Semiconductor memory device and method for fabricating the same
Номер патента: US20200119092A1
Опубликовано: 16-04-2020
Автор(ы): Chern-Yow Hsu, Harry-Hak-Lay Chuang, Sheng-Haung Haung, Shih-Chang Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-04-2020
Автор(ы): Chern-Yow Hsu, Harry-Hak-Lay Chuang, Sheng-Haung Haung, Shih-Chang Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Variable resistance memory device having an anti-oxidation layer and a method of manufacturing the same
Номер патента: US20220209103A1. Автор: Sanghoon Ahn,Jeonghee Park,Kihyun Hwang,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.