Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • MANUFACTURING METHOD AND SUPPORT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

MANUFACTURING METHOD AND SUPPORT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210280416A1
Опубликовано: 09-09-2021
Автор(ы): MIGITA Tatsuo
Принадлежит: Kioxia Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method and apparatus for reproducing component of semiconductor manufacturing apparatus, and reproduced component

Номер патента: US20170345624A1. Автор: Ki Won Kim,Won Pyo HONG,Hyeong Uk Roh,Jong Sung Yun. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Insulating film for semiconductor device, manufacturing method and manufacturing apparatus for insulating film for semiconductor device, semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5330747B2. Автор: 直紀 保田,哲也 山本,輝彦 熊田,年彦 西森,英治 信時,卓也 神山,正 嶋津,秀考 加福,敏人 藤原,慎弥 柴田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Method of forming oxide layer using atomic layer deposition method and method of forming capacitor of semiconductor device using the same

Номер патента: US7151039B2. Автор: Jae-hyun Yeo,In-sung Park,Yun-jung Lee,Ki-yeon Park,Gi-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-19.

The manufacturing method of gas supply nozzle, substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN109943827A. Автор: 赤江尚德,高木康祐,山腰莉早,南政克,笹岛亮太,小仓慎太郎,藤野敏树,寺崎昌人. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-06-28.

Manufacture method, annealing device and the storage medium of semiconductor device

Номер патента: CN107507768A. Автор: 冈田充弘. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-22.

The manufacturing method of silicon carbide substrate, the manufacturing method of silicon carbide substrate and manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110462112A. Автор: 黑岩丈晴,古庄智明,田中贵规,宇治原徹,原田俊太,村山健太. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2019-11-15.

The manufacturing method and recording medium of substrate processing device, semiconductor devices

Номер патента: CN109075020A. Автор: 野上孝志,谷山智志,上村大义. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2018-12-21.

The manufacturing method and recording medium of substrate processing device, semiconductor devices

Номер патента: CN110265322A. Автор: 野上孝志,谷山智志,上村大义. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-09-20.

Method and apparatus for reproducing component of semiconductor manufacturing apparatus, and reproduced component

Номер патента: US20170345624A1. Автор: Ki Won Kim,Won Pyo HONG,Hyeong Uk Roh,Jong Sung Yun. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160047046A1. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09920425B2. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Method and Apparatus for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090253229A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor device manufacturing method and substrate processing method including a cleaning method

Номер патента: US09546422B2. Автор: Tetsuaki Inada,Yoshihiko Yanagisawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027367B2. Автор: Masayuki Kitamura,Takayuki Beppu,Tomotaka Ariga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Structure for relaxed SiGe buffers including method and apparatus for forming

Номер патента: US09752224B2. Автор: Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates

Номер патента: EP1117968A1. Автор: Stephen E. Savas,Brad S. Mattson,Stewart K. Griffiths,Robert H. Nilson. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-25.

Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates

Номер патента: WO2000012945A1. Автор: Stephen E. Savas,Brad S. Mattson,Stewart K. Griffiths,Robert H. Nilson. Владелец: Sandia Corporation. Дата публикации: 2000-03-09.

Nitride semiconductor crystal, manufacturing method of the nitride semiconductor freestanding substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN102154704A. Автор: 藤仓序章. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2978600B1. Автор: Michel Bruel. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2014-02-07.

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2978600A1. Автор: Michel Bruel. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-02-01.

Method and apparatus for measuring temperature of semiconductor layer

Номер патента: US09823132B2. Автор: YVES Lacroix. Владелец: YSystems Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and apparatus for measuring temperature of semiconductor layer

Номер патента: CA2837164C. Автор: YVES Lacroix. Владелец: YSystems Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and apparatus for reducing fixed charge in semiconductor device layers

Номер патента: US6441466B1. Автор: Randhir P. S. Thakur,Howard E. Rhodes,Ravi Iyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-27.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Epitaxy susceptor, epitaxy growth apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240191393A1. Автор: Gongbai Cao,Shuai Pan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240313151A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Cleaning composition, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20240209284A1. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacture method, lining processor and the recording medium of semiconductor devices

Номер патента: CN104885201B. Автор: 大桥直史. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-09-22.

Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates

Номер патента: TW428250B. Автор: Stephen E Savas,Stewart K Griffiths,Brad S Mattson,Robert H Nilson. Владелец: Mattson Tech Inc. Дата публикации: 2001-04-01.

Manufacture method, lining processor and the recording medium of semiconductor devices

Номер патента: CN107924829A. Автор: 清野笃郎,小川有人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-17.

The manufacturing method of plasma processing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device

Номер патента: CN109308987A. Автор: 吉水康人,安井祐之. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

The manufacturing method and recording medium of substrate board treatment, semiconductor device

Номер патента: CN109314046A. Автор: 佐佐木伸也,道田典明. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Substrate-treating method and apparatus, and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: JP2003218082A. Автор: Takeshi Takahashi,高橋　　毅,博 神力,真太郎 青山,Shintaro Aoyama,Hiroshi Jinriki,真信 井下田,Masanobu Igeta. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

manufacturing method of low-k plasma polymerized thin films and semiconductor devices using them

Номер патента: KR100371691B1. Автор: 정동근. Владелец: 정동근. Дата публикации: 2003-02-06.

Method and apparatus for measuring temperature of semiconductor layer

Номер патента: KR101834034B1. Автор: 라크로와 이브. Владелец: 유우겐가이샤 와이시스템즈. Дата публикации: 2018-03-02.

Method and apparatus for reducing fixed charge in semiconductor device layers

Номер патента: US6864561B2. Автор: Randhir P. S. Thakur,Howard E. Rhodes,Ravi Iyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-08.

Method and apparatus for reducing fixed charge in semiconductor device layers

Номер патента: US20040119096A1. Автор: Howard Rhodes,Randhir Thakur,Ravi Iyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Gas tube, gas supply system and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US12037687B2. Автор: Cheng-Yi Huang,Shou-Wen Kuo,Yi-Shiung Chen,Chih-shen Yang,Po-Wen Chai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

A thermoconducting silicone composition, its curing product and installation method, and a heat dissipating structure of a semiconductor device using same

Номер патента: EP1319690A3. Автор: Kunihiro Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Yamada,Hiroaki Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Tetsuka,Kunihiko Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Mita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device manufacturing method and method for reducing microroughness of semiconductor surface

Номер патента: CN101379597B. Автор: 大见忠弘,森永均. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device manufacturing method and method for reducing microroughness of semiconductor surface

Номер патента: EP1988567A1. Автор: Tadahiroc/o Tohoku University OHMI,Hitoshic/o Tohoku University MORINAGA. Владелец: Foundation for Advancement of International Science. Дата публикации: 2008-11-05.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

System for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US09640425B2. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

The manufacturing method and recording medium of substrate board treatment, semiconductor device

Номер патента: CN109196623A. Автор: 广地志有,柳泽爱彦. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

METHOD AND APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING EPITAXIAL MOLECULAR BEAM TREATMENT

Номер патента: FR2579824A1. Автор: Toshiro Hayakawa,Kohsei Takahashi,Takahiro Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-10-03.

Method and apparatus for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100248628B1. Автор: 최용규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method and structure for bonding layers in a semiconductor device

Номер патента: EP1049150B1. Автор: Min Cao,Dietrich W. Vook,Jeremy A. Theil,Gary W. Ray. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-06-23.

Methods and apparatus for edge chamfering of semiconductor wafers using chemical mechanical polishing

Номер патента: US8562849B2. Автор: Jonas Bankaitis,Michael John Moore,Jeffery Scott Stone,Paul Jeffrey Williamson,Chunhe Zhang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Methods and Apparatus for Edge Chamfering of Semiconductor Wafers Using Chemical Mechanical Polishing

Номер патента: US20110130002A1. Автор: Jonas Bankaitis,Michael John Moore,Jeffery Scott Stone,Paul Jeffrey Williamson,Chunhe Zhang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Methods and apparatus for edge chamfering of semiconductor wafers using chemical mechanical polishing

Номер патента: KR20120109536A. Автор: 춘헤 장,조나스 반카이티스,미카엘 제이. 무어,제프리 에스. 스톤,폴 제이. 윌리암슨. Владелец: 코닝 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-10-08.

Method and apparatus for surface treatment of semiconductor substrates using sequential chemical applications

Номер патента: US20100018553A1. Автор: Katrina Mikhaylichenko,Dragan Podlesnik,Yizhak Sabba. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Substrate processing method and apparatus, and fabrication process of a semiconductor device

Номер патента: KR20070096973A. Автор: 요시히로 나카타,겐지 이시카와,히데노리 미요시,유키오 다키가와,히데키 다테이시. Владелец: 후지쯔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-10-02.

Substrate processing method and apparatus, and fabrication process of a semiconductor device

Номер патента: KR100847917B1. Автор: 요시히로 나카타,겐지 이시카와,히데노리 미요시,유키오 다키가와,히데키 다테이시. Владелец: 후지쯔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-07-22.

Method and apparatus for laser heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: CN1304548A. Автор: 时冈秀忠,宫坂光敏,笹川智广,井上满夫,小川哲也,佐藤行雄. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-07-18.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11631694B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272979A1. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240266222A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09799572B2. Автор: Takehiro Oura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160322231A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041765B2. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088486A1. Автор: Lu-Ping chiang,Chun-Hsu Chen,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120225498A1. Автор: Kiyotaka Miyano,Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-06.

Method for preparing substrate using germanium condensation process and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US09825151B2. Автор: Jea Gun Park,Seung Hyun Song,Du Yeong LEE,Tea Hun SHIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-11-21.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10804286B2. Автор: Takuya INATSUKA,Kazuhide Takamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09947715B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Method and apparatus for the assembly of semiconductor devices

Номер патента: CA1086430A. Автор: Terry W. Noe. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-09-23.

Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Номер патента: US20200357763A1. Автор: Daniel Richter,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Номер патента: US20220157755A1. Автор: Daniel Richter,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method and system for packing optimization of semiconductor devices

Номер патента: US11239192B2. Автор: Daniel Richter,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Номер патента: US20180247909A1. Автор: Daniel Richter,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Method and system for packing optimization of semiconductor devices

Номер патента: US11916033B2. Автор: Daniel Richter,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and device for the integration of semiconductor wafers

Номер патента: MY197514A. Автор: OSTHOLT Roman,Ambrosius Norbert. Владелец: LPKF LASER & ELECTRONICS AG. Дата публикации: 2023-06-19.

Method and device for the integration of semiconductor wafers

Номер патента: US20200266152A1. Автор: Norbert Ambrosius,Roman Ostholt. Владелец: LPKF Laser and Electronics AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Method and apparatus for surface texturing of semiconductor substrate

Номер патента: WO2019223805A1. Автор: Wolfgang Jooss,Peter Fath,Ihor Melnyk,Jan JUNG-KOENIG,Andreas TEPPPE,Sukumar MADUGULA. Владелец: RCT SOLUTIONS GmbH. Дата публикации: 2019-11-28.

