Silicon oxidation method.

Silicon oxidation method

Номер патента: US20040262682A1
Опубликовано: 30-12-2004
Автор(ы): Damien Lenoble
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming a silicon oxide layer using pulsed nitrogen plasma implantation

Номер патента: US20020127882A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Method of Forming a Nitrogen-Enriched Region within Silicon-Oxide-Containing Masses

Номер патента: US20090215253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John T. Moore,Neal R. Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Etching of silicon oxide film

Номер патента: US20080254636A1. Автор: Shigeki Tozawa,Yusuke Muraki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating a nitrogenated silicon oxide layer and mos device having same

Номер патента: SG151229A1. Автор: YANG Bin,Lee Jae Gon,Zhou Meisheng,Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Ben Ong,Lydia Wong,Alex See Kh,Zhang Zhengquan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of producing silicon oxide film, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device

Номер патента: CA2281788C. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Takao Sakamoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Method of post-deposition treatment for silicon oxide film

Номер патента: US12100588B2. Автор: Toshiya Suzuki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US10008386B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Method and apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film

Номер патента: US20190043712A1. Автор: Koji Sasaki,Toshiyuki Ikeuchi,Kyungseok KO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method and apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film

Номер патента: US10636649B2. Автор: Koji Sasaki,Toshiyuki Ikeuchi,Kyungseok KO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Method of post-deposition treatment for silicon oxide film

Номер патента: US20230343587A1. Автор: Toshiya Suzuki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20040097026A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20020100946A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Structures containing titanium silicon oxide

Номер патента: US20100176442A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-15.

Ion-assisted oxidation methods and the resulting structures

Номер патента: US20020048888A1. Автор: Li Li,Pai-Hung Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method for depositing doped silicon oxide and atomic layer deposition process for depositing doped silicon oxide on substrate

Номер патента: TW201627520A. Автор: 福田秀明,中野竜,高牟礼昇,深澤篤穀,尼斯卡嫩安提,賀加蘇維,難波邦年. Владелец: Ａｓｍ國際股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-01.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150017794A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: ASM International. N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150147875A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US20190172708A1. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US20200185218A1. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2020-06-11.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US20180211834A1. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for depositing silicon oxide layer on silicon substrate utilized to form gate of e.g. N-channel metal-oxide-semiconductor transistor, involves forming silicon layer over silicon-germanium to deposit oxide layer on substrate

Номер патента: FR2978602A1. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-01.

High-K-Last Manufacturing Process for Embedded Memory with Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (Sonos) Memory Cells

Номер патента: US20170194334A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chen I-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating thin silicon oxide layer for semiconductor device using oxidative behavior of photocatalyst

Номер патента: KR100643091B1. Автор: 이원규. Владелец: 강원대학교산학협력단. Дата публикации: 2006-11-10.

Process for minimizing boron depletion in N-channel FET at the silicon-silicon oxide interface

Номер патента: US4596068A. Автор: Solomon F. Peters, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1986-06-24.

Method for creating barriers to metal contamination in silicon oxides

Номер патента: US20040121550A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Selective removal of a silicon oxide layer

Номер патента: US20100041189A1. Автор: Markus Müller,Pascal Besson,Alexandre Mondot. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor device, method for forming silicon oxide film, and apparatus for forming silicon oxide film

Номер патента: EP1130634A1. Автор: Tadahiro Ohmi. Владелец: OHMI, Tadahiro. Дата публикации: 2001-09-05.

Method for fabricating a nitrided silicon-oxide gate dielectric

Номер патента: TWI232522B. Автор: Toshiharu Furukawa,James S Nakos,Anthony I Chou,Jay S Burnham,Margaret L Gibson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-05-11.

Etching of silicon oxide film

Номер патента: TW200901313A. Автор: Shigeki Tozawa,Yusuke Muraki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Fabficating method of silicon oxide using inorgarnic silicon precursor and fabficating method of semiconductor device using the same

Номер патента: KR101583608B1. Автор: 이인선,최시영,황기현,노진태,안재영. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2016-01-08.

Methods of fabricating silicon oxide layers using inorganic silicon precursors and methods of fabricating semiconductor devices including the same

Номер патента: US20100248465A1. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Si-Young Choi,In-Sun Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Method and Apparatus for Forming Silicon Oxide Film, and Storage Medium

Номер патента: US20190080913A1. Автор: HISHIYA Shingo,KIKAMA Eiji,KO Kyungseok,SHIMA Hiromi. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Method of forming silicon oxide film

Номер патента: US9472394B2. Автор: Jun Sato,Yuichiro Morozumi,Hiroki Murakami,Toshiyuki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242790A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Plasma treatment to improve adhesion between hardmask film and silicon oxide film

Номер патента: US09865459B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: WO2023150244A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer-consisting of poly si and a silicide-present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma

Номер патента: CA1243133A. Автор: Alfred J. Van Roosmalen,Anton P.M. Van Arendonk. Владелец: Anton P.M. Van Arendonk. Дата публикации: 1988-10-11.

Semiconductor device with impurity layer as channel stopper immediately under silicon oxide film

Номер патента: US5994190A. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

FORMING SILICON OXIDE LAYERS BY RADICAL OXIDATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SILICON OXIDE LAYER

Номер патента: US20180175150A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Storbeck Olaf,IRSIGLER Peter,Siemieniec Ralf,Laforet David,HELLMUND Oliver,Konrath Jens Peter,Stahrenberg Knut,LANGNER Maik,NEUBER Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Bismuth-titanium-silicon oxide, bismuth-titanium-silicon oxide thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4387723B2. Автор: 永眞 ▲曹▼,ヨセプ閔,永洙朴,正賢李,俊冀李,容均李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

Non-volatile memory cell having a silicon-oxide nitride-oxide-silicon gate structure and fabrication method of such cell

Номер патента: US20030224564A1. Автор: Sung-taeg Kang,Seung-Gyun Kim,Jung-Wook Han,Hyun-Khe Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Non-volatile memory cell having a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon gate structure and fabrication method of such cell

Номер патента: KR100468745B1. Автор: 김성균,한정욱,유현기,강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-29.

High-K-last manufacturing process for embedded memory with silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cells

Номер патента: US9842850B2. Автор: Wei Cheng Wu,I-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Forming method of silicon oxide film, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW201101391A. Автор: Yoshinobu Tanaka,Hirokazu Ueda,Yusuke Ohsawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-01-01.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20200020539A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180076040A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180233369A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US20180233370A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20190371611A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: CN101275219A. Автор: 萧满超,雷新建,E·J·小卡瓦基,H·斯里丹达姆. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control

Номер патента: KR102491414B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-20.

Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20080124946A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki,Hareesh Thridandam. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: US20130126986A1. Автор: Michael P. Chudzik,Min Dai,Murshed M. Chowdhury,Shahab Siddiqui,Siddarth A. Krishnan,Shreesh Narasimha,MaryJane Brodsky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

FILM-FORMING METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20150332917A1. Автор: Sato Jun,Chou Pao-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: CN103946963A. Автор: 戴敏,M·M·乔德哈里,M-J·布罗德斯基,M·P·储德泽克,S·A·克里什南,S·纳拉丝穆哈,S·斯蒂奎. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Film-forming method and film-forming apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film

Номер патента: TW201241226A. Автор: Jun Sato,Pao-Hwa Chou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-16.

Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers

Номер патента: US20120225565A1. Автор: Paul Edward Gee,Shankar Venkataraman,Sidharth Bhatia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

Method and apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film

Номер патента: US20190043712A1. Автор: Koji Sasaki,Toshiyuki Ikeuchi,Kyungseok KO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for Growing Very Thick Thermal Local Silicon Oxide Structures and Silicon Oxide embedded Spiral Inductors

Номер патента: US20200105860A1. Автор: Osman Ersed Akcasu. Владелец: Nanohenry Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09875907B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09859128B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for storing silicon substrate having silicon oxide film formed thereon

Номер патента: US20060207688A1. Автор: Toshiyuki Fujimoto,Shingo Ichimura,Akira Kurokawa,Hidehiko Nonaka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-09-21.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US09847221B1. Автор: Kapu Sirish Reddy,Kevin M. McLaughlin,Amit Pharkya. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Process for forming low K silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A3. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Method and apparatus for depositing a silicon oxide film

Номер патента: US20020090455A1. Автор: Katsuhisa Yuda,Manabu Ikemoto. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A2. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

A semiconductor device having fluorine doped silicon oxide films

Номер патента: GB2357902A. Автор: Tatsuya Usami,Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US12125709B2. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US11715641B2. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates having polysilicon and silicon oxide dielectric films

Номер патента: RU2573672C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Вей Лан Уиллиам ЧИУ,Харви Уэйн ПИНДЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-01-27.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242791A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, containing film based on silicon oxide dielectric and based on polycrystalline silicon

Номер патента: RU2588620C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Исон Юй-Шен СУ,Аренд Йоукэ КИНГМА,Бастиан Мартен НОЛЛЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Selective deposition of silicon oxide

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of etching silicon oxide film

Номер патента: US20150056808A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Yoshinobu Hayakawa,Masahiro Ogasawara,Hikaru Watanabe,Masafumi Urakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation

Номер патента: US20030207750A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Plasma oxidizing method, plasma processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20100015815A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuhiko Yamamoto,Junichi Kitagawa,Yoshiro Kabe,Hikaru Adachi,Toshihiko Shiozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Method of forming silicon oxide containing films

Номер патента: US8227032B2. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Eri Tsukada,Julien Gatineau,Ikuo Suzuki. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2012-07-24.

Crack and residue free conformal deposited silicon oxide with predictable and uniform etching characteristics

Номер патента: US20050106318A1. Автор: Markus Lutz,Aaron Partridge,Silvia Kronmueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Methods of uniformly removing silicon oxide and an intermediate semiconductor device

Номер патента: US8435904B2. Автор: Nishant Sinha,Joseph N. Greeley,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

Methods of removing silicon oxide and gaseous mixtures for achieving same

Номер патента: US20090275205A1. Автор: Paul A. Morgan,J. Neil Greeley,Mark W. Kiehlbauch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-05.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Polishing liquid composition for silicon oxide films

Номер патента: US20230279266A1. Автор: Norihito Yamaguchi,Masaki Inoue. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Low temperature silicon oxide gap fill

Номер патента: WO2023230065A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Bhargav S. CITLA,Soham ASRANI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Low temperature silicon oxide gap fill

Номер патента: US20230386829A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Bhargav S. CITLA,Soham ASRANI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Polishing liquid composition for silicon oxide film

Номер патента: US11814547B2. Автор: Norihito Yamaguchi,Haruhiko Doi,Masaki Inoue,Masato Sugahara,Takanao SEIKE. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Process for forming silicon oxide film

Номер патента: US5314724A. Автор: Hatanaka Masanobu,Yuji Furumura,Atuhiro Tsukune. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1994-05-24.

Method of forming a silicon oxide layer

Номер патента: US20020197888A1. Автор: Tang Yu,Cheng-Chieh Huang,Tse-Wei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Reduced temperature etching of doped silicon oxide

Номер патента: WO2023235188A1. Автор: HAO Chi,Pramod Subramonium,John Hoang,Joseph James VEGH,Jonathan CHURCH,Mehmet Fatih Yilmaz. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US20230274944A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Deposition of silicon oxide films

Номер патента: US20020155730A1. Автор: Kevin Mukai,Srinivas Nemani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20200185238A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20180166303A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Etch stop use in etching of silicon oxide

Номер патента: US20010003679A1. Автор: J. Rolfson,David Cathey,Valerie Ward,Karen Winchester. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-14.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Hard mask integrated etch process for patterning of silicon oxide and other dielectric materials

Номер патента: US20040178169A1. Автор: David Dobuzinsky,Richard Wise,Sadanand Desphande,Arpan Mahorowala,Tina Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Polishing liquid composition for silicon oxide film

Номер патента: US11795346B2. Автор: Yohei Uchida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same

Номер патента: EP3666852A2. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,Chang Chung-Yi. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-06-17.

Method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US20120196445A1. Автор: Kwon-Taek Lim. Владелец: Pukyong National University. Дата публикации: 2012-08-02.

Method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US8889563B2. Автор: Kwon-Taek Lim. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2014-11-18.

Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same

Номер патента: EP3666852A3. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,Chang Chung-Yi. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-08-19.

Anodic oxidizer, anodic oxidation method

Номер патента: US20040084317A1. Автор: Mitsuru Ushijima,Yasushi Yagi,Kazutsugu Aoki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Low-temperature oxide method for manufacturing backside field stop layer of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9455328B1. Автор: Mei-Ling Chen,Kuan-Yu Chen. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Anodic oxidization methods

Номер патента: US20010021566A1. Автор: Yasushi Kubota,Hideki Uochi,Hongyong Zhang,Yutaka Takafuji,Yosuke Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: WO2018234620A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2018-12-27.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US20200105576A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: EP3642867A1. Автор: Pekka Laukkanen,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN,Jaakko M KEL,Juha-Pekka LEHTI. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2020-04-29.

Controlled growth of thin silicon oxide film at low temperature

Номер патента: US20190189435A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kurtis LESCHKIES,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of continuous hills and method of fabricating the same

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Trench filling method employing silicon liner layer and gap filling silicon oxide trench fill layer

Номер патента: US5869384A. Автор: Chen-Hua Yu,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Trench filling method employing oxygen densified gap filling silicon oxide layer formed with low ozone concentration

Номер патента: US5817566A. Автор: Chen-Hua Yu,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US11923236B2. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: WO2002027777A3. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: EP1320877A2. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: WO2002027777A2. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of manufacturing semiconductor devices in which silicon oxide regions inset in silicon are formed by a masking oxidation, wherein an intermediate layer of polycrystalline silicon is provided between the substrate and the oxidation mask

Номер патента: US3900350A. Автор: Johannes Arnoldus Appels,Wilhelmus Henricus Verkuijlen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1975-08-19.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Layered metal oxide-silicon oxide films

Номер патента: WO2024073220A1. Автор: Ravi Kumar,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Pulkit Agarwal,Pei-Chi Liu,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-04-04.

Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same

Номер патента: US20080121622A1. Автор: Seung-ki Chae,Pil-kwon Jun,Yang-Koo Lee,Dong-won Hwang,Kook-Joo Kim,Jung-In LA. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Polishing liquid composition for silicon oxide film

Номер патента: US20230420260A1. Автор: Norihito Yamaguchi,Masato Sugahara. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of improving the radiation resistance of silicon transistors with a silicon oxide coating

Номер патента: US3829961A. Автор: R Bauerlein,D Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-08-20.

Silicon carbide (SiC) MOSFET with a silicon oxide layer capable of suppressing deterioration of carrier mobility and variation in threshold voltage

Номер патента: US10186596B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Silicon oxide film growing apparatus

Номер патента: US5376176A. Автор: Atsushi Kuriyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Starting material for use in forming silicon oxide film and method for forming silicon oxide film using same

Номер патента: US20120071006A1. Автор: Song Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Selective deposition of silicon oxide on metal surfaces

Номер патента: US20240076775A1. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Starting material for use in forming silicon oxide film and method for forming silicon oxide film using same

Номер патента: US8753988B2. Автор: Song Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-17.

Method and system for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers

Номер патента: US20230349043A1. Автор: Takashi Yoshida,René Vervuurt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon Oxide Layer for Oxidation Resistance and Method Forming Same

Номер патента: US20200161170A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Low temperature deposition of silicon oxide films

Номер патента: SG194085A1. Автор: Baljit Singh,Curtis Dove,Mehdi Balooch,Eduard Gil Paran Tesnado. Владелец: Asia Union Electronic Chemical Corp. Дата публикации: 2013-11-29.

Liquid phase conformal silicon oxide spin-on deposition

Номер патента: WO2022169934A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-11.

Liquid phase conformal silicon oxide spin-on deposition

Номер патента: US20220254630A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Low temperature deposition of silicon oxide films

Номер патента: WO2012141908A8. Автор: Baljit Singh,Curtis Dove,Mehdi Balooch,Eduard Gil Paran Tesnado. Владелец: Asia Union Electronic Chemical Corporation. Дата публикации: 2012-11-22.

Low temperature deposition of silicon oxide films

Номер патента: EP2697826A1. Автор: Baljit Singh,Curtis Dove,Mehdi Balooch,Eduard Gil Paran Tesnado. Владелец: Asia Union Electronic Chemical Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film

Номер патента: EP1050600A1. Автор: Frederic Gaillard,Li-Qun Xia,Fabrice Geiger,Ellie Yieh,Tian Lim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Method and apparatus for silicone oxide deposition on large area substrates

Номер патента: EP1644972A2. Автор: Wendell T. Blonigan,Quanyuan Shang,Sanjay D. Yadav. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Surface oxidation method for wafer

Номер патента: US11094534B2. Автор: HAO WANG,Xiangyu Li,Huijun Xu,Yujia ZHUANG. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Surface oxidation method for wafer

Номер патента: US20200343086A1. Автор: HAO WANG,Xiangyu Li,Huijun Xu,Yujia ZHUANG. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Selective removal of a silicon oxide layer

Номер патента: TW200746311A. Автор: Markus Müller,Pascal Besson,Alexandre Mondot. Владелец: St Microelectronics Crolles 2. Дата публикации: 2007-12-16.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20040082084A1. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US6890776B2. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Thin film storage transistor with silicon oxide nitride charge trapping layer

Номер патента: US20220392529A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon memory cell

Номер патента: US20240215251A1. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2023270247A1. Автор: Lin Kairui. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film

Номер патента: US20020182343A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Katsuhisa Yuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240170590A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4376099A2. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4376099A3. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US12034094B2. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell for FINFET and forming method thereof

Номер патента: US11882699B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of manufacturing a memory device comprising introducing a dopant into silicon oxide

Номер патента: US11991939B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell for FinFET

Номер патента: US11856771B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for the formation of a silicon oxide film

Номер патента: US5372842A. Автор: Takashi Nakamura,Motoshi Sasaki,Katsutoshi Mine. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-13.

ReRAM cells with diffusion-resistant metal silicon oxide layers

Номер патента: US20160028008A1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20210159346A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Silicon oxide germanium resonant tunneling

Номер патента: US5466949A. Автор: Yasutoshi Okuno. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

METHODS FOR PATTERNING A SILICON OXIDE-SILICON NITRIDE-SILICON OXIDE STACK AND STRUCTURES FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20210183641A1. Автор: HSIEH Yuan-Chih,Wang Yi-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Laminated silicon oxide film capacitors and method for their production

Номер патента: CA2023842A1. Автор: Hiroshi Yamamura,Yoshitaka Kubota,Naomichi Sakai,Hiroya Nagata,Masanaga Kikusawa. Владелец: Masanaga Kikusawa. Дата публикации: 1991-02-25.

