Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory test control circuit and memory test method of memory logic complex semiconductor device

Memory test control circuit and memory test method of memory logic complex semiconductor device

Номер патента: KR100281894B1
Опубликовано: 15-02-2001
Автор(ы): 박상봉, 원종학
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 윤종용
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device

Номер патента: US7697353B2. Автор: Kazuaki Kawaguchi,Naoaki Kanagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Control circuit, sampling circuit for synchronous dynamic random-access memory, method of reading procedure and calibration thereof

Номер патента: US20200143868A1. Автор: Chih-Wei Chang,Gerchih Chou,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Power control circuit, semiconductor apparatus including the same and power control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11881249B2. Автор: Woongrae Kim,Byeong Cheol Lee,Se Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Power control circuit, semiconductor apparatus including the same and power control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20200211616A1. Автор: Woongrae Kim,Byeong Cheol Lee,Se Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor devices, methods of manufacturing the same, and electronic systems including the semiconductor devices

Номер патента: US20230066186A1. Автор: Sangsoo Lee,Hyungjoon Kim,Sangmin Kang,WooJin Jang,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory-testing device and memory-testing method

Номер патента: US09653186B2. Автор: Chin-Jung Su,Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and systems for memory testing and test data reporting during memory testing

Номер патента: US8423841B1. Автор: Albert Wu,Winston Lee,Chorng-Lii Liou. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor memory test apparatus and method of testing a semiconductor memory

Номер патента: KR100864633B1. Автор: 이종수,장민석. Владелец: 주식회사 엑시콘. Дата публикации: 2008-10-22.

Memory test circuit and method for controlling memory test circuit

Номер патента: US20150279484A1. Автор: Koji Kuroda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Test circuit of memory and device

Номер патента: EP4012712A1. Автор: Tuanhui XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory test circuit, memory chip, and testing method of memory chip

Номер патента: US20240079075A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Multi-port memory testing using concurrent operations

Номер патента: WO2024205554A1. Автор: Zou Wei,Benoit Nadeau-Dostie,Albert Au. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Advanced memory test diagnostics

Номер патента: US09443613B2. Автор: Arnold S. Weksler,Francisco Plinio Oliveira Silveira,Fernando José Vieira da Silva,Fernando Ferraz Silva,André Breda Carneiro,Rodrigo Fernandes Freitas,Frederico Rhae Maciel Leal,Marcelo Araujo Lima. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit having memory built-in self test (bist) programmable characteristics and method of operation

Номер патента: SG74088A1. Автор: Charles A Brown,Damir Smitlener,Jay D Mcdougal. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory testing device and method of testing semiconductor using the same

Номер патента: TW200917264A. Автор: Byoung-Kwon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170062074A1. Автор: Kim Dong-wook,Kim Jae-Hong,JEONG Jun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Memory test system and method of testing memory device

Номер патента: US9859023B2. Автор: Jae-Hong Kim,Dong-Wook Kim,Jun-Ki JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory testing system and method of computing device

Номер патента: US8539289B2. Автор: HUA Dong,Jie-Jun Tan,Yu-Long Lin. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Memory test method

Номер патента: US20210019245A1. Автор: Chen-Lung Tsai,Gene Rosenthal. Владелец: One Test Systems. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory, memory testing system, and memory testing method

Номер патента: EP4068289A1. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor device and retention test method

Номер патента: US20240161860A1. Автор: Yongsuk Choi,Kyungjin PARK,Myeongjin OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Dual tap architecture for enabling secure access for ddr memory test controller

Номер патента: US20200143902A1. Автор: Arvind Jain,Anju GEORGE,Swayam PATTNAIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory control circuit and memory test method

Номер патента: US20180182466A1. Автор: Jenn-Shiang Lai,Chih-Yen Lo,Jin-Fu Li,Kuan-Te Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory test circuit and method for controlling memory test circuit

Номер патента: US9685241B2. Автор: Koji Kuroda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory testing system and memory testing method

Номер патента: US20240161857A1. Автор: Chien Yu Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory testing method

Номер патента: US20020003731A1. Автор: Akiko Matsumoto,Satoshi Sato,Takeshi Furukawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Bist memory test system

Номер патента: CA2212089C. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

Integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20220068417A1. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Serial interface memory testing apparatus and method

Номер патента: WO2008124095A1. Автор: Massimiliano Frulio,Stefano Surico,Marco Passerini,Alex Pojer. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-16.

Memory test method and memory test apparatus

Номер патента: US11862276B2. Автор: Wei Huang,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory test method and memory test apparatus

Номер патента: US20230092554A1. Автор: Wei Huang,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory testing method and related device

Номер патента: EP3933843A1. Автор: Li Ding,Heng-Chia Chang,Chuanqi SHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

System and method for parallel memory test

Номер патента: US20230402124A1. Автор: Nikita Naresh,Nitesh Mishra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Embedded memory testing with storage borrowing

Номер патента: WO2018140133A1. Автор: Roberto AVERBUJ,Tapan Chakraborty. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-02.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory testing system

Номер патента: US09514842B2. Автор: Dragos F. Botea,Vijay M. Bettada,Bibo Li. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory testing

Номер патента: US10438680B2. Автор: Thorsten Bucksch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-08.

Memory test apparatus and testing method thereof

Номер патента: US20210249096A1. Автор: Hong-Mook Choi,Ji-su Kang,Hyun Il Kim,Hye Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory, memory test system, and memory test method

Номер патента: US20220165345A1. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory, memory test system, and memory test method

Номер патента: US11817166B2. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Programmable Memory Test Controller

Номер патента: US20070168775A1. Автор: Anand BHAT,Mukul TIKOTKAR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method and BIST architecture for fast memory testing in platform-based integrated circuit

Номер патента: US20060156088A1. Автор: Anatoli Bolotov,Alexander Andreev,Raoko Scepanovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor memory test device

Номер патента: US20030179636A1. Автор: Kang Lee,Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of testing single-order address memory

Номер патента: US5706293A. Автор: Chang-Hyun Cho,Ho-Ryong Kim,Sang-Hyeon Baeg,Heon-cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-06.

Memory-testing methods for testing memory having error-correcting code

Номер патента: US20190378586A1. Автор: Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Multi-match error detection in content addressable memory testing

Номер патента: US9697910B1. Автор: Pradip Patel,William V. Huott,Daniel Rodko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory test methods and related devices

Номер патента: US11854642B2. Автор: Li Ding,Heng-Chia Chang,Chuanqi SHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and apparatus for converting logic test vectors to memory test patterns

Номер патента: US5644581A. Автор: Robert Han Wu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-01.

Computer memory test structure

Номер патента: US20130173974A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Computer memory test structure

Номер патента: US20140115414A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Computer memory test structure

Номер патента: EP2449557A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Computer memory test structure

Номер патента: WO2011002621A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: SILICON IMAGE, INC.. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory test method, storage medium and computer device

Номер патента: US11462287B2. Автор: Hao He,Bo Hu,Dan Lu,Guangteng Long. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Power supply circuit, memory, testing device, memory system, and electronic device

Номер патента: US20240170041A1. Автор: Yu Wang,BiRuo SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Detecting maximum voltage between multiple power supplies for memory testing

Номер патента: US09715905B2. Автор: Jeffrey M. Scherer,Derick G. Behrends,Todd A. Christensen,Anthony G. Aipperspach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Channel control circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US09470757B2. Автор: Ki Tae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having a test controller and method of operation

Номер патента: US09412467B2. Автор: Chris P. Nappi,Stephen F. Mcginty. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-09.

Built-in memory tests for aircraft processing systems

Номер патента: US20230110926A1. Автор: Christopher Brian Noll. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Embedded Memory Testing with Storage Borrowing

Номер патента: US20180218778A1. Автор: Roberto Fabian Averbuj,Tapan Jyoti Chakraborty. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Built-in memory tests for aircraft processing systems

Номер патента: EP4167092A1. Автор: Christopher Brian Noll. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device and semiconductor device test method for identifying a defective portion

Номер патента: US8325548B2. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device test method

Номер патента: US20100322023A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Test control circuit, semiconductor memory apparatus and semiconductor system using the test control circuit

Номер патента: US20190198130A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US09543021B2. Автор: Se Jun Kim,Kyung Hwan Park,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory macro and method of operating the same

Номер патента: US09997219B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Pankaj Aggarwal,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chiting Cheng,Chien-Kuo SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Circuit and method for controlling MRAM cell bias voltages

Номер патента: US09847116B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Dietmar Gogl. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Circuit and method for controlling MRAM cell bias voltages

Номер патента: US09542989B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Dietmar Gogl. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US20150262678A1. Автор: Se Jun Kim,Kyung Hwan Park,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device for performing a program operation and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240170079A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09583217B2. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

CONTROL CIRCUIT, SAMPLING CIRCUIT FOR SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY, METHOD OF READING PROCEDURE AND CALIBRATION THEREOF

Номер патента: US20200143868A1. Автор: Chou Gerchih,CHANG CHIH-WEI,Yu Chun-Chi,Huang Shen-Kuo. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887663B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Internal voltage level control circuit and semiconductor memory device as well as method of controlling the same

Номер патента: US7397710B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Atsushi Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

POWER CONTROL CIRCUIT, SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME AND POWER CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20220101907A1. Автор: KIM Woongrae,LEE Se Won,LEE Byeong Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

POWER CONTROL CIRCUIT, SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME AND POWER CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20200211616A1. Автор: KIM Woongrae,LEE Se Won,LEE Byeong Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Semiconductor constructions, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: US09614006B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Disturb control circuits and methods to control memory disturbs among multiple layers of memory

Номер патента: US20090154232A1. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Disturb control circuits and methods to control memory disturbs among multiple layers of memory

Номер патента: US8111572B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of forming a perpendicular magnetic film of the same

Номер патента: TW201214813A. Автор: Jang-eun Lee,Woo-Chang Lim,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-01.

MEMORY CONTROL CIRCUIT, CACHE MEMORY AND MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: US20160188429A1. Автор: FUJITA Shinobu,Abe Keiko,NOGUCHI Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

DATA READING METHOD, AND CONTROL CIRCUIT, MEMORY MODULE AND MEMORY STORAGE APPARATUS AND MEMORY MODULE USING THE SAME

Номер патента: US20140293696A1. Автор: Lin Wei,HSU Yu-Cheng,Lai Kuo-Hsin,Cheng Kuo-Yi,Wang Tien-Ching. Владелец: PHISON ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-02.

Data reading method, and control circuit, memory module and memory storage apparatus

Номер патента: CN103594116A. Автор: 林纬,白田理一郎. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Data reading method, and control circuit, memory module and memory storage apparatus and memory module using the same

Номер патента: TW201438015A. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Tien-Ching Wang,Kuo-Hsin Lai,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-01.

Circuit having programmable match determination function, and LUT circuit, MUX circuit and FPGA device with such function and method of data writing

Номер патента: US8908408B2. Автор: Shinichi Yasuda,Atsuhiro Kinoshita,Mari Matsumoto,Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: US20240153565A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory macro and method of operating the same

Номер патента: US20180053537A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Pankaj Aggarwal,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chiting Cheng,Chien-Kuo SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: EP4365902A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor Constructions, Electronic Systems, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20170271411A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20160087010A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

The operating method and memory device and its operating method of Memory Controller

Номер патента: CN109493911A. Автор: 方光奎,沈荣燮,姜熙烨,李庚德. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-19.

Semiconductor memory device and memory system using it and method of controlling swing width thereof

Номер патента: KR100755369B1. Автор: 최정환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-09-04.

Memory device and test method of the same

Номер патента: US10269443B2. Автор: Chih-Wei Chang,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Improved computer memory test

Номер патента: GB2347529B. Автор: Barry Alan KRITT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-23.

Semiconductor memory test circuit and method for the same

Номер патента: US6389563B1. Автор: Young Hee Kim,Jin Keun Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Improved computer memory test

Номер патента: GB9904855D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-04-28.

Memory device, memory test circuit and memory test method thereof having repair information maintaining mechanism

Номер патента: US11935611B2. Автор: Shih-Chieh Lin,Sheng-Lin Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory test array and test method thereof

Номер патента: US20200312421A1. Автор: Hsiung-Shih CHANG,Yu-Cheng Liao,Meng-Hsueh TSAI. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for fast ECC memory testing by software including ECC check byte

Номер патента: US20050149824A1. Автор: Joerg-Stephan Vogt,Andreas Arnez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Content addressable memory apparatus, content addressable memory circuit and memory self-test method thereof

Номер патента: US20240312548A1. Автор: I-Hao Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and system for direct access memory testing of an integrated circuit

Номер патента: US20050060621A1. Автор: Jonathan Lee,XiaoGang Zhu,Andrew Hwang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Methods and apparatuses for memory testing with data compression

Номер патента: US09443615B2. Автор: Jason M. Johnson,Justin Wood,Gregory S. Hendrix,Mark D. Franklin,Daniel F. Eichenberger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Apparatus and a method for memory testing by a programmable circuit in a safety critical system

Номер патента: US09575860B2. Автор: Ferenc Staengler. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory, test method of semiconductor memory and system

Номер патента: US20090040849A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Kaoru Mori,Jun Ohno. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, memory test method for semiconductor device, and test pattern generation program

Номер патента: US20190333598A1. Автор: Tatsuya Saito,Takeshi Ueki,Hideshi Maeno,Tomonori Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

High speed protocol memory test head for a memory tester

Номер патента: WO2001095339A3. Автор: Vasily Grigorievich Atyunin,Igor Anatolievich Abrosimov. Владелец: Igor Anatolievich Abrosimov. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device, data storage system and method for controlling termination circuits

Номер патента: US12066956B2. Автор: Tsan-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Номер патента: US8289792B2. Автор: Kazuya KUDOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Integrated circuit including Built-In Self Test circuit to test memory and memory test method

Номер патента: US20090238018A1. Автор: Yoshitaka Aoki,Yasuyuki Hirasaki,Katsumi Shinbo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory test systems and memory test methods

Номер патента: US11862278B2. Автор: Yang Wang,Hao He,Dan Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit including built-in self test circuit to test memory and memory test method

