Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR PACKAGE FORMED THEREBY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR PACKAGE FORMED THEREBY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150318261A1
Опубликовано: 05-11-2015
Автор(ы): Cho Taeje, Chung Hyunsoo, LEE Inyoung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor Device and Method of Forming Inverted Pyramid Cavity Semiconductor Package

Номер патента: US20170133323A1. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and method of forming inverted pyramid cavity semiconductor package

Номер патента: US09601461B2. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691676B2. Автор: Takeshi Kodama. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837352B2. Автор: Chien-Hua Chen,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307349A1. Автор: Naoki Okawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947613B2. Автор: Satoshi Kondo,Hiroshi Kawashima,Yoshihiro Takai,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto,Claudio Feliciani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290677A1. Автор: Jong-Min Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Gyuseong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Passivation layer for a semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230197550A1. Автор: Chih Hung Wang,Yu-Lung Yeh,Li Chun Liu,Ching Feng Lee,Chun Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10930602B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784137B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057367B2. Автор: Yushi Sato,Naoyuki Kanai,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200251433A1. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US09929132B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252290A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230140664A1. Автор: Hiroyuki Harada,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536831B2. Автор: Jian-Bin Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020137254A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Toru Nomura,Masanori Minamio,Ryuichi Sahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12080638B2. Автор: Shang-Yun Hou,Chia-Hao Hsu,Chia-Hsin Chen,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu,Pin-Tso Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09589877B2. Автор: Shigefumi Dohi,Kiyomi Hagihara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09824957B2. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Leadframe enhancement and method of producing a multi-row semiconductor package

Номер патента: US20070246810A1. Автор: Anthony Sun,Danny Retuta,Hien Tan,Susanto TANARY,Soon Tan. Владелец: United Test and Assembly Center Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Leadframe enhancement and method of producing a multi-row semiconductor package

Номер патента: US7476569B2. Автор: Hien Boon Tan,Anthony Yi Sheng Sun,Susanto TANARY,Danny Vallejo Retuta,Soon Huat James Tan. Владелец: United Test and Assembly Center Ltd. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180286819A1. Автор: Tatsuya Kobayashi,Kazuo Shimokawa,Akira Tojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140110850A1. Автор: Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728455B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583388B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200185629A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200381366A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Chu LIN,Hung-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230230916A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Ken-Yu Chang,Hong-Mao Lee,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Chun-I Tsai,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153915A1. Автор: Hee Sun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170069600A1. Автор: Shinya Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09922957B2. Автор: Shinya Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548259B2. Автор: Keiji Kuroki. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160172300A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200161219A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20200403088A1. Автор: Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240315051A1. Автор: Chien-Min Lee,Hiroki Noguchi,William Joseph Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US12136664B2. Автор: Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09466564B1. Автор: Chih-Sen Huang,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711603B2. Автор: Tae-Wan Lim,Hojong KANG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455215B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230326792A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153812A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Wen-Kai Lin,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321751A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Hsien Huang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09972570B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313425A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11588020B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899395B1. Автор: Hsin-Chi Chen,Chih-Ming Lee,Po-Wei Liu,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180033796A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Chih-Ming Lee,Po-Wei Liu,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180277561A1. Автор: Koichi Yamamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09406694B1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190165101A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411213A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Dien-Yang Lu,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230282583A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Hsien Huang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12009305B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Hsien Huang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20210335719A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Hsien Huang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09991337B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09780165B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105720A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230105626A1. Автор: Koji Ito,Atsushi Ogasawara,Ryota Murai. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230290847A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887159B1. Автор: Mengkai Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347382A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09870994B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09711411B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shih-Fang Tzou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096759A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371758A1. Автор: Chung-Sung Chiang,Yu-Chun Chen,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-An Shih,Chiu-Jung Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200381435A1. Автор: Ji Woon Im,Byoung Deog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Fan-out semiconductor package and method of manufacturing the fan-out semiconductor package

