Strained-Induced Mobility Enhancement Nano-Device Structure and Integrated Process Architecture for CMOS Technologies
Номер патента: US20130109142A1
Опубликовано: 02-05-2013
Автор(ы): John Chen, Simon Yang
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-05-2013
Автор(ы): John Chen, Simon Yang
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Strained-induced mobility enhancement nano-device structure and integrated process architecture for cmos technologies
Номер патента: US20120164803A1. Автор: John Chen,Simon Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-06-28.