Manufacturing method of semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20020009888A1. Автор: Akira Mizumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130178067A1. Автор: Eunsung KIM,Chulho Shin,Han Geun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786556B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09646982B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160071859A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160336431A1. Автор: Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Wen-Chung Yang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490349B1. Автор: Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Wen-Chung Yang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20100075509A1. Автор: Hironobu Hirata,Yoshikazu Moriyama,Masayoshi Yajima. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20090042383A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin Gyun Kim,Bon-young Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4276912A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11935757B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yen-Hao Chen,Wei-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11894446B2. Автор: Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240145582A1. Автор: Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of Processing a Semiconductor Device

Номер патента: US20170236913A1. Автор: Martin Poelzl,Heimo Hofer,Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method for crystalline semiconductor film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20130140573A1. Автор: Yoshinobu Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP3945599A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020127785A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US09455156B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US11069580B2. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US20210013110A1. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09996658B2. Автор: Youngseok Kim,Noyoung CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570319B2. Автор: MING-CHING Chang,yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor device, pattern correction apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20080241972A1. Автор: Tomohiko Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240249941A1. Автор: Ching-Yu Chang,Wei-Han Lai,Jing Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230326741A1. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method for crystal, crystal, and semiconductor device

Номер патента: US20110254017A1. Автор: Shin Harada,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of producing a semiconductor device including treatment with dilute hydrofluoric acid

Номер патента: US8951844B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naomi Yanai,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US20020197567A1. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US6815148B2. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11715636B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09791788B2. Автор: In-sung Kim,Jin-Seok Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09755057B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12099301B2. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240369932A1. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150227046A1. Автор: Jaeho Kim,Kyoungmi KIM,Jungsik CHOI,Jeong Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09564325B2. Автор: Hyunwoo Kim,Ki-Jeong Kim,Hyosung Lee,Chawon KOH,Cheol Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09535326B2. Автор: Jaeho Kim,Kyoungmi KIM,Jungsik CHOI,Jeong Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Low cost method of fabricating epitaxial semiconductor devices

Номер патента: US5360509A. Автор: Joseph Y. Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,John Latza,Lawrence Laterza. Владелец: GI Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device by ion implantation through an ion-sensitive resist

Номер патента: US5037767A. Автор: Peter J. Daniel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1991-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369464A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060211214A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8962428B2. Автор: Lele CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210313454A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11757023B2. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5989992A. Автор: Toshiki Yabu,Mizuki Segawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-23.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: GB1498096A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-01-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11942552B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11855211B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190080964A1. Автор: Hiroyuki Utsunomiya. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11881508B2. Автор: Taegon Kim,Seong Hoon JEONG,Sunjung Kim,Kyungin Choi,Hyunchul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20220320278A1. Автор: Taegon Kim,Seong Hoon JEONG,Sunjung Kim,Kyungin Choi,Hyunchul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12021144B2. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

A method of forming a semiconductor device

Номер патента: GB2247346A. Автор: Andrew Jonathan Moseley. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1992-02-26.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: CA1090480A. Автор: Gerard A. Acket. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-11-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4870031A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5405803A. Автор: Takahisa Kusaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11955336B2. Автор: Ching-Yu Chang,Wei-Han Lai,Jing Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11869963B2. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038848A1. Автор: Carsten Ahrens,Helmut Brech,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240105842A1. Автор: Sunghwan JANG,Pyung MOON,Dohee Kim,Sunguk JANG,Mina SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09548205B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: USRE28703E. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Hein Koelmans. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-02-03.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: GB1355806A. Автор: J R A Beale. Владелец: Mullard Ltd. Дата публикации: 1974-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US20180090392A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US10134644B2. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with high packing density and having field effect transistors

Номер патента: US5385857A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11888024B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170186838A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20080227258A1. Автор: Keon-Soo Kim,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-18.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20090075462A1. Автор: Rolf Weis,Dirk Manger,Christoph Noelscher. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230317454A1. Автор: Ji Hoon Kim,Jae Han Park,Chang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1150855A. Автор: Marnix G. Collet,Hermanus L. Peek. Владелец: Hermanus L. Peek. Дата публикации: 1983-07-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020019089A1. Автор: Masahiro Shimizu,Takashi Miyajima,Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110104865A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200266191A1. Автор: Mark Griswold,Amit Paul,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Manufacturing method of mis-type semiconductor device

Номер патента: US20140287572A1. Автор: Toru Oka,Junya Nishii,Takahiro Sonoyama,Kiyotaka MIZUKAMI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming a semiconductor device including a pitch multiplication

