Method of placing a semiconducting nanostructure and semiconductor device including the semiconducting nanostructure.

Method of placing a semiconducting nanostructure and semiconductor device including the semiconducting nanostructure

Номер патента: US20110180777A1
Опубликовано: 28-07-2011
Автор(ы): Ali Afzali-Ardakani, Cherie R. Kagan, Emanuel Tutuc, George S. Tulevski, Supratik Guha
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of placing a semiconducting nanostructure and semiconductor device including the semiconducting nanostructure

Номер патента: US8604559B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,Cherie R. Kagan,Supratik Guha,Emanuel Tutuc. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432804A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315023A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230084557A1. Автор: Seongjun Seo,Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase changeable memory device and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US20190181335A1. Автор: Chang Soo Woo,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of fabricating interconnect lines and plate electrodes of a storage capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6090662A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-18.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: US20210036101A1. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: US11462610B2. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: EP3772103A1. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240081075A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7948023B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of manufacturing a dynamic access memory which is suitable for increasing integration and suppressing generation of leakage current using an SOI structure

Номер патента: US5970339A. Автор: Jong Moon Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

method of forming a conductive layer including a local high resistivity region and semiconductor device fabricated using the same

Номер патента: KR100629265B1. Автор: 조성래,호리이히데끼. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-29.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230363153A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-09.

Anti-fuse device and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20120153404A1. Автор: Satoru Yamada,Young-jin Choi,Woo-Song Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-21.

Method of designing/manufacturing semiconductor integrated circuit device using combined exposure pattern and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6604234B2. Автор: Toshio Suzuki,Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-05.

Capacitor and register of semiconductor device, memory system including the semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: CN103165619A. Автор: 李相范,朴仙美,吴尚炫. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-19.

Method of designing/manufacturing semiconductor integrated circuit device using combined exposure pattern and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: KR100857634B1. Автор: 스즈키토시오,우사미미츠오. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2008-09-08.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040185635A1. Автор: Toshitaka Tatsunari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11882693B2. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Chuck assembly, semiconductor device fabricating apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220223452A1. Автор: Taemin EARMME,Seungchul Han,Youngjae Son,Guesuk Lee,Hyeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US12113129B2. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of preparing metal oxide composition, light-emitting device using metal oxide composition prepared thereby, and electronic apparatus including the light-emitting device

Номер патента: US20230313034A1. Автор: Jongwoo Shin,Changhee Lee,Sangyeop Lee,Jaekook HA,SeHun KIM,Dukki Kim,Wonjun PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US20230040335A1. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Power supply apparatus and semiconductor manufacturing equipment, transport system including the same

Номер патента: US20240014059A1. Автор: Sang Oh Kim,Wan Hee JEONG,Chan Young Choi,Hee Jae Byun. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of preparing quantum dot, quantum dot, and ink composition, light-emitting device, optical member, and apparatus, each including the quantum dot

Номер патента: US20230320116A1. Автор: Changhee Lee,Youngsik Kim,Taewan Kim,Sohee Jeong,Yunhyuk KO,EunHye Cho,Mahnmin Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming a solder interconnection capable of sustained high power levels between a semiconductor device and a supporting substrate

Номер патента: US4360142A. Автор: Charles Carpenter,Joseph F. Fugardi,Lawrence V. Gregor,Peter S. Grosewald,Morton D. Reeber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip

Номер патента: US09935056B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240234031A1. Автор: Jooho Lee,Narae HAN,Cheheung KIM,Beomseok Kim,Haeryong Kim,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of Preparing and Storing GaN Substrate, Prepared and Stored GaN Substrate, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20110278588A1. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical access devices, semiconductor device structures, and related methods

Номер патента: US09773888B2. Автор: Haitao Liu,Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Output circuit using calibration circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US09859869B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device

Номер патента: US09859402B2. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and inverter including the semiconductor device

Номер патента: US09887279B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of removing semiconducting layers from a semiconducting substrate

Номер патента: EP3803980A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-04-14.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Interface circuit and semiconductor output circuit device including the same

Номер патента: US20240014818A1. Автор: Seung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Wafer quality inspection method and apparatus, and semiconductor device manufacturing method including the wafer quality inspection method

Номер патента: US20200091012A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Hyuk Choi,Won-Ki Park,Jong-hwi SEO,Seok-Bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods of fabricating buried digit lines

Номер патента: US6555463B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Complementary metal oxide semiconductor device, optical apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9355917B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor Device, Display Device Including The Semiconductor Device, Display Module Including The Display Device, And Electronic Appliance Including The Semiconductor Device, The Display Device, Or The Display Module

Номер патента: US20170256648A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20230343875A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170207247A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory, and memory system

Номер патента: US20240164095A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of etching a metal layer using a mask, a metallization method for a semiconductor device, a method of etching a metal layer, and an etching gas

Номер патента: US20040038547A1. Автор: Chang-jin Kang,Byeong-Yun Nam,Seung-Young Son,Cheol-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device and inverter including the semiconductor device

Номер патента: US20170077272A1. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Stacked semiconductor device and system including the same

Номер патента: US10373661B2. Автор: Jin-Seong Park,Reum Oh,Hae-Suk LEE,Seung-Han Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4355049A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240130123A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device, semiconductor system including the semiconductor device, and method for driving the semiconductor system

Номер патента: US20140312930A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and package including the semiconductor device

Номер патента: US20110316153A1. Автор: Noriyuki Nagai,Kiyomi Hagihara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Component for semiconductor device fabrication apparatus, semiconductor device fabrication apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240170266A1. Автор: Hyun Soo Lee,Ju Young Song,Jong Kyu Lee,Hae Mi KANG,Do Hyun Choi,Il Gu YONG,Ho Geun HAN. Владелец: Solmics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device

Номер патента: US20160276465A1. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and apparatus including the same

Номер патента: US20180277198A1. Автор: Kai-Chieh Hsu,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Aqueous compositions, methods of producing conductive thin films using the same, conductive thin films produced thereby, and electronic devices including the same

Номер патента: US09969893B2. Автор: Hyeon Cheol PARK,Daejin YANG,Jae-Young Choi,Seung-Hyun Baik,Kwang Hee Kim,Jong Wook Roh,Rujun Ma. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of wirelessly transmitting power and device for performing the method

Номер патента: US20230352977A1. Автор: Seong-Min Kim,Sang-Won Kim,Gwangzeen Ko,Jung Ick Moon,In Kui Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240145237A1. Автор: Amit Agrawal,Todd Michael KLEIN,Henri Joseph Lezec,Wenqi ZHU,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

MEMS Device and Method of Manufacturing a MEMS Device

Номер патента: US20150024536A1. Автор: Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-22.

MEMS Device and Method of Manufacturing a MEMS Device

Номер патента: US20140210020A1. Автор: Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20180204955A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Apparatus for ultrapure water supply, semiconductor device manufacturing system including the same and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: KR102492269B1. Автор: 이지연,박주희,김세윤,국동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11756793B2. Автор: Yohei Ishii,Kathryn Maier,Medhat Khalil. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Thin film magnetic memory device and semiconductor integrated circuit device including the same as one of circuit blocks

Номер патента: US20060002216A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Thin film magnetic memory device and semiconductor integrated circuit device including the same as one of circuit blocks

Номер патента: TW594732B. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-06-21.

Thin film magnetic memory device and semiconductor integrated circuit device including the same as one of circuit blocks

Номер патента: TW200404286A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240141503A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Tower lift apparatus and semiconductor device manufacturing system including the same

Номер патента: KR20220094329A. Автор: 이명진,김상오,변희재,이나현. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2022-07-06.

Nickel-based composite positive electrode active material for lithium secondary battery, method of preparing the same, and lithium secondary battery including positive electrode including the same

Номер патента: EP3926712A1. Автор: Jongmin Kim,Youngjoo Chae,Soonkie Hong,YoungKi Kim,Soonrewl LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

REFLECTIVE PHASE RETARDER AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING SUCH REFLECTING PHASE RETARDER

Номер патента: US20140070251A1. Автор: Jen Yi-Jun. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-03-13.

Manufacturing method of mask material for plasma dicing, mask-integrated surface protective tape and semiconductor chip

Номер патента: JP6782215B2. Автор: 拓弥西川,阿久津　晃,晃阿久津. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-11.

Carrier foil-attached metal foil, method of manufacturing the same, and laminate including the same

Номер патента: US20230020180A1. Автор: Sung Wook Chun,Hyun Woo Jeon,Bo Mook Chung. Владелец: YMT Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Sterilization composition for manufacturing ultrapure water for semiconductor device manufacturing process, sterilization method of ultrapure water manufacturing device using same and ultrapure water producing device for semiconductor device manufacturing process

Номер патента: KR19980077718A. Автор: 김승언,김수련,황정성,오윤철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-11-16.

A method of forming a metallic interconnect, method of making a semiconductor interconnect having a metallic interconnect, and a semiconductor interconnect semiconductor device array

Номер патента: DE102017122865B3. Автор: Thorsten Meyer,Manfred Schneegans,Klaus Schmidt,Joachim Mahler,Khalil Hosseini,Georg Meyer-Berg,Irmgard Escher-Poeppel,Ivan Nikitin,Edmund Riedl,Patrick Schwarz,Reinhard Pufall,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-14.

Ceramic substrate, method of manufacturing the ceramic substrate, electrostatic chuck, substrate fixing device, and package for semiconductor device

Номер патента: US20230377933A1. Автор: Akira Goto. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of growing a III-V group compound material on a substrate, and a semiconductor device and a lighting apparatus comprising the III-V group compound material

Номер патента: TW201411875A. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Hsing-Kuo Hsia,Hsin-Chieh Huang,Chung-Pao Lin,Cindy Hui-Chun Shu. Владелец: Tsmc Solid State Lighting Ltd. Дата публикации: 2014-03-16.

Nanostructure and manufacturing method thereof and solar cell including the same

Номер патента: KR101232299B1. Автор: 고승환,성형진,강현욱,여준엽,홍석준. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-02-13.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming a finfet semiconductor device with undoped fins

Номер патента: US20150123214A1. Автор: Teck Jung Tang,Andy C. Wei,Akshey Sehgal,Francis M. Tambwe,Seung Y. Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, ferroelectric capacitor and laminated structure

Номер патента: US12040377B2. Автор: Ying-Chih Chen,Blanka Magyari-Kope. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, ferroelectric capacitor and laminated structure

Номер патента: US20230246087A1. Автор: Ying-Chih Chen,Blanka Magyari-Kope. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Dielectric having high-dielectric constant, method of manufacturing the same, target material for manufacturing the dielectric, electronic device including the dielectric, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230178584A1. Автор: Hyungjun Kim,Jooho Lee,Yongsung Kim,Yong-hee Cho,Boeun PARK,Jeongil BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Resist underlayer composition, method of forming patterns, and semiconductor integrated circuit device including the pattern

Номер патента: US20160041470A1. Автор: Hwan-Sung Cheon,Jun-Ho Lee,Hyo-Young KWON,Min-Gyum KIM. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20140038341A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices and Structures Thereof

Номер патента: US20150364328A1. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices and Structures Thereof

Номер патента: US20130224942A1. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-29.

Methods of fabricating semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US8778765B2. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-15.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20090057798A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device, ferroelectric capacitor and laminated structure

Номер патента: US20240339519A1. Автор: Ying-Chih Chen,Blanka Magyari-Kope. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09972678B2. Автор: Chia-Lin Wang,Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Shih-Chieh Pu,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2678509C1. Автор: Акинори САКАКИБАРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor Devices Including Backside Power Via and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387012A1. Автор: Tze-Liang Lee,Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, and control method of semiconductor device

Номер патента: US09819518B2. Автор: Yoshifumi Ikenaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Methods of treating semiconducting materials and treated semiconducting materials

Номер патента: US20090297395A1. Автор: Natesan Venkataraman,Prantik Mazumder,Glen Bennett Cook,Christopher Scott Thomas,Kamal Kishore Soni. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Methods of treating semiconducting materials and treated semiconducting materials

Номер патента: WO2009148561A1. Автор: Natesan Venkataraman,Prantik Mazumder,Glen B Cook,Christopher S Thomas,Kamal K Soni. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-12-10.

Methods of treating semiconducting materials and treated semiconducting materials

Номер патента: EP2294606A1. Автор: Natesan Venkataraman,Prantik Mazumder,Glen B Cook,Christopher S Thomas,Kamal K Soni. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Test board and semiconductor device test system including the same

Номер патента: US20220082609A1. Автор: Minseok HONG,Minsuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of start-up of a switched reluctance motor

Номер патента: RU2669192C2. Автор: Алексей Николаевич Агафонов,Константин Эдуардович Буренков,Андрей Владимирович Чернов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ГИОР". Дата публикации: 2018-10-09.

Method of series connection of additional direct current sources for voltage leveling in network with load increase

Номер патента: RU2750614C2. Автор: Олег Адгамович НИГМАТУЛЛИН,Геннадий Анисимович СКОСЫРСКИЙ. Владелец: Геннадий Анисимович СКОСЫРСКИЙ. Дата публикации: 2021-06-30.

Method for fabricating semiconductor device and lead frame

Номер патента: US20190122900A1. Автор: Shinichi Nishimura,Shoji Hashizume. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

METHOD OF OBTAINING Mn-Fe-CONTAINING SPIN-GLASS MAGNETIC MATERIAL

Номер патента: RU2676047C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Великанов,Юрий Владимирович Князев,Леонид Александрович Соловьев,Михаил Сергеевич Платунов,Наталья Валерьевна Казак,Евгения Михайловна Мошкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2018-12-25.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230369324A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US11810917B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210335783A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications

Номер патента: US20240231243A1. Автор: Marinus Petrus REIJNDERS,Patrick Sebastian UEBEL,Hendrik Sabert. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of remote abnormal state reset of racks used in data center

Номер патента: RU2710288C1. Автор: ЛИНЬ Вэй-Чэн,ХСИН По-Шэн,ЛИНЬ Чэн-Хань. Владелец: ЭйАйСи ИНК.. Дата публикации: 2019-12-25.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A3. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacturing method of semiconductor structure including planarizing a polysilicon layer over an array area and a periphery area

Номер патента: US09754788B2. Автор: Boon-Tiong Neo,Han-Chuan Fang,Ji-Gang PAN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic device and method of its control

Номер патента: RU2641480C2. Автор: Янг-ик ДЗАНГ,Чанг-йонг КИМ,Дзонг-хиук ДЗАНГ,Дзеа-хее ХАН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-01-17.

