Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of manufacturing semiconductor devices having improved polycide integrity through introduction of a silicon layer within the polycide structure

Method of manufacturing semiconductor devices having improved polycide integrity through introduction of a silicon layer within the polycide structure

Номер патента: US6153452A
Опубликовано: 28-11-2000
Автор(ы): Arun K. Nanda, Hem M. Vaidya, Pradip K. Roy, Sailesh M. Merchant
Принадлежит: Lucent Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: GB1334494A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-17.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device on SOI substrate

Номер патента: US5920094A. Автор: Myung-Hee Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9805944B2. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271168A1. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Methods of forming gate structures for semiconductor devices using a replacement gate technique and the resulting devices

Номер патента: US20150311081A1. Автор: Qi Zhang,Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Andy C. Wei,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods of tailoring work function of semiconductor devices with high-k/metal layer gate structures by performing a fluorine implant process

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Jan Hoentschel,Shesh Mani Pandey,Shiang Yang Ong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210083114A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods of reducing parasitic capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US12009263B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220140142A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11682729B2. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of manufacturing semiconductor device having triple-well structure and semiconductor device fabricated

Номер патента: US7419893B2. Автор: Masato Kijima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130196494A1. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230246076A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device having a titanium electrode

Номер патента: US6103566A. Автор: Natsuki Yokoyama,Shinpei Iijima,Tsuyoshi Tamaru,Masayuki Nakata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-08-15.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods of forming MIM type capacitors by forming upper and lower electrode layers in a recess that exposes a source/drain region of a transistor and MIM capacitors so formed

Номер патента: US20030129805A1. Автор: Hong-Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a through hole in multi-layer insulating films

Номер патента: US5378652A. Автор: Toshiro Usami,Shuichi Samata,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10665681B2. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12068388B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Hsuan-Yu Tung,Chin-You Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240363719A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Hsuan-Yu Tung,Chin-You Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10770548B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Yohei Iwahashi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9330916B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279921A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326961A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11869814B2. Автор: Hidetatsu Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12020924B2. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140231827A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20200105618A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Ching-Hua Lee,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Chung-Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220384275A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Ching-Hua Lee,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Chung-Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11942376B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Ching-Hua Lee,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Chung-Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing for memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US9502543B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of forming a semiconductor device comprising titanium silicon oxynitride

Номер патента: US10032625B2. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Electrically conductive element, power semiconductor device having an electrically conductive element and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US09812376B2. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device having a structure that prevents defects due to precision, bending and the like of a mask without increasing manufacturing steps

Номер патента: US09893325B2. Автор: Hideto Ohnuma,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Electrically Conductive Element, Power Semiconductor Device Having an Electrically Conductive Element and Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160013117A1. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing substrate and semiconductor device

Номер патента: US10861703B2. Автор: Makoto Watanabe,Kenji Fujii,Hirohisa Fujita,Yusuke Hashimoto,Satoshi Ibe,Shuhei Oya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of manufacturing substrate and semiconductor device

Номер патента: US20190051533A1. Автор: Makoto Watanabe,Kenji Fujii,Hirohisa Fujita,Yusuke Hashimoto,Satoshi Ibe,Shuhei Oya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of Treating Protective Coatings for Semiconductor Devices

Номер патента: GB1175392A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1969-12-23.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6380058B2. Автор: Mitsuo Kimoto,Seiji Manabe. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779992B2. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200126853A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Mitsuhiro SUKEGAWA,Yoshinori Matsumuro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100227472A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09825142B2. Автор: Jooyoung Lee,Dongjin Jung,Hyeoungwon Seo,Ilgweon KIM,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display device having thin film transistor

Номер патента: US8964141B2. Автор: Ji-Yong Park,Kyung-Min Park,Jin-Suk Park,Sung-In Ro,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US20210407906A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming dielectric structures in semiconductor devices

Номер патента: WO2008054689A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230317842A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Compound having thiol anchoring group, method of synthesizing the same, and molecular electronic device having molecular active layer formed using the compound

Номер патента: US20100090210A1. Автор: Junghyun Lee,Hyoyoung Lee,Jonghyurk Park,Gyeong Sook BANG,Seung Rim Shin,Nak-Jin Choi,Heeyoel Baek,Kun Jun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-15.

Holding circuit, driving method of the holding circuit, and semiconductor device including the holding circuit

Номер патента: WO2015155633A1. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including an Edge Area

Номер патента: US20140302667A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of manufacturing organic light emitting display device having cathode electrode connected with an auxiliary electrode via a gap space between the first and second banks

Номер патента: US20180204894A1. Автор: Jin-Hee Jang,Sejune Kim,SoJung LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having capacitor element

Номер патента: US7323735B2. Автор: Naotaka Hashimoto,Shuji Ikeda,Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-29.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having at least one resin part that closes one or more corresponding ones of a plurality of threaded holes

Номер патента: US12119279B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kosuke Yamaguchi,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara,Teruaki Nagahara,Mamoru TOGAMI,Shota O. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of preparing quantum dot layer, qled display device having the quantum dot layer and method of preparing the same

Номер патента: US20170271549A1. Автор: Xiang Zhou,Tian Yang,Zhao Kang,Ning Chen,Xiaoyan Zhu,Biao TIAN,Xiaona Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of preparing quantum dot layer, QLED display device having the quantum dot layer and method of preparing the same

Номер патента: US09780257B1. Автор: Xiang Zhou,Tian Yang,Zhao Kang,Ning Chen,Xiaoyan Zhu,Biao TIAN,Xiaona Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Miniaturized lens packaging module, preparation method of the lens packaging module, and electronic device having the lens packaging module

Номер патента: US20240266448A1. Автор: Hsin-Yen Hsu. Владелец: Rayprus Technology Foshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device

Номер патента: US20090126790A1. Автор: Hironobu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

MEMS device having a metallization structure embedded in a dielectric structure with laterally offset sidewalls of a first portion and a second portion

Номер патента: US11932534B2. Автор: Ping-Yin Liu,Chung-Yi Yu,Jung-Huei Peng,Hung-Hua Lin,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US11784179B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Capacitor structure, method of forming the same, and semiconductor device including the capacitor structure

Номер патента: US20240096931A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985043B2. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170229557A1. Автор: Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812557B2. Автор: Dong-Suk Shin,Cheol-Woo Park,Han-jin Lim,Hyun-Kwan Yu,Ryong Ha,Woon-Ki Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170186872A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device including fin shaped structure including silicon germanium layer

Номер патента: US09954108B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Rf switch device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230040844A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jin Hyo Jung,Sang Gil Kim,Ki Hun Lee,Seung Ki KO,Tae Ryoong PARK,Kyong Rok KIM. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Super-junction power device having adjustable resistor connected in parallel between gate and source, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386861A1. Автор: WEI Hu. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Epitaxial structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360909A1. Автор: Po-Jung Lin,Han-Zong Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Epitaxial structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360910A1. Автор: Po-Jung Lin,Han-Zong Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11888020B2. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220130948A1. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107148B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Method of manufacturing semiconductor device capable of sensing dynamic quantity

Номер патента: US20030201506A1. Автор: Kenichi Ao,Hiroshi Muto,Yukihiro Takeuchi,Kazuhiko Kano,Minekazu Sakai,Tsuyoshi Fukada,Junji Oohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11923301B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087580B2. Автор: Hui-Chun Lee,Chun-Wei Liao,Tung-Hung FENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728431B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Shun Matsui,Tadashi Takasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Pre-package and methods of manufacturing semiconductor package and electronic device using the same

Номер патента: US09761477B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Method of manufacturing open frame diode for solar cells of space vehicles

Номер патента: RU2656126C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Владимир Анатольевич Харитонов,Андрей Андреевич Басовский,Павел Игоревич Дидык,Любовь Владимировна Анурова. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of producing a semiconductor body

Номер патента: US09768344B2. Автор: Thomas Veit,Jens Dennemarck,Heribert Zull,Korbinian Perzlmaier,Franz Eberhard,Mathias Kämpf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing device having adhesive film on back-side surface thereof

Номер патента: US20090075458A1. Автор: Masaru Nakamura. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Package chip and method of manufacturing the same, rewiring package chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220246557A1. Автор: Hua Miao,Lixiang Huang. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing wiring substrate and method of manufacturing electronic component device

Номер патента: US8176627B2. Автор: Kazuhiro Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234259A1. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of manufacturing semiconductor device having resin sealing body

Номер патента: US6759279B2. Автор: Atsushi Fujisawa,Masahiro Ichitani,Takafumi Konno,Shingo Ohsaka,Ryo Haruta. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-07-06.

Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate

Номер патента: US20050263907A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Packaged semiconductor devices and packaging devices and methods

Номер патента: US09728496B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20180202068A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of manufacturing a passivating composite comprising a silicon nitride (SI1 3N4) layer and a phosphosilicate glass (PSG) layer for a semiconductor device layer

Номер патента: USRE32351E. Автор: Robert H. Dawson,George L. Schnable. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287859A1. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device with cavity carrier and method therefor

Номер патента: US20240234222A9. Автор: Zhiwei Gong,Kuan-Hsiang Mao,Neil Thomas Tracht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a package substrate

Номер патента: US20130180651A1. Автор: Lee-Sheng Yen,Doau-Tzu Wang. Владелец: Advance Materials Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method for etching a silicon substrate

Номер патента: US4664762A. Автор: Masaki Hirata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-05-12.

Method of manufacturing semiconductor device including cutting a molding member and a redistribution wiring layer and a cutting region of a base substrate

Номер патента: US11887907B2. Автор: Wonyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of creating skyrmions and their arrays in a magnetic medium using a scanning microscope probe

Номер патента: RU2702810C1. Автор: Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Александр Геннадьевич Колесников. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" (ДВФУ). Дата публикации: 2019-10-11.

System, device and methods of manufacture

Номер патента: US11848235B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Wei Hsu,Tin-Hao Kuo,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

System, Device and Methods of Manufacture

Номер патента: US20220367267A1. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Wei Hsu,Tin-Hao Kuo,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

System, Device and Methods of Manufacture

Номер патента: US20240071825A1. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Wei Hsu,Tin-Hao Kuo,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

System, device and methods of manufacture

Номер патента: US20210202312A1. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Wei Hsu,Tin-Hao Kuo,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6399457B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee,Byung-lyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Method of preserving solid-state surface and coating preserving solid-state surface

Номер патента: RU2601745C1. Автор: Дмитрий Владимирович Пышный,Борис Иванович Фомин,Елена Владимировна Дмитриенко,Ольга Викторовна Наумова,Юлия Владимировна Кайгородова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт химической биологии и фундаментальной медицины Сибирского отделения Российской академии наук (ИХБФМ СО РАН). Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1203639A. Автор: Peter J.W. Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20190109138A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Lead frame, method of manufacturing the same, semiconductor device using lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101007595B1. Автор: 타케시 코바야시,히사오 스고우. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2011-01-12.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor Device and Method of Forming SIP Module Over Film Layer

Номер патента: US20200402817A1. Автор: Kyunghwan Kim,OhHan Kim,HunTeak Lee,WoonJae Beak,Insang Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor Device and Method of Forming SIP Module Over Film Layer

Номер патента: US20180269195A1. Автор: Kyunghwan Kim,OhHan Kim,HunTeak Lee,WoonJae Beak,Insang Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming a thin film using a surface protection material

Номер патента: US20210130954A1. Автор: Dong Hyun Lee,Ha Na Kim,Geun Su Lee,Jae Min Kim,Ji Won Moon,Myung Soo Lee,Eun Ae JUNG,Woong Jin CHOI,Hyun Sik Noh,Dong Hak JANG. Владелец: Eugenetech Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of forming a thin film using a surface protection material

Номер патента: US11591691B2. Автор: Dong Hyun Lee,Ha Na Kim,Geun Su Lee,Jae Min Kim,Ji Won Moon,Myung Soo Lee,Eun Ae JUNG,Woong Jin CHOI,Hyun Sik Noh,Dong Hak JANG. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Method of Controlling a Gate Valve

Номер патента: US20190346047A1. Автор: Shuichi Araki,Mitsuhiro Ikeda,Hideaki Nagai,Yoshinori Tobita,Tomohiro SAWAHATA,Katsuyuki SAITOH. Владелец: V Tex Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09870971B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028010A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210343524A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190221646A1. Автор: Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Planar dual gate semiconductor device

Номер патента: EP1754261A1. Автор: Josine c/o Philips Intellectual Pty & Stds LOO,Youri c/o Philips Int. Pty& Stds PONOMAREV. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Planar dual gate semiconductor device

Номер патента: WO2005117132A1. Автор: Youri Ponomarev,Josine Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US20210020751A1. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Flat fluorescent lamp, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US20050269931A1. Автор: Sang-Yu Lee,In-Sun Hwang,Joong-Hyun Kim,Hae-Soo Ha. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device, in particular a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996033537A3. Автор: Roijen Raymond Van,Petrus Johannes Adrianus Thijs,Gestel Patrick Henricus Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-12-27.

