Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2012017955A1
Опубликовано: 03-10-2013
Автор(ы): 一行 満倉, 修一 森
Принадлежит: Hitachi Chemical Co Ltd, Resonac Corporation, Showa Denko Materials Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Wafer-fixing tape, method of processing a semiconductor wafer, and semiconductor chip

Номер патента: US20180012788A1. Автор: Masami Aoyama,Yoshifumi Oka. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer and method of producing a semiconductor wafer

Номер патента: KR101447378B1. Автор: 마사토 오쿠라. Владелец: 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-10-06.

Adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer and method of producing a semiconductor wafer using the same

Номер патента: KR101392535B1. Автор: 도모미 아라하시,히로토키 요코이. Владелец: 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-05-07.

Adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer and method of producing a semiconductor wafer

Номер патента: TWI448531B. Автор: Masato Okura. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-11.

WAFER-FIXING TAPE, METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20180012788A1. Автор: OKA Yoshifumi,AOYAMA Masami. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-11.

A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer

Номер патента: TW416106B. Автор: Takeshi Kondo,Hideo Senoo. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2000-12-21.

A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer

Номер патента: SG74744A1. Автор: Takeshi Kondo,Hideo Senoo. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer

Номер патента: HK1025669A1. Автор: Takeshi Kondo,Hideo Senoo. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2000-11-17.

Methods of processing epitaxial semiconductor wafers

Номер патента: WO2024145454A3. Автор: Manabu Hamano. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of processing epitaxial semiconductor wafers

Номер патента: WO2024145454A2. Автор: Manabu Hamano. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of thermally treating semiconductor wafers in furnace and wafer hanger useful therein

Номер патента: US5043301A. Автор: Mituo Ohdate. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-08-27.

Methods of processing epitaxial semiconductor wafers

Номер патента: US20240218562A1. Автор: Manabu Hamano. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for processing semiconductor wafers having a polycrystalline finish

Номер патента: US20180323079A1. Автор: HUI Wang,Alexis Grabbe,Alex Chu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

A method of polishing a semiconductor wafer with a strained-relaxed Si1-xGex layer

Номер патента: DE102008059044B4. Автор: Roland Koppert,Jürgen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-08-22.

Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, semiconductor mounting substrate with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: JP7054061B2. Автор: 鉱平 東口,武紀 瀧口,剛 木田. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-04-13.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: KR102260081B1. Автор: 신지 아리모토,다케노리 후지와라,마사오 도미카와. Владелец: 도레이 카부시키가이샤. Дата публикации: 2021-06-03.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: CN106574163A. Автор: 富川真佐夫,有本真治,藤原健典. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-04-19.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: KR20170042609A. Автор: 신지 아리모토,다케노리 후지와라,마사오 도미카와. Владелец: 도레이 카부시키가이샤. Дата публикации: 2017-04-19.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: TW201610063A. Автор: Masao Tomikawa,Takenori Fujiwara,Shinji Arimoto. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2016-03-16.

Adhesive sheet for backgrinding, semiconductor wafer manufacturing method, and substrate sheet

Номер патента: EP4333026A1. Автор: Masashi Nakamura,Kazuki Iizuka,Mizuki Hasumi,Shingo MOTOIKE. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Adhesive sheet for backgrinding, semiconductor wafer manufacturing method, and substrate sheet

Номер патента: US20240243000A1. Автор: Masashi Nakamura,Kazuki Iizuka,Mizuki Hasumi,Shingo MOTOIKE. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Adhesive sheet for rear surface grinding, semiconductor wafer manufacturing method, and base material sheet

Номер патента: US20240254368A1. Автор: Masashi Nakamura,Kazuki Iizuka,Mizuki Hasumi,Shingo MOTOIKE. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09716025B2. Автор: Ichiro Koyama,Masafumi Yoshida,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Film manufacturing method

Номер патента: RU2346359C2. Автор: Хайнрих ВИЛЬД,Людвиг БРЕМ,Ахим ХАНЗЕН. Владелец: Леонхард Курц Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11915925B2. Автор: Naoko Tsuji. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thermosetting adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US10273386B2. Автор: Tomoyuki Ishimatsu,Daichi Mori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Protective tape for use in grinding back of semiconductor wafer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050196942A1. Автор: Masatoshi Kawato,Daichi Okada,Shigetaka Oonishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Non-conductive film and manufacturing method of semiconductor laminate

Номер патента: US12024654B2. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Mi Jang,Ji Ho HAN,Bora YEON,Eun Yeong KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Non-conductive film and manufacturing method of semiconductor laminate

Номер патента: US20210388244A1. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Mi Jang,Ji Ho HAN,Bora YEON,Eun Yeong KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Resin composition, resin sheet, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, semiconductor mounting substrate with resin composition layer, and semiconductor device

Номер патента: JP6930670B2. Автор: 健太郎 高野,正志 岡庭,剛 木田. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Semiconductor device and method of forming TSV semiconductor wafer with embedded semiconductor die

Номер патента: US09754858B2. Автор: Seung Uk Yoon,Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of processing a semiconductor wafer, semiconductor die, and method of producing a semiconductor module

Номер патента: US20230197663A1. Автор: Josef Hoeglauer,Chuan Cheah,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Manufacturing method and structure of semiconductor package

Номер патента: TW201140705A. Автор: Yun-Hsin Yeh. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of fabricating a semiconductor wafer including a through substrate via (TSV) and a stepped support ring on a back side of the wafer

Номер патента: US09984888B2. Автор: David J. Howard,Hadi Jebory. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Cleaning liquid composition for semiconductor wafer and cleaning method using same

Номер патента: US11970672B2. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method of singulating thin semiconductor wafer on carrier along modified region within non-active region formed by irradiating energy

Номер патента: US9559004B2. Автор: Il Kwon Shim,Won Kyoung Choi,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor wafer and method of ball drop on thin wafer with edge support ring

Номер патента: US09905525B1. Автор: Kazuhiro Saito,Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Roughening of a Metallization Layer on a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20200402851A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of fabricating semiconductor chip package, semiconductor wafer, and method of sawing the semiconductor wafer

Номер патента: US20090298234A1. Автор: Nam-Seog Kim,Pyoung-Wan Kim,Teak-Hoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Manufacturing method of forming a semiconductor wafer structure

Номер патента: US9666555B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Chen-Chun Chen,Fu-Tsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of cleaning a semiconductor wafer

Номер патента: EP1999782A1. Автор: Dirk M. Knotter,Ingrid Rink,Gilbert P. A. Noij. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-10.

Method of transporting a semiconductor wafer in a wafer polishing system

Номер патента: US6517418B2. Автор: Rahul Jairath,Wilbur C. Krusell,Erik H. Engdahl,Edward T. Ferri, Jr.. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Method of processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, and semiconductor die produced from a semiconductor wafer

Номер патента: US20220301933A1. Автор: John Cooper,Michael KNABL,Matic KRIVEC,Andreas Kitzler,Daniel Pieber,Jakob Simon Dohr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of calibrating a semiconductor wafer drying apparatus

Номер патента: US20020148826A1. Автор: Yoshio Iwamoto,Philip Schmidt,Craig Spohr,James Lenk,Leslie Stanton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: US20030082857A1. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Tim Stanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: WO2003071586A3. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Timothy Daryl Stanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: WO2003071586A2. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Timothy Daryl Stanley. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-08-28.

Method of manufacturing a semiconductor wafer device having separated conductive patterns in peripheral area

Номер патента: US20050285271A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of manufacturing a semiconductor wafer having an SOI configuration

Номер патента: US09842762B1. Автор: Berthold Reimer,Boris Bayha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Apparatus and Method of separating a semiconductor wafer from a support

Номер патента: EP1523030A2. Автор: Saburo Miyamoto,Yukitoshi Hase. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-04-13.

Semiconductor wafer and method of ball drop on thin wafer with edge support ring

Номер патента: US20180151526A1. Автор: Kazuhiro Saito,Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20210151342A1. Автор: Bo Hua CHEN,Yan Ting SHEN,Fu Tang Chu,Wen Han YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Methods of aligning a semiconductor wafer for singulation

Номер патента: US20210028064A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor wafer and method of ball drop on thin wafer with edge support ring

Номер патента: US20180053739A1. Автор: Kazuhiro Saito,Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-22.

Low resistivity wafer and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230243066A1. Автор: Yasuhito Narushima,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor wafer of monocrystalline silicon and method of producing the semiconductor wafer

Номер патента: IL271983B2. Автор: . Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-04-01.

Methods of aligning a semiconductor wafer for singulation

Номер патента: US20220172994A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-02.

Methods of aligning a semiconductor wafer for singulation

Номер патента: US20200243392A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor Wafer, Semiconductor Chip and Method of Fabricating a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20190318995A1. Автор: Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor wafer having an auxiliary structure positioned in a scribe line region, semiconductor chip and method of fabricating a semiconductor wafer

Номер патента: US12046563B2. Автор: Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor wafer, semiconductor structure and method of manufacturing the semiconductor wafer

Номер патента: US09806036B2. Автор: Sue-ryeon Kim,Jong-Soo Kim,Sam-Jong Choi,Tae-Hyoung Koo,Ji-won You,Hyun-hee Ju,Cheong-jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of dividing a semiconductor wafer

Номер патента: US3673016A. Автор: Dieter Gerstner. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1972-06-27.

Substrate processing device, reaction tube, manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: KR102238585B1. Автор: 슈헤이 사이도,히데나리 요시다,타카후미 사사키,유사쿠 오카지마. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2021-04-09.

Method of processing a semiconductor wafer using a contact etch stop

Номер патента: US5298463A. Автор: David A. Cathey,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Method of slicing a semiconductor wafer and an apparatus

Номер патента: US5458526A. Автор: Takeshi Doi,Shuichi Tsukada. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Sensing device and method of leveling a semiconductor wafer

Номер патента: US5944580A. Автор: Yong-Kwon Kim,Jun-Yong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-31.

Semiconductor inspection device and method of inspecting a semiconductor wafer

Номер патента: US20220115252A1. Автор: Noriaki Noji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

MANUFACTURING METHOD AND SUPPORT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210280416A1. Автор: MIGITA Tatsuo. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-09-09.

Manufacture method and wafer of semiconductor device

Номер патента: CN102760690A. Автор: 张海洋,周俊卿,孟晓莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Substrate processing apparatus, manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: KR20200118845A. Автор: 다이스케 하라,겐지 시노자키,다카시 야하타,가즈히코 야마자키. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2020-10-16.