Номер патента: US09741582B2. Автор: Lionel LUPO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US20160211240A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7534657B2. Автор: Yoshihiko Yamaguchi,Yusuke Ohta,Atsushi Fujishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and substrate carrier structure

Номер патента: US20110183496A1. Автор: Yuichi Kaneko. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240014063A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20110254150A1. Автор: Yoshimi Takahashi,Masazumi Amagai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070184634A1. Автор: Shinya Suzuki,Masatoshi Iwasaki,Toshiaki Sawada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110049709A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20120007238A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09985034B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Chan-Sic Yoon,Ho-In Ryu,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282695A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09947632B2. Автор: CHI HO Leung,Shun Tik Yeung,Pompeo V Umali,Wai (Kan Wae) Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: MY175969A. Автор: D Moyers Richard,C Shastri Sudhama. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2020-07-17.

Method of making a semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080160674A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013144A1. Автор: Ji Yeon Ryu,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20020034843A1. Автор: Florin Udrea,Gehan Amaratunga. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620499B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230215815A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230230936A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including an Edge Area

Номер патента: US20140302667A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6358835B1. Автор: Ryuichi Kanamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180122930A1. Автор: Shinichi Okamoto,Tsutomu Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09870923B2. Автор: Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of making a semiconductor device having a functional capping

Номер патента: US09620390B2. Автор: Thorbjörn Ebefors,Edvard Kalvesten,Tomas Bauer. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US20220384296A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11137435B2. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20200033389A1. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20040058530A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a semiconductor device with an isolation region and a device manufactured by the method

Номер патента: US09793348B2. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09520388B2. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: US20220137607A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: EP4200903A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: WO2022093308A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230352397A1. Автор: Eiji HIRAIWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020179979A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Han-Soo Kim,Yong Park,Kang-Sik Cho,Hoo-Seung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786565B2. Автор: Hiroyuki Ohta,Hidenobu Fukutome,Mitsugu Tajima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09349694B2. Автор: Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya,Shinpei Ishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Manufacturing method of housing for semiconductor device

Номер патента: US11806903B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Manufacturing method of housing for semiconductor device

Номер патента: US20220134616A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220692A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685446B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09525043B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US09449879B2. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09349834B2. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8399351B2. Автор: Masashi Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050250326A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Method of manufacturing a semiconductor device for reducing resistance of a CoSi2 layer

Номер патента: US20040209450A1. Автор: Cheng-Shun Chen,Wan-Yi Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080224280A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060134865A1. Автор: Tsukasa Doi,Hiroyuki Inuzuka,Kazumasa Mitsumune. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20210143113A1. Автор: Katsuhiro TAKAO. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1275137A1. Автор: Antonius M. P. J. Hendriks,Margriet L. Diekema. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150364458A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080076213A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09923092B2. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09793158B2. Автор: Yong Kong Siew,Hyunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having bit line structures disposed in trenches

Номер патента: US09666585B2. Автор: Myoung Soo Kim,Jin Ki Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120184079A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Seung-Hun Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Sun-Ghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09553165B2. Автор: Gordon M. Grivna,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09508832B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Poren Tang,Sunjung Kim,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of making flexible semiconductor device with graphene tape

Номер патента: US11456188B2. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11923273B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of making a semiconductor device including an all around gate

Номер патента: US20140357036A1. Автор: Huiming Bu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160079201A1. Автор: Won Chul Do,Jin Hee Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110318910A1. Автор: Haruo Nakazawa,Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: IE52979B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-04-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20140363939A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20020064950A1. Автор: Toshio Nagata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09911828B2. Автор: NAKJIN SON,Yeon Ho Park,Kyungsoo Kim,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09905518B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09871122B2. Автор: Jaeseok Yang,Hyunjae Lee,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09524925B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09418852B2. Автор: Haruo Nakazawa,Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230335637A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110183473A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of forming a semiconductor device including trench termination

Номер патента: US9773693B2. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of fabricating a semiconductor device having a pre metal dielectric liner

Номер патента: US20070155111A1. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09837310B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Chi-Liang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09812329B2. Автор: Jung Sik Choi,Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a semiconductor device comprising first and second nitride layers

Номер патента: US09601384B2. Автор: Kanta Saino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230145810A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20210376147A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230411519A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US11791409B2. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20150325519A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP2842164A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-03-04.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130244385A1. Автор: Naoto Saitoh. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20100178736A1. Автор: Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160268398A1. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and recording medium