Selective deposition of silicon oxide on dielectric surfaces relative to metal surfaces

Номер патента: US11898240B2. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Silicon oxide liner for reduced nickel silicide bridging

Номер патента: EP1327261A1. Автор: Minh Van Ngo,Christy Mei-Chu Woo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Silicon oxide liner for reduced nickel silicide bridging

Номер патента: WO2002029882A1. Автор: Minh Van Ngo,Christy Mei-Chu Woo. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-04-11.

Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) Type Nonvolatile Memory And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100521371B1. Автор: 최용석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

Silicon oxide insulator (SOI) semiconductor having selectively linked body

Номер патента: US6020222A. Автор: Donald Wollesen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR101994836B1. Автор: 진동언,이재섭. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-07-02.

Methods of highly selective silicon oxide removal

Номер патента: US20240087910A1. Автор: Nitin K. Ingle,Dongqing Yang,Lala Zhu,Shi Che. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of highly selective silicon oxide removal

Номер патента: WO2024058794A1. Автор: Nitin K. Ingle,Lala Zhu,Shi Che,Dongquing YANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films

Номер патента: EP2924143A1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-09-30.

Physical unclonable functions with copper-silicon oxide programmable metallization cells

Номер патента: US11869852B2. Автор: Michael Kozicki,Wenhao Chen. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-01-09.

Resistive memory device including a silicon oxide base spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20240114810A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Fu-Ting Sung,Jhih-Bin CHEN,Hung-Shu Huang,Hong Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Physical unclonable functions with copper-silicon oxide programmable metallization cells

Номер патента: US20200381372A1. Автор: Michael Kozicki,Wenhao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-03.

SELECTIVE PLASMA ETCHING OF SILICON OXIDE RELATIVE TO SILICON NITRIDE BY GAS PULSING

Номер патента: US20200234968A1. Автор: Wang Mingmei,Zhang Du,Tsai Yu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Silicon oxide silicon nitride stack stair step etch

Номер патента: US20210407811A1. Автор: Qian Fu,Zhongkui Tan,Ce Qin,Sam Do Lee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Silicon oxide silicon nitride stack stair step etch

Номер патента: WO2019108844A1. Автор: Qian Fu,Zhongkui Tan,Ce Qin,Sam Do Lee. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-06.

Silicon oxide silicon nitride stack stair step etch

Номер патента: SG11202004796PA. Автор: Qian Fu,Zhongkui Tan,Ce Qin,Sam Do Lee. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2020-06-29.

Silicon oxide film forming method and plasma oxidation apparatus

Номер патента: US20130012033A1. Автор: Yoshihiro Sato,Yoshiro Kabe,Shuichiro Otao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for forming high purity silicon oxide field oxide isolation region

Номер патента: US6818495B1. Автор: Jin-Yuan Lee,Min-Hsiung Chiang,Jenn Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of forming silicon oxide film

Номер патента: US20130109197A1. Автор: Jun Sato,Kazuhide Hasebe,Yuichiro Morozumi,Hiroki Murakami,Toshiyuki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method For Selectively Etching Silicon Oxide Film

Номер патента: US20190027373A1. Автор: KWON Bong-Soo,Sim Tae-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method For Selectively Etching Silicon Oxide Film

Номер патента: US20190027374A1. Автор: Lee Jong-Bae,Sim Tae-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Silicon Oxide Selective Dry Etch Process

Номер патента: US20210066088A1. Автор: ZHANG Qi,Lu Xinliang,Chung Hua,Yang Haichun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

VERTICAL FIELD-EFFECT-TRANSISTORS HAVING A SILICON OXIDE LAYER WITH CONTROLLED THICKNESS

Номер патента: US20190109212A1. Автор: Mehta Sanjay,SCHMIDT Kristin,Sankarapandian Muthumanickam,Liu Chi-chun,Vora Ankit,Meli Luciana. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Etching Solution Having Silicon Oxide Corrosion Inhibitor And Method Of Using The Same

Номер патента: US20200157422A1. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,Chang Chung-Yi. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

VERTICAL FIELD-EFFECT-TRANSISTORS HAVING A SILICON OXIDE LAYER WITH CONTROLLED THICKNESS

Номер патента: US20190189775A1. Автор: Mehta Sanjay,SCHMIDT Kristin,Sankarapandian Muthumanickam,Liu Chi-chun,Vora Ankit,Meli Luciana. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: WO2024085970A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon rich oxides and fluorinated silicon oxide insulating layers

Номер патента: GB2367426A. Автор: Steven Alan Lytle,Huili Shao,Mary Drummond Roby,Kurt G Steiner,Morgan J Thoma,Daniel Joseph Vitkavage,Susan C Vitkavage. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-04-03.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Silicon wafer surface treatment method, odorless silicon wafer production method, silicon wafer oxide film formation method, silicon oxide wafer production method, oxygen active species atmosphere formation apparatus, and planarization treatment system

Номер патента: JP4294816B2. Автор: 道彦柳澤,毅佐土原. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: KR102491771B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-25.

Method to produce ultrathin porous silicon-oxide layer

Номер патента: US5830532A. Автор: Yi Wei,Robert M. Wallace,Shaoping Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Aqueous Solution for Etching Silicon Oxide

Номер патента: US20220098485A1. Автор: Guy Vereecke. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of selectively etching the silicon nitride film on the silicon oxide layer

Номер патента: TW389967B. Автор: Hideyuki Shoji,Mitsunari Sukekawa. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2000-05-11.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: IL182797A0. Автор: . Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-19.

Method of forming silicon nanocrystal embedded silicon oxide electroluminescence device with a mid-bandgap transition layer

Номер патента: US8133822B2. Автор: HAO Zhang,Jiandong Huang,Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

An etchant with selectivity for doped silicon oxide on top of undoped silicon oxide and silicon nitride, methods of using the etchant, and structures formed thereby.

Номер патента: JP2004503082A. Автор: リ、リ,コ、ケイ−ユ,ブラロック、ガイ　ティー．. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for making silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide structure

Номер патента: TW200426919A. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ching-Tang Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

Passivation of silicon oxide during photoresist burnoff

Номер патента: US4544416A. Автор: Charles G. Meador,Eddie H. Breashears. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-10-01.

Method for Growing Very Thick Thermal Local Silicon Oxide Structures and Silicon Oxide embedded Spiral Inductors

Номер патента: US20200105860A1. Автор: Osman Ersed Akcasu. Владелец: Nanohenry Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon oxide film, method for forming silicon oxide film, and plasma cvd apparatus

Номер патента: TW201020339A. Автор: Toshio Nakanishi,Minoru Honda,Junya Miyahara,Masayuki Kohno. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Composition and method for silicon oxide and carbon doped silicon oxide cmp

Номер патента: EP4048750A1. Автор: Brian Reiss,Sudeep Pallikkara Kuttiatoor,Fernando HUNG LOW,Steven KRAFT,Sarah BROSNAN,Sajo Naik. Владелец: CMC Materials Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Method for fabricating non-volatile memory device having a sidewall gate and SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) cell structure

Номер патента: KR100442883B1. Автор: 강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-02.

METHOD FOR SELECTIVATING DOTED SILICON OXIDE ON UNDOTIZED SILICON OXIDE

Номер патента: DE60135844D1. Автор: Li Li,Kei-Yu Ko,Guy T Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

A method of fabricating a semiconductor device having a silicon oxide layer, a method of fabricating a semiconductor device having dual spacers, a method of forming a silicon oxide layer on a substrate, and a method of forming dual spacers on a conductiv

Номер патента: TW200401397A. Автор: Chang-Won Lee,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-16.

Composition and method for silicon oxide and carbon doped silicon oxide cmp

Номер патента: EP4048750A4. Автор: Brian Reiss,Steven KRAFT,Low Fernando Hung,Kuttiatoor Sudeep Pallikkara,Sarah BROSNAN,Sajo Naik. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2024-01-03.

Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of (CH3F or CH2F2) and CF4 and O2

Номер патента: EP0869545A2. Автор: Cynthia B. Brooks,Ajey M. Joshi,Walter Merry,Jitske Trevor,Gladys D. Quinones. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-10-07.

Thermal annealing method for preventing defects in doped silicon oxide surfaces during exposure to atmosphere

Номер патента: US20090269930A1. Автор: Mei Chang,Chien-Teh Kao,Xinliang Lu,Haichun Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Photovoltaic cell realizing method, involves anisotropic engraving substrate surface, and isotropic chemical engraving surface by silicon oxide formation by oxidation agent and elimination of oxide by engraving agent

Номер патента: FR2955706A1. Автор: Thierry SALVETAT,Adrien Danel,Florent Souche,Tiec Yannick Le. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-07-29.

Precursor addition to silicon oxide CVD for improved low temperature gapfill

Номер патента: TW201030175A. Автор: Hiroshi Hamana,Paul Edward Gee,Nitin K Ingle,Shankar Venkataraman,Manuel A Hernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-16.

Improvement to the anisotropic chemical etching process of silicon oxide in the manufacture of mos transistor flash eprom devices

Номер патента: SG71131A1. Автор: Giuseppe Miccoli,Alessandro Torsi,Felice Russo,Koteswara Rao Chintapalli,Giuseppe Cautiero. Владелец: Consorzio Eagle. Дата публикации: 2000-03-21.

Method and apparatus for depositing a silicon oxide film

Номер патента: TW507018B. Автор: Katsuhisa Yuda,Manabu Ikemoto. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2002-10-21.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: AU5494600A. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2001-01-30.

Methods of etching into silicon oxide-containing material, methods of forming container capacitors, and methods of forming DRAM arrays

Номер патента: TW200841424A. Автор: Russell A Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

플라즈마 화학 증착을 사용하여 불화 실리콘 산화물 유전층의 형성 방법(method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition)

Номер патента: KR970702683A. Автор: 링퀴안 퀴안,멜빈 씨. 슈미트,글렌 엘. 노빙거. Владелец: 와트킨스-존슨 컴패니. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of manufacturing semiconductor devices comprising recessed silicon oxide regions

Номер патента: DE2860635D1. Автор: Billy Lee Crowder,William Ralph Hunter,Jr Douglas William Ormond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-08-06.

Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121B1. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Method and apparatus for forming silicon oxide fil

Номер патента: TWI357109B. Автор: Katsushi Suzuki,Shinji Mori,Keisuke Suzuki,Kenji Tago,Kazuo Saki,Kimiya Aoki,Asami Shirakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-21.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for reducing the pattern sensitivity of ozone assisted chemical vapor deposited (CVD) silicon oxide insulator layers

Номер патента: TW386262B. Автор: Shiun-Ming Jang,Lu-Ming Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-04-01.

Methods of etching into silicon oxide-containing m

Номер патента: TWI351739B. Автор: Russell A Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC FILMS AND POLYSILICON AND/OR SILICON NITRIDE FILMS

Номер патента: US20130171824A1. Автор: Li Yuzhuo,Venkataraman Shyam Sundar,Pinder Harvey Wayne. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-04.

Compositions and Methods For CMP of Silicon Oxide, Silicon Nitride, and Polysilicon Materials

Номер патента: US20150024595A1. Автор: MATEJA Daniel,WARD William,Moeggenborg Kevin,Dinega Dimitry. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

PRE-TREATMENT APPROACH TO IMPROVE CONTINUITY OF ULTRA-THIN AMORPHOUS SILICON FILM ON SILICON OXIDE

Номер патента: US20190027362A1. Автор: Yang Yi,JANAKIRAMAN Karthik,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Cheng Rui. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

POLISHING COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY POLISHING SILICON NITRIDE OVER SILICON OXIDE FILMS

Номер патента: US20160079080A1. Автор: Mishra Abhudaya,Wang Luling. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE SELECTIVELY AGAINST EACH OTHER

Номер патента: US20180076048A1. Автор: GOHIRA Taku,Tominaga Sho. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

SILICON OXIDE SILICON NITRIDE STACK ION-ASSISTED ETCH

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Xu Qing,Xiang Hua,TAN Zhongkui,HU Wenbing,FU Qian. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

METHOD OF SELECTIVELY ETCHING FIRST REGION MADE OF SILICON NITRIDE AGAINST SECOND REGION MADE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20180166303A1. Автор: KUMAKURA Sho,TABATA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Plasma etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US20200161138A1. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

APPARATUS FOR SELECTIVELY ETCHING FIRST REGION MADE OF SILICON NITRIDE AGAINST SECOND REGION MADE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20200185238A1. Автор: KUMAKURA Sho,TABATA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

HIGH-THROUGHPUT DRY ETCHING OF SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE MATERIALS BY IN-SITU AUTOCATALYST FORMATION

Номер патента: US20210233775A1. Автор: IWATA Manabu,SAKAMOTO Wataru,Wang Mingmei,KIHARA Yoshihide,YOKOYAMA Takahiro,Zhang Du,Tsai Yu-Hao,Shi Yanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Planarization (CMP) Polishing With Tunable Silicon Oxide And Silicon Nitride Removal Rates

Номер патента: US20200239736A1. Автор: Shi Xiaobo,"ONeill Mark Leonard",Murella Krishna P.,Rose Joseph D.,Zhou Hongjun. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

METHOD OF SELECTIVELY ETCHING FIRST REGION MADE OF SILICON NITRIDE AGAINST SECOND REGION MADE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20190252217A1. Автор: KUMAKURA Sho,TABATA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

POLISHING COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY POLISHING SILICON NITRIDE OVER SILICON OXIDE FILMS

Номер патента: US20150284593A1. Автор: Mishra Abhudaya,Wang Luling. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

INDEPENDENT CONTROL OF ETCHING AND PASSIVATION GAS COMPONENTS FOR HIGHLY SELECTIVE SILICON OXIDE/SILICON NITRIDE ETCHING

Номер патента: US20200321218A1. Автор: Wang Mingmei,Zhang Du,Tsai Yu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

PLASMA ETCHING METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING SILICON OXIDE WITH RESPECT TO SILICON NITRIDE

Номер патента: US20180366338A1. Автор: Watanabe Hikaru,TSUJI Akihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-12-20.

Highly selective silicon oxide/silicon nitride etching by selective boron nitride or aluminum nitride deposition

Номер патента: US20200402808A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US7531105B2. Автор: Timothy P. Johns,Jeffrey M. Dysard. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US7504044B2. Автор: Phillip W. Carter,Timothy P. Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

NOVEL SELECTIVE MECHANICAL CHEMICAL POLISHING BETWEEN A SILICON OXIDE LAYER AND A SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: FR2785614B1. Автор: Eric Jacquinot,Pascal Letourneau,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant France SA. Дата публикации: 2001-01-26.

NOVEL SELECTIVE MECHANICAL CHEMICAL POLISHING BETWEEN A SILICON OXIDE LAYER AND A SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: FR2785614A1. Автор: Eric Jacquinot,Pascal Letourneau,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant France SA. Дата публикации: 2000-05-12.

A method of polishing a substrate comprising polysilicon, silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: DE102011013981A1. Автор: Yi Guo,Zhendong Liu,Kancharla-Arun Kumar Reddy,Guangyun Zhang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for one-to-one polishing of silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US7629258B2. Автор: Suryadevara V. Babu,Anita Natarajan. Владелец: Infotonics Technology Center Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Compositions and methods for CMP of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon materials

Номер патента: US9303187B2. Автор: Kevin Moeggenborg,William Ward,Daniel MATEJA,Dimitry Dinega. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films

Номер патента: US9583359B2. Автор: Abhudaya Mishra,Luling Wang. Владелец: Fujifilm Planar Solutions LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Slurry composition and method for polishing copper layer, silicon layer and silicon oxide layer

Номер патента: KR101955391B1. Автор: 김대환,박종대,김택래,김재현. Владелец: 주식회사 동진쎄미켐. Дата публикации: 2019-03-08.

Method of polishing a substrate comprising polysilicon, silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US8491808B2. Автор: Yi Guo,Zhendong Liu,Kancharla-Arun Kumar Reddy,Guangyun Zhang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US8492277B2. Автор: Yi Guo,Zhendong Liu,Kancharla-Arun Kumar Reddy,Guangyun Zhang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US8496843B2. Автор: Yi Guo,Zhendong Liu,Kancharla-Arun Kumar Reddy,Guangyun Zhang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US20060099814A1. Автор: Phillip Carter,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US20060108326A1. Автор: Jeffrey Dysard,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US8138091B2. Автор: Timothy P. Johns,Jeffrey M. Dysard. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US20090215271A1. Автор: Timothy P. Johns,Jeffrey M. Dysard. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US7846842B2. Автор: Phillip W. Carter,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: WO2006052433A2. Автор: Phillip Carter,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2006-05-18.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: WO2006052433A3. Автор: Phillip Carter,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: TW200630472A. Автор: Phillip W Carter,Timothy P Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-09-01.

Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films

Номер патента: US9558959B2. Автор: Abhudaya Mishra,Luling Wang. Владелец: Fujifilm Planar Solutions LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: KR101309324B1. Автор: 제프리 디사드,티모씨 존스. Владелец: 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2013-09-16.

Polishing composition and polishing method having high silicon nitride / silicon oxide removal rate ratio

Номер патента: JP5188980B2. Автор: ダイサード，ジェフリー,ジョーンズ，ティモシー. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-24.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: WO2007067294A2. Автор: Jeffrey Dysard,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2007-06-14.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: TWI347356B. Автор: Jeffrey Dysard,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-08-21.

Polishing composition and method with high selectivity for silicon nitride and polysilicon over silicon oxide

Номер патента: WO2021081145A1. Автор: Juyeon Chang,Benjamin Petro,Brittany Johnson. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: WO2007067294A3. Автор: Jeffrey Dysard,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: TW200732460A. Автор: Jeffrey Dysard,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: SG157354A1. Автор: Phillip Carter,Timothy Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-12-29.