Substrate processing apparatus, manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: KR102186964B1. Автор: 아끼히로 사또,다이스께 하라. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2020-12-04.

Substrate processing apparatus, manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: TWI648788B. Автор: 竹田剛,油谷幸則,檜山真,大橋直史. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-21.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor wafer of monocrystalline silicon and method of producing the semiconductor wafer

Номер патента: US20200168712A1. Автор: Andreas Sattler,Karl Mangelberger,Alexander Vollkopf. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor wafer of monocrystalline silicon and method of producing the semiconductor wafer

Номер патента: US20220328636A1. Автор: Andreas Sattler,Karl Mangelberger,Alexander Vollkopf. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor wafer having an auxiliary structure positioned in a scribe line region, semiconductor chip and method of fabricating a semiconductor wafer

Номер патента: US20220157738A1. Автор: Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor die with protective layer and related method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20110076856A1. Автор: Hyeoung-Won Seo,Sun-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

A method of treating a semiconductor wafer

Номер патента: CA2137928C. Автор: Christopher David Dobson. Владелец: Aviza Europe Ltd. Дата публикации: 2002-01-29.

Method of manufacturing a semiconductor wafer composed of silicon having an epitaxially deposited layer

Номер патента: JP5063786B2. Автор: ヴェルナー ノルベルト,ハーガー クリスティアン,ロッホ トーマス. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-10-31.

Method of manufacturing high resistivity SOI wafers with charge trapping layers based on terminated Si deposition

Номер патента: US09768056B2. Автор: Igor Peidous,Illaria Katia Marianna Pellicano. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of polishing a semiconductor wafer

Номер патента: US6361407B1. Автор: Yongqiang Lu,Kenneth Frank,Kevin Edwards. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2002-03-26.

Method of polishing a semiconductor wafer

Номер патента: WO2002011185A2. Автор: Yongqiang Lu,Kenneth Frank,Kevin Edwards. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of cleaning a semiconductor wafer

Номер патента: US20060219259A1. Автор: Woo Kim,Hyo Yoon,Hoon Oh,Baik Choi,Pyeong Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of forming a semiconductor wafer having a crystalline layer thereon containing silicon, germanium and carbon

Номер патента: US6930026B2. Автор: Yoshihiko Kanzawa,Minoru Kubo,Katsuya Nozawa,Tohru Saitoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-16.

Method of heat treating semiconductor wafers

Номер патента: DE3204436A1. Автор: Hans 8000 München Färber,Hans 8000 München Meidinger,Alfred 8156 Otterfing Wey. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-08-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20090042383A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin Gyun Kim,Bon-young Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of filling holes in a semiconductor structure using an adhesion layer deposited from ionized metal

Номер патента: KR100501460B1. Автор: 공다 야오,젱 수,피터 샤티트푼웨이챠,케니 킹-타이 갠. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-09-26.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR960019528A. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR0174594B1. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트주식회사. Дата публикации: 1999-04-01.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and method of coating a semiconductor wafer with high viscosity liquid photoresist using N2 purge

Номер патента: US11994801B2. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor Device and Method of Coating a Semiconductor Wafer with High Viscosity Liquid Photoresist Using N2 Purge

Номер патента: US20240272555A1. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device and Method of Coating a Semiconductor Wafer with High Viscosity Liquid Photoresist Using N2 Purge

Номер патента: US20220365436A1. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A1. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-07-15.

Method of evaluating a semiconductor wafer

Номер патента: US5897327A. Автор: Yasuhiro Shimada,Hisami Motoura,Eiichi Asano. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Methods for semiconductor wafer processing using a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: US20230354478A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu,Lunghsing Hsu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth

Номер патента: US20160160368A1. Автор: Yu Hosokawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

Номер патента: CN1549357A. Автор: ,松本直树,��ɽ�Ų�,中山雅博,玉村好司,池田昌夫. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-24.

Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP1475826A2. Автор: Masahiro Itami Works of Sumitomo Nakayama,Naoki Itami Works of Sumitomo Matsumoto,Koshi Sony Corporation TAMAMURA,Masao Sony Corporation IKEDA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-10.

Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US7535082B2. Автор: Masao Ikeda,Naoki Matsumoto,Masahiro Nakayama,Koshi Tamamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP1475826A3. Автор: Masahiro Itami Works of Sumitomo Nakayama,Naoki Itami Works of Sumitomo Matsumoto,Koshi Sony Corporation TAMAMURA,Masao Sony Corporation IKEDA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-27.

Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US7786488B2. Автор: Masao Ikeda,Naoki Matsumoto,Masahiro Nakayama,Koshi Tamamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US8008165B2. Автор: Masao Ikeda,Naoki Matsumoto,Masahiro Nakayama,Koshi Tamamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-30.

Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20040221799A1. Автор: Masao Ikeda,Naoki Matsumoto,Masahiro Nakayama,Koshi Tamamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Method and system for tuning photoresist adhesion layer properties

Номер патента: US20240170282A1. Автор: Yiting Sun,Fanyong Ran,Jérôme Samuel Nicolas,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: KR970009861B1. Автор: 안톤후버,랑그스토르프 칼-하인즈. Владелец: 게르트 켈러, 루돌프 스타우디글. Дата публикации: 1997-06-18.

Method of reducing surface tackiness of silicone rubber cured product, liquid silicone rubber composition for sealing semiconductor, silicone rubber-sealed semiconductor device, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20070077360A1. Автор: Masanobu Sato,Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Koki Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of reducing surface tackiness of silicone rubber cured product, liquid silicone rubber composition for sealing semiconductor, silicone rubber-sealed semiconductor device, and method of producin

Номер патента: CN1944499B. Автор: 柏木努,松本公树,盐原利夫,佐藤雅信. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method of reducing surface tackiness of silicone rubber cured product, liquid silicone rubber composition for sealing semiconductor, silicone rubber-sealed semiconductor device, and method of producin

Номер патента: CN1944499A. Автор: 柏木努,松本公树,盐原利夫,佐藤雅信. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12107030B2. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Epitaxy susceptor, epitaxy growth apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240191393A1. Автор: Gongbai Cao,Shuai Pan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160047046A1. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09920425B2. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027367B2. Автор: Masayuki Kitamura,Takayuki Beppu,Tomotaka Ariga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Cleaning composition, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20240209284A1. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Gas tube, gas supply system and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US12037687B2. Автор: Cheng-Yi Huang,Shou-Wen Kuo,Yi-Shiung Chen,Chih-shen Yang,Po-Wen Chai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming metal oxide film on semiconductor wafer

Номер патента: US7713884B2. Автор: Hiromi Ito,Yuuichi Kamimuta,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2443149C. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1472724A2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-03.

SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF BALL DROP ON THIN WAFER WITH EDGE SUPPORT RING

Номер патента: US20180053739A1. Автор: Saito Kazuhiro,Noma Takashi,Seddon Michael J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-02-22.

Manufacturing method and structure of semiconductor package

Номер патента: KR101167815B1. Автор: 이동준,조성민,김치성,방정윤,김정석,전동주,시모지 테루야키. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-07-25.

Polyester-based film, manufacturing method therefor, and membrane electrode assembly comprising same

Номер патента: US20240067784A1. Автор: Young Min HEO,Byeong Jae Lim,Ki Youn Song,Jewon Yeon. Владелец: SK Microworks Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of embedding bumps formed on semiconductor die into penetrable adhesive layer to reduce die shifting during encapsulation

Номер патента: TW201203412A. Автор: Reza A Pagaila,Yao-Jian Lin,Jun-Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor Device and Method of Encapsulating Semiconductor Die

Номер патента: US20170032981A1. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Method of fabricating semiconductor package having semiconductor element

Номер патента: US09812340B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Fu-Tang HUANG,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20160257093A1. Автор: Tomoyoshi Saito,Masashi YOSHIIKE. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of alignment marking semiconductor wafers, and semiconductor packages having portions of alignment markings

Номер патента: US10756022B2. Автор: Jianming Zhou,Richard T. Housley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Wire bonding connection tape with adhesive agent, copper clad laminated board, semiconductor connecting substrate and semiconductor device

Номер патента: JPH10335534A. Автор: Hiroshi Hatano,拓 波多野,Shoji Kigoshi,将次 木越,Yukitsuna Konishi,幸綱 小西. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-12-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150369857A1. Автор: Nakamura Yoshiyuki,TAMURA Tomoaki,KUMAKI Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20150179606A1. Автор: Achim Gratz,Tobias Jacobs,Scott David Wallace. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of dicing a semiconductor wafer and heat sink into individual semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6784022B2. Автор: Masazumi Amagai,Norito Umehara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09922858B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing and reuse of semiconductor substrates

Номер патента: EP4420152A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Martin Huber,Francisco Javier Santos Rodriguez,Matteo Piccin,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Iris Moder,Alexander Christian BINTER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of manufacturing semiconductor wafers and method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240379341A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of bumping die pads for wafer testing

Номер патента: WO2005112576A2. Автор: David T. Beatson. Владелец: Kulicke And Soffa Investments, Inc.. Дата публикации: 2005-12-01.

Processing method of semiconductor substrate and processed semiconductor substrate product

Номер патента: US20140038389A1. Автор: Hirotaka Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Surface Protection Adhesive Tape for Semiconductor Wafer Backgrinding, And Semiconductor Wafer Grinding Method

Номер патента: MY196409A. Автор: YOKOI Hirotoki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Methods of processing semiconductor wafers using double side grinding operations

Номер патента: US20240253173A1. Автор: Tsunehiro Muronoi. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of processing semiconductor wafers using double side grinding operations

Номер патента: WO2024158728A1. Автор: Tsunehiro Muronoi. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-02.

Method of cleaning semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20240290665A1. Автор: Ryosuke Takahashi,Mami Kubota,Sayaka Makise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of cutting semiconductor wafer and protective sheet used in the cutting method

Номер патента: EP1570519A1. Автор: Kiyoshi Arita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Systems and methods of controlling semiconductor wafer fabrication processes

Номер патента: US09368379B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Shih-Hung Chen,Ying Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of machining semiconductor wafer-use polishing pad and semiconductor wafer-use polishing pad

Номер патента: EP1447841B1. Автор: Nobuo c/o JSR Corporation Kawahashi,Kou c/o Jsr Corporation Hasegawa,Hiroshi c/o JSR Corporation Shiho. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-04-28.

