Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Variable capacitor and memory device employing the same

Variable capacitor and memory device employing the same

Номер патента: US20020041513A1
Опубликовано: 11-04-2002
Автор(ы): Chul-Woo Lee, Hee-wan Lee, Seung-tae Jung
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09847123B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09564576B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060024918A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080023743A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor Memory Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20230247823A1. Автор: Youngseok Kim,Jae Seong PARK,Sung-wook Jung,Daeyoung MOON,Young Sin Kim,Suhwan Hwang,Seongkeun CHO,Keum Joo Lee,Sungduk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305230A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310581A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220392521A1. Автор: Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US11830544B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US10529415B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20030087480A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US11735280B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240312522A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

3-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508836B2. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US09484526B2. Автор: Sang-Yong Kim,Yoon-Jong Song,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640755B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608040B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jung-Ik Oh,Jong-Kyu Kim,Gwang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09647034B2. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170069687A1. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Multiferroic-assisted voltage controlled magnetic anisotropy memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220068337A1. Автор: Neil Smith,Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09984754B2. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923138B2. Автор: Jae Hoon Kim,Sang Hwan Park,Kwangseok KIM,Keewon Kim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210005807A1. Автор: Baeseong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351795A1. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-01.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: US20140010016A1. Автор: Hiroaki Hazama,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941333B2. Автор: Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Line memory device and image sensor including the same

Номер патента: US09978431B2. Автор: Min-Ho Kwon,Won-Ho Choi,Dong-Hun Lee,Seog-Heon Ham,Kwi-sung Yoo,Wun-ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09608041B2. Автор: Kang Sik Choi,Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Memory device and method for manufacturing the same and method for operating the same

Номер патента: US20220293628A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240012567A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09966115B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile memory device, a storage device having the same and an operating method of the same

Номер патента: US09460795B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Stairless three-dimensional memory device and method of making the same by forming replacement word lines

Номер патента: US20240178130A1. Автор: Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240221831A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466704B2. Автор: Changseok Kang,Sung-Il Chang,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Light-erasable embedded memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728260B1. Автор: Hao Su,Hong Liao,Chao Jiang,Chow Yee Lim. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09653170B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical memory device with gate lines at the same level connected

Номер патента: US09640549B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Seok-Won Lee,Joon-Hee Lee,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595564B1. Автор: Akihito Ikedo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4398695A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240221834A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Self-healing memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230072894A1. Автор: Young Jin Kim,Tae Whan Kim,Hao Qun An. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-03-09.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Variable resistance memory device and method of driving the same

Номер патента: US09666642B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210151452A1. Автор: Kiyoon KANG,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4395493A1. Автор: Gil Sung Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130277637A1. Автор: Byeung Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225763A1. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE,Ling-Chun TSENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170025475A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041783B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320101A1. Автор: Yukio Hayakawa,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210151678A1. Автор: Donhee Ham,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Haeryong Kim,Houk Jang,Chengye LIU,Henry HINTON. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200105343A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical 3d memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210225938A1. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical 3D memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158673B2. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778811B2. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chui Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200203354A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170005261A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10453514B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119025A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226013A1. Автор: Masakazu Goto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240324235A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12137569B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929171B2. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09761314B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685321B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09601207B2. Автор: Eun Seok Choi,Se Hoon Kim,Jung Ryul Ahn,Yong Dae PARK,In Geun Lim,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09589973B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170236559A1. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

ONON sidewall structure for memory device and methods of making the same

Номер патента: US11854621B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230335196A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

ONON sidewall structure for memory device and method for making the same

Номер патента: US12009033B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220415906A1. Автор: Jae Hyun Park,Sung Il Park,Min Gyu Kim,Do Young Choi,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Three-dimensional (3d) semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200075101A1. Автор: Sung-Hun Lee,JoongShik SHIN,Young-bae Yoon,Da Woon JEONG,Seokjung Yun,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210287741A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210358544A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150249095A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Byung-Ho Lee,Jin-Hae Choi,Joo-Hee Han,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352088A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20220199625A1. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US11895849B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210399052A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210288068A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077156A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11488962B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-01.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180137919A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210066583A1. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200136037A1. Автор: Ji-Hyun Jeong,Si-Ho Song,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123272A1. Автор: Ji-Hyun Jeong,Si-Ho Song,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210035635A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON,Cheolseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8048741B2. Автор: Riichiro Shirota,Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8653493B2. Автор: Youngnam HWANG,Myung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US11908517B2. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240145000A1. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20240282376A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306380A1. Автор: Hyeon-Woo Jang,Soo Ho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US6261896B1. Автор: Young-Kwon Jun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-17.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125523B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Tri-state read-only memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5859460A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160093382A1. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8724377B2. Автор: Takaya Yamanaka,Yoshiaki Asao,Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Resistance change memory device and method of sensing the same