Methods and apparatus for integrating carbon nanofiber into semiconductor devices using w2w fusion bonding

Номер патента: US20230343673A1. Автор: Wei Zhou,Bret K. Street,Amy R. Griffin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods and apparatus for integrating carbon nanofiber into semiconductor devices using w2w fusion bonding

Номер патента: US20230343672A1. Автор: Wei Zhou,Bret K. Street,Amy R. Griffin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method and device for precise alignment of semiconductor chips on a substrate

Номер патента: US6127254A. Автор: Hans Wiedemann,Otto Torreiter,Ulrich Diebold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and apparatus for controlling distribution sequence for semiconductor device, and storage medium

Номер патента: US20230136141A1. Автор: FANG Wang,Chunyang WANG,Yuming Wang,Zhenxing LI,San-Chen Chen,Chen-Hua Shen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A3. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: Darwin Gene Enicks. Дата публикации: 2008-10-30.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods and systems for manufacturing pillar structures on semiconductor devices

Номер патента: US11735549B2. Автор: Wayne H. Huang,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva,Adriel Jebin Jacob Jebaraj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods and systems for manufacturing pillar structures on semiconductor devices

Номер патента: US20210343670A1. Автор: Wayne H. Huang,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva,Adriel Jebin Jacob Jebaraj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods and systems for manufacturing pillar structures on semiconductor devices

Номер патента: US20200211993A1. Автор: Wayne H. Huang,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva,Adriel Jebin Jacob Jebaraj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Process recipe, method and system for generating same, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20230221702A1. Автор: Shaowen QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543145B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Junichi Koezuka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09466484B1. Автор: Shih-Ming Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,I-Lun Hung,Lan-Ping Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09530806B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09978878B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device with steps of heat treatment in nitrogen containing atmosphere, oxygen doping treatment and heat treatment in oxygen containing atmosphere

Номер патента: US09373707B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160358787A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200350168A1. Автор: Sun Young Kim,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09779937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09698017B2. Автор: Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685330B1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905641B2. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Jung-Chi Tai,Yen-Ru LEE,Lilly SU,Heng-Wen Ting,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, superconducting device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768372B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Hisao Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041766B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240014272A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Takashi Ushijima,Jun Kojima,Seiya Hasegawa,Chiaki Sasaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US20170062269A1. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US09735046B2. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device manufacturing method and pattern forming method

Номер патента: US09685331B1. Автор: Yusuke KASAHARA,Ayako KAWANISHI,Hiroki YONEMITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09640439B2. Автор: Jianhua Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

The manufacturing method of cutting belt, cutting die bonding film and semiconductor device

Номер патента: CN109207077A. Автор: 高本尚英,杉村敏正,三木香,大西谦司,木村雄大,小坂尚史,靏泽俊浩,赤泽光治. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Manufacturing method of dicing tape, dicing die bond film, and semiconductor device

Номер патента: JP7041475B2. Автор: 謙司 大西,尚英 高本,敏正 杉村,光治 赤沢,雄大 木村,俊浩 ▲鶴▼澤,尚史 小坂,香 溝端. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method and device for heat treatment of semiconductor wafers for detaching layers, comprises steps with input of basic heat balance and additional heat balance

Номер патента: FR2847714A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Jean Marc Waechter. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2004-05-28.

Polishing method and polishing system, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2003098673A1. Автор: Shuzo Sato,Takeshi Nogami,Naoki Komai,Kaori Tai,Hiroshi Horikoshi,Shingo Takahashi,Hiizu Ohtorii. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-11-27.

Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices

Номер патента: US6395152B1. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices

Номер патента: CA2336851A1. Автор: HUI Wang. Владелец: Acm Research, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices

Номер патента: KR100465894B1. Автор: 후 왕. Владелец: 에이씨엠 리서치, 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-01-13.

Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices

Номер патента: US20040256245A1. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: EP3378092A1. Автор: Stefan Michael Bruno BÄUMER,Erwin John Van Zwet,Hamed Sadeghian Marnani,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-09-26.

Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20180329312A1. Автор: Stefan Michael Bruno BÄUMER,Erwin John Van Zwet,Hamed Sadeghian Marnani,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-11-15.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Method and apparatus for parallel testing of semiconductor devices

Номер патента: US20120290245A1. Автор: Ryan Clarke,Yoram Schwarz. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Method and device of preventing delamination of semiconductor layers

Номер патента: US20100276788A1. Автор: Ajay Jain. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Radiation tolerant dummy gate-assisted n-mosfet, and method and apparatus for modeling channel of semiconductor device

Номер патента: US20150001596A1. Автор: Min-Su Lee,Hee-Chul Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-01-01.

Method and apparatus to facilitate testing of printed semiconductor devices

Номер патента: WO2007050428A2. Автор: Jie Zhang,Krishna D. Jonnalagadda,Krishna Kalyanasundaram,Daniel R. Gamota,Paul W. Brazis. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2007-05-03.

Method and apparatus to facilitate testing of printed semiconductor devices

Номер патента: WO2007050428A3. Автор: Jie Zhang,Krishna Kalyanasundaram,Paul W Brazis,Daniel R Gamota,Krishna D Jonnalagadda. Владелец: Krishna D Jonnalagadda. Дата публикации: 2008-10-23.

Method and apparatus to facilitate testing of printed semiconductor devices

Номер патента: EP1949066A2. Автор: Jie Zhang,Krishna D. Jonnalagadda,Krishna Kalyanasundaram,Daniel R. Gamota,Paul W. Brazis. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Method and apparatus for inspecting marking of semiconductor package

Номер патента: WO2006132484A1. Автор: Ssang-Gun Lim,Seung-Bong Yoo,Min-Gu Kang,Hyo-Joong Lee. Владелец: Intekplus Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-12-14.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and structure for reducing resistance of a semiconductor device feature

Номер патента: US6943416B2. Автор: Yongjun J. Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-13.

Method and apparatus for fabrication of thin film semiconductor devices using non-planar, exposure beam lithography

Номер патента: CA2089240C. Автор: Stephen C. Jacobsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-14.

Method and system for generating layout diagram for semiconductor device having engineering change order (eco) cells

Номер патента: US20210224444A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Chi-Yu Lu,Mao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method and system for generating layout diagram for semiconductor device having engineering change order (ECO) cells

Номер патента: US11842131B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Chi-Yu Lu,Mao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method and system for generating layout diagram for semiconductor device having engineering change order (eco) cells

Номер патента: US20200302101A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Chi-Yu Lu,Mao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Quantum dots having composition gradient shell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008038970A1. Автор: Hyuck Hur,Kookheon Char,Seong Hoon Lee,Wan Ki BAE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-04-03.

Method and system for the synthesis of semiconductor nanowires

Номер патента: US20100317176A1. Автор: Kevin M. Ryan,Christopher Barrett. Владелец: University of Limerick. Дата публикации: 2010-12-16.

The pellicle film, pellicle frame, pellicle, manufacturing method thereof, photomask, exposure apparatus, the method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20220165812A. Автор: 가즈오 고무라,요스케 오노,아츠시 오쿠보,아츠코 세키구치,유이치 가토,다케오 야마다. Владелец: 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지. Дата публикации: 2022-12-15.

The pellicle film, pellicle frame, pellicle, manufacturing method thereof, photomask, exposure apparatus, the method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20220162888A. Автор: 가즈오 고무라,요스케 오노,아츠시 오쿠보,아츠코 세키구치,유이치 가토,다케오 야마다. Владелец: 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지. Дата публикации: 2022-12-08.

Thermoconducting silicone composition, its curing product and installation method, and a heat dissipating structure of a semiconductor device using same

Номер патента: US6884660B2. Автор: Kunihiro Yamada,Hiroaki Tetsuka,Kunihiko Mita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Heat conductive sheet, manufacturing method of heat conductive sheet, heat dissipation member and semiconductor device

Номер патента: JP6813641B2. Автор: 俊介 内田,紘希 金谷,荒巻　慶輔,慶輔 荒巻,信一 内田,グプタ リシャブ. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Method and means for the manufacture of semiconductor materials

Номер патента: FR1141561A. Автор: Jacques-Marie-Noel Hanlet. Владелец: CEDEL. Дата публикации: 1957-09-04.

Method and devices for the production of semiconductor bodies

Номер патента: FR1134147A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1957-04-08.

Organic siloxane copolymer film, method and deposition apparatus for producing same, and semiconductor device using such copolymer film

Номер патента: CN100524647C. Автор: 林喜宏. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

A thermoconducting silicone composition, its curing product and installation method, and a heat dissipating structure of a semiconductor device using same

Номер патента: EP1319690B1. Автор: Kunihiro Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Yamada,Hiroaki Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Tetsuka,Kunihiko Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Mita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-04.

Thermoconducting silicone composition, its curing product and installation method, and a heat dissipating structure of a semiconductor device using the same

Номер патента: TWI258495B. Автор: Kunihiro Yamada,Hiroaki Tetsuka,Kunihiko Mita. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2006-07-21.

Manufacturing method and apparatus for electronic component

Номер патента: EP4400635A1. Автор: Cao Yu,Gangqiang DONG. Владелец: Suzhou Maxwell Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Manufacturing method and apparatus for electronic component

Номер патента: US20240254646A1. Автор: Cao Yu,Gangqiang DONG. Владелец: Suzhou Maxwell Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12107030B2. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020160613A1. Автор: Hirokazu Sayama,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Cured product production method, laminate production method, semiconductor device manufacturing method, and processing liquid

Номер патента: EP4398289A1. Автор: Atsushi Nakamura,Naoki Sato,Atsuyasu Nozaki,Misaki TAKASHIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacturing method for semiconductor film, photodetector element, image sensor, and semiconductor film

Номер патента: US20220393126A1. Автор: Masahiro Takata,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Plating defects estimating method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240282643A1. Автор: Toshihito Tabata,Reo Kobayashi,Kanya HAMADA. Владелец: Hitachi Power Seemiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220310617A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for the assembly of semiconductor devices

Номер патента: PH9927A. Автор: T Noe. Владелец: T Noe. Дата публикации: 1976-06-14.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4167276A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-04-19.

Mass transfer of semiconductor die using transfer elements

Номер патента: US20230402310A1. Автор: Robert Wilcox,Joseph G. Sokol,David Suich,Colin Blakely,Michael Check,Andre Pertuit. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

A semiconductor device and a manufacturing method for a metal-insulator-metal capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100431810B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

Method and apparatus for mass production of semiconductor devices

Номер патента: IL25951A. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1970-07-19.

A taped semiconductor device, a method and an apparatus for producing the same

Номер патента: WO2016064351A1. Автор: Wansheng Lin. Владелец: Super Components (Singapore) Pte Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Manufacture method, substrate board treatment and the program of semiconductor device

Номер патента: CN107924826A. Автор: 广地志有,山口英人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor component manufacturing method, involves filling gap between upper side of semiconductor chip and upper side of carrier with plastic mass, where edge sides and back side of chip are embedded in gap

Номер патента: DE102005057400A1. Автор: Edward Dipl.-Ing. Fürgut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor integrated circuit chip provided with semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: JP5010589B2. Автор: イェー ポウラック バートロメイ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100108979A1. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method and apparatus for back end of line semiconductor device processing

Номер патента: US09613854B2. Автор: Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Pei-Yin Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

METHOD AND DEVICE FOR DRYING SURFACES OF SEMICONDUCTOR PLATES WITH MULTIPLE LOCATED NEAR SURFACES OF INLET AND OUTLET PLATES

Номер патента: RU2004113416A. Автор: Джон М. ДЕ-ЛАРИОС,Джеймс П. ГАРСИА,Карл ВУДС,Майк РАВКИН,Фритц РЕДЕКЕР,Джон БОЙД,Афшин НИКХАУ,Джон М. ДЕ-ЛАРИОС (US),Джеймс П. ГАРСИА (US),Карл ВУДС (US),Майк РАВКИН (US),Фритц РЕДЕКЕР (US),Джон БОЙД (US),Афшин НИКХАУ (US). Владелец: Лам Рисерч Корпорейшн (Us). Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device manufacturing method capable of reliable inspection for hole opening and semiconductor devices manufactured by the method

Номер патента: US20030073257A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device manufacturing method capable of reliable inspection for hole opening and semiconductor devices manufactured by the method

Номер патента: TW527677B. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-11.

Method and apparatus for the mounting of semiconductor chips

Номер патента: TWI270158B. Автор: Felix Leu. Владелец: Esec Trading Sa. Дата публикации: 2007-01-01.

Method and apparatus for back end of line semiconductor device processing

Номер патента: US09627250B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including air gap

Номер патента: US8071971B2. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Aqueous hydrofluoric acid vapor processing of semiconductor wafers

Номер патента: US5332445A. Автор: Eric J. Bergman. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 1994-07-26.

Apparatus and methods for microwave processing of semiconductor substrates

Номер патента: WO2012148621A4. Автор: Stephen Moffatt,Wolfgang R. Aderhold,Michael W. Stowell,Ralf Hofmann,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

Method and system for pre-heating of semiconductor material for laser annealing and gas immersion laser doping

Номер патента: WO2012178037A2. Автор: Bernhard Piwczyk. Владелец: IPG Photonics Corporation. Дата публикации: 2012-12-27.

Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft x-ray diffraction

Номер патента: WO2019014283A1. Автор: Michael Friedmann,Oleg KHODYKIN,Andrei Shchegrov,Alexander Kuznetsov,Daniel Wack,Nikolay ARTEMIEV. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-17.

Method and Apparatus for Dynamic Alignment of Semiconductor Devices

Номер патента: US20150063969A1. Автор: Khoo Nee Wan,Groeninger Horst. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD AND APPARATUS FOR DIRECT TRANSFER OF SEMICONDUCTOR DEVICE DIE FROM A MAPPED WAFER

Номер патента: US20180261581A1. Автор: Huska Andrew,Peterson Cody,Adams Clinton,Kupcow Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Method and apparatus for process control of semiconductor device fabrication line

Номер патента: KR100368567B1. Автор: 사다도시히로,오리모토준지. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-01-24.

Method and apparatus for the assembly of semiconductor device

Номер патента: KR780000595B1. Автор: Wayne Noe Terry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-11-23.

METHOD AND APPARATUS FOR ANNEALING TREATMENT OF SEMICONDUCTOR DEVICES.

Номер патента: FR2670950B1. Автор: Gay Henri,Griot Denis,Pages Irenee. Владелец: Motorola Semiconducteurs SA. Дата публикации: 1993-04-16.

Manufacturing method of capacitor having cylindric storage node structure for semiconductor device

Номер патента: KR100486231B1. Автор: 김병철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

The manufacturing method of substrate board treatment, temperature measurement unit and semiconductor devices

Номер патента: CN108780753A. Автор: 油谷幸则,桧山真. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2018-11-09.

Manufacturing method of lead-wire frame and resin sealing type semiconductor device

Номер патента: CN1291789A. Автор: 南尾匡纪,安达修. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2001-04-18.

METHODS AND DEVICES OF LAMINATED INTEGRATIONS OF SEMICONDUCTOR CHIPS, MAGNETICS, AND CAPACITANCE

Номер патента: US20160172310A1. Автор: Zhai Jerry Zhijun. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Method and device for electrolytic doping of semiconductor compounds with indium and gallium

Номер патента: RU2645902C2. Автор: Мария Петровна Зяблицева,Екатерина Владимировна Мамонтова,Михаил Сергеевич Поярков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Вятская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГБОУ ВО Вятская ГСХА). Дата публикации: 2018-02-28.

Method and device for the integration of semiconductor wafers

Номер патента: US20200266152A1. Автор: Norbert Ambrosius,Roman Ostholt. Владелец: LPKF Laser and Electronics AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Method and appartus for inspecting defect of semiconductor deveic by calculating multiple scan of varied e-beam conduction to originate intergrated pattern image

Номер патента: KR20100061018A. Автор: 김영남,양유신,조형석,김종안,신지영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-06-07.

Method and apparatus for supercritical drying of semiconductor substrate

Номер патента: JP5985156B2. Автор: 島 孝 之 戸,島 孝 之 戸,田 寛 冨,岡 一 行 光,岡 一 行 光,野 広 基 大,野 広 基 大,居 武 彦 折,居 武 彦 折,元 楊,藤 洋 平 佐,藤 洋 平 佐,口 寿 史 大,口 寿 史 大,田 寛 冨,秀 和 林,秀 和 林,島 由貴子 北,島 由貴子 北,下 光 秋 岩,下 光 秋 岩. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and device for shaping surfaces of semiconductors

Номер патента: EP1148983B1. Автор: Torsten Wipiejewski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-13.

Method and apparatus for thermal treatment of semiconductor workpieces

Номер патента: US20100240226A1. Автор: HUI Wang,Chuan He,Yue Ma,Voha Nuch,Zhenxu Pang. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

The forming method and its processing unit (plant) of semiconductor structure

Номер патента: CN107919296A. Автор: 穆钰平,陈世杰,黄晓橹,武海亮. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and apparatus for thermal treatment of semiconductor workpieces

Номер патента: TWI364075B. Автор: Chuan He,David Wang,Yue Ma,Voha Nuch,Zhenxu Pang. Владелец: Acm Res Shanghai Inc. Дата публикации: 2012-05-11.

Method and device for shaping surfaces of semiconductors

Номер патента: WO2000041221A3. Автор: Torsten Wipiejewski. Владелец: Torsten Wipiejewski. Дата публикации: 2000-11-02.

Method and apparatus for heat treatment of semiconductor films

Номер патента: EP1271620A1. Автор: Hyoung June Kim. Владелец: Hyoung June Kim. Дата публикации: 2003-01-02.

Well preparation method and well injection photomask set of semiconductor integrated device

Номер патента: CN111430307B. Автор: 李庆民,蒲甜松,陈信全. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-25.

Method and apparatus for wet treatment of semiconductor wafer

Номер патента: CN1198001A. Автор: 中谷典一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-04.

Protection tape cutting method and protection tape cutting apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: JP2009125871A. Автор: Masayuki Yamamoto,雅之 山本,幸敏 長谷,Yukitoshi Hase,Yasuharu Kaneshima,安治 金島. Владелец: Nitto Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method and apparatus for thermal treatment of semiconductor workpieces

Номер патента: WO2009026765A1. Автор: Chuan He,David Wang,Yue Ma,Voha Nuch,Zhenxu Pang. Владелец: ACM Research (Shanghai) Inc.. Дата публикации: 2009-03-05.

Surface defect analysis method and bulk defect analysis method of semiconductor wafer

Номер патента: KR100541514B1. Автор: 조성훈,정재경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-14.

Method and device for heat-treatment of semiconductor substrate

Номер патента: JPS56146228A. Автор: Keiichi Kagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-13.

Method and apparatus for measuring temperature of semiconductor wafer

Номер патента: TW200525677A. Автор: Tetsuo Suzuki,Naoki Akiba. Владелец: Digital Network Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

Method and apparatus for molding a semiconductor device

Номер патента: US20050287236A1. Автор: Yi Lin,Shu Ho,Teng Kuah,Chun Li,Zhi Zhang,Shuai Lee. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2005-12-29.

Adsorbing device, sucker and mounting device for conductive member, adsorbing method and mounting method for conductive member, and semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20030080424A1. Автор: Tomoyuki Shindo,Masakuni Shiozawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Determining electrical defects in semiconductor devices

Номер патента: GB2372629A. Автор: Hyo-cheon Kang,Deok-yong Kim,Yang-Hyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-28.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20200006120A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method and apparatus for generating a plasma and semiconductor device fabrication method and apparatus

Номер патента: EP1134773B1. Автор: Masayoshi Murata,Hideo Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Yamakoshi,Koji Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Satake,Yoshiaki Mitsubishi Heavy IndustriesLtd Takeuchi,Hiroshi Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Mashima,Tatsufumi Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Aoi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20160005648A1. Автор: Lee Ming-Han,Lee Hsiang-Huan,YEH Ching-Fu,YANG Shin-Yi,Liou Pei-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20200006120A1. Автор: SHIEH JYU-HORNG,Ting Chih-Yuan,WU Chung-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20140264926A1. Автор: SHIEH JYU-HORNG,Ting Chih-Yuan,WU Chung-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and structure to reduce cell width in semiconductor device

Номер патента: US20210225768A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20170221816A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20140367857A1. Автор: Lee Hsiang-Huan,YEH Ching-Fu,YANG Shin-Yi,Lee Ming Han,Liou Pei-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices

Номер патента: US10410905B1. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2019-09-10.

Methods and structures for customized STI structures in semiconductor devices

Номер патента: US8629514B2. Автор: Yimin Wang. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-01-14.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: CN101548370A. Автор: 达尔文·吉恩·伊尼克斯. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Methods and apparatus for inducing stress in a semiconductor device

Номер патента: US6806151B2. Автор: Christoph Wasshuber,Keith A. Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-19.

Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication

Номер патента: US20050232728A1. Автор: Michael Rice,Jun Zhao,Claes Björkman,Kenneth Collins,Thomas Miu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A2. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-06-12.

Method and structure to improve thermal dissipation from semiconductor devices

Номер патента: US7468886B2. Автор: David C. Long,David L. Edwards,Patrick A. Coico,Richard F. Indyk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-23.

Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication

Номер патента: US20080283387A1. Автор: Jun Zhao,Kenneth S. Collins,Michael R. Rice,Thomas Miu,Claes H. Bjorkman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09679770B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09337206B2. Автор: Guanhua LI,Haewan YANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device, capacitor device and manufacture method of capacitor device

Номер патента: US20220077133A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device, capacitor device and manufacture method of capacitor device

Номер патента: US11749669B2. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10103082B2. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180005915A1. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100233853A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060030111A1. Автор: Satoshi Onai,Shinobu Teranaka. Владелец: Gifu Sanyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor structures and manufacturing methods

Номер патента: CA1212181A. Автор: Michael G. Adlerstein. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1986-09-30.

Image projection method, semiconductor device manufacturing method using the same and projection exposure apparatus for semiconductor device manufacture

Номер патента: KR960008501B1. Автор: Akiyoshi Szuki. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1996-06-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11508731B1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Method and apparatus for determining quality of semiconductor chip

Номер патента: US20240337607A1. Автор: Kenichi Ikeda. Владелец: OPTO SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320079A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for mapping of semiconductor materials

Номер патента: WO1994022027A1. Автор: Ian Christopher Mayes,John Stuart Roberts,Richard Charles Tozer,Ian Leslie Freeston,Anthony Charles Gorvin,François Jean DJAMDJI,Stephen Richard Blight. Владелец: Bio-Rad Microscience Limited. Дата публикации: 1994-09-29.

The manufacturing method and semiconductor light-emitting elements of semiconductor light-emitting elements

Номер патента: CN105453278B. Автор: 门胁嘉孝. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

METHOD OF DETERMINING AN OVERLAY ERROR, MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING OF A MULTILAYER SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20180329312A1. Автор: Van Zwet Erwin John,Sadeghian Marnani Hamed,Kuiper Stefan,Bäumer Stefan Michael Bruno. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

The manufacturing method of the stacking polysilicon grating structure of semiconductor devices

Номер патента: CN109216438A. Автор: 祁树坤. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Methods and systems for compact, small spot size soft x-ray scatterometry

Номер патента: EP4248194A1. Автор: David Y. Wang,Michael Friedmann,Kerstin PURRUCKER. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Methods and apparatus of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09659890B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Fu Tsai,Ming-Song Sheu,Ru-Ying Huang,Yian-Liang Kuo,Chia-Wei Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Contact of electro static discharge device and semiconductor device and manufacturing method of contact for electro static discharge device and semiconductor device

Номер патента: KR100940649B1. Автор: 이완기. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-02-05.

Contact of electro static discharge device and semiconductor device and manufacturing method of contact for electro static discharge device and semiconductor device

Номер патента: KR100940650B1. Автор: 이완기. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-02-05.

Method and device for wire bonding of semiconductor device

Номер патента: JPS5753952A. Автор: Takao Fujizu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-03-31.

RADIATION TOLERANT DUMMY GATE-ASSISTED N-MOSFET, AND METHOD AND APPARATUS FOR MODELING CHANNEL OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150001596A1. Автор: Lee Hee-Chul,Lee Min-Su. Владелец: Korea Advanced Institute of Sciene And Technology. Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD AND STRUCTURE OF PANELIZED PACKAGING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150008566A1. Автор: AOYA KENGO,Poddar Anindya,Gerber Mark A.,Masumoto Kenji,MATSUURA Masamitsu,MASUMOTO Mutsumi,Onogami Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Номер патента: US20180047692A1. Автор: Richter Daniel,Rinne Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Номер патента: US20180247909A1. Автор: Richter Daniel,Rinne Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Номер патента: US20200357763A1. Автор: Richter Daniel,Rinne Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method and apparatus for wire bonding of semiconductor device

Номер патента: JPS5982736A. Автор: Yutaka Hojo,北城　豊. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-12.