Method of machining semiconductor wafer-use polishing pad and semiconductor wafer-use polishing pad

Номер патента: EP1447841A4. Автор: Nobuo Kawahashi,Kou Hasegawa,Hiroshi Shiho. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Method of providing galvanic isolation

Номер патента: WO2011139397A3. Автор: Peter J. Hopper,William French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of providing galvanic isolation

Номер патента: WO2011139397A2. Автор: Peter J. Hopper,William French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor wafer processing method

Номер патента: US7731567B2. Автор: Setsuo Yamamoto,Shinnosuke Sekiya,Naoya Sukegawa,Naruto Fuwa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2010-06-08.

Mid-manufacturing semiconductor wafer layer testing

Номер патента: US12033902B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Chun-Hao Lin,Feng-Chien Hsieh,Ting-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of manufacturing a transistor device

Номер патента: WO2020074930A1. Автор: David Summerland. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Manufacturing method and apparatus of semiconductor chip, semiconductor chip dividing jig

Номер патента: TW200842956A. Автор: Katsuyuki Ono,Muneo Harada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Mid-manufacturing semiconductor wafer layer testing

Номер патента: US20230402330A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Chun-Hao Lin,Feng-Chien Hsieh,Ting-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of laser treatment of a semiconductor wafer comprising algainp-leds to increase their light generating efficiency

Номер патента: WO2020239526A1. Автор: Philipp Kreuter,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device composed of the substrate

Номер патента: US5227339A. Автор: Sadahiro Kishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-13.

Method of producing semiconductor wafer, semiconductor wafer, method of producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9117658B2. Автор: Shinichi Takagi,Masahiko Hata,Tomoyuki Takada,Takenori Osada,Mitsuru Takenaka,Jaehoon Han. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of cleaning semiconductor wafers after lapping

Номер патента: US5976983A. Автор: Seiichi Miyazaki,Sumiyoshi Okada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-02.

Method of sticking semiconductor wafer and its sticking device

Номер патента: US5849139A. Автор: Osamu Morikawa,Kiyoharu Miyakawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Method and apparatus for semiconductor wafer

Номер патента: US20240001409A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng,Cheng-Lung Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning

Номер патента: US11938521B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng,Cheng-Lung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of lapping semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: US11456168B2. Автор: Daisuke Hashimoto,Tomohiro Hashii,Satoshi Matagawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage

Номер патента: WO2000036637A1. Автор: Yun-Biao Xin. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2000-06-22.

Method of lapping semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: US20190181001A1. Автор: Daisuke Hashimoto,Tomohiro Hashii,Satoshi Matagawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Manufacturing method for structure of semiconductor device and structure of semiconductor device

Номер патента: CN102376551A. Автор: 钟汇才,梁擎擎. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-03-14.

Method of producing semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: US20110281423A1. Автор: Tsuyoshi Nakano,Junya Hada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method and device for processing semiconductor wafer

Номер патента: US6999830B2. Автор: Masahiro Mochizuki,Shinji Arai,Takamasa Chikuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: AU2002366439A8. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Timothy Daryl Stanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: AU2002366439A1. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Timothy Daryl Stanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Method of evaluating and thermally processing semiconductor wafer

Номер патента: US5985678A. Автор: Makoto Kiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor wafer arrangement of a semiconductor wafer

Номер патента: US6707114B1. Автор: Charles E. May,Hemanshu Bhatt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Method of injecting semiconductor wafer ions, non-raster injection device, method of injecting into semiconductor wafer with surface, and workpiece processing method and device

Номер патента: KR100337718B1. Автор: 태리티에뉴쉥. Владелец: 배리언 어소시에이츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2002-11-18.

Method using fluid pressure to remove back metal from semiconductor wafer scribe streets

Номер патента: US8906745B1. Автор: Paul C. Lindsey, Jr.,Darrell Foote. Владелец: Micro Processing Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

Manufacturing method of single crystal semiconductor wafer

Номер патента: JP5557859B2. Автор: フーバー アンドレアス,クネーラー ディーター,ランベルト ウルリヒ,パセック フリードリヒ. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-07-23.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Optically detectable reference feature for processing a semiconductor wafer

Номер патента: US11721638B2. Автор: Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF PRODUCING A COMPOSITE WAFER

Номер патента: US20150137317A1. Автор: TAKADA Tomoyuki,HATA Masahiko,OSADA Takenori,Maeda Tatsuro,Yasuda Tetsuji,ITATANI Taro. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor wafer, method of producing a semiconductor wafer and method of producing a composite wafer

Номер патента: US20150137318A1. Автор: Masahiko Hata,Tatsuro Maeda,Tomoyuki Takada,Takenori Osada,Taro Itatani,Tetsuji Yasuda. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2015-05-21.

SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF BALL DROP ON THIN WAFER WITH EDGE SUPPORT RING

Номер патента: US20180151526A1. Автор: Saito Kazuhiro,Noma Takashi,Seddon Michael J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor Device and Method of Coating a Semiconductor Wafer with High Viscosity Liquid Photoresist Using N2 Purge

Номер патента: US20220365436A1. Автор: PARK SangHyun,JANG Junghwan,CHOI Taekyu,Nam Giwoong,Hwang Inhee. Владелец: STATS ChipPAC Pte. Ltd.. Дата публикации: 2022-11-17.

Substrate processing device, and manufacturing method and process of semiconductor device capable of restraining an affection of heat to peripheral structures even though the temperature of a processing chamber is kept high for processing substrates

Номер патента: TW201727795A. Автор: Akira Takahashi,Kazuyuki Toyoda. Владелец: Hitachi Int Electric Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor wafer, method of manufacturing a semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: CN101978503A. Автор: 杉山正和,秦雅彦,霜垣幸浩,市川磨. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2011-02-16.

Stacked wafer manufacturing method

Номер патента: US20110256667A1. Автор: Koichi Kondo,Akihito Kawai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140051190A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140011307A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US8592323B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US9105518B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Devices and methods of forming SADP on SRAM and SAQP on logic

Номер патента: US09761452B1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DIE PRODUCED FROM A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20220301933A1. Автор: KNABL Michael,Cooper John,Kitzler Andreas,Dohr Jakob Simon,Krivec Matic,Pieber Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Nakamura Yoshiyuki,TAMURA Tomoaki,KUMAKI Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100319171B1. Автор: 신동우,전승준. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

a manufacturing method for lines of semiconductor devices

Номер патента: KR100355863B1. Автор: 박근수. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-10-12.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100866709B1. Автор: 권판기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Transistor manufacturing method and structure of semiconductor device

Номер патента: KR970004069A. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-29.

Manufacturing method for antifuse of semiconductor device

Номер патента: KR100334388B1. Автор: 최병진,홍성주. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-18.

Manufacturing Method for Interconnection of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100282230B1. Автор: 박진원,이원준. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-15.

Shallow Trench Manufacturing Method for Isolation of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100286901B1. Автор: 이계훈. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2001-05-02.

Manufacturing method for contact of semiconductor device

Номер патента: KR100400319B1. Автор: 성낙균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Manufacturing Method for Interconnection of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100282231B1. Автор: 박진원,이원준. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-15.

Manufacturing method for isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100253349B1. Автор: 최조봉. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Manufacturing method for silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100295650B1. Автор: 조남훈. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-08-07.

a manufacturing method for lines of semiconductor devices

Номер патента: KR20010057679A. Автор: 박근수. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-07-05.

Manufacturing Method and Structure of Semiconductor Device

Номер патента: KR100934050B1. Автор: 손현준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-12-24.

Manufacturing method for invertor of semiconductor device

Номер патента: KR100866711B1. Автор: 김재영,강효영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW366553B. Автор: Eui-Song Kim,In-sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-08-11.

Methods for processing semiconductor wafers having a polycrystalline finish

Номер патента: EP3304580A1. Автор: Tracy M. Ragan,Guoqiang D. Zhang,Mark S. CROOKS. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-11.

Method of laser-processing device wafer

Номер патента: US20180108565A1. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20120168940A1. Автор: Florian Bieck. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Method Of Fabricating A Semiconductor Wafer Including A Through Substrate Via (TSV) And A Stepped Support Ring On A Back Side Of The Wafer

Номер патента: US20180247822A1. Автор: Howard David J.,Jebory Hadi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

A method of separating a semiconductor wafer and a method of separating a semiconductor wafer into a sheet

Номер патента: KR101964568B1. Автор: 손귀욱. Владелец: 손귀욱. Дата публикации: 2019-04-01.

A method of polishing a semiconductor wafer, comprising simultaneously polishing a front side and a back side of a substrate wafer

Номер патента: DE102013218880A1. Автор: Makoto Tabata,Alexander Heilmaier,Leszek Mistur,Klaus Röttger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Ceramic plate for supporting a semiconductor wafer

Номер патента: US4247590A. Автор: Masao Hayakawa,Takamichi Maeda,Masao Kumura,Teruo Horii,Yasunori Chikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1981-01-27.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201126585A. Автор: Florian Bieck. Владелец: Empire Technology Dev Llc. Дата публикации: 2011-08-01.

Method of cleaning a semiconductor wafer

Номер патента: TW200802573A. Автор: Dirk Maarten Knotter,Ingrid Annemarie Rink,Gilbert Philip Aldegonda Noij. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2008-01-01.

Method of dicing a semiconductor wafer

Номер патента: DE3175244D1. Автор: Masahiro Abe,Toshio Yonezawa,Masafumi Miyagawa,Hatsuo Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-10-09.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of identifying a semiconductor wafer utilizing a light source and a detector

Номер патента: KR920003306B1. Автор: Tadashi Kiriseko. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-04-27.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20170200683A1. Автор: Koo Tae-Hyoung,Choi Sam-Jong,KIM Jong-soo,You Ji-Won,KIM Sue-ryeon,Ju Hyun-hee,Kim Cheong-jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of planarizing a semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: US20160315154A1. Автор: von Koblinski Carsten,Ottowitz Markus,Riegler Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor Wafer, Semiconductor Chip and Method of Fabricating a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20190318995A1. Автор: Blank Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor wafer, method of manufacturing a semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: CN101946307A. Автор: 秦雅彦,高田朋幸. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-12.