Polishing composition and method having higher removal rate of silicon nitride than silicon oxide

Номер патента: JP5102040B2. Автор: カーター，フィリップ,ジョーンズ，ティモシー. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: EP1831321B1. Автор: Phillip Cabot Microelectronics Co. CARTER,Timothy Cabot Microelectronics Co. JOHNS. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: KR101117401B1. Автор: 필립 카터,티모시 존스. Владелец: 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2012-02-29.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: TWI323274B. Автор: Phillip W Carter,Timothy P Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-04-11.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: MY160422A. Автор: W Carter Phillip,P Johns Timothy. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-15.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: MY149519A. Автор: Phillip W Carter,Timothy P Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-13.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: IL182797A. Автор: . Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-08-31.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: US20090137124A1. Автор: Phillip W. Carter,Timothy P. Johns. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: EP1831321A2. Автор: Phillip Cabot Microelectronics Co. CARTER,Timothy Cabot Microelectronics Co. JOHNS. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: IL182797D0. Автор: . Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-19.

Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: KR101672816B1. Автор: 이 구오,쿠마르 레디 칸차를라-아룬,젠동 루,광윤 장. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-11-04.

Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films

Номер патента: KR101899948B1. Автор: 미쉬라 아브후다야,왕 룰링. Владелец: 후지필름 플레이너 솔루션스, 엘엘씨. Дата публикации: 2018-09-19.

Polishing slurry composition having improved etch selectivity of silicon oxide to poly silicon and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: KR101161482B1. Автор: 백운규,박재근,김예환,박진형,임재형,최윤순. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-07-02.

Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: KR101737334B1. Автор: 이 구오,쿠마르 레디 칸차를라-아룬,젠동 루,광윤 장. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of polishing a substrate comprising polysilicon, silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: KR101672811B1. Автор: 이 구오,쿠마르 레디 칸차를라-아룬,젠동 루,광윤 장. Владелец: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-11-04.

METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE COMPRISING POLYSILICIUM AND AT LEAST ONE ELEMENT SELECTED FROM SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE

Номер патента: FR2957547A1. Автор: Yi Guo,Zhendong Liu,Kancharla-Arun Kumar Reddy,Guangyun Zhang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2011-09-23.

METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE COMPRISING POLYSILICIUM, SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE

Номер патента: FR2957548B1. Автор: Yi Guo,Zhendong Liu,Kancharla-Arun Kumar Reddy,Guangyun Zhang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2015-07-03.

Etching composition for silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: KR101757639B1. Автор: 김동현,이명호,문재웅,정태수,강교원. Владелец: 주식회사 이엔에프테크놀로지. Дата публикации: 2017-07-13.

Pretreatment Techniques for Improving Continuity of Ultrathin Amorphous Silicon Films on Silicon Oxide

Номер патента: JP7242631B2. Автор: ルイチェン，,アブヒジットバスマリック，,イーホンチェン，,イーヤン，,カーティックジャナキラマン，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-20.

METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE COMPRISING POLYSILICIUM AND AT LEAST ONE ELEMENT SELECTED FROM SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE

Номер патента: FR2957549B1. Автор: Yi Guo,Zhendong Liu,Kancharla-Arun Kumar Reddy,Guangyun Zhang. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2015-08-21.

Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: TWI508154B. Автор: 劉振東,郭毅,阿瑞瑞迪,張廣雲. Владелец: 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司. Дата публикации: 2015-11-11.

Compositions and methods for cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon materials

Номер патента: EP3025368B1. Автор: Kevin Moeggenborg,William Ward,Daniel MATEJA,Dmitry DINEGA. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Silicon Nanocrystal Embedded Silicon Oxide Electroluminescence Device with a Mid-Bandgap Transition Layer

Номер патента: US20080305566A1. Автор: HAO Zhang,Jiandong Huang,Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers

Номер патента: US6750141B2. Автор: Frederic Gaillard,Li-Qun Xia,Ellie Yieh,Paul Fisher,Margaret Lynn Gotuaco. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Pre-treatment approach to improve continuity of ultra-thin amorphous silicon film on silicon oxide

Номер патента: WO2019022826A1. Автор: Yi Yang,Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Rui CHENG,Karthik Janakiraman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Highly selective silicon oxide/silicon nitride etching by selective boron nitride or aluminum nitride deposition

Номер патента: KR20220024072A. Автор: 위-하오 차이,두 장,밍메이 왕. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-03.

Process for forming an interface between silicon carbide and silicon oxide with low density of states

Номер патента: US20110095304A1. Автор: Sebastiano Ravesi,Giovanni Abagnale,Dario Salinas. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for making a novel graded silicon nitride/silicon oxide (SNO) hard mask for improved deep sub-micrometer semiconductor processing

Номер патента: US6429538B1. Автор: Shih-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

Method for reducing silicon damage in silicon oxide wet etching

Номер патента: CN107170665B. Автор: 李阳柏,赵庆鹏. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Plasma etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US10580655B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Flattening (CMP) Polishing with Adjustable Silicon Oxide and Silicon Nitride Removal Rate

Номер патента: JP6980821B2. Автор: シーシアオポー,レナードオニールマーク,ピー．ムレラクリシュナ,ディーローズジョーセフ,ホンチュンチョウ. Владелец: バーサムマテリアルズユーエス，リミティドライアビリティカンパニー. Дата публикации: 2021-12-15.

Apparatus for creating strong interface between in-situ SACVD and PECVD silicon oxide films

Номер патента: US6009827A. Автор: Visweswaren Sivaramakrishnan,Stuardo Robles,Maria Galiano,Victoria Kithcart. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Method of etching silicon oxide and silicon nitride selectively against each other

Номер патента: KR102106419B1. Автор: 타쿠 고히라,쇼 토미나가. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-05-04.

Silicon nitride-silicon oxide etchant

Номер патента: CA959388A. Автор: Anthony S. Squillace,Jerald J. Rudmann,Albert E. Martin (Jr.). Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1974-12-17.

Method for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by this method

Номер патента: JP5305476B2. Автор: 俊英鎌田,聖植村. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: KR102484252B1. Автор: 쇼 쿠마쿠라,마사히로 타바타. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-03.

Polishing composition and method with high selectivity for silicon nitride and polysilicon over silicon oxide

Номер патента: EP4048751A1. Автор: Juyeon Chang,Benjamin Petro,Brittany Johnson. Владелец: CMC Materials Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Polishing composition and method with high selectivity for silicon nitride and polysilicon over silicon oxide

Номер патента: TW202122519A. Автор: 張柱然,班傑明佩特洛,布列塔尼強森. Владелец: 美商Ｃｍｃ材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-16.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Planarization (CMP) Polishing With Tunable Silicon Oxide and Silicon Nitride Removal Rates

Номер патента: IL272142B2. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2024-02-01.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Planarization (CMP) Polishing With Tunable Silicon Oxide and Silicon Nitride Removal Rates

Номер патента: IL272142B1. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2023-10-01.

Stable chemical mechanical planarization polishing compositions and methods for high rate silicon oxide removal

Номер патента: WO2023178003A1. Автор: LU Gan,Maitland GRAHAM,Ramon BERNASCONI,Maxwell WARNEKE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Polishing composition and method with high selectivity for silicon nitride and polysilicon over silicon oxide

Номер патента: EP4048751A4. Автор: Juyeon Chang,Benjamin Petro,Brittany Johnson. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-11-29.

Low temperature process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric-material characterized by improved resistance to oxidation and good gap-filling capabilities

Номер патента: US6365528B1. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Method to remove metal and silicon oxide during gas-phase sacrificial oxide etch

Номер патента: EP1201603B1. Автор: Scott Edward Beck,Eric Anthony Robertson, Iii. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-04-14.

A cluster tool compatible silicon oxide etching process using anhydrous hydrogen fluoride gas and water for trace oxide removal

Номер патента: TW455513B. Автор: Rick L Wise,David C Frystak,Phillip A Grothe,Daniel J Syverson,Joel Barnett. Владелец: Fsi Int Inc. Дата публикации: 2001-09-21.

Method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US20120196445A1. Автор: Kwon-Taek Lim. Владелец: Pukyong National University. Дата публикации: 2012-08-02.

AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS

Номер патента: US20130248756A1. Автор: Venkataraman Shyam Sundar,Noller Bastian Marten,Kingma Arend Jouke,Su Eason Yu-Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-09-26.

DIFFERENTIAL SILICON OXIDE ETCH

Номер патента: US20140080309A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Park Seung H.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-20.

POLISHING LIQUID COMPOSITION FOR SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20220002588A1. Автор: Inoue Masaki,Doi Haruhiko,YAMAGUCHI Norihito,SUGAHARA Masato,SEIKE Takanao. Владелец: KAO CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-06.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON OXIDE FILMS

Номер патента: US20170004974A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Manna Pramit. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

PATTERNING OF SILICON OXIDE LAYERS USING PULSED LASER ABLATION

Номер патента: US20170005206A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Rana Virendra V.,Anbalagan Pranav,Saraswat Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Method of Removing Silicon Oxide Film

Номер патента: US20190027371A1. Автор: Yamasaki Hideaki,KIKUCHI Takamichi,MURAKAMI Seishi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for Masking a Surface Comprising Silicon Oxide

Номер патента: US20160035570A1. Автор: Laermer Franz. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Method, device, and system for etching silicon oxide film

Номер патента: US20220051901A1. Автор: Takashi Kobayashi,Osamu Yokoyama,Kazuki Hashimoto,Takashi Sakuma,Shinya Okabe,Kwangpyo CHOI,Rio Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

GAS-PHASE SILICON OXIDE SELECTIVE ETCH

Номер патента: US20170040180A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,XU Jingjing. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-02-09.

METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20150056808A1. Автор: OGASAWARA Masahiro,Hayakawa Yoshinobu,Watanabe Hikaru,Kubota Kazuhiro,URAKAWA Masafumi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD OF SELECTIVELY REMOVING A REGION FORMED OF SILICON OXIDE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20150064922A1. Автор: OHTAKE Hiroto,Suzuki Eiji,Kitamura Akinori. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE FILM AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20210082712A1. Автор: Yamada Satoshi,CHINO Koki,Kon Yoshimitsu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-03-18.

Aqueous Solution for Etching Silicon Oxide

Номер патента: US20220098485A1. Автор: Vereecke Guy. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

CLEANING SOLUTION AND CLEANING METHOD FOR MATERIAL COMPRISING CARBON-INCORPORATED SILICON OXIDE FOR USE IN RECYCLING WAFER

Номер патента: US20180087006A1. Автор: OIE Toshiyuki,SHIMADA Kenji. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

SILICON OXIDE SELECTIVE REMOVAL

Номер патента: US20160093506A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,CHEN Zhijun. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-03-31.

SLURRY COMPOSITION FOR POLISHING SILICON OXIDE FILM, AND POLISHING METHOD USING SAME

Номер патента: US20220145131A1. Автор: LEE Seung Hyun,Lee Seung Hun,Kim Seong Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING SILICON OXIDE WITH RESPECT TO AN ORGANIC MASK

Номер патента: US20180102257A1. Автор: WANG Peng,BASAVALINGAPPA Adarsh,NAGABHIRAVA Bhaskar,GOSS Michael,GOPALADASU Prabhakara. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

SELF-ALIGNED SHIELDING OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20170148640A1. Автор: Korolik Mikhail,Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,WANG FEI,Jan Visser Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

SELF-ALIGNED SHIELDING OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20170148642A1. Автор: Korolik Mikhail,Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,WANG FEI,Visser Robert Jan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-05-25.

METHOD FOR FORMING AND USING STRESS-TUNED SILICON OXIDE FILMS IN SEMICONDUCTOR DEVICE PATTERNING

Номер патента: US20200152473A1. Автор: deVilliers Anton,Leusink Gerrit J.,Tapily Kandabara N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

ISOTROPIC ATOMIC LAYER ETCH FOR SILICON OXIDES USING NO ACTIVATION

Номер патента: US20160196969A1. Автор: Berry,III Ivan L.,Yaqoob Faisal,Park Pilyeon. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

METHOD OF SELECTIVELY ETCHING SILICON OXIDE FILM ON SUBSTRATE

Номер патента: US20180190505A1. Автор: Watanabe Hikaru,TSUJI Akihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-07-05.

RECESSED SILICON OXIDATION FOR DEVICES SUCH AS A CMOS SOI ICs

Номер патента: WO2002078061A3. Автор: Eric E Vogt,Cheisen J Yue. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Polycrystalline silicon oxidation method for making shallow and deep isolation trenches

Номер патента: US4238278A. Автор: Igor Antipov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-09.

Graded Junction Silicon Nanocrystal Embedded Silicon Oxide Electroluminescence Device

Номер патента: US20090033206A1. Автор: Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi,Vincenzo Casasanta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process

Номер патента: US4872947A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1989-10-10.

Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition

Номер патента: US4892753A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1990-01-09.

SELECTIVE GROWTH OF SILICON OXIDE OR SILICON NITRIDE ON SILICON SURFACES IN THE PRESENCE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20180261448A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Method for fabricating silicon-oxide-nitride-oxide-silicon device

Номер патента: KR100851917B1. Автор: 이승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-12.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: FI20175587A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2018-12-22.

A method for improving the electrical continuity for a silicon-germanium film across a silicon/oxide/polysilicon surface using a novel two-temperature process

Номер патента: TW200529299A. Автор: Shih-Chang Chen,Mong Song Liang,Liang-Gi Yao,Kuen-Chyr Lee,Chia-Lin Chen,Tien-Chih Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-01.

Bottom-Up Growth Of Silicon Oxide And Silicon Nitride Using Sequential Deposition-Etch-Treat Processing

Номер патента: US20180350668A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of depositing silicon oxide film and silicon nitride film, film forming apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201250045A. Автор: Atsushi Endo,Masaki Kurokawa,Hiroki IRIUDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma

Номер патента: US09828672B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Huatan Qiu,Geoffrey Hohn,Rachel E. Batzer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods and systems for forming a layer comprising silicon oxide

Номер патента: US20230411147A1. Автор: Timothee Blanquart,Viljami Pore,Charles DEZELAH,Jihee Jeon. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-21.

SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD AND SILICON OXIDE FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20140295675A1. Автор: IKEUCHI Toshiyuki,OBU Tomoyuki,KIMURA Norifumi. Владелец: Tokyo Electronic Limited. Дата публикации: 2014-10-02.

Apparatus for forming silicon oxide film and method of forming silicon oxide film

Номер патента: US20010041462A1. Автор: Toshihiko Suzuki,Toyotaka Kataoka,Akihide Kashiwagi. Владелец: Akihide Kashiwagi. Дата публикации: 2001-11-15.

Apparatus for manufacturing silicon oxide thin film and method for forming the silicon oxide thin film

Номер патента: US20100140756A1. Автор: Toshihide Kamata,Kenji Kozasa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of manufacturing semiconductor devices in which silicon oxide regions inset in silicon are formed by a masking oxidation, and semiconductor devices manufactured in this manner

Номер патента: CA970478A. Автор: Johannes A. Appels,Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1975-07-01.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: WO2009044938A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-04-09.

Starting material for use in forming silicone oxide film and method for forming silicone oxide film using same

Номер патента: TW201109341A. Автор: Song-Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

High modulus carbon doped silicon oxide film for mold stack scaling solutions in advanced memory applications

Номер патента: WO2023225132A1. Автор: Pramod Subramonium,Kapu Sirish Reddy,Soumana Hamma,Malay Milan SAMANTARAY,Ananda K. Banerji,Katherine Elizabeth HAYNES. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for forming ultra-shallow doped regions using doped silicon oxide films

Номер патента: TW358971B. Автор: Li-Qun Xia,Ellie Yieh,Bang Nguyen,Paul Gee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-05-21.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia

Номер патента: TW201120239A. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Removing silicon oxide from a substrate

Номер патента: AU2003286795A1. Автор: Yi Wei,Ravindranath Droopad,Yong Liang,Zhiyi Yu,Xiaoming Hu,John L. Edwards Jr.,James B. Craigo. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using uv curing in ammonia

Номер патента: US20140020259A1. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Low dielectric constant silicon oxide-based dielectric layer for integrated circuit structures having improved compatibility with via filler materials, and method of making same

Номер патента: EP1094509B1. Автор: Joe Zhao,Wilbur G. Catabay,Wei-jen Hsia,Weidan Li. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

PASSIVATION OF SILICON SURFACES USING INTERMEDIATE ULTRA-THIN SILICON OXIDE LAYER AND OUTER PASSIVATING DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20130298984A1. Автор: Kherani Nazir Pyarali,CHOWDHURY A. K. M. Zahidur Rahim. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Ozone gas generation processing apparatus, method of forming silicon oxide film, and method for evaluating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20140134851A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

DEPOSITION METHOD OF SILICON OXIDE THIN FILM AND MANUFACTURE METHOD OF LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE

Номер патента: US20180069023A1. Автор: MA Weixin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Process for Producing at Least One Silicon-Based Nanoelement in a Silicon Oxide Section and Process for the Manufacture of a Device Employing the Production Process

Номер патента: US20140179089A1. Автор: Berthelot Audrey,Larrey Vincent,Vaudaine Marie-Hélène,Vandroux Laurent. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

SILICON-ON-INSULATOR WITH CRYSTALLINE SILICON OXIDE

Номер патента: US20200105576A1. Автор: KUZMIN Mikhail,LAUKKANEN Pekka,TUOMINEN Marjukka,MAKELA Jaakko,PUNKKINEN Marko,KOKKO Kalevi,LAHTI Antti,LEHTIÖ Juha-Pekka. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2020-04-02.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20190148128A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method of depositing silicon oxide film and silicon nitride film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140308820A1. Автор: Atsushi Endo,Masaki Kurokawa,Hiroki IRIUDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Bottom-Up Growth of Silicon Oxide and Silicon Nitride Using Sequential Deposition-Etch-Treat Processing

Номер патента: US20200248303A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Manna Pramit,Cheng Rui. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20180261447A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Bottom-Up Growth Of Silicon Oxide And Silicon Nitride Using Sequential Deposition-Etch-Treat Processing

Cleaning liquid for silicon semiconductor and silicon oxide

Номер патента: JP2857042B2. Автор: 進大塚,正佐近,賢一上村,良弘森,憲剛島ノ江,修司宗平. Владелец: NITSUTETSU DENSHI KK. Дата публикации: 1999-02-10.

Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides

Номер патента: US20060073997A1. Автор: Oana Leonte,Robert Chebi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Deposition method of silicon oxide thin film and preparation method of low temperature polycrystalline silicon TFT substrate

Номер патента: CN105513960A. Автор: 马伟欣. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor

Номер патента: KR20220003470A. Автор: 김선자,신야 우에다,다카시 미조구치,에이이치로 시바. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2022-01-10.