Номер патента: US7876633B2. Автор: Yoshitaka Aoki,Yasuyuki Hirasaki,Katsumi Shinbo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Application specific event based semiconductor memory test system

Номер патента: US20030074153A1. Автор: Koji Takahashi,Shigeru Sugamori,Hiroaki Yamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Application specific event based semiconductor memory test system

Номер патента: WO2003034082A1. Автор: Koji Takahashi,Shigeru Sugamori,Hiroaki Yamoto. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory test method, memory test apparatus, memory test device, and storage medium

Номер патента: US20240021265A1. Автор: Xiaolei Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Structure and method of repairing SDRAM by generating slicing table of fault distribution

Номер патента: US20030074612A1. Автор: Chien-Tzu Hou,Hsiu-Ying Hsu. Владелец: Geneticware Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Electronic Circuit and Method of Operating an Electronic Circuit

Номер патента: US20230104213A1. Автор: Robert Hofer,Marcus Janke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20120026815A1. Автор: Koji Mine,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

High speed memory test system with intermediate storage buffer and method of testing

Номер патента: EP1080471A2. Автор: Alexander Roger Deas,Vadim Sergeevich Demidov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-07.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device for detecting defect in word line driver

Номер патента: US20240290415A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for memory testing

Номер патента: US20240312556A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method of memory electrical repair

Номер патента: US09830957B1. Автор: Jun Zhu,Akshay Chandra,Ting Qu,Saswat Mishra,Akanksha Mehta. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device verifying signal supplied from outside

Номер патента: US09576641B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method of memory electrical repair

Номер патента: US09536590B1. Автор: Jun Zhu,Akshay Chandra,Ting Qu,Saswat Mishra,Akanksha Mehta. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US11062764B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Test mode circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09817065B2. Автор: Bo Kyeom Kim,Tae Seung SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Traffic and temperature based memory testing

Номер патента: US09576682B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Timothy J. Dell,Joab D. Henderson,Anil B. Lingambudi,Michael D. Pardeik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Traffic and temperature based memory testing

Номер патента: US09570199B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Timothy J. Dell,Joab D. Henderson,Anil B. Lingambudi,Michael D. Pardeik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Flash memory testing apparatus

Номер патента: US5539699A. Автор: Shinya Sato,Hiromi Ohshima. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Memory testing apparatus

Номер патента: US20020046373A1. Автор: Shao-Yu Chou,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for verifying the accuracy of bit-map memory test programs

Номер патента: US20030191994A1. Автор: Wen-Jyh Hung,Chien-Chiang Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device and method of testing semiconductor device

Номер патента: US20080192554A1. Автор: Kiyokazu Hashimoto,Nobutoshi Tsunesada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory test system

Номер патента: US5903576A. Автор: Kazumichi Yoshiba. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Method for testing memory and memory testing device

Номер патента: US20230084435A1. Автор: Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory including error correction circuit and operation method of memory

Номер патента: US12032439B2. Автор: Gang Sik Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Processing device and method of programming such a processing device

Номер патента: US5224103A. Автор: Michael M. Ligthart,Peter G. Baltus. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Memory test circuit

Номер патента: US4686456A. Автор: Takashi Ohsawa,Tohru Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-08-11.

Memory test methodology

Номер патента: US5113399A. Автор: Ralf D. Woods,Michael P. Slack,Kenneth M. Gerst. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1992-05-12.

Centrally logging and aggregating miscompares on chip during memory test

Номер патента: US11869616B2. Автор: Andrew Payne,Senwen Kan,Jeffrey W Gossett,Michael Joseph Pluhta,Richard A Rodell, Jr.,Bjarni Benjaminsson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Test method, control circuit and system for reduced time combined write window and retention testing

Номер патента: WO2006063851A2. Автор: Klaus Nierle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-22.

Test method, control circuit and system for reduced time combined write window and retention testing

Номер патента: WO2006063851A3. Автор: Klaus Nierle. Владелец: Klaus Nierle. Дата публикации: 2006-09-08.

Non-destructive memory testing in computers

Номер патента: US5555249A. Автор: Michael R. Hilley,William J. Kass. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Memory testing in a multiple processor computer system

Номер патента: US5673388A. Автор: Raghu Murthi,Scott Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Memory test pattern generator

Номер патента: US4797886A. Автор: Hideaki Imada. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

Memory test system with defect compression

Номер патента: EP1012848A1. Автор: Alexander Roger Deas. Владелец: Process Insight Ltd. Дата публикации: 2000-06-28.

Memory test system with defect compression

Номер патента: WO1998020497A1. Автор: Alexander Roger Deas. Владелец: Process Insight Limited. Дата публикации: 1998-05-14.

Memory testing device having cross interconnections of multiple drivers and its implementing method

Номер патента: US20120327729A1. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Synchronous memory test system

Номер патента: US5995424A. Автор: Jack C Little,Archer R Lawrence. Владелец: Tanisys Tech Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Semiconductor memory test equipment

Номер патента: US4369511A. Автор: Kenji Kimura,Naoaki Narumi,Kohji Ishikawa. Владелец: Takeda Riken Industries Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

Traffic and temperature based memory testing

Номер патента: US20150270018A1. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Timothy J. Dell,Joab D. Henderson,Anil B. Lingambudi,Michael D. Pardeik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Traffic and temperature based memory testing

Номер патента: US20150270017A1. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Timothy J. Dell,Joab D. Henderson,Anil B. Lingambudi,Michael D. Pardeik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory apparatus and memory testing method thereof for correcting ROM code having error by ECC processing unit after determined to transition to safe mode

Номер патента: US12067283B2. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device(s) and method of refreshing the semiconductor device

Номер патента: US09711204B1. Автор: Youk Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with a memory capable of batch erasing a plurality of sectors and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087364B2. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory test method

Номер патента: US20220138318A1. Автор: XIAOFENG Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09831003B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09659669B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11742014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory circuit for and method of protecting memory data integrity during an output operation utilizing memory data

Номер патента: US4953132A. Автор: Toshiyuki Katsu,Fusako Inotsume. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Semiconductor memory device, method of adjusting the same and information processing system including the same

Номер патента: US20140056086A1. Автор: Hideyuki Yoko,Ryuji Takishita,Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of improving a high current of goa circuit when power on

Номер патента: US20190147819A1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory controller and method of controlling the memory controller

Номер патента: US11694735B2. Автор: Daisuke Shiraishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Memory with Clock-Controlled Memory Access and Method of Operating the Same

Номер патента: US20070291554A1. Автор: Florian Schnabel,Falk Roewer,Christian Sichert. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor devices including stacked dies and methods of testing the semiconductor devices

Номер патента: US20200049767A1. Автор: Dong-hun Kang,Myeong-jun Song,Hyoung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Shift Register and Method of Driving the Same, Scan Driving Circuit and Display Device

Номер патента: US20240203360A1. Автор: Haigang Qing,Yunsheng Xiao,Quanyong GU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including differential input circuit and calibration method thereof

Номер патента: US11323100B1. Автор: Yeonsu JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Shift register circuit, method of driving the same, gate driving circuit and display panel

Номер патента: US20210193007A1. Автор: Hongfei Cheng,Xing Yao. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200112320A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US12088291B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device for generating an internal voltage

Номер патента: US20240345765A1. Автор: Min Jeong Kim,Yoon Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US09997234B1. Автор: Jaeil Kim,Jae In Lee,Yong Mi Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09922685B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Apparatuses including memory section control circuits with global drivers

Номер патента: US09653143B2. Автор: Gi-hong Kim,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device control circuit and method thereof

Номер патента: US09640272B2. Автор: Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory module storing test pattern information, computer system comprising the same, and test method thereof

Номер патента: US20210020258A1. Автор: Jihyuk Oh,Junho Jung,Jiseok KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8199605B2. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US12013712B2. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240233835A1. Автор: Yoshinao Suzuki,Noriyasu Kumazaki,Kenta SHIBASAKI,Kazuto SHITARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for power saving in semiconductor devices

Номер патента: US20240233781A1. Автор: Jian Luo,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Scalable in situ dram-based accelerators and methods of operating the same

Номер патента: US20230072191A1. Автор: Kevin Skadron,Marzieh Lenjani,Lingxi Wu,Abdolrasoul Sharift. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Memory test system

Номер патента: WO1995034897A1. Автор: Alexander Roger Deas. Владелец: Alexander Roger Deas. Дата публикации: 1995-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090296513A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and apparatus for power saving in semiconductor devices

Номер патента: WO2022246636A1. Автор: Jian Luo,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20200235117A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Hisashi Harada,Soichi Yamazaki,Jun Nishimura,Kei Watanabe,Hideyuki Kinoshita,Keisuke Kikutani,Tomo Hasegawa,Kosuke HORIBE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory circuit and method of operation therefor

Номер патента: WO1998020494A2. Автор: Ronald L. Yin. Владелец: Yin Ronald L. Дата публикации: 1998-05-14.

Precharge control circuits and methods for memory having buffered write commands

Номер патента: US20110026345A1. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240312541A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Precharge control circuits and methods for memory having buffered write commands

Номер патента: US7965570B2. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Receiver performing background training, memory device including the same and method of receiving data using the same

Номер патента: US20220173942A1. Автор: Byungsuk Woo,Changkyu Seol,SuCheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Voltage generation circuit, flash memory and semiconductor device

Номер патента: US09627963B2. Автор: Toshiaki Takeshita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Reconfigurable circuit and method of programming the same

Номер патента: US09431104B2. Автор: Shinichi Yasuda,Reika Ichihara,Mari Matsumoto,Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Embedded memory system and memory testing method

Номер патента: US20220206704A1. Автор: Yen-Pin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Signal transmission circuit and characteristic adjustment method thereof, memory module, and manufacturing method of circuit board

Номер патента: US20090140766A1. Автор: Atsushi Hiraishi,Toshio Sugano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Signal transmission circuit and characteristic adjustment method thereof, memory module, and manufacturing method of circuit board

Номер патента: US7777517B2. Автор: Atsushi Hiraishi,Toshio Sugano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US20210193217A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memristor-based in-memory logic circuit and in-memory logic computation system, and applications

Номер патента: US20240282360A1. Автор: Chao Wang,Zongwei Wang,Jiarui Xu,Yuansheng Zhao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150236036A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a charge storage layer and a control gate and method of controlling the same

Номер патента: US20090268526A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Takeshi Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190267050A1. Автор: Jaeil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09978455B2. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US09853041B2. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Timing control circuit shared by a plurality of banks

Номер патента: US09779800B2. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and error correction information writing method

Номер патента: US09619319B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20120112821A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Shift register and method of driving the same, scan driving circuit and display apparatus

Номер патента: US12040029B2. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Shift register and method of driving the same, scan driving circuit and display apparatus

Номер патента: US20240153571A1. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor Device and Method of Operating the Same

Номер патента: US20240331750A1. Автор: Atul Katoch,Shiba Mohanty. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of operating sense amplifier circuits

Номер патента: US09502100B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Latch control circuit on and-not elements and latch shift register on and-not elements

Номер патента: RU2676019C1. Автор: Сыкунь Хао. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device, pre-write program, and restoration program

Номер патента: US20170271018A1. Автор: Kunio Tani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240331779A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, pre-write program, and restoration program

Номер патента: US09640267B2. Автор: Kunio Tani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Electronic circuit and bistable circuit

Номер патента: EP3979499A1. Автор: Satoshi Sugahara,Shuichiro Yamamoto,Daiki Kitagata. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-04-06.

METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC (Fe) FET BASED NON-VOLATILE MEMORY CIRCUITS AND RELATED CONTROL CIRCUITS

Номер патента: US20230189530A1. Автор: Zheng Wang,Shimeng Yu,Asif Khan,Winston Chern,Yuan-Chun Luo,Nujhat Tasneem. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Latency control device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09653130B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Shear register circuit, goa circuit and display device and excitation method thereof

Номер патента: RU2713335C1. Автор: Сюэгуан ХАО. Владелец: Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-05.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Shared decoder circuit and method

Номер патента: US20230368828A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,XiuLi YANG,Kuan Cheng,Luping Kong. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of operating thereof

Номер патента: US20100091554A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and delay control methods

Номер патента: US20240171164A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device having a reference voltage generating circuit

Номер патента: US4994688A. Автор: Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Masashi Horiguchi,Norio Miyake,Takaaki Noda,Kiyoo Itoh,Jun Etoh,Shin'ichi Ikenaga. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1991-02-19.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US09734271B2. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US8334759B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-18.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: US20070200586A1. Автор: Vivien Wong,Wai Phoon,Wah Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: MY139152A. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-28.

Manufacturing method of a tray, a socket for inspection, and a semiconductor device

Номер патента: US20050202597A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20140246743A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of operating display driver integrated circuit, power management integrated circuit and electronic device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20230326425A1. Автор: Sangmin Lee,Wonseok Kim,Woonyoung Lee,Kyounghwan KWON,Seonmee LEE,Wangsuk Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Hard disk driving circuit and method of driving spindle motor

Номер патента: US20100309575A1. Автор: Walter JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-09.

Hard disk driving circuit and method of driving spindle motor

Номер патента: US8144416B2. Автор: Walter JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Focus layer jump control circuits and methods of controlling focus layer jumps used by the same

Номер патента: US7660213B2. Автор: Je-kook Kim,Jun-Ho Huh,Sang-hoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-09.

Method of operating hard disk drives, corresponding control circuit, hard disk drive and processing device

Номер патента: US12119024B2. Автор: Ezio Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Audio control circuit

Номер патента: US20150125006A1. Автор: Wei Pan. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device, electronic device and electronic system

Номер патента: EP3796129A1. Автор: Daisuke Oshida,Fumio Tsuchiya,Shinya Konishi,Yoshio Takazawa,Masaki Shimada,Naoya Ota,Kan Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Inductive load control circuit, a braking system for a vehicle and a method of measuring current in an inductive load control circuit

Номер патента: US09673704B2. Автор: Christelle FRANCHINI,Alexis Huot-Marchand. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of testing small-sized turbines and test bench for its implementation

Номер патента: RU2686234C1. Автор: Анатолий Александрович Косой,Дмитрий Алексеевич Калашников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Объединенный институт высоких температур Российской академии наук (ОИВТ РАН). Дата публикации: 2019-04-24.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US12124088B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20240377590A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Substrate bias control circuit and method

Номер патента: CA1197574A. Автор: Robert C. Huntington. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-12-03.