Номер патента: US09916894B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334706A1. Автор: Ki Deok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09947378B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09805774B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140376169A1. Автор: Toshiro Yokoyama,Misa Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230282281A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20190196904A1. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120044767A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-Dae Lee,Sung-Ho Seo,Woo-Sik Nam,Hyun-Min Seung,Yool-Guk Kim,Young-Hwan Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Memory device and method of operating the same to prevent occurrence of read fail by adjusting bit line voltage

Номер патента: US10304542B2. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US12074616B2. Автор: Hironori Uchikawa,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Nanowire memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120178233A1. Автор: Jung-Hoon Lee,Jin-Gyoo Yoo,Cheol-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230337415A1. Автор: Yoosang Hwang,MinSu CHOI,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180061501A1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11825755B2. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-21.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11978510B2. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US8450145B2. Автор: Yushi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: SG11201807260RA. Автор: Wei He,Yu Jiang,Franck Gerard Ernult,Eng Keong Chua. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-09-27.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2022246789A1. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090214A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200111525A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2021034431A8. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210057003A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11854655B2. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240203464A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11775459B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240126707A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11900983B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods for generating notifications for updated information from mode registers of a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11977770B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A3. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Methods for clock signal alignment in a memory device and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210027816A1. Автор: Dirgha Khatri,Randon K. Richards. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240096394A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210358539A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11837272B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11810610B2. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3864654A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240127878A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210263685A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019103770A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Eric J. Stave. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-31.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4456069A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US12125515B2. Автор: Sang-Hoon Jung,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140297986A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US09646672B1. Автор: Jae-il Kim,Youk-Hee Kim,Jun-Gi Choi,Jong-Sam Kim,Hee-Seong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210134803A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US7443748B2. Автор: Mamoru Aoki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20120106272A1. Автор: Mi-Hye Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20130083617A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240079050A1. Автор: Ching-Wei Wu,Feng-Ming Chang,Kuang Ting Chen,Peijiun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device, a memory system having the same and an operating method thereof in which a row address is not separated depending on pages in a byte mode operation

Номер патента: US12080332B2. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09847118B1. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device and semiconductor system having the same

Номер патента: US09672896B2. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of operating memory device and refresh method of the same

Номер патента: US09589625B2. Автор: Hyun-Ki Kim,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US09455049B2. Автор: Sung-Yub LEE,Na-Yeon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210280235A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140226422A1. Автор: Suk Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210257018A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150098282A1. Автор: Geun-il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09773838B2. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09859290B1. Автор: BO LIU,Xin Xu,Lanxiang Wang,Hong Liao,Chao Jiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666596B2. Автор: Tomohiro Takamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081043A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125525B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh,Tsung-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09715923B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230094910A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09397108B2. Автор: Sang Hyun Oh,Byung Soo Park,Sun Mi Park,Seo Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666570B2. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

3-dimensional (3D) non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735203B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Jun Yeong Seok. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

A stacked thin-film-transistor non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1912255A3. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812458B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425107B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240284653A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Tao Chou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456692A1. Автор: Kyung Hee Cho,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365527A1. Автор: Kyung Hee Cho,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09721967B2. Автор: Sangwoo Lee,SunWoo Lee,Changwon Lee,Jeonggil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357787A1. Автор: Kyung Hee Cho,Seunghun LEE,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4451331A1. Автор: Kyung Hee Cho,Seunghun LEE,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

3D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524978B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Seok Min JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515074B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170018709A1. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210104527A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220285356A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980027B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20100213987A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11950405B2. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12027209B2. Автор: Jong Woo Kim,Un Sang Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Storage devices including memory device and methods of operating the same