PROCESS FOR OBTAINING AT LEAST ONE SILICON-BASED NANOELEMENT IN A SILICON OXIDE WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING A DEVICE USING THE PROCESS FOR OBTAINING THE SAME

Номер патента: FR3000292B1. Автор: Laurent Vandroux,Audrey Berthelot,Vincent Larrey,Marie-Helene Vaudaine. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-02-27.

PROCESS FOR PRODUCING A SILICON SUBSTRATE HAVING A THIN LAYER OF BURIED SILICON OXIDE

Номер патента: FR2794893B1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2001-09-14.

SILICON-BASED COMPOSITE SUBSTRATE WITH ACTIVE ZONES SEPARATED BY SILICON OXIDE-BASED ELECTRICAL INSULATION ZONES

Номер патента: FR3012668A1. Автор: Eric Pilat,Nicolas Chaintreuil,Beatrice Drevet,Nicolas Eustathopoulos,Jean-Paul Garandet,Annalaura Fasiello,Yannick Veschetti. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-05-01.

Silicon oxide and silicon oxynitride films, methods for forming them, and compositions for chemical vapor deposition

Номер патента: JP5781750B2. Автор: レイシンジャン,シャオマンチャオ,マンチャオ　シャオ,スリダンダムハーレッシュ,リチャードガフネイトーマス,リチャードガフネイトーマス. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Silicon-on-insulator structure for use in e.g. electronic application, has central layer made of electrically insulating material different from material of lower and upper layers that consist of silicon oxide to stabilize central layer

Номер патента: FR2984598A1. Автор: Didier Landru,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-06-21.

Method for making a silicon substrate comprising a buried thin silicon oxide film

Номер патента: US6607968B1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2003-08-19.

Silicon-based composite substrate having active zones separated by silicon-oxide-based electrical insulation zones

Номер патента: WO2015063688A1. Автор: Eric Pilat,Nicolas Chaintreuil,Beatrice Drevet,Nicolas Eustathopoulos,Jean-Paul Garandet,Annalaura Fasiello,Yannick Veschetti. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2015-05-07.

Method for forming silicon oxide and silicon nitride composite film

Номер патента: CN114975113A. Автор: 宋维聪,周洁鹏. Владелец: Shanghai Betone Semiconductor Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-30.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: AU2018287109B2. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: Turku University of. Дата публикации: 2023-02-16.

Treatment of silicon based semiconductors using a halogen solution to form a layer of silicon oxide to produce defect free surfaces in integrated circuits

Номер патента: FR2857154A1. Автор: Sebastien Petitdidier,Didier Levy,Marius Chemla,Francois Rouelle. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-01-07.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: RU2019136331A. Автор: Пекка ЛАУККАНЕН,Марко ПУНККИНЕН,Марьюкка ТУОМИНЕН,Михаил КУЗЬМИН,Яакко МЯКЕЛЯ,Антти ЛАХТИ,Калеви КОККО,Юха-Пекк ЛЕХТИЁ. Владелец: Турун Илиописто. Дата публикации: 2021-07-21.

Bottom-Up Growth of Silicon Oxide and Silicon Nitride Using Sequential Deposition-Etch-Treat Processing

Номер патента: US20200248303A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Bottom-up growth of silicon oxide and silicon nitride using sequential deposition-etch-treat processing

Номер патента: US10626495B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: IL270638B1. Автор: . Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2023-11-01.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: IL270638B2. Автор: . Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-03-01.

FILM-FORMING METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20150087161A1. Автор: Sato Jun,Chou Pao-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

FILM-FORMING METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20140199839A1. Автор: Sato Jun,Chou Pao-Hwa. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-17.

Silicon Oxide Layer for Oxidation Resistance and Method Forming Same

Номер патента: US20200161170A1. Автор: Ko Chung-Chi,Kao Wan-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation

Номер патента: US20020117082A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of manufacturing a silicon oxide film and an oxide based glass for semiconductor devices

Номер патента: EP0470632A2. Автор: Kazuo C/O Semiconductor Process Maeda,Noboru C/O Semiconductor Process Tokumasu,Yuko C/O Semiconductor Process Nishimoto. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 1992-02-12.

SONOS (silicon oxide nitride oxide semiconductor) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102709168B. Автор: 谢欣云,田志. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma

Номер патента: US11920239B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Huatan Qiu,Geoffrey Hohn,Rachel E. Batzer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

System and method for matching silicon oxide thickness between similar process tools

Номер патента: US20090125140A1. Автор: Andrew Le,Miles Dudman. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Minimizing radical recombination using ald silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma

Номер патента: US20240218509A1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Huatan Qiu,Geoffrey Hohn,Rachel E. Batzer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

HIGH TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20130295779A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Han Bing,Chandra Haripin,Wang Meiliang. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD AND APPARATUS

Номер патента: US20140004715A1. Автор: KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD AND APPARATUS

Номер патента: US20140011371A1. Автор: KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-01-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20140020259A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Varadarajan Bhadri N.. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057458A1. Автор: Hong Kwon,LEE Jong Min,HAN Ji Hye,Park Hyung Soon,KIM Hyung Hwan,LEE Geun Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

Methods for depositing silicon oxide

Номер патента: US20160020092A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Wanki Kim. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD FOR DEPOSITING SILICON OXIDE FILM HAVING IMPROVED QUALITY BY PEALD USING BIS(DIETHYLAMINO)SILANE

Номер патента: US20210057214A1. Автор: Nakano Ryu,KENGOYAMA Yuko,Suemori Hidemi. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

SILICON OXIDE DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20220084817A1. Автор: Tuominen Marko,Tois Eva,Sharma Varun,BLOMBERG Tom,Givens Michael,Dezelah Charles,Chiappe Daniele,Madhiwala Viraj. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD OF MANUFACTURING A SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20150079807A1. Автор: Tamura Tatsuya,Kumagai Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD OF MANUFACTURING A SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20150079808A1. Автор: CHIBA Takashi,Tamura Tatsuya,Kumagai Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology

Номер патента: US20180076023A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Trinh Cong,Saly Mark,Yan Wenbo. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology

Номер патента: US20160099143A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Trinh Cong,Saly Mark,Yan Wenbo. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILMS

Номер патента: US20220145452A1. Автор: Park Hyung Sang,Yoo Yong Min,Yoon Tae Ho. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

METHODS FOR FORMING A TOPOGRAPHICALLY SELECTIVE SILICON OXIDE FILM BY A CYCLICAL PLASMA-ENHANCED DEPOSITION PROCESS

Номер патента: US20210104399A1. Автор: Fukazawa Atsuki,Kuroda Aurélie. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20140199853A1. Автор: Sato Jun,IKEUCHI Toshiyuki,MOROZUMI Yuichiro,MURAKAMI Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-17.

Method of Controlling Silicon Oxide Film Thickness

Номер патента: US20140199857A1. Автор: Zhang Yuanchang. Владелец: Natcore Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

METHOD OF FORMING A STRUCTURE INCLUDING SILICON OXIDE

Номер патента: US20210143003A1. Автор: Ueda Shinya,Fukuda Hideaki,Kimura Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

SELECTIVELY LATERAL GROWTH OF SILICON OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Chan Kelvin,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,MUKHERJEE Shaunak. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20190131126A1. Автор: HISHIYA Shingo,Suzuki Keisuke,KIKAMA Eiji,KO Kyungseok,SHIMA Hiromi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SILICON OXIDE LAYER HAVING A TOP SURFACE IN THE SHAPE OF CONTINUOUS HILLS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Hsiao Shih-Yin,Yang Ching-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

METHODS OF FORMING SILICON OXIDE LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190139757A1. Автор: Peng Yu-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-09.

REMOTE PLASMA RADICAL TREATMENT OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20140227888A1. Автор: Olsen Christopher S.,Yokota Yoshitaka. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

METHODS FOR DEPOSITING SILICON OXIDE

Номер патента: US20160163539A9. Автор: Kang Hu,LaVoie Adrien,KIM WANKI. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20160196970A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

High Temperature Atomic Layer Deposition of Silicon Oxide Thin Films

Номер патента: US20190189431A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Chandra Haripin,Wang Meiliang. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

CONTROLLED GROWTH OF THIN SILICON OXIDE FILM AT LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20190189435A1. Автор: Verhaverbeke Steven,Leschkies Kurtis,Mallick Abhijit Basu,Jiang Shishi,Manna Pramit. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Free-standing silicon oxide membranes and methods of making and using same

Номер патента: US09945030B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US20140248538A1. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF MASS-PRODUCING SILICON OXIDE (SiOx) POWDER AND ANODE FOR LITHIUM-ION BATTERIES

Номер патента: US20240317593A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Anode active material including porous silicon oxide-carbon material composite and method of preparing the same

Номер патента: US09991509B2. Автор: Yoon Ah Kang,Yong Ju Lee,Mi Rim Lee,Je Young Kim,Hye Ran Jung,Jung Woo Yoo,Seung Youn Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon oxide-based negative electrode active material for secondary battery, method of producing silicon oxide-based negative electrode active material, and negative electrode for secondary battery including silicon oxide-based negative electrode active material

Номер патента: US20240116765A1. Автор: Eun Jun Park,Joon Hyung Moon,Sang Hye Shin,Jung Hyun Yun,Nak Won Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and system for the production of silicon oxide deposit

Номер патента: US09790095B2. Автор: Hirofumi Fukuoka,Masanobu Nishimine. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Porous Carbon Structure-Hosted Silicon Oxide (SiOx), Anode, Lithium-ion Battery, and Production Method

Номер патента: US20240347698A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon oxide-coated iron powder, method for producing the same, molded body for inductor using the same, and inductor

Номер патента: US12057260B2. Автор: Masahiro Gotoh,Daisuke Kodama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon-based molded body and method for continuously preparing silicon oxide by using same

Номер патента: EP4403518A1. Автор: Sunho Choi,Jaewoo Lee,Junghoon Cheon,Jingee PARK. Владелец: Posco Silicon Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Silicon Oxide for Anode of Secondary Battery, Method for Preparing the Same and Anode of Secondary Battery Using the Same

Номер патента: US20140349190A1. Автор: Yun-Kyu Kang. Владелец: YEIL ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Silicon oxide composite material, negative electrode material, negative electrode and lithium ion battery, and preparation method therefor

Номер патента: EP4184613A1. Автор: Jianguo Ren,Xueqin He,Chunlei PANG,Lijuan QU,Zhiqiang DENG. Владелец: Dingyuan New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving very long cycle life performance

Номер патента: US20240297338A1. Автор: Herman A. Lopez,Subramanian Venkatachalam,Yingnan DONG. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon oxide-carbon composite, method of manufacturing the composite, and energy storage device having the composite

Номер патента: US09985279B2. Автор: Sun Jae Kim,Hee June JUNG,Kang Seop Yun,Eul Noh. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon oxide and storage battery

Номер патента: US09865871B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Nobuhiro Inoue,Takuya Hirohashi,Yuika SATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preparing silicon oxide-carbon composite for negative electrode of lithium secondary battery

Номер патента: US09734928B2. Автор: Young Min Lee,Yong Mook Kang,Kyeong Se Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kongju National University. Дата публикации: 2017-08-15.

Lithium ion cells with high rate electrolyte for cells with silicon oxide active material achieving high power discharge and long cycle life

Номер патента: EP4399759A1. Автор: Sujeet Kumar,Herman Lopez,Kevin Hays,Ayyappan ELANGOVAN. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Free-standing silicon oxide membranes and methods of making and using same

Номер патента: US20160340778A1. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Porous silicon-silicon oxide-carbon composite, and method of preparing the same

Номер патента: US10892477B2. Автор: Yong Ju Lee,Hye Jin Kim,Eun Kyung Kim,Jang Wook Choi,Seung Youn Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-01-12.

High-performance lithium-ion battery cell designs with lithiated silicon oxide (lso) anodes

Номер патента: US20240243249A1. Автор: Hui He,Dewen Kong,Haijing Liu,Meiyuan Wu,Shubha Nageswaran. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon-oxide-coated soft magnetic powder, and method for manufacturing same

Номер патента: US12121965B2. Автор: Keisuke Yamada,Hidefumi Fujita,Tetsuya KAWAHITO,Koji Tanoue. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Silicon oxide-based negative electrode active material for secondary battery, method of producing the same, and negative electrode for secondary battery including the same

Номер патента: EP4365980A1. Автор: Eun Jun Park,Joon Hyung Moon,Sang Hye Shin,Jung Hyun Yun,Nak Won Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Silicon oxide for non-aqueous electrolyte secondary battery negative electrode material, method for manufacturing the same, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US20140302395A1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Method and system for the production of silicon oxide deposit

Номер патента: WO2013141024A1. Автор: Hirofumi Fukuoka,Masanobu Nishimine. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-26.

Negative electrode material for secondary battery having lithium-doped silicon-silicon oxide composite

Номер патента: US8753774B2. Автор: Nobuo Kawada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-17.

High aspect ratio silicon oxide etch

Номер патента: US20110059617A1. Автор: Glenn Mitchell,Robert Torres, Jr.,Adam Seymour. Владелец: Matheson Tri-Gas Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Silicon oxide and anode material for lithium ion secondary cell

Номер патента: EP2477260A1. Автор: Shingo Kizaki,Hideaki Kanno. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Stabilized, prelithiated silicon oxide particles for lithium ion battery anodes

Номер патента: US11784307B2. Автор: Kai Yan,Hongduan Huang. Владелец: Amprius Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon:silicon lithium silicate composite matrix, and a process for manufacture thereof

Номер патента: MY188547A. Автор: Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Volume change compensated silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon: silicon lithium silicate composite matrix, and cyclical ex-situ manufacturing processes

Номер патента: MY190556A. Автор: Yongbong Han,Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Lithium-doped silicon oxide composite anode material with high initial coulombic efficiency and preparation method thereof

Номер патента: US20230369575A1. Автор: Rusheng Fu,Yonglong WANG,Dexin Yu,Yunlin Yang. Владелец: Guangdong Kaijin New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving very long cycle life performance

Номер патента: US11973178B2. Автор: Herman A. Lopez,Subramanian Venkatachalam,Yingnan DONG. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Electron tube provided with porous silicon oxide getter

Номер патента: US4771214A. Автор: Takeo Itou,Hidemi Matsuda,Shigeo Takenaka,Norio Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-09-13.

Method for producing silicon oxide powder and negative electrode material

Номер патента: US20210020942A1. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for producing silicon oxide powder and negative electrode material

Номер патента: US11817581B2. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Silicon oxide particles, making method, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US20160149214A1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Koichiro Watanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Silicon oxide particles, making method, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US20130309574A1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Koichiro Watanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Silicon oxide coated aluminized Kapton radiator coating for nano-satellite thermal management

Номер патента: US11814195B1. Автор: Michael Choi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2023-11-14.

Lithium doped silicon oxide-based negative electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US11728479B2. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: US20210119249A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2021-04-22.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: AU2019239819B2. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2024-03-21.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: WO2019180312A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2019-09-26.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: EP3769355A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2021-01-27.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: AU2019239819A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2020-10-29.

Backside etch process for transparent silicon oxide technology

Номер патента: US20230085741A1. Автор: Jacob Becker,Jon Burnsed. Владелец: L3Harris Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11810616B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film

Номер патента: US6444327B1. Автор: Hiroshi Tanabe,Katsuhisa Yuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-03.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359006A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-10.

Local silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) type structure having two separated gates and aligned oxide-nitride-oxide (ONO) and method for manufacturing the same

Номер патента: JP4445273B2. Автор: 來寅李,金鐘 ▲ベ▼,相秀金,基▲チュル▼ 金,辰熙金,寅▲ウク▼ ▲チョ▼,成浩金,光旭高. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-07.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: WO2021108339A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-03.

SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICON MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20210159346A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman,Agrawal Vineet,Hinh Long,Samanta Santanu Kumar,Kapre Ravindra. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-27.

SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICON BASED MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATION THEREOF

Номер патента: US20220284951A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman,Agrawal Vineet,Hinh Long,Saha Swatilekha,Samanta Santanu Kumar,Amundson Michael,Kapre Ravindra M.. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (sonos) memory cell for finfet and forming method thereof

Номер патента: US20220293624A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Non-volatile memory device having select transistor structure and SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: KR100446308B1. Автор: 김성균,한정욱,강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-01.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7202521B2. Автор: Chung-woo Kim,Hee-soon Chae,Eun-Hong Lee,Jo-won Lee,Moon-kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-10.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (sonos) memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20220262806A1. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Composition for forming a silicon oxide layer, method for producing a silicon oxide layer, and electronic device

Номер патента: TWI653304B. Автор: 尹熙燦,沈秀姸,李知虎,郭澤秀,裵鎭希,黃丙奎,盧健培,金龍國,金眞敎. Владелец: 三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-11.

Prodn. of capacitor in storage appts. - by depositing poly-silicon layer on substrate, forming silicon oxide layer, tantalum@ layer and then tantalum oxide layer

Номер патента: DE4337889A1. Автор: Seung-Hee Lee,Jeong-Su Han. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-26.

Method of forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (sonos) memory cell for finfet

Номер патента: US20220352195A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US11367481B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US20210350850A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Backside etch process for transparent silicon oxide technology

Номер патента: US11852800B2. Автор: Jacob Becker,Jon Burnsed. Владелец: L3Harris Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Backside etch process for transparent silicon oxide technology

Номер патента: US20210349301A1. Автор: Jacob Becker,Jon Burnsed. Владелец: L3Harris Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR102352278B1. Автор: 조규철,강진규,박용환,허준,이재섭,안성국,배성식. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-01-18.

Liquid additive for etching silicon nitride and silicon oxide layers, metal ink containing the same, and method of manufacturing silicon solar cell electrodes

Номер патента: US9249319B2. Автор: Sung-Bin Cho,Joo-Youl Huh,Hyun-Gang Kim,Bo-Mook Chung. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2016-02-02.

