Method for forming oxide below control gate in vertical channel thin film transistor
Номер патента: US09368601B2
Опубликовано: 14-06-2016
Автор(ы): Akira Nakada, Kensuke Yamaguchi, Michiaki Sano, Naohito Yanagida
Принадлежит: SanDisk Technologies LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-06-2016
Автор(ы): Akira Nakada, Kensuke Yamaguchi, Michiaki Sano, Naohito Yanagida
Принадлежит: SanDisk Technologies LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method
Номер патента: US20120270383A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Kanta Abe,Takashi Ienaga,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.