Номер патента: US20240234276A9. Автор: Joohyung Lee,Seungmin Baek,Junghyun Cho,Jaewook JUNG,Chiwan SONG,Hyunna BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09812352B2. Автор: Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200402837A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230420292A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Circuit substrate device, method for producing the same, semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20030214027A1. Автор: Yuji Nishitani,Hiroshi Asami,Tsuyoshi Ogawa,Akihiko Okubora. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230282512A1. Автор: Kyung Wook KIM,Eun-ji Jung,Seung Yong Yoo,Eui Bok LEE,Jin Nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343739A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Jr-Meng Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4216262A1. Автор: Sung Woo Kang,Dong Kwon Kim,Hong Sik Shin,Jeong Yeon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220285284A1. Автор: Toru Ozawa,Yoichi Mizuta,Yoshiaki Takahashi,Kenichi Matoba,Takahiro Tsurudo,Yoshifumi SHIMAMURA,Kouji Nakao,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160355398A1. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978774B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Satoru Okamoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917207B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266288A1. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230187344A1. Автор: Atsushi Kato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190164866A1. Автор: Chee-Wee Liu,Fang-Liang LU,Jhih-Yang Yan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A2. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A3. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601373B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200135647A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268203A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20230411295A1. Автор: Atsushi Kato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258239A1. Автор: Sangbong Lee,Sungho SEO,Seowoo Nam,Seungseok HA,Kyuhoon Choi,Seokmyeong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4411799A1. Автор: Sangbong Lee,Sungho SEO,Seowoo Nam,Seungseok HA,Kyuhoon Choi,Seokmyeong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200091083A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240371876A1. Автор: Myung Yoon UM,Deok Han Bae,Yoon Young Jung,Ju Hun Park,Ye Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12068323B2. Автор: Myung Yoon UM,Deok Han Bae,Yoon Young Jung,Ju Hun Park,Ye Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11239085B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Contact Structure of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20070141837A1. Автор: In Cheol Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035526B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940761A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080203576A1. Автор: Hideaki Kikuchi,Kouichi Nagai,Tomoyuki KIKUCHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8704374B2. Автор: Yumi Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315031A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US12119299B2. Автор: Sho Nakagawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12112998B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09576965B2. Автор: Woong Choi,Young Bog Kim,Jae Man Yoon,Yun Seok Chun,Woo Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411489A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953982B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953880B1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312829A1. Автор: Sung Hoon Lee,Dae Il Kim,Sang Il Hwang,Young Joon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4231343A3. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09558990B2. Автор: KYUNG Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230138505A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050285217A1. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7446015B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069597A1. Автор: Keiichi Matsushita,Yo Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160104785A1. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150311310A1. Автор: Minwoo Song,Moonkyun Song,Seokjun Won,Namgyu Cho,Youngmook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09525042B2. Автор: Minwoo Song,Moonkyun Song,Seokjun Won,Namgyu Cho,Youngmook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Au-based solder die attachment semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698082B2. Автор: Satoshi Tanimoto,Shinji Sato,Kohei Matsui,Hidekazu TANISAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040244B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Yifeng Zhu. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210066249A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09780012B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728513B2. Автор: Yu Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520499B2. Автор: Sung-min Kim,Dong-Kyu Lee,Ji-su Kang,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899522B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09748233B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09455227B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Hsien Lin,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09443757B1. Автор: Yi-Wei Chen,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Jia-Feng Fang,Wei-Jen Wu,Ming-Yueh Tsai,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09780039B2. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237549A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063792B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20080227290A1. Автор: Jae Jun Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11864469B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230320229A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230352565A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190189738A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416153A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416154A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090341A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090342A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380295A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180122897A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240243171A1. Автор: Kern Rim,Dae Won Ha,Mun Hyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09768176B2. Автор: Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627387B2. Автор: Wonwoo Lee,Chan Ho Park,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Sunghee Han,Hyeonok JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083226A1. Автор: Jae-Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200219883A1. Автор: Chang-Hyeon Nam,Injoon Yeo. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09595469B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230290848A1. Автор: Dong Soo Kim,Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160163819A1. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US11744073B2. Автор: Keun Lee,Kyungwook Park,Hauk Han,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12087833B2. Автор: Dae Yong Kim,Jeong Hyuk YIM,Wan Don KIM,Sang Jin HYUN,Heon Bok LEE,Won Keun CHUNG,Hyo Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09768163B2. Автор: Sang-Hyun Lee,Myung-Hoon Jung,Do-hyoung Kim,Doo-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653462B2. Автор: Sung-dae Suk,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11778922B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403946A1. Автор: Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li,Kun-Yuan Laio. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110147947A1. Автор: Shutetsu KANAYAMA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20240290621A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170141216A1. Автор: Hidenori Takahashi,Hiroshi Miyata,Hitoshi Abe,Seiji Noguchi,Naoya SHIMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180233565A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110092068A1. Автор: Akihisa Iwasaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365563A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12062577B2. Автор: Dae Ik Kim,Jae Man Yoon,Hong Kyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991374B2. Автор: Sung Bock Kim,Sung-Bum BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09559058B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka,Yoshiyuki Nakao,Masaki HANEDA,Michie SUNAYAMA,Takahiro TABIRA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09536946B2. Автор: Jintae Kim,Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Giyoung Yang,Hyosig WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09472536B2. Автор: Atsushi Takeshita,Hidetomo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20170345760A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20160163649A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same, and microprocessor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140312294A1. Автор: Jae-Yeon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20130087862A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110227168A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7709372B2. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329006A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968906B2. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180277545A1. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865495B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Myung-Yoon Um,Gi-gwan PARK,Hyung-Dong Kim,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09859148B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160049506A1. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09704737B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09508834B1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010040265A1. Автор: Ha Zoong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170047447A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347588A1. Автор: Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Jia-He Lin,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20170133264A1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Myung-Yoon Um,Gi-gwan PARK,Hyung-Dong Kim,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10658369B2. Автор: Kun-Hsin Chen,Tsuo-Wen Lu,Po-Chun Chen,Hsuan-Tung Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190164967A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210118750A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190221469A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144099A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200035568A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,I-Ming Tseng,Ching-Ling Lin,Wen-An Liang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang,Yuan-Yu Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11791219B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170271197A1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200035680A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Jen-Yu Wang,Yan-Jou Chen,Yen-Wei Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378174A1. Автор: Ju Youn Kim,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11101269B2. Автор: Ju Youn Kim,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE,Eui Chui Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9859171B2. Автор: Dong-Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087857B2. Автор: Tao Chen,Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170178977A1. Автор: Dong-Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859171B2. Автор: Dong-Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660073B1. Автор: Chih-Wei Lin,Pi-Kuang Chuang,Chao-Wei Wu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613957B1. Автор: Dong-Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282637A1. Автор: Chen-Ming Huang,Ching-Ling Lin,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180204762A1. Автор: SunKi Min,Koungmin Ryu,Je-Min YOO,Songe KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200152652A1. Автор: Tomohiro Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230502A1. Автор: Yoji Kitano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12119272B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722097B2. Автор: Ming-Dou Ker,Geeng-Lih Lin,Federico Agustin ALTOLAGUIRRE,Karuna NIDHI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12148749B2. Автор: Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11527638B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4235763A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070164318A1. Автор: Teruo Takizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20200287045A1. Автор: Hirofumi Kawai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001204A1. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230069612A1. Автор: LAN Yao,Yanwei Shi,Huidan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12101934B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12100750B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125900B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Trench-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09773902B2. Автор: Jui-Chun Chang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09466730B2. Автор: Rahul Kumar,Manoj Kumar,shao-ming Yang,Shang-Hui Tu,Gene SHEU,Rudy Octavius Sihombing,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09437696B2. Автор: Do-Youn Kim,Ji-In Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor package, package forming method, and power supply module

