Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US20190172708A1
Опубликовано: 06-06-2019
Автор(ы): Antti Niskanen, Atsuki Fukazawa, Hideaki Fukuda, Kunitoshi Namba, Noboru Takamure, Ryu Nakano, Suvi Haukka
Принадлежит: ASM International NV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for Forming SiGe Channel

Номер патента: US20240072168A1. Автор: Xinhua Cheng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240258104A1. Автор: Jung Kyun Lee,Yoon Jeong KIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for providing doped silicon using a diffusion barrier layer

Номер патента: US12125705B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph R. Abel,Gengwei Jiang,Tengfei MIAO. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing SiOF films

Номер патента: US5935649A. Автор: Satoshi Koizumi,Yukihiro Mori,Hideaki Fukuda,Masaki Yoshimaru. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for Processing Surface of Organic Isolation Film and Method of Fabricating Thin Film Transistor Substate using the same

Номер патента: KR100421480B1. Автор: 안병용. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-03-12.

Method for manufacturing a semiconductor device including a silicon oxide layer

Номер патента: JP4493295B2. Автор: 滋 欽 具,彰 原 李,盛 俊 許,敏 ▲チュル▼ 宣,宣 弼 尹. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-30.

Method for forming insulating film and for manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20030008523A1. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Takahashi,Hiroaki Uchida,Toshio Nagata,Hirotaka Mori,Katsuji Yoshida,Hidetsugu Uchida,Yoshirou Tsurugida,Akihiko Ohara,Takashi Ohsako. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming ONO top oxide in NROM structure

Номер патента: US20040228969A1. Автор: Ching Wang,Hsian Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12113115B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240363716A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon

Номер патента: US11781243B2. Автор: Qi Xie,Lucas Petersen Barbosa Lima,Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-10.

METHOD FOR FORMING AND USING STRESS-TUNED SILICON OXIDE FILMS IN SEMICONDUCTOR DEVICE PATTERNING

Номер патента: US20200152473A1. Автор: deVilliers Anton,Leusink Gerrit J.,Tapily Kandabara N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5928428A. Автор: Yasuhiko Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method for manufacturing crystalline dielectric film,crystalline dielectric film manufactured thereby and thin film capacitor having the same

Номер патента: US20060276050A1. Автор: Sung Lim,Hyoung Kang,Won Song,Yul Chung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Method for making a novel graded silicon nitride/silicon oxide (SNO) hard mask for improved deep sub-micrometer semiconductor processing

Номер патента: US6429538B1. Автор: Shih-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for Forming Mixed Substrate

Номер патента: US20240186140A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20240234142A9. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using uv curing in ammonia

Номер патента: US20140020259A1. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia

Номер патента: TW201120239A. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for repairing oxide thin film and oxide thin-film device

Номер патента: US09978592B2. Автор: Hyun Jae Kim,Seokhyun Yoon,Young Jun TAK,Si Joon Kim. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsi University. Дата публикации: 2018-05-22.

Low Temperature Poly-Silicon Thin Film, Method for Making The Thin Film, and Transistor Made from The Thin Film

Номер патента: US20150194310A1. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Low temperature poly-silicon thin film, method for making the thin film, and transistor made from the thin film

Номер патента: US9209025B2. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3241239A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yucheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-08.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US20170005115A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for producing thin film

Номер патента: US20020187649A1. Автор: Takayuki Abe,Naoki Nakamura,Naomi Fukumaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US09887213B2. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

System and method for sputtering silicon films using hydrogen gas mixtures

Номер патента: US20020171122A1. Автор: Apostolos Voutsas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

Simultaneous deposit and etch method for forming a void-free and gap-filling insulator layer upon a patterned substrate layer

Номер патента: US5858876A. Автор: Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Metal oxide thin film, method of producing same, and coating solution for forming metal oxide thin film used in said method

Номер патента: US09779938B2. Автор: Makoto Kikuchi,Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Method of controlling electric conductivity of metal oxide thin film and thin film transistor including the metal oxide film having the controlled electric conductivity

Номер патента: US10217871B2. Автор: Jin Seo Kim,Sang Yeon Lee,Hyungtak Seo. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2019-02-26.

Crystalline multilayer oxide thin films structure in semiconductor device

Номер патента: US20190148482A1. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Metal thin film and semiconductor comprising a metal thin film

Номер патента: US7419920B2. Автор: Toshihide Nabatame,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

System for displaying image and laser annealing method for ltps

Номер патента: US20070285592A1. Автор: Yoshihiro Morimoto,Ryan Lee,Hanson Liu. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180082839A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for Growing Very Thick Thermal Local Silicon Oxide Structures and Silicon Oxide embedded Spiral Inductors

Номер патента: US20200105860A1. Автор: Osman Ersed Akcasu. Владелец: Nanohenry Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and electronic apparatus

Номер патента: US09991294B2. Автор: Tuo Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Process for forming silicon oxide film

Номер патента: US5314724A. Автор: Hatanaka Masanobu,Yuji Furumura,Atuhiro Tsukune. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1994-05-24.

A semiconductor device having fluorine doped silicon oxide films

Номер патента: GB2357902A. Автор: Tatsuya Usami,Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200277700A1. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-09-03.

Thin film transistor including a compositionally-modulated active region and methods for forming the same

Номер патента: US20240274723A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Po-Ting Lin,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US11649545B2. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Low metallic impurity sio based thin film dielectrics on semiconductor substrates using a room temperature wet chemical growth process, method and applications thereof

Номер патента: WO2003003438A1. Автор: Horia M. Faur,Maria Faur,Mircea Faur. Владелец: Nanodielectrics Corporation. Дата публикации: 2003-01-09.

Method and Apparatus for Forming Boron-Doped Silicon Germanium Film, and Storage Medium

Номер патента: US20170287914A1. Автор: Mitsuhiro Okada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for depositing phosphorus containing silicon layer

Номер патента: US20240213022A1. Автор: Rami KHAZAKA,Gregory Deye,Brendan Marozas. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Crystalline oxide thin film, method for producing same, thin film transistor, and method for producing same

Номер патента: EP4418309A1. Автор: Koji Yamaguchi,Kazuyoshi Inoue,Yuki Tsuruma,Emi Kawashima. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Thin film resistor methods of making contacts

Номер патента: US20180254315A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Kemao LIN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Method for forming a hard mask for gate electrode patterning and corresponding device

Номер патента: US20060081917A1. Автор: Chien-Hao Chen,Tze-Liang Lee,Shih-Chang Chen,Chao-Cheng Chen,Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for in situ preparation of antimony-doped silicon and silicon germanium films

Номер патента: US11800716B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for preparing light absorption layer of copper-indium-gallium-sulfur-selenium thin film solar cells

Номер патента: US20110008927A1. Автор: Fuqiang Huang,Yaoming Wang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for preparing light absorption layer of copper-indium-gallium-sulfur-selenium thin film solar cells

Номер патента: US9735297B2. Автор: Fuqiang Huang,Yaoming Wang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2017-08-15.

A Method for Preparing Light Absorption Layer of copper-indium-gallium-sulfur-selenium Thin Film Solar Cells

Номер патента: KR101633388B1. Автор: 푸창 황,야오밍 왕. Владелец: 상하이 인스티튜트 오브 세라믹스 차이니즈 아카데미 오브 사이언시즈. Дата публикации: 2016-06-24.

Controlled growth of thin silicon oxide film at low temperature

Номер патента: US20190189435A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kurtis LESCHKIES,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for forming thin film and apparatus for processing substrate therefor

Номер патента: US20240290586A1. Автор: Jae Hun Lee,Jeong Jun Lee,Kyoung Pil NA,Yu Deuk Kim,Jae Gab LIM,Gun Hee CHO. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High modulus carbon doped silicon oxide film for mold stack scaling solutions in advanced memory applications

Номер патента: WO2023225132A1. Автор: Pramod Subramonium,Kapu Sirish Reddy,Soumana Hamma,Malay Milan SAMANTARAY,Ananda K. Banerji,Katherine Elizabeth HAYNES. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Precursors and methods for preparing silicon-containing films

Номер патента: US12071688B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Sangjin Lee,Soojin Lee,Sungsil CHO,Seobong CHANG,Jae Eon Park,Dahye Kim. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Manganese oxide thin film and oxide laminate

Номер патента: US20140374749A1. Автор: Yasushi Ogimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of growing oxide thin films

Номер патента: US20040065253A1. Автор: Suvi Haukka,Eva Tois,Marko Tuominen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Integrated circuits and methods for forming thin film crystal layers

Номер патента: US20200194376A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Crystalline oxide thin film, laminate, and thin-film transistor

Номер патента: EP4418330A1. Автор: Koji Yamaguchi,Nobuhiro Iwase,Daichi Sasaki,Yuki Tsuruma,Emi Kawashima. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Methods for producing a thin film ferroelectric device using a two-step temperature process

Номер патента: EP3192099A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-07-19.

Method for producing a thin film made of lead zirconate titanate

Номер патента: US09960344B2. Автор: Carsten Giebeler,Neil Conway. Владелец: Pyreos Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming thin film layers by simultaneous doping and sintering

Номер патента: EP1483784A2. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-12-08.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20160197008A1. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Hiroshi Fujisawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US09865497B2. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Hiroshi Fujisawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232503A1. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6825128B2. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Method For Making a Thin-Film Structure and Resulting Thin-Film Structure

Номер патента: US20080290471A1. Автор: Joel Eymery,Pascal Pochet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for making a thin-film structure and resulting thin-film structure

Номер патента: US8461031B2. Автор: Joel Eymery,Pascal Pochet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180062068A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Vertical Thin-Film Transistor with Enhanced Gate Oxide

Номер патента: US20080224205A1. Автор: John W. Hartzell,Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Microcrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: US20090200552A1. Автор: Soo Young Choi,Tae Kyung Won,Beom Soo Park,Dong Kil Yim,Jriyan Jerry Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Metal-organic pulsed laser deposition for stoichiometric complex oxide thin films

Номер патента: US20200234953A1. Автор: Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-07-23.

Metal-organic pulsed laser deposition for stoichiometric complex oxide thin films

Номер патента: US20220367184A1. Автор: Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-11-17.

Metal-organic pulsed laser deposition for stoichiometric complex oxide thin films

Номер патента: US20200365403A1. Автор: Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-11-19.

Metal-organic pulsed laser deposition for stoichiometric complex oxide thin films

Номер патента: US11749527B2. Автор: Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-05.

Metal-organic pulsed laser deposition for stoichiometric complex oxide thin films

Номер патента: US11437234B2. Автор: Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-06.

Metal-organic pulsed laser deposition for stoichiometric complex oxide thin films

Номер патента: US10796907B2. Автор: Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-06.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Thin film optoelectronic devices using delafossite type metal oxides and methods of their fabrication

Номер патента: WO2015198321A1. Автор: Stelios A. Choulis,Savva ACHILLEAS. Владелец: Reinhold Cohn And Partners. Дата публикации: 2015-12-30.

Method for forming heteroepitaxial film

Номер патента: EP4414483A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Junya Ishizaki,Toshiki Matsubara,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Electrically insulating crosslinked thin-film-forming organic resin composition and method for forming thin film therefrom

Номер патента: US20010026847A1. Автор: Takashi Nakamura,Katsutoshi Mine,Akihiko Kobayashi,Kiyotaka Sawa. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for forming an absorber layer of a thin film solar cell

Номер патента: US8569101B2. Автор: Tadahiro Kubota,Daisuke Okamura,Katustoshi Nosaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method

Номер патента: US20110287575A1. Автор: Howard W.H. Lee. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method

Номер патента: US20110277837A1. Автор: Howard W.H. Lee. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2011-11-17.

Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method

Номер патента: US20110287574A1. Автор: Howard W.H. Lee. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Oxide thin film and oxide thin film device

Номер патента: US20100090214A1. Автор: Masashi Kawasaki,Kentaro Tamura,Hiroyuki Yuji,Ken Nakahara,Atsushi Tsukazaki,Shunsuke Akasaka,Akira Ohtomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US09812300B2. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing self-sustained thin films

Номер патента: RU2767034C2. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2022-03-16.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for forming a Si film, Si film and solar battery

Номер патента: US20050034756A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kozo Fujiwara,Toru Ujihara,Noritaka Usami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method for manufacturing sic substrate

Номер патента: US20240332012A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming crystalline semiconductor film and apparatus for forming the same

Номер патента: US6987036B2. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

Method for manufacturing a poly-crystal silicon photovoltaic device using horizontal metal induced crystallization

Номер патента: WO2008084974A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Synthesis of metal oxide thin films

Номер патента: WO1994023846A1. Автор: Arthur H. Heuer,Mark R. DeGuire,Chaim N. Sukenik. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-10-27.

Solution-based deposition method for preparing semiconducting thin films via dispersed particle self-assembly at a liquid-liquid interface

Номер патента: US12040185B2. Автор: Sachin KINGE,Hannah Johnson,Kevin SIVULA,Rebekah Anne WELLS. Владелец: Toyota Motor Europe NV SA. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for doping carbon in thin film on wafer

Номер патента: EP4455376A1. Автор: Sung Kil Cho. Владелец: HPSP Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for forming a vertical edge submicron through-hole and a thin film sample with this kind of through-hole

Номер патента: US20020081507A1. Автор: Takashi Kaito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for heat treatment of boron-doped silicon wafer

Номер патента: JP4822582B2. Автор: 弘 古川,裕司 佐藤,史朗 芳野,博行 松山. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Silicon oxidation method

Номер патента: US20040262682A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for manufacture of fully self-aligned tri-layer a-Si:H thin film transistors

Номер патента: US6566172B1. Автор: Daniel B. Thomasson,Thomas N. Jackson. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2003-05-20.

Method for creating barriers to metal contamination in silicon oxides

Номер патента: US20040121550A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for forming photoresist pattern and manufacturing method of magnetoresistive effect thin-film magnetic head

Номер патента: US20020055264A1. Автор: Noriyuki Ito,Koichi Terunuma,Satoshi Tsukiyama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

A method for evaluating the quality of a laminate for evaluation of a thin film transistor, And quality management method of oxide semiconductor film

Номер патента: TWI652749B. Автор: 林和志,川上信之,三木綾. Владелец: 神戶製鋼所股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-01.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

LTPS TFT Having Dual Gate Structure and Method for Forming LTPS TFT

Номер патента: US20160133473A1. Автор: Peng Du,Bo Sun,Xiaoxiao Wang,Hsiang Chih Hsiao,Chang-I Su,Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for manufacturing a thin-film transistor

Номер патента: RU2749493C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Аюб Рамзанович Умаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-06-11.

Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method

Номер патента: US20120270383A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Kanta Abe,Takashi Ienaga,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

A method for forming rectangular-shape spacers for semiconductor devices

Номер патента: WO2005069362A1. Автор: Huicai Zhong,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for forming doped p-type gate with anti-reflection layer

Номер патента: US6365468B1. Автор: Tony Lin,Chih-Yung Lin,Wen-Kuan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184017A1. Автор: Wei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US20170104081A1. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-13.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for preparing titanium-aluminum alloy thin film

Номер патента: US09954071B2. Автор: Chao Zhao,Yuqiang DING,Jinjuan Xiang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for storing silicon substrate having silicon oxide film formed thereon

Номер патента: US20060207688A1. Автор: Toshiyuki Fujimoto,Shingo Ichimura,Akira Kurokawa,Hidehiko Nonaka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for manufacturing conductive wafer, thin plate sintered body, ceramic substrate for thin film magnetic head, and method for processing conductive wafer

Номер патента: JP3048139B2. Автор: 誠 福田,正則 竹馬. Владелец: Sumitomo Special Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-05.

Slurry composition and method for polishing copper layer, silicon layer and silicon oxide layer

Номер патента: KR101955391B1. Автор: 김대환,박종대,김택래,김재현. Владелец: 주식회사 동진쎄미켐. Дата публикации: 2019-03-08.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20130102126A1. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09905434B2. Автор: Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin-film transistor and method for forming the same

Номер патента: US09899534B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917197B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Kojiro SHIRAISHI,Takafumi Mizoguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20140020259A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Varadarajan Bhadri N.. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Method for increasing efficiency of doping and changing conductivity type of amorphous hydrogenated silicon slightly doped with acceptor impurities

Номер патента: RU2660220C2. Автор: Денис Михайлович Жигунов,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Георгиевич Казанский,Павел Анатольевич Форш. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal

Номер патента: US7157354B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for thin film lift-off processes using lateral extended etching masks and device

Номер патента: EP1384265A1. Автор: David G. Lishan. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2004-01-28.

Method for producing bonded wafer

Номер патента: US8691665B2. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Masahiro Kato,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-08.

Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes

Номер патента: US20090239363A1. Автор: Wenya Fan,De-Ling Zhou,Roger Yu-Kwan Leung. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Composition and method for forming a doped oxide film

Номер патента: US4152286A. Автор: Terry L. Brewer,Carol A. Crosson,Robert F. Aycock. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-05-01.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US20220320449A1. Автор: Lizhong Wang,Yupeng Gao,Tianmin Zhou,Ning DANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Thin film transistor, method for manufacturing thereof and display device

Номер патента: US20210210529A1. Автор: WEI YANG,Lizhong Wang,Tianmin Zhou,Xiaming ZHU,Jipeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US12041795B2. Автор: Lizhong Wang,Yupeng Gao,Tianmin Zhou,Ning DANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device

Номер патента: KR101137797B1. Автор: 순페이 야마자키,카오리 오기타,미호 코모리,유리카 사토우,카즈에 호소키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2012-04-20.

Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device

Номер патента: KR20070001093A. Автор: 순페이 야마자키,카오리 오기타,미호 코모리,유리카 사토우,카즈에 호소키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2007-01-03.

