Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for forming metal barrier film of semiconductor device

Method for forming metal barrier film of semiconductor device

Номер патента: KR100310468B1
Опубликовано: 15-12-2001
Автор(ы): 고재완, 구영모, 김세정, 이우봉, 장형진, 전영호
Принадлежит: 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device manufacturing method for suppresing wiring material from being diffused into insulating film, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US9240379B2. Автор: Kenji Matsumoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Methods for forming interconnection structures in an integrated cluster system for semicondcutor applications

Номер патента: US09508561B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul B. Naik,He REN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Processing system and methods for forming void-free and seam-free tungsten features

Номер патента: US20240209500A1. Автор: Kai Wu,Kazuya DAITO,Harpreet Singh,Michael C. Kutney,Peiqi Wang,Wei Min Chan,Xi CEN,Mingrui ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Process for producing silicic coating, silicic coating and semiconductor device

Номер патента: US20100133692A1. Автор: Yasushi Kobayashi,Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Shirou Ozaki,Kouta Yoshikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices having equal thickness gate spacers

Номер патента: US20190123167A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor devices having equal thickness gate spacers

Номер патента: US20180240889A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for forming a metal layer by an atomic layer deposition and a semiconductor device with the metal layer as a barrier metal layer, an upper electrode, or a lower electrode of capacitor

Номер патента: KR100385946B1. Автор: 최길현,강상범,임현석,전인상,채윤숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-06-02.

Method for forming a through-silicon via by electroless metal deposition, and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP2901475B1. Автор: Thorbjörn Ebefors,Henrik Knutsson. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2020-02-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220367661A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11935934B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for manufacturing a contact structure used to electrically connect a semiconductor device

Номер патента: US20160104637A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for increasing tensile stress in a thin film using collimated electromagnetic radiation and semiconductor device with the thin film of increased tensile stress

Номер патента: TWI332256B. Автор: Masanobu Igeta,Cory Wajda,Gerrit J Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for Forming Tantalum Nitride Film

Номер патента: US20090159431A1. Автор: Kyuzo Nakamura,Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09496367B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Yi-Chun Lo,Chia-Der Chang,Tien-Chun Wang,Guo-Chiang CHI,Chia-Ping LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09484207B2. Автор: Yu-Sheng Su,Chia-Cheng Lin,Hung-Jui Chang,Shu-Huei Suen,Jeng-Chang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Formation method of semiconductor device that includes performing hydrogen-containing plasma treatment on metal gate stack

Номер патента: US09558955B2. Автор: Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Fang-Wei LIN,Shin-Yeu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Metal silicide, metal germanide, methods for making the same

Номер патента: US20160035852A1. Автор: Tom E. Blomberg,Suvi P. Haukka,Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-02-04.

Doped metal germanide and methods for making the same

Номер патента: US09634106B2. Автор: Tom E. Blomberg,Suvi P. Haukka,Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming tantalum nitride film

Номер патента: US20090246375A1. Автор: Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for forming metal wiring

Номер патента: US20190088539A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Yusuke Tanaka,Akihiko Happoya,Atsushi Hieno,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for forming a semiconductor image sensor device

Номер патента: US09570494B1. Автор: Sungkwon C. Hong,Gordon M. Grivna,David T. Price,Rick Jerome. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for forming metal organic tungsten for middle of the line (MOL) applications

Номер патента: US09653352B2. Автор: David Thompson,Kai Wu,Kazuya DAITO,Sang Ho Yu,Liqi Wu,Kie Jin Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method and system for metal barrier and seed integration

Номер патента: US20060110902A1. Автор: Ting Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4075492A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device containing divot-fill dielectric barrier for metal-to-metal contacts and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240282710A1. Автор: Fumitaka Amano,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating semiconductor device with metal line

Номер патента: US8030205B2. Автор: Sang-Hoon Cho,Hae-Jung Lee,Suk-Ki Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140206187A1. Автор: Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Mariko Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for forming metal semiconductor alloys in contact holes and trenches

Номер патента: US9425309B2. Автор: Jian Yu,Christian Lavoie,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Ahmet S. Ozcan,Filippos Papadatos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming metal semiconductor alloys in contact holes and trenches

Номер патента: US20140374844A1. Автор: Jian Yu,Christian Lavoie,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Ahmet S. Ozcan,Filippos Papadatos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for forming metal semiconductor alloys in contact holes and trenches

Номер патента: US20150044845A1. Автор: Jian Yu,Christian Lavoie,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Ahmet S. Ozcan,Filippos Papadatos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8951908B2. Автор: Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Mariko Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for forming metal semiconductor alloys in contact holes and trenches

Номер патента: US9559202B2. Автор: Jian Yu,Christian Lavoie,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Ahmet S. Ozcan,Filippos Papadatos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for forming metal semiconductor alloys in contact holes and trenches

Номер патента: US09735268B2. Автор: Jian Yu,Christian Lavoie,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Ahmet S. Ozcan,Filippos Papadatos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09564332B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming metal semiconductor alloys in contact holes and trenches

Номер патента: US09559202B2. Автор: Jian Yu,Christian Lavoie,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Ahmet S. Ozcan,Filippos Papadatos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230282512A1. Автор: Kyung Wook KIM,Eun-ji Jung,Seung Yong Yoo,Eui Bok LEE,Jin Nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Methods for forming low-resistance contacts through integrated process flow systems

Номер патента: US09947578B2. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Mei Chang,Kai Wu,Kazuya DAITO,Sundar Ramamurthy,Pulkit Agarwal,Dien-Yeh Wu,Vikash Banthia,Wei V. Tang,Xinyu Fu,Guoqiang JIAN,Feiyue Ma,Chi-Chou Lin,Jonathan BAKKE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09941152B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09818834B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

FinFET-based ESD devices and methods for forming the same

Номер патента: US09559008B2. Автор: Jen-Chou Tseng,Wun-Jie Lin,Ching-Hsiung Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240363467A1. Автор: Chih-Hung Lu,Po-Chi WU,Jui-Wen SU,Shi-Hua TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09842768B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for forming void-free polysilicon and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09460964B2. Автор: Hyung-Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for interconnecting semiconductor devices

Номер патента: US5053349A. Автор: Fumitomo Matsuoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-01.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: US20240222118A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Structures and methods for source-down vertical semiconductor device

Номер патента: US12094967B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09991125B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Huang-Yi Huang,Chen-Yuan Kao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09831130B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09786593B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09536751B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09425087B1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Process for forming metallized contacts to periphery transistors

Номер патента: WO2003041127B1. Автор: Richard H Lane,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for maufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070042590A1. Автор: Shunichi Tokitoh. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140367864A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266212A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455135B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

A method for patterning layers of semiconductor devices

Номер патента: WO2002015231A2. Автор: Steffen Schneider,Virinder Grewal,Lars Paschedag,Ricky Mc Gowan. Владелец: Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2002-02-21.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20220208606A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for forming a semiconductor package with stress reduction design

Номер патента: US20240334608A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20170330791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20080303104A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Method for forming trench isolation using selective epitaxial growth and part oxidation in semiconductor device

Номер патента: KR100532406B1. Автор: 안동호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

METHOD FOR MANUFACTURING A HETERO-STRUCTURE COMPRISING AT LEAST ONE THICK LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2883659B1. Автор: Fabrice Letertre,Bruno Ghyselen,Ian Cayrefourcq. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2007-06-22.

METHOD FOR MANUFACTURING A HETERO-STRUCTURE COMPRISING AT LEAST ONE THICK LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2883659A1. Автор: Fabrice Letertre,Bruno Ghyselen,Ian Cayrefourcq. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-09-29.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09558990B2. Автор: KYUNG Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for insulating components of semiconductor devices by means of grooves

Номер патента: RU2187174C2. Автор: Мун-хан ПАРК,Суг-хун ХОНГ,Ю-гюн СИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2002-08-10.