Method and control circuit for controlling electric drive of electrically driven compressed air compressor

Номер патента: RU2703593C2. Автор: Андреас ХАЗЕ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2019-10-21.

Logic circuit and designing method thereof, and testing method simplifies the f-max measurement of a combinational circuit

Номер патента: TWI268418B. Автор: Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-11.

Logic circuit and designing method thereof, and testing method

Номер патента: TW200500842A. Автор: Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-01-01.

Method for generating random number, memory storage device and control circuit

Номер патента: US09465584B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Siu-Tung Lam. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

AN INDUCTIVE LOAD CONTROL CIRCUIT, A BRAKING SYSTEM FOR A VEHICLE AND A METHOD OF MEASURING CURRENT IN AN INDUCTIVE LOAD CONTROL CIRCUIT

Номер патента: US20150303805A1. Автор: HUOT-MARCHAND ALEXIS,FRANCHINI CHRISTELLE. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-10-22.

Manufacturing method of an electronic device

Номер патента: US20240202412A1. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Uemura,Kazuo Otoge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Gas turbine engine resource tests method

Номер патента: RU2706514C1. Автор: Евгений Ювенальевич Марчуков,Виктор Викторович Куприк. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК - Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2019-11-19.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20230400639A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US11796739B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer

Номер патента: EP1285312A1. Автор: Jong-min Kim,Tae-Joon Park,Mi-Sun Park,Yoon-Gil Yim,Cheol-Woo Kang. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-26.

Agnostic Model of Semiconductor Devices and Related Methods

Номер патента: US20190057175A1. Автор: James Joseph Victory,Mehrdad Baghaie Yazdi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20130099340A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

A method of manufacturing a unit for a ball grid array semiconductor device and producing a ball grid array semiconductor device

Номер патента: DE19802575B4. Автор: Yong Tae Kwon,Jin Sung Kim,Kwang Sung Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of forming an electrode on a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US6048783A. Автор: Hye-Young Kim,Kyo-Hoo Moon. Владелец: LG LCD Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

Semiconductor test system, semiconductor test method, method of wiring pattern formation and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5453994A. Автор: Masahiko Yoshimoto,Kiyofumi Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Power voltage generating circuit and display apparatus having the same and method of protecting data driver using the same

Номер патента: US20190318705A1. Автор: Dae-Sik Lee,Yanguk NAM,Songyi Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Pixel circuit and organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3905329A1. Автор: Keunwoo Kim,Yongsu Lee,Taewook Kang,Jaehwan Chu,Sangsub KIM,Dokyeong Lee,Doona Kim,Bummo Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

MULTIPLE OPTICAL WAVELENGTH INTERFEROMETRIC TESTING METHODS FOR THE DEVELOPMENT AND EVALUATION OF SUBWAVELENGTH SIZED FEATURES WITHIN SEMICONDUCTOR DEVICES AND MATERIALS, WAFERS, AND MONITORING ALL PHASES OF DEVELOPMENT AND MANUFACTURE

Номер патента: US20130337585A1. Автор: Pfaff Paul L.. Владелец: Attofemto, Inc.. Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD OF DETERMINING GALVANIC CORROSION AND INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PREVENTION OF GALVANIC CORROSION

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Te-Liang,LEE YU CHING,HSIA JYH-WEEI. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD OF MODELING CONCENTRATION OF REDUCIBLE MOBILE IONIC DOPANT IN SEMICONDUCTOR DEVICE SIMULATOR

Номер патента: US20150192533A1. Автор: Venkataraman Karthik,Bajaj Mohit,Furkay Stephen S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of and apparatus for controlling probe tip sanding in semiconductor device testing equipment

Номер патента: US20040051519A1. Автор: Kwang-Yung Cheong,Jun-Sung Kim,Byung-Wook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

A method of correcting a mask pattern and a mask, a method of exposure, an apparatus therefor, and a photomask and semiconductor device using the same

Номер патента: DE19628874A1. Автор: Keisuke Tsudaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-02-27.

Method of integrating post-etching cleaning process with deposition for semiconductor device

Номер патента: US20050158664A1. Автор: Yu-Liang Lin,Henry Lo,Mei-Sheng Zhou,Ping Chuang,Joshua Tseng,Hung-Jung Tu,Ching-Ya Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Electron Beam Depicting Pattern Design, Photomask, Methods of Electron Beam Depicting and Fabricating Photomask, and Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: KR101689770B1. Автор: 이상희,최진,이래원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-26.

Manufacturing method of small photoresist pattern using thermal flow process for semiconductor device

Номер патента: KR100510448B1. Автор: 김창환,이중현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-21.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: KR101170284B1. Автор: 아담 엘. 올슨. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-07-31.

METHOD OF FORMING A PATTERN USED FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2499726A1. Автор: Yoshihiko Mizushima,Akira Yoshikawa,Akitsu Takeda,Osamu Ochi,Tomoko Hisaki. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-08-13.

The manufacture method of method for regulating temperature, heat treating equipment and semiconductor devices

Номер патента: CN100576127C. Автор: 上野正昭,杉下雅士. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-12-30.

Manufacturing methods of reflection type mask blanks, reflection type mask, and semiconductor device

Номер патента: JP2006013280A. Автор: 勉 笑喜,守男 細谷,Morio Hosoya,Tsutomu Shiyouki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: TW200903641A. Автор: Adam L Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Disaster tolerance test method, method of payment, device, medium and service equipment

Номер патента: CN110209556A. Автор: 陈玉英. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: WO2008150722A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20080296732A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: CN101681811A. Автор: 亚当·L·奥尔森. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20100193917A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: TW200739099A. Автор: Vivien Wong,Waikhuin Phoon,Wahyew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-16.

POWER VOLTAGE GENERATING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME AND METHOD OF PROTECTING DATA DRIVER USING THE SAME

Номер патента: US20190318705A1. Автор: LEE Dae-Sik,Han Songyi,NAM Yanguk. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Built-in magnetic sensor with double magnetic circuits and four measuring points and testing method thereof

Номер патента: CN113125551A. Автор: 黄家辉,付传清,李欣如,叶海隆,史伟卓. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2021-07-16.

CIRCUITS AND METHODS FOR PROVIDING DATA TO AND FROM ARRAYS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20150039843A1. Автор: Tomishima Shigeki. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Memory system, memory controller and memory for the same, and method of constructing signal of the same

Номер патента: KR101364443B1. Автор: 이정배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-02-17.

ELECTRONIC DEVICE AND MEMORY MANAGEMENT METHOD THAT IMPROVES USAGE EFFICIENCY OF MEMORY

Номер патента: US20150293736A1. Автор: CHIMURA TETSUYUKI. Владелец: KYOCERA Document Solutions Inc.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method And Memory Availability Managing Module For Managing Availability Of Memory Pages

Номер патента: US20180314641A1. Автор: ROOZBEH Amir,TURULL Daniel,MONTEIRO SOARES Joao. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Methods for diagnosing, monitoring and controlling the onset and progression of certain dementias and impeding memory loss or improving impairment of memory

Номер патента: US4985256A. Автор: J. Leslie Glick. Владелец: Bionix Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Data processor apparatus and memory interface

Номер патента: US20070011412A1. Автор: Malcolm Stewart,Denny Wong. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09941122B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US09449870B2. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Inorganic substrate with a thin silica type glass layer, method of manufacturing the aforementioned substrate, coating agent, and a semiconductor device

Номер патента: WO2007046560B1. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Elias Dimitris Katsoulis. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: US5543359A. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of forming a hole having a vertical profile and semiconductor devices having a vertical hole

Номер патента: US20110201203A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Hyo-san Lee,Kun-tack Lee,So-Ra Han,Seong-ho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20210328047A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20230290866A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US11695063B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20220328628A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection and semiconductor device

Номер патента: US20200258814A1. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: US7265026B2. Автор: Chee Hong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of manufacturing conductive electrodes for a circuit element, and semiconductor device thus obtained

Номер патента: US4749442A. Автор: Stefan Barbu,Claude E. P. Chapron. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor Packages and Methods of Forming RDL and Side and Back Protection for Semiconductor Device

Номер патента: US20230343668A1. Автор: Il Kwon Shim,Dzafir Bin Mohd SHARIFF,Ronnie M. DE VILLA. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: WO2019133289A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US12020938B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Test control point insertion and X-bounding for logic built-in self-test (LBIST) using observation circuitry

Номер патента: US09547043B2. Автор: Nisar Ahmed,Orman G. Shofner, JR.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US20160364351A1. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US09965418B2. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329132A1. Автор: Tomoyuki Maekawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240310427A1. Автор: Masahiro Fukushima,Kouhei Matsumoto,Haruko IWAI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US20180343392A1. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US10257419B2. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Device and method of protection of turbomachine calculator in aircraft from speed measurement errors

Номер патента: RU2641329C2. Автор: Людовик ПАСКЬЕ,Реми ЖОАШИМ. Владелец: Микротюрбо. Дата публикации: 2018-01-17.

Product testing system for a semiconductor device

Номер патента: US09671455B2. Автор: Kenichi Kawasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Sensor with electrostatic pendular accelerometer and method of controlling such sensor

Номер патента: RU2647983C2. Автор: Рафаэль БРИССОН,Венсан РАГО. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2018-03-21.

Digital linear heat detector, system to measure temperature in short circuit location for such heat detector and method of usage for such heat detector

Номер патента: RU2519047C2. Автор: Брайан П. ХЕРРИНГТОН. Владелец: Дзе Протектовайе Компани, Инк.. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor device and scan test method

Номер патента: US20180059183A1. Автор: Yoichi Maeda,Hiroki Wada,Jun Matsushima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20230296669A1. Автор: Kazunori Masuda,Makoto Iwai,Takuya Kusaka,Hirosuke NARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Boot-Up and Memory Testing with Chipset Attached Memory

Номер патента: US20240330134A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09933806B2. Автор: Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Sensing device and driving method of sensing device

Номер патента: US20230251738A1. Автор: Fumihoru NAKANO. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Sensing device and driving method of sensing device

Номер патента: US11886662B2. Автор: Fumihoru NAKANO. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Display device and light-emitting control circuit thereof, driving method

Номер патента: US20210217348A1. Автор: Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Power-Semiconductor-Device Test Apparatus Facilitating Test-Connection Changes

Номер патента: US20240310426A1. Автор: Hiroshi Takahara,Seiichiro Kihara,Shigeo Sakata,Takahiro Kajinishi. Владелец: Qualtec Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09460377B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of reducing offset in a capacitive touch panel capable of switching between a differential-input sensor circuit and single-ended sensor circuit

Номер патента: US09367184B2. Автор: Kazuyuki Kobayashi,Yasuhiro Kaneta. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Memory test method, memory test apparatus, device and storage medium

Номер патента: US11860748B2. Автор: XIAOFENG Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory test method, memory test apparatus, device and storage medium

Номер патента: US20230236942A1. Автор: XIAOFENG Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Storage device providing hardware initialization retry function and method of operating the same

Номер патента: US20240256386A1. Автор: Taesun Park,Ho-Jin Chun,Minsung Kil,Suckhyun NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor circuit and method of operating the circuit

Номер патента: US20160365845A1. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-15.

Electronic device for confirming whether submergence has occurred by using submergence sensing circuit, and operating method of electronic device

Номер патента: US20200356144A1. Автор: Wanjae JU,Kiyeong Jeong,Hyoseok NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Display apparatus, display drive circuit and driving method of electronic paper display unit

Номер патента: US20220319444A1. Автор: Xin Li,Kejun Hu,Jinlei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Systems and methods of alarm triggered equipment verification using drone deployment of sensors

Номер патента: US12098980B2. Автор: Matthew Roberts,Stephen Tarmey. Владелец: Tyco Fire and Security GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Bandgap reference circuit and method of testing and calibrating the same

Номер патента: US20240345614A1. Автор: Zhi-Xin Chen. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device, electronic device, and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US09898068B2. Автор: Keiji Hasegawa,Masaki Fujigaya,Kohei WAKAHARA,Go Sado. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of controlling driving voltage of display panel and display apparatus performing the method

Номер патента: US09595214B2. Автор: Ji-Young Lee,Hee-Jeong Seo,Jae-Ill KIM,Jong-Min SHIM,Seung-Hwan CHEONG,Eui-Myeong CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Display device, driving method of display device and data processing and outputting method of timing control circuit

Номер патента: US09570039B2. Автор: Wen-Shian Shie,Tung-Shuan Cheng. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Display device, driving method of display device and data processing and outputting method of timing control circuit

Номер патента: US09508277B2. Автор: Wen-Shian Shie,Tung-Shuan Cheng. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor circuit and method of operating the circuit

Номер патента: US09473123B2. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09467047B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Radiation monitor and method of determining power of equivalent dose of gamma-radiation

Номер патента: RU2650726C1. Автор: Александр Валентинович Шумаков,Ярослав Валерьевич Лужанчук,Александр Анатольевич Алешкевич,Дмитрий Владимирович Сягин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of scan test for thereof

Номер патента: US20240142519A1. Автор: Kazushi Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and electronics device

Номер патента: US20080169804A1. Автор: Waichiro Fujieda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and electronics device

Номер патента: US20070205755A1. Автор: Waichiro Fujieda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Systems, devices, and methods of multiplexed use of a conductive housing

Номер патента: EP3357223A1. Автор: Adam Mekeel Mack,Steven Diamond,Matthew Ryan Montgomery,Aaron Michael Rudolph. Владелец: Fossil Group Inc. Дата публикации: 2018-08-08.

Control circuit, display system, and related method of controlling display panel

Номер патента: US20210056286A1. Автор: Huan-Teng Cheng. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-02-25.