Metal silicide, metal germanide, methods for making the same

Номер патента: US20160035852A1. Автор: Tom E. Blomberg,Suvi P. Haukka,Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for producing thin film transistor and thin film transistor

Номер патента: US20180061643A1. Автор: Kazuto Nakamura,Yoshihiro Sakata,Ryomei Omote,Hirotaka Shigeno,Hideaki Nada,Hayato NAKAYA. Владелец: Nissha Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming thin film on basic material through intermediate layer

Номер патента: EP1557485A4. Автор: Katsuya Hasegawa,Teruo Izumi,Yuh Shiohara,Tsukasa Hirayama,Yoshihiro Sugawara,Fumiyasu Oba,Yuichi Ikuhara. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2007-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for dielectric material removal between conductive lines

Номер патента: US20100248485A1. Автор: Kenji Takeshita,Stephen M. Sirard,Mayumi Block,Robert C. Hefty. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for forming thin film

Номер патента: US20230260794A1. Автор: Young Woon Kim,Il Hyong CHO. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming a polysilicon thin film layer

Номер патента: US20090127557A1. Автор: Shan-Hung Tsai,Tsung-Yen LIN,Ho-Hsuan Lin,Wen-Tseng Cheng. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Ruthenium compound, raw material for forming thin film, and method for producing thin film

Номер патента: US11760771B2. Автор: Masaki Enzu,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for improving local interconnects of multi-level interconnects process

Номер патента: US20020072224A1. Автор: Jui-Tsen Huang,Michael Wc Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US12091748B2. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming thin film

Номер патента: US20210087683A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Alloy thin films exhibiting perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20180166628A1. Автор: Young Keun Kim,Yong Jin Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220068656A1. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Raw material for chemical deposition containing organoruthenium compound, and chemical deposition method for ruthenium thin film or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20240060176A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Yuki Mori,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Subhabrata Das. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity

Номер патента: RU2657096C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Валерий Николаевич Гусев,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ). Дата публикации: 2018-06-08.

Method for reducing the range in resistivities of semiconductor crystalline sheets grown in a multi-lane furnace

Номер патента: EP2643847A2. Автор: Weidong Huang,Scott Reitsma,Christine Richardson,Brian D. Kernan,Gary J. Tarnowski. Владелец: Evergreen Solar Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method for reducing the range in resistivities of semiconductor crystalline sheets grown in a multi-lane furnace

Номер патента: WO2012071341A2. Автор: Weidong Huang,Scott Reitsma,Christine Richardson,Brian D. Kernan,Gary J. Tarnowski. Владелец: EVERGREEN SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for growing thin film

Номер патента: US20090324824A1. Автор: Suyoun Lee,Jeung-Hyun Jeong,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Kyeong Seok Lee,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-12-31.

Negative electrode material for secondary battery having lithium-doped silicon-silicon oxide composite

Номер патента: US8753774B2. Автор: Nobuo Kawada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-17.

Oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4345909A1. Автор: Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US12013619B2. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US20210018780A1. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Manufacturing method for array substrate and liquid crystal display device

Номер патента: US20190371832A1. Автор: Hongyuan Xu,Maoxia ZHU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

A method for forming a low temperature polysilicon complementary metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: TW200421620A. Автор: Kun-Hong Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-10-16.

Display panel including storage capacitor and method for manufacturing same

Номер патента: US11877475B2. Автор: Chuanbao LUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Display apparatus comprising different types of thin film transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210193045A1. Автор: Yongseok Park,Jeongsuk YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidifcation

Номер патента: CN1387675A. Автор: J·S·艾姆,R·S·斯波茜里,M·A·克劳德尔. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2002-12-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SCREEN TYPE FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE COMPRISING A PLURALITY OF THIN FILM COMPONENTS

Номер патента: FR2893750B1. Автор: Cioccio Lea Di,Hubert Moriceau,Bruno Mourey,Francois Templier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-03-14.

Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidification

Номер патента: EP1212784A1. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2002-06-12.

Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidification

Номер патента: US20030096489A1. Автор: James Im,Mark Crowder,Robert Sposili. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Method for manufacturing molybdenum oxide-containing thin film

Номер патента: US09881796B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Ternary tungsten boride nitride films and methods for forming same

Номер патента: US09969622B2. Автор: Wei Lei,Juwen Gao. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

"A method for forming and trimming a film component on an IC wafer"

Номер патента: IE61940B1. Автор: Andrew David Bain,William Allan Lane,Dwyer Thomas Gerard O,Eamonn Gerard Ryan,Thomas Gerard Collery. Владелец: Analog Res & Dev Ltd. Дата публикации: 1994-11-30.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Through-silicon-via structure and method for preparing same, through-silicon-via interconnection structure and method for preparing same, and electronic device

Номер патента: US20230197572A1. Автор: Xiaowei Li,Weiwen Zheng,Dengfeng Li,Wenlong Zhang,Kanglin Xiong,Kunliang BU,Jiagui FENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Encapsulating thin film, production method thereof, and method for encapsulating display panel

Номер патента: US20190165307A1. Автор: Yang Xu,Tao Jin,Jianhui Zhang,Yong Cui,Biao TIAN,Tianfeng Pan,Jieshu Wu,Lihao ZHAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for transferring thin film

Номер патента: US20210118726A1. Автор: Jie Li,Qing Gan. Владелец: SHENYANG SILICON TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Metal thin film substrate, transparent display comprising same, method for patterning metal thin film substrate, and method for manufacturing transparent display

Номер патента: US20240286382A1. Автор: Cheol-Hun Lee,Jun-Gu Lee,Sung-Jin Noh,Ki-Joon Park. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Composition for forming doped or non-doped zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film using same

Номер патента: KR101743308B1. Автор: 코이치로 이나바,코우지 토요타,켄이치 하가,코우이치 토쿠도메. Владелец: 토소 화인켐 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-06-02.

Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices

Номер патента: US09793435B2. Автор: Shuji Nakamura,Arpan Chakraborty,Steven P. DenBaars,Rajat Sharma,James S. Speck,Benjamin A. Haskell,Umesh K. Mishra,Troy J. Baker,P. Morgan Pattison,Robert M. Farrell, Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-10-17.

Silver nano-twinned thin film structure and method for forming the same

Номер патента: US20210225793A1. Автор: Hsing-Hua TSAI,An-Chi CHUANG,Po-Ching Wu,Chung-Hsin CHOU. Владелец: AG Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Silver nano-twinned thin film structure and method for forming the same

Номер патента: US11488920B2. Автор: Hsing-Hua TSAI,An-Chi CHUANG,Po-Ching Wu,Chung-Hsin CHOU. Владелец: AG Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Method for fabricating substrate

Номер патента: US20170133280A1. Автор: Jung-Sub Lee,Young-Jin Noh,Sung-Mo Gu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Ink for forming functional layer, method of manufacturing ink for forming functional layer, and method of manufacturing organic electro-luminescence element

Номер патента: US20170338413A1. Автор: MASAHIRO Uchida,TAKUYA Sonoyama,KOJI Imamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Ink for forming functional layer, method of manufacturing ink for forming functional layer, and method of manufacturing organic electro-luminescence element

Номер патента: US10522758B2. Автор: MASAHIRO Uchida,TAKUYA Sonoyama,KOJI Imamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Ink for forming functional layer, method of manufacturing ink for forming functional layer, and method of manufacturing organic electro-luminescence element

Номер патента: US9825225B2. Автор: MASAHIRO Uchida,TAKUYA Sonoyama,KOJI Imamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Array substrate, display panel, display device and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US20210098509A1. Автор: Jujian Fu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for the activation of cdte thin films for the application in cdte/cds type thin film solar cells

Номер патента: EP2489077A1. Автор: Alessio Bosio,Alessandro Romeo,Nicola Romeo. Владелец: ARENDI SpA. Дата публикации: 2012-08-22.

Organic thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US9219238B2. Автор: Xuehui Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Cdte based thin film solar cell device with diffusion barrier layer and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024077583A1. Автор: SHOU PENG,Marko Swoboda,Xinjian Yin,Ganhua FU,Liyun MA,Robert Arndt. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

METHOD FOR FORMING RF-PROPERTIES-OPTIMIZED COMPOSITIONS OF (RE) Ba2Cu3O7-delta THIN FILM SUPERCONDUCTORS

Номер патента: US20160218269A1. Автор: Moeckly Brian,GLIANTSEV VIKTOR,PENG SHING-JEN,WILLEMSEN BALAM. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films

Номер патента: US5385862A. Автор: Theodore D. Moustakas. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1995-01-31.

COMPOSITION CONTAINING ORGANIC SEMICONDUCTOR, SOLUTION FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20220059768A1. Автор: Mori Takahiro,Fukuda Takashi. Владелец: TOSOH CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for light amplific ation by using hybrid structures of graphene/semiconductor thin film

Номер патента: KR101121735B1. Автор: 황성원,최석호,신동희. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for manufacturing semiconductor device with pixel electrode over gate electrode of thin film transistor

Номер патента: US8895333B2. Автор: Saishi Fujikawa,Yoko Chiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: US09911771B2. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Oxide thin film transistor including photocatalyst layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230253505A1. Автор: Hyun Jae Kim,Sujin JUNG,Dong Hyun Choi,Jong Bin An,Kunho Moon,Jong Hyuk Ahn,I Sak Lee. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-10.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Flat Panel Display Device with Oxide Thin Film Transistors and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150079732A1. Автор: Ji Eun Chae,Tae Keun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Insulated gate field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: US20020048868A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Thin film transistor device, method for manufacturing same and display device

Номер патента: US09893088B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Oxide thin film transistor and method for driving the same, display device

Номер патента: US12107089B2. Автор: Huibin Guo,Xibin Shao,Yanping Liao. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US20160133729A1. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

LTPS array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09893097B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US9960260B2. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020153567A1. Автор: Ryoji Oritsuki,Kiyoshi Ogata,Yasushi Nakano,Kazuhiko Horikoshi,Toshihiko Itoga,Miwako Nakahara,Takuo Tamura,Takahiro Kamo. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Precursor solution of indium gallium zinc oxide film and method of manufacturing indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: US12040408B2. Автор: Hang Zhou,Hejing Sun,Hengda Qiu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09947796B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Method for preparing array substrate, array substrate and display panel

Номер патента: US20210111200A1. Автор: ZHI Wang,Chao Li,Guangcai Yuan,Jianhua Du,Feng Guan,Zhaohui QIANG,Yupeng Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for preparing array substrate

Номер патента: US11251207B2. Автор: ZHI Wang,Chao Li,Guangcai Yuan,Jianhua Du,Feng Guan,Zhaohui QIANG,Yupeng Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Layer-stacked wiring and method for manufacturing same and semiconductor device using same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070221922A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Vertical thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US10361314B2. Автор: Chin-Rung Yan. Владелец: INT Tech Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: US20150236062A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: WO2014011607A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US6387738B2. Автор: Hye-dong Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same array substrate and display device

Номер патента: US20180294361A1. Автор: Xianxue Duan,Hui An,Dezhi Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: EP2873097A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Oxide thin-film transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210359133A1. Автор: Ming-Jiue Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Mask Plate, Manufacturing Method of Patterned Film Layer and Manufacturing Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20210232043A1. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Ling Han,Xinyang TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Color film substrate, touch display and method for manufacturing the color film substrate

Номер патента: US09887292B2. Автор: Fengjuan LIU,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming high-k charge storage device

Номер патента: SG144931A1. Автор: HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Inverter empolying thin-film trasistor fabricated by adjusting silicon content and method for manufacturing same

Номер патента: US20210376161A1. Автор: Sang Yeol LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Cheongju University. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for forming tunnel oxide film of flash memory

Номер патента: US20030027388A1. Автор: Chin-Ta Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors

Номер патента: US09818765B2. Автор: Hiroshi Osawa,Shih Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method for electronic device

Номер патента: US20200266381A1. Автор: Hiroshi Kita,Yoshiyuki Suzuri,Hideo Taka,Yukihiro MAKISHIMA,Lina YOSHIDA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and device for manufacturing semiconductor using said method for managing quality

Номер патента: US20190122941A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Array substrate, display panel, display apparatus, and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US20190165004A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu,Jujian Fu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Piezoelectric thin-film based flexible sensing device, method for fabrication thereof and method for operating the same

Номер патента: US09972723B2. Автор: Irfan Saadat,Mahmoud Al Ahmad,Taryam Al Shamsi. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2018-05-15.

Imaging panel and method for producing same

Номер патента: US20200127055A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Active matrix oled display with normally-on thin-film transistors

Номер патента: US20180308432A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20120012839A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Yong-Yub Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Thin film storage transistor with silicon oxide nitride charge trapping layer

Номер патента: US20220392529A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130099290A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masahiro Fujiwara,Tsuyoshi Itoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Array substrate, method for fabricating same, and display device

Номер патента: US20230163146A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20190386030A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD FOR FORMING LaNiO3 THIN FILM

Номер патента: US20170095835A1. Автор: Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Low-cost solar cells and methods for their production

Номер патента: EP2208238A1. Автор: SINHA Ashok. Владелец: SUNPREME Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Silicon material surface etching for large polysilicon thin film deposition and stracture

Номер патента: US20100126576A1. Автор: Jian Zhong Yuan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for producing thin film electrodes

Номер патента: US20130071670A1. Автор: Manoj Narayanan,Uthamalingam Balachandran,Beihai Ma,Stephen Dorris. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for producing thin film electrodes

Номер патента: US9359223B2. Автор: Manoj Narayanan,Uthamalingam Balachandran,Beihai Ma,Stephen Dorris. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

Methods for producing thin film charge selective transport layers

Номер патента: US09859515B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott Ryan HAMMOND,Dana C. Olson. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for surface treatment

Номер патента: US9023741B2. Автор: Xianghua Wang,Ze Liu,Xianfeng Xiong,Longzhen QIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Methods for forming microwave tunable composited thin-film dielectric layer

Номер патента: US12048948B2. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yue Cui,Yueh Sheng Ow,Felix Deng,Nuno Yen-Chu Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices

Номер патента: US09797041B2. Автор: Chieh Chen. Владелец: MAVEN Optronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Copper compound, starting material for forming thin film, and method for manufacturing thin film

Номер патента: US09994593B2. Автор: Atsushi Sakurai,Akihiro Nishida,Makoto Okabe,Masaki Enzu,Tomoharu Yoshino. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for fabricating ultra-low density three-dimensional thin film structure based on photo-lithography

Номер патента: US09878472B2. Автор: Ki Ju Kang,Min Geun Lee,Seung Cheul HAN. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-30.

Nanocrystalline layers based on low annealing point titanium dioxide for use in dye-sensitised solar cells and methods for production thereof

Номер патента: RU2569086C2. Автор: Наталья Владимировна Голубко,Дмитрий Юльевич Годовский,Дзаечол ЛИ,Мин-Чжон ЛИ,Юлианна Еремеевна Рогинская,Анастасия Евгеньевна Озимова. Владелец: Эл Джи Кем, Лтд.. Дата публикации: 2015-11-20.

Rapid thermal method and device for thin film tandem cell

Номер патента: US20110244623A1. Автор: Howard W.H. Lee. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Thin-film photoelectric conversion device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150221802A1. Автор: Kenji Yamamoto,Tomomi Meguro. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Inorganic oxide thin film and method for preparing the same

Номер патента: US9070903B2. Автор: Dong Chan Kim,Won Jong Kim,Dong Kyu Seo,Young Woo Song,Eung Do Kim,Kyu Hwan Hwang,Jong Hyuk Lee,Seok Gyu Yoon,Bo Ra JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Inorganic oxide thin film and method for preparing the same

Номер патента: US20140339511A1. Автор: Dong Chan Kim,Won Jong Kim,Dong Kyu Seo,Young Woo Song,Eung Do Kim,Kyu Hwan Hwang,Jong Hyuk Lee,Seok Gyu Yoon,Bo Ra JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Solid-state imaging device and method for producing the same

Номер патента: US20090075417A1. Автор: Maki Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for depositing silicon feedstock material, silicon wafer, solar cell and PV module

Номер патента: US10392725B2. Автор: Frank Asbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-27.

Substrate, Color Filter Module, Method for Forming Substrate Module and Display Device

Номер патента: US20170153365A1. Автор: Tao Luo,Wen Xiao,Tao Tang,Zhiyong Zhang,Qingde LONG,Xuejie BAI,Zerong Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for depositing a multi-layer moisture barrier on electronic devices and electronic devices protected by a multi-layer moisture barrier

Номер патента: US09831466B2. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Preparation method for solar cell and solar cell

Номер патента: AU2022454233A1. Автор: Jianbin Fan,Guoqiang Xing,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin film structure for micro-bolometer and method for fabricating the same

Номер патента: US20190316968A1. Автор: Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jeong Min BAIK,Ki-suk Lee,Seung Hyub BAEK,Tae Hyeon KIL. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for producing chalcopyrite compound thin films for solar cells using multi-stage paste coating

Номер патента: US20140070347A1. Автор: Byoung Koun Min,Yun Jeong HWANG,Hee Sang An. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-03-13.

Piezoelectric thin film structure and angular velocity detection apparatus

Номер патента: US8978469B2. Автор: Mizuho Okada,Nobuhisa Yamashita,Masaki Takaoka,Daisuke Kaminishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20170338021A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-23.

Beta tungsten thin films with giant spin hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US10157633B2. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-18.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20190139568A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-09.

Thin film transistor manufacturing method and organic electroluminescent display device

Номер патента: US20060108938A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for controlling an increase in conductivity of a polymer thin-film to provide a conductive film

Номер патента: US09825226B2. Автор: Sun Jin Yun,Changbong YEON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-21.