Middle in-situ doped sige junctions for pmos devices on 28 nm low power/high performance technologies using a silicon oxide encapsulation, early halo and extension implantations

Номер патента: US20140183654A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky,Shiang Yang Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Enhanced densification of silicon oxide layers

Номер патента: US20120009413A1. Автор: Frank Y. Xu,Fen Wan,Marlon Menezes. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films

Номер патента: EP2924143B1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER INCLUDING SILICON OXIDE LAYER AND SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20130140547A1. Автор: JIN DONG-UN,Lee Jae-Seob. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-06-06.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER INCLUDING SILICON OXIDE LAYER AND SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160020265A1. Автор: JIN DONG-UN,Lee Jae-Seob. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A SILICON OXIDE LAYER ON A SILICON GERMANIUM BASE

Номер патента: US20220069109A1. Автор: Reznicek Alexander,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films

Номер патента: KR101894712B1. Автор: 유주오 리,시얌 순다르 벤카타라만,하비 웨인 핀더. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2018-09-04.

Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films

Номер патента: WO2012032467A1. Автор: Yuzhuo Li,Shyam Sundar Venkataraman,Harvey Wayne Pinder. Владелец: Basf (China) Company Limited. Дата публикации: 2012-03-15.

Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films

Номер патента: EP2613910A1. Автор: Yuzhuo Li,Shyam Sundar Venkataraman,Harvey Wayne Pinder. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-17.

Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films

Номер патента: TW201229163A. Автор: Yuzhuo Li,Shyam Sundar Venkataraman,Harvey Wayne Pinder. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-07-16.

Photovoltaic cell with thick silicon oxide and silicon nitride passivation fabrication

Номер патента: WO2006097303A1. Автор: Guy Beaucarne,Guido Agostinelli,Patrick Choulat. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-09-21.

Photovoltaic cell with thick silicon oxide and silicon nitride passivation and fabrication method

Номер патента: EP1859488B1. Автор: Guy Beaucarne,Guido Agostinelli,Patrick Choulat. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-11-21.

Optical waveguide amplifier using high quantum efficiency silicon nanocrystal embedded silicon oxide

Номер патента: US8054540B2. Автор: HAO Zhang,Jiandong Huang,Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2011-11-08.

Thin film transistor (TFT) device structure employing silicon rich silicon oxide passivation layer

Номер патента: US7221039B2. Автор: Kun-Ming Huang,Cheng-Fu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

A manufacturing process for directly growing silicon oxide film of crystal silicon cell via laughing gas

Номер патента: CN104538486B. Автор: 陆峰,董方,任永伟,孙涌涛. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Organic light-emitting device including barrier layer including silicon oxide layer and silicon nitride layer

Номер патента: US9324776B2. Автор: Dong-Un Jin,Jae-Seob LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Non-volatile memory device having a silicon-nitride and silicon oxide top dielectric layer

Номер патента: CN1909250A. Автор: 徐子轩,吴昭谊,吕函庭. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-07.

Prepare the method for crystal silicon solar energy battery silicon oxide film

Номер патента: CN103594557B. Автор: 韩帅,李高非,倪健雄,蒋京娜. Владелец: Yingli Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20140061819A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,DAI Min,Chowdhury Murshed M.,Narasimha Shreesh,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Thin layer solar cell, has upper thin section cell exhibiting zinc oxide coating on glass substrate, and p-leading micro-crystalline silicon oxide layer formed on substrate using plasma-supported chemical gaseous phase separation procedure

Номер патента: DE102007003239A1. Автор: Porponth Sichanugrist,Nirut Pingate,Decha Yotsaksri. Владелец: NATIONAL SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT AGENCY. Дата публикации: 2007-09-13.

Solar cell with antireflective coating with graded layer including mixture of titanium oxide and silicon oxide

Номер патента: WO2007061606A1. Автор: Thomas J. Taylor,Nathan P. Mellott. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of controlling silicon oxide film thickness

Номер патента: US20120252228A1. Автор: Yuanchang Zhang. Владелец: Natcore Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Mixed metal-silicon-oxide barriers

Номер патента: US20170025635A1. Автор: Eric R. Dickey,Bryan Larson Danforth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-26.

ReRAM cells with diffusion-resistant metal silicon oxide layers

Номер патента: US20160028008A1. Автор: Wang Yun,Nardi Federico. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Process for producing glass substrate provided with inorganic fine particle-containing silicon oxide film

Номер патента: US20150030778A1. Автор: Keisuke Abe,Yusuke Mori,Takashige Yoneda,Yuichi KUWAHARA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

LATE IN-SITU DOPED SIGE JUNCTIONS FOR PMOS DEVICES ON 28 NM LOW POWER/HIGH PERFORMANCE TECHNOLOGIES USING A SILICON OXIDE ENCAPSULATION, EARLY HALO AND EXTENSION IMPLANTATIONS

Номер патента: US20150054072A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Ong Shiang Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTIONS WITH COPPER-SILICON OXIDE PROGRAMMABLE METALLIZATION CELLS

Номер патента: US20220148982A1. Автор: Chen Wenhao,Kozicki Michael. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

MIDDLE IN-SITU DOPED SIGE JUNCTIONS FOR PMOS DEVICES ON 28 NM LOW POWER/HIGH PERFORMANCE TECHNOLOGIES USING A SILICON OXIDE ENCAPSULATION, EARLY HALO AND EXTENSION IMPLANTATIONS

Номер патента: US20140183654A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation

Номер патента: US20150140721A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pranav Anbalagan,Vivek Saraswat. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

MIXED METAL-SILICON-OXIDE BARRIERS

Номер патента: US20140242736A1. Автор: Dickey Eric R.,Danforth Bryan Larson. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

METHOD OF SELECTIVELY REMOVING TUNGSTEN OVER SILICON OXIDE

Номер патента: US20190203073A1. Автор: Ho MIng-Che,Chang Song-Yuan,Lu Ming-Hui,Chiang Chung-Wei,Ho Yun-Lung. Владелец: UWIZ TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-07-04.

Temperature sensor having a cover layer with aluminum oxide, silicon oxide, yttrium oxide and boron oxide

Номер патента: US09823136B2. Автор: Yang Chen,Balasubramaniam Vaidhyanathan,Anthony Maher,Katherine O'Sullivan,Anthony Herlihy. Владелец: Sensata Technologies Bermuda Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-stage magnesiothermic reduction for production of silicon oxides with reduced silicon grain size

Номер патента: US20230108286A1. Автор: YANG Zhao,Galen D. Stucky,Naoto Maru,Hengbin Wang,Xudong Hu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-04-06.

Battery modules and systems having a plurality of graphite, silicon and/or silicon oxide cells and a (lithium) titanate oxide cell

Номер патента: WO2021086683A1. Автор: James G. Snyder,Saori Tokuoka,Thomas Greszler. Владелец: SAFT AMERICA. Дата публикации: 2021-05-06.

Battery modules and systems having a plurality of graphite, silicon and/or silicon oxide cells and a (lithium) titanate oxide cell

Номер патента: EP4052311A1. Автор: James G. Snyder,Saori Tokuoka,Thomas Greszler. Владелец: Saft America Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

SILICON-SILICON OXIDE-LITHIUM COMPOSITE MATERIAL HAVING NANO SILICON PARTICLES EMBEDDED IN A SILICON:SILICON LITHIUM SILICATE COMPOSITE MATRIX, AND A PROCESS FOR MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20160260967A1. Автор: Matus Yuriy,PAK Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

SILICON-SILICON OXIDE-LITHIUM COMPOSITE MATERIAL HAVING NANO SILICON PARTICLES EMBEDDED IN A SILICON:SILICON LITHIUM SILICATE COMPOSITE MATRIX, AND A PROCESS FOR MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20170301915A1. Автор: Matus Yuriy,PAK Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Silicon: Volume change-compensated silicon-silicon oxide-lithium composite material with silicon nanoparticles embedded in a lithium silicon silicate composite substrate, and an iterative out-of-position manufacturing process

Номер патента: JP6940595B2. Автор: ユーリイメイタス,ハン，ヨンボン,マイケルパク. Владелец: イーオーセルリミテッド. Дата публикации: 2021-09-29.

With insertion silicon: the silicon-silicon oxide-lithium composite material of the silicon nanoparticle volume change compensation of silicic acid silicon lithium complex matrix, and periodical ex situ manufacturing method

Номер патента: CN109923706A. Автор: 友里·马特斯,永博·韩,麦克·帕克. Владелец: Hong Kong Merchant Eo Cell Co ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

VOLUME CHANGE COMPENSATED SILICON-SILICON OXIDE-LITHIUM COMPOSITE MATERIAL HAVING NANO SILICON PARTICLES EMBEDDED IN A SILICON:SILICON LITHIUM SILICATE COMPOSITE MATRIX, AND CYCLICAL EX-SITU MANUFACTURING PROCESSES

Номер патента: US20180069233A1. Автор: Han Yongbong,Matus Yuriy,PAK Michael. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Volume change compensated silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon: silicon lithium silicate composite matrix, and cyclical ex-situ manufacturing processes

Номер патента: WO2018042361A1. Автор: Yongbong Han,Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Limited. Дата публикации: 2018-03-08.

Silicon: silicon oxide: lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon: silicon lithium silicate composite matrix, and a process for manufacture thereof

Номер патента: TWI692903B. Автор: 尤瑞馬特斯,麥可白. Владелец: 香港商艾鷗電池有限公司. Дата публикации: 2020-05-01.

Silicon oxide composite material with space buffering and lithium doping functions, preparation method of silicon oxide composite material and lithium ion battery

Номер патента: CN108232145B. Автор: 刘俊涛,潘芳芳,万爽,单旭意,肖亚洲. Владелец: China Aviation Lithium Battery Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Apparatus and method for producing silicon oxides, and silicon oxide negative electrode material

Номер патента: EP3922601A1. Автор: Jae Woo Lee,Sun Ho Choi,Jung Hoon Cheon,Jin Gee Park. Владелец: Tera Technos Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Silicon oxide/carbon composite negative electrode material of lithium ion secondary battery and preparation method of silicon oxide/carbon composite negative electrode material

Номер патента: CN103594689A. Автор: 刘方,杨化滨,时晶. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2014-02-19.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving long cycle life, fast charge and high thermal stability

Номер патента: WO2022256535A8. Автор: Herman A. Lopez,Yu-Hsin Huang,Yingnan DONG,Kevin Hays. Владелец: Ionblox, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving long cycle life, fast charge and high thermal stability

Номер патента: EP4348750A1. Автор: Herman A. Lopez,Yu-Hsin Huang,Yingnan DONG,Kevin Hays. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for preparing lithiated amorphous silicon oxide, lithiated amorphous silicon oxide prepared thereby, and lithium sulfur battery comprising the same

Номер патента: KR20150089966A. Автор: 김한수,김영준,선양국. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2015-08-05.

Increasing the service life of silicon-based negative electrodes by particles with a silicon oxide and lipon coating

Номер патента: US20190115593A1. Автор: Linda-Susann Schramm. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving long cycle life, fast charge and high thermal stability

Номер патента: WO2022256535A9. Автор: Herman A. Lopez,Yu-Hsin Huang,Yingnan DONG,Kevin Hays. Владелец: Ionblox, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Electrode material including surface modified silicon oxide particles

Номер патента: CA3229652A1. Автор: In Kim,Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Nevin NAREN. Владелец: Nanograf Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Electrode material including surface modified silicon oxide particles

Номер патента: EP4402734A1. Автор: In Kim,Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Nevin NAREN. Владелец: Nanograf Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Graphene-containing metalized silicon oxide composite materials

Номер патента: WO2021236485A8. Автор: Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Joshua LAU,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Pitawat Mahawattanangul. Владелец: Nanograf Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

Anode active material for nonaqueous electrolyte secondary battery comprising silicon oxide composite and method for producing same

Номер патента: EP3719881B1. Автор: Seung Min Oh. Владелец: Dae Joo Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Silicon oxide-based negative electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3531483B1. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Graphene-containing metalized silicon oxide composite materials

Номер патента: US12119482B2. Автор: Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Joshua J. LAU,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Pitawat Mahawattanangul. Владелец: Nanograf Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon oxide composite material, negative electrode material, negative electrode and lithium ion battery, and preparation method therefor

Номер патента: EP4184613A4. Автор: Jianguo Ren,Xueqin He,Chunlei PANG,Lijuan QU,Zhiqiang DENG. Владелец: Dingyuan New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Silicon oxide, making method, negative electrode, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor.

Номер патента: EP2724982B1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Tetsuya Inukai,Mitsugu Saito. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-19.

INCREASING THE SERVICE LIFE OF SILICON-BASED NEGATIVE ELECTRODES BY PARTICLES WITH A SILICON OXIDE AND LIPON COATING

Номер патента: US20190115593A1. Автор: SCHRAMM Linda-Susann. Владелец: VOLKSWAGEN AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-18.

SILICON/SILICON OXIDE-CARBON COMPLEX, METHOD FOR PREPARING SAME, AND NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL COMPRISING SAME FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20220271289A1. Автор: Oh Seung Min,Lee Seul Gi,PARK Hyeon Soo,LIM Jong Chan. Владелец: DAEJOO ELECTRONIC MATERIALS CO., LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

POROUS SILICON-SILICON OXIDE-CARBON COMPOSITE, AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: US20180166685A1. Автор: KIM Hye Jin,Kim Eun Kyung,LEE Yong Ju,Choi Seung Youn,CHOI Jang Wook. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY HAVING LITHIUM-DOPED SILICON-SILICON OXIDE COMPOSITE, METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20170170468A1. Автор: KAWADA Nobuo. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-06-15.

METHODS FOR PRE-LITHIATING SILICON AND SILICON OXIDE ELECTRODES

Номер патента: US20200176755A1. Автор: Yang Li,Xiao Xingcheng,Kia Hamid G.,HUANG Xiaosong. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Silicon-silicon oxide-carbon composites for lithium battery electrodes and methods for forming the composites

Номер патента: US20140370387A1. Автор: Sujeet Kumar,Herman A. Lopez,Haixia Deng,Yongbong Han,Charan Masarapu,Yogesh Kumar Anguchamy. Владелец: Envia Systems Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY HAVING LITHIUM-DOPED SILICON-SILICON OXIDE COMPOSITE, METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20140377456A1. Автор: KAWADA Nobuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

A kind of silicon/oxidative silicon/carbon composite and its preparation method and application

Номер патента: CN105789594B. Автор: 徐泉,郭玉国,殷雅侠,李金熠. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2018-03-02.

Core-shell structure of graphene coated silicon or silicon oxide, and preparation method thereof

Номер патента: CN105006559A. Автор: 魏飞,祝晓琳,聂晶琦. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-10-28.

Porous silicon-silicon oxide-carbon composite and method for preparing same

Номер патента: CN107408677B. Автор: 李龙珠,金银卿,崔丞延,崔壮旭,金慧珍. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-01-22.

Silicon-silicon oxide-carbon composites for lithium battery electrodes and methods for forming the composites

Номер патента: US10886526B2. Автор: Sujeet Kumar,Herman A. Lopez,Haixia Deng,Yongbong Han,Charan Masarapu,Yogesh Kumar Anguchamy. Владелец: Zenlabs Energy Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Manufacturing method for composite powder including silicon oxide and metal silicon in use of anode material for secondary battery

Номер патента: KR101430640B1. Автор: 강윤규. Владелец: 강윤규. Дата публикации: 2014-08-14.

Silicon oxide containing active silicon and its evaluation

Номер патента: US20010018037A1. Автор: Susumu Ueno,Takeshi Fukuda,Kazutoshi Fujioka,Hirofumi Fukuoka,Mikio Aramata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Silicon-based molded body and method for continuously preparing silicon oxide by using same

Номер патента: WO2023043228A1. Автор: 이재우,최선호,박진기,전정훈. Владелец: 주식회사 포스코실리콘솔루션. Дата публикации: 2023-03-23.

Silicon-silicon oxide-lithium composit, making method, and non-aqueous electrolyte secondary cell negative electrode material

Номер патента: KR101461665B1. Автор: 사또루 미야와끼,미끼오 아라마따,메구루 가시다,히로후미 후꾸오까,고이찌로 와따나베. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-11-13.

Porous silicon-silicon oxide-carbon composite, and preparing method thereof

Номер патента: KR20160116896A. Автор: 김혜진,김은경,이용주,최장욱,최승연. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2016-10-10.

Preparation method of silicon-silicon oxide-carbon composite negative pole material of lithium ion battery

Номер патента: CN103730644A. Автор: 高川,吴孟涛,杨化滨,梁运辉. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Silicon-silicon oxide-carbon composite negative pole material of lithium ion battery preparation method

Номер патента: CN103730644B. Автор: 高川,吴孟涛,杨化滨,梁运辉. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Amorphous Silicon Oxide-Conducting polymer Complex and Lithium Secondary Battery using the same

Номер патента: KR20180027745A. Автор: 김한수,정동재,박은준. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-03-15.

Spherical nano porous silicon/silicon oxide/carbon composite material for lithium ion battery and preparation method thereof

Номер патента: CN110335993B. Автор: 王凯,薛冰,谭毅,李清琳,孙健铭. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-07-23.

Negative electrode material for secondary battery having lithium-doped silicon-silicon oxide composite, method for manufacturing negative electrode, and lithium secondary battery

Номер патента: US9825290B2. Автор: Nobuo Kawada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon based modeled body and continuous manufactured method of silicon oxide using the same

Номер патента: KR102543368B1. Автор: 이재우,최선호,박진기,전정훈. Владелец: 주식회사 포스코실리콘솔루션. Дата публикации: 2023-06-15.

Silicon?silicon oxide-carbon complex, method for preparing same, and negative electrode active material comprising same for lithium secondary battery

Номер патента: EP4020631A4. Автор: Seung Min Oh,Jong Chan Lim,Hyeon Soo Park,Seul Gi Lee. Владелец: Dae Joo Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon·silicon oxide-carbon composite, preparation method thereof, and anode active material for lithium secondary battery comprising same

Номер патента: KR20210021932A. Автор: 이슬기,임종찬,오성민,박헌수. Владелец: 대주전자재료 주식회사. Дата публикации: 2021-03-02.

Siliconㆍsilicon oxide-carbon complex, method for preparing same, and negative electrode active material comprising same for lithium secondary battery

Номер патента: WO2021034109A1. Автор: 이슬기,임종찬,오성민,박헌수. Владелец: 대주전자재료 주식회사. Дата публикации: 2021-02-25.

SILICON OXIDE MATERIAL FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL, MAKING METHOD, NEGATIVE ELECTRODE, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20130266500A1. Автор: FUKUOKA Hirofumi,MIYAWAKI Satoru,Kashida Meguru,OHBA Toshio. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

IRON-SILICON OXIDE PARTICLES HAVING AN IMPROVED HEATING RATE IN AN ALTERNATING MAGNETIC AND ELECTROMAGNETIC FIELD

Номер патента: US20130303658A1. Автор: Katusic Stipan,Kress Peter,Herzog Harald,Albers Peter. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2013-11-14.