Thinned semiconductor wafer and method of thinning a semiconductor wafer

Номер патента: TWI521580B. Автор: 麥可Ｊ 塞頓. Владелец: 半導體組件工業公司. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of staining a semiconductor wafer with a semiconductor treatment chemical

Номер патента: US6183813B1. Автор: Frank E. Martini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

Semiconductor wafer processing tapes and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW443964B. Автор: Richard Earl Bennett,Louis Edward Winslow,Greggory Scott Bennett,Karunasena Arachc Alahapperuma. Владелец: Minnesota Mining & Mfg. Дата публикации: 2001-07-01.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Device and Method of Singulating Thin Semiconductor Wafer on Carrier Along Modified Region Within Non-Active Region Formed by Irradiating Energy

Номер патента: US20170092529A1. Автор: Shim Il Kwon,Han Byung Joon,Choi Won Kyoung. Владелец: STATS ChipPAC Pte. Ltd.. Дата публикации: 2017-03-30.

Manufacturing Method and Structure of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100279298B1. Автор: 양원석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-01.

MANUFACTURING METHOD AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES.

Номер патента: FR2591380B1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-10-11.

A manufacturing method and apparatus of semiconductor

Номер патента: CN101095217A. Автор: 李相奎,朴永薰,徐泰旭,张镐承,李起薰. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2007-12-26.

The imprint method of laser labelling, the silicon wafer with laser labelling and its manufacturing method

Номер патента: CN109148260A. Автор: 桥本大辅,桥井友裕. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-01-04.

Semiconductor device and method of singulating thin semiconductor wafer on carrier along modified region within non-active region formed by irradiating energy

Номер патента: US9934998B2. Автор: Il Kwon Shim,Won Kyoung Choi,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method and structure of semiconductor memory device

Номер патента: JP4064005B2. Автор: 元碩 梁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-19.

Methods of manufacturing a transistor device

Номер патента: US20210343582A1. Автор: David Summerland. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of Alignment Marking Semiconductor Wafers, and Semiconductor Packages having Portions of Alignment Markings

Номер патента: US20200075500A1. Автор: Zhou Jianming,Housley Richard T.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

The method of the multiple semiconductor wafer of simultaneous grinding

Номер патента: CN101870085B. Автор: G·皮奇,M·克斯坦,H·a·d·施普林. Владелец: PETER WOLTERS GmbH. Дата публикации: 2016-08-03.

Method of manufacturing a semiconductor wafer and use of the method

Номер патента: JP3400765B2. Автор: ヴィンクラー ヴォルフガング,アルトマン トーマス,ヴェンスキー ギド,フォイヒティンガー エルンスト,ベルンヴィンクラー ヴィリーバルト,ハイヤー ゲルハルト. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-04-28.

Method of dicing a semiconductor wafer using a protective film formed by coating a mixture of water-soluble resin and organic solvent

Номер патента: US10896849B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Hidehiko Karasaki,Shogo Okita,Hidefumi Saeki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR CHIP, AND SURFACE PROTECTIVE TAPE

Номер патента: US20180012787A1. Автор: OKA Yoshifumi,AOYAMA Masami. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-11.

Methods of aligning a semiconductor wafer for singulation

Номер патента: US20210028064A1. Автор: Michael J. Seddon,Takashi Noma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

METHODS OF ALIGNING A SEMICONDUCTOR WAFER FOR SINGULATION

Номер патента: US20220172994A1. Автор: Noma Takashi,Seddon Michael J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor Device and Method of Embedding Bumps Formed on Semiconductor Die into Penetrable Adhesive Layer to Reduce Die Shifting During Encapsulation

Номер патента: US20140231989A1. Автор: Pagaila Reza A.,Lin Yaojian,Koo JunMo. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

METHODS OF ALIGNING A SEMICONDUCTOR WAFER FOR SINGULATION

Номер патента: US20200243392A1. Автор: Noma Takashi,Seddon Michael J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of reclaiming a semiconductor wafer

Номер патента: US3923567A. Автор: John E Lawrence. Владелец: Silicon Materials Inc. Дата публикации: 1975-12-02.

Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness

Номер патента: US5571373A. Автор: Vepa Krishna,Michael S. Wisnieski,Lois Illig. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 1996-11-05.

Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness

Номер патента: KR100186259B1. Автор: 크리쉬나 베파,에스. 위스니스키 마이클,일링 로이스. Владелец: 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드. Дата публикации: 1999-04-15.

Method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP0368584B1. Автор: Atsuo Yagi,Takeshi Matsushita,Makoto Hashimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: KR19980072813A. Автор: 박재근,조규철,조성훈,최수열. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-11-05.

Method of cleaving a semiconductor wafer

Номер патента: CA2246087A1. Автор: Todd William Simpson,Ian Vaughan Mitchell,Grantley Oliver Este,Frank Reginald Shepherd. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2000-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: KR970063392A. Автор: 말코크 하니피. Владелец: 와커 실트로닉 게섹샤프트 퓌르 할브라이 테르마테리아리엔 아게. Дата публикации: 1997-09-12.

Method of forming a semiconductor wafer containing a gallium-nitride layer and two diamond layers

Номер патента: US11652146B2. Автор: Won Sang Lee. Владелец: RFHIC Corp USA. Дата публикации: 2023-05-16.

Method of manufacturing compound semiconductor wafer

Номер патента: US20030104696A1. Автор: Toshiyuki Morimoto,Takatoshi Okamoto,Yoshio Mezaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

A method of treating a semiconductor wafer

Номер патента: CA2137928A1. Автор: Christopher David Dobson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-01-20.

Method of cleaving a semiconductor wafer including implanting and annealing resulting in exfoliation

Номер патента: US6225193B1. Автор: Todd William Simpson,Ian Vaughan Mitchell,Grantley Oliver Este,Frank Reginald Shepherd. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW518721B. Автор: Masayuki Yamamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Method of washing a semiconductor wafer

Номер патента: US20030013310A1. Автор: Hiroaki Tomimori,Hidemitsu Aoki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: US20040014301A1. Автор: Dong Lee,Noh Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of manufacturing compound semiconductor wafer

Номер патента: WO2002071461A1. Автор: Toshiyuki Morimoto,Takatoshi Okamoto,Yoshio Mezaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2002-09-12.

Processing method of single crystal semiconductor wafer for fluorescent display tube

Номер патента: KR19980081609A. Автор: 혼다겐이치,다카노사다오,히라야마도시히데,마키타요시오,아제타아키히로. Владелец: 후다바덴시고교가부시키가이샤. Дата публикации: 1998-11-25.

Method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP0368584A2. Автор: Atsuo Yagi,Takeshi Matsushita,Makoto Hashimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-05-16.

Method of evaluating a semiconductor wafer

Номер патента: US6235543B1. Автор: Makoto Kiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2001-05-22.

The method of local polishing semiconductor wafer

Номер патента: CN101927448A. Автор: J·施万德纳. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-12-29.

Wire discharging processing device and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201622860A. Автор: 三宅英孝,橋本□,湯澤□. Владелец: 三菱電機股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-01.

Method of etching a semiconductor wafer

Номер патента: US8759214B2. Автор: Russell Morgan. Владелец: Radiation Watch Ltd. Дата публикации: 2014-06-24.

The method of twin polishing semiconductor wafer

Номер патента: CN101927447A. Автор: J·施万德纳. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-12-29.

Forming method of film for semiconductor wafer

Номер патента: JPS56155529A. Автор: Keiichi Shibata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-12-01.

Devices and methods of forming sadp on sram and saqp on logic

Номер патента: US20180012760A1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH RESISTIVITY SOI WAFERS WITH CHARGE TRAPPING LAYERS BASED ON TERMINATED SI DEPOSITION

Номер патента: US20190013235A1. Автор: PEIDOUS IGOR,Pellicano Illaria Katia Marianna. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH RESISTIVITY SOI WAFERS WITH CHARGE TRAPPING LAYERS BASED ON TERMINATED SI DEPOSITION

Номер патента: US20150115480A1. Автор: PEIDOUS IGOR,Pellicano Illaria Katia Marianna. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH RESISTIVITY SOI WAFERS WITH CHARGE TRAPPING LAYERS BASED ON TERMINATED SI DEPOSITION

Номер патента: US20170365506A1. Автор: PEIDOUS IGOR,Pellicano Illaria Katia Marianna. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Method of de-chucking a wafer using a direct voltage and a alternating voltage alternately and apparatus for fabricating a semiconductor device employing the same

Номер патента: KR101295776B1. Автор: 박해중,신동준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-08-12.

A method of rapidly thermally annealing multilayer wafers with an edge

Номер патента: WO2004042802A2. Автор: Eric Neyret,Christophe Malleville. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2004-05-21.

Method of designing semiconductor integrated circuit, designing apparatus, semiconductor integrated circuit system, semiconductor integrated circuit mounting substrate, package and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110012260A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hiroaki Suzuki,Yuichi Nishimura,Nobufusa Iwanishi,Kazuhiko Fujimoto,Mitsumi Ito,Shinya Tokunaga,Koichi Seko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor package with adhesive material pre-printed on the lead frame and chip, and its manufacturing method

Номер патента: US09653424B2. Автор: Jun Lu,Kai Lu,Xiaotian Zhang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for decoupling a semiconductor wafer including multiple stacks of solar cells

Номер патента: RU2747424C1. Автор: Вольфганг КЁСТЛЕР,Александер ФРЕЙ,Штеффен ЗОММЕР. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-05-04.

Method for decoupling a semiconductor wafer including multiple stacks of solar cells

Номер патента: RU2747424C9. Автор: Вольфганг КЁСТЛЕР,Александер ФРЕЙ,Штеффен ЗОММЕР. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2022-01-17.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US09945902B2. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of evaluating semiconductor wafer

Номер патента: US20230194438A1. Автор: Keiichiro Mori,Motoi Kurokami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of forming semiconductor devices including determining misregistration between semiconductor levels and related apparatuses

Номер патента: US09754895B1. Автор: YANG Chao,Keith E. Ypma,Kurt J. Bossart,Joseph L. Hess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20200411702A1. Автор: Yamamura Kazuhisa,KOSUGI Kazumasa,KAMADA Shintaro. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor wafer manufacturing method, method of manufacturing semiconductor energy beam detecting element, and semiconductor wafer

Номер патента: EP3680940A4. Автор: Kazuhisa Yamamura,Kazumasa Kosugi,Shintaro KAMADA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-05-12.

