Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Microelectronic and semiconductor devices with a tunneling structure free of high-γ material by a select gate structure, and related methods

Microelectronic and semiconductor devices with a tunneling structure free of high-γ material by a select gate structure, and related methods

Номер патента: US11925022B2
Опубликовано: 05-03-2024
Автор(ы): Chris M. Carlson, Ugo Russo
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Microelectronic devices with tunneling structures having partial-height high-¿ material regions

Номер патента: US20240172443A1. Автор: Ugo Russo,Chris M. Carison. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Electronic apparatus with an oxide-only tunneling structure by a select gate tier, and related methods

Номер патента: US20210050363A1. Автор: Ugo Russo,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with variable resistance switch and programming method therefor

Номер патента: US09508432B2. Автор: Toshitsugu Sakamoto,Munehiro Tada,Makoto Miyamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09627340B2. Автор: Toshiyuki Kouchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile memory transistor with a self-aligned nitride storage layer

Номер патента: EP2434535A3. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09666723B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits

Номер патента: US11482440B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3881355A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-22.

Programmable structure including control gate overlying select gate formed in a trench

Номер патента: WO2007114984A3. Автор: Paul A Ingersoll,Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore. Владелец: Gowrishankar L Chindalore. Дата публикации: 2008-01-24.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US10553596B2. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US20180254281A1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Select gate self-aligned patterning in split-gate flash memory cell

Номер патента: US09966380B1. Автор: Douglas Tad GRIDER, III,Xiangzheng Bo,John MacPeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory cell having a vertical selection gate formed in an FDSOI substrate

Номер патента: US09461129B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Jean-Michel Mirabel. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and information processing system

Номер патента: US9946513B2. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Mid-tunneling dielectric band gap modification for enhanced data retention in a three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09443866B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor storage element, semiconductor storage device, and semiconductor system

Номер патента: US20190244653A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device including a tunnel structure

Номер патента: US20160268438A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Nonvolatile memory cells having lateral coupling structures and nonvolatile memory cell arrays including the same

Номер патента: US09734910B1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1962332A3. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080720B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Driving substrate with a thin film transistor divided into multiple active blocks that are connected to each other by a bridge

Номер патента: US11916080B2. Автор: May PAN. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Mram device with octagon profile

Номер патента: US20240233793A9. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory structure and programing and reading methods thereof

Номер патента: US20190214400A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Extended select gate lifetime

Номер патента: US09490018B2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,Kiran Pangal,Hanmant P. Belgal,Qingru Meng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Assemblies Comprising Memory Cells and Select Gates; and Methods of Forming Assemblies

Номер патента: US20220037346A1. Автор: Ugo Russo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Assemblies Comprising Memory Cells and Select Gates; and Methods of Forming Assemblies

Номер патента: US20200202906A1. Автор: Ugo Russo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same preliminary class

Номер патента: US12015024B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167132A1. Автор: Hideaki YAMAKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods and apparatuses having strings of memory cells and select gates with double gates

Номер патента: US20150078089A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods and apparatuses having strings of memory cells and select gates with double gates

Номер патента: US9934868B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09978695B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09631481B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US11973198B2. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09853164B2. Автор: Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Izumi Ishida,Shogo Murashige. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110101366A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Naoto Kusumoto,Yoshitaka Dozen,Hidekazu Takahashi,Kaori Ogita,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09590078B2. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20110127599A1. Автор: Amitay Levi,Xian Liu,Viktor Markov,Chien-Sheng Su,Yaw Wen Hu,Yuri Tkachev,Alexander Kotov,James Yingbo Jia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20130264624A1. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US20160172372A1. Автор: Jae-Young Ahn,Dong-Chul Yoo,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Hun-Hyeong Lim,Jeon-Il Lee,Guk-Hyon Yon,Ju-Mi YUN,Joong-Yun RA,Young-Seon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09991281B2. Автор: Jae-Young Ahn,Dong-Chul Yoo,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Hun-Hyeong Lim,Jeon-Il Lee,Guk-Hyon Yon,Ju-Mi YUN,Joong-Yun RA,Young-Seon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor devices

Номер патента: US09754959B2. Автор: Jae-Young Ahn,Dong-Chul Yoo,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Hun-Hyeong Lim,Jeon-Il Lee,Guk-Hyon Yon,Ju-Mi YUN,Joong-Yun RA,Young-Seon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170358596A1. Автор: Jae-Young Ahn,Dong-Chul Yoo,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Hun-Hyeong Lim,Jeon-Il Lee,Guk-Hyon Yon,Ju-Mi YUN,Joong-Yun RA,Young-Seon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor devices including a finFET

Номер патента: US09608117B2. Автор: Nam Kyu Kim,Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Bon-young Koo,Su-Jin JUNG,Jin-Yeong JOE,Dong-Chan Suh,Hyun-Ho NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210265376A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of manufacturing a semiconductor device using purified block copolymers and semiconductor devices

Номер патента: US09627205B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jung-Sik Choi,Su-Jin KWON,Jun Won HAN,Hye-Ryun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with fixed charge layers

Номер патента: US8754465B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Manufacturing method of semiconductor device, inspection device of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20180277449A1. Автор: Yu Muto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130248966A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10551432B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US20150253121A1. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266258A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device provided with direction sensor elements

Номер патента: US20150035528A1. Автор: Mamoru Yamagami,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device provided with direction sensor elements

Номер патента: US09476949B2. Автор: Mamoru Yamagami,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Inspection apparatus, inspection system, inspection method of semiconductor devices, and manufacturing method of inspected semiconductor devices

Номер патента: US20150123694A1. Автор: Takashi Ushijima,Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Inspection apparatus, inspection system, inspection method of semiconductor devices, and manufacturing method of inspected semiconductor devices

Номер патента: US9379029B2. Автор: Takashi Ushijima,Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Liquid crystal display device having tape carrier with semiconductor device on flap portion

Номер патента: US5448387A. Автор: Kazunari Kurokawa,Hironobu Abe,Kazuyuki Kitagawa. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US9780738B2. Автор: Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor Device Comprising a Clamping Structure

Номер патента: US20180190641A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Stephan Voss,Roman Baburske,Thomas Kimmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105835A1. Автор: Tomoaki Shinoda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US12014943B2. Автор: Masahiro Miyake,Akinori Tanaka,Shinji Yashima. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures

Номер патента: US09905576B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and wafer with a test structure and method for assessing adhesion of under-bump metallization

Номер патента: CN101884102A. Автор: 露西·鲁斯韦耶,泽格·巴尔迪,菲利普·勒迪卡,达维德·德莫尔特勒. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-11-10.

Test circuit and multi-chip package type semiconductor device having the test circuit

Номер патента: US20040150414A1. Автор: Kazutoshi Inoue,Mitsuya Ohie. Владелец: Mitsuya Ohie. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09508631B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including resin with a filler for encapsulating bridge member connected to a substrate

Номер патента: US11990393B2. Автор: Tarou IGOSHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US20240224673A1. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US09941346B2. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US12072595B2. Автор: Isao Suzumura,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Vehicular battery charger, charging system, and method with a time delay function

Номер патента: US20230378555A1. Автор: Christopher B. Austin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Vehicular battery charger, charging system, and method with a user-configurable manner of sending an alert

Номер патента: US20230378556A1. Автор: Christopher B. Austin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20210366931A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Stressed semiconductor device and method for making

Номер патента: US20100244121A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Cheong M. Hong,Konstantin V. Loiko,Taras A. Kirichenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09337206B2. Автор: Guanhua LI,Haewan YANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09748256B2. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with suppression of electric field concentration

Номер патента: US10593685B2. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-03-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device with non-volatile memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378284A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho,Jae Hoon Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20190109148A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US7981746B2. Автор: Fumihiko Inoue,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-07-19.

Semiconductor memory element and semiconductor memory device

Номер патента: US8390054B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Masao Shingu,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Electronic devices comprising adjoining oxide materials and related methods and systems

Номер патента: WO2022051158A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Shane J. Trapp,Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill,Chris M. Carlson,Francois H. Fabreguette,Michael E. Koltonski. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Nonvolatile memory cells having lateral coupling structure and memory cell arrays using the same

Номер патента: US09627394B1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device with reduced distance between control gate electrode and selecting gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043877A1. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Chih-Hao Pan,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240170551A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory device including selection gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220406802A1. Автор: Su Jin Kim,Won Kyu Lim,Jin Shik CHOI. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Electrochemical cell having a serpentine anode with a plurality of interleaved cathode plates having extending tabs stacked and connected to each other by a welded surrounding metal hoop

Номер патента: US20200020940A1. Автор: Kenneth B. Talamine,Brian D. Panzer. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11923427B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory cell comprising a metal control gate with a work function for an enlarged operation window

Номер патента: US10879258B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Methods of tunnel oxide layer formation in 3D NAND memory structures and associated devices

Номер патента: US09847340B2. Автор: Gordon Haller,Sateesh KOKA,Shyam Surthi,John Hopkins,Anish Khandekar,Darwin Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Select gates with select gate dielectric first

Номер патента: US09443862B1. Автор: Yusuke Yoshida,Kazutaka Yoshizawa,Dai Iwata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Multi-layer inter-gate dielectric structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10192747B2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Method For Making Semiconductor Device

Номер патента: US20110070725A1. Автор: John Power,Danny Pak-Chum Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170077110A1. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150008508A1. Автор: Min Sung KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190237550A1. Автор: Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022051932A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11862722B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20200227427A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system

Номер патента: US09990708B2. Автор: Takeshi Kato,Hiroyuki Shindo,Norio Hasegawa,Yutaka Hojo,Yasutaka Toyoda,Hitoshi SUGAHARA,Daisuke HIBINO. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: US20240204764A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: EP4386843A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Latency control device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09653130B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09559691B1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Novel select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20220320304A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

METHOD OF RECORDING ULTRA SHORT EXPOSURE HIGH DYNAMIC FIELD IMAGES AND RELATED IMAGING DEVICE

Номер патента: DK181567B1. Автор: Andersen Thomas,Nørgaard Lau. Владелец: Phase One AS. Дата публикации: 2024-05-24.

A method for recording ultra-short-exposure, high dynamic range images and related imaging device

Номер патента: DK202270459A1. Автор: Andersen Thomas,Nørgaard Lau. Владелец: Phase One AS. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for recording ultra-short-exposure, high dynamic range images and related imaging device

Номер патента: US20240129646A1. Автор: Thomas Andersen,Lau NØRGAARD. Владелец: Phase One AS. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Light detection devices with protective liner and methods related to same

Номер патента: MY194022A. Автор: Xiuyu Cai,Tracy Helen Fung,Joseph Francis PINTO,Thomas A Baker. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Light detection devices with protective liner and methods related to same

Номер патента: CA3066759C. Автор: Xiuyu Cai,Tracy Helen Fung,Joseph Francis PINTO,Thomas A. Baker. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it

Номер патента: US20020033707A1. Автор: Hideo Miura,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Hiroya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Secondary cross-coupling effect in memory apparatus with semicircle drain side select gate and countermeasure

Номер патента: US12057166B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170117421A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09876126B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Thermo-oxidatively stable, side chain polyether functionalized polynorbornenes for microelectronic and optoelectronic devices and assemblies thereof

Номер патента: US09562124B2. Автор: Wei Zhang,Andrew Bell,Hendra Ng,Edmund Elce,Seishi Ohashi,Christopher Apanius,Brian Knapp,Sridevi Kaiti,Cheryl Burns,Royce Groff,Crystal Cyrus. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Three dimensional nand device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof

Номер патента: WO2015094637A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shinsuke YADA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Assemblies comprising memory cells and select gates; and methods of forming assemblies

Номер патента: US11961581B2. Автор: Ugo Russo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Assemblies Comprising Memory Cells and Select Gates; and Methods of Forming Assemblies

Номер патента: US20240185897A1. Автор: Ugo Russo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Magnetic memory, a method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070181964A1. Автор: Mitsuharu Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Optically isolated micromachined (mems) switches and related methods