Individual control circuit and method of multiple power output

Номер патента: US20080091960A1. Автор: Tsung-Chun Chen. Владелец: Zippy Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Display device for low power driving and method of operating the same

Номер патента: US12080232B2. Автор: Jonghyun Lee,JongOh LEE,Yuneseok Chung,Hyeokman KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240267068A1. Автор: Fukashi Morishita,Wataru Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-node synchronous on-site test method

Номер патента: US09784799B2. Автор: Jian Liu,Ming Zhu,Ping Sun,Haimei HU,Chunqiang Zhang,Maolin Pei. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Jiangxi Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Dual mode clock using a common resonator and associated method of use

Номер патента: US09581973B1. Автор: Jagdeep Bal,Pankaj Goyal,Stephen E. Aycock. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Control method of inverting apparatus for achieving MPPT and inverting apparatus thereof

Номер патента: US09564830B2. Автор: Chun-Hao Yu,Han-Wei Chen,Chia-Hua Liu. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Power supply switching circuit, real time clock device, electronic apparatus, mobile unit, and method of controlling power supply switching circuit

Номер патента: US09438073B2. Автор: Masayuki Kamiyama,Hiroshi Kiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US09417732B2. Автор: Ho-Young Kim,Hyeonyong Jang,Young-Keun Lee,Byungchoon Yang,Heetae Kim,Dongkwon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver

Номер патента: US20190080830A1. Автор: Satoshi Kondo,Kazuaki Kubo,Noriyuki Itano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Device and method of driving display pnale

Номер патента: US20200082773A1. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Power management device and method of operating the same

Номер патента: US20240241533A1. Автор: Jeong Hun Kim,Seungeon Moon,Jong Pil IM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Electronically Controlled Mechanical Timepiece, Control Method Of An Electronically Controlled Mechanical Timepiece, And Electronic Timepiece

Номер патента: US20190369560A1. Автор: Yutaka Yamazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210034137A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Control circuit, information processing device, and method of controlling information processing device

Номер патента: US8428208B2. Автор: Hideyuki Sakamaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-04-23.

Control device and overcurrent detection and testing method for dc/dc converter and manufacturing method for control device thereof

Номер патента: US20240297574A1. Автор: Yoshiomi Shiina. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20180109233A1. Автор: Shingo Sakamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of reducing noise in a fluxgate current transducer

Номер патента: US12061214B2. Автор: Stephan TROMBERT. Владелец: LEM INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-08-13.

Electronic device managing duplicate requests and method of operating the same

Номер патента: US20240289046A1. Автор: Sangoak Woo,Jaeho SHIN,Hyun Jae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Drive device of display panel, display device including the same, and drive method of display panel

Номер патента: US09659516B2. Автор: Shinsuke Yokonuma. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Operational amplifying circuit and semiconductor device comprising the same

Номер патента: US09628034B2. Автор: Jin-soo Kim,Seung-Hwan Baek,Ji-Yong Jeong,Ha-Joon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Sensor with electrostatic pendular accelerometer and method of controlling such a sensor

Номер патента: US09541574B2. Автор: Vincent Ragot,Raphael Brisson. Владелец: Safran Electronics and Defense SAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Power fold mirror control circuit and method

Номер патента: EP1606144A1. Автор: Donald Kay. Владелец: Schefenacker Vision Systems Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Control device and manufacturing method of control device

Номер патента: US20220400558A1. Автор: Hayato Yamaguchi,Sadaharu Okuda. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Information processing apparatus, image processing apparatus, and method of controlling the same

Номер патента: US20210227129A1. Автор: Yoshiaki Honda,Hiroshi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory test drive

Номер патента: US20230401133A1. Автор: Jun-Gi Jang,Jong Min Park,Su Hyun Chae,Ji Yong Lee,U Kang,Sooyeon Shim,Vladimir Vladimirovich EGAY. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-14.

Control device and manufacturing method of control device

Номер патента: US12058820B2. Автор: Hayato Yamaguchi,Sadaharu Okuda. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Power control circuit and method of computer system

Номер патента: US20100293396A1. Автор: Yi-Wen Chiu. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Power fold mirror control circuit and method

Номер патента: EP1606144B1. Автор: Donald Kay. Владелец: Schefenacker Vision Systems Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

Apparatus and method of monitoring product placement within a shopping facility

Номер патента: US12123155B2. Автор: Donald R. High,Robert C. Taylor,Shuvro CHAKROBARTTY. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Satellite signal receiving device, method of controlling satellite signal receiving device, and electronic device

Номер патента: US09798014B2. Автор: Norimitsu Baba. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Display device and method of controlling pixel circuit

Номер патента: US20210383754A1. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Charge control circuit and method of adjusting voltage for detecting full charge of secondary battery in same

Номер патента: US20040119443A1. Автор: Hideo Matsuki,Mitsuru Ooyagi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-24.

Display apparatus, image control semiconductor device, and method for driving display apparatus

Номер патента: EP1150274A3. Автор: Takashi Nakamura,Nozomu Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Semiconductor device, power control method, and storage medium

Номер патента: US20160282924A1. Автор: Hiroaki Sugita,Ken Kawakami,Kai Sasadate. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Display device, control circuit included in the same, and method of driving the same

Номер патента: US20240371331A1. Автор: Mitsuru Fujii,Jong-Woong Park,Junhan Ko,SeokYoung YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, power control method, and storage medium

Номер патента: US09690355B2. Автор: Hiroaki Sugita,Ken Kawakami,Kai Sasadate. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20170308445A1. Автор: Osamu Nishii,Kiwamu Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of manufacturing electrophoretic display having organic thin film transistor control circuit and electrophoretic display manufactured using the method

Номер патента: US20080204848A1. Автор: Arthur Mathea,Marcus Schaedig. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Control device in a motor vehicle and a method of attaching a pressure sensor used by the control device

Номер патента: US20010011478A1. Автор: Roland Albert,Christian Fritzsche. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor wafer and multi-chip parallel testing method

Номер патента: US12066486B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory management method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09946476B2. Автор: Jiann-Mou Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09762048B2. Автор: Takahide Tanaka,Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with output data selection of lockstepped computing elements based on diagnostic information

Номер патента: US09734023B2. Автор: Osamu Nishii,Kiwamu Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Regulator, serializer, deserializer, serializer/deserializer circuit, and method of controlling the same

Номер патента: US09608523B1. Автор: Takayuki Iwai,Yasushi Shizuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device

Номер патента: US09557368B2. Автор: Chien-Ping Wang,Tzung-Te Chen,Pei-Ting Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-31.

Control circuit for automatic circuit breaker of differential current

Номер патента: RU2695315C2. Автор: Даниеле НОВАТИ. Владелец: Бтичино Спа. Дата публикации: 2019-07-23.

Light control circuit and frequency detector of optical encoder system, and operating method of frequency detector

Номер патента: US11774269B2. Автор: Kuan-Choong Shim,Gim-Eng Chew. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory controller and method of controlling a memory

Номер патента: US20080172534A1. Автор: RAVI Ranjan Kumar,Prashant Balakrishnan,Rashmi H. Nagabhushana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Power management system comprising static protecting circuit and related method of operation

Номер патента: US20150205338A1. Автор: Hyoung-Seok Oh,Sang-Ik Cho,Je-hyung Yoon,Yoo-Jun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-23.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Electrical power supply changeover test method, apparatus and device for nuclear power plant

Номер патента: EP4432304A1. Автор: Xu Yan,Chen Wang,Tao Jiang,YAN Zhao,Li Qiang ZHANG,Meng zi ZHU,Long GAN,Tian peng YAN. Владелец: CGN Power Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Liquid crystal display and method of checking said display

Номер патента: RU2473104C2. Автор: Хидетака МИДЗУМАКИ. Владелец: Шарп Кабушики Каиша. Дата публикации: 2013-01-20.

Electronic stream processing circuit with locally controlled parameter updates, and method of designing such a circuit

Номер патента: EP1719058B1. Автор: Paulus W. F. Gruijters,Abraham J. De Bart,Edwin J. Van Dalen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-30.

Test circuits and semiconductor test methods

Номер патента: US20230057528A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Display drive circuit and method, LED display board and display device

Номер патента: US12039915B2. Автор: Ke Wei,Defu Liu,Jingguo ZONG,Huorong WANG. Владелец: Xi'an Tibors Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic Stream Processing Circuit With Locally Controlled Parameter Updates, and Method of Designing Such a Circuit

Номер патента: US20080155491A1. Автор: Edwin Jan Van Dalen,Abraham Jan De Bart,Paulus Wilhelmus Franciscus Gruijters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-06-26.

Electronic stream processing circuit with locally controlled parameter updates, and method of designing such a circuit

Номер патента: EP1719058A1. Автор: Paulus W. F. Gruijters,Abraham J. De Bart,Edwin J. Van Dalen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-08.

Electronic stream processing circuit with locally controlled parameter updates, and method of designing such a circuit

Номер патента: US7458039B2. Автор: Edwin Jan Van Dalen,Abraham Jan De Bart,Paulus Wilhelmus Franciscus Gruijters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-25.

Electronic stream processing circuit with locally controlled parameter updates, and method of designing such a circuit

Номер патента: WO2005083583A1. Автор: Paulus W. F. Gruijters,Abraham J. De Bart,Edwin J. Van Dalen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-09-09.

Fluid flow controller and method of operation

Номер патента: MY128274A. Автор: William H White,William W White,Christopher B Davis,Nelson D Smith. Владелец: Horiba Stec Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-31.

Fluid flow controller and method of operation

Номер патента: EP1328854B1. Автор: Christopher B. Davis,William W. White,William H. White,Nelson D. Smith. Владелец: Horiba Stec Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Testing of analogue circuits in semiconductor devices

Номер патента: WO1990006521A1. Автор: David Leonard Waller. Владелец: Lsi Logic Europe Plc. Дата публикации: 1990-06-14.

Electronic stream processing circuit with locally controlled parameter updates, and method of designing such a circuit

Номер патента: US7900171B2. Автор: Paulus W. F. Gruijters,Abraham J. De Bart,Edwin J. Van Dalen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-01.

Electronic ballast-based device for controlling electronic control circuit and lighting lamp

Номер патента: US20190174590A1. Автор: Wei Wen. Владелец: Opple Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Power supply timing control circuit, control method, display drive circuit, and display device

Номер патента: EP3806080A1. Автор: Lixin Zhu,Chunyang Nie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Control circuit and semiconductor device including same

Номер патента: US20010048619A1. Автор: Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Source buffer output switch control circuit and method of driving the same

Номер патента: US20240296776A1. Автор: Eunkyu SEONG,Hyoungkyu Kim. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Control circuit and semiconductor device including same

Номер патента: EP1150201A3. Автор: Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-18.

Systems, devices and methods of controlling motorized transport units in fulfilling product orders

Номер патента: US09896315B2. Автор: Donald R. High,David C. Winkle,Robert C. Taylor,Shuvro CHAKROBARTTY. Владелец: Wal Mart Stores Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of driving display device including comparator circuit, and display device including comparator circuit

Номер патента: US09508276B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshiharu Hirakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of estimating a low-level circuit of aircraft control

Номер патента: RU2691984C1. Автор: Виктор Федорович Заец,Владимир Сергеевич Кулабухов,Николай Алексеевич Туктарев,Валерий Валерьевич Булгаков,Игорь Иванович Бублик,Максим Сергеевич Кравцов. Владелец: Акционерное общество Московский научно-производственный комплекс "Авионика" имени О.В. Успенского (АО МНПК "Авионика"). Дата публикации: 2019-06-19.

Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products

Номер патента: RU2639989C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-12-25.

System and methods of mixing reactants

Номер патента: RU2713067C1. Автор: Брэдли Кент ДРЮЗ,Майкл Дай ВАН,Умберто УЛЬМАНЕЛЛА,Стивен Уэйн КЛАРК,Мишель Л. АЛЬВАРЕС,Джоанна Л. УИТАКР,Стивен С. ФЕЛЬПС,II Дебра Сью БРАЙАН,Майкл А. НИЗИОЛЕК,Джошуа А. ДАРЛЭНД. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2020-02-03.

Communication device, method of communication, program and communication system

Номер патента: RU2741484C2. Автор: Такаси Ёкокава,Хироо ТАКАХАСИ,Сонфун ЛИ,Наохиро КОСИСАКА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of controlling connected in parallel inverse semiconductor switches

Номер патента: RU2711346C1. Автор: Карл ФЛЯЙШ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2020-01-16.

Method and apparatus for reading, measuring or determining parameters of display elements combined with display control circuit, and system using said method and apparatus

Номер патента: RU2526763C2. Автор: Алок ГОВИЛЬ. Владелец: Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2014-08-27.

Method and apparatus for reading, measuring or determining parameters of display elements combined with display control circuit, and system using said method and apparatus

Номер патента: RU2526708C2. Автор: Алок ГОВИЛЬ. Владелец: Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2014-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180267100A1. Автор: Biao SHEN. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20160292120A1. Автор: Makoto Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Circuits and methods for signal interference mitigation

Номер патента: US20140197875A1. Автор: Sreenath Narayanan Potty,Vivek Singhal,Jasbir Singh Nayyar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20200310483A1. Автор: Takuya Matsumoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Pixel circuit and driving method thereof, and display device

Номер патента: US20220157223A1. Автор: Jing Feng,Peng Liu,Zhichong Wang,Yi Ouyang,Gaoming SUN,Xinglong LUAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor test apparatus, and method of testing semiconductor device

Номер патента: US20020106817A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: MITSUBISHI DENKI AND RYODEN SEMICONDUCTOR SYSTEM ENGINEERING Corp KK. Дата публикации: 2002-08-08.