Номер патента: US09460005B2. Автор: Su-Ryun LEE,Youn-Won Park,Hong-Suk Choi,Chun-Um Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09431083B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09570170B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09899097B2. Автор: Youngmin Kim,Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09646977B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20100124107A1. Автор: Mi Sun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Nonvolatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20090296467A1. Автор: Sung-Soo Lee,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20160133323A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Nonvolatile memory devices and methods of driving the same

Номер патента: US20130051164A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972405B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09812223B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US09761306B1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi level antifuse memory device and method of operating the same

Номер патента: US09502132B2. Автор: Chan-Yong Lee,Young-Hun Seo,Min-Soo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09418739B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile memory device and method for driving the same

Номер патента: US09401215B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422475A1. Автор: LING Li,Tsun-Min Cheng,Ronghui Lin,Wen-Yi Teng,Liandie Zhuang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7705372B2. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9780096B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09780096B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210134813A1. Автор: Jeong Hun Kim,Seung Youl Kang,Seungeon Moon,Ji Hoon Jeon,Sung-Min Yoon,Jong Pil IM,Bae Ho Park,Chansoo YOON,Jiyong Woo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020179947A1. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100072525A1. Автор: Yoshinori Kumura,Tohru Ozaki,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735167B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09613967B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09472445B2. Автор: Jong-Un Kim,Sang-Il Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US12004340B2. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5712178A. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Myoung-kwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-27.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180277546A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040013014A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778807B2. Автор: Jungwoo Song,Jun Ho Lee,Yong Kwan Kim,Kwangmin Kim,Sangyeon HAN,Hyuckjin Kang,Seguen Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060284224A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375720A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11328981B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11735500B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220068924A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP4446899A2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09666592B2. Автор: Ji Young Kim,Joon Hee Lee,Tae Hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Electronic system including host, memory controller and memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220171532A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11947412B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240202056A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US8873301B2. Автор: Tae Heui Kwon,Hwang Huh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20130250652A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09837158B2. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077309A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: US20240177746A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: EP4379721A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240021245A1. Автор: Jong Wook Kim,Dong Jun Kim,Hea Jong Yang,Pyung Hwa Kim,Yong Hwan Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230328995A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US12117901B2. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230012513A1. Автор: Wonjun JANG,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Heeyoon Noh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foudation Yonsei University. Дата публикации: 2023-01-19.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111954A1. Автор: Jaeho Jung,Young-Min Ko,Jonguk KIM,Byongju Kim,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215254A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090203178A1. Автор: Sung-Hwan Kim,Na-Young Kim,Chang-Woo Oh,Yong-lack Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Three-dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230309306A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shi-Wei He,Yun-Fan CHOU,Guoguo Kong,Meng Qi ZHUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100165737A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: US12033703B2. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: WO2023059772A1. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-13.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887354B2. Автор: Jin-Woo Lee,Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240381653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530789B2. Автор: Joonhee Lee,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127408B2. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12148714B2. Автор: Di Wang,Wenxi Zhou,Wei Xie,Tingting Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20170270054A1. Автор: Seon-wook Kim,Il Park,Ho-Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230262979A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312908A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432805A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12135882B2. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US09824029B2. Автор: Seon-wook Kim,Il Park,Ho-Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780144B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09761792B2. Автор: Seung-Woo Lee,Jun-Soo Bae,Mi-Lim Park,Shi-jung Kim,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613981B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09543316B2. Автор: Jongwon Kim,Changseok Kang,Hyunmin Lee,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09484351B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US10199381B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230123764A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431418B2. Автор: Won-Seok Jung,Chang-seok Kang,Min-Yong Lee,Sang-Woo Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Stackable non-volatile resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09412789B1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: SG10201901508YA. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240188290A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240204049A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7238574B1. Автор: Kwon Hong,Min Sik Jang,Eun Shil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240177785A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210384258A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: WO2021111159A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240290401A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Three dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203463A1. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Xiaochen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230337556A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240298440A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240357811A1. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12074105B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210265474A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device and methods of operating the same including floating a common source line based on at least one of a program command and an access address

Номер патента: US09905298B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09852796B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Kee-Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09812501B2. Автор: Jin-Woo Lee,Masayuki Terai,Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang,Hyun-Su Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09773566B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583536B2. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Hsuan Lin,Chao-I Wu,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09576626B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and test method of the same