Method of inspecting semiconductor wafer, inspection system for performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20200176292A1. Автор: Chihoon Lee,Younghoon Sohn,Yusin Yang,Sung Yoon Ryu,Souk Kim,Joonseo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for producing semiconductor wafer

Номер патента: US20120295383A1. Автор: Susumu Sugano. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing flexible display panel and method of manufacturing flexible display apparatus

Номер патента: US20150129122A1. Автор: Sun-Ho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Method of manufacturing flexible display panel and method of manufacturing flexible display apparatus

Номер патента: US09664935B2. Автор: Sun-Ho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of processing a semiconductor wafer for controlling drive current

Номер патента: WO1997037380A1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Derick Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-10-09.

Semiconductor Device and Method of Forming TSV Semiconductor Wafer with Embedded Semiconductor Die

Номер патента: US20130292851A1. Автор: Pagaila Reza A.,Lin Yaojian,Yoon Seung Uk. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Manufacturing method for transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100649821B1. Автор: 박명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-24.

Manufacturing Method for Gate of Semiconductor Device

Номер патента: KR101064555B1. Автор: 백운석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-09-15.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR0140806B1. Автор: 김석수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-06-01.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100224676B1. Автор: 김정한,양원석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of manufacturing a printed circuit assembly

Номер патента: US5839188A. Автор: Richard J. Pommer. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

CHAMFERED FREESTANDING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF CHAMFERING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20130292696A1. Автор: IRIKURA Masato,NAKAYAMA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

A method of processing a semiconductor wafer, a semiconductor composite structure and a support structure for a semiconductor wafer

Номер патента: DE102019110402A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Sokratis Sgouridis,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Andreas Moser,Erich Griebl,Matthias Kuenle,Michael KNABL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Methods of parallel transfer of micro-devices using treatment

Номер патента: US20230395645A1. Автор: Manivannan Thothadri,Arvinder CHADHA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods of parallel transfer of micro-devices using treatment

Номер патента: US11776989B2. Автор: Manivannan Thothadri,Arvinder CHADHA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of dividing a semiconductor wafer

Номер патента: US7129150B2. Автор: Akihito Kawai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor wafer comprising an integrated optical filter

Номер патента: US20080023739A1. Автор: Caroline Hernandez. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of examining locations in a wafer with adjustable navigation accuracy and system thereof

Номер патента: US20190234887A1. Автор: Mark Geshel,Idan Kaizerman. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Device having ferroelectric or negative capacitance material and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240030313A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-25.

LAYOUT METHOD OF MIXING AND MATCHING LED WAFERS WITH DIFFERENT GRADES AND DISPLAY DEVICE HAVING MIXED AND MATCHED LED WAFERS WITH DIFFERENT GRADES

Номер патента: US20200194613A1. Автор: LIAO CHIEN-SHOU. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

A kind of preparation method of the GaAs base LED wafer with roughening current extending

Номер патента: CN109698258A. Автор: 徐晓强,闫宝华,郑兆河,肖成峰,俆现刚. Владелец: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of evaluating systematic defect, and apparatus therefor

Номер патента: US20130191807A1. Автор: Yuji Takagi,Yuichi Hamamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Preparation method of light-emitting diode epitaxial wafer with p-type composite layer

Номер патента: CN113644174A. Автор: 王江波,李鹏,王群,葛永晖,董彬忠,郭志琰. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-12.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020061642A1. Автор: Hiroshi Haji,Shoji Sakemi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method of depositing encapsulant along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US09496195B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Номер патента: US09786643B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Soo Loo Ang,Chee Chung So. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09437562B2. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Jiro Nohara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor package, manufacturing method of semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210057259A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Chieh Yang,Shing-Chao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming B-stage conductive polymer over contact pads of semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09418941B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230230853A1. Автор: Masafumi Miyamoto,Takahiro Shimizu,Daisuke Tani. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09831129B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of backgrinding and singulation of semiconductor wafer while reducing kerf shifting and protecting wafer surfaces

Номер патента: US09401289B2. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Minjung Kim,Joungin Yang,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation

Номер патента: US09558958B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and method of forming cavity adjacent to sensitive region of semiconductor die using wafer-level underfill material

Номер патента: US09679881B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240379569A1. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Substrate bonding apparatus, substrate pairing apparatus, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200286853A1. Автор: Sho KAWADAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Substrate bonding apparatus, substrate pairing apparatus, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11148938B2. Автор: Sho KAWADAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09412707B2. Автор: Hyun-Soo Chung,Tae-Je Cho,In-Young Lee,Jung-seok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11721560B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting,Chia-Chieh FAN,Ming-Tsang Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190214288A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting,Chia-Chieh FAN,Ming-Tsang Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device, electric power conversion device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12095382B2. Автор: Eiichi Ide,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12125794B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of formingreconstituted wafer with larger carrier to achieve more ewlb packages per wafer with encapsulant deposited under temperature and pressure

Номер патента: SG189618A1. Автор: Yung Kuan Hsiao,Yoke Hur Phua. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2013-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240014272A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Takashi Ushijima,Jun Kojima,Seiya Hasegawa,Chiaki Sasaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US9887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US20170301844A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing method of package substrate and package manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892916B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US09887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170287783A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and method of formingreconstituted wafer with larger carrier to achieve more ewlbpackages per wafer with encapsulant deposited under temperatureand pressure

Номер патента: SG10201907336TA. Автор: Yung Kuan Hsiao,Yoke Hur Phua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Reconstituted Wafer with Larger Carrier to Achieve More EWLB Packages per Wafer with Encapsulant Deposited Under Temperature and Pressure

Номер патента: US20130292673A1. Автор: Yung Kuan Hsiao,Yoke Hor Phua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110156220A1. Автор: Satoru Nakayama,Shoetsu KOGAWA,Seigo Kamata,Shigemitsu Seito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device, processing method of semiconductor wafer, semiconductor wafer

Номер патента: US8883613B2. Автор: Tamotsu Owada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Metallization of semiconductor wafer

Номер патента: EP4256605A1. Автор: Lan Wang,Erwei Liu,Fangzhong Shen,Kai-Ulrich Boldt. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of thinning and packaging a semiconductor chip

Номер патента: US09570419B2. Автор: Aik Teong Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US4383886A. Автор: Akio Hori,Haruyuki Goto,Kisaku Nakamura,Eiji Jimi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-17.

Semiconductor Device and Method of Forming Hybrid Substrate with IPD Over Active Semiconductor Wafer

Номер патента: US20240047386A1. Автор: YongTaek Lee,OhYoung Kwon,SeungMan Hong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Dicing-tape integrated film for backside of semiconductor and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679797B2. Автор: Akihiro Fukui,Naohide Takamoto,Hiroyuki Hanazono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Filter and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378623A1. Автор: Shang-hua YANG,Yi-Chun Hung. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-11-23.

Color filter manufacturing method and apparatus, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having display device, and display device panel manufacturing method and apparatus

Номер патента: KR100401316B1. Автор: 아까히라마꼬또,야마구찌히로미쯔. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-10-10.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing fuel cells and fuel cells manufactured by the method

Номер патента: CA2253987C. Автор: Seiji Mizuno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09799572B2. Автор: Takehiro Oura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of semiconductor wafer and semiconductor wafer manufactured by this method

Номер патента: US20070128836A1. Автор: Syouji Nogami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8633038B2. Автор: Hideo Kawano,Haruko Tamegai,Tooru YASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Farication of high quality oxides by controlling spacing between semiconductor wafers during processing

Номер патента: US20020019143A1. Автор: Sunil D. Mehta,Hyeon-Seag Kim,Qxiao-Yu Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090117709A1. Автор: Yoshiyuki Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor wafer evaluation method and manufacturing method and semiconductor wafer manufacturing process management method

Номер патента: US12027428B2. Автор: Masahiro Murakami,Takahiro Nagasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Pillars in Recessed Region of Peripheral Area around the Device for Electrical Interconnection to Other Devices

Номер патента: US20120175770A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Linda Pei Ei Chua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device including multi-layered source layer and channel extending therethrough

Номер патента: US09978771B2. Автор: Sun Kak Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09431448B2. Автор: Masaki Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09754990B2. Автор: Masaki Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190088624A1. Автор: Tetsuya Kurosawa,Takanobu Ono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Manufacturing method of semiconductor device, method of testing the semiconductor device and wafer holding member

Номер патента: US20230411200A1. Автор: Koji Ogata,Tsuyoshi Kanao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20080064186A1. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09837279B2. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543145B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Junichi Koezuka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09466484B1. Автор: Shih-Ming Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,I-Lun Hung,Lan-Ping Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688866C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing

Номер патента: US20040248351A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Insulating Buffer Layer to Reduce Stress on Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120217640A1. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190378757A1. Автор: Sheng Zhang,Li-Da Huang,Chee-Hau Ng,Chien-Kee Pang,Wei-Hui Gao,Wen-Bo Ding,Wen-Shen Li,Xiaoyuan Zhi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040053482A1. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240266222A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US6815318B2. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of electronic device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893116B2. Автор: Hideo Numata,Hiroyuki Okura,Shinya Takyu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of forming bump structure with insulating buffer layer to reduce stress on semiconductor wafer

Номер патента: US09780063B2. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Fixed abrasive-grain processing device, method of fixed abrasive-grain processing, and method for producing semiconductor wafer

Номер патента: US09550264B2. Автор: Yoshiaki Kurosawa,Tomohiro Hashii,Yuichi Kakizono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09530806B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US12148667B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device with steps of heat treatment in nitrogen containing atmosphere, oxygen doping treatment and heat treatment in oxygen containing atmosphere

Номер патента: US09373707B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor die and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11935788B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4372795A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160358787A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10177035B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9728460B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of Thinning and Packaging a Semiconductor Chip

Номер патента: US20160218080A1. Автор: Aik Teong Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200243514A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170125295A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170338155A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088486A1. Автор: Lu-Ping chiang,Chun-Hsu Chen,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for manufacturing processed substrate, method for manufacturing semiconductor element, and composition for forming temporary adhesive layer

Номер патента: EP4205902A1. Автор: Toshiyuki Saie. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus

Номер патента: SG131917A1. Автор: Tomoo Hayashi,Motoi Nezu. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-28.