Номер патента: US20210067160A1. Автор: Mark Schirmer,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Ying Zhao,James Sheeran,Michael James TWOHIG,Michael C.W. Coln,Olly J. Kierse,Paul W. Stevens,Bruce A. Hecht. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus and methods for merging post-write read and select gate maintenance operations

Номер патента: US20200194061A1. Автор: Niles Yang,Lior Avital. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Formation of high voltage transistor with high breakdown voltage

Номер патента: US7897448B1. Автор: Sunil Mehta. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory cell and semiconductor component as well as manufacturing methods therefore

Номер патента: US20030099131A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Extended select gate lifetime

Номер патента: US20150078088A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Yogesh B Wakchaure,Qingru Meng,Hanmant P Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Extended select gate lifetime

Номер патента: US20140307507A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hanmant P. Belgal,Qingru Meng,Yogesh Wakchaure. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20040082084A1. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Substrate equipped with multi-layer reflection film, reflection-type mask blank, reflection-type mask, and semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US20200310239A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20080315286A1. Автор: Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US6890776B2. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Tin carboxylate precursors for metal oxide resist layers and related methods

Номер патента: US20240272547A1. Автор: Scott B. Clendenning,Brandon Jay Holybee,James Munro BLACKWELL,Lauren Elizabeth DOYLE,Charles Cameron Mokhtarzadeh,Sanjana Vijay Karpe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240309127A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US09806204B2. Автор: Hyun-Sung Kim,Bum-soo Kim,Seung-pil Chung,Sung-Soo Ahn,Won-Bong Jung,Kyoung-sub Shin,O Ik Kwon,Min-Kyung YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100219460A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8294190B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09859444B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570594B2. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor Device

Номер патента: US20160181438A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for manufacture

Номер патента: EP1754250A2. Автор: Erwin A. Hijzen,Jan Sonsky,Michael A. A. In't Zandt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09847429B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09437700B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Koichi Nishikawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with trench gate

Номер патента: WO2016031252A1. Автор: Tomohiro Mimura,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2016-03-03.

FinFET device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US11742425B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150279977A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160204268A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274685A1. Автор: Seokhoon Kim,Heung-Soon Lee,Yonghee PARK,Seungkyu KIM,Dong-Gwan SHIN,Hongseon Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20150279953A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Koichi Nishikawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020079525A1. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180047667A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device and electric apparatus

Номер патента: US20190115461A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Daimotsu Kato,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240162300A1. Автор: Hirotaka Otake,Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230223455A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355822A1. Автор: Wei-Yen Woon,Wu-Wei Tsai,Che Chi Shih,Szuya Liao,Tsung-En Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09805952B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Finfet device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US20230352590A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11699703B2. Автор: Daewon Kim,Taeyoung Kim,Jaehoon Shin,Beomjin PARK,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935954B2. Автор: Chien-Tai CHAN,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US11791381B2. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,SunWook Kim,Junbeom PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240038843A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,SunWook Kim,Junbeom PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240072177A1. Автор: Chul Kim,Kichul Kim,Kyungin Choi,Yeondo Jung,Gwirim PARK,Yelin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor transistor device with dopant profile

Номер патента: US09660049B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor devices with fin-shaped active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US11482523B2. Автор: Jae Hun Jeong,Yoon Seok Lee,Jong Ki JUNG,Chan Geun Ahn,Soo Hun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640655B2. Автор: Kensaku Yamamoto,Shinya Nishimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496403B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070296045A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20090200575A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09608072B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida,Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09362402B2. Автор: Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200185519A1. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388613A1. Автор: Mituharu Tabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Edge contouring in a semiconductor device

Номер патента: GB2176338A. Автор: Ashley Terry Plumpton. Владелец: Marconi Electronic Devices Ltd. Дата публикации: 1986-12-17.

Depletion type MOS semiconductor device and MOS power IC

Номер патента: US20010042886A1. Автор: Kazuhiko Yoshida,Tatsuhiko Fujihira,Motoi Kudoh. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097040A1. Автор: Tomoyuki FUNABASAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices with fin-shaped active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20200212035A1. Автор: Jae Hun Jeong,Yoon Seok Lee,Jong Ki JUNG,Chan Geun Ahn,Soo Hun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20150371961A1. Автор: Kouji Takahashi,Shigeki Nakamura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US5583361A. Автор: Masakazu Morishita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Semiconductor Devices Including Active Areas with Increased Contact Area

Номер патента: US20180090495A1. Автор: Do Sun Lee,Do Hyun Lee,Sang Jin HYUN,Chul Sung Kim,Joon Gon Lee,Na Rae KIM,Ryuji Tomita. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240006357A1. Автор: Takayuki Osawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420454A1. Автор: Takayuki Osawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200066846A1. Автор: Yoshiyuki Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device passive thermal management

Номер патента: US11784107B1. Автор: Jesse B. Tice,John A. Starkovich,Vincent Gambin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor devices including active areas with increased contact area

Номер патента: US10128245B2. Автор: Do Sun Lee,Do Hyun Lee,Sang Jin HYUN,Chul Sung Kim,Joon Gon Lee,Na Rae KIM,Ryuji Tomita. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7354851B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: EP1776743A1. Автор: Keith James Nash,Geoffrey Richard QinetiQ Limited NASH,John Henry QinetiQ Limited JEFFERSON. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080102580A1. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US11959165B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240154014A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Capacitive microelectronic and/or nanoelectronic device with increased compactness

Номер патента: US09631952B2. Автор: Philippe Robert,Loïc JOET. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-25.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272969A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Power semiconductor device with a double metal contact and related method

Номер патента: US09761550B2. Автор: Robert Montgomery,David Paul Jones,Hugo Burke,Susan Johns,Phillip Parsonage. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Localized tunneling enhancement for semiconductor devices

Номер патента: EP3888132A1. Автор: Youngmin Kim,Hui Ma,Thomas R. Young,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Jansen J. Uyeda. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11818892B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Power MOS device with buried gate

Номер патента: US20030011027A1. Автор: Jun Zeng,Christopher Kocon,Gary Dolny,Linda Brush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322183A1. Автор: Jeongsu JEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device with a plurality of different one time programmable elements

Номер патента: US20080180983A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US9916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US09916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method of imaging device and semiconductor device

Номер патента: US20210090964A1. Автор: Nobutaka Atago. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, and power conversion device including the semiconductor device

Номер патента: US20210125891A1. Автор: Takashi Nagao,Masayuki Funakoshi,Yuki Okabe,Takanobu KAJIHARA,Katsuhiko Omae,Atsuki FUJITA,Norio Emi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20160062686A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and electrical device

Номер патента: US09905489B2. Автор: Akira Iso,Takahiro Mitsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of operating the same using lastly erased memory block

Номер патента: US09691494B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607897B2. Автор: Takanori Kato,Isao Nakatsuka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107061A1. Автор: Hiroki Ootera. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020013046A1. Автор: Hirosada Koganei. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09761544B1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device for suppressing a temperature increase in beam leads

Номер патента: US09607931B2. Автор: Hiroki Yasuda. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Solder interconnection structure and process for making

Номер патента: US5089440A. Автор: David W. Wang,Kostas I. Papathomas,Frederick R. Christie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-02-18.

Rod-shaped semiconductor device

Номер патента: CA2657964C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US20140374876A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307424A1. Автор: Kengo Ohmori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US09721917B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor Device and Methods of Making and Using an Enhanced Carrier to Reduce Electrostatic Discharge

Номер патента: US20240355655A1. Автор: Youngjun Kim,Moonsu Han,DongChae Kim,Ilhan Jung,Cheolsoo Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09653421B2. Автор: Atsunori Hattori. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for producing the same.

Номер патента: MY107475A. Автор: Kochi Tetsunobu,Ohzu Hayao. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1995-12-30.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP1801871A1. Автор: Y. The Kansai Electric Power Co. Inc. Sugawara,Yoshikazu ASAHI DENKA Co. Ltd. SHOJI. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2007-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP1801871B1. Автор: Y. The Kansai Electric Power Co. Inc. Sugawara,Yoshikazu ASAHI DENKA Co. Ltd. SHOJI. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09966238B2. Автор: Masanori Nakayama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US8242550B2. Автор: Thomas Schiml,Manfred Eller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9653384B2. Автор: Takeshi Sunaga,Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Film capacitor and semiconductor package or device with it

Номер патента: EP0841699B1. Автор: Akira Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Fujisawa,Tsuyoshi Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Shibamoto,Tsuyoshi Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Kobayashi,Shoji Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Watanabe,Yoshihiro Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Ihara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-26.

Semiconductor device packaged in plastic and mold employable for production thereof

Номер патента: US5998877A. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-07.

Semiconductor device, and communication apparatus and electronic apparatus having the same

Номер патента: CA2716920C. Автор: Hiroo Kubo,Yukihiko Hoashi,Kazuhito Tsuzura,Kunihiko Shiroishi. Владелец: Yoshikawa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20150235923A1. Автор: Hiroki Yasuda. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343744A1. Автор: Takeshi Sunaga,Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180197838A1. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230238405A1. Автор: Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Shohei SHIMADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device assemblies including tsvs of different lengths and methods of making the same

Номер патента: US20230139278A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20210057295A1. Автор: Shinichi Miwa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200321301A1. Автор: Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and a method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150279760A1. Автор: Katsumi Miyawaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and a method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9455245B2. Автор: Katsumi Miyawaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230282618A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe,Ichiro HOMMA. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having plural banks

Номер патента: US20120134217A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Yuuji Motoyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US20170309587A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230387185A1. Автор: Masahiko Arimura,Daiki Yanagishima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170062362A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140353810A1. Автор: Eiichi Hosomi,Kazumi Takahashi,Masafumi Sugimoto,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Atsushi Murakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190084080A1. Автор: Tsutomu Fujita,Akira Tomono,Takanobu Ono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12034093B2. Автор: Toshiki Koyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190096847A1. Автор: Daisuke Fukamachi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Apparatus for polishing a wafer and method for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230170222A1. Автор: Ki Hoon Jang,Bo Un Yoon,Chung Ki Min,Dong Hoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device including light shieled structures

Номер патента: US7126175B2. Автор: Susumu Inoue,Yutaka Maruo,Yo Takeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20060138496A1. Автор: Susumu Inoue,Yutaka Maruo,Yo Takeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240324193A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Minkyung KIM,Hakseon KIM,Sunggil Kim,Kang-Oh Yun,Sohyun LEE,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09799561B2. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

A light-emitting semiconductor device and package with a wavelength conversion structure

Номер патента: TWI478370B. Автор: Chia Liang Hsu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-03-21.

Method of assembling a semiconductor device including sweeping (with a squeegee) encapsulant over the device repeatedly

Номер патента: US20040180472A1. Автор: Kai-Chi Chen,Hsun-Tien Li. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-09-16.