Electrode matrix, method for manufacturing it and device for processing and/or storing data

Номер патента: RU2275697C2. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for the manufacturing of thin film photovoltaic converter device

Номер патента: WO2010139698A3. Автор: Markus Kupich. Владелец: OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH. Дата публикации: 2011-02-03.

Display device, method for forming a pattern and method for manufacturing display device

Номер патента: US20220229322A1. Автор: Sang Gab Kim,Sung Won Cho,Yu-gwang Jeong,Seon-Il Kim,Su Bin Bae,Dae Won Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Display device, method for forming a pattern and method for manufacturing display device

Номер патента: US11320712B2. Автор: Sang Gab Kim,Sung Won Cho,Yu-gwang Jeong,Seon-Il Kim,Su Bin Bae,Dae Won Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

Display device, method for forming a pattern and method for manufacturing display device

Номер патента: US11740526B2. Автор: Sang Gab Kim,Sung Won Cho,Yu-gwang Jeong,Seon-Il Kim,Su Bin Bae,Dae Won Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Display device, method for forming a pattern and method for manufacturing display device

Номер патента: US20210132424A1. Автор: Sang Gab Kim,Sung Won Cho,Yu-gwang Jeong,Seon-Il Kim,Su Bin Bae,Dae Won Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for Forming Doped Epitaxial Layer of Contact Image Sensor

Номер патента: US20220069145A1. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming doped epitaxial layer of contact image sensor

Номер патента: US11508859B2. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Method for producing modules of thin film photovoltaic cells in a roll-to-roll process and apparatus configured for using such a method

Номер патента: US20200266317A1. Автор: Johan Bosman. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-08-20.

Monolithic silicon pixel detector, and systems and methods for particle detection

Номер патента: US20190280042A1. Автор: Hans Von Känel. Владелец: G-ray Industries SA. Дата публикации: 2019-09-12.

Apparatus and method for performance recovery of laminated photovoltaic module

Номер патента: US20150270431A1. Автор: Joseph Anderson,Robert D. Wieting,Chester A. Farris, III,Laila Dounas,Todd G. Brehmer,James Henry Whittemore, IV. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for manufacturing fingerprint identification modules

Номер патента: US9824255B2. Автор: Juan Wang. Владелец: Miics and Partners Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Multilayer back electrode for a photovoltaic thin-film solar cell and use thereof for manufacturing thin-film solar cells and modules, photovoltaic thin-film solar cells and modules containing the multilayer back electrode and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20150114446A1. Автор: Volker Probst. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for manufacturing a monolithic silicon wafer comprising multiple vertical junctions

Номер патента: US09905716B2. Автор: Eric Pilat,Nicolas Chaintreuil,Jean-Paul Garandet,Annalaura Fasiello,Yannick Veschetti. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-27.

Organic thin film transistor, method for manufacturing the same and method for recoverying insulation thereof

Номер патента: US09865830B2. Автор: Myung-Han Yoon,Eui Tae Kim,Kookheon Char,Jae-Hyuk Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

TOPCon cell, method for manufacturing the same, and electrical device

Номер патента: AU2022331906B2. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Yu He,Fan Zhou,Guoqiang Xing,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for manufacturing a thin-layer photovoltaic device, in particular for solar glazing

Номер патента: US20150287859A1. Автор: Ivan Jager,Pierre-Yves Thoulon,Marc Ricci. Владелец: CROSSLUX. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for producing a thin-film stack that can be disbonded from its substrate

Номер патента: US20170170359A1. Автор: Brendan Dunne,Stephanie Angle. Владелец: Nexcis SAS. Дата публикации: 2017-06-15.

Organic electro-luminescence display device and method for fabricating the same

Номер патента: US8957574B2. Автор: Jae-Young Lee,Tae-Yeon YOO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-17.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Solar cell module with anti-glare film and method for manufacturing same, anti-glare film for solar cell modules and method for manufacturing same, and coating solution for forming anti-glare film

Номер патента: US09929286B2. Автор: Kazuhiro Shimizu,Takeyoshi Takahashi,Naoto Iitsuka. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09881941B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing a thin film cell arrangement

Номер патента: US09865755B2. Автор: Birger Zimmermann,Hans-Frieder Schleiermacher,Sebastian Schiefer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a thin film consisting of a colloidal crystal infiltrated with the luminescent MDMO-PPV polymer made of silica (SiO2) spheres, having a face-centered cubic system (FCC)

Номер патента: US09859497B2. Автор: Juan Carlos SALCEDO REYES,Henry Alberto MÉNDEZ PINZÓN,Luis Camilo Jiménez Borrego. Владелец: PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin-film silicon tandem cell

Номер патента: EP2380206A2. Автор: Julien Bailat,Castens Lucie. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2011-10-26.

Thin-film silicon tandem cell

Номер патента: WO2010081902A3. Автор: Julien Bailat,Castens Lucie. Владелец: OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH. Дата публикации: 2011-06-23.

Thin-film silicon tandem cell

Номер патента: WO2010081902A2. Автор: Julien Bailat,Castens Lucie. Владелец: OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH. Дата публикации: 2010-07-22.

Highly epitaxial thin films for high temperature/highly sensitive chemical sensors for critical and reducing environment

Номер патента: US20130177995A1. Автор: Jian Liu,Chonglin Chen. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for manufacturing stacked thin film, method for manufacturing solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: WO2022201591A1. Автор: Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Yuya Honishi,Taro Asakura. Владелец: TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2022-09-29.

Method and Apparatus for Forming Oriented Nanowire Material and Method for Forming Conductive Structure

Номер патента: US20150380131A1. Автор: Feng Bai,Zhen Liu,Tao Ren,Yiming Zhao,Ruiyong WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

A method for processing a thin film substrate

Номер патента: EP1621054A1. Автор: Hans Göran Evald MARTIN,Klas Anders Hjort,Mikael Peter Erik Lindberg. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2006-02-01.

A method for processing a thin film substrate

Номер патента: AU2004234763A1. Автор: Hans Göran Evald MARTIN,Klas Anders Hjort,Mikael Peter Erik Lindberg. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2004-11-11.

A method for processing a thin film substrate

Номер патента: AU2004234763B2. Автор: Hans Göran Evald MARTIN,Klas Anders Hjort,Mikael Peter Erik Lindberg. Владелец: Jondetech Sensors AB. Дата публикации: 2008-07-24.

A method for processing a thin film substrate

Номер патента: EP1621054B1. Автор: Hans Göran Evald MARTIN,Klas Anders Hjort,Mikael Peter Erik Lindberg. Владелец: Jondetech Ab. Дата публикации: 2011-09-14.

Method for processing a thin film substrate

Номер патента: US7176578B2. Автор: Klas Anders Hjort,Mikael Peter Erik Lindberg,Hans Evald Goran Martin. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2007-02-13.

Method for producing a semiconducting film of organic-inorganic metal-halide compound with perovskite-like structure

Номер патента: US12048233B2. Автор: Nikolai Andreevich BELICH,Andrey Andreevich PETROV,Alexey Borisovich TARASOV,Sergei Anatolyevich FATEEV,Aleksey Iurievich GRISHKO,Natalia Nikolaevna SHLENSKAIA,Eugene Alekseevich GOODILIN. Владелец: Krasnoyarsk Hydropower Plant JSC. Дата публикации: 2024-07-23.

System and Method for Thin Film Photovoltaic Modules and Back Contact for Thin Solar Cells

Номер патента: US20160027954A1. Автор: Alan E. Delahoy,Ken K. Chin,Zimeng Cheng. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-01-28.

Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells

Номер патента: WO2011149682A3. Автор: Gaurav Verma,Kurt H. Weiner. Владелец: Reel Solar Inc.. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for producing active matrix substrate and active matrix substrate

Номер патента: US20200033681A1. Автор: Akifumi Morishima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Highly epitaxial thin films for high temperature/highly sensitive chemical sensors for critical and reducing environment

Номер патента: WO2011153441A3. Автор: Jian Liu,Chonglin Chen. Владелец: Board of Regents of the University of Texas System. Дата публикации: 2012-04-05.

A method for producing a semiconducting film of organic-inorganic metal-halide compound with perovskite-like structure

Номер патента: AU2020294400A1. Автор: Nikolai Andreevich BELICH,Andrey Andreevich PETROV,Alexey Borisovich TARASOV,Sergei Anatolyevich FATEEV,Aleksey Iurievich GRISHKO,Natalia Nikolaevna SHLENSKAIA,Eugene Alekseevich GOODILIN. Владелец: Eurosibenergo Jsc. Дата публикации: 2022-01-20.

Thin-film transistor (TFT) for driving organic light-emitting diode (OLED) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060292757A1. Автор: Yung-Fu Wu,Yu-Jung Liu,Yung-Hui Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for manufacturing stacked thin film, method for manufacturing solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4094295A1. Автор: Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Yuya Honishi,Taro Asakura. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

Organic thin film and method for manufacturing organic thin film, organic electroluminescence element, display device, illumination device, organic thin film solar cell, thin film transistor, and coating composition

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Syun GOHDA,Hirohiko Fukagawa. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2019-03-14.

Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells

Номер патента: EP2577749A2. Автор: Gaurav Verma,Kurt H. Weiner. Владелец: Reel Solar Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Mgb2 superconductive thin film wire material and production method therefor

Номер патента: US20200091397A1. Автор: Hiroshi Kotaki,Toshiaki Kusunoki,Takumu IWANAKA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells

Номер патента: US09960312B2. Автор: Gaurav Verma,Kurt H. Weiner. Владелец: Reel Solar Investment Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Polythiophene star copolymer capable of being self-doped by external stimulus, a method for producing the same, a conductive thin film using the same, and a method for producing the conductive thin film

Номер патента: US09908979B2. Автор: Hyun Ji Kim,Seung Sang Hwang,Soon Man Hong,Kyung Youl Baek,Chong Min Koo,Yun Jae Lee,Hyeon Yeol Jeon,Min Jae KO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin-film battery methods for complexity reduction

Номер патента: EP2481120A2. Автор: Byung-Sung Kwak,Nety M. Krishna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY HAVING LITHIUM-DOPED SILICON-SILICON OXIDE COMPOSITE, METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20170170468A1. Автор: KAWADA Nobuo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-06-15.

NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY HAVING LITHIUM-DOPED SILICON-SILICON OXIDE COMPOSITE, METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20140377456A1. Автор: KAWADA Nobuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Negative electrode material for secondary battery having lithium-doped silicon-silicon oxide composite, method for manufacturing negative electrode, and lithium secondary battery

Номер патента: US9825290B2. Автор: Nobuo Kawada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Ferrite thin film-forming composition material, method of forming ferrite thin film, and ferrite thin film formed using the same

Номер патента: US20130256582A1. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai,Kenzo Nakamura,Kazunori Igarashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for producing thin magnetic nanogranular films

Номер патента: RU2661160C1. Автор: Михаил Николаевич Волочаев,Игорь Анатольевич Тамбасов,Виктор Григорьевич Мягков,Виктор Степанович Жигалов,Людмила Евгеньевна Быкова,Алексей Александрович Мацынин,Николай Петрович Шестаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2018-07-12.

Magnetic Shielding Tape for Cable and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20210168975A1. Автор: Seong-Woo Woo,Jung Ju Suh,Jinbae KIM. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for etching curved substrate

Номер патента: US11724962B2. Автор: Xiong Li,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Xiaoliang Ma,Mingbo PU,Kaipeng LIU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetic shielding tape for cable and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2017176540A3. Автор: Jung-Ju Suh,Seong-Woo Woo,Jin-Bae Kim. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2017-11-16.

Magnetic shielding tape for cable and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190098805A1. Автор: Jung-Ju Suh,Seong-Woo Woo,Jinbae KIM. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-03-28.

Apparatus and method for generating photluminescence emission lines from rare-earth-element-doped CAF2 thin films over a SI-based substrate

Номер патента: US5552667A. Автор: Chin-Chen Cho,Tsen H. Lin,Shou-Kong Fan,Walter M. Duncan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-03.

Volume change compensated silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon: silicon lithium silicate composite matrix, and cyclical ex-situ manufacturing processes

Номер патента: MY190556A. Автор: Yongbong Han,Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Nano-sized microcrystalline oxide-glass composite mesoporous powder or thin film, method for producing the same, various devices using the same powder or thin film, secondary battery and lithium storage device

Номер патента: JPWO2005047199A1. Автор: 格 本間,豪慎 周,周　豪慎,本間　格. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2007-08-23.

Composition containing organic semiconductor, solution for forming organic semiconductor layer, organic semiconductor layer, and organic thin film transistor

Номер патента: US12101991B2. Автор: Takahiro Mori,Takashi Fukuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing resistive films by magnetron sputtering

Номер патента: RU2658310C1. Автор: Андрей Викторович Мороз,Елена Андреевна Рыжова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2018-06-20.

Method for producing nanocomposition powder anode materials for lithium-ion accumulators

Номер патента: RU2634561C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-10-31.

METHOD FOR FORMING A LiCoO2 FILM AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2765222C1. Автор: Айрат Хамитович Хисамов,Сергей Михайлович Насточкин,Александр Викторович Россохатый,Ярослав Анатольевич Короленко. Владелец: Тхе Баттериес Сп. з о.о.. Дата публикации: 2022-01-26.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Method for forming a thin film

Номер патента: US20010052463A1. Автор: Tomoaki Watanabe,Masahiro Yoshimura,Seung-wan Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Negative electrode active material for lithium secondary battery and method for preparing the same

Номер патента: US12107261B2. Автор: Su-Min Lee,Je-Young Kim,Yong-Ju Lee,Il-Geun OH. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming metal nanowire or metal nanomesh

Номер патента: US09957363B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-05-01.

Processes for forming doped-metal oxides thin films on electrode for interphase control

Номер патента: US20230343935A1. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide Soclete Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for forming positive electrode for thin film lithium-ion rechargeable battery, positive electrode for thin film lithium-ion rechargeable battery, and thin film lithium-ion rechargeable battery

Номер патента: US20170077493A1. Автор: Akiyoshi Suzuki,Shunsuke Sasaki,Masaki Tsushima,Kazutoshi Takahashi,Takehito Jinbo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for fabricating nanoporous thin film, nanoporous thin film and its applications

Номер патента: EP3991831A1. Автор: Ivo Rangelow,Xiang-qian ZHOU. Владелец: Zhou Xiang Qian. Дата публикации: 2022-05-04.

Method for forming gas cluster and method for forming thin film

Номер патента: US20010010835A1. Автор: Jiro Matsuo,Isao Yamada,Makoto Akizuki,Mitsuaki Harada,Atsumasa Doi,Satoru Ogasawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Method for forming gas cluster and method for forming thin film

Номер патента: US20020068128A1. Автор: Jiro Matsuo,Isao Yamada,Makoto Akizuki,Mitsuaki Harada,Atsumasa Doi,Satoru Ogasawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for forming coating layer having plasma resistance

Номер патента: US12139785B2. Автор: Soon Young Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-12.

Solid-state thin-film hybrid electrochemical current source

Номер патента: RU2709487C1. Автор: Владимир Александрович Чугунов,Владимир Игоревич МЕЩЕРЯКОВ,Антон Михайлович МАНАХОВ,Николай Анатольевич Погорелов,Арну РУССАУ,Елена Викторовна КОЛЕСНИКОВА. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Финика". Дата публикации: 2019-12-18.

Processes for forming metal oxide thin films on electrode interphase control

Номер патента: WO2023102107A8. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-30.

Electrically conductive composition, method for producing conductor, and method for forming wiring of electronic component

Номер патента: US20200115274A1. Автор: Katsuhiro Kawakubo,Shingo Awagakubo. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Conductive composition for thin film printing and method for forming thin film conductive pattern

Номер патента: US09845404B2. Автор: Hiroshi Uchida,Jun Dou,Takahiko Ono,Masumi Kuritani,Shoichiro Wakabayashi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-12-19.

Sputtering system for depositing thin film and method for depositing thin film

Номер патента: US20110079509A1. Автор: Shinichi Morohashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for measuring the diffusion coefficient with a nonequilibrium concentration of ions in electrolytes and apparatus for implementation thereof

Номер патента: RU2761448C1. Автор: Александр Мордухаевич Скундин,Александр Степанович Рудый,Александр Александрович Мироненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова". Дата публикации: 2021-12-08.

Metal oxide thin film, organic electroluminescence element including the thin film, solar cell, and thin film fabrication method

Номер патента: US12100529B2. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Setsuro Ito,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa,Katsuro Hayashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-09-24.

Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film

Номер патента: US20050167592A1. Автор: Sung Moon,Hyun-Joon Shin,Yong-Hee Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-08-04.

Device and method for formation of multicharged ion beams

Номер патента: RU2716825C1. Автор: Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Александр Борисович Толстогузов,Сергей Игоревич Гусев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-03-17.

Method for manufacturing charge dissipative surface layer

Номер патента: RU2655942C2. Автор: Клаус Циммерман,Кристел НЁМАЙР,Зелина ИСКАНДЕРОВА,Якоб КЛЯЙМАН. Владелец: Интегрити Тестинг Лэборэтори Инк.. Дата публикации: 2018-05-30.

Method for preparing ER- or ER/O-doped silicon-based luminescent material emitting communication band at room temperature, the luminescent material and ER- or ER/O-SI lasers

Номер патента: US11367998B2. Автор: Yaping Dan,Huimin Wen,Jiajing He. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-06-21.