Method of creating correlation relational formula for determining polishing condition, method of determining polishing condition, and semiconductor wafer manufacturing method

Номер патента: US20240246191A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070259507A1. Автор: Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09978878B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2719622C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев,Зелимхан Лечиевич Хазбулатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP1569270A3. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050191772A1. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180286731A1. Автор: Kazuyuki Fujii,Yohei Hamaguchi,Yosuke Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11631694B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272979A1. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160322231A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041765B2. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050142822A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Microelectronic device wafers and methods of manufacturing

Номер патента: US20120070959A1. Автор: Alan G. Wood,Ford B. Grigg,Ed A. Schrock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias with Trench in Saw Street

Номер патента: US20140217609A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021631A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor wafer device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812346B2. Автор: Yeong-Jyh Lin,Bor-Ping Jang,Hsin-Hung Liao,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09779937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, superconducting device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768372B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Hisao Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640655B2. Автор: Kensaku Yamamoto,Shinya Nishimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of forming conductive vias with trench in saw street

Номер патента: US09601369B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20160268217A1. Автор: Kenji Konomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200350168A1. Автор: Sun Young Kim,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for dividing semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US20090197393A1. Автор: Kazuhiro Noda,Akira Nakagawa,Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8865589B2. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130241073A1. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120225498A1. Автор: Kiyotaka Miyano,Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160351540A1. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Laser scribe on front side of semiconductor wafer

Номер патента: US20040211750A1. Автор: Byron Palla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Separators for handling, transporting, or storing semiconductor wafers

Номер патента: US12106988B2. Автор: Sunna Chung,Ryan Park,Jin Chae,Matthew Stanton Whitlock,Jonathan Kevin Lie,Athens Okoren. Владелец: Daewon Semiconductor Packaging Industrial Co. Дата публикации: 2024-10-01.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893036B2. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device including barrier pattern

Номер патента: US09786682B1. Автор: Ki Hong Lee,Duk Eui LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09698017B2. Автор: Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for semiconductor wafer alignment

Номер патента: US09601436B2. Автор: De-Fang Huang,Hsiao-Yi WANG,Shing-Kuei LAI,Wei-Yueh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576974B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170372876A1. Автор: Kotaro Horikoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180315669A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200075433A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210272797A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041766B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258115A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10553500B2. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282818A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220352316A1. Автор: Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10804286B2. Автор: Takuya INATSUKA,Kazuhide Takamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069860B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20150118849A1. Автор: Yoshitaka Noda,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373629A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09947715B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Super-fine junctions manufacturing method

Номер патента: RU2733924C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20020173057A1. Автор: Toshiyuki Makita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Crosslinking a back grinding tape for a semiconductor wafer

Номер патента: US20240222183A1. Автор: Ankur Harish Shah,Venkateswarlu Bhavanasi,Wen How Sim,Harjashan Veer Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source /drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20030098486A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Process for the treatment of semiconductor wafers in a fluid

Номер патента: AU7887598A. Автор: Robert Roger Matthews. Владелец: Legacy Systems Inc. Дата публикации: 1998-10-01.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source/drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20080311721A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Manufacturing method of display panel and display device

Номер патента: US20240304747A1. Автор: Baohong KANG,Ranlong WANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Device for and method of polishing peripheral edge of semiconductor wafer

Номер патента: EP1872393A1. Автор: Mitsuhiko Ebara Corporation SHIRAKASHI,Satoru NIHON MICRO COATING CO. LTD. SATO,Tamami Ebara Corporation TAKAHASHI,Kenya Ebara Corporation ITO,Kazuyuki Ebara Corporation INOUE,Kenji Ebara Corporation YAMAGUCHI,Masaya Ebara Corporation SEKI,Jun Nihon Micro Coating Co. Ltd. WATANABE,Kenji Nihon Micro Coating Co. Ltd. KATO,Jun Nihon Micro Coating Co. Ltd. TAMURA,Souichi Nihon Micro Coating Co. Ltd. ASAKAWA. Владелец: Nihon Micro Coating Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-02.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12120867B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device to facilitate peeling of a supporting substrate bonded to a semiconductor wafer

Номер патента: US09972521B2. Автор: Tsunehiro Nakajima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09741852B2. Автор: James Tsai,Shih-Hsien Huang,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685330B1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device including indium

Номер патента: US09437723B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09425088B2. Автор: Seiji Ueno,Yasunori Fujimoto,Takumi Ihara,Joji Fujimori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor wafer, manufacturing method for semiconductor wafer, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20220216051A1. Автор: Takashi Koike,Manabu Takakuwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20150194353A1. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355887A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of forming package-on-package structure electrically interconnected through TSV in WLCSP

Номер патента: US09922955B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Sensing chip package and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09887229B2. Автор: Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Chia-Sheng Lin,Chia-Ming Cheng. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of back illumination CMOS image sensor device using wafer bonding

Номер патента: US09608034B2. Автор: Kazuyoshi Maekawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Simultaneous multi-bandwidth optical inspection of semiconductor devices

Номер патента: US12068207B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chien-Huei Chen,Hung-Yi Chung,Shih-Chang Wang,Hsiu-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09287407B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected

Номер патента: US5774222A. Автор: Minoru Yoshida,Hitoshi Kubota,Shunji Maeda,Yasuhiko Nakayama,Kenji Oka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Avalanche photodetector (embodiments) and method of manufacturing thereof (embodiments)

Номер патента: RU2732695C1. Автор: Сергей Витальевич Богданов,Виталий Эммануилович Шубин,Дмитрий Алексеевич Шушаков,Николай Афанасьевич Колобов,Константин Юрьевич Ситарский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Детектор Фотонный Аналоговый" (Ооо "Дефан"). Дата публикации: 2020-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062696B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Overlay mark forming Moire pattern, overlay measurement method using same, overlay measurement apparatus using same, and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: US12107052B2. Автор: Hyun Chul Lee,Hyun Jin Chang. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of 3d volume inspection of semiconductor wafers with increased throughput

Номер патента: EP4453658A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Eugen Foca,Alex Buxbaum,Dmitry Klochkov,Amir Avishai. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of producing an optoelectronic component and optoelectronic component

Номер патента: US12136692B2. Автор: Andreas Plossl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor inspection method, semiconductor inspection device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US09508611B2. Автор: Yoshinobu Kimura,Yuki Mori,Natsuki Tsuno,Toshiyuki Ohno,Hiroya Ohta,Hirotaka Hamamura,Hiroyuki Okino,Renichi Yamada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Imaging device, manufacturing method, and substrate dividing method

Номер патента: US20200212087A1. Автор: Taizo Takachi,Masanari Yamaguchi,Takashi OINOUE,Shunsuke FURUSE,Yuki IKEBE. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Imaging device, manufacturing method, and substrate dividing method

Номер патента: EP3326202A1. Автор: Taizo Takachi,Masanari Yamaguchi,Takashi OINOUE,Shunsuke FURUSE,Yuki IKEBE. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Systems and methods of automatically detecting failure patterns for semiconductor wafer fabrication processes

Номер патента: US20140106474A1. Автор: Jong-I Mou,Yen-Di Tsen,Jui-Long Chen,Hui-Yun Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of 3d volume inspection of semiconductor wafers with increased throughput

Номер патента: US20240328970A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Eugen Foca,Alex Buxbaum,Dmitry Klochkov,Amir Avishai. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and storage device

Номер патента: US20220216212A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080318347A1. Автор: Satoshi Yasuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Manufacturing method of semiconductor device with inductor

Номер патента: US20240347578A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Alexander Kalnitsky,Hon-Lin Huang,Han-Yi Lu,Chien-Hsien KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP1484796A3. Автор: Osamu Ikeda,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9978783B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09553048B1. Автор: Satomi Higashibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9530819B2. Автор: Kazuyoshi Maekawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220037326A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230411226A1. Автор: Young Chan Oh,Hee Jong KANG,Young Mok BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355894A1. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240306385A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device with silicon layer containing carbon

Номер патента: US09722044B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having trench-type gate and its manufacturing method capable of simplifying manufacturing steps

Номер патента: US20090227102A1. Автор: Wataru Sumida. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Neural network-based prediction of semiconductor device response

Номер патента: WO2023091313A3. Автор: James Gallagher,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Neural network-based prediction of semiconductor device response

Номер патента: EP4433809A2. Автор: James Gallagher,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-09-25.

Manufacturing method of adhesive layer and display device comprising the adhesive layer manufactured thereby

Номер патента: US12129410B2. Автор: HIROTSUGU Kishimoto,Cheol Ho Choi,Hyun-Been Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966473B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Inspection system of semiconductor wafer and method of driving the same

Номер патента: US11754510B2. Автор: Doyoung Yoon,Jeongho Ahn,Dongryul Lee,Dongchul Ihm,Chungsam Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Inspection system of semiconductor wafer and method of driving the same

Номер патента: US20230384239A1. Автор: Doyoung Yoon,Jeongho Ahn,Dongryul Lee,Dongchul Ihm,Chungsam Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Light transmission type-solar cell module, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213387A1. Автор: Soon Yong Lim,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Tae Woo Eom,Chan Seon LEE. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Light transmission type-solar cell module and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4391085A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Inspection system of semiconductor wafer and method of driving the same

Номер патента: US12130242B2. Автор: Doyoung Yoon,Jeongho Ahn,Dongryul Lee,Dongchul Ihm,Chungsam Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of semiconductor apparatus, semiconductor apparatus, and endoscope

Номер патента: US09866738B2. Автор: Kazuaki Kojima. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Composite element chip, a semiconductor device and manufacturing method thereof, a printing head, and an image forming apparatus

Номер патента: US09614125B2. Автор: Takahito Suzuki,Taishi Kaneto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device

Номер патента: KR100945469B1. Автор: 야마자키순페이,무라카미마사카즈,오타니히사시,쿠와바라히데아키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2010-03-05.

Polymer particle manufacturing method, method of obtaining liquid mixture including polymer particles and organotellurium compound, tellurium recovery method, and dispersion of polymer particles

Номер патента: US20230295384A1. Автор: Masatoshi Tosaka,Shigeru Yamago. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of predicting hydrogen content in steel of steel strip, method of controlling hydrogen content in steel, manufacturing method, method of forming prediction model of hydrogen content in steel, and device that predicts hydrogen content in steel

Номер патента: US20230313355A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Soshi Yoshimoto,Maiko HIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method of secondary battery

Номер патента: EP4187675A2. Автор: Masao Fukunaga. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Manufacturing method of secondary battery

Номер патента: US20230170594A1. Автор: Masao Fukunaga. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Manufacturing method of secondary battery

Номер патента: EP4187675A3. Автор: Masao Fukunaga. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Manufacturing method of semiconductor device, exposure data preparing method, preparing method of aperture mask data, and charge beam exposure apparatus

Номер патента: US20020142238A1. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Flexible Charging Pad and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: AU2021100802A4. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Analysis method, computer-readable medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240347315A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Flexible charging pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990787B2. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of covering elongated components, especially bundled cables, with adhesive strips

Номер патента: JP2004507874A. Автор: ムザール，エステル,フオン・ザムゾン−ヒメルストイエルナ，マテイアス. Владелец: テサ・アクチエンゲゼルシヤフト. Дата публикации: 2004-03-11.