Номер патента: US20240203843A1. Автор: LIN Liang,Qiao CHEN,Yi Ming LIANG,Junjie QIU. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140145343A1. Автор: Jong Hoon Kim,Pil Soon BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device, a method for manufacturing the same, and a system having the same

Номер патента: US20130315004A1. Автор: Yong Gyu Chu,Sang Jae Rhee,Hyo Soon Kang,Seung Bum Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258264A1. Автор: Takanori Kawashima,Tomomi Okumura,Shinji Hiramitsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11756868B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09892985B2. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of making and stacking a semiconductor package

Номер патента: US6564454B1. Автор: Steven Webster,Thomas P. Glenn,Roy D. Holloway. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-20.

Semiconductor package, package forming method, and power supply module

Номер патента: EP4386838A1. Автор: LIN Liang,Qiao CHEN,Yiming Liang,Junjie QIU. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US7772697B2. Автор: Kazuhiko Matsumura,Nozomi Shimoishizaka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200402891A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070045793A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device assemblies and systems including at least one conductive pathway extending around a side of at least one semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20080122113A1. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190221503A1. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11189549B2. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953961B2. Автор: Takeshi Yokoyama,Atsushi Maruyama,Tomonori Seki,Masaaki Ochiai,Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502327B2. Автор: Yasushi Ookura,Shun SUGIURA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1094517A2. Автор: Kaname c/o Fujitsu Ltd. Ozawa,Hayato c/o Fujitsu Tohoku Electronics Ltd. Okuda,Ryuji c/o Fujitsu Ltd. Momoto,Yuji c/o Fujitsu Vlsi Ltd. Akashi,Katsuro c/o Fujitsu Ltd. Hiraiwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-04-25.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094956B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583627B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09721804B1. Автор: Huang-Ren Wei,Hsuan-Sheng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09502259B2. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339331A1. Автор: Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371695A1. Автор: Chu-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh,Chuan-Lan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Complementary metal oxide semiconductor device, optical apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9355917B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230197451A1. Автор: Kuan-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230327003A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12132105B2. Автор: Ji Seong Kim,Hojun CHOI,Ki-Il KIM,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Photonic semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11853870B2. Автор: Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Nanjing Guangzhiyuan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Termination structure of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490134B2. Автор: Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4422369A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Hongjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240292601A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Hongjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100221923A1. Автор: Jeong-Hoon Park,Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

SGT-including semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613827B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09502526B2. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515170B2. Автор: Takashi Terada,Toshiaki Iwamatsu,Kiyoshi Hayashi,Kozo Ishikawa,Hirofumi Shinohara,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1717847A2. Автор: Satoshi Murakami,Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728633B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200403082A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210287942A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Kuan-Ti Wang,Tien-Yu Hsieh,Han-Chen CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847423B1. Автор: Huang-Ren Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583600B1. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150287823A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09852952B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09773887B2. Автор: Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653603B1. Автор: Kun-Hsin Chen,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Tong-Jyun Huang,Yi-Fan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09502252B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor Devices And Methods For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170148639A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10672772B2. Автор: Hun Lee,Deok-Sin Kil,Beom-Yong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321858A1. Автор: Cheng-Yu Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09496149B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09337057B2. Автор: Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Sung-Kee Han,Moon-Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09520475B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11799012B2. Автор: Chih-Chien Liu,Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Hao Liu,Chun-Chieh Chiu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200403077A1. Автор: Chih-Chien Liu,Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Hao Liu,Chun-Chieh Chiu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190319107A1. Автор: Chih-Chien Liu,Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Hao Liu,Chun-Chieh Chiu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09786662B1. Автор: Chao-Hung Lin,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10636797B2. Автор: Wen-Fu Huang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11211463B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Masahiko Kuraguchi,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180294279A1. Автор: Shigeru Kinoshita,Kenta Yamada,Ryosuke SAWABE,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263760A1. Автор: Koichi Ozaki,Hirofumi Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9824931B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9024414B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240274441A1. Автор: Yi-Chung Chen,Yu-Ting Huang,Wei-Nan CHUANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and electronic component using the same

Номер патента: US09997432B2. Автор: Takeo Yamamoto,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929178B1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799769B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9231065B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150214310A1. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150028453A1. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698236B2. Автор: Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Fuse of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110001212A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150380407A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094875B2. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12107151B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09853032B2. Автор: JungWoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570448B2. Автор: Youn-Seok CHOI,Young-Min Ko,Byoungdeog Choi,Jongmyeong Lee,Honggun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09449977B2. Автор: JungWoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150325668A1. Автор: Chia-Wen Cheng,Chi-Sheng Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Gate structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US11854825B2. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9166016B1. Автор: Chia-Wen Cheng,Chi-Sheng Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178296A1. Автор: Qifeng LV. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120049381A1. Автор: Tetsuo Fujii,Hisanori Yokura,Akitoshi Yamanaka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080061445A1. Автор: Kenji Ishikawa,Hiroshi Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287265B2. Автор: Jong-Kook Park,HongSoo KIM,Won-Chul JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-15.

