Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
Номер патента: US20040256245A1
Опубликовано: 23-12-2004
Автор(ы): HUI Wang
Принадлежит: ACM Research Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-12-2004
Автор(ы): HUI Wang
Принадлежит: ACM Research Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and compositions for direct copper plating and filling to form interconnects in the fabrication of semiconductor devices
Номер патента: KR101360595B1. Автор: 조세 곤잘레즈,헤브베 몽쇼익스. Владелец: 알쉬메. Дата публикации: 2014-02-11.