3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A3
Опубликовано: 25-09-2024
Автор(ы): Jaejik Baek, Kang-ill Seo, Seungchan Yun
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A2. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

3d-stacked transistor structure with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: US20240243172A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Crossing multi-stack nanosheet structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087815B2. Автор: Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Crossing multi-stack nanosheet structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230231015A1. Автор: Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105772A1. Автор: Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Junction FET semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US09818866B2. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming semiconductor device structure with gate structure

Номер патента: US20230275138A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Yi-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Junction fet semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US20180053850A1. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Junction fet semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US20140264476A1. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230317821A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with a core-shell feature and method for forming the same

Номер патента: US12113113B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Chi On Chui,Sung-En Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yi-Hsiu Liu,Po-Wei Liang,You-Ting Lin,Jen-Hong Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with a core-shell feature and method for forming the same

Номер патента: US20240371959A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Chi On Chui,Sung-En Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yi-Hsiu Liu,Po-Wei Liang,You-Ting Lin,Jen-Hong Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor Device with Varying Numbers of Channel Layers and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20210376130A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Nanosheet Devices With Hybrid Structures And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: US20240321643A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20240347389A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US12046516B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Nanosheet device with nitride isolation structures

Номер патента: US20240222426A1. Автор: Alexander Reznicek,Tsung-Sheng KANG,Sagarika Mukesh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US12080776B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US20240371958A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with a multiple nanowire channel structure and methods of variably connecting such nanowires for current density modulation

Номер патента: US09508712B2. Автор: Nicholas Vincent LICAUSI,Jeremy Austin Wahl. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240186417A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12087768B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321988A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371866A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09905659B2. Автор: Satoru Yamada,Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210193828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220190153A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: EP3284106A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: US09899479B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having a gate cutting region and a cross-coupling pattern between gate structures

Номер патента: US09589899B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,Yu-Sun Lee,Dae-Hee Weon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit devices including stacked gate structures with different dimensions

Номер патента: US12051697B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Resistor disposed directly upon a sac cap of a gate structure of a semiconductor structure

Номер патента: US09876010B1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Techniques for forming gate structures for transistors arranged in a stacked configuration on a single fin structure

Номер патента: US20200006331A1. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Stephanie A. BOJARSKI,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: EP4270461A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: US20230343845A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

3d-stacked semiconductor device including gate structure formed of polycrystalline silicon or polycrystalline silicon including dopants

Номер патента: US20230343824A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

3d-stacked semiconductor device including gate structure formed of polycrystalline silicon or polycrystalline silicon including dopants

Номер патента: EP4270464A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices with wide gate-to-gate spacing

Номер патента: US20200388540A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11888043B2. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240120397A1. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Forming stressed epitaxial layers between gates separated by different pitches

Номер патента: US09818873B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Soon-Cheon Seo,Lars W. Liebmann,Emre Alptekin,Injo OK,Mickey H. Yu,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10439066B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Miccroelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355849A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067480A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200235214A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US12107087B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Air spacer for a gate structure of a transistor

Номер патента: US20240347616A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Tsung-Lin Lee,Wei-Yang Lee,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit including a dummy gate structure and method for the formation thereof

Номер патента: US09793372B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor devices having multiple gate structures and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09590103B2. Автор: Jin Wook Lee,Byeong Chan Lee,Kwan Heum Lee,Yoon Hae KIM,Jong Ki JUNG,Kwang Yong YANG,Myung II Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with porous dielectric structure

Номер патента: US20210249507A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210336030A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistor Gate Isolation Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230378256A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Wen-Kai Lin,Li-Fong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Air spacer for a gate structure of a transistor

Номер патента: US11984489B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Tsung-Lin Lee,Wei-Yang Lee,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Contact over active gate structures with conductive trench contact taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4163968A1. Автор: Florian Gstrein,Gurpreet Singh,Elijah V. KARPOV,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,Leonard P. GULER,Reken Patel,Urusa ALAAN,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Stacked integrated circuit devices including staggered gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240355879A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US12113112B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US20240243174A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Asymmetric gate structures and contacts for stacked transistors

Номер патента: EP4191655A2. Автор: Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Arunshankar Venkataraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Contact over active gate structures with metal oxide-caped contacts to inhibit shorting

Номер патента: US12087836B2. Автор: Florian Gstrein,Richard Vreeland,Gurpreet Singh,Richard E. Schenker,Manish Chandhok,Nafees KABIR,Rami HOURANI,Tristan A. TRONIC,Eungnak Han,Giselle ELBAZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20200381526A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20220102516A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20230395674A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US11769811B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked integrated circuit devices including staggered gate structures and methods of forming the same

Номер патента: EP4451318A2. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Fin field effect transistor device with reduced overlap capacitance and enhanced mechanical stability

Номер патента: US09793378B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductive device with a single diffusion break and method of fabricating the same

Номер патента: US09660022B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: US20240234425A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: EP4401123A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods of forming short-channel and long-channel transistor devices with different heights of work function metal and the resulting ic products

Номер патента: US20200273953A1. Автор: Hong Yu,Wei Ma,Zhenyu Hu,Jae Gon Lee,Srikanth Balaji Samavedam,Tao Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Scaled memory structures or other logic devices with middle of the line cuts

Номер патента: US20190109197A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Jerome Ciavatti,Jae Gon Lee,Scott Beasor,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device with stacked transistors and via structure

Номер патента: EP4435844A1. Автор: Donggon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

FinFET semiconductor devices with replacement gate structures

Номер патента: US09773867B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor Fin FET device with epitaxial source/drain

Номер патента: US09472669B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Jyh-Cherng Sheu,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Upper and lower gate configurations of monolithic stacked finfet transistors

Номер патента: WO2023131225A1. Автор: Chen Zhang,Dechao Guo,Ruilong Xie,Junli Wang,Sung Dae Suk. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US12057341B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with a gate contact positioned above the active region

Номер патента: US09735242B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with gate structure having dielectric layer on one side and contact plug on the other side

Номер патента: US09847398B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with epitaxial structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530886B1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Neng-Hui Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US20220102496A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US12046636B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Wrap-around trench contact structure and methods of fabrication

Номер патента: US09876016B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Joseph STEIGERWALD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with uneven gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09583485B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and forming method thereof, and photomask layout

Номер патента: US20240006515A1. Автор: JISONG Jin,Jun Wang,Kuchanari SUBHASH,Nalawar PRASANNA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US20160027700A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Interconnect structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230260900A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Hsien Huang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Sheng-Hsiung Wang,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Structure and Method for High-Voltage Device

Номер патента: US20240274669A1. Автор: Cheng-Chien Li,Huei-Shan Wu,YuYing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12074163B2. Автор: Wu Feng DENG,De Biao HE,Chang Yong Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Barrier layer above anti-punch through (APT) implant region to improve mobility of channel region of fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09953836B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Hsueh-Chang Sung,Tsung-Yao Wen,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including Fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680014B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US09633906B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US09559009B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuits having improved gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US09490129B2. Автор: Huang Liu,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230361114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12040233B2. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Resistor and capacitor disposed directly upon a SAC cap of a gate structure of a semiconductor structure

Номер патента: US09773781B1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with contracted isolation feature

Номер патента: US20190363024A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including gate structure and method of forming the same

Номер патента: US20220375847A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device with metal cap on gate

Номер патента: US12021148B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Stacked multi-gate device with barrier layers

Номер патента: US20240321990A1. Автор: Chia-Hao Yu,Wei-Yen Woon,Che Chi Shih,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-stack semiconductor device with zebra nanosheet structure

Номер патента: US20230101171A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device with asymmetric gate structure

Номер патента: US11769826B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device with asymmetric gate structure

Номер патента: US20230058006A1. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Work function control in gate structures

Номер патента: US12132112B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Work Function Control In Gate Structures

Номер патента: US20240347636A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with asymmetric gate structure

Номер патента: US20210399124A1. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US20160056151A1. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for controlling transistor delay of nanowire or nanosheet transistor devices

Номер патента: WO2019112954A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Moisture blocking structure and/or a guard ring, a semiconductor device including the same, and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09679896B2. Автор: Young-Soo Yoon,Hyun-Jo Kim,Yang-Soo Son,Min-Kwon Choi,Han-II YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09685441B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09548372B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Low resistance replacement metal gate structure

Номер патента: US09508816B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12125886B2. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240371946A1. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Leakage reduction between two transistor devices on a same continuous fin

Номер патента: US20240346223A1. Автор: Chun-Yen Lin,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with a contact plug adjacent a gate structure

Номер патента: US12062660B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Hyun Lee,In-Keun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

FinFET having buffer layer between channel and substrate

Номер патента: US09608115B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Power semiconductor device with over-current protection

Номер патента: US09673312B2. Автор: Xing Huang,David Charles Sheridan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Gate structure, fin field-effect transistor, and method of manufacturing fin-field effect transistor

Номер патента: US11855083B2. Автор: Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su,Ji-Cheng Chen,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing gate structure and method of manufacturing fin-field effect transistor

Номер патента: US20240096883A1. Автор: Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su,Ji-Cheng Chen,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923070B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Gate structure, fin field-effect transistor, and method of manufacturing fin-field effect transistor

Номер патента: US20240088144A1. Автор: Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su,Ji-Cheng Chen,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

FinFET devices with embedded air gaps and the fabrication thereof

Номер патента: US12057343B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240222486A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220271148A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230127045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Device with through via and related methods

Номер патента: US20240096701A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Field effect transistor with gate isolation structure and method

Номер патента: US20230402536A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor cell structure and forming method thereof

Номер патента: US20200381433A1. Автор: Jun Wang,Jian Chen,Yan Fei CAI,Yuan CHAI,Kai Hua HOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210050225A1. Автор: ZHANG Cheng Long. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

A semiconductor device having a gate structure, and methods for forming the gate structure and the semiconductor device

Номер патента: DE102005006899B4. Автор: Makoto Yoshida,Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Chul Lee,Jae-Man Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device having buried gate structure

Номер патента: US20240014278A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Transistor having tungsten-based buried gate structure, method for fabricating the same

Номер патента: US09449830B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Devices with staggered body contacts

Номер патента: US20220359572A1. Автор: Anupam DUTTA. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Eeprom device with bottom gate structure

Номер патента: US20210257488A1. Автор: George Pete IMTHURN,Jean RICHAUD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Transistor gate structure, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190378907A1. Автор: Shiming Wang,Zhanyuan Hu,Zhiseng HUANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Devices with staggered body contacts

Номер патента: US11804491B2. Автор: Anupam DUTTA. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Transistor device and related manufacturing method

Номер патента: US20150318365A1. Автор: YONG Cheng,Hui Fang SONG,Qian Cheng MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor power device with insulated gate, trenchgate structure and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP1536480A1. Автор: Leonardo Fragapane,Angelo Magri,Antonino Sebastiano Alessandria. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2005-06-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11658112B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200357655A1. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20190244830A1. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device with an insulated gate, method for manufacturing the same and power module comprising the same

Номер патента: WO2022200060A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor layout structure and semiconductor test structure

Номер патента: US20230326811A1. Автор: Ning Li,Xiangyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistors and semiconductor devices with oxygen-diffusion barrier layers