Method for manufacturing photoelectrode

Номер патента: US20220372640A1. Автор: Jihoon Choi,Dong Su Kim,Hyungkoun CHO,Heewon Suh,Sung Hyeon JUNG,Hakhyeon Lee,Kun Woong LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for preparing thin film piezoresistive material, thin film piezoresistive material, robot and device

Номер патента: US20220275220A1. Автор: HE Qian,Zhengyou Zhang,Bin Gao,Jian Yuan,Huaqiang Wu,Jianshi Tang,Yuan DAI,Zhenxuan ZHAO. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Beta tungsten thin films with giant spin hall effect for use in compositions and structures

Номер патента: WO2016069547A4. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-28.

Thin film lithium ion battery

Номер патента: US09947969B2. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Iron oxide magnetic nanoparticle powder and method of producing the same, iron oxide magnetic nanoparticle thin film containing the iron oxide magnetic nanoparticle powder and method of producing the same

Номер патента: US09916922B2. Автор: Takayuki Yoshida,Manabu Tanaka,Shin-ichi Ohkoshi,Marie YOSHIKIYO,Asuka Namai,Hiroko Tokoro,Waka TARORA. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for producing treatment for processing insulating coating, method for producing steel sheet with insulating coating and device for producing mortar for processing for formation of insulation

Номер патента: RU2753539C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ,Макото ВАТАНАБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-08-17.

Thin-film capacitor built around conductive polymers

Номер патента: RU2318263C2. Автор: Прабхат КУМАР,Хеннинг ЮЛЕНХАТ. Владелец: Х.Ц. Штарк, Инк.. Дата публикации: 2008-02-27.

Method for producing negative electrode active material for lithium ion secondary batteries

Номер патента: US20190131621A1. Автор: YOSHIHITO Takano,TETSURO Kizaki,MASAKAZU Kondo. Владелец: JNC Petrochemical Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Sulfur-doped silicon negative electrode material, method for producing same, lithium secondary battery negative electrode including negative electrode material, and lithium secondary battery comprising negative electrode

Номер патента: US12034157B2. Автор: Soojin Park,Jonghyun CHAE,Jangbae Kim,Jaegeon RYU,Jihye YANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Transparent conductive film and method for production thereof

Номер патента: US20090286071A1. Автор: Kazuaki Sasa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Silicon Oxide for Anode of Secondary Battery, Method for Preparing the Same and Anode of Secondary Battery Using the Same

Номер патента: US20140349190A1. Автор: Yun-Kyu Kang. Владелец: YEIL ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Selective thin film resistor and methods for making same

Номер патента: WO2024138012A1. Автор: Mark CHASSE,Andreas SCHILLOFF,Alex STEPINSKI,Micheal GLEASON. Владелец: Greensource Fabrication. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon oxide-coated iron powder, method for producing the same, molded body for inductor using the same, and inductor

Номер патента: US12057260B2. Автор: Masahiro Gotoh,Daisuke Kodama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing vertically-growing open carbon nanotube thin film

Номер патента: US09884768B2. Автор: YANG Zhao,Zhaoxiang Zhong,Zhong YAO. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-06.

Systems and methods for locally reducing oxides

Номер патента: US09818535B2. Автор: Dmitri Litvinov,Long Chang. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for generating a radiation pattern and an antenna array for its implementation

Номер патента: RU2754653C1. Автор: Алексей Викторович Тихонов,Александр Юрьевич Сивов,Вячеслав Анатольевич Кочетков,Николай Леонидович Алымов,Александр Евгеньевич Черкасов,Игорь Михайлович Ханарин. Владелец: Игорь Михайлович Ханарин. Дата публикации: 2021-09-06.

Method for forming metal supported solid oxide fuel cells

Номер патента: RU2670423C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Робин ПИРС,Адам Боун. Владелец: Серес Интеллектчуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2018-10-23.

Negative-electrode active material, and method for production of negative-electrode active material

Номер патента: US9136525B2. Автор: Hideyuki Yamamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Cavity resonator for reducing phase noise of voltage controlled oscillator and method for fabricating the same

Номер патента: EP1041667A3. Автор: Changyul Cheon,Cimoo Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Chungwoo Samsung Advanced Institute of Tec. Kim,Seokjin Samsung Advanced Institute of Tec. Kang,Insang Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Yongwoo 123-902 Park Town Samik Apt. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-16.

Methods for manufacturing integrated magnetic components and LED power supply

Номер патента: US09978499B2. Автор: Jinxiang Shen,Ningning Wang. Владелец: Zhejiang Shenghui Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for generating terahertz radiation pulses and apparatus for implementation thereof

Номер патента: RU2754395C1. Автор: Дмитрий Владимирович Яковлев,Павел Владимирович Кострюков,Владимир Григорьевич Тункин,Михаил Алексеевич Семенов,Вячеслав Борисович Морозов,Андрей Николаевич Оленин,Михаил Валерьевич Горбунков,Алексей Леонидович Коромыслов,Евгений Анатольевич Чешев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2021-09-01.

New transparent conductive oxide thin film and use thereof

Номер патента: US20240003051A1. Автор: Yang Song,Ruyi Zhang,Yanwei CAO,Shaoqin PENG,Jiachang BI. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Transparent conductive oxide thin film and use thereof

Номер патента: US11982017B2. Автор: Yang Song,Ruyi Zhang,Yanwei CAO,Shaoqin PENG,Jiachang BI. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-05-14.

Negative-electrode active material, and method for production of negative-electrode active material

Номер патента: EP2724402A1. Автор: Hideyuki Yamamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

Apparatus and method for thin-film processing applications

Номер патента: WO2015124207A1. Автор: Thomas Deppisch. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

NTC thin film thermistor and method for producing an NTC thin film thermistor

Номер патента: US12033774B2. Автор: Jan Ihle,Thomas Bernert,Christl Lisa Mead,Thomas STENDEL,Marko Vrabelj,Sebastian Redolfi. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating Bi thin film and device using the same

Номер патента: US20040179309A1. Автор: Woo Lee,Kwan Lee,Joon Chang,Suk Han,Hi Kim,Kyoung Lee,Kyung Shin,Dal KIM,Min Jeun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-16.

Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation

Номер патента: US20140083363A1. Автор: Mahalingam Venkatesan,Steven Verhaverbeke,Omkaram Nalamasu,Majeed A. Foad,Nety M. Krishna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Magnetic fluid thin film displays and monochromatic light switch

Номер патента: AU6876198A. Автор: Herng-Er Horng,Hong-Chang Yang,Chin-Yih Rex Hong,Wai Bong Yeung. Владелец: Hong Chang Yang. Дата публикации: 1998-10-30.

Thin film forming method and thin film stack

Номер патента: US20110052924A1. Автор: Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2011-03-03.

Aligning a featureless thin film in a tem

Номер патента: US20160104596A1. Автор: Bart Buijsse,Gijs van Duinen. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for producing substrate for millimeter wave

Номер патента: US20230294389A1. Автор: Byoung Nam Kim,Chul-Keun Park,Hong Il Yoo,Jong Yup Lee. Владелец: Sensorview Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Ultra-thin lithium film laminate and method for preparing the same

Номер патента: US20240204262A1. Автор: Deyu KONG,Zhaoyong Sun,Qingna HUAN,Xiuna Han. Владелец: China Energy Lithium Co ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Organic Thin Film Transistor and Method for Surface Modification of Gate Insulating Layer of Organic Thin Film Transistor

Номер патента: US20080315190A1. Автор: Kunji Shigeto,Iwao Yagi,Kazuhito Tsukagoshi,Yoshinobu Aoyagi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2008-12-25.

Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator

Номер патента: US20050168110A1. Автор: Masaki Takeuchi,Daisuke Nakamura,Tadashi Nomura,Takashi Hayashi,Hajime Yamada,Yukio Yoshino,Hideki Kawamura,Hiroyuki Fujino,Ken-Ichi Uesaka,Yoshimitsu Ushimi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for manufacturing air pulse generating element

Номер патента: US20200059721A1. Автор: David Hong,Chiung C. Lo,Chun-I Chang. Владелец: Xmems Labs Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Film bulk acoustic resonator package with thin film sealing structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US11949401B2. Автор: Ivoyl P Koutsaroff,Jin Nyoung JANG. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Process for forming a-axis-on-c-axis double-layer oxide superconductor films

Номер патента: US5885939A. Автор: Akihiro Odagawa,Yoshinori Matsunaga,Shuichi Fujino,Youichi Enomoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Array substrate comprising light shielding portion and method for manufacturing the same

Номер патента: US11825694B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Toaster using thin-film heating element

Номер патента: WO2015161110A1. Автор: Charles Nelson,Karl Warner Marschke,David William Everett, JR.. Владелец: Spectrum Brands, Inc.. Дата публикации: 2015-10-22.

Composition containing organic semiconductor, solution for forming organic semiconductor layer, organic semiconductor layer, and organic thin film transistor

Номер патента: EP3902023B1. Автор: Takahiro Mori,Takashi Fukuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for manufacturing a multi-layer polymer actuator equipped with nano-scale thin-film dielectric elastomers

Номер патента: KR100617616B1. Автор: 김진영,이상원,이성일,김홍석,이호길. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2006-09-01.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for preparation of the supersaturated solution of calcium phosphate and the thin film of calcium phosphate crystal by using the solution

Номер патента: WO2000015018A3. Автор: Soo-Jin Park,Yoon-Ji Kim,Hyun-Man Kim,Jea-Seung Ko. Владелец: Ko Jea Seung. Дата публикации: 2000-07-13.

Method for preparation of the supersaturated solution of calcium phosphate and the thin film of calcium phosphate crystal by using the solution

Номер патента: EP1129028A2. Автор: Soo-Jin Park,Yoon-Ji Kim,Hyun-Man Kim,Jea-Seung Ko. Владелец: Oscotec Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

Method for preparation of the supersaturated solution of calcium phosphate and the thin film of calcium phosphate crystal by using the solution

Номер патента: EP1129028B1. Автор: Soo-Jin Park,Yoon-Ji Kim,Hyun-Man Kim,Jea-Seung Ko. Владелец: Oscotec Inc. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for breaking petroleum emulsions and the like using micellar solutions of thin film spreading agents comprising polyepoxide condensates of resinous polyalkylene oxide adducts and polyether polyols

Номер патента: CA1153272A. Автор: Charles M. Blair, Jr.. Владелец: Magna Corp. Дата публикации: 1983-09-06.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: EP1342820A4. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-05-21.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: US20040127064A1. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,Yoshiko Ihara,Hideyo Ihara,Hidetaka Ihara,Gen-Ei Ihara,Chiaki Ihara,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-07-01.

Transparent laminated film and method for producing the same

Номер патента: US20140193592A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Tetsuji Narasaki,Hiroki Inagaki,Yoshihiro Tokunaga,Masataka Inuzuka. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Aqueous solution precursors for making oxide thin films, and composition and method for making conductive oxide thin films therefrom

Номер патента: EP3983573A1. Автор: Douglas A. Keszler,Cory K. Perkins. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2022-04-20.

Aqueous solution precursors for making oxide thin films, and composition and method for making conductive oxide thin films therefrom

Номер патента: WO2020257254A1. Автор: Douglas A. Keszler,Cory K. Perkins. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for forming via hole in substrate for flexible printed circuit board

Номер патента: EP1884147A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-02-06.

Method For Forming Via Hole in Substrate For Flexible Printed Circuit Board

Номер патента: US20080210661A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-09-04.

Thin film forming method and color filter manufacturing method

Номер патента: US8187665B2. Автор: Satoru Katagami,Hirotaka ISHIZUKA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-29.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for forming perovskite type oxide thin film, piezoelectric element, liquid discharge head, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20070090730A1. Автор: Kenichi Takeda,Tetsuro Fukui,Takanori Matsuda,Hiroshi Funakubo,Shintaro Yokoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Methods for forming perovskite material layers

Номер патента: CA3239181A1. Автор: Michael D. Irwin,Vivek V. DHAS,Erin Sanehira,Minh Tu Nguyen,Marissa MITCHELL. Владелец: CubicPV Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for forming and stabilizing printed conductors on a flexible substrate

Номер патента: WO2013158122A1. Автор: Ian M. Rawson. Владелец: NCC NANO, LLC. Дата публикации: 2013-10-24.

Methods for forming perovskite material layers

Номер патента: EP4437812A1. Автор: Michael D. Irwin,Vivek V. DHAS,Erin Sanehira,Minh Tu Nguyen,Marissa MITCHELL. Владелец: CubicPV Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: WO2001059174A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus, Inc.. Дата публикации: 2001-08-16.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: EP1255875A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Method for forming a 3d pattern structure on a 3d substrate and device having color resists pattern

Номер патента: US20170192356A1. Автор: Ming-An Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board

Номер патента: US20100078212A1. Автор: Daiki Komatsu. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Device and method for heating material, which is possible to smoke

Номер патента: RU2704113C1. Автор: Митчел ТОРСЕН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2019-10-24.

Pvdf thin films having high electromechanical efficiency and a gel casting method for forming same

Номер патента: EP4416223A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Jonathan Robert Peterson,Arman Boromand,Taha Masood,Rongzhi HUANG,Hao Mei. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Piezoelectric thin film structure and angular velocity detection apparatus

Номер патента: US20120247207A1. Автор: Mizuho Okada,Nobuhisa Yamashita,Masaki Takaoka,Daisuke Kaminishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

Apparatus and method for forming a thin film electronic device on a thermoformed polymeric substrate

Номер патента: US20100119730A1. Автор: Brian K. Nelson,Donald J. Mcclure,James N. Dobbs,Daniel J. Theis,Scott M. Schnobrich,Daniel H. Carlson,David L. Philips. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-05-13.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: EP1432845A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: WO2002099161A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for treating tantalum metal thin film, quantum device, and quantum chip

Номер патента: US20240164221A1. Автор: Hao Deng,Xiaohang Zhang. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Method for preparing superconducting thin film formed of high temperature superconductor oxide

Номер патента: CA2103085C. Автор: Takao Nakamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-08-06.

Laser ablation method for forming oxide superconducting films

Номер патента: US5281575A. Автор: Takashi Hase,Hirohiko Izumi,Katsumi Ohata,Tadataka Morishita. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1994-01-25.

Method for driving a thin film electroluminescent display and arrangement for driving a thin film electroluminescent display

Номер патента: US20240105103A1. Автор: Alexey GANZHINOV,Mika Sirkiä. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for destruction of metallic carbon nanotubes, method for production of aggregate of semiconducting carbon nanotubes, method for production of thin film of semiconducting carbon nanotubes, method for destruction of semiconducting carbon nanotubes, method for production of aggregate of metallic carbon nanotubes, method for production of thin film of metallic carbon nanotubes, method for production of electronic device, method for production of aggregate of carbon nanotubes, method for selective reaction of semiconducting carbon nanotubes

Номер патента: US7659139B2. Автор: Houjin Huang. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Substrate for diaphragm-type resonant mems devices, diaphragm-type resonant mems device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160107880A1. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for preparing a lead-free piezoelectric thin film

Номер патента: US20130064970A1. Автор: Kui Yao,Phoi Chin Goh. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for producing a solid-state component, solid-state component, quantum component and apparatus for producing a solid-state component

Номер патента: US20240284805A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Johannes BOSCHKER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-08-22.

Thin film electrode ceramic substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130032383A1. Автор: Yun Hwi Park,Won Hee Yoo,Byeung Gyu Chang,Taek Jung Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film

Номер патента: US12063023B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Organic electro-luminescence display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100301740A1. Автор: Jae-Young Lee,Tae-Yeon YOO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Production method for organic semiconductor thin film

Номер патента: EP3923359A1. Автор: Eijiro Iwase,Akihiko Suyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Device and method for forming plurality of parametric sound flows and device and method for forming plurality of acoustic system signals

Номер патента: RU2633134C2. Автор: Фабиан КЮХ,Ахим КУНТЦ,Вилле ПУЛККИ,ГАЛЬДО Джованни ДЕЛЬ,Арсхонтис ПОЛИТИС. Владелец: Технише Универзитет Ильменау. Дата публикации: 2017-10-11.

Method for ordering content lists in recording of digital video disc in real time scale

Номер патента: RU2267172C2. Автор: Хан Вибе Де. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for forming light flow on external screen for full color video information display system and device for realization of said method

Номер патента: RU2265964C2. Автор: Е.П. Шешин,Г.Ф. Бурчак,С.П. Червонобродов. Владелец: Червонобродов Семен Павлович. Дата публикации: 2005-12-10.

Apparatus and method for regenerating a lead-zirconate-titanate thin film

Номер патента: US20240180038A1. Автор: Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS,Kuan-Ting HO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for producing piezoelectric thin-film resonator

Номер патента: US8726475B2. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component

Номер патента: US20040200050A1. Автор: Eiju Komuro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20060097823A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20090000091A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for manufacturing multilayer thin-film fpcb and heater

Номер патента: EP4425250A1. Автор: Hyun Seok Kim,Seung Hwan KO,Joon Hwa CHOI,Kwon Kyu KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-04.

MoS2 thin film and method for manufacturing same

Номер патента: US09863039B2. Автор: Yo-Sep Min. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for purifying hexachlorodisilane from impurities of metal chlorides

Номер патента: RU2759500C1. Автор: Лев Эдуардович Барышников. Владелец: Лев Эдуардович Барышников. Дата публикации: 2021-11-15.

Thin film transistor array substrate and method for repairing the same

Номер патента: US20060092341A1. Автор: Yi-Jen Chen,Wei-Kai Huang,Chiung-Pin Wang,Chen-Shun Tsai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-05-04.