Номер патента: US09508453B2. Автор: Chul-Woo Yang,Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455404B2. Автор: Chin-Tsan Yeh,Bing-Lung Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09443596B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09865540B2. Автор: Hyuk Kim,Seung-pil Chung,Jae-Ho Min,Jong-Kyoung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12029024B2. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206181A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064952A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Bo-Rong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12033957B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022656B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067315A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215235A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215234A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013722A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025434A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237324A9. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20120314518A1. Автор: Sang Oh Lim,Ho Youb Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110220986A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Yu-Fong Huang,Miao-Chih Hsu,Shang-Wei Lin,I-Shen Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220093763A1. Автор: Chih-Hao Lin,Yi-Tsung TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234373A9. Автор: Seungduk Baek,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Memory device and method of making the same

Номер патента: US20240074337A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Cheng-Chun Chang,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098996A1. Автор: Sunggil Kim,Siyeong YANG,Yuyeon Kim,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230189524A1. Автор: Junghwan Park,Joon Sung Kim,Sun Young Lee,Min Gu Kang,Seorim MOON,Seok Cheon Baek,Cheol RYOU,Sang Don ZOO,Cheol-Min LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12048156B2. Автор: Shin-Hwan Kang,Sun-Il Shim,Seung Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081058A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical memory device and method of fabrication the same

Номер патента: US20200266212A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240257851A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4195294A1. Автор: Jinseong Heo,Minhyun LEE,Taehwan MOON,Hagyoul BAE,Seungyeul YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301068A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeonsu KIM,Sangwuk PARK,Hwanchul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12048158B2. Автор: Yujin Kim,WooJin Jang,Bio Kim,Jumi Yun,Philouk Nam,Youngseon Son,Kyongwon An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Three-dimensional nor-type memory device and method of making the same

Номер патента: US20200168630A1. Автор: Hanan Borukhov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160268300A1. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170263856A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20080081413A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Chang-Sub Lee,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee,Dong-Yean Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190067119A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020649A1. Автор: Seok-cheon BAEK,Ji-Sung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190312049A1. Автор: Seok-cheon BAEK,Ji-Sung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210242072A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Antiferroelectric memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20210066348A1. Автор: Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301117A1. Автор: Erh-Kun Lai,Chih-Hsiang Yang,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307069A1. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286988A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230309299A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240274535A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276723A1. Автор: Junhee LIM,SungBok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157290A1. Автор: Chi-Pin Lu,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190035481A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12058858B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170271016A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Hyun Joo,Sungyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11758737B2. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212206A1. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230134878A1. Автор: KANAMORI Kohji,Jeehoon HAN,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4407620A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US12051663B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060202260A1. Автор: Junya Maneki,Masaru Seto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20140003183A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170243945A1. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160322421A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271350A1. Автор: Hiroshi NAKAKl,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10186517B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010009775A1. Автор: Tetsuo Fujii,Minekazu Sakai,Akira Kuroyanagi. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305272A1. Автор: Jin LYU,Kai Jin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010048129A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020195650A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020179959A1. Автор: Tetsuo Fujii,Minekazu Sakai,Akira Kuroyanagi. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Nonvolatile memory device and method of testing the same

Номер патента: US20090290435A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110316066A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240071504A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Pei-Chun Liao,Chieh Lee,Yu-Kai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240324165A1. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: USRE50137E1. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190198511A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12108605B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Chieh-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory devices, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US20240347498A1. Автор: Sangwook Park,Daesik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110462A1. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365531A1. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240365555A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12058850B2. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136594B2. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09997530B2. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985044B2. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09978453B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972631B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966386B2. Автор: Naoki Yamamoto,Hisashi Kato,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966381B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960182B2. Автор: HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Seunghyun Lim,Hyunjun Sim,Sunggil Kim,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09959933B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Multi-level ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954000B2. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905759B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905510B2. Автор: Yosuke Komori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09905301B2. Автор: Ji-Sang LEE,Pil Seon YOO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09893082B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Sangryol Yang,Seunghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09875777B2. Автор: Dae-Ho YUN,Hee-Jin BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871051B2. Автор: Shinya Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistance switching memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853215B1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853050B2. Автор: Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853048B2. Автор: Jong Kyoung Park,Ki Jeong Kim,O Ik Kwon,Su Jee SUNWOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09852942B2. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09842856B2. Автор: Tatsuya Okamoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09831264B2. Автор: Eun-Seok Choi,Sung-wook Jung,Jung-Seok Oh,Sa-Yong SHIM,In-Hey LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US09825052B2. Автор: Shih-Ping Hong,Yao-An Chung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09818753B2. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09786676B2. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US09785380B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09773801B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09748478B2. Автор: Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09747997B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09741454B2. Автор: Sang Kyu Lee,Chang Geun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09735171B2. Автор: Junya Fujita,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same while avoiding process damage to a variable resistance film

