반도체소자의 안티퓨즈 제조방법

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US7309627B2. Автор: Osamu Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US20060014341A1. Автор: Osamu Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Method for forming a contact window in a semiconductor device

Номер патента: WO2003028084A1. Автор: Dev Alok,Juanita A. Barone,Regina Conrad. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100632035B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100226726B1. Автор: 양천수. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming inter-dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100881509B1. Автор: 유병학. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US09437423B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: WO2024158449A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim. Владелец: Ling, Mang-Mang. Дата публикации: 2024-08-02.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: US20240249936A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for reducing pillar structure dimensions of a semiconductor device

Номер патента: WO2009045347A1. Автор: Michael Chan,Steven J. Radigan,Yung-Tin Chen,Paul Poon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming pad oxide layer of semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW559882B. Автор: Chung-Chi Chang,Hsin-Yi Chen,Liang-Tien Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Method for fabricating the gate dielectric of semiconductor device

Номер патента: KR100605175B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-31.

Method for manufacturing cell projection mask of semiconductor device

Номер патента: KR100499622B1. Автор: 김영식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for forming element isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100950748B1. Автор: 최명규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-05.

Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100900227B1. Автор: 최용수,김규현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-29.

Method for manufacturing the insulation film of semiconductor device

Номер патента: KR0146257B1. Автор: 이일호. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-11-02.

Method for forming field oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100401529B1. Автор: 박상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960039359A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-25.

Method for manufacturing a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100405934B1. Автор: 이창석,이철승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-14.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100421280B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-09.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: EP1542288A4. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US20060001044A1. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7208387B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-24.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacture method, annealing device and the storage medium of semiconductor device

Номер патента: CN107507768A. Автор: 冈田充弘. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-22.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12057342B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for Forming Device Isolation Film of Semiconductor Device

Номер патента: KR100557533B1. Автор: 최용수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-03.

Method for manufacturing device isolation barrier of semiconductor device

Номер патента: KR100517351B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for forming device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100596876B1. Автор: 이성준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100451319B1. Автор: 박동수,정승훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-06.

Method for forming the contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100480233B1. Автор: 최동구,김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-06.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100567352B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-04.

Method for Manufacturing Shallow Trench Isolation of Semiconductor Device

Номер патента: KR101037510B1. Автор: 정종구,유철휘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for forming field oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100297098B1. Автор: 장세억. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-24.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100687859B1. Автор: 남기봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100561515B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for Forming Shallow Trench Isolation of Semiconductor Device

Номер патента: KR100960477B1. Автор: 김승범,김종국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-01.

Method for forming inter-layer dielectrics of semiconductor device

Номер патента: KR100620153B1. Автор: 명정학. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-01.

Method for manufacturing shallow trench isolation of semiconductor devices

Номер патента: KR100315440B1. Автор: 정대호. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for forming element isolation region of semiconductor device

Номер патента: KR980012242A. Автор: 노병혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for forming gate oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR100281135B1. Автор: 라사균. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100431995B1. Автор: 최명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970077325A. Автор: 이상규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for manufacturing gate oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR960039192A. Автор: 윤기채. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1996-11-21.

Method for fabricating field oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100320797B1. Автор: 신강섭,백인혁. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for Forming Interlayer Insulating Film of Semiconductor Device

Номер патента: KR100513367B1. Автор: 신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-06.

Method for manufacturing intermetal dielectric layer of semiconductor devices

Номер патента: KR100299332B1. Автор: 김래성. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for manufacturing multiple spacer widths of semiconductor device

Номер патента: TWI247361B. Автор: Ai-Sen Liu,Yih-Shung Lin,Cheng-Chung Lin,Ming-Ta Lei,Baw-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for enhancing the alignment accuracy of semiconductor devices

Номер патента: TW432708B. Автор: Kouichi Harada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

A method for forming a meterial layer in a semiconductor device using liquid phase deposition

Номер патента: SG54195A1. Автор: Faivel S Pintchovski. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-16.

Method For Polishing A Substrate Composed Of Semiconductor Material

Номер патента: US20090029552A1. Автор: Juergen Schwandner,Thomas Buschhardt,Roland Koppert,Georg Pietsch. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for polishing a substrate composed of semiconductor material

Номер патента: US8647985B2. Автор: Juergen Schwandner,Thomas Buschhardt,Roland Koppert,Georg Pietsch. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-02-11.

Method for forming shallow trench isolation of semiconductor element

Номер патента: KR100607762B1. Автор: 명정학. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for polishing a substrate composed of semiconductor material

Номер патента: SG149772A1. Автор: Juergen Schwandner,Thomas Buschhardt,Roland Koppert,Georg Pietsch. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-02-27.

Wafer Level Package (WLP) and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200098705A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Silicon Phosphide Semiconductor Device

Номер патента: US20230360974A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for defining the metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100640525B1. Автор: 김기용. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for etching a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20040154186A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20020142614A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Discharge device and method for use in processing semiconductor devices

Номер патента: CA1118535A. Автор: John J. Zasio,Michael W. Samuels. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US09799553B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US09646849B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

A manufacturing method for preventing a silicon nodule of a semiconductor device

Номер патента: KR100552842B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-21.

Method for Manufacturing Inter Metal Dielectrics of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100607820B1. Автор: 이준우. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: TW200814145A. Автор: Jae-Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240096634A1. Автор: Sooyeon HAN,IkSoo JI. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Package Structure for Semiconductor Device and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20220319940A1. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US20170200633A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268198A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200294802A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: WO2020185391A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US11217448B2. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080003834A1. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200357639A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for manufacturing an interconnect structure for stacked semiconductor device

Номер патента: US20020074670A1. Автор: Tadatomo Suga. Владелец: Tadatomo Suga. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method for crystal, crystal, and semiconductor device

Номер патента: US20110254017A1. Автор: Shin Harada,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100647397B1. Автор: 신민정,곽병일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-23.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100461329B1. Автор: 박성기,김상덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-14.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR980006086A. Автор: 김영복. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR20040002201A. Автор: 박성기,김상덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-07.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057458A1. Автор: Hong Kwon,LEE Jong Min,HAN Ji Hye,Park Hyung Soon,KIM Hyung Hwan,LEE Geun Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for manufacturing a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100416657B1. Автор: 심준범. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-01-31.

Method for forming a cleaved facet of semiconductor device

Номер патента: KR101883843B1. Автор: 한영훈,유동한. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2018-08-01.