Номер патента: US20160284552A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of making a semiconductor device with V2V rail

Номер патента: US12125792B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09984887B2. Автор: Motomu DEGAI. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods of operating power semiconductor devices and structures

Номер патента: US09842917B2. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and recording medium

Номер патента: US09666439B2. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US8278168B2. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-02.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20120009746A1. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110089513A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US20240186446A1. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Plasma system, chuck and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09530618B2. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US8492805B2. Автор: Masaaki Takizawa,Kentaro Akiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20130288419A1. Автор: Masaaki Takizawa,Kentaro Akiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10896869B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

A semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1808885A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5401671A. Автор: Shigeki Komori,Katsuhiro Tsukamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080200020A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Method of packaging a semiconductor device and a prefabricated connector

Номер патента: EP2084743A2. Автор: Kenneth R. Burch,Marc A. Mangrum. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-05.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240047379A1. Автор: Alim Karmous,Norbert Labrenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by using said method

Номер патента: US4052269A. Автор: Jacques Michel,Michel Iost. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1977-10-04.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of forming a semiconductor device having several gate levels

Номер патента: US4724218A. Автор: Pierre Blanchard,Jean P. Cortot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-02-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US9147579B2. Автор: Reiko Hiruta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Method of Forming a Semiconductor Device Having a Dummy Feature

Номер патента: US20080261375A1. Автор: Kevin Lucas,Rainer Thoma,Judith Mueller,Robert Boone,Yves Rody. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: US7348229B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Raymond James Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230411257A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200312857A1. Автор: Kuo-Chen Wang,Mohd Kamran Akhtar,Katsumi Koge,Guangjun Yang,Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150104904A1. Автор: Eiji Osugi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230299016A1. Автор: Myoungsoo Kim,Jisung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11901359B2. Автор: Jin Won Lee,Hyun Ho Jung,Jeong Yun Lee,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1880415A1. Автор: Jan Sonsky,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764135B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090289361A1. Автор: Seiya Fujii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Optical semiconductor device and method of assembling optical semiconductor device

Номер патента: US20210098523A1. Автор: Kyohei Maekawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4080583A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Methods of forming a semiconductor device and related semiconductor devices

Номер патента: US20200211981A1. Автор: Adam L. Olson,John D. Hopkins,Jeslin J. Wu,Rohit Kothari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150235994A1. Автор: Yoshihiro Sato,Takashi Ohba. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230352370A1. Автор: George Scott,Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9484280B2. Автор: Tiam Meng PON,Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1165903A. Автор: Jan Dieleman,Franciscus H.M. Sanders,Jozef A.M. Sanders. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5106782A. Автор: Tadashi Matsuno,Hideki Shibata,Kazuhiko Hashimoto,Hisayo Momose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4305974A. Автор: Ryoji Abe,Makoto Serigano,Shuji Tabuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-12-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of elements

Номер патента: US5019526A. Автор: Tetsuo Fujii,Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-28.

Method of manufacturing a semiconductor device with a multilayer wiring

Номер патента: US6143651A. Автор: Marian N. Webster,Albertus G. Dirks. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US3811183A. Автор: W Celling. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of manufacturing a semiconductor device with capacitor electrodes

Номер патента: US6890817B2. Автор: Takashi Uehara,Hiroshi Maeda,Toshiyuki Oashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: CA1217576A. Автор: Hiroshi Goto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: CA1179787A. Автор: Shyam P. Murarka,Chuan C. Chang,Dawon Kahng,James A. Cooper, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-12-18.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200185343A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180269171A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20180096894A1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150064913A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhisa Matsuda,Tsubasa IMAMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method of packaging a semiconductor device with a clip

Номер патента: US20130285249A1. Автор: Chee Chian Lim,Yoke Chin Goh,Boon Huat Lim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20160093731A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062327A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190122953A1. Автор: Yuki Inaba,Taiki Satou. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200395478A1. Автор: Peter A. Burke,Dean E. Probst,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A2. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11984324B2. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20230163053A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013196A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190279921A1. Автор: Kiyoaki Kadoi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20160126236A1. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having a channel extending vertically

Номер патента: US7910435B2. Автор: Hyoung-Seub Rhie. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180068944A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9831179B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device package and method of making a semiconductor device package

Номер патента: US20120068323A1. Автор: Boon Huan Gooi,Chip King Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US20160218036A1. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US9978640B2. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: CA1216966A. Автор: Pieter J.W. Jochems. Владелец: Pieter J.W. Jochems. Дата публикации: 1987-01-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1176761A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: Jose Solo De Zaldivar. Дата публикации: 1984-10-23.