Chuck assembly, semiconductor device fabricating apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220223452A1. Автор: Taemin EARMME,Seungchul Han,Youngjae Son,Guesuk Lee,Hyeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Component for semiconductor device fabrication apparatus, semiconductor device fabrication apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240170266A1. Автор: Hyun Soo Lee,Ju Young Song,Jong Kyu Lee,Hae Mi KANG,Do Hyun Choi,Il Gu YONG,Ho Geun HAN. Владелец: Solmics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10211313B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11757016B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094783B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125890B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240379451A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282843A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496335B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530779B2. Автор: Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09679819B1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09673040B2. Автор: Yu-Ru Yang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09431239B1. Автор: Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Ming-Yen Liu,Nien-Chung Li,Shih-Teng HUANG,Ching-Nan Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same

Номер патента: EP1119053A2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Toru Takayama,Hideki Uochi,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125801B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110248346A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125902B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4369412A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243124A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Min Lu,Chih-Wei Yang,Yao-Jhan Wang,Chi-Sheng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Resist underlayer composition, method of forming patterns, and semiconductor integrated circuit device including the pattern

Номер патента: US20160041470A1. Автор: Hwan-Sung Cheon,Jun-Ho Lee,Hyo-Young KWON,Min-Gyum KIM. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Resist underlayer composition, method of forming patterns, and semiconductor integrated circuit device including the pattern

Номер патента: US09606438B2. Автор: Hwan-Sung Cheon,Jun-Ho Lee,Hyo-Young KWON,Min-Gyum KIM. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443874B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240363430A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Wei-Che Chen,Wei-Hao Chang,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Hung-Chun Lee,Yun-Yang He,Chang-Yih Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431504B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Zhiguo ZHAO,Yongkui Zhang,Zhiyong Lu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-30.

Fin semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210376131A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11948975B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040234B2. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Fin semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210376128A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1962332A3. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266437A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240313046A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Wei-Hao Chang,Guang-Yu Lo,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332086A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332087A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859439B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100123204A1. Автор: Eun Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355821A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Wei-Hung Wang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210287944A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yu-Shu Lin,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180358266A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh,Chun-Tsen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230207669A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369442A1. Автор: Zhen Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen,Chih- Chiang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369441A1. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10566244B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230326805A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296182A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200006153A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203231A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12009409B2. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230207668A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200135582A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7592684B2. Автор: Akihiko Ebina,Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09704862B2. Автор: Donghyun Kim,Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Ha-young Kim,Sanghoon Baek,Panjae PARK,Sutae Kim,Jaewan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484355B2. Автор: Seungwoo Paek,Changseok Kang,Won-Seok Jung,Inseok Yang,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240121948A1. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125750B2. Автор: Sang Hyun Lee,Jeong Yun Lee,Young Mook Oh,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831092B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030209742A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4394858A1. Автор: Dong Won Kim,Hong Seon Yang,Myung Gil Kang,Soo Jin JEONG,Beom Jin Park,Young Gwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11694900B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266400A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210175129A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Chih-Sheng Chang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chih-Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303197A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158514B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220020592A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9318586B2. Автор: Nam Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043942A1. Автор: Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9306007B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321839A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978842B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Shinsuke Harada,Takashi Shinohe,Keiko ARIYOSHI,Takahito Kojima,Junji Senzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893200B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09601632B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490265B2. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484415B2. Автор: Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same

Номер патента: US20020066727A1. Автор: Min-O Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296286A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Shih-Hao Liang,Yen-Yu Shen,Liang-Wei Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8643088B2. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120001255A1. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204097A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203794A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140147997A1. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki,Takashi Shinohe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170154789A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210226016A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230073529A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11581407B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020113256A1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11164968B2. Автор: Hiroaki Katou,Tetsuya Ohno,Saya SHIMOMURA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12062719B2. Автор: Kuan-Ting Chen,Min-Hung Lee,Shu-Tong Chang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170323976A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110588A1. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074861A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284693A1. Автор: Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094934B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355822A1. Автор: Wei-Yen Woon,Wu-Wei Tsai,Che Chi Shih,Szuya Liao,Tsung-En Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355926A1. Автор: Kuan-Ting Chen,Min-Hung Lee,Shu-Tong Chang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997639B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991396B2. Автор: Takuya Hirohashi,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09972718B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960174B2. Автор: Masaaki Higuchi,Takuo Ohashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09824898B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722027B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240379759A1. Автор: Chih-Wei Chang,Hung-Chang Hsu,Li-Wei Chu,Hong-Mao Lee,Hung-Hsu CHEN,Wei-Yip Loh,Harry CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355823A1. Автор: Chih-Yang Huang,Chia-Ling PAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09577043B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Sunjung Kim,Eunhye Choi,Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570622B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09543376B2. Автор: Masahiro Koike,Tsutomu Tezuka,Yuuichi Kamimuta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530892B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09525020B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chung-Ren Lao,Hsing-Chao Liu,Tzung-Hsian WU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520503B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09397206B2. Автор: Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240204085A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Nanosheet semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194788A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chien-Wei Lee,Chien-Chang Su,Yan-Ting Lin,Bang-Ting Yan,Chih Teng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20070091676A1. Автор: Jeong-Uk Han,Hee-Seog Jeon,Hyok-Ki Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070069304A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10629695B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12074070B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070278558A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180350931A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Hsing-Chao Liu,Chun-Fu Liu,Ying-Kai CHOU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083332A1. Автор: Shin-Yi Huang,Tao-Chih Chang,Heng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170345945A1. Автор: Dong Woo Kim,Seung Hun Lee,Sun Jung Kim,Dong Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Trench gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240250166A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240371944A1. Автор: Shih-Yen Lin,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371703A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923049B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899492B2. Автор: Atsushi Yamada,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09837417B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728666B2. Автор: Bongjin Kuh,Joonghan Shin,Hanmei Choi,Kichul Kim,Jongsung Lim,Jeongmeung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09577081B2. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09548354B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Po-Heng Lin,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Higano,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09472562B1. Автор: Wei Meng,Ling Wu,Zhi-Guo Li,Chi REN,Qiu-Ji Zhao,Zhi-Hui Jiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100065910A1. Автор: Shinji Takeoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20100001348A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160035825A1. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240162093A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105780A1. Автор: Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090134479A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7646072B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7498643B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240322007A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490016B2. Автор: Chih-jung Chen,Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240064959A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11844206B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9153446B2. Автор: Se-Aug Jang,Seung-Ryong Lee,Hong-Seon Yang,Ja-Chun Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140256125A1. Автор: Se-Aug Jang,Seung-Ryong Lee,Hong-Seon Yang,Ja-Chun Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337325B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140209980A1. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160099152A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150255291A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11652106B2. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190020318A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Kozo Makiyama,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7759255B2. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023184199A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120235248A1. Автор: Ho-Ung KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023035104A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160197019A1. Автор: Jui-Chun Chang,Chih-Jen Huang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230268347A1. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9614084B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070215943A1. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor package including test pad and bonding pad structure for die connection and methods for forming the same

Номер патента: US12094844B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347603A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Package Including Test Pad and Bonding Pad Structure for Die Connection and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240363565A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799608B2. Автор: Tsutomu Shirakawa,Kenya Sano,Takuma Suzuki,Hirofumi FUJISAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09748339B1. Автор: Manoj Kumar,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640647B2. Автор: Hiroyuki Okazaki,Hidetoshi Koyama,Yoshitaka Kamo,Toshiaki Kitano,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614084B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09472622B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Tae-Geun Kim,Hyun-Jung HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09390983B1. Автор: Jui-Chun Chang,Chih-Jen Huang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180323306A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150162449A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490258B2. Автор: Soo-Yeon Jeong,Tae-Jong Lee,Dong-gu Yi,Jae-Po Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230387297A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020182801A1. Автор: Yuzo Shimizu,Toyoyuki Shimazaki,Tetsuo Chato,Katuichi Ohsawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230420250A1. Автор: Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190019869A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee,Cheng-Ta LO. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230352482A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Li-Jung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1976002A3. Автор: OSullivan Barry,Stefan Kubicek,Riichiro c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. Mitsuhashi,Kota c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Oikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11990547B2. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP4283683A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178616A1. Автор: Yi Pei,Naiqian Zhang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432804A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315023A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307361A1. Автор: Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Hiroaki ASHIDATE,Yasunori Iwashita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: US20140327130A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4355049A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240130123A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443813B1. Автор: Chiu-Wen Lee,Yu-Hsiang Hsiao,Kwang-Lung Lin,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP3890039A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170103987A1. Автор: Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09941286B2. Автор: Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125847B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09966446B2. Автор: Keun Ho Lee,Yong Hee Park,Young Seok SONG,Ui Hui Kwon,Jae Hee Choi,Young Chul Hwang,Jee Soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315032A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960136B2. Автор: Chiu-Wen Lee,Yu-Hsiang Hsiao,Kwang-Lung Lin,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210343698A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20140183177A1. Автор: Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11690225B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114501B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220302139A1. Автор: Tatsunori Isogai,Masaki NIGUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Nitride-based semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20240096726A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI,Haohua MA,Hehong WU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024016221A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technoeogy Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor package and method of providing surface temperature of semiconductor package

Номер патента: US20230402341A1. Автор: Sukyoung LEE,Sangmin An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224500A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim,Hye Won YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120319195A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180269212A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09853021B1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09496396B1. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Ming Hsu,Chung-Min Tsai,Chun-Liang Kuo,Sheng-Hsu Liu,Tsang-Hsuan Wang,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09755055B2. Автор: Masumi SAITOH,Toshinori Numata,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230084557A1. Автор: Seongjun Seo,Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12120866B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847392B1. Автор: Yu-Jen Liu,Yi-Ping Huang,Hsin-Kai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09773790B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09761690B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Chia-Fu Hsu,Shih-Chieh Hsu,Lung-En Kuo,Jian-Cun KE,You-Di Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947792B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09502519B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072097A1. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240234031A1. Автор: Jooho Lee,Narae HAN,Cheheung KIM,Beomseok Kim,Haeryong Kim,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339501A1. Автор: Che-Hsien Lin,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466725B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160365454A1. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243152A1. Автор: Kuem Ju LEE,Jeong Mook CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220181493A1. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor package test method, semiconductor package test device and semiconductor package