Method and apparatus for automatic inspection of semiconductor device

Номер патента: WO1996009556A1. Автор: Koichi Tanaka,Katsumi Kojima,Takeshi Onishi,Tadashi Kainuma,Kuniaki Bannai,Naruhito Yamada. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 1996-03-28.

Method and apparatus for detecting failures of semiconductor device using laser scan

Номер патента: KR100683386B1. Автор: 유흥열. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Concentration measuring method and impurity concentration measuring method of semiconductor device using the same

Номер патента: JP4179965B2. Автор: 善 鎔 崔,忠 森 全,光 洙 金,慶 洙 申,正 鉉 崔,東 春 李,兌 慶 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-12.

Method and apparatus for electrical isolation of semiconductor device

Номер патента: US7501699B2. Автор: Rajiv Mongia,Efraim Rotem,Paul Gauché,Alex Waizman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Method and apparatus for parallel testing of semiconductor devices

Номер патента: WO2012154951A1. Автор: Ryan Clarke,Yoram Schwarz. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-11-15.

Method and system for controlling manufacturing of semiconductor devices

Номер патента: TW202028696A. Автор: 波亞茲 布里,波瑞斯 雪曼,伊格 托羅維絲. Владелец: 以色列商諾發測量儀器股份有限公司. Дата публикации: 2020-08-01.

Method And Apparatus For Inspecting Marking Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100748628B1. Автор: 강민구,임쌍근,이효중,유승봉. Владелец: (주) 인텍플러스. Дата публикации: 2007-08-10.

Manufacturing method of chip packaging structure, chip packaging structure and semiconductor device

Номер патента: CN110544638A. Автор: 简永幸,矫云超. Владелец: Xiamen Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2019-12-06.

Method and apparatus for analyzing failure of semiconductor wafer

Номер патента: US5828778A. Автор: Toshio Hagi,Kazuki Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-27.

Methods and systems for compact, small spot size soft x-ray scatterometry

Номер патента: WO2022132521A1. Автор: David Y. Wang,Michael Friedmann,Kerstin PURRUCKER. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods and systems for compact, small spot size soft x-ray scatterometry

Номер патента: US12013355B2. Автор: David Y. Wang,Michael Friedmann,Kerstin PURRUCKER. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

METHOD AND APPARATUS FOR ENHANCED PHOTOCONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20210159357A1. Автор: Frazier Gary A.,Grosse Kyle L.. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Method and apparatus for determining emissivity of semiconductor wafer

Номер патента: JP4736007B2. Автор: ポール ヘッブ ジェフレイ,シャジ アリ. Владелец: アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド. Дата публикации: 2011-07-27.

Via buried method and through-electrode formation method of semiconductor package using same

Номер патента: KR101046389B1. Автор: 이원종,김종훈,이도선. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2011-07-14.

Method and device for temperature measurement of semiconductor substrate

Номер патента: JPS61228637A. Автор: Takatoshi Chiba,Hideyuki Teraoka,寺岡　秀行,隆俊 千葉. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-11.

Method and system for conducting analysis of semiconductor material

Номер патента: TWI477762B. Автор: Thorsten Trupke. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2015-03-21.

Chemical liquid, container filled with chemical liquid, pattern forming method and kit for manufacturing process of semiconductor element

Номер патента: TWI791474B. Автор: 上村哲也,高橋智美. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

METHOD AND DEVICE FOR DIP SOLDERING OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Номер патента: DE2511210A1. Автор: Altan Akyuerek. Владелец: Brown Boveri und Cie AG Germany. Дата публикации: 1976-09-23.

Method and apparatus for detecting processing of semiconductor waper

Номер патента: KR20070020319A. Автор: 다카시 후지이,다테히토 우스이,모토히코 요시가이,데츠노리 가지. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2007-02-20.

Method and device for optical testing of semiconductor chips.

Номер патента: CH713447A1. Автор: Weise Ralf,BILEWICZ Norbert,Behler Stefan. Владелец: Besi Switzerland AG. Дата публикации: 2018-08-15.

Method and apparatus for pre-processing of semiconductor substrate surface analysis

Номер патента: CN1113228C. Автор: 渡边香里. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

METHOD AND DEVICE FOR COMPARATIVE TESTS OF SEMICONDUCTOR DRIVES

Номер патента: RU2013147895A. Автор: Йорам ШВАРЦ,Райан КЛАРК. Владелец: Интермолекуляр, Инк.. Дата публикации: 2015-06-20.

Method and apparatus for bonding inspection of semiconductor products

Номер патента: JP3414821B2. Автор: 誠 清水. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-06-09.

Method and apparatus for inspecting marking of semiconductor package

Номер патента: TWI304626B. Автор: Ssang-Gun Lim,Seung-Bong Yoo,Min-Gu Kang,Hyo-Joong Lee. Владелец: Intekplus Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-21.

Semiconductor device, photomask, semiconductor device production method, and pattern layout method

Номер патента: US20090039519A1. Автор: Takayuki Saito,Takeo Ishibashi,Itaru Kanai. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Methods and Apparatus of Packaging Semiconductor Devices

Номер патента: US20170256512A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Fu Tsai,Ming-Song Sheu,Ru-Ying Huang,Yian-Liang Kuo,Chia-Wei Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Methods and Apparatus of Packaging Semiconductor Devices

Номер патента: US20160005704A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Fu Tsai,Ming-Song Sheu,Ru-Ying Huang,Yian-Liang Kuo,Chia-Wei Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Methods and Apparatus of Packaging Semiconductor Devices

Номер патента: US20140057431A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Tsung-Fu Tsai,Ming-Song Sheu,Fu-Ying Huang,Yian-Liang Kuo,Chia-Wei Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Wire bonding method and apparatus for same capable of packaging semiconductor device into thin package

Номер патента: US5150828A. Автор: Yasuhiko Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-09-29.

Testing method and testing structure for ion injection and semiconductor device

Номер патента: CN104681460A. Автор: 张步新. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Method and apparatus for inspection of wafer and semiconductor device

Номер патента: TW200817701A. Автор: Yoshio Fukuda,Yoshihiro Ohkura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Method and circuit to isolate body capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US11855590B2. Автор: En-Hsiang Yeh,Tzu-Jin Yeh,Wen-Sheng Chen,Garming LIANG,Simon CHAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and circuit to isolate body capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US20240088842A1. Автор: En-Hsiang Yeh,Tzu-Jin Yeh,Wen-Sheng Chen,Garming LIANG,Simon CHAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

METHOD AND CIRCUIT TO ISOLATE BODY CAPACITANCE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200162041A1. Автор: YEH Tzu-Jin,CHEN WEN-SHENG,YEH EN-HSIANG,Liang Garming,CHAI Simon. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

METHODS AND SYSTEMS FOR MANUFACTURING PILLAR STRUCTURES ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200211993A1. Автор: Fay Owen R.,Vadhavkar Sameer S.,Huang Wayne H.,Yeruva Suresh,Jebaraj Adriel Jebin Jacob. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

METHODS AND SYSTEMS FOR MANUFACTURING PILLAR STRUCTURES ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210343670A1. Автор: Fay Owen R.,Vadhavkar Sameer S.,Huang Wayne H.,Yeruva Suresh,Jebaraj Adriel Jebin Jacob. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Method and system for generating layout diagram for semiconductor device having engineering change order (eco) cells

Номер патента: US20200302101A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Chi-Yu Lu,Mao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method and apparatus for detecting wire open in semiconductor device

Номер патента: JP3011234B2. Автор: 茂樹 椿. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-21.

Method and system for testing indirect band gap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: CN105675555A. Автор: T·特鲁科,R·A·巴多斯. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-06-15.

Method and structure for reducing resistance of a semiconductor device feature

Номер патента: US7187047B2. Автор: Yongjun J. Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-06.

Method and apparatus for mobility enhancement in a semiconductor device

Номер патента: US20060046366A1. Автор: Suresh Venkatesan,Marius Orlowski. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Method and apparatus for determining dopant density in semiconductor devices

Номер патента: US8315819B1. Автор: Clayton Covey Williams. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-11-20.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: KR101813315B1. Автор: 톰 마리보에트,스티븐 보이켄스. Владелец: 케이엘에이-텐코 코포레이션. Дата публикации: 2017-12-28.

Method and system for generating signal for testing semiconductor device

Номер патента: CN101084446A. Автор: 罗纳德·A·萨特斯奇夫,欧内斯特·P·沃克. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2007-12-05.

Method and apparatus for mobility enhancement in a semiconductor device

Номер патента: WO2006023219A2. Автор: Marius K. Orlowski,Suresh Venkatesan. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: CN103765567A. Автор: 史蒂文·布伊肯斯,汤姆·马里富特. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688866C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2719622C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев,Зелимхан Лечиевич Хазбулатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of semiconductor device including multi-layered source layer and channel extending therethrough

Номер патента: US09978771B2. Автор: Sun Kak Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09831129B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09837279B2. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Super-fine junctions manufacturing method

Номер патента: RU2733924C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source /drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20030098486A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source/drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20080311721A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor device having dolmen structure and manufacturing method therefor, and support piece formation laminate film and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074139B2. Автор: Shintaro Hashimoto,Kohei Taniguchi,Yoshinobu Ozaki,Tatsuya YAHATA,Kei ITAGAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing

Номер патента: US20040248351A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device having dolmen structure and manufacturing method therefor, and support piece formation laminate film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240371832A1. Автор: Shintaro Hashimoto,Kohei Taniguchi,Yoshinobu Ozaki,Tatsuya YAHATA,Kei ITAGAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device including barrier pattern

Номер патента: US09786682B1. Автор: Ki Hong Lee,Duk Eui LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620482B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Yu-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240379569A1. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11756831B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764114B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157668A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157659A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190378757A1. Автор: Sheng Zhang,Li-Da Huang,Chee-Hau Ng,Chien-Kee Pang,Wei-Hui Gao,Wen-Bo Ding,Wen-Shen Li,Xiaoyuan Zhi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040053482A1. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US6815318B2. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Low-cost semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09691893B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yu Shin RYU,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190214288A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting,Chia-Chieh FAN,Ming-Tsang Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764115B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157669A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157658A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device, electric power conversion device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12095382B2. Автор: Eiichi Ide,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of electronic device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893116B2. Автор: Hideo Numata,Hiroyuki Okura,Shinya Takyu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12125794B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200243514A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11721560B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting,Chia-Chieh FAN,Ming-Tsang Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Exposure apparatus, manufacturing method of flat-panel display, device manufacturing method, and exposure method

Номер патента: US20200174373A1. Автор: Yasuo Aoki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230230853A1. Автор: Masafumi Miyamoto,Takahiro Shimizu,Daisuke Tani. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070259507A1. Автор: Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050142822A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576974B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640655B2. Автор: Kensaku Yamamoto,Shinya Nishimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Wet etching process-based modeling method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240202399A1. Автор: Hui ZENG,Ruijing Han. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Three dimensional device integration method and integrated device

Номер патента: US09564414B2. Автор: Paul M. Enquist,Gaius Gillman Fountain, Jr.. Владелец: Ziptronix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8865589B2. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130241073A1. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12046645B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282818A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220352316A1. Автор: Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11444096B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160351540A1. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069860B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339512A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355887A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304540A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373629A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893036B2. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor package and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768154B2. Автор: Hisayuki Abe,Toshio Tomonari,Hirohumi Asou. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09425088B2. Автор: Seiji Ueno,Yasunori Fujimoto,Takumi Ihara,Joji Fujimori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020024095A1. Автор: Katsuomi Shiozawa,Yasuyoshi Itoh,Syuichi Ueno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Overlay measurement method, semiconductor device manufacturing method using the same, and overlay measurement apparatus

Номер патента: US20230074537A1. Автор: Jaeil LEE,Kyoungcho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Manufacturing method of package substrate and package manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892916B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818638B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, its manufacturing method and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09748289B2. Автор: Yasushi Morita,Takashi Nagano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09741739B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120012905A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Chung-Lin Huang,Tzung Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120199946A1. Автор: Satoshi Kageyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20030060023A1. Автор: Toshiharu Nishi,Shigenori Kitanishi,Junji Oka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09892929B2. Автор: Yumi Tanaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09659811B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device including indium

Номер патента: US09437723B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09419005B2. Автор: Yun Yang,Shengfen Chiu,Shaobin Li,Lujun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258115A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12120867B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09741852B2. Автор: James Tsai,Shih-Hsien Huang,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device manufacturing method, and photoelectric conversion device

Номер патента: US09559136B2. Автор: Yu Nishimura,Hiroaki Naruse,Aiko Kato,Keita Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device manufacturing method and design support apparatus

Номер патента: US20100190327A1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Molding apparatus and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US12011859B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US8853089B2. Автор: Takumi Shibata,Hiroshi Ohtsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and device for adapting temperatures of semiconductor components

Номер патента: US20230228810A1. Автор: Michael Maercker,Jonathan WINKLER,Jan Homoth,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Method and apparatus for processing signals of semiconductor detector

Номер патента: US09835739B2. Автор: Wei Zhang,Jun Li,Yuanjing Li,Lan Zhang,Yulan Li,Yingshuai DU,Jianqiang Fu,Xuming MA. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and device for support of transparent proxy server service in gateway of wireless access and system equipped with such gateway

Номер патента: RU2407196C2. Автор: Хаифень ДУАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-12-20.