Номер патента: US8853792B2. Автор: Murshed M. Chowdhury,James K. Schaeffer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

LTPS TFT Having Dual Gate Structure and Method for Forming LTPS TFT

Номер патента: US20160133473A1. Автор: Peng Du,Bo Sun,Xiaoxiao Wang,Hsiang Chih Hsiao,Chang-I Su,Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

LTPS TFT having dual gate structure and method for forming LTPS TFT

Номер патента: US09437435B2. Автор: Peng Du,Bo Sun,Xiaoxiao Wang,Hsiang Chih Hsiao,Chang-I Su,Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US11996443B2. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347615A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

FinFET and nanowire semiconductor devices with suspended channel regions and gate structures surrounding the suspended channel regions

Номер патента: US09577100B2. Автор: Kern Rim,Michael P. Chudzik,Kangguo Cheng,Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Eric C. Harley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Transistor gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US12062695B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20170040220A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Vertical semiconductor device with steep subthreshold slope

Номер патента: US20210028172A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih-Chieh Yeh,Hung-Li Chiang,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Transistor gate structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240355882A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US09875940B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with reduced contact resistance

Номер патента: US20230299149A1. Автор: Jeongmin Lee,Hanki Lee,Sahwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240314998A1. Автор: Wen-Yuan Chen,Ting-Yun Wu,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG,Tsung-Kai CHIU,Shao-Tse HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230343852A1. Автор: SHILIANG Ji,Cheng Tan,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Gate Structures in Transistor Devices and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240249938A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Kun-Yu LEE,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Field effect transistor with gate isolation structure and method

Номер патента: US12100770B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240332400A1. Автор: BO Su,Hansu Oh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for varied strain on nano-scale field effect transistor devices

Номер патента: US09978833B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistor with gate isolation structure and method

Номер патента: US20240379878A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US20180219064A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Multi-Finger Transistor Structure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230163184A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma,Rudy Octavius Sihombing,Shyam Parthasarathy,Jinyu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Gate-all-around structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200083339A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12021117B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230154985A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313047A1. Автор: Chun-Yi Chang,Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Multilevel interconnection structure and method for forming the same

Номер патента: US12100652B2. Автор: Zhang-Ying YAN,Xin-Yong WANG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240363732A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799651B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773696B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Nanostructure Field-Effect Transistor Device and Method of Forming

Номер патента: US20240379750A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US10229855B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20180122702A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12051733B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Single diffusion cut for gate structures

Номер патента: US20200185266A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Jessica M. DECHENE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device with energy-removable layer

Номер патента: US20240178288A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US20180006133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chia-Lin Liu,Chun-Lung Chen,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

FinFET with dual workfunction gate structure

Номер патента: US09698270B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Transistor device with field-electrode

Номер патента: US09698228B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide transistor device

Номер патента: US12062698B2. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US09543386B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-10.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Transistor devices with nano-crystal gate structures

Номер патента: US20100155825A1. Автор: Marius K. Orlowski,Tushar P. Merchant,Chun-Li Liu,Matthew W. Stoker. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of forming high voltage metal-oxide-semiconductor transistor device

Номер патента: US09825147B2. Автор: Ming-Shun Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Process for manufacturing a power device with a trench-gate structure and corresponding device

Номер патента: US09536743B2. Автор: Giacomo Barletta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with different sized epitaxial structures

Номер патента: US20240313054A1. Автор: Hong Yu,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282518A1. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935792B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-17.

Power mosfet device with improved isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4307384A3. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-07.

Power mosfet device with isolated gate structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240014286A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083344A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Yu-Huang Yeh,Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Electrostatic discharge (ESD) device with improved turn-on voltage

Номер патента: US11728381B2. Автор: RAUNAK Kumar,Robert J. Gauthier, Jr.,Kyongjin Hwang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240332091A1. Автор: Huang-Lin Chao,Kenichi Sano,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE,Huiching Chang,Shao An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09502567B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027584B2. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Gate structure with multiple spacers

Номер патента: US20170243946A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230402540A1. Автор: Lijie Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Structure of memory cell with asymmetric cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09793278B1. Автор: Sung-Bin Lin,Yen-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US09716161B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory structure and operation method thereof

Номер патента: US11751398B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756834B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Gate structure and patterning method

Номер патента: US20240234214A1. Автор: Wei-Hao Wu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240282641A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10186598B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Transistor device with recessed gate structure

Номер патента: US20220367655A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Kong-Beng Thei,Ming-Ta Lei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Dummy gate structure for electrical isolation of a fin DRAM

Номер патента: US09564445B2. Автор: Shom Ponoth,Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,John E. Barth, Jr.,Kehan Tian,Herbert L. Ho,Reinaldo A. Vega,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09553012B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12002718B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Finfet device with an etch stop layer positioned between a gate structure and a local isolation material

Номер патента: US20140327090A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Silicon carbide mosfet transistor device with improved characteristics and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20220208961A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-30.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and method formation method thereof

Номер патента: US20200411652A1. Автор: Hong Zhongshan,Wang Yan,Fu Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Strained-Induced Mobility Enhancement Nano-Device Structure and Integrated Process Architecture for CMOS Technologies

Номер патента: US20130109142A1. Автор: John Chen,Simon Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices with a Deep Barrier Layer

Номер патента: US20190312127A1. Автор: Karmous Alim. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor devices with doped semiconductor materials

Номер патента: US12094714B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for processing a semiconductor device with two closely spaced gates

Номер патента: US11638391B2. Автор: Stefan Kubicek,Ruoyu Li,Boon Teik CHAN,Julien Jussot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12051699B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Resistor and resistor-transistor-logic circuit with GaN structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119342B2. Автор: Yi-Chun Chen,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Structure and method to form a FinFET device

Номер патента: US09525069B2. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240128341A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Chia-Hao Chang,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with multiple-functional barrier layer

Номер патента: US09583607B2. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Device with Multiple-Functional Barrier Layer

Номер патента: US20170018638A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Fin field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240363353A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Wei-Jen Lo,Chi-Yuan Chen,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pin-Wen Chen,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming FinFET semiconductor devices with self-aligned contact elements using a replacement gate process and the resulting devices

Номер патента: US09515163B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air spacer and stress liner

Номер патента: US20200105909A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200295158A1. Автор: YANG Hu,Jun Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with low-K spacers

Номер патента: US09425280B2. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Mos power device with high integration density and manufacturing process thereof

Номер патента: WO2006122957A3. Автор: Giuseppe Curro'. Владелец: Giuseppe Curro'. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266395A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876106B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09728543B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure with inversion layer between stress layer and protection layer and fabrication method thereof

Номер патента: US11710791B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11373902B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200294851A1. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device with barrier layer

Номер патента: EP1917685A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-07.

Memory device with barrier layer

Номер патента: WO2007019027A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-15.

Multichannel devices with gate structures to increase breakdown voltage

Номер патента: US09773897B2. Автор: Robert S. Howell,Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Justin Andrew Parke,Howell George Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Insulated gate bipolar transistor device, semiconductor device and method for forming said devices

Номер патента: US09525029B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258299A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having super-junction structures and fabrication thereof

Номер патента: US20150295024A1. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device having memory cell and staircase structure and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240365557A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming replacement gate structures and bottom and top source/drain regions on a vertical transistor device

Номер патента: US09640636B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Devices with channel extension regions

Номер патента: US20200035788A1. Автор: Edward J. Nowak,Lars Müller-Meskamp,Luca Pirro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Power device with trenched gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120256230A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Tieh-Chiang Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793403B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US20160268431A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US09502564B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon-on-insulator integrated circuit devices with body contact structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US9685364B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit device with improved reliability

Номер патента: US12074206B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu,Tsung-Da Lin,Cheng Hong Yang,Huang-Chin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09530850B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407683A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258300A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407681A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Varactor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20210175371A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Varactor structure and method for fabricating same

Номер патента: EP3832736A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-09.

Body contact structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110284932A1. Автор: Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device having needle-shaped first field plate structures and needle-shaped second field plate structures

Номер патента: US20220376062A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor Structure and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120292689A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Insulated gate bipolar transistor device having a fin structure

Номер патента: US09978837B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Gate structure and semiconductor device including the gate structure

Номер патента: EP4447122A2. Автор: Byounghoon Lee,Sungnam LYU,Hyojung NOH,Eulji JEONG,Minwoo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Microelectronic and semiconductor devices with a tunneling structure free of high-γ material by a select gate structure, and related methods

Номер патента: US11925022B2. Автор: Ugo Russo,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Vertical memory device with a channel layer in a stacked dielectric layer

Номер патента: US11737277B2. Автор: Jae Young Ahn,Jung Ho Kim,Ji Hoon Choi,Phil Ouk NAM,Hong Suk Kim,Sung Gil Kim,Seulye KIM,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structure and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240128313A1. Автор: Chih-Wei Lin,Ching-Yi Hsu,Tse-Hsiao LIU,Pi-Kuang Chuang,Po-Hao CHIU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Display panel and display device adopting a first double-gate structure

Номер патента: US11972729B2. Автор: Jianlong WU. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170263778A1. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09923100B2. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US12046662B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20230268425A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Structure and method to make strained FinFET with improved junction capacitance and low leakage

Номер патента: US09653541B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20210296472A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Transistor devices with double-side contacts and standard cell

Номер патента: US20240105728A1. Автор: DEEPAK SHARMA,Jun Yuan,Jonghae Kim,Haining Yang,Qingqing Liang,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,George Pete IMTHURN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200251577A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Finfet semiconductor device with isolated channel regions

Номер патента: US20160093739A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-31.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

High-K spacer for extension-free CMOS devices with high mobility channel materials

Номер патента: US09608066B1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US11784240B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

MOS device with epitaxial structure associated with source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US09673324B1. Автор: Shu-Yen Chan,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with epitaxial structures and method for fabricating the same

Номер патента: US09443970B2. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Thin-film transistor device

Номер патента: US20230178660A1. Автор: Po-Tsun Liu,Zhen-Hao Li,Tsung-Che Chiang,Po-Yi Kuo. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-06-08.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

III-V transistor device with self-aligned doped bottom barrier

Номер патента: US09941363B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20200350432A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20220285157A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11296211B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Device with workfunction metal in drift region

Номер патента: US20240282853A1. Автор: Chung Foong Tan,Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Structure and method for FinFET device with source/drain modulation

Номер патента: US12080607B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with silicide structures surrounding epitaxial structures and method of making the same

Номер патента: US20230268422A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Device with workfunction metal in drift region

Номер патента: EP4421873A1. Автор: Chung Foong Tan,Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor devices with an etch stop layer on gate end-portions located above an isolation region

Номер патента: US09627535B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming a FinFET semiconductor device with a unique gate configuration, and the resulting FinFET device

Номер патента: US09472446B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Compact FDSOI device with Bulex contact extending through buried insulating layer adjacent gate structure for back-bias

Номер патента: US09425189B1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Stress memorization and defect suppression techniques for NMOS transistor devices

Номер патента: US09905673B2. Автор: Min-Hwa Chi,Wen-Pin Peng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor Fin FET device with epitaxial source/drain