Power Supply Regulating Apparatus, Semiconductor Manufacturing Apparatus, Method For Controlling Power To Heater, And Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070287201A1. Автор: Masayuki Suzuki,Hideo Ishizu. Владелец: Sanko Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Microelectromechanical systems (MEMS) microphone having two back cavities separated by a tuning port

Номер патента: US09510106B2. Автор: Aleksey S. Khenkin,Anthony D. Minervini. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070085128A1. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byung-Jun Park,Ho-Seok Lee,Il-Young Kwon,Hyeong-Soo Kim,Hyung-Bok Choi,Dong-Sauk Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20090258486A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor device having wafer-level chip size package

Номер патента: US20130313703A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240121951A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing semiconductor devices having multi-level wiring structure

Номер патента: US6037278A. Автор: Koji Kishimoto,Ken-Ichi Koyanagi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Dielectric insulation structure for integrating electronic semiconductor devices and relevant manufacturing process

Номер патента: US6888213B2. Автор: Salvatore Leonardi,Giuseppe Arena,Roberto Modica. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170053828A1. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device and overcurrent protection device

Номер патента: US20240219449A1. Автор: Shigeki Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, data processing system, data reading method, and data reading program

Номер патента: US20190146683A1. Автор: Seiji Mochizuki,Toshiyuki Kaya,Katsushige Matsubara,Nhat Van HUYNH. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Systems and methods using audio input with a mobile device

Номер патента: US09996315B2. Автор: Melvin L. Barnes, Jr.. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240087487A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hisao Ikeda,Akio Endo,Hideki Uochi,Koji KUSUNOKI,Yoshiaki Oikawa,Yosuke Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and battery voltage monitoring device

Номер патента: EP2700965A3. Автор: Junko Kimura,Hirohiko Hayakawa,Yoshitaka Muramoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-10.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure

Номер патента: US09583640B1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Tom Herrmann,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520504B2. Автор: Koichi Toba,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with single poly non-volatile memory device and manufacturing method

Номер патента: US11856769B2. Автор: Su Jin Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with a tunneling layer having a varying nitrogen concentration, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882018B2. Автор: Jae Young Ahn,Jae Ho Choi,Seung Hyun Lim,Kwang Min Park,Jeon Il LEE,Young Jin Noh,Dong Chul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a gate structure for a nonvolatile memory device

Номер патента: US20190244822A1. Автор: Sung Mo GU,Sung Bok Ahn. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12094984B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor device with metal gate memory device and metal gate logic device

Номер патента: US10658373B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230005939A1. Автор: Yong Kyu Lee,Jong Sung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Three dimensional NAND device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof

Номер патента: US09876027B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Three dimensional NAND device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof

Номер патента: US09449983B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443991B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara,Kota Funayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200258893A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296508A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515082B2. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20190109145A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: EP4254512A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: US20230307551A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device with metal gate

Номер патента: US11063058B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Device with shallow source/drain contact and related method

Номер патента: US20240274675A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Yu-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device

Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20130023114A1. Автор: John Power. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Spatially decoupled floating gate semiconductor device

Номер патента: US20180145141A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Suyog Gupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Spatially decoupled floating gate semiconductor device

Номер патента: US20180130892A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Suyog Gupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Placement of mobile wireless device on a display panel with a hidden antenna

Номер патента: US20240348287A1. Автор: Jayanthi Rao,John R. Van Wiemeersch,Eugene Karpinsky,Mark W. Larry. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Fuel cell stack, fuel cell device and motor vehicle with a fuel cell device

Номер патента: US12132243B2. Автор: Michael Brechter. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Fuel cell stack, fuel cell device and motor vehicle with a fuel cell device

Номер патента: US20230045498A1. Автор: Michael Brechter. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-02-09.

Magnetic recording structure and process

Номер патента: WO1985001147A1. Автор: Robert E. Ansel,Wallace H. Brown. Владелец: Desoto, Inc.. Дата публикации: 1985-03-14.

Slider with a transparent coating on a rail and a reflective material within a recess of the rail

Номер патента: US5675463A. Автор: Yufeng Li. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-10-07.

The method of high temperature modification LiMn2O4 produced by a kind of mangano-manganic oxide

Номер патента: CN103825013B. Автор: 高云,曹长城. Владелец: HENAN FUSEN NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Electrochemical cell having a serpentine anode with a plurality of interleaved cathode plates having extending tabs stacked and connected to each other by a welded surrounding metal hoop

Номер патента: US20200020940A1. Автор: Kenneth B. Talamine,Brian D. Panzer. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Electrode structure and secondary battery

Номер патента: US20200006731A1. Автор: Ikuo Uematsu,Yoko Tokuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20180315766A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20180108669A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Three-dimensional memory device with charge-trapping-free gate dielectric for top select gate electrode and method of making thereof

Номер патента: US09679907B1. Автор: Ryosuke Kaneko. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Leakage current suppression methods and related structures

Номер патента: US09818744B2. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with a pillar-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09379125B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Fabrication of a transistor including a tunneling layer

Номер патента: WO2016118376A2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Fabrication of a transistor including a tunneling layer

Номер патента: US09601617B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140097448A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Chang-Yong Um,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US20220149114A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US12063793B2. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device with magnetic tunnel junction

Номер патента: US20240355912A1. Автор: Wei-Jen Chen,Chih-Lin Wang,Chee-Wee Liu,Pang-Chun Liu,Ya-Jui Tsou,Shao-Yu LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor devices with current shifting regions and related methods

Номер патента: EP2353183A2. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device with function of modulating gain coefficient and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20030006438A1. Автор: Yutaka Arima. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20130306979A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Kokawa. Владелец: ADVANCED POWER DEVICE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20040192014A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090253251A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Methods for isolating portions of a loop of pitch-multiplied material and related structures

Номер патента: US09941155B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing semiconductor devices using light ion implantation and semiconductor device

Номер патента: US09634086B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US09397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for manufacturing a transistor with a dependent contact to the substrate

Номер патента: RU2758413C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова,Сергей Дмитриевич Рудаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20190131439A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device with a reduced mask count buried layer

Номер патента: US20030160296A1. Автор: James Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2003-08-28.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20180026136A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20210050449A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20200083376A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20190189802A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20170012127A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-12.

Method and apparatus for selectively providing a semiconductor device with improved breakdown voltage without requiring an additional mask

Номер патента: US20030089953A1. Автор: Shelby NELSON,Alan Raisanen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method and apparatus for selectively providing a semiconductor device with improved breakdown voltage without requiring an additional mask

Номер патента: US20030089952A1. Автор: Shelby NELSON,Alan Raisanen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20030155658A1. Автор: Valery Ioffe,Askhad Maksutov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming a current-collecting contact on the surface of solar cells with a heterojunction

Номер патента: RU2762374C1. Автор: Иван Сергеевич Митченко,Максим Михайлович Власенко,Александра Александровна Булгакова,Нина Ивановна Шалько,Илья Алексеевич Агарков,Алена Геннадиевна Варавина,Антон Андреевич Острый,Мария Александровна Пономаренко,Олег Викторович Качалов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты». Дата публикации: 2021-12-20.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20100122147A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US7848143B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device with sloped sidewall and related methods

Номер патента: US09627224B2. Автор: Godfrey Dimayuga,Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2017-04-18.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11967555B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory device with unique read and/or programming parameters

Номер патента: US12057161B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Erika Penzo,Dong-II MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball and related method of production

Номер патента: US09553039B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09548261B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09536592B2. Автор: Atsuo Isobe,Takuro Ohmaru,Wataru Uesugi,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for Production of High Figure of Merit Thermoelectric Materials

Номер патента: US20150020861A1. Автор: Daryush Ila. Владелец: FAYETTEVILLE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-22.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device and semiconductor device package having an electrode recess with a different inclination angle than an inclination angle of an electrode in the recess

Номер патента: US11749778B2. Автор: Sung Min Hwang,June O Song,Chang Man LIM,Se Yeon Jung,Tae Sung Lee,Byung Yeon CHOI,Chang Hyeong LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Lead frames including inner-digitized bond fingers on bus bars and semiconductor device package including same

Номер патента: US20020109212A1. Автор: David Corisis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US09715938B2. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging element, and semiconductor device

Номер патента: US09484368B2. Автор: Hiroyuki Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Flash memory structure with reduced dimension of gate structure

Номер патента: US20190074285A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09331042B2. Автор: Daisuke Sakurai,Kazuya Usirokawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Selectable fuse sets, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20220139492A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and semiconductor module with improved heat dissipation

Номер патента: US12033916B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Automatic test equipment capable of high speed test

Номер патента: US20080204066A1. Автор: Young-Jin Lee,Jae-Il Lee,Seung-ho Jang,Chul-wuong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Methods of providing semiconductor devices and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20180083064A1. Автор: Fan Fan,Zhicheng Liu,Cun-Zheng Ning,Sunay TURKDOGAN. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-03-22.

Methods of providing semiconductor devices and semiconductor devices thereof

Номер патента: US10453893B2. Автор: Fan Fan,Zhicheng Liu,Cun-Zheng Ning,Sunay TURKDOGAN. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120086121A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: EP4439639A1. Автор: Qi Zhang,Kun Ma,Chaoyang Luo,Yuhang Zhang,Yanjun Wang,Chenguang Sun,Qianzhi MA,Zuying YAO,Qiwang Wei,Haiyun GU,Zhicai LI. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Organosiloxane, curable silicone composition, and semiconductor device

Номер патента: US09944772B2. Автор: Haruhiko Furukawa,Yusuke Miyamoto,Tomohiro Iimura,Sawako INAGAKI,Nohno TODA. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09824905B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Film adhesive, dicing tape with film adhesive, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09484240B2. Автор: Yuki Sugo,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070187743A1. Автор: Fumitaka Arai,Hisataka Meguro,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device structures including stair step structures, and related semiconductor devices

Номер патента: US20180190587A1. Автор: Adam L. Olson,Jixin Yu,Matthew Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230411327A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20070257374A1. Автор: Yoshihiro Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Electroless-plating solution and semiconductor device

Номер патента: WO2002099164A3. Автор: Hiroaki Inoue,Kenji Nakamura,Moriji Matsumoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of cleaning semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate processing apparatus for use in the same

Номер патента: US20060046500A1. Автор: MAKOTO Miyamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor module and semiconductor device container

Номер патента: US11502011B2. Автор: Tomoki Ohno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US20130187279A1. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Package for stress sensitive component and semiconductor device

Номер патента: US12074134B2. Автор: Ting-Ta Yen,Anindya Poddar,Hau Nguyen,Masamitsu Matsuura,Mahmud Chowdhury. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20050014377A1. Автор: Hiroyuki Kamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Microelectronic devices with isolation trenches in upper portions of tiered stacks, and related methods

Номер патента: US20240251570A1. Автор: Yi Hu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240315037A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Keita Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with a partial shielding layer and a method for making the same

Номер патента: US20240355643A1. Автор: Seunghyun Lee,Seonghwan Park,Bom Lee,InHo Seo. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240321819A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Atsushi Oga,Miki TOSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US09947666B2. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Reducing select gate injection disturb at the beginning of an erase operation

Номер патента: US09922705B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Vinh Diep,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09837279B2. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Circuit for adjusting a select gate voltage of a non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US09805803B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of three-dimensional non-volatile memory device including a selection gate having an L shape

Номер патента: US09559114B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Sung Chul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of making a monolithic three dimensional NAND string using a select gate etch stop layer

Номер патента: US09548313B2. Автор: Shigehiro Fujino,Hiroyuki Ogawa,Masanori Terahara,Hajime Kimura,Ryoichi Honma,Shinsuke YADA,Ryousuke ITOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-refresh device and semiconductor device including the self-refresh device

Номер патента: US09460774B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device and method of operating it

Номер патента: US6295229B1. Автор: Kuo-Tung Chang,Erwin J. Prinz,Craig T. Swift. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20140374898A1. Автор: Kousuke Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Suppressing disturb of select gate transistors during erase in memory

Номер патента: EP3568856A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-20.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of producing a semiconductor body with a trench, semiconductor body with at least one trench and semiconductor device

Номер патента: US20220352016A1. Автор: Thomas Bodner,Georg Parteder. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor element encapsulation resin composition and semiconductor device having cured product thereof

Номер патента: US20240239988A1. Автор: Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Electronic devices with a redistribution layer and methods of manufacturing electronic devices with a redistribution layer

Номер патента: US20240194550A1. Автор: Seung Nam Son,Dong Hyun Khim,Jin Kun Yoo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230120152A1. Автор: Ryoichi Kato,Shinji Tada,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Top finger having a groove and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098945A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020140110A1. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Takuya Takahashi,Tadaharu Hashiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US11764146B2. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Wiring substrate and semiconductor package

Номер патента: US20150230328A1. Автор: Hiroshi Shimizu,Kazutaka Kobayashi,Tatsuaki Denda,Yasuyoshi Horikawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and semiconductor device with cooling member

Номер патента: US12074088B2. Автор: Takahiko Murakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Error correction in differential memory devices with reading in single-ended mode in addition to reading in differential mode

Номер патента: US20150212880A1. Автор: Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding

Номер патента: US20110260301A1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hsien Liao,Chih-Pin Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device, particle, and semiconductor device

Номер патента: US20110201193A1. Автор: Fumihiro Bekku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Methods for mechanical self-alignment and slip-resistance in bonding semiconductor substrates, and semiconductor devices comprising mechanical self-alignment structures

Номер патента: US20240258244A1. Автор: Joanna NASSAR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Frame member with a porous material between a semiconductor module and heat sink

Номер патента: US12068217B2. Автор: Hiroki Shiota,Takashi Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12125803B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-22.

