Substrate structure and device employing the same
Номер патента: US09373817B2
Опубликовано: 21-06-2016
Автор(ы): Hsiao-Fen Wei, Kun-Lin Chuang
Принадлежит: Industrial Technology Research Institute ITRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-06-2016
Автор(ы): Hsiao-Fen Wei, Kun-Lin Chuang
Принадлежит: Industrial Technology Research Institute ITRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Substrate structure and device employing the same
Номер патента: US20160013111A1. Автор: Kun-Lin Chuang,Hsiao-Fen Wei. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-01-14.