Positive electrode active material for lithium secondary battery, method of preparing the positive electrode active material, positive electrode for lithium secondary battery including the positive electrode active material, and lithium secondary battery

Номер патента: EP4410746A1. Автор: Soohyeon KIM,Yongchan You,Jangwook LEE,Seungyeon Choi,Byungwuk Kang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Client device and method of operating transport layer security pre-shared key protocol in client device

Номер патента: WO2023083447A1. Автор: YONG Li,LI Duan,Lijun LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-19.

Client device and method of operating transport layer security pre-shared key protocol in client device

Номер патента: EP4264872A1. Автор: YONG Li,LI Duan,Lijun LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of preparing positive electrode active material precursor for lithium secondary battery and positive electrode active material precursor prepared by the method

Номер патента: US12132203B2. Автор: Duck Gyun Mok,Ji Hun JUNG,Eung Ju Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20200135769A1. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-04-30.

Metal oxide thin film semiconductor device monolithically integrated with dissimilar device on the same wafer

Номер патента: US10930676B2. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2021-02-23.

Method of random access, terminal device, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US20220117001A1. Автор: Cong Shi. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Etching apparatus and methods of cleaning thereof

Номер патента: US12080582B2. Автор: Wei-Jen Lo,Lun-Kuang Tan,Yu-Chi Lin,Chih-Teng Liao,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

A method of communicating over an interactive medium

Номер патента: WO2002078342A2. Автор: Jason White,Grant Ritchie,Arlen Ritchie. Владелец: 3Genius Corporation. Дата публикации: 2002-10-03.

Positive electrode active material for lithium secondary battery, method of preparing the positive electrode active material, positive electrode for lithium secondary battery including the positive electrode active material, and lithium secondary battery

Номер патента: US20240266529A1. Автор: Soohyeon KIM,Yongchan You,Jangwook LEE,Seungyeon Choi,Byungwuk Kang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of random access, terminal device, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US12108458B2. Автор: Cong Shi. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Etching apparatus and methods of cleaning thereof

Номер патента: US20240355663A1. Автор: Wei-Jen Lo,Lun-Kuang Tan,Yu-Chi Lin,Chih-Teng Liao,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Multiple-pole cable connector and manufacturing method of multiple-pole cable connector

Номер патента: RU2565385C1. Автор: Лотар ШТИГХОРСТ,Дитмар ДУКС,Удо ХАУМЕРСЕН,Маркус Беккер. Владелец: ФЕНИКС КОНТАКТ ГМБХ УНД КО. КГ. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of inhibiting corrosion of copper plated or metallized surfaces and circuitry during semiconductor manufacturing processes

Номер патента: WO2005015608A2. Автор: John E. Hoots,Brian V. Jenkins. Владелец: NALCO COMPANY. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of inhibiting corrosion of copper plated or metallized surfaces and circuitry during semiconductor manufacturing processes

Номер патента: EP1660954A4. Автор: John E Hoots,Brian V Jenkins. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2009-04-15.

Method of managing print jobs when error occurs in printing system and apparatus for performing the same

Номер патента: US20190163411A1. Автор: Chan Wook Kang,Hong Ju JIN. Владелец: Bixolon Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US20200274043A1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Pre space transformer, space transformer manufactured using the pre space transformer, and semiconductor device inspecting apparatus including the space transformer

Номер патента: US09947457B2. Автор: Ki Young Kim,Kwang Jae Oh,Yoon Hyuck Choi. Владелец: Semcns Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods of achieving equal distribution of packets in a multicore system which acts as a tunnel end point

Номер патента: US09923818B2. Автор: Vivekanand Rangaraman,Janraj CJ. Владелец: Citrix Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor devices comprising 2D-materials and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859115B2. Автор: Si-Chen Lee,Samuel C. Pan,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US09842976B2. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Conductive clip for semiconductor device package

Номер патента: US20090294934A1. Автор: Lei Shi,Ming Sun,Kai Liu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: EP2325900B1. Автор: Yoshiki Inoue,Katsuyoshi Kadan. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element

Номер патента: WO2004030047A1. Автор: Yoon-Seong Kim,Soo-Byong Chea,Jin-Ki Kang,Han-Gyun Kim. Владелец: ILJIN DIAMOND CO., LTD.. Дата публикации: 2004-04-08.

Error detection code generation circuits of semiconductor devices, memory controllers including the same and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20200044669A1. Автор: Young-Sik Kim,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Su-yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

ERROR DETECTION CODE GENERATION CIRCUITS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, MEMORY CONTROLLERS INCLUDING THE SAME AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210091791A1. Автор: Kim Young-Sik,DOO SU-YEON,RYU Ye-Sin,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

ERROR DETECTION CODE GENERATION CIRCUITS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, MEMORY CONTROLLERS INCLUDING THE SAME AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180159558A1. Автор: Kim Young-Sik,DOO SU-YEON,RYU Ye-Sin,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ERROR DETECTION CODE GENERATION CIRCUITS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, MEMORY CONTROLLERS INCLUDING THE SAME AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200162112A1. Автор: Kim Young-Sik,DOO SU-YEON,RYU Ye-Sin,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Plasma process simulation method and semiconductor device manufacturing method including the same

Номер патента: US20240274416A1. Автор: Seungmin Lee,Inkook Jang,Suntaek LIM,Dongig OH,Jaesik An,Joohyun JEON,Thanh Cuong Nguyen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

METHOD OF REMOVING SEMICONDUCTING LAYERS FROM A SEMICONDUCTING SUBSTRATE

Номер патента: US20210242086A1. Автор: Kamikawa Takeshi,Gandrothula Srinivas. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-08-05.

Device, system and method of delivering targeted advertisements using wireless application protocol

Номер патента: EP2013744A2. Автор: Yoad Gonen,Zohar Levkovitz. Владелец: Amobee Ltd. Дата публикации: 2009-01-14.

Lighting device and method of forming a lighting device

Номер патента: WO2022120185A1. Автор: Daniel Roitman,Emma DOHNER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09947703B2. Автор: Atsushi Toda,Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Yuko Ohgishi,Kenji Azami. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Hearing device considering external environment of user and control method of hearing device

Номер патента: US09794699B2. Автор: Dong Wook Kim,Jong Min Choi,Jong Jin Kim,Yoon Chae Cheong,Yun Seo Ku,Jun Il Sohn,Jun Whon Uhm,Heun Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Binder composition for rechargeable lithium battery, method of preparing same, electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery including same

Номер патента: US09768448B2. Автор: Soo-jung Kim,Kwang-Sik Choi,Byung-joo Chung,Yeon-Hee YOON,Nam-Seon Kim. Владелец: Aekyung Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Hardmask composition, method of forming patterns using the hardmask composition and semiconductor integrated circuit device including the patterns including the patterns

Номер патента: KR101680274B1. Автор: 김고은,김영민,최유정,신승욱,박유신,홍승희,김혜정,송현지,김윤준,문준영,박유정,윤용운,이충헌,박요철. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2016-11-29.

Hardmask composition, method of forming patterns using the hardmask composition and semiconductor integrated circuit device including the patterns including the patterns

Номер патента: KR20150003034A. Автор: 김고은,김영민,최유정,신승욱,박유신,홍승희,김혜정,송현지,김윤준,문준영,박유정,윤용운,이충헌,박요철. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2015-01-08.

Hardmask composition, method of forming patterns using the hardmask composition and semiconductor integrated circuit device including the patterns including the patterns

Номер патента: KR20150001445A. Автор: 김고은,김영민,최유정,신승욱,박유신,홍승희,김혜정,송현지,김윤준,문준영,박유정,윤용운,이충헌,박요철. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2015-01-06.

Hardmask composition, method of forming patterns using the hardmask composition and semiconductor integrated circuit device including the patterns including the patterns

Номер патента: KR101684977B1. Автор: 김고은,김영민,최유정,신승욱,박유신,홍승희,김혜정,송현지,김윤준,문준영,박유정,윤용운,이충헌,박요철. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2016-12-09.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

METHODS OF FABRICATING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210036101A1. Автор: Kim Seungjin,Bae Jinwoo,CHOI Yoonyoung,PARK SangJae,Lee Byunghyun,CHOI Bowo,KU BYEONGJOO,LEE HANGEOL,HONG HYUNSIL. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US6746942B2. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-06-08.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20050104125A1. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Vertical channel device and method of forming same

Номер патента: US20190198643A1. Автор: Zheng Tao,Anabela Veloso,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Synapse element with learning function and semiconductor integrated circuit device including the synapse element

Номер патента: TW200300901A. Автор: Yutaka Arima. Владелец: Expl Of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-16.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20170148742A1. Автор: Kim Myoung-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

HARDMASK COMPOSITION, METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE HARDMASK COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERNS

Номер патента: US20150187566A1. Автор: Choi Yoo-Jeong,SONG Hyun-Ji,KIM Yun-Jun,MOON Joon-Young,PARK Yu-Shin,PARK You-Jung,SHIN Seung-Wook,YOON Yong-Woon,LEE Chung-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20020110990A1. Автор: Yong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

HARDMASK COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERNS

Номер патента: US20140183701A1. Автор: LEE Bum-Jin,Choi Yoo-Jeong,KIM Yun-Jun,MOON Joon-Young,LEE Chung-Heon,Cho Youn-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Resist underlayer composition, method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140319659A1. Автор: Hwan-Sung Cheon,Jun-Ho Lee,Hyo-Young KWON,Min-Gyum KIM. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Resist underlayer composition, method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101655394B1. Автор: 이준호,전환승,김민겸,권효영. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2016-09-07.

Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101344788B1. Автор: 김민수,전환승,최유정,송지윤,조성욱,오승배. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2013-12-26.

Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101423171B1. Автор: 김영민,김민수,전환승,이철호,송지윤,이충헌. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2014-07-25.

Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101432605B1. Автор: 김민수,전환승,최유정,송지윤,오승배. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2014-08-21.

Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101344793B1. Автор: 김민수,전환승,최유정,송지윤,오승배. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2013-12-26.

Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: TW201426199A. Автор: Yun-Jun KIM,Chung-Heon Lee,Bum-Jin LEE,Yoo-Jeong Choi,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Ind Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Resist underlayer composition, method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9195136B2. Автор: Hwan-Sung Cheon,Jun-Ho Lee,Hyo-Young KWON,Min-Gyum KIM. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Hardmask Composition And Method Of Forming Patterns And Semiconductor Integrated Circuit Device Including The Patterns

Номер патента: CN103903962B. Автор: 赵娟振,金润俊,李忠宪,文俊怜,崔有廷,李范珍. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Resist underlayer composition, method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101666483B1. Автор: 이성재,전환승,권효영. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2016-10-14.

Hardmask composition and method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101556278B1. Автор: 이성재,조연진,전환승,이철호,문준영,박유정. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2015-09-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Simulation model for design of semiconductor device, thermal drain noise analysis method, simulation method, and simulation apparatus

Номер патента: US7213218B2. Автор: Hiroaki Ueno,Satoshi Hosokawa,Mitiko Miura. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2007-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087857B2. Автор: Tao Chen,Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20220020781A1. Автор: Yamazaki Shunpei,OKAZAKI Kenichi,NAKADA Masataka,KATAYAMA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20210013239A1. Автор: Yamazaki Shunpei,OKAZAKI Kenichi,NAKADA Masataka,KATAYAMA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20170207247A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,NAKADA Masataka. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20150221678A1. Автор: Yamazaki Shunpei,OKAZAKI Kenichi,NAKADA Masataka,KATAYAMA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20150249157A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, OR THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20150249160A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20150263174A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,NAKADA Masataka. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20190244981A1. Автор: Yamazaki Shunpei,OKAZAKI Kenichi,NAKADA Masataka,KATAYAMA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor Device, Display Device Including The Semiconductor Device, Display Module Including The Display Device, And Electronic Appliance Including The Semiconductor Device, The Display Device, Or The Display Module

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, OR THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20150270407A1. Автор: OIKAWA Yoshiaki,Suzuki Yukie. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20200313002A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY MODULE INCLUDING THE DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE DISPLAY DEVICE, AND THE DISPLAY MODULE

Номер патента: US20160336352A1. Автор: Yamazaki Shunpei,OKAZAKI Kenichi,NAKADA Masataka,KATAYAMA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Method of manufacturing semiconductor devices having improved polycide integrity through introduction of a silicon layer within the polycide structure

Номер патента: US6153452A. Автор: Pradip K. Roy,Hem M. Vaidya,Sailesh M. Merchant,Arun K. Nanda. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20020016020A1. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: TW202105694A. Автор: 山崎舜平,中田昌孝,岡崎健一,片山雅博. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-01.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: TWI738384B. Автор: 山崎舜平,中田昌孝,岡崎健一,片山雅博. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2021-09-01.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: KR20230113238A. Автор: 슌페이 야마자키,페이 야마자키,다이스케 구로사키,준이치 고에즈카,마사미 진쵸. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2023-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010001744A1. Автор: Kazuhiro Chiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20110250741A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and 3d nand memory

Номер патента: US20230253511A1. Автор: LAN Yao,Lu Zhou,Quan Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor chip including align mark protection pattern and semiconductor package including semiconductor chip including the align mark protection pattern

Номер патента: US20230154860A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160035934A1. Автор: Lai Yen-Lin,Li Yu-Chu,Wu Jyun-De. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180047869A1. Автор: Lai Yen-Lin,Li Yu-Chu,Wu Jyun-De. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2018-02-15.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140138616A1. Автор: Huang Chi-Feng,Wang Shen-Jie,Li Yu-Chu,Wu Jyun-De,Lin Ching-Liang,LEE CHUN-CHIEH. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140138617A1. Автор: Lai Yen-Lin,Wang Shen-Jie. Владелец: GENESIS PHOTOMICS INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140138618A1. Автор: Li Yu-Chu,Wu Jyun-De. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140138619A1. Автор: Lai Yen-Lin,Li Yu-Chu,Wu Jyun-De. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Lai Yen-Lin,Wang Shen-Jie. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: USRE47088E1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-10-16.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US10381511B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of making semiconductor devices having two-layer gate structure

Номер патента: US5393683A. Автор: Charles H. Dennison,Viju K. Mathews,Pierre Fazan,Roy Maddox,Akram Ditali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20160191044A1. Автор: Yoshifumi Ikenaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Oscillation circuit and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US20150244318A1. Автор: Junichi Saito,Kimihiro Nakao. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164091A1. Автор: Jungho Lee,Choasub KIM,Chung Jin Kim,Hyungang Kim,Soyeon Seok,Yunkyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US12009419B2. Автор: Yong Sin HAN,Myeong Bum PYUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Data transmission device, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20180062651A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070032005A1. Автор: Satoshi Nakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7405118B2. Автор: Satoshi Nakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE HOUSING PACKAGE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Tsujino Mahiro,Miyahara Manabu. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20180247872A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of Separating Semiconductor Dies from a Semiconductor Substrate, Semiconductor Substrate Assembly and Semiconductor Die Assembly

Номер патента: US20170345716A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

A method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate array, and semiconductor die array

Номер патента: DE102016109693A1. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20110241123A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Metal substrate structure and method of manufacturing a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module

Номер патента: WO2022189068A1. Автор: David GUILLON,Harald Beyer,Roman EHRBAR. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-15.