Battery cell monitoring system, a method of operating a battery cell monitoring system, and a non-transitory computer readable medium to store computer-readable code for fabrication of a battery cell monitoring system

Номер патента: US20230238589A1. Автор: James Edward Myers,Emre Ozer,Remy Pottier,John Philip Biggs,Jedrzej KUFEL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12113059B2. Автор: Michael Fogarty Cahir,Stephen Geoffrey Badcock. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11948933B2. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230253397A1. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240203975A1. Автор: Yupeng Chen,Steven M. Etter. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device having the display panel

Номер патента: US11723240B2. Автор: Woosik Jeon,Eon Seok OH,Jungmin Choi,Seungsoo Hong,Junkyeong Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20180005704A1. Автор: Hiromichi Takaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Flexible substrate and method of manufacturing thereof and flexible display device having the flexible substrate

Номер патента: US09935280B2. Автор: Jin Hwan Choi,Young Gug Seol,Tae Woong Kim,Ju Chan Park,Pil Suk Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and manufacturing process thereof

Номер патента: US20080064148A1. Автор: Hideki Takahashi,Mitsuru Kaneda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and manufacturing process thereof

Номер патента: US7326996B2. Автор: Hideki Takahashi,Mitsuru Kaneda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing integrated circuit having through-substrate via

Номер патента: US11748544B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu,Meng-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing integrated circuit having through-substrate via

Номер патента: US20230351086A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu,Meng-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12101933B2. Автор: Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor device for integrating power gate circuit using silicon connection layer

Номер патента: US20220328452A1. Автор: Hua Yan,Yueer SHAN,Yanfeng Xu,Jicong FAN,Yanfei Zhang. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a solar cell and the solar cell manufactured by the same (as amended)

Номер патента: US20110214737A1. Автор: Yoshinori Suga,Shintaro Inoue,Noriyuki KITAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Metal wiring, method of manufacturing the same, TFT substrate having the same, method of manufacturing TFT substrate and display device having the same

Номер патента: US20060086979A1. Автор: Yang-Sun Kim,Taek-Hee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Light-emitting element with first and second light transmissive electrodes and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941446B2. Автор: Shun KITAHAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09853098B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Seo,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing light-emitting display device with reduced pressure drying

Номер патента: US09799712B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Atsushi KITABAYASHI,Jae Kwon Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: US20090206435A1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Ushibori. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: US7737044B2. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-15.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: WO2006001317A1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2006-01-05.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Defocus measurement method, correction method, and method of manufacturing semiconductor device by using the correction method

Номер патента: US11977338B2. Автор: Youngmin Seo,Jieun Park,Inbeom YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device

Номер патента: US20090243017A1. Автор: Takeshi Takeda,Kenji Takeo,Tadayuki Dofuku. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332261A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

A method of manufacturing a monolithic display

Номер патента: WO2024115898A1. Автор: Simon Ogier,Chia Hung Tsai,Daniel Sharkey. Владелец: SMARTKEM LIMITED. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20210305219A1. Автор: Hirofumi NISHIYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US11508705B2. Автор: Hirofumi NISHIYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

Customized metallization patterns during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: EP2377159A1. Автор: Michael Dovrat. Владелец: Xjet Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Display panel, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US9933674B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Coating composition for wafer protection and method of manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20240038551A1. Автор: Woojung Park,Mihyae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6225146B1. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220302147A1. Автор: Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Epoxy resin composition and semiconductor device using thereof

Номер патента: MY138721A. Автор: Hirofumi Kuroda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2009-07-31.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Led chip-based lighting products and methods of building

Номер патента: US20130105829A1. Автор: Jeffrey Bisberg. Владелец: Albeo Technologies Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for manufacturing a bottom substrate of a liquid crystal display

Номер патента: US20070196941A1. Автор: Wen-Yih Shyu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of preventing generation of particles in chamber

Номер патента: US20010002338A1. Автор: Keun Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-31.

Inspection method, inspection system, and method of fabricating semiconductor package using the same

Номер патента: US20180101940A1. Автор: Younghoon Sohn,Yusin Yang,Ilsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of bonding column type deposits

Номер патента: US20240332233A1. Автор: Geunsik Ahn,Youn Sung Ko. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming fine holes in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPH0618185B2. Автор: 徹志 酒井,邦彦 渡辺,俊彦 高倉,重雄 黒田,幹規 河路,裕幸 西沢. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-09.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US7712650B2. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US20070080190A1. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of manufacturing of a field emission element

Номер патента: RU2678192C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Николаевич Козлов,Алексей Васильевич Живихин,Евгений Павлович Кицюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of making electric contact wire from heat-strengthened copper-based alloy (versions)

Номер патента: RU2741873C1. Автор: Александр Юрьевич Крохин,Георгий Иосифович Рааб,Арсений Георгиевич Рааб,Рашид Наилевич Асфандияров,Денис Алексеевич Аксенов,Максим Владимирович Третьяков,Янечек Милош. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2021-01-29.

Method of manufacturing electrical cable, and resulting product, with reduced required installation pulling force

Номер патента: US11776715B2. Автор: Philip Sasse,Terry Chambers,Randy D. Kummer,John Armstrong,David Reece,Hai Lam. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing a ballast resistor support member and finished article

Номер патента: US4418328A. Автор: Frederick Hetzel,William G. McCracken, Jr.. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-11-29.

Method of manufacturing hydrogen-absorbing alloy electrode

Номер патента: US20010035239A1. Автор: Teruhiko Imoto,Tadashi Ise,Yohei Hirota,Takayuki Murakami. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-01.

Electric storage battery construction and method of manufacture

Номер патента: US09991497B2. Автор: Hisashi Tsukamoto,David M. Skinlo,Leon Parkhouse,Vladimir Zolotnik,Andrew Szyszkowki. Владелец: Quallion LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Composite magnetic body, composite magnetic body sheet, and methods of manufacturing the same

Номер патента: MY133600A. Автор: Yoshida Shigeyoshi,Ono Norihiko. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Electrode composition, electrode for lithium secondary battery, method of manufacturing the electrode and lithium secondary battery including the electrode

Номер патента: US20110281166A1. Автор: Kwi-Seok Choi,Ki-Jun Kim,Chae-Woong Cho,Bum-Jin Chang,Woon-Suk Jang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method of producing in-situ carbon coated lithium iron phosphate cathode material for lithium-ion batteries and the product thereof

Номер патента: EP4267681A1. Автор: Srinivasan Anandan,Ravula Vijay,Tata Narasinga Rao. Владелец: International Advanced Research Center for Powder Metallurgy and New Materials ARCI. Дата публикации: 2023-11-01.

Multi-electrode field emission device having single power source and method of driving same

Номер патента: US20140346975A1. Автор: Jae-Woo Kim,Jin-woo Jeong,Yoon-Ho Song,Jun-Tae KANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of producing in-situ carbon coated lithium iron phosphate cathode material for lithium-ion batteries and the product thereof

Номер патента: US20240300822A1. Автор: Srinivasan Anandan,Ravula Vijay,Tata Narasinga Rao. Владелец: International Advanced Research Center for Powder Metallurgy and New Materials ARCI. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device having monochromatic filter layer

Номер патента: US12016234B2. Автор: Ke Liu,Jie Li,Xiaoqi Ding,Jiali WANG,Guoyi Cui,Xinlei YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming superconducting functional elements of electronic devices having regions with different values of critical current density

Номер патента: RU2694800C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько,Леонид Вячеславович Кутузов,Александр Григорьевич Домантовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2019-07-16.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of creating compound file and data storage device having the compound file

Номер патента: US9514392B2. Автор: Young-cheul Wee,Young-Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US20100117680A1. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Compound for molecular electronic device having thiol anchoring group, method of synthesizing the compound, and molecular electronic device having molecular active layer obtained from the compound

Номер патента: US20070120121A1. Автор: Jung Lee,Nak Choi,Jong Park,Hyo Lee,Gyeong Bang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Shadow mask and method of producing the same

Номер патента: US20040048484A1. Автор: Swaminathan Rajaraman,Maurice Karpman. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

One-shot overmolding of a rotor for an electric motor

Номер патента: EP4144499A1. Автор: Peter Sever,Tim Male. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2023-03-08.

System and method of network unit definition using rules of inventory

Номер патента: RU2746101C2. Автор: Алексей Михайлович Романенко,Александр Сергеевич Чистяков. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2021-04-07.

Isolation valve and coolant connect/disconnect assemblies and methods of fabrication for interfacing a liquid cooled electronics subsystem and an electronics housing

Номер патента: US20080060373A1. Автор: Donald Porter,Robert Simons,Roger Schmidt,Levi Campbell,Richard Chu,Madhusudan Iyengar,Michael Ellsworth Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Electronic device and method of operating an electronic device

Номер патента: EP4391593A1. Автор: Barbaros Kirisken,Mehmet Ali AYGUL. Владелец: Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2024-06-26.

Heater coupling apparatus of washing machine and coupling method of the same

Номер патента: US20070017082A1. Автор: Dong Kim,Sang Lim,Jong Yoon,Jae Lyu,Chang Son. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-01-25.

System and method of detecting multifactor authorization attack

Номер патента: WO2024155279A1. Автор: Sota Aoki,Maheshwaran PALANIVELU,Winston PONIENTE. Владелец: Rakuten Symphony, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of accessing a fingerprint recognition process

Номер патента: PH12019000336A1. Автор: Chandra LUIS,Corporation Innolux. Владелец: Corporation Innolux. Дата публикации: 2020-03-23.

Imaging apparatus and control method of imaging apparatus

Номер патента: US20240276085A1. Автор: Tetsuya Fujikawa,Tomoyuki Kawai,Tomoharu Shimada,Shinichi Shimotsu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Aerosol-generating device having improved power supply controller

Номер патента: US20240349816A1. Автор: Ihar Nikolaevich ZINOVIK,Patrick Charles Silvestrini. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-10-24.

Touch substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US09830038B2. Автор: Youn-Gu Lee,Bo-Sung Kim,Kyu-Young Kim,Nam-Ok Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Light control system, and method of automatic presentation of lighting stage

Номер патента: RU2497317C2. Автор: РИБАС Сальвадор Е. БОЛЕКО. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-10-27.

Loudspeaker device having circular funnel-like sound outlet opening

Номер патента: RU2573037C2. Автор: Франк ХЕЛД. Владелец: Франк ХЕЛД. Дата публикации: 2016-01-20.

Control method of linear electric motor drive of submersible plunger pump for oil production

Номер патента: RU2594898C2. Автор: Владимир Иосифович Сагаловский,Андрей Владимирович Сагаловский,Ольга Викторовна Свистильник,Татьяна Александровна Коровина. Владелец: "Центр Разработки Нефтедобывающего Оборудования" ("Црно"). Дата публикации: 2016-08-20.

Presence detector and method of operating presence detector

Номер патента: RU2648969C2. Автор: Юрген Марио ВАНГЕЛ,Вейнанд Йоханнес РИТМАНН. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-03-28.

Smart label based on nfc, hat, and manufacturing method of smart label based on nfc

Номер патента: US20240127024A1. Автор: Qian Deng. Владелец: Shenzhen Zamfun Garment Accessories Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

System and method of packaging and/or authenticating fungible baskets of investment grade gemstones and/or precious metals

Номер патента: GB2594017A. Автор: Vandenborre Alain. Владелец: Singapore Diamond Invest Exchange Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Method of and Device For Service Monitoring and Service Monitoring Management

Номер патента: US20130297791A1. Автор: Liam Fallon,Yangcheng Huang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-11-07.

Ac/dc converter having a switchable pfc, a controller therfor, and a method of operating a contoller

Номер патента: US20130057170A1. Автор: Frederic Mercier,Michel Altheimer,Christophe Delcourt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of fixing a flexible external terminal in connection with a winding lead wound on a magnetic conductor of an electrical machine

Номер патента: RU2717235C1. Автор: Виктор Николаевич Куликов,Сергей Александрович Батоврин,Илья Александрович Терешин. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт электромашиностроения" (АО "ВНИТИ ЭМ"). Дата публикации: 2020-03-19.

Information carrier storing av data including metadata, device for av data reproduction from carrier, and method of metadata search

Номер патента: RU2335023C1. Автор: Дзунг-ван КО,Сунг-Воок ПАРК,Хие-Дзеонг ЧУН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-09-27.

Device for and method of determining clusters

Номер патента: US20190044533A1. Автор: Ingrid Christina Maria Flinsenberg,Marc Aoun. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of generating volume hologram using point cloud and mesh

Номер патента: US11733649B2. Автор: Kyung Jin Kim,Dong Wook Kim,Young Ho Seo. Владелец: Industry Academic Collaboration Foundation of Kwangwoon University. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods of communication, terminal devices, network devices and computer readable media

Номер патента: US20230232494A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of forming a device with a piezoelectric transducer

Номер патента: EP1815537B1. Автор: Christoph Menzel,Andreas Bibl,Paul A. Hoisington,John A. Higginson. Владелец: Fujifilm Dimatix Inc. Дата публикации: 2012-02-08.

Method of providing broadcasting service and playing broadcast by using object state transmitting method

Номер патента: US09906818B2. Автор: Tae Woo Kim,Dong Hwal Lee,Won Gil Ryim. Владелец: Minkonet Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Robotic attacher and method of operation

Номер патента: US09737039B2. Автор: Henk Hofman,Peter Willem Van Der Sluis,Ype Groensma. Владелец: TECHNOLOGIES HOLDINGS CORP. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of cellular communication

Номер патента: RU2667390C1. Автор: Михаил Сергеевич Лохвицкий,Александр Олегович Шорин. Владелец: Акционерное Общество "Национальный институт радио и инфокоммуникационных технологий" (АО "НИРИТ"). Дата публикации: 2018-09-19.

Method of detecting a routing loop in a telecommunication network, telecommunication network for using the method, and detection means for use in the telecommunication network

Номер патента: AU3297393A. Автор: Franciscus Wilhelmus Antonius Brocken,Cyrillus Godefridus Joannes Houben. Владелец: Koninklijke KPN NV. Дата публикации: 1993-08-19.

Method of detecting a routing loop in a telecommunication network, telecommunication network for using the method, and detection means for use in the telecommunication network

Номер патента: CA2089467A1. Автор: Franciscus Wilhelmus Antonius Brocken,Cyrillus Godefridus Joannes Houben. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-08-15.

Method of generating operation signal of electronic device, and electronic device

Номер патента: US20220011915A1. Автор: Gye Won LEE,Jong Yun Kim,Mun Sun Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Apparatus and method of communication

Номер патента: EP4154568A1. Автор: Chenho Chin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2023-03-29.

Buffer amplifier included in display driver and method of generating driving voltages using the same

Номер патента: US8558824B2. Автор: Hyung-Tae Kim,Soo-ik CHA,Chon-wook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-15.

Method of controlling recording quality

Номер патента: WO2009022828A3. Автор: Jin Seok Park. Владелец: Daewoo Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Buffer amplifier included in display driver and method of generating driving voltages using the same

Номер патента: US20090109198A1. Автор: Hyung-Tae Kim,Soo-ik CHA,Chon-wook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of controlling recording quality

Номер патента: US20090046989A1. Автор: Park Jinseok. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-19.

Video display apparatus and control method of video display apparatus

Номер патента: SG10201802570XA. Автор: Kawawa Yasuhiro. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2018-10-30.

Identification system, geographic location verification system, communication system, process for authenticating, and methods of use

Номер патента: US20240281510A1. Автор: Luke Mcguinness,Brian McGuinness. Владелец: Bloodhound Intelligence Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of selective dormant data session reactivation

Номер патента: WO2007040687A1. Автор: Joel L. Gross,Brian A. Hansche,Karl E. Miller,Jose A. Laboy. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of controlling a papr using a walsy code allocation technique in a cdma-2000 system

Номер патента: US20060280115A1. Автор: Jung Sun. Владелец: UTStarcom Korea Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Method of bonding column type deposits

Номер патента: US20240314939A1. Автор: Geunsik Ahn,Youn Sung Ko. Владелец: PROTEC CO Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of controlling a papr using a walsy code allocation technique in a cdma-2000 system

Номер патента: WO2005011140A1. Автор: Jung Kyu Sun. Владелец: Utstarcom Korea Limited. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20090217521A1. Автор: Yong-Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Window, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US20240301240A1. Автор: Sangwon Lee,Hyuk-Hwan Kim,Jae Sul An,Jonghwan Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of making a sandwich-type, compression-molded, composite component having improved surface appearance

Номер патента: US09770849B2. Автор: Darius J. Preisler,Christopher A. Heikkila. Владелец: Global IP Holdings LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Determining a state of a solid tumor based on neural activity within the solid tumor

Номер патента: US12036037B2. Автор: Grant McCallum,Dominique M. Durand. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of managing data in a portable electronic device having a plurality of controllers

Номер патента: WO2009156404A2. Автор: François-Xavier Marseille,Michel Thill. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2009-12-30.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

A method of starting a burner device and heating device having a burner device

Номер патента: US20240310045A1. Автор: Christian Bauer,Jörgen van KOPPEN. Владелец: Truma Geraetetechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of obtaining a secure computer program bundle by a passenger transport installation, computer-readable program product for updating a safety node of a passenger transport installation, passenger transport installation and software deployment system

Номер патента: WO2024132639A1. Автор: Valerio Villa,Gianpiero GUERRA,Peter Robert EGLI. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

A method of forming, adjusting and adjusting the dynamic state of the working bodies of technological vibration machines based on the introduction of additional elastic connections and a device for its implementation

Номер патента: RU2749364C2. Автор: Сергей Викторович Елисеев,Роман Сергеевич Большаков,Андрей Владимирович Елисеев,Сергей Константинович Каргапольцев,Илья Сергеевич Ситов,Куанг Чык Выонг. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский государственный университет путей сообщения" (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2021-06-09.

Method of operating memory controller and methods for devices having the same

Номер патента: US09798498B2. Автор: Hyun Seok Kim,Young Jin Cho,Seong Jun Ahn,Jae Geun Park,Seong Nam KWON,Mi Hyang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacture of liquid crystal display device having characteristics which differ locally

Номер патента: US6051444A. Автор: Toshimi Watanabe,Takehiko Ueda,Toru Iwane,Itaru Homma. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20140146254A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20220308380A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20210103172A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US9494811B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US8643812B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-04.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US11803073B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of Producing 1,5-Pentadiamine Using Lysine Decarboxylase Mutant Having Improved Thermal Stability

Номер патента: US20160376580A1. Автор: Yasuhiro Mihara,Fumito OONISHI. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of forming a magnetic recording and storage device having high abrasion resistance

Номер патента: US4152469A. Автор: Richard E. Allen,Peter R. Segatto. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1979-05-01.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: EP1980898A3. Автор: Hye-Young Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-21.

Devices having one or more integrated computational elements and methods for determining a characteristic of a sample by computationally combining signals produced therewith

Номер патента: US09658149B2. Автор: Robert Freese,Christopher Michael Jones,David Perkins,Michael SIMCOCK,William Soltmann. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Improvements in the method of and means for indicating liquid levels, as for example, the level or quantity of fuel in the main fuel tank of a motor vehicle

Номер патента: GB279282A. Автор: . Владелец: STROMBERG MOTOR DEVICES CO. Дата публикации: 1927-10-27.

Determining a state of a solid tumor based on neural activity within the solid tumor

Номер патента: WO2018237384A1. Автор: Dominique M. Durand,Grant A. McCallum. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US20180268880A1. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US10424349B2. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Determining a state of a solid tumor based on neural activity within the solid tumor

Номер патента: US20200214628A1. Автор: Grant McCallum,Dominique M. Durand. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-09.

Determining a state of a solid tumor based on neural activity within the solid tumor

Номер патента: US20230107972A1. Автор: Grant McCallum,Dominique M. Durand. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-06.

Determining a state of a solid tumor based on neural activity within the solid tumor

Номер патента: US11540771B2. Автор: Grant McCallum,Dominique M. Durand. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-03.

Method of managing data in a portable electronic device having a plurality of controllers

Номер патента: EP2304556A2. Автор: François-Xavier Marseille,Michel Thill. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-04-06.

Method of operating memory controller and methods for devices having the same

Номер патента: US20150363338A1. Автор: Hyun Seok Kim,Young Jin Cho,Seong Jun Ahn,Jae Geun Park,Seong Nam KWON,Mi Hyang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing of guide for toothpicks and method of manufacturing bearing surface for toothpicks

Номер патента: RU2465801C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-11-10.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing guide for toothpick and method of manufacturing bearing surfaces of toothpick

Номер патента: RU2463938C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-10-20.

Method of manufacturing abrasive non-woven fabric

Номер патента: RU2347024C2. Автор: Михаэль ШВАРЦМАН,Юваль БЕРЕНСТЕЙН,Нахми СЕГАЛ. Владелец: Н.Р. Спантек Индастриес Лтд.. Дата публикации: 2009-02-20.

Filtering package, method for producing a membrane for it and method of manufacturing a gas mask particle filter

Номер патента: RU2675924C1. Автор: Леонид Юрьевич Коссович,Юрий Евгеньевич Сальковский,Александр Юрьевич Абрамов,Павел Тимофеевич Меркулов,Игорь Анатольевич Родионцев,Олег Сергеевич Ломовцев,Светлана Геннадьевна Гущина,Светлана Сергеевна Алексеенко,Герман Павлович Любунь. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of manufacturing uni- and no-code test stripes

Номер патента: RU2680140C2. Автор: Александер ИБАХ,Ильмаз ИСГЁРЕН. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-02-18.

System for and method of producing a weld arc additive manufacturing part with granular support

Номер патента: AU2021237708B2. Автор: Gerald C. ANZALONE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a component

Номер патента: SG185226A1. Автор: CLARK Daniel,GRAFTON-REED Clive. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing fluorine-containing compound

Номер патента: WO2024226893A1. Автор: Gen EGASHIRA,Kazuya ICHINOSE,Keigo Higashida. Владелец: CHEMOURS-MITSUI FLUOROPRODUCTS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of producing synthetic liquid hydrocarbons from natural gas

Номер патента: RU2648331C2. Автор: Владимир Зальманович Мордкович,Вадим Сергеевич Ермолаев,Илья Сергеевич Ермолаев. Владелец: ИНФРА ИксТиЭл ТЕКНОЛОДЖИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2018-03-23.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: EP4017428A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-06-29.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: WO2021032227A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of manufacturing material for rotary machine component, method of manufacturing rotary machine component, material for rotary machine component, rotary machine component, and centrifugal compressor

Номер патента: US20130058773A1. Автор: YOSHIKAZU Yamada,Shugo Iwasaki,Seiichi Yarimizu,Tatsuya Osawa,Shinichiro Tokuyama. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of manufacturing article of clothing and article of clothing

Номер патента: EP4331544A1. Автор: Yasutaka Tanaka. Владелец: Zuiko Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing endless belt member, endless belt member, and image forming apparatus

Номер патента: US20110008544A1. Автор: Yuichi Yashiki,Shuhei Yamazaki,Daisuke TANEMURA,Tomoki Fuse. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Methods of manufacturing prefabricated shower pans with standard trench drains

Номер патента: US20140033423A1. Автор: Joseph R. Cook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD OF PRODUCING METAL SHEET WITH Zn-Al-Mg COATING INVOLVING APPLICATION OF ACID SOLUTION AND GLUE, AND CORRESPONDING METAL SHEET AND ASSEMBLY

Номер патента: RU2600459C2. Автор: Жоэль Ришар,Эрик ЖАКСОН,Одри ЛЕРМЕРУЛЬ,Паскаль ФЕЛЬТЕН,Жан-Мишель ЛЁМЭР. Владелец: Арселормитталь Инвестигасьон И Десарролло, С.Л.. Дата публикации: 2016-10-20.

Method and apparatus for determining attributes of a source of radiation

Номер патента: WO2024069184A1. Автор: Malcolm John Joyce,Soraia Sofia Clareu ELISIO. Владелец: UNIVERSITY OF LANCASTER. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing optical fiber and optical-fiber-manufacturing apparatus

Номер патента: US20230012431A1. Автор: Takahiro Nomura,Kazuyuki Sohma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Syringes, assemblies, and methods of manufacture

Номер патента: EP4359036A1. Автор: Jerome Olivas,Rasmus ØHLENSCHLAEGER. Владелец: AMGEN INC. Дата публикации: 2024-05-01.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing an article carrying a relief image receptor material comprising exposure and heating steps

Номер патента: US4017312A. Автор: Raymond Gerber,William Erskine,Francis Mentienne. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1977-04-12.

Pump configured to mitigate the effect of any rotor and stator clash and its method of manufacture

Номер патента: WO2021130118A1. Автор: Jiri KORYCAN. Владелец: Edwards, S.R.O.. Дата публикации: 2021-07-01.

Pump configured to mitigate the effect of any rotor and stator clash and its method of manufacture

Номер патента: EP4081713A1. Автор: Jiri KORYCAN. Владелец: Edwards sro. Дата публикации: 2022-11-02.

Method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09816199B2. Автор: Ken Hamada,Keiichi Takanashi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of laying a pipeline from a laying vessel onto the bed of a body of water, and laying vessel

Номер патента: US09764803B2. Автор: Giovanni Massari,Matteo Scarpa. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing refrigerated repositories and sales management system for refrigerated storage

Номер патента: US20050092012A1. Автор: Akihiko Hirano,Shinichi Kaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of assembling a port assembly in a cavitation chamber

Номер патента: US20060042088A1. Автор: Ross Tessien,David Beck. Владелец: Burst Laboratories Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Rolled mat heat exchanger and method of manufacture

Номер патента: EP2566678A1. Автор: Robert Olsen,Chris Plott,Al Mclevish,Mark Wendler,Kevin Lauber. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2013-03-13.

Method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20140361458A1. Автор: Makoto Watanabe,Hiroyuki Murayama,Masataka Nagai,Yoshinori Tagawa,Toshiaki Kurosu,Takanobu Manabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of making a sandwich-type, compression-molded, composite component having a cellulose-based core and improved surface appearance

Номер патента: US09707725B2. Автор: Darius J. Preisler,Christopher A. Heikkila. Владелец: Global IP Holdings LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of cleaning wafer table of photolithography system and method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20240210842A1. Автор: Heng-Hsin Liu,Li-Jui Chen,Shao-Hua Wang,Chueh-Chi KUO,Yen-Hao Liu,Shih-Yu Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of calibrating projection lens

Номер патента: US20090027633A1. Автор: Hao-Chang Tsao,Jen-Jia Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Systems and methods of performing transcanal ear surgery

Номер патента: AU2019252798B2. Автор: Eoin Connolly,Conor O'SHEA,Damian Michael Curtin,Aidan VAUGHAN. Владелец: Stryker European Operations Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Substrates for calibration of a lithographic apparatus

Номер патента: WO2024149537A1. Автор: Richard Johannes Franciscus Van Haren,Leon Paul VAN DIJK,Suwen LI,Ronald Henricus Johannes OTTEN. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-07-18.

Adhesive bin and method of storing and moving adhesive particulate to an adhesive melter

Номер патента: US20170260012A1. Автор: Robert J. Woodlief,Justin A. Clark,Andrew CHASTAIN,Barrington RICHARDS. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of and system for defending home building projects from wildfire during and after construction on property located within a wildfire urban interface (wui) region

Номер патента: US20240299785A1. Автор: Stephen Conboy. Владелец: Mighty Fire Breaker LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Adhesive bin and method of storing and moving adhesive particulate to an adhesive melter

Номер патента: US09957118B2. Автор: Robert J. Woodlief,Justin A. Clark,Andrew CHASTAIN,Barrington RICHARDS. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Instruments for delivering transfascial sutures, transfascial suture assemblies and methods of transfascial suturing

Номер патента: US09826972B2. Автор: Roger E. Darois,Kevin J. Ranucci,Donald E. ZINITI. Владелец: CR Bard Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of purifying a hydrogen stream using an electrochemical cell

Номер патента: US09707509B2. Автор: Alexander David Deptala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Dental impression film, and a method of manufacturing the dental impression film

Номер патента: CA2672305C. Автор: Yasuhiro Fukuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-06.

Optical proximity correction method and method of manufacturing extreme ultraviolet mask by using the same

Номер патента: US20220413377A1. Автор: Dongwon Kang,Narak Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

A gripper apparatus, and automated storage and retrieval system and related methods of use

Номер патента: WO2023174761A1. Автор: Lars Sverker Ture Lindbo. Владелец: Ocado Innovation Limited. Дата публикации: 2023-09-21.

Terminal device, method of controlling terminal device, and recording medium

Номер патента: US20080291085A1. Автор: Naoki Gobara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device manufacturing method and extreme ultraviolet mask manufacturing method

Номер патента: US12092961B2. Автор: Dongwon Kang,Sang Chul YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Terminal device, method of controlling terminal device, and recording medium

Номер патента: EP1898229A3. Автор: Naoki c/o Seiko Epson Corporation Gobara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Wireless sensor and method of interrogating thereof

Номер патента: US09733202B2. Автор: Daniel White Sexton. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of the functionalized diene elastomer continuous synthesis

Номер патента: RU2653851C2. Автор: Элен ПАРОЛА,Гаэль КУРБЕ,Жером ДЮССИЙОЛЬ,Орели ТРИГЮЭЛЬ. Владелец: Компани Женераль Дэз Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2018-05-15.

Microscale-based device for purifying fluid and method of use

Номер патента: US20160289098A1. Автор: Thomas Lindner,Kevin Drost,Goran N. Jovanovic,Chris Loeb. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2016-10-06.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20070103624A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Jong-Seong Kim,Sung-Hwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

A beam-like building component of curable material, a method of manufacturing such a building component, and a method for producing a frame or structure for a building or part of a building with the use of such building material

Номер патента: DE3264811D1. Автор: Per Hofman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-08-29.

Semiconductor memory device and redundancy circuit, and method of increasing redundancy efficiency

Номер патента: US20010022747A1. Автор: Hyun Jung,Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-20.

Automatic ventilation system and method for purging an interior space of a vehicle during shipping

Номер патента: US20230322046A1. Автор: Gary D. Mullen,Daniel Ferretti,Timothy James Hallifax,Scott Christopher Sterbenz,Eric Jay MacLean. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240347097A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Oral care implement and method of forming an oral care implement

Номер патента: US09980557B2. Автор: Douglas Hohlbein. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2018-05-29.

Solar turbo pump—hybrid heating-air conditioning and method of operation

Номер патента: US09772127B2. Автор: Wayne POERIO. Владелец: Joi Scientific Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of producing lipids

Номер патента: RU2656996C2. Автор: Суриндер Пал СИНГХ,Томас ВАНЕРКЕ,Джеймс Робертсон Петри,ТАХЧИ Анна ЭЛЬ,Цин ЛЮ. Владелец: Коммонвелт Сайнтифик Энд Индастриэл Рисерч Организэйшн. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of preventing a person falling when ascent and descent on a high-rise object (versions)

Номер патента: RU2711385C1. Автор: Николай Алексеевич Карасев,Евгений Алексеевич Юданов,Владимир Евгеньевич Юданов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Мзва" (Ооо "Мзва"). Дата публикации: 2020-01-16.

Method of preventing and treating neurodegenerative diseases

Номер патента: RU2496502C2. Автор: Цзюнь Ван,Джулио Мариа ПАЗИНЕТТИ,Лап ХО. Владелец: Маунт Синай Скул Оф Медсин. Дата публикации: 2013-10-27.

Catalyst, method for preparation thereof and method of producing synthesis gas

Номер патента: RU2568644C1. Автор: Андрей Викторович Порсин,Марианна Михайловна Данилова,Залия Амировна Федорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-20.

METHOD OF PREPARING AQUEOUS DISPERSIONS OF TiO2 IN FORM OF NANOPARTICLES AND DISPERSIONS OBTAINED USING SAID METHOD

Номер патента: RU2431604C2. Автор: Джованни БАЛДИ,Марко БИТОССИ,Андреа БАРЦАНТИ. Владелец: Колороббия Италия С.П.А.. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of producing metal-polymer nanocomposite materials with metal nanoparticles

Номер патента: RU2711427C1. Автор: Ольга Владимировна Аржакова,Алла Анатольевна Долгова,Екатерина Геннадьевна Рухля,Елена Анатольевна Зезина,Петр Александрович Кечекьян,Алексей Александрович Зезин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-01-17.

Method of parking vehicles on domestic territory and device for its implementation

Номер патента: RU2715133C1. Автор: Владимир Степанович Григорьев. Владелец: Владимир Степанович Григорьев. Дата публикации: 2020-02-25.

Method of treating cellulose material and enzymes used therein

Номер патента: RU2458128C2. Автор: Ярно КАЛЛИО,Марика АЛАПУРАНЕН,Яри ВЕХМААНПЕРЯ,Терхи ПУРАНЕН,Матти СИИКА-АХО,Сату ХООМАН,Санни ВОУТИЛАЙНЕН,Теему ХАЛОНЕН,Лииса ВИИКАРИ. Владелец: Роал Оу. Дата публикации: 2012-08-10.

Recovered peptide exhibiting specific anti-gdf-8 antibody binding activity, recovered nucleic acid molecule, expression vector, host cell, method for producing peptide, vaccine composition and method of eliciting anti-gdf-8 immune response, method of anti-gdf-8 antibody selection screening and method of gdf-8 activity down-regulation in animal

Номер патента: RU2422460C2. Автор: Дэвид Э. ДЖАНКЕР,Марк Д. КОХРЭН. Владелец: Шеринг-Плоу Лтд.. Дата публикации: 2011-06-27.

Method of substances identification in solution and control of solutions concentration

Номер патента: RU2714836C1. Автор: Евгений Восталионович Самодуров. Владелец: Евгений Восталионович Самодуров. Дата публикации: 2020-02-19.

Method of obtaining continuous cell line and application of continuous cell line

Номер патента: RU2329060C2. Автор: Николаус ОСТЕРРИДЕР,Дэниел ШУМАХЕР. Владелец: Ломанн Энимал Хелт Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2008-07-20.

Method of producing antagonists of adenosine receptors a2b and intermediate products

Номер патента: RU2374247C2. Автор: Элфатих ЭЛЗЕИН,Джефф ЗАБЛОЦКИ,Сяофэнь Ли,Рао КАЛЛА,Тим МАРКУОРТ. Владелец: Си Ви Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of producing 2,2-dibromomalonamide

Номер патента: RU2565075C2. Автор: Чарльз Д. ГАРТНЕР,Дон КАРСТЕН. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи.. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of enrichment of vegetable cultivars of the pumpking family (cucurbitaceae) with microelements

Номер патента: RU2670061C2. Автор: Марина Валерьевна Каратаева,Александра Владимировна Селиванова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Исследовательский Центр "ФитоИнженерия". Дата публикации: 2018-10-17.

Combinatorial systems and methods of application of coatings with utilization of organic substances

Номер патента: RU2268777C2. Автор: Ксиао-Донг СУН. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2006-01-27.

System and method of generating log when executing file with vulnerabilities in virtual machine

Номер патента: RU2724790C1. Автор: Алексей Владимирович Монастырский,Михаил Александрович Павлющик,Владислав Валерьевич Пинтийский,Дмитрий Александрович Кирсанов,Денис Вячеславович Аникин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2020-06-25.

Clip for a needle cap, a cover, an automatic injection device and a method of making a clip

Номер патента: RU2720160C2. Автор: Томас Марк КЕМП,Луиз ХОДЖСОН,Джордж САЙКС. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2020-04-24.

Method of non-swelling beekeeping

Номер патента: RU2766578C1. Автор: Владимир Владимирович Кузик. Владелец: Владимир Владимирович Кузик. Дата публикации: 2022-03-15.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Memory device and method of operating same

Номер патента: US20190103142A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of producing gates in full fallow

Номер патента: RU2674621C1. Автор: Михаил Ильич Мальцев. Владелец: Михаил Ильич Мальцев. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of ultrasonic diagnostics of arthrosis of lumbar vertebrae zygapophyseal joint

Номер патента: RU2739224C1. Автор: Андрей Геннадьевич Ремнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-12-22.

Method of producing cyclohexanone

Номер патента: RU2373181C2. Автор: Филипп Леконт,Серж ВЕРАСИНИ,Филипп МОРЕЛЬ. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of producing 1-(2-halogen biphenyl-4-yl)-cyclopropane carboxylic acid derivatives

Номер патента: RU2502721C2. Автор: Фаусто Пиветти,Бенуа ФОЛЛЕ,Юбер БОТТ,Тома ДЕЛАКРУА. Владелец: Кьези Фармачеутичи С.п.А.. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of aortic arch replacement by semi-arches technique without circulatory arrest

Номер патента: RU2726472C1. Автор: Денис Александрович Черновалов,Олег Владимирович Дмитриев,Игорь Игоревич Козин,Антон Юрьевич Итальянцев,Алексей Анатольевич Лукьянов. Владелец: Олег Владимирович Дмитриев. Дата публикации: 2020-07-14.

Method of forming magnetic patterned structure in non-magnetic matrix

Номер патента: RU2526236C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2014-08-20.

Endodontic device and method of facilitating training dentists of given endodontic technique (embodiments)

Номер патента: RU2714625C2. Автор: Франческо ПИРА,Борис КУЖАВА. Владелец: Дентсплай Сирона, Инк.. Дата публикации: 2020-02-18.

Method of transmitting heat and heat transferring device for its implementation

Номер патента: RU2675977C1. Автор: Руфат Шовкет оглы Абиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2018-12-25.

Method of film making, system for film making and polymer film

Номер патента: RU2699636C1. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦЕ,Норберт НИКОЛАЙ,Андре ВУТЦЛЕР,Ханнес БЛОМБЕРГ,Габриэле ТОККИ. Владелец: Адлер Пельцер Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of hot parallel element-by-element duplication in digital transistor chips

Номер патента: RU2677359C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Виктор Ильич Жук,Валерий Лазаревич Литвинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2019-01-16.

Method of garden planting

Номер патента: RU2663304C1. Автор: Василий Иванович Деменко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный аграрный университет - МСХА имени К.А. Тимирязева" (ФГБОУ ВО РГАУ - МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2018-08-03.

Artificial lashes, set of artificial lashes (versions) and method of their fixation

Номер патента: RU2423058C1. Автор: Джени Ли,Кью Санг Хан. Владелец: Кисс Нэйл Продактс, Инк.. Дата публикации: 2011-07-10.

Method of sealing sewage of water conducting hydrotechnical constructions

Номер патента: RU2644885C1. Автор: Олег Андреевич Баев. Владелец: Олег Андреевич Баев. Дата публикации: 2018-02-14.

Control method of temperature in heat regenerator used in energy accumulation plant by adiabatic air compression

Номер патента: RU2529967C2. Автор: Патрик КАНАЛЬ,Лионель НАДО. Владелец: Гдф Суэз. Дата публикации: 2014-10-10.

Device for forming and freezing tissue samples of a patient or animal and a method of forming and freezing tissue samples of a patient or animal

Номер патента: RU2769506C2. Автор: Дмитрий В. КРАВЦОВ,Норман ГРЭЙ. Владелец: Ванесса Рисерч, Инк.. Дата публикации: 2022-04-01.

METHOD OF PRODUCING (S)-(-)-2-(N-PROPYLAMINO)-5-METHOXYTETRALINE AND (S)-(-)-2-(N-PROPYLAMINO)-5-HYDROXYTETRALINE, SALTS THEREOF WITH N-3,5-(DINITROBENZOYL)-α-PHENYLGLYCINE, METHOD OF PRODUCING (6S)-(-)-5,6,7,8-TETRAHYDRO-6-[PROPYL(2-THIENYL)ETHYL]AMINO-1-NAPHTHOL(ROTIGOTINE) (VERSIONS)

Номер патента: RU2473538C2. Автор: ОЛОНДРИС Франсиско МАРКИЛЬЯС,МАРКО Марта ПОМАРЕС. Владелец: Интерким, С.А.. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of concentrating antibody preparations

Номер патента: RU2390524C2. Автор: Чарльз Мэттью УИНТЕР. Владелец: Новартис, Аг. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of recognizing twins and immediate family members for mobile devices and mobile device realizing thereof

Номер патента: RU2735629C1. Автор: Владимир Петрович Парамонов,Алексей Михайлович Фартуков,Юрий Сергеевич Ефимов,Глеб Андреевич ОДИНОКИХ,Иван Андреевич СОЛОМАТИН,Виталий Сергеевич ГНАТЮК,Владимир Алексеевич ЕРЕМЕЕВ,Джувоан Ю,Кванхён ЛИ,Хиджун ЛИ,Алена Дмитриевна МОСКАЛЕНКО,Иван Сергеевич ПЕЧЕНКО,Виктор Евсеевич МОРОЗОВ,Игнатий Аркадьевич ДУБЫШКИН,Янгсу ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of producing hydrogen fluoride from hexafluorosilicic acid

Номер патента: RU2691348C1. Автор: Павел Сергеевич Камбур,Дмитрий Станиславович Пашкевич,Валентин Валерьевич Капустин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые химические продукты". Дата публикации: 2019-06-11.

Method of producing canola protein isolate involving isoelectric precipitation

Номер патента: RU2422035C2. Автор: Кевин И. СИГАЛЛ,Мартин ШВАЙЦЕР,Рэнди УИЛЛАРДСЕН. Владелец: Баркон Ньютрасайнс (Мб) Корп.. Дата публикации: 2011-06-27.

Fine cellulose fiber and method of its production

Номер патента: RU2703245C1. Автор: Лианьчжэнь ЛИНЬ,Аяко МАРУТА,Масанори ХОРИ. Владелец: Футамура Кагаку Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-10-15.

Active high-purity magnesium oxide and method of its production

Номер патента: RU2690808C1. Автор: Елена Петровна Гордон,Алла Витальевна Коротченко,Надежда Илларионовна Левченко,Татьяна Сергеевна Угновенок,Игорь Николаевич Сизых. Владелец: Акционерное общество "Каустик". Дата публикации: 2019-06-05.

Method of detuning from resonance system vertical electric pump unit-foundation-inlet and outlet pipelines

Номер патента: RU2723919C1. Автор: Валерий Станиславович Богун,Роман Ростиславович Апальков,Сергей Леонидович Егоров,Николай Сергеевич Дорохин. Владелец: Публичное акционерное общество "Пролетарский завод". Дата публикации: 2020-06-19.

Method of making multilayer metal elements using ultraviolet radiation-utilising processes

Номер патента: RU2496129C2. Автор: Жан-Шарль ФИАККАБРИНО,Жиль РЕЙ-МЕРМЕ. Владелец: Ниварокс-Фар С.А.. Дата публикации: 2013-10-20.

Method of producing diesters of 5,7-dimethyl-3-carboxy-1-adamantylacetic acid

Номер патента: RU2605936C1. Автор: Юрий Николаевич Климочкин,Елена Александровна Ивлева,Марат Рамильевич Баймуратов,Марина Валентиновна Леонова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-12-27.

Combined method of arrangement of pile foundations in permafrost soils

Номер патента: RU2712976C1. Автор: Владимир Владимирович Местников,Ия Владимировна Местникова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Стройоценка". Дата публикации: 2020-02-03.

Analogs of vitamin , methods of their synthesis, a pharmaceutical composition and a method of treatment

Номер патента: RU2128168C1. Автор: ПЕДЕРСЕН Хенрик,Джон Кэлверли Мартин. Владелец: Лео Фармасьютикал Продактс Лтд, А/С (Левенс Кемиске Фабрик Продукционсактиесельскаб). Дата публикации: 1999-03-27.

Methods of treating dravet syndrome

Номер патента: RU2767661C2. Автор: Юрий МАРИСИЧ,Эван НЬЮБОЛД. Владелец: Кавион, Инк.. Дата публикации: 2022-03-18.

Method of increasing productivity and/or reducing energy consumption in the process of producing pulp

Номер патента: RU2769241C2. Автор: Фердинанд Лайфельд,Джон Эндрю РЭНДОЛЬФ,Лоренс Дж. РУС,Ахим ФЕССЕНБЕККЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2022-03-29.

Method of measuring mass concentrations of niobium and tantalum in air of working zone by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2730954C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2020-08-26.

Method of emulating system function calls for evading emulation countermeasures

Номер патента: RU2514141C1. Автор: Сергей Юрьевич Белов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2014-04-27.

Method of producing lactic acid esters of sugars

Номер патента: RU2710014C2. Автор: Эсбен ТААРНИНГ,ЦУБИРИ Ирантцу ЗАДАБА. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2019-12-24.

Method of preparing a catalyst and method for hydrocracking of vacuum gas oil using said catalyst

Номер патента: RU2697711C1. Автор: Марина Валерьевна Бухтиярова,Геннадий Викторович Ечевский,Евгений Геннадьевич Коденев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр "Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук" (ИК СО РАН). Дата публикации: 2019-08-19.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of coating a substrate so as to provide a controlled in-plane compositional modulation

Номер патента: US20160340774A1. Автор: Konstantinos SARAKINOS,Daniel MAGNFÄLT. Владелец: MIMSI MATERIALS AB. Дата публикации: 2016-11-24.

Bnip3 isoforms and methods of use

Номер патента: WO2012010946A2. Автор: Lorrie A. Kirshenbaum. Владелец: UNIVERSITY OF MANITOBA. Дата публикации: 2012-01-26.

Bnip3 isoforms and methods of use

Номер патента: WO2012010946A3. Автор: Lorrie A. Kirshenbaum. Владелец: UNIVERSITY OF MANITOBA. Дата публикации: 2012-06-28.

System and method of performing convolution efficiently adapting Winograd algorithm

Номер патента: GB2628395A. Автор: Imber James,Dikici Cagatay,Sheth Ivaxi,Insalata Ferdinando. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Guide vane for turbomachine, turbomachine and method of assembling guide vane

Номер патента: RU2582382C2. Автор: Жан Марк Клод ПЕРРОЛЛА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of producing hydrogen peroxide

Номер патента: RU2687449C1. Автор: Федор Карлович Шмидт,Татьяна Петровна Стеренчук,Людмила Борисовна Белых,Никита Игоревич Скрипов,Сэсэг Булатовна Санжиева,Ксения Леонидовна Гвоздовская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ИГУ"). Дата публикации: 2019-05-13.

Method of producing bicyclo[3,2,1]octene-2

Номер патента: RU2424222C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Рамиль Гарифович Булгаков,Сергей Павлович Кулешов,Айнур Рашитович Махмутов. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2011-07-20.

Turbine rotor for thermal power plant and method of its assembly

Номер патента: RU2547679C2. Автор: Кристоф БЕРКЬЕ,Андре БАТО. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Pipes from nickel-based alloy and method of their production

Номер патента: RU2731227C2. Автор: Алехандра ЛОПЕС,Урбано ФАИНА. Владелец: Ибф С.П.А.. Дата публикации: 2020-08-31.

Method of preparing organomineral fertiliser mixture

Номер патента: RU2402511C1. Автор: Яков Кузьмич Абрамов,Владимир Михайлович Веселов,Виктор Михайлович Залевский,Николай Дмитриевич Аргунов,Николай Александрович Гукасов,Лидия Петровна Богданова,Любовь Викторовна Мотовилова,Виталий Григорьевич Тамурка,Владимир Дмитриевич Евдокимов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Твин Трейдинг Компани". Дата публикации: 2010-10-27.

Method of obtaining ligature of aluminium-titanium

Номер патента: RU2599134C1. Автор: Генрих Гаврилович Крушенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения Российской академии наук (ИВМ СО РАН). Дата публикации: 2016-10-10.

Method of making rigid mineral-wool boards

Номер патента: RU2058890C1. Автор: Эдуард Михайлович Бегляров,Александр Михайлович Тропин,Валентин Павлович Скосарь,Владимир Валентинович Маурер. Владелец: Владимир Валентинович Маурер. Дата публикации: 1996-04-27.

Method of producing composite iron oxide and cobalt

Номер патента: RU2711253C1. Автор: Геннадий Васильевич Базуев,Денис Игоревич Туркин,Татьяна Ивановна Чупахина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-01-15.

Method of piled construction in transient soils under conditions of dense urban building

Номер патента: RU2686788C1. Автор: Владимир Васильевич Кочерженко,Андрей Игоревич Лукьянов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2019-04-30.

Method of purifying alkylsalicylic acids

Номер патента: RU2697198C1. Автор: Владимир Александрович Тыщенко,Сергей Владимирович Котов,Юрий Николаевич Хорошев,Алексей Вячеславович Тарасов,Маргарита Алексеевна Жумлякова,Евгений Иванович Семаев,Людмила Павловна Кутузова. Владелец: Публичное акционерное общество "Средневолжский научно-исследовательский институт по нефтепереработке" (ПАО "СвНИИНП"). Дата публикации: 2019-08-13.

Method of creating movable connection of solid bodies

Номер патента: RU2729150C1. Автор: Аслан Узеирович Заммоев,Юрий Игоревич Попов,Юрий Хабижевич Хамуков,Залимхан Вячеславович Нагоев,Руслан Муаедович Хужоков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК" (КБНЦ РАН). Дата публикации: 2020-08-04.

Method of making phase diffraction gratings, microstructures and contact masks

Номер патента: RU2702960C2. Автор: Николай Львович Казанский,Олег Юрьевич Моисеев,Сергей Дмитриевич Полетаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт систем обработки изображений Российской академии наук (ИСОИ РАН). Дата публикации: 2019-10-14.

Method of identification of mycobacteria of tuberculosis of the beijing genotype b0 cluster in real time format

Номер патента: RU2684314C2. Автор: Вячеслав Юрьевич Журавлев,Игорь Владиславович Мокроусов,Анна Александровна Вязовая,Наталья Сергеевна Соловьева,Борис Израилевич Вишневский,Ольга Викторовна Нарвская. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Санкт-Петербургский научно-исследовательский институт эпидемиологии и микробиологии им. Пастера" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2019-04-05.

Method of manufacturing a 7xxx-series aluminium alloy plate product having improved fatigue failure resistance

Номер патента: CA3100242C. Автор: Philippe Meyer,Sabine Maria Spangel,Achim Burger,Matthias Rubner,Simon LACHNITT. Владелец: Novelis Koblenz GmbH. Дата публикации: 2023-08-08.

Euv photomask and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230384662A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Feng Yuan Hsu,Tran-Hui Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of making shaped glass articles

Номер патента: US20170066677A1. Автор: Dana Craig Bookbinder,Pushkar Tandon,Natesan Venkataraman,Thierry Luc Alain Dannoux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Synthetic aluminosilicate material and methods of forming and using same

Номер патента: US20220363597A1. Автор: Wilfred V. Srubar, III,Juan Pablo GEVAUDAN,Jacqueline D. Wallat-Pullara. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of removing a thermal barrier coating

Номер патента: EP1118695A2. Автор: William Clarke Brooks. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-07-25.

Method of preparing heterogeneous linear carbonate using acidic ion exchange resin

Номер патента: US20230406810A1. Автор: Jin Hyung Kim,Wang Gyu Kim,Mi Hwa Baek,Jong Myung Choi,Eun Hye Han. Владелец: Lotte Chemical Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

A direct conversion method of human fibroblasts into neural stem cells using small molecules

Номер патента: US20180010094A1. Автор: In Sik Hwang,Kyung-Ah Choi,Sung Hoi Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of Fabricating a Photomask Used to Form a Lens

Номер патента: US20110170197A1. Автор: Nobuhiko Sato,Yasuhiro Sekine,Masataka Ito,Masaki Kurihara,Hitoshi Shindo,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of managing manufacturing line

Номер патента: US20240103500A1. Автор: Teruhiko TENNOJI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of catalytic hydrogenation and reduction

Номер патента: EP4357021A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yutaro Yamada,Kwihwan Park,Ayumu Kato. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

A medical implant and a method of formation of multi-phase surface layers on medical implant made from titanium and/or titanium alloys

Номер патента: EP2526976A3. Автор: Roman Kustosz,Tadeusz Wierzchoń,Malgorzata Gonsior,Maciej Ossowski,Elżbieta Czarnowska. Владелец: Fundacja Rozwoju Kardiochirurgii Im Prof Zbigniewa Religi. Дата публикации: 2014-09-17.

Method of setting and maintaining a tool in a set position for a period of time

Номер патента: WO2015030958A1. Автор: Zhiyue Xu,YingQing Xu. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-05.

Control method of an apparatus for activating one or more functionalities of the same

Номер патента: US12050501B2. Автор: Enrico Rosario Alessi,Fabio Passaniti,Michele Alessio DELLUTRI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of screening for peptides capable of binding to a ubiquitin protein ligase (e3)

Номер патента: EP3969605A1. Автор: Alberto Moreno,Markus MUELLNER,Marta CARRARA,Jennifer HOWES. Владелец: PHOREMOST Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

Method of determining fused sensor measurement and vehicle safety system using the fused sensor measurement

Номер патента: EP4064979A1. Автор: Sreelakshmi Rugmini Narasimhan. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-10-05.

Method of providing broad-spectrum resistance to plants, and plants thus obtained

Номер патента: AU2021428246A1. Автор: Marit Lenman,Erik Andreasson,Ramesh Vetukuri,Svante Resjö,Muhammad Awais ZAHID,Nam PHUONG KIEU,Naga Charan KONAKALLA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-10.

Compounds and methods for inhibiting viral replication and methods of treating and preventing flaviviral infections

Номер патента: US11767303B2. Автор: Zhong Li,Jia Zhou,Hongmin Li,Qing-yu ZHANG,Jimin Xu. Владелец: Health Research Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Laminate and method of producing the same, and gas barrier film and method of producing the same

Номер патента: US20180002804A1. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of screening for peptides capable of binding to a ubiquitin protein ligase (e3)

Номер патента: WO2020229818A1. Автор: Alberto Moreno,Markus MUELLNER,Marta CARRARA,Jennifer HOWES. Владелец: Phoremost Limited. Дата публикации: 2020-11-19.

Security device, method of making a security device and method of authenticating a product

Номер патента: WO2019175579A1. Автор: Duncan MCCALLIEN,Damian James GARDINER,Felicity Jane ROBERTS. Владелец: JOHNSON MATTHEY PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 2019-09-19.

Production method, casting moulds, cores or feeders and kit and method for production of a metallic casting

Номер патента: US12059724B2. Автор: Lars Zumbusch,Manuel Vargas,Sven DOMMEN. Владелец: Huettenes Albertus Chemische Werke Beschrankter Haftung. Дата публикации: 2024-08-13.

Compounds and methods for inhibiting viral replication and methods of treating and preventing flaviviral infections

Номер патента: US20220024884A1. Автор: Zhong Li,Jia Zhou,Hongmin Li,Qing-yu ZHANG,Jimin Xu. Владелец: Health Research Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Layered aligned polymer structures and methods of making same

Номер патента: WO2004050134A3. Автор: Jeffrey W Ruberti,Gavin J C Braithwaite. Владелец: Gavin J C Braithwaite. Дата публикации: 2004-12-09.

Nonmetallic cutter, a carton having the same cutter attached thereto, a method of and an apparatus for manufacturing the same cutter and attaching the same cutter to the carton

Номер патента: US20020166636A1. Автор: Masataka Okushita,Hiroshi Miyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2002-11-14.

Method of producing magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus

Номер патента: US20120044596A1. Автор: Masato Fukushima,Akira Yamane,Shinichi Ishibashi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of producing a seat for railway vehicles, and seat produced using such a method

Номер патента: EP1176078B1. Автор: Paolo Cassai. Владелец: Ansaldobreda SpA. Дата публикации: 2005-01-26.

Segmentation unit for and method of determining a second segment and image processing apparatus

Номер патента: EP1402477A2. Автор: Massimo Ciacci,Anna Pelagotti,Gerard A. Lunter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-31.

Photocatalysts and methods of making and using the same

Номер патента: US20240149258A1. Автор: Patrick Bisson,tongzhou Xu,Mary Jane Shultz,Nicholas J. Anderson. Владелец: TUFTS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of injecting octreotide acetate into the body

Номер патента: US20230117549A1. Автор: PRASHANT Kane,Subhas Balaram Bhowmick,Sudeep Kumar Agrawal,Satyashodhan Babasaheb Patil. Владелец: SUN PHARMACEUTICAL INDUSTRIES LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of injecting octreotide acetate into the body

Номер патента: US20220118188A1. Автор: PRASHANT Kane,Subhas Balaram Bhowmick,Sudeep Kumar Agrawal,Satyashodhan Babasaheb Patil. Владелец: SUN PHARMACEUTICAL INDUSTRIES LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods of producing metal oxides, a method of producing adsorption media including the same, and a precursor of an active component including the metal oxide

Номер патента: WO2011115742A1. Автор: Nicholas R. Mann,Troy Tranter. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2011-09-22.

Systems for database searching and database schemas management and methods of use thereof

Номер патента: US20240311556A1. Автор: Joshua Edwards,Rajko Ilincic,Lin Ni Lisa Cheng,Alexander Lin,Phoebe ATKINS,Max Miracolo,Cruz VARGAS,Brian McClanahan. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of displaying medical information and health record apparatus

Номер патента: US20240296923A1. Автор: Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of producing stretch-blow-molded article, resin composition, method of producing the resin composition, pellets and method of producing the pellets

Номер патента: EP4450252A2. Автор: Tsunenori Ashibe,Yasunori Kodama,Yohei Doi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of treating triple-negative breast cancer using thienotriazolodiazepine compounds

Номер патента: US09968619B2. Автор: Maurizio D'incalci,Kay NOEL. Владелец: OncoEthix GmbH. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of compensating AMOLED power supply voltage drop

Номер патента: US09959812B2. Автор: Taijiun HWANG,Jihshiang Lee. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of image processing for an augmented reality application

Номер патента: US09947141B2. Автор: Lejing Wang,Selim Benhimane. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Thermoplastic resin composition, method of preparing the same and molded product using the same

Номер патента: US09926444B2. Автор: Won Seok Lee,In Soo Kim,Sang Hoo Park,Seok Goo Jang,Ho Hoon Kim,Jeong Su Choi,Keun Hoon Yoo,Roo Da Lee,Min Cheol Ju,Min Seung Shin,Sung Won Hong,Hyung Sub Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of producing and packaging ice cubes

Номер патента: US09874387B2. Автор: Grant Richard JOBB. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of detecting wiring mismatch of resolver

Номер патента: US09835671B2. Автор: Seong Min Kim,Dae Woong Han,Jeong Won Roh. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of operating display device to adjust luminance based on panel refresh command

Номер патента: US09747826B2. Автор: Jong-Jin Lee,Jin-Kyu Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of producing regenerated hydrotreating catalyst and method of producing petroleum products

Номер патента: US09737881B2. Автор: Makoto Nakamura,Yoshimu Iwanami,Takashi Sano,Souichirou Konno,Tomohiro Konishi. Владелец: JX Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of making spaced-wall appliance with a sealing and insulating device between said walls

Номер патента: US4956909A. Автор: Thomas E. Nelson. Владелец: Soltech Inc. Дата публикации: 1990-09-18.

Method of determination distribution and profile of pollutant in porous medium

Номер патента: RU2548930C1. Автор: Александр Александрович Бурухин,Никита Ильич Рыжиков,Дмитрий Николаевич Михайлов,Анна Викторовна Жарникова. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2015-04-20.

Method of the tuberous roots lean tops cutting and the device for its implementation

Номер патента: RU2661385C2. Автор: Гумар Галиаскарович Булгариев,Ринат Кадырович Абдрахманов,Марат Назипович Калимуллин,Динар Минтагирович Исмагилов,Радик Рамилович Хамитов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Казанский ГАУ). Дата публикации: 2018-07-16.

Impeller sensitive elements and methods of their use

Номер патента: RU2547330C1. Автор: Ферхан ОЗАДАЛИ,Дхармендра Кумар МИШРА,Рабиха СУЛАЙМАН. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-04-10.

Galvanic anode and method of protection from corrosion

Номер патента: RU2658536C2. Автор: Фредерик Р. ГУДВИН. Владелец: Констракшн Рисёрч Энд Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of manufacturing a component for an electromagnetic friction clutch assembly

Номер патента: US5708955A. Автор: James R. Ungrue. Владелец: Dana Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Cigarillo and method of manufacturing same

Номер патента: US20180343916A1. Автор: Ernesto MILANES,Ken Sumida. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of treating autoimmune diseases in nonhumans by administering a species of Coxiella or components thereof

Номер патента: NZ503143A. Автор: William Butler Cowden,Kevin John Lafferty,Lawrence Scott Gazda. Владелец: Univ Australian. Дата публикации: 2001-06-29.

Storage device, method of operating storage device, and method of operating non-volatile memory

Номер патента: US20240231987A1. Автор: Sangwon Park,Jooyong PARK,Jaeha Park,Kyungduk Lee,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Inhibitors of ezh2 and methods of use thereof

Номер патента: AU2022252736A1. Автор: Scott Richard Daigle,Stephen Blakemore. Владелец: Epizyme Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of recovering polyhydroxyalkanoates (phas) from municipal waste sludge

Номер патента: US20120006754A1. Автор: Yung-Pin Tsai,Meng-Shan LU,Chih-Chi YANG,Shou-Te Chen. Владелец: National Chi Nan University. Дата публикации: 2012-01-12.

A lower leg strengthening device and method of use thereof

Номер патента: GB2612893A. Автор: Sears Michael. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of selecting barley variety, barley β-amylase gene and process for producing malt alcoholic drink

Номер патента: US7465557B2. Автор: Kazuyoshi Takeda,Takashi Asakura,Makoto Kihara,Kazutoshi Ito,Takafumi Kaneko. Владелец: Sapporo Breweries Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Fibroblast activation protein alpha-cleavable pro-peptides and methods of use

Номер патента: WO2024044765A3. Автор: Charles S. Craik,Michael J. Evans. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of selecting barley variety, barley beta-amylase gene and process for producing malt alcoholic drink

Номер патента: US20050053934A1. Автор: Takashi Asakura,Makoto Kihara,Kazutoshi Ito,Takafumi Kaneko,Kazuyashi Takeda. Владелец: Sapporo Breweries Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of starting and stopping gas turbine and start-and-stop control device

Номер патента: US20090314001A1. Автор: Yasuhiro Hashimoto,SATOSHI Tanaka,Hiroshi Tanabe. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Lost circulation materials and methods of using the same

Номер патента: EP2828350A1. Автор: Philip Wayne Livanec,Matthew Lynn Miller. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-01-28.

Method of producing microfluidic device

Номер патента: WO2009035126A1. Автор: Toshinobu Tokita. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods of milling a piece of raw steel stock into a machine-ready piece of steel

Номер патента: US20190388982A1. Автор: Kimm Eric Slater. Владелец: Steel 21 LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Electrophotographic photoreceptor, manufacturing method of electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and electrophotographic apparatus

Номер патента: US20200096883A1. Автор: Haruki Mori,Masaki Nonaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of testing a gas shut-down valve and a system for exercising the method

Номер патента: EP2817603A1. Автор: Bent Kortsen. Владелец: IOP MARINE AS. Дата публикации: 2014-12-31.

Method of testing a gas shut-down valve and a system for exercising the method

Номер патента: US20150007639A1. Автор: Bent Kortsen. Владелец: IOP MARINE AS. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of characterizing a DNA sample

Номер патента: US12062416B2. Автор: Helen Davies,Serena NIK-ZAINAL,Dominik GLODZIK,Sandro MORGANELLA. Владелец: Genome Research Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Articles including a microstructured curved surface and methods of making same

Номер патента: EP4401946A1. Автор: Bruce R. Broyles,Timothy J. Hebrink,Jodi L. CONNELL,Raymond P. Johnston,Ta-Hua Yu,Ming-Lai Lai,Jr. Olester Benson. Владелец: Solventum Intellectual Properties Co. Дата публикации: 2024-07-24.

Cell-penetrating peptides and methods of use thereof

Номер патента: US12060388B2. Автор: Weiya BAI,Daniel DIMAIO,Pengwei ZHANG,Gabriel MONTEIRO DA SILVA. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of Forming a Roller Bearing Cage with Tangs

Номер патента: US20180009024A1. Автор: Ian Breeze. Владелец: Bowman International Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

A method of controlling a gas environment in a manufacturing space prior to commencing an additive manufacturing process

Номер патента: EP4201556A1. Автор: Ernst Miklos,Dominik Bauer,Michael SEYS,Amal Cheikh rouhou. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of recovering a metal from a mixture by melt freeze fractionation

Номер патента: WO2004085686A3. Автор: Pieter Johannes Jansens,Bedri Drini,Wilhelmus Hieronimus Kool,Laurens Katgerman. Владелец: Laurens Katgerman. Дата публикации: 2004-12-02.

Method of recovering a metal from a mixture by melt freeze fractionation

Номер патента: WO2004085686A2. Автор: Pieter Johannes Jansens,Bedri Drini,Wilhelmus Hieronimus Kool,Laurens Katgerman. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of catalytic hydrogenation and reduction

Номер патента: US20240278214A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yutaro Yamada,Kwihwan Park,Ayumu Kato. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of cleaning semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and management system

Номер патента: US20110232686A1. Автор: Takashi Nakao,Kenichiro TORATANI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Method and System of Digital Design and Fabrication of a Biomechanical Interface

Номер патента: US20240261117A1. Автор: Hugh M. Herr,Dana Solav,Xingbang Yang,Duncan Ru Chieh Lee,Christina Meyer. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-08-08.

A method of determining a tool path for controlling a printing tool

Номер патента: EP4003733A1. Автор: Peter King,Alejandro VARGAS USCATEGUI. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2022-06-01.

A method of determining a tool path for controlling a printing tool

Номер патента: AU2020322728A1. Автор: Peter King,Alejandro VARGAS USCATEGUI. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of treating Clostridium difficile infection or its associated symptoms

Номер патента: US11318154B2. Автор: Wei Xu,Yung-Fu Chang,Yingxue Li,Linfeng HUANG,Yutian Ren. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2022-05-03.

Method of operating an internal combustion engine

Номер патента: US20020179052A1. Автор: Thomas Kaiser,Christoph Schmitz,Charles Koch,Thomas Ganser,Kurt Maute,Martin Spanninger. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of milling a piece of raw steel stock into a machine-ready piece of steel

Номер патента: US20200198029A1. Автор: Kimm Eric Slater. Владелец: Steel 21 LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Calibration method of electrocardiogram signals and the application program for the same

Номер патента: US8812090B2. Автор: Tsu-Wang SHEN,Shan-Chun Chang. Владелец: TZU CHI UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-19.

Method of reconstructing a tomogram of an x-ray apparatus

Номер патента: US20030007595A1. Автор: Won Choi,Hyoung-Jo Jeon,Jun-Bo Kim,Seung-Hwan Choi,Kyoung-Mu Lee,Hyeong-Cheol Kim,Yong-Won Kim,Jae-Hyun Jung,Kwang-Jun Yoon,Hyun-Kwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-09.

Method of planographic printing with a reusable substrate

Номер патента: US20010013297A1. Автор: Eric Verschueren. Владелец: Agfa Gevaert NV. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of using a tool to form angled orifices in a metering orifice disc

Номер патента: US20050210674A1. Автор: J. Joseph,Sam Gruber. Владелец: Siemens VDO Automotive Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

High quality single crystal and method of growing the same

Номер патента: US20060096526A1. Автор: Hyon-Jong Cho. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of printing which minimizes cross-contamination between nozzles

Номер патента: US20060209133A1. Автор: Kia Silverbrook,Gregory Mcavoy. Владелец: KIA SILVERBROOK AND GREGORY JOHN MCAVOY. Дата публикации: 2006-09-21.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Braking sensor system and method of use

Номер патента: US20230358287A1. Автор: James K. Skully,Scott Boncha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of preparing a bismuth sulfide particle containing antibacterial composition

Номер патента: US20230263167A1. Автор: Muhammad Nawaz,Faiza QURESHI. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of treating clostridium difficile infection or its associated symptoms

Номер патента: US20210046099A1. Автор: Wei Xu,Yung-Fu Chang,Yingxue Li,Linfeng HUANG,Yutian Ren. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-02-18.

Element of an engine compartment of a motor vehicle and method of protecting the element against chemical attacks from a metal halide

Номер патента: US20160311386A1. Автор: Nicolas Garois,Matthieu Vatan,Baptiste Voillequin,Katerina Kirkorian. Владелец: HUTCHINSON SA. Дата публикации: 2016-10-27.

Method and device for securing a grid in a housing, in particular of a hair drier

Номер патента: AU7496896A. Автор: Rudolf Majthan,Hans Kastl. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 1997-08-22.

Method for preventing or reducing growth of a microorganism on a surface

Номер патента: US20210061670A1. Автор: Muhammad Nawaz,Faiza QURESHI. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of marking a lithographic printing plate precursor

Номер патента: EP1558447A2. Автор: Eric AGFA-GEVAERT VERSCHUEREN. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2005-08-03.

Method of controlling virtual object, apparatus, computer device, and storage medium

Номер патента: US20240286039A1. Автор: Zhaozhe DONG,Zhishen MENG. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing deep profiled silicon structures

Номер патента: RU2572288C1. Автор: Сергей Алексеевич Козин,Валерий Евгеньевич Пауткин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2016-01-10.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD TO CONDUCT AN ELECTROCHEMICAL REACTION ON A SURFACE OF A SEMI-CONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120000785A1. Автор: Zahraoui Said,Descours Francis,Raynal Frederic. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2012-01-05.

Display Device and Arrangement Method of OSD Switches

Номер патента: US20120001942A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method, Apparatus and System for Determining the Presence of a User at a Device Such as a Gaming Machine

Номер патента: US20120004029A1. Автор: Morrow James W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

ADJUSTABLE SIGN FRAME AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000106A1. Автор: WICK Melinda Jean. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtained knowledge level control

Номер патента: RU2338264C1. Автор: Николай Николаевич Толстых,Станислав Иванович Гущин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище (военный институт). Дата публикации: 2008-11-10.

Method of treating chronic abacterial prostatitis

Номер патента: RU2478408C1. Автор: Валерий Викторович Третьяков. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения Свердловской области "Свердловский областной клинический психоневрологический госпиталь для ветеранов войн" (ГБУЗ СО "СОКП Госпиталь для ветеранов войн"). Дата публикации: 2013-04-10.

The method of operation

Номер патента: RU2442188C2. Автор: Сергей Владимирович Купцов,Игорь Вениаминович Степаничев,Василий Николаевич Тикменов,Семен Львович Погорельский. Владелец: ЗАО "Научно-технический центр ЭЛИНС". Дата публикации: 2012-02-10.

Processing method of carbonate oil reservoir

Номер патента: RU2614840C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Ренат Ардинатович Нугайбеков,Федор Федорович Махлеев. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д.Шашина. Дата публикации: 2017-03-29.

Agent for local treatment of lichen acuminatus of oral mucosa and method of treating lichen acuminatus of oral mucosa

Номер патента: RU2583945C1. Автор: Олег Николаевич Чупахин,Татьяна Григорьевна Хонина,Елена Владимировна Шадрина,Леонид Петрович Ларионов,Галина Ивановна Ронь,Нина Дмитриевна Чернышева,Сергей Сергеевич Григорьев,Нина Андреевна Попова,Полина Борисовна Жовтяк. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2016-05-10.

VANADIUM-BASED METHOD OF PROTECTING SURFACE OF p-n JUNCTIONS

Номер патента: RU2534438C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Юсуп Пахрутдинович Шангереев,Азамат Ибрагимович Муртазалиев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of protecting silicon structures based on lead-silicate glass

Номер патента: RU2702411C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Азамат Ибрагимович Муртазалиев,Айшат Расуловна Шахмаева,Таджидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрктдинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2019-10-08.

An Improved Method of and Machine for Purifying Crude or Reclaimed Rubber but applicable as well to Gutta Percha and similar Materials.

Номер патента: GB190603416A. Автор: Frederic Clarke Hood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-08-09.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of experimental data for determining hydrogen carbonate-ions by methods of conductometric and acid-base titration

Номер патента: RU2562546C2. Автор: Альбина Васильевна Чернышева,Наталья Юрьевна Стожко,Екатерина Михайловна Подшивалова,Владимир Петрович Татауров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный экономический университет" (ФГБОУ ВПО "УрГЭУ"). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of detecting circulating tumour cells, microemboli and apoptotic bodies in blood of lung cancer patients

Номер патента: RU2571821C2. Автор: Андрей Арсеньевич Модестов,Ольга Сергеевна Коловская,Галина Сергеевна Замай,Татьяна Николаевна Замай,Анна Сергеевна Замай,Алексей Васильевич Крат,Виктор Константинович Бельтюков. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Красноярский государственный медицинский университет имени профессора В.Ф. Войно-Ясенецкого" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-12-20.

Method of purification and health improvement of human organism

Номер патента: RU2548101C2. Автор: Наиля Зиафутдиновна Хисматуллина. Владелец: Наиля Зиафутдиновна Хисматуллина. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of extracting novocain from water solution

Номер патента: RU2553373C1. Автор: Яков Израилевич Коренман,Надежда Яковлевна Мокшина,Оксана Анатольевна Пахомова,Юлия Вячеславовна Цыплухина,Татьяна Викторовна Чибисова. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of creating shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon

Номер патента: RU2523732C1. Автор: Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Иосифович Зиненко,Юрий Андреевич Агафонов,Владимир Васильевич Сарайкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "научно-исследовательский институт Физических проблем им. Ф.В. Лукина (ФГУП НИИФП им. Ф.В. Лукина). Дата публикации: 2014-07-20.

METHOD OF MAKING NITRIDE FILM ON SURFACE OF GaSb BASED HETEROSTRUCTURE

Номер патента: RU2370854C1. Автор: Владимир Петрович Улин,Юрий Павлович Яковлев,Игорь Анатольевич Андреев,Екатерина Вадимовна Куницына,Владимир Леонидович Берковиц,Татьяна Викторовна Львова. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of fine purification of argon from nitrogen admixtures

Номер патента: RU2531169C2. Автор: Алексей Сергеевич Орыщенко,Раиса Васильевна Додон,Евгений Васильевич Андронов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Конструкционных Материалов "Прометей" (Фгуп "Цнии Км "Прометей"). Дата публикации: 2014-10-20.

Method of detecting signals without carriers

Номер патента: RU2504088C1. Автор: Сергей Александрович Егоров,Денис Сергеевич Бабенко,Андрей Александрович Устинов,Сергей Викторович Дворников,Александр Павлович Чихонадских,Евгений Валерьевич Казаков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ СВЯЗИ имени Маршала Советского Союза С.М. Буденного" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-01-10.

Method of obtaining non-woven polyamide-6-based nanocomposite material

Номер патента: RU2533553C1. Автор: Тимофей Евгеньевич Григорьев,Сергей Николаевич Чвалун,Сергей Иванович Белоусов,Сергей Владимирович Крашенников,Сергей Николаевич Малахов,Константин Владимирович Демидёнок. Владелец: Закрытое акционерное общество "МЕТАКЛЭЙ" (ЗАО "МЕТАКЛЭЙ"). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of preparing nanostructured metal particles

Номер патента: RU2394668C1. Автор: Валерий Павлович Герасименя,Сергей Викторович Захаров,Владимир Викторович Николотов,Михаил Александрович Клыков. Владелец: Валерий Павлович Герасименя. Дата публикации: 2010-07-20.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface and air environment using antenna array

Номер патента: RU2539558C1. Автор: Владимир Константинович Клочко,Алексей Николаевич Усачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of determining content of alkali metal formates in deicing agents

Номер патента: RU2478203C1. Автор: Андрей Николаевич Глушко,Роман Александрович Санду,Константин Константинович Булатицкий,Наталья Борисовна Краснова,Василий Михайлович Ретивов,Любовь Анатольевна Лебедева,Любовь Сергеевна Кислякова,Арина Викторовна Лобанова. Владелец: Министерство Образования И Науки Российской Федерации Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ". Дата публикации: 2013-03-27.

Method of building raising

Номер патента: RU2533391C1. Автор: Андрей Николаевич Голубенко,Евгений Николаевич Голубенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Строительная компания "ГЕН СТРОЙУРАЛ". Дата публикации: 2014-11-20.

Method of erection of antiavalanche structure of combined design

Номер патента: RU2559279C1. Автор: Салигаджи Омарович Курбанов,Ахмед Абдулкеримович Созаев,Альнита Юсуповна Сурхоева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Иновационный центр биопозитивных технологий "ЭКОБЕРЕГ" (ООО ИЦ "ЭКОБЕРЕГ"). Дата публикации: 2015-08-10.

Method of hollow-core slabs production and a device for its realization

Номер патента: RU2254989C1. Автор: В.И. Трофимов,Е.Н. Шуваев,В.И. Трофимов (RU),Е.Н. Шуваев (RU). Владелец: Тверской государственный технический университет. Дата публикации: 2005-06-27.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of hydro-fining oil fractions

Номер патента: RU2353644C1. Автор: Константин Борисович Рудяк,Рамиз Рза Оглы Алиев,Анатолий Иванович Ёлшин,Игорь Витальевич Кукс,Марина Витальевна Трофимова,Федор Иванович Сердюк,Роман Владимирович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "Ангарская нефтехимическая компания" (ОАО АНХК). Дата публикации: 2009-04-27.

Static method of determining gravitational acceleration at sea

Номер патента: RU2441260C2. Автор: Евгений Андреевич Денесюк,Николай Николаевич Неронов. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский навигационно-гидрографический институт (ОАО "ГНИНГИ). Дата публикации: 2012-01-27.

FLUORIDE OPTICAL GLASS, CAPABLE OF LUMINESCENCE IN 1000-1700 nm RANGE, METHODS OF PRODUCING SAID GLASS AND FIBRE-OPTIC GUIDE

Номер патента: RU2487840C1. Автор: Владимир Борисович Сулимов,Алексей Николаевич Романов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Димонта". Дата публикации: 2013-07-20.

Method of propagation by herbaceous cuttings of fruit and small-fruit crops

Номер патента: RU2569418C1. Автор: Виктор Сергеевич Мальков,Михаил Анатольевич Салаев,Светлана Ивановна Михайлова,Татьяна Петровна Астафурова,Светлана Александровна Сучкова,Людмила Евгеньевна Одышева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Глиоксаль-Т". Дата публикации: 2015-11-27.

Stabilizer of chemical resistance of nitrocellulose blasting powders and solid rocket propellants and a method of their treatment

Номер патента: RU2229465C1. Автор: Ю.А. Иванов,А.А. Староверов,Н.М. Ляпин,пин Н.М. Л,Т.А. Енейкина,А.С. Филиппов,А.Ю. Фролов,В.В. Осинин,В.М. Перевезенцев,Р.Ф. Гатина. Владелец: Инновационный фонд "Развития и взаимосвязи культур, наук, образований, религий, обществ, стран". Дата публикации: 2004-05-27.

Method of assembling two-compartment refrigerator

Номер патента: RU2546207C2. Автор: Сергей Викторович Назаров,Владимир Анатольевич Бахтин. Владелец: Открытое акционерное общество "Производственное объединение "Завод имени Серго". Дата публикации: 2015-04-10.

Cladding method of pipe ends with inner coating of shells from corrosion-resistant steel

Номер патента: RU2543645C2. Автор: Вячеслав Михайлович Айдуганов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-производственный центр". Дата публикации: 2015-03-10.

Method of predicting of severity of course of bronchial asthma at persons of young age

Номер патента: RU2340285C1. Автор: Александр Федорович Иванов,Исай Моисеевич Михалевич,к Борис Анатольевич Черн,Борис Анатольевич Черняк,Светлана Николаевна Буйнова. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Иркутский государственный институт усовершенствования врачей Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2008-12-10.

Detection method of gas-saturated formations in wells

Номер патента: RU2543399C1. Автор: Сергей Алексеевич Егурцов,Юрий Владимирович Иванов,Виталий Никифорович Даниленко,Татьяна Владимировна Скрынник,Виктор Иванович Борисов,Тагир Сахабович Мамлеев,Любовь Константиновна Борисова,Александр Андреевич Крысов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИННОВАЦИОННЫЕ НЕФТЕГАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ". Дата публикации: 2015-02-27.

Method of waste oil purification

Номер патента: RU2554357C1. Автор: Валерий Васильевич Остриков,Сергей Юрьевич Попов,Алексей Юрьевич Корнев,Илья Николаевич Шихалев. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт использования техники и нефтепродуктов Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИИТиН Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-06-27.

Method of molybdenum identification by cathode-anode voltammetry

Номер патента: RU2533333C1. Автор: Елена Анатольевна Лейтес. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2014-11-20.

Method of missile acceleration during firing and missile for method implementation

Номер патента: RU2536004C1. Автор: Андрей Владимирович Луценко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛАН-ПРОЕКТ". Дата публикации: 2014-12-20.

Thermostable matrix and method of its obtaining (versions)

Номер патента: RU2525554C1. Автор: Николай Евгеньевич Староверов. Владелец: Николай Евгеньевич Староверов. Дата публикации: 2014-08-20.

Method of dispersing nanoparticles in epoxide resin

Номер патента: RU2500706C1. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Владимир Дмитриевич Вермель,Александр Михайлович Доценко,Александр Васильевич Мележик,Севастьян Карпович Слепов,Сергей Анатольевич Титов,Любовь Ивановна Аниховская,Людмила Сергеевна Кладова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2013-12-10.

Treatment method of formation well bore zone

Номер патента: RU2531953C1. Автор: Фарид Баширович Сулейманов,Илфат Нагимович Файзуллин,Рим Салихович Губаев,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Альфис Мансурович Хуррямов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-10-27.

Stabilizer of chemical resistance of nitrocellulose blasting powders and solid rocket propellants and a method of their treatment

Номер патента: RU2229467C1. Автор: Ю.А. Иванов,А.А. Староверов,Н.М. Ляпин,пин Н.М. Л,Т.А. Енейкина,А.С. Филиппов,А.Ю. Фролов,В.В. Осинин,В.М. Перевезенцев,Р.Ф. Гатина. Владелец: Инновационный фонд "Развития и взаимосвязи культур, наук, образований, религий, обществ, стран". Дата публикации: 2004-05-27.

Method of producing fullerenols

Номер патента: RU2481267C2. Автор: Николай Александрович Чарыков,Виктор Анатольевич Кескинов,Константин Николаевич Семенов,Марина Валентиновна Кескинова,Николай Михайлович Сафьянников,Вера Анатольевна Шубина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Биогельтек". Дата публикации: 2013-05-10.

Method of preparing coal charge to coking

Номер патента: RU2360943C1. Автор: Ольга Константиновна Семакина,Сергей Александрович Бабенко,Андрей Владимирович Папин,Александр Викторович Неведров,Геннадий Афанасьевич Солодов,Елена Викторовна Жбырь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of preparation of hydrocarbon fuel

Номер патента: RU2244845C2. Автор: Е.В. Калинин,А.И. Кутовой,О.К. Макаров,А.К. Бухаркин,А.К. Бухаркин (RU),Е.В. Калинин (RU),А.И. Кутовой (RU),О.К. Макаров (RU). Владелец: Макаров Олег Константинович. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of turning of superhard materials

Номер патента: RU2234415C2. Автор: А.М. Бочаров,Ю.Н. Ребрик,Анатолий Михайлович Кузей,Л.Н. Барченков. Владелец: Смоленское государственное унитарное предприятие "ПО "Кристалл". Дата публикации: 2004-08-20.

Method of combing layer of flax raw material

Номер патента: RU2499088C1. Автор: Михаил Михайлович Ковалев,Вячеслав Анатольевич Романов. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации льноводства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИИМЛ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-11-20.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Methods of treating severe insulin resistance by interfering with glucagon receptor signaling

Номер патента: AU2017321423B2. Автор: Stephen Jaspers,Jesper Gromada,Haruka Okamoto,Joyce Harp. Владелец: Regeneron Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

Method of drying of materials

Номер патента: RU2133934C1. Автор: С.В. Редькин,В.В. Аристов. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН. Дата публикации: 1999-07-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.