Номер патента: US20210265000A1. Автор: Jisoo Choi,Hyukje Kwon,Hyungsuk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09755083B2. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148840B2. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09450102B2. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

High-thermal conductive epoxy compound and composition, material for semiconductor package, molded product, electric and electronic device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210147612A1. Автор: In Kim,Jonghoon WON,Hyejeong Lee,Kyeong Pang,Mooho Lee,Songwon Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680040B2. Автор: Takashi Ishizuka,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240107890A1. Автор: Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315016A1. Автор: Teruhisa SONOHARA,Seungkeun BAEK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114508B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220315414A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chun-Wen Cheng,Shih-Wei Lin,Yi-Chuan Teng,Cheng-Yu Hsieh,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403844A1. Автор: Dong Soo Kim,Mun Gi SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210057637A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3087606A1. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140248729A1. Автор: Akihiro Fujiwara,Katsufumi Kondo,Kimitaka Yoshimura,Tokuhiko Matsunaga,Takashi HAKUNO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and inverter including the semiconductor device

Номер патента: US09887279B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786806B2. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296576A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200227531A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230337551A1. Автор: Po-Kai Hsu,Rai-Min Huang,Chi-Hsuan Cheng,Jia-Rong Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230320232A1. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210257542A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240023456A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210020693A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4362106A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US20240106429A1. Автор: Koichi Nishi,Shinya SONEDA,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US12113129B2. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371855A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20230343875A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018207048A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230061462A1. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313100A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Ikuo Fujiwara,Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi,Daimotsu Kato,Aya SHINDOME. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09929162B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240222494A1. Автор: Chien-Hsien Song,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20200273878A1. Автор: Takaya Ishino. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194739A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Tatsuo Shimizu,Tatsuya Nishiwaki,Shotaro BABA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049069A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130075816A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210184026A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978864B2. Автор: Chung-Hsuan Wang,Tse-Hsiao LIU,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Yung-Lung Chou,Sing-Lin WU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09728549B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583634B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09450049B2. Автор: Jung-Dal Choi,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, light emitting device using the same, and light emitting device package including the same

Номер патента: US9076894B2. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

High-thermal conductive epoxy compound and composition, material for semiconductor package, molded product, electric and electronic device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US11926695B2. Автор: In Kim,Jonghoon WON,Hyejeong Lee,Kyeong Pang,Mooho Lee,Songwon Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device, light emitting device using the same, and light emitting device package including the same

Номер патента: US20140332821A1. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210217906A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222456A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230048424A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022252146A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220029035A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240213403A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Tien-Yu Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074202B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290891A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274703A1. Автор: Hiroshi Ono,Yosuke Kajiwara,Miyoko Shimada,Masahiko Kuraguchi,Daimotsu Kato,Kento MINAMIKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11404550B2. Автор: Tomoaki Inokuchi,Ryosuke Iijima,Kentaro Ikeda,Yusuke Kobayashi,Tatsunori Sakano,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080211004A1. Автор: Takashi Suzuki,Yoshio Ozawa,Ichiro Mizushima,Hirokazu Ishida,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4418329A1. Автор: Hiroshi Ono,Yosuke Kajiwara,Miyoko Shimada,Masahiko Kuraguchi,Daimotsu Kato,Kento MINAMIKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240339502A1. Автор: Tomohiro Moriya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347583A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Hung-Yi Wu,Yi Chuen Eng,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304705A1. Автор: Chun-Jen Chen,Chia-Jong Liu,Yu-Shu Lin,Chi-Hsuan Tang,Chung-Ting Huang,Wei-Chih Chuang,Yu-Lin Cheng,Kuang-Hsiu Chen,Kai-Hsiang Wang,Chao-Nan Chen,Jhong-Yi Huang,Bing-Yang Jiang,Guan-Ying Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12114477B2. Автор: Liang Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947797B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US09911782B2. Автор: Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905669B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US09847321B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09698264B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09679978B2. Автор: Jin Wook Kim,Dong Suk Shin,Ki Hwan Kim,Jung Gun YOU,Gi Gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666711B1. Автор: Wen-Hsin Lin,Shin-Cheng Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

High-integration semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09515182B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09461173B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09391096B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hirokazu Watanabe,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12027490B2. Автор: Alexander Heinrich,Thorsten Scharf,Stefan Schwab,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12016174B2. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10192962B2. Автор: Yuto OSAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180350963A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Optically triggered semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20130153953A1. Автор: ARTHUR STEPHEN DALEY,Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav I. Soloviev. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-06-20.