Method for forming PE-TEOS layer of semiconductor device

Номер патента: KR100491396B1. Автор: 장봉준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-25.

Method for Forming Interlayer Insulating Film of Semiconductor Device

Номер патента: KR101017052B1. Автор: 박상종. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for manufacturing intermetal dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100459063B1. Автор: 김창규,김완식. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Method for manufacturing field oxidation film of semiconductor device

Номер патента: KR100248346B1. Автор: 김종철,김영복,여인석,장세억. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method For Forming Bit Line Spacer Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100871368B1. Автор: 박동수,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-02.

Method for planarization of intermediate layer of semiconductor device

Номер патента: KR100920036B1. Автор: 신주한. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-10-07.

The method for forming the isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100949867B1. Автор: 김한내. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for Forming Interlayer Insulating Film of Semiconductor Device

Номер патента: KR100946814B1. Автор: 박상종. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-03-09.

Method For Forming Intermetal Dielectric layer Of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100520503B1. Автор: 조경수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-11.

Method for forming dual gate oxide of Semiconductor device

Номер патента: KR100344841B1. Автор: 이종곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-20.

A method for forming a field oxide of semiconductor device

Номер патента: KR100429678B1. Автор: 김형균,윤영식,이근일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-03.

Method For Forming The Bit Line Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100712981B1. Автор: 박성기,김상덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for forming double interlayer dielectrics of semiconductor device

Номер патента: KR100681677B1. Автор: 이태영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-09.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100513363B1. Автор: 최창주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100462366B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-12-17.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100641501B1. Автор: 이강현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for forming the isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100944666B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-03-04.

method for fabricating gate insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR100379533B1. Автор: 박상욱,이찬호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for manufacturing gate insulating layer of semiconductor device

Номер патента: KR100399445B1. Автор: 주문식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-11.

Method for forming non-pseudo-film of semiconductor device

Номер патента: KR970071372A. Автор: 안희복. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100687854B1. Автор: 김영복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for planarizing interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR980005823A. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100984855B1. Автор: 이광호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-10-04.

Method For Forming The Junction Electrode Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100510997B1. Автор: 우상호,전광석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-31.

Method for forming silicon epitaxial layer of semiconductor device

Номер патента: KR100635771B1. Автор: 이동준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-17.

Method for forming inter-dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100523627B1. Автор: 김승현. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Method for manufacturing a contact electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100385467B1. Автор: 전인규. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-05-27.

Method for forming silicon oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR101082921B1. Автор: 김희석,김진균,안재영,임주완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-11-11.

Method for forming the Metal Layer Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100433846B1. Автор: 윤종호,진성곤,김구영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabrication of contact pad of semiconductor device

Номер патента: KR100471401B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming a trench isolation of semiconductor devices

Номер патента: KR100674903B1. Автор: 백재철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-26.

Method for forming the gate oxide of semiconductor device

Номер патента: KR100596883B1. Автор: 정민호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for post-treating metal interconnects of semiconductor devices

Номер патента: KR100605942B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for forming the pad layer of semiconductor device

Номер патента: KR100605194B1. Автор: 이재석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-31.

Method for forming interlayer insulating layer of semiconductor device

Номер патента: KR980012094A. Автор: 이기훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing gate insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR960026362A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

manufacturing method of low-k plasma polymerized thin films and semiconductor devices using them

Номер патента: KR100371691B1. Автор: 정동근. Владелец: 정동근. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for improving the electrical characteristics of germanium semiconductor devices

Номер патента: US3227580A. Автор: Clarence G Thornton. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-01-04.

Method for carry in and installation of semiconductor manufacturing apparatus and substitute for apparatus

Номер патента: WO2001013411A1. Автор: Kiyoshi Komiyama. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2001-02-22.

Method for manufacturing nanowires

Номер патента: AU2021228534A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for manufacturing nanowires

Номер патента: EP4111509A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-01-04.

Method for manufacturing nanowires

Номер патента: WO2021173232A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

IN-LINE WET BENCH DEVICE AND METHOD FOR THE WET-CHEMICAL TREATMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS

Номер патента: US20180330975A1. Автор: WEIHRAUCH Anika. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Method for forming the contact hall of semiconductor memory device

Номер патента: KR100976684B1. Автор: 김진구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-18.

Method for forming gate isolation film of semiconductor

Номер патента: KR100408001B1. Автор: 조일현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

In-line wet bench device and method for the wet-chemical treatment of semiconductor wafers

Номер патента: KR102026000B1. Автор: 아니카 바이라크. Владелец: 한화큐셀 게엠베하. Дата публикации: 2019-11-04.

Method for ready-to-ship packaging of semiconductor wafers

Номер патента: DE102004063912B4. Автор: Helmut Dr. Schwenk,Georg-Friedrich Dr. Hohl,Nathalie Lecompte,Oliver Dr. Ruscitti. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Method For Forming The Gate Electrode Of Semiconductor

Номер патента: KR100338821B1. Автор: 김동진,이승철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-31.

Method for forming multi-layer wiring of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP2671902B2. Автор: 朗 及川,俊一 福山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-11-05.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110291182A1. Автор: Seung Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230420560A1. Автор: Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating hydrogen treated surface of semiconductor device with buried gate

Номер патента: US11929410B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220310617A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with etched landing pad surface and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023308A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with etched landing pad surface

Номер патента: US20240023307A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming aluminum alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970072322A. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for fabricating multi metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100340857B1. Автор: 박상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-02.

Method for forming thin film resistor of semiconductor device

Номер патента: KR101030239B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-04-22.

A method for forming a contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100745906B1. Автор: 주성재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for manufacturing metal wiring structure of semiconductor device

Номер патента: KR100571391B1. Автор: 김상권. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-14.

Method for forming metal wiring layer of semiconductor device

Номер патента: KR100480632B1. Автор: 김병희,최길현,윤주영,서정훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for forming high dielectric capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100265339B1. Автор: 김경민,박기선,임찬. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method for forming thin film resistor of semiconductor device

Номер патента: KR100667915B1. Автор: 김영근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-11.

Multi-layer wiring structure, method for manufacturing multi-layer wiring structure, and semiconductor device

Номер патента: US20190088672A1. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device having dual damascene line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20020030280A1. Автор: Kyung-Tae Lee,Seong-ho Liu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170229396A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for making a quad leadframe for a semiconductor device

Номер патента: US5339518A. Автор: Truoc T. Tran,Wilhelm Sterlin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210143117A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for forming ruthenium storage node of semiconductor device

Номер патента: TW200408060A. Автор: Geun-Min Choi,Dee-Joon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-16.

