Memory structure and manufacturing method thereof
Номер патента: US20200083344A1
Опубликовано: 12-03-2020
Автор(ы): Chuan-Fu Wang, Hsueh-Chun Hsiao, Tzu-Yun Chang, Yu-Huang Yeh
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-03-2020
Автор(ы): Chuan-Fu Wang, Hsueh-Chun Hsiao, Tzu-Yun Chang, Yu-Huang Yeh
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory structure and fabricating method thereof
Номер патента: US20130105882A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.