반도체소자의 안티퓨즈 제조방법
Номер патента: KR100334388B1
Опубликовано: 18-07-2002
Автор(ы): 최병진, 홍성주
Принадлежит: 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-07-2002
Автор(ы): 최병진, 홍성주
Принадлежит: 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices
Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.