Methods for forming fin field-effect transistors

Номер патента: US12068199B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20150171103A1. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming FinFET devices

Номер патента: US09443729B1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09985117B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09799665B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09716046B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09601514B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods for manufacturing a fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09343551B2. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching

Номер патента: WO2011112802A2. Автор: WEI Liu,Swaminathan Srinivasan,Jing Tang,Udayan Ganguly,Joseph M. Ranish,Aaron M. Hunter,Christopher S. Olsen,Shiyu Sun,Johanes F. Swenberg,Matthew D. Scotney-Castle,Vicky Nguyen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-09-15.

Systems and methods for bonding semiconductor devices

Номер патента: US20240243006A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Scott LEFEVRE,Kevin Ryan,Ilseok Son,Panupong Jaipan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11631694B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: EP2115771A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-11.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: WO2008106284A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09583394B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Hon-Huei Liu,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming isolation member in trench of semiconductor substrate

Номер патента: US09570338B2. Автор: Yan Yan,Jun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272979A1. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Cured resin film, semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240352275A1. Автор: Masaya TOBA,Yu Aoki,Yuki IMAZU,Yoshimi HAMANO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming a wafer structure, a method for forming a semiconductor device and a wafer structure

Номер патента: US09793167B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Systems and methods for porous capping layers

Номер патента: GB2625513A. Автор: Clark Andrew,Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-26.

Laser lift-off method for separating substrate and semiconductor-epitaxial structure

Номер патента: US11784094B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Tsung-Hua Hsieh. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

PROCESS FOR FORMING A BURIED LAYER AND A COLLECTOR REGION IN A MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2575330B1. Автор: Salvatore Musumeci. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1989-08-18.

Method for providing a deep connection to a substrate or buried layer in a semiconductor device

Номер патента: US7262111B1. Автор: Richard W. Foote. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Method of fabricating substrate having thin film of joined for semiconductor device

Номер патента: KR101230394B1. Автор: 김경준,김동운,이보현,박승용,어성우,유율리아. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-02-06.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor apparatus and method for producing the same

Номер патента: US09543252B2. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170317057A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US09825008B1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements

Номер патента: US09425163B2. Автор: Michael P. Schmidt-Lange,Matthew B. Wasserman,Christopher W. Braun. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Curable composition for forming adhesive structure, adhesive structure, method of manufacturing adhesive structure, and semiconductor device

Номер патента: WO2023242807A1. Автор: Tohru Yashiro,Tomoaki Sugawara,Fuminari Kaneko,Naoki Ura,Kazuaki Tsuji,Takeshi Endoh,Yuto Matsuoka,Naru TANAKA,Noriyuki KIYONAGA. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-12-21.

3d printing techniques for forming interconnects for flip-chip assemblies or tuning resonators of a semiconductor device

Номер патента: WO2023278362A3. Автор: Douglas CARLSON,Wayne Struble,Rathnait LONG. Владелец: Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing silicon-coated copper, silicon-coated anti-oxidation copper using same, and semiconductor device using same

Номер патента: EP4350026A1. Автор: Se Young Jeong,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for manufacturing single-crystal semiconductor layer, structure comprising single-crystal semiconductor layer, and semiconductor device comprising structure

Номер патента: US11948795B2. Автор: Jin Won Jung,Myung Mo SUNG,Jong Chan Kim,Lynn Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-02.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Carrier, method for coating a carrier, and method for the simultaneous double-side material-removing machining of semiconductor wafers

Номер патента: SG152121A1. Автор: Georg Pietsch,Michael Kerstan. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2009-05-29.

Method for Forming a Superjunction Transistor Device

Номер патента: US20200044019A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Wolfgang Jantscher,Yann Ruet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for producing a transistor device having a superjunction structure

Номер патента: US20210193796A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Wolfgang Jantscher,Yann Ruet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for forming silicon dioxide layers on substrates using atomic layer deposition and semiconductor device formed by the said method

Номер патента: TWI237311B. Автор: Joo-Won Lee,Jae-Eun Park,Kang-soo Chu,Jong-Ho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-01.

Semiconductor package and method for forming the same

Номер патента: US20170117232A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2671294C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-10-30.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods for plasma processing

Номер патента: US09443702B2. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski,Sai Mantripragada,Sooyun Joh. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for surface modification of semiconductor layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090011574A1. Автор: Chia-Wei Wu,Wei-Yao Tang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Low voltage high performance semiconductor devices and methods

Номер патента: US20010039096A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING METAL FILM, METAL FILM FORMING METHOD USING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAME METAL FILM

Номер патента: US20210327708A1. Автор: Kim Dong Hyun,Park Yong Joo,HONG Chang Sung,LEE SANG KYUNG,OH Tae Hoon,HWANG In Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Precursor composition for forming metal film, metal film forming method using same, and semiconductor device comprising same metal film

Номер патента: WO2020122506A3. Автор: 김동현,이상경,박용주,황인천,홍창성,오태훈. Владелец: 에스케이트리켐 주식회사. Дата публикации: 2020-07-30.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US11923355B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

It forms the method for memory cell material and forms correlation technique, memory cell material and the semiconductor device structure of semiconductor device structure

Номер патента: CN106463616B. Автор: 古尔特杰·S·桑胡,约翰·A·斯迈思. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for forming epitaxial source/drain features using a self-aligned mask and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230395433A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

A method for plating a support for a silicon wafer in the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: GB1022604A. Автор: . Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1966-03-16.

Atomic Layer Deposition Method and Semiconductor Device Formed by the Same

Номер патента: US20080315293A1. Автор: Min-Hwa Chi,Fumitake Mieno,Hua Ji. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL SOURCE/DRAIN FEATURES USING A SELF-ALIGNED MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREOF

Номер патента: US20220278002A1. Автор: Chang I-Ming,HUANG Yao-Sheng,Chao Huang-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

METHOD FOR FORMING A DOPED METAL CARBIDE FILM ON A SUBSTRATE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20210328036A1. Автор: Li Dong,Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,Johnson Ward,Chen Xichong,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Device for the double-sided processing of flat workpieces and method for the simultaneous double-sided material removal processing of a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: TW201016389A. Автор: Georg Pietsch,Michael Kerstan,Frank Runkel,Helge Moeller,Bechtolsheim Conrad Von. Владелец: Wolters Peter Gmbh. Дата публикации: 2010-05-01.

Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers

Номер патента: US5777739A. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers

Номер патента: US6208425B1. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers

Номер патента: US5936733A. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates

Номер патента: US6628410B2. Автор: Trung T. Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-30.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

PROCESS FOR FORMING A LAYER OF A NATURAL OXIDE ON A SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE THUS FORMED

Номер патента: FR2517121A1. Автор: John W Peters. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1983-05-27.

A synthesis method of a compound for forming a self-assembling monolayer, a compound for forming a self-assembling monolayer, and a layer structure for a semiconductor device

Номер патента: DE10328810B4. Автор: Guenter Schmid,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz,Stefan Holberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11437302B2. Автор: Naoyuki Kanai,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Processing method for substrate

Номер патента: US11823907B2. Автор: Kyung Park,Young Jun Kim,Won Jun JANG. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Processing method for substrate

Номер патента: US20240038537A1. Автор: Kyung Park,Young Jun Kim,Won Jun JANG. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Processing method for substrate

Номер патента: US20240038538A1. Автор: Kyung Park,Young Jun Kim,Won Jun JANG. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9153658B2. Автор: Shigetoshi Sugawa,Akinobu Teramoto,Rihito Kuroda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-10-06.

METHOD FOR LATERAL PATTERNING OF A PATTERN LAYER WITH THREE-DIMENSIONAL PATTERN ELEMENTS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170092719A1. Автор: MANDL Martin,Schimpke Tilman. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING STRUCTURE

Номер патента: US20210242012A1. Автор: JUNG Jin Won,Kim Jong Chan,Sung Myung Mo,LEE Lynn. Владелец: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University). Дата публикации: 2021-08-05.

Method for producing photosensitive resin composition, polymer precursor, cured film, laminate, cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR102365294B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-21.

Method for mfg. ZnTe compound semiconductor single crystal ZnTe compound semiconductor single crystal, and semiconductor device

Номер патента: CN1500160A. Автор: ,山本哲也,佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明,��ɽ��Ҳ. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-26.