Apparatus and method for measuring the thickness and refractive index of multilayer thin films using angle-resolved spectral interference image according to polarization

Номер патента: US20220003539A1. Автор: Hyug-Gyo Rhee,Young-Sik GHIM. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2022-01-06.

Matrix of thin-filmed excitable mirrors and method for its manufacture

Номер патента: RU2156487C2. Автор: Ки МИН Йонг. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2000-09-20.

Optical measurements of stress in thin film materials

Номер патента: WO1996023205A1. Автор: Keith A. Nelson,John A. Rogers. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1996-08-01.

Grinding and polishing tool for diamond, method for polishing diamond, and polished diamond, single crystal diamond and single diamond compact obtained thereby

Номер патента: US20020192470A1. Автор: Hitoshi Hashimoto,Toshihiko Abe,Shu-Ichi Takeda. Владелец: Applied Diamond Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

ZnS-series sintered material and method for producing the same, target using the ZnS-series sintered material, thin film, and optical recording medium using the thin film

Номер патента: TW574171B. Автор: Takashi Ueno,Yukio Noguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2004-02-01.

Method for hydroskimming vacuum gas oil (variants)

Номер патента: RU2753597C2. Автор: Анна Николаевна Логинова,Вадим Владимирович Фадеев,Сергей Александрович Свидерский,Янина Владиславовна Морозова,Иван Александрович Баканев. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2021-08-18.

Method for Manufacturing of Drug-Releasing Stent Coated with Titanium-Oxide Thin Film

Номер патента: US20130129912A1. Автор: Jeong Myung Ho,Cho Dong Lyun,KIM Kyoung Seok,Song Sun-Jung,Park Yu Jeong. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for introducing nanoscale crystal defects into high temperature superconducting oxide thin films

Номер патента: JP5881107B2. Автор: カテリン デベロス バガリナオ,カテリン デベロス バガリナオ. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-03-09.

Method for hydrogeneration processing of raw materials

Номер патента: RU2680386C1. Автор: Роман Эдуардович Болдушевский,Наталья Яковлевна Виноградова,Алёна Игоревна Гусева,Павел Анатольевич Никульшин,Кирилл Александрович Овчинников,Евгений Русланович Наранов,Людмила Николаевна Алексеенко,Елена Евгеньевна Малкина. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт по переработке нефти" (АО "ВНИИ НП"). Дата публикации: 2019-02-20.

Discontinuous vacuum-metalized thin film and wire and method for manufacturing same

Номер патента: US11788180B2. Автор: Jianhua Bian,Nishikawa KASUMI. Владелец: Shanghai Galaxy Metallic Yarn Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Two-component platinum contented liquid silicone and the method for manufacturing of storage box lid

Номер патента: EP4230379A3. Автор: Kam Yuen Dennis Hon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-22.

Two-component platinum contented liquid silicone and the method for manufacturing of storage box lid

Номер патента: EP4230379A2. Автор: Kam Yuen Dennis Hon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-23.

Two-component platinum contented liquid silicone and the method for manufacturing of storage box lid

Номер патента: US20230242305A1. Автор: Kam Yuen Dennis Hon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-03.

AMALGAM METHOD FOR FORMING A SPUTTER TARGET USEFUL IN THE MANUFACTURE OF THIN-FILM SOLAR PHOTOVOLTAIC CELLS

Номер патента: US20130186745A1. Автор: NANIS LEONARD. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

Preparation method of activated carbon adsorption film and method for measuring bisphenol substances in wetland soil or sediment based on thin-film diffusion gradient technique

Номер патента: CN104492376A. Автор: 罗军,潘岳,房旭,管冬兴,郑建伦,周春羊. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-08.

The method for preparing three-dimensional self-supporting film based on lysozyme nano thin-film

Номер патента: CN108751126A. Автор: 杨鹏,刘瑞瑞. Владелец: Shaanxi Normal University. Дата публикации: 2018-11-06.

METHOD FOR DEPOSITING LOW TEMPERATURE PHOSPHOROUS-DOPED SILICON

Номер патента: US20210254238A1. Автор: Xie Qi,Khazaka Rami,Barbosa Lima Lucas Petersen. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Method for producing molecularly imprinted polymers

Номер патента: CA2568911A1. Автор: Borje Sellergren,M. Magdalena Titirici. Владелец: University Of Dortmund Infu. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an euv mirror, euv mirror, and euv lithography apparatus

Номер патента: US20140211178A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2014-07-31.

Laminated structure for measurement of intensity of reflected light, device equipped with laminated structure for measurement of reflected light, and method for determination of thickness and/or mass and/or viscosity of thin film

Номер патента: WO2011111785A1. Автор: 剛美 川▲崎▼,惠雄 岡畑. Владелец: 国立大学法人東京工業大学. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for producing a cap layer made of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror and EUV lithographic apparatus

Номер патента: JP5860539B2. Автор: ハインリッヒ エーム ディルク,ハインリッヒ エーム ディルク,フォン ブランケンハーゲン ジゼラ,フォン ブランケンハーゲン ジゼラ. Владелец: カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for planarizing textured glass substrates using a silicon oxide coating deposited via inkjet printing and textured glass substrates with such coatings

Номер патента: WO2023096827A1. Автор: Yuhui Jin,Mandakini Kanungo,Philip Simon Brown. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-06-01.

Metal triamine compound, method for preparing same, and composition containing same for depositing metal-containing thin film

Номер патента: EP3434683A4. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Won Mook Chae,Sang Jun Yim,Kang Yong Lee,A Ra Cho,Haeng Don Lim,Jeong Hyeon Park,Joong Jin Park. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-13.

Method for eliminating wiggle noise of disk driving record appartus having a thin-film head

Номер патента: KR100233401B1. Автор: 정광조. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-12-01.

Method for preparing light absorption layer of Cu-In-Ga-Se-S thin film solar cell

Номер патента: CN101789469B. Автор: 王晶,黄富强,王耀明,朱小龙,吕旭杰. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-01-02.

A method for preparing light absorption layer of copper-indium-gallium-sulfur-selenium thin film solar cells

Номер патента: TW201300322A. Автор: fu-qiang Huang,Yao-Ming Wang. Владелец: Shanghai Inst Ceramics. Дата публикации: 2013-01-01.

Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films

Номер патента: EP1992007A2. Автор: Prasad Gadgil. Владелец: Gadgil Prasad Narhar. Дата публикации: 2008-11-19.

Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films

Номер патента: CN101589171A. Автор: 普拉萨德·盖德吉尔. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-25.

Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films

Номер патента: US6399208B1. Автор: Thomas H. Baum,Witold Paw. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-06-04.

Method for analyzing optical properties of a sample having a plurality of thin film layers using a spectroscopic ellipsometer

Номер патента: KR102506393B1. Автор: 김상준,권대원. Владелец: (주)오로스 테크놀로지. Дата публикации: 2023-03-06.

Thin Film Forming Sputtering Target, Dielectric Thin Film, Optical Disc and Production Method Therefor

Номер патента: US20080271988A1. Автор: Yasuo Hosoda,Takashi Ueno,Takanobu Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2709599C1. Автор: Денис Валерьевич Кузнецов,Игорь Николаевич Бурмистров,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Илья Анатольевич Плугин,Анна Ивановна Позняк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-12-18.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Thin films and a method for making the same

Номер патента: US20190049629A1. Автор: Douglas A. Keszler,Juan Carlos Ramos,Cory K. Perkins,Ryan Helmut Mansergh. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2019-02-14.

Methods for producing metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane assembly, and fuel cell

Номер патента: WO2008114126A2. Автор: Naoki Ito,Yasuyuki Matsumura,Kazuya Matsui. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for switching memory resistance by near-infrared laser beam

Номер патента: US09859001B2. Автор: Jihoon Kim,YongWook LEE. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2018-01-02.

Alpha gallium oxide thin-film structure having high conductivity obtained using selective area growth in hvpe growth manner and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240158953A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK,Jae-Kyoung Mun. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-05-16.

Composite material with aluminum matrix and carbon fiber and method for its production

Номер патента: RU2759840C1. Автор: Сергей Николаевич Галышев,Андрей Игоревич Гомзин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ЦФАЛ». Дата публикации: 2021-11-18.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US20080115338A1. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2008-05-22.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US7635839B2. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2009-12-22.

Method for forming a film by spin coating

Номер патента: US20070259193A1. Автор: Masashi Hakamata,Yukou Saito. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Curable organopolysiloxane composition for forming film and production method for organopolysiloxane cured product film

Номер патента: US12122935B2. Автор: Hiroshi Fukui,Takeaki Tsuda,Hua Ren. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Inkjet printing method for coating thin film

Номер патента: EP4261043A1. Автор: Jong-Gyun Lee,Seog-Soon Kim,Hee-Jun Han,Se-Hyun Sim. Владелец: Unijet Co ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for preparing of sinter burden for sintering treatment

Номер патента: RU2313588C2. Автор: Самуил Григорьевич Меламуд,Михаил Андреевич Крупин,Дмитрий Николаевич Волков,Владислав Вадимович Шацилло,Игорь Анатольевич Дудчук,Андрей Викторович Лунегов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное региональное объединение "Урал" ООО "НПРО "Урал". Дата публикации: 2007-12-27.

Method for forming SbSI thin films

Номер патента: US6153262A. Автор: Kanwal K. Raina,Raghvendra K. Pandey,Narayanan Solayappan. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2000-11-28.

Mask blank and method for manufacturing transfer mask

Номер патента: US20090233190A1. Автор: Masahiro Hashimoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Device and method for forming thin film pattern

Номер патента: US20110155004A1. Автор: Tae-Hyoung Moon,Seung-hee Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Metal alkoxide compound, thin-film-forming material, method for producing thin film, and alcohol compound

Номер патента: US09896468B2. Автор: Akio Saito,Naoki Yamada,Atsushi Sakurai,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Tsubasa Shiratori. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming patterned tin oxide thin film element

Номер патента: CA1286167C. Автор: Shih-Chia Chang,Adolph L. Micheli,David B. Hicks. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1991-07-16.

Method for forming thin films and apparatus therefor

Номер патента: US7445813B2. Автор: Yasushi Ohbayashi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-11-04.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120312429A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080257255A1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same

Номер патента: US8287643B2. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Gene delivery stent using titanium oxide thin film coating and method for fabricating the same

Номер патента: US09974889B2. Автор: Young Keun Ahn,Myung Ho Jeong,Dong Lyun Cho,Jin Sook Kwon,Sun Jung Song. Владелец: CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY HOSPITAL. Дата публикации: 2018-05-22.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083A1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Method for forming thin film and apparatus therefor

Номер патента: US20040191407A1. Автор: Yasushi Ohbayashi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2004-09-30.

Spunbond method for producing non-woven fabric of natural cellulose with flame-retarding feature

Номер патента: US09869042B2. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of producing zeolites and zeolite-like structures doped with metals, and methods for use thereof for catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2595336C2. Автор: Даниель ХЕРАЙН,Фэй ВЭНЬ,Барри У. Л. САУТУОРД,Лисбет ЙОНГЕН,Александр ХОФМАНН. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-08-27.

Liquid crystal display device having a thin film transistor substrate with a multi-cell gap structure and method of manufacturing same

Номер патента: WO2004053570A2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jae-Young Lee,Yong-kyu Jang,Sang-Woo Kim,Young-Nam Yun,Sung-Eun Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2004-06-24.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for forming a thin film of a silicon oxide on a silicon substrate, by BCR plasma

Номер патента: US5753564A. Автор: Takashi Fukada. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Method for producing bismuth silicate bi12sio20 by crystalization method in crubicle

Номер патента: RU2665626C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2018-09-03.

Method for producing catalyst and catalytic product

Номер патента: RU2751774C2. Автор: Юрген БАУЭР. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-07-16.

METHOD FOR OBTAINING FERROELECTRIC FILMS Ba1-XSrXTiO3

Номер патента: RU2671614C1. Автор: Андрей Вилевич Тумаркин,Андрей Анатольевич Одинец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2018-11-02.

Catalyst with bimodal porosity, method for preparing same by comulling active phase and use thereof for hydrotreatment of hydrocarbon residuum

Номер патента: RU2687084C2. Автор: Бертран ГИШАР,Малика БУАЛЛЕГ. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2019-05-07.

Systems for electroencephalography and methods for use and manufacture of the same

Номер патента: WO2024011174A3. Автор: Giorgio Bonmassar. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for patterning a microstructure

Номер патента: US09904386B2. Автор: Muthu Sebastian,Michael W. Dolezal. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-02-27.

METHOD FOR PRODUCTION OF THIN FILMS Cu(In, Ga)(S, Se)2

Номер патента: RU2347298C1. Автор: Валерий Борисович Залесский,Валерий Феликсович Гременок,Елена Петровна Зарецкая,Валерий Борисович Залесский (BY),Елена Петровна Зарецка (BY),Валерий Феликсович Гременок (BY). Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению"(ГО"НПЦ НАН Беларуси по материаловедению"). Дата публикации: 2009-02-20.

Method for obtaining solution functional ink for the formation of films based on silver

Номер патента: RU2765126C1. Автор: Иван Александрович Волков,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко,Иван Сергеевич Власов,Татьяна Леонидовна Симоненко,Филипп Юрьевич Горобцов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2022-01-25.

Method for alkylation of benzene with ethylene and catalyst for realising said method

Номер патента: RU2410368C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Борис Иванович Кутепов,Михаил Леонардович Павлов,Рашида Алмагиевна Басимова,Сергей Иванович Мячин,Альфира Наилевна Хазипова,Алексей Владимирович Прокопенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Салаватнефтеоргсинтез". Дата публикации: 2011-01-27.

Method of obtaining mother stock of diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2563013C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for producing thin diamond films

Номер патента: RU2685665C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Алексей Александрович Шуткин,Анна Николаевна Макрушина,Анастасия Игоревна Зырянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-04-22.

METHOD FOR MAKING PbSnSe SUBSTITUTION SOLID SOLUTION FILMS BY ION EXCHANGE PROCESS

Номер патента: RU2552588C1. Автор: Вячеслав Филиппович Марков,Лариса Николаевна Маскаева,Зинаида Игоревна Смирнова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2015-06-10.

Hybrid pulsed laser deposition of complex oxide thin films made from elements having a large vapor pressure mismatch

Номер патента: US20240229292A1. Автор: Jieun Kim,Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing aircraft fuel

Номер патента: RU2750728C1. Автор: Роман Эдуардович Болдушевский,Наталья Яковлевна Виноградова,Алёна Игоревна Гусева,Павел Анатольевич Никульшин,Алексей Вячеславович Юсовский,Павел Петрович Минаев,Людмила Алексеевна Гуляева,Ольга Ивановна Шмелькова,Людмила Николаевна Алексеенко,Георгий Владимирович Битиев. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2021-07-01.

Receiving vessel for melt silicon or vessel for melting silicon and method for making it

Номер патента: RU2303663C2. Автор: Фредерик КАЙО,Койчи ШИМИЗУ,Казуми ТАНИ,Ёшифуми КОБАЯШИ. Владелец: Везувиус Франс С.А.. Дата публикации: 2007-07-27.

METHOD FOR OBTAINING BISMUTH SILICATE Bi2SiO5

Номер патента: RU2654968C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Biodegradable polyester, method for production thereof and articles containing said polyester

Номер патента: RU2499007C2. Автор: Катя БАСТИОЛИ,Анджелос РАЛЛИС. Владелец: НОВАМОНТ С.п.А.. Дата публикации: 2013-11-20.

Method for nitriding of oxide compounds in a solid phase

Номер патента: RU2713008C1. Автор: Александр Семенович Тюфтяев,Владимир Михайлович Каневский,Махач Хайрудинович Гаджиев,Андрей Викторович Буташин,Арсен Эмирбегович Муслимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АГНИ-К". Дата публикации: 2020-02-03.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Au-Sn-Bi ALLOY POWDER PASTE, Au-Sn-Bi ALLOY THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING Au-Sn-Bi ALLOY THIN FILM

Номер патента: US20160016265A1. Автор: Masayuki Ishikawa,Yoshifumi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Sputtering Target of Sintered Ti-Nb Based Oxide, Thin Film of Ti-Nb Based Oxide, and Method of Producing The Thin Film

Номер патента: US20140023868A1. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus for forming organic thin films

Номер патента: US20030131796A1. Автор: Toshitaka Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for forming sicn thin film

Номер патента: EP4421208A1. Автор: Geun-Ho Kim,Won-Jung Kim,Dong-hyeok CHOI,Jong-sin HYUN,Gwang-won SEO. Владелец: Iste. Дата публикации: 2024-08-28.

Strontium precursor, method for preparing same, and method for forming thin film by using same

Номер патента: US09790238B2. Автор: Dong-Ju Jeon,Taek-Mo Chung,Ki-Seok An,Jong-Sun Lim,Chang-Gyoun Kim,Young-Kuk LEE,Sun-Sook Lee,Sheby Mary George,Seog-Jong Jeong,Bo-Keum Park. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Roll and method for manufacturing powder

Номер патента: EP4400213A1. Автор: Kenichi Harai. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Film having low refractive index film and method for producing the same, anti-reflection film and method for producing the same, coating liquid set for low refractive index film, substrate having microparticle-laminated thin film and method for producing the same, and optical member

Номер патента: MY192479A. Автор: Nobuaki Takane,Masato Nishimura,Tomomi Kawamura. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: EP3673222A1. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-07-01.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: US20210123704A1. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2021-04-29.

Sight display device and method for manufacturing sight display device

Номер патента: US11578944B2. Автор: Pauli AALTONEN. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-02-14.