Bandgap reference circuit, control circuit, and associated control method

Номер патента: US20200125128A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Nai Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Media access control circuit and packet management method

Номер патента: US20240193310A1. Автор: Yan-Xiong WU,Qin-Wei SHE,Shi-Xiang Zheng. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Pixel drive circuit and display panel

Номер патента: US20240153454A1. Автор: Renjie Zhou,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09997633B2. Автор: Chii-Ming Wu,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170256487A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155730A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacure thereof

Номер патента: US09984969B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09941140B2. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09876083B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Wei-Cheng Wang,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09659863B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Structures incorporating and methods of forming metal lines including carbon

Номер патента: US09634245B2. Автор: Andrea Gotti,F. Daniel Gealy,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming low defect replacement fins for a FinFET semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US09614058B2. Автор: Jody Fronheiser,Ajey P. Jacob,Kerem Akarvardar,Witold P. Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576874B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Wet chemistry processes for fabricating a semiconductor device with increased channel mobility

Номер патента: US09396946B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar,Jason Gurganus,Daniel Jenner Lichtenwalner,Erik Maki. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Methods of forming finfet devices

Номер патента: US20240234534A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuits and devices with interleaved transistor elements, and methods of their fabrication

Номер патента: US09780090B2. Автор: Jason R. Fender,Michael L. Fraser,Frank E. Danaher. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09704756B2. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09484302B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having an indium doped dielectric layer located therein and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20030100195A1. Автор: John Osenbach,Julia Duncan,William Minford. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Metal field plates and methods of making the same

Номер патента: US20230411463A1. Автор: Chien-Hung Lin,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431356B2. Автор: Hsi-Yu Kuo,Ko-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method of patterning organic polymer film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010018256A1. Автор: Mitsuru Nishitsuji,Katsuhiko Kawashima,Tsuyoshi Tanaka,Yoshihara Anda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

A semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a circuit having the semiconductor device

Номер патента: TWI532182B. Автор: Takashi Takahama,Naoki Tega,Dai Hisamoto,Hiroyuki Okino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

CHARGING CIRCUIT, AN INDUCTIVE LOAD CONTROL CIRCUIT, AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE, A VEHICLE AND A METHOD OF CHARGING A BOOTSTRAP STORAGE ELEMENT

Номер патента: US20150188328A1. Автор: Huynh Estelle,ABOUDA Kamel,LaPlagne Thierry. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-07-02.

Control circuit and system for switched reluctance machine and method of operating

Номер патента: CN1059766C. Автор: P·D·沃伯斯特. Владелец: Nidec SR Drives Ltd. Дата публикации: 2000-12-20.

Method of isolating transistors using LOW-K dielectrics and resultant semiconductor device

Номер патента: TW395012B. Автор: Howard L Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device

Номер патента: US12080785B2. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: GB9426039D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-22.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: GB2285455B. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Method of etching porous insulating film, dual damascene process, and semiconductor device

Номер патента: TWI223341B. Автор: Koichiro Inazawa,Tomoki Suemasa,Li-Hung Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: US20220399256A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed...

Номер патента: GB2605306A. Автор: Richard Stanfield James,P Mcbride James. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device, method of producing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230343803A1. Автор: Atsushi Fujiwara,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of Forming Electrostatic Discharge Devices

Номер патента: US20130122677A1. Автор: Kai Esmark. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2023-07-27.

C-shaped active area semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20130256824A1. Автор: KOIKE Kaoru,Fujii Nobutoshi,Kobayashi Hideki,MIZUTA KYOHEI,OKA OSAMU,YOSHIOKA HIROTAKA. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

SWITCH CONTROL CIRCUIT, POWER SUPPLY DEVICE COMPRISING THE SAME AND DRIVING METHOD OF THE POWER SUPPLY DEVICE

Номер патента: US20140286056A1. Автор: AHN Byunghak,YOON Jaehan. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2014-09-25.

CONTROL CIRCUIT OF BUCK-BOOST CONVERTING APPARATUS AND MODE SWITCHING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20200266710A1. Автор: Chen Hsin-Hao,Lin Heng-Li,TSENG JUNG-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2780409A1. Автор: Subramanian Vaidyanathan,Nikolai Kaihovirta,Tero Mustonen,Jean-Luc Budry. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-09-24.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20190295925A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chih-Hung Su,Kun-Ming Tsai,Cheng-Lung Yang,Wei-Je Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200043732A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170358462A1. Автор: Kazuhiko Kitano,Seita ARAKI. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device containing memory cells with a fuse in static random memory cell (SRAM) device and method of manufacturing same

Номер патента: US9905512B2. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160276270A1. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162714A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US20200027995A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9209140B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Control circuit of current mode DC-DC converter and control method of current mode DC-DC converter

Номер патента: TW200822510A. Автор: Takashi Matsumoto,Ryuta Nagai,Morihito Hasegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140091366A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming FinFET devices

Номер патента: US11955528B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240030072A1. Автор: Mingi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170162541A1. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: US6773977B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of stabilizing compound semiconductor surface, method of manufacturing semiconductor laser device using the same, and semiconductor device such as semiconductor laser device

Номер патента: JP3778769B2. Автор: 昌規 渡辺. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11910614B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of Improving Package Creepage Distance

Номер патента: US20240105447A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230063261A1. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of forming a high quality interfacial layer for a semiconductor device by performing a low temperature ald process

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Dina Triyoso,Gabriela Dilliway,Elke Erben,Rimoon Agaiby. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12009296B2. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US7803703B2. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005084342A2. Автор: Jiong-Ping Lu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-09-15.

METHODS OF FORMING LOW DEFECT REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160013296A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Akarvardar Kerem,Fronheiser Jody. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170033032A1. Автор: Park Byung-lyul,Park Ji-Soon,Lee Kyu-Ha,PARK Jum-Yong,Chun Jin-Ho,Jeon Hyung-Jun,An Jin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160086874A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHODS OF FORMING SUBSTANTIALLY SELF-ALIGNED ISOLATION REGIONS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150129934A1. Автор: Wang Wenhui,LiCausi Nicholas V.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal K.,Wedlake Michael,Cantone Jason R.,Bello Abner F.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-05-14.

METHODS OF FORMING A CONTACT STRUCTURE FOR A VERTICAL CHANNEL SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20170154994A1. Автор: Pawlak Bartlomiej Jan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, SIGNAL TRANSMISSION/RECEPTION METHOD USING SUCH SEMICONDUCTOR DEVICE, AND TESTER APPARATUS

Номер патента: US20140246743A1. Автор: NAKASHIBA Yasutaka. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

METHODS OF FORMING LOW DEFECT REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140264488A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Akarvardar Kerem,Fronheiser Jody. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180218966A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20150255295A1. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD OF FORMING CONDUCTIVE BUMPS FOR COOLING DEVICE CONNECTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200258814A1. Автор: Chen Chun-Jen,Chou You-Hua,LAI Yi-Jen,KAO Perre. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

METHODS OF FORMING SUBSTANTIALLY SELF-ALIGNED ISOLATION REGIONS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150294912A1. Автор: Wang Wenhui,LiCausi Nicholas V.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal K.,Wedlake Michael,Cantone Jason R.,Bello Abner F.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

METHOD OF FORMING OHMIC CONTACT FOR GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365705A1. Автор: LIU Shenghou,CAI WENBI,LIN GUANGYAO,HUI YEUK-WAH. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: KR102303983B1. Автор: 박병률,문광진,최주일,안진호,후지사키. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method of double photolithography process for forming patterns of the semiconductor device

Номер патента: CN102386190A. Автор: 金东贤,梁松里,权五益,郑丞弼,赵哄. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-21.

Light emitting device having nitride based thin film, method of manufacturing the same and template for fabricating a semiconductor device

Номер патента: KR101868423B1. Автор: 최유항. Владелец: 주식회사 루미스타. Дата публикации: 2018-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: KR101749694B1. Автор: 박성수,이문상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US8466472B2. Автор: Sung Soo Park,Moon Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Methods of forming substantially self-aligned isolation regions on FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US9093302B2. Автор: Michael Wedlake,Ruilong Xie,Wenhui Wang,Vimal K. Kamineni,Abner F. Bello,Nicholas V. LiCausi,Jason R. Cantone. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

The manufacture method of circuit board, semiconductor-fabricating device, circuit board and semiconductor device

Номер патента: CN101611490A. Автор: 川口均,奥川良隆,作道庆一. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7825497B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Integrated circuits and devices with interleaved transistor elements, and methods of their fabrication

Номер патента: US20190221561A1. Автор: Jason R. Fender,Michael L. Fraser,Frank E. Danaher. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Integrated circuits and devices with interleaved transistor elements, and methods of their fabrication

Номер патента: EP3159931A3. Автор: Jason R Fender,Michael L Fraser,Frank E Danaher. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-16.

Energy refeeding module, switching circuit and embodiment, plasma processing system, and a method of producing rectangular voltage output pulses for a plasma processing load

Номер патента: EP4336541A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device and electrical contact

Номер патента: US11978780B2. Автор: Jan Fischer,Tim Böttcher,Olrik Schumacher. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: EP4066317A4. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-01-10.

Energy refeeding module, switching circuit and embodiment, plasma processing system, and a method of producing rectangular voltage output pulses for a plasma processing load

Номер патента: WO2024056624A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2024-03-21.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130248818A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

FABRICATION METHOD OF A MIXED ALLOY LEAD FRAME FOR PACKAGING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130273697A1. Автор: Lu Jun,Feng Tao,Niu Zhi Qiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

DESCRIPTION NOVEL COMPUND, METHOD OF PRODUCING THE COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140051865A1. Автор: Takimiya Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20140054787A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Номер патента: US20200027716A1. Автор: Komatsu Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD OF FORMING AN ELECTRODE ON A SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING AN ELECTRODE

Номер патента: US20210028021A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,Johnson Ward,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING A MULTI-LEVEL INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028106A1. Автор: Machkaoutsan Vladimir,Briggs Basoene,Tokei Zsolt. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING INTERLAYER DIELECTRIC FILM ABOVE METAL GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140120706A1. Автор: Chen Li,Liu Ding-I,Leu Po-Hsiung,Lin Jyh-Nan,Sun Chin-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of fluorinating filters used in the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20190105613A1. Автор: Cesar M. Garza. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD OF ETCHING SILICON NITRIDE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190136132A1. Автор: Han Hoon,PARK Jaewan,Lee Jinuk,Lim Junghun,Bae Sang Won,HON YOUNG TAEK. Владелец: SOULBRAIN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

METHOD OF FORMING THROUGH-HOLE IN SILICON SUBSTRATE, METHOD OF FORMING ELECTRICAL CONNECTION ELEMENT PENETRATING SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20160148858A1. Автор: LEE Jaegab,JEONG Daekyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of Forming a Field-Effect Transistor (FET) or Other Semiconductor Device with Front-Side Source and Drain Contacts

Номер патента: US20180145170A1. Автор: Peterson Eric,Nayak Rajesh,Dix Greg,Shumate Jina. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-24.

METHOD OF SELECTIVELY DEPOSITING A CAPPING LAYER STRUCTURE ON A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20190148224A1. Автор: ISHIKAWA Dai,Kobayashi Akiko,Kuroda Aurélie. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD OF FORMING A HIGH QUALITY INTERFACIAL LAYER FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A LOW TEMPERATURE ALD PROCESS

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Erben Elke,Triyoso Dina,Dilliway Gabriela,Agaiby Rimoon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

Methods of forming isolated germanium-containing fins for a finfet semiconductor device

Номер патента: US20150200128A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Bruce Doris,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yilmaz Hamza,Xue Yan Xun,WILSON Peter,Lu Jun,Niu Zhiqiang,Lu Ming-Chen,Huo Yan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150270435A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

METHODS OF CURING A DIELECTRIC LAYER FOR MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307762A1. Автор: Hyun Sang-Jin,Na Hoon-Joo,HWANG Yoon-Tae,Park Moon-Kyu,Yoon Ki-Joong. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR PACKAGE FORMED THEREBY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150318261A1. Автор: Cho Taeje,Chung Hyunsoo,LEE Inyoung. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

METHOD OF FORMING AN ELECTRODE ON A SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING AN ELECTRODE

Номер патента: US20190304790A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,Johnson Ward,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20200303531A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20180374941A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure

Номер патента: US10910262B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-02-02.

Method of forming a self-aligned silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508080B1. Автор: 김한성,김호식,우성오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-26.

Method of forming a inter metal insulating layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100296330B1. Автор: 이정래,홍상기. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-08-07.

Method of forming an element isolation oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100232883B1. Автор: 김영태,이주석,한우식,이창권,정광용,양예석,박인옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of manufacturing insulation film inter metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR0159016B1. Автор: 이승무. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US10847371B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US11398382B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-07-26.

Method of forming a shallow trench isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100564988B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-28.

Method of fabricating metal lines by dual damascene process and semiconductor device has the metal lines

Номер патента: KR100687434B1. Автор: 금동렬. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

2-DIMENSION SEMICONDUCTOR, METHOD OF p-TYPE DOPING THE SAME, AND 2-DIMENSION SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: KR102080083B1. Автор: 조문호,서승영,허호석,성지호. Владелец: 기초과학연구원. Дата публикации: 2020-02-24.

Method of forming a trench type isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100323868B1. Автор: 김선우,김한민. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method of forming a high density plasma film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356470B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming a film at low temperature for a semiconductor device

Номер патента: KR0175430B1. Автор: 겐지 오까다,이찌로 나까야마,분지 미즈노. Владелец: 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-04-01.

Method of forming an element field oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100237023B1. Автор: 이동호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of forming an inter-layer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR20010003789A. Автор: 이병주. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method of forming an inter-layer dielectric film in a semiconductor device

Номер патента: KR100363839B1. Автор: 김선우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-06.

Formation method of silicide layer using the Excimer laser for the semiconductor devices

Номер патента: KR20230016746A. Автор: 이승희,김준업. Владелец: 주식회사 지엔테크. Дата публикации: 2023-02-03.

A method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100600286B1. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of controlling gate dopant penetration and diffusion in a semiconductor device

Номер патента: US6174807B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Joseph Rudolph Radosevich. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-16.

METHOD OF EPITAXIAL GROWTH IN LIQUID PHASE OF SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE THUS REALIZED

Номер патента: FR2277432A1. Автор: . Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-01-30.

Method of fabricating a fin field effect transistor in a semiconductor device

Номер патента: US7316945B2. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

Wet etching method of silicon oxide layer and method for manufacturing a semiconductor device including the wet etching method

Номер патента: KR100546358B1. Автор: 황인석,고용선,윤병문,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of forming metal layer used in the fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090098733A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Hyun-Young Kim,Kwang-jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-16.

A kind of method of different line width transistor gate height in improvement semiconductor devices

Номер патента: CN110444470A. Автор: 陈建勋,李昱廷,刘怡良,吴信德. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

A method of arranging a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device mountable on a substrate

Номер патента: DE10101948B4. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: US6616854B2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: TW201942960A. Автор: 徐鵬富,派提 瑞薩能,摩拉她 巴拉 慕薩,華德 強森. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司. Дата публикации: 2019-11-01.