Номер патента: US09859427B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Jyh-Cherng Sheu,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Stress memorization and defect suppression techniques for NMOS transistor devices

Номер патента: US09711619B1. Автор: Min-Hwa Chi,Wen-Pin Peng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Gate Structure of a Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20230317525A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods and apparatus for LDMOS devices with cascaded RESURF implants and double buffers

Номер патента: US09660074B2. Автор: Jun Cai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935939B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395461A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Transistor device with recessed gate structure

Номер патента: US20210273069A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Kong-Beng Thei,Ming-Ta Lei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Structure and method for manufacturing a trench power MOSFET

Номер патента: US12062717B2. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with cell trench structures and contacts and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09666663B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

MOSFET structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653550B2. Автор: Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Transistor devices with tapered suspended vertical arrays of carbon nanotubes

Номер патента: US09502673B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US11978783B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US20200091317A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Structure with counter doping region between n and p wells under gate structure

Номер патента: US20210043766A1. Автор: Haiting Wang,Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU,Sipeng Gu,Baofu ZHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20210313443A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170345928A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Interconnect structure and method

Номер патента: US12094771B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Bo-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Interconnect structure and method

Номер патента: US20240363402A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Bo-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991384B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

FinFET contact structure and method for forming the same

Номер патента: US09917088B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Che-Yuan Hsu,Yen-Po Lin,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09876116B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09812577B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuits including LDMOS transistor structures and methods for fabricating LDMOS transistor structures

Номер патента: US09793394B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Flash cell structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09780101B1. Автор: Sheng Zhang,Wenbo Ding,Jubao Zhang,Xiaofei Han,Chien-Kee Pang,Yu-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09711646B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Gate structure of field effect transistor with footing

Номер патента: US09620621B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

FinFET contact structure and method for forming the same

Номер патента: US09508718B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Che-Yuan Hsu,Yen-Po Lin,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

MOSFET structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496342B2. Автор: Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US09472642B2. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450093B2. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Chih-Ming Hsieh,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230187526A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230057278A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230013284A1. Автор: Jifeng TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10021298B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055302A1. Автор: Yang Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Three dimensional gate structures with horizontal extensions

Номер патента: US20140140131A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Yan-Ru Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Test structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268238A1. Автор: Ning Li,Xiangyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: EP4367723A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: US20240313101A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with cell region, method of generating layout diagram and system for same

Номер патента: US20210209287A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Ho Che Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Structure and formation method of semiconductor device with capacitors

Номер патента: US12062686B2. Автор: Han-Zong PAN,Shiuan-Jeng Lin,Chen-Chien Chang,Chiu-Hua Chung,Guo-Jyun LUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022051932A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11862722B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

High electron mobility transistor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210013331A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

HEMT devices with reduced size and high alignment tolerance

Номер патента: US12068406B2. Автор: Peter Coppens,Peter Moens,Joris Baele. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

RF high-electron-mobility transistors including group III-N stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US11710785B2. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-25.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Multi-gate devices with improved performance and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339362A1. Автор: Chang-Miao Liu,Huiling Shang,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with gate isolation structure

Номер патента: US20240145249A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Bo-Cyuan Lu,Tai-Jung Kuo,Wan Chen Hsieh,Kuo-Shuo HUANG,Chi-Yen TUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

High-voltage semiconductor device with finger-shaped insulation structure

Номер патента: US09553188B1. Автор: Hui Lu,Zhaobing Li,Lingzi Li,Zhang Hu Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device including a contact plug with barrier materials

Номер патента: US9379199B2. Автор: Tatsuya Miyazaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory devices including barrier layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060077743A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230343789A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory structure and method for operating the same

Номер патента: US20240242759A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory structure and method for operating the same

Номер патента: EP4404707A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12119345B2. Автор: Chih-tang Peng,Yung-Chung Chen,Chia-Ho CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures

Номер патента: US09905576B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Structure and method to increase contact area in unmerged EPI integration for CMOS FinFETs

Номер патента: US09484348B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor Device with Multiple-Functional Barrier Layer

Номер патента: US20170018638A1. Автор: Teo Koon Hoo,Zhang Yuhao. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Normally-off HEMT device with honeycomb groove barrier layer structure below field plate and preparation method thereof

Номер патента: CN111081763B. Автор: 孙楠,黄火林,孙仲豪,赵程. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-09-14.

Display device with driving transistor having upper and lower gate electrodes

Номер патента: US12120915B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Tadayoshi Miyamoto,Kayo Haruguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Device with plasma induced damage (pid) protection

Номер патента: US20240178219A1. Автор: Michael J. Hauser,Micheal J. ZIERAK. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299169A1. Автор: Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Metal gate structure

Номер патента: US09941373B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220223709A1. Автор: Xiaoyu Liu. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

GaN-HEMT device with sandwich structure and method for preparing the same

Номер патента: US12034067B2. Автор: Guoqiang Li,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Plasma-based barrier layer removal method for increasing peak transconductance while maintaining on-state resistance and related devices

Номер патента: US20230395670A1. Автор: Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Kyoung-Keun Lee,Chris Hardiman. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Device with field plates

Номер патента: EP4354511A2. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Device with field plates

Номер патента: EP4354511A3. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Transistor devices and methods of forming transistor devices

Номер патента: US20220140096A1. Автор: Khee Yong Lim,Jiacheng LEI,James JERRY JOSEPH,Lulu Peng,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Group III Nitride-Based Transistor Device and Method of Fabricating a Gate Structure for a Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20200321447A1. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Manuel Stabentheiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4307855A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Type iii-v semiconductor device with multi-layer barrier region

Номер патента: US20230067452A1. Автор: Ingo Daumiller,Bhargav Pandya,Korbinian Reiser,Lauri Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with a copper barrier layer and formation thereof

Номер патента: US6093966A. Автор: John Mendonca,Jeffrey T. Wetzel,Sam S. Garcia,Gregory N. Hamilton,Ramnath Venkatraman,Tze W. Poon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395455A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Structure and method to fabricate mosfet with short gate

Номер патента: US20090184378A1. Автор: Brian J. Greene,Yanfeng Wang,Huilong Zhu,Daewon Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4402723A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09515022B2. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240258418A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices including upper and lower selectors

Номер патента: US20210335819A1. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor devices including upper and lower selectors

Номер патента: US20230363166A1. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices including upper and lower selectors

Номер патента: US11729976B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09379004B1. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20210151571A1. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728454B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen,Xing Hua Zhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming a two-layered hard mask on top of a gate structure

Номер патента: US09607892B2. Автор: Chih-Sen Huang,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

III-N device with extended source and drain

Номер патента: US09508809B2. Автор: Keiichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US12021123B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20240339511A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220216312A1. Автор: Wei Wan,Pan Wang,Xuesheng Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230328955A1. Автор: Deyuan Xiao,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Microelectronic devices with isolation trenches in upper portions of tiered stacks, and related methods

Номер патента: US20240251570A1. Автор: Yi Hu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Microelectronic devices with isolation trenches in upper portions of tiered stacks, and related methods

Номер патента: US11925037B2. Автор: Yi Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor radiation detector with modified internal gate structure

Номер патента: RU2376678C2. Автор: Артто АУРОЛА. Владелец: Артто АУРОЛА. Дата публикации: 2009-12-20.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: US20220052191A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with high-temperature-stable gate electrode for sub-micron applications and fabrication thereof

Номер патента: US20010013600A1. Автор: James Cunningham. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-08-16.

Top-Down Fabrication Method for Forming a Nanowire Transistor Device

Номер патента: US20150053925A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Transistor having a back-barrier layer and method of making the same

Номер патента: US09455341B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Chih-Wen Hsiung,Po-Chun Liu,Ming-Chang Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240222489A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device with multi-function P-type diamond gate

Номер патента: US09780181B1. Автор: Koon Hoo Teo,Chungwei Lin,Chenjie TANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220102515A1. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Manufacturing method and measurement method of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220352040A1. Автор: Fangfang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Memory structures and methods of forming memory structures

Номер патента: US20220139929A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices having gate structures

Номер патента: US20240284657A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Chulkwon Park,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US09721956B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12002864B2. Автор: Wei Wan,Pan Wang,Xuesheng Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device with magnetic tunnel junction

Номер патента: US20240355912A1. Автор: Wei-Jen Chen,Chih-Lin Wang,Chee-Wee Liu,Pang-Chun Liu,Ya-Jui Tsou,Shao-Yu LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of cutting gate structures on transistor devices

Номер патента: US09812365B1. Автор: Stan Tsai,John H. Zhang,Ruilong Xie,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2019066145A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-04.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190097067A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-03-28.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3460468A3. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-24.

Gan-based hemt device, device epitaxial structure, and preparation method thereof

Номер патента: US20240355916A1. Автор: Li Yuan,Hongchao Wang,Long Chen,Wang MA,Jingyun CHENG,Zuyao CHEN. Владелец: Genettice Qingdao Semiconductor Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Structures and methods for controlling dopant diffusion and activation

Номер патента: US11843042B2. Автор: Wei-Ting Chang,Ching-Yu Chen,Jiang-He Xie,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Structures and methods for controlling dopant diffusion and activation

Номер патента: US20200111891A1. Автор: Wei-Ting Chang,Ching-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Diode structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210376186A1. Автор: Yu Zhu,Haoren Zhuang,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo,Cheng-En Wu,Yen-Yu HSU. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09853123B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Kuan-Chun Lin,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

CMOS device with double-sided terminals and method of making the same

Номер патента: US09647085B2. Автор: Qiang Zhou,Herb He Huang,Haiting Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Novel gate structure for a transistor device with a novel pillar structure positioned thereabove

Номер патента: US20200176587A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240243029A1. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Multichannel devices with improved performance and methods of making the same

Номер патента: US09711615B2. Автор: Robert S. Howell,Shalini Gupta,Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Matthew Russell King,Justin Andrew Parke,Harlan Carl Cramer,Howell George Henry,Karen Marie Renaldo. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Multichannel devices with improved performance

Номер патента: US09419120B2. Автор: Robert S. Howell,Shalini Gupta,Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Matthew Russell King,Justin Andrew Parke,Harlan Carl Cramer,Howell George Henry,Karen Marie Renaldo. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor Device with a Changeable Polarization Direction

Номер патента: US20240162338A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

A semiconductor device with a changeable polarization direction

Номер патента: WO2024095580A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2024-05-10.