Suppressing disturb of select gate transistors during erase in memory

Номер патента: US09984760B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for making semiconductor device with lead frame made from top and bottom components and related devices

Номер патента: US09947636B2. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09899413B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Virtual ground sensing circuitry and related devices, systems, and methods for crosspoint ferroelectric memory

Номер патента: US09786346B2. Автор: Giulio Giuseppe Marotta,Marco Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09659872B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor backmetal (BM) and over pad metallization (OPM) structures and related methods

Номер патента: US09640497B1. Автор: Takashi Noma,Yusheng Lin,Shinzo Ishibe. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated structures and methods of forming vertically-stacked memory cells

Номер патента: US09634025B2. Автор: Jie Sun,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Pad structure of a semiconductor device, method of manufacturing the pad structure and semiconductor package including the pad structure

Номер патента: US09570411B2. Автор: Young-Min Lee,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US09548262B2. Автор: Yuichi MIZAWA,Takeo NAGASE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Interfacial materials for use in semiconductor structures and related methods

Номер патента: US09536940B2. Автор: Zhe Song,Jennifer K. Sigman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and read operation method including a source line check circuit

Номер патента: US09508445B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09471430B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for producing a semiconductor device comprising a conductor layer in the semiconductor body and semiconductor body

Номер патента: US09443759B2. Автор: Jochen Kraft,Rainer Minixhofer,Jordi Teva,Martin Schrems,Ewald Stückler,Günther Koppitsch. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Method of making semiconductor device by selective epitaxial growth

Номер патента: US5438018A. Автор: Toshihiko Mori,Yoshiki Sakuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20110149663A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US11984440B2. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Avoiding unintentional program or erase of a select gate transistor

Номер патента: WO2016028459A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-02-25.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US20170084345A1. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and automobile

Номер патента: US20150333757A1. Автор: Mitsunori Aiko,Shintaro Araki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor devices having oxidation control layer

Номер патента: US12029134B2. Автор: Jaehoon Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Sanghwan Park,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic device with bimetallic interface element for wire bonding

Номер патента: US20150076712A1. Автор: Giuseppe Cristaldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Magnetic tunnel junction device with perpendicular magnetization and method of fabricating the same

Номер патента: US9172032B2. Автор: Yung-Hung Wang,Kuei-Hung Shen,Shan-Yi Yang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor devices with package-level compartmental shielding and associated systems and methods

Номер патента: US20230041760A1. Автор: Jong Sik Paek,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device assembly substrates with tunneled interconnects, and methods for making the same

Номер патента: US20240071963A1. Автор: Yun Ting Hsu,Yung Sheng Zou,Chong Leong Gan,Min Hua Chung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device, method for producing same, and electronic device

Номер патента: EP4425535A1. Автор: Keisuke Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device with appraisal circuitry

Номер патента: US20110297935A1. Автор: Andreas Roth,Andreas Laudenbach,Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20140353803A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Interposers and other carriers including a slot with laterally recessed area at an end thereof and semiconductor device assemblies and packages including such carriers

Номер патента: US20060006513A1. Автор: Setho Fee,Tay Yean,Lim Chye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20110272828A1. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Wireless charging circuit, wireless charging system and semiconductor device

Номер патента: US09520739B2. Автор: Takefumi Endo,Masanori Kayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Emergency Preparation and Response Systems and Related Methods

Номер патента: US20190230467A1. Автор: Patrick F. Williams,Sarah B. Smith. Владелец: Vi-Ability LLC. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210336623A1. Автор: Kwang Chan LEE,Jeong Kwang Lee,Ho Jun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210149317A1. Автор: Hsiang Chen,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Sheng-Kang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Complementing consumption of media content using a display device with a mobile device

Номер патента: EP2832101A1. Автор: Wenlong Li,Jiqiang Song. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-02-04.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Standard cell and semiconductor device

Номер патента: US20090189663A1. Автор: Hirohisa Machida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

A solvent free process for preparation of high molecular weight polylactide catalyzed by a compound of a divalent metal and an acid resulting in corresponding stereo selective polylactide

Номер патента: WO2013108271A1. Автор: Baijayantimala Garnaik. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2013-07-25.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of filling high-voltage electrotechnical devices with liquid dielectric and device for its implementation

Номер патента: RU2699365C1. Автор: Николай Алексеевич Зарецкий,Роман Викторович Порубов,Олег Олегович Федоркин,Эльвира Алексеевна Деменкова,Артем Валерьевич Бурцев,Константин Александрович Квасников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09698569B2. Автор: Isao Watanabe,Satoshi Ae,Tetsuro Okuda,Shoutarou KITAMURA,Suguru Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Light emitting device with deteminable shape of output beam

Номер патента: US20240072518A1. Автор: Christopher Chase,Philip Worland,Michael Y. Huang,Neelanjan Bandyopadhyay,Carlos F. R. Mateus,Chuanshun Cao,Dalila Ellafi,Carl V. Ford,Kai Hui. Владелец: Bandwidth10 Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming a tunnel structure for a magnetic plated-wire memory array

Номер патента: US3813768A. Автор: L Prohofsky. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Coaxial coaxial-to-waveguide transducer of high-level power

Номер патента: RU2678924C1. Автор: Вячеслав Вячеславович Комаров,Валерий Петрович Мещанов,Наталия Федоровна Попова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НИКА-СВЧ". Дата публикации: 2019-02-04.

Gas-discharge generator of high-frequency pulses

Номер патента: RU2751542C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой,Евгений Александрович Садчиков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-07-14.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction

Номер патента: US12027819B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann,Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Pre-heater latch and seal mechanism for wave solder machine and related method

Номер патента: US09427819B2. Автор: Jonathan M. Dautenhahn. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Apparatus for absorbing microwaves in the form of high-frequency, high-power microwave beams comprising a bolometric load and a deflection device

Номер патента: WO2023248153A1. Автор: Alessandro Bruschi,William BIN. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2023-12-28.

Optical semiconductor device and semiconductor laser device

Номер патента: US20220344906A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kenichi Nishi,Yuki Kamata,Yutaka Ohnishi,Keizo Takemasa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of assembling and efficient manufacture of high performance electronic device with cabled interconnects

Номер патента: US20230012133A1. Автор: Michael D. Long. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device having variable parameter selection based on temperature and test method

Номер патента: US09766135B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Nytell Software LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device testing

Номер патента: US20240142512A1. Автор: He Lin,Zhi Peng Feng,Ren Hui Fan,Alfred Griffin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of handling communication operation in communication system and related apparatus

Номер патента: US09893865B2. Автор: Chia-Wen HSIEH. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device, system, electronic device, and speech recognition method

Номер патента: US20170092271A1. Автор: Fumihito Baisho. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Breach containment device with sample saver

Номер патента: US09874313B2. Автор: Tyson Hammond. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Gaming Device with a Secure Interface

Номер патента: US20160086434A1. Автор: Douglas M. Okuniewicz. Владелец: AIM Management Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Mobile Phone, Wireless Transmission System, and Related Method Capable of Auto-Adjusting Call Alarms

Номер патента: US20080200123A1. Автор: Hsien-Chung Lin,Chun-Yu Lin. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Blasting plan logger, related methods and computer program products

Номер патента: US12013222B2. Автор: Tapio Laakko. Владелец: Pyylahti Oy. Дата публикации: 2024-06-18.

Blasting plan logger, related methods and computer program products

Номер патента: EP3743676A1. Автор: Tapio Laakko. Владелец: Pyylahti Oy. Дата публикации: 2020-12-02.

Improvements in and relating to prepayment mechanism for meters

Номер патента: GB373614A. Автор: . Владелец: Ferranti PLC. Дата публикации: 1932-05-23.

Improvements in and relating to the production of colour photographic images

Номер патента: GB663564A. Автор: Philibert Leopold Joseph Merck. Владелец: Gevaert Photo Producten NV. Дата публикации: 1951-12-27.

Improvements in and relating to electro-magnetically driven horological instruments

Номер патента: GB285800A. Автор: . Владелец: Tecalemit SA. Дата публикации: 1928-09-13.

Breach Containment Device With Sample Saver

Номер патента: US20160327211A1. Автор: Tyson Hammond. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-10.

Drive device with electric motor

Номер патента: US20240162779A1. Автор: Ryosuke Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251549A1. Автор: Suhyun KIM,Chul Lee,Sang-Il Han,Sanggyu KO,Jungjin PARK,Sungho Jang,Hyuckchai Jung,Hyeongwon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Metrology technique for semiconductor devices

Номер патента: US20240271926A1. Автор: Gilad Barak,Dror Shafir,Smadar Ferber,Jacob Ofek,Zvi Gorohovsky,Daphna Peimer,Tal Heilpern,Dana Szafranek. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Gaming Device with a Secure Interface

Номер патента: US20170221311A1. Автор: Douglas M. Okuniewicz. Владелец: AIM Management Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Gaming device with a secure interface

Номер патента: US9626827B2. Автор: Douglas M. Okuniewicz. Владелец: AIM Management Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and reference signaling arrangement for supplying a plurality of system components with a common reference signal

Номер патента: US8421001B2. Автор: Adam Albrecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-04-16.

Method and reference signaling arrangement for supplying a plurality of system components with a common reference signal

Номер патента: US20070233324A1. Автор: Adam Albrecht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

An epidemiological information collector with a protective mechanism

Номер патента: ZA202301502B. Автор: LI Yue,SUN JIAN,YANG Shichao. Владелец: Univ North China Science & Technology. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of dialogue with a computer on an on-board bus of a vehicle

Номер патента: US12117954B2. Автор: Eric Abadie. Владелец: Ampere Sas. Дата публикации: 2024-10-15.

Systems and methods for facilitating sound localization by a bilateral cochlear implant patient

Номер патента: US09592381B2. Автор: Abhijit Kulkarni. Владелец: ADVANCED BIONICS AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device testing system with a plurality of semiconductor device tester

Номер патента: KR100295251B1. Автор: 네모토신,고바야시요시히토,나카무라히로토,오오니시다케시,이케다히로키. Владелец: 오우라 히로시. Дата публикации: 2001-07-28.

Systems and methods for facilitating sound localization by a bilateral cochlear implant patient

Номер патента: EP2911739A1. Автор: Abhijit Kulkarni. Владелец: ADVANCED BIONICS AG. Дата публикации: 2015-09-02.

Automatic power control circuit for use with a radio telecommunication apparatus

Номер патента: CA2042950C. Автор: Hideki Aisaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-07-11.

Ring sensing circuit for use with a service evaluation system

Номер патента: CA1121892A. Автор: John S. Young. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-04-13.

Camera using a film with a magnetic memory portion and having a control unit for causing recording of predetermined data together with the ID for voluntarily set data

Номер патента: US5479228A. Автор: Hideo Tamamura,Toru Nagata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Saturable light absorber structure and a device incorporating the structure for regenerating a wavelength division multiplexed signal

Номер патента: US20030043484A1. Автор: Denis Leclerc,Alexandre Shen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-03-06.

Process for the continuous preparation of (meth)acrylate by reacting an alcohol with (meth)acrylic acid using at lest one control unit which is closed-loop controlled by a sensor (s)

Номер патента: US20240010603A1. Автор: Tile GIESHOFF,Marvin KRAMP,Piotr Makarczyk,Dominik Herbrecht,Cornelis Hendricus DE RUITER,Maike FEUERSTEIN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Data transfer from a host server via a tunnel server to a wireless device, and associating a temporary ipv6 address with a temporary ipv4 address for communicating in an ipv4 wireless network with the device

Номер патента: EP1579650A1. Автор: Craig A. Dunk. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2005-09-28.