Manufacturing method for metal line contact plug of semiconductor devices

Номер патента: KR100447254B1. Автор: 정종구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-07.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5447885A. Автор: Hyun-Jin Cho,Oh-Hyun Kwon,Heung-mo Yang,Yun-sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100108979A1. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20080138958A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US11923328B2. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20240250053A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device including air gap

Номер патента: US8071971B2. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US20050142829A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US7192869B2. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for forming the copper wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100557652B1. Автор: 심천만. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming vertical channel transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100971411B1. Автор: 김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for forming a metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR20060018374A. Автор: 오준환,이정일,김미영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-02.

A method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100635872B1. Автор: 권병호,권성수. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-10-18.

Method for Measuring Mirror Polishing Amount of Semiconductor Device

Номер патента: KR19980066760A. Автор: 정성학. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-10-15.

Gate polysilicon etching method for forming dual gate electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100272182B1. Автор: 김승준. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for forming a conductor pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100382312B1. Автор: 백인혁. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100632041B1. Автор: 박태희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

A method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100358569B1. Автор: 권세한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for forming fine contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100291824B1. Автор: 최양규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-01.

Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100895811B1. Автор: 김준기,황의성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-06.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR970072307A. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-11-07.

Method For Forming The Tungsten Plug Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100607656B1. Автор: 이경락,이재곤. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for forming field oxide layer of semiconductor device

Номер патента: GB9105923D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-05-08.

Method for defining the metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100605911B1. Автор: 김기용. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for forming metal interconnection line of semiconductor device

Номер патента: KR100315039B1. Автор: 박수영,이재중,이호석. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-24.

Method for forming vertical channel transistor of semiconductor device

Номер патента: US7892912B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Method for manufacturing field oxide film of semiconductor device

Номер патента: JP3025469B2. Автор: 世億 張. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2000-03-27.

Method for forming of metal interconnects of semiconductor devices

Номер патента: KR100604075B1. Автор: 김수곤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-24.

Method for forming ruthenium storage node of semiconductor device

Номер патента: US20030124747A1. Автор: Kee-Joon Oh,Geun-Min Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: TW521350B. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-21.

Method for forming an insulating layer of a semiconductor device

Номер патента: IE55741B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-01-02.

Method for preventing Cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TWI272677B. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US09881872B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10930602B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784137B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming micro contact window of semiconductor device

Номер патента: KR970052317A. Автор: 신윤승,김승인. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: TW200802539A. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for forming pad and fuse of semiconductor device

Номер патента: KR100943486B1. Автор: 유승종. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2010-02-22.

Method For Forming The Anti-Fuse Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100355603B1. Автор: 신중식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-12.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US20130037859A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Bonding pad structure disposed in semiconductor device and related method

Номер патента: US20080290457A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yuan-Wen Hsiao,Yuh-Kuang Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method for glass substrate and glass substrate

Номер патента: US12068181B2. Автор: Yuichi Yoshida,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for glass substrate and glass substrate

Номер патента: US20240030051A1. Автор: Yuichi Yoshida,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Vertical semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240072113A1. Автор: Tim Böttcher,Steffen Holland,Stefan Berglund,Seong-Woo BAE,Detlef Oelgeschlaeger. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100980260B1. Автор: 정연우. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-09-06.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100876785B1. Автор: 이호석,서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-07.

Method for forming device isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100559590B1. Автор: 권영민. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

METHOD FOR FABRICATING FIN OF FINFET OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170033012A1. Автор: Walke Amey Mahadev,Dhong Sang Hoo,HSIEH Ho-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR101046717B1. Автор: 이성권,정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

A method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100276387B1. Автор: 이재구,조창현,정홍식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR101006508B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-07.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100979233B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for forming element isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100950749B1. Автор: 김형식,최명규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-05.

Method for forming a metal line of semiconductor device using a damascene process

Номер патента: KR100723465B1. Автор: 강호규,김성호,구주선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for manufacturing shallow trench isolation of semiconductor devices

Номер патента: KR100315443B1. Автор: 박건욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for forming align key pattern of semiconductor device

Номер патента: KR0155835B1. Автор: 조윤희. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-12-01.

A method for forming dual damascene structure of semiconductor device

Номер патента: KR100657756B1. Автор: 이강현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for forming a metal wire of semiconductor device

Номер патента: KR100800892B1. Автор: 이인건. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Method for forming a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100226216B1. Автор: 이병석,정의삼,송일석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR20050011488A. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-29.

Method for forming storage node contact of semiconductor device

Номер патента: KR100668843B1. Автор: 김형환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100641484B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

A method for forming a damascene structure of semiconductor device

Номер патента: KR100640407B1. Автор: 이대근. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100572211B1. Автор: 강진아. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-18.

Method for manufacturing field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR950021358A. Автор: 노광명,황성민,고요환,박찬광. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Fabricating method for self-aligned contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100300053B1. Автор: 강정원,채민철. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

Method for forming the contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR101099515B1. Автор: 김완수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for forming of conduction pattern of semiconductor device

Номер патента: KR20040058750A. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-05.

Method for fabricating isolating oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100297170B1. Автор: 엄금용. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-24.

Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100226786B1. Автор: 김필승. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR101073130B1. Автор: 이민석,이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-12.

A method for forming a field oxide of semiconductor device

Номер патента: KR100400301B1. Автор: 김형균,손용선,이근일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for forming vertical channel transistor of semiconductor device

Номер патента: US7851293B2. Автор: Yun-Seok Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Method for forming the copper interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100606540B1. Автор: 이강현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for fabricating charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100335765B1. Автор: 나금주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-02.

Method for forming multiple metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100416815B1. Автор: 이경복,홍미란. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-10.

Method for forming multilayered metal-line of semiconductor device

Номер патента: KR100322887B1. Автор: 김길호,박철준. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-08.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR970077492A. Автор: 조광철. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for etching organic film, manufacture of semiconductor device and pattern forming method

Номер патента: CN1203533C. Автор: 中川秀夫. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-25.

System and method for integrated singulation and inspection of semiconductor devices

Номер патента: US6473702B1. Автор: Dean Tran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-29.

A method for forming a field oxide of semiconductor device

Номер патента: KR100626908B1. Автор: 장민우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100545176B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-24.