Method of manufacturing a semiconductor device with BICMOS circuit

Номер патента: US5824560A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090004826A1. Автор: Hyun Park,Byung-hong Chung,Jeong-lim Nam,Young-Hoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4381967A. Автор: Jan Dieleman,Franciscus H. M. Sanders,Jozef A. M. Sanders. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-05-03.

Semiconductor device and method of enveloping the semiconductor device

Номер патента: CA1093704A. Автор: Gerard J. Scholten,Johannes Brandsma. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-13.

Method of forming a semiconductor device with metal silicide regions

Номер патента: US6268255B1. Автор: Paul R. Besser,Nicholas J. Kepler,Christian Zistl. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1165012A. Автор: Pieter J.W. Jochems. Владелец: Pieter J.W. Jochems. Дата публикации: 1984-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor device by implanting ions through bevelled oxide layer in single masking step

Номер патента: US4104085A. Автор: Paul Zandveld. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1978-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5913114A. Автор: Chang-Ki Jeon,Cheol-Joong Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having a buried region with higher impurity concentration

Номер патента: US6146957A. Автор: Youichi Yamasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7022576B2. Автор: Yong Soo Cho. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device by plasma etching of a double layer

Номер патента: US4698126A. Автор: Anton P. M. Van Arendonk,Alfred J. Van Roosmalen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-10-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6465295B1. Автор: Kenji Kitamura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2002-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device using trench isolation

Номер патента: US5830796A. Автор: Kyeong Bock Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5426064A. Автор: Yasuhiko Takemura,Toru Takayama,Hideki Uochi,Hognyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with a BiCMOS circuit

Номер патента: US5970332A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Method of producing compound semiconductor device

Номер патента: EP1363167A3. Автор: Hiroshi Kobayashi,Takanori Matsumoto,Akiyoshi Kudo. Владелец: EKC Technology KK. Дата публикации: 2007-06-06.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20080044980A1. Автор: Hans-Peter Moll,Frank Ludwig,Rolf Weis,Kimberly Wilson,Phillip Stopford. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240121953A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9818735B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170278746A1. Автор: Yong-Kong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11889672B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200111750A1. Автор: Stefan Beyer,Marius Aurel Bodea,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6319812B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshifumi Takata,Masatoshi Anma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160268397A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11830874B2. Автор: Yoon Tae Hwang,Wandon Kim,Geunwoo Kim,Hyunbae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160254264A1. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of manufacturing a semiconductor device including a stress film

Номер патента: US8383486B2. Автор: Hiroyuki Umimoto,Masafumi Tsutsui,Kaori Akamatsu. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240145306A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11935858B2. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6022773A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US11894418B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20150270276A1. Автор: Bernd Landgraf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-24.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170084665A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Frank Caris,Brian Rees. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: WO2009013531A2. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2009-01-29.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20140160390A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220302267A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887154B2. Автор: Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09640630B2. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09437724B2. Автор: Hiroaki Ueno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080038897A1. Автор: Hiroshi Yoshino,Kazushi Suzuki,Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP4372825A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240282639A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220319928A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240274593A1. Автор: Seokho KIM,Sumin Park,Joohee Jang,Seongmin Son,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620632B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170256630A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09620616B2. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having an alignment mark

Номер патента: US20050170615A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080179693A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3891481A. Автор: Reinhold Kaiser. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-24.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799762B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of inspecting a semiconductor device and semiconductor inspection systems

Номер патента: US09476840B2. Автор: Seunghune YANG,Sibo CAI,Kiho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010016371A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Akihiko Iwaya,Chikako Imura,Toshihiro Shiotsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09991351B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09905662B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09755032B1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12051696B2. Автор: Jaeseok Yang,Taehyung Kim,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US20210240227A1. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US11619974B2. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20240154027A1. Автор: Kai-Kuen Chang,Ping-Hung Chiang,Hsin-Han WU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3762967A. Автор: H Holzer,W Scherber. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12119337B2. Автор: Junichi Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614090B2. Автор: Ju-youn Kim,Sang-jung KANG,Ji-Hwan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2664894C1. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050032264A1. Автор: James O'gorman. Владелец: Eblana Photonics Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of making a semiconductor device using a nanochannel glass matrix