Flexible barrier membrane and method for producing flexible barrier membrane

Номер патента: RU2770539C2. Автор: Марк ГРИММЕ,Паскаль ДЮБЮИ,Мали-Клер КУН,Стефан МАРЕ,Арасели Мария МАРКАНО ЗЕРПА,Катерина ФАТЕЕВА,Фабьенн ПОНСЕН-ЭПАЙАР. Владелец: Карма. Дата публикации: 2022-04-18.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Catalyst and method for hydroisomerisation of normal c5-c8 hydrocarbons using said catalyst

Номер патента: RU2658018C1. Автор: Андрей Борисович Пономарев,Михаил Вячеславович Шостаковский,Вячеслав Евгеньевич Вахмистров,Виталий Николаевич Писаренко,Елена Витальевна Писаренко,Валентина Антоновна Ольшевская,Антонина Павловна Косолапова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова Российской академии наук (ИНЭОС РАН). Дата публикации: 2018-06-19.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Glass plate with thin film produced thereon

Номер патента: RU2430896C2. Автор: Такаси МУРОМАТИ,Нобуки ИВАИ,Хисаси ОГАВА,Мамору ЙОСИДА. Владелец: Ниппон Шит Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2011-10-10.

Method for selecting slag composition for extraction of platinum group metals from spent catalyst using iron as a collector

Номер патента: RU2770393C1. Автор: Шэнъэнь ЧЖАН,Юньцзи ДИН. Владелец: Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи Бейджинг. Дата публикации: 2022-04-15.

Method for determining mechanical properties of thin film membranes formed over round holes

Номер патента: RU2758417C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Леонидович Переверзев,Валерий Юрьевич Киреев,Анна Александровна Дедкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-10-28.

Nanoencapsulation methods for forming multilayer thin film structures and multilayer thin films formed therefrom

Номер патента: US12066595B2. Автор: Debasish Banerjee,Songtao Wu. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050268851A1. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Equipment for Manufacturing Nitrogen-Doped Monocrystalline Silicon and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20240263341A1. Автор: Peng Xu,PENG Heng,Wanwan Zhang. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Porous membrane, blood purifying module incorporating porous membrane, and method for producing porous membrane

Номер патента: US09993777B2. Автор: Yoshiyuki Ueno,Akihiro Hayashi,Shiro Nosaka. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for achieving good adhesion between dielectric and organic material

Номер патента: US09908774B2. Автор: Mickael Renault. Владелец: Cavendish Kinetics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Catalyst and method for aromatisation of c3-c4 gases, light hydrocarbon fractions of aliphatic alcohols, as well as mixtures thereof

Номер патента: RU2544017C1. Автор: Иосиф Израилевич Лищинер,Ольга Васильевна Малова,Андрей Леонидович Тарасов. Владелец: Андрей Леонидович Тарасов. Дата публикации: 2015-03-10.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Antiembolic protection device, method for its folding and forming device

Номер патента: RU2742690C2. Автор: Оливер ШУМАХЕР,Михаель ПФЕННИГ,Виктор Альфонсе ХИМЕНЕС ДИАС,Конрад РАСМУС,Карл ФОН МАНГОЛЬД. Владелец: Протембис Гмбх. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for obtaining a catalyst for hydrofinishing of hydrocarbon raw materials

Номер патента: RU2767413C1. Автор: Вадим Владимирович Фадеев,Алексей Викторович Леонтьев,Денис Николаевич Герасимов,Светлана Вячеславовна Заглядова,Ирина Александровна Архипова,Игорь Александрович Маслов,Ольга Александровна Косарева,Олег Владимирович Голубев,Евгений Васильевич Кашин,Ирина Владимировна Пиголева,Илья Владиславович Лебедев. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2022-03-17.

Preparation of treatment composition and bath maintenance system and method for treatment formed therefrom

Номер патента: RU2721259C1. Автор: Эрик Л. МОРРИС,Гордон Л. ПОСТ,Майкл А. МЭЙО,Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Майкл Дж. ПАУЛИК. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Multilayer oral thin film

Номер патента: RU2762081C1. Автор: Кристоф ШМИТЦ,Михаэль ЛИНН. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-15.

Method for manufacture of product based on molten chromium with high content of carbon from material containing chromium and carbon

Номер патента: RU2639741C2. Автор: Винсент Ф. ШЕВРИЕ. Владелец: Мидрэкс Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2017-12-22.

Method for preparing zeolite of mtt structure type

Номер патента: RU2740447C1. Автор: Александр Степанович Носков,Антон Львович Максимов,Лариса Владимировна Пирютко,Эдуард Аветисович Караханов,Надежда Павловна Скорюпина,Михаил Владимирович Парфенов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2021-01-14.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US20140230724A1. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming magnesium oxide thin film and processed plate

Номер патента: US9605357B2. Автор: Hideo Hosono,Yoshitake Toda,Tomofumi SUSAKI,Tadahiro Fujihashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing thermochromic film, thermochromic film manufactured using the same, and smart window including the thermochromic film

Номер патента: US20240042485A1. Автор: Yoonjoo CHOI,Taejong PAIK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for purifying dodecacarbonyl triruthenium

Номер патента: US20170107118A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Hirofumi Ishida,Tasuku ISHIZAKA,Akiko KUMAKURA. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-04-20.

Storage material for hydrogen utilizing amorphous silicon and a method for producing the same

Номер патента: US4412935A. Автор: Rolf Plaettner,Wolfgang Kruehler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-01.

Image calibrating method and device of testing apparatus for thin film transistor substrate

Номер патента: US20160033327A1. Автор: Zijin Lin,Haitao Ma,Haisheng ZHAO,Xiaoguang PEI,Chaoyang DENG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7276444B2. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for coating film ablation and glass cutting, which use laser, and for post-treatment

Номер патента: US20240317629A1. Автор: Hyung Sup Lee,Bon Ki Koo,Seung Jun Yi,Sun Hong Choi. Владелец: DOWOOINSYS Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for laser-cutting and post-treating utg having partial coating film formed thereon

Номер патента: US20240351142A1. Автор: Hyung Sup Lee,Seung Jun Yi,Sun Hong Choi,Soung Woong CHOI. Владелец: DOWOOINSYS Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for detecting the glass transition temperature of nanoscale polymer materials and a thermo-plasmonic heater for implementing the method

Номер патента: RU2771440C1. Автор: Елена Александровна Черных,Сергей Сергеевич Харинцев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2022-05-04.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Oral thin film with high active substance loading

Номер патента: RU2754824C1. Автор: Маркус МЮЛЛЕР,Кристоф ШМИТЦ,Михаэль ЛИНН,Мариус БАУЭР. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for obtaining a transparent wear-resistant coating based on aluminum-magnesium boride on the surface of transparent glass products

Номер патента: RU2680548C1. Автор: Александр Михайлович Гришин,Вадим Вячеславович Путролайнен,Иван Валерьевич Ригоев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2019-02-22.

Extrusion head, extruder and method for forming extruded or co-extruded pieces of food product, extruded or co-extruded pieces of food product formed by means of specified method

Номер патента: RU2753243C2. Автор: Эмильен ЭСТЭВ,Реми ТОНЕ БРЮШЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-08-12.

Pre-sowing method for disposable treatment of peas seeds pisum sativum l.

Номер патента: RU2697277C1. Автор: Борис Георгиевич Рогачев,Святослав Валерьевич Лебедев,Нина Николаевна Докина,Дмитрий Викторович Фролов,Людмила Вячеславовна Галактионова,Надежда Алексеевна Терехова,Надежда Ивановна Воскобулова,Рада Сергеевна Сангалиева. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр биологических систем и агротехнологий российской академии наук". Дата публикации: 2019-08-13.

System, machine-readable media and method for core analysis by images

Номер патента: RU2760105C1. Автор: Ксения Ахатовна Габдрахманова,Тимур Венерович Мамяшев,Дмитрий Александрович Степанов,Тимур Альфредович Салимов,Данил Петрович Кульминский,Владислав Владимирович Ефимов,Владислав Игоревич Горбунов. Владелец: Публичное акционерное общество «Газпром нефть». Дата публикации: 2021-11-22.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

Method for forming an osteochondral defect in animal experiments

Номер патента: RU2759474C1. Автор: Евгений Александрович Коновалов. Владелец: Евгений Александрович Коновалов. Дата публикации: 2021-11-15.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Method for forming an open stamped element, in particular for forming a wrapping box of tray with a lid type, and cardboard machine

Номер патента: RU2756945C2. Автор: Маурицио ЧЕЧИ. Владелец: Тайбер Пэк С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for integrated processing of mixed wastes into useful products

Номер патента: RU2742647C2. Автор: Мария Александровна Соничева,Юрий Александрович Кортунов,Захар Владимирович Тимошенко,Михаил Юрьевич Марцинковский. Владелец: Михаил Юрьевич Марцинковский. Дата публикации: 2021-02-09.

Noble metal-transition metal-based nano-catalyst thin film and preparation method thereof

Номер патента: US20230285953A1. Автор: Tao Zhu,Xiangchun LI,Junqing Meng,Baisheng Nie,Xianfeng Liu,Fanbei Kong. Владелец: China University of Mining and Technology Beijing CUMTB. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for producing waterproof organic thin film

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Shoichi Matsuda,Hiroshi TOMOHISA,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for measuring thin films

Номер патента: WO2004092714A1. Автор: Alexei Maznev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-28.

Preparation method for multilayer ceramic membrane having oxide thin layer, and application

Номер патента: EP4393898A1. Автор: Heqing Jiang,Guanghu HE. Владелец: Qingdao Institute of Bioenergy and Bioprocess Technology of CAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Microfluidic device capable of removing microbubbles in channel by using porous thin film, sample injection device for preventing inflow of bubbles, and method for bonding panel of microfluidic element by using mold-releasing film

Номер патента: US20230271180A1. Автор: Ki-ho Han,Hyung-Seok CHO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Inje University. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US10583452B2. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for producing a thin film, method for producing a magnetic disk, method for producing a nanoimprint mold, and apparatus for producing a thin film

Номер патента: US20180257105A1. Автор: Hiroshi Sakai,Hiroshi Tani,Eishin Yamakawa,Kazuki Shindo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for measuring optical constant of fluorine-containing organosilicon compound thin film

Номер патента: EP4011935A1. Автор: Takashi Uchida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US20180078966A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for manufacturing optical waveguide and optical waveguide

Номер патента: US20240329311A1. Автор: Peng Zhang,Wei Tan,Hao Tang,Wen Xiong. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for measuring optical constants of thin film of fluorine-containing organosilicon compound

Номер патента: US12105018B2. Автор: Takashi Uchida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Microfluidic device capable of removing microbubbles in channel by using porous thin film, sample injection device for preventing inflow of bubbles, and method for bonding panel of microfluidic element by using mold-releasing film

Номер патента: US12048927B2. Автор: Ki-ho Han,Hyung-Seok CHO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Inje University. Дата публикации: 2024-07-30.

Thin film devices and methods for preparing thin film devices

Номер патента: US09988713B2. Автор: Terry Alford,Sayantan Das. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing thin-film support beam

Номер патента: US09862595B2. Автор: Errong JING. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for intensive growing potatoes with soil enrichment with water using a supersorbent with drop irrigation

Номер патента: RU2729812C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-08-12.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Method for making diffractive optical elements

Номер патента: RU2601391C2. Автор: Николай Львович Казанский,Олег Юрьевич Моисеев,Сергей Дмитриевич Полетаев,София Владиславовна Ганчевская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт систем обработки изображений Российской академии наук (ИСОИ РАН). Дата публикации: 2016-11-10.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

System and method for forming appliance for oral care

Номер патента: RU2707516C2. Автор: Алан СОРРЕНТИНО,Стивен Нельсон. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-11-27.

AMPULE OF DEFINED TEMPERATURE POINTS OF HIGH RELIABILITY AND METHOD FOR CALIBRATION OF SMALL-SIZE AND MINIATURE PRECISION PLATINUM RESISTANCE TEMPERATURE CONVERTERS WITH METALLIC BODY OF LENGTH OF 250 mm MAXIMUM, WITH THIN FILM AND WIRE SENSITIVE ELEMENTS INTENDED FOR APPLICATION OF HIGH-PRECISION TEMPERATURE MEASUREMENTS IN SMALL OBJECTS

Номер патента: RU2666956C2. Автор: Евгений Васильевич Васильев,Александр Александрович Игнатов,Леонид Дмитриевич Маркин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы" (ФГУП "ВНИИМС"). Дата публикации: 2018-09-13.

Modified polymer composition and a method for production thereof

Номер патента: RU2737375C2. Автор: Сергей Владимирович Лепендин,Александр Сергеевич Сойкин. Владелец: Александр Сергеевич Сойкин. Дата публикации: 2020-11-27.

Method for creating thick-film layer in microinjection device

Номер патента: RU2144472C1. Автор: А.А. Жуков,Бьюнг-сун Ахн,Б.Н. Дунаев. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-01-20.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Mixture for producing reinforced composite material, reinforced composite material, method for production thereof, use thereof to produce industrial articles, industrial articles made using said method and use thereof

Номер патента: RU2536530C2. Автор: Джан Луиджи КАТТАНЕО. Владелец: Фрателли Бигаран Ди Бигаран Дарио Э Марио & К. С.А.С.. Дата публикации: 2014-12-27.

Method for producing thin film, thin film forming material, optical thin film, and optical member

Номер патента: US20190025466A1. Автор: Hirofumi Tanaka,Gentaro Tanaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing mems device and mems device

Номер патента: US20240051819A1. Автор: Kahkeen Lai,Ping-He Chang. Владелец: AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Nanostructure material with metallic oxide and method for detecting phosphorus-containing compounds

Номер патента: US7935535B2. Автор: Hong-Ping Lin,Shaw-Yi Yen,Shou-Nan Li,Bo-Jui Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-05-03.

Method for improving adhesion of yttrium-based thin film

Номер патента: US20240229241A9. Автор: Yoshitaka Ozaki,Tomohiro Matsumura,Yuriko YANAI. Владелец: Shinryo Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing powder dispersant composition for hydraulic composition

Номер патента: EP4083087A1. Автор: Kohei Shimada,Keiichirou SAGAWA. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Method for conducting uniform reactions

Номер патента: CA3241441A1. Автор: Jason Paul CLEVELAND,Barry Patrick John VANT-HULL,Jon MONSERUD,Alex KISLUKHIN. Владелец: Somalogic Operating Co Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Plasma-Polymerized Hydrogel Thin Films and Methods for Making the Same

Номер патента: US20070010596A1. Автор: Prabhakar Tamirisa,Jere Koskinen,Dennis Hess. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for conducting uniform reactions

Номер патента: US12064769B2. Автор: Jason Paul CLEVELAND,Barry Patrick John VANT-HULL,Jon MONSERUD,Alex KISLUKHIN. Владелец: Somalogic Operating Co Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for the spot repair of scratch-resistant paint films

Номер патента: SG178014A1. Автор: Tsutomu Shimamura,Takehito Ito,Makito Monden. Владелец: BASF Coatings Japan Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for producing metal powder

Номер патента: MY192419A. Автор: Kimura Tetsuya,Iwasaki Mineto. Владелец: Shoei Chemical Ind Co. Дата публикации: 2022-08-19.

Method for manufacturing conductive mesh, thin film sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240241610A1. Автор: Jian Zhou,Feng Qu,Biqi LI,Mengwen JIA. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fine patterning of a polymeric film

Номер патента: US5647999A. Автор: Tetsuya Tada,Toshihiko Kanayama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1997-07-15.

Electroconductive film, method for manufacturing same, temperature sensor film, and method for manufacturing same

Номер патента: US12135247B2. Автор: Kazuhiro Nakajima,Satoshi Yasui,Kodai MIYAMOTO. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of obtaining masterbatch of synthetic diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2562283C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for producing a bioresorbable tube based on methacrylized gelatine and methacrylized fibroin and a method for reconstructing a small intestine wall experimentally using such a tube

Номер патента: RU2714200C1. Автор: Иван Викторович Бессонов,Мария Николаевна Копицына,Александр Владимирович Куликов,Михаил Михайлович Мойсенович,Дмитрий Александрович Куликов,Юрий Николаевич Филюшкин,Алла Аликовна Рамонова,Анастасия Юрьевна Архипова,Александр Владимирович Федулов,Константин Вольдемарович Шайтан,Полина Александровна Глазкова,Дарья Валерьевна Мосальская,Дмитрий Юрьевич Семенов,Анастасия Михайловна Мойсенович,Ирина Анатольевна Кондратьева,Андрей Сергеевич Колосов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method for treatment of acute pulmonary insufficiency and device for its implementation savelieva b.s.

Номер патента: RU2745759C1. Автор: Борис Михайлович Рачков,Борис Сергеевич Савельев. Владелец: Борис Сергеевич Савельев. Дата публикации: 2021-03-31.

Method for forming collection and long-term deposition of grapes in vitro

Номер патента: RU2764104C1. Автор: Наталья Петровна Дорошенко,Валентина Георгиевна Пузырнова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный Ростовский аграрный научный центр" (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2022-01-13.

Method for treating surface with use of electric discharge

Номер патента: RU2319789C2. Автор: Акихиро ГОТО,Масао АКИЁСИ,Кацухиро МАЦУО,Хироюки ОТИАИ,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Такаси ФУРУКАВА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хеви Индастриз Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-03-20.

Film-forming liquid for forming an insulating coating on sheet of anisotropic electrical steel, method for manufacturing sheet of anisotropic electrical steel, and sheet of anisotropic electrical steel

Номер патента: RU2753929C1. Автор: Кадзутоси ТАКЕДА,Суити ЯМАДЗАКИ,Хироясу ФУДЗИИ,Тору НАГАИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for formation of cavitational zones in flow of non-burning liquid and control of their destruction, and also device for implementation of method

Номер патента: RU2657389C1. Автор: Герман Евсеевич Иткин,Никита Анатольевич Федоров. Владелец: Герман Евсеевич Иткин. Дата публикации: 2018-06-13.

Method for forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving along section of path that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2771477C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Омникомм Онлайн". Дата публикации: 2022-05-04.

Method for forming optical communication channel for transmitting acoustic signals

Номер патента: RU2758327C1. Автор: Дмитрий Александрович Тимонов. Владелец: Дмитрий Александрович Тимонов. Дата публикации: 2021-10-28.

System for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2764741C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for two-level management and system for its implementation (options)

Номер патента: RU2665096C1. Автор: Валерий Анатольевич Селифанов. Владелец: Валерий Анатольевич Селифанов. Дата публикации: 2018-08-28.

Method for forming a block of ice for subsequent movement thereof

Номер патента: RU2770219C1. Автор: Юрий Васильевич Иванщиков,Юрий Николаевич Доброхотов,Андрей Евгеньевич Макушев,Николай Николаевич Пушкаренко,Людмила Михайловна Корнилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for producing of mineral wool and apparatus for effectuating the same

Номер патента: RU2266264C2. Автор: Эрик ОСТРАНД,Бьярне ВАЛЛИ,Бь рне ВАЛЛИ,Микаэль ПЕРАНДЕР. Владелец: Парок Груп Ой Аб. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for applying functional elements to flat components

Номер патента: RU2593796C2. Автор: Кристиан МЮЛЛЕР-НИХУУС. Владелец: Федераль-Могуль Силинг Системз Гмбх. Дата публикации: 2016-08-10.

Method for forming of ceramic coat, target for performing the same, and method for manufacturing the target

Номер патента: RU2320772C2. Автор: Бертран СЕН-РАМОН,Андре МАЛИ,Кристоф ШАПЮ,Кирилл ДЕЛАЖ,Изабель ПОРТЕ. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for producing a metal tape with a bronze layer with a corrugated surface for impregnation with a fluoroplastic paste

Номер патента: RU2764531C1. Автор: Ахнаф Раисович Гарифуллин,Василий Николаевич Корнопольцев. Владелец: Василий Николаевич Корнопольцев. Дата публикации: 2022-01-18.

Apparatus for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2765268C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for preparing photoactive multilayer heterostructure of microcrystalline silicone

Номер патента: RU2599769C2. Автор: Сергей Николаевич Чеботарев,Александр Сергеевич Пащенко,Владимир Александрович Ирха. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью специальное конструкторско-технологическое бюро "ИНВЕРСИЯ". Дата публикации: 2016-10-10.

Apparatus and method for forming an insertion pad for subretinal delivery of a therapeutic agent

Номер патента: RU2742971C2. Автор: Дэниэл В. ПРАЙС,Брендан Дж. ОБЕРКИРГЕР,Бенджамин Л. КО,Томас Э. МЕЙЕР,Дэниэл Дж. ПРЕНГЕР,Джеффри КИНГ. Владелец: Джироскоуп Терапьютикс Лимитед. Дата публикации: 2021-02-12.

High-quality low-emission coatings, low-emission insulated glazing and methods for production thereof

Номер патента: RU2558063C2. Автор: Кари Б. МАЙЛИ,Гари Л. ПФАФФ,Грег ВАНС,Клаус ХАРТИГ. Владелец: КАРДИНАЛ СиДжи КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-07-27.

Method for forming of endless belt for belt-type separator

Номер патента: RU2309847C2. Автор: Бюлент СЕРТ,Дэвид Р. УИТЛОК. Владелец: Сепарейшн Текнолоджиз Ллс. Дата публикации: 2007-11-10.

Particle containing at least one volatile substance, method for production thereof, food or feed additive containing said particle, and application thereof

Номер патента: RU2757228C1. Автор: Пиа ГОТТШАЛЬК,Ева-Мария Биндер,Штефен КОЛЕ. Владелец: Эрбер Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2021-10-12.

Thin-film material and method for producing same

Номер патента: US20050129935A1. Автор: Toyoki Kunitake,Mineo Hashizume. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2005-06-16.

Composition for depositing antimony-containing thin film and method for manufacturing antimony-containing thin film using the same

Номер патента: US20230203655A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Robust Hybrid Thin Films that Incorporate Lamellar Phospholipid Bilayer Assemblies and Transmembrane Proteins

Номер патента: US20120058327A1. Автор: Gabriel P. Lopez,Gautam Gupta,Plamen Atanasov. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2012-03-08.

Method and cylinder for perforating a thin film and a method for producing a perforating cylinder

Номер патента: EP1377416A2. Автор: Karst Jan Van Weperen,Bernard Pierre Diebels. Владелец: Stork Prints BV. Дата публикации: 2004-01-07.

Metal nitride thin film and methods of preparation thereof

Номер патента: US20240052475A1. Автор: Khan Alam,Muhammad Baseer HAIDER,Khalil A. ZIQ,Bakhtiar Ul HAQ. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-02-15.

Fabricating method for optical multilayer thin film structure

Номер патента: US20070247716A1. Автор: Myoung Jin Kim,Hwe Kyung KIM. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for forming carbon-carbon bond

Номер патента: EP3971156A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yoshinari Sawama. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Low-cost method for fabricating palladium and palladium-alloy thin films on porous supports

Номер патента: US20130081540A1. Автор: Uthamalingam Balachandran,Chan Young Park,Stephen E. Dorris,Tae H. Lee,Yunxiang Lu. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2013-04-04.

Methods for plasticizing poly(ethylene furanoate) films by water sorption

Номер патента: EP3194475A1. Автор: Ronald D. Moffitt,Robert Kriegel,William J. Koros,Christopher Mubarak,Steven K. Burgess,Dharmik S. Mikkilineni,Daniel Yu,Danny J. Kim. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

Method for manufacturing a stable freestanding pure water film

Номер патента: US20090155450A1. Автор: Jung Ho Je,Byung Mook Weon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2009-06-18.

In-mold reprint manufacturing system for thin film texture and a method thereof

Номер патента: US20090302492A1. Автор: Chu-Chia Tsai,Chun-Yen Hung,Ya-Chi Hsiao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Methods for plasticizing poly(ethylene furanoate) films by water sorption

Номер патента: CA2961007C. Автор: Ronald D. Moffitt,Robert Kriegel,William J. Koros,Christopher Mubarak,Steven K. Burgess,Dharmik S. Mikkilineni,Daniel Yu,Danny J. Kim. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Structural template for producing a stamping tool for stamping a thin-film element, use of a structural template, and method for providing a structural template

Номер патента: US20240326298A1. Автор: Guillaume Gomard,Benjamin Fritz,Ruben Hünig,Moritz Luck. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for preparing negative pressure film-covering frozen sand mold

Номер патента: US12128474B2. Автор: SHIJIE Dong,Dandan YAN,Zhongde Shan,Haoqin YANG,Jianpei SHI,Qinjiang LIU. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for producing of structure for providing prolonged release of aromatizer in chewing gum, composition (versions) and method for producing of chewing gum containing such a structure

Номер патента: RU2266012C2. Автор: Джо Х. СОНГ,Дональд Дж. ТАУНСЕНД,Джеймс Р. МАКСВЕЛЛ. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming multilayer woven casing

Номер патента: RU2752183C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-07-23.

Method and mask for making watermarked paper, method for making resulting watermarked paper mask, and method for authenticating watermarked paper

Номер патента: RU2748464C2. Автор: Иван ТЬЕРРИ,Стефан МАЛЛОЛЬ. Владелец: Обертюр Фидюсьер Сас. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for production of l-glutamic acid

Номер патента: RU2282662C2. Автор: Такаюки КОДА,Хироси УЕДА,Масаказу САТО. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2006-08-27.

Machine and method for confectionary product production

Номер патента: RU2452191C2. Автор: Луис БОРДЕРА,Хоан Ф. ФОРНАГУЕРА,Деннис ЭБЭД,Энди ДЖИЛ,Мелхор БЛАЗКЕЗ,Эмили РОМЕРО. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2012-06-10.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for manufacturing a one-piece lining of an upper supporting garment section

Номер патента: RU2658817C1. Автор: Елена Георгиевна Андреева,Галина Петровна Зарецкая,Марина Анатольевна Гусева,Татьяна Васильевна Мезенцева,Олег Вячеславович Кащеев,Асмик Араевна Симонян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-06-22.

Particles and method for coating particles

Номер патента: RU2250764C2. Автор: Джеймс Д. ТЭЛТОН,Джеймс Д. ТЭЛТОН (US). Владелец: Наносфер, Инк.. Дата публикации: 2005-04-27.

Method for forming spatial configurations of laser sources in schemes for direct irradiation of spherical targets at installations for laser thermonuclear synthesis

Номер патента: RU2749835C1. Автор: Сергей Викторович Бондаренко,Людмила Владимировна Солнышкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-06-17.

Method and apparatus for forming cryptocode structures for imitation-resistant data transmission over communication channels

Номер патента: RU2764960C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Игорь Олегович Шарапов,Евгений Сергеевич Начинов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for manufacturing rotor of electrostatic gyroscope and device for implementation of this method

Номер патента: RU2638870C1. Автор: Александр Юрьевич Филиппов,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Александр Михайлович Фомичев,Сергей Николаевич Беляев,Маргарита Алексеевна Туманова. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2017-12-18.

Set and method for local delivery of beneficial effects

Номер патента: RU2750210C2. Автор: Курт БИННЕР,Александру ПАУНЕСКУ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Production method for form-stable feed for pets (versions) and feed produced by this method (versions)

Номер патента: RU2361419C2. Автор: Ким Джин ФРИЗЕН,Харри Мид КЛАРК III,Крейг Ричард КОУЛИ,Уилльям Дэвид ШЕНХЕРР. Владелец: Хилл`С Пет Ньютришн, Инк.. Дата публикации: 2009-07-20.

Heat exchanger, method for formation thereof and use thereof

Номер патента: RU2667565C2. Автор: Петер Ян КОЛ. Владелец: Интергэс Хитинг Эссетс Б.В.. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for production of highly pure molybdenum for spattering targets and device for its realisation

Номер патента: RU2375479C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Николай Сергеевич Сидоров. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming intrastomal pocket for keratoprosthesis implantation using femtosecond laser

Номер патента: RU2644850C1. Автор: Борис Эдуардович Малюгин,Андрей Владимирович Головин,Евгения Владимировна Ковшун,Анна Владимировна Энкина. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-14.

Method for forming artificial wave

Номер патента: RU2755753C2. Автор: Александр Геннадьевич Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВОРЛДЭКС ГРУПП". Дата публикации: 2021-09-21.

Method and apparatus for forming edges of honeycomb plastic panel and panel thus obtained

Номер патента: RU2668435C2. Автор: Франко БРЕССАН,НАРДИ Мирко ДЕ. Владелец: К-Холдинг С.П.А.. Дата публикации: 2018-10-01.

Method for forming glonass group navigation signal

Номер патента: RU2660126C1. Автор: Михаил Федорович Кудряшов,Александр Борисович Ткачев,Дмитрий Анатольевич Астахов. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing spinning solution based on linseed cellulose for forming hydrate cellulose fibers

Номер патента: RU2748551C1. Автор: Юрий Михайлович Михайлов,Валерий Григорьевич КУЛИЧИХИН,Роза Фатыховна Гатина,Игорь Сергеевич Макаров,Людмила Константиновна Голова,Юрий Анатольевич Егоров,Маркел Игоревич Виноградов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2021-05-26.

Processing agent for the formation of a chrome-free insulating coating, a textured sheet of electrical steel with an insulating coating applied and a method for its manufacture

Номер патента: RU2765649C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Device and method for filing and processing requests

Номер патента: RU2263957C2. Автор: Шерман Чинг МА. Владелец: Минерва Холдингс Нв. Дата публикации: 2005-11-10.

Composition for formation of zinc oxide thin film, and method for producing a zinc oxide thin film

Номер патента: US20210086227A1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: WO2004049397A3. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

System and method for characterizing multi-layered film stacks

Номер патента: US20200081245A1. Автор: Amit DELIWALA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-12.

Sol containing titanium dioxide, thin film formed therefrom and production process of the sol

Номер патента: WO2005003035A2. Автор: Yasushi Kuroda,Yasuaki Wakizaka. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-01-13.

Sol containing titanium dioxide, thin film formed therefrom and production process of the sol

Номер патента: EP1644115A2. Автор: Yasuaki c/o Showa Titanium Co. Ltd. Wakizaka,Yasushi c/o Showa Titanium Co. Ltd. Kuroda. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-04-12.

An arrangement for a thin film electroluminescent display and a method for driving a thin film electroluminescent display

Номер патента: US20230377513A1. Автор: Jonne Lindeberg,Mika Sirkiae. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for adjusting static attitude of thin film magnetic head

Номер патента: US20070064333A1. Автор: Osamu Shindo,Toru Mizuno,Takao Torii. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US10604859B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Method for Manufacturing Strain Sensor by Control of Thin-Film Crack Using Stress Concentration Structure and Strain Sensor Manufactured Using Same

Номер патента: US20240142217A1. Автор: Yongtaek Hong,Taehoon Kim,Daesik Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for electrochemical ammonia synthesis using single-crystalline metal catalyst

Номер патента: US20190161872A1. Автор: Jong Hyuk Park,Hyun Seo Park,Jimin Kong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-05-30.

System and method for detecting analytes in water

Номер патента: US12044669B2. Автор: Mohamed Jamal Deen,Arif UI ALAM. Владелец: 2055218 Ontario Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming fixed images

Номер патента: EP2649495A1. Автор: YASUHIRO Hidaka,Akihiro Eida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

An arrangement for a thin film electroluminescent display and a method for driving a thin film electroluminescent display

Номер патента: EP4217995A1. Автор: Mika Sirkiä,Jonne Lindeberg. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20180087169A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Oxide thin film for a bolometer, process for producing the same, and infrared sensor using the same

Номер патента: US20030025079A1. Автор: Tsutomu Yoshitake,Hideto Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Optically anisotropic polymer thin film and method for making it

Номер патента: EP4225835A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Warren Scott Martin,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Ashley Nicole Loper. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for forming in-mold coating multi-layer coating film

Номер патента: EP4431192A1. Автор: Takashi Kitamura,Haruka Nakaoka,Katsuto Komura. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for moulding a glass item, in particular a three-dimensionally moulded planar glass item, and device for carrying out the method, and use of a metal melt for carrying out the method

Номер патента: US20240343630A1. Автор: Bernhard Altendorfer,Alexandra Füller. Владелец: Fueller Glastechnologie Vertriebs GmbH. Дата публикации: 2024-10-17.

Microlens array and method for fabricating thereof

Номер патента: US09885874B2. Автор: Ki-uk Kyung,Sung-Ryul Yun,Bong-Je Park,Sun-tak Park,Sae-Kwang NAM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-06.

Spunbond method for producing non-woven fabric with deodorant feature from bamboo cellulose

Номер патента: US09868240B2. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for preparing P-type low-doped silicon carbide thin film epitaxial layer by controlling growth pressure intensity

Номер патента: CN104233466A. Автор: 张玉明,王悦湖,宋庆文,胡继超,张艺蒙,涂银辉. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-12-24.

Method for improving optical characteristics of rare earth mixed aluminum oxide thin film utilizing laser annealing

Номер патента: CN100362420C. Автор: 李建勇,宋琦,李淑凤,李成仁,周松强,宋昌烈. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2008-01-16.

Coating solution for forming titanium-containing multiple metal oxide film and dielectric thin film formed using the same

Номер патента: JPH1087329A. Автор: Akira Hashimoto,哲彌 逢坂,晃 橋本,Mitsuro Mita,Ichiro Koiwa,一郎 小岩,充郎 見田,Takao Kanehara,隆雄 金原,Tetsuya Aisaka,佳宏 澤田,Yoshihiro Sawada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-07.

LAMINATED STRUCTURE FOR MEASURING REFLECTED LIGHT INTENSITY, DEVICE CONTAINING LAMINATED STRUCTURE FOR MEASURING REFLECTED LIGHT INTENSITY, AND METHOD FOR MEASURING FILM THICKNESS AND/OR MASS AND/OR VISCOSITY OF THIN FILM

Номер патента: US20130063717A1. Автор: KAWASAKI Takayoshi,Okahata Yoshio. Владелец: TOKYO INSTITUTE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for preparing high-transparency cerium oxide and silicon oxide ultraviolet ray absorbing film

Номер патента: CN102180599B. Автор: 崔洪涛. Владелец: YANTAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1168873A. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 1997-12-31.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1053650C. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-06-21.

Apparatus and method for carrying out selenylation treatment on CIGS (copper indium gallium selenide) thin films and CIGS thin-film device

Номер патента: CN103088301A. Автор: 王文忠,王志,段东平. Владелец: Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2013-05-08.

Method for producing n-type nuclear-doped silicon (options)

Номер патента: RU2145128C1. Автор: А.М. Прохоров,Г.Н. Петров,В.Г. Шевченко,Ю.В. Гарусов,Б.Г. Лященко. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ". Дата публикации: 2000-01-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20120036732A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,Schravendijk Bart Van. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Method for using ultrasonic spray printing method to prepare cesium tin triiodide thin film

Номер патента: CN103706539A. Автор: 沈凯,任宇航,陈琢. Владелец: ZHEJIANG SHANGJIE PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Method for preparing carbon nanotube static conductive coating on surface of EVA thin film

Номер патента: CN101781404B. Автор: 夏雨,盛亮. Владелец: ANHUI GOLDSUN NANOTECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-31.