Method of preparing sheet for absorbing impact and sealing comprising adhesive layer

Номер патента: KR101078353B1. Автор: 양호성. Владелец: 유티스 주식회사. Дата публикации: 2011-10-31.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: EP3245018A1. Автор: Urban Harrysson. Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2017-11-22.

Semiconductor calibration structures, semiconductor calibration wafers, calibration methods of calibrating semiconductor wafer coating systems, semiconductor processing methods of ascertaining layer alignment during processing and calibration methods of calibrating multiple semiconductor wafer coating systems

Номер патента: US20020029608A1. Автор: Lisa Napolitano,Walter Hubbard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of processing a semiconductor wafer such as to make prototypes and related apparatus

Номер патента: US9377678B2. Автор: Alan Lee,Xi Ge. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

An apparatus for and method of polishing a semiconductor wafer using chemical mechanical planarization

Номер патента: WO2008023288A2. Автор: Eoin O'dea. Владелец: Eoin O'dea. Дата публикации: 2008-02-28.

Molded part, molded part manufacturing method, method of molded part gluing with object and application of fabric or unidirectional fabric

Номер патента: RU2742777C1. Автор: Карстен ФОЛЬКМАНН. Владелец: Ако Зеверин Альманн Гмбх Унд Ко Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of forming a pipe joint, pipe joint component, and pipe joint, fluid control device, fluid control unit and semiconductor fabrication apparatus including the pipe joint component

Номер патента: US20180119860A1. Автор: Kazunari Watanabe,Tsutomu Shinohara,Izuru Shikata,Toshiyuki Inada. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of and apparatus for multi-layer viscous fluid deposition such as for the application of adhesives and the like

Номер патента: US4476165A. Автор: Frederic S. McIntyre. Владелец: Acumeter Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-10-09.

Method of forming stacked wiring

Номер патента: US09566790B2. Автор: Yoshihiko Yokoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Display panel, display apparatus, and method of fabricating display panel

Номер патента: US11903244B2. Автор: Zhao Li,Liqiang Chen,Weifeng ZHOU,Jiandong BAO,Paoming TSAI,Shuang DU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Manufacturing method and apparatus of semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW362281B. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Hiroyuki Uchiyama,Yasuhide Fujioka,Motoko Sawamura,Naokatsu Suwauchi. Владелец: Hitachi Keisoku Engin Kk. Дата публикации: 1999-06-21.

Three-layer tape and its manufacturing method

Номер патента: RU2656040C2. Автор: Геннадий Степанович Железнов,Алексей Анатольевич Алексеев. Владелец: Алексей Анатольевич Алексеев. Дата публикации: 2018-05-30.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Planar substrate structuring method, planar substrate manufacturing method, method of electrically contacting parts

Номер патента: JP4528124B2. Автор: クエンザー，ハンス−ヨアヒム,シュルツ，アルネ，ヴァイト,メルツ，ピーター. Владелец: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー．ファオ．. Дата публикации: 2010-08-18.

Anti-cd22 antibodies; polynucleotides that encode them; vector and host cell that includes them; manufacturing method; method of detecting the antibody in a biological sample; immunoconjugate comprising the antibody; composition that comprises it and its use to treat proliferative cell disorders b.

Номер патента: CL2007001536A1. Автор: Yan Wu,Wei-Ching Liang,Jr Allen J Ebens,Shang-Fan Yu,Alane M Gray. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2008-01-25.

Cosmetic article and associated manufacturing method

Номер патента: WO2024133666A1. Автор: Eric Caulier. Владелец: L'oreal. Дата публикации: 2024-06-27.

Below grade, blind side, waterproofing sheet membrane with adhesive and high reflectivity granular particle layer to fully bond to concrete/shotcrete, and a method of making, and using same

Номер патента: CA3104740A1. Автор: Amir Rudyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11751482B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240268114A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing optical element and optical element

Номер патента: US12050335B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Katsumi SASATA,Akiko Watano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Speaker grille for vehicle and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220248113A1. Автор: Dong Jae CHOI. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Speaker grille for vehicle and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240334101A1. Автор: Dong Jae CHOI. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Speaker grille for vehicle and manufacturing method thereof

Номер патента: US11930310B2. Автор: Dong Jae CHOI. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196608A1. Автор: Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Kyung Jin Lee,Sul Gi JUNG,Kyung Sung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069972B2. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory block and buried layer manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290386A1. Автор: Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373765A1. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of thermoacoustic emitter based on graphene

Номер патента: RU2724227C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Павел Евгеньевич Маточкин,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-06-22.

Curved display device manufacturing method

Номер патента: US12105368B2. Автор: Daehong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of optimizing layout of semiconductor device, manufacturing method of photomask, and manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: TW200727328A. Автор: Ryuji Ogawa. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2007-07-16.

Method of erecting impervious screen of ground pit-accumulator of drilling wastes

Номер патента: RU2595740C2. Автор: Юрий Георгиевич Безродный. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-Инжиниринг" (ООО "ЛУКОЙЛ-Инжиниринг"). Дата публикации: 2016-08-27.

Fluidic devices including hybrid bonding, and methods of making the same

Номер патента: US20230311116A1. Автор: Casey Irvin,Abhishek KURUP,Sibi SUTTY. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of applying poly(methacrylic anhydride) resist to a semiconductor

Номер патента: WO1985005194A1. Автор: Robert G. Brault. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-11-21.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20030135835A1. Автор: Masaki Komaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Method Of Critical Dimension Control By Oxygen And Nitrogen Plasma Treatment In Euv Mask

Номер патента: US20240264520A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chun-Fu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Curved display device manufacturing method

Номер патента: US20220317505A1. Автор: Daehong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-06.

Color filter manufacturing method, color filter manufacturing apparatus, color filter, method of planarizing surfaces of colored portions of color filter, display device manufacturing method, method of manufacturing apparatus having the display device, method of manufacturing display device panel, apparatus for manufacturing display device panel, ink amount determining method, and ink amount determining apparatus

Номер патента: KR100408459B1. Автор: 후지이께히로시,사또히로시,가시와자끼아끼오,이와따겐이찌,니시아끼오. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-12-06.

Manufacture method and system of semiconductor device

Номер патента: CN101819917B. Автор: 覃柳莎,顾一鸣. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

Method for cleaning semiconductor wafers to improve dice to substrate solderability

Номер патента: US5833758A. Автор: Jack H. Linn,Mark A. Kwoka. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-11-10.

APPARATUS FOR SUPPORTING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF VIBRATING A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20160096155A1. Автор: Chang Hsin-Kuo,LAI Chia-Hung,Chou Hong-Hsing,SHARMA Astha,Shih Jaw-Lih. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Lithographic projection apparatus and method of exposing a semiconductor wafer with a pattern from a mask

Номер патента: US20060268248A1. Автор: Christoph Noelscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of and means for preventing or reducing condensation

Номер патента: GB2206907A. Автор: Frederick Charles Coles. Владелец: GRAFOCHEM Ltd. Дата публикации: 1989-01-18.

Fluidic devices including hybrid bonding, and methods of making the same

Номер патента: WO2023192070A1. Автор: Casey Irvin,Abhishek KURUP,Sibi SUTTY. Владелец: Illumina, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR20170132714A. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2017-12-04.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: KR102465220B1. Автор: 한스 킴블라드. Владелец: 디지털 메탈 아베. Дата публикации: 2022-11-08.

Method Of Critical Dimension Control By Oxygen And Nitrogen Plasma Treatment In Euv Mask

Номер патента: US20230280645A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chun-Fu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of critical dimension control by oxygen and nitrogen plasma treatment in EUV mask

Номер патента: US11960201B2. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chun-Fu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of exposing a semiconductor wafer and exposure apparatus

Номер патента: US20140036244A1. Автор: Hisanori Ueno,Masayoshi SAMMI. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER SUCH AS TO MAKE PROTOTYPES AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20150140479A1. Автор: Lee Alan,GE Xi. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Polishing apparatus and workpiece holder used therein and polishing method and method of fabricating a semiconductor wafer

Номер патента: KR100524054B1. Автор: 가츠오카세이지,쯔지무라마나부,사쿠라이구니히코,오사와히로유키. Владелец: 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2005-10-26.

An apparatus for and method of polishing a semiconductor wafer using chemical mechanical planarization

Номер патента: IES20060298A2. Автор: Eoin O'dea. Владелец: Eoin O'dea. Дата публикации: 2007-10-31.

Probe and method of manufacture for semiconductor wafer characterization

Номер патента: US9176167B1. Автор: DONG Chen,Mark Munch. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2015-11-03.

An apparatus for and method of polishing a semiconductor wafer using chemical mechanical planarization

Номер патента: WO2008023288A8. Автор: Eoin O'dea. Владелец: Eoin O'dea. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of exposing a semiconductor wafer to light from a mercury-vapor

Номер патента: GB2161283B. Автор: Takehiro Kira. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 1988-09-07.

METHOD OF EXAMINING LOCATIONS IN A WAFER WITH ADJUSTABLE NAVIGATION ACCURACY AND SYSTEM THEREOF

Номер патента: US20190234887A1. Автор: Kaizerman Idan,Geshel Mark. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

METHOD OF FORMING A PIPE JOINT, PIPE JOINT COMPONENT, AND PIPE JOINT, FLUID CONTROL DEVICE, FLUID CONTROL UNIT AND SEMICONDUCTOR FABRICATION APPARATUS INCLUDING THE PIPE JOINT COMPONENT

Номер патента: US20180119860A1. Автор: SHINOHARA Tsutomu,INADA Toshiyuki,WATANABE Kazunari,Shikata Izuru. Владелец: FUJIKIN INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Photoelectric transducer manufacturing method

Номер патента: RU2219621C1. Автор: Б.Н. Самсоненко,С.Э. Хабаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Сатурн". Дата публикации: 2003-12-20.