Photosensor having gate-all-around structure and method for forming the photosensor

Номер патента: US20240014231A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,P.C. Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Photosensor having gate-all-around structure and method for forming the photosensor

Номер патента: US20220271076A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,P.C. Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with passing gate

Номер патента: US20240015951A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Display device with a plurality of insulating layers between two electrodes and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180151647A1. Автор: Joon-Suk Lee,Se-June Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397399A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semi-conductor device with epitaxial source/drain facetting provided at the gate edge

Номер патента: US09437679B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Номер патента: US6849882B2. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer

Номер патента: CA2447058C. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with lower contact and lower power structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312914A1. Автор: Dong Kwon Kim,Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device with reduced contact resistance

Номер патента: US12148800B2. Автор: Jeongmin Lee,Hanki Lee,Sahwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Storage structure and method for forming same

Номер патента: EP3920223A1. Автор: Wenyong JIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230255024A1. Автор: LIANG Han,Hai Ying Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Fabrication of high aspect ratio electronic devices with minimal sidewall spacer loss

Номер патента: US20240321641A1. Автор: Hao Jiang,He REN,Mehul Naik,Jong Mun Kim,Jonathan Qian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Fabrication of high aspect ratio electronic devices with minimal sidewall spacer loss

Номер патента: WO2024206085A1. Автор: Hao Jiang,He REN,Mehul Naik,Jong Mun Kim,Jonathan Qian. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating gate structure

Номер патента: US7709316B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Shu-Yen Chan,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240074143A1. Автор: Wenjie Liu,Yu-Cheng Liao,Joonsuk Moon. Владелец: Cxmt Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Flash memory structure with reduced dimension of gate structure

Номер патента: US20190074285A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor devices with ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20210055256A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Device with gate-to-drain via and related methods

Номер патента: US20240120273A1. Автор: Jin Cai,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Interconnection structure and method for forming the same

Номер патента: US20190096806A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Interconnection structure and method for forming the same

Номер патента: US10741493B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structure and the forming method thereof

Номер патента: US20200152647A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Chih-Jung Ni,Chuan-Chi CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor structure and the forming method thereof

Номер патента: US20220189975A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Chih-Jung Ni,Chuan-Chi CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Encapsulated Electronic Device with Improved Protective Barrier Layer and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20220293884A1. Автор: Li Wenming,Hua Jiaming,Zhou Xingbao,Pan Qiujun,Jin Chuang. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Nanoscale electronic device with barrier layers

Номер патента: US20120228575A1. Автор: Wei Yi,Jianhua Yang,Gilberto Medeiros Ribeiro. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor memory devices with dielectric fin structures

Номер патента: US20240268106A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Source/drain isolation structure and layout method

Номер патента: US20240371753A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Display device with barrier layer disposed at pre-cutting position and manufacturing method thereof

Номер патента: US09337217B2. Автор: JIAN Li,Zhenwei Wang,Yuguang FAN,Jingpeng Li,Sunghun Song,Weixin Meng. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor transistor device structure with back side source/drain contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169083A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Organic light-emitting diode display with barrier layer

Номер патента: US09799713B2. Автор: Paul S. Drzaic,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi,Chin-Wei Lin,Chieh-Wei Chen,Zhifeng Zhan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Organic x-ray detector with barrier layer

Номер патента: EP3071994A1. Автор: Gautam Parthasarathy,Jie Jerry Liu,Aaron Judy Couture,Ri-an Zhao,Kwang Hyup An. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-09-28.

Organic x-ray detector with barrier layer

Номер патента: WO2015076907A1. Автор: Gautam Parthasarathy,Jie Jerry Liu,Aaron Judy Couture,Ri-an Zhao,Kwang Hyup An. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-05-28.

Image sensor having a plurality of phototransistors separated by trench-gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472706B2. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Electrode provided with ubm structure and method for producing same

Номер патента: US20150243801A1. Автор: Hiroyuki Shiraki,Masaya Yamamoto,Noriyuki Kishi,Mitsuru TAMASHIRO,Tatsuhiro Koizumi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-08-27.

Memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10998320B2. Автор: Kai Jen,Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200312856A1. Автор: Kai Jen,Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Image sensor device with white pixel improvement

Номер патента: US20160211293A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Yin-Chen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

High senstivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer and a method of producing the imaging device

Номер патента: WO1992006501A3. Автор: Richard Joseph Saia,Robert Forrest Kwasnick,Ching-Yeu Wei,Jack Dean Kingsley. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-06-11.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing capacitive coupling and method for preparing the same

Номер патента: US20210335792A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Nmos structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230145660A1. Автор: Chia-Chen Tsai,Shou-Wei Hsieh,Hau-Yuan Huang,Jia-Bin Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Light emitting diode devices with bonding and/or ohmic contact-reflective material

Номер патента: EP4396880A1. Автор: Yeow Meng Teo,Wee-Hong Ng,Wali ZHANG,Zhan Hong CEN. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor transistor device structure with back side gate contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169084A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device including capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230163162A1. Автор: Hanjin Lim,Intak Jeon,Jiye BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Microelectronic capacitor with barrier layer

Номер патента: US20030047770A1. Автор: Wong-Cheng Shih,Tai Wu,Chich Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Interconnect structure with barrier layer

Номер патента: US09601371B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Optoelectronic semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US09768351B2. Автор: Tsung-Hsien Liu,Shih-Chang Lee,Rong-Ren LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers

Номер патента: US20050123015A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

LED die with barrier layer

Номер патента: US09755112B2. Автор: Tzu-Chien Hung,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240006288A1. Автор: Jin Ho An,Jeonggi Jin,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-04.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US11798872B2. Автор: Jin Ho An,Jeonggi Jin,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product

Номер патента: EP2150984A2. Автор: Thomas J. Taylor,Pramod K. Sharma. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-10.

Semiconductor package or device with barrier layer

Номер патента: EP4369386A1. Автор: Lucrezia Guarino,Francesca Milanesi,Claudio ZAFFERONI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor package or device with barrier layer

Номер патента: US20240162175A1. Автор: Lucrezia Guarino,Francesca Milanesi,Claudio ZAFFERONI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods employing sacrificial barrier layer for protection of vias during trench formation

Номер патента: US09799559B1. Автор: Xunyuan Zhang,Frank W. Mont,Douglas M. Trickett,Shariq Siddiqui,Brown Peethala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Optoelectronic semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US20180006187A1. Автор: Tsung-Hsien Liu,Shih-Chang Lee,Rong-Ren LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor package with barrier layer

Номер патента: US20210225772A1. Автор: Sanguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor package with barrier layer

Номер патента: US20220189881A1. Автор: Sanguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Structure and method for contact pads having an overcoat-protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits

Номер патента: WO2005094515A3. Автор: Lei Li,Edgardo R Hortaleza. Владелец: Edgardo R Hortaleza. Дата публикации: 2005-11-24.

Structure and method for contact pads having an overcoat-protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits

Номер патента: WO2005094515A2. Автор: Lei Li,Edgardo R. Hortaleza. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-10-13.

Multiple quantum well light emitting device with multi-layer barrier structure

Номер патента: US09711682B2. Автор: Rak Jun Choi,Young Hun Han,Jeong Tak Oh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Bonding structure and method of forming same

Номер патента: US20240379598A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Light-emitting device with heterophase boundaries

Номер патента: RU2434315C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2011-11-20.

Semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395505A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20230369226A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Chi-Feng Lin,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

Microelectronic devices with conductive extensions between upper staircase steps and their contacts, and related methods

Номер патента: US20240274538A1. Автор: Chieh Hsien Quek,David A. Daycock,Biow Hiem Ong,Chii Wean Calvin Chen,Christian George Emor,Wing Yu Lo. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor devices with solder-based connection terminals and method of forming the same

Номер патента: US09831202B2. Автор: Yong-Hwan Kwon,Tae-Je Cho,Ju-Il Choi,Sun-Kyoung SEO,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for preparing semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395428A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Self-aligned via structures with barrier layers

Номер патента: US11251118B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Integrated circuit devices including a via structure and methods of fabricating integrated circuit devices including a via structure

Номер патента: US09337125B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Semiconductor device with recessed pad layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11329028B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20160365313A1. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method and system for providing a magnetic junction usable in spin transfer torque applications and including a magnetic barrier layer

Номер патента: US09917249B2. Автор: Dmytro Apalkov,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

DEVICE FOR FORMING THIN FILM ENCAPSULATION STRUCTURE and METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20200083480A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Yozo Narutaki. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

LED Epitaxial Structure and Preparation Method and Application Thereof

Номер патента: US20240170606A1. Автор: Hu Cheng,HAN Jiang,Guochang Li,Wenjun Wang,Yangyang Xu,Zhijun Xu,Shuwei YUAN. Владелец: Focus Lighting Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12033889B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Nitride-based light emitting device with excellent light emitting efficiency using strain buffer layer

Номер патента: US20130168638A1. Автор: Sung-Hak Lee,Jung-Won Park. Владелец: Iljin Led Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

LED Epitaxial Structure and Manufacturing Method Therefor, Light Emitting Device and Display Panel

Номер патента: US20230163235A1. Автор: Kuo-Tung Huang. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4210095A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Copper interconnection, method for forming copper interconnection structure, and semiconductor device

Номер патента: US20120295438A1. Автор: Akihiro Shibatomi,Junichi Koike. Владелец: Advanced Interconnect Materials LLC. Дата публикации: 2012-11-22.

Oled thin film packaging structure and method

Номер патента: US20190140215A1. Автор: Wei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Package structure with a barrier layer

Номер патента: US20240297138A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Contact plug structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220020639A1. Автор: An-Chi Liu,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240312835A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Interconnect structure and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210125929A1. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120862B2. Автор: Liang Zhao,Wenfeng Wang,Jinping Sun. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Air gap structure and method

Номер патента: US09991200B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Passive component structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761555B2. Автор: Hsin Kuan,Yen-Shih Ho,Chia-Sheng Lin,Bai-Yao Lou,Yu-Wen Hu,Jiun-Yen LAI. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Package on package structure and method for forming the same

Номер патента: US09711470B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Meng-Tse Chen,Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Inductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704943B2. Автор: Yu-Wen Hu,wei-ming Lai. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor backmetal (BM) and over pad metallization (OPM) structures and related methods

Номер патента: US09640497B1. Автор: Takashi Noma,Yusheng Lin,Shinzo Ishibe. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device with a barrier layer having overhung portions

Номер патента: US09502303B2. Автор: Wen-Chin Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Through silicon via (tsv) structure and process thereof

Номер патента: US20130320537A1. Автор: Chun-Ling Lin,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Tsun-Min Cheng,Hsin-Yu Chen,Huei-Ru Tsai,Ching-Wei Hsu,Jia-Jia Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Multi-quantum well structure and light emitting diode having the same

Номер патента: US20140014899A1. Автор: Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and method to reduce shorting and process degradation in stt-mram devices

Номер патента: US20180190901A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170288135A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

EFuse structure and method

Номер патента: US11942168B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Structure and method to reduce shorting and process degradation in stt-mram devices

Номер патента: US20170229641A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Structure and method to reduce shorting and process degradation in STT-MRAM devices

Номер патента: US9960347B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Package structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: SG189617A1. Автор: Shih Cheng-Hung,LIN Shu-Chen,Hsieh Yung-Wei,Yeh Jun-Yu. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20210367145A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170207385A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for processing capacitive structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220238638A1. Автор: Ang LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09852991B2. Автор: JIQUAN Liu,Ming Zhou,Charles Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Structure and method to reduce shorting in STT-MRAM device

Номер патента: US09748310B2. Автор: Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US09711713B1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Structure and method to reduce shorting and process degradation in STT-MRAM devices

Номер патента: US09705071B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Multiple quantum well structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640716B2. Автор: Chi-Feng Huang,Hsin-Chiao Fang,Chi-Hao Cheng. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Pad electrode structure and organic light-emitting display apparatus including the pad electrode structure

Номер патента: US09640598B2. Автор: Sun Park,Yul-Kyu Lee,Kyung-Hoon Park,Yeong-Ho Song,Won-Ho JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with a contact plug and method of fabricating the same

Номер патента: US09640482B1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Li-Han Chen,Pin-Hong Chen,Kuo-Chih Lai,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Min-Chuan Tsai,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structures having active regions including indium gallium nitride, methods of forming such semiconductor structures, and related light emitting devices

Номер патента: US09634182B2. Автор: Ding Ding,Li Huang,Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-04-25.