In-situ flow detection method and related device

Номер патента: EP4167506A1. Автор: Weidong Li,Zhiyong Ben. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-19.

Programmable high-speed equalizer and related method

Номер патента: US09825626B2. Автор: Luverne Ray Peterson,Alvin Leng Sun Loke,Thomas Clark Bryan,Gregory Francis LYNCH,Mohammed Mizanur Rahman,Jacob Stephen Schneider. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Systems and related methods for the design of plastic recycling facilities

Номер патента: AU2023228835A1. Автор: David John Cole,William Ferrier,Aron Dominic PAIN. Владелец: Kellogg Brown and Root LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with output driver pre-emphasis scheme

Номер патента: US09722582B2. Автор: Hae-Kang JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of determining effective temperature of high-temperature treatment of carbon materials

Номер патента: RU2724302C1. Автор: Владимир Маркович Самойлов,Игорь Анатольевич Бубненков,Дмитрий Борисович Вербец,Анастасия Васильевна Находнова,Валерия Борисовна Самсонова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2020-06-22.

Computed tomography device with a radiation protection apparatus for covering the tunnel-shaped opening

Номер патента: US20210369214A1. Автор: Hans-Juergen Mueller,Roman Achleitner,Stefan Lautenschlaeger. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2021-12-02.

System and related method for event reservation

Номер патента: US20120278113A1. Автор: Reef R. Mowers,Bert W. Metcalf,Stephen P. Corgiat. Владелец: Memo Entertainment Group Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor module overcurrent detection device, semiconductor module using same, and semiconductor module overcurrent detection method

Номер патента: EP4404454A1. Автор: Takashi Wada,Hiroshi Kageyama,Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Device associated with a vehicle and having a spelling system with a delete button and/or list selection button

Номер патента: US09996240B2. Автор: TAHAR Bouaziz,Michael Betz,Carolin Koeberle. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Driving device for semiconductor elements, and semiconductor device

Номер патента: US09627878B2. Автор: Masahiro Yamamoto,Yo Habu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Environmental Alarm Sensor Panel And Related Method For A Telecommunication Cable Station

Номер патента: US20130285818A1. Автор: Robert Bruce Morris. Владелец: Great Eastern Group Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US20230109445A1. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Driver circuit and semiconductor device

Номер патента: US11664796B2. Автор: Shinichiro Adachi,Hirohisa Arai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for coating and forming novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244763A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic memory element and semiconductor device

Номер патента: US20240292759A1. Автор: Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Masaki Endo,Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada,Yuito Kageyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Peak voltage detector and related method of generating an envelope voltage

Номер патента: US20160103158A1. Автор: Domenico Tripodi,Mirko Gravati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-14.

Computing device providing electronic book data having selectable content layers with different difficultly levels and related methods

Номер патента: US20130177892A1. Автор: Issa Batarseh,Rashad Oreifej,Ghaith Haddad,Rawad Al-Haddad. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2013-07-11.

Hand-held machine tool and related method

Номер патента: US12088290B2. Автор: Stefan Schwarz,Christian Koschel,Christian Ruff,Georg Fürfanger. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Encaspulated mram device with wrap-around top electrode

Номер патента: US20240324469A1. Автор: Son Nguyen,Ashim Dutta,Rudy J. Wojtecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Computing device providing electronic book data having selectable content layers with different difficulty levels and related methods

Номер патента: US20160225270A9. Автор: Issa Batarseh,Rashad Oreifej,Ghaith Haddad,Rawad Al-Haddad. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US12119816B2. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

A media handling system and related method

Номер патента: US20240361786A1. Автор: Simon Bailey,Graeme Dean,Glyn Jones,Ben Amos-Reed. Владелец: Global Met Tech Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US20240334703A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods and graphical user interfaces for positioning a selection and selecting on computing devices with touch sensitive displays

Номер патента: US12086382B1. Автор: David Graham Boyers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-10.

Display device with touch detection function and electronic apparatus

Номер патента: US09836168B2. Автор: Toshiaki Fukushima. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and methods for efficiently navigating between applications with linked content on an electronic device with a touch-sensitive display

Номер патента: US09785340B2. Автор: Stephen O. Lemay,Christopher P. FOSS,Lawrence Y. YANG,Woo-Ram Lee,Caelan G. Stack. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Biosensors including surface resonance spectroscopy and semiconductor devices

Номер патента: US09714952B2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Robert D. Miller,Tak H. Ning,Sufi Zafar,Jianqiang Lin,Bobby E. Feller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method implemented in a computer for the numerical simulation of semiconductor devices containing tunnel junctions

Номер патента: US20130275095A1. Автор: Mathieu Baudrit,Carlos Algora Del Valle,Ignacio Rey-Stolle Prado,Ivan Garcia Vara,Pilar Esplnet Gonzalez. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2013-10-17.

Methods providing public reachability and related systems and devices

Номер патента: US09515986B2. Автор: Zu Qiang,Dinand Roeland,Ahmad Muhanna. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-12-06.

Video endpoints and related methods for transmitting stored text to other video endpoints

Номер патента: US09473627B2. Автор: Brett Thelin,Tara Lalor,Jeremiah Long,Cameron Dadgari,Kevin Selman,Lane Walters,Kurt Eilander,David Frye. Владелец: Sorenson Communications Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Computing device providing electronic book data having selectable content layers with different difficulty levels and related methods

Номер патента: US09443442B2. Автор: Issa Batarseh,Rashad Oreifej,Ghaith Haddad,Rawad Al-Haddad. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2016-09-13.

Switchable liquid crystal device with low turbidity for use in a switchable window or similar

Номер патента: RU2740691C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-01-19.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Fluidic stack and reference electrode for sample collection and analysis and related methods

Номер патента: EP4096829A1. Автор: Pritiraj Mohanty. Владелец: FemtoDx Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Selector circuit and semiconductor device

Номер патента: US20050166107A1. Автор: Masaki Komaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Tunneled direct link setup through a tunnel

Номер патента: WO2012048210A1. Автор: Maarten Menzo Wentink. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-04-12.

Device with multiple hardware signatures from a single puf circuit source and related methods and applications

Номер патента: EP4383645A1. Автор: Wai-Chi Fang,Nicolas-Jean Roger FAHIER,Meng-Ting WAN,Kai-Yuan GUO,Bo-Ting LIU. Владелец: Intelligent Information Security Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device using location and sign of the spin of electrons

Номер патента: EP1743387A2. Автор: Georg Schmidt,Charles Gould,Laurens W. Molenkamp,Christian Ruster. Владелец: ETeCH AG. Дата публикации: 2007-01-17.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Valve Actuation Systems and Related Methods

Номер патента: US20200033897A1. Автор: Lynn E. Jensen,Philip Scott James. Владелец: Fresenius Medical Care Holdings Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Website creation system for creating websites having at least one series of directional webpages and related methods

Номер патента: AU2019211237A1. Автор: Ryan Montgomery,Todd Dickerson,Russell Brunson. Владелец: Etison dba Clickfunnels LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Rate control for data transmission using a tunnel

Номер патента: US20170019433A1. Автор: Rolando Herrero. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Website creation system for creating websites having at least one series of directional webpages and related methods

Номер патента: EP3743830A1. Автор: Ryan Montgomery,Todd Dickerson,Russell Brunson. Владелец: ClickFunnels. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Communication systems and related methods for communicating with devices having a plurality of unique identifiers

Номер патента: US09491205B2. Автор: Richard Shields. Владелец: Sorenson Communications Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Suggesting a set of operations applicable to a selected range of data in a spreadsheet

Номер патента: US09489368B2. Автор: Uhl Albert,John Campbell,Carlos Augusto Otero,Pablo ROCHAT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Kochetov's explosion protection device with initial emergency phase alarm system

Номер патента: RU2620182C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-05-23.

Fence with a tool for detecting a tunnel with a linear part with joint interferometers

Номер патента: RU2765693C1. Автор: Леонид Иванович Бризицкий,Сергей Львович Мелихов. Владелец: Акционерное Общество "Институт "Оргэнергострой". Дата публикации: 2022-02-02.

Multi-dimensional space load and fire test system for tunnel structure, and method for implementing same

Номер патента: US20230122718A1. Автор: Wei Chen,Jian Jiang,Rui Li,Jihong YE. Владелец: China University of Mining and Technology CUMT. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for operating a power electronic converter device with floating cells

Номер патента: EP4085518A1. Автор: Tobias Geyer,Frederick Kieferndorf,Ioannis Tsoumas,Ralph Mario BURKART. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for calculating earth pressure load on a tunnel

Номер патента: US20200182718A1. Автор: Pan Li. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-11.

In-Situ Flow Detection Method and Related Device

Номер патента: US20230155928A1. Автор: Weidong Li,Zhiyong Ben. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Full-section force bearing sensing method of tunnel-structure health monitoring system

Номер патента: AU2021273655A1. Автор: Leilei SUN,Yuhang Wang,Bowen DU,Junchen YE. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Method and apparatus for metadata conversion with a flow identifier of a packet sequence in a tunnel-less sdwan

Номер патента: US20240205197A1. Автор: Apurva Mehta,Jayakrishnan Iyer,Fidelis Prashanth. Владелец: Versa Networks Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240195429A1. Автор: Ju Hyun Lee,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for using a lidar device with descriptors

Номер патента: US20230350069A1. Автор: Laure Bajard,Thomas Meneyrol,Florian DON. Владелец: Continental Autonomous Mobility Germany GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

A tunnel drilling equipment and construction method thereof

Номер патента: CA3235555A1. Автор: Wei Zhang,Lin Yang,Jing Chen,Peng Jiang,LIN Bai,Rui Chen,Wenlong Wang,Ke Tang,Pengfei Gao,Jianyong Zhu,Jidong HU,Jianqing Wang,WeiTao YAN,Jiawei DENG,Gongzhao SHEN. Владелец: China Railway Eighth Bureau Group Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-17.

Aerosol delivery device with a liquid transport element comprising a porous monolith and related method

Номер патента: US20240226472A1. Автор: Michael L. King,Michael F. Davis,Percy D. Phillips,James W. Rogers,David A. Clemens,Frederic P. Ampolini,William K. Carpenter,Owen L. Joyce,Sean M. Ahr. Владелец: RAI Strategic Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Interactive storage system, apparatus, and related methods

Номер патента: EP4271224A1. Автор: Gil Joseph LAKS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-08.

Interactive storage system, apparatus, and related methods

Номер патента: WO2022164774A1. Автор: Gil Joseph LAKS. Владелец: Laks Gil Joseph. Дата публикации: 2022-08-04.

Display device with touch detecting function and electronic apparatus

Номер патента: US20170075455A1. Автор: Tadayoshi Katsuta. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Display device with touch detecting function and electronic apparatus

Номер патента: US20170351361A1. Автор: Tadayoshi Katsuta. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Display device with touch detecting function and electronic apparatus

Номер патента: US9513754B2. Автор: Tadayoshi Katsuta. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Additive content and related client devices

Номер патента: EP2880547A2. Автор: James Alexander,Michael Adams. Владелец: Ericsson Television Inc. Дата публикации: 2015-06-10.