Methods and systems for support of location for the internet of things

Номер патента: CA3237052A1. Автор: Stephen William Edge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods and systems for support of location for the internet of things

Номер патента: US12114283B2. Автор: Stephen William Edge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and System to Reduce Electromagnetic Radiation for Semiconductor Devices

Номер патента: US20100244928A1. Автор: Jim D. Childers,Kevin P. LAVERY,Praven P. Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method and system to reduce electromagnetic radiation from semiconductor devices

Номер патента: US20090278568A1. Автор: Jim D. Childers,Pravin P. Patel,Kevin P. LAVERY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Methods and apparatus for support of reduced capability devices in wireless communication

Номер патента: US12035418B2. Автор: Hong He,YANG Tang,Yuchul Kim,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Jie Cui,Chunxuan Ye,Weidong Yang,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Oghenekome Oteri,Zhibin Wu,Pengkai ZHAO. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods and apparatus for support of data transmission traffic with non-integer periodicity in wireless communication

Номер патента: EP4215008A1. Автор: Hong He,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Huaning Niu,Chunxuan Ye,Haijing Hu,Weidong Yang,Sigen Ye,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Seyed Ali Akbar Fakoorian,Oghenekome Oteri,Fangli XU,Sarma V. Vangala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus for support of machine learning or artificial intelligence-assisted csi feedback

Номер патента: WO2023234741A1. Автор: Eko Nugroho Onggosanusi,Md Saifur RAHMAN,Gilwon LEE,Caleb LO,Ravindranath KANAMANGALA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and apparatus for support of machine learning or artificial intelligence-assisted csi feedback

Номер патента: US20240088968A1. Автор: Md. Saifur RAHMAN,Eko Onggosanusi,Gilwon LEE,Caleb K. LO,Ravindranath KANAMANGALA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods and apparatus for support of data transmission traffic with non-integer periodicity in wireless communication

Номер патента: US20230007673A1. Автор: Hong He,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Huaning Niu,Chunxuan Ye,Haijing Hu,Weidong Yang,Sigen Ye,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Seyed Ali Akbar Fakoorian,Oghenekome Oteri,Fangli XU,Sarma V. Vangala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods and apparatus for support of reduced capability devices in wireless communication

Номер патента: EP4074136A1. Автор: Hong He,YANG Tang,Yuchul Kim,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Jie Cui,Chunxuan Ye,Weidong Yang,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Oghenekome Oteri,Zhibin Wu,Pengkai ZHAO. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Low-loss coplanar waveguide bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240045160A1. Автор: Chen Xiao,Rui Xu,Boyu Zhang,Weisheng Zhao,Wenlong Cai,Xiangyu ZHENG,Jiaqi WEI. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing electron beam device, method for manufacturing image forming apparatus, electron beam device and image forming apparatus manufactured those manufacturing methods, method and apparatus for manufacturing electron source, and apparatus for manufacturing image forming apparatus

Номер патента: US6802753B1. Автор: Keisuke Yamamoto,Tamaki Kobayashi,Akira Hayama,Yoichi Ando,Satoshi Mogi,Hideshi Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-10-12.

Method and apparatus for reviewing defects of semiconductor device

Номер патента: US8581976B2. Автор: Masaki Kurihara,Toshifumi Honda,Ryo Nakagaki. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

METHODS AND APPARATUS FOR TEMPERATURE TUNING OF SEMICONDUCTOR LASERS

Номер патента: US20130156052A1. Автор: Pfluegl Christian,Diehl Laurent,Witinski Mark F.. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

Method and apparatus for direct writing of semiconductor die using microcolumn array

Номер патента: KR100581478B1. Автор: 버글런드씨네일,창타이-혼필립. Владелец: 에텍시스템즈인코포레이티드. Дата публикации: 2006-05-23.

Method and apparatus for direct writing of semiconductor die using microcolumn array

Номер патента: WO1999047978A1. Автор: Tai-Hon Philip Chang,C. Neil Berglund. Владелец: Etec Systems Incorporated. Дата публикации: 1999-09-23.

Method and apparatus for direct writing of semiconductor die using microcolumn array

Номер патента: CA2288021A1. Автор: Tai-Hon Philip Chang,C. Neil Berglund. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-09-23.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Method and apparatus for manufacture of semiconductors and resulting structures, devices, circuits, and components

Номер патента: WO2007128075A3. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09437562B2. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Jiro Nohara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09287407B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Composite element chip, a semiconductor device and manufacturing method thereof, a printing head, and an image forming apparatus

Номер патента: US09614125B2. Автор: Takahito Suzuki,Taishi Kaneto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062696B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Overlay mark forming Moire pattern, overlay measurement method using same, overlay measurement apparatus using same, and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: US12107052B2. Автор: Hyun Chul Lee,Hyun Jin Chang. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device with inductor

Номер патента: US20240347578A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Alexander Kalnitsky,Hon-Lin Huang,Han-Yi Lu,Chien-Hsien KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110183484A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080318347A1. Автор: Satoshi Yasuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461062B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US09450048B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and storage device

Номер патента: US20220216212A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355894A1. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240234300A1. Автор: Sang Hyun Oh,Sang Min Kim,Sang Yong Lee,Jin Taek Park,Sae Jun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9978783B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11967555B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220037326A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272969A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240306385A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Lithography method using multi-scale simulation, semiconductor device manufacturing method and exposure equipment

Номер патента: US12072637B2. Автор: Byunggook Kim,Sungwoo Park,Byunghoon Lee,Changyoung Jeong,Maenghyo Cho,Muyoung Kim,Junghwan Moon,Hyungwoo Lee,Joonmyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device with silicon layer containing carbon

Номер патента: US09722044B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09705029B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chun-Yu Lin,Chih-Chiang Lu,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09553048B1. Автор: Satomi Higashibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20080090331A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20050194693A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device, manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09647146B2. Автор: Taizo Takachi,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8633038B2. Автор: Hideo Kawano,Haruko Tamegai,Tooru YASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Display device manufacturing method

Номер патента: US20190378760A1. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Sun Woo Park,Chung Song Kim,Hyeon Min Cho. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20120025250A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US9887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US20170301844A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device, manufacturing method and electronic equipment

Номер патента: US12100759B2. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966473B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US09887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor package with adhesive material pre-printed on the lead frame and chip, and its manufacturing method

Номер патента: US09653424B2. Автор: Jun Lu,Kai Lu,Xiaotian Zhang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Terminal, semiconductor device, terminal forming method and flip chip semiconductor device manufactrring method

Номер патента: US20030222326A1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Mitsutoshi Higashi,Hiroko Koike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Imaging device, manufacturing method, and substrate dividing method

Номер патента: US20200212087A1. Автор: Taizo Takachi,Masanari Yamaguchi,Takashi OINOUE,Shunsuke FURUSE,Yuki IKEBE. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Imaging device, manufacturing method, and substrate dividing method

Номер патента: EP3326202A1. Автор: Taizo Takachi,Masanari Yamaguchi,Takashi OINOUE,Shunsuke FURUSE,Yuki IKEBE. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Manufacturing method of semiconductor device, exposure data preparing method, preparing method of aperture mask data, and charge beam exposure apparatus

Номер патента: US20020142238A1. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials

Номер патента: US20100263588A1. Автор: GAN Zhiyin. Владелец: GAN Zhiyin. Дата публикации: 2010-10-21.

Analysis method, computer-readable medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240347315A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and apparatus for performing on-load mechanical switching operations

Номер патента: EP2478540A2. Автор: Timothy Charles Green,Daniel James Rogers. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2012-07-25.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods and apparatus for automated design of semiconductor photonic devices

Номер патента: US20160171149A1. Автор: Luca Alloatti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and apparatus for parallel processing of semiconductor chip designs

Номер патента: US8020134B2. Автор: Ruchir Puri,Louise H. Trevillyan,Michael W. Dotson,Anthony DeGroff Drumm,Dazhuang J. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Method and apparatus for parallel processing of semiconductor chip designs

Номер патента: US20090217227A1. Автор: Ruchir Puri,Louise H. Trevillyan,Michael W. Dotson,Anthony DeGroff Drumm,Dazhuang J. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Method and apparatus for determining defect detection sensitivity data, control method of defect detection apparatus, and method and apparatus for detecting defect of semiconductor devices

Номер патента: US20040151362A1. Автор: Akira Hamaguchi,Takamitsu Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Method and system for derived layer checking for semiconductor device design

Номер патента: US20140040839A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and apparatus for automated validation of semiconductor process recipes

Номер патента: WO2012030930A2. Автор: Charles Hardy,Roger Alan Lindley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-03-08.

Methods and apparatus for automated design of semiconductor photonic devices

Номер патента: US20190311086A1. Автор: Luca Alloatti. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-10-10.

Simulation method and system of verifying operation of semiconductor memory device of memory module at design level

Номер патента: US11906584B2. Автор: Seaeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods and systems for determining quality of semiconductor measurements

Номер патента: EP4200598A1. Автор: Stilian PANDEV,Dzmitry Sanko,Min-Yeong Moon. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method and system for screening reliability of semiconductor circuits

Номер патента: US5617038A. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-04-01.

Methods and systems for targeted monitoring of semiconductor measurement quality

Номер патента: US12019030B2. Автор: Andrei V. Shchegrov,Hyowon Park,Antonio Arion Gellineau,Christopher Liman,Pavan Gurudath,jung heon Song. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods and apparatuses for self-trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20190311773A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Miguel Jimenez-Olivares. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods and apparatuses for self-trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20200176070A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Miguel Jimenez-Olivares. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods and apparatuses for self-trimming of a semiconductor device

Номер патента: US10665314B1. Автор: Maksim Kuzmenka,Miguel Jimenez-Olivares. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Methods and apparatuses for self-trimming of a semiconductor device

Номер патента: US10600494B2. Автор: Maksim Kuzmenka,Miguel Jimenez-Olivares. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Methods and devices for supporting of variety of different pre-cured composite stringers

Номер патента: US20230311435A1. Автор: James R. Kendall,Raviendra S. Suriyaarachchi,Samuel J. Knutson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-10-05.

A MEIM-based design method and system for support of a roadway

Номер патента: AU2020101351A4. Автор: Fahong Ke,Yan jun Qi,Jiansheng Tian. Владелец: Shanxi Linbei Coal Ind Exploitation LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280257A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and method for designing layout of semiconductor device

Номер патента: TWI709230B. Автор: 韓玉輝. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-11-01.

Method and system for synchronizing all clock sources of semiconductor devices

Номер патента: US7210052B2. Автор: De-Wei Lee,Wu-Han Yang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

A method and apparatus for performing leads of semiconductor devices using a single point contact swing cam

Номер патента: SG69071A1. Автор: Eng Hwee Seow. Владелец: Advanced Systems Automation. Дата публикации: 2002-01-15.