The manufacture method of stacked grinding pad and manufacture method thereof and semiconductor device

Номер патента: CN103945984B. Автор: 数野淳. Владелец: Toyo Tire and Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-18.

Method of fabricating substrate having thin film of joined for semiconductor device

Номер патента: KR101230394B1. Автор: 김경준,김동운,이보현,박승용,어성우,유율리아. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-02-06.

Manufacturing Method of Semiconductor Substrate having Mask Pattern for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101379341B1. Автор: 이원석,이동헌,장종진,남옥현,우서휘. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-04-02.

Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP1049144A1. Автор: Yoshinao Taketomi,Yoshiko Mino,Mikihiko Nishitani,Keizaburo Kuramasu,Masashi Goto,Hiroshi Tsutsu,Hikaru Nishitani,Masumi Izuchi,Hiroshi Satani. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

Method of achieving higher inversion layer mobility in silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: WO2001045148A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-06-21.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: WO2003052817A2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2003-06-26.

SELECTIVE GAS ATTACK METHOD OF A SILICON NITRIDE LAYER FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2375339A1. Автор: Klaus Paschke. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1978-07-21.

A silicon single crystal wafer, a method of manufacturing a silicon single crystal, or a method of manufacturing a silicon single crystal wafer, and a semiconductor device

Номер патента: DE112009000569T5. Автор: Koji Annaka Ebara,Shizuo Annaka Igawa,Tetsuya Annaka Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2012017955A1. Автор: 真二郎 藤井,修一 森,一行 満倉. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Porous membrane shaping composition, preparation method of porous membrane, porous membrane intercalation insulating film and semiconductor device

Номер патента: CN1536023A. Автор: ,笹子胜,中川秀夫,���Ｊ¡,滨田吉隆,浅野健. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Method of controlling gate oxide thickness in the fabrication of semiconductor devices.

Номер патента: EP0631308A3. Автор: Ara Philipossian,Brian S Doyle,Hamid R Soleimani. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-06-12.

Method of Forming Ion Implantation Region in Separation Pattern of Semiconductor Device

Номер патента: KR100928097B1. Автор: 탁기덕. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-11-24.

Capacitor having an electrode structure, method of manufacturing a capacitor having an electrode structure and semiconductor device having an electrode structure

Номер патента: TW201140852A. Автор: Kyung-hyun Kim,Sung-Jun Kim,Suk-Hun Choi,Jin-I LEE,Chang-Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Ink jet head, actuator testing method, method of manufacturing ink jet head, and ink jet recording apparatus

Номер патента: US20050024427A1. Автор: Koji Ikeda,Takanori Nakano,Hiroyuki Matsuo,Atsushi Sogami,Masaichiro Tatekawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of forming a aluminum oxide thin film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356473B1. Автор: 김경민,유용식,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Manufacturing method of semiconductor SAB capable of preventing electric leakage and semiconductor device

Номер патента: CN115602542A. Автор: 周黎林. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: GB0011692D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

A compound for forming a layer on a substrate, a method of forming a layer on a substrate, and a semiconductor device

Номер патента: DE10332567A1. Автор: Günter Dr. Schmid,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk,Ute Dr. Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100593136B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

A method of producing a zinc oxide-containing material and a semiconductor device with a zinc oxide-containing material

Номер патента: DE102008039183A1. Автор: Fritz Prof. Dr. Henneberger,Sergey Dr. Sadofev. Владелец: Humboldt Universitaet zu Berlin. Дата публикации: 2010-02-25.

Electronic Materials, Methods of Manufacturing the Same, Dielectric Capacitors, Nonvolatile Memory, and Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980064698A. Автор: 다나까마사히로,나겔니콜라스,와따나베고지,가또리겐지. Владелец: 이데이노부유끼. Дата публикации: 1998-10-07.

The method of the method for laminate layer transfer and manufacture semiconductor devices

Номер патента: CN102867736B. Автор: 丸山纯矢,高山彻,大野由美子,后藤裕吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of forming dielectric with air gaps for use in semiconductor devices

Номер патента: US9876075B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming an element isolation insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR100197647B1. Автор: 이일호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a spin on glass film of a semiconductor device

Номер патента: GB2320808B. Автор: Sang Ho Jeon,Sang Ki Hong,Hyug Jin Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN1159750C. Автор: , ,Ҳ,岩佐成人,中村修二,清久裕之,小崎德也,蝶蝶一幸. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

METHOD OF MANUFACTURING InAsSb SEMICONDUCTOR ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: KR100921693B1. Автор: 장준연,최원준,송진동,임주영. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of forming a self-aligned contact pad for a semiconductor device

Номер патента: US6355547B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-12.

Ink jet head, actuator testing method, method of manufacturing ink jet head, and ink jet recording apparatus

Номер патента: US6921151B2. Автор: Koji Ikeda,Takanori Nakano,Hiroyuki Matsuo,Atsushi Sogami,Masaichiro Tatekawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-26.

Method of controlling wafer bow in a type iii-v semiconductor device

Номер патента: EP3419046A2. Автор: Srinivasan Kannan,Seong Eun Park,Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Jianwei Wan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-26.

Method of forming a trench for use in manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040171211A1. Автор: Sang-rok Hah,Hong-seong Son,Sung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Method of removing sidewall spacers in the fabrication of a semiconductor device using an improved removal process

Номер патента: US20040087155A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

A method of forming a metallic electrode and the metallic electrode semiconductor device

Номер патента: DE102008012678A1. Автор: Akihiro Kariya Niimi,Manabu Kariya Tomisaka,Hisatoshi Kariya Kojima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A4. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Prepreg with carrier material and method of manufacturing the same, multilayer printed circuit board, and semiconductor device

Номер патента: TW200846397A. Автор: Ryoichi Okada. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-12-01.

Method of forming buried isolation regions in semiconductor substrates and semiconductor devices with buried isolation regions

Номер патента: TWI374507B. Автор: Toshiharu Furukawa,Mark C Hakey,Steven J Holmes,David V Horak,Charles W Koburger. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-10-11.

Method of reducing focusing error of exposure process in a semiconductor device

Номер патента: TW408366B. Автор: Ho-Young Kang,Jung-Hyeon Lee,Jin-Seog Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-11.

INTEGRATED CIRCUITS AND DEVICES WITH INTERLEAVED TRANSISTOR ELEMENTS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION

Номер патента: US20170110451A1. Автор: FRASER MICHAEL L.,DANAHER FRANK E.,FENDER JASON R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

INTEGRATED CIRCUITS AND DEVICES WITH INTERLEAVED TRANSISTOR ELEMENTS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION

Номер патента: US20190221561A1. Автор: FRASER MICHAEL L.,DANAHER FRANK E.,FENDER JASON R.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Method of manufacturing integrated circuit, and substrate with integrated circuit formed by method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: KR100805128B1. Автор: 마츠다마사유키,히라이토시하루,코마츠미치오,토나이아츠시,코야나기츠구오. Владелец: 쇼꾸바이 카세이 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-02-21.

The passive equalizing circuit and its equalization methods and abatement detecting method of electric automobile

Номер патента: CN107097668A. Автор: 刘鲁新,林田生. Владелец: Dongguan Powerwise Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Module for electronic circuits and brush holders for electric machines and method of manufacture thereof

Номер патента: GB9510993D0. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1995-07-26.

CONTAINER FOR WASHING FILTERS AND DIALYSIS CIRCUITS AND FOR COMPLETING THE DIALYSIS LIQUID AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: FR2566273B1. Автор: Dario Capanna,Alfredo Romeo,Luigi Mescia. Владелец: Pierrel Hospital SpA. Дата публикации: 1989-04-21.

The crosstalk of hybrid compensation multiple branch circuit and the nonequilibrium adaptive MIMO pre-distortion method of IQ

Номер патента: CN105635009B. Автор: 王勇,宫丰奎,安亚娟. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device, clock circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20220014191A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09793801B2. Автор: Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Air conditioning unit and method of controlling air conditioner

Номер патента: RU2598867C2. Автор: Сатору ИЧИКИ. Владелец: Мицубиси Электрик Корпорейшн. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20210399726A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Seiichi Yoneda,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of and device for preventing blinding of on-coming drivers (versions)

Номер патента: RU2097223C1. Автор: Владимир Анатольевич Ефремов. Владелец: Владимир Анатольевич Ефремов. Дата публикации: 1997-11-27.

Supply method of dual-chip power circuit and dual-chip power circuit

Номер патента: US10855163B2. Автор: HAO Long,Xunwei Zhou. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

A method of reducing distortion and noise of square-wave pulses, a circuit for generating minimally distorted pulses and use of method and circuit

Номер патента: WO1999059242A2. Автор: Lars Risbo,Niels Anderskouv. Владелец: Toccata Technology ApS. Дата публикации: 1999-11-18.

Supply method of dual-chip power circuit and dual-chip power circuit

Номер патента: US20200336060A1. Автор: HAO Long,Xunwei Zhou. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Combat system containing tank and helicopter, method of its use

Номер патента: RU2662568C1. Автор: Борис Соломонович Бабицкий. Владелец: Борис Соломонович Бабицкий. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor integrated circuit and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7923755B2. Автор: Junichi Yano,Hidetoshi Nishimura,Emi Mizushino. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-12.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20140159778A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device whose internal power supply voltage is generated by voltage step-up circuit

Номер патента: US20090219082A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-03.

Liquid ejecting apparatus and method of controlling same

Номер патента: US20080252674A1. Автор: Iwao Ushinohama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor storage device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090085124A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

3d semiconductor devices and structures with electronic circuit units

Номер патента: US20240297169A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Control circuit of power converting circuit, method of controlling power converting circuit and related power converting system

Номер патента: US20240258900A1. Автор: Yi-Lun Shen,Yu-Yun Huang. Владелец: Ark Microelectronic Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Control circuit for a light adjustment and a tone adjustment and an implementation method thereof

Номер патента: US12120787B2. Автор: LIANG Chen,Ming Jiang,FANG Wang,Jianjun Xiao. Владелец: Hengdian Group Tospo Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of Measuring a Resonant Frequency in an Electronic Dimming Ballast

Номер патента: US20120043903A1. Автор: Venkatesh Chitta,Jonathan Robert Quayle. Владелец: Lutron Electronics Co Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Integrated low voltage differential signaling (LVDS) and high-speed current steering logic (HCSL) circuit and method of use

Номер патента: US09698787B1. Автор: Feng Qiu,Vikas Agrawal,John C. Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of automatic control over production of biofuel from wooden loose stock

Номер патента: RU2369632C1. Автор: Андрей Олегович Сафонов,Олеся Андреевна Трещева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная лесотехническая академия". Дата публикации: 2009-10-10.

Variable capacity circuit and control method of variable capacity circuit

Номер патента: US20060220755A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Yoshiharu Kamiya,Masaki Kishi,Tsuyoshi Moribe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Resonant converter, control method of resonant converter, and related device

Номер патента: US20240235386A9. Автор: Bing Chen,Yi Cai,Hong Tuo. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for transport climate control circuit management and isolation

Номер патента: US20230314055A1. Автор: David J. Renken,Tony Spetz. Владелец: Thermo King Llc. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrostatic deflection control circuit and method of electronic beam measuring apparatus

Номер патента: US20070063146A1. Автор: Hiroshi Sasaki. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Microelectrode element, microfluidic wafer, and microfluidic test method

Номер патента: EP4310172A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yun-Sheng Chan. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12047041B2. Автор: Satoshi Goto,Satoshi Arayashiki,Shunji Yoshimi,Yuji Takematsu,Yukiya Yamaguchi,Takanori Uejima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Power converter having synchronous rectifier and control method of synchronous rectifier

Номер патента: US8218339B2. Автор: Han Li,Jing Chen,Gang Liu,Jinfa Zhang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Modularized control circuit of fan motor and method of operating the same

Номер патента: US20150188466A1. Автор: Chun-Lung Chiu,Wen-Chih Wang,Wen-Chuan Ma. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and parameter setting method thereof

Номер патента: US20120331211A1. Автор: Naoto Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240313776A1. Автор: Fumiya Watanabe,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou,Atsuko SAEKI,Ryota Tsuchiya,Harumi ABE,Kanta NAGUMO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Control circuit and control method of trans-inductor voltage regulator

Номер патента: US20240333160A1. Автор: Peng Zhou,Zhiyuan Shen,Zhaolong Yu. Владелец: Nanjing Silergy Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems and methods for transport climate control circuit management and isolation

Номер патента: US12123636B2. Автор: David J. Renken,Tony Spetz. Владелец: Thermo King Llc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09948283B2. Автор: Koji Takayanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and communication module

Номер патента: US09935619B2. Автор: Yusuke NIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Smart junction box for photovoltaic solar power modules with novel power supply circuits and related method of operation

Номер патента: US09935464B2. Автор: Steven Andrew Robbins. Владелец: SUNFIELD SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Control circuit and control method of digital control power supply circuit, and digital control power supply circuit, electronic device and base station using the same

Номер патента: US09634564B2. Автор: Yuichi Shinozaki,Jun Maede. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Circuit for and method of enabling the adaptation of an automatic gain control circuit

Номер патента: US09595990B1. Автор: Hongtao Zhang,Geoffrey Zhang. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09531377B2. Автор: Koji Yamamoto,Shinsuke GODO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Control circuit and control method of digital control power supply circuit, and digital control power supply circuit, electronic device and base station using the same

Номер патента: US09455630B2. Автор: Jun Maede,Shigenobu SHIMOHAGI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device capable of preventing reset of counting circuit

Номер патента: US10523212B2. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-31.