SILICON OXIDE PARTICLES, MAKING METHOD, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20130309574A1. Автор: WATANABE Koichiro,FUKUOKA Hirofumi,UENO Susumu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

Li-CONTAINING SILICON OXIDE POWDER AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200002179A1. Автор: TAKESHITA Kohki,KIZAKI Shingo,KASHITANI Yusuke. Владелец: OSAKA Titanium technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing silicon oxide

Номер патента: US20140103253A1. Автор: Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

SILICON OXIDE FOR ANODE ACTIVE MATERIAL OF SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20140106221A1. Автор: Kim Tae Hoon,Kim Je Young,Jung Sang Yun,JEONG Han Nah,PARK Cheol Hee,LIM Byung Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

SILICON OXIDE-CARBON COMPOSITE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140106231A1. Автор: LEE Yong Ju,Jung Sang Yun,JEONG Han Nah,PARK Cheol Hee,LIM Byung Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR PRODUCING SILICON OXIDE POWDER AND NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20210020942A1. Автор: KASHITANI Yusuke. Владелец: OSAKA TITANIUM TECHNOLOGIES CO.,LTD.. Дата публикации: 2021-01-21.

SILICON OXIDE, MAKING METHOD, NEGATIVE ELECTRODE, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20140113192A1. Автор: FUKUOKA Hirofumi,UENO Susumu,SAITO Mitsugu,INUKAI Tetsuya. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

MINIMIZING RADICAL RECOMBINATION USING ALD SILICON OXIDE SURFACE COATING WITH INTERMITTENT RESTORATION PLASMA

Номер патента: US20180044791A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,GONG Bo,van Schravendijk Bart J.,Qiu Huatan,Hohn Geoffrey,Batzer Rachel E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Silicon oxide-coated iron powder, method for producing the same, molded body for inductor using the same, and inductor

Номер патента: US20210050132A1. Автор: Masahiro Gotoh,Daisuke Kodama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Silicon oxide-coated soft magnetic powder and method for producing same

Номер патента: US20210060642A1. Автор: Takuya Yano,Koji Tanoue,Yorito Nishizawa. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

ANODE ACTIVE MATERIAL INCLUDING POROUS SILICON OXIDE-CARBON MATERIAL COMPOSITE AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: US20140154578A1. Автор: LEE Yong Ju,Jung Hye Ran,Choi Seung Youn,Lee Mi Rim,Kim Je Young,YOO Jung Woo,Kang Yoon Ah. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

SILICON OXIDE MATERIAL, MAKING METHOD, NEGATIVE ELECTRODE, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20140162123A1. Автор: FUKUOKA Hirofumi,UENO Susumu,SAITO Mitsugu,INUKAI Tetsuya. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

MINIMIZING RADICAL RECOMBINATION USING ALD SILICON OXIDE SURFACE COATING WITH INTERMITTENT RESTORATION PLASMA

Номер патента: US20220145459A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,GONG Bo,van Schravendijk Bart J.,Qiu Huatan,Hohn Geoffrey,Batzer Rachel E.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Silicon oxide particles, making method, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR NON-AQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY COMPRISING SILICON OXIDE COMPOSITE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210184204A1. Автор: Oh Seung Min. Владелец: DAEJOO ELECTRONIC MATERIALS CO., LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

CARBON-COATED SILICON OXIDE/GRAPHITE COMPOSITE PARTICLES, METHODS OF MAKING, AND APPLICATIONS OF THE SAME

Номер патента: US20200148545A1. Автор: Taki Hiroyuki,SPAHR Michael,GULAS Michal,UMENO Tatsuo,PEREZ Pascual. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Porous Silicon Oxide (SiO) Anode Enabled by a Conductive Polymer Binder and Performance Enhancement by Stabilized Lithium Metal Power (SLMP)

Номер патента: US20160164073A1. Автор: ZHAO Hui,Liu Gao. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-06-09.

SILICON OXIDE AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: US20140248538A1. Автор: Kim Hyun Chul,LEE Yong Ju,Kim Je Young,Jung Sang Yun,JEONG Han Nah,PARK Cheol Hee,LIM Byung Kyu. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2014-09-04.

SILICON OXIDE AND STORAGE BATTERY

Номер патента: US20160190576A1. Автор: Miyake Hiroyuki,Inoue Nobuhiro,HIROHASHI Takuya,SATO Yuika. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SILICON OXIDE BASED HIGH CAPACITY ANODE MATERIALS FOR LITHIUM ION BATTERIES

Номер патента: US20170194627A1. Автор: Deng Haixia,Kumar Sujeet,Lopez Herman A.,Anguchamy Yogesh Kumar,Han Yongbong,Masarapu Charan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon oxide-based negative electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190190023A1. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

IRON-SILICON OXIDE PARTICLES HAVING AN IMPROVED HEATING RATE

Номер патента: US20150213927A1. Автор: Katusic Stipan,Kress Peter,Herzog Harald,ALFF Harald,Albers Peter. Владелец: Evonik Industries AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Silicon oxide for non-aqueous electrolyte secondary battery negative electrode material, method for manufacturing the same, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US20140302395A1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

ELECTRODES WITH SILICON OXIDE ACTIVE MATERIALS FOR LITHIUM ION CELLS ACHIEVING HIGH CAPACITY, HIGH ENERGY DENSITY AND LONG CYCLE LIFE PERFORMANCE

Номер патента: US20190207209A1. Автор: Venkatachalam Subramanian,Kumar Sujeet,Lopez Herman A.,Sharma Sanjeev,Masarapu Charan,Li Xianyu Iris,Hernandez-Gallegos Pedro A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Acoustic surface-wave devices using mono crystalline bismuth silicon oxide substrate

Номер патента: US3956647A. Автор: Richard Stevens,Eileen Read,Richard Frank Mitchell. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-05-11.

Zinc oxide which is coated with silicon oxide, method for manufacturing the same, composition which includes the zinc oxide coated with silicon oxide, and cosmetic

Номер патента: US09855197B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon oxide based material

Номер патента: RU2401694C2. Автор: Йохан ЭКЕРОТ. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2010-10-20.

Silicon oxides

Номер патента: RU2431465C2. Автор: Питер Уилльям СТЭНИР. Владелец: ПиКью СИЛИКАС ЮКей ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2011-10-20.

Silicon oxide-containing composition

Номер патента: RU2516846C2. Автор: Торд ХАССЛЕР,Хелена ВАССЕНИУС,Петер ВАЛЛЬБЕРГ,Том КИТТЕЛЬСЕН. Владелец: Бим Кеми Аб. Дата публикации: 2014-05-20.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of obtaining mother stock of diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2563013C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Silicon oxide-coated iron oxide composition for coating comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: US09949898B2. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Reactive silicon oxide precursor facilitated anti-corrosion treatment

Номер патента: EP2736981A1. Автор: Henrik Pranov. Владелец: SiOx ApS. Дата публикации: 2014-06-04.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Process for producing titanium-containing silicon oxide catalyst, the catalyst, and process for producing olefin compound with the catalyst

Номер патента: US20090234143A1. Автор: Jun Yamamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: US10238589B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Oxygen transport membrane for silicon oxide plant

Номер патента: EP1280731A1. Автор: Nitin Ramesh Keskar,Kevin Bruce Albaugh. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-05.

Oxygen transport membrane for silicon oxide plant

Номер патента: WO2001077014A1. Автор: Nitin Ramesh Keskar,Kevin Bruce Albaugh. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of obtaining masterbatch of synthetic diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2562283C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for producing sputtered silicon oxide electrolyte

Номер патента: EP3577251A1. Автор: Aimin Song,Xiaochen MA. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2019-12-11.

Nickel/titanium oxide-silicon oxide catalyst for synthesizing terpinene-4-ol, preparation method thereof, and method of synthesizing terpinene-4-ol using the same

Номер патента: US11596930B2. Автор: Jie Liu,Dan Wu,Jingjing Chen,Huidong Zheng,Naixin Wu. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-03-07.

Optical system having optical thin film including amorphous silicon oxide-based binder

Номер патента: US09915761B2. Автор: Hitoshi Ishizawa,Tsuyoshi Murata,Shunsuke Niisaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Ceramic material with low sintering temperature based on zirconium dioxide - aluminum oxide - silicon oxide system

Номер патента: RU2710341C1. Автор: Сергей Миронович Баринов,Валерий Вячеславович Смирнов,Сергей Валерьевич Смирнов,Маргарита Александровна Гольдберг,Татьяна Олеговна Оболкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-12-25.

Method for producing sputtered silicon oxide electrolyte

Номер патента: US20200340097A1. Автор: Aimin Song,Xiaochen MA. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of obtaining mother stock of natural rubber and silicon oxide

Номер патента: RU2559497C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-08-10.

Probe guide plate having a silicon oxide layer formed on surfaces and on an inner wall of a through hole thereof, and a protective insulating layer formed on the silicon oxide layer, and probe apparatus including the probe guide plate

Номер патента: US10261110B2. Автор: Yuichiro Shimizu,Chikaomi Mori,Tomoo Yamasaki,Kosuke FUJIHARA. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: EP4408402A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of producing nanostructured composite ceramics based on zirconium, aluminum and silicon oxides

Номер патента: RU2701765C1. Автор: Александр Александрович Дмитриевский,Дарья Геннадиевна Жигачева,Андрей Олегович Жигачев,Александр Иванович Тюрин,Владимир Михайлович Васюков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина". Дата публикации: 2019-10-01.

Application of aluminium oxide and silicon oxide-containing compounds for manufacturing hydrophobic construction product

Номер патента: RU2577344C2. Автор: Уве ГЕРИГ,Флориан ЭЛЛЕНРИДЕР,Михаэль МЕЛЬХАРТ,Йоахим РИДМИЛЛЕР,Штеффен ВАХЕ,Матиас ДЕГЕНКОЛЬБ,Михаэль КУЧЕРА,Катя ФОЛАНД. Владелец: Констракшн Рисёрч Энд Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

High temperature-resistant silicon oxide-based inorganic fibre and method of producing said fibre

Номер патента: RU2469001C2. Автор: Робин РИХТЕР,Фолкер ШТЕДЕН,Свен ЛЕР. Владелец: Бельчем Фибер Материалс Гмбх. Дата публикации: 2012-12-10.

Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers

Номер патента: US6053984A. Автор: Steve I. Petvai,Leslie Jane Bohnenkamp,Michael P. Buet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-25.

Process for preparing particles coated with silicon oxide by flame spray pyrolysis

Номер патента: EP4081482A1. Автор: Henri Samain,Valérie Jeanne-Rose,Yiannis Deligiannakis,Maria Louloudi. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2022-11-02.

Novel method of obtaining precipitated silicon oxides

Номер патента: RU2550853C2. Автор: Сильвен НЕВЕ,Жоэль РАСИНУ,Малика КЛУЭН. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2015-05-20.

Cellulose-silicon oxide composite superhydrophobic material and preparation method thereof

Номер патента: US20210180255A1. Автор: Yuan Zhao,Jian Wang,Hui Zhao,Cuicui LI,Lijie HUANG,Yangfan Xu,Chongxing Huang,Qingshan Duan,Hongxia Su,Linyun Zhang. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-17.

Dentifrice compositions containing tin oxide-compatible particles of silicon oxide

Номер патента: RU2726804C1. Автор: Лоуренс Эдвард ДОЛАН,Санджив МИДХА,Ева ШНЕЙДЕРМАН,Карл Уильям ГАЛЛИС,Уильям Джексон ХАГАР,Тэрри Уильям НАССИВЕРА. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2020-07-15.

Method for forming a thin film of a silicon oxide on a silicon substrate, by BCR plasma

Номер патента: US5753564A. Автор: Takashi Fukada. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Low temperature process for preparing silicon oxide coated pharmaceuticals

Номер патента: US12064522B2. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Silicon oxide based support, heteropolyacid catalyst based on said support and synthesis of esters in presence of heteropolyacid catalyst deposited on silicon oxide

Номер патента: RU2395487C2. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-07-27.

Method for surface modification of silicon oxide nanoparticles with included quantum dots

Номер патента: RU2611541C2. Автор: Ирина Юрьевна Горячева,Валентина Владимировна Гофтман. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-02-28.

Powder of mixed titanium and silicon oxide, dispersion thereof and titanium-containing zeolite based thereon

Номер патента: RU2415081C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Мартин МЁРТЕРС,Хельмут МАНГОЛЬД,Штеффен ХАЗЕНЦАЛЬ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2011-03-27.

Glass-like monoliths constituted by silicon oxide and titanium oxide and process for preparing them

Номер патента: CA2009672C. Автор: Guido Cogliati,Giovanni Bezzi. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 2001-05-29.

Boron doped silicon oxide protective layer and method for making the same

Номер патента: WO2024028173A1. Автор: Eric Michel,Eric Tixhon. Владелец: AGC Glass Europe. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for preparing silicon oxide powder filler, powder filler obtained thereby, and application of silicon oxide powder filler

Номер патента: US20230365786A1. Автор: Wen Li,Ke Wang,Dawei Zhang,Jiangbo Huang. Владелец: Zhejiang Third Age Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Composite oxide, method for producing same and catalyst for exhaust gas purification

Номер патента: RU2614276C2. Автор: Наотака ОХТАКЕ,Эмманюэль РОАР. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2017-03-24.

System for pulling-up monocrystal and method of exhausting silicon oxide

Номер патента: US5476065A. Автор: HIROSHI Yasuda,Hiroyuki Kojima,Koji Hosoda,Akira Tanikawa,Yoshifumi Kobayashi,Kazuhiro Ikezawa. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

Manganese-aluminum-phosphorous-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: CA1246530A. Автор: Bonita K. Marcus,Edith M. Flanigen,Brent M.T. Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1988-12-13.

Method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon that is transparent in visible light, method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon nitride that is transparent in visible light, and method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon oxide that is transparent in visible light

Номер патента: US20240084444A1. Автор: Jun Suk RHO,Young Hwan YANG,Gwan Ho YOON. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-03-14.

Cobalt-aluminum-phosphorous-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: CA1248078A. Автор: Bonita K. Marcus,Edith M. Flanigen,Brent M.T. Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Enhanced bonding of adjacent layers of silicon oxides and silver

Номер патента: CA1113764A. Автор: Jon D. Masso. Владелец: Sola International, Inc.. Дата публикации: 1981-12-08.

Titanium-aluminum-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: AU579862B2. Автор: Edith Marie Flanigen,Bonita Kristoffersen Marcus,Brent Mei-Tak Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1988-12-15.

Titanium-aluminum-phosphorous-silicon-oxide-molecular sieve compositions

Номер патента: CA1248507A. Автор: Bonita K. Marcus,Edith M. Flanigen,Brent M.T. Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

Method for producing sputtered silicon oxide electrolyte

Номер патента: WO2018142161A1. Автор: Aimin Song,Xiaochen MA. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2018-08-09.

Use of compounds containing aluminium oxide and silicon oxide for producing a hydrophilic building product

Номер патента: CA2809748C. Автор: Michael Kutschera,Florian Ellenrieder,Uwe Gehrig,Michael Melchart,Steffen Wache,Joachim Riedmiller,Mathias Degenkolb,Katja Voland. Владелец: CONSTRUCTION RESEARCH AND TECHNOLOGY GmbH. Дата публикации: 2018-11-27.

Packaging material comprising a silicon oxide layer and a polyolefin layer

Номер патента: US5731092A. Автор: Patrice Breant,Philippe Tordjeman. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1998-03-24.

Process for producing a silicon oxide deposit on the surface of a metallic or metallized polymer substrate using corona discharge at pressures up to approximately atmospheric

Номер патента: US5523124A. Автор: Pascal Bouard,Frank Slootman. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1996-06-04.

Ozone-based low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: US20230355536A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Geetika Bajaj. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Ozone-based low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: WO2023215472A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Geetika Bajaj. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: WO2023056304A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Iron-aluminum-phosphorus-silicon-oxide molecular sieves

Номер патента: US4822478A. Автор: Edith M. Flanigen,Brent M. T. Lok,Lawrence D. Vail. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1989-04-18.

Imaging members with plasma deposited silicon oxides

Номер патента: US4859553A. Автор: Frank Jansen,Joseph Mort. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1989-08-22.

Method for depositing a silicon oxide layer

Номер патента: US5965203A. Автор: Oswald Spindler,Zvonimir Gabric. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-12.

Low Temperature Process For Preparing Silicon Oxide Coated Pharmaceuticals

Номер патента: US20220105048A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Method and apparatus for producing silicon oxide-based ceramic membrane by gas phase synthesis

Номер патента: US20040033180A1. Автор: Masahiko Matsukata,Shiro Ikeda,Shuji Tsuruoka. Владелец: WASEDA UNIVERSITY BIO NANOTEC RESEARCH INSTITUTE Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Low temperature process for preparing silicon oxide coated pharmaceuticals

Номер патента: WO2022072867A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Low temperature process for preparing silicon oxide coated pharmaceuticals

Номер патента: EP4221695A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Use of silicon oxide compounds as free-flow agents in the production of solid polyvinyl acetate resins

Номер патента: CA2598102A1. Автор: Rene Graewe,Thomas Wimmer,Marcus Biber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-08.

Composition based on gold and reducible oxide, method of production and application as catalyst, in particular in carbon monoxide oxidation

Номер патента: RU2339447C2. Автор: Стефан ВЕРДЬЕ,Франк ФАЖАРДИ,Казухико ЙОКОТА. Владелец: Родиа Ацетов Гмбх. Дата публикации: 2008-11-27.

Tertiary butyl-(e)-(6-{2-[4-(4-fluorophenyl)-6-isopropyl-2-[methyl(methylsulfonyl)amino]-pyrimidine-5-yl}-(4r,6s)-2,2-dimethyl[1,3]dioxane-4-yl]acetate and method for its preparing, diphenyl-[4-(4-fluorophenyl)-6-isopropyl-2-[methyl(methylsulfonyl)amino]-pyrimidine-5-ylmethyl]phosphine oxide, methods for preparing (e)-7-[4-(4-fluorophenyl)-6-isopropyl-2-[methyl(methylsulfonyl)amino]-pyrimidine-5-yl]-(3r,5s)-3,5-dihydroxyhept-6-enoic acid and its derivatives

Номер патента: RU2243969C2. Автор: Найджел Филип ТЭЙЛОР,Харуо КОИКЕ,Микио КАБАКИ,Луи Джозеф ДИОРАЦИО. Владелец: Сионоги Энд Ко. Лтд.. Дата публикации: 2005-01-10.