A method and apparatus for forming leads of semiconductor devices using a single point contact swing cam

Номер патента: GB9307663D0. Автор: . Владелец: Advanced Systems Automation Ltd Singapore. Дата публикации: 1993-06-02.

A method and apparatus for forming leads of semiconductor devices using a single point contact swing cam

Номер патента: GB2277702B. Автор: Eng Hwee Seow. Владелец: Advanced Systems Automation Ltd Singapore. Дата публикации: 1996-05-29.

A method and apparatus for forming leads of semiconductor devices using a single point contact swing cam

Номер патента: GB2277702A. Автор: Eng Hwee Seow. Владелец: Advanced Systems Automation Ltd Singapore. Дата публикации: 1994-11-09.

Method and Apparatus for Support of Interference Coordination Groups and Sub-Groups

Номер патента: US20230254701A1. Автор: Srinivasan Balasubramanian,Sourav Bandyopadhyay. Владелец: Celona Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Support of service continuity between snpn and plmn

Номер патента: WO2021187783A1. Автор: Jian Xu,Myungjune YOUN,Daewook BYUN,Seokjung KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2021-09-23.

Support of inter-GNB handover in higher layer multi-connectivity

Номер патента: US12041493B2. Автор: Jian Xu,Daewook BYUN,Seokjung KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-16.

METHOD AND DEVICE FOR SUPPORT OF BROADCASTING AND GROUP SERVICES IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: RU2011143339A. Автор: Натан Эдвард ТЕННИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-05-10.

Method and device for controlling lighting of semiconductor light emitting element, and light emitting device

Номер патента: CN112867201A. Автор: 关户敬三. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-28.

Methods and apparatus for support of data transmission traffic with non-integer periodicity in wireless communication

Номер патента: EP4215008A4. Автор: Hong He,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Huaning Niu,Chunxuan Ye,Haijing Hu,Weidong Yang,Sigen Ye,Yushu Zhang,Chunhai Yao,Seyed Ali Akbar Fakoorian,Oghenekome Oteri,Fangli XU,Sarma V. Vangala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and apparatus for support of machine learning or artificial intelligence techniques for handover management in communication systems

Номер патента: EP4289178A4. Автор: JEONGHO JEON,Joonyoung Cho,Qiaoyang Ye,Pranav MADADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Method and apparatus for support of machine learning or artificial intelligence techniques for csi feedback in fdd mimo systems

Номер патента: EP4302424A4. Автор: JEONGHO JEON,Joonyoung Cho,Qiaoyang Ye,Pranav MADADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING SIGNALS OF SEMICONDUCTOR DETECTOR

Номер патента: US20160018537A1. Автор: ZHANG Wei,LI JUN,Li Yuanjing,Zhang Lan,LI Yulan,Du Yingshuai,FU Jianqiang,MA Xuming. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Measuring method and apparatus for characteristic evaluation of semiconductor parts

Номер патента: JP5489107B2. Автор: フェル，ヘルムート,カーステンゼン，ユルゲン,シュット，アンドレアス,ヴァルタ，ヴィルヘルム,カーゼマン，マルティン. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2014-05-14.

Support of energy efficient operation

Номер патента: US11924701B2. Автор: Jian Xu,Daewook BYUN,Seokjung KIM,HongSuk Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-05.

Method and apparatus for support of migration and co-existence of public land mobile network and user equipment capability identifications

Номер патента: WO2020221962A1. Автор: Alessio Casati. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2020-11-05.

Method and apparatus for support of machine learning or artificial intelligence techniques for csi feedback in fdd mimo systems

Номер патента: EP4302424A1. Автор: JEONGHO JEON,Joonyoung Cho,Qiaoyang Ye,Pranav MADADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Method and apparatus for support of migration and co-existence of public land mobile network and user equipment capability identifications

Номер патента: US20200351762A1. Автор: Alessio Casati. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2020-11-05.

Method and apparatus for support of migration and co-existence of public land mobile network and user equipment capability identifications

Номер патента: EP3963917A1. Автор: Alessio Casati. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-03-09.

METHODS AND APPARATUS FOR SENSING CURRENT THROUGH POWER SEMICONDUCTOR DEVICES WITH REDUCED SENSITIVITY TO TEMPERATURE AND PROCESS VARIATIONS

Номер патента: US20170201251A1. Автор: KAYA CETIN,Chandrasekaran Ramesh. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

METHOD AND APPARATUS FOR SUPPORT OF MIGRATION AND CO-EXISTENCE OF PUBLIC LAND MOBILE NETWORK AND USER EQUIPMENT CAPABILITY IDENTIFICATIONS

Номер патента: US20200351762A1. Автор: Casati Alessio. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Timing based arbitration methods and apparatuses for calibrating impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018237272A1. Автор: Jason Johnson,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-27.

Method and apparatus for support of machine learning or artificial intelligence techniques for handover management in communication systems

Номер патента: EP4289178A1. Автор: JEONGHO JEON,Joonyoung Cho,Qiaoyang Ye,Pranav MADADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Support of ue centric ai based temporal beam prediction

Номер патента: WO2024036605A1. Автор: Haiming Wang,Jianfeng Wang,Xin Guo,Bingchao LIU. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-02-22.

Support of l1 and l2 signaling based mobility

Номер патента: WO2024065643A1. Автор: Haiming Wang,Lianhai WU,Bingchao LIU,Ran YUE. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Timing based arbitration methods and apparatuses for calibrating impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180375692A1. Автор: Jason Johnson,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Support of ltm

Номер патента: WO2024073998A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-04-11.

Timing based arbitration methods and apparatuses for calibrating impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3642840A1. Автор: Jason Johnson,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-29.

Timing based arbitration methods and apparatuses for calibrating impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20200036560A1. Автор: Jason Johnson,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Timing based arbitration methods and apparatuses for calibrating impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210083909A1. Автор: Jason Johnson,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Timing based arbitration methods and apparatuses for calibrating impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190036740A1. Автор: Jason Johnson,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

TIMING BASED ARBITRATION METHODS AND APPARATUSES FOR CALIBRATING IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190036740A1. Автор: Johnson Jason,Wieduwilt Christopher G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

TIMING BASED ARBITRATION METHODS AND APPARATUSES FOR CALIBRATING IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200036560A1. Автор: Johnson Jason,Wieduwilt Christopher G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

TIMING BASED ARBITRATION METHODS AND APPARATUSES FOR CALIBRATING IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210083909A1. Автор: Johnson Jason,Wieduwilt Christopher G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-18.

TIMING BASED ARBITRATION METHODS AND APPARATUSES FOR CALIBRATING IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180375692A1. Автор: Johnson Jason,Wieduwilt Christopher G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-27.

Timing based arbitration methods and apparatuses for calibrating impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3642840A4. Автор: Jason Johnson,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Support of ul sdt during mt sdt

Номер патента: EP4388813A1. Автор: Jie Shi,Jie Hu,Jing HAN,Lianhai WU,Ran YUE. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

METHODS AND SYSTEMS FOR SUPPORT OF LOCATION FOR THE INTERNET OF THINGS

Номер патента: US20180054795A1. Автор: Edge Stephen William. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

METHODS AND SYSTEMS FOR SUPPORT OF LOCATION FOR THE INTERNET OF THINGS

Номер патента: US20200252902A1. Автор: Edge Stephen William. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Methods and systems for support of location for the internet of things

Номер патента: CA3031214A1. Автор: Stephen William Edge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods and systems for support of location for the internet of things

Номер патента: EP3501190A1. Автор: Stephen William Edge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Methods and systems for support of location for the internet of things

Номер патента: TW201808043A. Автор: 史蒂芬 威廉 艾居. Владелец: 高通公司. Дата публикации: 2018-03-01.

METHOD AND APPARATUS FOR SUPPORT OF MACHINE LEARNING OR ARTIFICIAL INTELLIGENCE TECHNIQUES FOR HANDOVER MANAGEMENT IN COMMUNICATION SYSTEMS

Номер патента: US20220286927A1. Автор: CHO Joonyoung,Ye Qiaoyang,Jeon Jeongho,Madadi Pranav. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Method and apparatus for support of machine learning or artificial intelligence techniques in communication systems

Номер патента: US20220287104A1. Автор: JEONGHO JEON,Joonyoung Cho,Qiaoyang Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Method and apparatus for support of cu-du split in mt-edt procedure in a wireless communication system

Номер патента: US20220303946A1. Автор: Jian Xu,Daewook BYUN,Seokjung KIM,Hyunjung CHOE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-22.

METHODS AND APPARATUS FOR SUPPORT OF REDUCED CAPABILITY DEVICES IN WIRELESS COMMUNICATION

Номер патента: US20220377532A1. Автор: Tang Yang,Sun Haitong,Oteri Oghenekome,Wu Zhibin,He Hong,Zeng Wei,Ye Chunxuan,YANG Weidong,Zhang Dawei,Zhang Yushu,Kim Yuchul,CUI Jie,Yao Chunhai,Zhao Pengkai. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Method and apparatus for supporting of video communication service based on sip

Номер патента: KR100879362B1. Автор: 양재호,김진하. Владелец: 삼성네트웍스 주식회사. Дата публикации: 2009-01-19.

Method and apparatus for supporting of various services in mobile communication systems

Номер патента: KR102378267B1. Автор: 최승훈,김태형,곽용준,김윤선. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2022-03-25.

METHOD AND APPARATUS FOR SUPPORT OF VOICE SERVICES BY IP IN A WIRELESS CELLULAR COMMUNICATION NETWORK

Номер патента: AR057912A1. Автор: Arty Chandra,Stephen E Terry. Владелец: Interdigital Tech Corp. Дата публикации: 2007-12-26.

Method and device for support of emergency call in wireless regional network

Номер патента: RU2395176C1. Автор: Мариан РУДОЛЬФ,Роналд Г. МЬЮРИАС. Владелец: Интердиджитал Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2010-07-20.

Data encapsulation method and system with support of multiple processors

Номер патента: CN105933307A. Автор: 谌名林. Владелец: Shenzhen Tendzone Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Method and device for support of multiple pdn connections

Номер патента: WO2014054014A1. Автор: Zu Qiang. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2014-04-10.

Method and apparatus for continuous processing of semiconductor wafers

Номер патента: US5893966A. Автор: Salman Akram,David R. Hembree. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-13.

Open-loop method and system for controlling growth of semiconductor crystal

Номер патента: WO1999050482A1. Автор: Steven L. Kimbel,Sunil Grover. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1999-10-07.

Method and device for the production of semiconductor and metal disks or foils

Номер патента: DE10047929B4. Автор: Ralf KÜHN,Dipl.-Chem. Dr. Höfs Hans-Ulrich,Hans-Ulrich Lambert,Ulrich Kowitz,Dipl.-Phys. Steinbach Ingo. Владелец: RGS DEVELOPMENT BV. Дата публикации: 2013-04-11.

Method and apparatus for heat treatment of semiconductor products

Номер патента: BE598211R. Автор: H F Sterling. Владелец: Bell Telephone Mfg. Дата публикации: 1961-06-16.

Method and crucible for direct solidification of semiconductor grade multi-crystalline silicon ingots

Номер патента: CN101479410A. Автор: 施泰因·朱尔斯鲁德,蒂克·劳伦斯·纳斯. Владелец: Rec Scanwafer As. Дата публикации: 2009-07-08.

Methods and compositions for support of myogenicity using co-culture

Номер патента: WO2023239672A1. Автор: Daphne DAMBOURNET. Владелец: Upside Foods, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11751482B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196608A1. Автор: Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Kyung Jin Lee,Sul Gi JUNG,Kyung Sung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

A method and a device for functional test of a semiconductor valve

Номер патента: WO1999056141A1. Автор: Ari SEPPÄNEN. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 1999-11-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240268114A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069972B2. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240341105A1. Автор: Hyung Dong Lee,Yoon Mo Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373765A1. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory block and buried layer manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290386A1. Автор: Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor structure using first mask layer and first photoresist layer to selectively etch stack on complete die region

Номер патента: US12048139B2. Автор: Jun Xia,Sen Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Selective sonication-assisted deposition method of inorganic particles and CHA zeolite membranes grown from seeded layers on substrates using the method and plate-like Si-CHA zeolite particles used for seed layer formation and manufacturing method of the same

Номер патента: US09981852B2. Автор: Jungkyu Choi,Eunjoo Kim,Wanxi CAI. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-29.