METHOD OF PROVIDING SOURCE AND DRAIN DOPING FOR CMOS ARCHITECTURE INCLUDING FINFET AND SEMICONDUCTOR DEVICES SO FORMED

Номер патента: US20190131182A1. Автор: Obradovic Borna J.,Hong Joon Goo,Rodder Mark S.,Wang Wei-E. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

PHASE CHANGEABLE MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190181335A1. Автор: OH Dong Yean,WOO Chang Soo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

OSCILLATION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150244318A1. Автор: SAITO Junichi,Nakao Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Method of producing composite carbon radar absorbing product

Номер патента: RU2743900C1. Автор: Игорь Сергеевич Петров,Егор Викторович Олифер. Владелец: Игорь Сергеевич Петров. Дата публикации: 2021-03-01.

Method of transverse pumping of the active laser medium

Номер патента: RU2657125C9. Автор: Андрей Борисович Смирнов,Григорий Николаевич Качалин,Станислав Михайлович Куликов,Станислав Александрович Сухарев,Николай Александрович Кирдяев,Сергей Андреевич Кунин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-10-08.

Manufacturing method of aluminum alloy member with excellent corrosion resistance and insulating properties, and semiconductor device with surface treatment

Номер патента: KR20220062697A. Автор: 정유현. Владелец: 정유현. Дата публикации: 2022-05-17.

Reflector packages and semiconductor light emitting devices including the same

Номер патента: US7612383B2. Автор: James Ibbetson,Eric Tarsa,Gerald H. Negley,Michael Leung,Peter Andrews,Thomas G. Coleman. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Switching device and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US8461904B2. Автор: Taewhan Kim,Tak-Yung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-11.

Reflector packages and semiconductor light emitting devices including the same

Номер патента: US20080087910A1. Автор: James Ibbetson,Eric Tarsa,Gerald Negley,Thomas Coleman,Michael Leung,Peter Andrews. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Method of manufacturing a metal silicide layer above a silicon carbide substrate, and semiconductor device comprising a metal silicide layer

Номер патента: US20230215729A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Axel König,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Gregor Langer,Florian Markus GRASSE,Bemhard LEITL,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-06.

Methods of forming through wafer interconnects in semiconductor structures using sacrificial material and semiconductor structures formes by such methods

Номер патента: TW201214627A. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2012-04-01.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US11032497B2. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Stack package and semiconductor integrated circuit device including a variable voltage

Номер патента: US20160254213A1. Автор: Kyung Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20190341410A1. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20210368114A1. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20180026060A1. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230066988A1. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20190206910A1. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US9812485B2. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US11849081B2. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Solid state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200335535A1. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Method of improving the conductivity of a microelectronic conductive tungsten silicide film and semiconductor device comprising said film

Номер патента: DE3166074D1. Автор: Robert James Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-10-18.

CAPACITOR AND REGISTER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150050796A1. Автор: PARK Sun Mi,Oh Sang Hyun,LEE Sang Bum. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

DATA TRANSMISSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180062651A1. Автор: JUNG Hae Kang. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

PRE SPACE TRANSFORMER, SPACE TRANSFORMER MANUFACTURED USING THE PRE SPACE TRANSFORMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING APPARATUS INCLUDING THE SPACE TRANSFORMER

Номер патента: US20140176171A1. Автор: Oh Kwang Jae,CHOI Yoon Hyuck,Kim Kuk Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

PRE SPACE TRANSFORMER, SPACE TRANSFORMER MANUFACTURED USING THE PRE SPACE TRANSFORMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING APPARATUS INCLUDING THE SPACE TRANSFORMER

Номер патента: US20140176181A1. Автор: KIM Ki Young,Oh Kwang Jae,CHOI Yoon Hyuck. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

PRE SPACE TRANSFORMER, SPACE TRANSFORMER MANUFACTURED USING THE PRE SPACE TRANSFORMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTING APPARATUS INCLUDING THE SPACE TRANSFORMER

Номер патента: US20170169931A1. Автор: KIM Ki Young,Oh Kwang Jae,CHOI Yoon Hyuck. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications

Номер патента: EP3786712A1. Автор: Marinus Petrus REIJNDERS,Patrick Sebastian UEBEL,Hendrik Sabert. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2021-03-03.

Protective observation system and relevant method of initializing alarm

Номер патента: RU2628745C2. Автор: Сяопин ХУ,Ся ШЭНЬ. Владелец: БОЛИ МЕДИА КОММУНИКЕЙШНЗ (ШЭНЬЧЖЭНЬ) КО., ЛТД.. Дата публикации: 2017-08-21.

Pin header assembly and method of forming the same

Номер патента: WO2014066805A1. Автор: Catalin Nastasa,Jacobo BARRAZA-RUBIO. Владелец: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of integrating three bipolar transistors in a semiconductor body, multilayer device and semiconductor apparatus

Номер патента: EP1628340A1. Автор: Christoph Dipl.-Phys. Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-02-22.

Manufacturing method of semiconductor packaging member, semiconductor packaging member and mounting method thereof

Номер патента: US20230411252A1. Автор: Kai Liu,Yaqin Wang. Владелец: Jcet Semiconductor Suqian Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US20140346553A1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US20180090651A1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US20160372649A1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Metal substrate structure and method of manufacturing a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor module

Номер патента: EP4068348B1. Автор: David GUILLON,Harald Beyer,Roman EHRBAR. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

FinFET Device Structure and Methods of Making Same

Номер патента: US20150118815A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240008283A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240008288A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications

Номер патента: US11971663B2. Автор: Marinus Petrus REIJNDERS,Patrick Sebastian UEBEL,Hendrik Sabert. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-04-30.

High-Crystallinity Barium Titanate Film Structure, Method of Preparation and Application Thereof

Номер патента: US20240102170A1. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing

Номер патента: US20120241785A1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

EXTREME ULTRAVIOLET PHOTOMASK MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210033959A1. Автор: Park Jongju,Park Sanguk,Han Hakseung,Yi Raewon. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

AQUEOUS COMPOSITIONS, METHODS OF PRODUCING CONDUCTIVE THIN FILMS USING THE SAME, CONDUCTIVE THIN FILMS PRODUCED THEREBY, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160060468A1. Автор: CHOI Jae-Young,PARK Hyeon Cheol,KIM Kwang Hee,Ma Rujun,YANG Daejin,ROH Jong Wook,BAIK Seung-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Test board and semiconductor device test system including the same

Номер патента: US20220082609A1. Автор: Minseok HONG,Minsuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

GAS MIXER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING APPARATUSES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170084471A1. Автор: Kim Hojun,LIM Hongtaek,KIM Kangsoo,NAM Jeonghoon,PARK Sejun. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

WAFER QUALITY INSPECTION METHOD AND APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD INCLUDING THE WAFER QUALITY INSPECTION METHOD

Номер патента: US20200091012A1. Автор: Choi Jong-Hyun,CHOI Jae-Hyuk,Moon Seok-Bae,Park Won-Ki,Seo Jong-Hwi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

PLASMA ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210104382A1. Автор: LEE Minjae,SHIM SeungBo,Kim Yonghee,NA Donghyeon,Sung Dougyong,CHOI Myungsun,HUR Minyoung,Han Byunghun,KANG Hyeongmo. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

INSPECTION APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170116727A1. Автор: KIM Kwang Soo,Park Sangbong,KIM YOUNGDUK,JEON Byeonghwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package including the same

Номер патента: US20160133615A1. Автор: Jung Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

RETICLE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Yang Jaewon,Kim Sangwook,CHO WOO-YONG. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

METHOD OF PROCESSING DATA FOR DYNAMIC VISION SENSOR, DYNAMIC VISION SENSOR PERFORMING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190364230A1. Автор: Ryu Hyun-surk,YEO Dong-Hee,PARK Keun-Joo,LEE Hyun-Ku,JUNG Hee-Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-11-28.

Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same

Номер патента: EP2011163A2. Автор: Bernd Keller,Nicholas W. Medendorp, JR.,Ban P. Loh. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same

Номер патента: WO2007126720A3. Автор: Bernd Keller,Nicholas W Medendorp Jr,Ban P Loh. Владелец: Ban P Loh. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of detecting phase difference, phase detector for performing the same and clock-and-data recovering device including the phase detector

Номер патента: TWI325693B. Автор: Nyun-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of transmitting and receiving cell information by using synchronization signal and device supporting same

Номер патента: US9832711B2. Автор: Heejeong Cho,Hyeyoung Choi,Jaehoon Chung,Genebeck Hahn,Eunjong Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Test board and semiconductor device test system including the same

Номер патента: US11579183B2. Автор: Minseok HONG,Minsuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-14.

Downconverter layer transfer device and method of using a downconverter layer transfer device

Номер патента: WO2022120184A1. Автор: Daniel Roitman,Emma DOHNER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20160260756A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Inductive current simulation circuit of switching circuit, inductive current simulation method of switching circuit, and switched-mode power supply

Номер патента: US11777409B2. Автор: Aimin Xu. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing solid electrolyte for all-solid cells, solid electrolyte manufactured using the method, and all-solid cell including the solid electrolyte

Номер патента: US11114690B2. Автор: HONG Seok Min,Yong Jun Jang,Sa Heum Kim,Ju Yeong Seong,Yong Sub Yoon,Pil Gun Oh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20210373204A1. Автор: Hirokazu Shibuta. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method Of Manufacturing Gallium Nitride Substrate And Gallium Nitride Substrate Manufactured By The Same

Номер патента: US20140001484A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim,Kwangje Woo,Woorihan Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: WO2010116698A2. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Kenji Nakagawa,Nobuo Kawase. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-10-14.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US9685480B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Electrical assembly having an electromagnetic shield formed by an additive manufacturing process and method of manufacturing same

Номер патента: WO2018147962A1. Автор: William C. Ketterer,Gerald A. Rhinehart, Jr.. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-08-16.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20190123604A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20210265879A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Combined structure of flexible semiconductor device package and method of transporting the flexible semiconductor device

Номер патента: US20180261446A1. Автор: Maohua Du. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of manufacturing solid electrolyte for all-solid cells, solid electrolyte manufactured using the method, and all-solid cell including the solid electrolyte

Номер патента: US20200119394A1. Автор: HONG Seok Min,Yong Jun Jang,Sa Heum Kim,Ju Yeong Seong,Yong Sub Yoon,Pil Gun Oh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of forming a wire loop including a bend

Номер патента: WO2009076048A1. Автор: Ivy Wei Qin,Romeo Olida. Владелец: KULICKE AND SOFFA INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US20230064376A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A2. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of manufacturing a resonant cavity optical radiation emitting device

Номер патента: US20100151603A1. Автор: Maria Eloisa CASTAGNA,Anna Muscara. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of adjusting heat uniformity on wafer mount and method of manufacturing wafer mount

Номер патента: US20240120216A1. Автор: Ryuji Tamura,Hiroya Sugimoto,Ikuhisa Morioka,Yohei KAJIURA,Keita MINE,Natsuki HIRATA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of bandwidth part (bwp) switching and related apparatus

Номер патента: US20240215008A1. Автор: Hualei WANG. Владелец: Beijing Ziguang Zhanrui Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170098622A1. Автор: Park Dong-sik,Yeom Kyehee. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140191252A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-10.

CLOCK GENERATION CIRCUIT HAVING DESKEW FUNCTION AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING SAME

Номер патента: US20170117886A1. Автор: Lee Jae Gon,SONG JIN OOK,PARK BONG IL. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160191044A1. Автор: IKENAGA Yoshifumi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-30.

STACK PACKAGE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING A VARIABLE VOLTAGE

Номер патента: US20160254213A1. Автор: KIM Kyung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

CLOCK GENERATION CIRCUIT HAVING DESKEW FUNCTION AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING SAME

Номер патента: US20190245529A1. Автор: Lee Jae Gon,SONG JIN OOK,PARK BONG IL. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140370676A1. Автор: LEE Sang Bum. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF OPERATING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180287613A1. Автор: LEE Ki Won. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150303114A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method of stabilizing data hold operations of a storage device

Номер патента: US8446756B2. Автор: Tsunenori Shiimoto,Nobumichi Okazaki,Tomohito Tsushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: CN103489868A. Автор: 李相范. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-01-01.

Method of forming substrate pattern

Номер патента: US20150235857A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Yu Lin,Ying-Chou Cheng,Shih-Ming Chang,Yi-Jie Chen,Feng-Yuan Chiu,Bing-Syun Yeh,I-Chang Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20190043912A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20170263667A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Electronic device for manufacturing semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US11900043B2. Автор: Jungmin Kim,Dongho Kim,Sangwook Kim,Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Changmook YIM,Yangwoo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20160197114A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Digital television transmitter/receiver and method of processing data in digital television transmitter/receiver

Номер патента: US20070081605A1. Автор: In Hwan Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Digital television transmitter/receiver and method of processing data in digital television transmitter/receiver

Номер патента: US20100091838A1. Автор: In Hwan Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-04-15.