Oxidation method of producing carboxylic acids and alkenes and optionally alkenylcarboxylate or alkylcarboxylate

Номер патента: RU2356884C2. Автор: Брюс Лео УИЛЛЬЯМС,Марк Стивен РОБЕРТС,Юэн Джеймс ФЕРГУСОН,Эндрью Ричард ЛУСИ,Дайана Рейчел ТЕЙЛОР. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2009-05-27.

Oxidation method

Номер патента: RU2697871C1. Автор: Джеффри Брюс ГОМАХ. Владелец: Меричем Компани. Дата публикации: 2019-08-21.

Catalyst, preparation method thereof and carbon monoxide oxidation method

Номер патента: RU2464086C1. Автор: Александр Степанович Носков,Александра Степановна Иванова,Елена Марковна Славинская,Ирина Алексеевна Полухина,Наталья Васильевна Карасюк. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-10-20.

Oxidative methods of removing phosphorus from liquid hydrocarbons

Номер патента: RU2692487C2. Автор: Лэй Чжан,Дэвид У. ЛЕЙШОН,Дэниел Ф. УАЙТ,Роберт Брюс МАСКЕЛЛ. Владелец: Лионделл Кемикал Текнолоджи, Л.П.. Дата публикации: 2019-06-25.

Adsorption-oxidizing method for recultivation of oil-contaminated natural soils and industrial oil sludges

Номер патента: RU2744375C1. Автор: Александр Вячеславович Ветюгов,Денис Владимирович Проскурин,Евгений Владимирович Беленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Научно-производственное объединение «Бентонит». Дата публикации: 2021-03-09.

Improved oxidation methods and reactor

Номер патента: RU2577839C2. Автор: Фрэнк Р. ФИТЧ,Нареш САЧЕК,Чжисюн ТА. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2016-03-20.

Fuel oxidation method and device

Номер патента: RU2509904C2. Автор: Эдан ПРАБУ. Владелец: Энер-Кор Пауэр, Инк.. Дата публикации: 2014-03-20.

Olefin oxidation method, reaction device and system

Номер патента: RU2694060C2. Автор: Цзюнь ЛУН,Чуньфын ШИ,Бинь ЧЖУ,Минь Линь. Владелец: Рисерч Инститьют Оф Петролеум Просессинг, Синопек. Дата публикации: 2019-07-09.

Visible-light-induced direct oxidation method for saturated hydrocarbon bonds

Номер патента: US11008272B1. Автор: Zhiwei ZUO,Anhua Hu. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2021-05-18.

Powdered titanium oxide, methods for production thereof and use thereof

Номер патента: RU2713205C2. Автор: Тобиас ТИДЕ,Соня ГРОТЕ. Владелец: Хантсмен Пи Энд Эй Джермани Гмбх. Дата публикации: 2020-02-04.

Electrochemical wet oxidation method for hydrocarbons mixed with water or with soil

Номер патента: EP1515914A1. Автор: Markos Ninolakis. Владелец: Ninolakis Markos. Дата публикации: 2005-03-23.

Porous clinker containing magnesium oxide, method for its obtaining and its use as flux for processing of metal-containing slags

Номер патента: RU2548845C2. Автор: Сабин ГИШАР,Эрве ФРИДА,Кристоф ВОРМЕЙЕР,Реми ЖОЛЛИ,Энрике ЭЛОРСА. Владелец: Кернео. Дата публикации: 2015-04-20.

A micro-interface enhanced oxidation system and oxidation method for preparing hydrogen peroxide

Номер патента: US20240261748A1. Автор: Zheng Zhou,Lei Li,Yu Cao,Feng Zhang,Zhibing Zhang,Weimin Meng,Gaodong Yang,Baorong Wang,Huaxun LUO,Guoqiang Yang,Hongzhou TIAN. Владелец: Nanjing Institute of Microinterface Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Micro-interface enhanced oxidation system and oxidation method for preparing hydrogen peroxide

Номер патента: US12090458B2. Автор: Zheng Zhou,Lei Li,Yu Cao,Feng Zhang,Zhibing Zhang,Weimin Meng,Gaodong Yang,Baorong Wang,Huaxun LUO,Guoqiang Yang,Hongzhou TIAN. Владелец: Nanjing Institute of Microinterface Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Complex particles for delivering nitric oxide, method of producing the same, and application of the same

Номер патента: US10098966B2. Автор: Dueng-Yuan Hueng,Jen-Kun Chen,Teh-Min HU,Hsin-Ying Clair CHIOU,Li-Hui TSAI. Владелец: NATIONAL DEFENSE MEDICAL CENTER. Дата публикации: 2018-10-16.

Method of producing olefin oxide, method of using olefin oxide and catalytic composition

Номер патента: RU2361664C1. Автор: Леонид Исаакович РУБИНШТЕЙН,Кандидо ГУТЬЕРРЕС. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2009-07-20.

Method of producing olefin oxide, method of application of olefie oxide and catalytic composition

Номер патента: RU2325948C2. Автор: Леонид Исаакович РУБИНШТЕЙН,Кандидо ГУТЬЕРРЕС. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-06-10.

Complex oxide, method of obtaining thereof and catalyst for purification of waste gases

Номер патента: RU2569367C2. Автор: Наотака ОХТАКЕ,Казухико ЙОКОТА. Владелец: Анан Касеи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-11-27.

Amino-derivatives, method of inhibition of synthesis of nitrogen oxide, method of selective inhibition of synthesis of nitrogen oxide produced by inducible no-synthase, method of decrease of nitrogen oxide level, pharmaceutical composition

Номер патента: RU2152927C1. Автор: Е.Энн Холлинан,Дональд В. Хансен (младший),София Цимбалов. Владелец: Джи.Ди.Сирл энд Ко.. Дата публикации: 2000-07-20.

Two-stage oxidation method for obtaining aromatic dicarboxylic acids

Номер патента: RU2337903C2. Автор: Роналд Бафорд ШЕППАРД,Чарльз Эдван Мл. САМНЕР,Брент Элэйн ТЕННАНТ. Владелец: Истман Кемикал Компани. Дата публикации: 2008-11-10.

Catalyst, preparation method thereof and ammonia oxidation method

Номер патента: RU2430782C1. Автор: Любовь Александровна Исупова,Елена Федоровна Сутормина,Андрей Анатольевич Марчук,Нина Александровна Куликовская,Лариса Геннадьевна Пинаева,Любовь Александровна Исупова (RU),Лариса Геннадьевна Пинаева (RU),Елена Федоровна Сутормина (RU),Нина Александровна Куликовская (RU),Андрей Анатольевич Марчук (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2011-10-10.

Composite oxide, method for production thereof and exhaust gas cleaning catalyst

Номер патента: RU2559884C2. Автор: Наотака ОХТАКЕ,Казухико ЙОКОТА,Кейитиро МИЦУОКА. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2015-08-20.

Sputtering target on basis of galim oxide-zinc oxide method of formation of treansparent conductive film and treansparent conductive film

Номер патента: RU2380455C2. Автор: Кодзо ОСАДА. Владелец: Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-01-27.

Complex oxide, method of obtaining thereof and catalyst for purification of exhaust gases

Номер патента: RU2560376C2. Автор: Наотака ОХТАКЕ,Казухико ЙОКОТА. Владелец: Анан Касеи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-08-20.

Wet oxidation method

Номер патента: EP1609765B1. Автор: Franco Sardelli. Владелец: 3V Green Eagle SpA. Дата публикации: 2008-08-13.

Aqueous dispersion based on nanoparticles of tantalum oxide, method of producing and use thereof as contrast agent for in vivo diagnosis

Номер патента: RU2733521C1. Автор: Павел Васильевич Кривошапкин,Елена Федоровна Кривошапкина,Владимир Николаевич Морозов,Екатерина Дмитриевна Кошевая,Дарья Андреевна Назаровская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2020-10-02.

Ironoxide-zirconiumoxide mixed oxide, method of its obtaining and catalyst of exhaust gas purification

Номер патента: RU2573022C1. Автор: Масахиде МИУРА,Тоситака ТАНАБЕ,Ацуси ТАНАКА,Такахиро СУДЗУКИ,Тадаси СУДЗУКИ,Наоки ТАКАХАСИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-01-20.

Composition based on zirconium oxide, yttrium oxide and tungsten oxide, method of production and use as catalyst or catalyst support

Номер патента: RU2440299C1. Автор: Оливье ЛЯРШЕ,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,Эмманюэль РОАР,Хитер БРЭДШОУ,Дебора ХАРРИС. Владелец: Мэгнисиум Электрон Лимитед. Дата публикации: 2012-01-20.

Internal oxidation method of Ag alloys

Номер патента: US4457787A. Автор: Akira Shibata. Владелец: Chugai Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-07-03.

Micro-interface enhanced oxidation system and oxidation method for preparing hydrogen peroxide

Номер патента: EP4371934A1. Автор: Zheng Zhou,Lei Li,Yu Cao,Feng Zhang,Zhibing Zhang,Weimin Meng,Gaodong Yang,Baorong Wang,Huaxun LUO,Guoqiang Yang,Hongzhou TIAN. Владелец: Nanjing Institute of Microinterface Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR102199217B1. Автор: 박용환,이재섭. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-01-07.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR102104608B1. Автор: 조규철,강진규,박용환,허준,이재섭,안성국,배성식. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-04-27.

Direct current fast charge method for charging battery cells including lithium silicon oxide (lso)

Номер патента: US20240305122A1. Автор: Si Chen,Mark W. Verbrugge,Dewen Kong,Haijing Liu. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

PROCESS FOR PRODUCING A SELF-ALIGNED SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICIUM CELL AND THE CELL

Номер патента: FR2858717B1. Автор: Seung Beom Yoon,Hee Seog Jeon,Yong Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-13.

PROCESS FOR PRODUCING A SELF-ALIGNED SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICIUM CELL AND THE CELL

Номер патента: FR2858717A1. Автор: Seung Beom Yoon,Hee Seog Jeon,Yong Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-11.

Silicone oxide and titanium oxide-based crystalline synthetic material and method for preparation thereof

Номер патента: RU2076775C1. Автор: Нотари Бруно,Тарамассо Марко,Перего Джованни. Владелец: Снампрогетти С.П.А.. Дата публикации: 1997-04-10.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND COMPOSITION AND COSMETIC INCLUDING SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE

Номер патента: US20170095407A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

ZINC OXIDE WHICH IS COATED WITH SILICON OXIDE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, COMPOSITION WHICH INCLUDES THE ZINC OXIDE COATED WITH SILICON OXIDE, AND COSMETIC

Номер патента: US20170266084A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

ZINC OXIDE WHICH IS COATED WITH SILICON OXIDE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, COMPOSITION WHICH INCLUDES THE ZINC OXIDE COATED WITH SILICON OXIDE, AND COSMETIC

Номер патента: US20160287488A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: EP3127869A4. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-09-06.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: KR102246324B1. Автор: 테츠로 이타가키,가쿠 후지하시,슌스케 수마,스케 수마. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-04-29.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: EP3127869B1. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Zinc oxide which is coated with silicon oxide, method for manufacturing the same, composition which includes the zinc oxide coated with silicon oxide, and cosmetic

Номер патента: US10363204B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-07-30.

Fixation of nitrogen using silicon oxide catalysts

Номер патента: US4308246A. Автор: Paul Harteck. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 1981-12-29.

Hydrocracking process with the use of a silicon oxide, zirconium oxide and titanium oxide composite catalyst

Номер патента: US3053755A. Автор: Young Dean Arthur,Rowland C Hansford. Владелец: Union Oil Company of California. Дата публикации: 1962-09-11.

CLEANING METHOD OF SILICON OXIDE FILM FORMING APPARATUS, SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD, AND SILICON OXIDE FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20150267292A1. Автор: Shimizu Akira,IKEUCHI Toshiyuki,KIM Cheoljung. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

SILICON-OXIDE-COATED ZINC OXIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SILICON-OXIDE-COATED-ZINC-OXIDE-CONTAINING COMPOSITION, AND COSMETIC

Номер патента: US20160045411A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku,KUSAHARA Yoshiki. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Silicon oxide-coated zinc oxide, composition containing silicon oxide-coated zinc oxide, and cosmetic product

Номер патента: US20180161255A1. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA,Hirokazu Matsushita. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

SILICON OXIDE-COATED IRON OXIDE COMPOSITION FOR COATING COMPRISING IRON OXIDE PARTICLES COATED WITH SILICON OXIDE

Номер патента: US20180200159A1. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M. TECHNIQUE CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-19.

SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE AND METHOD FOR PREPARING SAME, COMPOSITION CONTAINING SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE, AND COSMETIC MATERIAL

Номер патента: US20180289600A1. Автор: Matsushita Hirokazu,ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

SILICON OXIDE-COATED IRON OXIDE COMPOSITION FOR COATING COMPRISING IRON OXIDE PARTICLES COATED WITH SILICON OXIDE

Номер патента: US20170333300A1. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M. TECHNIQUE CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-23.

Silicon oxide-coated zinc oxide, its production method, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, and cosmetics

Номер патента: JP6763304B2. Автор: 俊輔須磨,哲朗板垣,浩和松下. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2020-09-30.

Silicon oxide-coated zinc oxide and method for preparing same, and composition and cosmetic material containing silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: KR102414297B1. Автор: 슌스케 스마,스케 스마,테츠로 이타가키,히로카즈 마츠시타. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-06-28.

Silicon-oxide-coated zinc oxide and method for manufacturing same, silicon-oxide-coated zinc-oxide-containing composition, and cosmetic

Номер патента: KR102176830B1. Автор: 슌스케 스마,스케 스마,테츠로 이타가키,가쿠 후지하시. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-11-10.

Solid pharmaceutical compositions containing (s)-2-(4-iso-butylphenyl)-propionic acid as active component and microcrystalline cellulose and colloidal silicon oxide

Номер патента: RU2168980C2. Автор: Федерико СТРОППОЛО,Даниеле Бонадео,Альберто ПАГАНО,Аннибале ГАЗЗАНИГА. Владелец: Замбон Груп С.П.А.. Дата публикации: 2001-06-20.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM UV RADIATION TO EMISSION OF THE VISIBLE RANGE IN THE FORM OF AN AMORPHIC SILICON OXIDE SiO2Sx FILM ON A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2014123940A. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2015-12-20.

Silicon oxide-coated iron oxide composition for coating comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: AU2016336313A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Silicon oxide-coated zinc oxide, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, cosmetics

Номер патента: JP6859949B2. Автор: 俊輔須磨,哲朗板垣,浩和松下,岳藤橋,藤橋　岳. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2021-04-14.

Silicon oxide-coated zinc oxide, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, and cosmetic product

Номер патента: EP3263525A4. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA,Hirokazu Matsushita. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-08-15.

Silicon oxide-coated zinc oxide, production method thereof, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, and cosmetics

Номер патента: JP6458737B2. Автор: 俊輔須磨,哲朗板垣,岳藤橋,藤橋　岳. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Silicon oxide-coated zinc oxide and method for manufacturing same, silicon oxide-coated zinc oxide containing composition, and cosmetic

Номер патента: KR20150144748A. Автор: 테츠로 이타가키,가쿠 후지하시,슌스케 수마,요시키 쿠사하라,?스케 수마. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-12-28.

Silicon oxide-coated iron oxide composition for coating comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: CA2992265A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Synthetic, crystalline, porous material containing silicon oxide, titanium oxide and aluminum oxide

Номер патента: US5246690A. Автор: Giuseppe Bellussi,Antonio Esposito,Franco Buonomo,Aldo Giusti. Владелец: Enichem Sintesi SpA. Дата публикации: 1993-09-21.

Amorphous cobalt-inherent silicon oxide catalyst

Номер патента: US11884564B2. Автор: William E. Holmes,Daniel Dianchen Gang,Qiyu Lian,Mark E. Zappi. Владелец: University of Louisiana at Lafayette. Дата публикации: 2024-01-30.

Amorphous cobalt-inherent silicon oxide catalyst

Номер патента: US20230046975A1. Автор: William E. Holmes,Daniel Dianchen Gang,Qiyu Lian,Mark E. Zappi. Владелец: University of Louisiana at Lafayette. Дата публикации: 2023-02-16.

TIO2 PIGMENT COATED WITH POROUS ALUMINUM OXIDE / SILICON OXIDE AND DENSE SILICON OXIDE, AS WELL AS THE PROCEDURE FOR PREPARING THIS.

Номер патента: NL7506369A. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1975-12-02.

Deposition Of Carbon Doped Silicon Oxide

Номер патента: US20200248309A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-08-06.

Silicon oxide nanopore wetting and stabilization by molecular coating

Номер патента: US20140318966A1. Автор: Steven Lefkowitz,Yann Astier,Venkat K. Balagurusamy. Владелец: 454 Life Science Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Deposition of carbon doped silicon oxide

Номер патента: EP3902939A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Matthew R. Macdonald,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-03.

SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICON BASED MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATION THEREOF

Номер патента: US20210158868A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Hinh Long,Saha Swatilekha,Samanta Santanu Kumar,Amundson Michael,Argrawal Vineet,Kapre Ravindra,Prabhakar Venkataraman. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-27.

Ultraviolet-shielding particle coated with silicon oxide, aqueous composition containing ultraviolet-shielding particle coated with silicon oxide, and cosmetic

Номер патента: US20190350822A1. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Hirokazu Matsushita,Norito MORISHITA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Methods of operating a non-volatile memory device having a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) gate structure

Номер патента: KR100454117B1. Автор: 이창현,최정달. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Composition for etching silicon oxide layer and method for etching silicon oxide layer using the same

Номер патента: KR101316054B1. Автор: 홍창기,김고은,한정남,이효산,박명국,양호석. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2013-10-10.

NEW METHOD FOR PRODUCING DEPOSITED SILICON OXIDE, NEW DEPOSITED SILICON OXIDE AND OPTIONS OF ITS USE, IN PARTICULAR, FOR REINFORCING POLYMERS

Номер патента: RU2015111246A. Автор: Лоран ГИ,Эрик ПЕРЕН,Седрик БУАВЕН,Килани ЛАМИРИ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2016-10-20.