Shunt trip control circuits using shunt trip signal accumulator and methods of operating the same

Номер патента: EP3084796A1. Автор: Jon E. Hymel,Leonard S. Scheuring. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Transceiver circuit and control method of frequency synthesizer

Номер патента: US20230231564A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Yi-Chang Shih,Ching-Her Huang,Yu-Jung Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12052014B2. Автор: Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of reducing particle contamination for ion implanters

Номер патента: WO2008085405A1. Автор: Zhang Jincheng,Que Weiguo,Huang Yongzhang. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Charging device, electronic equipment including same, and control method of charging device

Номер патента: US20110018500A1. Автор: Keisuke Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Drive circuit, electronic device, and method of controlling drive circuit

Номер патента: US12063863B2. Автор: Masahiro Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Laser apparatus, euv light generation system, and method of controlling laser apparatus

Номер патента: US20170070024A1. Автор: Yasufumi Kawasuji,Toshio Yokozuka,Naoya TAKAOKA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Photoelectric conversion device and method of driving photoelectric conversion device

Номер патента: US20230292024A1. Автор: Tomoya Kumagai,Takanori Yamashita,Shinya Ichino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Control device for vehicle, vehicle and control method of vehicle

Номер патента: EP3693205A1. Автор: Daiki Takayama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Oscillation circuit and method of controlling same

Номер патента: US8115562B2. Автор: Hatsuhide Igarashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Power supply controller having reduced acoustic noise and method of reducing acoustic noise

Номер патента: US20210296985A1. Автор: Yu-Chieh Lin,Chia-Chi Liu,Yen-Hsun Wang,Ruei-Pei Jiang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2021-09-23.

System and methods of a non-contact feeding device providing constant output voltage to a power receiving device

Номер патента: US12057710B2. Автор: Atsushi Nomura,Toshiyuki Zaitsu,Yusuke Kawai,Goro Nakao. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20140320180A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Control circuit applied to lifting platform and method of controlling the same

Номер патента: US20230006577A1. Автор: Hua-Chen Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-05.

Transceiver circuit and control method of frequency synthesizer

Номер патента: US12095472B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Yi-Chang Shih,Ching-Her Huang,Yu-Jung Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240322822A1. Автор: Yukio Tsunetsugu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Control circuit applied to lifting platform and method of controlling the same

Номер патента: US11621658B2. Автор: Hua-Chen Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-04.

Power supply controller having reduced acoustic noise and method of reducing acoustic noise

Номер патента: US11381165B2. Автор: Yu-Chieh Lin,Chia-Chi Liu,Yen-Hsun Wang,Ruei-Pei Jiang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-07-05.

Battery storage system and controlling method of the same

Номер патента: US09831714B2. Автор: Suguru Sekita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device for high-voltage circuit

Номер патента: US09793886B2. Автор: Akihiro JONISHI,Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Secondary battery protection circuit, secondary battery protection device, battery pack and method of writing data

Номер патента: US09762072B2. Автор: Takashi Takeda,Takatoshi Itagaki,Ryota KAGEYAMA,Koichi Murano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of overcurrent detection voltage correction and battery protection integrated circuit

Номер патента: US09553469B2. Автор: Takashi Takeda,Takeshi Yamaguchi,Yoshihiro Satake,Tsutomu Yamauchi,Norihito Kawaguchi,Ryota KAGEYAMA,Nobuhito TANAKA,Koji KOSHIMIZU. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Circuit and method of over-voltage protection

Номер патента: US09531183B2. Автор: Zhiyong XIANG. Владелец: Kimree Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240348247A1. Автор: Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09438032B2. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, electronic appliance, and vehicle

Номер патента: US09391603B2. Автор: Takashi Fujimura,Hirofumi Yuki,Muga Imamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Ultrasound diagnostic system and operation method of ultrasound diagnostic system

Номер патента: US20240225614A1. Автор: Katsuya Yamamoto,Yasuhiko Morimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Analog-digital converter, semiconductor device, and voltage signal generation method

Номер патента: US20190386669A1. Автор: Akemi Watanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20190199355A1. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device having a pad proximate to a step structure section of an array chip

Номер патента: US11594547B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Reception control circuit and reception control method

Номер патента: US20060030284A1. Автор: Kunio Okada,Yoshihito Kitayama. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Driving circuit and method of backlight module

Номер патента: US8115409B2. Автор: Chi-Hsiu Lin,Chien-Yang Chen,Shin-Chang Lin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-02-14.

Driving circuit and method of backlight module

Номер патента: US20090322243A1. Автор: Chi-Hsiu Lin,Chien-Yang Chen,Shin-Chang Lin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Electronic device for wirelessly transmitting power and method of operating the same

Номер патента: US12074457B2. Автор: Sangwook Lee,Jinsu CHOI,Kyungmin Lee,Bohwan Choi,Sungbum Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Television audience monitoring system and apparatus and method of aligning a magnetic pick-up device

Номер патента: WO2000022759A1. Автор: Conrad Lindberg. Владелец: Adcom Information Services, Inc.. Дата публикации: 2000-04-20.

Television audience monitoring system and apparatus and method of aligning a magnetic pick-up device

Номер патента: WO2000022759A9. Автор: Conrad Lindberg. Владелец: Adcom Information Services Inc. Дата публикации: 2000-09-21.

Delay circuit and semiconductor device

Номер патента: US09647651B2. Автор: Takahisa Takeda,Tomomi Taniguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Earphone and implementation method of vibratile earphone

Номер патента: US09462371B2. Автор: Ke Li,Xiaodong Li,Long Yuan,Guangzhi Shao. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Storage controllers, methods of operating the same and solid state disks including the same

Номер патента: US09432018B2. Автор: Su-Jin Kim,Kwang-soo Park,Jung-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Microelectromechanical systems (MEMS) devices with control circuits and methods of fabrication

Номер патента: US09359192B1. Автор: Philip H. Bowles,Vijay Sarihan,Mamur Chowdhury. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of Packaging a Rectifying Device and a Rectifying Device

Номер патента: US20220077142A1. Автор: Vemal Raja Manikam,Damir Kljukijevic. Владелец: Robert Bosch Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Control circuit, semiconductor device, and constant voltage output method

Номер патента: US20160268953A1. Автор: Takashi Kamishinbara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Quick counterattack shooting training system using laser shooter, and method of the same

Номер патента: WO2009031813A1. Автор: Min Hee Oh. Владелец: Min Hee Oh. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US8110924B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Norio Yasuhara,Daisuke Minohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150263611A1. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Reception control circuit and reception control method

Номер патента: EP1665610A1. Автор: Yoshihito Casio Computer Co. Ltd. Kitayama,Kunio c/o Casio Computer Co. Ltd. Okada. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-07.

Reception control circuit and reception control method

Номер патента: EP1665610B1. Автор: Yoshihito Casio Computer Co. Ltd. Kitayama,Kunio c/o Casio Computer Co. Ltd. Okada. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-07.

Multi-Stage Erbium-Doped Fiber Amplifier With a Single Programmable Logic Device Control Circuit And Method of Controlling Thereof

Номер патента: US20100245989A1. Автор: Phil Simmons. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Clock signal synchronization circuit, semiconductor memory device including clock signal synchronization circuit, and method of operating clock signal synchronization circuit

Номер патента: US20240313750A1. Автор: Jang-Woo Ryu,Junsub YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic apparatus and control method of electronic apparatus

Номер патента: US09966864B2. Автор: Hui Huang,Tie CHEN,Lei CAI,Jun-Lai Huang,Yun-Peng DONG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Control circuit and method of a LED driver

Номер патента: US09781786B2. Автор: Isaac Y. Chen,Yi-Wei Lee,Jyun-Che Ho. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-03.

Power supply device and semiconductor device

Номер патента: US09755543B2. Автор: Kazuhito AYUKAWA,Nobutoshi Kasai,Daisuke IIJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Light emitting diode driving circuit, light emitting diode controlling circuit, and method of controlling light emitting diode

Номер патента: US09635718B2. Автор: Jeong-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20130194035A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazutaka Miyano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

3D semiconductor device, structure and methods with connectivity structures

Номер патента: US12029050B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods of treating fragile x syndrome with reelin

Номер патента: US20230054593A1. Автор: Qingyou Li,Edwin Weeber,Kevin R. Nash,Nicole MORRILL. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-23.

Electrostatic discharge circuit and method of forming the same

Номер патента: US12046567B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and charge control system

Номер патента: US12051924B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Light engine and method of simulating a flame

Номер патента: US20190257487A1. Автор: Ninghua WEI,William Green, Jr.. Владелец: Idea Tech LLC. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of operating a power converter, control circuit, and power converter

Номер патента: EP4148962A1. Автор: Deboy Gerald,Matthias Joachim Kasper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Methods of treating fragile x syndrome with reelin

Номер патента: EP4090344A1. Автор: Qingyou Li,Edwin Weeber,Kevin R. Nash,Nicole MORRILL. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2022-11-23.

Light engine for and method of simulating a flame

Номер патента: US11746974B2. Автор: Ninghua WEI,William P. Green, Jr.. Владелец: Idea Tech LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US20010013631A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Light engine for and method of simulating a flame

Номер патента: US12055277B2. Автор: Ninghua WEI,William P. Green, Jr.. Владелец: Idea Tech LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09979307B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Interleaved DC-DC converter and semiconductor device having interleaved DC-DC converter

Номер патента: US09973089B1. Автор: Akira Ichinose,Satoshi Nakamoto,Youichi TERASAWA,Yoshimichi TADAMASA. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09941832B2. Автор: Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Control circuit and method of a power converter

Номер патента: US09871453B2. Автор: Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-01-16.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09866134B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09866133B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Motor drive controller and control method of motor drive controller

Номер патента: US09748879B2. Автор: Masato Aoki,Hiroyuki KAIDU. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Air conditioner and control method of air conditioner

Номер патента: US09696045B2. Автор: Satoru Ichiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of determining tire pressure

Номер патента: US09694630B2. Автор: Venkata Ramakanth Kona. Владелец: Dana Heavy Vehicle Systems Group LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Light engine for and method of simulating a flame

Номер патента: US09689544B2. Автор: Ninghua WEI,William P. Green, Jr.. Владелец: Mj Products Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Control circuit and method of a power converter

Номер патента: US09654011B2. Автор: Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09570440B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Heterogeneous integrated circuits and devices thereof with a surrogate substrate and transferred semiconductor devices

Номер патента: US09524872B1. Автор: Andrew T. Hunter,Peter D. Brewer,Yakov Royter. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09478531B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Power module power generation redundant circuit and its control method

Номер патента: RU2741338C1. Автор: Хайин Ли,Дунмин ЦАО,Чжунфэн ЧЖАН,Еюань Се,Тяньгуй ЦЗЯН,Минлянь Чжу. Владелец: Нр Энджиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-01-25.

Systems and methods of power-driven shoe device control

Номер патента: WO2023173134A2. Автор: Xunjie Zhang,Abram Pleta. Владелец: Shift Robotics, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Apparatus and method of frame rate up-conversion with dynamic quality control

Номер патента: US8300145B2. Автор: Hung Wei Wu,Chih-Yu Chang,Wen-Yen Huang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2012-10-30.

Apparatus and method of frame rate up-conversion with dynamic quality control

Номер патента: US20110075027A1. Автор: Hung Wei Wu,Chih-Yu Chang,Wen-Yen Huang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2011-03-31.

Systems and methods of power-driven shoe device control

Номер патента: WO2023173134A3. Автор: Xunjie Zhang,Abram Pleta. Владелец: Shift Robotics, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Multi-bit level shifter and method of operating same

Номер патента: US11456744B1. Автор: Yi-Ting Chen,Jing Ding,Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Switching control circuit for overcurrent protection, and semiconductor device containing the same

Номер патента: US12068676B2. Автор: Akira Nakamori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Display device, method of manufacturing the same, display method, and wearable device

Номер патента: US09954037B2. Автор: JING Yu,Yue Long,Zhidong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Anti-air-return system and method of fan

Номер патента: US09777738B2. Автор: Yen-Hung Chen,Jung-Yuan Chen,Ching-sen Hsieh,Jian-Cun LIN,Shih-Yuan CHIANG,Yueh-Hsin Liu,Chen-Chien KAO. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and driver circuit with source and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607981B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

DC/DC converter, power supply circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09543835B2. Автор: Kei Takahashi,Masato Ishii,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and driver circuit with drain and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09502304B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US09425065B2. Автор: Akira Goto,Taichi Obara,Takami Otsuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

REMEDY FOR IMPROVEMENT OF COGNITIVE FUNCTIONS AND MEMORY BASED ON HYDRATED PYRIDO (4,3-b) INDOLES (VERSIONS), PHARMACOLOGICAL REMEDY BASED THEREON AND METHOD OF APPLICATION THEREOF

Номер патента: RU2334514C1. Автор: Сергей Олегович Бачурин,Николай Серафимович Зефиров,Богдан Константинович Безноско,Владимир Викторович Григорьев,Светлана Ивановна Гаврилова. Владелец: Институт физиологически активных веществ Российской Академии наук. Дата публикации: 2008-09-27.

Systems and methods of providing the non-invasive neuro-rehabilitation of the patient

Номер патента: RU2649512C1. Автор: Марк ГУАРРАЙЯ,Адам МУРАТОРИ,Джастин ФИСК,Эйдан ПЕТРИ,Джеффри М. УОЛЛИС,Джеффри К. МОРАНГ,Ричард У. САБУРИН,Пол ФИРИС,Дэниел П. СМИТ. Владелец: Ньюрохэбилитейшн Корпорейшн. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of the interconnected electric drives coordinates adjustment

Номер патента: RU2655723C1. Автор: Игорь Сергеевич Полющенков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2018-05-30.

Lighting apparatus and illumination management method of the same

Номер патента: US20150359071A1. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Rectifier circuit and dimmer circuit

Номер патента: US20190363641A1. Автор: Jinxiang Shen,Junshan Lou,Zhibin Tian. Владелец: Sengled Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of operating a power converter arrangement, control circuit and power converter arrangement

Номер патента: EP4135178A1. Автор: Matthias Joachim Kasper,Johann Kolar,David MENZI,Jon AZURZA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074132B2. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Communication circuit, control circuit and home appliance device

Номер патента: WO2022195340A1. Автор: Bin Zeng,Zuoqiang ZHANG,Bin Fang. Владелец: Zhejiang Shaoxing Supor Domestic Electrical Appliance Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-22.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240297149A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Heating device and method of controlling a heating device

Номер патента: WO2024170874A1. Автор: Johan Hendrik Du Plessis,Gabriel MOREIRA NOVAIS BIANCO DA SILVA,Oliver Dexter JONES,Iain Stuart WOOLLEY,Christopher Philip John CARVER. Владелец: Tepeo Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Heating device and method of controlling a heating device

Номер патента: GB2627005A. Автор: Philip John Carver Christopher,Hendrik Du Plessis Johan,Moreira Novais Bianco Da Silva Gabriel,Dexter Jones Oliver,Stuart Woolley Iain. Владелец: Tepeo Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Electronic switch control circuits for solar lighting systems and methods for controlling the same

Номер патента: US20190364652A1. Автор: Hao Wu,Weihua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-11-28.

Electronic switch control circuits for solar lighting systems and methods for controlling the same

Номер патента: US11368042B2. Автор: Hao Wu,Weihua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device, semiconductor circuit, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240213309A1. Автор: Atsushi Ito,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Stacked semiconductor device

Номер патента: WO2024186481A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-12.

Control circuit, lighting apparatus, and lighting system

Номер патента: EP4440246A1. Автор: Yaohai WANG. Владелец: Suzhou Op Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and a method of increasing a resistance value of an electric fuse

Номер патента: US09893013B2. Автор: Shigeki Obayashi,Takeshi Iwamoto,Masashi Arakawa,Toshiaki Yonezu,Kazushi Kono. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Control circuit and method for generating voltage for light emitting diode lighting device

Номер патента: US09730286B2. Автор: Yong Geun Kim. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Supply voltage generating circuit and switching power supply

Номер патента: US09729049B2. Автор: Jian Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device comprising an ESD protection device, an ESD protection circuitry, an integrated circuit and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490243B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Switching circuit and method to control power consumer

Номер патента: RU2420858C2. Автор: Торстен КЛЕММ,Инго ФЕТТЕР. Владелец: БРАУН ГмбХ. Дата публикации: 2011-06-10.

Method of drying insulation of traction electric motors of an electric locomotive

Номер патента: RU2742653C1. Автор: Вячеслав Анатольевич Ушаков,Павел Петрович Неустроев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Уральские локомотивы". Дата публикации: 2021-02-09.

Overvoltage protection circuit and power supply source system

Номер патента: RU2460189C2. Автор: Такео ОХКИДО,Масафуми ХАСИМОТО. Владелец: Дайкин Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2012-08-27.

Wireless charging module, control circuit, and electronic device

Номер патента: EP4312344A3. Автор: Chao Wang,Yuechao Li. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

IGBT driving circuit and power conversion device

Номер патента: AU2021394770A1. Автор: BO Yang,Jing Wang,Meng HUANG,Shan ZHANG,Xianqiao YU,Mingzhao Fang. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of controlling serially-connected lighting devices

Номер патента: EP4397137A1. Автор: Jivan J. Luu,Jaykrishna A. Shukla,Ryan M. Bocock,Richard S. BURBERRY,Christopher M. Green,Ananthanag Nemmani. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20200309282A1. Автор: Shiro Kamohara,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Power conversion circuit and operating method thereof

Номер патента: US20200195142A1. Автор: Chih-Lien Chang,Wei-Hsiu Hung. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

High voltage amplifier circuit and analyzer apparatus

Номер патента: EP4178109A1. Автор: Masahiro Arimitsu. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

H-bridge circuit and method for operating such circuit

Номер патента: EP2245725A1. Автор: Laurent Lamesch. Владелец: IEE International Electronics and Engineering SA. Дата публикации: 2010-11-03.

Pfc overcurrent protection circuit, and controller

Номер патента: EP3879655A1. Автор: Qi Wang,Yongsong Lv. Владелец: Hangzhou Leaderway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Methods of starting power converter systems, and power converter systems

Номер патента: US12040697B2. Автор: Martin Geske,Thomas Brueckner,Hendrik Gloes. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Control circuit and method for controlling a data input/output

Номер патента: US20230134947A1. Автор: Markus Unger,Johannes Pummerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-04.

Active load generation circuit and filter using same

Номер патента: US20190149146A1. Автор: Wei-Cheng Tang,Kuohsi Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Lamp-apparatus circuit and a lamp apparatus

Номер патента: US20230371147A1. Автор: Shui Sheng Hsu. Владелец: Dongguan Jiasheng Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Power on/off control circuit and electronic device

Номер патента: WO2022253224A1. Автор: Changlin Wang,Jianjun HAN,Zhenhua LIN,Jin Tang,Xiaoling Zhou,Yingzhen TONG. Владелец: Mettler-Toledo Instruments (Shanghai) Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Power on/off control circuit and electronic device

Номер патента: EP4348833A1. Автор: Changlin Wang,Jianjun HAN,Zhenhua LIN,Jin Tang,Xiaoling Zhou,Yingzhen TONG. Владелец: Mettler Toledo Instruments Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Light emitting control circuit and lighting device using the same

Номер патента: US20240244725A1. Автор: Jiasen Yan. Владелец: Foshan Vane Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Driving circuit for switch and battery control circuit using the same

Номер патента: US11996723B2. Автор: Jun Zhou. Владелец: Dongguan Nvt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

LED Driving Circuit and LED Driving Method

Номер патента: US20210144822A1. Автор: Xunwei Zhou,Zhenxu ZHA,Pitelong WONG. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: SG135133A1. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-09-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

MEMORY TESTING SYSTEM AND METHOD OF COMPUTING DEVICE

Номер патента: US20120331345A1. Автор: DONG HUA,TAN JIE-JUN,LIN YU-LONG. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

Methods of manufacturing MOS transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TW200924114A. Автор: Satoshi Shimizu,Saysamone Pittikoun,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Hisakazu Otoi. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200729314A. Автор: Tu-Hao Yu,Te-Kan Liao,Yu-Chia Chen,Pai-Hsuan Sun. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Methods of manufacturing mos transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TWI349333B. Автор: SHIMIZU Satoshi,Otoi Hisakazu,Pittikoun Saysamone,Chih Ming Chao,Hann Ping Hwang. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

SWITCH CONTROL CIRCUIT, POWER FACTOR CORRECTOR INCLUDING THE SAME, AND DRIVING METHOD OF THE POWER FACTOR CORRECTOR

Номер патента: US20130044520A1. Автор: EOM Hyun-Chul,CHO Gye-Hyun,PARK Young-Bae,YANG Seunguk. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Phase control circuit of brushless motor, brushless motor, and phase control method of brushless motor

Номер патента: TW201626710A. Автор: Naoto Miyauchi. Владелец: Mabuchi Motor Co. Дата публикации: 2016-07-16.

Semiconductor device having memory unit, method of writing to or reading from memory unit, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120044741A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DOUBLE PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS FOR FORMING PATTERNS OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120049377A1. Автор: Kim Dong-hyun,CHUNG Seung-Pil,Yang Song-Yi,Kwon O-ik,Cho Hong. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

MANUFACTURING METHODS OF THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052625A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120153296A1. Автор: LEE Moon Sang,PARK Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120223288A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of Setting a Work Function of a Fully Silicided Semiconductor Device, and Related Device

Номер патента: US20120231590A1. Автор: COLOMBO Luigi,Visokay Mark R.,Chambers James J.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor Device, Method Of Manufacturing The Same, And Electronic Device Including The Semiconductor Device

Номер патента: US20120248414A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for reading data, control circuit, memory module and memory storage apparatus

Номер патента: CN104167220B. Автор: 林纬,郑国义,严绍维,林玉祥,赖国欣. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-15.

METHOD OF MANUFACTURING SCALED EQUIVALENT OXIDE THICKNESS GATE STACKS IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130330843A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Liu Jinping,Shepard,Ronsheim Paul A.,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

METHODS OF FORMING HIGH MOBILITY FIN CHANNELS ON THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130330916A1. Автор: Maitra Kingsuk,Miller Robert J.,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of forming a metal interlayer insulating film of a semiconductor device

Номер патента: KR970003633A. Автор: 이정래,신동선. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

Preparation method of trench grid VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with ultra-thin source region

Номер патента: CN102832134B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张蒙,赵起越,张灵霞,邓光敏. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2014-12-03.

Method of manufacturing an element isolation oxide film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006057A. Автор: 남철우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of controlling doping concentration for semiconductor thin film and semiconductor device

Номер патента: JP2003104792A. Автор: Hajime Saito,Masashi Kawasaki,肇 齊藤,雅司 川崎. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-09.

Removal method of fine particles generated in wet etching process of semiconductor device

Номер патента: KR970016835A. Автор: 김창욱,조영민,유정식,우용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-28.

Method of suppressing particle generation in interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970023836A. Автор: 최재광,유진산,강영묵. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-05-30.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI296829B. Автор: Yu Chia Chen,Tu Hao Yu,Pai Hsuan Sun,Te Kan Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-11.

CIRCUIT HAVING PROGRAMMABLE MATCH DETERMINATION FUNCTION, AND LUT CIRCUIT, MUX CIRCUIT AND FPGA DEVICE WITH SUCH FUNCTION AND METHOD OF DATA WRITING

Номер патента: US20140035618A1. Автор: MATSUMOTO Mari,TATSUMURA Kosuke,Zaitsu Koichiro,Yasuda Shinichi,Oda Masato,Kinoshita Atsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

MAGNETIC MEMORY DEVICES, ELECTRONIC SYSTEMS AND MEMORY CARDS INCLUDING THE SAME, METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHODS OF FORMING A PERPENDICULAR MAGNETIC FILM OF THE SAME

Номер патента: US20120018825A1. Автор: Oh Sechung,KIM WOOJIN,Lee Jangeun,Lim Woo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

Magnetic Memory Devices, Electronic Systems And Memory Cards Including The Same, Methods Of Manufacturing The Same, And Methods Of Controlling A Magnetization Direction Of A Magnetic Pattern

Номер патента: US20120023386A1. Автор: Oh Sechung,KIM WOOJIN,Lee Jangeun,SHIN Heeju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

CIRCUITS AND METHODS FOR PROVIDING DATA TO AND FROM ARRAYS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20120117336A1. Автор: Tomishima Shigeki. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

Test method for normalness of memory contents

Номер патента: JPS61846A. Автор: Hiroki Masuda,Yasuo Ogasawara,康夫 小笠原,Yoshimitsu Sumiyoshi,増田　博樹,住吉　由光. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-01-06.

A kind of test method and device of memory chip

Номер патента: CN105489247B. Автор: 苏志强,舒清明,张君宇. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-02-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CARD READER AND CONTROL METHOD OF CARD READER

Номер патента: US20120002313A1. Автор: Ishikawa Kazutoshi,Higashi Katsuhisa,Miyabe Takaaki,Komatsu Yoshihito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001994A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEATING BLANKET WITH CONTROL CIRCUIT AND SAFETY WIRE

Номер патента: US20120004788A1. Автор: Keane Barry P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of protecting and monitoring state of communication lines of actuating mechanisms of devices for regenerating gas cleaning electrical and bag filters

Номер патента: RU2405631C2. Автор: Владимир Иванович Сикорский,Николай Константинович Веремьев,Сергей Евгеньевич Баранов,Эдуард Семенович Илюшин,Владимир Фридрихович Копервас,Анатолий Семенович Панфилов. Владелец: Анатолий Семенович Панфилов. Дата публикации: 2010-12-10.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001997A1. Автор: TAKADA Kazumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of spaceship orienting and device to this end

Номер патента: RU2519288C1. Автор: Анатолий Яковлевич Лащев,Владимир Николаевич Соколов,Сергей Валентинович Кравчук,Анатолий Сергеевич Сыров,Михаил Александрович Шатский,Петр Александрович Самус. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2014-06-10.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of measurement of biological object electrical characteristics and device intended for its realization

Номер патента: RU2128942C1. Автор: П.Б. Гладов. Владелец: Гладов Павел Борисович. Дата публикации: 1999-04-20.

CONTROL CIRCUIT OF INTERLEAVED PFC POWER CONVERTER

Номер патента: US20120001600A1. Автор: YANG Ta-Yung,Lu Rui-Hong,CHEN Cheng-Sung. Владелец: SYSTEM GENERAL CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

CLOCK DIVIDER CIRCUIT AND SYSTEM LSI HAVING SAME

Номер патента: US20120001664A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Quadratic Amplitude Control Circuit For Cosite Interference Cancellation

Номер патента: US20120003948A1. Автор: LACKEY RAYMOND J.. Владелец: BAE SYSTEMS Information And Electronic Systems Intergration Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Control circuit for mis transistor based power switch

Номер патента: RU2384940C2. Автор: Юрий Юрьевич Гаменюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Специальное конструкторское бюро приборостроения и автоматики". Дата публикации: 2010-03-20.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Gear indicating positions of intrapipe objects and method of its employment ( variants )

Номер патента: RU2206815C1. Автор: А.А. Мигда,А.Н. Секирин. Владелец: ЗАО "Нефтегазкомплектсервис". Дата публикации: 2003-06-20.

Method of check of electric fuze-puncher with inductive control circuit

Номер патента: RU2086904C1. Автор: В.П. Винокуров. Владелец: Специальное конструкторское бюро "Ротор". Дата публикации: 1997-08-10.

METHOD OF ALLOCATING IP ADDRESS OF IMAGE FORMING APPARATUS USING DHCP, IMAGE FORMING APPARATUS AND SYSTEM OF ALLOCATING IP ADDRESS USING DHCP

Номер патента: US20120002240A1. Автор: MIN Ju-won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Piezoelectric displacement motor incorporating control circuit to compensate for piezoid noise

Номер патента: RU2261520C1. Автор: Е.В. Полякова,В.А. Зибров,И.В. Кокарев,кова Е.В. Пол. Владелец: Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2005-09-27.

Method of load feeding by direct current in autonomous electric power supply system of man-made satellite

Номер патента: RU2548661C2. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2015-04-20.

Method of technical diagnosis of electric circuits, their elements, materials and substances included in their composition

Номер патента: RU2390788C1. Автор: Владимир Тимофеевич Козулин. Владелец: Владимир Тимофеевич Козулин. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of ignition of fuel mixture in internal combustion engine and its ignition system switch

Номер патента: RU2056521C1. Автор: Владимир Андреевич Щербатюк. Владелец: Кузьмичкин Петр Васильевич. Дата публикации: 1996-03-20.

Method of balancing steering engine control unit

Номер патента: RU2428651C1. Автор: Владислав Витальевич Чеканов. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2011-09-10.

Method of and device for light diode excitation

Номер патента: RU2479957C2. Автор: Чиэнь-Ко ЛИ. Владелец: Алдер Оптомикэникел Корп.. Дата публикации: 2013-04-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.