Digital television transmitter/receiver and method of processing data in digital television transmitter/receiver

Номер патента: US20120219072A1. Автор: In Hwan Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-08-30.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: EP2589083A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Optical Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240107781A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia,Jui Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing nitrogen-face nitride semiconductor and nitrogen-face nitride semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240153766A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: WO2012002999A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Downconverter layer transfer device and method of using a downconverter layer transfer device

Номер патента: EP4256625A1. Автор: Daniel Roitman,Emma DOHNER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus using display device

Номер патента: US20230284513A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Takashi Sakairi,Atsushi Yamamoto,Kenta HASEGAWA,Daisuke Hamashita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20180358330A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20200126954A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: WO2018231497A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

Method of classifying interferers in co-channel interference by communication device

Номер патента: US20180115374A1. Автор: Samir Kumar MISHRA,Uma Kishore Satya Venkata GODAVARTI,Prince ARYA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20160351606A1. Автор: Atsushi Toda,Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Yuko Ohgishi,Kenji Azami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus capable to protect a photoelectric conversion film

Номер патента: US12015040B2. Автор: Masahiro Joei,Shigehiro Ikehara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Multicomponent-alloy material layer, method of manufacturing the same and capacitor structure of semiconductor device

Номер патента: US20230343848A1. Автор: Chuan-Feng Shih,Hsuan-Ta Wu,Cheng-Hsien YEH,Bernard Hao-Chih Liu,Wen-Dung Hsu,Chung-Hung Hung. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of billing charge for used functions of communication device, method of regulating function of communication device, customer center for carrying out the method, and an user system including the communication device

Номер патента: CA2423642A1. Автор: Takeshi Makita,Fumio Shibasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-10-12.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Methods of forming silicide films with metal films in semiconductor devices and contacts including the same

Номер патента: US20050106859A1. Автор: Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Woong-Hee Sohn,Hyun-Su Kim,Sang-Bom Kang,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor devices comprising 2D-materials and methods of manufacture thereof

Номер патента: US10157737B2. Автор: Si-Chen Lee,Samuel C. Pan,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of billing charge for used functions of communication device, method of regulating function of communication device, customer center for carrying out the method, and an user system including the communication device

Номер патента: US20030194070A1. Автор: Takeshi Makita,Fumio Shibasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Stack package and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11929262B2. Автор: Do-Yeon Kim,Dong-woo Kang,Jae-in Won,Jong-Kak Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of optimizing a mask using pixel-based learning and method for manufacturing a semiconductor device using an optimized mask

Номер патента: US10222690B2. Автор: Moon-gyu JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-05.

Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices

Номер патента: US9229488B2. Автор: Seong-Min Wang,Hyun-Jae Lee,Hee-Soo Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-05.

Electrode for fuel cell, method of fabricating the same, and membrane-electrode assembly for fuel cell and fuel cell system including the same

Номер патента: US20140030618A1. Автор: Hee-Tak Kim,Myoung-Ki Min,Jun-Young Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices

Номер патента: US20140239802A1. Автор: Seong-Min Wang,Hyun-Jae Lee,Hee-Soo Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method and device for reconstructing a position of semiconductor devices on a wafer

Номер патента: US20230376850A1. Автор: Frank Schmidt,Andreas Steimer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-23.

Lead pin for package substrate and semiconductor package printed circuit board including the same

Номер патента: US20120153473A1. Автор: Sang Yul Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

POWER METAL MESH AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Kim Tae Hoon,KIM Yang Hee,Oh Ic Su,Lee Jun Ho,Jung Boo Ho,Cho Sun Ki,HAN Sung Woo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of quantifying adhesion strength of interlayer adhesive element in tensile mode for staked semiconductor device and measurement apparatus for quantifying the same

Номер патента: KR20160106446A. Автор: 강민규,신동길,윤철근,이규제. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-09-12.

Contact manufacturing method of a multi-layered metal line structure

Номер патента: US5354713A. Автор: Jae Kap Kim,Gon Son. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Compound semiconductor device manufacturing method

Номер патента: EP1233492A2. Автор: Katsumi Fujitsu Quantum Dvices Ltd. Sugiura,Chikashi Fujitsu Quantum Dvices Ltd. Anayama,Akira Fujitsu Quantum Dvices Ltd. Furuya. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-08-21.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for isolating semiconductor devices with use of shallow trench isolation method

Номер патента: US7166519B2. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220077160A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods of manufacturing a mask blank substrate, a mask blank, a photomask, and a semiconductor device

Номер патента: US20120208112A1. Автор: Masaru Tanabe. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Methods of manufacturing a mask blank substrate, a mask blank, a photomask, and a semiconductor device

Номер патента: US20110262846A1. Автор: Masaru Tanabe. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20150028351A1. Автор: Cheng Lin,Pala Vipindas,Van Brunt Edward Robert,Suvorov Alexander V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

METHOD OF THIN SILICON DEPOSITION FOR ENHANCEMENT OF ON CURRENT AND SURFACE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140120691A1. Автор: Lee Sanghyun,Lee Sungsam,Lee Dongkak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-01.

A Method of Etching One or More of Mixed Metal and Dielectric Layers of a Semiconductor Device

Номер патента: US20200043743A1. Автор: Goupil Gregory,Brulik Jan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: Cheng Lin,Pala Vipindas,Van Brunt Edward Robert,Suvorov Alexander V.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR DRIVING THE SEMICONDUCTOR SYSTEM

Номер патента: US20140312930A1. Автор: Lee Hyun-woo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-23.

A resist coating film, a coating film material, a method of forming the same, a pattern forming method using the same, and a semiconductor device

Номер патента: KR940005991A. Автор: 데쯔로 한와,히로시 노에즈카,시게루 쿠보타,히데오 호리베,요코 타나카,아쯔코 사사하라,데루히코 구마타. Владелец: 미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-03-22.

Junctionless semiconductor device, method for manufacturing the semiconductor device, and apparatus including the same

Номер патента: CN103681856A. Автор: 刘敏秀,闵景奎,权一雄. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

A method of manufacturing a static semiconductor memory device and a bipolar transistor, and a semiconductor device having the same

Номер патента: KR970072408A. Автор: 히로키 혼다,토모히사 와다,히로토시 사토. Владелец: 미쓰비시 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-11-07.

Semiconductor Device, Integrated Circuit Including the Semiconductor Device, Control IC for Switching Power Supply and the Switching Power Supply

Номер патента: US20080117653A1. Автор: Masaru Saito. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor devices for real number computation using computer integrated circuits implementing matter amplification by stimulated emission computation(s) (masec)

Номер патента: WO2023211494A2. Автор: Laurence F. Wood,Lisa S. Wood,Vassil DIMITROV. Владелец: Analog Computation Enterprise Inc.. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices for real number computation using computer integrated circuits implementing matter amplification by stimulated emission computation(s) (masec)

Номер патента: WO2023211494A3. Автор: Laurence F. Wood,Lisa S. Wood,Vassil DIMITROV. Владелец: Analog Computation Enterprise Inc.. Дата публикации: 2024-01-18.

A method of etching one or more of mixed metal and dielectric layer of a semiconductor device

Номер патента: EP3607578C0. Автор: Sharang,Gregory Goupil,Jan Brulik. Владелец: Orsay Physics SA. Дата публикации: 2023-07-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND INVERTER INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170077272A1. Автор: KUBO Yusuke. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of Producing Silicon Carbide Epitaxial Substrate, Silicon Carbide Epitaxial Substrate, and Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20160086799A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Method of Fabricating a Tunnel Oxide Layer and a Tunnel Oxide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20150108559A1. Автор: Hee Eng Gek,Wisley Ung Ka Siong. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD OF PRODUCING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170179236A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Method of Fabricating a Tunnel Oxide Layer and a Tunnel Oxide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20180204727A1. Автор: Hee Eng Gek,Wisley Ung Ka Siong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Method of Forming Self-Aligned Contacts Using a Replacement Metal Gate Process in a Semiconductor Device

Номер патента: US20150263131A1. Автор: Metz Andrew. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-17.

METHODS OF FORMING SUBSTANTIALLY DEFECT-FREE, FULLY-STRAINED SILICON-GERMANIUM FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150279973A1. Автор: Fronheiser Jody A.,AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

METHOD OF USING AN ION IMPLANTATION PROCESS TO PREVENT A SHORTING ISSUE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160276465A1. Автор: Hung Ching-Wen,Huang Rai-Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Method of Fabricating a Tunnel Oxide Layer and a Tunnel Oxide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20170287718A1. Автор: Hee Eng Gek,Wisley Ung Ka Siong. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

METHOD OF FORMING A GATE CONTACT STRUCTURE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170373161A1. Автор: Schroeder Uwe Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method of minimizing dishing during chemical mechanical polishing of semiconductor metals for making a semiconductor device

Номер патента: US6093656A. Автор: Xi-Wei Lin. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Method of forming self-aligned contacts using a replacement metal gate process in a semiconductor device

Номер патента: KR101699154B1. Автор: 매츠 앤드류. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-23.

Methods of forming doped metal oxide films on substrates by cyclic deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: CN108690968B. Автор: T·布隆贝格,C·朱. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-30.

Method of quantifying adhesion strength of interlayer adhesive element in tensile mode for staked semiconductor device and measurement apparatus for quantifying the same

Номер патента: KR102374162B1. Автор: 강민규,신동길,윤철근,이규제. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-03-11.

Method of forming contacts for a bit line and a storage node in a semiconductor device

Номер патента: US6777343B2. Автор: Young-woo Park,Won-Sung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-17.

Methods of forming substantially defect-free, fully-strained silicon-germanium fins for a FinFET semiconductor device

Номер патента: US9245980B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of fabricating an interlayer insulating film comprising Si, O, C and H for semiconductor devices

Номер патента: EP1128421A2. Автор: Tomomi Suzuki,Kazuo Maeda,Makoto Kurotobi,Youichi Yamamoto,Hiroshi Ikakura,Kouichi Ohira,Yoshimi Shioya,Yuichiro Kotake,Shoji Ohgawara. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2001-08-29.

Method of using tantalum-aluminum-nitrogen material as diffusion barrier and adhesion layer in semiconductor devices

Номер патента: US6432818B1. Автор: Salman Akram,Scott G. Meikle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-13.

Method of manufacturing openings in a substrate, a via in a substrate, and a semiconductor device comprising such a via

Номер патента: CN101553914B. Автор: 菲特·恩古耶恩·霍安,马蒂纳斯·T·贝恩布鲁克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of manufacturing openings in a substrate, a via in a substrate, and a semiconductor device comprising such a via

Номер патента: CN101553914A. Автор: 菲特·恩古耶恩·霍安,马蒂纳斯·T·贝恩布鲁克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-10-07.

Method of forming a silicon nitride layer on a gate oxide film of a semiconductor device and annealing the nitride layer

Номер патента: US20090280654A1. Автор: Cheng-ta Wu,Da-Yu Chuang,Yen-Da Chen,Lihan Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

A method of producing a cobalt silicide film and producing a cobalt silicide film-containing semiconductor device

Номер патента: DE60332905D1. Автор: Ja-hum Ku,Kyeong-Mo Koo,Hye-Jeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-22.

Manufacturing method of free standing gallium nitride using electrochemical etching method and photoelectric electrode for water decomposition gydrogen production including the same

Номер патента: KR102211486B1. Автор: 김진호,황종희,이영진,김선욱,전대우,라용호,손호기. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20180226965A1. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20200220537A1. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor device and system including the same

Номер патента: US10637464B2. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150048870A1. Автор: KU Young-Jun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and method for operating semiconductor device

Номер патента: KR102123517B1. Автор: 구영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-06-16.

Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies, packages including the same, and methods

Номер патента: US7902648B2. Автор: Teck Kheng Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Semiconductor device and systems including the same

Номер патента: US20120106011A1. Автор: Seong-Jin Lee,Jang Seok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170092641A1. Автор: KIM Wang Su. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190164624A1. Автор: JUNG Young Mok. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-05-30.

DRIVING SIGNAL GENERATING CIRCUIT AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE DRIVING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150236692A1. Автор: HEO Chang Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180226965A1. Автор: HWANG Kyu Dong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20200220537A1. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180277198A1. Автор: Tseng Po-Hao,Hsu Kai-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170352392A1. Автор: Park Jin-seong,Woo Seung-Han,OH Reum,LEE Hae-suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device and package including the same

Номер патента: CN101295689A. Автор: 金东汉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-29.

Hybrid porous structured material, method of preparing hybrid porous structured material, membrane including hybrid porous structured material, and water treatment device including membrane including hybrid porous structured material

Номер патента: US09724648B2. Автор: Sung Soo Han,Pil Jin Yoo,Bo Kyung Jung,Do Kyung Rhee. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of guidance for placing a satellite on station

Номер патента: US09798008B2. Автор: Thierry Dargent,Joel Amalric,Christophe LE BRIS. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Metal structure and method of manufacturing the same and metal wire and semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210028024A1. Автор: Do Yoon Kim,Kenji Takai,Boun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming blank of sheet material particularly for making electron beam tube mask and apparatus for performing the method

Номер патента: RU2041755C1. Автор: Fr],Фердинан Де Смэ Габриэль. Владелец: Соллак. Дата публикации: 1995-08-20.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US20160364351A1. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US09965418B2. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device, semiconductor system including the semiconductor device, and method of operating the semiconductor device and system

Номер патента: US20190267058A1. Автор: Dong Kyun Kim,Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of unlocking an electronic device based on motion recognitions, motion recognition unlocking system, and electronic device including the same

Номер патента: US09805184B2. Автор: Kwang-hyuk Bae,Kyu-Min Kyung,Tae-Chan Kim,Seong-Yeong JEONG,Shung-Han CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Clock circuit for generating clock signal and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US09766647B2. Автор: Suk Won HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Recombinant antigen and method of making the same, isolated polynucleotide of porcine reproductive and respiratory syndrome virus (prrsv) and immunogenic composition including the same

Номер патента: US20230074637A1. Автор: Hso-Chi Chaung,Mei-Li WU,Wen-Bin Chung,Ko-Tung CHANG. Владелец: National Pingtung University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US09911507B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Machine learning (ml)-based process proximity correction (ppc) method and semiconductor device manufacturing method including the same

Номер патента: US20230324881A1. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of producing a test pattern allowing determination of acceptance and rejection of a semiconductor device without causing a timing problem

Номер патента: US6163760A. Автор: Yasushi Koseko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US9633746B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US20170194060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US20150003171A1. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240347608A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Chien-Hua Huang,Katherine H. Chiang,Yi-Cheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Novel contact structure for a semiconductor device and methods of making same

Номер патента: US20140151816A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

Номер патента: EP1176231A3. Автор: Shigeki Otani,Jun Suda,Hiroyuki Kyocera Shiga Factory Kinoshita. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of repairing through-electrodes, repair device performing the same and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230072965A1. Автор: Sungho Kang,Youngkwang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805985B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190244808A1. Автор: Tetsuya Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of manufacturing semiconductor optical device

Номер патента: US20240186763A1. Автор: Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20140353803A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device, template, and method of manufacturing template

Номер патента: US12068244B2. Автор: Yasuhito Yoshimizu,Kaori Umezawa,Kosuke TAKAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Backside gate contact, backside gate etch stop layer, and methods of forming same

Номер патента: US20240290864A1. Автор: Wei-De Ho,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Semiconductive material stencil mask, methods of manufacturing stencil masks from semiconductive material, and methods for maintaining dimensions of openings in semiconductive materials stencil masks

Номер патента: US20010001694A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package

Номер патента: US10847616B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device containing oxygen-related thermal donors

Номер патента: US09825131B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Stadtmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Two-dimensional material structure, semiconductor device including the two-dimensional material structure, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230112883A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,Changseok Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20190131439A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of mounting LSI

Номер патента: US4779338A. Автор: Kazuhito Ozawa,Ichirou Kohara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Semiconductor devices including vertical transistors, electronic systems including the same and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334583A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Training method for semiconductor process prediction model, semiconductor process prediction device, and semiconductor process prediction method

Номер патента: US20230236553A1. Автор: Ming-Wei Chen,Chia-Wei Chen,Ching-Pei Lin,Chung-Yi Chiu,Hsiao-Ying Yang,Te-Hsuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140097448A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Chang-Yong Um,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240250173A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755037B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Cyclic deposition method for thin film and manufacturing method for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US09741574B2. Автор: Hai-Won Kim,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including through electrode and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220367321A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Myungjoo PARK,Hakseung LEE,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043445A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273698A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device having fins

Номер патента: US20190355814A1. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Номер патента: US20160300719A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Methods of fabricating passive element without planarizing and related semiconductor device

Номер патента: US20080054393A1. Автор: Timothy Dalton,Jeffrey Gambino,Anthony Stamper,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed,Anil Chinthakindi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210149317A1. Автор: Hsiang Chen,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Sheng-Kang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US20240258434A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12100672B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09947801B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing fiber-reinforced foam blocks and slabs, line for manufacturing fiber-reinforced foam blocks and slabs

Номер патента: RU2678458C1. Автор: Михаил Михайлович Бирюков,Анатолий Борисович Шмаков,Евгений Петрович Афанасьев. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации (МИНПРОМТОРГ РОССИИ). Дата публикации: 2019-01-29.