Device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240371920A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Ying-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Structure and method to reduce shorting in STT-MRAM device

Номер патента: US09502640B1. Автор: Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455403B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Interconnect structure with capping layer and barrier layer

Номер патента: US09455182B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Structure and method to reduce shorting in STT-MRAM device

Номер патента: US09450180B1. Автор: Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US09385080B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Mei-Hui Fu,Shih-Chi Lin,Hon-Lin Huang,Wei-Jung Lin,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Substrate structure and device employing the same

Номер патента: US09373817B2. Автор: Kun-Lin Chuang,Hsiao-Fen Wei. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor Light-Emitting Device with Electrode for N-Polar Ingaain Surface

Номер патента: US20080230792A1. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Wenqing Fang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor structure including barrier layer between electrode layer and underlying substrate

Номер патента: US20230422639A1. Автор: Hong Li,Jian Jiao,Shafaat Ahmed,Cyrus M. Fox,Gowtham Sriram Jawaharram,Bharat V. Krishnan,Jose L. Cruz-Campa,Kriti Agarwal,Ervin T. Hill, III. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Bonding structure and method of forming same

Номер патента: US20210066222A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Bonding structure and method of forming same

Номер патента: US20230369262A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Light-emitting diode comprising at least one wider bandgap intermediate layer placed in at least one barrier layer of the light-emitting zone

Номер патента: US20190157505A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Armelle EVEN,Miryam Elouneg-Jamroz. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure, fabrication method for semiconductor structure and memory

Номер патента: US20240006319A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Redistribution layer metallic structure and method

Номер патента: US12040293B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Chun-Chih Lin,Sheng-Wei YEH,Shih Wei Bih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers

Номер патента: US20130221373A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Metal-to-metal antifuse structure and fabrication method

Номер патента: WO2002061802A3. Автор: Daniel C Wang. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Contact over active gate structures with metal oxide layers to inhibit shorting

Номер патента: US12080639B2. Автор: Florian Gstrein,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Manish Chandhok,Rami HOURANI,Paul A. Nyhus,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Curtis Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Low-resistivity metallic interconnect structures with self-forming diffusion barrier layers

Номер патента: EP4443499A2. Автор: Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Reddy PATLOLLA. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Gallium nitride based high electron mobility transistor (GaN-HEMT) device with an iron-doped cap layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997594B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductors structure having an RRAM structure and method for forming the same

Номер патента: US09997567B1. Автор: Yu-Hsuan Lin,Chao-I Wu,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Structure and method to reduce shorting in STT-MRAM device

Номер патента: US09947863B2. Автор: Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Copper interconnect structure with manganese oxide barrier layer

Номер патента: US09947579B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09812669B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

OLED packaging method, packaged structure and display device

Номер патента: US09806292B2. Автор: Wenfeng Song,Donghui YU,Chunjan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Stabilized quantum dot structure and method of making a stabilized quantum dot structure

Номер патента: US09780266B2. Автор: James Ibbetson,Bernd Keller,Kenneth Lotito,Ryan Gresback,Paul Fini. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09728748B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09728747B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit device with shaped leads and method of forming the device

Номер патента: US09679870B2. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Structure and method to reduce shorting in STT-MRAM device

Номер патента: US09673386B2. Автор: Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Solar cell made using a barrier layer between P-type and intrinsic layers

Номер патента: US09537038B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Structure and method for packaging organic optoelectronic device

Номер патента: US09530987B2. Автор: Tarng-Shiang Hu,Yi-Kai Wang,Chi-Jen Kao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09466813B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Resistive memory device with ring-shaped metal oxide on top surfaces of ring-shaped metal layer and barrier layer

Номер патента: US09455402B2. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Magnetic domain wall shift register memory devices with high magnetoresistance ratio structures

Номер патента: US09431600B2. Автор: Guohan Hu,Cheng-Wei Chien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Copper interconnection structure and method for forming copper interconnections

Номер патента: US20120003390A1. Автор: Akihiro Shibatomi,Junichi Koike. Владелец: Advanced Interconnect Materials LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Amorphous silicon photoconductive member including an intermediate composite barrier layer

Номер патента: CA1180220A. Автор: Shigeru Shirai,Junichiro Kanbe,Tadaji Fukuda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1985-01-02.

Method and system for providing a magnetic junction usable in spin transfer or spin-orbit torque applications and including a magnetic barrier layer

Номер патента: US20180197589A1. Автор: Dmytro Apalkov,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Graphene Barrier Layer

Номер патента: US20210082829A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Graphene Barrier Layer

Номер патента: US20220115327A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Inverter switching devices with common source inductance layout to avoid shoot-through

Номер патента: US20180123478A1. Автор: Chingchi Chen,Zhuxian Xu. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of forming graphene barrier layer in interconnect structure

Номер патента: US11929326B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Alloy diffusion barrier layer

Номер патента: US20190088608A1. Автор: Nazila Dadvand,Christopher Daniel Manack,Salvatore Frank PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20210134659A1. Автор: Wang Wei,Su Bo,Hu You CUN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with adjustment layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240213162A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Graphene barrier layer

Номер патента: US20240213157A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203858A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Packaged high voltage mosfet device with connection clip and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240234263A9. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Fabio Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming isolation layer structure and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8017495B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Integrated Circuit Structure and Method for Reducing Polymer Layer Delamination

Номер патента: US20210351173A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity

Номер патента: CA2402662A1. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

"fabrication of semiconductor materials and devices with controlled electrical conductivity"

Номер патента: MY126104A. Автор: Brian Thibeault,David Kapolnek. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-09-29.

Flexible electronic device with multi-functional barrier layer

Номер патента: KR20150078509A. Автор: 채기성,이신우,강지연,조성희,남보애,심동훈. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2015-07-08.

Mute-able input device with keystroke tactile feedback

Номер патента: US20230052943A1. Автор: Chen Yang,Yu-Chun Hsieh,Po-Yueh Chou,Shao-Lun Hsiao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Conductive polymer electronic devices with surface mountable configuration and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2014143A2. Автор: John Kelly,David Huang,Gordon L. Bourns,Erik Meijer,Stelar Chu,Daniel E. Grindell. Владелец: Bourns Inc. Дата публикации: 2009-01-14.

Conductive polymer electronic devices with surface mountable configuration and methods for manufacturing same

Номер патента: WO2007121412A2. Автор: John Kelly,David Huang,Gordon L. Bourns,Erik Meijer,Stelar Chu,Daniel E. Grindell. Владелец: BOURNS, INC.. Дата публикации: 2007-10-25.

Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate

Номер патента: US09793523B2. Автор: Bernd J. Neudecker,Shawn W. Snyder. Владелец: SAPURAST RESEARCH LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Conductive polymer electronic devices with surface mountable configuration and methods for manufacturing same

Номер патента: US20110175700A1. Автор: John Kelly,David Huang,Gordon L. Bourns,Eric Meijer,Stelar Chu,Daniel E. Grindell. Владелец: Bourns Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Cable with barrier layer

Номер патента: CA2911953C. Автор: Scott M. Brown,David P. Ii Camp. Владелец: General Cable Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Fastening structure and socket using the same

Номер патента: US20060199413A1. Автор: Ted Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-07.

Magnetic elements of amorphous based dual free layer structures and recording devices using such elements

Номер патента: US20220367099A1. Автор: Christian Kaiser,Yuankai Zheng,Zhitao Diao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Winged coil structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847165B2. Автор: Ting-Hao Lin,Chiao-Cheng Chang,yi-nong Lin. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Electronic device with isolated cavity antennas

Номер патента: US09653777B2. Автор: Huan-Chu Huang,Edward T. Sweet,Jerzy Guterman,Daniel K. Boothe. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Coordinate device with pressing down function

Номер патента: US09489058B2. Автор: Drougge Gunnar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: US20060007974A1. Автор: YING-LAN Chang,Michael Tan,Ashish Tandon. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Multilayer electrode structure and method for forming

Номер патента: WO2001093296A1. Автор: Kishore K. Chakravorty,Christopher J. Spindt,Johan Knall,Matthew A. Bonn,Jueng Gil Lee. Владелец: Candescent Technologies Corporation. Дата публикации: 2001-12-06.

Device for forming barrier film, procedure for formation of barrier films and container with barrier film coating

Номер патента: RU2434080C2. Автор: Акира СИРАКУРА,Минору ДАННО,Юдзи АСАХАРА,Хидео ЯМАКОСИ,Сейдзи ГОТО,Масаки НАКАИ,Киёси ХИРОЯ. Владелец: Кирин Бир Кабусики Каиса. Дата публикации: 2011-11-20.

Sheet of electro-technical steel with oriented grained structure and procedure for its manufacture

Номер патента: RU2436865C1. Автор: Хироясу ФУДЗИИ,Фумиаки ТАКАХАСИ,Казутоси ТАКЕДА,Суити ЯМАЗАКИ,Йосиаки НАТОРИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-20.

Structure and method to fabricate high performance MTJ devices for spin-transfer torque (STT)-RAM

Номер патента: US20100065935A1. Автор: Po-Kang Wang,Chyu-Jiuh Torng,Robert Beach,Cheng T. Horng,Ru-Ying Tong,Witold Kula. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2010-03-18.

Solid oxide fuel cell stack having a barrier layer for limiting chemical reactions and associated method thereof

Номер патента: US11955671B2. Автор: Todd Michael Striker,Matthew Joseph Alinger,Nicole Virginia Gonyeau,Simon William Gaunt. Владелец: Cummins Enterprise LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction

Номер патента: US12027819B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann,Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12075707B2. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230380293A1. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11770977B2. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and the forming method thereof

Номер патента: US11839075B2. Автор: Yao-Ting Tsai,Chih-Jung Ni,Chuan-Chi CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Organic photosensitive optoelectronic device with phenanthroline exciton barrier-layer

Номер патента: CN101076904A. Автор: J·李,M·E·汤普森,S·R·福里斯特,B·P·兰德. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-11-21.

Organic photosensitive optoelectronic device with phenanthroline exciton barrier-layer

Номер патента: CN101076904B. Автор: J·李,M·E·汤普森,S·R·福里斯特,B·P·兰德. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2011-01-19.