Method for growing a compound semiconductor, quantum well structure using the same, and compound semiconductor device including the same

Номер патента: US6579780B2. Автор: Koji Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for mfg. ZnTe compound semiconductor single crystal ZnTe compound semiconductor single crystal, and semiconductor device

Номер патента: CN100360721C. Автор: 山本哲也,佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Method for Manufacturing Pouch Case of Secondary Battery, and Pouch Film of Secondary Battery and Pouch Case of Secondary Battery

Номер патента: US20230387488A1. Автор: Yang Lim Choi,Kyoung Ha Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for conditioning an edge of an internal electric conductive film of a cathode ray tube

Номер патента: US4076354A. Автор: Hiroshi Mizoguchi,Isamu Nakagawa,Masamichi Wada. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 1978-02-28.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film, and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US20120040083A1. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2012-02-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09870955B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837280B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming metal-semiconductor alloy using hydrogen plasma

Номер патента: US09972499B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Kiyokazu Nakagawa,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09553161B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method for increasing adhesion

Номер патента: RU2751805C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-19.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: US20230280648A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Apparatuses and methods for depositing SiC/SiCN films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants

Номер патента: US09552982B2. Автор: Adrien Lavoie. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing a thin-film transistor

Номер патента: RU2749493C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Аюб Рамзанович Умаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-06-11.

Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity

Номер патента: RU2657096C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Валерий Николаевич Гусев,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ). Дата публикации: 2018-06-08.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for forming an oxynitride layer

Номер патента: US20030077915A1. Автор: Chia-Lin Ku,Yung-Hsien Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09804492B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing doped regions

Номер патента: RU2654984C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming spacers for a transistor gate

Номер патента: US09583339B2. Автор: Srinivas Nemani,Olivier Joubert,Nicolas Posseme,Thibaut David,Laurent Vallier,Thorsten Lill. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09461172B2. Автор: HAIYANG Zhang,Jia Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Solution-based deposition method for preparing semiconducting thin films via dispersed particle self-assembly at a liquid-liquid interface

Номер патента: EP3830863A1. Автор: Sachin KINGE,Hannah Johnson,Kevin SIVULA,Rebekah Anne WELLS. Владелец: Toyota Motor Europe NV SA. Дата публикации: 2021-06-09.

Method for forming slot on substrate and structure thereof

Номер патента: US20080263852A1. Автор: Kuang-Chun Chou,Shih-Ching Chang,Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for the formation of a planarizing coating film on substrate surface

Номер патента: US20010003068A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Takako Hirosaki,Etsuko Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for forming oxide below control gate in vertical channel thin film transistor

Номер патента: US09368601B2. Автор: Akira Nakada,Michiaki Sano,Kensuke Yamaguchi,Naohito Yanagida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Heat dissipating semiconductor device packages and related methods

Номер патента: US20120112338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Hsiang-Ming Feng,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee,Bing-Yun Cheng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for forming metal gate

Номер патента: US20120244675A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chin-Cheng Chien,Chiu-Hsien Yeh,Yeng-Peng Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing optoelectronic devices

Номер патента: US12112968B2. Автор: Ralph Wagner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144500A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200403155A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices

Номер патента: WO2020214243A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device

Номер патента: US09842782B2. Автор: Chun-Yi Chang,Li-Yi Chen,Pei-Yu Chang,Chih-Hui Chan,Shih-Chyn Lin,Hsin-Wei Lee. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US12138738B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09583356B1. Автор: Chung-Bin Tseng,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yi-Hung Chen,Yi-Jie Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Termination structure of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490134B2. Автор: Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Nanopyramid sized opto-electronic structure and method for manufacturing of same

Номер патента: US09444007B2. Автор: Olga Kryliouk,Nathan Gardner,Giuliano Portilho Vescovi. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264614A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Device and method for forming sharp extension region with controllable junction depth and lateral overlap

Номер патента: US20130264612A1. Автор: Effendi Leobandung,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210013338A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method for manufacturing semiconductor elemental device

Номер патента: US20060177984A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12100765B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods for improving the quality of structures comprising semiconductor materials

Номер патента: EP2364504A1. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2011-09-14.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240372000A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Source down semiconductor devices and methods of formation thereof

Номер патента: US09911686B2. Автор: Michael Roesner,Martin Mischitz,Manfred Schneegans,Andreas Meiser,Michael Pinczolits. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09799565B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Structure for relaxed SiGe buffers including method and apparatus for forming

Номер патента: US09752224B2. Автор: Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Coating liquid for forming metal oxide film, metal oxide film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US09748097B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09660084B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09613927B2. Автор: Takeshi Sunaga,Akihiro Kimura,Akihiro Koga,Shouji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455194B1. Автор: Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: EP4393038A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A3. Автор: Sinan Goktepeli,James D Burnett. Владелец: James D Burnett. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Production method for device

Номер патента: US7648889B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20160064486A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device, inspection apparatus of semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240312780A1. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having fin-type channel and method for forming the same

Номер патента: US09865460B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09786754B1. Автор: Chih-Ping Lin,Chung-Yeh Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Compound and composition for forming lower film of resist pattern, and method for forming lower film using same

Номер патента: US09651867B2. Автор: Jae-Woo Lee,Jae-Hyun Kim,Jung-Youl Lee,Su-Young Han. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for forming semiconductor device

Номер патента: US09633858B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: US09607987B2. Автор: Tahir Ghani,Martin D. Giles. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for semiconductor wafer alignment

Номер патента: US09601436B2. Автор: De-Fang Huang,Hsiao-Yi WANG,Shing-Kuei LAI,Wei-Yueh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods for forming FinFETs with non-merged epitaxial fin extensions

Номер патента: US09484440B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Fully and uniformly silicided gate structure and method for forming same

Номер патента: EP2089909A1. Автор: Haining Yang,Wai-Kin Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20220084887A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming a crystalline protective polysilicon layer

Номер патента: US20240222197A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Hybrid material post-cmp brushes and methods for forming the same

Номер патента: EP3685428A1. Автор: Bradley Scott Withers,Erik Scott Nelson,Brent Allan Best,Yuyan Luo. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2020-07-29.

Hybrid material post-cmp brushes and methods for forming the same

Номер патента: EP4207261A1. Автор: Bradley Scott Withers,Erik Scott Nelson,Brent Allan Best,Yuyan Luo. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-07-05.

Hybrid material post-cmp brushes and methods for forming the same

Номер патента: WO2019060082A1. Автор: Bradley Scott Withers,Erik Scott Nelson,Brent Allan Best,Yuyan Luo. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2019-03-28.

Packaging of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160093544A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Epitaxial process for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130130461A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing partial SOI substrates

Номер патента: US20050023609A1. Автор: Ichiro Mizushima,Hajime Nagano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20140061872A1. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Naoto Umezawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11652106B2. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Fully and uniformly silicided gate structure and method for forming same

Номер патента: US20090090986A1. Автор: Haining Yang,Wai-Kin Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Fully and uniformly silicided gate structure and method for forming same

Номер патента: US7863186B2. Автор: Haining Yang,Wai-Kin Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Packaging of semiconductor devices

Номер патента: WO2014187996A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210175129A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Chih-Sheng Chang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chih-Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230268347A1. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Improving mosfet performance by employing an improved method for forming halo implants

Номер патента: EP1188181A2. Автор: Rajesh Rengarajan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-20.

Packaging of semiconductor devices

Номер патента: EP2999660A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-03-30.

Singulation metal mold and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20080148540A1. Автор: Takumi Sato,Aki Suzuki. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for removing molding residues in the fabrication of plastic packages for semiconductor devices

Номер патента: US20010008139A1. Автор: Paolo Crema,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-07-19.

