Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US09466564B1
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): Chih-Sen Huang, Chih-Wei Yang, En-Chiuan Liou, Yu-Cheng Tung
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): Chih-Sen Huang, Chih-Wei Yang, En-Chiuan Liou, Yu-Cheng Tung
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including via structures with undercut portions and semiconductor package including the same
Номер патента: US11798866B2. Автор: Sangjun Park,Eunji Kim,Sungdong CHO,Hakseung LEE,Kwangwuk Park,Daesuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.