for continuous power supply

Номер патента: RU2296232C2. Автор: Люсьен Йегуда БРОНИКИ. Владелец: Ормат Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2007-03-27.

Uninterrupted and guaranteed power supply system for electric power consumers

Номер патента: RU2724114C1. Автор: Николай Иванович Богатырев,Николай Сергеевич Баракин,Владимир Николаевич Ванурин,Владимир Александрович Богдан,Петр Павлович Екименко,Адам Вячеславович Дауров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2020-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20140084972A1. Автор: Shigeki Nakamura,Yoshinori Tokioka,Shintaro Mori,Kenji Tokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Surge protection circuit and power supply for operating from a dc grid

Номер патента: WO2024126157A1. Автор: Dietmar Klien. Владелец: TRIDONIC GMBH & CO KG. Дата публикации: 2024-06-20.

Auxiliary power supply apparatus and power supply system

Номер патента: US20180331545A1. Автор: Fumihiko Sato,Toyoki Sugiyama. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Power supply switch circuit

Номер патента: US20230109988A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Hyejin Lee,JeongHoon Kim,Youngwong JANG,Jongok HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Power supply switch circuit and operating method thereof

Номер патента: US20230011598A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Hyejin Lee,JeongHoon Kim,Youngwong JANG,Jongok HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Ultrasound image diagnostic apparatus and power supply control method

Номер патента: US20210315548A1. Автор: Yasuhiro Nakamura,Kazuya Osada,Yuki Muramatsu. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2021-10-14.

Wire bound telecommunications device and a power supply circuit

Номер патента: US20010050986A1. Автор: Johannes J. Soree,Laurens C. Van Leeuwen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Power Supply System and Power Supply Method

Номер патента: MY164830A. Автор: Takashi Tsunekawa,Masatoshi Furuya,Futoshi Sagami,Kozo Hiratani,Satoshi Takariko,Masayuki Ootaku. Владелец: Mitsui Fudosan Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and power amplifier circuit

Номер патента: US20180269206A1. Автор: Shigeru Yoshida,Kaoru Ideno,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device, power supply circuit, and computer

Номер патента: US20180308950A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Auxiliary power supply device and power supply system

Номер патента: US20180205251A1. Автор: Masataka Okuda,Toyoki Sugiyama,Fumihiko Satou,Hidefumi KAMIKAWA. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Power supply system, power supply method, and power supply device

Номер патента: EP4391296A1. Автор: Wenxue Wu,Wanxiang YE,Mugui ZHENG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device, and power conversion device including the semiconductor device

Номер патента: US20210125891A1. Автор: Takashi Nagao,Masayuki Funakoshi,Yuki Okabe,Takanobu KAJIHARA,Katsuhiko Omae,Atsuki FUJITA,Norio Emi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Low voltage frequency synthesizer using boosting method for power supply voltage of charge pump

Номер патента: US20100156542A1. Автор: Kwi Dong Kim,Hui Dong Lee,Jong Kee Kwon,Sang Gug Lee,Jong Pil Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20240290695A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Level shifter, drive circuit, switching power supply device, and vehicle

Номер патента: US20240283455A1. Автор: Isao Takobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Power supply control system

Номер патента: EP4391382A3. Автор: Qingyi Huang,Qiping Wan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device, manufacturing method thereof and power converter

Номер патента: US20230253349A1. Автор: Yuji Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Content reproduction apparatus and power control method

Номер патента: US20120163773A1. Автор: Takashi Matsumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Power semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057500B2. Автор: Kensuke Taguchi,Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Protection circuit for a switched mode power supply

Номер патента: US20010019469A1. Автор: Kian Koh,Seng Ng,Kum Zee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Power supply control device and power supply control method

Номер патента: US20240275266A1. Автор: Kota ODA,Kazutaka Naito. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power supply and control circuit that adjusts output power based on variable input power and power supply control method for controlling output power based on variable input power

Номер патента: US20040105281A1. Автор: Shigeo Tanaka,Kouichi Matsuda,Hidetoshi Yano,Hidekiyo Ozawa,Mitsuo Saeki,Shigeaki Nakazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Power supply controller and related methods

Номер патента: US10250125B2. Автор: Jiri Bubla,Ivo Vecera,Zdenek PFOF. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-04-02.