Encapsulated electronic device with improved protective barrier layer and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2022197747A1. Автор: Wenming Li,Jiaming Hua,Xingbao ZHOU,Qiujun PAN,Chuang JIN. Владелец: SDK New Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Autonomous vehicle computing device with barrier layer

Номер патента: US11778722B2. Автор: Zoran Stefanoski,Brian SCHLOTTERBECK,Srinivasa Rao Damaraju,Yung Chang Ko,Reza Azizian,Jameson Tai. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Autonomous vehicle computing device with barrier layer

Номер патента: US20230403783A1. Автор: Zoran Stefanoski,Brian SCHLOTTERBECK,Srinivasa Rao Damaraju,Yung Chang Ko,Reza Azizian,Jameson Tai. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Microelectronic devices with source region vertical extension between upper and lower channel regions, and related methods

Номер патента: US20240284675A1. Автор: Haitao Liu,Chris M. Carlson,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Display device with height adjustment structure and terminal having the same

Номер патента: US09715249B2. Автор: Beom Han Kim,Sung Gi Kim,You Sik Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Circuit board material with barrier layer

Номер патента: US5689227A. Автор: Phong Xuan Nguyen,Steven Russell Nissen. Владелец: Ohmega Electronics Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

White light emitting device with light emitting layers in a single contour region and display device using the same

Номер патента: US12108618B2. Автор: Jung Keun Kim,Mi Young Han,Min Hyeong HWANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Transparent Display Device with Touch Sensor

Номер патента: US20240224660A1. Автор: Dojin Kim,Jaehee Park,MiReum Lee,Nara SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory devices with partially misaligned gap locations and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373625A1. Автор: Kao-Cheng LIN,Chien-Ying Chen,Ku-Feng Lin,Preciliano Ruiz, Jr.,Kazumasa UNO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacture of a3b superconductors with barrier layer system employing metal a

Номер патента: CA1045795A. Автор: James A. Lee,Peter E. Madsen,Derek Armstrong. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1979-01-09.

Light-retarding display device with control electric field

Номер патента: RU2394267C2. Автор: Чун-хьюк ЛИ. Владелец: Донгджин Семичем Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Tunneling magnetoresistive (TMR) device with improved seed layer

Номер патента: US12035634B2. Автор: Christian Kaiser,Susumu Okamura,Brian R. York. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20230200254A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

2-transistor memory cell and gate structure having multiple portions

Номер патента: US20240268091A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell gate structure having multiple portions

Номер патента: WO2024167843A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240090351A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Device and method for monitoring two time bases of two communication devices with the aid of a computer

Номер патента: US20240267857A1. Автор: Bhabani NAYAK,Ernesto DE STEFANO,Daniel Fortunati. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20240298462A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Top-electrode barrier layer for RRAM

Номер патента: US11716915B2. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Device and method for monitoring two time bases of two communication devices with the aid of a computer

Номер патента: US12114276B2. Автор: Bhabani NAYAK,Ernesto DE STEFANO,Daniel Fortunati. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20240306366A1. Автор: Ya Wang,Xing Zhang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Kuan HU. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20240373763A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Top-electrode barrier layer for RRAM

Номер патента: US12114582B2. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Mechanism with bending property and slider device with bending property

Номер патента: RU2402875C1. Автор: ХанСанг Лее. Владелец: П энд Тел Инк.. Дата публикации: 2010-10-27.

Mobile wireless communications device with slidable configuration providing hearing aid compatibility features and related methods

Номер патента: US20130324197A1. Автор: Perry Jarmuszewski,Yihong Qi,Ying Tong Man. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Structure and method for tying off dummy gate in semiconductor device

Номер патента: US20230259685A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

A bed and table connection device with a clamp function to prevent play between upper and lower fixings and easy adhesion

Номер патента: KR102523736B1. Автор: 김춘수,김정음. Владелец: 주식회사 우드메탈. Дата публикации: 2023-04-20.

Liquid crystal display device with spacers integrally formed at plastic substrate

Номер патента: US6801290B2. Автор: Seung Hee Lee,Hyang Yul Kim,Jin Mahn Kim. Владелец: Boe Hydis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-05.

Adsorbing device with enhanced absorption capacity

Номер патента: RU2325143C2. Автор: Малин ЭЛИАССОН,Малин ЭЛИАССОН (SE). Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2008-05-27.

Molded part for aircraft, has radio frequency identification transponder directly arranged on barrier layer, covered by top layer and integrated between main structure and top layer, which is integrally connected to fiber connection

Номер патента: DE102006018461A1. Автор: Michael Hanke,Lars Herbeck,Tim Berger. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2007-10-25.

TUNNELING MAGNETORESISTIVE (TMR) DEVICE WITH MgO TUNNELING BARRIER LAYER AND NITROGEN-CONTAINING LAYER FOR MINIMIZATION OF BORON DIFFUSION

Номер патента: JP2016071925A. Автор: Zheng Gao,マックフレイターグジェイムズ,Mac Freitag James,マックフレイターグジェイムズ,ガオツェン. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-05-09.

Polymer device with a nanocomposite barrier layer

Номер патента: US7446360B2. Автор: James C. Matayabas, Jr.,Gudbjorg H. Oskarsdottir. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Ultrapure water filtering structure and system comprising same

Номер патента: LU505938A1. Автор: Jingguang LIU,Yehong Tang,Yanzong Wang,Bolin He,Yingying Chu. Владелец: Suzhou Xinneng Environmental Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-12.

Aircraft landing gear comprising a spring opposing rotation between upper and lower elements of the landing gear

Номер патента: US20230202648A1. Автор: Nicolas Antoni. Владелец: Safran Landing Systems SAS. Дата публикации: 2023-06-29.

Layered product, layered preform, method of manufacturing product from polyester plastic with barrier coating (versions), method for production of layered plastic container (versions), and method of manufacturing polyethyleneterephthalate plastic with barrier coating from terephthalic acid/isophthalic acid/diol copolymer

Номер патента: RU2200667C2. Автор: Джеральд А. ХАТЧИНСОН,Роберт А. ЛИ. Владелец: Эдвэнсид Плэстик Текнолоджис, Лтд.. Дата публикации: 2003-03-20.

Limited play optical media device with barrier layers

Номер патента: EP1599874A1. Автор: Daniel Robert Olson,Marc Brian Wisnudel,Marc Schaepkens,Robert Franklin Thompson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-11-30.

Limited play optical media device with barrier layers

Номер патента: WO2004070718A1. Автор: Daniel Robert Olson,Marc Brian Wisnudel,Marc Schaepkens,Robert Franklin Thompson. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2004-08-19.

A sail handling system for a sailboat having a switch positioned between upper and lower tracks of a spar

Номер патента: NZ568963A. Автор: Matthew Luedtke,Dane Blackburn. Владелец: Harken Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Conservation method for prepared products and / or semi-finished products in packaging from multilayered films with barrier layer with opportunity of further heating

Номер патента: RU2680585C1. Автор: Александр Сергеевич Чупин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Норд-Контроль". Дата публикации: 2019-02-22.

Microfluidic devices with porous membranes for molecular sieving, metering, and separations

Номер патента: EP1545777A1. Автор: Andrew Berlin,Narayanan Sundararajan,Mineo Yamakawa,Selena Chan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-29.

Microfluidic devices with porous membranes for molecular sieving, metering, and separations

Номер патента: WO2004026476A1. Автор: Andrew Berlin,Narayanan Sundararajan,Mineo Yamakawa,Selena Chan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-04-01.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Reader structure with barrier layer contacting shield

Номер патента: US09478239B2. Автор: Victor Boris Sapozhnikov,Mohammed Sharia Ullah Patwari. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Postprocessing device that forms air layer between upper face of sheets already stacked on processing tray and lower face of sheet newly placed on processing tray, and image forming system

Номер патента: US20230264492A1. Автор: Yasunori Ueno,Keisuke Egawa,Terumitsu Noso. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Determination of a three dimensional relation between upper and lower jaws with reference to a temporomandibular joint

Номер патента: US09827075B2. Автор: James Jiwen Chun,Jennifer Miseong Chun,Angela Soyoung Chun,Andrew Youngho Chun. Владелец: Hankookin Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Griddle with adjustable space between upper and lower pans

Номер патента: US09642492B2. Автор: Chunyu Wu,Hsin Tsung Wang. Владелец: Tsann Kuen China Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Polymer composite films with barrier functionality

Номер патента: RU2484972C2. Автор: Ральф ДЮЖАРДЕН,Арно ШМУК,Альмут ШТРАЙТЕНБЕРГЕР. Владелец: Байер Инновейшн Гмбх. Дата публикации: 2013-06-20.

Apparatus for acting upon friction value relation between strip and upper and lower rolls of rolling stand and method for rolling strip like product

Номер патента: RU2208488C2. Автор: Юрген ЗАЙДЕЛЬ,Ханс-Хайнрих Хартманн. Владелец: СМС Шлеманн-Зимаг АГ. Дата публикации: 2003-07-20.

Mount for an optical structure and method of mounting the optical structure to the mount

Номер патента: US12111512B2. Автор: Itai Vishnia. Владелец: PLX Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Ecologically safe multilayer elastic film with barrier properties

Номер патента: RU2448839C2. Автор: Энтони Роберт КНОЕРЗЕР,Кеннет Скотт ЛАВЕРДУРЕ,Брэд Девэйн РОДЖЕРС. Владелец: Фрито-Лей Северная Америка, Инк.. Дата публикации: 2012-04-27.

In situ cured pipe liner with barrier layer preventing styrene migration

Номер патента: RU2540615C2. Автор: Роберт Дж. ВИССНЕР,Джозеф Дж. ВОНТОРСИК МЛ.,Дональд А. МЕЛТЗЕР. Владелец: Лубризол Эдванст Матириалс, Инк.. Дата публикации: 2015-02-10.

Thin-walled article, thin-walled article made as blank or vessel of polyester plastic with barrier covering

Номер патента: RU2312798C2. Автор: Джеральд А. ХАТЧИНСОН,Роберт А. ЛИ. Владелец: Эдвэндс Плэстикс Текнолоджиз Люксембург С.А.. Дата публикации: 2007-12-20.

Telescoping reach rod for gate and ramp device with lift deck

Номер патента: CA1135300A. Автор: Mack A. Lewis. Владелец: Wilson Trailer Co. Дата публикации: 1982-11-09.

Process for making multilayer structure with barrier properties

Номер патента: US20220219438A1. Автор: Shahab Jahromi. Владелец: Knowfort Holding BV. Дата публикации: 2022-07-14.

Process for making multilayer structure with barrier properties

Номер патента: WO2020229675A1. Автор: Shahab Jahromi. Владелец: KNOWFORT HOLDING B.V.. Дата публикации: 2020-11-19.

Process for making multilayer structure with barrier properties

Номер патента: CA3140092A1. Автор: Shahab Jahromi. Владелец: Knowfort Holding BV. Дата публикации: 2020-11-19.

Process for making multilayer structure with barrier properties

Номер патента: EP3969280A1. Автор: Shahab Jahromi. Владелец: Knowfort Holding BV. Дата публикации: 2022-03-23.