Metallizing process of semiconductor industry

Номер патента: US20010000496A1. Автор: Ting Wang,John Chu,Der-Tsyr Fan,Chon-Shin Jou. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070116863A1. Автор: Kazunari Kimino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Planarization process for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09859165B1. Автор: Li-Chieh Wu,Hui-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for reducing loss of silicon cap layer over SiGe source/drain in a CMOS device

Номер патента: US09685382B1. Автор: Jialei Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09673053B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Yi-Wei Chen,Wen-Chin Lin,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Chih-Hsun Lin,Jia-Feng Fang,Wei-Jen Wu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer

Номер патента: US09385210B2. Автор: Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09337206B2. Автор: Guanhua LI,Haewan YANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240105467A1. Автор: Sanghyun SON,YoungUk Noh,Myungho JUNG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Transparent gas barrier film, method for producing transparent gas barrier film, organic EL element, solar battery, and thin film battery

Номер патента: US09660208B2. Автор: Yasumi Yamada. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Two-dimensional large-area growth method for chalcogen compound, method for manufacturing CMOS-type structure, film of chalcogen compound, electronic device comprising film of chalcogen compound, and CMOS-type structure

Номер патента: US09719186B2. Автор: Jong-soo RHYEE,Sun-kook KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2017-08-01.

Two-dimensional large-area growth method for chalcogen compound, method for manufacturing CMOS-type structure, film of chalcogen compound, electronic device comprising film of chalcogen compound, and CMOS-type structure

Номер патента: US09551087B2. Автор: Jong-soo RHYEE,Sun-kook KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2017-01-24.

Polymer for forming resist protection film, composition for forming resist protection film, and method of forming patterns of semiconductor devices using the composition

Номер патента: EP2402377B1. Автор: Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park,Deog Bae Kim. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Solution for forming black oxide layer on metal thin film, method for forming black oxide layer on metal thin film of electromagnetic interference filter and metal thin film of electromagnetic interference filter formed by the same method

Номер патента: KR100582900B1. Автор: 최관민,김판수,정운석,이덕수,김창제,최광혜. Владелец: 주식회사 호진플라텍. Дата публикации: 2006-05-25.

A composition for forming an underlayer film for imprinting, a method for producing a composition for forming an underlayer film for imprinting, a pattern manufacturing method, a semiconductor device manufacturing method, a cured product and a kit.

Номер патента: JP7096898B2. Автор: 雄一郎 後藤,旺弘 袴田. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Solution for forming black oxide layer on metal thin film, method for forming black oxide layer on metal thin film of electromagnetic interference filter and metal thin film of electromagnetic interference filter formed by the same method

Номер патента: KR20050116570A. Автор: 최관민,김판수,정운석,이덕수,김창제,최광혜. Владелец: 주식회사 호진플라텍. Дата публикации: 2005-12-13.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230411318A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855017B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for manufacturing silicon-coated copper, silicon-coated anti-oxidation copper using same, and semiconductor device using same

Номер патента: US20240250049A1. Автор: Se Young Jeong,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-07-25.

ORGANIC TRANSISTOR, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, MATERIAL FOR ORGANIC TRANSISTOR, COATING SOLUTION FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR SYNTHESIZING ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170018724A1. Автор: FUKUZAKI Eiji,NOMURA Kimiatsu,KITAMURA Tetsu,Watanabe Tetsuya,Takeya Junichi,USAMI Yoshihisa,OKAMOTO Toshihiro,KOYANAGI Masashi,TSUYAMA Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Method for monitoring and predicting uniformity of a wafer and manufacture method of semiconductor wafer

Номер патента: CN101299150B. Автор: 陈炳旭,汪青蓉,罗冠腾,柯俊成,赖志维. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Method for Applying Rewiring to a Panel While Compensating for Position Errors of Semiconductor Chips in Component Positions of the Panel

Номер патента: US20070249067A1. Автор: Harry Hedler,Jans Pohl,Holger Woemer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-25.

Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements

Номер патента: US20150155254A1. Автор: Michael P. Schmidt-Lange,Matthew B. Wasserman,Christopher W. Braun. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

SYSTEMS AND METHODS FOR DETERMINING AND ADJUSTING A LEVEL OF PARALLELISM RELATED TO BONDING OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS

Номер патента: US20150380380A1. Автор: Wasserman Matthew B.,Schmidt-Lange Michael P.,Braun Christopher W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Method for fabricating lead frame having input and output terminals at bottom of semiconductor package

Номер патента: KR100331069B1. Автор: 신원선. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2002-08-08.

Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements

Номер патента: US9136243B2. Автор: Michael P. Schmidt-Lange,Matthew B. Wasserman,Christopher W. Braun. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc USA. Дата публикации: 2015-09-15.

Method for producing frame-equipped vapor deposition mask, stretching apparatus, apparatus for producing organic semiconductor device and method for producing organic semiconductor device

Номер патента: US20160301006A1. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

METHOD FOR PRODUCING FRAME-EQUIPPED VAPOR DEPOSITION MASK, STRETCHING APPARATUS, APPARATUS FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180309059A1. Автор: Okamoto Hideyuki,OBATA Katsunari,TAKEDA Toshihiko,HONMA Yoshiyuki. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

METHOD FOR PRODUCING FRAME-EQUIPPED VAPOR DEPOSITION MASK, STRETCHING APPARATUS, APPARATUS FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200335699A1. Автор: Okamoto Hideyuki,OBATA Katsunari,TAKEDA Toshihiko,HONMA Yoshiyuki. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for producing frame-equipped vapor deposition mask, stretching apparatus, apparatus for producing organic semiconductor device and method for producing organic semiconductor device

Номер патента: US10043974B2. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230292495A1. Автор: Dong Soo Kim,Tae Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

3d printing techniques for forming interconnects for flip-chip assemblies or tuning resonators of a semiconductor device

Номер патента: EP4364188A2. Автор: Douglas CARLSON,Wayne Struble,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for manufacturing capacitor, method for manufacturing substrate with built-in capacitor, substrate with built-in capacitor, and semiconductor device mounting component

Номер патента: WO2018038094A1. Автор: 重信 三浦. Владелец: 重信 三浦. Дата публикации: 2018-03-01.

ORGANIC METAL COMPOUND, COMPOSITION FOR DEPOSITING THIN FILM COMPRISING THE ORGANIC METAL COMPOUND, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM USING THE COMPOSITION, THIN FILM MANUFACTURED FROM THE COMPOSITION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE THIN FILM

Номер патента: US20210193459A1. Автор: KIM Yong Tae,LIM Seol Hee,IM Sangkyun,BAK Gyeong Ryeong,SEONG Taegeun,OH Bukeun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Method for Recovering an On-State Forward Voltage and, Shrinking Stacking Faults in Bipolar Semiconductor Devices, and the Bipolar Semiconductor Devices

Номер патента: US20090195296A1. Автор: Koji Nakayama,Yoshitaka Sugawara,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Ryosuke Ishii,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-08-06.

Organic metal compound, composition for depositing thin film comprising the organic metal compound, manufacturing method for thin film using the composition, thin film manufactured from the composition, and semiconductor device including the thin film

Номер патента: KR102490079B1. Автор: 임상균,박경령,오부근,김용태,임설희,성태근. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2023-01-17.

Method for manufacturing aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal substrate and semiconductor device

Номер патента: KR101404270B1. Автор: 나호 미즈하라,미치마사 미야나가,도모히로 가와세,신스케 후지와라. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-06-05.

A kind of method for being catalyzed the spontaneous long transparent graphene conductive film of CVD

Номер патента: CN107215858A. Автор: 刘志强,王兵,王军喜,李晋闽,王国宏,伊晓燕,王蕴玉. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2017-09-29.

