Semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US09595600B2
Опубликовано: 14-03-2017
Автор(ы): Kunihiko Suzuki, Shunpei Yamazaki, Takahiro Tsuji
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-03-2017
Автор(ы): Kunihiko Suzuki, Shunpei Yamazaki, Takahiro Tsuji
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including transistors and method for manufacturing the same
Номер патента: US12009434B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.