Cocoa butter equivalents manufactured by fermentative intromolecular interesterification method and cocoa butter equivalents manufacture method

Номер патента: RU2480993C2. Автор: Цзи-Хюнь КАН,Сан-Бум ЛИ,Сан-Хун СУН,Ки-Тик ЛИ. Владелец: СиДжей ЧХЕИЛДЖЕДАН КОРП.. Дата публикации: 2013-05-10.

Managing Read Timing in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240311014A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Managing read timing in semiconductor devices

Номер патента: EP4432287A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, correlation value operation method, and recording medium

Номер патента: US20240303077A1. Автор: Atsushi Yamazaki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing secure writes in semiconductor devices

Номер патента: US12086457B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and system for electronic commerce of semiconductor IP

Номер патента: US20030216931A1. Автор: Nobuyuki Miyazaki,Satoshi Moriya,Hisayoshi Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Method and device for monitoring connection of semiconductor of power module

Номер патента: WO2020179279A1. Автор: Stefan Mollov,Jeffrey Ewanchuk,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and apparatus for grinding notches of semiconductor wafer

Номер патента: US5185965A. Автор: Haruo Ozaki. Владелец: Emtec Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

Method and device for monitoring connection of semiconductor of power module

Номер патента: US20220107363A1. Автор: Stefan Mollov,Jeffrey Ewanchuk,Julio BRANDELERO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Method and device of generating test circuit for semiconductor device

Номер патента: US20070274142A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Remote programming of serialised semiconductor devices using web or internet protocols

Номер патента: EP1343081A3. Автор: David Watson,Francis Zhu. Владелец: Mitel Knowledge Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Pattern dimension correction method and verification method using OPC, mask and semiconductor device fabricated by using the correction method, and system and program for executing the correction method

Номер патента: TW200509215A. Автор: Toshiya Kotani,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Method and device for measuring characteristics of semiconductor device

Номер патента: JPS5797469A. Автор: Toshio Ichiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-06-17.

METHOD AND APPARATUS FOR PREDICTING YIELD OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220172070A1. Автор: CHEN Hunglin,LONG Yin,Chen Shanshan. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

METHOD AND APPARATUS FOR FACILITATING MANUFACTURING OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160253447A1. Автор: FAN Qiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD AND SYSTEM OF SUPPORT OF DECISION MAKING DURING REMOTE MONITORING OF PEOPLE IN THE ONCOLOGICAL RISK GROUP

Номер патента: RU2016150847A. Автор: Айрат Мидхатович ХАНОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТЕЛЕМЕДСОФТ". Дата публикации: 2018-06-25.

METHOD AND SYSTEM OF SUPPORT OF A DRIVER TO ASSIST A DRIVER OF A LOAD TRAIL TRAIN

Номер патента: RU2015119193A. Автор: Карлхайнц ДЕРНЕР,Ксавер РЕМЕРШПЕРГЕР,Вальтер ШВЕРТБЕРГЕР,Свен КРАУС,Михаэль РОЙЛЕ,Себастьян ФЕЛЛЬ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-12-10.

Method and system for processing commonality of semiconductor devices

Номер патента: US7003430B2. Автор: Eugene Wang,Jinghua Ni. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Method and apparatus for facilitating manufacturing of semiconductor device

Номер патента: US9690891B2. Автор: Qiang Fan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Package for compressed flexible products and its manufacturing method (METHOD AND PACKAGE FOR COMPRESSED FLEXIBLE ARTICLES)

Номер патента: KR960701782A. Автор: 리차드 바우어 라이너,칼 페르디난트 하우박스 클라우스. Владелец: 제이코버스 코넬리스 레이서. Дата публикации: 1996-03-28.

Additive manufacturing method, method and equipment for preparing gradient thin film material

Номер патента: CN107433330B. Автор: 李达,王松,杨先锋. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2020-01-17.

Methods and apparatuses for reducing burn in within semiconductor devices utilizing static random access memory (SRAM)

Номер патента: TW200537285A. Автор: Bryan Boatright,Carl Scafidi,Ben Eapen,C Glenn Shirley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Method and Apparatus for carrier profiling of semiconductors utilizing simultaneous techniques utilizing a simulator and a Field-Programmable Gate Array

Номер патента: US20180172727A1. Автор: Hagmann Mark J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Method and device for controlling operation of semiconductor refrigeration equipment and refrigeration equipment

Номер патента: CN110749120A. Автор: 王大伟,徐佳,王定远,裴玉哲. Владелец: Qingdao Haier Smart Technology R&D Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Method and device in supporting of a reel

Номер патента: AU4516899A. Автор: Seppo Luomi. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 1999-12-20.

Methods And Systems For Determining Quality Of Semiconductor Measurements

Номер патента: US20220090912A1. Автор: Sanko Dzmitry,Pandev Stilian Ivanov,Moon Min-Yeong. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Method and Apparatus for Measuring Temperature of Semiconductor Layer

Номер патента: US20140192839A1. Автор: LACROIX Yves. Владелец: YSystems, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-10.

METHODS AND APPARATUS FOR AUTOMATED DESIGN OF SEMICONDUCTOR PHOTONIC DEVICES

Номер патента: US20160171149A1. Автор: ALLOATTI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

METHODS AND APPARATUS FOR AUTOMATED DESIGN OF SEMICONDUCTOR PHOTONIC DEVICES

Номер патента: US20190311086A1. Автор: ALLOATTI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Method and apparatus for automated validation of semiconductor process recipes

Номер патента: US8527081B2. Автор: Charles Hardy,Roger Alan Lindley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-09-03.

Method and module for locating defects of semiconductor chip

Номер патента: CN112414943B. Автор: 叶林. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-09.

Test vector generating method and test vector generating program of semiconductor logic circuit device

Номер патента: US7743306B2. Автор: Xiaoqing Wen,Seiji Kajihara. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-06-22.

Method and apparatus for automatic testing of semiconductor diodes

Номер патента: DE69525437D1. Автор: Todd E Holmdahl,Robert T Gibson. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Method and apparatus for automatic packaging of semiconductor package transport tubes

Номер патента: KR100471125B1. Автор: 정인기,김현호,김병로. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-07.

Low Redundancy Application Method and Low Redundancy Predecoder Circuit of Semiconductor Memory

Номер патента: KR970051404A. Автор: 이승근. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

Method, System and Apparatus for Detecting Malicious Modifications to Semiconductor Devices

Номер патента: US20230153422A1. Автор: Thomas Warren Savage. Владелец: Rocksavage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods and systems for targeted monitoring of semiconductor measurement quality

Номер патента: IL311357A. Автор: Andrei V Shchegrov,Hyowon Park,Christopher Liman,Antonio GELLINEAU,Pavan Gurudath,jung heon Song. Владелец: jung heon Song. Дата публикации: 2024-05-01.

Method, system and apparatus for detecting malicious modifications to semiconductor devices

Номер патента: US12001547B2. Автор: Thomas Warren Savage. Владелец: Rocksavage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for testing operation of semiconductor memory device

Номер патента: TWI303434B. Автор: Yong-Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-21.

Managing reference currents in semiconductor devices

Номер патента: US20240185899A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Shang-Chi Yang,Fu-Nian Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Managing reference currents in semiconductor devices

Номер патента: EP4383258A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Shang-Chi Yang,Fu-Nian Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Error detection for a semiconductor device

Номер патента: US20230395183A1. Автор: Matthew Young,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Pattern dimension correction method and verification method using OPC, mask and semiconductor device fabricated by using the correction method, and system and software product for executing the correction method

Номер патента: US7213226B2. Автор: Toshiya Kotani,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Pattern forming method and system, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080276216A1. Автор: Toshiya Kotani,Ayako Nakano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method and apparatus for supporting of making formatted document

Номер патента: US5144555A. Автор: Noriyuki Takahashi,Tetsuo Tanaka,Hiroyuki Maezawa,Yoshimitsu Shindo,Ryoji Eguchi,Masato Takadachi,Mihoko Iwasaki,Hirokazu Mimura. Владелец: Hitachi Keiyo Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-01.

Method and device for outputting error information from semiconductor devices

Номер патента: DE10137332B4. Автор: Detlev Richter,Sebastian Kühne,Thomas Janik,Dr. Spirkl Wolfgang,Dr. McConnell Roderick. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Overlay measuring method and system, and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20240133683A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Jinsun KIM,Moosong Lee,Inho KWAK,Dohyeon Park,Yeeun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and system for aligning probe card in semiconductor device testing

Номер патента: US20200110131A1. Автор: Chiu-Hua Chung,Kai-Di CHUANG,Tien-Chung LEE,Kang-Tai PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNING PROBE CARD IN SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING

Номер патента: US20180143244A1. Автор: Chung Chiu-Hua,CHUANG Kai-Di,LEE Tien-Chung,PENG Kang-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Methods and apparatuses for self-trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20200176070A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Miguel Jimenez-Olivares. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD AND SYSTEM FOR GENERATING LAYOUT DIAGRAM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ENGINEERING CHANGE ORDER (ECO) CELLS

Номер патента: US20210224444A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,CHIANG Ting-Wei,LU Chi-Yu,CHIU Mao-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

METHODS AND APPARATUSES FOR SELF-TRIMMING OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190311773A1. Автор: Kuzmenka Maksim,Jimenez-Olivares Miguel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-10.

Method and device for supporting of patient and assignment of internal treatment to mim

Номер патента: RU2137454C1. Автор: Ричард Б. Стэси,Крейг Д. Эллис,Ричард И. Барнетт,Пол Б. Кинг,Уильям Т. Саттон,Рышард С. Озаровски,Барри Д. Хэнд,Джеймс М. Томас,Кенит В. Чамберс,Стивен Е. Гловер. Владелец: Саппорт Системз, Интернэйшнл. Дата публикации: 1999-09-20.

Method and circuit for controlling test mode in semiconductor device

Номер патента: KR100531463B1. Автор: 장지은,배승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-28.

Method and apparatus for standby power reduction in semiconductor devices

Номер патента: AU2002343757A1. Автор: John Schreck,Jeff Koelling,Jon Morris,Rishad Omer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-10.

Method and apparatus for standby power reduction in semiconductor devices

Номер патента: US7072230B2. Автор: John Schreck,Jeff Koelling,Jon Morris,Rishad Omer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-04.

Method and apparatus for standby power reduction in semiconductor devices

Номер патента: EP1449253A2. Автор: John Schreck,Jeff Koelling,Jon Morris,Rishad Omer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Unclogging method and disk for supports of conveyors and conveying bands of roller type with disks on supple strap

Номер патента: ZA84168B. Автор: Bernard Mossot. Владелец: Equip Minier. Дата публикации: 1984-08-29.

Method and system for combining photomasks to form semiconductor devices

Номер патента: US20110006401A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Kuei Shun Chen,Chih-Cheng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method and apparatus for standby power reduction in semiconductor devices

Номер патента: WO2003046990A2. Автор: John Schreck,Jeff Koelling,Jon Morris,Rishad Omer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2003-06-05.

Method and apparatus for standby power reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20030095454A1. Автор: John Schreck,Jeff Koelling,Jon Morris,Rishad Omer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-22.

METHODS AND DEVICES FOR SUPPORTING OF VARIETY OF DIFFERENT PRE-CURED COMPOSITE STRINGERS

Номер патента: US20210260840A1. Автор: Kendall James R.,Suriyaarachchi Raviendra S.,Knutson Samuel J.. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods and devices for supporting of variety of different pre-cured composite stringers

Номер патента: CA3107266A1. Автор: James R. Kendall,Raviendra S. Suriyaarachchi,Samuel J. Knutson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-08-26.

