Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US20210020693A1
Опубликовано: 21-01-2021
Автор(ы): Chih-Wei Kuo, Jiunn-Hsiung Liao, Tai-Cheng Hou, Yu-Tsung Lai
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-01-2021
Автор(ы): Chih-Wei Kuo, Jiunn-Hsiung Liao, Tai-Cheng Hou, Yu-Tsung Lai
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same
Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.