Номер патента: US09704922B2. Автор: Hiroyuki Ode,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698150B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09685609B2. Автор: Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09685451B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09679945B2. Автор: Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666595B2. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09659782B2. Автор: Sung-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653562B2. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09646986B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627402B2. Автор: Masayuki Tanaka,Takashi Furuhashi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09607667B1. Автор: Sang Eun Lee,Eun KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09590174B2. Автор: Tadashi Kai,Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Kuniaki Sugiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583535B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583506B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583350B2. Автор: Wei-Chen Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09577059B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570392B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564450B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09564229B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559049B1. Автор: Shih-Ping Hong,Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09553168B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548369B2. Автор: Zu-Sing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09543321B1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09543313B2. Автор: Young-Soo Ahn,Jeong-Seob OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09536892B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536891B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530823B2. Автор: Kensuke Takahashi,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530786B2. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530784B1. Автор: Hsiang-Yu Lai,Zu-Sing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508922B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09490371B2. Автор: Jaeho Choi,Young-Jin Noh,Ji-Hoon Choi,Jaeyoung Ahn,Seunghyun Lim,Kwangmin Park,Bio Kim,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09490013B1. Автор: Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484353B1. Автор: Erh-Kun Lai,Wei-Chen Chen,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478561B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Sangryol Yang,Seunghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472282B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09466339B2. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09461061B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Phil-ouk Nam,Jun-kyu YANG,Hun Hyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical-type nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09431416B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Phil-ouk Nam,Hun-Hyeong Lim,Jun-kyu YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431414B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Phil-ouk Nam,Byong-hyun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431412B1. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09424931B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349481B2. Автор: Seiichi Aritome,Angelo Visconti,Mattia Robustelli,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287283B2. Автор: Eun-Seok Choi,Young-Wook Lee,Ki-hong Lee,Won-Joon Choi,Sang-Bum Lee,Se-Yun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190139984A1. Автор: Jongwon Kim,Jin-Yeon WON,Tae-Wan Lim,Woohyun Park,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: EP3964972A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US10700088B2. Автор: Jongwon Kim,Jin-Yeon WON,Tae-Wan Lim,Woohyun Park,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-30.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200411545A1. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060226505A1. Автор: Yoo-Cheol Shin,Jung-Dal Dhoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Memory device and microelectronic package having the same

Номер патента: US20200212027A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US20240095122A1. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11961561B2. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049469A1. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US11869571B2. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150179661A1. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963350B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230262980A1. Автор: Jaechul Lee,Byung-Sun Park,Dae-Hun Choi,Seungjae Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic bubble memory device and method for operating the same

Номер патента: CA1187175A. Автор: Tsutomu Miyashita,Kazuo Matsuda,Makoto Ohashi,Yoshio Satoh,Kazunari Komenou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090258473A1. Автор: Hyun Park,Sang-gyun Woo,Byung-hong Chung,Cha-Won Koh,Jeong-lim Nam,Seok-Hwan Oh,Yool Kang,Jai-Hyuk Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US8592873B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070134914A1. Автор: Sang-Woo Lee,Kyung-In Choi,Jong-Won Hong,Seung-Gil Yang,Hyun-Bae Lee,Seong-hwee Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11935862B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240055517A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Kuo-Chang Chiang,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US11907044B2. Автор: Jan Otterstedt,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210312993A1. Автор: Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the memory device

Номер патента: US11895845B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US9406402B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10846236B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180225220A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143170A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175368A1. Автор: Doo Kang KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20220091914A1. Автор: Jan Otterstedt,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210366550A1. Автор: Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230395169A1. Автор: Jong Hoon Lee,Se Chun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9466733B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11778823B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230402096A1. Автор: Jong Kyung Park,Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11812611B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170069386A1. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150357346A1. Автор: Chaeho Kim,Phil Ouk NAM,Junkyu Yang,Jaeyoung Ahn,Woon Kyung Lee,Jaegoo Lee,Byong-hyun JANG,Juhyung Kim,KlHYUN HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7977226B2. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Flash Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20100163967A1. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389315A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG182890A1. Автор: Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-08-30.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230413541A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20230065317A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and manufacturing method for the same