Method for forming element isolation film of semiconductor device using CMP

Номер патента: KR100967674B1. Автор: 김명식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for forming multi-level wire of semiconductor device

Номер патента: KR100357222B1. Автор: 정용식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-19.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100483575B1. Автор: 백선행,김일욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for Forming Metal Line Layers of Semiconductor Device

Номер патента: KR100604418B1. Автор: 신주한. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-07-25.

Method for forming metal line contact of semiconductor device

Номер патента: KR100575871B1. Автор: 길민철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-03.

Method for manufacturing multilayer wiring structure of semiconductor device

Номер патента: KR19990087024A. Автор: 김영철,윤진영. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP5084074B2. Автор: 眞 雄 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100873358B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-12-10.

Method for forming film and manufacture of semiconductor device

Номер патента: TW417172B. Автор: Kazuo Maeda,Noboru Tokumasu. Владелец: Canon Sales Co Inc. Дата публикации: 2001-01-01.

System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers

Номер патента: EP1250215B1. Автор: Yehiel Gotkis,Rod Kistler. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for forming shallow trench isolation of semiconductor element

Номер патента: KR100470198B1. Автор: 박태희. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-02-05.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLED POLISHING AND PLANARIZATION OF SEMICONDUCTOR GRINDING

Номер патента: DE60102891T2. Автор: Yehiel Gotkis,Rod Kistler. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for cooling a workpiece made of semiconductor material during wire sawing

Номер патента: DE102011008400A1. Автор: Peter Wiesner,Anton Huber. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-07-12.

Apparatus and method for rounding off the edges of semiconductor discs

Номер патента: GB9212891D0. Автор: . Владелец: GMN Georg Mueller Nuernberg AG. Дата публикации: 1992-07-29.

Semiconductor devices with pyramidal shielding and method for making the same

Номер патента: US20240055368A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device package, antenna device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830799B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230411304A1. Автор: Junghoon Kim,KyungMoon Kim,KyoWang Koo,YoungSang KIM,HeeYoun Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220028801A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US20160260851A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US09508877B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing capacitor lower electrodes of semiconductor memory

Номер патента: US8088668B2. Автор: Chung-Yi Chang,Shin Bin Huang,Jung-Hung Wang. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices

Номер патента: US4745354A. Автор: Douglas S. Fraser. Владелец: FTS Systems Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices.

Номер патента: MY100200A. Автор: S Fraser Douglas. Владелец: Fts System Inc. Дата публикации: 1990-04-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020160613A1. Автор: Hirokazu Sayama,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223320A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US20230253214A1. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of lead-wire frame and resin sealing type semiconductor device

Номер патента: CN1291789A. Автор: 南尾匡纪,安达修. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2001-04-18.

Method for formation fo solder ball of semiconductor package

Номер патента: KR101088295B1. Автор: 박민서. Владелец: 에스티에스반도체통신 주식회사. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device package and method for packaging the same

Номер патента: US20210082835A1. Автор: Lu-Ming Lai,Yu-Che Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11784111B2. Автор: HUNG-YI LIN,Wu Chou HSU,Chin-Cheng Kuo,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4231342A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4167276A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-04-19.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: TWI243417B. Автор: Jong-Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-11.

Method for forming barrier metal layer of semiconductor device

Номер патента: TW417205B. Автор: Sung-gon Jin,Kyeong-Bock Lee. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-01.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: TW394987B. Автор: Se-Aug Jang,Byung-Jin Cho,Jong-Choul Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-06-21.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: GB9722444D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-24.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862672B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Manufacture method, substrate board treatment and the program of semiconductor device

Номер патента: CN107924826A. Автор: 广地志有,山口英人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacture method, lining processor and the recording medium of semiconductor devices

Номер патента: CN104885201B. Автор: 大桥直史. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-09-22.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacture method, lining processor and the recording medium of semiconductor devices

Номер патента: CN107924829A. Автор: 清野笃郎,小川有人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-17.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: CN100477148C. Автор: 李相敦. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for forming device isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100312987B1. Автор: 원대희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-01-15.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100461328B1. Автор: 김우진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-14.

Methods for trench device isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: KR100515057B1. Автор: 박규찬,최정달,조성순,김홍수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-14.

Method for forming device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100569510B1. Автор: 진승우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-07.

Method for forming device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR20050119431A. Автор: 진승우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-21.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20040185677A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TW200515494A. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-01.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20060035473A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20050279283A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TWI223338B. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming a metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100607753B1. Автор: 박태희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for filling a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100252883B1. Автор: 조광두. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming metal wiring layer of semiconductor device

Номер патента: KR100594276B1. Автор: 이상우,김락환,최길현,한성호,전형민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for fabricating inter metal dielectric of semiconductor device

Номер патента: KR100562319B1. Автор: 김래성. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-22.

Method for manufacturing field oxygen film of semiconductor device

Номер патента: KR100241508B1. Автор: 김우진,공영택. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100268443B1. Автор: 조창현,김기남,정태영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for forming element isolating layer of semiconductor device

Номер патента: KR100511925B1. Автор: 이가원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-05.

Method for forming the metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100632115B1. Автор: 김승현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100486111B1. Автор: 이원권. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-29.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100842506B1. Автор: 이동준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for manufacturing a landing plug of semiconductor device by using selective epitaxial growth

Номер патента: KR100405936B1. Автор: 이상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-14.

A method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100576464B1. Автор: 진성곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-08.

Method for fabricating the multi-gate of semiconductor device

Номер патента: KR100600244B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for fabrication of conduction pattern of semiconductor device having tungsten layer

Номер патента: KR101027337B1. Автор: 한상엽,권판기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for forming dual gate electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100835430B1. Автор: 조은상. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-06-04.

Method for forming Shallow Trench Isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100461330B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-14.

Method for forming barrier metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100342826B1. Автор: 진성곤,김춘환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for forming a test pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100403319B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for forming the isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100460043B1. Автор: 황영호,박효식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-04.

METHOD FOR MANUFACTURING TiSiN SILICIDE LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: KR100818397B1. Автор: 전동기. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for forming metal interconnection line of semiconductor device

Номер патента: KR100318271B1. Автор: 이성권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method for forming element isolation region of semiconductor device

Номер патента: KR970072225A. Автор: 박문한,김성의. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming barrier metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100265837B1. Автор: 박민규. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for forming metal barrier film of semiconductor device

Номер патента: KR100310468B1. Автор: 구영모,전영호,장형진,이우봉,고재완,김세정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for manufacturing film thwarting diffusion of semiconductor device

Номер патента: KR100241505B1. Автор: 김진현,윤경렬. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for forming t-type gate of semiconductor device

Номер патента: KR100262941B1. Автор: 이진희,박철순,박병선,편광의,윤형섭. Владелец: 이계철. Дата публикации: 2000-09-01.