Methods using base content and additive content and related client devices and network server devices

Номер патента: US20140164577A1. Автор: James Alexander,Michael Adams. Владелец: Ericsson Television Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Media unit retrieval and related processes

Номер патента: US20230124063A1. Автор: Michael Kopp,Kristjan KORJUS,Michael ELKAIM. Владелец: Dream It Get It Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Media unit retrieval and related processes

Номер патента: US20230153345A1. Автор: Michael Kopp,Kristjan KORJUS,Michael ELKAIM. Владелец: Dream It Get It Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240244846A1. Автор: Kwangmin Park,JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Interconnection device with integrated storage

Номер патента: EP1527566A1. Автор: James M. Norris,Philip E. May,Kent Donald Moat,Raymond B. Essick, IV,Brian Geoffrey Lucas,Ali Saidi,Silviu Chiricescu,Michael Allen Schuette. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Interconnection device with integrated storage

Номер патента: US20040003200A1. Автор: Brian Lucas,Michael Schuette,Philip May,James Norris,Ali Saidi,Silviu Chiricescu,Raymond Essick,Kent Moat. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US20160364351A1. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

A prach radio receiver device with a neural network, and related methods and computer programs

Номер патента: WO2023131419A1. Автор: Harish Viswanathan,Luiz Fernando MEDEIROS,Aliye KAYA. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2023-07-13.

Switch circuit and semiconductor switch, for battery-powered equipment

Номер патента: WO2000059093A1. Автор: Pieter G. Blanken,Franciscus A. C. M. Schoofs,Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-10-05.

Method for controlling electric arc during vacuum arc remelting of consumable electrode made of highly reactive metals and alloys in blind mold

Номер патента: RU2762307C1. Автор: Алексей Юрьевич Ташкинов,Александр Викторович Коняшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТИТАНИУМ". Дата публикации: 2021-12-17.

Graft collar system for inducing formation of fibrocartilage and related methods

Номер патента: WO2009038808A9. Автор: Helen H Lu,Jeffrey P Spalazzi,Moira C Vyner,Kristen L Moffat. Владелец: Kristen L Moffat. Дата публикации: 2009-05-14.

Graft collar system for inducing formation of fibrocartilage and related methods

Номер патента: EP2187837A1. Автор: Helen H. Lu,Kristen L. Moffat,Jeffrey P. Spalazzi,Moira C. Vyner. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2010-05-26.

Method of filling a substrate having a selected plurality of channels with a granular material

Номер патента: US09834475B2. Автор: Maurice Lacasse,Luc Desrosiers. Владелец: Pyrotek Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Shave biopsy devices and related methods

Номер патента: US09993230B2. Автор: James ALLRED. Владелец: SETON HEALTHCARE FAMILY. Дата публикации: 2018-06-12.

Improvements in and relating to Elastic Fluid Turbines.

Номер патента: GB191027180A. Автор: Oscar Junggren. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-05-18.

Improvements in and relating to hydraulically operated automatic lathes and like machine tools

Номер патента: GB391456A. Автор: . Владелец: Warner and Swasey Co. Дата публикации: 1933-04-27.

Shave biopsy devices and related methods

Номер патента: US20160051236A1. Автор: James ALLRED. Владелец: Ascension Health Texas. Дата публикации: 2016-02-25.

Heat Sealing Systems and Methods, and Related Articles and Materials

Номер патента: US20100263332A1. Автор: John C. Files,Scott Beckstrom. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2010-10-21.

Structural post and beam connection device with friction release bracket

Номер патента: US09631392B2. Автор: Richard Bergman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-25.

Improvements in and relating to Means for Distilling Glycerine containing Salt.

Номер патента: GB191324920A. Автор: Frank James Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1914-11-02.

Improvements in and relating to gas producers

Номер патента: GB541836A. Автор: . Владелец: Parkinson & Cowan Gas Meters L. Дата публикации: 1941-12-15.

Fabrics with a crepe effect constituted by continuous texturised synthetic yarns of high yarn count/number of filaments ratio

Номер патента: PT74781B. Автор: . Владелец: Val Lesina SpA. Дата публикации: 1983-11-07.

Fabrics with a crepe effect constituted by continuous texturised synthetic yarns of high yarn count/number of filaments ratio

Номер патента: PT74781A. Автор: . Владелец: Val Lesina SpA. Дата публикации: 1982-05-01.

Improvements in and relating to domestic fireplaces

Номер патента: GB454231A. Автор: . Владелец: MARCUS JELLEY. Дата публикации: 1936-09-25.

Process for the recovery of non-ferrous metals from acidic hydrometallurgical leach liquors with a chelate exchange resin

Номер патента: CA1086963A. Автор: Robert M. Wheaton,Kenneth C. Jones. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1980-10-07.

Monoazo pigment* preparation thereof* and coloring of high molecular organic material by using same

Номер патента: JPS54123139A. Автор: Roitsushie Arumando. Владелец: Ciba Geigy AG. Дата публикации: 1979-09-25.

Improvements in and relating to hot-water bottles and like containers made of flexible material

Номер патента: GB528376A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1940-10-29.

Improvements in and relating to Nut Locks.

Номер патента: GB191207162A. Автор: Louis Antoine Garchey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-09-12.

Improvements in and relating to pulley blocks

Номер патента: GB540996A. Автор: . Владелец: HERCULES JOHN DEMETRIADES. Дата публикации: 1941-11-07.

Improvements in and relating to spring suspensions for motor vehicles

Номер патента: GB473170A. Автор: . Владелец: Briggs Manufacturing Co. Дата публикации: 1937-10-07.

Heat pipe light conversion device and semiconductor light emitting device with light conversion device

Номер патента: DE102014219207A1. Автор: Farhang Ghasemi Afshar. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2016-03-24.

Improvements in and relating to fire extinguishers

Номер патента: GB493263A. Автор: . Владелец: CEAG Concordia Elekrizitats AG. Дата публикации: 1938-10-05.

Improvements in and relating to electromagnetic position indicating devices

Номер патента: GB826001A. Автор: James Patrick Corbett,Vincent Alfred Hughes,Anthony Peter Baines. Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1959-12-23.

Improvements in and relating to brush boring and filling machines

Номер патента: GB395142A. Автор: . Владелец: Anton Zahoransky GmbH and Co. Дата публикации: 1933-07-13.

Improvements in and relating to machines for decorticating fibrous materials

Номер патента: GB193202A. Автор: . Владелец: CHARLES LEWIS MORRILL. Дата публикации: 1923-02-22.

Improvements in and relating to propelling pencils and pens

Номер патента: GB640179A. Автор: . Владелец: IND AUTOMATICS Ltd. Дата публикации: 1950-07-12.

Improvements in and relating to devices for damping or moistening articles with small quantities of liquids

Номер патента: GB446318A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1936-04-28.

VIBRATION-DAMPING MATERIALS WITH A LARGE TEMPERATURE RANGE HIGH EFFICIENCY MADE FROM MIXTURES OF HIGHLY POLYMERIC SUBSTANCES WITHOUT ANY OUTER PLASTICIZER

Номер патента: DE1469996B2. Автор: Walter Dr 6000 Frankfurt Bohn Lothar Dr 6241 Glashütten Ebigt Joachim Dr 6000 Frankfurt Oberst Her mann Dr 6238 Hofheim Pfister Horst Dr 6000 Frankfurt Albert. Владелец: Farbwerke Hoechst AG, vormals Mei ster Lucius & Bruning, 6000 Frankfurt. Дата публикации: 1972-09-07.

Improvements in and relating to trolley wire installations

Номер патента: GB778337A. Автор: . Владелец: Emil Haefely et Cie SA. Дата публикации: 1957-07-03.

Improvements in and relating to lifting jacks for vehicles

Номер патента: GB1131067A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1968-10-23.

Improvements in and relating to domestic firegrates, ranges and like appliances

Номер патента: GB659646A. Автор: . Владелец: MAURICE JAMES YOUNG. Дата публикации: 1951-10-24.

Process of obtaining a bio-oriented film, co-extruded, and of low thickness made by a three bubble process that at the time of being thermoformed provides a uniform thickness in the produced tray

Номер патента: US20160200030A1. Автор: Miguel Jorge ZUBIRIA ELIZONDO,Jose Juan VALADEZ LOPEZ. Владелец: ZUBEX INDUSTRIAL SA DE CV. Дата публикации: 2016-07-14.

Wall and ceiling scraping device with collection pan

Номер патента: US6120205A. Автор: William Larson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-09-19.

Method for launching and accelerating unmanned aerial vehicles with a turbojet engine and a device for its implementation

Номер патента: RU2770510C1. Автор: Глеб Владимирович Пономаренко. Владелец: Глеб Владимирович Пономаренко. Дата публикации: 2022-04-18.

Liquid handling member with a membrane assembly comprising a membrane wetting region

Номер патента: WO2001045587A3. Автор: Mattias Schmidt,Bruno Johannes Ehrnsperger,Georgios Poursanidis. Владелец: Georgios Poursanidis. Дата публикации: 2001-12-13.

Liquid handling member with a membrane assembly comprising a membrane wetting region

Номер патента: US20040039300A1. Автор: Mattias Schmidt,Georgios Poursanidis,Bruno Ehmsperger. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2004-02-26.

Liquid handling member with a membrane assembly comprising a membrane wetting region

Номер патента: WO2001045587A2. Автор: Mattias Schmidt,Bruno Johannes Ehrnsperger,Georgios Poursanidis. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2001-06-28.

Cutting land configured to be used in relation with a slicer apparatus and slicing method

Номер патента: EP3651952A1. Автор: Palle Kærgaard LARSEN. Владелец: Marel Salmon AS. Дата публикации: 2020-05-20.

Cutting land configured to be used in relation with a slicer apparatus and slicing method

Номер патента: WO2019011639A1. Автор: Palle Kærgaard LARSEN. Владелец: Marel Salmon A/S. Дата публикации: 2019-01-17.

Dispensing appliance provided with a disposable cooling cartridge

Номер патента: EP3455572A1. Автор: Daniel Peirsman,Stijn Vandekerckhove. Владелец: Anheuser Busch InBev SA. Дата публикации: 2019-03-20.

Dispensing appliance provided with a disposable cooling cartridge

Номер патента: WO2017194736A1. Автор: Daniel Peirsman,Stijn Vandekerckhove. Владелец: Anheuser-Busch InBev S.A.. Дата публикации: 2017-11-16.

Belt buckle arrangement with a belt buckle pivotably mounted on a holder

Номер патента: US09469273B2. Автор: Mikael Jansson,Goran Carlsson. Владелец: Autoliv Development AB. Дата публикации: 2016-10-18.

Surgical devices with removable imaging capability and methods of employing same

Номер патента: US6086528A. Автор: Edwin L. Adair. Владелец: Adair; Edwin L.. Дата публикации: 2000-07-11.

Iodine lamp excited by a capacitive discharge

Номер патента: RU2771223C1. Автор: Йошио Матсумото,Виктор Федотович Тарасенко,Виктор Семенович Скакун,Дмитрий Алексеевич Сорокин,Михаил Иванович Ломаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук, (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2022-04-28.

Devices with an electromagnetic clutch

Номер патента: CA1125196A. Автор: Masaharu Hiraga. Владелец: Sankyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-08.

Belt buckle arrangement with a belt buckle pivotably mounted on a holder

Номер патента: US20160031413A1. Автор: Mikael Jansson,Goran Carlsson. Владелец: Autoliv Development AB. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for operating a motor vehicle with a headlight for the fast and safe setting of a leaving-home position, headlight, and motor vehicle

Номер патента: GB2601061A. Автор: Hummel Benjamin,Walter Dominik,Bossler Maximilian,Tuka Marinko,Swoboda Steffen. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-05-18.

A baler and a method for determining the power drawn by a bale chamber of a baler and a method for determining the quantity of material in a bale chamber and for determining the optimum ground speed for the baler

Номер патента: EP4388864A1. Автор: Martin Glavin,Edward Jones,Padraic Christopher Mchale,Martin William Mchale,John Patrick Biggins,Paul Gerard Mchale,John Alexander WARREN,Conor Paul Shanahan,Dallan Byrne,Tomás Crotty. Владелец: Mchale Engineering Unlimited Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Transalkylation of alklaromatic hydrocarbons in contact with a zeolite catalyst composition

Номер патента: US3677973A. Автор: Edward Michalko,Roy T Mitsche. Владелец: Universal Oil Products Co. Дата публикации: 1972-07-18.