Silicon oxide-coated UV-shielding particles, silicon oxide-coated UV-shielding particles-containing aqueous composition, cosmetics

Номер патента: KR102437232B1. Автор: 테츠로 이타가키,히로카즈 마츠시타,노리토 모리시타. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-08-26.

Silicon oxide film etching composition and silicon oxide film etching method using the same

Номер патента: KR100588812B1. Автор: 백귀종,한웅,임정훈,김현탁,김성배,이상원. Владелец: 테크노세미켐 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

Method for producing titanium-containing silicon oxide molded body and titanium-containing silicon oxide molded body

Номер патента: CN111818997A. Автор: 小泽卓也,大内康久. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Silicon oxide-based sintered body used in the preparation of silicon oxide and method for preparing same

Номер патента: KR101561182B1. Автор: 김남훈,이태욱,오성민,임보라미. Владелец: 대주전자재료 주식회사. Дата публикации: 2015-10-19.

Method for producing hyperspectral Fabry-Perot filter, involves filling silicon oxide layer in gaps after removing resist mask and performing leveling and thinning of surface of silicon oxide layer by chemical mechanical polishing

Номер патента: DE102011111883A1. Автор: Daniel Gäbler,Damiana Lerose. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2013-02-28.

Zinc-aluminum-phosphorus-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: US4935216A. Автор: Edith M. Flanigen,Brent M. T. Lok,Lawrence D. Vail. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1990-06-19.

Magnetic recording medium having a silicon oxide protective layer with an electrical specific resistance of from 3.3×1013 to 5.0×15 ohm.cm

Номер патента: US5132173A. Автор: Takashi Suzuki,Morimi Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1992-07-21.

SILICON OXIDE IS COMPATIBLE WITH CHLORHEXIDIN, METHOD OF PREPARING AND DENTAL PASTS CONTAINING SUCH SILICON OXIDE

Номер патента: DK612388A. Автор: Jacques Persello. Владелец: Rhone Poulenc Chimie. Дата публикации: 1989-05-05.

Production method for titanium-containing silicon oxide molded article, and titanium-containing silicon oxide molded article

Номер патента: WO2019176951A1. Автор: 卓也小澤,康久大内. Владелец: 住友化学株式会社. Дата публикации: 2019-09-19.

Composition for etching silicon oxide layer and process of etching silicon oxide layer of semi conductor device by using the etchant

Номер патента: KR20050106997A. Автор: 백귀종,한웅,임정훈,김현탁,김성배,이상원. Владелец: 테크노세미켐 주식회사. Дата публикации: 2005-11-11.

Sintered silicon oxide for film vapor deposition, its production method, and method for producing silicon oxide vapor deposition film

Номер патента: US8066806B2. Автор: Hirofumi Fukuoka,Meguru Kashida,Toshio Ohba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

SILICON OXIDE-BASED MEDIA, HETEROPOLIC ACID CATALYST ON THE BASIS AND SYNTHESIS OF COMPOUND ETHERS IN THE PRESENCE OF A HETEROPOLIC ACID CATALYST APPLIED ON SILICON OXIDE

Номер патента: RU2007115155A. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ,Крейг БЕЙЛИ (GB),Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ (GB). Владелец: БП Кемикэлз Лимитед (GB). Дата публикации: 2008-11-10.

Metal-silicon nitride, silicon oxide, or silicon amide of Ti, Ta, Hf, Zr and related metals for ALD / CVD of silicon oxynitride

Номер патента: JP5118169B2. Автор: アンソニートーマスノーマンジョン,レイシンチアン. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-01-16.

Metal-silicon nitride, silicon oxide, or silicon amide of Ti, Ta, Hf, Zr and related metals for ALD / CVD of silicon oxynitride

Номер патента: JP4555272B2. Автор: アンソニートーマスノーマンジョン,レイシンチアン. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Ferrite magnetic head with gap spacer of silicon oxide and metal oxides

Номер патента: US3578920A. Автор: Kazuo Nozawa,Noriaki Okamoto,Teruo Wakabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1971-05-18.

A kind of preparation method of meso pore silicon oxide material and the meso pore silicon oxide material being made

Номер патента: CN107128929A. Автор: 陈妍,孙泽,雷浩,高军凯,高书峰,李焰旺. Владелец: Zhejiang Ocean University ZJOU. Дата публикации: 2017-09-05.

Sintered particle in the form of ball, useful for treating surface of bottles, comprises composition of e.g. zirconium oxide and hafnium oxide, silicon oxide and aluminum oxide, and crystallized phases of e.g. zircon, mullite and corundum

Номер патента: FR2978143A1. Автор: Emmanuel Pierre Marcel Nonnet,Roux Yves Marcel Leon Boussant. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2013-01-25.

Composite oxide based on cerium oxide, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: WO2014202149A1. Автор: Naotaka Ohtake,Toshihiro Sasaki. Владелец: Rhodia Operations. Дата публикации: 2014-12-24.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20160067387A1. Автор: Aswath Pranesh,Varanasi Venu,Maginot Megen,Lavrick Nickolay V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Lavrik Nickolay V.,Aswath Pranesh,Varanasi Venu,Maginot Megen. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Micro needles production method, involves providing micro needles with height on silicon substrate with silicon oxide coating, where varnish layer is arranged on silicon substrate

Номер патента: DE102006028914A1. Автор: Christian Maeurer,Ralf Reichenbach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for the fabrication of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide films by chemical vapor deposition

Номер патента: US20050048204A1. Автор: Christian Dussarrat,Eri Tsukada,Jean-Marc Girard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for the fabrication of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide films by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003046254A1. Автор: Eri Tsukada,Jean-Marc Girard,Christian Dussarat. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for the fabrication of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide films by chemical vapor deposition

Номер патента: AU2002365488A1. Автор: Eri Tsukada,Jean-Marc Girard,Christian Dussarat. Владелец: LAir Liquide SA a Directoire et Conseil de Surveillance pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2003-06-10.

OBTAINING SILICON INTERACTION OF SILICON OXIDE AND SILICON CARBIDE WITH THE NECESSITY IN PRESENTING A SECOND CARBON SOURCE

Номер патента: EA201100361A1. Автор: Хартвиг Рауледер,Эккехард Мю,Юрген Эрвин Ланг. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2011-10-31.

Production of silicon by reaction of silicon oxide and silicon carbide, optionally in the presence of a second carbon source

Номер патента: DE102008041334A1. Автор: Hartwig Dr. Rauleder,Jürgen Erwin Dr. Lang,Ekkehard Dr. Müh. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2010-02-25.

Production of silicon by reacting silicon oxide and silicon carbide, optionally in the presence of a second carbon source

Номер патента: US20110150741A1. Автор: Hartwig Rauleder,Ekkehard Mueh,Juergen Erwin Lang. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2011-06-23.

Amorphous silicon oxide, amorphous silicon oxynitride, and amorphous silicon nitride thin films and uses thereof

Номер патента: US10898618B2. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrick. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-01-26.

Highly active catalyst for the polymerization of olefins with a boron-containing substrate based on silicon oxide and its manufacture

Номер патента: RU2014113382A. Автор: Сутхирават САМИНГПРАЙ,Онтеера ЙЕНДЖИТРАТТАНАВАЛИ,Чая ЧАНДАВАСУ. Владелец: ПТТ ГЛОБАЛ КЕМИКАЛ ПАБЛИК КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2015-10-20.

SILICON OXIDE COMPOSITION

Номер патента: RU2013155669A. Автор: Торд ХАССЛЕР,Хелена ВАССЕНИУС,Петер ВАЛЛЬБЕРГ,Том КИТТЕЛЬСЕН. Владелец: Бим Кеми Аб. Дата публикации: 2015-06-20.

METHOD FOR PRODUCING UTERINE MIXTURE OF SYNTHETIC DIENE ELASTOMER AND SILICON OXIDE

Номер патента: RU2012122186A. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2013-12-10.

PROCESSED SILICON OXIDES AND METAL SILICATES FOR IMPROVING CLEANING IN A TOOTHCARE

Номер патента: RU2015108759A. Автор: Карл В. ГАЛЛИС,Уилльям Дж. ХАГАР,Патрик МакДЖИЛЛ,Терри В. НАССИВЕРА. Владелец: Джей.Эм. ХЬЮБЕР КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-01-10.

SILICON OXIDE COMPOSITION

Номер патента: RU2010133662A. Автор: Торд ХАССЛЕР,Хелена ВАССЕНИУС,Петер ВАЛЛЬБЕРГ,Том КИТТЕЛЬСЕН,Хелена ВАССЕНИУС (SE),Петер ВАЛЛЬБЕРГ (SE),Торд ХАССЛЕР (SE),Том КИТТЕЛЬСЕН (SE). Владелец: Бим Кеми Аб (Se). Дата публикации: 2012-02-27.

COMPOSITION FOR THE COATING CONTAINING COLLOID SILICON OXIDE AND THE GLOSSY SHEETS OBTAINED ON ITS BASIS FOR THE MAKING OF COPIES ON THE INKJET PRINTING DEVICES

Номер патента: RU2004130835A. Автор: Деметриус Микос,Дэниэль Рэй ФРУЖ,Деметриус МИКОС (US),Дэниэль Рэй ФРУЖ (US). Владелец: В.Р. Грейс Энд Ко.-Конн. (Us). Дата публикации: 2005-05-10.

COMPOSITION FOR THE COATING CONTAINING COLLOIDAL SILICON OXIDES AND THE GLOSSY SHEETS PRODUCED BASED ON IT BASIS FOR THE MAKING OF COPIES ON THE INKJET PRINTING DEVICES

Номер патента: RU2004130834A. Автор: Деметриус Микос,Дэниэль Рэй ФРУЖ,Деметриус МИКОС (US),Дэниэль Рэй ФРУЖ (US). Владелец: В.Р. Грейс Энд Ко.-Конн. (Us). Дата публикации: 2005-05-10.

Metal oxide thin film, metal-silicon oxide thin film, or metal-germanium oxide thin film, and preparing method thereof

Номер патента: KR101838617B1. Автор: 박정우,이영재,여소정,염보라,장동학. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2018-03-14.

A kind of oxidation of cyclopentene synthesizing glutaric acid mesoporous silicon oxide supported tungsten oxide catalysts and preparation method thereof

Номер патента: CN108295889A. Автор: 吕志果,郭振美,靳满满. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2018-07-20.

Chlorosilicate phosphor production, involves providing mixture of raw material of basic lattice calcium carbonate, magnesium oxide, silicon oxide and raw material of dopant europium oxide

Номер патента: DE102007028120A1. Автор: Manfred Kobusch,Torsten Dr. Fries,Wilhelma Welsch. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2008-12-24.

Synthetic, crystalline, porous material containing silicon oxide, titanium oxide and iron oxide

Номер патента: EP0226258A3. Автор: Giuseppe Bellussi,Mario Gabriele Clerici,Franco Buonomo,Aldo Giusti. Владелец: Enichem Sintesi SpA. Дата публикации: 1988-06-29.

PRODUCTION OF HIGH PURITY SUSPENSIONS CONTAINING SILICON OXIDES DEPOSITED BY ELECTRODIALYSIS

Номер патента: RU2011141185A. Автор: Маркус Руф,Патрик Штеннер,Флориан ЧУНКЕ,Манфред ДАННЕЛЬ,Юрген Бениш,Зильке ЗУР. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2013-04-20.

SILICON OXIDE MATERIAL

Номер патента: RU2008129104A. Автор: Йохан ЭКЕРОТ,Йохан ЭКЕРОТ (SE). Владелец: Акцо Нобель Н.В. (NL). Дата публикации: 2010-01-27.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING METAL SILICON OXIDE AND METAL SILICON OXYNITRIDE LAYERS

Номер патента: US20220064795A1. Автор: YOSHIDA Takashi,Vervuurt René. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Control of silicon oxide off-gas to prevent fouling of granular silicon annealing system

Номер патента: US20180208472A1. Автор: Matthew J. Miller,Sefa Yilmaz,Stein Julsrud,Robert J. Geertsen,Justin Johnston. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2018-07-26.

Method For The Preferential Polishing Of Silicon Nitride Versus Silicon Oxide

Номер патента: US20080116171A1. Автор: Suryadevara V. Babu,Anita Natarajan. Владелец: Infotonics Technology Center Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Method For The Preferential Polishing Of Silicon Nitride Versus Silicon Oxide

Номер патента: US20090176371A1. Автор: Suryadevara V. Babu,Anita Natarajan. Владелец: Infotonics Technology Center Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Silicon/oxidative silicon nuclear-shell structured nano-composite material, its preparation and use

Номер патента: CN100366532C. Автор: 张涛,高杰,吴宇平,付丽君,吴浩青. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-02-06.

Silicon / silicon oxide plane-parallel structure

Номер патента: JP4511926B2. Автор: ブヤルト，パトリーチェ,ヴァイネルト，ヒルマール,レイバッハ，ホルガー. Владелец: Ciba Holding AG. Дата публикации: 2010-07-28.

Method for producing high-purity silicon carbide from hydrocarbons and silicon oxide through calcination

Номер патента: CA2739026A1. Автор: Hartwig Rauleder,Alfons Karl,Ekkehard Mueh,Juergen Erwin Lang. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2010-04-08.

Silicon oxide removal apparatus, and inert gas collection facility for silicon monocrystal production apparatus

Номер патента: CN102471925B. Автор: 樋口隆,堀内忠彦. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-27.

Mesoporous silicon oxide/graphene/meso-porous titanium dioxide silicon composite and its preparation

Номер патента: CN109384243A. Автор: 赵东元,朱洪伟,刘玉普. Владелец: Shenzhen Yuan Jie New Mstar Technology Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Method of measuring the thickness of an interface between silicon and silicon oxide.

Номер патента: DE69203378D1. Автор: Richard John Murphy,Jerome David Schick,Howard Ronald Wilson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-08-17.

Heterogeneous electrophotographic imaging member consisting of amorphous silicon and silicon oxide

Номер патента: JPH0792611B2. Автор: ジャンセンフランク,モートジヨセフ,オクムラコージ,ジエイグラマチカスチーブン,アンドリユーモーガンマイケル. Владелец: ゼロックスコーポレーション. Дата публикации: 1995-10-09.

Method for the production of silicon by carbothermal reduction of silicon oxide with carbon in a melting furnace

Номер патента: WO2013124167A1. Автор: Hartwig Rauleder,Bodo Frings,Jurgen Erwin Lang,Maciej Olek. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2013-08-29.

METHOD FOR THE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE FILMS AND / OR SILICON OXIDE NITRIDE FILMS BY CVD

Номер патента: DE602006008190D1. Автор: Christian Dussarrat. Владелец: LAir Liquide SA a Directoire et Conseil de Surveillance pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-09-10.

A Composition for wet etching of silicon nitride or silicon oxide

Номер патента: KR101391605B1. Автор: 임정훈,박재완,이진욱,이양화. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2014-05-08.

Plane-parallel structures of silicon/silicon oxide

Номер патента: EP1517964A1. Автор: Patrice Bujard,Holger Leybach,Hilmar Weinert. Владелец: Ciba SC Holding AG. Дата публикации: 2005-03-30.

Method for producing high-purity silicon carbide from hydrocarbons and silicon oxide through calcination

Номер патента: AU2009299904A1. Автор: Hartwig Rauleder,Ekkehard MÜH,Alfons Karl,Jurgen Erwin Lang. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2010-04-08.

Integrated equipment for preparing silicon oxide and doped polycrystalline silicon

Номер патента: CN214176054U. Автор: 李斌,张威,陈特超,彭宜昌,王随心. Владелец: Hunan Red Sun Photoelectricity Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-10.

Method for preparing silicon carbide-based porous ceramic by using silicon oxide-based solid waste

Номер патента: WO2020057093A1. Автор: 苏畅,于景坤,马北越,任鑫明. Владелец: 东北大学. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for producing high-purity silicon carbide from hydrocarbons and silicon oxide through calcination

Номер патента: ZA201102322B. Автор: Hartwig Rauleder,Ekkehard MÜH,Alfons Karl,Jurgen Erwin Lang. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2011-12-28.

PROCESS FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE PROVIDED WITH ALUMINUM OXIDE-CONTAINING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20130098113A1. Автор: Kuwahara Yuichi,Abe Keisuke. Владелец: ASAHI GLASS COMPANY, LIMTED. Дата публикации: 2013-04-25.

Use Of Compounds Containing Aluminium Oxide And Silicon Oxide For Producing A Hydrophilic Building Product

Номер патента: US20130319294A1. Автор: Gehrig Uwe,Ellenrieder Florian,Voland Katja,Degenkolb Mathias,Riedmiller Joachim,Kutschera Michael,Wache Steffen,Melchart Michael. Владелец: Construction Research & Technology GmbH. Дата публикации: 2013-12-05.

USE OF COMPOUNDS CONTAINING ALUMINIUM OXIDE AND SILICON OXIDE FOR PRODUCING A HYDROPHILIC BUILDING PRODUCT

Номер патента: US20160031760A1. Автор: Gehrig Uwe,Ellenrieder Florian,Voland Katja,Degenkolb Mathias,Riedmiller Joachim,Kutschera Michael,Wache Steffen,Melchart Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

SILICON OXIDE-COATED OXIDE COMPOSITION FOR COATING IN WHICH WEATHER RESISTANCE IS REQUIRED, AND METHOD OF PRODUCING COMPOSITION FOR COATING

Номер патента: US20190153246A1. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M. TECHNIQUE CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-23.

HIGHLY ACIDIC COMPOSITIONS COMPRISING ZIRCONIUM AND SILICON OXIDES AND AN OXIDE OF AT LEAST ONE OTHER ELEMENT SELECTED FROM AMONG TITANIUM, ALUMINUM, TUNGSTEN, MOLYBDENUM, CERIUM, IRON, TIN, ZINC, AND MANGANESE

Номер патента: US20160166988A1. Автор: Larcher Olivier,Rohart Emmanuel,Bradshaw Heather,CRINIERE Guillaume,VERDIER Stephan,BUTLER Clive,HARRIS Deborah,FEELEY Mairead. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Composition for laminated coating film comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: US20170292028A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Highly acidic composition containing zirconium and silicon oxides and an oxide of at least one element selected from titanium, aluminium, tungsten, molybdenum, cerium, iron, tin, zinc, and manganese

Номер патента: KR101149113B1. