Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same
Номер патента: US20100123204A1
Опубликовано: 20-05-2010
Автор(ы): Eun Jong Shin
Принадлежит: Dongbu HitekCo Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-05-2010
Автор(ы): Eun Jong Shin
Принадлежит: Dongbu HitekCo Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor devices with nanowires and methods for fabricating the same
Номер патента: US11967595B2. Автор: Sang Yong Kim,Sang Jin HYUN,Jae Jung Kim,Young Suk CHAI,Hoon Joo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.