Belt unloader provided with a screw feeder system

Номер патента: US5626218A. Автор: Tadayoshi Kamiwaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Method of bonding a floor-covering web with a backing web

Номер патента: CA1186980A. Автор: Hans-Joachim Friedrich. Владелец: JF Adolff AG. Дата публикации: 1985-05-14.

Preparation of a hexahydrated sodium tripolyphosphate with a high absorption capability

Номер патента: CA1258960A. Автор: Daniel Joubert. Владелец: Rhone Poulenc Chimie de Base SA. Дата публикации: 1989-09-05.

Self-closing valve, especially for dense liquids, with a snap-action device that holds the valve in the open position and is triggered by a deformable housing or the like under suction

Номер патента: DE590524C. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1934-01-04.

Removable coupling for a liquid line with a first and second coupling parts that have a connection and which can be separated by a force in the axial direction of the coupling and / or a moment of rotation, perpendicular to the axial direction, provided with assurance against the turn; dispensing gun; pump.

Номер патента: CL2013003437A1. Автор: Heinz-Ulrich Meyer. Владелец: Elaflex Hiby Tanktechnik Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2014-08-18.

Diaphragm pump with a diaphragm clamped so as to be free of pressure

Номер патента: DE3151764A1. Автор: Horst Dipl.-Ing. 7250 Leonberg Fritsch. Владелец: LEWA GMBH. Дата публикации: 1982-09-02.

Pinion meshing with a given face gear in accordance with altered design parameters

Номер патента: GB2439456A. Автор: Jie Tan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-12-27.

System for automatically sorting animals by results of weighing and identification of number with using selection gate for selecting to veterinary box

Номер патента: RU2637768C2. Автор: Денис Викторович Шилин,Валентин Робертович Краусп,Анатолий Анатольевич Ряузов,Роман Романович Романов,Вадим Дмитриевич Шорин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2017-12-07.

Semisubmersible with tunnel structure

Номер патента: WO2015088746A1. Автор: Nicolaas J. Vandenworm. Владелец: SSP TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Semisubmersible with tunnel structure

Номер патента: US09567044B2. Автор: Nicolaas Johannes Vandenworm. Владелец: JURONG SHIPYARD Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Multilayer flexible element, preferably made of wood, and related production process by laser engraving and/or cutting

Номер патента: RU2597403C2. Автор: Марчелло АНТОНЕЛЛИ,Марта АНТОНЕЛЛИ. Владелец: Май Мантра С.Р.Л.. Дата публикации: 2016-09-10.

Strength training apparatus with flywheel and related methods

Номер патента: US09616276B2. Автор: William Dalebout,Michael L. Olson. Владелец: Icon Health and Fitness Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Reinforcing structure of the front floor of a vehicle with a battery unit in the tunnel

Номер патента: RU2765521C1. Автор: Никола ШНАЙДЕР. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2022-01-31.

Method for producing three-dimensional products of a complex shape of high viscosity polymers and a device for its implementation (options)

Номер патента: RU2664962C1. Автор: Сергей Дмитриевич Калошкин,Фёдор Святославович Сенатов,Алексей Валентинович Максимкин,Алексей Игоревич Салимон,Дилюс Ирекович Чуков,Андрей Александрович Степашкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2018-08-23.

Surgical instrument with clamp closure compensation and related methods

Номер патента: US20240277401A1. Автор: Mark D. Overmyer,Dimitrios Chatzigeorgiou,Yi Zhou Cheng,Jahanshah Fathi,Aedan M. Mangan. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2024-08-22.

Medical procedures trays and related methods

Номер патента: US09510910B2. Автор: Robert W. Titkemeyer,Larry J. Miller,David S. Bolleter,Matthew T. Harmon. Владелец: VIDACARE LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Thermomechanical treatment of high strength non-magnetic corrosion-resistant material

Номер патента: RU2745050C2. Автор: Робин М. ФОРБЗ ДЖОУНС,Рамеш С. МИНИСАНДРАМ,Жан-Филипп А. ТОМА,Джейсон П. ФЛОУДЕР,МЛ. Джорж Дж. СМИТ. Владелец: ЭйТиАй ПРОПЕРТИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-03-18.

Power plant with active boiler of high-temperature fluidised bed with improved characteristics of furnace processes

Номер патента: RU2709591C1. Автор: Сергей Владимирович Саркисов,Владимир Кириллович Тучков,Александр Васильевич Смирнов,Александр Николаевич Корпусов,Сергей Валентинович Александров,Алексей Валентинович Бондарев,Эдуард Владиславович Болбышев. Владелец: Ооо "Тепломех". Дата публикации: 2019-12-18.

Hitching apparatus and related method

Номер патента: GB2615455A. Автор: James Pretlove Harrison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-09.

Protective leaching mask assemblies and related methods

Номер патента: US20230089898A1. Автор: Michael James Gleason. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Aerosol delivery device with an illuminated outer surface and related method

Номер патента: US09451791B2. Автор: Satish Agrawal,M. Glenn Horner,Andries Don Sebastian,Stephen Benson Sears,Frederic Philippe Ampolini,Dennis Lee Potter. Владелец: RAI Strategic Holdings Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Reconstituted tobacco sheets and related methods

Номер патента: RU2680226C2. Автор: Ален КАДИРИЧ,Фабьен Зюшюа. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-02-18.

Method of treatment of varus or valgus gonarthrosis by the method of high corrective osteotomy of tibia by means of a device with an increasing height

Номер патента: RU2672284C1. Автор: Станислав Владимирович Басов. Владелец: Станислав Владимирович Басов. Дата публикации: 2018-11-13.

Segment-carrier system, tunnel-structure formed with such system, kit for assembling the same, and corresponding methods of manufacturing, assembling and operating associated thereto

Номер патента: CA3173826A1. Автор: Olivier Noel. Владелец: Everest Equipment Co. Дата публикации: 2024-02-26.

Segment-carrier system, tunnel-structure formed with such system, kit for assembling the same, and corresponding methods of manufacturing, assembling and operating associated thereto

Номер патента: WO2024040326A1. Автор: Olivier Noel. Владелец: Everest Equipment Co.. Дата публикации: 2024-02-29.

Thermoconductive filler, thermocoductive silicone elastomer composition, and semiconductor devices

Номер патента: WO2004015002A8. Автор: Hiroki Ishikawa,Kazumi Nakayoshi,Katsutoshi Mine,Kimio Yamakawa. Владелец: Kimio Yamakawa. Дата публикации: 2004-11-11.

Thermoconductive filler, thermocoductive silicone elastomer composition, and semiconductor devices

Номер патента: WO2004015002A3. Автор: Hiroki Ishikawa,Kazumi Nakayoshi,Katsutoshi Mine,Kimio Yamakawa. Владелец: Kimio Yamakawa. Дата публикации: 2005-01-06.

Thermoconductive filler, thermocoductive silicone elastomer composition, and semiconductor devices

Номер патента: WO2004015002B1. Автор: Hiroki Ishikawa,Kazumi Nakayoshi,Katsutoshi Mine,Kimio Yamakawa. Владелец: Kimio Yamakawa. Дата публикации: 2005-02-24.

Aquarium cleaning device with selectable secondary cleaning element

Номер патента: US20100083983A1. Автор: Harry Linden,Duard Enoch. Владелец: Enoch Duard W Iii. Дата публикации: 2010-04-08.

Constant rate fluid delivery device with selectable flow rate and titratable bolus button

Номер патента: US09937290B2. Автор: Robert I. Connelly,Kenneth G. Powell. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Duct coupler devices, systems, and related methods

Номер патента: US09879804B2. Автор: Gregory A. Hunsicker,Robert William Sward,John Richard Crigler,Gus Dean Hammonds. Владелец: Structural Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Architectural decoration panel dry-hang structure free in mounting-dismounting and flexible in size combination

Номер патента: US09797143B2. Автор: Sing Tan Andy Luk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Tool for crushing coke in drums by means of high-pressure water jets

Номер патента: US09796105B2. Автор: WOLFGANG Paul,Thomas Hoppe,Andreas WÜPPER. Владелец: Ruhrpumpen GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Device with closure, one-way valve, and storage chamber and related method

Номер патента: US09737435B2. Автор: Daniel Py. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-22.

Surgical kits for body cavity drainage and related methods

Номер патента: US09649415B2. Автор: Harrison M. Lazarus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Cutting elements leached to different depths located in different regions of an earth-boring tool and related methods

Номер патента: RU2658689C2. Автор: Антони А. ДИДЖОВАННИ,Дэнни Э. СКОТТ,Николас Дж. ЛАЙОНС,Дерек Л. НЕЛМС. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2018-06-22.

Medical device package, complete set and related methods

Номер патента: RU2358683C2. Автор: Джон АЛЛЕН,Брайан ВИНДУС-СМИТ. Владелец: Дайэбитиз Дайэгностикс, Инк.. Дата публикации: 2009-06-20.

Catheter with improved safety line for distal tip and related method

Номер патента: RU2659018C2. Автор: Джеффри Л. КЛАРК,Мария ДУАРТЕ,Эрика ЛАВДЖОЙ. Владелец: Байосенс Вебстер (Изрэйл), Лтд.. Дата публикации: 2018-06-26.

Heat exchanger with a liquid/gas mixing device with improved channel geometry

Номер патента: RU2743818C2. Автор: Наташа ХАИК-БЕРО,Филипп ГРИГОЛЕТТО,Софи ЛАЦЦАРИНИ,Жан-Марк Пейрон. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2021-02-26.

Method of preparing pregelatinised, partially hydrolysed starch and related methods and products

Номер патента: RU2671467C2. Автор: Вэйсинь Д. СУН,Ицзюн САН,Крис С. ЛИ,Сизар ЧАНЬ. Владелец: Юнайтед Стейтс Джипсэм Компани. Дата публикации: 2018-10-31.

Toy tunnel structure

Номер патента: US5620396A. Автор: Mark E. Westphal. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-04-15.

Caffeine-absorbing material, caffeine-absorbing system, decaffeination system, and related methods for removing caffeine from solutions

Номер патента: RU2746120C2. Автор: Юй-Лян ЛЮ,Мэттью УИЛЛЕТТ,Чунь-Чиа КАО,Мухамад КХАЛИ. Владелец: Декафино, Инк.. Дата публикации: 2021-04-07.

Process for producing a composite using potassium hexatitanate whiskers having a tunnel structure

Номер патента: US5501264A. Автор: Yasuo Inoue,Hidefumi Harada,Eiji Sadanaga. Владелец: Titan Kogyo KK. Дата публикации: 1996-03-26.

Cutting wheel for a tunnel boring machine

Номер патента: AU2022265189A1. Автор: Jens Brandt,Gerhard Wehrmeyer. Владелец: HERRENKNECHT AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Stand-off charge system including an attachment bracket and related methods

Номер патента: US20170052010A1. Автор: Eric Scheid,Brad Moan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-02-23.

Plastic Syringe Barrel with Lubricant Coating and Plasma Treatment, and Related Syringes and Methods

Номер патента: US20230285678A1. Автор: Vinay Sakhrani,Jackson D. THORNTON. Владелец: TriboFilm Research Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Electronic breath actuated in-line droplet delivery device with small volume ampoule and methods of use

Номер патента: US11771852B2. Автор: Charles Eric Hunter,Christopher W. Maurer,Louis Thomas Germinario,John H. Hebrank,Chengjie LI. Владелец: Pneuma Respiratory Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Process for the preparation of high-solids, low viscosity latex using selective hydrophilic macro-raft agents

Номер патента: EP3956372A1. Автор: Lichang Zhou,Tiffany Chen,Homayoun Jamasbi,David James Wilson,Fabio Trezzi,Pierre-Emmanuel Dufils,Changheon Kang,An Tran,Shailesh MAJMUDAR,Dongcheel Lee,Laurianne Timbart. Владелец: Rhodia Operations SAS. Дата публикации: 2022-02-23.