Номер патента: US11800704B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290729A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sei Yon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230320094A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240046984A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2021007781A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190019562A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Inter-deck plug in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200111807A1. Автор: Yong Zhang,Enbo Wang,Jialan He,Haohao YANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230328993A1. Автор: Sun Woo Kim,Jin Ho Bin,Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11800708B2. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343740A1. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230317168A1. Автор: Sung Kun Park,Myoung Kwan CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243499A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Resistive memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389338A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337431A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210020566A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100163954A1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210295896A1. Автор: Jae Young Lee,Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Sun Hak KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210249597A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180090224A1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210505A1. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049466A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115442A1. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11974428B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164101A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240185932A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150348990A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210183765A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US7593266B2. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3963630A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225863A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240161841A1. Автор: Seung Geun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098484A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10410692B2. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098587A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Memory device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200243555A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240220142A1. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035519B2. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035524B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206179A1. Автор: LIANG XIAO,Yihuan WANG,Mingkang ZHANG,Yingcheng Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US10325916B2. Автор: Sheng Fen Chiu,Fansheng Kung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11925019B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11925015B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230393759A1. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240064981A1. Автор: Junhyoung Kim,Seonho Yoon,Bonghyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Split Gate Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20150236030A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240004558A1. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159235A1. Автор: Chih-Hao Lin,Chia-Wei Wu,Chien-Chih Li,Yi-Tsung TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11854880B2. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: USRE49921E1. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240081078A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Pin-Cheng HSU,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240164099A1. Автор: Hong-Ji Lee,Tzung-Ting Han,Chang-Wen Jian. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Stairless three-dimensional memory device and method of making the same by forming replacement word lines

Номер патента: US20240179909A1. Автор: Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12048148B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306370A1. Автор: Jang Eun Lee,Byoung Hoon Lee,Sungnam LYU,Hyo Jung Noh,Eul Ji JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284810A1. Автор: Haider Abbas,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: WO2024211099A1. Автор: Tong Liu,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sony Varghese,Anand N. Iyer,Zhijun CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240381783A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240201900A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240184589A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240264863A1. Автор: Yeongon Cho,Wooram YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4411536A1. Автор: Wooram YANG,Yeongon Cho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Controller including map table, memory system including semiconductor memory device, and method of operating the same

Номер патента: US09690698B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7679958B2. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224535A1. Автор: Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422508A1. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240040802A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee,Elia Ambrosi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4002463A1. Автор: Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240244821A1. Автор: Xiaobing Chen,Yu-Hsien Li,Daochu Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230371285A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240114704A1. Автор: Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

3D AND flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12052869B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080158944A1. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240251553A1. Автор: Ji Hoon Lee,Phil Ouk NAM,Young Bong SHIN,Mi Hye KANG,Jun Hee NA,Tae Gi YEH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251544A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Sungjoo An,Seungmin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Solid state electrolyte memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7696509B2. Автор: Cha-Hsin Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230276620A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240284669A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Contact in semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20010009786A1. Автор: Eun-young Minn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324206A1. Автор: Seungmin Lee,Chadong Yeo,Taemok Gwon,Seulji Lee,Seungbeom KO,Byungik Yoo,Changjin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324218A1. Автор: Seulye KIM,Sunggil Kim,Jehong OH,Moohyun Kim,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324199A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240324474A1. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349502A1. Автор: Min Ho Lee,Ji Seong Kim,Sung Soon Kim,Sang Seob Lee,Seok Min JEON,Seong Man Jeon,Tae Hong GWON,Ki Gab YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240357795A1. Автор: Sang Jae Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Hui-jung Kim,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: US09715344B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Seung-Uk Shin,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory devices and methods of controlling the same

Номер патента: US09483413B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240074191A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US5933735A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230354722A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Concentric staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11849575B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11849570B2. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11839079B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory devices and method of forming the same

Номер патента: US11818969B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4326029A2. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: US20240065001A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11744165B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240081072A1. Автор: Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4326029A3. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206167A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Lei Xue,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu,Zhangyi LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4391762A2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230389300A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Yuan-Hao Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240081060A1. Автор: Changhan Kim,In Ku Kang,Dong Hyoub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.