Hybrid vehicle, and operation method of hybrid vehicle

Номер патента: RU2415038C1. Автор: Кацухико ЯМАГУТИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-03-27.

Testing device for model of floating gate and method of using the same

Номер патента: SG10201805730XA. Автор: Guan Guan,Lin Yan,Jiang Xiaoning,PEI Fei,YU Yanyun. Владелец: Univ Dalian Tech. Дата публикации: 2019-02-27.

Method of manufacturing component

Номер патента: US20220194026A1. Автор: Jing-Bin Chiang. Владелец: Yma Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of assembling a blown insulation machine

Номер патента: US20110214278A1. Автор: Michael E. Evans,Christopher M. Relyea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Method of manufacturing component

Номер патента: US11975497B2. Автор: Jing-Bin Chiang. Владелец: Yma Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of foam floatation for separation of silicates and carbonates of alkali earth metals with application of collector, including at least one hydrophobically modified polyalkylene imine

Номер патента: RU2555687C2. Автор: Маттиас Бури,Самуэль РЕНЧ,Патрик А. К. ГЕЙН,Йорг ЗЕТЕМАНН. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2015-07-10.

Impact resistant door skin, door including the same, and method of manufacturing an impact resistant door skin from a pre-formed door skin

Номер патента: US20150038032A1. Автор: James Pfau,James Bryant,Stephen Hart. Владелец: Masonite Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of operating a levelling system for a motor vehicle

Номер патента: EP1636054A1. Автор: Daniel Nordmeyer,Graham Brookes,Gregory Holbrook. Владелец: Bfs Diversified Products Llc. Дата публикации: 2006-03-22.

Method of manufacturing a B-shaped folded condenser tube

Номер патента: EP1941954B1. Автор: Terry J. Hunt,James Anders,John S. Rosen Jr.. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-14.

Helically-reinforced horizontal water-gathering pipe having multi-diameter and method of inserting the helically-reinforced horizontal water-gathering pipe

Номер патента: US20110097152A1. Автор: Seung Hyun Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation Of Yeungnam University. Дата публикации: 2011-04-28.

Preparation method of ti3c2tx mxene quantum dot (mqd)-modified polyamide (pa) reverse-osmosis (ro) membrane

Номер патента: US20240207793A1. Автор: Yi Wang,Jun Li,JIAN Li,Yong Pan,Zhanguo Li. Владелец: Research Institute Of Chemical Defense Pla Academy Of Military Sciences. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing particle wire

Номер патента: US20090057130A1. Автор: Hiroshi Morita,Hiroyuki Sakano,Kohsuke Abe,Koh Hattori,Chiba Yamano. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of Manufacturing Particle Wire

Номер патента: US20090277773A2. Автор: Hiroshi Morita,Hiroyuki Sakano,Kohsuke Abe,Koh Hattori,Chika Yamano. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2009-11-12.

Inorganic hollow nanocoils and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230029603A1. Автор: Young Keun Kim,Jun Hwan MOON. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of making a flat building component

Номер патента: US12090689B2. Автор: Tobias Schmid,Maximilian Prinz. Владелец: Parat Technology Group GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming a groove

Номер патента: EP2027989A3. Автор: Masao Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha Tada,Yukio Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha Ishihara. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2009-10-21.

Semiconductor device with improved dielectric film structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20230278073A1. Автор: Chia-Ming Hung,Hsiang-Fu Chen,Yi-Chieh Huang,Kuan-Chi Tsai,I-Hsuan CHIU,Kang-Yi Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20230390813A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Chih Ping Liao,Yi Chen Ho,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US11986869B2. Автор: Ker-Hsun LIAO,Chih Ping Liao,Yi Chen Ho,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of producing melamine by separation and evolution of high-purity co2 and nh3

Номер патента: RU2713178C2. Автор: Роберто САНТУЧЧИ,Маттиа БОГОТТО,Джузеппе МЕРЕЛЛИ. Владелец: Эуротекника Меламине, Люксембург, Цвайгнидерлассунг ин Иттиген. Дата публикации: 2020-02-04.

A blind rivet and a method of joining therewith

Номер патента: WO2009137868A1. Автор: Srinivasarao Lathabai,Vinay Kumar Tyagi,Gersende Marie Delphine Cantin,Dayalan Romesh Gunasegaram,Ian Curtis Thomas,Shane David Christian,David James Bell Ritchie,Trevor Neil Kearney. Владелец: Co-Operative Research Centre For Advanced Automotive Technology Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Production method of multilayer material by application of polymer coating by extrusion at calendering

Номер патента: RU2632493C1. Автор: Андрей Викторович Сергеев. Владелец: Андрей Викторович Сергеев. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of processing water applied for industrial purposes

Номер патента: RU2534091C1. Автор: Т. Фернандо Фишманн. Владелец: Кристал Лагунс (Кюрасао) Б.В.. Дата публикации: 2014-11-27.

Determination method of the rail track spatial coordinates and geometrical parameters and device for its implementation

Номер патента: RU2628541C1. Автор: Владимир Васильевич Щербаков,Иван Владимирович Щербаков,Иван Александрович Бунцев. Владелец: Иван Александрович Бунцев. Дата публикации: 2017-08-18.

Method of preparing hematite platelet, hematite platelet prepared using the same, and hematite platelet pigment including the hematite platelet

Номер патента: WO2010002059A1. Автор: Dae Sung Kim,Kwang Choong Kang,Kwang Su Lim,Kil Wan Chang,Seung Ho Lee,Kum Sung Cho,Byung Ki Choi. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of manufacture of a magnetic rotor core member for a dynamoelectric machine

Номер патента: CA1292610C. Автор: Masa Kato. Владелец: Kato Iron Works Ltd. Дата публикации: 1991-12-03.

Method of surface treatment of aluminum foil and its alloy and method of producing immobilized nanocatalyst of transition metal oxides and their alloys

Номер патента: US20110287926A1. Автор: Jerald A. D. Lalman,Srimanta Ray. Владелец: UNIVERSITY OF WINDSOR. Дата публикации: 2011-11-24.

Cleaning device and method of cleaning nozzle

Номер патента: US11919054B2. Автор: Qilong WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Dental kit-of-parts and method of assembling the same

Номер патента: US20190125498A1. Автор: Nicolai Bernhard. Владелец: Nobel Biocare Services AG. Дата публикации: 2019-05-02.

Cleaning device and method of cleaning nozzle

Номер патента: US20230226579A1. Автор: Qilong WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of optimized design of an HVAC air-handling assembly for a climate control system

Номер патента: EP1113373A3. Автор: Timothy J. Hall,Steven Kelley Howell,Yuan Li (John). Владелец: Visteon Global Technologies Inc. Дата публикации: 2003-11-05.

Highly efficient method of mixing dissimilar fluids using mechanically induced cavitation

Номер патента: CA2409132C. Автор: Bijan Kazem,Kelly Hudson. Владелец: Hydro Dynamics Inc. Дата публикации: 2007-07-24.

Method of extracting contents from the inside of a reactor kept at high temperature and high pressure, and synthesis reaction system of hydrocarbon compound

Номер патента: CA2718082C. Автор: Eiichi Yamada,Yasuhiro Onishi,Atsushi Murata,Yuzuru Kato. Владелец: Inpex Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Free-machining powder metallurgy steel articles and method of making same

Номер патента: US10704125B2. Автор: Gregory J. Del Corso,Pierre Marechal,Alberto POLAR-ROSAS,Olivier Schiess. Владелец: CRS Holdings LLC. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of packaging and sterilizing a pharmaceutical product

Номер патента: US4805377A. Автор: Douglas V. Carter. Владелец: Entravision Inc. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of extracting contents from the inside of a reactor kept at high temperature and high pressure, and synthesis reaction system of hydrocarbon compound

Номер патента: MY158534A. Автор: Murata Atsushi,Onishi Yasuhiro,YAMADA Eiichi,Kato Yazuru. Владелец: Nippon Steel Eng Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-14.

Method of coating golf club head under vacuum condition with open hanger type shot blasting machine

Номер патента: US5945157A. Автор: Tsung Chi Lee,Tsai Yi Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-31.

Method of manufacturing nozzle plate, liquid ejection head and image forming apparatus

Номер патента: US8043518B2. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Manufacturing method of polyester film for being embossed with laser-engraved pattern

Номер патента: US20230383055A1. Автор: Te-Chao Liao,Wen-Cheng Yang,Chia-Yen HSIAO,Wen-Jui Cheng. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Preparation method of magnesium matrix composite reinforced with silicon carbide particles

Номер патента: US11788172B1. Автор: Zhiyong You,Aoxue Jiang. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of fabricating microfluidic systems

Номер патента: EP2300165A1. Автор: Xu Li,Gil Garnier,Wei Shen,Junfei Tian,Mohidus Samad Khan. Владелец: MONASH UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-03-30.

Method of manufacturing a buoyancy control device

Номер патента: US20110200395A1. Автор: Rhys James Couzyn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of preparing graphdiyne-based material and a substrate for use in such material preparation process

Номер патента: US11407641B2. Автор: QI Yang,Ying Guo,Chunyi Zhi,Zijie Tang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2022-08-09.

Method of preparing graphdiyne-based material and a substrate for use in such material preparation process

Номер патента: US20210380411A1. Автор: QI Yang,Ying Guo,Chunyi Zhi,Zijie Tang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of phasing and accelerating cylinders of a printing press during auto transfer

Номер патента: WO2011035316A1. Автор: Richard Conrad,Atef Tanious Massoud,Michael Raymond Rancourt,George Athans. Владелец: GOSS INTERNATIONAL AMERICAS, INC.. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of operation a leveling system for a motor vehicle

Номер патента: WO2005000607A1. Автор: Daniel Nordmeyer,Graham Brookes,Gregory Holbrook. Владелец: Bfs Diversified Products, Llc. Дата публикации: 2005-01-06.

HYBRID POROUS STRUCTURED MATERIAL, METHOD OF PREPARING HYBRID POROUS STRUCTURED MATERIAL, MEMBRANE INCLUDING HYBRID POROUS STRUCTURED MATERIAL, AND WATER TREATMENT DEVICE INCLUDING MEMBRANE INCLUDING HYBRID POROUS STRUCTURED MATERIAL

Номер патента: US20140353240A1. Автор: Han Sung Soo,Yoo Pil Jin,RHEE Do Kyung,Jung Bo Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Hybrid porous structured material, method of preparing hybrid porous structure material, membrane including hybrid porous structured material, and water treatment device including membrane including hybrid porous structured material

Номер патента: KR101852925B1. Автор: 김영훈,강효,유필진,한성수,여선주. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2018-04-30.

Method of making part from thermoplastic film by deep drawing

Номер патента: RU2491166C9. Автор: Клаус МАЙЕР,Курт НИБЛИНГ. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2014-01-27.

Method of solid materials crush by a vibration gyratory-cone crusher

Номер патента: RU2629227C2. Автор: Леонид Абрамович Вайсберг,Андрей Николаевич Сафронов,Сергей Владимирович Казаков. Владелец: Научно-производственная корпорация "Механобр-техника" (Акционерное общество). Дата публикации: 2017-08-28.

Set of devices for fabricating colored plastic pictures or products and method of fabricating colored plastic pictures or products with use thereof

Номер патента: CA1314374C. Автор: Ikuo Kuranaga. Владелец: KABUSHIKI KAISHA AIKO. Дата публикации: 1993-03-16.

Hybrid porous structured material, method of preparing hybrid porous structure material, membrane including hybrid porous structured material, and water treatment device including membrane including hybrid porous structured material

Номер патента: KR102088915B1. Автор: 이도경,유필진,한성수,정보경. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2020-04-14.

Method of manufacturing blade retainer and manufacturing devices therefor

Номер патента: US20040040360A1. Автор: Kenjiro Tabuchi,Go Nabatame. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Laminated fabrics and protective covers with post-industrial and/or post-consumer content and methods of making laminated fabrics and protective covers with post-industrial and/or post consumer content

Номер патента: US11897245B2. Автор: Gregory L. Todt,Seckin Ozol,Na Qi. Владелец: Transhield Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

A retention device and a method of use thereof

Номер патента: ZA202305790B. Автор: Joseph Guinea. Владелец: Rim Lock Innovations Pty Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

A retention device and a method of use thereof

Номер патента: EP4244075A1. Автор: Joseph Guinea. Владелец: Rim Lock Innovations Pty Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Preparation method of absorbable vascular stent coating for angiostenosis in infant

Номер патента: US20240042109A1. Автор: Sun Chen,FAN Zhao,LU Wang,Jing Sun,Kun Sun,Yanan Lu,Kai Bai,Fujun Wang,Jihong Huang. Владелец: XINHUA HOSPITAL AFFILIATED TO SHANGHAI JIAOTONG UNIVERSITY SCHOOL OF MEDICINE. Дата публикации: 2024-02-08.

A retention device and a method of use thereof

Номер патента: US20240001708A1. Автор: Joseph Kent Guinea. Владелец: Rim Lock Innovations Pty Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Preparation method of absorbable vascular stent coating for angiostenosis in infant

Номер патента: US11986575B2. Автор: Sun Chen,FAN Zhao,LU Wang,Jing Sun,Kun Sun,Yanan Lu,Kai Bai,Fujun Wang,Jihong Huang. Владелец: XINHUA HOSPITAL AFFILIATED TO SHANGHAI JIAOTONG UNIVERSITY SCHOOL OF MEDICINE. Дата публикации: 2024-05-21.