Номер патента: US5306661A. Автор: Brian L. Justus,Ronald J. Tonucci. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1994-04-26.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20230420544A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP2067164A1. Автор: Philippe Lance,Yann Weber,Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-06-10.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200402885A1. Автор: Keun Soo Kim,Yu Jin Jeon,Young Ik Kwon,Mi Kyoung Choi. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7071041B2. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-04.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of making a semiconductor device with changeable interconnection

Номер патента: US6069076A. Автор: Yasuji Takahashi. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170077280A1. Автор: Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20090057831A1. Автор: Florin Udrea,Cerdin Lee. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Three-dimensional (3d) semiconductor devices and methods of fabricating 3d semiconductor devices

Номер патента: US20160240555A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230143543A1. Автор: Shigenobu Maeda,Choongsun Kim,Myoungkyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11843037B2. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP4060746A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20170301769A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190131448A1. Автор: Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Locking Clip, a Semiconductor Device, and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240153838A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US10242936B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: GB1353185A. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1974-05-15.

Method of producing a semiconductor device having a light transparent window

Номер патента: US4812420A. Автор: Takashi Takahama,Kunito Sakai,Sadamu Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-14.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20010006830A1. Автор: Volker Strutz,Rüdiger Uhlmann,Stephan Wege,Achim Neu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170062361A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180182876A1. Автор: Tadashi Inoue,Yukihiro Shibata. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP4345908A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090142884A1. Автор: Kaoru Katoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11949209B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230198223A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9793228B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12002716B2. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160240641A1. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120025286A1. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220173243A1. Автор: Kilian ONG,Benjamin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2008007259A3. Автор: Hoang Viet Nguyen. Владелец: Hoang Viet Nguyen. Дата публикации: 2008-06-12.

Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device

Номер патента: US20190267486A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20130069714A1. Автор: Jai-Kwang Shin,U-In Chung,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20240105785A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190386456A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11038317B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of fabricating a semiconductor device using element isolation by field shield

Номер патента: US5672526A. Автор: Koichiro Kawamura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6096606A. Автор: Steven L. Merchant. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and device manufactured by the method

Номер патента: US3811975A. Автор: Lierop J Van. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20130168662A1. Автор: Thomas Kugler,Christopher Newsome,Mohd K. Othman. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4310918A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Method of forming power semiconductor device

Номер патента: US20230187537A1. Автор: Sang-Yong Lee,Sang-Su Woo. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240030217A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20120190135A1. Автор: Takayuki Ito,Koji Kugino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070263691A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7263115B2. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040233952A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

A Semiconductor Device and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: EP1465303A3. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Heating system and method of testing a semiconductor device using a heating system

Номер патента: US09609693B2. Автор: Carlos Pereira,Maxime Clairet. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of operating a semiconductor device

Номер патента: US09584104B2. Автор: Hubert Bode,Andreas Johann Roth,Mathieu Gauthier Lesbats. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240341104A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US9473861B1. Автор: Dennis Wayne Mitchler,James Gregory Ryan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having three-dimensional cell structure

Номер патента: US20230292638A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: WO2015130657A1. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device(s) and method of refreshing the semiconductor device

Номер патента: US09711204B1. Автор: Youk Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200143010A1. Автор: Kang-Min Jung,Sangtae Kim,Bong-Soo Kang,Sooyong Lee,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US9302904B2. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US20150044808A1. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Pogo pin and probe card, and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09651577B2. Автор: Joon-Yeon Kim,Sung-ho Joo,Yu-Kyum KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of designing a semiconductor device

Номер патента: US20090007045A1. Автор: Noriaki Oda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of designing a semiconductor device

Номер патента: US8146044B2. Автор: Noriaki Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1255192A. Автор: Charles T. Foxon. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-06-06.

A method of testing a semiconductor device as well as a corresponding testing device

Номер патента: EP4290251A1. Автор: Magnus RUMMEY. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and method of testing the semiconductor device

Номер патента: US20240177791A1. Автор: Jun Hyuk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device for performing a program operation and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240170079A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of testing a semiconductor device as well as a corresponding testing device

Номер патента: US20230400503A1. Автор: Magnus Siegfried RUMMEY. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US11907681B2. Автор: Taro Fujii,Takao Toi,Katsumi Togawa,Teruhito TANAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of measuring a semiconductor device

Номер патента: US11830176B2. Автор: Kai Lee,Chih-Chien Huang,Hao-Hsiang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of extracting a semiconductor device compact model

Номер патента: US20060282802A1. Автор: Sitaramarao Yechuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device configured to store parity data and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240021223A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.