METHODS AND SYSTEMS FOR SUPPORT OF LOW-POWER OPERATION IN TRAINING MODES IN WELDING MACHINES

Номер патента: US20220134463A1. Автор: Rozmarynowski Scott Ryan,Dessart Nicholas James,Erdmann Jeremy John,Prochnow Gregg,Roehl Chris J.,Brock Maxwell Bode,Manthe Alan. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Method and means for support of cementitious materials on sloping surfaces during cure

Номер патента: US3376629A. Автор: John A Baumann,Alfred R Tavarozzi. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1968-04-09.

Anti-counterfeiting method and system with support of terminal memory based on WeChat public account

Номер патента: CN106529977A. Автор: 蔡昌志. Владелец: Shenzhen Sheng Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Photoelectric transducer manufacturing method

Номер патента: RU2219621C1. Автор: Б.Н. Самсоненко,С.Э. Хабаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Сатурн". Дата публикации: 2003-12-20.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device manufacturing method and mask manufacturing method

Номер патента: US20170024510A1. Автор: Suk-Ho Lee,So-Eun Shin,Ji-Soong Park,Jung-wook Shon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Sealed pipe connection to be used in oil industry, and manufacturing method of above mentioned connection

Номер патента: RU2503874C2. Автор: Эрик ВЕРЖЕ,Бертранд Меллон,Дали Дали,Силвен Бегне. Владелец: Сумитомо Метал Индастрис, Лтд.. Дата публикации: 2014-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240255714A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Jui-Jen Yueh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Computer system and method for generating and supporting fair trade receipts

Номер патента: US20110119153A1. Автор: Gerald S. FAIN,Stephen M. Fain,Richard E. Friedman,Lawrence R. Schultz,Joseph A. Shrand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Additive manufacturing method and apparatus for individualized polypill capsules using micro-dosed and compacted powders

Номер патента: US20240269951A1. Автор: Edison Thurman HUDSON, Jr.. Владелец: Oneful Health Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device manufacturing method and extreme ultraviolet mask manufacturing method

Номер патента: US12092961B2. Автор: Dongwon Kang,Sang Chul YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Additive manufacturing method and apparatus for individualized polypill capsules using micro-dosed and compacted powders

Номер патента: WO2024173487A2. Автор: JR. Edison Thurman Hudson. Владелец: Oneful Health, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Additive manufacturing method and apparatus for individualized polypill capsules using micro-dosed and compacted powders

Номер патента: WO2024173487A3. Автор: JR. Edison Thurman Hudson. Владелец: Oneful Health, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Metrology method and apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US09535342B2. Автор: Patrick Warnaar,Hendrik Jan Hidde SMILDE. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-01-03.

Sealing assembly with non-contact labyrinth (versions), and its manufacturing method

Номер патента: RU2464468C2. Автор: Скотт Б. ЛАТТИМЕ,Ричард БОРОВСКИ,Алисия БЛЭК,Кевин М. ДИЛЛОН,Роджер ТРЕНТМАН,Стефен И. БРИСТЕР,Карл Ф. МЭДОУС,Брайан М. ХУПП,Дэвид Ж. ТОТ. Владелец: Федерал-Могул Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-20.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Method and system for determining an operating voltage using a source/drain to gate overlap induced scaling factor

Номер патента: US6737876B1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Counterfeit-proof paper, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: RU2315832C2. Автор: Тео Бурхард,Михаэль БЁМ,Хорст РАЙГЛЬ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2008-01-27.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND METHOD FOR REDUCING MICROROUGHNESS OF SEMICONDUCTOR SURFACE

Номер патента: US20120329284A1. Автор: Ohmi Tadahiro,Morinaga Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

Method and apparatus for mass production of semiconductor devices

Номер патента: AU661366A. Автор: WILHELM HEIDA and MILAN LEE LINCOLN ROBERT. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1967-12-07.

Method and apparatus for mass production of semiconductor devices

Номер патента: AU411304B2. Автор: WILHELM HEIDA and MILAN LEE LINCOLN ROBERT. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1967-12-07.

Improved manufacturing method of the shallow trench isolation region of semiconductor devices

Номер патента: TW468242B. Автор: Shiun-Ming Jang,Ying-He Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-12-11.

Exposure conditions detecting method and device thereof, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11288879A. Автор: Hisafumi Iwata,尚史 岩田,Tetsuji Yokouchi,哲司 横内. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-19.

Method and device for preventing warpage of semiconductor device

Номер патента: JPS6457630A. Автор: Seiichi Sugimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-03.

METHOD AND APPARATUS FOR PARALLEL TESTING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120290245A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-11-15.

METHOD AND STRUCTURE FOR VERTICAL INTEGRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130043554A1. Автор: Piper Daniel. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2013-02-21.

Method and system for analyzing failure of semiconductor and program for failure analysis of semiconductor

Номер патента: JP2003303746A. Автор: Hisafumi Iwata,尚史 岩田,Akira Shimase,有一 濱村,朗 嶋瀬,Yuichi Hamamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-24.

Method and apparatus for testing flatness of semiconductor device package

Номер патента: JP4557471B2. Автор: 哲男 高橋. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Method and apparatus for forming lead of semiconductor device

Номер патента: JPS6414946A. Автор: Kenji Taguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-19.

Iii-v group nitride series semiconductor substrate and manufacturing method of the same, iii-v group nitride series semiconductor device, iii-v group nitride series semiconductor substrate lot

Номер патента: JP2005340747A. Автор: 真佐知 柴田,Masatomo Shibata. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Manufacturing method of hole electrode substrate, hole electrode substrate and semiconductor device

Номер патента: JP6986221B2. Автор: 真 史 榊,田 啓 吾 太,屋 誠 治 俵. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2021-12-22.

The manufacturing method of deposition mask and its precursor and organic semiconductor device

Номер патента: CN110331365A. Автор: 武田利彦,小幡胜也,川崎博司. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Manufacturing method of vertical channel type insulated gate field effect semiconductor device

Номер патента: JP3352999B2. Автор: 舜平 山崎. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method and System for Pre-heating of Semiconductor Material for Laser Annealing and Gas Immersion Laser Doping

Номер патента: US20120329288A1. Автор: Piwczyk Bernhard. Владелец: IPG Photonics Corporation. Дата публикации: 2012-12-27.

Method and device for simulating shape of semiconductor integrated circuit and computer-readable record medium stored with shape simulation program

Номер патента: JPH11111717A. Автор: Takahiro Nakauchi,孝浩 中内. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-23.

METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATED VALIDATION OF SEMICONDUCTOR PROCESS RECIPES

Номер патента: US20120053719A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-03-01.

Method and device for back etching of semiconductor substrate

Номер патента: JPS5568633A. Автор: Yoshikazu Taniguchi,Shigeru Terada,Shinichi Miyashita,Yasuo Arima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-05-23.

Method and apparatus for surface treatment of semiconductor wafer

Номер патента: JP3627651B2. Автор: 敦資 坂井田,敏尚 谷口. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-03-09.

Method and apparatus for plasma treatment of semiconductor substrate

Номер патента: JPS62256431A. Автор: Kenichi Kojima,健一 小島,Tokihiro Ayabe,Masaaki Umetani,Izuru Tanada,綾部　時宏,梅谷　正昭,棚田　出. Владелец: PLASMA SYST KK. Дата публикации: 1987-11-09.

Method and device for measuring lifetime of semiconductor

Номер патента: JPS6437843A. Автор: Morimasa Miyazaki,Masataka Horai. Владелец: Osaka Titanium Co Ltd . Дата публикации: 1989-02-08.

Contactless detection method and apparatus for heat radiation of semiconductor lighting product

Номер патента: CN102062674A. Автор: 陈伟民,赖伟,刘显明,雷小华,王福权,普海鹏. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2011-05-18.

Method and apparatus for cleaning surface of semiconductor substrate

Номер патента: JPH0638409B2. Автор: 重行 杉戸. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-05-18.

Test method and test system for polarization of semiconductor laser

Номер патента: CN102435421A. Автор: 吴迪,刘兴胜,张彦鑫. Владелец: Xian Focuslight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Method and apparatus for surface treatment of semiconductor substrates using sequential chemical applications

Номер патента: TWI421919B. Автор: Katrina Mikhaylichenko,Dragan Podlesnik,Yizhak Sabba. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-01-01.

Method and apparatus for polishing chamfers of semiconductor wafers

Номер патента: TW374043B. Автор: Shigeru Kimura,Akihito Yanoo,Akira Kawaguchi,Shoji Tsuruta,Masao Takada. Владелец: Mitsubishi Material Silicon. Дата публикации: 1999-11-11.

Method and apparatus for epitaxial growth of semiconductor crystal

Номер патента: JP2725842B2. Автор: 尚徳 藤田,龍彦 川上. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

A mould release method and machine for glue injection of semiconductor part chip

Номер патента: CN101150079B. Автор: 张明,李继鲁,陈芳林,蒋谊. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-21.

Flattening method and polishing liquid for execution thereof and semiconductor device using the method and the liquid

Номер патента: JP2001088011A. Автор: Takeshi Nishioka,岡 岳 西. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVING RELIABILITY OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120074553A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

METHODS AND STRUCTURES FOR CUSTOMIZED STI STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120181592A1. Автор: Wang Yimin. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTION OF LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES USING PHOTOLUMINESCENCE IMAGING

Номер патента: US20130027543A1. Автор: Boeykens Steven,Marivoet Tom. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-31.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20130320539A1. Автор: Lien Chen-Kuang,WANG HUNG-CHIH,Chen Wei-Rong,Liang Yao Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

METHOD AND SYSTEM FOR DERIVED LAYER CHECKING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGN

Номер патента: US20140040839A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.,Travis Edward O.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

Method and apparatus for treating particulate dust in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: JP3201701B2. Автор: 敏夫 淡路. Владелец: 敏夫 淡路. Дата публикации: 2001-08-27.

Fault detection method and fault detection apparatus for insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP4434510B2. Автор: 幸夫 渡辺. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

Method and apparatus for measuring thermal resistance in semiconductor device

Номер патента: JP5232289B2. Автор: 丈二 矢野,雅夫 浦瀬. Владелец: Wave Technology Inc Japan. Дата публикации: 2013-07-10.

METHOD AND SYSTEM FOR SUPPORT OF SPANNING TREE PEERING AND TUNNELING IN A FLOOD DOMAIN

Номер патента: US20140112204A1. Автор: Mukhopadhyay Maitreya,Hu Wenao,Sahabi Hossein,Nataraian Badrinath. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-04-24.

Method and means for support of cementitious materials during cure

Номер патента: CA814354A. Автор: A. Baumann John,R. Tavarozzi Alfred. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1969-06-03.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermopile manufacturing method

Номер патента: RU2248070C1. Автор: Н.В. Шалаев,О.А. Новосельцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Термоклатер". Дата публикации: 2005-03-10.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING GATE CONTACT

Номер патента: US20120001259A1. Автор: ZHU Ming,Young Bao-Ru,Chuang Harry Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Ng Jin-Aun,YOU Kai-Shyang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-12-10.

Method and System for Excursion Monitoring in Optical Lithography Processes in Micro Device Fabrication

Номер патента: US20120004758A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR CATALYST-COATED MEMBRANE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003572A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2556765C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-07-20.

Gas mixing device, synthetic gas manufacturing apparatus, gas mixing method, and synthetic gas manufacturing method

Номер патента: US20120001125A1. Автор: Oguro Shuichi,Yamada Nobuhiro. Владелец: JDC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS FOR RADIO FREQUENCY (RF) PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20120000888A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for encapsulating semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: RU2066898C1. Автор: Ю.П. Смирнов,А.Д. Сидоренко,В.Ф. Дибров,В.И. Самохвалов. Владелец: Сидоренко Александр Дмитриевич. Дата публикации: 1996-09-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2303316C1. Автор: Александр Васильевич Градобоев,Павел Владимирович Рубанов,Александр Васильевич Ащеулов,Валерий Семенович Матвеев. Владелец: Томский политехнический университет - государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования. Дата публикации: 2007-07-20.

Rail support manufacturing method

Номер патента: RU2544454C1. Автор: Геннадий Геннадьевич Лосев. Владелец: Геннадий Геннадьевич Лосев. Дата публикации: 2015-03-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.