Method for forming tungsten silicide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100342825B1. Автор: 정성희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-02.

Method for forming a metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100527673B1. Автор: 이상우,최길현,강상범,박진호,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-28.

Method for forming a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100223772B1. Автор: 최승봉. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100621548B1. Автор: 김성일,오혁상,손정훈,정주혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-14.

Method for forming capacitor storage node of semiconductor device

Номер патента: JP5294182B2. Автор: 俊▲ひょぷ▼ 宣,聖權 李,誠允 趙. Владелец: 658868. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for forming diffusion barrier film of semiconductor device

Номер патента: KR970060363A. Автор: 진성곤,김정태,김삼동. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for forming source and drain of semiconductor device

Номер патента: KR100358174B1. Автор: 이동호,진승우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method for forming micro contact hole of semiconductor device using double spacer

Номер патента: KR950001898A. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Forming method for electrode and wiring layer of semiconductor device

Номер патента: JPS5726431A. Автор: Yoshiki Suzuki,Teruhiko Yamazaki,Yaichiro Watakabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-02-12.

Method for forming the isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100667912B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for forming a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100191709B1. Автор: 조경수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR940016879A. Автор: 박해성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: JP2871535B2. Автор: 相 ▲ほん▼ 朴. Владелец: GENDAI DENSHI SANGYO KK. Дата публикации: 1999-03-17.

Method for forming the copper interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100598295B1. Автор: 전인규. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-07.

A method for forming a field oxide of semiconductor device

Номер патента: KR20050010251A. Автор: 장민우,김한내,강효영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-27.

Method for forming gate oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100386451B1. Автор: 이광표. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-02.

Method for forming diffusion barrier film of semiconductor device

Номер патента: KR100252843B1. Автор: 김준기,김병엽. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100247644B1. Автор: 박현,고철기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for forming gate buffer spacer of semiconductor device

Номер патента: KR100955929B1. Автор: 장동혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-03.

Method for fabricating element isolating film of semiconductor device and structure of the same

Номер патента: KR100402100B1. Автор: 최세경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-17.

Method for forming the isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100744806B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for forming gate oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100602109B1. Автор: 안희균. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-19.

Method for forming titanium silicide contact of semiconductor device

Номер патента: KR100477816B1. Автор: 손현철,이윤직. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-22.

Method for manufacturing a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100395776B1. Автор: 정병현,김형윤. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for forming copper diffusion barrier of semiconductor device

Номер патента: KR100588664B1. Автор: 박혁. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method for fabricating raised source/drain of semiconductor device

Номер патента: US20040002194A1. Автор: Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-01.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100873357B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-12-10.

Method for manufacturing storage node contact of semiconductor device

Номер патента: KR100680948B1. Автор: 이주희,안현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for forming element isolation film of semiconductor device

Номер патента: JP3205775B2. Автор: インオク バク,ヨンソク ジョン,イシク キム. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-09-04.

Method for forming gate insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR0147432B1. Автор: 주문식. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-11-02.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR950021117A. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Method For Forming The Gate Electrode Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100549569B1. Автор: 김상철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-08.

Forming method for electrode and wiring layer of semiconductor device

Номер патента: JPS5726430A. Автор: Yoshiki Suzuki,Teruhiko Yamazaki,Yaichiro Watakabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-02-12.

Method for manufacturing metal connecting wire of semiconductor device

Номер патента: CN112582339A. Автор: 吴佳宏. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for forming an isolating layer of semiconductor devices

Номер патента: KR20000004405A. Автор: 김학동. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-01-25.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: JP2937886B2. Автор: 是範 金. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-23.

Method for forming metal wiring layer of semiconductor device

Номер патента: KR100564605B1. Автор: 최길현,박재화,박희숙,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-28.

Method for Forming Self-Aligned Silcide of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628253B1. Автор: 심규철,이완규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for manufacturing metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: KR100465063B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-06.

A method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100895404B1. Автор: 윤동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-06.

Method for manufacturing esd protecting circuit of semiconductor device

Номер патента: KR100190091B1. Автор: 윤찬수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming dual poly gate of semiconductor device

Номер патента: KR100960923B1. Автор: 이영호,송석표,신동선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-04.

Method for fabricating element isolating film of semiconductor device, and structure of the same

Номер патента: US20020160578A1. Автор: Se Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for manufacturing field oxide film of semiconductor device

Номер патента: JP3417298B2. Автор: 世億 張,榮福 金,寅碩 呂,鐘哲 金. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-16.

Method for forming landing plug poly of semiconductor device

Номер патента: US20060110910A1. Автор: KI Nam,Jung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for fabricating a landing plug of semiconductor device

Номер патента: KR20030003307A. Автор: 이상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-10.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: JPH11260911A. Автор: Hyon Ri Zu,ズ・ヒョン・リ. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-24.

Method for forming aluminium metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100462763B1. Автор: 이한춘,정병현. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-12-20.

Method for forming element isolation region of semiconductor device

Номер патента: JP3581505B2. Автор: 金誠意,洪守殄. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-27.

Method for manufacturing Field-Effect-Transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100499954B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for forming stack gate electrode of semiconductor device

Номер патента: KR20040057753A. Автор: 이정호,조흥재,차태호,임관용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-02.

Method for forming source/drain junction of semiconductor device

Номер патента: KR100313090B1. Автор: 이찬호,곽노열. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-07.

Method for forming multilevel metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100390038B1. Автор: 김종석,강양범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-04.

A method for forming fine concuctive line of semiconductor device

Номер патента: KR100275934B1. Автор: 홍상표. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for forming impurity junction region of semiconductor device

Номер патента: JP2834712B2. Автор: 吉鎬 李. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-14.

Method for forming gate oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR20040011255A. Автор: 안희균. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-02-05.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100333538B1. Автор: 김진웅,신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-04.

Method for forming source / drain junction of semiconductor device

Номер патента: KR950010125A. Автор: 나상군,유상호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-04-26.

Method for forming the copper wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100606544B1. Автор: 정성희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

A method for forming a wordline spacer of semiconductor device

Номер патента: KR100370783B1. Автор: 이찬용,김형덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-05.

Method for forming contact hole spacer of semiconductor device

Номер патента: KR960026200A. Автор: 임찬. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

Method for forming of metal wire of semiconductor device

Номер патента: KR100248342B1. Автор: 최창주,이승욱,설여송. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for forming element isolation film of semiconductor device

Номер патента: JP3923584B2. Автор: 東浩 安. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-06.

Method for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures

Номер патента: US7037854B2. Автор: Robert Z. Bachrach,Jeffrey D. Chinn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Method for forming metal wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20030176056A1. Автор: Kyoung-Woo Lee,Soo-Geun Lee,Hong-jae Shin,Jae-Hak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Manufacturing method of capacitor having cylindric storage node structure for semiconductor device

Номер патента: KR100486231B1. Автор: 김병철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for forming triple well structure in a semiconductor device

Номер патента: TW432499B. Автор: Jung-Hoon Lee,Bon-Seong Koo,Yoon-Nam Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-05-01.

An apparatus and method for attatching tape for manufacturing of semiconductor package

Номер патента: KR20030060163A. Автор: 지제연,권은용. Владелец: 삼성테크윈 주식회사. Дата публикации: 2003-07-16.

A method for preparing of integrated circuit of semiconductor

Номер патента: KR100364260B1. Автор: 김병희,최길현,이명범,이종명. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-11.

Method for forming an floating gate of semiconductor memory device

Номер патента: KR100672722B1. Автор: 최부경. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

A method for preparing of integrated circuit of semiconductor

Номер патента: KR100399417B1. Автор: 김병희,최길현,이명범,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-09-26.

Method for forming field oxide film of semiconductor memory cell

Номер патента: KR100239690B1. Автор: 고상기. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Method for forming diffusion barrier film of semiconductor element

Номер патента: JP4001509B2. Автор: ピョ,スン・ギュ. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-31.

Method for removing tiebars after molding of semiconductor chip

Номер патента: US20050230789A1. Автор: Kenta Matsunaga,Hidekazu Manabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for fabricating fine conducting lines of semiconductor memory device

Номер патента: KR100486755B1. Автор: 최성곤. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Semiconductor device with asymmetric transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170116A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150140804A1. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8946855B2. Автор: Sang Ho Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11508848B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210083093A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10861976B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10522685B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100163983A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230387297A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326991A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US9076886B2. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090057770A1. Автор: Sung-Man Pang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11804535B2. Автор: Jong Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP4283683A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10103082B2. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180005915A1. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Heater for annealing trapped charge in a semiconductor device

Номер патента: US20060103007A1. Автор: Philip Oldiges,John Aitken,Ethan Cannon,Alvin Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Interconnections for a semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20020041034A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor device with substrate for electrical connection

Номер патента: US20230369280A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060030111A1. Автор: Satoshi Onai,Shinobu Teranaka. Владелец: Gifu Sanyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100233853A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor structures and manufacturing methods

Номер патента: CA1212181A. Автор: Michael G. Adlerstein. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1986-09-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11508731B1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320079A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: US11728620B2. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: EP3732707A1. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

The manufacturing method of the stacking polysilicon grating structure of semiconductor devices

Номер патента: CN109216438A. Автор: 祁树坤. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Reservoir capacitor of semiconductor device

Номер патента: US9263452B2. Автор: Ae Rim JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for forming a cleaved facet of semiconductor device

Номер патента: US20130217209A1. Автор: Young Hun Han,Dong Han Yoo. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105715A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105714A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240297227A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for Manufacturing Heat Dissipation Bulk of Semiconductor Device

Номер патента: US20120149138A1. Автор: Chun-Liang Lin,Kuan-Chun Chen,Yan-Kuin Su. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2012-06-14.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20120276675A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for forming a storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100660830B1. Автор: 원석준,유차영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960019732A. Автор: 박현철,남기원,김상익. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960015919A. Автор: 김정호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-05-22.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100477900B1. Автор: 김진태,박동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR970053941A. Автор: 김대영. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100291196B1. Автор: 김재영,배영헌. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR940016774A. Автор: 이현우,우상호,전하응. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

Method for fabricating high dielectric capacitor of semiconductor device to guarantee process margin

Номер патента: KR100436057B1. Автор: 선호정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-17.

Method for forming metal wiring layer of semiconductor device

Номер патента: KR100735524B1. Автор: 이상우,최경인,한성호,김대용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100498604B1. Автор: 이한승,고봉상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for manufacturing cmos image sensor of semiconductor device

Номер патента: KR100881519B1. Автор: 김상식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960039368A. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-25.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960009188A. Автор: 김정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-03-22.

Method for manufacturing heat dissipation bulk of semiconductor device

Номер патента: KR101148028B1. Автор: 얀-쿠인 수,콴-천 첸,천-리앙 린. Владелец: 내셔날 쳉쿵 유니버시티. Дата публикации: 2012-05-25.

Method for low-temperature solid bonding of semiconductor device

Номер патента: CN102610537A. Автор: 李明,陈卓,胡安民,陆钦,章文婧. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for forming the storage node of semiconductor device

Номер патента: KR100857576B1. Автор: 지서용. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-09.

Method for fabricating gate and silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100497194B1. Автор: 김중규. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-06-28.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR950021645A. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Method for forming the capacitor cell of semiconductor device

Номер патента: KR100429373B1. Автор: 조용태,류지연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960026830A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960043154A. Автор: 권오성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-12-23.

Method for forming vertical channel transistor of semiconductor device

Номер патента: KR101016956B1. Автор: 장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-02-28.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR19980084637A. Автор: 허연철. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Method for manufacturing storage node electrode of semiconductor device

Номер патента: KR940010343A. Автор: 정재승,이상래. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-05-26.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR970054212A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100265848B1. Автор: 이철수,한상준,양성우. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method for fabricating cylinder-type capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100382732B1. Автор: 김홍기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: WO2021262208A1. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for forming EM measurement pattern of semiconductor device

Номер патента: KR950001968A. Автор: 황준,이영범. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Method for manufacturing a cavity capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR960005560B1. Автор: 김진웅,박철수,김명선,박종한. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1996-04-26.

Method for controlling an opening width in a semiconductor device and related structure

Номер патента: TW521347B. Автор: Klaus F Schuegraf. Владелец: Conexant Systems Inc. Дата публикации: 2003-02-21.

Methods for fabricating high voltage transistor and the semiconductor device

Номер патента: TW201236081A. Автор: Sen Zhang,yan-jun Li. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Method for manufacturing thin film transistor of semiconductor element

Номер патента: JP4223764B2. Автор: 世 鎬 朴,且 徳 董. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for detection of flare noise of semiconductor apparatus

Номер патента: KR100438663B1. Автор: 양진석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-03.

Method for manufacturing bonding pad structure of semiconductor element

Номер патента: JP5209224B2. Автор: 憲 宗 申,受 哲 李,鐘 現 安,恵 令 李,京 睦 孫. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Method for manufacturing storage node electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR100653982B1. Автор: 이종민,김동준,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-05.

Method for manufacturing capacitor lower electrode of semiconductor memory device

Номер патента: TW449857B. Автор: Young-sun Kim,Young-Wook Park,Seung-hee Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-11.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148511A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120043605A1. Автор: Se In KWON,Hyun Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240130254A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Yen-Min TING,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150102405A1. Автор: Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024103247A1. Автор: Chang Chen,Xiaoming Liu,Xinyu Li. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with supporter against which bonding wire is disposed and method for prparing the same

Номер патента: US20230395557A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100857575B1. Автор: 백운석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-09.

Method for detecting cross-sectional structure of semiconductor chip

Номер патента: CN114813808B. Автор: 宋健,李晓旻,赵一成. Владелец: Shengke Nano Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Method for fabricating a mirror facet of semiconductor laser diode

Номер патента: KR101118789B1. Автор: 이정훈. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2012-03-20.

Method for fixing and synthesizing wavelength of semiconductor laser wherein possibility of cross talk is eliminated

Номер патента: JPS56167381A. Автор: Takumi Tomijima. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-12-23.

Method for detecting hysteresis characteristic of comparator and semiconductor device

Номер патента: US09425776B2. Автор: Yanfei Chen. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280257A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR970063735A. Автор: 김천수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960039356A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-25.

Method for forming a word line of semiconductor device

Номер патента: KR100866710B1. Автор: 이원창. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TW200820264A. Автор: Seung-Wook Kwack. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TWI366831B. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Apparatus and method for programmable interval timing generator of semiconductor memory

Номер патента: KR970029840A. Автор: 대니알 클라인,쿠옹 후아 히이. Владелец: 윌리엄 이. 힐러. Дата публикации: 1997-06-26.

Method for crucible-free zone melting of semiconductor material

Номер патента: CH389249A. Автор: Wolfgang Dr Keller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1965-03-15.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Device and method for pulling a single crystal of semiconductor material

Номер патента: US12116694B2. Автор: Rolf Schmid,Helmut Bergmann,Werner Joedecke. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory and method for density configuring of bank of semiconductor memory

Номер патента: US11875045B2. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory and method for density configurion of bank of semiconductor memory

Номер патента: US20230012916A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US7598009B2. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Method for determining a matched routing arrangement for semiconductor devices

Номер патента: US20040044977A1. Автор: Michael Lee,Brooklin Gore,Matthew Priest. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040002175A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for crucible-free zone melting of semiconductor crystal rods

Номер патента: US3923468A. Автор: Wolfgang Keller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-12-02.

Method for determining excess carrier lifetime in semiconductor devices

Номер патента: US3697873A. Автор: Robert G Mazur. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-10-10.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Device simulation method for use in numerical analysis of semiconductor devices

Номер патента: KR970071333A. Автор: 이꾸히로 요꼬따. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-11-07.

Semiconductor device having pda function

Номер патента: US20240242756A1. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US09715921B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having PDA function

Номер патента: US09466343B2. Автор: Chikara Kondo. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100532969B1. Автор: 강명희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for forming copper metal line of semiconductor device

Номер патента: KR20030096828A. Автор: 고상태. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for forming a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR101102963B1. Автор: 안준규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-01-11.

Method for manufacturing cell aperture mask of semiconductor device

Номер патента: KR100414748B1. Автор: 김영식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-31.

Apparatus and method for use in monitoring voltage of semiconductor device

Номер патента: KR100655075B1. Автор: 이광진,이병권,김동민,조욱래. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for forming alignment key pattern of semiconductor device

Номер патента: KR970051844A. Автор: 김정엽,부재필,정인권,김민정,여정호,배용국. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

Method for manufacturing field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR940009761A. Автор: 장세억,권성구,이경미,한충수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-05-24.

Method for fabricating phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR0127662B1. Автор: 함영목. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-12-26.

Method for manufacturing cell projection mask of semiconductor device

Номер патента: KR100310540B1. Автор: 허철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

Detecting system and method for dtecting through-hole electrodes of semiconductor device

Номер патента: TWI639206B. Автор: 郭盛輝,黃浚維. Владелец: 中美矽晶製品股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-21.

Method for detecting a fine defect of semiconductor device

Номер патента: KR100576474B1. Автор: 이종필,백현철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-08.

Method For Forming The Contact Hole Of Semiconductor Device

Номер патента: KR20010008561A. Автор: 이승철,조직호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-02-05.

Apparatus and method for controlling a refresh power of semiconductor device

Номер патента: KR100528787B1. Автор: 성하민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-15.

Method for manufacturing phase shifting mask of semiconductor device

Номер патента: KR20000045394A. Автор: 백승원,홍지석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-07-15.

Method for detecting central position of pellet in semiconductor device

Номер патента: JPS57125307A. Автор: Takashi Kamiharashi. Владелец: Kaijo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-04.

METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20130192518A1. Автор: Fischer Joerg,von Ammon Wilfried,ALTMANNSHOFER Ludwig,Riemann Helge. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-08-01.

Apparatus and methods for recirculating chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers

Номер патента: US5932486A. Автор: Lee Melbourne Cook,David B. James,William D. Budinger. Владелец: Rodel Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Apparatus and method for controlling the operation timing of semiconductor memory

Номер патента: KR101110819B1. Автор: 이종천,윤현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for generating orthogonal lattice point of semiconductor element

Номер патента: JPS6486078A. Автор: Tetsunori Wada,Shinji Osawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-03-30.

Apparatus and method for controlling column selecting signal of semiconductor memory

Номер патента: KR100656432B1. Автор: 이정우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-11.

Device and method for reducing pulse source delay of semiconductor test fixture

Номер патента: CN113252951B. Автор: 杜浩晨. Владелец: Shaanxi Kelvin Measurement Control Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-22.

Method for introducing rear surface distortion of semiconductor substrate

Номер патента: JPH01186631A. Автор: 哲 丸山,Satoru Maruyama,長 鈴木,Takeru Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1989-07-26.

Apparatus and method for generating output enable signal of semiconductor memory

Номер патента: KR100656464B1. Автор: 이현우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-11.

Device and method for detecting sealing cap strength of semiconductor laser tube cap

Номер патента: CN113049201A. Автор: 张广明,郭剑,刘琦,梁盼. Владелец: Weifang Huaguang Photoelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for calculating signal delay time of semiconductor integrated circuit and storage medium

Номер патента: JP3636643B2. Автор: 敏行 坂本. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Apparatus and Method for Generating Self Refresh Pulse of Semiconductor Memory

Номер патента: KR100794998B1. Автор: 최원준,문형욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-16.

Method for detecting operational parts status of semiconductor equipment and associated apparatus

Номер патента: TW201117189A. Автор: Chia-Wei Fan,Yu-Chang Huang. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2011-05-16.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Operating a pipeline flattener in a semiconductor device

Номер патента: US20190303166A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Operating a Pipeline Flattener in a Semiconductor Device

Номер патента: US20130046962A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2020058437A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2020-03-26.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3627162A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-03-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improved manufacturing method of the shallow trench isolation region of semiconductor devices

Номер патента: TW468242B. Автор: Shiun-Ming Jang,Ying-He Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-12-11.

Method for forming metal wire layer of semiconductor process

Номер патента: TW499736B. Автор: Matthew Tsai,Yu-Ting Lai,Chong-Shyeng Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

Method for fabricating a coarse surface of semiconductor

Номер патента: TW201228028A. Автор: Zhong-Shan Gao. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR980006091A. Автор: 박용준,이동덕. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR980006092A. Автор: 윤수식. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

METHOD FOR FORMING A CLEAVED FACET OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130217162A1. Автор: HAN Young Hun,Yoo Dong Han. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR FORMING A CLEAVED FACET OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130217209A1. Автор: HAN Young Hun,Yoo Dong Han. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

Method for manufacturing inter-element separator of semiconductor device

Номер патента: KR970053405A. Автор: 윤현구,조광행,조성갑. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970072319A. Автор: 정우영,김용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970053555A. Автор: 조성수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for manufacturing gate insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR950007037A. Автор: 권명연. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.

Method for manufacturing inter-element separator of semiconductor device

Номер патента: KR970053404A. Автор: 문환성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming gate sidewall spacer of semiconductor device

Номер патента: KR950021781A. Автор: 김남호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Method for manufacturing selective oxide mask of semiconductor device

Номер патента: KR970048923A. Автор: 백정권. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR980005809A. Автор: 진규안. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR970003656A. Автор: 문환성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

Method for manufacturing field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR0139890B1. Автор: 우상호. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-04-15.

Method for forming fine contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100390981B1. Автор: 전준성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-06.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970052839A. Автор: 이창권. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Method for forming polysilicon layer pattern of semiconductor device

Номер патента: KR980003820A. Автор: 김천수,허상범. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960019709A. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960026839A. Автор: 최근민. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

Method for removing sacrificial oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR980005780A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing interlayer insulating layer of semiconductor device

Номер патента: KR940012529A. Автор: 최동규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-06-23.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR980006122A. Автор: 정창원. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960043195A. Автор: 서광수,이창진,김의식. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-12-23.

Method for manufacturing inter-element separator of semiconductor device

Номер патента: KR960019698A. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

Method for forming gate oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR980005833A. Автор: 우상호,김재욱. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing gate oxidation film of semiconductor device

Номер патента: KR100248796B1. Автор: 신승우,최재성,류필렬. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for manufacturing multilayer wiring structure of semiconductor device

Номер патента: JP2737474B2. Автор: 哲哉 本間. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-08.

Method for forming contact metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100252896B1. Автор: 이창재. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR970077493A. Автор: 홍상희. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for forming sacrificial oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR950034594A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-12-28.

Method for manufacturing thin film transistor of semiconductor device

Номер патента: KR980012133A. Автор: 박종호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for testing high resistance failure of semiconductor device

Номер патента: CN114355136A. Автор: 段淑卿,高金德,武城. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-15.

Method for evaluating simultaneous switching noise of semiconductor device

Номер патента: JP2004054522A. Автор: Satoshi Hoshi,星 聡. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR970054011A. Автор: 김문환,오진성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for manufacturing charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960026829A. Автор: 김종철,우상호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR980005836A. Автор: 황정웅. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR970053821A. Автор: 윤종원,신기수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming metal wiring structure of semiconductor device

Номер патента: JP2770433B2. Автор: 誠 関根. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-02.

Method for measuring thin film thickness of semiconductor device

Номер патента: KR980012163A. Автор: 선정우. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Manufacturing method of vertical channel type insulated gate field effect semiconductor device

Номер патента: JP3352999B2. Автор: 舜平 山崎. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

METHOD FOR COOLING A WORKPIECE MADE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL DURING WIRE SAWING

Номер патента: US20120178346A1. Автор: Huber Anton,Wiesner Peter. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for determining thickness and radius of semiconductor pressure sensor

Номер патента: JP2517409B2. Автор: 圭三 大谷. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for controlling floating melting zone of semiconductor rod

Номер патента: JPS63270380A. Автор: Yasuhiro Ikeda,Kunio Suzuki,泰弘 池田,鈴木 邦男. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-08.

Method for measuring high-frequency parameters of semiconductor triodes

Номер патента: SU130119A1. Автор: В.Е. Вершин,Е.К. Живулин. Владелец: Е.К. Живулин. Дата публикации: 1959-11-30.

Method for forming metal wiring structure of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP3186053B2. Автор: 郁 三ヶ木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for improving output peak power of semiconductor laser unit

Номер патента: CN102354908B. Автор: 胡剑,张秀达,严惠民. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2012-11-21.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR980006255A. Автор: 최흥길. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for controlling positioning and stopping of semiconductor wafer on conveying device

Номер патента: CN115799138B. Автор: 洪成都,任中辛. Владелец: Suzhou Juyun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

Method for measuring heat treatment temperature of semiconductor substrate

Номер патента: JP5007582B2. Автор: 篤志 谷田. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-08-22.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR100284310B1. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-04-02.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR980006389A. Автор: 이해정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing the concave gate of semiconductor

Номер патента: TW441022B. Автор: Huan-Je Lin,Li-De Lin,Hung-Yuan Tau,Jia-Shiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-06-16.