Method for manufacturing aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal substrate and semiconductor device

Номер патента: EP1972702A4. Автор: Shinsuke Fujiwara,Tomohiro Kawase,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

METHOD FOR ETCHING BOTTOM PUNCH-THROUGH OPENING IN A MEMORY FILM OF A MULTI-TIER THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210005627A1. Автор: Funayama Kota,HOSODA Naohiro,Tsukamoto Keisuke,WATATANI Hirofumi,Hinoue Tatsuya,MASAMORI Yohei,KAJIWARA Kengo,ITOU Ryosuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11742428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Method for producing wafer notches with rounded corners and a tool therefor

Номер патента: US20030089931A1. Автор: Richard Guldi,James Garvin,Moitreyee Mukerjee-Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Laser treatment method for dividing or scribing substrate by forming wedge-like damaged structures

Номер патента: RU2674916C2. Автор: Эгидьюс ВАНАГАС,Дзьюгас КИМБАРАС,Лауринас ВЕСЕЛИС. Владелец: Эвана Текнолоджис, Уаб. Дата публикации: 2018-12-14.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20160233158A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US09960111B2. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09608099B1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming metallization structure

Номер патента: US20170271173A1. Автор: Yu-Hsuan Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Phosphor protective film, wavelength conversion sheet with release film, wavelength conversion sheet, and production method for wavelength conversion sheet

Номер патента: US12074261B2. Автор: Satoshi Maruyama,Yasuhiko Saito,Masato Kurokawa,Hiroki ICHIBA. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for Forming Tantalum Nitride Film

Номер патента: US20090162565A1. Автор: Kyuzo Nakamura,Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US12051738B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming metal silicide layers

Номер патента: US09496432B2. Автор: Mónica ALEMÁN,Thierry Emeraud,Loic TOUS,Joachim John. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for fabricating thin photovoltaic cells

Номер патента: US09484487B2. Автор: Alex Masolin,Maria Recaman Payo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Method of producing an epitaxial film of a multilayer silicen intercalated by europium

Номер патента: RU2663041C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Анастасия Федоровна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-08-01.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for operating an electric power converter

Номер патента: EP2590211A3. Автор: Robert Gregory Wagoner,Allen Michael Ritter,Paul Stephen Pate. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-01-17.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Fin shape contacts and methods for forming fin shape contacts

Номер патента: US09728615B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming a dye-sensitized solar cell having a porous film of an inorganic substance on a base material by spraying dry fine particles of an inorganic substance on the base material

Номер патента: US09721733B1. Автор: Setsuo Nakajima,Shingo Hirose,Jun Akedo,Shunsuke Kunugi,Satoshi Yoguchi,Yukitoshi EZUKA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09385061B2. Автор: Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method for determining deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20230369142A1. Автор: Takaaki Tanaka,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Qichen Wang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1223622A3. Автор: Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA,Kenji c/o Fujitsu Limited Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US20190198341A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US11018015B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437709B2. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2648300C1. Автор: Такуя КАДОГУТИ,Наоя ТАКЭ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-03-23.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Adhesive, substrate having adhesive, circuit board having adhesive layer, layered product, method for producing layered product, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP4397731A1. Автор: Hitoshi Araki,Takenori Fujiwara,Yukari Arimoto. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-10.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194564A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor product with low-leakage current and method for forming the same

Номер патента: US20220393017A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Chieh Chih Ting,Simon Yaou-Dong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2020103873A1. Автор: Chih-Wei Chang,Changhao QUAN,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09793410B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09761690B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Chia-Fu Hsu,Shih-Chieh Hsu,Lung-En Kuo,Jian-Cun KE,You-Di Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09460940B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US20160260851A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20170026036A1. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20170084793A1. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structures and methods for reducing stress in three-dimensional memory device

Номер патента: US20210050446A1. Автор: Jian Hua SUN,Ji XIA,Sizhe Li,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US8153449B2. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-04-10.

Micro Heat Transfer Arrays, Micro Cold Plates, and Thermal Management Systems for Semiconductor Devices, and Methods for Using and Making Such Arrays, Plates, and Systems

Номер патента: US20230207426A1. Автор: JIA Li,Dennis R. Smalley,Richard T. Chen,Uri Frodis,Onnik Yaglioglu,Will J. Tan,Nina C. Levy. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US20110223692A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20220093532A1. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: EP2156467A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-02-24.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US12046696B2. Автор: Martin Behringer,Tansen Varghese,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Resist compound for photolithography, method for forming the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240255849A1. Автор: JINKYUN Lee,Gayoung KIM,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for analyzing an integrated circuit, apparatus and integrated circuit

Номер патента: EP1886159A2. Автор: Martijn Philips Intell. Prop. & Standards GOOSSENS,Frank Philips Intell. Prop. & Standards ZACHARIASSE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-02-13.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US12113035B2. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for controlling parameter using a process of semiconductor production

Номер патента: WO2002082529A1. Автор: Man-Bong Lee. Владелец: Jiwoo Techniques Korea. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960167B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US09768359B2. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US12142608B2. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for classifying semiconductor wafers

Номер патента: EP4182967A1. Автор: Cyrus Emil TABERY,Dimitra GKOROU,Vahid BASTANI,Reza SAHRAEIAN. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for classifying semiconductor wafers

Номер патента: US20230316103A1. Автор: Cyrus Emil TABERY,Dimitra GKOROU,Vahid BASTANI,Reza SAHRAEIAN. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Apparatus and method for secondary electron emission microscope

Номер патента: US20030205669A1. Автор: David Walker,David Adler,Fred Babian,Travis Wolfe. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

A method for forming metal wire using difference of gas partial pressure in semiconductor device

Номер патента: KR100640162B1. Автор: 김종훈,김기현,김상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-31.

Power electronic devices with busbars and method for their fabrication

Номер патента: US20240055781A1. Автор: Benjamin Söhnle. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Detect the method for the osmotic state of the ion exchange polymer film of fuel cell

Номер патента: CN102792504B. Автор: G·帕加内利. Владелец: Conception et Developpement Michelin SA. Дата публикации: 2015-09-30.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for forming metal supported solid oxide fuel cells

Номер патента: RU2670423C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Робин ПИРС,Адам Боун. Владелец: Серес Интеллектчуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2018-10-23.

Method for forming metal nanowire or metal nanomesh

Номер патента: US09957363B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Method and apparatus for forming glass layer, method and apparatus for forming metal layer, and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20010009692A1. Автор: Shizuharu Watanabe. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Modified polysilazane film and method for producing gas barrier film

Номер патента: US09512334B2. Автор: Yuta Suzuki,Satoshi Naganawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for preparing liquid dispersion containing submicron metallic particles

Номер патента: RU2237547C2. Автор: Эрик Бейн УОСМАНД,Гриффит Освальд Ричард УИЛЛЬЯМС,Керт Кеннет КУШНИ,Рэндал Марк ШОБЕЛ. Владелец: Инко Лимитед. Дата публикации: 2004-10-10.

Systems, apparatus and methods for forming metal strips into dies

Номер патента: US20200086435A1. Автор: Petr PIRO,Nir RIKOVITCH,Tin To CHAN,Jordan LLOYD,Robert AMIRAULT. Владелец: Ontario Die International Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for forming metal composite films for battery cells

Номер патента: US12126032B2. Автор: Frederik Grau,Kartik Jamadar,Christian Theuerkauf. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-10-22.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Systems, apparatus and methods for forming metal strips into dies

Номер патента: EP3843916A1. Автор: Petr PIRO,Nir RIKOVITCH,Tin To CHAN,Jordan LLOYD,Robert AMIRAULT. Владелец: Ontario Die International Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030160249A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20110306185A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for fabricating a throughput-scalable analytical system for molecule detection and sensing

Номер патента: US20210296380A1. Автор: MEI Yan. Владелец: Genesense Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for forming metal fluoride material

Номер патента: US09446966B2. Автор: Jon Shan. Владелец: Quantumscape Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Two-stage plunger press systems and methods for forming battery cell tabs

Номер патента: US20210280836A1. Автор: Robert H. Dietze,Alexandra J. Austin. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Analysis method, computer-readable medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240347315A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for differentiating between background and foreground of scenery and also method for replacing a background in images of a scenery

Номер патента: US09355325B2. Автор: Wolfgang Vonolfen,Rainer Wollsiefen. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Compound and method for producing the same, resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US11767287B2. Автор: Seiji Shika,Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20100105161A1. Автор: Katsura Hirai. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2010-04-29.

Circuit and method for detecting frequency of clock signal and latency signal generation circuit of semiconductor memory device with the circuit

Номер патента: US7259595B2. Автор: Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Method for differentiating between background and foreground of scenery and also method for replacing a background in images of a scenery

Номер патента: CA2811222C. Автор: Wolfgang Vonolfen,Rainer Wollsiefen. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-08-27.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: US09540537B2. Автор: Kazuya Kimura,Kenichi Takahashi,Kazuyuki Hanada,Manabu Uruno. Владелец: Ukima Chemicals and Color Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Composition for forming resist underlayer film for lithography and production method of semiconductor device

Номер патента: US8283103B2. Автор: Satoshi Takei,Yasushi Sakaida,Makoto Nakajima,Hikaru Imamura. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Acrylic random copolymer for forming in situ peelable protective barrier films

Номер патента: US20240076430A1. Автор: Rebecca Bader,Jeremy Hyatt. Владелец: Sanipeel LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus for analysis of particulate material, analytical method for same, apparatus for production of ultrapure water, apparatus for manufacturing of semiconductor, and apparatus for production of pure gas

Номер патента: US5316983A. Автор: Shigeru Izumi,Kenji Yokose,Tetsuya Matsui,Haruo Fujimori,Taiko Ajiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-05-31.

Semiconductor device for measuring hydrogen and method for measuring a hydrogen concentration in a medium by means of such a semiconductor device

Номер патента: US20240151674A1. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for electrochemically coating a metallic substrate with a protective film of a phenolic resin

Номер патента: US4231851A. Автор: Giuliano Mengoli,Sergio Daolio,Ugo Giulio,Carlo Folonari. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 1980-11-04.

Systems and methods for operating high voltage switches

Номер патента: US09575124B2. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Arrangement and method for dynamic braking of a permanent magnet motor and an elevator utilizing thereof

Номер патента: US11855571B2. Автор: Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Composition for forming underlayer film, color filter, method for manufacturing color filter, solid-state imaging element, and image display device

Номер патента: US20230350289A1. Автор: Masahiro Mori,Shoichi Nakamura,Kazuya Oota,Akio Mizuno,Hirotaka MOTOHASHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Methods and tools for preventing the counterfeiting and tampering of semiconductor devices

Номер патента: US20240054502A1. Автор: Saikumar Jayaraman,William F. Herrington,Michael A. Schroeder,Erasenthiran Poonjolai,Fariaz KARIM,Sarah Shahraini,Sean BUSHELL,Hannah ROWE,Ryan PATE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Laminated polyester film, laminate, and method for producing laminated polyester film

Номер патента: EP4403360A1. Автор: Kazuyoshi Ota,Ayaka Yamamoto,Tadahiko Iwaya,Keiko Sawamoto. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-24.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: KR101536846B1. Автор: 가즈야 기무라,가즈유키 하나다,겐이치 다카하시,마나부 우루노. Владелец: 우키마 고세이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-07-14.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: EP2865725A3. Автор: Kazuya Kimura,Kenichi Takahashi,Kazuyuki Hanada,Manabu Uruno. Владелец: Ukima Chemicals and Color Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-27.

COATING COMPOSITION FOR FORMING GAS BARRIER LAYER, GAS BARRIER FILM, AND METHOD FOR PRODUCING GAS BARRIER FILM

Номер патента: US20130323491A1. Автор: Takahashi Kenichi,Hanada Kazuyuki,Kimura Kazuya,Uruno Manabu. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Method for remediation of subterranean-formed metal-polymer complexes using a metal complexing agent

Номер патента: CA2928641C. Автор: Andrew Bryce CONWAY,Robert EASTERLY. Владелец: Flex Chem Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-03-14.

Method for epitaxial growth from the vapour phase of semiconductor materials

Номер патента: CA1296241C. Автор: Peter Michael Frijlink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-02-25.

Method for forming resin articles

Номер патента: US5622811A. Автор: Hideho Ariyoshi,Yousuke Ogue. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-22.

Tungsten materials and a method for providing such materials

Номер патента: US3577227A. Автор: Gail F Davies. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1971-05-04.

Method for remediation of subterranean-formed metal-polymer complexes using peracetic acid

Номер патента: CA3157356A1. Автор: Scott Bailey,Andrew Bryce CONWAY. Владелец: Flex Chem Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Vinyl alcohol based copolymer, method for preparing the same and gas barrier film comprising the same

Номер патента: US11905403B2. Автор: Moon Seok Chun,Kyung An KWON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Vinyl alcohol-based copolymer, method for preparing same and gas barrier film comprising same

Номер патента: EP3766907A1. Автор: Moon Seok Chun,Kyung An KWON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-01-20.

Vinyl Alcohol Based Copolymer, Method for Preparing the Same and Gas Barrier Film Comprising the Same

Номер патента: US20240124701A1. Автор: Moon Seok Chun,Kyung An KWON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Measurement System, Method for Generating Learning Model to Be Used When Performing Image Measurement of Semiconductor Including Predetermined Structure, and Recording Medium for Storing Program for Causing Computer to Execute Processing for Generating Learning Model to Be Used When Performing Image Measurement of Semiconductor Including Predetermined Structure

Номер патента: US20220277434A1. Автор: Yamaguchi Satoru,SAKAI Kei,YUMIBA Ryou. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Measurement system, method for generating learning model to be used when performing image measurement of semiconductor including predetermined structure, and recording medium for storing program for causing computer to execute processing for generating learning model to be used when performing image measurement of semiconductor including predetermined structure

Номер патента: WO2021038815A1. Автор: 竜 弓場,山口　聡,計 酒井. Владелец: 株式会社日立ハイテク. Дата публикации: 2021-03-04.

Method For The Detection Of Defects In Gas-Barrier Films Using Quantum Dots

Номер патента: US20130314698A1. Автор: Pickett Nigel,Gresty Nathalie. Владелец: NANOCO TECHNOLOGIES, LTD.. Дата публикации: 2013-11-28.

Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers

Номер патента: US5782675A. Автор: Scott A. Southwick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Method for detecting optical fatigue degree of photochromic barrier film

Номер патента: CN114638826B. Автор: 袁琳,闫银凤,张启纲,李沅鸿,王威威,李海良. Владелец: Henan Yinjinda New Materials Co ltd. Дата публикации: 2022-10-28.

DEVICE AND METHOD FOR MELTING AND FORMING METAL IN VACUUM ENVIRONMENT

Номер патента: US20170113268A1. Автор: GO Dong Keun,GO Myoung Su. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPLEX FORM METAL ALLOY PARTS

Номер патента: FR3063663A1. Автор: Olivier Martin,Arnaud De Ponnat. Владелец: Mecachrome France SAS. Дата публикации: 2018-09-14.

Method for working or forming metals in the presence of aqueous lubricants with methanesulfonic acid (msa)

Номер патента: CA2466716A1. Автор: Francois Guillemet,Fabrice Domingues Dos Santos,Gilles Darvaux-Hubert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for producing a formed metallic workpiece with armor

Номер патента: DE102011056480A1. Автор: Ernst-Peter Schmitz,Peter Kolbe,Thomas Korner. Владелец: GESENKSCHMIEDE SCHNEIDER GMBH. Дата публикации: 2013-06-20.

Coating composition and method for producing precoated steel sheets

Номер патента: US6018013A. Автор: Keiji Yoshida,Takashi Anyashiki,Kazumi Itou. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Method for producing an organic solvent

Номер патента: US20220096978A1. Автор: Suguru Sassa,Tomoya Ohashi,Toyoshiro YOSHIDA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

System and method for induction fusing of thermoplastic composites

Номер патента: US20230382060A1. Автор: W. Robert Nelson,Audra Morgan. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

A process for growing a film of a metal-carbon nanomaterial composite with 1d, 2d, or 3d structure and/or a mixture thereof on a metal substrates

Номер патента: WO2022185166A4. Автор: Rungkiat NGANGLUMPOON. Владелец: Crystallyte Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-10-20.

Chemically wetted film of metal phase on graphite and process for preparing same

Номер патента: US4414256A. Автор: Eric G. Derouane,Rexford D. Sherwood,Rees T. K. Baker,Wim J. M. Pieters. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1983-11-08.

Method for an improved checking of repeatability and reproducibility of a measuring chain for semiconductor device testing

Номер патента: US20110254580A1. Автор: Alberto Pagani,Sergio Tenucci,Marco Spinetta,Bernard Ranchoux. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2011-10-20.

THERMOSETTING LIGHT-REFLECTIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PREPARING THE SAME, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT-MOUNTED REFLECTOR PRODUCED THEREFROM, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20140066543A1. Автор: Cho Sung-Woo,Cho Chul-Hui,Hwang Pung-Koc. Владелец: NEPESAMC. Дата публикации: 2014-03-06.

SYSTEM AND METHOD FOR KEY PARAMETER IDENTIFICATION, PROCESS MODEL CALIBRATION AND VARIABILITY ANALYSIS IN A VIRTUAL SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION ENVIRONMENT

Номер патента: US20180365370A1. Автор: Fried David M.,Greiner Kenneth B.,Egan William J.,Kunwar Anshuman. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for regulating uniformity in thickness of biaxially stretched tubular film of synthetic resin

Номер патента: JPS57174214A. Автор: Kazuo Kondo,Kakushi Maruyama. Владелец: Okura Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-26.

Method for recovering indium oxide and stannum from ITO coating film of conducting glass

Номер патента: CN104630486A. Автор: 王琪,周全法,于聪,王慧慧,朱炳龙,孙杨铖,葛明敏. Владелец: Jiangsu University of Technology. Дата публикации: 2015-05-20.

Method for recovering indium oxide and stannum from ITO coating film of conducting glass

Номер патента: CN104630486B. Автор: 王琪,周全法,于聪,王慧慧,朱炳龙,孙杨铖,葛明敏. Владелец: Jiangsu University of Technology. Дата публикации: 2017-02-22.

Closure method for fluid ejection passage in ink-jet printer - using film of liquid that is displaced under pressure to cover jet opening and moved clear by pressure in jet

Номер патента: FR2697889A1. Автор: Millet Jean-Claude. Владелец: Imaje SA. Дата публикации: 1994-05-13.

Method for forming metal film

Номер патента: US20220403544A1. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for arrangement of modules in measuring device

Номер патента: RU2759246C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-11-11.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Methods for forming white anodized films by metal complex infusion

Номер патента: EP3017094A1. Автор: Kenji Hara,Takahiro Oshima,Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Jody R. Akana,Ayumi HONGOU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Methods for forming white anodized films by metal complex infusion

Номер патента: US09512536B2. Автор: Kenji Hara,Takahiro Oshima,Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Jody R. Akana,Ayumi HONGOU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Film forming apparatus for forming metal film and film forming method for forming metal film

Номер патента: US12110604B2. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Nanoparticles, methods for producing nanoparticles and nanoparticle generators

Номер патента: US10500228B1. Автор: Jay W. Grate,Nigel D. Browning,Patricia Abellan. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Film forming device and method for forming metal film using the same

Номер патента: US20200190685A1. Автор: Hirofumi Iisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Film forming apparatus for forming metal film and film forming method for forming metal film

Номер патента: US12123103B2. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Metal alkoxide compound, thin-film-forming material, method for producing thin film, and alcohol compound

Номер патента: US09896468B2. Автор: Akio Saito,Naoki Yamada,Atsushi Sakurai,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Tsubasa Shiratori. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for shaping high aspect ratio articles from metallic glass alloys using rapid capacitive discharge and metallic glass feedstock for use in such methods

Номер патента: US09845523B2. Автор: William L. Johnson,Marios D. Demetriou,Joseph P. Schramm,David S. Lee,Jong Hyun Na. Владелец: Glassimetal Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Film formation apparatus and film formation method for forming metal film

Номер патента: US09677185B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming flexible transparent conductive film

Номер патента: US09506148B2. Автор: Hung-Tao CHEN,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Pei-Ying Hsieh. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

A multi-layered pipe and a method for forming a multi-layered pipe

Номер патента: EP3463858A1. Автор: Yogesh Sheshrao Deshmukh,Marinus Peter Kremer,Marco GORIS,Johannes Akkerman. Владелец: Wavin BV. Дата публикации: 2019-04-10.

Method and device for forming metal frames for reinforced concrete and metal frame formed therewith

Номер патента: EP1270110A3. Автор: Dante Bruno Priuli. Владелец: Schnell SpA. Дата публикации: 2004-01-02.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US09988262B2. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for metalizing nanotubes through electrolysis

Номер патента: US09981074B1. Автор: David Mills,Christen Boyer. Владелец: Louisiana Tech Research Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods for forming metal fluoride film and for manufacturing optical device

Номер патента: US20120318663A1. Автор: Hideo Akiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for forming metallic nitride film

Номер патента: US8524049B2. Автор: Fu-Hsing Lu,Mu-Hsuan Chan,Jiun-Huei Yang,Po-Lun Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-03.

Method for forming metallic nitride film

Номер патента: US20090008241A1. Автор: Fu-Hsing Lu,Mu-Hsuan Chan,Jiun-Huei Yang,Po-Lun Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Recyclable metallized barrier films and bags for packaging flowable materials

Номер патента: US20240246736A1. Автор: Paul Georgelos,Nicholas Farkas. Владелец: Liqui Box Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming ammonia

Номер патента: WO2007016343A3. Автор: Peter C Kong,Robert J Pink,Larry D Zuck. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for preparing uniform metal oxide nanoparticles with high reproducibility

Номер патента: US09771275B2. Автор: Ju Young Park,Wan Jae Myeong,Bong Sik Jeon,Eung Gyu Kim,Eun Byul Kwon. Владелец: Hanwha Chemical Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same

Номер патента: US09394590B2. Автор: Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for producing a metal-based coating on a film of harm-structures attached to a support

Номер патента: WO2024180047A2. Автор: Ahmed Soliman. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-09-06.

Method for producing a metal-based coating on a film of HARM-structures attached to a support

Номер патента: FI20235231A1. Автор: Ahmed Soliman. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-08-28.

Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: US09910067B2. Автор: William A. Funk,Bryan J. Root. Владелец: Celadon Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device

Номер патента: US09557368B2. Автор: Chien-Ping Wang,Tzung-Te Chen,Pei-Ting Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing gas barrier film

Номер патента: US09481010B2. Автор: Kazutoshi Murota. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-11-01.

A method for determining the current-voltage characteristic of a snap-back device

Номер патента: EP1464968A3. Автор: NATARAJAN Mahadeva Iyer,Vesselin K. Vassilev,Steven Thijs,Tom Daenen,Vincent De Heyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US10604859B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Systems and methods for additive manufacturing of metal nitride ceramics

Номер патента: US12042861B2. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20180087169A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for forming excellent multi-layer coating film

Номер патента: US09737906B2. Автор: Hiroshi Kubota,Hiroaki Fujii,Masafumi Shinoda,Fumi HIRANO,Yoshiko Aoki,Sakura NAKANO,Tatsuo Tsuneoka. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Zirconium-based alloy metallic glass and method for forming a zirconium-based alloy metallic glass

Номер патента: US09499891B2. Автор: Frank Krüger,Xiaoyun Wang,Bernd Kunkel,Hans Jürgen WACHTER,Doug SHEARER. Владелец: Heraeus Materials Technology North America LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Oxygen and water vapour barrier films with low moisture sensitivity fabricated from self-cross-linking fibrillated cellulose

Номер патента: RU2672648C2. Автор: Пер ЛАРССОН,Ларс ВОГБЕРГ. Владелец: Биллерудкорснес Аб. Дата публикации: 2018-11-16.

System, apparatus and method for contaminant reduction in semiconductor device fabrication equipment components

Номер патента: EP1784595A2. Автор: Darwin G. Enicks,Carl E. Friedrichs,Richard A. Brucher. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Bag component for a product, method for manufacturing a bag component, and forming tool

Номер патента: US20240317463A1. Автор: Denis Loewensberg. Владелец: B Braun Melsungen AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Sulfatation method for metal recovery from sulfide ores

Номер патента: RU2252271C2. Автор: Соломон ФЛАКС. Владелец: ЙОМА КЕМИКАЛ ЭйЭс. Дата публикации: 2005-05-20.

Computer controlled curve tracer for extracting small and large signal parameters of semiconductor devices

Номер патента: US20030025520A1. Автор: Robert Fox,Steven Schein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Systems and methods for modifying metal feedstock material

Номер патента: WO2024192159A1. Автор: Douglas C. Hofmann,Punnathat BORDEENITHIKASEM. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and Methods for Modifying Metal Feedstock Material

Номер патента: US20240309487A1. Автор: Douglas C. Hofmann,Punnathat BORDEENITHIKASEM. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5

Номер патента: RU2766832C1. Автор: Максим Сергеевич Солодовник,Наталия Евгеньевна Черненко,Сергей Вячеславович Балакирев,Михаил Михайлович Еременко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2022-03-16.

Method for efficient analysis of semiconductor failures

Номер патента: WO2001063619A3. Автор: Joerg Wohlfahrt,Dieter Rathei,Thomas Giegold. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for efficient analysis of semiconductor failures

Номер патента: WO2001063619A2. Автор: Joerg Wohlfahrt,Dieter Rathei,Thomas Giegold. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-08-30.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for increasing wear resistance of parts by application of film of lubricating composition based on molybdenum disulphide on friction surface

Номер патента: RU2479670C2. Автор: Иван Иванович Маликов,Екатерина Андреевна Селедкина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Вологодский государственный технический университет" (ВоГТУ). Дата публикации: 2013-04-20.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

A composition for forming a primer layer, a barrier film, a wavelength conversion sheet, and a method for producing a wavelength conversion sheet.

Номер патента: JP7013736B2. Автор: 昌由 鈴田,裕美子 小島. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for protecting compound semiconductor from being destructed by electrostatic discharge and flip-chip semiconductor device having protection capability against electrostatic discharge

Номер патента: TWI278124B. Автор: Schang-Jing Hon,Yu-Lin Li,Liann-Be Chang,Shian-Chin Chiou,Ruey Yu Wang. Владелец: Nan Ya Photonics Inc. Дата публикации: 2007-04-01.

Method for protecting compound semiconductor from being destructed by electrostatic discharge and flip-chip semiconductor device having protection capability against electrostatic discharge

Номер патента: TW200539468A. Автор: Schang-Jing Hon,Yu-Lin Li,Liann-Be Chang,xian-qin Qiu,Rueyi-Yu Wang,chong-zhi Su. Владелец: Nan Ya Photonics Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Copper metallized barrier layer structure of integrated circuit or semiconductor device and its preparing method

Номер патента: CN100521188C. Автор: 王颖,曹菲,赵春晖. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2009-07-29.

MONITORING APPARATUS AND METHOD FOR IN-SITU MEASUREMENT OF WAFER THICKNESSES FOR MONITORING THE THINNING OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND THINNING APPARATUS COMPRISING A WET ETCHING APPARATUS AND A MONITORING APPARATUS

Номер патента: US20130034918A1. Автор: Dusemund Claus,Schoenleber Martin,Michelt Berthold,Dietz Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

METHODS OF FORMING METAL OR METAL NITRIDE PATTERNS AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130040448A1. Автор: Kang Yool,Kim Jae-Ho,LEE Dong-jun,Lee Hyung-Rae,Yang Joo-Hyung,Shin Kyu-Sik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-14.

METHOD FOR HEAT REMOVAL FROM HEAT-FILLING ELECTRONIC COMPONENTS BASED ON APPLICATION OF SEMICONDUCTOR LASERS

Номер патента: RU2014101087A. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-07-20.

Method for pressurizing and forming metallic material

Номер патента: JPS6475199A. Автор: Akira Saito,Shoichi Sakota,Atsushi Yamazaki. Владелец: Fuarukoa Kk. Дата публикации: 1989-03-20.

Method for bending and forming metal pipe by placing steel balls inside

Номер патента: CN102228922B. Автор: 杨连发,石松朝. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2013-01-16.

Method for manufacturing metal oxide semiconductor (MOS) device in use for reducing damage to semiconductor device during hot carrier injection

Номер патента: CN102299113A. Автор: 黄晓橹,俞柳江,李全波. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

METHOD FOR MANUFACTURING OF TARGET FOR MAGNETRON APPLICATION OF SUPERCONDUCTING FILMS OF FOLLOWING COMPOSITION - Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O

Номер патента: RU2385517C1. Автор: Юрий Евгеньевич Григорашвили,Александр Викторович Бухлин,Владислав Томасович Мингазин,Иван Васильевич Верюжский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2010-03-27.

METHOD FOR INCREASING DETAILS RESISTANCE OF PARTS BY APPLYING A FILM OF A LUBRICANT COMPOSITION BASED ON MOLYBDENUM DISULFIDE ON A FRICTION SURFACE

Номер патента: RU2011129488A. Автор: Иван Иванович Маликов,Екатерина Андреевна Селедкина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Вологодский государственный технический университет" (ВоГТУ). Дата публикации: 2013-01-20.

Method for testing stability of POE (polyolefin elastomer) packaging adhesive film of solar cell

Номер патента: CN109935529B. Автор: 何帅,彭丽霞,崔寅鑫. Владелец: Atlas Sunshine Power Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

Method for preparing lanthanum-zirconium oxide La2Zr2O7 buffer layer thin film of high-temperature superconducting coating conductor on biaxially textured NiW alloy substrate

Номер патента: CN102509764A. Автор: 张勇,赵勇,张敏,张欣,雷鸣,王文涛,程翠华. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for producing rare earth permanent magnets having a deposited film of aluminum or an alloy thereof on the surface

Номер патента: JP5691226B2. Автор: 吉村　公志,吉村　　公志,菊川　篤,篤 菊川,敏行 笹井. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING MULTILAYERED GAS-BARRIER FILM

Номер патента: US20120003500A1. Автор: . Владелец: MITSUBISHI PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

EVOH Barrier Film with Reduced Autoclave Shock

Номер патента: US20120000166A1. Автор: . Владелец: CRYOVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

UNDERSIDE PROTECTIVE SHEET FOR SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND GAS-BARRIER FILM

Номер патента: US20120000527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOISTURE RESISTANT COATING FOR BARRIER FILMS

Номер патента: US20120003484A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120004388A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for neutron-transmutation doping of silicon

Номер патента: RU2193609C2. Автор: В.Г. Шевченко,Л.В. Шмаков,В.П. Счеславский,В.В. Дмитриев,Ю.В. Гарусов,В.Ф. Скибин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Энергоатоминвент". Дата публикации: 2002-11-27.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004091A1. Автор: Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for obtaining heteroepitaxial silicon-on-sapphire structures

Номер патента: RU2390874C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К". Дата публикации: 2010-05-27.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004097A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120003481A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for sorting semiconductor products on a board

Номер патента: RU2316013C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-01-27.

Express method for measuring body transfer heat resistance of power semiconductor devices

Номер патента: RU2240573C1. Автор: С.В. Иванов,Валерий Михайлович Гарцбейн,С.Н. Флоренцев,Н.Ф. Марамыгин,Л.В. Романовска,Л.В. Романовская. Владелец: Флоренцев Станислав Николаевич. Дата публикации: 2004-11-20.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for testing metal barriers - bases of protective heterogeneous structures

Номер патента: RU2578900C1. Автор: Андрей Вадимович Толов,Вадим Васильевич Толов. Владелец: Вадим Васильевич Толов. Дата публикации: 2016-03-27.

Method for carrier concentration determination in semiconductors and device for its implementation

Номер патента: RU2534382C1. Автор: Владимир Георгиевич Литвинов,Александр Антонович Корнилович,Александр Валерьевич Ермачихин,Дмитрий Сергеевич Кусакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-11-27.

Method for soldering semiconductor chip to case

Номер патента: RU2167469C2. Автор: Б.А. Спиридонов,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-05-20.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface

Номер патента: RU2323503C2. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Игорь Петрович Калинкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл"). Дата публикации: 2008-04-27.

Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles

Номер патента: RU2538032C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Method for producting thin films of amorphous hydrogenated silicon

Номер патента: RU2061281C1. Автор: Е.Л. Приходько,А.А. Айвазов,Б.Г. Будагян,А.Ю. Сазонов. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1996-05-27.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGNING METHOD FOR DIMPLE PATTERN OF GOLF BALL

Номер патента: US20120004053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.