Method of manufacturing semiconductor wafers

Номер патента: EP4144497A1. Автор: Bahman Soltani,Tomoki Kawazu,Yutaro Isshiki,Sodai NOMURA,Nobuyuki NUNOME,Shiro OKITA,Riku ONISHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Method of manufacturing semiconductor wafers

Номер патента: US20230073379A1. Автор: Bahman Soltani,Tomoki Kawazu,Yutaro Isshiki,Sodai NOMURA,Nobuyuki NUNOME,Shiro OKITA,Riku ONISHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor wafer polishing apparatus, and method of polishing semiconductor wafer

Номер патента: US20070128990A1. Автор: Akira Kubo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Method and apparatus for applying a layer of photosensitive material to a semiconductor wafer

Номер патента: IE57147B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1992-05-06.

Below grade, blind side, waterproofing sheet membrane with adhesive and having moderate reflectivity granular particle layer to fully bond to concrete/shotcrete, and a method of making, and using same

Номер патента: US20230349125A1. Автор: Amir Rudyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Below grade, blind side, waterproofing sheet membrane with adhesive and having improved low reflectivity granular particle layer to fully bond to concrete/shotcrete, and a method of making, and using same

Номер патента: US20230340752A1. Автор: Amir Rudyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Below grade, blind side, waterproofing sheet membrane with adhesive and having improved low reflectivity granular particle layer to fully bond to concrete/shotcrete, and a method of making, and using same

Номер патента: US12077930B2. Автор: Amir Rudyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Below grade, blind side, waterproofing sheet membrane with adhesive and having moderate reflectivity granular particle layer to fully bond to concrete/shotcrete, and a method of making, and using same

Номер патента: US12077931B2. Автор: Amir Rudyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Enhanced security semiconductor device, semiconductor circuit arrangement, and method of production thereof

Номер патента: WO1997013226A1. Автор: Callum Gordon. Владелец: Motorola Limited. Дата публикации: 1997-04-10.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US09988262B2. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Prober for inspecting semiconductor devices formed on semiconductor wafer

Номер патента: US09684014B2. Автор: Shuji Akiyama,Kazuya Yano,Isamu Inomata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Optical pickup module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050063279A1. Автор: Sun-Ho Kim,Geun-Ho Kim,Ki-Chang Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor inspection apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060139042A1. Автор: Susumu Kasukabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20050196706A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

White defect repairing method and apparatus of photomask, manufacturing method of photomask, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7569313B2. Автор: Shingo Kanamitsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240255714A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Jui-Jen Yueh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for optical mapping of semiconductor wafers at cryogenic temperatures under transmission geometry

Номер патента: US20240201105A1. Автор: Yong Chang,Silviu Velicu,Sushant Sonde,Issac L. Chang. Владелец: Epir Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Device for filter cigarette manufacturing, method of manufacturing filter cigarette and filter cigarette

Номер патента: RU2666307C2. Автор: Хироси САКАМОТО,Такаси КАМИО,Митиаки ТАКАЦУ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2018-09-06.

Holographic flexible tube laminate for packages and method of its production

Номер патента: RU2400369C2. Автор: Суреш Ведпракаш ГУПТА,Джайкумар Рамнат РАЙКАР,Махеш Рагхунат КОДЕ. Владелец: Дзе Пэйпер Продактс Лимитед. Дата публикации: 2010-09-27.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US9417264B2. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: US09910067B2. Автор: William A. Funk,Bryan J. Root. Владелец: Celadon Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing large-size plywood

Номер патента: RU2185957C1. Автор: В.Г. Бирюков,М.И. Балакин,С.Н. Мишков,А.В. Соболев. Владелец: Московский государственный университет леса. Дата публикации: 2002-07-27.

Manufacturing method for contacts of semiconductor device

Номер патента: TW432624B. Автор: Hung-Yuan Tau,Jia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Chiou,Ju-Yun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-01.

Application method of insulation coating on metal wire

Номер патента: RU2511441C1. Автор: Сергей Вячеславович Штепа,Павел Валерьевич Крылов,Владимир Валерьевич Вавилов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Интеллект Альянс". Дата публикации: 2014-04-10.

Method of making indium microcontacts by ion etching

Номер патента: RU2492545C1. Автор: Константин Олегович Болтарь,Михаил Васильевич Седнев,Юрий Павлович Шаронов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Владимирович Кардонов,Богдан Васильевич Трошин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor Device and Method of Forming TSV Semiconductor Wafer with Embedded Semiconductor Die

Номер патента: US20120056312A1. Автор: Pagaila Reza A.,Lin Yaojian,Yoon Seung Uk. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

SEMICONDUCTOR WAFER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20120319171A1. Автор: TAKADA Tomoyuki,YAMANAKA Sadanori. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2012-12-20.

Group III nitride semiconductor manufacturing method and group III nitride semiconductor wafer

Номер патента: JP6183317B2. Автор: 誠二 永井,実希 守山,尚平 久米川,永井　誠二. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-23.

Manufacturing method and apparatus of semiconductor device

Номер патента: JPS55105324A. Автор: Junichi Nishizawa,Keishiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1980-08-12.

Manufacturing method for grid of semiconductor device

Номер патента: CN100517577C. Автор: 张海洋,刘乒,马擎天. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

Method of producing paper backing for medical articles with adhesive layer

Номер патента: SU1534125A1. Автор: Валентина Ивановна Полевая,Валентина Степановна Шапочка,Лариса Ивановна Жукотская,Дина Ливерьевна Цешковская,Людмила Павловна Раскина,Любовь Ивановна Кушакова,Маргарита Дмитриевна Подволоцкая,Ванда Николаевна Горшкова. Владелец: Украинское научно-производственное объединение целлюлозно-бумажной промышленности. Дата публикации: 1990-01-07.

Method of severing a semiconductor wafer

Номер патента: AU4025968A. Автор: EICHMANN and HERMANUS ANTONIUS VANDE PAA JACOBUS. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-01-08.

METHOD OF MARKING SiC SEMICONDUCTOR WAFER AND SiC SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20120223335A1. Автор: TSUCHIYA Noriaki. Владелец: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor Device and Method of Singulating Thin Semiconductor Wafer on Carrier Along Modified Region Within Non-Active Region Formed by Irradiating Energy

Номер патента: US20120286429A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-11-15.

Manufacturing method and structure of semiconductor laser diode

Номер патента: KR940001499A. Автор: 양민. Владелец: 이헌조. Дата публикации: 1994-01-11.

Method of transferring thin film element, manufacturing method, method of manufacturing thin-film device, and electronic apparatus

Номер патента: JP2007088235A. Автор: 泰明 小平,Yasuaki Kodaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

METHOD OF EVALUATING A SEMICONDUCTOR WAFER DICING PROCESS

Номер патента: US20120256180A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor Device and Method of Embedding Bumps Formed on Semiconductor Die into Penetrable Adhesive Layer to Reduce Die Shifting During Encapsulation

Номер патента: US20120261818A1. Автор: Pagaila Reza A.,Lin Yaojian,Koo Jun Mo. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-10-18.

Apparatus and method of heat treating semiconductor wafers

Номер патента: JPH10242155A. Автор: Sohei Tsuji,荘平 辻. Владелец: Koyo Lindberg Ltd. Дата публикации: 1998-09-11.

Method of ultrasonically cleaning semiconductor wafer

Номер патента: JPS55128834A. Автор: Nobuyuki Yamamichi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-10-06.

Method of severing a semiconductor wafer

Номер патента: CA838348A. Автор: Eigeman Jacobus,A. Van De Pas Hermanus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-03-31.

Method of cutting monocrystalline semiconductor wafers

Номер патента: SU823147A1. Автор: Петр Иванович Ременюк,Владимир Георгиевич Фомин,Аркадий Сергеевич Кузнецов,Юрий Васильевич Юшков,Павел Павлович Шитя. Владелец: Государственный Ордена Октябрьскойреволюции Научно-Исследовательскийи Проектный Институт Редкометаллическойпромышленности "Гиредмет". Дата публикации: 1981-04-23.

A method of producing a metal layer with a protective and adhesive layer

Номер патента: CZ307550B6. Автор: Ivo Drašner. Владелец: Ivo Drašner. Дата публикации: 2018-11-28.

Drying method of post-cleaned semiconductor wafer

Номер патента: TW556255B. Автор: Guoqing Chen. Владелец: Semiconductor Mfg Int Shanghai. Дата публикации: 2003-10-01.

Method of severing a semiconductor wafer

Номер патента: AU405698B2. Автор: EICHMANN and HERMANUS ANTONIUS VANDE PAA JACOBUS. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-01-08.

METHODS OF FORMING BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING TWO OR MORE PROCESSED SEMICONDUCTOR STRUCTURES CARRIED BY A COMMON SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS

Номер патента: US20120248622A1. Автор: Sadaka Mariam. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Metalised ceramic substrate for electronic power packs and method of ceramics metalisation

Номер патента: RU2490237C2. Автор: Олег Викторович Медведко,Владимир Федорович Косарев,Юрий Кондратьевич Непочатов,Светлана Аликовна Кумачёва. Владелец: Холдинговая компания "Новосибирский Электровакуумный Завод-Союз" в форме открытого акционерного общества. Дата публикации: 2013-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-12-10.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of multi-layer ice cover for figure-skating

Номер патента: RU2364804C1. Автор: Борис Алексеевич Кузнецов,Галина Юрьевна Гончарова,Михаил Владимирович Загайнов,Надежда Николаевна Калуцких. Владелец: Михаил Владимирович Загайнов. Дата публикации: 2009-08-20.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2556765C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-07-20.

Manufacturing method of corrugated plate for heat exchanger from composite materials

Номер патента: RU2562274C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Евгений Акимович Богачев,Александр Борисович Елаков,Леонид Владимирович Быков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ). Дата публикации: 2015-09-10.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of doping of semiconductor wafers

Номер патента: RU2111575C1. Автор: В.К. Попов,В.М. Белоусов,Ю.И. Прохоров,Ю.В. Шленов,М.М. Якункин. Владелец: Московский государственный институт электроники и математики. Дата публикации: 1998-05-20.

Carrier for dump transfer of semiconductor wafers

Номер патента: RU2357322C1. Автор: Галина Валериановна Скорова,Татьяна Кузьминична Взнуздаева,Татьяна Ильинична Комарова,Ольга Ивановна Каретникова. Владелец: Ольга Ивановна Каретникова. Дата публикации: 2009-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.