Post-processing device that controls timing that air blower forms air layer between upper face of first recording sheet and lower face of second recording sheet, and image forming system

Номер патента: US20240158198A1. Автор: Keisuke Egawa. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Determining spatial relationship between upper and lower teeth

Номер патента: CA3160915A1. Автор: David John Wood,Cecilie Anneth OSNES,Andrew James KEELING. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Determining spatial relationship between upper and lower teeth

Номер патента: WO2021116672A1. Автор: David John Wood,Cecilie Anneth OSNES,Andrew James KEELING. Владелец: Mimetrik Solutions Limited. Дата публикации: 2021-06-17.

Sealant layer with barrier, tire containing same, and related processes

Номер патента: US12103338B2. Автор: Brian S. Alexander,Kung-Ching LIAO,Bradley S. Plotner,Ross W. Widenor,Jared J. Griebel. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Paper and cardboard packaging with barrier coating

Номер патента: US09950502B2. Автор: Darijo Mijolovic,Hermann Seyffer,Carmen-Elena Cimpeanu,Heiko Diehl,Christof VAN SLUIJS,Andre Van Meer,Jan Van Delft. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-04-24.

Female sanitary towel with barrier collars

Номер патента: RU2705944C2. Автор: Джон ФЕРРЕР,Стивен ЛеБеф ХАРДИ,Эдвард Паул КАРЛИН,Ронда Линн ГЛАССМЕЙЕР,Майкл Дейл ТРЕННЕПОЛЛ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2019-11-12.

Stand for research hypervelocity impact of fine particles with barrier

Номер патента: RU2610790C1. Автор: Александр Владимирович Герасимов,Виктор Петрович Сергеев,Марк Петрович Калашников,Юрий Федорович Христенко,Евгений Викторович Жалнин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2017-02-15.

Windproof and water resistant composite fabric with barrier layer

Номер патента: US5364678A. Автор: Moshe Rock,Douglas Lumb. Владелец: Malden Mills Industries Inc. Дата публикации: 1994-11-15.

Adhesive bandage with barrier tear away tabs

Номер патента: WO2009047789A4. Автор: Kalpesh Jayantkumar Gajiwala. Владелец: Kalpesh Jayantkumar Gajiwala. Дата публикации: 2009-08-13.

Adhesive bandage with barrier tear away tabs

Номер патента: WO2009047789A3. Автор: Kalpesh Jayantkumar Gajiwala. Владелец: Kalpesh Jayantkumar Gajiwala. Дата публикации: 2009-06-25.

Determining spatial relationship between upper and lower teeth

Номер патента: AU2020402644A1. Автор: David John Wood,Cecilie Anneth OSNES,Andrew James KEELING. Владелец: Mimetrik Solutions Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Patterned chemical sensor having inert barrier layer

Номер патента: RU2523893C2. Автор: Нил А. РАКОВ,Томас В. ХОЛМКВИСТ-БРАУН,Брайан Л. ЛИНЗИ,Джон С. ХАЛТИН,Дуэйн Д. ФАНСЛЕР,Ричард Дж. ПУАРЬЕ,Вивек БХАРТИ. Владелец: ЗМ Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2014-07-27.

Electromechanical lifting device with the mechanism of actuation the limit switch

Номер патента: RU2645197C1. Автор: Юрий Валентинович Молокин. Владелец: Открытое акционерное общество "ПРИБОР РСТ". Дата публикации: 2018-02-16.

Composite Panel with Barrier Layer and Method for Manufacturing a Letterpress Plate

Номер патента: US20190224957A1. Автор: Peter Kesper. Владелец: AKK GmbH. Дата публикации: 2019-07-25.

Electro-optic display device with electrically insulating layers

Номер патента: US20010003474A1. Автор: Peter J. Janssen,George A. Melnik,Sergei Yevgenyevich Yakovenko,Victor Alexeevich Konovalov,Anatoli Alexeevich Muravski. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-06-14.

Electro-optic display device with electrically insulating layers

Номер патента: EP1097400A1. Автор: Peter J. Janssen,Viktor A. Konovalov,George A. Melnik,Sergei Y. Yakovenko,Anatoli A. Muravski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-05-09.

Electro-controllable device with changeable optical and/or power properties

Номер патента: RU2313118C2. Автор: Грегуар МАТЕ,Фабьен БЕТЕЙ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2007-12-20.

Structure reinforced concrete slab dismantling method and load-gripping device with eccentric for its implementation

Номер патента: RU2662478C1. Автор: Инна Дмитриевна Сахарова,Вильгельм Юрьевич Казарян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПП СК МОСТ". Дата публикации: 2018-07-26.

Vapor degreasing system having a divider wall between upper and lower vapor zone portions

Номер патента: US4029517A. Автор: Burton Rand. Владелец: Autosonics Inc. Дата публикации: 1977-06-14.

Refrigerating device with metal end plank

Номер патента: RU2519788C2. Автор: Карл-Фридрих Лайбле,Хельмут ШТАЙХЕЛЕ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-06-20.

Electronic water chemistry analysis device with linear bargraph readouts

Номер патента: US4752740A. Автор: Jacques M. Steininger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-06-21.

Bearing assembly with sliding member between upper and lower bearing seats with elastic self-centering sleeve around seats

Номер патента: NZ524611A. Автор: William Henry Robinson,Christopher Ross Gannon. Владелец: Robinson Seismic Ltd. Дата публикации: 2005-09-30.

Novel oral care device with unique snap-on and disposable dental picks

Номер патента: US20230355363A1. Автор: Boris Kaylakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-09.

Device and method for determining the relative positions of an upper and lower jaw

Номер патента: US20210386536A1. Автор: Juergen Jesenko. Владелец: a tron3D GmbH. Дата публикации: 2021-12-16.

Piezoelectric optical MEMS device with embedded moisture layers

Номер патента: US09834433B2. Автор: Ricky A. Jackson,YungShan Chang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Device with magnetic sensors with permanent magnets

Номер патента: US09513347B2. Автор: Jongwoo Shin,Jong Il Shin. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Needle-free injection device with a membrane having an improved tightness

Номер патента: RU2718703C2. Автор: Фредерик МАБИЛЬ,Робин ШТАЙНБЕРГЕР. Владелец: Кроссжект. Дата публикации: 2020-04-14.

Needleless injection device with double limiter and reduced pressure profiles

Номер патента: RU2437684C2. Автор: Патрик АЛЕКСАНДР. Владелец: Кроссжект. Дата публикации: 2011-12-27.

Nematic liquid crystal compensator with barrier layer and process

Номер патента: US20040008303A1. Автор: Deepak Shukla,Mridula Nair,Jason Payne,Bradley Houghtaling,James Elman,Charles Bauer,David Teegarden,Jeffrey Trest,Richard Castle,Ann Carroll-Lee,Joseph Hoff. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-01-15.

Sealant layer with barrier, tire containing same, and related processes

Номер патента: EP3554861A1. Автор: Brian S. Alexander,Kung-Ching LIAO,Bradley S. Plotner,Ross W. Widenor,Jared J. Griebel. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-10-23.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: WO2007127274A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-11-08.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: CA2642876A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: EP2010376A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-01-07.

Seal structure and mounting method of belt cover for internal combustion engine

Номер патента: US12031499B1. Автор: Osamu Yoda,Koichiro Asame. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Vibration isolation structure applied between upper and lower seat frames for vehicle

Номер патента: US20240001827A1. Автор: Tae Su Kim,Jong Soon Lee,Hyun Ko,Min Hyuk KWAK,Du Go JUNG,Hyun Gyu Jo,Ik Sang Oh. Владелец: Das Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Rotating control device with debris-excluding barrier

Номер патента: WO2023203395A1. Автор: Tuong T. Le. Владелец: Weatherford Technology Holdings, LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Multilayer structure, and separation method and recycling method therefor

Номер патента: US20240116281A1. Автор: Makoto Suzuki,Satoshi Ishiuchi. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Seamless elastic strap with forked structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240360603A1. Автор: YANG LU,Shilian LI. Владелец: Elastique Seamless Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Support device with two constant force springs

Номер патента: US09993071B2. Автор: Chin-Jui Hung. Владелец: Modernsolid Industrial Col Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Multilayered package with barrier properties

Номер патента: CA2436826C. Автор: Paul E. Share,Keith R. Pillage. Владелец: Valspar Sourcing Inc. Дата публикации: 2011-10-11.

Device with piston incorporating top elongated elements (versions)

Номер патента: RU2370656C2. Автор: Крейг С. БИШОР. Владелец: Крейг С. БИШОР. Дата публикации: 2009-10-20.

Mount for an optical structure and method of mounting the optical structure to the mount

Номер патента: CA3201719A1. Автор: Itai Vishnia. Владелец: PLX Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Mount for an optical structure and method of mounting the optical structure to the mount

Номер патента: EP4264339A1. Автор: Itai Vishnia. Владелец: PLX Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Mount for an optical structure and method of mounting the optical structure to the mount

Номер патента: WO2022133379A1. Автор: Itai Vishnia. Владелец: PLX, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: US20050054135A1. Автор: Andrew Huibers,Satyadev Patel,Jonathan Doan. Владелец: Reflectivity Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A2. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R. Patel. Владелец: Reflectivity, Inc.. Дата публикации: 2004-10-14.

Panel structure and pallet utilizing same

Номер патента: WO1994014667A1. Автор: Lyle H. Shuert. Владелец: Shuert Lyle H. Дата публикации: 1994-07-07.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A3. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R Patel. Владелец: Satyadev R Patel. Дата публикации: 2005-06-30.

Conformable pressure sensitive layer structure and tactile sensors suitable for robotic limbs

Номер патента: WO2009030922A3. Автор: Hugo Elias,Matthew Godden,Jake Goldsmith. Владелец: Shadow Robot Company Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Conformable pressure sensitive layer structure and tactile sensors suitable for robotic limbs

Номер патента: WO2009030922A2. Автор: Hugo Elias,Matthew Godden,Jake Goldsmith. Владелец: THE SHADOW ROBOT COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2009-03-12.

Fixing member, bed supporting structure, and bed

Номер патента: EP4403155A1. Автор: Manabu Tanaka,Kui Li. Владелец: MinebeaMitsumi Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Apparatus containing multiple microfluidic assay devices with scaffold regions

Номер патента: WO2024182388A1. Автор: Mehdi Nikkhah,Shaun Wootten,Ronin-Mae KOMARNISKY. Владелец: Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University. Дата публикации: 2024-09-06.

Lifting and lowering rod device with water outlet terminal and shower device

Номер патента: US12071751B2. Автор: Yong Gao,Bin Cao,Donghai CHEN,Shaofu ZOU,Zhichun Lin. Владелец: Xiamen Solex High Tech Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Osteosynthesis device with plate provided with a threaded hole for receiving a locked fastening screw

Номер патента: US11974790B2. Автор: Gregoire Larche,Jean-Pierre Podgorski,Julien BALLERINI. Владелец: Newclip International SARL. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09656855B1. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Door attachment portion structure and manufacturing method of door attachment portion of vehicle

Номер патента: US09623730B2. Автор: Nobuyuki Mori,Ikuko NAGANORI. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: US09540537B2. Автор: Kazuya Kimura,Kenichi Takahashi,Kazuyuki Hanada,Manabu Uruno. Владелец: Ukima Chemicals and Color Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Lens structure and 3D display device having the same

Номер патента: US09482926B2. Автор: Cheng-Han Tsao,I-Wei Chen,Chih-Yuan Huang,Sheng-Ju Ho,Hsueh-Fang Yeh,Ching-Tsun Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Microelectromechanical system device with internal direct electric coupling

Номер патента: US09452920B2. Автор: Joseph Seeger,Matthew Julian Thompson. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Frame covering device with air vents

Номер патента: US09446809B2. Автор: Richard Oneal Sallis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and device for lifting and lowering core receiving tubes

Номер патента: RU2630933C1. Автор: Андрей Григорьевич Балута,Марсель Римович Гайнуллин,Анатолий Валерьевич Лозуков,Альберт Фанисович Салимов,Алексей Александрович Жадан,Марсель Мударисович Зиннатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "БУРИНТЕХ" (ООО НПП "БУРИНТЕХ"). Дата публикации: 2017-09-14.