Method for manufacturing magnetron sputtering target material of Mn-Co-Ni-O thin film

Номер патента: CN102650037A. Автор: 黄志明,褚君浩,周炜,吴敬,张雷博. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2012-08-29.

Method for manufacturing ultra-flat p-type oxide semiconductor NiO single crystal thin film

Номер патента: JP4014473B2. Автор: 秀雄 細野,正浩 平野,利夫 神谷,裕道 太田. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2007-11-28.

Method for enhancing room-temperature ferromagnetism of ZnO-based dilute magnetic semiconductor thin-film

Номер патента: CN105161288A. Автор: 刘学超,施尔畏,孔海宽,陈卫宾,卓世异. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2015-12-16.

Method for manufacturing sodium yttrium fluoride-4 and cuprous oxide composite solar thin film

Номер патента: CN104152964A. Автор: 刘小峰,贾红,邱建荣. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2014-11-19.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND COMPOSITIONS FOR DOPING SILICON SUBSTRATES WITH MOLECULAR MONOLAYERS

Номер патента: US20120003826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Forming Electronic Material Layer

Номер патента: US20120000775A1. Автор: Hong Mun Pyo,Lee Yoo Jong,Jang Yun-Sung. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE FILM

Номер патента: US20120001367A1. Автор: . Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

BIOLOGICAL GRAFT TRANSFERRING INSTRUMENT AND METHOD FOR TRANSFERRING BIOLOGICAL GRAFT

Номер патента: US20120000745A1. Автор: Nozaki Yusuke. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing silicon-on-sapphire mis transistor

Номер патента: RU2298856C2. Автор: Алексей Сергеевич Адонин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет). Дата публикации: 2007-05-10.

DEVICE AND METHOD FOR A ROLLING A SHEET OF MATERIAL FOR PACKAGING, STORAGE, SHIPMENT, AND DISPENSING

Номер патента: US20120001013A1. Автор: MORGAN WAYNE S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical element, method for controlling spectral characteristic of the latter, optical elements system and method for controlling this system

Номер патента: RU2248022C2. Автор: А.В. Шамрай,А.С. Козлов,М.П. Петров,И.В. Ильичев. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2005-03-10.

Electrochemical method for synthesis of hybrid catalyst systems based on modified carbon containing on surface tungsten oxide bronzes

Номер патента: RU2579119C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Олег Николаевич Чупахин,Ольга Леонидовна Семерикова,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Сергей Владимирович Плаксин,Лев Алексеевич Петров,Юлия Владимировна Микушина,Андрей Борисович Шишмаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт органического синтеза им. И.Я. Постовского Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-03-27.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION AND METHOD FOR CONTROLLING PLANT DISEASES

Номер патента: US20120004099A1. Автор: Kurahashi Makoto,Matsuzaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Charge based on aluminium oxide, and method for obtaining strong ceramics

Номер патента: RU2534864C2. Автор: Олег Викторович Медведко,Юрий Кондратьевич Непочатов,Александр Андреевич Богаев,Екатерина Владимировна Чаплина. Владелец: Холдинговая компания "Новосибирский Электровакуумный Завод-Союз" в форме открытого акционерного общества. Дата публикации: 2014-12-10.

Device and Method for Generating Alternating Current

Номер патента: US20120001491A1. Автор: Greizer Frank,Laschinski Joachim,Engel Bernd,Cramer Guenther. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Remote four-wave method for measurement of thin film thickness

Номер патента: RU2359220C1. Автор: Валентин Иванович Козинцев,Ольга Алексеевна Смирнова,Михаил Леонидович Белов,Виктор Александрович Городничев,Юрий Викторович Федотов. Владелец: ООО "НИИ Радиоэлектроники и лазерной техники". Дата публикации: 2009-06-20.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Agglomerated flux, charge, and method for its manufacture

Номер патента: RU2465350C2. Автор: Владимир Андреевич Кобелев,Александр Юрьевич Чернавин,Валентин Васильевич Филиппов,Анатолий Григорьевич Сухарев,Сергей Васильевич Филатов. Владелец: Открытое акционерное общество "ЕВРАЗ Нижнетагильский металлургический комбинат" (ОАО "ЕВРАЗ НТМК"). Дата публикации: 2012-10-27.

Method for manufacturing multipurpose gas composition sensors

Номер патента: RU2449412C1. Автор: Сергей Александрович Воронов,Денис Сергеевич Веселов,Юрий Александрович Воронов,Людмила Константиновна Орлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-04-27.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of microcircuit boards with multi-level thin-film commutation

Номер патента: RU2398369C1. Автор: Лидия Ивановна Тулина,Вячеслав Евгеньевич Сергеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2010-08-27.

Method for neutron-transmutation doping of silicon

Номер патента: RU2193609C2. Автор: В.Г. Шевченко,Л.В. Шмаков,В.П. Счеславский,В.В. Дмитриев,Ю.В. Гарусов,В.Ф. Скибин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Энергоатоминвент". Дата публикации: 2002-11-27.

Method for obtaining nanodimensional ferrite films

Номер патента: RU2532187C1. Автор: Лариса Владимировна Панина,Александр Тимофеевич Морченко,Николай Анатольевич Юданов,Владимир Григорьевич Костишин,Артем Юрьевич Адамцов,Денис Николаевич Читанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2014-10-27.

Method for producing thin-film resistors

Номер патента: RU2270490C1. Автор: Валентин Константинович Смолин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова. Дата публикации: 2006-02-20.

METHOD FOR PRODUCTION OF NANOSIZE MgO (111) FILM ON METAL PLATE

Номер патента: RU2442842C2. Автор: Тамерлан Таймуразович Магкоев,Инга Васильевна Тваури,Наталья Ильинична Цидаева,Анатолий Майранович Туриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова". Дата публикации: 2012-02-20.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

CATALYST, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF AND METHOD OF PRODUCING β-PICOLINE

Номер патента: RU2474473C1. Автор: Александра Степановна Иванова,Евгения Владимировна Корнеева,Наталья Васильевна Карасюк,Валентина Михайловна Бондарева,Любовь Алексеевна Шадрина. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-02-10.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002128A1. Автор: NAKAGAWA Hidetoshi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001946A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGNING METHOD FOR DIMPLE PATTERN OF GOLF BALL

Номер патента: US20120004053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING POLYMETHYLOLS

Номер патента: US20120004472A1. Автор: . Владелец: BASF-SE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

Method for x-ray fluorescence determination of trace elements with preliminary concentration thereof from ultra-small samples of water and aqueous solutions

Номер патента: RU2484452C1. Автор: Мурадин Абубекирович Кумахов,Руслан Хажсетович Хамизов,Александра Николаевна Груздева,Андзор Адалгериевич Болотоков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Ленина и Ордена Октябрьской революции Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского Российской академии наук. Дата публикации: 2013-06-10.

Method for transparent conductive coating production

Номер патента: RU2451768C2. Автор: Александр Николаевич Захаров,Андрей Александрович Соловьев,Сергей Викторович Работкин,Николай Семенович Сочугов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2012-05-27.

Sorbent for sulphur-containing compounds and method for producing it (versions)

Номер патента: RU2566782C1. Автор: Александр Владимирович Иванов,Анна Николаевна Логинова,Вадим Владимирович Фадеев,Сергей Васильевич Лысенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок" (ООО "РН-ЦИР"). Дата публикации: 2015-10-27.

Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor

Номер патента: RU2263998C2. Автор: В.А. Хрусталев,М.И. Лукасевич,А.Н. Еременко,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко,С.В. Нефедьев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-11-10.

METAL PASTE COMPOSITION FOR FORMING ELECTRODE AND SILVER-CARBON COMPOSITE ELECTRODE AND SILICON SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20120000523A1. Автор: KIM Sang-Ho,PARK Jong-Wuk,Kim So-Won. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2522930C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Method for producing thin-film resistor unit

Номер патента: RU2297682C1. Автор: Олег Борисович Горский,Валерий Никитович Дашко,Сергей Андреевич Кудинов,Анастаси Васильевна Панчишка,Анастасия Васильевна Панчишка. Владелец: Олег Борисович Горский. Дата публикации: 2007-04-20.

Distributed crack sensor, method for registration of crack occurrence and localisation

Номер патента: RU2520948C1. Автор: Алина Сергеевна Исаева,Евгений Адальбертович Рындин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Южного научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2014-06-27.

Method for actualization of digital area map and device for realization of said method

Номер патента: RU2246695C2. Автор: В.Л. Кашин,Л.И. Яблонский. Владелец: 29 Нии Мо Рф. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for producing thin film resistor

Номер патента: RU2583952C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Сергей Валерьевич Симаков,Александр Борисович Колосов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2016-05-10.

Method for replacing tooth in the cases of failing tooth crown

Номер патента: RU2284794C2. Автор: Алмаз Муллаянович Ханов,Раиса Андреевна Летягина,гина Раиса Андреевна Лет,гин Евгений Валерьевич Лет,Евгений Валерьевич Летягин,Алмаз Мулла нович Ханов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермская государственная медицинская академия Министерства Здравоохранения Российской Федерации". Дата публикации: 2006-10-10.

Method for preventing aircraft from colliding with ground and device based on said method

Номер патента: RU2262746C1. Автор: В.И. Бабуров,Т.Б. Гальперин,А.В. Маслов,Н.В. Мороз,Ю.Г. Волчок,С.В. Губкин,О.И. Саута,Г.Г. Пухов,М.А. Водов. Владелец: ЗАО "ВНИИРА-Навигатор". Дата публикации: 2005-10-20.

Method for coiling rolled rod and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2270730C1. Автор: Андрей Владимирович Лукьянов,нов Андрей Владимирович Лукь,Владимир Станиславович Некипелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТ груп". Дата публикации: 2006-02-27.

Method for one-positional measurement of laser emission source coordinates and device for realization of said method

Номер патента: RU2269795C1. Автор: Александр Юрьевич Козирацкий,Юрий Леонтьевич Козирацкий,Руслан В чеславович Перевозов,Руслан Вячеславович Перевозов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военный институт радиоэлектроники. Дата публикации: 2006-02-10.

Method for vacuum sputtering of topological thin-film pattern of hybrid microcircuit on substrate

Номер патента: RU2586937C1. Автор: Валерий Григорьевич Эдвабник,Амир Энверович Алямов,Любовь Васильевна Григорьева,Владимир Борисович Цай,Рэм Васильевич Кудрявцев,Денис Юрьевич Сидоров,Светлана Викторовна Юркова. Владелец: ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for producing silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2265255C2. Автор: В.П. Попов,Н.В. Дудченко,Д.В. Николаев,И.В. Антонова. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for forming nano-(micro-)systems from carbon nanotubes

Номер патента: RU2306257C1. Автор: Эдуард Анатольевич Ильичев,Геннадий Сергеевич Рычков,Константин Анатольевич Царик,Эдуард Алексеевич Полторацкий,Виталий Николаевич Инкин,Василий Газизович Гарипов. Владелец: ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2007-09-20.

Method for solidifying liquid radioactive wastes and ceramic material used for the purpose

Номер патента: RU2197763C1. Автор: С.В. Орлов,Б.Ф. Мясоедов,Н.Т. Андрианов,Ю.М. Куляко,М.В. Коломина. Владелец: Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского РАН. Дата публикации: 2003-01-27.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing complementary vertical bipolar transistors as parts of integrated circuits

Номер патента: RU2244985C1. Автор: Н.М. Манжа,М.И. Лукасевич,С.Л. Хмельницкий,А.Н. Еременко,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-01-20.

Method for processing disperse thermo-plastic materials by induction-linked plasma and method for forming a flow of material for realization thereof

Номер патента: RU2257689C2. Автор: Л.А. Иванов,Н.Н. Киселев,В.А. Слугин,В.А. Побережный,М.В. Побережный. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ" (ЗАО "СХМ"). Дата публикации: 2005-07-27.

Form manufacturing method for articles of laminate polymeric composition materials

Номер патента: RU2309044C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Анна Станиславовна Твердова,Галина Анатольевна Мокеева. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты". Дата публикации: 2007-10-27.

Method for manufacturing thin-film resistor

Номер патента: RU2208256C2. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов. Владелец: Пензенский технологический институт. Дата публикации: 2003-07-10.

Alumina-base ceramic material, article made of ceramic material (variants) and method for their preparing

Номер патента: RU2224548C2. Автор: С.Л. Кабаргин,Л.П. Иванова,В.Б. Огородников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный центр медицинской керамики". Дата публикации: 2004-02-27.

Method and device for forming high-speed no-containing gas flow for action on biological object

Номер патента: RU2597131C2. Автор: Евгений Владимирович Печёнкин. Владелец: Евгений Владимирович Печёнкин. Дата публикации: 2016-09-10.

Method for forming of creases on knitted articles

Номер патента: RU2309208C1. Автор: Елена Николаевна Колесникова,Тать на Евгеньевна Ермохина,Татьяна Евгеньевна Ермохина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный текстильный университет им. А.Н. Косыгина". Дата публикации: 2007-10-27.

METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-BETA-ESTER AND METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-ALPHA-METHYL ESTER

Номер патента: US20120003692A1. Автор: . Владелец: AJINOMOTO CO., INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for production of thin antireflection layers based on mesoporous silicon dioxide by sol-gel method in presence of oligomers of ethylene oxide, oligomers of propylene oxide

Номер патента: RU2368576C2. Автор: Борис Борисович Троицкий,Мария Александровна Новикова,Валентина Николаевна Денисова,Татьяна Ивановна Лопатина,Людмила Васильевна Хохлова. Владелец: Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева РАН. Дата публикации: 2009-09-27.

Method for generating voltage at electric arc welding and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2247013C2. Автор: Н.М. Чуйко,Д.Н. Чуйко. Владелец: Чуйко Дмитрий Николаевич. Дата публикации: 2005-02-27.

Method for production of c8-c12-cycloalkanones

Номер патента: RU2154050C1. Автор: А.В. Новиков,Т.Н. Антонова,Е.М. Чабуткина,С.А. Машина. Владелец: Ярославский государственный технический университет. Дата публикации: 2000-08-10.

Method for forming of configured chocolate articles (versions), method for manufacture of mold, and mold

Номер патента: RU2246223C2. Автор: И.Б. Эльдарханова,А.И. Коваленский. Владелец: ООО "Кондитерская фабрика "Конфаэль". Дата публикации: 2005-02-20.

Method for drawing parts of sheet material (variants)

Номер патента: RU2292976C2. Автор: Игорь Юрьевич Ананченко,Валерий Алексеевич Жарков,Павел Иванович Кандауров. Владелец: Открытое акционерное общество "АВТОВАЗ". Дата публикации: 2007-02-10.

Low-temperature method for aniline through hydrogenation of nitrobenzene

Номер патента: RU2337904C2. Автор: Андрей Николаевич Утробин,Борис Николаевич Горбунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Пигмент" (ОАО "Пигмент"). Дата публикации: 2008-11-10.

Method for forming of tuber layer in potato cultivation

Номер патента: RU2316944C2. Автор: Борис Лазаревич Охотников,Валерий Александрович Андреев. Владелец: ФГОУ ВПО Уральская государственная сельскохозяйственная академия. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for manufacturing thin-film structure of microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2293400C1. Автор: Татьяна Николаевна Курбанова,Вера Сергеевна Гвоздаева,Анатолий Юрьевич Павлов,Тать на Николаевна Курбанова (RU),Вера Сергеевна Гвоздаева (RU),Анатолий Юрьевич Павлов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2007-02-10.

Method for development of forest stock plots adjoining conservation zones of air electric power lines

Номер патента: RU2287259C2. Автор: Сергей Михайлович Львов,Марина Васильевна Шашова. Владелец: Марина Васильевна Шашова. Дата публикации: 2006-11-20.

Method for controlling status of discrete signal sources and system for its implementation

Номер патента: RU2289164C1. Автор: Сергей Гаврилович Синичкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет (ГОУ ВПО НГТУ). Дата публикации: 2006-12-10.

Method for depositing on titanium and its alloys zirconium -containing coating

Номер патента: RU2323278C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Татьяна Петровна Яровая,Кирилл Николаевич Килин,Тать на Петровна Ярова. Владелец: Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН). Дата публикации: 2008-04-27.

Method for preparing engine fuel

Номер патента: RU2233309C1. Автор: В.К. Смирнов,В.Б. Мельников,ров М.Х. Ишми,М.Х. Ишмияров,Х.Х. Рахимов,О.В. Барсуков,К.Н. Ирисова,М.Л. Павлов,В.А. Патрикеев,нчиков И.И. Лукь,И.И. Лукьянчиков. Владелец: ООО "Компания Катахим". Дата публикации: 2004-07-27.

Method for forming support resonance on ultra-thin transitions of main state of alkali metal atom

Номер патента: RU2312457C1. Автор: Сергей Александрович Зибров,Владимир Леонидович Величанский,Валерий Иванович Юдин,Алексей Владимирович Тайченачев. Владелец: Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН. Дата публикации: 2007-12-10.

Method for obtaining columnar monocrystals of silicon from sand, and device for its implementation

Номер патента: RU2488650C1. Автор: Юрий Александрович Семенов,Алексей Степанович Таранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет". Дата публикации: 2013-07-27.

Method for forming and decorating of cream confectionery

Номер патента: RU2310329C2. Автор: Валерий Эдуардович Агабабов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Круг". Дата публикации: 2007-11-20.

Method for production of relief in functional layer of print form

Номер патента: RU2288844C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов,Сергей Геннадьевич Зарубин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2006-12-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.