Needle devices with grip adaptors and related methods

Номер патента: US20240277972A1. Автор: Kavintharan,Siti Nurulhidayah MARZUKI,Mimi Mawar Atikah MOHD MAHADZIR. Владелец: B Braun Melsungen AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of high-viscosity oil pool development by a system of wells with side horizontal shafts (shs)

Номер патента: RU2599995C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Марс Талгатович Ханнанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-10-20.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in and relating to Oil Burning Safety Lamps.

Номер патента: GB190226335A. Автор: James William Boyce. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-11-28.

Improvements in and relating to Trippers or Load-dischargers for Belt Conveyers.

Номер патента: GB190607816A. Автор: Edwin Henry Messiter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-11-15.

Improvements in and relating to Automobiles.

Номер патента: GB189907605A. Автор: Samuel Yoke Heebner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-09-02.

Improvements in and relating to Planing, Shaping, and other Machines having a Quick Return.

Номер патента: GB190101552A. Автор: Tom Oldfield,Joseph Arthur Schofield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-01-23.

Improvements in and relating to Machines for Forming Porcelain Ware.

Номер патента: GB190812974A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1909-07-19.

Improvements in and relating to Bottle Capping Machines.

Номер патента: GB190420741A. Автор: John Edward Lloyd Barnes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-12-15.

Improvements in and relating to Scaffolding Brackets

Номер патента: GB190619127A. Автор: George Edward Humphries. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-11-22.

Improvements in and relating to Billiard Tables.

Номер патента: GB190807933A. Автор: Thomas Henry Cole. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-04-08.

Improvements in and relating to Means for Regulating the Supply of Pulp Water to Pulp Catchers or Savers and the like used in the Manufacture of Paper

Номер патента: GB190304378A. Автор: Robert Dietrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-02-24.

Improvements in and relating to Railway Carriage Door and like Locks

Номер патента: GB190607014A. Автор: Belton Tattnall Hamilton,Lewis Stroud. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-03-21.

Improvements in and relating to Explosive Engines.

Номер патента: GB190207498A. Автор: Hayes Albert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1938-04-12.

Improvements in and relating to Non-refillable Bottles.

Номер патента: GB190812422A. Автор: Henry Fred Erfman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-01-07.

Improvements in, and relating to, Ventilators

Номер патента: GB190316197A. Автор: Carl Johan Oscar Bergstroem. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-07-22.

Improvements in and relating to Lamps for Burning Petroleum and other Liquid Hydrocarbons

Номер патента: GB190316510A. Автор: Joseph Danischevski,Alexandre Meissner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-07-07.

Improvements in and relating to the Side Lights of Steam Ships and other Vessels.

Номер патента: GB190406576A. Автор: John McPherson,John Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-01-19.

Improvements in and relating to Taps or Valves

Номер патента: GB190010162A. Автор: Henry George Daniel French. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-06-01.

Improvements in and relating to Adding Devices.

Номер патента: GB190706272A. Автор: Julius Schmoelcke. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-09-19.

Blasting plan logger, related methods and computer program products

Номер патента: AU2018405401B2. Автор: Tapio Laakko. Владелец: Pyylahti Oy. Дата публикации: 2024-09-26.

Improvements in and relating to Devices for Opening and Closing Fan Light Windows and the like.

Номер патента: GB190525628A. Автор: William Henri Luther. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-09-27.

Process of manufacture of highly expanded plastic material by moulding

Номер патента: RU2140939C1. Автор: О.А. Коршун,Е.Н. Батурина,Б.Н. Графкин,Г.В. Коташевская,А.И. Резанов. Владелец: Открытое акционерное общество Московский институт материаловедения и эффективных технологий. Дата публикации: 1999-11-10.

Surface-coated cutting tool with excellent chipping resistance with a hard coating layer in high-speed intermittent cutting of high-hardness steel

Номер патента: JP4863070B2. Автор: 晃 長田,尚志 本間,惠滋 中村. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2012-01-25.

Improvements in and relating to High Tension Electrometers.

Номер патента: GB191225101A. Автор: Heinz Bauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-03-27.

Improvements in and relating to Tile Presses.

Номер патента: GB190120923A. Автор: . Владелец: GILARDONI FILS A BRAULT ET CIE. Дата публикации: 1902-08-21.

Improvements in and relating to Means for Unwiring Bottles Jars and like Vessels.

Номер патента: GB190811860A. Автор: Percival Child. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-04-01.

Improvements in and relating to Roller Skates.

Номер патента: GB190911635A. Автор: Arthur Pomeroy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-10-07.

Improvements in and relating to Postal Columns or Pillar Boxes.

Номер патента: GB189915278A. Автор: Felix Wohlgrath. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-07-14.

Radiator For Domestic Heating With A Two-Phase Heat-Transfer Fluid

Номер патента: US20120002954A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR THE INJECTION MOULDING OF PLASTIC MATERIAL, PARTICULARLY SUITABLE FOR BEING ASSOCIATED WITH A BLOWING UNIT OF THE MOULDED PLASTIC MATERIAL

Номер патента: US20120003350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Production of high density flexible urethane foams by a one-shot process

Номер патента: CA860993A. Автор: M. Smith Addison. Владелец: Allied Chemical Corp. Дата публикации: 1971-01-12.

Apparatus for monitoring power semiconductor device in assembly with a cooler

Номер патента: SU1499284A1. Автор: Валентин Михайлович Антюхин,Валерий Павлович Феоктистов,Валдис Янович Узарс,Олег Георгиевич Чаусов,Юрий Юрьевич Чуверин,Виктор Дмитриевич Туфляков,Гундис Вигуртович Лаужа. Владелец: Производственное Объединение "Таллиннский Электротехнический Завод Им.М.И.Калинина". Дата публикации: 1989-08-07.

Front focus of the car with a triangular shaped body, the front and right side walls have a convex surface delimited by a lower left vertex, a lower right vertex, inside this surface a lower zone is distinguished with a pair of channels upper and lower ascending.

Номер патента: CL2011000596S1. Автор: Toshiyuki Eda. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-20.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLE TRANSPORT COMPOSITIONS AND RELATED DEVICES AMD METHODS (II)

Номер патента: US20120003790A1. Автор: Wang Jing,Seshadri Venkataramanan,Brown Christopher T.,Woodworth Brian,Mathai Mathew,KNITTEL Christopher R.,Chopra Neetu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND PROCESS FOR RECOGNIZING AND GUIDING INDIVIDUALLY PACKAGED PRODUCTS WITH A CODE

Номер патента: US20120004763A1. Автор: Freudelsperger Karl. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLE TRANSPORT COMPOSITIONS AND RELATED DEVICES AND METHODS (I)

Номер патента: US20120001127A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION

Номер патента: US20120001681A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electric Motor Integrated with a Wheel

Номер патента: US20120001018A1. Автор: Cox Rodney T.,Gilleran Neal,Sweet Robert M.,Edelson Jonathan Sidney,Cox Isaiah Watas. Владелец: BOREALIS TECHNICAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CABLE BARRIER POST ANCHORING DEVICE AND RELATED METHOD

Номер патента: US20120001037A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to determine rheological properties of highly fluid moulding sands and instrument for realisation of this method

Номер патента: RU2545484C2. Автор: Сергей Алексеевич Разумовский,Иван Митрофанович Баранов. Владелец: Иван Митрофанович Баранов. Дата публикации: 2015-04-10.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH RESOLUTION COMPLEX STRUCTURE AND ALLOSTERIC EFFECTS OF LOW MOLECULAR WEIGHT ACTIVATORS ON THE PROTEIN KINASE PDK1

Номер патента: US20120003668A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITAET DES SAARLANDES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COATING METHODS, SYSTEMS, AND RELATED ARTICLES

Номер патента: US20120003497A1. Автор: Gleason Karen K.,Pryce Lewis Hilton G.,Bansal Neeta P.,Handy Erik S.,"OShaughnessy W. Shannan",White Aleksander J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Physically Crosslinked Copolymer Compounds and Related Compositions and Methods for Electrophoretic Separation

Номер патента: US20120000780A1. Автор: Barron Annelise E.,Chiesl Thomas N.. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2012-01-05.

DELIVERING A CONDUIT INTO A HEART WALL TO PLACE A CORONARY VESSEL IN COMMUNICATION WITH A HEART CHAMBER AND REMOVING TISSUE FROM THE VESSEL OR HEART WALL TO FACILITATE SUCH COMMUNICATION

Номер патента: US20120004589A1. Автор: . Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Electrosurgical Devices with Wire Electrode And Methods of Use Thereof

Номер патента: US20120004657A1. Автор: . Владелец: Salient Surgical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Rad3 polypeptide atr homologues, polynucleutides and related methods and materials

Номер патента: RU2252256C2. Автор: Энтони Майкл КАРР. Владелец: Айкос Корпорейшн. Дата публикации: 2005-05-20.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PYRIMIDINE CLASSICAL CANNABINOID COMPOUNDS AND RELATED METHODS OF USE

Номер патента: US20120004250A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Radio-frequency Processing Device and Method and Related Wireless Communication Device

Номер патента: US20120003947A1. Автор: CHEN Wan-Ming,HO Chien-Ting,Su Chih-Chin,Lai Chung-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in and relating to Feed Mechanism for Type-writers and like Machines.

Номер патента: GB189715580A. Автор: Charles Junge. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-08-14.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE WIRELESS COMMUNICATIONS DEVICE INCLUDING A KEYBOARD ASSEMBLY FOR REDUCING SAR AND RELATED METHODS

Номер патента: US20120001851A1. Автор: QIU MEIDE,Chen Huanyu. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Cosmetic Use of N-Substituted Sulfonyloxybenzylamines and Related Compounds

Номер патента: US20120004302A1. Автор: Ptchelintsev Dmitri S.,Lyga John W.,Wyborski Russell,Zheng Qian,Hwang Cheng S.. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY DEVICE WITH NEEDLES AND ROLLER

Номер патента: US20120004638A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488946C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Сергей Владимирович Дедов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Test bench for research of high-speed collisions

Номер патента: RU2289774C1. Автор: Георгий Петрович Шляпников,Петр Николаевич Калмыков,Николай Викторович Лапичев,пников Георгий Петрович Шл. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственный заказчик - Федеральное агентство по атомной энергии. Дата публикации: 2006-12-20.

Method of high-strength thin-wall welded structure manufacture from dissimilar materials, which operates under pressure

Номер патента: RU2549809C1. Автор: Владимир Михайлович Заболотнов,Александр Николаевич Хабаров,Виктор Иванович Трегубов,Николай Александрович Макаровец,Владимир Евгеньевич Ерохин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно- производственное объединение "СПЛАВ". Дата публикации: 2015-04-27.

Method of high-viscosity oil or bitumen pool development

Номер патента: RU2433256C1. Автор: Владимир Борисович Оснос,Равиль Рустамович Ибатуллин,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Зарина Салаватовна Идиятуллина,Евгений Константинович Плаксин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488947C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Викторович Нагалин. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Improvements in and relating to Machinery for Evening and Grading Soles and other Parts of Shoes and for other Allied uses.

Номер патента: GB190401956A. Автор: Alfred George Brookes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-04-07.

IMAGING PIXELS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20120001059A1. Автор: . Владелец: Infrared Newco, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Method to detect contact difference of potentials and related device

Номер патента: RU2471198C1. Автор: Виталий Валентинович Плихунов,Леонид Михайлович Петров,Вячеслав Иванович Муш. Владелец: Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий". Дата публикации: 2012-12-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

A Tunnel-kiln for Baking Pottery and the like

Номер патента: GB190802231A. Автор: Sylvain Vincart-Mouzin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-02-01.

Improvements in and relating to Apparatus for the Automatic Production and the Delivery in Measured Quantities of Aerated Waters.

Номер патента: GB190113099A. Автор: William Lee,William McMurray. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-09-21.

Support structure for a vehicle with a cargo crane

Номер патента: NZ793088A. Автор: Bengt Olof Hammar. Владелец: HAMMAR MASKIN IP AB. Дата публикации: 2022-10-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.