Lightweight polymer composition having excellent thermal conductivity, method of preparing the same and product using the same

Номер патента: US20190367791A1. Автор: Ji Eun Kim,Sung Hoon Kim,Sang Soo Jeon. Владелец: Thermatec Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Preparation method of SERS substrate with aluminum-based flower-shaped composite nanostructure and SERS substrate

Номер патента: CN111781188A. Автор: 徐璐,沈佳丽,方靖淮,成鸣飞. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2020-10-16.

Method of evaluating aging level of a human through measuring vascular struggle in an aging human tissue

Номер патента: US20230371855A1. Автор: Chia-Hua KUO,Chang Yu WANG Michael. Владелец: Nuliv Science Usa Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of exocasting an article of semiconducting material

Номер патента: EP2507418A1. Автор: Prantik Mazumder,Balram Suman. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-10-10.

Tetrodotoxin-based lyophilised preparation and method of its production

Номер патента: RU2519654C2. Автор: Руизао ЮИ,Хюи ЧЕН,Бихонг ХОНГ,Ронгвеи ХИЕ,Виежу ЧЕН,Жуан ХОНГ,Шужен ХУ. Владелец: Третий Институт Океанографии, Государственное Управление По Проблемам Океана, Китайская Народная Республика. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of manufacturing a product of complex form based on hybrid composite matrix

Номер патента: RU2670869C1. Автор: Иван Соломонович Пятов,Сергей Викторович Ладанов,Андрей Александрович Степашкин,Юлия Ибремовна Врублевская,Ксения Вячеславовна Шапошникова. Владелец: Иван Соломонович Пятов. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of pouring caramel mass of container on stick with surprise

Номер патента: RU2674578C1. Автор: Виктор Иванович Лихошерстов. Владелец: Виктор Иванович Лихошерстов. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of mass cultivation of the aphidius colemani vier

Номер патента: RU2670587C1. Автор: Наталья Александровна Белякова,Лидия Павловна Красавина,Екатерина Геннадьевна Козлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт защиты растений". Дата публикации: 2018-10-23.

Method of estimating influence degree of access restricting means on performance of automated system

Номер патента: RU2638636C1. Автор: Евгений Борисович Дроботун. Владелец: Евгений Борисович Дроботун. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of multi-storey building lightened floors installation

Номер патента: RU2652402C1. Автор: Сергей Михайлович Анпилов,Михаил Сергеевич Анпилов,Владимир Иванович Римшин,Алексей Николаевич Китайкин,Геннадий Васильевич Мурашкин,Андрей Николаевич Сорочайкин,Марат Мансурович Гайнуллин,Валерий Алексеевич Ерышев,Василий Геннадиевич Мурашкин. Владелец: Сергей Михайлович Анпилов. Дата публикации: 2018-04-26.

Method of processing particles of active pharmaceutical ingredients

Номер патента: RU2597790C2. Автор: Марко ЖИЛ,Констанка КАСЕЛА,Рикардо МЕНДОНКА,Филипе Гаспар. Владелец: Ховионе Интер Лтд.. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of gas working medium balances determining in the tanks of the high pressure working system

Номер патента: RU2656765C1. Автор: Сергей Михайлович Афанасьев. Владелец: Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2018-06-06.

Method of precision calibration of the system of measuring the spatial position

Номер патента: RU2662458C1. Автор: Сюэфэн ШЭНЬ,Жуй ТУ,Вэньдин ДАЙ,Вэньлун ЧЖАО,Цян ЮЭ. Владелец: Шанхай Хуацэ Навигейшн Текнолоджи Лтд.. Дата публикации: 2018-07-26.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of producing cherry compote

Номер патента: RU2655779C1. Автор: Амият Фейзудиновна Демирова. Владелец: Амият Фейзудиновна Демирова. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of use in therapy

Номер патента: RU2579659C2. Автор: ПФАЙФЕР Андреа,МУС Андреас,ПИЛГРЕН Мария. Владелец: Ац Иммуне С.А.. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of applying mikhael carbon compound

Номер патента: RU2639808C2. Автор: Синь Цзинь,Дуайт ЛЭТАМ,Стивен КРЕЙН,Марк ЗОННЕНШАЙН. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-12-22.

Connecting device, related parts and method of using this device

Номер патента: RU2749860C2. Автор: Кристофер Джеймс АЛЛИНГТОН,Эндрю Карл ДИЛЬ,Питер Джон СКОТТ,Бенджамин ВУДС,Джеймс Грэй ГИБСОН. Владелец: Каплер Солюшнз Лимитед. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of obtaining population of cells, expressing puripotency markers and markers, characteristic of formed endoderm line

Номер патента: RU2553538C2. Автор: Алиреза РЕЗАНИА. Владелец: Сентокор Орто Байотек Инк.. Дата публикации: 2015-06-20.

Method of preparing thermoplastic resin, thermoplastic resin prepared therfrom and thermoplastic resin composition comprising the same

Номер патента: US20210122866A1. Автор: Hyung Sub Lee,Insoo Kim,Sungwon HONG,Minseung SHIN,Mincheol JU. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of acoustic tomography system fields in the atmosphere, the oceans and crust of different physical nature in the marine environment

Номер патента: RU2624607C1. Автор: Михаил Владимирович Мироненко,Анна Михайловна Василенко,Валерий Александрович Пятакович,Олег Адольфович Алексеев. Владелец: Федеральное Государственное Казенное Военное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Тихоокеанское Высшее Военно-Морское Училище Имени С.О. Макарова" Министерства Обороны Российской Федерации (Г. Владивосток). Дата публикации: 2017-07-04.

Method of limiting a closing force of a motorized opening

Номер патента: US8543297B2. Автор: Paul Bizard,Reda Soltana. Владелец: Inteva Products France SAS. Дата публикации: 2013-09-24.

Method of casting aluminum alloys having improved cast surface quality

Номер патента: EP1341940B1. Автор: David H. Deyoung,Ray T. Richter,William F Mcginnis,Jeffrey J Wiesner. Владелец: Alcoa Inc. Дата публикации: 2008-02-20.

Method of forming chloride ion (c1-), hypochlorite ion (oc1-) and hypochlorous acid (hoc1) in the human and animal body

Номер патента: US20230347143A1. Автор: Serkan TUNC,Sevil TUNC. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Display controller and semiconductor integrated circuit devices including the same

Номер патента: US09978336B2. Автор: Kyoung Man Kim,Xiangyu Meng,Sung Chul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Evaluation method of spheroid and spheroid evaluation apparatus

Номер патента: US09865054B2. Автор: Jiro Tsumura. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of scanning and assessing lung and vascular health

Номер патента: AU2018226611B2. Автор: Andreas Fouras,Heather Jones,Chaminda Rajeev SAMARAGE,Victor TAPSON. Владелец: 4DMedical Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of encoding data signals for storage

Номер патента: WO1999059157A1. Автор: Samantha J. W. Edirisooriya. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-11-18.

Method of purchasing goods on internet through identification of actual object

Номер патента: WO2001090984A1. Автор: Keun-Woo Lee. Владелец: LEE Keun Woo. Дата публикации: 2001-11-29.

Design method of display device, display device and near-eye display apparatus

Номер патента: US20240210698A1. Автор: Peng Yan,Zhongshou Huang,Liyuan Luo,Meng Cui,Run YANG,Zhanghe Zeng,Wanwan XIA. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of treating waste plastic

Номер патента: US20240309281A1. Автор: Pekka Aalto,Eija Koivusalmi,Ville PAASIKALLIO,Mika P. Kettunen. Владелец: Neste Oyj. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of scanning and assessing lung and vascular health

Номер патента: US12102414B2. Автор: Andreas Fouras,Heather Jones,Chaminda Rajeev SAMARAGE,Victor TAPSON. Владелец: 4DMedical Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of differentiation of pluripotent stem cells into mesenchymal stromal cells

Номер патента: WO2024182609A1. Автор: Boris Greber,Smita SUDHEER. Владелец: R.P. SCHERER TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2024-09-06.

Manufacturing method of aluminum-based article with multi-angle visual color change characteristics

Номер патента: US20240344229A1. Автор: Shih-Wei Lee,Wen-Ding Chen,Bo-Wei Lai. Владелец: Catcher Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermochromic substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130150238A1. Автор: Yongwon Choi,Yung-Jin Jung,Donggun Moon,Jeeyun CHA. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of weight losing and device for implementing the method

Номер патента: RU2257881C2. Автор: Норберт ЭГГЕР,Норберт ЭГГЕР (AT). Владелец: Норберт ЭГГЕР. Дата публикации: 2005-08-10.

Method of transposon insertion site sequencing capable of uniquely identifying insertions sites within repeated genetic elements

Номер патента: GB2617524A. Автор: Yasir Muhammad,Webber Mark,Charles Ian,Turner Keith. Владелец: Quadram Institute Bioscience. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of transposon insertion site sequencing capable of uniquely identifying insertions sites within repeated genetic elements

Номер патента: WO2022167813A1. Автор: MUHAMMAD Yasir,Keith Turner,Mark Webber,Ian CHARLES. Владелец: Quadram Institute Bioscience. Дата публикации: 2022-08-11.

Apparatus and method of controlling image display

Номер патента: US20230297220A1. Автор: Hyun Kyu Park,Sang Yun Lee. Владелец: Hanwha Vision Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

A method of initiating firmware upgrades

Номер патента: WO2013002629A9. Автор: Chin Wee WONG,Yusuf RAMPURAWALA. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of and device for metering fuel for preparation of fuel-air mixture at starting of internal combustion engine

Номер патента: RU2130557C1. Автор: Дайхсель Ханс,Йоос Клаус,Клайн Ральф,Эрб Бернхард. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 1999-05-20.

Analysis device and method of determining mounted state of cartridge of the analysis device

Номер патента: US09869631B2. Автор: Tae-soo Kim,Sung-Hwa Lee,Jeong-min JO,Hyun-Soo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Respiratory assistance device and a method of controlling said device

Номер патента: US12070551B2. Автор: Kevin Peter O'donnell,Stanislav Tatkov. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Fuel injection device and method of controlling the said device

Номер патента: RU2596844C1. Автор: Масато ИКЕМОТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of actuator navigation and electronic device comprising an actuation navigator function

Номер патента: US11287778B2. Автор: Felix Poguntke. Владелец: Timex Group USA Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Apparatus and method of tracing descriptor in host controller

Номер патента: US20080168192A1. Автор: Jung-Su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

HARDMASK COMPOSITION, METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE HARDMASK COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERNS

Номер патента: US20150004531A1. Автор: PARK Yo-Choul,KIM Young-Min,Choi Yoo-Jeong,HONG Seung-Hee,SONG Hyun-Ji,KIM Yun-Jun,KIM Go-Un,KIM Hea-Jung,MOON Joon-Young,PARK Yu-Shin,PARK You-Jung,SHIN Seung-Wook,YOON Yong-Woon,LEE Chung-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

COMPOSITION FOR HARDMASK, METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERNS

Номер патента: US20140335447A1. Автор: KIM Young-Min,LEE Sung-jae,MOON Joon-Young,YOON Yong-Woon,Cho Youn-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Composition for photoresist underlayer, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: KR101354639B1. Автор: 이성재,조연진,이철호,이충헌,하광일. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2014-01-27.

Composition for photoresist underlayer, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: TW201331238A. Автор: Chung-Heon Lee,Hideo Hada,Sung-Jae Lee,Cheol-Ho Lee,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Ind Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory module set having offset memory module units facilitating pin connections to main IC, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US09799411B2. Автор: Young-Jin Cho,Hee-Chang Cho,Dong-Gi Lee,Ji-Cheol Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

RESIST UNDERLAYER COMPOSITION, METHOD OF FORMING PATTERNS, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERN

Номер патента: US20160041470A1. Автор: LEE Jun-Ho,CHEON Hwan-Sung,KWON Hyo-Young,KIM Min-Gyum. Владелец: CHEIL INDUSTRIES INC.. Дата публикации: 2016-02-11.

Valve device and associated methods of selectively communicating between an interior and an exterior of a tubular string

Номер патента: EP2356311A1. Автор: William Mark Richards,William D. Henderson. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Method of driving display device, display device, and portable device including the same

Номер патента: US20150170599A1. Автор: Fumiki Nakano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Methods for evaluating and fabricating semiconductor device and apparatus and program for evaluating the same

Номер патента: US20030137305A1. Автор: Kenji Okada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Thermal monitoring system for semiconductor devices

Номер патента: US6092926A. Автор: Ray Garcia,Kendall Anthony Honeycutt,Stephen Eugene Still,James J. Tout, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-07-25.

Semiconductor device alignment socket unit and semiconductor device test apparatus including the same

Номер патента: TWI578001B. Автор: 金岐玟,尹龍熙. Владелец: Isc股份有限公司. Дата публикации: 2017-04-11.

CLOCK CIRCUIT FOR GENERATING CLOCK SIGNAL AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160116934A1. Автор: HA Suk Won. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

DISPLAY CONTROLLER AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160189665A1. Автор: KIM Kyoung Man,YOON Sung Chul,Meng Xiangyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Wind power plant and method of electricity producing

Номер патента: RU2661567C2. Автор: Иван Дмитриевич Козубенко,Артем Александрович Касаткин,Юрий Валентинович Криулин,Вячеслав Евгеньевич Беглюк,Геннадий Алексеевич Взяткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИТВ Транс". Дата публикации: 2018-07-17.

Method of self-loader shooting using marking cartridges and shooting system implementing it

Номер патента: RU2746003C1. Автор: Михаил Владимирович Гринберг. Владелец: Михаил Владимирович Гринберг. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of assessing and selecting soi-high-road genotypes of soy in the regional conductivity of water vapors

Номер патента: RU2685151C1. Автор: Александр Васильевич Амелин,Евгений Иванович Чекалин,Наталия Борисовна Сальникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2019-04-16.

Method of navigating an object using a radio rangefinder system

Номер патента: RU2770311C2. Автор: Александр Борисович Шильдкрет,Анатолий Борисович Шаповалов,Игорь Леонидович Ажгиревич,Александр Викторович Измайлов-Перкин,Георгий Алексеевич Кветкин,Вадим Вячеславович Костюков,Андрей Владимирович Свиязов,Виктор Викторович Щербинин. Владелец: АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Центральный научно-исследовательский институт автоматики и гидравлики" (АО "ЦНИИАГ"). Дата публикации: 2022-04-15.