Method And Apparatus For Controlling Power Supply

Номер патента: US20130043936A1. Автор: Fabrice Blisson,Nicolas L'Hostis,Sylvain Engel,ClaireMarie Lachaud. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2013-02-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110281437A1. Автор: Keiichirou Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20240282666A1. Автор: Keisuke Ogura,Yuta NAKAJIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Plasma generating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240249923A1. Автор: Akihiro Sato,Tsuyoshi Takeda,Yukitomo Hirochi. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: US20240164504A1. Автор: Xingwang Xu. Владелец: SZ Zuvi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device having current spreading layer

Номер патента: WO2008071103A1. Автор: Jian Feng,Hung-Shen Chu,Shengmei Zheng. Владелец: Hong Kong Applied Science And Technology Research Instituite Co. Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240290829A1. Автор: Yuki Mori,Haruka Shimizu,Takeru Suto. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Power supply control device and power supply control method

Номер патента: US20240326598A1. Автор: Takeshi Matsumoto. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Power supply switch circuit and operating method thereof

Номер патента: US12132476B2. Автор: SHINICHI IIZUKA,Hyejin Lee,JeongHoon Kim,Youngwong JANG,Jongok HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Power supply device and power supply system

Номер патента: US12103411B2. Автор: Motonao Niizuma. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Power network system, and power adjustment apparatus and method

Номер патента: US09935459B2. Автор: Takuma Kogo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Station-building power supply device and method of controlling the same

Номер патента: US09859715B2. Автор: Takeshi Tanaka,Yasushi Matsumura,Wataru OKUDA,Syuji Ishikura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Communication establishment between vehicle and power supply device of non-contact power supply system

Номер патента: US09834104B2. Автор: Yukinori TSUKAMOTO. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Power supply circuit and power supply panel

Номер патента: US09774403B2. Автор: Xingguo Gao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Power supply cell and power supply system using the same

Номер патента: EP3857695A1. Автор: Kuenfaat Yuen,Kai Tian,Tinho LI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Oscillator circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09742419B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS

Номер патента: US20120049244A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND POWER SUPPLY

Номер патента: US20120199991A1. Автор: OKAMOTO Keishiro,IMADA Tadahiro,IMAIZUMI Nobuhiro,WATANABE Keiji. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS

Номер патента: US20120211760A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-23.

Impact sound stressing for semiconductor devices

Номер патента: CA1066816A. Автор: Guenter H. Schwuttke,Kuei-Hsiung Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-11-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A TEMPERATURE SENSOR CIRCUIT

Номер патента: US20130003781A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Power semiconductor devices with a temperature sensor circuit

Номер патента: GB9717051D0. Автор: . Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1997-10-15.

Single measuring point dual power supply two-way voltage monitor

Номер патента: CN207036932U. Автор: 毛振刚. Владелец: TIANJIN YINJIAN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

MINITURIZATION TECHNIQUES, SYSTEMS, AND APPARATUS RELATNG TO POWER SUPPLIES, MEMORY, INTERCONNECTIONS, AND LEDS

Номер патента: US20120002455A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY FOR LIGHT EMITTING DIODE ROADWAY LIGHTING FIXTURE

Номер патента: US20120001566A1. Автор: Josefowicz Jack Yitzhak,Neary Mark Adam,Chen Qiuning,Winters Alan Shawn. Владелец: LED ROADWAY LIGHTING LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TEMPERATURE CONTROL AND POWER MANAGEMENT CONTROL SYSTEM FOR HYDRAULIC HEATING SYSTEMS

Номер патента: US20120002955A1. Автор: CHENG Zhongjian,MO Guangyu. Владелец: AMERICAN HOMETEC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ICE MAKER OF REFRIGERATOR AND POWER SAVING METHOD OF ICE MAKER

Номер патента: US20120000216A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of devices interfacing of distributed control via combined two-wire communication and power line

Номер патента: RU2561454C1. Автор: Юрий Борисович Иванов. Владелец: Государственное казенное образовательное учреждение высшего профессионального образования Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации (Академия ФСО России). Дата публикации: 2015-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Converter with pulse energy transfer and power supply from ac network

Номер патента: RU2496206C2. Автор: Алексей Николаевич Струков,Леонид Петрович Шичков,Ольга Павловна Мохова,Валерий Борисович Людин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ ЗАОЧНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2013-10-20.

Supply mains rectifier for inverter-type secondary power supplies

Номер патента: RU2219648C1. Автор: Г.Г. Магазинник,Л.Т. Магазинник. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-12-20.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for converting three- and single-phase supply voltages and currents (alternatives)

Номер патента: RU2280911C2. Автор: Борис Борисович Алякринский,Михаил Александрович Ермилов,нович Юрий Михайлович Купри,Юрий Михайлович Куприянович,кринский Борис Борисович Ал. Владелец: Юрий Михайлович Куприянович. Дата публикации: 2006-07-27.

POWER SUPPLYING MEANS HAVING SHIELDING MEANS FOR FEEDING LINE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000609A1. Автор: DO Jae-Chul,JEON Bu-Il,SONG Myung-Gon,LEE Jung-Rak. Владелец: JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND PACKAGE INCLUDING THE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001286A1. Автор: YOON JUNHO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WIRELESS POWER SUPPLY SYSTEM, WIRELESS POWER TRANSMITTING DEVICE, AND WIRELESS POWER RECEIVING DEVICE

Номер патента: US20120001485A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER TRANSMISSION SYSTEM AND POWER TRANSMISSION APPARATUS

Номер патента: US20120001493A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001591A1. Автор: Fukaya Yudai. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001592A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Power Supply Circuit Capable of Handling Direct Current and Alternating Current and Power Supply Control Method

Номер патента: US20120001599A1. Автор: Tanaka Masayasu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOC CORRECTABLE POWER SUPPLY DEVICE FOR HYBRID CAR

Номер патента: US20120004799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

System for heat and power supply to dwelling houses

Номер патента: RU2594279C1. Автор: Владимир Николаевич Андреев,Валентин Александрович Гусаров,Игорь Николаевич Юрченко. Владелец: Федеральное агентство научных организаций Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2016-08-10.

Power supply control board

Номер патента: RU2406201C2. Автор: Владимир Васильевич Бревнов,Сергей Васильевич Вахрин,Василий Борисович Майоров,Лилия Вацлова Карякина. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Рубин" (ОАО "НПП "Рубин"). Дата публикации: 2010-12-10.

POWER SUPPLY SYSTEM AND POWER SUPPLY METHOD

Номер патента: US20120001601A1. Автор: Motoyama Tadahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DROP POWER SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: US20120001607A1. Автор: Wang Zhong Mei. Владелец: SIMATELEX MANUFACTORY CO. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE-LEVEL INVERTER, POWER CONDITIONER, AND POWER GENERATING SYSTEM

Номер патента: US20120002454A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA YASKAWA DENKI. Дата публикации: 2012-01-05.

Vehicle and Power Unit For It

Номер патента: US20120004800A1. Автор: Heinen Adrianus Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of load feeding by direct current in autonomous electric power supply system of man-made satellite

Номер патента: RU2548661C2. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2015-04-20.

WIRELESS POWER TRANSFER SYSTEM AND POWER TRANSMITTING/RECEIVING DEVICE WITH HEAT DISSIPATION STRUCTURE

Номер патента: US20120001496A1. Автор: Yamamoto Hiroshi,Kanno Hiroshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System for independent supply of heat to consumers relying on usage of low-potential heat source and powered from renewable electric energy sources

Номер патента: RU2350847C1. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Валерий Владимирович Харченко,Вячеслав Викторович Чемеков,В чеслав Викторович Чемеков. Владелец: Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2009-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Aerosol generating device and method of controlling power supply

Номер патента: EP4355152A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Auxiliary power supply and power electronic device

Номер патента: WO2024178729A1. Автор: Xiong Fang,Xin Cao,Xiaofeng Jiang,Shouxian Zhang,Jingfan YANG. Владелец: Siemens Ltd., China. Дата публикации: 2024-09-06.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.