Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US20240215216A1
Опубликовано: 27-06-2024
Автор(ы): Kang Sik Choi, Seung Hwan Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-06-2024
Автор(ы): Kang Sik Choi, Seung Hwan Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same
Номер патента: US20240292596A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.