Method of strengthening a weak bottom soil in the conditions of the ice cover the water area

Номер патента: RU2681012C1. Автор: Владимир Андреевич Волков,Виталий Владимирович Шумский. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "Монолит". Дата публикации: 2019-03-01.

Method of enhancing catheter patency using a citrate salt catheter lock solution

Номер патента: AU5689199A. Автор: Stephen R Ash. Владелец: Ash Access Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-14.

Display controller for improving display noise, and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: TWI688944B. Автор: 金普永. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-21.

Test interface circuit and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US20010015924A1. Автор: Kazutami Arimoto,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Display controller and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: CN105825800B. Автор: 金普永. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-20.

Test circuit device capable of identifying error in stored data at memory cell level and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US20030043664A1. Автор: Katsumi Dosaka,Masaru Haraguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Display controller and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: CN105825800A. Автор: 金普永. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-03.

Display device and method of generating data signal in the same

Номер патента: US20150356947A1. Автор: Baek-woon Lee,Ji-Hye Eom. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US20090021985A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Receiver circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20180137901A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US7724583B2. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-25.

Method of securing in place a single or multipartite mounting rail used for mounting central heating radiators or the like

Номер патента: PL339728A1. Автор: . Владелец: Heuel Wilhelm. Дата публикации: 2000-11-06.

Method of focusing optics of equipment channels with element-by-element formation of information field

Номер патента: RU2660422C1. Автор: Леонид Григорьевич Андриевский,Владимир Алексеевич Коротин,Надежда Яковлевна Кузьмина,Дмитрий Сергеевич Борзов,Марина Львовна Михайловская,Анатолий Анатольевич Модеев,Михаил Маримович Рубинштейн,Игорь Викторович Моргунов. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт точного машиностроения" (АО "ЦНИИТОЧМАШ"). Дата публикации: 2018-07-06.

Method of separating isoprene from an isoamylene-isoprene fraction by extractive rectification

Номер патента: RU2701153C1. Автор: Ришат Рифкатович Шириязданов,Федор Борисович Шевляков,Николай Анатольевич Руднев,Денис Робертович Шафиков. Владелец: Денис Робертович Шафиков. Дата публикации: 2019-09-25.

Method of tasks distribution between servicing robots and means of cyberphysical intelligent space with multimodal user service

Номер патента: RU2638003C1. Автор: Андрей Леонидович Ронжин,Антон Игоревич Савельев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Санкт-Петербургский институт информатики и автоматизации Российской академии наук. Дата публикации: 2017-12-08.

Method of preparation of marshmallow

Номер патента: RU2674629C1. Автор: Магомед Гасанович Магомедов,Инесса Викторовна Плотникова,Татьяна Геннадьевна Занудина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2018-12-11.

Method of producing hydraulic hydrostatic bearing with cells

Номер патента: RU2686343C2. Автор: Кристиан ЖЕФФРУА,ФУЛОН Джон-Фицджеральд ЛЕ,Паскаль РИДЕЛЭР. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of producing cherry compote

Номер патента: RU2669337C1. Автор: Амият Фейзудиновна Демирова. Владелец: Амият Фейзудиновна Демирова. Дата публикации: 2018-10-10.

System of implants and methods of treating obstructive sleep apnea

Номер патента: RU2519960C2. Автор: Роберт А. РУССО,Кевин С. ВИДОК,Джон Р. ДЖЕКОБС,Дэвид Ст. ЛИНД. Владелец: Этикон, Инк.. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of screening candidate compounds for susceptibility to biliary excretion

Номер патента: WO2005118787A2. Автор: Xianbin Tian,Peijin Zhang,Kim L. Brouwer. Владелец: The University of North Carolina at Chapel Hill. Дата публикации: 2005-12-15.

Pattern forming method and method of manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US5795686A. Автор: Hideaki Takizawa,Shougo Hayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

A method of determining surface level, and a soil moisture sensor

Номер патента: AU2010291862B2. Автор: David John Aughton,Damien Vernon Pearson. Владелец: Rubicon Research Pty Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of screening candidate compounds for susceptibility to biliary excretion

Номер патента: CA2566575C. Автор: Xianbin Tian,Peijin Zhang,Kim L. Brouwer. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of adjusting idle spark for an individual cylinder of an internal combustion engine

Номер патента: US5701865A. Автор: Dennis A. Soltis,Jay C. Mccombie,Jeffery C. Ehlers,Gregory T. Weber,Christopher P. Thomas. Владелец: Chrysler Corp. Дата публикации: 1997-12-30.

Method of, apparatus for and software for facilitating electronic business transactions

Номер патента: US20050049885A1. Автор: David Jones,Jennifer Johnson,Timothy Mcdonald,Gary Millar. Владелец: Mincom Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of deriving mature hepatocytes from human embryonic stem cells

Номер патента: CA3118259C. Автор: James Thomson,Srikumar Sengupta. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-26.

Operation Method of a Turbine Fracturing Device and a Turbine Fracturing Device

Номер патента: US20230399930A1. Автор: Peng Zhang,Jianwei Wang,Jihua Wang,Liang LV,Yipeng WU,Rikui Zhang,Xiaolei Ji,Chunqiang Lan,Xincheng Li,Yuxuan Sun,Zhuqing Mao. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of screening for genes or agents affecting the response of the Drosophila heart to hypoxia or anoxia

Номер патента: US20040187169A1. Автор: Giovanni Paternostro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Fixing devices for fixing marking material to a web with contact pre-heating of web and marking material and methods of fixing marking material to a web

Номер патента: US20120039646A1. Автор: Dale R. Mashtare,Anthony S. Condello. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Control method of solid state drive with built-in rfid encryption

Номер патента: ZA202307980B. Автор: Yong Tan,Jiaqi Shen,Jinliang Shen. Владелец: Shenzhen Kingspec Electronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

PROBE CARD, THERMAL INSULATION COVER ASSEMBLY FOR PROBE CARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE TEST APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170010306A1. Автор: NA Young-Mi,KIM Min-Gu. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

TRAINING CONTROLLER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180130516A1. Автор: KONG Kyu Bong,KIM Seo Jun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-05-10.

RECEIVER CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180137901A1. Автор: JUNG Hae Kang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20190267057A1. Автор: KIM Dong Kyun,PARK Min Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20190267058A1. Автор: KIM Dong Kyun,PARK Min Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Test device, method of manufacturing same and method of determining a component in a sample

Номер патента: US4689309A. Автор: James E. Jones. Владелец: Miles Laboratories Inc. Дата публикации: 1987-08-25.

Method of controlling gas accumulation in underground mines

Номер патента: US3814480A. Автор: J Davis,H Dahl,P Ehlers. Владелец: Continental Oil Co. Дата публикации: 1974-06-04.

Handheld optical measuring device and method of use

Номер патента: CA2789971C. Автор: Eugene Tokhtuev,Christopher J. Owen,William M. Christensen. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming and combusting water-in-fuel oil emulsion

Номер патента: US6066186A. Автор: Setsuo Matsumoto. Владелец: Matsumoto; Setsuo. Дата публикации: 2000-05-23.

Probe card, thermal insulation cover assembly for probe card, and semiconductor device test apparatus including the same

Номер патента: US10082536B2. Автор: Min-Gu Kim,Young-Mi NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-25.

A method of analysis and an analyser

Номер патента: CA2623343A1. Автор: Noel William Alexander Lambert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Handheld optical measuring device and method of use

Номер патента: CA2789971A1. Автор: Eugene Tokhtuev,Christopher J. Owen,William M. Christensen. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device, semiconductor system including the semiconductor device and method of operating the semiconductor system

Номер патента: KR102465162B1. Автор: 이태용,김웅래. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-11-10.

Handheld optical measuring device and method of use

Номер патента: WO2011121549A1. Автор: Eugene Tokhtuev,Christopher J. Owen,William M. Christensen. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2011-10-06.

Reactive fibers, method of manufacturing the same, and outer shell of chemical, biological and radiological protective clothing including the same

Номер патента: US20200392666A1. Автор: Min Kun Kim,Hyun Sook Jung,Seong On Jang,Jun O Lee,Hee Soo JUNG. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of determining suitability of a wire bonding tool for a wire bonding application, and related methods

Номер патента: US20230325552A1. Автор: Wei Qin,Basil Milton. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of determining suitability of a wire bonding tool for a wire bonding application, and related methods

Номер патента: WO2023196063A1. Автор: Wei Qin,Basil Milton. Владелец: KULICKE AND SOFFA INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2023-10-12.

Liquid crystal display device including first and second light blocking units

Номер патента: US10809550B2. Автор: Young Gu Kim,Baek Kyun Jeon,Hyun Ku AHN,Jae Weon HUR. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

System and method of delivering radiation therapy to a moving region of interest

Номер патента: EP1907066A2. Автор: John H. Hughes,Thomas R. Mackie,Paul J. Reckwerdt,Eric Schnarr,Weiguo Lu,Kenneth J. Ruchala,Gustavo H. Olivera,Jeffrey M. Kapatoes. Владелец: Tomotherapy Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

Method of manufacturing and controlling a butterfly valve for an internal combustion engine

Номер патента: US20090144979A1. Автор: Marcello Sciuto,Mario Marconi,Gabriele Giuliani,Alessandro Peciarolo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF INPUTTING DATA INTO THE SAME

Номер патента: US20150049559A1. Автор: SONG Keun Soo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD OF UNLOCKING AN ELECTRONIC DEVICE BASED ON MOTION RECOGNITIONS, MOTION RECOGNITION UNLOCKING SYSTEM, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150248551A1. Автор: KYUNG KYU-MIN,KIM TAE-CHAN,JEONG Seong-Yeong,BAE Kwang-Hyuk,CHO Shung-Han. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES, SEMICONDUCTOR SYSTEMS INCLUDING THE SAME, METHODS OF TESTING THE SAME

Номер патента: US20160291082A1. Автор: KO Bok Rim,KWAK Myung Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME, CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CHECK LIST GENERATION PROGRAM

Номер патента: US20160364351A1. Автор: NOGUCHI Koichiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Settable compositions comprising unexpanded perlite and methods of cementing in subterranean formations

Номер патента: US8486868B2. Автор: Craig W. Roddy,Chad Brenneis,Jeffery Karcher. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

Settable compositions comprising unexpanded perlite and methods of cementing in subterranean formations

Номер патента: CA2821573C. Автор: Craig Wayne Roddy,Jeffrey D. Karcher,Chad D. Brenneis. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Defect detection method of semiconductor wafer patterns

Номер патента: CA1242815A. Автор: Pak K. Leung. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Settable compositions comprising unexpanded perlite and methods of cementing in subterranean formations

Номер патента: CA2940821C. Автор: Craig Wayne Roddy,Jeffrey D. Karcher,Chad D. Brenneis. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of and apparatus for projecting spliced film or tape

Номер патента: US3885864A. Автор: Dietrich P Friesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-05-27.

Spinal disc replacements and methods of making thereof

Номер патента: WO2020069202A1. Автор: Nathaniel Bachrach,Jerson MEZQUITA,Scott Douglas CORNEZ. Владелец: TDBT IP Inc.. Дата публикации: 2020-04-02.

Settable compositions comprising remediated coal ash and methods of cementing in subterranean formations

Номер патента: US11884589B2. Автор: Joseph Earl Thomas,Jeffrey Alexander Whidden. Владелец: Cr Minerals Company LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Driving Device, Surgical Instrument, and Operation Method of Surgical Instrument

Номер патента: US20240032919A1. Автор: Baofeng SUN,Zhixing Zhang. Владелец: Fulbright Medical Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of Operating a Brake

Номер патента: US20160084330A1. Автор: Prashant Narula,Peter Gibbens. Владелец: Meritor Heavy Vehicle Braking Systems UK Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of extracting and concentrating phytosterol from palm oil by-product

Номер патента: WO2017003279A3. Автор: Yuen May Choo,Nor Faizah JALANI,Astimar ABD AZIZ,Wan Hasamudin WAN HASSAN,Noorshamsiana ABD WAHAB,Iskandarshah HAMZAH,Abd. Gapor MD. TOP. Владелец: Malaysian Palm Oil Board (MPOB). Дата публикации: 2017-02-16.

Cholesteric liquid crystal layer, method of forming cholesteric liquid crystal layer, laminate, light guide element, and image display device

Номер патента: US20240069257A1. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Katsumi SASATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Spinal disc replacements and methods of making thereof

Номер патента: AU2019347499A1. Автор: Nathaniel Bachrach,Jerson MEZQUITA,Scott Douglas CORNEZ. Владелец: Tdbt Ip Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Spinal disc replacements and methods of making thereof

Номер патента: US20210236296A1. Автор: Nathaniel Bachrach,Jerson MEZQUITA,Scott Douglas CORNEZ. Владелец: Tdbt Ip Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Spinal disc replacements and methods of making thereof

Номер патента: PH12021550693A1. Автор: Nathaniel Bachrach,Jerson MEZQUITA,Scott Douglas CORNEZ. Владелец: Tdbt Ip Inc. Дата публикации: 2022-02-14.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: WO2024097766A1. Автор: Amit Agrawal,Todd Michael KLEIN,Henri Joseph Lezec,Wenqi ZHU,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-10.

Method of replacing a functionality of a thermal shield flexure, a thermal shield flexure member, and a system including the same

Номер патента: EP4104191A1. Автор: Mark Michael PILLARD,Matthew James PALAMARA,Stephen Daniel SMITH. Владелец: Westinghouse Electric Co LLC. Дата публикации: 2022-12-21.

Method of replacing a functionality of a thermal shield flexure, a thermal shield flexure member, and a system including the same

Номер патента: US20230136152A1. Автор: Mark Michael PILLARD,Matthew James PALAMARA,Stephen Daniel SMITH. Владелец: Westinghouse Electric Co LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Floating control device, operation method of floating control device and interactive display system

Номер патента: US11176855B2. Автор: Chueh-Pin Ko. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Method of maintaining the appearance or colour of meat

Номер патента: CA2625737A1. Автор: Roger Keith Palmer,Clyde Charles Daly. Владелец: Clyde Charles Daly. Дата публикации: 2006-04-20.

A respiratory assistance device and a method of controlling said device

Номер патента: US20160030690A1. Автор: Kevin Peter O'donnell,Stanislav Tatkov. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Floating control device, operation method of floating control device and interactive display system

Номер патента: US20210082325A1. Автор: Chueh-Pin Ko. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

System and method of creating and recreating a music mix, computer program product and computer system

Номер патента: US20200402544A1. Автор: Daniel Wallner,Svante STADLER. Владелец: 100 Milligrams Holding AB. Дата публикации: 2020-12-24.