Optically triggered semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US8691634B2. Автор: Stephen Daley Arthur,Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060186486A1. Автор: Hirotaka Mori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240260481A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Tu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092419A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043634A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11728329B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051748B2. Автор: Chien-Hung Liu,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Spherical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020011665A1. Автор: Kenji Shimokawa,Kohei Tatsumi,Nobuo Takeda,Eiji Hashino,Atsuyuki Fukano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Sic semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120061682A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Masahiro Sugimoto,Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12051689B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230062897A1. Автор: Chii-Ming Wu,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20240213258A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12082396B2. Автор: Kun Young Lee,Seo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332421A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347630A1. Автор: Chien-Hung Liu,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941395B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893029B2. Автор: Hirohisa Matsuki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09882014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Naoya Sakamoto,Yasutaka Nakazawa,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806198B2. Автор: Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Buried channel semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09761584B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai,Hong-Lin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US09633998B2. Автор: Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US09575381B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, integrated circuit structure using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559069B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508862B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09356165B2. Автор: Youngho Choe,Yoonsil Jin,Changseo Park,Goohwan Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11877436B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same, and microprocessor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140339488A1. Автор: Hee-Sung Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190074357A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Ming-Chang Lu,Kuo-Chih Lai,Yi-Ting Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Highly thermally conductive epoxy compound, and composition, material for semiconductor package, molded product, electric and electronic device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210147613A1. Автор: In Kim,Jonghoon WON,Kyeong Pang,Mooho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240057319A1. Автор: Wan Sup SHIN,Seung Wook Ryu,Kyung Bin Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240049448A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6118144A. Автор: Atsushi Kimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010010406A1. Автор: Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007053A1. Автор: Jung Hee Lee,Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200185528A1. Автор: Daigo Ito,Shunpei Yamazaki,Satoru Okamoto,Daisuke Matsubayashi,Hiroaki Honda,Ryota Hodo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905516B2. Автор: Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871127B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831305B1. Автор: Chien-Wei Chiu,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09818861B2. Автор: Chien-Hsien Song,Chung-Ren Lao. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for producing the same, power supply device, and high-frequency amplifier

Номер патента: US09755061B2. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09437749B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Stacked semiconductor device and system including the same

Номер патента: US10373661B2. Автор: Jin-Seong Park,Reum Oh,Hae-Suk LEE,Seung-Han Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240098978A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380148A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021690A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178608A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11894427B2. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021691A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7071500B2. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140252299A1. Автор: Hye-Jung Choi,Jun-kyo Suh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234511A9. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12022646B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234489A1. Автор: Dong Hyun Lee,Kyung Woong Park,Jae Hee SONG,Ki Vin Im,Cheol Hwan Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220102429A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220359618A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Optical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050129079A1. Автор: Takaki Iwai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230171946A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070032007A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258414A1. Автор: Jongmin Shin,Minju AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258176A1. Автор: Sang Moon Lee,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258425A1. Автор: Hidefumi Takaya. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230317119A1. Автор: Seung Hwan Kim,Jung Min KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301079A1. Автор: Hiroshi Fujita,Naomi Yanai,Tatsuhiko Koide. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110227150A1. Автор: Katsumi HORITA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100219460A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266421A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090278210A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020171155A1. Автор: Mitsuaki Fujihira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8294190B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230275095A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210343839A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274699A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020119658A1. Автор: Susumu Moriya,Hiroshi Aoki,Toshiyuki Honda,Kazuto Tsuji,Izumi Kobayashi,Masanori Onodera,Hiroshi Kaiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130045566A1. Автор: Ki-Beom Choe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090283895A1. Автор: Shintaro Yamamichi,Takehiko Maeda,Kentaro Mori,Hideya Murai,Katsumi Maeda,Katsumi Kikuchi,Masaya Kawano,Takuo Funaya,Yuuji Kayashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203425A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10692928B1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120261764A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220238703A1. Автор: Hideya Yamadera,Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita,Hirofumi Kida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284677A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Masaki Noguchi,Tomohisa Iino,Yuta Kamiya,Chihiro UMEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094931B2. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304657A1. Автор: Cheng-Tzung Tsai,Yi-Chang Huang,Ping-Chia Shih,Ming-Che Tsai,Yu-Fan Hu,Ssu-Yin LIU,Wen-Lin Wang,Yi-Chun Teng,Yu-Nong Chen,Pei-Tsen Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130309836A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190081042A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho,Cheng-Tsung WU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997625B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941393B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09842905B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Tamura,Yusuke Kinoshita,Yoshiharu Anda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768228B2. Автор: Yuta OKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US12142608B2. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and driving method for the same

Номер патента: US09595958B1. Автор: Hayato Nakano,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595594B2. Автор: LEI Zhu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09553143B2. Автор: Shang-Hui Tu,Shin-Cheng Lin,Yu-Lung Chin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490337B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09472656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Atsuo Isobe,Masaharu Nagai,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148801B2. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09461122B2. Автор: Hisashi Saito,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09324786B2. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070085128A1. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byung-Jun Park,Ho-Seok Lee,Il-Young Kwon,Hyeong-Soo Kim,Hyung-Bok Choi,Dong-Sauk Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9607982B1. Автор: Su Xing,Hsueh-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230066509A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20170110159A1. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178613A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923825B2. Автор: Cheng-Yuan KUNG,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230111881A1. Автор: Seung Bum Hong,Ji Hoon An,Byung Sang Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Stacked semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US10153006B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12009424B2. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and apparatus including the same

Номер патента: US20180277198A1. Автор: Kai-Chieh Hsu,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090179246A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Noriaki Ikeda,Ryota Suewaka,Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422491A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Yung-Chen Chiu,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Device, Display Device Including The Semiconductor Device, Display Module Including The Display Device, And Electronic Appliance Including The Semiconductor Device, The Display Device, Or The Display Module

Номер патента: US20170256648A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11171235B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Hsien-Ming Lee,Ji-Cheng Chen,Cheng-Chang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136425A1. Автор: Seokhoon Kim,Jungtaek Kim,Pankwi Park,Seojin JEONG,Sumin Yu,Edwardnamkyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and fabrication method for the same, and light modulation device and fabrication method for the same

Номер патента: US20090294906A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10770574B2. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210328133A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230101233A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015098073A1. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070052031A1. Автор: Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190393263A1. Автор: Shu-Ming Kuo,Jian-Jung SHIH. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200266297A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Hsien-Ming Lee,Ji-Cheng Chen,Cheng-Chang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230132488A1. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170207247A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20170069836A1. Автор: Kazuhiro Tomioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234541A9. Автор: Seokhoon Kim,Jungtaek Kim,Pankwi Park,Seojin JEONG,Sumin Yu,Edwardnamkyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming closely spaced, generally parallel slots through a thin wall and product formed thereby

Номер патента: CA2096562C. Автор: David A. Johnson. Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2001-07-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12102014B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20070295918A1. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for fabricating semiconductor device and equipment for fabricating the same

Номер патента: US7521697B2. Автор: Takeshi Shibata,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Organic photoelectric semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8692235B2. Автор: Ten-Chin Wen,Sung-Nien Hsieh,Tzung-Fang Guo,Wei-Chou Hsu,Chen-Yan Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2014-04-08.

Method of forming glass bonded joint of beta-alumina and other ceramic and joint formed thereby

Номер патента: CA1300677C. Автор: Alina V. Pekarsky. Владелец: Powerplex Technologies Inc. Дата публикации: 1992-05-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11744160B2. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240357943A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315139A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334836A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127414B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11778917B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia-Wei Liu,Jia-Feng Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027550A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403942A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia-Wei Liu,Jia-Feng Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027549A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4202931A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230354716A1. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11785785B2. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380296A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor Device and IC Card Having The Same

Номер патента: US20090147862A1. Автор: Shigeo Ohyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224511A1. Автор: Seung Bum Kim,Lynn Lee,Il Do KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022653B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240276710A1. Автор: Min Hee Cho,Sanghoon Uhm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341080A1. Автор: Seung Hwan Kim,Gil Seop KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Output circuit using calibration circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US09859869B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215216A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215227A1. Автор: Dong Yean Oh,Jin Sun CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11991937B2. Автор: Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240251569A1. Автор: Hun Kim,Kyung Seop KIM,Jae Wan Choi,Chi Ho Kim,Chang Jun Yoo,Young Cheol Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of determining a relocation start in a mobile communication system, radio network controller having a relocation start determination function, and mobile communication system including the radio network controller

Номер патента: US20060217155A1. Автор: Hiroaki Kuwano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Method of detecting a location of a mobile station in a separated-type radio access station, separated-type radio access station, and main unit for supporting the same

Номер патента: WO2009091149A1. Автор: Byeong Seog Pyo,Kwang Seob Yoo. Владелец: Posdata Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282362A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282361A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341076A1. Автор: Seung Hwan Kim,Seok Pyo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349513A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US12126352B2. Автор: Fukashi Morishita,Wataru Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09537470B2. Автор: Min-Su Kim,Uk-Rae Cho,Gun-Ok Jung,Chung-Hee Kim,Dae-Seong LEE,Ji-Kyum Kim,Emil KAGRAMANYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US09531388B2. Автор: Tetsuya Suzuki,Takahiko GOMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices and manufacturing methods for the same

Номер патента: US20240260256A1. Автор: Taeyoung EOM,Sunghoon Bae,Halim Noh,Heecheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US20230057178A1. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US12066849B2. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20240146293A1. Автор: Hideyuki Tajima,Noboru INOMATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4280839A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240098979A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237553A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240292605A1. Автор: Seung Bum Kim,Il Do KIM,Seung Mi Yeo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130075842A1. Автор: Ga Young Ha,Ki Scon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12108680B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315151A1. Автор: Yong Hun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284658A1. Автор: Yong-Suk Tak,Seohee PARK,MinKyung Kang,Joonnyung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329004A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329003A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230225216A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240206192A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US20160364351A1. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US09965418B2. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making semiconductor device and system for performing the same

Номер патента: US09639647B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chung-min Fu,Wan-Yu Lo,Huan Chi Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US09911507B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, radio communication terminal using the same, and inter-circuit communication system

Номер патента: US09632568B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of correcting a design layout of a semiconductor device, a computing device performing the same and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230229073A1. Автор: Jongmin Lee,Cheolhwan Kim,Jichang SIM,Sangeun GO,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, semiconductor system including the semiconductor device, and method of operating the semiconductor device and system

Номер патента: US20190267058A1. Автор: Dong Kyun Kim,Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20090212811A1. Автор: Masao Iruka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170236591A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Tray for transporting semiconductor device and tray system comprising the same

Номер патента: US20240286788A1. Автор: Jae Hong Park,Tae-Geon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09805808B2. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Clock circuit for generating clock signal and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US09766647B2. Автор: Suk Won HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a pipe joint, pipe joint component, and pipe joint, fluid control device, fluid control unit and semiconductor fabrication apparatus including the pipe joint component

Номер патента: US20180119860A1. Автор: Kazunari Watanabe,Tsutomu Shinohara,Izuru Shikata,Toshiyuki Inada. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09620222B1. Автор: Yasuhiro Shimura,Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and methods for inspecting the same

Номер патента: US20080246554A1. Автор: Yoshihiro Notani,Hitoshi Kurusu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of predicting characteristics of semiconductor device and computing device performing the same

Номер патента: US20230053696A1. Автор: Seyoung Park,Jonghyun Lee,Sola Woo,Gwangnae GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20180108424A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US20230376334A1. Автор: Masahiro Hasegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US9633746B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US20170194060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US20150003171A1. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.