Semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US09991396B2
Опубликовано: 05-06-2018
Автор(ы): Hideyuki Kishida, Junichiro Sakata, Takuya Hirohashi
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-06-2018
Автор(ы): Hideyuki Kishida, Junichiro Sakata, Takuya Hirohashi
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including transistors and method for manufacturing the same
Номер патента: US12009434B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.