Respiratory assistance device and a method of controlling said device

Номер патента: US20190336712A1. Автор: Kevin Peter O'donnell,Stanislav Tatkov. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Settable compositions comprising cement kiln dust and rice husk ash and methods of use

Номер патента: EP2855393A1. Автор: Craig W. Roddy,D. Chad Brenneis,Jiten Chatterji,Callie R. Jarratt. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-04-08.

Settable compositions comprising cement kiln dust and rice husk ash and methods of use

Номер патента: MY170676A. Автор: Jiten Chatterji,Craig W Roddy,D Chad Brenneis,Callie R Jarratt. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2019-08-26.

Mass flow control system, and semiconductor manufacturing equipment and vaporizer including the system

Номер патента: US11550341B2. Автор: Mamoru Ishii. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Method of preparing cuts of meat

Номер патента: EP1809115A2. Автор: Roger Keith Palmer,Clyde Charles Daly. Владелец: Foodcap International Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

METHOD OF OPTIMIZING A MASK USING PIXEL-BASED LEARNING AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING AN OPTIMIZED MASK

Номер патента: US20180095359A1. Автор: JEONG MOON-GYU. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

A driving method of memory controller controlling nonvolatile memory device using variable resistive element, the memory controller, a memory system including the memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: KR101977684B1. Автор: 조우영,오영훈,김두응. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2019-05-13.

Method of managing free space in nonvolatile memory, access device for recording data in information recording device including nonvolatile memory, information recording device, and information recording system

Номер патента: JPWO2018186455A1. Автор: 卓治前田,前田　卓治. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of removing particles in an injector of a diesel engine, apparatus for performing the same, diesel engine including the apparatus

Номер патента: KR20220114737A. Автор: 한형민. Владелец: 현대두산인프라코어(주). Дата публикации: 2022-08-17.

METHOD OF DESIGNING AND PLACING A LENS WITHIN A SPECTACLES FRAME

Номер патента: US20190146243A1. Автор: Hatanaka Takashi,CLUCKERS Tom,MAES Jan,PARANDIAN Alireza. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Methods of fabricating full-wafer silicon probe cards for burn-in and testing of semiconductor devices

Номер патента: US6912778B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

METHOD OF GUIDANCE FOR PLACING A SATELLITE ON STATION

Номер патента: US20160178750A1. Автор: AMALRIC Joel,DARGENT Thierry,LE BRIS Christophe. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ACTIVE CONTROL DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150187406A1. Автор: KIM Jin Ah. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of forming in place a gelled suspension explosive

Номер патента: US3676236A. Автор: Frank J Klima,James D Duncan. Владелец: Gulf Oil Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Active control device, semiconductor device and system including the same

Номер патента: US9196350B2. Автор: Jin Ah Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME AND TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20150003171A1. Автор: KIM Kwang-Hyun,LEE Kang-Youl. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-01-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150046743A1. Автор: Park Jung-Hoon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR SYSTEM

Номер патента: US20220270671A1. Автор: KIM Woongrae,LEE Tae-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME AND READ AND WRITE OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180144789A1. Автор: SHIN Sun Hye. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-05-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME AND TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20170194060A1. Автор: KIM Kwang-Hyun,LEE Kang-Youl. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR SYSTEM

Номер патента: US20180342285A1. Автор: KIM Woongrae,LEE Tae-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Method of performing reverse molded elements for placing the welding seam of plastic profiled elements

Номер патента: RU2742545C2. Автор: Андреа ВАККАРИ. Владелец: Граф Синерджи С.Р.Л.. Дата публикации: 2021-02-08.

A method of manufacturing a wheel with a tyre and a wheel with a tyre

Номер патента: WO2015036775A1. Автор: Michael Andrews,Paul Andrews. Владелец: Capak Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

A method of manufacturing a wheel with a tyre and a wheel with a tyre

Номер патента: EP3043989A1. Автор: Michael Andrews,Paul Andrews. Владелец: Capak Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of wheel and hubcap adornment

Номер патента: US20150047196A1. Автор: Albert Hansen,Lisa Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-19.

Manufacturing method of zinc oxide nanorod arrays and nanorod arrays made by the same and semiconductor device using the same

Номер патента: WO2014182129A1. Автор: Jong Lam Lee,Sung Joo Kim,Buem Joon Kim. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-13.

Apparatus of Manufacturing Resin Molding Product, Method of Manufacturing Resin Molding Product, and Mold

Номер патента: US20240149506A1. Автор: Kiyotaka Nakayama,Koji Matsuzaki,Takashi Uemura,Akihiro Naito,Shoso Nishida,Keigo Susa. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of preparing koturi kimbap

Номер патента: WO2004062383A1. Автор: Heui-Joo Cho. Владелец: Heui-Joo Cho. Дата публикации: 2004-07-29.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of refrigerator decorating

Номер патента: US20200041194A1. Автор: Erika Courter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductive roller, and method of producing the same

Номер патента: US09939752B2. Автор: Yuta Imase. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of producing a color pattern and a method of analyzing colorimetric test strips using said pattern

Номер патента: RU2692062C1. Автор: Армаис Альбертович Камалов,Евгений Александрович Ширшин,Борис Павлович Якимов,Даниил Дмитриевич Лысухин,Арташес Георгиевич Армаганов. Владелец: Арташес Георгиевич Армаганов. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of assembling double-glazing facing panels

Номер патента: EP2061945A2. Автор: Ermenegildo Sossai. Владелец: PALU' 30 Srl con Unico Socio. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of correcting euv overlay and method of manufacturing semiconductor device including the same

Номер патента: US20240176230A1. Автор: Dohyung Kim,Sanghwan Lee,Seongchul HONG,Hachul Shin,Jooon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DTV TRANSMITTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING BROADCAST DATA THEREIN

Номер патента: US20120002730A1. Автор: Choi In Hwan,Kwak Kook Yeon,Lee Hyoung Gon,Kim Byoung Gill,Kim Jin Woo,Kim Jong Moon,Song Won Gyu,KIM Jae Hyung,HONG Sung Ryong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AVIONICS DEVICE, SYSTEMS AND METHODS OF DISPLAY

Номер патента: US20120001773A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of coal briquettes out of coal powder and device for its realization

Номер патента: RU2248883C1. Автор: Н.Е. Королев,В.Е. Зубкин,В.М. Коновалов. Владелец: Зубкин Валерий Ерахмиельевич. Дата публикации: 2005-03-27.

Method of manufacturing and burning fuel briquets from high-power energy carbon-containing substances

Номер патента: RU2636314C2. Автор: Анатолий Николаевич Селезнев,Евгений Иванович Крамаренко,Станислав Сергеевич Будаев,Михаил Александрович Николаев. Владелец: Евгений Иванович Крамаренко. Дата публикации: 2017-11-22.

Method of preservation and insulation of industrial deposits

Номер патента: RU2636174C1. Автор: Роман Анатольевич Ковалев,Константин Александрович Головин,Дмитрий Олегович Прохоров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2017-11-21.

Method of determining value of change of thickness of peat layer on reclaimed lands

Номер патента: RU2452950C1. Автор: Александр Евгеньевич Касьянов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет природообустройства". Дата публикации: 2012-06-10.

Method of seating silicon chip onto housing base

Номер патента: RU2375787C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ). Дата публикации: 2009-12-10.

Method of preparation and measurement of surface of large-sized object with scanning probe microscope

Номер патента: RU2494407C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Соколов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инструменты нанотехнологии". Дата публикации: 2013-09-27.

Method of producing secondary metabolites

Номер патента: PH12019050099A1. Автор: Teofila O Zulaybar,Irene A Papa. Владелец: Nat Institute Of Molecular Biology And Biotechnology Biotech. Дата публикации: 2021-02-22.

Method of collaborative mining of close-distance coal seam and overlying section coal pillar

Номер патента: AU2023216862A1. Автор: Tao Li,Jing Zheng,Qiang Sun,Jiaqi Zhang,Liqiang MA,Xiaobo Wan,Limin Fan,Ruhong Bai. Владелец: Shaanxi Yulin Energy Group Yushen Coal Power Co ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of topping-up and pumping of nondried gas

Номер патента: RU2238426C1. Автор: В.Н. Мартынов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная Компания "РАНКО". Дата публикации: 2004-10-20.

Improved Methods of Combining Metallic and other Bodies together and with India-rubber, applicable to the Making of Pneumatic Tires, and other purposes.

Номер патента: GB190403088A. Автор: Jonathan Aldous Mays. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-02-02.

FILM FOR THE BACKSIDE OF FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR, DICING TAPE-INTEGRATED FILM FOR THE BACKSIDE OF SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING FILM FOR THE BACKSIDE OF FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126380A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,INOUE Koichi,MORITA Miki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

HARDMASK COMPOSITION, METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERN

Номер патента: US20120153424A1. Автор: Kim Min-Soo,CHEON Hwan-Sung,OH Seung-Bae,Cho Sung-Wook,Song Jee-Yun,Choi Yoo-Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

Vapor compression cycle device with multi-component working fluid mixture and method of modulating the thermal transfer capacity thereof

Номер патента: CA1134156A. Автор: Himanshu B. Vakil. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1982-10-26.

Method of providing surface layers side by side ona carrier, preferably forthe manufacture of semiconductor devices, and carriers and semiconductor devices produced bythe method

Номер патента: AU4959564A. Автор: SIEBOLD TE VELDE and GERTRUDE WILHELMINA MARIA THERESIA VAN HELDEN TEES. Владелец: Nv Pett Tps' Gloeilampenfabrieken. Дата публикации: 1966-03-24.

HARDMASK COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERNS

Номер патента: US20120153511A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

HARD MASK COMPOSITION, METHOD OF FORMING A PATTERN, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERN

Номер патента: US20120168894A1. Автор: Kim Min-Soo,CHEON Hwan-Sung,KIM Young-Min,LEE Cheol-ho,Song Jee-Yun,LEE Chung-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Heat exchanger seal and method of installation thereof

Номер патента: CA1148931A. Автор: Joseph N. Terranova. Владелец: Bos Hatten Inc. Дата публикации: 1983-06-28.

Power semiconductor module and semiconductor power conversion device including the same

Номер патента: JP5231880B2. Автор: 伸一馬場,利春大部,豪二宮,和宏上田,禎之清水. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-10.

METHODS OF FORMING THROUGH WAFER INTERCONNECTS IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING SACRIFICIAL MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS

Номер патента: US20120061794A1. Автор: . Владелец: S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of application of heat-resistant ceramic-metal coating on products from heat resisting alloys

Номер патента: RU2558783C2. Автор: Евгений Викторович Васильев,Андрей Николаевич Попов,Виталий Степанович Гончаров,Максим Витальевич Гончаров,Павел Анатольевич Мельников,Сергей Александрович Марушин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2015-08-10.

CAPACITOR AND REGISTER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130154055A1. Автор: PARK Sun Mi,Oh Sang Hyun,LEE Sang Bum. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of producing ortho-cresol novolac epoxy resin and polymer composition based thereon

Номер патента: RU2447093C1. Автор: Лариса Юльевна Чиванова,Святослав Игоревич Казаков,Татьяна Николаевна Прудскова. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт пластмасс имени Г.С. Петрова". Дата публикации: 2012-04-10.

MULTIPORT MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130054885A1. Автор: CHOI Jae-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of improving the quality of flour

Номер патента: CA1189743A. Автор: Kazuo Yamada,Mitsumune Takatsu,Junichi Minami,Masaki Terada,Koichiro Hohsai. Владелец: Nissin Shokuhin KK. Дата публикации: 1985-07-02.

Method of installing subsea templates

Номер патента: CA1194856A. Автор: James E. Hampton. Владелец: Sedco Inc. Дата публикации: 1985-10-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130334585A1. Автор: LEE Sang Bum. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Methods of producing metal ingots

Номер патента: CA2799654C. Автор: Wayne J. Fenton,Robert Bruce Wagstaff. Владелец: Novelis Inc Canada. Дата публикации: 2016-03-15.

METHODS OF FORMING A MULTI-TIERED SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUSES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130032870A1. Автор: Lindsay Roger W.,DAMARLA GOWRI,JINDAL ANURAG,Blomiley Eric. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

METHODS OF MANUFACTURING A MASK BLANK SUBSTRATE, A MASK BLANK, A PHOTOMASK, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120208112A1. Автор: . Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

Methods of Forming a Gate Cap Layer Above a Replacement Gate Structure and a Semiconductor Device That Includes Such a Gate Structure and Cap Layer

Номер патента: US20130181265A1. Автор: GRASSHOFF Gunter,Labelle Catherine. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-18.

Manufacturing method of inter-metal dielectrics using pre-processing oxidation deposition in the Sub-micron semiconductor device

Номер патента: TW399291B. Автор: Fu-Liang Yang,Liang-Dung Jang. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-07-21.

Method of mounting in place a drilling rig

Номер патента: PL148816B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1989-12-30.

NANOSTRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLAR CELL INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130000713A1. Автор: . Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-01-03.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Stabilizing a Scorpion for Storage and Distribution in a Novelty Drink Form

Номер патента: US20120003370A1. Автор: Turner Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DELIVERING A CONDUIT INTO A HEART WALL TO PLACE A CORONARY VESSEL IN COMMUNICATION WITH A HEART CHAMBER AND REMOVING TISSUE FROM THE VESSEL OR HEART WALL TO FACILITATE SUCH COMMUNICATION

Номер патента: US20120004589A1. Автор: . Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DESCALING METALLIC DEVICES

Номер патента: US20120000791A1. Автор: . Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE ACOUSTIC WAVE SENSOR DEVICE INCLUDING TARGET BIOMOLECULE ISOLATION COMPONENT

Номер патента: US20120000779A1. Автор: LEE Hun Joo,LEE Soo Suk,HAN Kyung Yeon,KIM Jae Ho,SONG Mi Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENCODING DEVICE AND METHOD AND MULTIMEDIA APPARATUS INCLUDING THE ENCODING DEVICE

Номер патента: US20120002724A1. Автор: KIim Seong Hee. Владелец: CORE LOGIC INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING AN EMERGENCY CONTACT PARTY LINE

Номер патента: US20120002791A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ADJUSTING SPEED AND/OR ROUTING OF A TABLE MOVEMENT PLAN AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS

Номер патента: US20120003381A1. Автор: Li Hua,Van Den Nieuwelaar Norbertus Josephus Martinus,GROUWSTRA Cedric Desire,JOCHEMSEN Marinus,KEMPER Nicolaas Rudolf,DE VRIES Dirk. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of placing a semiconducting nanostructure and semiconductor device including the semiconducting nanostructure

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты