Semiconductor memory device and redundancy circuit, and method of increasing redundancy efficiency
Номер патента: US20010022747A1
Опубликовано: 20-09-2001
Автор(ы): Gyu Kim, Hyun Jung
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-09-2001
Автор(ы): Gyu Kim, Hyun Jung
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Redundant random access memory device equipped with encoder coupled between programming circuits and redundant word line driving circuits
Номер патента: US5224073A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-06-29.