Structured chemical sensor including inert barrier layer

Номер патента: RU2560706C2. Автор: Нил А. РАКОВ,Томас В. ХОЛМКВИСТ-БРАУН,Брайан Л. ЛИНЗИ,Джон С. ХАЛТИН,Дуэйн Д. ФАНСЛЕР,Ричард Дж. ПУАРЬЕ,Вивек БХАРТИ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-08-20.

Manufacturing method of combustible heat source with barrier

Номер патента: RU2632280C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatus for raising and lowering a lid structure of a cotton receiving basket of a cotton harvester

Номер патента: US20020088215A1. Автор: Michael Horejsi,Travis Schaeffer. Владелец: Case LLC. Дата публикации: 2002-07-11.

Devices with optically readable liquid reservoirs

Номер патента: ZA202101461B. Автор: Marrinucci Dena,Ian Kleinemolen,Michael Abi-Samra Kameel,A Hawkins Jeffrey. Владелец: Truvian Sciences Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Passive device with compressible pressure assembly for z-direction capacitance detection

Номер патента: US20240176432A1. Автор: Michael Shawn Gray,Grant Howard McGibney,Kevin Joseph Derichs. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Passive device with compressible pressure assembly for Z-direction capacitance detection

Номер патента: US12050740B2. Автор: Michael Shawn Gray,Grant Howard McGibney,Kevin Joseph Derichs. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Devices With Optically Readable Liquid Reservoirs

Номер патента: US20240264072A1. Автор: Dena Marrinucci,Ian Kleinemolen,Kameel Michael Abi-Samra,Jeffrey A. Hawkins. Владелец: Truvian Sciences Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Waterbed mattress with hexagonal baffle structure, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5172437A. Автор: John B. Johenning. Владелец: Strata Flotation Inc. Дата публикации: 1992-12-22.

Composite structure and method of forming thereof

Номер патента: EP3705285A1. Автор: Christopher Sanders,Khanh Mai Pham,Lisa Carlson,Hyukbong Kwon. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-09-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975754B2. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Gasification device with equipment for slag removal

Номер патента: RU2495913C2. Автор: Эберхард КУСКЕ,Кристоф ХАНРОТТ. Владелец: Тиссенкрупп Уде Гмбх. Дата публикации: 2013-10-20.

Long-life heat recovery steam generator device with use of internal stiffeners

Номер патента: RU2673974C2. Автор: Дональд Ричард ПАЛМЕР,Ричард Ф. МУР,Ашок ПРАБХУ. Владелец: Дженерал Электрик Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2018-12-03.

Refrigerating device with shelves suspended on guides

Номер патента: RU2454620C2. Автор: Франк ПЛАККЕ,Маттиас ШТАЛЬ,ПЕЛЬС Ульрих ВАН,Петер ЭККАРТСБЕРГ. Владелец: Миле & Цие. Кг. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for forming material layer between liquid and photoresist layer

Номер патента: US20060263724A1. Автор: Joseph Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Process for the preparation of a multilayer structure comprising a substrate, a crystalline organic barrier layer, and a printed pattern; and products obtained

Номер патента: EP2595816A1. Автор: Shahab Jahromi,Constantinus Simon Maria Liebregts,Karel Franciscus Hubertus Bonekamp. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2013-05-29.

Composition of an adhesive barrier layer between a non-woven material and another non-woven material for processing at higher temperatures

Номер патента: EP4054835A1. Автор: Peter Jozef VAN GINDEREN. Владелец: Walki Belcoat NV. Дата публикации: 2022-09-14.

Heat treatable coated articles with anti-migration barrier layer between dielectric and solar control layers, and methods of making same

Номер патента: EP1390314A1. Автор: Hong Wang. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Composition of an adhesive barrier layer between a non-woven material and another non-woven material for processing at higher temperatures

Номер патента: WO2021090260A1. Автор: Peter Jozef VAN GINDEREN. Владелец: Walki Belcoat, Naamloze Vennootschap. Дата публикации: 2021-05-14.

Displaceable platform structure and method of the displacement thereof

Номер патента: EP1740777A1. Автор: John Richard Yorke Gleadowe. Владелец: Seacore Ltd. Дата публикации: 2007-01-10.

Hybrid metal composite structures, joint structures, and related methods

Номер патента: US20200018260A1. Автор: Brian Christensen,David R. Nelson,Benjamin W. C. Garcia. Владелец: Northrop Grumman Innovation Systems LLC. Дата публикации: 2020-01-16.

Reinforced composite structure and methods of making the same

Номер патента: WO2018071518A1. Автор: Don Keim,Marion BLAIR,Todd KESKE. Владелец: Foam Supplies, Inc.. Дата публикации: 2018-04-19.

Liquid crystal display device with resin black matrix having polarizing function

Номер патента: US20070082145A1. Автор: Hyun Kim,Tae Park,Sang Han. Владелец: Boe Hydis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Liquid crystal display device with resin black matrix having polarizing function

Номер патента: US7433001B2. Автор: Hyun Jin Kim,Sang Hun Han,Tae Kyu Park. Владелец: Boe Hydis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Modular structure and connection method

Номер патента: US12049753B2. Автор: Peter Chapman. Владелец: Peter Dann Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Mould gate structure and mould with the mould gate structure

Номер патента: TWI306803B. Автор: Heng-Wei Li,Jeng Chi Peng. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-01.

TRANSISTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICES WITH OXYGEN-DIFFUSION BARRIER LAYERS

Номер патента: US20120104515A1. Автор: Chowdhury Murshed M.,Schaeffer James K.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Metal gate structure and preparation method of metal gate structure

Номер патента: CN102683397A. Автор: 杨建伦,许启茂,吴俊元,郑子铭,邹世芳,林进富,黄信富,蔡旻錞. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-19.

Mould gate structure and mould with the mould gate structure

Номер патента: TW200704492A. Автор: Jeng-Chi Peng,Heng-Wei Li. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Collapsible protective structure and method for inflammable matter reservoir storage

Номер патента: RU2295369C2. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Николай Григорьевич Кузнецов,Валерий Леонидович Страхов,Александр Михайлович Крутов,Сергей Вениаминович Заикин,Валерий Андреевич Моисеев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Теплоогнезащита". Дата публикации: 2007-03-20.

ORGANIC ELECTRONIC DEVICE WITH ELECTRON TUNNELING LAYER

Номер патента: US20120001164A1. Автор: GAO WEIYING,Deibler Dean T.. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Surgical Stapling Device With Independent Tip Rotation

Номер патента: US20120000962A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compression Device with Structural Support Features

Номер патента: US20120004583A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Drilling device with adjustable skewing angle

Номер патента: RU2081288C1. Автор: . Владелец: Будянский Вигдор Соломонович. Дата публикации: 1997-06-10.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composite laminar rubber-textile protective material based on butyl rubber with barrier layer

Номер патента: RU2457952C1. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Валентин Константинович Гореленков,Виталий Сергеевич Аншин,Виктор Федорович Ларионов,Алексей Тимофеевич Балашов,Геннадий Алексеевич Живулин,Андрей Юрьевич Дубровин,Евгений Андреевич Дубровин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт эластомерных материалов и изделий". Дата публикации: 2012-08-10.

Heat-reflecting heat resistant laminar rubber-textile protective material based on chloroprene rubber with barrier layer

Номер патента: RU2489265C1. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Валентин Константинович Гореленков,Сергей Юрьевич Копецкий,Александр Петрович Корнюшин,Алексей Владимирович Замятин,Виктор Александрович Давыдкин,Артур Анатольевич Герасимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт эластомерных материалов и изделий" (ООО "НИИЭМИ"). Дата публикации: 2013-08-10.

Medical Device with Retractable Needle and Moveable Plunger Seal

Номер патента: US20120004621A1. Автор: Shaw Thomas J.,Zhu Ni. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LOCKING ASSEMBLY FOR SECURING A ROD MEMBER IN A RECEIVER PART FOR USE IN SPINAL OR TRAUMA SURGERY, BONE ANCHORING DEVICE WITH SUCH A LOCKING ASSEMBLY AND TOOL THEREFOR

Номер патента: US20120004689A1. Автор: Biedermann Lutz,Matthis Wilfried. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2469866C2. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Наталья Александровна Воронова,Валентин Константинович Гореленков,Виктор Федорович Ларионов,Шарифа Камильевна Ионова,Нина Валентиновна Бадьянова,Владимир Сергеевич Гулин,Ирина Ивановна Аншина. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-12-20.

Номер патента: RU2561559C1. Автор: Юлий Александрович Драгомирецкий,Виктор Михайлович Яковлев,Дмитрий Викторович Калякин,Александр Николаевич Куляба. Владелец: Публичное акционерное общество "ДНЕПРОТЯЖМАШ". Дата публикации: 2015-08-27.

HEAD AND DISK DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002327A1. Автор: Hanyu Mitsunobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for hoisting and lowering of baked anode blocks on electrolytic sections with fixed anode frame

Номер патента: RU2324011C2. Автор: Владимир Кириллович Бутаков. Владелец: Владимир Кириллович Бутаков. Дата публикации: 2008-05-10.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2505662C1. Автор: Михаил Петрович Пасечник,Анатолий Степанович Коряков,Николай Петрович Ибряев,Виктор Александрович Шель,Игорь Анатольевич Клишин,Сергей Геннадьевич Филинков. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Газпромнефть-Ноябрьскнефтегазгеофизика". Дата публикации: 2014-01-27.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Inductive Powered Surgical Device with Wireless Control

Номер патента: US20120004652A1. Автор: Moua Tony,Craig Jason L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Infrared radiation sensitive structure and method of making said structure

Номер патента: RU2396635C1. Автор: Николай Николаевич Михайлов,Владимир Васильевич Васильев,Василий Семенович Варавин,Юрий Георгиевич Сидоров,Александр Васильевич Войцеховский,Сергей Николаевич Несмелов,Станислав Михайлович Дзядух,Сергей Алексеевич Дворецкий,Максим Витальевич Якушев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2010-08-10.

Set of metal structures and method for carrying out of stable osteosynthesis with fracture of neck of the femur

Номер патента: RU2261062C2. Автор: В.И. Кушхабиев,А.М. Гуазов,Р.Б. Гучаков. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2005-09-27.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты