Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method for producing thin film electrodes

Номер патента: US9359223B2
Опубликовано: 07-06-2016
Автор(ы): Beihai Ma, Manoj Narayanan, Stephen Dorris, Uthamalingam Balachandran
Принадлежит: UChicago Argonne LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for producing thin film electrodes

Номер патента: US20130071670A1. Автор: Manoj Narayanan,Uthamalingam Balachandran,Beihai Ma,Stephen Dorris. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for producing thin film electrodes

Номер патента: US09359223B2. Автор: Manoj Narayanan,Uthamalingam Balachandran,Beihai Ma,Stephen Dorris. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

N-type sns thin film, photoelectric conversion element, solar cell, method for manufacturing n-type sns thin film, and manufacturing apparatus of n-type sns thin film

Номер патента: US20230261130A1. Автор: Issei Suzuki,Hiroshi Yanagi,Sakiko Kawanishi. Владелец: University of Yamanashi NUC. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for producing oxide crystal thin film

Номер патента: EP2865789A4. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Method for producing oxide crystal thin film

Номер патента: WO2014196095A1. Автор: 真也 織田,俊実 人羅. Владелец: Ｒｏｃａ株式会社. Дата публикации: 2014-12-11.

Polythiophene star copolymer capable of being self-doped by external stimulus, a method for producing the same, a conductive thin film using the same, and a method for producing the conductive thin film

Номер патента: US09908979B2. Автор: Hyun Ji Kim,Seung Sang Hwang,Soon Man Hong,Kyung Youl Baek,Chong Min Koo,Yun Jae Lee,Hyeon Yeol Jeon,Min Jae KO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film by joule-heating induced crystallization

Номер патента: US8840720B2. Автор: Cheol-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Composition for forming doped or non-doped zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film using same

Номер патента: KR101743308B1. Автор: 코이치로 이나바,코우지 토요타,켄이치 하가,코우이치 토쿠도메. Владелец: 토소 화인켐 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-06-02.

Gas barrier laminated body, method for producing same, member for electronic device, and electronic device

Номер патента: US09763345B2. Автор: Satoshi Naganawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Oxide superconducting thin film material, oxide superconducting thin film wire material, and method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: WO2018163501A1. Автор: 元気 本田,永石　竜起,下山　淳一,貴則 元木. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for manufacturing molybdenum oxide-containing thin film

Номер патента: US09881796B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Titanium complex, method for producing same, and method for producing titanium-containing thin film

Номер патента: US20230257404A1. Автор: Yuki Yamamoto,Hiroyuki Oike,Teppei Hayakawa,Shuya Ikemura. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming tco films and thin film stack

Номер патента: US20120255602A1. Автор: Elisabeth Sommer,Markus Kress,Daniel Severin,Philipp Obermeyer,Inge Vermeir,Niels KUHR,Ursula Ingeborg Schmidt,Anton Supritz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: MY159267A. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-12-30.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: WO2010008439A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Mohd Aslami. Дата публикации: 2010-01-21.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: EP2318561A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for the wet deposition of thin films

Номер патента: US20180001290A1. Автор: Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: UNIVERSITE DE LIEGE. Дата публикации: 2018-01-04.

A method for making thick and/or thin film

Номер патента: EP1429869A2. Автор: Ai Quoc Pham,Robert S. Glass. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-06-23.

Metal oxynitride thin film, process for producing metal oxynitride thin film, and capacitor element

Номер патента: US20190144341A1. Автор: Junichi Yamazaki,Yuji Umeda,Kumiko Yamazaki,Yuki Nagamine,Takeshi Shibahara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Organic semiconductor particulate material, organic semiconductor thin-film, dispersion liquid for forming organic semiconductor film, method for producing organic semiconductor thin-film, and organic thin-film transistor

Номер патента: US09518224B2. Автор: Musubu Ichikawa,Hisao Kono,Naoki Hirata,Naomi Oguma,Hyeon-Gu Jeon. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2016-12-13.

Gas showerhead, method for making the same and thin film growth reactor

Номер патента: US09534724B2. Автор: Yong Jiang,Ning Zhou,Henry Ho,Zhiyou Du. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods and systems for forming thin films

Номер патента: US20120208352A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Methods and systems for forming thin films

Номер патента: US20120208357A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymer thin films

Номер патента: US5888591A. Автор: Karen K. Gleason,Scott J.H. Limb,Edward F. Gleason,Herbert H. Sawin,David J. Edell. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1999-03-30.

High dielectric constant thin film structure method for forming high dielectric constant thin film and apparatus for forming high dielectric contact thin film

Номер патента: US5834060A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tetsuro Makita,Tsuyoshi Horikawa,Akimasa Yuuki,Teruo Shibano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

High dielectric constant thin film structure, method for forming high dielectric constant thin film, and apparatus for forming high dielectric constant thin film

Номер патента: US6165556A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tetsuro Makita,Tsuyoshi Horikawa,Akimasa Yuuki,Teruo Shibano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

High dielectric constant thin film structure, method for forming high dielectric constant thin film and apparatus for forming high dielectric constant thin film

Номер патента: US5989635A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tetsuro Makita,Tsuyoshi Horikawa,Akimasa Yuuki,Teruo Shibano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

High dielectric constant thin film structure, method for forming high dielectric constant thin film, and apparatus for forming high dielectric constant thin film

Номер патента: US6101085A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tetsuro Makita,Tsuyoshi Horikawa,Akimasa Yuuki,Teruo Shibano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Alcohol-based processors for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: EP1027355A1. Автор: Douglas M. Smith,Teresa Ramos,James Drage,Stephen Wallace. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

gas showerhead, method for making the same and thin film growth reactor

Номер патента: KR101523633B1. Автор: 닝 조우,용 지앙,지유 두,나이밍 헤. Владелец: 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for manufacturing a zinc oxide thin film at low temperatures

Номер патента: EP1755154B1. Автор: Takashi c/o Yamanashi University Matsumoto,Chitake c/o Yamanashi Industrial Imazu,Shigeru c/o Yamanashi Industrial Hagihara,Kazuhiro c/o Yamanashi Industrial Kijima,Osamu c/o Yamanashi Industrial Abe,Satoshi c/o Nakaya Ltd. Hiraki,Yuichiro c/o Nakaya Ltd. Fujikawa. Владелец: Nakaya Ltd. Дата публикации: 2011-02-16.

Sputtering process for producing single crystal thin films

Номер патента: US3726776A. Автор: A Mayadas,J Cuomo,R Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-04-10.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US20170275178A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US10221078B2. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

METHOD FOR FORMING LaNiO3 THIN FILM

Номер патента: US20170095835A1. Автор: Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Dialkylzinc partial hydrolysate-containing solution and method for producing zinc oxide thin film using solution

Номер патента: EP3299341A4. Автор: Kouji Toyota,Toshio Naka,Koichiro Inaba. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Method for preparing copper calcium titanate thin film, and copper calcium titanate thin film

Номер патента: EP3656889A4. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Method for producing composition for forming PZT-based ferroelectric thin film and method for forming PZT-based ferroelectric thin film using the composition

Номер патента: JP6075152B2. Автор: 信幸 曽山,英章 桜井,桜井　英章,曽山　信幸,土井　利浩,利浩 土井. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-02-08.

Semiconductor thin film method for producing same and thin film transistor

Номер патента: KR101263538B1. Автор: 가즈요시 이노우에,다다오 시부야,고끼 야노,유끼오 시마네,마사히로 요시나까. Владелец: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-05-13.

Fully solid thin-film batteries and method for producing fully solid thin-film batteries

Номер патента: EP2823524B1. Автор: Fabien Gaben,Frédéric BOUYER,Bruno Vuillemin. Владелец: I Ten SA. Дата публикации: 2018-05-02.

Semiconductor thin film, method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: WO2007058248A1. Автор: Koki Yano,Kazuyoshi Inoue,Tadao Shibuya,Yukio Shimane,Masahiro Yoshinaka. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

Thin film transistor and method for making the same

Номер патента: US20180158904A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Ying-Cheng WANG,Xiao-Yang Xiao,Tian-Fu Zhang,Yu-Dan Zhao,Yu-Jia Huo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

METHOD FOR RECOVERING RESOURCE FROM CIGS THIN-FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20220052220A1. Автор: CHUEH Yu-Lun,LAI Chih-Huang,CHEN Wei-Sheng,LIU Fan-Wei,CHENG Tzu-Ming. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for manufacturing all-solid-state thin-film batteries

Номер патента: US20190036152A1. Автор: Fabien Gaben,Frédéric BOUYER,Bruno Vuillemin. Владелец: I Ten SA. Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD FOR FORMING A BORON-CONTAINING THIN FILM AND MULTILAYER STRUCTURE

Номер патента: US20170271080A1. Автор: Ito Yasuhiko,Tokushige Manabu,Nishikiori Tokujiro,Tsujimura Hiroyuki,TSURUMI Naoaki,Satomi Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing all-solid-state thin-film batteries

Номер патента: WO2013064779A1. Автор: Fabien Gaben,Frédéric BOUYER,Bruno Vuillemin. Владелец: Fabien Gaben. Дата публикации: 2013-05-10.

Method for manufacturing circuit board embedding thin film capacitor

Номер патента: KR100735339B1. Автор: 이정원,이승은,정율교,김배균,이인형. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for manufacturing all-solid-state thin-film batteries

Номер патента: KR102052521B1. Автор: 파비앙 갸벵,프레데릭 부이에,브뤼노 뷔일레멩. Владелец: 이-뗀. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US20170104081A1. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US09954071B2. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for improving flatness of semiconductor thin film

Номер патента: US20210043442A1. Автор: Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Chenhua Dong. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Metallic very thin film, metallic very thin film multilayer body, and method for manufacturing the metallic very thin film or the metallic very thin film laminate

Номер патента: CA2441204A1. Автор: Yoshitada Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for fabricating three dimensional anisotropic thin films

Номер патента: US6541392B2. Автор: Peter Mardilovich,Alexander N. Govyadinov,Yuval C Avniel. Владелец: Technology Ventures LLC. Дата публикации: 2003-04-01.

Aluminum nitride piezoelectric thin film, piezoelectric material, piezoelectric component, and method for manufacturing aluminum nitride piezoelectric thin film

Номер патента: US20160372653A1. Автор: Atsushi Honda,Morito Akiyama,Keiko Nishikubo,Keiichi Umeda,Toshimi Nagase. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for forming an aluminum metallic thin film by vapor phase growth on a semiconductor substrate

Номер патента: US4430364A. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Method for forming improved interface and thin film by using high-density radicals

Номер патента: EP4386814A1. Автор: Dong Hwa SHIN,Yong Weon Kim. Владелец: Eq Tech Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Titanium complex, method for producing same, and method for producing titanium-containing thin film

Номер патента: EP4180437A4. Автор: Yuki Yamamoto,Hiroyuki Oike,Teppei Hayakawa,Shuya Ikemura. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for forming quantum dot thin film

Номер патента: US09644077B2. Автор: Won-Seok Chang,So-Hee Jeong,Hyung-Cheoul SHIM. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems and methods for thermally managing high-temperature processes on temperature sensitive substrates

Номер патента: US09634175B2. Автор: Joseph H. Armstrong,Lawrence M. Woods,Rosine Ribelin. Владелец: Ascent Solar Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for producing metallic ruthenium thin film by atomic layer deposition

Номер патента: IL282897B2. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

Titanium complex, method for producing same, and method for producing titanium-containing thin film

Номер патента: IL299722A. Автор: Yuki Yamamoto,Hiroyuki Oike,Teppei Hayakawa,Shuya Ikemura. Владелец: Shuya Ikemura. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods for cds-based film and zno film deposition

Номер патента: CA1272107A. Автор: Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Shu Nong Qui. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-07-31.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon containing thin film using the same

Номер патента: US20220139704A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20200111664A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for planarizing cis-based thin film, cis-based thin film manufactured using the same, and solar cell comprising cis-based thin film

Номер патента: US20230290899A1. Автор: Seung Tae Kim,Jeung Hyun JEONG,Doh Kwon Lee,Byoung Soo Yu,Yoon Hee JANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-14.

DIALKYLZINC- AND DIALKYLZINC PARTIAL HYDROLYSATE-CONTAINING SOLUTION, AND METHOD FOR PRODUCING ZINC OXIDE THIN FILM USING SOLUTION

Номер патента: US20210009813A1. Автор: Haga Kenichi,Toyota Kouji. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US20200260614A1. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Electronics Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

IB-IIIA-VIA group quaternary alloy or method for producing a semiconductor thin film made of an alloy of five or more alloys

Номер патента: JP2007503708A. Автор: アルベルツ，ヴィヴィアン. Владелец: ユニヴァーシティ オブ ヨハネスバーグ. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: WO2019066543A1. Автор: 김동하. Владелец: 인동전자 주식회사. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for producing CdTe / CdS thin film solar cells on a large scale

Номер патента: JP4621427B2. Автор: ロメオ、ニコラ,ボシオ、アレッシオ,ロメオ、アレッサンドロ. Владелец: ソーラー システムズ アンド エクイップメンツ エス．アール．エル．. Дата публикации: 2011-01-26.

Method for producing single crystal thin film

Номер патента: JP5330349B2. Автор: 優 野田. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2013-10-30.

Dialkylzinc- and dialkylzinc partial hydrolysate-containing solution, and method for producing zinc oxide thin film using solution

Номер патента: EP3578540B1. Автор: Kouji Toyota,Kenichi Haga. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Dialkylzinc- and dialkylzinc partial hydrolysate-containing solutions, and method for producing zinc oxide thin film using said solutions

Номер патента: EP3578540A4. Автор: Kouji Toyota,Kenichi Haga. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2020-12-16.

Method for producing metallic ruthenium thin film by atomic layer deposition

Номер патента: IL282897B1. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-03-01.

ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM, ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM AND SHIELDING STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM

Номер патента: US20170034965A1. Автор: Park Jin-Man,LEE Ju-Ho,Park Eun-Soo,PARK Keum-hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

Printing composition, electronic device comprising same and preparation method for functional material thin film

Номер патента: US20200291251A1. Автор: XI Yang,Junyou Pan,Xiaolin Yan. Владелец: Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing molybdenum oxide-containing thin film, starting material for forming molybdenum oxide-containing thin film, and molybdenum amide compound

Номер патента: KR101912127B1. Автор: 히로키 사토,준지 우에야마. Владелец: 가부시키가이샤 아데카. Дата публикации: 2018-10-26.

Process for producing zirconium oxide thin films

Номер патента: US7998883B2. Автор: Matti Putkonen. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2011-08-16.

Methods for sputtering a resistive transparent thin film for use in cadmium telluride based photovoltaic devices

Номер патента: EP2402479A1. Автор: Patrick Lynch O'keefe. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-01-04.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: US20120178202A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: EP2412029A1. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for preparing local polycrystalline silicon thin film passivation contact based on PVD (physical vapor deposition) technology

Номер патента: CN111009593A. Автор: 刘志锋,陈嘉,马丽敏,林建伟,乔振聪,何大娟. Владелец: Jiangsu Jietai Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-14.

Method for preparing local polycrystalline silicon thin film passivation contact based on PVD (physical vapor deposition) technology

Номер патента: CN111009593B. Автор: 刘志锋,陈嘉,马丽敏,林建伟,乔振聪,何大娟. Владелец: Jiangsu Jietai Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells

Номер патента: US7838763B2. Автор: Dennis Hollars. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2010-11-23.

Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells

Номер патента: EP1556902A4. Автор: Dennis R Hollars. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for manufacturing nanoporous cobalt phosphide thin film

Номер патента: KR102047937B1. Автор: 유봉영,문경훈. Владелец: 한양대학교 에리카산학협력단. Дата публикации: 2019-11-22.

Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells

Номер патента: EP1556902A2. Автор: Dennis R. Hollars. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2005-07-27.

Systems and methods for the rapid deposition of thin film layers on substrates of photovoltaic modules

Номер патента: DE102012102000A1. Автор: Russell Weldon Black. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

A vapor deposition apparatus and method for continuously depositing a doped thin film layer on a substrate

Номер патента: DE102011056645A1. Автор: Yu Zhao,James Neil Johnson,Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-06-21.

Manufacturing method for a circuit pattern, a thin film transistor and an electronic appliance

Номер патента: US20070207274A1. Автор: Gen Fujii. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

A vapor deposition apparatus and method for continuously depositing a doped thin film layer on a substrate

Номер патента: DE102011056642A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Plasma inside vapor deposition apparatus and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: US20100184251A1. Автор: Mohd A. Aslami,Dau Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells

Номер патента: US20090145746A1. Автор: Dennis R. Hollars. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2009-06-11.

Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells

Номер патента: AU2003275239A1. Автор: Dennis R. Hollars. Владелец: Raycom Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-23.

Titanium Sputtering Target, Production Method Therefor, And Method For Producing Titanium-Containing Thin Film

Номер патента: US20200240005A1. Автор: Shuhei Murata,Daiki Shono. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for producing an InSb thin film

Номер патента: US4080478A. Автор: Naoki Yamamoto,Kikuji Sato,Tetsu Oi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-03-21.

Method for synthesis of tetragonal zirconia thin films suitable for catalytic devices

Номер патента: WO2015142295A1. Автор: Miran Mozetic,Nikolas Panagiotopoulos,Giorgos A. Evangelakis. Владелец: Institut "Jožef Stefan". Дата публикации: 2015-09-24.

Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom

Номер патента: US09783882B2. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus for mass-producing silicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: US20090246943A1. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Apparatus for mass-producing silicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: US7927982B2. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for reducing interdiffusion rates between thin film components

Номер патента: US3751293A. Автор: P Turner,H Theuerer. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-08-07.

Method for producing electrically conductive thin film, and electrically conductive thin film produced by said method

Номер патента: WO2014021344A1. Автор: 信次 南,真之 近松,玲子 阿澄,エジ キム,斎藤　毅. Владелец: 独立行政法人産業技術総合研究所. Дата публикации: 2014-02-06.

NTC thin film thermistor and method for producing an NTC thin film thermistor

Номер патента: US12033774B2. Автор: Jan Ihle,Thomas Bernert,Christl Lisa Mead,Thomas STENDEL,Marko Vrabelj,Sebastian Redolfi. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing 3D-structured thin films

Номер патента: US9972827B2. Автор: Helene Porthault,Frédéric Le Cras,Sylvain Franger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal oxynitride thin film, process for producing metal oxynitride thin film, and capacitor element

Номер патента: US20190144341A1. Автор: Junichi Yamazaki,Yuji Umeda,Kumiko Yamazaki,Yuki Nagamine,Takeshi Shibahara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Pattern mask for manufacturing thin film battery and manufacturing method thereof and method for manufacturing solid electrolyte for thin film battery using the same

Номер патента: KR101292846B1. Автор: 박준홍,박기백. Владелец: 지에스나노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-08-02.

Vapour deposition method for fabricating lithium-containing thin film layered structures

Номер патента: US20160336583A1. Автор: Christopher Edward Lee,Brian Elliott Hayden,Duncan Clifford Alan Smith,Alexandros Anastasopoulos,Laura Mary PERKINS,Kyle James HUTCHINGS. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Vapour deposition method for fabricating lithium-containing thin film layered structures

Номер патента: WO2015104538A1. Автор: Christopher Edward Lee,Brian Elliott Hayden,Duncan Clifford Alan Smith,Alexandros Anastasopoulos,Laura Mary PERKINS,Kyle James HUTCHINGS. Владелец: Ilika Technologies Limited. Дата публикации: 2015-07-16.

Vapour deposition method for fabricating lithium-containing thin film layered structures

Номер патента: EP3092322A1. Автор: Christopher Edward Lee,Brian Elliott Hayden,Duncan Clifford Alan Smith,Alexandros Anastasopoulos,Laura Mary PERKINS,Kyle James HUTCHINGS. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-11-16.

Method for manufacturing of conductive metal thin film using carboxylic acid

Номер патента: KR101651932B1. Автор: 김의덕,김동조,문주호,오석헌,손원일,박선진,우규희. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing of conductive metal thin film using carboxylic acid

Номер патента: TWI478993B. Автор: Seok-Heon Oh,Dongjo Kim,Won Il Son,Eui-Duk Kim,Joo Ho Moon,Kyoohee Woo. Владелец: Hanwha Chemical Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Method for making dense crack free thin films

Номер патента: US7163713B2. Автор: Steven J. Visco,Lutgard C. De Jonghe,Craig P. Jacobson. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-01-16.

Methods for producing chalcopyrite compound thin films for solar cells using multi-stage paste coating

Номер патента: US20140070347A1. Автор: Byoung Koun Min,Yun Jeong HWANG,Hee Sang An. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for producing modules of thin film photovoltaic cells in a roll-to-roll process and apparatus configured for using such a method

Номер патента: US20200266317A1. Автор: Johan Bosman. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transition-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US10593819B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transistion-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20200176620A1. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods for forming microwave tunable composited thin-film dielectric layer

Номер патента: US12048948B2. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yue Cui,Yueh Sheng Ow,Felix Deng,Nuno Yen-Chu Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for Improved Patterning Accuracy for Thin Film Photovoltaic Panels

Номер патента: US20110256661A1. Автор: Frank Patterson. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for producing modules of thin film photovoltaic cells in a roll-to-roll process and apparatus configured for using such a method

Номер патента: WO2019054876A2. Автор: Johan Bosman. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for producing modules of thin film photovoltaic cells in a roll-to-roll process and apparatus configured for using such a method

Номер патента: EP3682487A2. Автор: Johan Bosman. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-07-22.

Conductive composition and method for making conductive features on thin film PV cells

Номер патента: US09530925B2. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for producing multi-layer, thin-film, flexible silicon alloy photovoltaic cells

Номер патента: US4604791A. Автор: William J. Todorof. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-12.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transition-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US10916670B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI,Jieun Kang. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for the activation of cdte thin films for the application in cdte/cds type thin film solar cells

Номер патента: EP2489077A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: ARENDI SpA. Дата публикации: 2012-08-22.

METHOD FOR THE ACTIVATION OF CdTe THIN FILMS FOR THE APPLICATION IN CdTe/CdS TYPE THIN FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20120190151A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: ARENDI SpA. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for making Cu2-xSe nanoparticles and method for making deposited Cu2-xSe thin film by electrophoresis

Номер патента: US20140017884A1. Автор: Chu-Chi Ting,Wen-Yuan Lee. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-16.

Process for producing a compound thin-film solar cell

Номер патента: EP1489666B1. Автор: Satoshi c/o Honda Engineering Kabushiki Kaisha AOKI. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-05.

Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials

Номер патента: WO2010039882A1. Автор: Robert D. Wieting. Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2010-04-08.

Conductive composition and method for making conductive features on thin film pv cells

Номер патента: US20130196465A1. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

A conductive composition and method for making conductive features on thin film pv cells

Номер патента: WO2012054245A4. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Method for forming positive electrode for thin film lithium-ion rechargeable battery, positive electrode for thin film lithium-ion rechargeable battery, and thin film lithium-ion rechargeable battery

Номер патента: US20170077493A1. Автор: Akiyoshi Suzuki,Shunsuke Sasaki,Masaki Tsushima,Kazutoshi Takahashi,Takehito Jinbo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Apparatus and method for charging battery using a thin film printed solar cell

Номер патента: US8354819B2. Автор: Byeng-Sang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-15.

Method for high volume manufacturing of thin film batteries

Номер патента: WO2009055529A1. Автор: Byung-Sung Kwak,Nety Krishna,Kurt Eisenbeiser,William J. Dauksher,Jon Candelaria. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-04-30.

A method for producing a semiconducting film of organic-inorganic metal-halide compound with perovskite-like structure

Номер патента: AU2020294400A1. Автор: Nikolai Andreevich BELICH,Andrey Andreevich PETROV,Alexey Borisovich TARASOV,Sergei Anatolyevich FATEEV,Aleksey Iurievich GRISHKO,Natalia Nikolaevna SHLENSKAIA,Eugene Alekseevich GOODILIN. Владелец: Eurosibenergo Jsc. Дата публикации: 2022-01-20.

Infrared absorbing thin film containing rutile-type titanium oxide crystal and method for producing the same

Номер патента: US20130040129A1. Автор: Ren-Hua Jin,Pei-Xin Zhu. Владелец: Kawamura Institute of Chemical Research. Дата публикации: 2013-02-14.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Method for producing a semiconducting film of organic-inorganic metal-halide compound with perovskite-like structure

Номер патента: US12048233B2. Автор: Nikolai Andreevich BELICH,Andrey Andreevich PETROV,Alexey Borisovich TARASOV,Sergei Anatolyevich FATEEV,Aleksey Iurievich GRISHKO,Natalia Nikolaevna SHLENSKAIA,Eugene Alekseevich GOODILIN. Владелец: Krasnoyarsk Hydropower Plant JSC. Дата публикации: 2024-07-23.

Organic semiconductor fine particle material, organic semiconductor thin film, dispersion for forming organic semiconductor film, method for producing organic semiconductor thin film, and organic thin film transistor

Номер патента: JPWO2012029544A1. Автор: 寿夫 河野,尚実 小熊,結 市川,直毅 平田,ヒョング ジョン. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2013-10-28.

Organic semiconductor particulate material, organic semiconductor thin-film, dispersion liquid for forming organic semiconductor film, method for producing organic semiconductor thin-film, and organic thin-film transistor

Номер патента: KR101473124B1. Автор: 전현구,나오키 히라타,히사오 고노,나오미 오구마,무수부 이치카와. Владелец: 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-12-15.

Method for producing oxide superconductor thin film and target used in the method

Номер патента: JP2815280B2. Автор: 陽一 榎本,邦彦 林,昭二 田中,修一 藤野. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 1998-10-27.

Process for producing a superconducting thin film from high-temperature superconducting oxide

Номер патента: DE69328537T2. Автор: Takao Nakamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2000-08-24.

Process for producing a superconducting thin film from oxide compounds.

Номер патента: DE69205911T3. Автор: Saburo Tanaka,Tatsuoki Nagaishi,Hideo Itozaki,Hidenori Nakanishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2000-03-09.

Cerium oxide-titanium oxide composite thin film electrode

Номер патента: US20220396871A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for forming high tc superconductive thin films

Номер патента: US5922651A. Автор: Masahiro Kawamura,Hiroki Hoshizaki. Владелец: Advanced Mobile Telecommunication Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Raw material for chemical deposition containing organoruthenium compound, and chemical deposition method for ruthenium thin film or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20240060176A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Yuki Mori,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Subhabrata Das. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: WO2016036838A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong-kyu Yoon. Владелец: The University of Florida Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

Composition for producing compound oxide thin film, method for producing thin film using composition, and compound oxide thin film

Номер патента: CN104254495A. Автор: 竹元裕仁,羽贺健一,德留功一,丰田浩司,稻叶孝一郎,吉野贤二,小岛稔. Владелец: TOSO FINE CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-12-31.

Composition for producing compound oxide thin film, method for producing thin film using composition, and compound oxide thin film

Номер патента: TW201402470A. Автор: Kouji Toyota,Kenji Yoshino,Kenichi Haga,Minoru Oshima,Yujin Takemoto,Koichiro Inaba,Kouichi Tokudome. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Organic thin-film transistor and method for producing same, organic thin-film transistor material, organic thin-film transistor composition, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: EP3333919B1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2020-03-11.

Method for doping carbon in thin film on wafer

Номер патента: EP4455376A1. Автор: Sung Kil Cho. Владелец: HPSP Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US09837543B2. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing piezoelectric thin-film element, piezoelectric thin-film element, and member for piezoelectric thin-film element

Номер патента: US20130127293A1. Автор: Shinsuke Ikeuchi,Kansho YAMAMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US9293327B2. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Solar Carbide Sarl. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for producing noble metal thin film electrode for usli

Номер патента: WO2002046493A1. Автор: Katsutsugu Kitada. Владелец: TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.. Дата публикации: 2002-06-13.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09870851B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09865674B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09564314B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-02-07.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09536732B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method For Producing Nickel Thin Film on a Si Substrate By Chemical Vapor Deposition Method, And Method For Producing Ni Silicide Thin Film On Si Substrate

Номер патента: US20160233098A1. Автор: SUZUKI Kazuharu,HARADA Ryosuke,NABEYA Shunichi,SONE Takayuki,YOKOO Michihiro. Владелец: TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.. Дата публикации: 2016-08-11.

METHOD FOR PRODUCING NICKEL THIN FILM ON Si SUBSTRATE BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING Ni SILICIDE THIN FILM ON Si SUBSTRATE

Номер патента: EP3054031A4. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-06-07.

POLYTHIOPHENE STAR COPOLYMER CAPABLE OF BEING SELF-DOPED BY EXTERNAL STIMULUS, A METHOD FOR PRODUCING THE SAME, A CONDUCTIVE THIN FILM USING THE SAME, AND A METHOD FOR PRODUCING THE CONDUCTIVE THIN FILM

Номер патента: US20150203639A1. Автор: KO Min Jae,Lee Yun Jae,Jeon Hyeon Yeol,KIM Hyun Ji,Koo Chong Min,Hong Soon Man,Hwang Seung Sang,Baek Kyung Youl. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

ORGANIC SEMICONDUCTOR PARTICULATE MATERIAL, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN-FILM, DISPERSION LIQUID FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN-FILM, AND ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130153884A1. Автор: Ichikawa Musubu,Hirata Naoki,Kono Hisao,Oguma Naomi,Jeon Hyeon-Gu. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

Organic thin-film transistor and method for producing same, organic thin-film transistor material, organic thin-film transistor composition, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: EP3333918A4. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-13.

Method for producing a semiconductor thin film and semiconductor thin film produced therewith

Номер патента: DE69033153T2. Автор: Takao Yonehara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Organic thin-film transistor and method for producing same, organic thin-film transistor material, organic thin-film transistor composition, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: WO2017022751A1. Автор: 崇 後藤,博昭 津山,純一 竹谷,岡本　敏宏,英治 福▲崎▼,雅史 小柳,渡邉　哲也,宇佐美　由久. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2017-02-09.

RUTHENIUM COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING RUTHENIUM-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: US20150303063A1. Автор: Iwanaga Kohei,Yamamoto Toshiki,Maniwa Atsushi,TADA Kenichi,OIKE Hiroyuki,CHIBA Hirokazu,KAWANO Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Hydrosilane derivative, method for producing same, and method for producing silicon-containing thin film

Номер патента: EP2581377A1. Автор: Toshiki Yamamoto,Kohei Iwanaga,Ken-Ichi Tada,Atsushi Maniwa. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2013-04-17.

Titanium complex, method for producing same, and method for producing titanium-containing thin film

Номер патента: WO2022009945A1. Автор: 有紀 山本,周也 池村,浩幸 尾池,哲平 早川. Владелец: 東ソー株式会社. Дата публикации: 2022-01-13.

Hydrosilane derivative, method for producing same, and method for producing silicon-containing thin film

Номер патента: KR101768259B1. Автор: 켄이치 타다,토시키 야마모토,코헤이 이와나가,아츠시 마니와. Владелец: 코우에키자이단호오징 사가미 츄오 카가쿠겡큐쇼. Дата публикации: 2017-08-14.

Hydrosilane derivative, method for producing same, and method for producing silicon-containing thin film

Номер патента: WO2011155353A1. Автор: 賢一 多田,篤 摩庭,宏平 岩永,俊樹 山本. Владелец: 公益財団法人相模中央化学研究所. Дата публикации: 2011-12-15.

Ruthenium complex and method for producing same, and method for producing ruthenium-containing thin film

Номер патента: EP2930179B1. Автор: Kazuhisa Kawano,Toshiki Yamamoto,Kenichi Tada,Kohei Iwanaga,Atsushi Maniwa,Hiroyuki Oike,Hirokazu Chiba. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2018-09-05.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin film, polycrystalline silicon thin film, and acoustic sensor

Номер патента: US20200389747A1. Автор: Xiaohui Zhong,Wooicheang Goh,Kahkeen Lai,Kianheng Goh. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Ruthenium complex and method for producing same, and method for producing ruthenium-containing thin film

Номер патента: EP2930179A4. Автор: Kazuhisa Kawano,Toshiki Yamamoto,Kenichi Tada,Kohei Iwanaga,Atsushi Maniwa,Hiroyuki Oike,Hirokazu Chiba. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2016-10-05.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US20160035895A1. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20190035626A1. Автор: Ebata Kazuaki,NISHIMURA Mami,TAJIMA Nozomi. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-31.

SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20150311071A1. Автор: Ebata Kazuaki,NISHIMURA Mami,TAJIMA Nozomi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Sputtering target, oxide semiconductor thin film, and method for producing oxide semiconductor thin film

Номер патента: KR101726098B1. Автор: 가즈아키 에바타,마미 니시무라,노조미 다지마. Владелец: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-04-11.

Film structure, electronic device, recording medium, and method for producing oxide conductive thin film

Номер патента: JP3472087B2. Автор: 隆男 野口,義彦 矢野. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US20160035895A1. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for producing pseudo-planar thin-film PFET devices and structure produced thereby

Номер патента: DE69211329T2. Автор: Carl Cederbaum,Myriam Combes,Roland Chanclou,Patrick Mone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-11-28.

Method for removing impurities in thin film and substrate processing apparatus

Номер патента: US11972946B2. Автор: Kyu Jin Choi,Gyu Ho Choi,Sang Hyuk HWANG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for making polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US5344796A. Автор: Jong Y. Shin,Suk B. Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-09-06.

METHOD FOR PRODUCING CHARGE TRANSPORTING THIN FILM

Номер патента: US20220278281A1. Автор: YOSHIMOTO Takuji,OSHIMA Juro. Владелец: NISSAN CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor

Номер патента: US5665640A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman,Rene E. LeBlanc. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Method for producing a copper thin film

Номер патента: EP1662020B1. Автор: Minoru Otani,Jun Hisada,Toyoki Mawatari. Владелец: MEC Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-14.

Method for producing gallium nitride thin film

Номер патента: KR20190131541A. Автор: 마사노리 시라이,사토루 타카사와,타쿠지 야마모토. Владелец: 울박, 인크. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of fabricating polycrystalline silicon-germanium thin film transistor

Номер патента: US5753541A. Автор: Kousaku Shimizu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

High dielectric constant thin film structure, method for forming high dielectric constant thin film, and apparatus for forming high dielectric constant thin film

Номер патента: US5882410A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tetsuro Makita,Tsuyoshi Horikawa,Akimasa Yuuki,Teruo Shibano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Method for manufacturing offset polysilicon thin-film transistor

Номер патента: US5543340A. Автор: Joo-hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-08-06.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20170104054A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20160254344A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20160254144A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20180096760A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Amorphous silicon thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US4916090A. Автор: Yoshihisa Ogiwara,Noboru Motai,Yasunari Kanda. Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1990-04-10.

CVD apparatus for forming high dielectric constant thin film and method for forming high dielectric constant thin film

Номер патента: KR19990081757A. Автор: 마사요시 다루따니,쯔요시 호리까와,다까아끼 가와하라,미끼오 야마무까. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-11-15.

ALUMINUM NITRIDE PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC MATERIAL, PIEZOELECTRIC COMPONENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE PIEZOELECTRIC THIN FILM

Номер патента: US20160372653A1. Автор: UMEDA Keiichi,HONDA ATSUSHI,Nishikubo Keiko,AKIYAMA Morito,Nagase Toshimi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

an etchant for a wiring, a method for manufacturing the wiring, a thin film transistor array panel including the wiring, and a method for manufacturing the same including the method

Номер патента: KR100853216B1. Автор: 박홍식,강성철,조홍제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-08-20.

Improved process for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: AU7366298A. Автор: Douglas M. Smith,Kevin H. Roderick,Stephen Wallace,Theresa Ramos. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Improved process for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: WO1998049721A1. Автор: Douglas M. Smith,Kevin H. Roderick,Stephen Wallace,Theresa Ramos. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1998-11-05.

Process for producing a semiconductor thin film

Номер патента: DE69738608T2. Автор: Bernard Aspar,Michel Bruel,Thierry Poumeyrol. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-04-30.

Process for producing of a thin film transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP0139585B1. Автор: Bernard Diem,Andre Chenevas-Paule. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1987-06-24.

A method for crystallizing silicon and a thin film transistor manufactured by the crystallizing method and a method for manufacturing the same

Номер патента: KR100659581B1. Автор: 이성재,백인복,양종헌,안창근,임기주,조원주. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-12-20.

Process for producing oxide superconductive thin-film

Номер патента: AU2003235235B2. Автор: Kazuya Ohmatsu,Shuji Hahakura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Process for producing oxide superconductive thin-film

Номер патента: EP1516854A4. Автор: Kazuya Ohmatsu,Shuji Hahakura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-07-11.

Manufacturing Apparatus and Method for Large-Scale Production of Thin-Film Solar Cells

Номер патента: US20140102891A1. Автор: Hollars Dennis R.. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR MANUFACTURING NIOBATE-SYSTEM FERROELECTRIC THIN-FILM DEVICE

Номер патента: US20180026176A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,SHIBATA Kenji,SUENAGA Kazufumi,WATANABE Kazutoshi,Noguchi Masaki,KUROIWA Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Method for adjusting resistance value of thin film resistance layer in semiconductor structure

Номер патента: US20220148770A1. Автор: Wei-Chun Chang,Chin-Chun Huang,Wen Yi Tan,Yunfei Fu,You-Di Jhang. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

METHOD FOR FORMING ADHEREND WITH OPTICAL THIN FILM

Номер патента: US20200095670A1. Автор: KOYANAGI Tasuku. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

METHOD FOR PREPARING TITANIUM-ALUMINUM ALLOY THIN FILM

Номер патента: US20170104081A1. Автор: Zhao Chao,Xiang Jinjuan,DING Yuqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

METHOD FOR MANUFACTURING NIOBATE-SYSTEM FERROELECTRIC THIN-FILM DEVICE

Номер патента: US20190115525A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,SHIBATA Kenji,SUENAGA Kazufumi,WATANABE Kazutoshi,Noguchi Masaki,KUROIWA Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Method for forming nitrogen containing oxide thin film by plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: KR100460841B1. Автор: 윤선진,임정욱. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for depositing a tungsten silicide thin film on a semiconductor substrate using dichlorosilane and tungsten hexafluoride

Номер патента: KR950012636A. Автор: 창 메이,텔포드 수잔,추 쳉 멩. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1995-05-16.

Method for Dry Etching of Copper Thin Films

Номер патента: KR101977132B1. Автор: 정지원,최재상. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-05-10.

METHOD FOR THE TRANSFER OF A THIN FILM COMPRISING A STEP OF CREATING INCLUSIONS

Номер патента: FR2773261B1. Автор: Christophe Maleville,Bernard Aspar,Hubert Moriceau,Michel Bruel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2000-01-28.

METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE THIN-FILM FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND TRANSISTOR OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR2566186A1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Boulitrop. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-12-20.

METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND TRANSISTOR OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR2566583A1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Boulitrop,Rolande Kasprzak. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-12-27.

Laser sputtering apparatus and a method for the production of dielectric thin films using the same

Номер патента: KR930004070B1. Автор: 유끼오 니시가와,요시가즈 요시다,구니오 다나카,유스께 타까다. Владелец: 마쓰시다 덴끼 가부시기가이샤. Дата публикации: 1993-05-20.

Method for manufacturing niobate-based ferroelectric thin film element

Номер патента: JP6715780B2. Автор: 和俊 渡辺,憲治 柴田,健次 黒岩,文正 堀切,和史 末永,柴田　憲治,渡辺　和俊,末永　和史,将希 野口. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Method for fabricating hydrogenated silicon oxycarbide thin film

Номер патента: US7074461B2. Автор: Young Suk Lee. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-11.

Etchant composition and method for forming metal wire and thin film transistor substrate using same

Номер патента: CN105579618A. Автор: 金奎佈,徐源国,申贤哲,李骐范,曹三永,韩胜然,金仁培,朴弘植,文英慜,郑锺铉. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Low Temperature methods for forming patterned electrically conductive thin films and patterned articles therefrom

Номер патента: KR101114783B1. Автор: 엔드류 가브리엘 린즐러,쭈앙춘 우. Владелец: 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크.. Дата публикации: 2012-02-27.

Method for forming a crystalline semiconductor thin film on a substrate

Номер патента: JP3997731B2. Автор: 英一 圷,敬司 清水,茂実 大津,和敏 谷田. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

Low temperature methods for forming patterned electrically conductive thin films and patterned articles therefrom

Номер патента: US7572743B2. Автор: Andrew Gabriel Rinzler,Zhuangchun Wu. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2009-08-11.

Polymide resin, method for manufacturing the same and thin film thereof

Номер патента: CN106336511A. Автор: 黄堂杰,郑思齐. Владелец: Microcosm Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Methods for forming atomic layers and thin films including tantalum nitride and devices including the same

Номер патента: US7098131B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Kyung-In Choi,Sang-Bom Kang,Seong-Geon Park,You-Kyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-29.

Method for selective growth of a thin film on a patterned wafer

Номер патента: EP0476684A2. Автор: Toru Tatsumi,Junro Sakai,Ken-Ichi Aketagawa. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 1992-03-25.

Method for improving Photoluminescene of ZnO thin films by a low energy ion beam surface treatment

Номер патента: KR100566917B1. Автор: 노영수,최원국,정연식,박종용. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2006-04-03.

Method for manufacturing crystalline gallium nitride thin film

Номер патента: WO2021241281A1. Автор: 文一 水谷,伸尚 高橋,慎太郎 東. Владелец: 株式会社高純度化学研究所. Дата публикации: 2021-12-02.

Etchant composition and method for manufacturing metal pattern and thin film transistor substrate

Номер патента: CN114763612A. Автор: 金奎佈,申贤哲,金相佑,金俸均,金镇奭,沈承辅,权昶佑,安一培,张硕浚,朴芝焄,李龙洙,全亮镒. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-19.

Method For Forming Two Dimensional Semiconductor Thin Films

Номер патента: KR102409003B1. Автор: 최정훈,안지훈. Владелец: 한양대학교 에리카산학협력단. Дата публикации: 2022-06-14.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20090297696A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for resistance memory metal oxide thin film deposition

Номер патента: US20030148546A1. Автор: Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang,Jong-Jan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Low temperature methods for forming patterned electrically conductive thin films and patterned articles therefrom

Номер патента: WO2007035838A3. Автор: Andrew Gabriel Rinzler,Zhuangchun Wu. Владелец: Zhuangchun Wu. Дата публикации: 2007-06-21.

A method for growing transition metal nitride thin films

Номер патента: FI117944B. Автор: Pekka Soininen,Kai-Erik Elers,Ville Saanila,Sari Kaipio,Suvi Paeivikki Haukka. Владелец: Asm Int. Дата публикации: 2007-04-30.

Method for treating surface of diamond thin film

Номер патента: EP2843080B1. Автор: Hiroshi Kawarada,Yukihiro Shintani,Toshiyuki Saruya. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for producing self-sustained thin films

Номер патента: RU2767034C2. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2022-03-16.

Method for producing amorphous oxide thin film and thin film transistor

Номер патента: US09543143B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masayuki Suzuki,Tatsuya Shimoda,Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Poly-silicon thin film and method for fabricating the same, and thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096926A1. Автор: Jun Liu,Tongshang Su. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US09685603B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming low temperature polysilicon thin film

Номер патента: US09633844B2. Автор: Chunping Long,Xueyan TIAN,Jiangfeng YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Device and method for improving interface adhesion in thin film structures

Номер патента: US20070212795A1. Автор: Michael Gaidis,Keith Milkove. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Organic semiconductor thin film, transistor, method for producing organic semiconductor thin film, method for producing transistor, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240090243A1. Автор: Hao Wu,Jun-Ichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for producing a CdTe thin-film solar cell

Номер патента: US11121282B2. Автор: MICHAEL HARR,SHOU PENG,Sven Frauenstein,Christian Drost. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

METHOD FOR PRODUCING A CdTe THIN-FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20210210650A1. Автор: MICHAEL HARR,SHOU PENG,Sven Frauenstein,Christian Drost. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for crystallizing silicon film and thin film transistor and fabricating method using the same

Номер патента: US6710411B2. Автор: Dae-Gyu Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-23.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin-film device

Номер патента: US10181407B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kenji Kuroiwa,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for activating absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: EP4369423A1. Автор: SHOU PENG,Xinjian Yin,Ganhua FU,Christian Drost,Liyun MA. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for transferring at least one thin film

Номер патента: US10242915B2. Автор: Taro Yoshikawa,Volker Cimalla,Thomas Gerrer,Marina Preschle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for transferring at least one thin film

Номер патента: US20180240709A1. Автор: Taro Yoshikawa,Volker Cimalla,Thomas Gerrer,Marina Preschle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for manufacturing semiconductor structure with thin film transistor

Номер патента: US20240038893A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Thin-film capacitor built around conductive polymers

Номер патента: RU2318263C2. Автор: Прабхат КУМАР,Хеннинг ЮЛЕНХАТ. Владелец: Х.Ц. Штарк, Инк.. Дата публикации: 2008-02-27.

Method for producing oxide thin film

Номер патента: US20120125764A1. Автор: Hiroyuki Fukushima. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Organic thin-film transistor and method for producing same, organic thin-film transistor material, organic thin-film transistor composition, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: WO2017022761A1. Автор: 崇 後藤,博昭 津山,純一 竹谷,岡本　敏宏,英治 福▲崎▼,雅史 小柳,渡邉　哲也,宇佐美　由久. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2017-02-09.

System and method for detecting abnormality of thin-film deposition process

Номер патента: US11965237B2. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

METHOD FOR PREPARING SILVER NANOPARTICLES STABILIZED WITH TETRAOCTYLAMMONIUM, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM BY USING SILVER NANOPARTICLES PREPARED BY SAME

Номер патента: US20210230435A1. Автор: Kim Donghee,Cho Jinhan,SONG Yongkwon. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-29.

Titanium sputtering target, production method therefor, and method for producing titanium-containing thin film

Номер патента: SG11202002496PA. Автор: Shuhei Murata,Daiki Shono. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2020-04-29.

METHOD FOR PRODUCING 3D-STRUCTURED THIN FILMS

Номер патента: US20160006016A1. Автор: PORTHAULT Hélène,Franger Sylvain,LE CRAS Frederic. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHODS FOR PRODUCING NIO NANOPARTICLE THIN FILMS AND PATTERNING OF NI CONDUCTORS BY NIO REDUCTIVE SINTERING AND LASER ABLATION

Номер патента: US20150064057A1. Автор: Lee Daeho,Grigoropoulos Costas P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

A method for preparation of transparent conductive thin-film by Rapid Thermal Annealing Method and a transparent conductive thin-film prepared by the method

Номер патента: KR100348702B1. Автор: 오정현,김유진,오상수,이현곤,김준범. Владелец: 주식회사 루밴틱스. Дата публикации: 2002-08-13.

Preparation method for transparent conductive thin film and preparation method for cf substrate with conductive thin film

Номер патента: WO2015058422A1. Автор: 李冠政,王烨文. Владелец: 深圳市华星光电技术有限公司. Дата публикации: 2015-04-30.

A device provided with a metal oxide thin film, a method for depositing a metal oxide thin film, and a metal oxide thin film.

Номер патента: JP7091577B2. Автор: ヒトスギ、タロウ. Владелец: Plansee Se. Дата публикации: 2022-06-28.

FINE GRAINED, NON BANDED, REFRACTORY METAL SPUTTERING TARGETS WITH A UNIFORMLY RANDOM CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION, METHOD FOR MAKING SUCH FILM, AND THIN FILM BASED DEVICES AND PRODUCTS MADE THEREFROM

Номер патента: US20150034477A1. Автор: Kumar Prabhat,Miller Steven A.,Schmidt-Park Olaf,Wu Richard,Sun Shuwei,Zimmermann Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made there from

Номер патента: CA2686242A1. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Fine Grained, Non Banded, Refractory Metal Sputtering Targets with a Uniformly Random Crystallographic Orientation, Method for Making Such Film, and Thin Film Based Devices and Products Made Therefrom

Номер патента: US20080271779A1. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for manufacturing modified conductive polymer thin films, and modified conductive polymer thin films using the same

Номер патента: KR102398273B1. Автор: 김지현,이성호,이병훈,이승엽. Владелец: 이화여자대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-05-16.

Method for Image Capture of TFT Flat-Panel Image Sensor

Номер патента: US20180070039A1. Автор: YAN Ling,Hong Zhu. Владелец: Shanghai Oxi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for manufacturing transparent conducting oxide thin film by using the reducted indium indium-zinc-tin oxide target and thereof, method for fabricating the applied device

Номер патента: KR101378780B1. Автор: 최병현,최진훈,안용태,안용관,지미정. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2014-03-31.

ELECTROCHEMICAL CELL, AND METHOD FOR GENERATING AN ELECTRICAL CONTACT TO A FILM ELECTRODE

Номер патента: DE3719340A1. Автор: Fred Joseph Berkowitz,James Hoo Him,Terrence Francis Reise,John Dixon Sillesky. Владелец: Duracell International Inc. Дата публикации: 1987-12-17.

METHOD FOR THE WET DEPOSITION OF THIN FILMS

Номер патента: US20180001290A1. Автор: PAEZ Carlos,LIQUET Dimitri,CALBERG Cédric,HEINRICHS Benoît,ALIÉ Christelle. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD FOR MANUFACTURING ALL-SOLID-STATE THIN-FILM BATTERIES

Номер патента: US20140308576A1. Автор: Gaben Fabien,Vuillemin Bruno,BOUYER Frédéric. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Metal line, method for fabricating the metal line, thin film transistor employing the metal line and display device

Номер патента: KR100377440B1. Автор: 치카마요시마사,이즈미요시히로,가와시마사토시,하시모토타카하루. Владелец: 멜텍스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-03-26.

Method for the manufacture of a thin film electrochemical energy source and device

Номер патента: WO2008004161A2. Автор: Rogier A. H. Niessen,Petrus H. L. Notten,Freddy Roozeboom,Franciscus A. C. M. Schoofs. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2008-01-10.

Metal line, method for fabricating the metal line, thin film transistor employing the metal line and display device

Номер патента: US6770978B2. Автор: Yoshihiro Izumi,Satoshi Kawashima,Takaharu Hashimoto,Yoshimasa Chikama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-03.

A method for planarization patterning onto the thin film head

Номер патента: KR0147976B1. Автор: 노재우. Владелец: 대우전자주식회사. Дата публикации: 1998-10-15.

Method for fabricating l10 phase alloy thin film

Номер патента: TW200604361A. Автор: Po-Cheng Kuo,Ching-Ray Chang,An-Cheng Sun,Huei-Li Huang,Jen-Hwa Hsu,Sheng-Ji Chen,Chun Yuan Chou,chang-tai Li,Huang-Wei Jang. Владелец: Ching-Ray Chang. Дата публикации: 2006-02-01.

Method for producing a multilayer thin-film heterostructure with a given value of specific surface resistance

Номер патента: RU2750503C1. Автор: Игорь Валерианович Волохов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2021-06-29.

Method for producing thin film of oxide superconductor

Номер патента: US5108984A. Автор: Satoshi Takano,Kenichi Takahashi,Noriyuki Yoshida,Akira Mizoguchi,Noriki Hayashi,Kenji Miyazaki,Yoichi Yamaguchi,Jun Shioya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-04-28.

Method for producing piezoelectric composite substrate and method for producing piezoelectric element

Номер патента: US20110220275A1. Автор: Hajime Kando,Norihiro Hayakawa,Ippei HATSUDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for producing a thin film cell arrangement

Номер патента: US09865755B2. Автор: Birger Zimmermann,Hans-Frieder Schleiermacher,Sebastian Schiefer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic thin film and method for manufacturing organic thin film, organic electroluminescence element, display device, illumination device, organic thin film solar cell, thin film transistor, and coating composition

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Syun GOHDA,Hirohiko Fukagawa. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for manufacturing CZTS based thin film having dual band gap slope, method for manufacturing CZTS based solar cell having dual band gap slope and CZTS based solar cell thereof

Номер патента: US09780246B2. Автор: Sang Hyun Park,Young Joo Eo,Ara Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Jae Ho Yun,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Jun Sik Cho,Joo Hyung Park,Jin Su You. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Organic thin-film solar cell and production method for the same

Номер патента: US20130092238A1. Автор: Shinya Tahara,Yuriko Kaida,Yuichiro Ogata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM, AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM PRODUCED BY SAID METHOD

Номер патента: US20150228371A1. Автор: Saito Takeshi,KIM Yeji,CHIKAMATSU Masayuki,AZUMI Reiko,Minami Nobutsugu. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHMOLOGY. Дата публикации: 2015-08-13.

Substrate for thin-film photoelectric conversion device, thin-film photoelectric conversion including the same, and method for producing substrate for thin-film photoelectric conversion device

Номер патента: KR101618895B1. Автор: 도시아키 사사키,다카시 기쿠치. Владелец: 카네카 코포레이션. Дата публикации: 2016-05-09.

Method for producing modules of thin film photovoltaic cells in a roll to roll process and apparatus configured for using such a method

Номер патента: EP3682487B1. Автор: Johan Bosman. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-10-27.

Method for producing solar cell thin film

Номер патента: JP3089407B2. Автор: 宏之 大柳,栄 仁木,昭政 山田,フォンス ポール. Владелец: 工業技術院長. Дата публикации: 2000-09-18.

Method for producing a photovoltaic thin film module

Номер патента: SK12902002A3. Автор: Albert Plessing. Владелец: ISOVOLTA �sterreichische Isolierstoffwerke Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2003-05-02.

Crystalline silicon thin film semiconductor device, crystalline silicon thin film photovoltaic device, and process for producing crystalline silicon thin film semiconductor device

Номер патента: US6815788B2. Автор: Shinichi Muramatsu,Yasushi Minagawa,Fumihito Oka. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-11-09.

Method for producing a photovoltaic thin film module

Номер патента: IL151410A0. Автор: . Владелец: Isovolta Osterreichishe Isolie. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of making series-connected, thin-film solar module formed of crystalline silicon

Номер патента: US4879251A. Автор: Wolfgang Kruehler,Peter Milla. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-11-07.

Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film, thin film transistor having microcrystalline semiconductor film, and photoelectric conversion device having microcrystalline semiconductor film

Номер патента: KR101534099B1. Автор: 히데카주 미야이리,야스히로 진보,코지 다이리키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2015-07-06.

method for depositing silicon-series nanoparticle thin film, silicon-series nanoparticle thin film, and apparatus for depositing silicon-series nanoparticle thin film

Номер патента: KR101199221B1. Автор: 박상현,송진수,조준식,이정철,김성범,구혜영. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-11-07.

Method for manufacturing transmission type integrated thin film solar cell and method for electrically connecting unit cells of transmission type integrated thin film solar cell in series

Номер патента: JP4592676B2. Автор: ケンス リム,ソンウォン クォン,ジュンファン クァク,サンイル パク,ジファン ヤン,サンファン キム,ユジン リ,ジンクグ シン. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-12-01.

METHOD FOR THE ACTIVATION OF CdTe THIN FILMS FOR THE APPLICATION IN CdTe/CdS TYPE THIN FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20120190151A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: ARENDI SpA. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin film stacks for group v doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: US20200035844A1. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Thin film stacks for group v doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: US20220285569A1. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Thin film stacks for group V doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: AU2018224308B2. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Thin film stacks for group V doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: US11342471B2. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Thin film stacks for group v doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: WO2018157106A1. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Rober MALIK. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for manufacturing interconnects in a thin film photovoltaic module and thin film photovoltaic module

Номер патента: EP2442361A3. Автор: Wilhelm Stein. Владелец: Wilhelm Stein. Дата публикации: 2017-05-03.

Method for manufacturing heterojunction with intrisic thin film solar cell using nano-ink and heterojunction with intrisic thin film solar cell manufactured by the same

Номер патента: KR101508348B1. Автор: 송진수,이정철,송희은,이재희,김성범. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2015-04-08.

Method for manufacturing absorber layer of thin film solar cell and film solar cell manufactured therefrom

Номер патента: KR101404803B1. Автор: 김대환,강진규,박미선,이동하,성시준,조효정. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2014-06-13.

Preparation Method for Sn-Based Perovskite Dye Thin Film and Energy Harvesting Device Comprising the Thin Film

Номер патента: KR102126929B1. Автор: 윤순길,이필립 스와티. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2020-06-25.

Process for producing a photovoltaic thin film module

Номер патента: KR20030028731A. Автор: 알버트 플레싱. Владелец: 이조볼타외스터라이히세이졸리어스토프베르케아크티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2003-04-10.

Device for producing a photovoltaic thin-film module

Номер патента: CN102422420A. Автор: 赫尔曼·瓦格纳. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-04-18.

Process for producing a photovoltaic thin film module

Номер патента: NO20024280L. Автор: Albert Plessing. Владелец: Isovolta. Дата публикации: 2002-10-06.

Process for producing CIS-type thin film solar battery module

Номер патента: CN101278407B. Автор: 栉屋胜巳. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2010-11-17.

Substrate for electronic device and method for manufacturing the same and thin film solar cell including the same

Номер патента: KR101630932B1. Автор: 박영준,김종상,김경보,이재륭,김무진. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2016-06-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PHOTOELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTION-METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM

Номер патента: US20200176620A1. Автор: KIM Ki Hyun,KIM Ki Seok,Park Jin Woo,BYUN Ji Young,YEOM Geun Young,KIM Doo San,JI You Jin. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for the serial connection of thin-film solar cells

Номер патента: DE102009041905B4. Автор: Steffen Ragnow,Andreas Rahm,Christian Scheit,Dr. Otte Karsten,Dr. Braun Alexander. Владелец: Solarion AG Photovotaik. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: US8288195B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: US20100267186A1. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Making method for transparency conductive oxide of thin film solar cell

Номер патента: KR101128009B1. Автор: 손영호,최승훈,정명효. Владелец: (주)유시스텍. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for manufacturing SnS2/SnS heterojunction thin-film solar cell at a time

Номер патента: CN104167469A. Автор: 陈俊峰,刘明海,王圣明,王士才. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-11-26.

Method for manufacturing absorber layer of thin film solar cell

Номер патента: KR101172050B1. Автор: 김대환,강진규,박미선,이동하,성시준,조효정. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for preparing zinc sulfide photoelectric thin film from zinc nitrate

Номер патента: CN105489703A. Автор: 李静,石磊,徐勇,刘科高,许超. Владелец: Shandong Jianzhu University. Дата публикации: 2016-04-13.

Method for Manufacturing Absorber Layer of Thin Film Solar Cell

Номер патента: KR101229310B1. Автор: 김대환,강진규,박미선,이동하,성시준,조효정. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2013-02-04.

Optical inspection method for display cell having flexible thin-film structure, and virtual terminal unit

Номер патента: CN105321835A. Автор: 徐创矢,村上奈穗,小盐智,中西多公岁. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-10.

Method for manufacturing colloidal quantum dot thin film and quantum dot solar cells

Номер патента: KR101451931B1. Автор: 윤석현,김현재,오상훈,허승진. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-10-23.

Preparation method for transparent and conductive FZO thin film with high haze

Номер патента: CN104576775A. Автор: 张翔宇,朱丽萍. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2015-04-29.

A conductive composition and method for making conductive features on thin film PV cells

Номер патента: TW201217492A. Автор: Chun Christine Dong. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for etching a see-through thin film solar module

Номер патента: AU2010202844A1. Автор: PENG Guo,Yongqian Wang,Qi Qiao,Xianzhong Song. Владелец: Suntech Power Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for producing thin film

Номер патента: US20020187649A1. Автор: Takayuki Abe,Naoki Nakamura,Naomi Fukumaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Ruthenium compound, raw material for forming thin film, and method for producing thin film

Номер патента: US11760771B2. Автор: Masaki Enzu,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Aluminum compound, thin-film forming raw material, and method for producing thin film

Номер патента: US09663538B2. Автор: Atsushi Sakurai,Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Hiroyuki Uchiuzou,Tsubasa Shiratori. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for forming heteroepitaxial film

Номер патента: EP4414483A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Junya Ishizaki,Toshiki Matsubara,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for surface treatment

Номер патента: US9023741B2. Автор: Xianghua Wang,Ze Liu,Xianfeng Xiong,Longzhen QIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Method for producing a microsystem having a thin film made of lead zirconate titanate

Номер патента: US09601649B2. Автор: Wolfram Wersing,Carsten Giebeler,Matthias Schreiter,Thorsten Steinkopff. Владелец: Pyreos Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Array substrate, method for producing the same and display apparatus

Номер патента: US20160233255A1. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Array substrate, method for producing the same and display apparatus

Номер патента: US09793304B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09493872B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Process for producing thin nitride film on sapphire substrate and thin nitride film producing apparatus

Номер патента: US20090065786A1. Автор: Masatomo Sumiya,Shunro Fuke. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods for producing a thin film ferroelectric device using a two-step temperature process

Номер патента: EP3192099A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-07-19.

Cleaning liquid composition, method for cleaning semiconductor element, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09587208B2. Автор: Kenji Shimada,Masaru Ohto,Hiroshi Yoshida,Kojiro Abe. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods for producing a thin film ferroelectric device using a two-step temperature process on an organic polymeric ferroelectric precursor material stacked between two conductive materials

Номер патента: US09543322B2. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of large area thin film anode supported planar sofc

Номер патента: US20220209251A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Bok Lee,Amjad Hussain,Rak Hyun SONG,Tak Hyoung Lim,Jong Eun HONG,Dong Woo JOH,Beom Su KWON. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2022-06-30.

METHOD FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTE THIN FILMS FOR LITHIUM ION BATTERIES

Номер патента: FR2982083B1. Автор: Fabien Gaben. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-27.

METHOD FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTE THIN FILMS FOR LITHIUM ION BATTERIES

Номер патента: FR2982083A1. Автор: Fabien Gaben. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-03.

Lithium metal thin film composite and preparation method thereof

Номер патента: EP4350806A1. Автор: Seunghyeon JO,Kyu Tae Lee,Jeongeun Oh,Bomee KWON. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for high volume manufacturing of thin film batteries

Номер патента: TW200935640A. Автор: Nety Krishna,William J Dauksher,Byung Sung Kwak,Kurt Eisenbeiser,Jon Candelaria. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Method for high volume manufacturing of thin film batteries

Номер патента: CN105789654A. Автор: 尼蒂·克里希纳,郭秉圣,库尔特·艾森拜瑟,威廉·J·多克希尔,乔·康德雷莉亚. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083A1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Process for producing titanium oxide thin film, and photocatalyst

Номер патента: US6066359A. Автор: Koji Sato,Hisayoshi Toratani,Takeshi Yao. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Method and apparatus for producing thin films on a substrate via a pulsed- electron deposition process

Номер патента: WO2010058281A1. Автор: Claudio Ferrari,Massimo Mazzer,Francesco Bissoli,Stefano Rampino,Edmondo Gilioli,Francesco Pattini. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for producing high-entropy alloy superconductor bulk materials and wire materials, bulk high-entropy alloy superconductor produced using the method, and method for producing thin-film high-entropy alloy superconductor using the same

Номер патента: US20230178269A1. Автор: Jin Hee Kim,Woo Seok Choi,Jong-soo RHYEE,Soon-gil Jung,Tuson PARK,Yoonseok HAN,Won nam Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for producing thin magnetic nanogranular films

Номер патента: RU2661160C1. Автор: Михаил Николаевич Волочаев,Игорь Анатольевич Тамбасов,Виктор Григорьевич Мягков,Виктор Степанович Жигалов,Людмила Евгеньевна Быкова,Алексей Александрович Мацынин,Николай Петрович Шестаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2018-07-12.

Method for manufacturing solid polymer electrolyte/electrode composites, battery produced using the method and method for producing the same

Номер патента: US20010010252A1. Автор: Motoyuki Hirata,Junji Yotsuyanagi,Toshikazu Moriguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Method for production of diamond-like thin films

Номер патента: RU2668246C2. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Владимир Иванович Ярцев,Борис Федорович Демьянов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2018-09-27.

Cellulose-fiber dispersion polyethylene resin composite material, formed body and pellet using same, production method therefor, and recycling method for cellulose-fiber adhesion polyethylene thin film piece

Номер патента: US20210139664A1. Автор: Toshihiro Suzuki,Hidekazu Hara,Jirou HIROISHI,Yuka SAWADA,Masami TAZUKE,Shingo Mitsugi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for producing an organic thin film transistor and an organic thin film transistor produced by the method

Номер патента: US8372686B2. Автор: Jun Yamada,Naoki Masazumi,Yuya Hirao. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for forming perovskite type oxide thin film, piezoelectric element, liquid discharge head, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20070090730A1. Автор: Kenichi Takeda,Tetsuro Fukui,Takanori Matsuda,Hiroshi Funakubo,Shintaro Yokoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for producing piezoelectric thin-film resonator

Номер патента: US8726475B2. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20060097823A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20090000091A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

N-type organic semiconductor material, organic semiconductor film-forming composition, organic semiconductor film and method for producing same, organic thin-film transistor and method for producing same, and compound production method

Номер патента: WO2019176634A1. Автор: 家　裕隆,安蘇　芳雄,太一 森山,俊 工藤. Владелец: 石原産業株式会社. Дата публикации: 2019-09-19.

Mgf2 optical thin film including amorphous silicon oxide binder, optical element provided with the same, and method for producing mgf2 optical thin film

Номер патента: EP2990839A1. Автор: Hitoshi Ishizawa,Tsuyoshi Murata,Shunsuke Niisaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Methods for producing thin film charge selective transport layers

Номер патента: US09859515B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott Ryan HAMMOND,Dana C. Olson. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming a continuous oxide superconductor layer having different thickness portions for superconductor device

Номер патента: CA2027067C. Автор: Saburo Tanaka,Hideo Itozaki,Shuji Yazu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-07-23.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP2853250B2. Автор: 謙一 佐藤,悟 高野,典之 葭田,繁 奥田,憲器 林. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-02-03.

Method for producing MgF2 optical thin film having amorphous silicon oxide binder

Номер патента: JP4858170B2. Автор: 剛 村田,均 石沢,俊輔 新坂. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-18.

(Amidoaminoalkane) metal compound and method for producing metal-containing thin film using the metal compound

Номер патента: JPWO2012060428A1. Автор: 整 藤村,昌志 白井,藤村　整,央 二瓶,宏樹 金戸,白井　昌志. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-05-12.

Method and apparatus for producing biaxially oriented thin films

Номер патента: US7829156B2. Автор: Lutz Kirchhoff,Alexander Usoskin. Владелец: BRUKER HTS GMBH. Дата публикации: 2010-11-09.

Process for producing structured oxide thin films via precursors of organically crosslinked or organically crosslinkable organometallic compounds, and also these precursors themselves

Номер патента: DE102010021466A1. Автор: Dr. Houbertz-Krauß Ruth,Daniela Trötschel. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A1. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Method for producing thin-film solar cells

Номер патента: EP3039727A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,SHOU PENG,KRISHNAKUMAR VELAPPAN,Bettina Späth,Christian Drost. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Method for producing thin-film solar cells

Номер патента: US09960307B2. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,SHOU PENG,KRISHNAKUMAR VELAPPAN,Bettina Späth,Christian Drost. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for producing thin-film light-absorbing layer and method for manufacturing thin-film solar cell including the same

Номер патента: US20130048074A1. Автор: So Hye CHO,Jong Ku Park,Hyung Ho Park,Kyunghoon Kim,Bong Geun SONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for producing a thin-film stack that can be disbonded from its substrate

Номер патента: US20170170359A1. Автор: Brendan Dunne,Stephanie Angle. Владелец: Nexcis SAS. Дата публикации: 2017-06-15.

Thin film electrode ceramic substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130032383A1. Автор: Yun Hwi Park,Won Hee Yoo,Byeung Gyu Chang,Taek Jung Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Method for producing polycrystalline silicon thin film and method for producing thin film transistor using this method

Номер патента: JP4864596B2. Автор: 世 鎭 鄭,東 範 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09490397B2. Автор: Michael Zitzlsperger,Stephan Preuβ,Caroline Kistner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Oxide thin film, method for post-treating oxide thin film and electronic apparatus

Номер патента: US09484419B2. Автор: Heesoo Lee,Hyun Jae Kim,Doo Hyun YOON,Young Jun TAK,Sung Pyo PARK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US10186616B2. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Thin film transitor and method for manufacturing the same, thin film transistor assembly, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20170194482A1. Автор: Peng Li,Zhi Hou,ZHONG FENG,Zuhong Liu,Daeoh Oh,Qinggao ZHOU,Panpan MENG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Vertical channel thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213372A1. Автор: Seong-Mok CHO,Ji Hun Choi,Yong Hae Kim,Chi-Sun Hwang,Jae-Eun PI,Jong-Heon Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-27.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Formation of SiOCN thin films

Номер патента: US09786492B2. Автор: Toshiya Suzuki,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-10.

Formation of SiOCN thin films

Номер патента: US09786491B2. Автор: Toshiya Suzuki,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-10.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US09627414B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for producing electronic device, thin-film transistor, electrooptical device and sensor

Номер патента: TW201231695A. Автор: Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Method for formation of an ultra-thin film and semiconductor device containing such a film

Номер патента: US20050170531A1. Автор: Bum-Ki Moon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-04.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09425216B2. Автор: Sul Lee,Hun Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures

Номер патента: CA2382662C. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2010-10-26.

Fabrication of flexible thin film gaas-based group iii-v solar cell on si substrate

Номер патента: WO2022139729A1. Автор: Mustafa KULAKCI,Ugur SERINCAN. Владелец: Eskisehir Teknik Universitesi. Дата публикации: 2022-06-30.

METHOD FOR PRODUCING CIS-BASED THIN FILM, CIS-BASED THIN FILM PRODUCED BY THE METHOD AND THIN-FILM SOLAR CELL INCLUDING THE THIN FILM

Номер патента: US20140020736A1. Автор: Lee Doh-Kwon,KO Min Jae,KIM Hong Gon,Kim Jin Young,KIM Bong Soo,JEONG Da Woon. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-01-23.

Method for producing metal thin film

Номер патента: US20120103222A1. Автор: Toshiki Shimamura,Masanobu Tanaka,Takahiro Kamei,Hirotsugu Ishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for producing oxide semiconductor thin film, and oxide semiconductor from the said method, thin film transistor and device with thin film transistor produced

Номер патента: TW201216374A. Автор: Masahiro Takata,Takeshi Hama,Fumihiko Mochizuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-04-16.

Method for fabricating conducting structure and thin film transistor array panel

Номер патента: US09806179B2. Автор: Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Po-Li Shih,Wei-Chih Chang,I-Wei Wu,Chang-Chun Wan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by this method

Номер патента: JP5305476B2. Автор: 俊英 鎌田,聖 植村. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-10-02.

Heterostructure laminated thin film, method for producing heterostructure laminated thin film and semiconductor device comprising heterostructure laminated thin film

Номер патента: KR102239885B1. Автор: 이관형,강소정. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-04-12.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US20160282284A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

INK FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM, COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM PRODUCED USING THE INK, SOLAR CELL HAVING COMPOUND SEMICONDUCTOR THE THIN FILM, AND PROCESS FOR PRODUCING SOLAR CELL

Номер патента: US20130153033A1. Автор: Yamada Akira,Zhang Yiwen. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20140103341A1. Автор: TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki,Shimoda Tatsuya,UMEDA Kenichi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SOLAR CELL INCLUDING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20150075614A1. Автор: Wada Takahiro,Yamada Akira,Zhang Yiwen. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Method for producing amorphous oxide thin film and thin film transistor

Номер патента: KR101604625B1. Автор: 아츠시 다나카,마사유키 스즈키,다츠야 시모다,겐이치 우메다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-03-18.

Monitoring and measurement of thin film layers

Номер патента: US8796048B1. Автор: Lance Scudder,Pushkar Ranade,Charles Stager,Scott E. Thompson. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Polycrystalline silicon thin film and method thereof, optical film, and thin film transistor

Номер патента: WO2017028543A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-02-23.

METHOD FOR PRODUCING MODULES OF THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELLS IN A ROLL-TO-ROLL PROCESS AND APPARATUS CONFIGURED FOR USING SUCH A METHOD

Номер патента: US20200266317A1. Автор: Bosman Johan. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-08-20.

Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon

Номер патента: US20090189164A1. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-30.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047584A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Sung Kyu Park,Seong Pil JEON,Bo Yeon PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-02-08.

METHODS FOR PRODUCING CHALCOPYRITE COMPOUND THIN FILMS FOR SOLAR CELLS USING MULTI-STAGE PASTE COATING

Номер патента: US20140070347A1. Автор: MIN Byoung Koun,AN Hee Sang,HWANG Yun Jeong. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for producing a semiconductor thin film by a separation step and solar cell production method

Номер патента: EP1061566A2. Автор: Yonehara Takao,Sakaguchi Kiyofumi,Iwasaki Yukiko,Ukiyo Noritaka,NISHIDA Shoji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Semiconductor device, polycrystalline semiconductor thin film, process for producing polycrystalline semiconductor thin film, field effect transistor, and process for producing field effect transistor

Номер патента: US8158974B2. Автор: Koki Yano,Kazuyoshi Inoue. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-17.

Method for fabricating multi-layer polymer thin florelectro-optical device

Номер патента: US5763289A. Автор: Tae-Hyoung Zyung,Jang-Joo Kim,Wol-Yon Hwang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1998-06-09.

Method for manufacturing cdte based thin film solar cell with graded refractive index profile within the cdte-based absorber layer and cdte based thin film solar cell with graded refractive index profile

Номер патента: WO2023236106A1. Автор: SHOU PENG,Marko Swoboda,Xinjian Yin,Ganhua FU,Liyun MA,Robert Arndt. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Wire structure, method for fabricating wire, thin film transistor substrate, and method for fabricating the thin film transistor substrate

Номер патента: US20110169060A1. Автор: Do-Hyun Kim,Je-Hun Lee,Eun-Guk Lee,Chang-Oh Jeong. Владелец: Chang-Oh Jeong. Дата публикации: 2011-07-14.

Wire structure, method for fabricating wire, thin film transistor substrate, and method for fabricating the thin film transistor substrate

Номер патента: US8507956B2. Автор: Do-Hyun Kim,Je-Hun Lee,Eun-Guk Lee,Chang-Oh Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-13.

METHOD FOR PRODUCING A CdTe THIN-FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20210210650A1. Автор: PENG Shou,HARR Michael,DROST CHRISTIAN,FRAUENSTEIN SVEN. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Method for producing polycrystalline semiconductor thin film

Номер патента: JP3642546B2. Автор: 幸治 鈴木. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-27.

Method for producing a hydrocarbon thin film

Номер патента: KR102347279B1. Автор: 김동욱,이종훈,김의태. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2022-01-05.

The method for preparation of nickel oxide thin films and the method for crystallization of amorphous silicon thin film using the same and the method for manufacture of thin film transistor using the same

Номер патента: KR20070081218A. Автор: 이영국,김윤수,정택모,김창균,이선숙,안기석,황진하. Владелец: 황진하. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for producing insulated gate thin film semiconductor device

Номер патента: US6265745B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoto Kusumoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-24.

Method for producing high temperature thin film silicon layer on glass

Номер патента: US8129215B1. Автор: Ann B Campbell,Joel F Farber,Harry R Campbell,James P Campbell. Владелец: James P Campbell. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for producing hafnium silicate thin film by atomic layer adsorption deposition

Номер патента: JP3627106B2. Автор: 三紀子 安原,秀公 門倉. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for producing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: JP2012526379A. Автор: ウォン テ リ，,ハン シク チョ，,ヒュン ス キム，. Владелец: Nokord Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for producing tantalum oxide thin film by low temperature ozone plasma annealing

Номер патента: JP3202893B2. Автор: ソン・ヴァン・グエン,ダン・カール,デーヴィッド・マーク・ドブジンスキ,トゥエ・グエン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-27.

Method for producing an integrated thin-film circuit

Номер патента: DE2105411A1. Автор: Masashi Dipl.-Ing. Tokio; Yamazaki Junichiro Dipl.-Ing.; Kamo Takeshi Dipl.-Ing.; Akiba Shin; Kawasaki; Nakamura (Japan). P. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1971-12-23.

Defect Prevention Methods for Pixel-Array Substrates

Номер патента: US20230122521A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Formation of SiOCN thin films

Номер патента: US11996284B2. Автор: Toshiya Suzuki,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Thin film transistor and method for making the same

Номер патента: US10475936B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Ying-Cheng WANG,Xiao-Yang Xiao,Tian-Fu Zhang,Yu-Dan Zhao,Yu-Jia Huo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Thin film encapsulation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210336200A1. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Display device and method for repairing and detecting thin film transistor of display device

Номер патента: US20200168516A1. Автор: Meng Hsiu Ho. Владелец: AU Optronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor film, oxide microparticle dispersion, method for manufacturing semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: US20160190452A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Metal-oxide thin-film transistor and method for manufacturing same, x-ray detector, and display panel

Номер патента: US20240186379A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

POLY-SILICON THIN FILM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190096926A1. Автор: Liu Jun,SU Tongshang. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SEMICONDUCTOR FILM, OXIDE MICROPARTICLE DISPERSION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20160190452A1. Автор: ONO Masashi,TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

ZnO Semiconductor Film The Manufacturing Method for Electronic Device and The Thin Film Transistor Including The ZnO Semiconductor Film

Номер патента: KR100877153B1. Автор: 박상희,추혜용,이정익,황치선. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-01-09.

Method for manufacturing a signal line, thin film transistor panel, and method for manufacturing the thin film transistor panel

Номер патента: US7811868B2. Автор: Hong-Sick Park,Do-Hyun Kim,Je-Hun Lee,Eun-Guk Lee,Chang-Oh Jeong,Won-Suk Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-12.

Method for fabricating thin film transistor and method for fabricating display device having thin film transistor

Номер патента: KR101535821B1. Автор: 심종식,황순재. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2015-07-13.

Semiconductor film, oxide microparticle dispersion, method for manufacturing semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: WO2015045634A1. Автор: 田中　淳,雅司 小野,鈴木　真之. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2015-04-02.

Method for manufacturing semiconductor crystalline thin film and laser annealing system

Номер патента: US20210366710A1. Автор: Osamu Wakabayashi,Hiroshi Ikenoue,Kaname IMOKAWA,Ryoichi NOHDOMI. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2021-11-25.

Apparatus for manufacturing silicon oxide thin film and method for forming the silicon oxide thin film

Номер патента: US20100140756A1. Автор: Toshihide Kamata,Kenji Kozasa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for the production of a thin-film component, and thin-film component according to said method

Номер патента: WO2011072663A3. Автор: Andrés Fabián LASAGNI,Ines Dani. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2012-04-12.

Heat dissipation optimization method of silicon-based SU-8 thin film package

Номер патента: US20230420327A1. Автор: Zhonglin Xu,Junfa MAO,Linsheng Wu,Xianglin Zhong,Liangfeng Qiu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROCESSING A FILM, AND THIN FILMS

Номер патента: US20140045347A1. Автор: Im James S.. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2014-02-13.

METHOD FOR FORMING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20150091010A1. Автор: Wang Lei,Tian Xueyan,IM Jang Soon. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

THIN FILM SOLAR MODULE HAVING SERIES CONNECTION AND METHOD FOR THE SERIES CONNECTION OF THIN FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20140246070A1. Автор: Karg Franz. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

Method for fabricating metal line and thin film transistor plate using the same, and thin film transistor plate fabricated by the same

Номер патента: KR20060128520A. Автор: 정창오,이제훈,배양호,조범석,닝홍롱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-14.

Preparation method for wet etching type oxide thin film transistor and prepared thin film transistor

Номер патента: CN105321827A. Автор: 肖鹏,彭俊彪,兰林锋. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-02-10.

Method for fabrication poly crystalizing silicon thin film and thin film transistor using the same

Номер патента: KR101254744B1. Автор: 김운중,조덕용,성경훈. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-04-15.

METHOD FOR FORMING HEXAGONAL BORON NITRIDE THIN FILM, METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SWITCHING ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20200144390A1. Автор: PARK Jaehyun,SIM Yumin,KIM Jaikyeong. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing hexagonal boron nitride thin film, method for manufacturing multi-layered structure and method for manufacturing switching element using the same

Номер патента: KR102072580B1. Автор: 박재현,김재경,심유민. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2020-02-03.

Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100796795B1. Автор: 전상진,김장수,공향식,박민욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-22.

PROCESS FOR PRODUCING A STACKED THIN FILM TRANSFER STRUCTURE

Номер патента: FR2856841A1. Автор: Hubert Moriceau,Sorin Cristoloveanu,Frederic Allibert. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2004-12-31.

Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100796756B1. Автор: 김상갑,김보성,홍문표,정관욱,홍완식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-22.

METHOD FOR TREATING SURFACE OF DIAMOND THIN FILM, METHOD FOR FORMING TRANSISTOR, AND SENSOR DEVICE

Номер патента: US20150054000A1. Автор: Kawarada Hiroshi,Saruya Toshiyuki,Shintani Yukihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING A SIZE OF A CRYSTAL GRAIN, AND METHOD FOR FABRICATING A POLY-SILICON THIN FILM

Номер патента: US20190086203A1. Автор: Li Fei,Zhang Yu,Yang Xiaodong,ZHOU Cheng,Yuan Zhilong,LV Zubin,Zhang Chunpeng,Hu Yan,Yuan Hongguang,Huang Chengshih,Su Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Method for manufacturing polycrystalline silicon layer, thin film transistor formed using same, method for manufacturing thereof and organic light emitting display device comprising same

Номер патента: KR100875432B1. Автор: 서진욱,양태훈,이기용,박병건,이길원. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2008-12-22.

Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same

Номер патента: TW451447B. Автор: Sang-Gab Kim,Mun-Pyo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-21.

Wire and method for fabricating interconnection line and thin film transistor substrate and method for fabricating the same

Номер патента: KR101168729B1. Автор: 정창오,이제훈,배양호,조범석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for manufacturing polycrystalline silicon layer, thin film transistor, organic light emitting display device having same and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101049802B1. Автор: 이동현,서진욱,정윤모,최보경,양태훈,이기용,박병건,이길원,박종력,소병수. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-07-15.

Wiring line assembly and method for manufacturing the same, and thin film transistor array substrate having the wiring line assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050145844A1. Автор: Chang-Oh Jeong,Jae-Gab Lee,Bong-Joo Kang. Владелец: Bong-Joo Kang. Дата публикации: 2005-07-07.

Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same

Номер патента: US6696324B2. Автор: Sang-Gab Kim,Mun-Pyo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-24.

Quantitative evaluation apparatus for atomic vacancy existing in silicon wafer, method thereof, method for manufacturing silicon wafer, and thin film vibrator

Номер патента: JP5276347B2. Автор: 寛 金田,輝孝 後藤,祐一 根本. Владелец: 国立大学法人 新潟大学. Дата публикации: 2013-08-28.

Wiring line assembly and method for manufacturing the same, and thin film transistor array substrate having the wiring line assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020151174A1. Автор: Chang-Oh Jeong,Jae-Gab Lee,Bong-Joo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-17.

method for fabricating semiconductor layer for thin film transistor

Номер патента: KR100660814B1. Автор: 양명수. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Pattern forming method, method for manufacturing matrix substrate of thin film transistor, and light exposure mask

Номер патента: KR100658123B1. Автор: 다키자와히데아키. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-12-15.

Sodium Sputtering Doping Method for Large Scale CIGS Based Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120018828A1. Автор: May Shao. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR FABRICATING A GaN-BASED THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120122281A1. Автор: YI Chang,Chia-Hua Chang,Yueh-Chin Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-05-17.

AUTOMATED ASSEMBLY METHOD FOR THE PRODUCTION OF INTERCONNECTED THIN FILM SOLAR CELL MODULES

Номер патента: US20130122639A1. Автор: Mills Michael E.,Ramesh Narayan,Degroot Marty W.,Perkon David J.,Sakuma Minoru,Charamut Dustin M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

CONDUCTIVE COMPOSITION AND METHOD FOR MAKING CONDUCTIVE FEATURES ON THIN FILM PV CELLS

Номер патента: US20130196465A1. Автор: Dong Chun Christine. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

METHODS FOR FORMING BANKS AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS COMPRISING SUCH BANKS

Номер патента: US20130256643A1. Автор: Lee Sang Yoon,Han Kook Min,Kim Joo Young,KOO Bon Won,HAHN Jung Seok,PARK Joon Yong. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

METHOD FOR MANUFACTURING AND SCRIBING A THIN-FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20130270237A1. Автор: Springer Jiri. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD FOR FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL THIN-FILM SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FROM A TEMPLATE

Номер патента: US20130288418A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Wang David Xuan-Qi. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHOD FOR FORMING LOW TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM

Номер патента: US20140057419A1. Автор: Long Chunping,Tian Xueyan,Yao Jiangfeng. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-02-27.

METHOD FOR MANUFACTURING ABSORBER LAYER OF THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20140099749A1. Автор: Hong Hwen-Fen,Shin hwa-yuh,HUANG Hou-Ying. Владелец: ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2014-04-10.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150017794A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: ASM International. N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD FOR FABRICATING CONDUCTING STRUCTURE AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL

Номер патента: US20190027571A1. Автор: Chang Wei-Chih,LIN HSIN-HUA,KAO YI-CHUN,WU I-WEI,SHIH PO-LI,WAN CHANG-CHUN. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PHOTOELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTION-METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM

Номер патента: US20190044009A1. Автор: KIM Ki Hyun,KIM Ki Seok,Park Jin Woo,BYUN Ji Young,YEOM Geun Young,KIM Doo San,JI You Jin. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING GATE PROFILE USING THIN FILM STRESS IN GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20170053913A1. Автор: Ryu Koung-Min,KANG Sang-Koo,Min Sun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

METHOD FOR MANUFACTURING NIOBATE-SYSTEM FERROELECTRIC THIN FILM DEVICE

Номер патента: US20150064804A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,SHIBATA Kenji,SUENAGA Kazufumi,WATANABE Kazutoshi,Noguchi Masaki. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD FOR ENHANCING CONDUCTIVITY OF MOLYBDENUM THIN FILM BY USING ELECTRON BEAM IRRADIATION

Номер патента: US20150093852A1. Автор: Jung Seung Chul,Kim Dong Jin,Jeong Chae Hwan,Kim Chae Woong. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2015-04-02.

METHOD FOR MANUFACTURING POLYSILICON LAYER AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE POLYSILICON LAYER

Номер патента: US20190103495A1. Автор: LEE Dong-Min,LEE Dong-Sung,SO Byung Soo,SEO Jong Oh. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD FOR MANUFACTURING NIOBATE-SYSTEM FERROELECTRIC THIN-FILM DEVICE

Номер патента: US20180108530A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,SHIBATA Kenji,SUENAGA Kazufumi,WATANABE Kazutoshi,Noguchi Masaki,KUROIWA Kenji. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for manufacturing poly-silicon layer, thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20180122634A1. Автор: Qianqian Bu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150147875A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

METHODS FOR FORMING CONDUCTIVE TITANIUM OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150162183A1. Автор: LESKELA Markku,Ritala Mikko,Pore Viljami. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON NITRIDE THIN FILM

Номер патента: US20150179437A1. Автор: Li Zhanxin. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-25.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US20190172708A1. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-06-06.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20160196970A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US20200185218A1. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2020-06-11.

SHORTING BAR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20180197798A1. Автор: Wang Yong,Yu Yang,Guo Hongyan,WU Huailiang,XIE Zongtian,TANG Cundui,JIANG Zengyang,Seop Cheong Yo,Joo Jaeyoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHOD FOR FABRICATING CONDUCTING STRUCTURE AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL

Номер патента: US20170207325A1. Автор: Chang Wei-Chih,LIN HSIN-HUA,KAO YI-CHUN,WU I-WEI,SHIH PO-LI,WAN CHANG-CHUN. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US20180211834A1. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD FOR TRANSFERRING AT LEAST ONE THIN FILM

Номер патента: US20180240709A1. Автор: YOSHIKAWA Taro,Gerrer Thomas,Cimalla Volker,Preschle Marina. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for Manufacturing Niobate-System Ferroelectric Thin Film Device

Номер патента: US20160284975A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,SHIBATA Kenji,SUENAGA Kazufumi,WATANABE Kazutoshi,Noguchi Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

METHOD FOR MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20150294869A1. Автор: Mao Xue. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

METHOD FOR MANUFACTURING A LARGE-AREA THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20170309772A1. Автор: LAI Chih-Huang,Cai Chung-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20170338111A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD FOR MANUFACTURING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: US20150371859A1. Автор: SATO Hiroki,UEYAMA Junji. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20200388487A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Method for Fabricating Bank and Organic Thin Film Transistor Having the Bank

Номер патента: KR101186740B1. Автор: 한정석,박준용,이상윤,김주영,구본원,한국민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-09-28.

Method for fabricating of poly silicon Thin film transistor

Номер патента: KR100452444B1. Автор: 배종욱,김빈,김해열. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-10-08.

Method for fabricating of poly silicon Thin film transistor

Номер патента: KR100452446B1. Автор: 배종욱,서현식,김빈. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-10-08.

Method for forming transition metal chalcogenides thin film

Номер патента: KR101464173B1. Автор: 김수현,장유진. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-11-21.

Method for fabricating flexible top gate thin-film-transistor

Номер патента: KR101073727B1. Автор: 최윤영,김한기,최광혁. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-10-13.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: KR20190019979A. Автор: 수비 하우카,안티 니스카넨,류 나카노,히데아키 후쿠다,아츠키 후카자와,노보루 타카무레,쿠니토시 남바. Владелец: 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.. Дата публикации: 2019-02-27.

Method for manufacturing capacitor using ferroelectric thin film

Номер патента: KR100269278B1. Автор: 최진석,백수현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for monitoring surface characteristic of thin film on semiconductor device

Номер патента: KR100299375B1. Автор: 오훈정,신승우,박철환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-19.

A method for manufacturing Ge-Sb-Te thin film on wafer

Номер патента: KR100704125B1. Автор: 이정욱,서태욱,이기훈,조병철. Владелец: 주식회사 아이피에스. Дата публикации: 2007-04-06.

Method for fabricating high resolution organic thin film pattern

Номер патента: CN105742495B. Автор: 崔原硕,李信斗,徐旼撤,金珉会. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

Method for fabricating of poly silicon Thin film transistor

Номер патента: KR100452445B1. Автор: 배종욱,서현식,김빈,김해열. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-10-08.

Mask plate and method for applying it to manufacture thin film transistor array substrate

Номер патента: CN102608859B. Автор: 张锋,薛建设,崔承镇,惠官宝. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-01.

Method for recovering damage of pzt thin film using low temperature process

Номер патента: KR100378344B1. Автор: 김창정,정지원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-06-12.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: KR101950909B1. Автор: 수비 하우카,안티 니스카넨,류 나카노,히데아키 후쿠다,아츠키 후카자와,노보루 타카무레,쿠니토시 남바. Владелец: 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.. Дата публикации: 2019-02-21.

Apparatus and method for converting the properties of thin film using electron beam

Номер патента: KR101558731B1. Автор: 박규창. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-10-08.

Apparatus and method for measuring the thickness of thin films

Номер патента: EP0601580A1. Автор: Anthony M. Ledger. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-06-15.

Method for etching a light-shielding thin film.

Номер патента: NL194853C. Автор: . Владелец: Seiko Precision Kk. Дата публикации: 2003-04-03.

Apparatus and method for measuring the thickness of thin films

Номер патента: IL107901A. Автор: . Владелец: Ipec Precision. Дата публикации: 1998-02-08.

Method for forming a gapless semiconductor thin film

Номер патента: WO2011013961A2. Автор: 정명화,Sung-Ik Lee (Null). Владелец: 서강대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for Dry Etching of Copper Thin Films

Номер патента: KR102081614B1. Автор: 정지원,임은택,류진수. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-02-26.

METHOD FOR PULSE-LASER PRODUCTION OF THIN FILMS OF MATERIALS WITH HIGH DIELECTRIC PERMEABILITY

Номер патента: RU2004134944A. Автор: Сергей Петрович Кабанов,Владимир Николаевич Варакин,Александр Павлович Симонов,Владимир Николаевич Варакин (RU),Сергей Петрович Кабанов (RU),Александр Павлович Симонов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предпри тие"Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИМ им. Л.Я. Карпова) (RU). Дата публикации: 2006-05-10.

Method for destructive strength test of thin film

Номер патента: KR100450260B1. Автор: 신경호,이우영,박영준. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2004-09-30.

Manufacturing method for improving reliability of polysilicon thin film transistors

Номер патента: US20020115272A1. Автор: Wen-Tung Wang,Jeng-Hung Sun. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device using thin film transistor

Номер патента: JP3403812B2. Автор: 秀貴 魚地. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method for Fabricating Poly Silicon Of Thin Film Transistor

Номер патента: KR100359022B1. Автор: 황의훈. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2002-10-31.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US9153441B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-10-06.

Method for direct-laser patterning of thin film

Номер патента: KR101039549B1. Автор: 신현권,이명규,심보연. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-06-09.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US10510530B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-12-17.

Method for manufacturing electrode structure and thin film structure

Номер патента: JPWO2003012859A1. Автор: 牧夫 堀川,美香 奥村,清志 石橋. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Method for forming a gapless semiconductor thin film

Номер патента: WO2011013961A3. Автор: 정명화,Sung-Ik Lee (Null). Владелец: 서강대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-04-21.

Manufacturing method for the high resolution organic thin film pattern

Номер патента: KR101108162B1. Автор: 최원석,서민철,이신두,김민회. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2012-01-31.

Method for manufacturing electronic device with thin film transistor

Номер патента: JP4634147B2. Автор: ナイジェル、ディー．ヤング,イアン、ディー．フレンチ,ソー、ワイ．ヨーン,デイビッド、ジェイ．マクロウ. Владелец: TPO Hong Kong Holding Ltd. Дата публикации: 2011-02-16.

Method for pasting graphene heat-radiating thin-film in plastic packaging process

Номер патента: CN104505347A. Автор: 王菲菲,夏冬,吴海鸿,李宗怿,崔丽静. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Methods for fabricating array substrate and thin film transistor array substrate

Номер патента: TW200637005A. Автор: Ta-Wen Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-10-16.

Method for Manufacturing p-type oxide thin film

Номер патента: KR102017161B1. Автор: 박일규,박정석. Владелец: 서울과학기술대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-09-02.

Method for forming low temperature polysilicon thin film transistor within low doped drain structure

Номер патента: TW200642083A. Автор: Yi-Sheng Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-12-01.

A METHOD FOR FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20210280808A1. Автор: Lindstrom Henrik,Fili Glovanni. Владелец: Exeger Operations AB. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for producing positive electrode of thin-film battery and method for producing thin-film battery

Номер патента: US09601799B2. Автор: Yuichi Sabi,Hiroyuki Morioka,Tatsuya Furuya,Katsunori Takahara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for producing electrode catalyst, method for producing gas diffusion electrode, and method for producing film-electrode joint body

Номер патента: CA3210469A1. Автор: Yoko Nakamura,Satoshi Aoki,Yasuhiro Seki,Kiyotaka Nagamori,Tomoteru Mizusaki. Владелец: NE Chemcat Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for producing nanocomposition powder anode materials for lithium-ion accumulators

Номер патента: RU2634561C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-10-31.

Wet Method for the Production of Thin Films

Номер патента: US20160285079A1. Автор: Jean-Paul Pirard,Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,David ESKENAZI,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: PRAYON SA. Дата публикации: 2016-09-29.

Wet Method for the Production of Thin Films

Номер патента: US20160254526A1. Автор: Jean-Paul Pirard,Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,David ESKENAZI,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: PRAYON SA. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for producing superconducting wire material and superconducting joining member

Номер патента: US20180025812A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Kotaro Ohki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Flexible thin-film positive electrode and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2722688C1. Автор: Алексей Михайлович Кашин,Дмитрий Викторович Новиков,Фёдор Михайлович Лазарев,Андрей Александрович Бельмесов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инэнерджи". Дата публикации: 2020-06-03.

Apparatus and method for uniform air gap in thin film magnetic cores

Номер патента: US20230057305A1. Автор: Osman Ersed Akcasu,John Othniel Mcdonald. Владелец: Atlas Magnetics. Дата публикации: 2023-02-23.

Thin film laminate and method for producing patterned conductive thin film

Номер патента: CN111696703A. Автор: 鹰尾宽行,酒井和也,竹安智宏. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Thin film transistor array panel using organic semiconductor and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20110084260A1. Автор: Mun-Pyo Hong,Bo Sung Kim,Yong-Uk Lee,Min-Seong Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-14.

METHOD FOR PRODUCING OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM

Номер патента: RU2011110506A. Автор: Такеси КАТО,Генки ХОНДА,Такахиро ТАНЕДА,Такеси КАТО (JP),Генки ХОНДА (JP),Такахиро ТАНЕДА (JP). Владелец: Интернэшнл Суперкондактивити Текнолоджи Сентр, Дзе Джуридикал Фаундейшн (Jp). Дата публикации: 2012-09-27.

Method for producing high-precision thin-film resistors

Номер патента: DE3445420A1. Автор: Winfried Dr.sc.nat. Brückner,Karl-Heinz Dr.rer.nat. DDR 8020 Dresden Bäther,Wilfried Dr.-Ing. DDR 8049 Dresden Hinüber,Felix Prof. Dr.rer.nat.habil. DDR 8019 Dresden Lange,Jens-Ingolf Dipl.-Ing. DDR 8027 Dresden Mönch. Владелец: Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB. Дата публикации: 1985-06-27.

Method for producing soft magnetic thin film

Номер патента: JP3127070B2. Автор: 正司 道嶋,昌則 享保. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-01-22.

METHOD FOR FORMING POSITIVE ELECTRODE FOR THIN FILM LITHIUM-ION RECHARGEABLE BATTERY, POSITIVE ELECTRODE FOR THIN FILM LITHIUM-ION RECHARGEABLE BATTERY, AND THIN FILM LITHIUM-ION RECHARGEABLE BATTERY

Номер патента: US20170077493A1. Автор: Sasaki Shunsuke,JINBO Takehito,Takahashi Kazutoshi,Suzuki Akiyoshi,TSUSHIMA Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

METHOD FOR MANUFACTURING ALL-SOLID-STATE THIN-FILM BATTERIES

Номер патента: US20190036172A1. Автор: Gaben Fabien,Vuillemin Bruno,BOUYER Frédéric. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

METHODS FOR FORMING MICROWAVE TUNABLE COMPOSITED THIN-FILM DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20200206775A1. Автор: SEE Guan Huei,SUNDARRAJAN Arvind,Ow Yueh Sheng,Cui Yue,CHEN NUNO YEN-CHU,DENG FELIX. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Method for the Fabrication of a Thin-Film Solid-State Battery with Ni(OH)2 Electrode, Battery Cell, and Battery

Номер патента: US20170271649A1. Автор: Murata Mitsuhiro,Habuta Haruhiko,VEREECKEN Philippe,MEES Maarten,Hendrickx Nathalie,Zankowski Stanislaw. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

CHARGE METHOD FOR SOLID-STATE LITHIUM-BASED THIN-FILM BATTERY

Номер патента: US20180287410A1. Автор: Sadana Devendra K.,de Souza Joel P.,LEE YUN SEOG. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

A method for planarization patterning onto a thin film head

Номер патента: KR0147996B1. Автор: 노재우. Владелец: 대우전자주식회사. Дата публикации: 1998-10-15.

Apparatus and method for manufacturing flexible connector of thin film heaping type

Номер патента: KR100386133B1. Автор: 김형중. Владелец: 유현중전기주식회사. Дата публикации: 2003-06-02.

Device and method for testing output power of thin-film photovoltaic module

Номер патента: CN110677126A. Автор: 宋昊,陈昊旻,恽旻. Владелец: WUXI PRODUCT QUALITY SUPERVISION AND INSPECTION INSTITUTE. Дата публикации: 2020-01-10.

Preparation method for organic/inorganic hybrid perovskite thin film and solar cell

Номер патента: CN105489773A. Автор: 刘岩,杨松旺,曹启鹏,高潜潜. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2016-04-13.

Apparatus and method for inspecting thickness of transparent thin film using terahertz wave

Номер патента: KR20170108281A. Автор: 신동석,김재석,최현용,인치훈,윤일구. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-09-27.

A kind of method for preparing high-quality perovskite thin film

Номер патента: CN105024012B. Автор: 刘志宏,崔光磊,徐红霞,王在伟,常悦,周忠敏,逄淑平. Владелец: Qingdao Institute of Bioenergy and Bioprocess Technology of CAS. Дата публикации: 2017-06-23.

Apparatus and method for inspecting thickness of transparent thin film using terahertz wave

Номер патента: KR101788450B1. Автор: 신동석,김재석,최현용,인치훈,윤일구. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-10-19.

Preparation method for front electrode of organic thin film solar cell

Номер патента: CN105810833A. Автор: 王飞,刘玲玲,雷涛,田丙伦,赛博瑞·麦格. Владелец: Zhejiang Lingwei Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Method for forming pocket in heating thin-film network

Номер патента: CN108566691A. Автор: 德特勒夫·戈蒂史克. Владелец: Uhlmann Pac Systeme GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-09-21.

Methods for producing metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane assembly, and fuel cell

Номер патента: WO2008114126A2. Автор: Naoki Ito,Yasuyuki Matsumura,Kazuya Matsui. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for measuring optical constants of thin film of fluorine-containing organosilicon compound

Номер патента: US12105018B2. Автор: Takashi Uchida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for areal selective forming of thin film

Номер патента: US20240368762A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Han Bin Lee,Kyu Ho Cho,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho,Myeong Il Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for producing synthetic diamond thin film, the thin film and device using it

Номер патента: US5531184A. Автор: Hisao Yamashita,Hiroshi Miyadera,Yasushi Muranaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-02.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Methods for producing metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane assembly, and fuel cell

Номер патента: WO2008114126A3. Автор: Naoki Ito,Yasuyuki Matsumura,Kazuya Matsui. Владелец: Kazuya Matsui. Дата публикации: 2008-11-13.

Methods for producing metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane assembly, and fuel cell

Номер патента: US20090260991A1. Автор: Naoki Ito,Yasuyuki Matsumura,Kazuya Matsui. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for making optically transparent superhydrophobic thin film

Номер патента: US12037508B2. Автор: John T. Simpson. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Tris(dialkylamide)aluminum compound, and method for producing aluminum-containing thin film using same

Номер патента: US9194041B2. Автор: Masashi Shirai,Hiroshi Nihei,Chihiro Hasegawa. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Coating method for continuous preparation of diamond thin film with HFCVD device

Номер патента: US11939669B2. Автор: Xin Jiang,Nan Huang,Lusheng Liu. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: US5897918A. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for synthesis of large area thin films

Номер патента: US20140113074A1. Автор: Jia-Hung Wu,Xuesong Li. Владелец: Bluestone Global Technology Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Silicon precursor compound in asymmetric structure, method for preparing the same, and method for preparing a silicon-containing thin film

Номер патента: WO2024071976A1. Автор: Young-Hun Byun,Joo-Yong Kim,Byeong-Il Yang,Hee-yeon JEONG,Yeong-Ju Seong,Jang-Woo Seo,Seong-Hak Cheon. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing antifogging porous silica thin film

Номер патента: US20160185658A1. Автор: Jong Min Kim,Yeon Sik Jung,Jae Suk Choi,Sung June Park,Jin Yong Shim,Dong Min SIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for protective oleophobic processing of thin film electroducing optical coatings on glass

Номер патента: RU2622281C1. Автор: Александр Александрович Писарев,Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилкингтон Гласс". Дата публикации: 2017-06-13.

Electrolyte solution and method for electrolytic co-deposition of thin film calcium phosphate and drug composites

Номер патента: US20100018865A1. Автор: Mao-Jung Maurice Lien,Doug Smith,Arc Rajtar,Dean-Mo Liu,Manus Tsui. Владелец: MIV Therapeutics Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: EP1342820A4. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for producing a solid-state component, solid-state component, quantum component and apparatus for producing a solid-state component

Номер патента: US20240284805A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Johannes BOSCHKER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-08-22.

Device for producing a uniform thin film on a large substrate area using a laser

Номер патента: DE4340752C2. Автор: Kenichi Kuroda,Taisuke Furukawa,Kazuyoshi Kojima,Takaaki Kawahara,Tetsuro Makita,Tsuyoshi Horikawa,Koichi Ono,Yoshio Saito,Yukihiko Wada,Akihiro Suzuki,Akimasa Yuki,Naohiko Fujino,Hitoshi Wakata,Tetsuya Takami,Akihiko Furukawa,Tomohiro Sasagawa,Toshiyuki Oishi,Noboru Mikami,Kazuo Kuramoto,Junji Tanimura,Hiroshi Kuroki,Mutsumi Tsuda,Kenyu Haruta,Keisuke Nanba,Yasuji Matsui,Hideki Yabe,Kouji Kise,Tetsuo Ogama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-07-20.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: CA2271094A1. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Ltd. Дата публикации: 1999-11-26.

Method for producing thin film transistor and thin film transistor

Номер патента: US20180061643A1. Автор: Kazuto Nakamura,Yoshihiro Sakata,Ryomei Omote,Hirotaka Shigeno,Hideaki Nada,Hayato NAKAYA. Владелец: Nissha Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Electrode matrix, method for manufacturing it and device for processing and/or storing data

Номер патента: RU2275697C2. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Thin film transistor, display device and method for producing thin film transistor

Номер патента: US20200006394A1. Автор: Masakazu Tanaka,Takao Matsumoto,Nobutake Nodera,Yuta Sugawara. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Method for producing bonded wafer

Номер патента: US8691665B2. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Masahiro Kato,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-08.

Imaging panel and method for producing same

Номер патента: US20200127055A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for producing a thin film transistor

Номер патента: US09443965B2. Автор: Ting-Chang Chang,Ming-Yen Tsai,Hua-Mao Chen,Tian-Yu Hsieh. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-09-13.

Hafnium-containing material for film formation, method for producing the same, and method for producing hafnium-containing thin film using the same

Номер патента: US7196211B2. Автор: Nobuyuki Soyama,Akio Yanagisawa,Atsushi Itsuki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083A4. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083B1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

COMPOSITION FOR PRODUCING ZINC OXIDE THIN FILM CONTAINING GROUP 2 ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20170334734A1. Автор: Haga Kenichi,Tomiyasu Shizuo,Toyota Kouji,Inaba Koichiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method for producing thin film, thin film forming material, optical thin film, and optical member

Номер патента: US20190025466A1. Автор: Hirofumi Tanaka,Gentaro Tanaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for treating tantalum metal thin film, quantum device, and quantum chip

Номер патента: US20240164221A1. Автор: Hao Deng,Xiaohang Zhang. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Production method for organic semiconductor thin film

Номер патента: EP3923359A1. Автор: Eijiro Iwase,Akihiko Suyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

A modified thin-film composite (tfc) membrane and a method for producing thereof

Номер патента: WO2024096817A1. Автор: Tai-Shung Chung,Qipeng ZHAO,Shing Bor CHEN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-05-10.

COMPOSITION FOR DEPOSITING SILICON-CONTAINING THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20200361966A1. Автор: Kim Sung Gi,Lee Sang Ick,Kim Myong Woon,PARK Jeong Joo,PARK Joong Jin,JANG Se Jin,YANG Byeong-il,LEE Sam Dong,JEONG Hee Yeon,PARK Gun-Joo. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Composition for silicon-containing thin films and method for producing silicon-containing thin film

Номер патента: KR102190532B1. Автор: 이상익,김명운,장세진,김성기,양병일,박정주,박중진,이삼동,정희연,박건주. Владелец: (주)디엔에프. Дата публикации: 2020-12-15.

Method for fabricating and repairing organic thin film transistor

Номер патента: TW201112465A. Автор: Jenn-Chang Hwang,Sheng-Wei Chen,Chung-Hwa Wang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2011-04-01.

METHOD FOR MAKING A CaTiO COMPOSITE THIN FILM ELECTRODE FOR WATER SPLLITTING

Номер патента: US20230063314A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing molybdenum-containing thin film and molybdenum-containing thin film manufactured thereby

Номер патента: US20220018017A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Haeng Don Lim,Jang Woo SEO. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for manufacturing molybdenum-containing thin film and molybdenum-containing thin film manufactured thereby

Номер патента: US11459653B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Haeng Don Lim,Jang Woo SEO. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US20140230724A1. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US9605357B2. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for producing oxide superconductor thin film

Номер патента: JP2809553B2. Автор: 潔 山本,信之 杉井,路晴 市川,光一 久保,尚雄 山内. Владелец: KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU SENTAA. Дата публикации: 1998-10-08.

Method for producing a piezoelectric thin-film arrangement

Номер патента: DE69735011D1. Автор: Masato Shimada,Masami Murai,Tsutomu Nishiwaki,Kouji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Thin film encapsulation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11765926B2. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film packaging structure and preparation method therefor

Номер патента: EP3731292A1. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Thin film bulk acoustic resonator and manufacturing process therefor

Номер патента: US20230208383A1. Автор: ZHOU Jiang,Linping Li,Jinghao SHENG. Владелец: Jwl Zhejiang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin film bulk acoustic resonator and manufacturing process therefor

Номер патента: US11901872B2. Автор: ZHOU Jiang,Linping Li,Jinghao SHENG. Владелец: Jwl Zhejiang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Sputtering target and process for producing the same, thin film for optical information recording medium and process for producing the same

Номер патента: EP1602746A1. Автор: Hideo c/o Tokyo Institute of Technology HOSONO,Kazushige c/o Tokyo Institute of Technology UEDA,Masataka c/o Nikko Materials Co. Ltd. YAHAGI,Hideo c/o Nikko Materials Co. Ltd. TAKAMI. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer

Номер патента: US7351606B2. Автор: Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

METHOD FOR ELECTRICALLY AGING A PMOS THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20170302265A1. Автор: Wang Jun,Zhang Guoqing,Sun Liang,JIN Xinxin,HAN Yuebai. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer

Номер патента: US20050287728A1. Автор: Ana Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

A method for forming an organic semiconductor thin film

Номер патента: TW201503266A. Автор: Yasukiyo Ueda,Masahiro Hamada,Yuichi Sadamitsu,Masahiro Misaki. Владелец: Nat Univ Corp Univ Kobe. Дата публикации: 2015-01-16.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: EP2843723B1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-31.

Method for forming isotropic pyrolytic carbon thin film on heating carbon material and its material

Номер патента: KR100302896B1. Автор: 제정호. Владелец: 정명식. Дата публикации: 2002-07-02.

Method for packing hole of graphene thin-film

Номер патента: KR101506892B1. Автор: 한종훈. Владелец: 전남대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-03-30.

Device and method for wet transferring of graphene thin film

Номер патента: WO2021056807A1. Автор: 李楠,夏洋,何萌,赵丽莉,卢维尔,冷兴龙,节喜. Владелец: 中国科学院微电子研究所. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for forming a magnesium oxide thin film

Номер патента: EP2754737B1. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-08-09.

Method for producing waterproof organic thin film

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Shoichi Matsuda,Hiroshi TOMOHISA,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for determining mechanical properties of thin film membranes formed over round holes

Номер патента: RU2758417C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Леонидович Переверзев,Валерий Юрьевич Киреев,Анна Александровна Дедкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-10-28.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: US20010007500A1. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2001-07-12.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: US6552791B2. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2003-04-22.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: EP1244924A2. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2002-10-02.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225556A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: WO2022076267A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for producing functional-substance thin film material, functional-substance thin film material, and laminate thereof

Номер патента: US20170313038A1. Автор: Yoshinari Yasui,Hideyuki Yamamoto,Hiroshi Mino,Shuichi Iwanaga,Takeshi CHAKIHARA. Владелец: Yasui Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

System and method for measuring properties of a thin film coated glass

Номер патента: US20130215415A1. Автор: Keith J. Burrows,Jordan B. Lagerman,Kyle R. Thering. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2013-08-22.

Film having low refractive index film and method for producing the same, anti-reflection film and method for producing the same, coating liquid set for low refractive index film, substrate having microparticle-laminated thin film and method for producing the same, and optical member

Номер патента: MY192479A. Автор: Nobuaki Takane,Masato Nishimura,Tomomi Kawamura. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Process for producing an oral thin film comprising microparticles

Номер патента: AU2021268103B2. Автор: Markus Müller,Marius Bauer,Michael Linn. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming patterned tin oxide thin film element

Номер патента: CA1286167C. Автор: Shih-Chia Chang,Adolph L. Micheli,David B. Hicks. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1991-07-16.

Method for measuring thickness of a thin film layer on glass

Номер патента: US20240027185A1. Автор: Yu-Lin Liu,Hsiang-Chen Wang,Ching-Yi Huang,Yu-Ming Tsao,Yu-Yang Chen. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for measuring mechanical properties of thin films using a resonator in an anti-resonance regime

Номер патента: US5764068A. Автор: Alexander Katz,Michael D. Ward. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1998-06-09.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: WO2001048515A3. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Carlo Taliani. Дата публикации: 2002-06-06.

Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths

Номер патента: US5248889A. Автор: Ilan A. Blech,Dov E. Hirsch. Владелец: Tencor Instruments Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Apparatus and method for performing high spatial resolution thin film layer thickness metrology

Номер патента: US5543919A. Автор: Peter B. Mumola. Владелец: Integrated Process Equipment Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

System and method for measuring properties of a thin film coated glass

Номер патента: US20130215413A1. Автор: Keith J. Burrows,Jordan B. Lagerman,Kyle R. Thering. Владелец: Cardinal IG Co. Дата публикации: 2013-08-22.

Chemical deposition raw material formed of ruthenium complex and method for producing the same, and chemical deposition method

Номер патента: US09556212B2. Автор: Masayuki Saito,Ryosuke Harada,Naoki Nakata. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing thin diamond films

Номер патента: RU2685665C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Алексей Александрович Шуткин,Анна Николаевна Макрушина,Анастасия Игоревна Зырянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-04-22.

Composition for depositing antimony-containing thin film and method for manufacturing antimony-containing thin film using the same

Номер патента: US20230203655A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Magneto-optical thin film, optical isolator, and method for manufacturing magneto-optical thin film

Номер патента: EP4386473A1. Автор: Bin Zhang,Huajun Zhou,Rong Chen,Kun CAO,Haohua Li,Yingfei XIONG,Zerui Jin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Composition and method of making high-reflection silver mirrors or thin-film optical filters

Номер патента: US20040114247A1. Автор: James Lane,Philip Buchsbaum. Владелец: Ocean Optics Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: WO2022072258A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US20240271279A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Uniaxial thin film structures formed from oriented bilayers and multilayers

Номер патента: US5363794A. Автор: Mark R. Visokay,Bruce M. Lairson,Bruce M. Clemens. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1994-11-15.

Method for manufacturing resin film for thin film-capacitor and the film therefor

Номер патента: US20110217509A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Junya Ishida,Takashi Nogami,Kenro Takizawa. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for manufacturing resin film for thin film-capacitor and the film therefor

Номер патента: US20140124975A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Junya Ishida,Takashi Nogami,Kenro Takizawa. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for manufacturing resin film for thin film-capacitor and the film therefor

Номер патента: US8715554B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Junya Ishida,Takashi Nogami,Kenro Takizawa. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: US20130123528A1. Автор: Tada Ken-ichi,Iwanaga Kohei,Yamamoto Toshiki,Maniwa Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

Poly (phthalocyanine) copolymer having excellent processability and method for producing same, polymer composition using same and method for producing phthalocyanine polymer thin film

Номер патента: KR19990085367A. Автор: 김은경,이영준,이창진. Владелец: 한국화학연구소. Дата публикации: 1999-12-06.

Trimethyl (ethylcyclopentadienyl) platinum, method for producing the same, and method for producing platinum-containing thin film using the same

Номер патента: JP3321729B2. Автор: 秀公 門倉. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2002-09-09.

Method for producing bis (alkylcyclopentadienyl) ruthenium complex and method for producing ruthenium-containing thin film using the same

Номер патента: JP3371328B2. Автор: 秀公 門倉. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2003-01-27.

Thin film magnetic head and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040100730A1. Автор: Kimitoshi Etoh,Tetsuya Okai,Yoji Maruyama,Makoto Morijiri. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-27.

Etching method for metal or meral oxide thin film

Номер патента: JPS53112237A. Автор: Kenji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-09-30.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US11987882B2. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: EP4222293A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Method and apparatus for forming a magnetically oriented thin film

Номер патента: US5804041A. Автор: Steven Hurwitt. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-09-08.

Method for synthesis and processing of continuous monocrystalline diamond thin films

Номер патента: US5221411A. Автор: Jagdish Narayan. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-06-22.

Titanium Sputtering Target, Production Method Therefor, And Method For Producing Titanium-Containing Thin Film

Номер патента: US20200240005A1. Автор: MURATA Shuhei,Shono Daiki. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Method for producing a protective thin film for a magnetic head

Номер патента: US7280312B2. Автор: Masatoshi Nakayama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

METHOD FOR PRODUCING METALLIC RUTHENIUM THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20220002867A1. Автор: NISHIDA Akihiro,ENZU Masaki. Владелец: ADEKA CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-06.

TRIS(DIALKYLAMIDE)ALUMINUM COMPOUND, AND METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM-CONTAINING THIN FILM USING SAME

Номер патента: US20140295084A1. Автор: SHIRAI Masashi,Nihei Hiroshi,Hasegawa Chihiro. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

HYDROPHILIC, SILICONE MONOMERS, METHOD FOR PRODUCING THEM AND THIN FILMS CONTAINING THEM

Номер патента: RU2011117265A. Автор: Кендэлл Луис ГАЙЕР,Кенрик Мартин ЛЬЮИС,Сентхилкумар УМАПАТХИ,Анубхав САКСЕНА,И-Фэн ВАН,Кендэлл Луис ГАЙЕР (US),Кенрик Мартин ЛЬЮИС (US),Сентхилкумар УМАПАТХИ (IN),Анубхав САКСЕНА (IN),И-Фэн ВАН (US). Владелец: Моментив Перформанс Матириалз Инк. (Us). Дата публикации: 2012-11-10.

Method for producing single crystal thin film

Номер патента: JP4752930B2. Автор: 匡 細倉. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

METAL COMPLEX HAVING β-DIKETONATO LIGAND AND METHOD FOR PRODUCING METAL-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: WO2005035823A1. Автор: Takumi Kadota,Chihiro Hasegawa,Kouhei Watanuki. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for producing multilayer cholesteric thin film II

Номер патента: JP4637328B2. Автор: サイモン・グリーンフィールド,アリソン−リンダ・メイ. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for producing single-crystal thin film

Номер патента: US20100206215A1. Автор: Tadasu Hosokura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Bi-layer thin film exhibiting pseudo elasticity and shape memory effect

Номер патента: US11220738B2. Автор: Mahmoud Nili Ahmadabadi,Maryam Mohri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-11.

Deposition prevention plate and method for manufacturing the same, method for recycling material, and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20200340103A9. Автор: Peng Xu,Jie Liu,Shengkai Pan,Yongkang QIAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Bi-layer thin film exhibiting pseudo elasticity and shape memory effect

Номер патента: US20190093209A1. Автор: Mahmoud Nili Ahmadabadi,Maryam Mohri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-28.

Deposition prevention plate and method for manufacturing the same, method for recycling material, and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20190352772A1. Автор: Peng Xu,Jie Liu,Shengkai Pan,Yongkang QIAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing resin film for thin film-capacitor and the film therefor

Номер патента: US20140124975A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Junya Ishida,Takashi Nogami,Kenro Takizawa. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Apparatus for pre-oxided porous metal thin film, method for manufacturing porous metal oxide thin film and porous metal oxide thin film manufactured thereby

Номер патента: KR20220128184A. Автор: 박세용,이희철,노순호. Владелец: 한국공학대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-09-20.

Poly(phthalocyanine) copolymer having an excellent processibility and process for producing the same, polymer composition using the same, and process for producing phthalocyanine polymer thin film

Номер патента: KR100310203B1. Автор: 김은경,이영준,이창진. Владелец: 김충섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Composite material, functional material, process for producing composite material, and process for producing composite-material thin film

Номер патента: WO2010018808A1. Автор: 隆史 加藤,達也 西村,佑哉 緒明,明 磯貝,継之 齋藤. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2010-02-18.

METHOD FOR MANUFACTURING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM, STARTING MATERIAL FOR FORMING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM, AND MOLYBDENUM AMIDE COMPOUND

Номер патента: US20140141165A1. Автор: SATO Hiroki,UEYAMA Junji. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

Method for preparation of MoO3-Pt thin films having bi-layered structure by electrochemical deposition and MoO3-Pt thin films prepared by the method

Номер патента: KR101130272B1. Автор: 김경화,백성현,정소미,신주경,탁용석. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-03-26.

Deposition apparatus for organic-inorganic hybrid thin film and method for fabricating organic-inorganic hybrid thin film using same

Номер патента: KR101505619B1. Автор: 정석종,김성준,박보근,임종선,이선숙,안기석,명성. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2015-03-25.

Method for producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method

Номер патента: US20020121498A1. Автор: Paul Bradley,Richard Ruby,John Larson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-05.

Method for manufacturing cubic boron nitride thin film with reduced compressive residual stress and cubic boron nitride thin film manufactured using the same

Номер патента: US20140255286A1. Автор: Wook Seong LEE,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-11.

radiation curable transparent coating repair system and method for obtaining film formation in thin film areas using the system

Номер патента: BRPI0615311A2. Автор: David Braun,Hans Kempf,Michelle Odajima. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Transparent hardenable transparent layer repair system and method for obtaining film formation in thin film areas using said system

Номер патента: ES2384334T3. Автор: David Braun,Hans Kempf,Michelle Odajima. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Method for grinding a bar of thin film magnetic elements utilizing a plurality of resistive films

Номер патента: US7384327B2. Автор: Yoshiyuki Mizoguchi,Kazuhide Yamada,Tsuyoshi Umehara,Soji Koide,Nobuya Oyama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-06-10.

Production Method For And Use Of Polymer Thin-Film Culture Plat For Production Method For And Application Of Cell Sheet

Номер патента: US20190233788A1. Автор: Lee Eun Jung,Im Sung Gap,BAEK Ji Eung,CHO Young Hak,YU Seung Jung,CHOI Go Ro. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-08-01.

Optical member and process for producing it and thin films

Номер патента: CA2421538A1. Автор: Masakazu Matsumoto,Yukihiro Takahashi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Process for producing a functional thin film.

Номер патента: DE69103072D1. Автор: Yoshiharu Maezawa,Norimoto Nouchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-01.

Production method for and use of polymer thin-film culture plate for production method for and application of cell sheet

Номер патента: WO2018008985A9. Автор: 이은정,유승정,임성갑,최고로,조영학,백지응. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2018-04-19.

Production method for and use of polymer thin-film culture plate for production method for and application of cell sheet

Номер патента: WO2018008985A2. Автор: 이은정,유승정,임성갑,최고로,조영학,백지응. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2018-01-11.

ORGANIC ZIRCINE COMPOSITE AND METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR DEFORMING LEAD ZIRCONATE TITANATE THIN FILM

Номер патента: JP4277515B2. Автор: 勝実 小木,信幸 曽山,佳典 高山,英之 平社,信吾 岡村. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2009-06-10.

CELLULOSE-FIBER DISPERSION POLYETHYLENE RESIN COMPOSITE MATERIAL, FORMED BODY AND PELLET USING SAME, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND RECYCLING METHOD FOR CELLULOSE-FIBER ADHESION POLYETHYLENE THIN FILM PIECE

Номер патента: US20210139664A1. Автор: Suzuki Toshihiro,TAZUKE Masami,HARA Hidekazu,HIROISHI Jirou,SAWADA Yuka,MITSUGI Shingo. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-13.

CELLULOSE-FIBER DISPERSION POLYETHYLENE RESIN COMPOSITE MATERIAL, FORMED BODY AND PELLET USING SAME, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND RECYCLING METHOD FOR CELLULOSE-FIBER ADHESION POLYETHYLENE THIN FILM PIECE

Номер патента: US20200172684A1. Автор: Suzuki Toshihiro,TAZUKE Masami,HARA Hidekazu,HIROISHI Jirou,SAWADA Yuka,MITSUGI Shingo. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Organic transition metal compound, preparation method thereof and method for forming transition metal-containing thin film

Номер патента: CN113201029B. Автор: 陆科,王新炜. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2022-07-29.

METHODS FOR INCREASING GROWTH RATE OF THIN FILMS

Номер патента: US20140174342A1. Автор: Pore Viljami. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2014-06-26.

METHOD FOR MEASURING OPTICAL CONSTANTS OF THIN FILM OF FLUORINE-CONTAINING ORGANOSILICON COMPOUND

Номер патента: US20220276151A1. Автор: Uchida Takashi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-01.

METHOD FOR MANUFACTURING ANTIFOGGING POROUS SILICA THIN FILM

Номер патента: US20160185658A1. Автор: Shim Jin Yong,KIM Jong Min,Jung Yeon Sik,Choi Jae Suk,PARK Sung June,SIM Dong Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD FOR IMPROVIING DAMPENING PERFORMANCE OF THIN FILMS

Номер патента: US20170204295A1. Автор: Pillalamarri Sunil K.,Fitzer Robert C.. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2017-07-20.

Enhanced plating chemistries and methods for preparation of group IBIIIAVIA thin film solar cell absorbers

Номер патента: US8409418B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Serdar Aksu,Jiaxiong Wang. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Method for manufacturing nano freestanding nano thin-film

Номер патента: KR101332306B1. Автор: 김재현,정준호,최대근,이학주,황보윤. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2013-11-22.

Cylinderical sputtering target, method for preparatiing the same and thin film formed using the cylinderical sputtering target

Номер патента: KR20160056674A. Автор: 양승호,강민호,윤원규,최호윤. Владелец: 희성금속 주식회사. Дата публикации: 2016-05-20.

Apparatus and method for peeling and removing a thin film coated on a resin article

Номер патента: KR970010052A. Автор: 야마모토 히로시,다카하시 코지. Владелец: 후지 주코교 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-03-27.

System and method for metal substrate treatment through thin film pretreatment and sealing composition

Номер патента: KR102255735B1. Автор: 에릭 엘 모리스,저스틴 제이 마틴,케빈 티 실베스터,엘리자베스 에스 브라운-청,피터 엘 보트루바-드르잘,슈치 왕. Владелец: 피알시-데소토 인터내쇼날, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-05-24.

Method for deposition of electrochemically active thin films and layered coatings

Номер патента: US20100129564A1. Автор: Elena M. Shembel,Tymofiy V. Pastushkin,Boris Tugay,Anatolii Demchyshyn,Volodymyr Redko,Stanislav Denbnovetskyy,Vitalyy Melnyk,Igoz Melnyk,Alexandr Markevich. Владелец: Enerize Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for depositing fluorine-added silica thin film

Номер патента: JP2004505179A. Автор: ラカン パスカル,シュレ　カラン,ボスマン　リシャール. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-02-19.

Preparation method for stannic oxide transparent conductive thin film

Номер патента: CN106702340A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Suzhou Sichuang Yuanbo Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Method for preparation of aluminum oxide thin film

Номер патента: WO2004013377A1. Автор: Taek-Mo Chung,Ki-Seok An,Sun Sook Lee,Yunsoo Kim,Wontae Cho,Kiwhan Sung. Владелец: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Дата публикации: 2004-02-12.

Preparation method for Fe Mn alloy nanometer thin films with high exchange biasing effect

Номер патента: CN106676489A. Автор: 李明浩,赵世峰,白玉龙,张冠群. Владелец: Inner Mongolia University. Дата публикации: 2017-05-17.

Electrolyte solution and method for electrolytic co-deposition of thin film calcium phosphate and drug composites

Номер патента: CA2648670A1. Автор: Mao-Jung Maurice Lien,Doug Smith,Arc Rajtar,Dean-Mo Liu,Manus Tsui. Владелец: Miv Scientific Holdings Ltd.. Дата публикации: 2007-11-08.

A Novel Method for the preparation of foamed thin film having open cell

Номер патента: KR100806565B1. Автор: 이기윤. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: CA2217576A1. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Corp. Дата публикации: 1998-05-25.

Method for forming bit pattern of thin film device

Номер патента: JPH0628235B2. Автор: 弘之 岡本,克彦 谷. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1994-04-13.

Method for applying highly heat-stable thin films made of polytetrafluoroethylene on surface of solid body

Номер патента: RU2304588C2. Автор: Владимир Александрович Кальнов,Марк Аврамович Брук,Игорь Ефимович Кардаш,Евгений Николаевич Жихарев,Александр Владимирович Спирин,Ирина Алексеевна Волегова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-20.

Method for forming a polycrystalline silicon thin film

Номер патента: GB2174108B. Автор: Masayoshi Koba,Akio Kawamura,Jun Kudo,Akinori Seki,Katsuji Iguchi,Teruyoshi Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-07-19.

Improved method for manufacturing an array of thin film actuated mirrors

Номер патента: CN1057392C. Автор: 金东局. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-11.

Method for manufacturing a composite oxide thin film

Номер патента: EP0408326A1. Автор: Yoo Seung Eul,Masahiro Yoshimura,Nobuo Ishizawa. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1991-01-16.

Method for preparation of aluminum oxide thin film

Номер патента: AU2003247207A1. Автор: Taek-Mo Chung,Ki-Seok An,Sun Sook Lee,Yunsoo Kim,Wontae Cho,Kiwhan Sung. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2004-02-23.

Method for manufacturing and magnetizing bitumen thin films containing magnetic powder

Номер патента: JP4370160B2. Автор: ポラク，ヨセフ,フレイスト，クリストフ,マンネバハ，ゲルト,ホッツ，エルンスト,オスター，ヨアヒム. Владелец: ツェーヴェーヴェー ゲルコ アクスティク ゲゼルシヤフト ミット ベシュレンクテル ハフツング. Дата публикации: 2009-11-25.

Manufacturing method for vapor deposition device and thin-film device

Номер патента: EP2302093A4. Автор: Takanori Murata,Ichiro Shiono,Ekishu Nagae,Yousong Jiang,Hiromitsu Honda. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for producing oxide superconductor thin film

Номер патента: JP2854623B2. Автор: 六月 山崎,久士 芳野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-03.

Method for producing zinc oxide thin film, semiconductor device substrate and photovoltaic device using the same

Номер патента: JP3544095B2. Автор: 克己 中川,浩三 荒尾,隆治 近藤,由希子 岩▲崎▼. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

Method for producing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: JP4729191B2. Автор: 八井　　浄,俊昭 鈴木. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP3110473B2. Автор: 築志 原,悟 高野,隆彦 山本,典之 葭田,繁 奥田,憲器 林,潔 岡庭. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2000-11-20.

Method for producing oxide superconductor thin film

Номер патента: JP3015393B2. Автор: 忠男 三浦,正之 砂井,喜昭 寺島. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-06.

Method for producing MgB2 superconducting thin film

Номер патента: JP4081795B2. Автор: 哲治 内山. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2008-04-30.

Method for producing oxide superconductor thin film

Номер патента: JP2953776B2. Автор: 二朗 吉田,正之 砂井. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-27.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP3038758B2. Автор: 淳一 佐藤,恵吉 中村,恵一 小川,正次 貝瀬,光明 大貫. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2000-05-08.

Method for producing oxide superconducting thin film

Номер патента: JP3192667B2. Автор: 築志 原,悟 高野,隆彦 山本,典之 葭田,繁 奥田,憲器 林,潔 岡庭. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2001-07-30.

Method for recycling indium tin oxide thin film and method for recycling a substrate

Номер патента: TWI408239B. Автор: Jiun Wen Cheng,Li Han Chen,Ying Chieh Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-09-11.

Method for making cu2-xse nanoparticle and method for making deposited cu2-xse thin film by electrophoresis

Номер патента: TWI439578B. Автор: Chu Chi Ting,Wen Yuan Lee. Владелец: Nat Univ Chung Cheng. Дата публикации: 2014-06-01.

Method for making Cu2-xSe nanoparticle and method for making deposited Cu2-xSe thin film by electrophoresis

Номер патента: TW201331423A. Автор: Chu-Chi Ting,Wen-Yuan Lee. Владелец: Nat Univ Chung Cheng. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for manufacturing insulating substrate for thin film polycrystalline silicon solar cell

Номер патента: JP4526197B2. Автор: 淳 梶本,智訓 牧野,克全 阿波. Владелец: Nippon Steel Nisshin Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells

Номер патента: CN101521249B. Автор: D·R·霍拉斯. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2012-05-23.

Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells

Номер патента: CN1703782A. Автор: D·R·霍拉斯. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for increasing conversion efficiency of thin-film solar cell

Номер патента: CN105047750A. Автор: 汤安东,蒿俊波. Владелец: Guangdong Hanergy Thin Film Solar Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Method for fabricating buffer layer of thin film type solar cell

Номер патента: KR101623923B1. Автор: 장혁규. Владелец: 주식회사 메카로. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for forming multi-element compound thin film

Номер патента: JPH08970B2. Автор: 秀行 高原,尚文 鈴木. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1996-01-10.

Method for realizing light transmission of thin film solar module by using vibrating mirror laser equipment

Номер патента: CN102237441A. Автор: 贾海军,麦耀华,佟鑫,杜洁,王继存,孙瑞萍. Владелец: BAODING TIANWEI SOLARFILMS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-09.

Method for forming a-sic: H thin film

Номер патента: JP2742796B2. Автор: 昭一 中野,信哉 津田,善博 菱川,浩嗣 堂城. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-22.

Method for manufacturing oxide-based superconducting thin film

Номер патента: JPH0812936B2. Автор: 三紀夫 中川,宰 河野,裕 小山内,知章 品田,脩 杉本,喜一郎 渡辺. Владелец: Kyushu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1996-02-07.

Method for manufacturing nano titanium dioxide thin film through photocuring

Номер патента: CN103165287A. Автор: 聂俊,徐福建,畅文凯,牟雪雁. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2013-06-19.

Method for reducing internal resistance of thin film solar cell

Номер патента: CN102332505A. Автор: 王毓婷,邢丽芬,褚明渊,陈志维. Владелец: CHENGDU TAIYISI SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for preparing all solid-state thin-film lithium battery

Номер патента: CN101527362A. Автор: 刘文元. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-09.

Method for intensifying light absorption of thin-film solar cell

Номер патента: CN101246917A. Автор: 马昕,李沅民. Владелец: BEIJING XINGZHE MULTIMEDIA TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for electrochemically preparing electroconductive polymer thin film in presence of CO2

Номер патента: CN101880903A. Автор: 李章林,许飞飞,鄢浩. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-11-10.

Method for producing thin film having high refractive index and high transparency, and thin film produced by the method

Номер патента: US09845394B2. Автор: Koji Mitamura,Manabu Hirata,Kimihiro Matsukawa,Seiji WATASE. Владелец: Daihachi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for producing thin film containing molybdenum

Номер патента: US09695207B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for producing desired tantalum phase

Номер патента: EP1261488A1. Автор: Charles Spencer Whitman. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2002-12-04.

Method for producing desired tantalum phase

Номер патента: EP1261488A4. Автор: Charles Spencer Whitman. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2003-05-21.

Metal alkoxide compound, thin-film-forming material, method for producing thin film, and alcohol compound

Номер патента: US09896468B2. Автор: Akio Saito,Naoki Yamada,Atsushi Sakurai,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Tsubasa Shiratori. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Device and method for producing thin-film catalyst

Номер патента: US20240261773A1. Автор: Ruoqi QIAN,Jingji QIAN. Владелец: Suzhou Taone Sincere Nanomaterial Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Producing thin layers of fluid containing cells for analysis

Номер патента: RU2579311C2. Автор: Райнхольд ВИМБЕРГЕР-ФРИДЛЬ,Николас Петрюс ВИЛЛАРД,Эмиль ПЕТЕРС,Иво Годфрид Йозеф КАМПС,Маркус ЛАУБШЕР,Оана ПИСИУ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-04-10.

Method for making thin magnesium-base metallic sheet by casting and installation for performing the same

Номер патента: RU2305021C2. Автор: Тосио ХАГА,Казунари ЙОСИДА,Йосио ГОНДА. Владелец: Гонда Метал Индастри Корпорейшн Лтд.. Дата публикации: 2007-08-27.

Process for producing thin transparent ceramic parts and thin transparent ceramic parts

Номер патента: US12024468B2. Автор: Lutz-Michael Berger,Thomas Hutzler,Stefanie HILDEBRANDT. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft Zue Foerderung Der Angewandten Forschung EV. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for producing metal powder

Номер патента: MY192419A. Автор: Kimura Tetsuya,Iwasaki Mineto. Владелец: Shoei Chemical Ind Co. Дата публикации: 2022-08-19.

Method for producing a thin film, method for producing a magnetic disk, method for producing a nanoimprint mold, and apparatus for producing a thin film

Номер патента: US20180257105A1. Автор: Hiroshi Sakai,Hiroshi Tani,Eishin Yamakawa,Kazuki Shindo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for producing powder dispersant composition for hydraulic composition

Номер патента: EP4083087A1. Автор: Kohei Shimada,Keiichirou SAGAWA. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Method for forming a film by spin coating

Номер патента: US20070259193A1. Автор: Masashi Hakamata,Yukou Saito. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for producing inorganic substance powder highly-oriented thin film sheet

Номер патента: US09492964B2. Автор: Yuichiro Sumi,Naoyuki Kawamata. Владелец: TBM Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of producing refined oils and/or fats, and method for producing tocopherols

Номер патента: US20220177441A1. Автор: Hiroyuki KOZUI. Владелец: Nisshin Oillio Group Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for diisocyanate recovery from distillation residues with bitumen

Номер патента: US12139447B2. Автор: Sascha Tadjbach,Thomas Voigt,Anna-Marie ZORN,Claudine STOYE,Joerg Morawski,Irene Cristina Latorre Martinez,Thomas GUTTMANN. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Thin film deposition method and thin film deposition apparatus

Номер патента: US7291357B2. Автор: Koichi Shintomi,Hiroyuki Abe,Koji Masuda,Tetsuro Wada,Atsushi Hiraizumi,Kazuyou Mizuno. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Method and apparatus for measuring thin film thickness using x-ray

Номер патента: US09644956B2. Автор: Shi Surk KIM,Sang Bong Lee,Seong Uk LEE,Joo Hye Kim. Владелец: Nano CMS Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Multi-functional freestanding thin films produced using plastic waste and methods thereof

Номер патента: US11938658B1. Автор: Gordon McKay,Junaid Saleem,Safdar Hossain Sk,Zubair Khalid Baig Moghal. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-03-26.

Dye thin film, production method thereof, optical switch, optical distributor, optical modulator and optical switch array

Номер патента: US6868215B2. Автор: Yasuhiro Sato,Makoto Furuki,Satoshi Tatsuura,Lyong Sun Pu,Izumi Iwasa,Minquan Tian. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-15.

Dye thin film, production method thereof, optical switch, optical distributor, optical modulator and optical switch array

Номер патента: US20040001666A1. Автор: Yasuhiro Sato,Makoto Furuki,Satoshi Tatsuura,Lyong Sun Pu,Izumi Iwasa,Minquan Tian. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-01.

Safe method for bleaching teeth

Номер патента: US09949810B2. Автор: Lion Flyash,Fabian TENENBAUM. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2018-04-24.

Touch Panel, Method for Producing Same, Optical Thin Film Substrate and Method for Producing Optical Thin Film Substrate

Номер патента: KR101670040B1. Автор: 마코토 아라이,마나부 하라다,아츄히토 이호리,토쉬히로 슈쥬키,히데노리 야나기츄보,마사히로 마츄모토,마사쉬 쿠보. Владелец: 가부시키가이샤 아루박. Дата публикации: 2016-10-27.

Oral thin film

Номер патента: CA3212297A1. Автор: Markus Müller,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2022-09-09.

Oral thin film

Номер патента: US20240148672A1. Автор: Markus Müller,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Oral thin film

Номер патента: US20240065974A1. Автор: Christoph Schmitz,Marius Bauer,Michael Linn. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-02-29.

PDMS thin film having a lattice patterning structure for improving radiative cooling effect and method for producing the PDMS thin film

Номер патента: KR102153946B1. Автор: 이승윤,이봉재,송재만. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2020-09-09.

METHOD FOR PRODUCING FUNCTIONAL-SUBSTANCE THIN FILM MATERIAL, FUNCTIONAL-SUBSTANCE THIN FILM MATERIAL, AND LAMINATE THEREOF

Номер патента: US20170313038A1. Автор: Yamamoto Hideyuki,CHAKIHARA Takeshi,IWANAGA Shuichi,MINO Hiroshi,YASUI Yoshinari. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

MGF2 OPTICAL THIN FILM INCLUDING AMORPHOUS SILICON OXIDE BINDER, OPTICAL ELEMENT PROVIDED WITH THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING MGF2 OPTICAL THIN FILM

Номер патента: US20150362633A1. Автор: ISHIZAWA Hitoshi,MURATA Tsuyoshi,NIISAKA Shunsuke. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Nondestructive apparatus and method for detecting molecular orientation in thin films

Номер патента: AU3364701A. Автор: Michele Muccini,Carlo Taliani. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2001-07-09.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7295255B2. Автор: Yun Bok Lee,Jae Hong Jun. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

METHOD FOR PRODUCING WATERPROOF ORGANIC THIN FILM

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Umemoto Toru,Matsuda Shoichi,Kameyama Tadayuki,Tomohisa Hiroshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for producing organic monomolecular thin film

Номер патента: JP3929142B2. Автор: 一志 藤岡,幹宏 山中,公隆 大野,郷子 御手洗. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-13.

망간-알루미늄 박막 제조법(METHOD FOR PRODUCING Mn-Al THIN FILMS)

Номер патента: KR100190681B1. Автор: 포 쳉 쿠오,진 휴이 황,샹 친 첸. Владелец: 내셔날 사이언스 카운슬 오브 리퍼블릭 오브 차이나. Дата публикации: 1999-06-01.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL / CERAMIC COMPOSITE THIN FILMS

Номер патента: FR2818015A1. Автор: Thierry Chartier,Jean Francois Pierre Silvain,Pierre Marie Geffroy. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2002-06-14.

Multi-layer oral thin film

Номер патента: US20240156726A1. Автор: Michael Linn,Claudia Norelli,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-05-16.

Process for producing functional-substance thin film material, functional-substance thin film material, and laminate thereof

Номер патента: EP3213914A4. Автор: Yoshinari Yasui,Hideyuki Yamamoto,Hiroshi Mino,Shuichi Iwanaga,Takeshi CHAKIHARA. Владелец: Yasui Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-02.

Multi-layer oral thin film

Номер патента: US20240091144A1. Автор: Christoph Schmitz,Michael Linn,Claudia Norelli,Mario FICKER. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for measuring film thickness of thin film laminate

Номер патента: JP5095422B2. Автор: 明男 米山,和浩 上田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-12-12.

PROCESSES FOR PRODUCING AND TREATING THIN-FILMS COMPOSED OF NANOMATERIALS

Номер патента: US20160250712A1. Автор: Cheng Gary J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Process for producing an oral thin film comprising microparticles

Номер патента: CA3182522A1. Автор: Markus Müller,Marius Bauer,Michael Linn. Владелец: LTS Lohmann Therapie Systeme GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-11.

A wire for a display device, a method for manufacturing the same, a thin film transistor array panel including the wire, and a method for manufacturing the same

Номер патента: TW552717B. Автор: Mun-Pyo Hong,Soo-Guy Rho,Keun-Kyu Song,Nam-Seok Roh,Seung-Hee Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Non-planar stretching apparatus for producing large dimension thin films

Номер патента: TW201204535A. Автор: Shia-Chung Chen,Ping-Shun Hsu,Chia-Yen Tseng. Владелец: Univ Chung Yuan Christian. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for forming high purity co thin film having excellent step coverage and low resistivity and method for forming contact plug of semiconductor device using the same

Номер патента: KR100606246B1. Автор: 이재갑. Владелец: 이재갑. Дата публикации: 2006-07-31.

METHOD FOR PREPARING DUAL-FUNCTIONAL HYBRID THIN-FILM FOR SELF-CALIBRATION DETECTION OF TUMOR-DERIVED EXOSOMES

Номер патента: US20210247350A1. Автор: Jin Hui,GUI Rijun,SUN Yujiao. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-12.

METHOD FOR MEASURING ADHESIVE STRENGTH OF THIN FILM USING DISPERSION CHARACTERISTICS OF SURFACE WAVES, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM FOR PERFORMING SAME RECORDED THEREON

Номер патента: US20200217820A1. Автор: PARK Tae Sung,CHOI Yu Min,PARK Ik Keun,KWAK Dong Ryul. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for evaluating a lithium niobate thin film and apparatus for preparing the same

Номер патента: EP0454499A2. Автор: Hironori Matsunaga,Yasunari Okamoto,Hirotaka Nishiyamoto Ohno. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-30.

SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING PROPERTIES OF A THIN FILM COATED GLASS

Номер патента: US20130215415A1. Автор: Burrows Keith J.,Lagerman Jordan B.,Thering Kyle R.. Владелец: CARDINAL CG COMPANY. Дата публикации: 2013-08-22.

GAS SHOWERHEAD, METHOD FOR MAKING THE SAME AND THIN FILM GROWTH REACTOR

Номер патента: US20130299009A1. Автор: Ho Henry,Jiang Yong,ZHOU Ning,Du Zhiyou. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH THIN FILM ELECTRONIC CIRCUIT

Номер патента: US20140248817A1. Автор: Noma Mikihiro,Kira Takatoshi,Nagaoka Gen,Makino Hiroki,Tsujioka Tomotoshi,Mayumi Minoru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-09-04.

Method For Preparation of Quick Dissolving Thin Films Containing Bioactive Material With Enhanced Thermal Stability

Номер патента: US20210322537A1. Автор: Saxena Atul,Ohtake Satoshi,Truong-Le Vu,NGUYEN Van,Lovalenti Phillip M.,Anderl Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

System and Method for Large Sample Analysis of Thin Film

Номер патента: US20200393239A1. Автор: Merkel Timothy J.,Fuhrmann Alexander,Dalattre Cyril. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Apparatus and method for scratch wear testing of thin films

Номер патента: US5965896A. Автор: Denes Marton. Владелец: Marton and Associates Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Micromechanical element and method for manufacturing micromechanical element with thin film cap

Номер патента: JP5145412B2. Автор: シュミッツ フォルカー,グローセ アクセル. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-02-20.

Method for measuring polarization ratio of thin film polarization optical element

Номер патента: CN111982286A. Автор: 王静,李斌成. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for darkening bad pixel in thin film transistor substrate of horizontal electronic field type

Номер патента: KR100982122B1. Автор: 이재봉. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2010-09-14.

Forming method for closely contacted layer of thin-film magnetic head

Номер патента: JPS5567928A. Автор: Toshio Tanaka,Tomio Kume,Shoichi Dai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-05-22.

Measuring method for magnetic anisotropy of magnetic thin film

Номер патента: JPS5782778A. Автор: Hiroshi Yoneda,Takeshi Sawada,Akira Niimi,Hirotsugu Takagi,Shuzo Abiko,Hiroichi Goto. Владелец: Canon Electronics Inc. Дата публикации: 1982-05-24.

Method for removing negative resist on thin film pattern

Номер патента: JPS63314547A. Автор: Ken Nakajima,中島　謙. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-12-22.

Method for testing adhesion strength of thin film formed on flexible substrate

Номер патента: KR20100122636A. Автор: 박진우,김겸. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-11-23.

Inspecting method for magneto-resistance effect type thin film magnetic head

Номер патента: JPS5868219A. Автор: Mitsuhiko Yoshikawa,Sadaichi Miyauchi,貞一 宮内,吉川　光彦. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1983-04-23.

Processing method for regenerative polytetrafluoroethylene large-width thin film

Номер патента: CN106335196A. Автор: 邱剑锷. Владелец: ZHEJIANG DEQING KESAI PLASTIC PRODUCT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Device and method for measuring flexoelectric coefficient of thin film material capable of regulating and controlling strain gradient

Номер патента: CN110988494A. Автор: 梁旭,陈春林,陈文浩,申胜平,于亦文,兰梦蝶. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2020-04-10.

Cargo compartment segmentation design method for 8-million-cubic-level thin-film LNG ship and cargo compartment segmentation

Номер патента: CN113772042A. Автор: 邵志杰,柯于舫,金国飞,马景辉. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL / CERAMIC COMPOSITE THIN FILMS

Номер патента: FR2818015B1. Автор: Thierry Chartier,Jean Francois Pierre Silvain,Pierre Marie Geffroy. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2003-09-26.

Method for manufacturing a nonlinear optical thin film

Номер патента: CA2281265A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Naoki Nakamura,Hideki Nakayama,Kiyohito Murata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2000-03-22.

Method for removing deposit in centrifugal thin film drier

Номер патента: JPS63141604A. Автор: Satoru Ohashi,Jun Kikuchi,Susumu Horiuchi,Hiroyuki Tsuchiya,弘行 土屋,悟 大橋,進 堀内,Ryozo Yoshikawa,涼三 吉川,菊池　恂. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-06-14.

System and method for large sample analysis of thin films

Номер патента: CN111108369B. Автор: A·富尔曼,T·J·默克尔,C·德拉特雷. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-07-14.

Method for measuring piezoelectric constant of thin film shaped piezoelectric material

Номер патента: KR100240603B1. Автор: 김동국. Владелец: 대우전자주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

System and method for large sample analysis of thin films

Номер патента: CN111108369A. Автор: A·富尔曼,T·J·默克尔,C·德拉特雷. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

The laser scoring system and method for a kind of flexible thin-film solar cell

Номер патента: CN107442946A. Автор: 朱家宽,刘杰鹏,高锦龙,孙朋超,莫品光,钟华良,蒋沈泽. Владелец: Asahi New Energy Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2017-12-08.

System and method for measuring slip dislocation and thin film stress of semiconductor wafer in semiconductor processing equipment

Номер патента: JP3841452B2. Автор: エム．モスレヒ メールダッド. Владелец: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2006-11-01.

System and method for measuring properties of a thin film coated glass

Номер патента: US8855450B2. Автор: Keith J. Burrows,Jordan B. Lagerman,Kyle R. Thering. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for measuring electric resistance of thin film on conductive substrate

Номер патента: JPS6159255A. Автор: Susumu Nakazawa,中沢　享. Владелец: Mita Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-26.

Fabricating method for Micro Heater Having Reflection Thin Film and the same

Номер патента: KR100917792B1. Автор: 홍성민,황학인. Владелец: 경기도. Дата публикации: 2009-09-24.

System and method for large sample analysis of thin film

Номер патента: EP3710813B1. Автор: Cyril Delattre,Alexander FUHRMANN,Timothy J. Merkel. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Complex compound of taxol with cyclodextrine and method for for producing said compound

Номер патента: HU9301166D0. Автор: Katsuhiko Mikuni,Hiroki Hamada,Kyoko Saito,Nobuhiro Kuwahara. Владелец: Ensuiko Sugar Refining. Дата публикации: 1993-07-28.

Floating thin-film magnetic head having crown serving as medium-facing surface and method for producing thin-film magnetic head

Номер патента: US20070035882A1. Автор: Akio Kishimoto,Masamitsu Senuma. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element

Номер патента: US20110100953A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kosuke Tanaka,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for producing thin film sensors, especially hot film anemometters and humidity sensors

Номер патента: US20040113751A1. Автор: Wolfgang Timelthaler. Владелец: Dr Johannes Heidenhain GmbH. Дата публикации: 2004-06-17.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Thin film composite hollow fiber membranes fabrication systems

Номер патента: US20210252461A1. Автор: Seung-hak Choi,Melhan M. Ben Sultan,Halah A. SHAIKH SULAIMAN,Abdulrahman A. ALSUWAILEM. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-08-19.

Thin film composite hollow fiber membranes fabrication systems

Номер патента: US20210252459A1. Автор: Seung-hak Choi,Melhan M. Ben Sultan,Halah A. SHAIKH SULAIMAN,Abdulrahman A. ALSUWAILEM. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for producing thin plate-like laminate having film-like resin layer

Номер патента: CA3134110A1. Автор: Naomi Goto,Takuzo Imaizumi,Naoki Shiba. Владелец: Futamura Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structural template for producing a stamping tool for stamping a thin-film element, use of a structural template, and method for providing a structural template

Номер патента: US20240326298A1. Автор: Guillaume Gomard,Benjamin Fritz,Ruben Hünig,Moritz Luck. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing thin-walled cylindrical parts and clamping device for its implementation

Номер патента: RU2751400C1. Автор: Александр Викторович Поруцкий,Евгений Александрович Суворов,Александр Владимирович Назаров,Юрий Анатольевич Гришин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2021-07-13.

Method for producing thin-layer molecular sieves

Номер патента: RU2183499C2. Автор: Йонас ХЕДЛУНД,Бриан ШОЕМАН,Пер Йохан СТЕРТЕ. Владелец: Эксон Кемикэл Пейтентс Инк.. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for vacuum sputtering of topological thin-film pattern of hybrid microcircuit on substrate

Номер патента: RU2586937C1. Автор: Валерий Григорьевич Эдвабник,Амир Энверович Алямов,Любовь Васильевна Григорьева,Владимир Борисович Цай,Рэм Васильевич Кудрявцев,Денис Юрьевич Сидоров,Светлана Викторовна Юркова. Владелец: ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for atomic layer growing of thin films of chemical compounds on substrates

Номер патента: RU2472870C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дарья Сергеевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУВПО "СГГА"). Дата публикации: 2013-01-20.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCTION OF NANOSIZE MgO (111) FILM ON METAL PLATE

Номер патента: RU2442842C2. Автор: Тамерлан Таймуразович Магкоев,Инга Васильевна Тваури,Наталья Ильинична Цидаева,Анатолий Майранович Туриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова". Дата публикации: 2012-02-20.

Method of producing a thin-film pressure strain gauge

Номер патента: RU2442115C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2012-02-10.

Thin film for wafer processing and method for manufacturing semiconductor devices using thin film for wafer processing

Номер патента: TW201130943A. Автор: Kazuki Tatebe. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

Method for producing electron-emitting thin film, electrode substrate and electron-emitting device

Номер патента: JP4490901B2. Автор: 徹 野口,章 曲尾. Владелец: Nissin Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-30.

Method for producing Al alloy thin film and sputtering target for forming Al alloy thin film

Номер патента: JP3684354B2. Автор: 栄治 岩村,隆 大西,一男 吉川,正剛 山本,勝寿 高木. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2005-08-17.

MGF2 OPTICAL THIN FILM INCLUDING AMORPHOUS SILICON OXIDE BINDER, OPTICAL ELEMENT PROVIDED WITH THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING MGF2 OPTICAL THIN FILM

Номер патента: US20120058261A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Laminated structure having oxide semiconductor thin film layer, method for producing laminated structure, thin film transistor, and display device

Номер патента: JP5186611B2. Автор: 公規 矢野,重和 笘井,滋夫 松崎,一晃 江端,勇輝 霍間. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

METHOD FOR FORMING A SUPERCONDUCTING ULTRA THIN FILM YBa2Cu3O7-x ON DIELECTRIC SUBSTRATES

Номер патента: RU2013120786A. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Геннадьевич Петров,Денис Викторович Федосов,Геннадий Михайлович Серопян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения". Дата публикации: 2014-11-20.

Method for producing silicon oxide thin film or titanium oxide thin film

Номер патента: JP4133353B2. Автор: 和志 林,敏洋 釘宮,裕史 後藤,勇藏 森. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Method for producing metal oxide thin film and thin film composite material

Номер патента: JP4135154B2. Автор: 靖 島田,恭 神代,裕介 近藤,善毅 平田. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for producing α-SiC epitaxial thin film and α-SiC heteroepitaxial thin film

Номер патента: JP3882030B2. Автор: 八三 武藤,毅 楠森. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for producing polyamic acid thin film and liquid crystal display device using the polyamic acid thin film

Номер патента: JP2542745B2. Автор: 隆 佐々木,浩之 藤井. Владелец: GTC KK. Дата публикации: 1996-10-09.

Method for improving thermoelectric properties of thin films of p-type conductivity on the basis of doped bismuth snte

Номер патента: UA97316U. Автор: Dmytro Mykhailovych Freik,Bohdan Stepanovych Dzundza,Ostap Mykolaiovych Matkivskyi,Andrii Ivanovych Tkachuk. Владелец: State Institution Of Higher Education “Prykarpattia Vasyl Spephanyk Nat University”. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for sputtering copper indium chalcogenides thin film

Номер патента: TW200932933A. Автор: yao-xian Fu,Wen-Qi Huang,shi-ren Lin,bang-yan Zhou,Chun-Hui Chen. Владелец: Nanowin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Poly-silicon annealing structure and method for application of highly efficient thin film transistor

Номер патента: TW200537690A. Автор: Ming-Dou Ker,An Shih,Chih-Kang Deng,Tang-Kui Tseng. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Method for manufacturing poly-Si of thin-film transistor

Номер патента: TW584969B. Автор: Ching-Lin Fan. Владелец: RiTdisplay Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for manufacturing poly-Si of thin-film transistor

Номер патента: TW200419807A. Автор: Ching-Lin Fan. Владелец: RiTdisplay Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

INORGANIC POROUS THIN FILM, LAMINATE USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING INORGANIC POROUS THIN FILM

Номер патента: JP4428035B2. Автор: 由岐夫 山口,喜久夫 奥山,英史 笹倉. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-10.

Measurement method for electromechanical coupling constant of piezoelectric material

Номер патента: RU2349925C1. Автор: Георгий Дмитриевич Мансфельд,Сергей Георгиевич Алексеев,Наталья Ивановна Ползикова,Георгий Дмитриевич Мансфельд (RU),Сергей Георгиевич Алексеев (RU),Наталь Ивановна Ползикова (RU). Владелец: Институт радиотехники и электроники Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-03-20.

Nickel compound-containing solution, method for producing the same, and method for forming a nickel metal thin film using the same

Номер патента: JP4597582B2. Автор: 孝司 岩瀬,めぐみ 杉木. Владелец: Sakata Inx Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20120168748A1. Автор: YANO Koki,INOUE Kazuyoshi. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for producing composite material thin film using pulsed laser deposition method

Номер патента: JP2687845B2. Автор: 哲朗 佐藤,貞彦 三浦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-08.

Process for producing a ferromagnetic thin film

Номер патента: CA765785A. Автор: TERAJIMA Makoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1967-08-22.

Improved process for producing nanoporous silica thin films

Номер патента: TW392309B. Автор: Douglas M Smith,Stephen Wallace,Theresa Ramos,Kevin H Roderick. Владелец: Allied Signal Inc. Дата публикации: 2000-06-01.

METHOD FOR PRODUCING TIN DIOXIDE THIN FILMS

Номер патента: RU2010129860A. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Алексей Алексеевич Андреев,Андрей Сергеевич Левашов (RU),Алексей Алексеевич Андреев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ГОУ ВПО Ку. Дата публикации: 2012-01-27.

Method for producing crosslinked polymer thin film

Номер патента: JP3128782B2. Автор: 豊喜 国武,範鍾 李,裕一 有戸. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2001-01-29.

Method for producing titanium oxide thin film

Номер патента: JPH0812302B2. Автор: 繁 佐々木,康夫 日良,秀己 佐藤,貴子 福島,和民 川本. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-02-07.

Method for producing crystalline alumina thin film at low temperature

Номер патента: JP2001335917A. Автор: 平 金,Taira Kin. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 2001-12-07.

Method for producing oriented metal thin film

Номер патента: JPH0723534B2. Автор: 賢二 飯島,良一 高山,佳宏 富田,一朗 上田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-15.

Method for producing composite oxide thin film

Номер патента: JP3706409B2. Автор: 幸彦 白川,恭之 山本,美穂子 佐藤. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Method for producing ruthenium oxide thin film

Номер патента: JP3257279B2. Автор: 浩司 渡部,均洋 田中,浩一 川角,美保 貞本. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-18.

Method for producing single crystal thin film by liquid phase epitaxy

Номер патента: JP3188541B2. Автор: 哲史 大野,昌宏 辻. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-16.

Method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: JP5288464B2. Автор: 功一 徳留,浩司 豊田,健一 羽賀,賢二 吉野,孝一郎 稲葉. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Method for producing silica-based thin film and organic-inorganic composite gradient material

Номер патента: JP3889615B2. Автор: 典宏 仲山,匡 小池. Владелец: Ube-Nitto Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-07.

Method for producing inorganic compound thin film

Номер патента: JP2876409B2. Автор: 文彦 武居,浩幸 竹屋. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-31.

Method for producing carbon material thin film

Номер патента: JP4910332B2. Автор: 義明 前田. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for producing amorphous magnetic thin film

Номер патента: JPH0626171B2. Автор: 憲雄 太田,愃 杉田,成範 岡峯. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-04-06.

METHOD FOR PRODUCING COMPOSITION GRADIENT THIN-FILM MATERIAL AND POLYPARAXYLIENE-BASED MATERIAL

Номер патента: RU2010136700A. Автор: Сергей Николаевич Чвалун,Евгений Иванович Григорьев,Павел Викторович Морозов,Сергей Алексеевич Завьялов,Андрей Владимирович Пебалк,Сергей Николаевич Чвалун (RU),Павел Викторович Морозов (RU),Евгений Иванович Григорьев (RU),Андрей Владимирович Пебалк (RU),Сергей Алексеевич Завьялов (RU). Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ) (RU). Дата публикации: 2012-03-10.

Method for producing perovskite ferroelectric thin film

Номер патента: JP3663436B2. Автор: 知二 川合,光 小林,仁 田畑,英治 六田. Владелец: 大阪大学長. Дата публикации: 2005-06-22.

Method for producing transparent conductive thin film

Номер патента: JP3154189B2. Автор: 雅郎 御園生,正清 外池. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-09.

STRONTIUM COMPLEX WITH ISOPROPYL OR ISOBUTYL GROUP-BEARING beta- DIKETONATO AS LIGAND, AND METHOD FOR PRODUCING METAL-CONTAINING THIN FILM USING THE STRONTIUM COMPLEX

Номер патента: JP2007290993A. Автор: Hiroyuki Sakurai,弘之 桜井. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for producing silicon oxide thin film

Номер патента: JP4711733B2. Автор: 宏樹 佐藤,篤也 芳仲. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

INK FOR FORMING THIN FILM OF SOLAR CELLS AND METHOD FOR PREPARING THE SAME, CIGS THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120100661A1. Автор: LEE Young-hee,Choi Yong-Woo,KIM Hyung-Seok,Choe Young-Ho,Kim Ho-Gyoung. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

Method for forming magnetic pole of thin film magnetic head and method for manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: JP3792396B2. Автор: 芳高 佐々木. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for depositing ito transparent electroconductive thin film, ito transparent electroconductive thin film, transparent electrically conductive film, and touch panel

Номер патента: JP2004149884A. Автор: Masahito Yoshikawa,雅人 吉川,芳典 岩淵,Yoshinori Iwabuchi. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for manufacturing substrate with piezoelectric thin film and method for manufacturing piezoelectric thin film element

Номер патента: JP5553099B2. Автор: 和俊 渡辺,憲治 柴田,文正 堀切,和史 末永,明 野本,将希 野口. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-07-16.

FINE GRAINED, NON BANDED, REFRACTORY METAL SPUTTERING TARGETS WITH A UNIFORMLY RANDOM CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION, METHOD FOR MAKING SUCH FILM, AND THIN FILM BASED DEVICES AND PRODUCTS MADE THEREFROM

Номер патента: US20120251714A1. Автор: Kumar Prabhat,Miller Steven A.,Schmidt-Park Olaf,Wu Richard,Sun Shuwei,Zimmermann Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

METHOD FOR FORMING TCO FILMS AND THIN FILM STACK

Номер патента: US20120255602A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-10-11.

Method for Manufacturing of Multi-layer Thin film Substrate and the multi-layer Thin film Substrate

Номер патента: KR100942944B1. Автор: 김상희. Владелец: 주식회사 탑 엔지니어링. Дата публикации: 2010-02-22.

Method for preparing low temperature polysilicon thin film and transistor of low temperature polysilicon thin film

Номер патента: CN1540719A. Автор: 陈韵升. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-10-27.

Support film forming composition and measuring method for measuring absorption coefficient of thin film by extreme ultraviolet light

Номер патента: JP5447775B2. Автор: 敏 竹井,精一 田川,孝弘 古澤. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Method for manufacturing nano-composite conductive thin film and nano-composite conductive thin film

Номер патента: CN103310905A. Автор: 蒋亚东,徐建华,杨亚杰,李世彬,张鲁宁. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-09-18.

Composition for producing complex oxide thin film

Номер патента: JP5702258B2. Автор: 功一 徳留,浩司 豊田,健一 羽賀,孝一郎 稲葉,豊田　浩司. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Method and apparatus for producing diamond-like thin film

Номер патента: JP2687129B2. Автор: 正俊 中山,国博 上田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1997-12-08.

Method and apparatus for producing molecular crystalline thin film

Номер патента: JPS6333557A. Автор: Jiro Sakata,二郎 坂田. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1988-02-13.

METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC THIN-FILM MODULE

Номер патента: US20120164782A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Method and apparatus for producing diamond-like thin film

Номер патента: JP2989198B2. Автор: 正俊 中山,正典 柴原,国博 上田. Владелец: TEII DEII KEI KK. Дата публикации: 1999-12-13.

METHOD FOR CALCULATING PARAMETER VALUES OF THIN-FILM TRANSISTOR AND APPARATUS FOR PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20120323542A1. Автор: . Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for making Cu2-xSe nanoparticles and method for making deposited Cu2-xSe thin film by electrophoresis

Номер патента: US20140017884A1. Автор: Lee Wen-Yuan,Ting Chu-Chi. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for preparing conductive paste for thin-film switch

Номер патента: CN101937735B. Автор: 陈春锦. Владелец: Irico Group Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

Method for deposition and etching of thin films for microelectronic applications

Номер патента: CA2029518A1. Автор: Tu T. Chau,Sergio R. Mejia,Kwan C. Kao. Владелец: Kwan C. Kao. Дата публикации: 1992-05-09.

VIRTUAL MEASURING SYSTEM AND METHOD FOR PREDICTING THE QUALITY OF THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY PROCESSES

Номер патента: US20120016643A1. Автор: . Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2012-01-19.

MANUFACTURING METHOD FOR A ZINC OXIDE PIEZOELECTRIC THIN-FILM WITH HIGH C-AXIS ORIENTATION

Номер патента: US20120023719A1. Автор: Huang I-Yu,CHEN Yu-Hung,Lin Chang-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR HIGH-RATE DEPOSITION OF THIN FILM LAYERS ON PHOTOVOLTAIC MODULE SUBSTRATES

Номер патента: US20120024695A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120100677A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD FOR FORMING AN ALUMINUM NITRIDE THIN FILM

Номер патента: US20120100698A1. Автор: Kato Koji,YAMAMURA Waichi,KANO Shoji. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

METHODS FOR MANUFACTURING PASSIVATION LAYER AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120129303A1. Автор: . Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD FOR HIGH VOLUME MANUFACTURING OF THIN FILM BATTERIES

Номер патента: US20120214047A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

METHODS FOR MANUFACTURING A METAL-OXIDE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130045567A1. Автор: ZAN Hsiao-Wen,TSAI Chuang-Chuang,YEH Chun-Cheng,CHEN Liang-Hao. Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2013-02-21.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20130115763A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: ASM International. N.V.. Дата публикации: 2013-05-09.

SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING PROPERTIES OF A THIN FILM COATED GLASS

Номер патента: US20130215413A1. Автор: Burrows Keith J.,Lagerman Jordan B.,Thering Kyle R.. Владелец: CARDINAL IG COMPANY. Дата публикации: 2013-08-22.

DEVICES AND METHODS FOR DISCHARGING PIXELS HAVING OXIDE THIN-FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20130234919A1. Автор: Huang Chun-Yao,Chu Chia-Ching,Choi Wonjae. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD FOR SYNTHESIS OF LARGE AREA THIN FILMS

Номер патента: US20140113074A1. Автор: Li Xuesong,Wu Jia-Hung. Владелец: BLUESTONE GLOBAL TECH LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for manufacturing (Ba, Sr) TiO3 thin film capacitor

Номер патента: JP3129175B2. Автор: 恵子 遠藤,政 米澤,勝実 小木. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2001-01-29.

Method for measuring optical constants of thin film with non-uniform refractive index

Номер патента: CN102980748A. Автор: 李春,金春水,常艳贺,邓文渊,靳京城. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2013-03-20.

System and method for manufacturing sheet and flexible thin film composite laminated layer

Номер патента: CN102673083A. Автор: 陶波,唐伟,程小明,陈建魁,尹周平,苏刚,徐洲龙,周春雷,张步阳,何崇东,王峥荣. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for suppressing manganese diffusion in thin film with vertical magnetic anisotropy

Номер патента: CN1674147A. Автор: 姜勇,于广华,王立锦,滕蛟,翟中海. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2005-09-28.

Method for forming Low-temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: CN1301539C. Автор: 陈坤宏. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-02-21.

METHOD FOR DETERMINING THE DURABILITY OF THIN FILM COATINGS USING A NEURAL NETWORK SIMULATION

Номер патента: RU2002134339A. Автор: Юрий Михайлович Сарапулов,Юрий Васильевич Панфилов,Екатерина Вадимовна Булыгина,Ильдар Халитович Азымов,Юрий Васильевич Панфилов (RU),Екатерина Вадимовна Булыгина (RU),Ильдар Халитович Азымов (RU),Юрий Михайлович Сарапулов (RU). Владелец: Ильдар Халитович Азымов. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for preparing a Quantum dot Thin Film using Dithiol Compound

Номер патента: KR100583364B1. Автор: 장은주,안태경,노태용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-25.

Repair method for damaged superlow dielectric constant thin film subjected to chemical mechanical polishing

Номер патента: CN102509705A. Автор: 徐强,张文广,郑春生,陈玉文. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Preparing method for lattice nanometer carbon base thin-film cold cathode

Номер патента: CN1585067A. Автор: 孙卓,孙懿. Владелец: Najing Science & Technology Co Ltd Shanghai. Дата публикации: 2005-02-23.

Preparation method for long-wave infrared optical thin film resistant to high and low temperature impacts

Номер патента: CN105274477A. Автор: 王济洲,熊玉卿,王多书,董茂进,蔡宇宏,王田刚,徐嶺茂,李凯朋. Владелец: Lanzhou Hongrui Aerospace Mechanical And Electrical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Method for forming diamond-like carbon thin film

Номер патента: JP4706010B2. Автор: 治 田中,▲ひで▼明 松田,善弘 丹下,宗英 勝村,理史 米田,哲夫 矢野,利彦 大家,孝啓 梶谷. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2011-06-22.

Method for growing single-layer graphene thin film by virtue of low-temperature chemical vapor deposition

Номер патента: CN104773726A. Автор: 陈林锋,孔知之. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2015-07-15.

Manufacturing method for forming color filter on thin-film transistor array substrate

Номер патента: CN101661204B. Автор: 黄彦衡,陈宗凯,白佳蕙,曾文贤,郑为元. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for manufacturing low-temperature polysilicon thin-film transistor

Номер патента: CN1567550A. Автор: 林辉巨. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-01-19.

A kind of bubbling method for being used to measure thin film mechanics characteristic

Номер патента: CN104677738B. Автор: 谢惠民,李传崴. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-29.

Preparation method for modified graphene-chitosan composite thin film

Номер патента: CN105315508A. Автор: 陈雨,黄杰. Владелец: Chongqing University of Technology. Дата публикации: 2016-02-10.

Method for preparing nano tungsten trioxide thin film

Номер патента: CN101734866A. Автор: 李洁,陈启元,李文章,刘立阳. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-06-16.

Manufacturing method for pipe body with optical thin film

Номер патента: CN102955179A. Автор: 芈振伟. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for manufacturing a high quality thin film by post-growth annealing in oxygen ambient

Номер патента: KR100403191B1. Автор: 김병국,김한기,최원국,성태연,김경국. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2003-10-23.

METHOD FOR CREATING OMIC CONTACTS IN THIN-FILMED DEVICES ON AMORPHIC HYDROGENIZED SEMICONDUCTORS

Номер патента: RU2002117585A. Автор: Алексей Алексеевич Маслов,Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Владислав Геннадьевич Мишустин,ков Николай Владимирович Вишн. Владелец: Р занска Государственна Радиотехническа Академи. Дата публикации: 2004-03-20.

Method for magnetron application of the thin-film coverages of various materials and their compounds

Номер патента: RU2064525C1. Автор: В.В. Егоров,А.С. Исаков,С.А. Хартов,С.С. Стрелков,В.К. Шинин,С.К. Абсалямов. Владелец: Научно-исследовательский институт прикладной механики и электродинамики Московского авиационного института. Дата публикации: 1996-07-27.

Method for preparing ZnS:Cu optical thin film

Номер патента: CN101514470B. Автор: 王艳,刘星,黄剑锋,曹丽云,朱辉,殷立雄,李抗,胡宝云. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-11-03.

Method for manufacturing high-temperature superconductive thin film based on yttrium

Номер патента: SU1823932A3. Автор: Pavel P Kulik,Georgij Ya Pavlov,Igor V Knyazev,Nikolaj S Samsonov,Vladimir I Makhov,Yurij N Inkin. Владелец: Иhжehephый Цehtp "Плaзmoдиhamиka". Дата публикации: 1993-06-23.

Method for preparing nano titanium dioxide thin film on surface of dacron

Номер патента: CN102277723B. Автор: 张辉,朱红. Владелец: Xian Polytechnic University. Дата публикации: 2012-12-19.

METHOD FOR FABRICATING A N-TYPE THIN FILM OF GaN GROUP BY USING A PLASMA TREATMENT

Номер патента: KR100330840B1. Автор: 김현수,황현상,박성주. Владелец: 김효근. Дата публикации: 2002-04-01.

Method for preparing KTiOPO4 single crystal thin film through ion implantation in combination with chemical etching

Номер патента: CN105002471A. Автор: 许波,范冉冉,马长东,卢霏. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2015-10-28.

Method for growing indium nitride monocrystal thin films

Номер патента: CN101230487A. Автор: 王晓亮,李晋闽,李建平,胡国新,杨翠柏,肖红领,王翠梅,张小宾,冉学军. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: JP2011138993A. Автор: Kiyoshi Natsume,潔 夏目,俊介 栗原,Shunsuke Kurihara. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for preparing nano structure and thin film of molybdenum trioxide by using infrared sintering furnace

Номер патента: CN101092249B. Автор: 陈军,许宁生,邓少芝,班冬梅,余峻聪. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for removing matter sticking to thin film treating equipment

Номер патента: JPS62287063A. Автор: Yuuzou Kaniko,可児子　祐三. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-12.

Liquid phase epitaxial growth method for growing indium-arsenic-antimony thin film on gallium-arenic substrate

Номер патента: CN1783434A. Автор: 陈诺夫,陈晨龙,吴金良,彭长涛. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-06-07.

Method for manufacturing top gate TFT (thin film transistor) array substrate

Номер патента: CN103123912A. Автор: 张建华,陈龙龙,李喜峰. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-05-29.

Preparation method for nano-tungsten oxide electrochromic thin film

Номер патента: CN105366954A. Автор: 董宇航,邹友生,曾海波,窦康,王沙龙. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2016-03-02.

Czochralski method for preparing graphene transparent conducting thin films

Номер патента: CN103489532A. Автор: 张青红,李耀刚,王宏志,侯成义,沈红伟. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-01.

Method for growing high-quality ZnO thin-film material on ZnO single-crystal substrate at low temperature

Номер патента: CN104790033A. Автор: 顾然,姚峥嵘,郑有炓,叶建东,朱顺明,顾书林,汤琨,黄时敏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-22.

METHOD FOR ATOMIC-LAYER GROWING OF THIN FILMS OF CHEMICAL COMPOUNDS ON SUBSTRATES

Номер патента: RU2011121208A. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дарья Сергеевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУВПО "СГГА"). Дата публикации: 2012-11-27.

Method for manufacturing single crystal semiconductor thin film

Номер патента: JP2745055B2. Автор: 嘉一 上野,大介 小坂,俊文 浅川,敏彦 種田,春夫 中山. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-28.

Method for the preparation of thermoelectric thin film material based on the p-s note: bi on a substrate of mica

Номер патента: UA97315U. Автор: Dmytro Mykhailovych Freik,Bohdan Stepanovych Dzundza,Volodymyr Ihorovych Makovyshyn,Inna Oleksandrivna Arseniuk. Владелец: State Institution Of Higher Education “Prykarpattia Vasyl Spephanyk Nat University”. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for preparation of metal oxide thin film by aqueous solution

Номер патента: TW201021096A. Автор: Li Chang,Wei-Chi Lin. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2010-06-01.

Poly-silicon annealing structure and method for application of highly efficient thin film transistor

Номер патента: TWI243482B. Автор: Ming-Dou Ker,An Shih,Chih-Kang Deng,Tang-Kui Tseng. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-11-11.

Method for for producing a glass-crystalline materials based on pearlitic material

Номер патента: PL398641A1. Автор: Paweł Pichniarczyk,Elzbieta Zelazowska,Jozef Zawila,Sebastian Sacha,Joanna Rybicka-Łada,Marian Kwiecień,Piotr Majkrzak. Владелец: Zakład Surowców Chemicznych I Mineralnych Piotrowice Ii Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością. Дата публикации: 2013-09-30.

Method for producing thin-film resistors

Номер патента: RU2270490C1. Автор: Валентин Константинович Смолин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова. Дата публикации: 2006-02-20.

Method for producing thin-film resistor unit

Номер патента: RU2297682C1. Автор: Олег Борисович Горский,Валерий Никитович Дашко,Сергей Андреевич Кудинов,Анастаси Васильевна Панчишка,Анастасия Васильевна Панчишка. Владелец: Олег Борисович Горский. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for producing thin film resistor

Номер патента: RU2583952C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Сергей Валерьевич Симаков,Александр Борисович Колосов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2016-05-10.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING MULTILAYERED GAS-BARRIER FILM

Номер патента: US20120003500A1. Автор: . Владелец: MITSUBISHI PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE FILM

Номер патента: US20120001367A1. Автор: . Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE COMPRISING HYDROXAMIC ACID OR A SALT THEREOF AS ADDITIVE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120000533A1. Автор: Erk Peter,Reichelt Helmut,Schoeneboom Jan,PSCHIRER Neil Gregory,Eickemeyer Felix,Sens Rüdiger,BERGMANN Hermann. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing thin-wall articles or articles with inner cavity of composite material on base of carbide

Номер патента: RU2319580C2. Автор: Альмир Амирович Ганеев,Рафиль Фаритович Мамлеев,Рустам Фаритович Мамлеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МИРКОМ". Дата публикации: 2008-03-20.

Method for producing thin glass articles, and use of the method

Номер патента: MY133852A. Автор: SCHENK Christian,Bonitz Ralf,Korner Steffen,Semar Wolfgang. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2007-11-30.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-BETA-ESTER AND METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-ALPHA-METHYL ESTER

Номер патента: US20120003692A1. Автор: . Владелец: AJINOMOTO CO., INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS METAL ORGANIC MACROMOLECULES, MATERIAL OBTAINED BY SAID METHOD, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003386A1. Автор: . Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor

Номер патента: RU2263998C2. Автор: В.А. Хрусталев,М.И. Лукасевич,А.Н. Еременко,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко,С.В. Нефедьев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-11-10.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for spreading of dough strip and apparatus for performing the same (versions)

Номер патента: RU2278518C2. Автор: Николай Виленович Кученев,Олег Витальевич Воронин,Альберт Галимович Галимов. Владелец: Николай Виленович Кученев. Дата публикации: 2006-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.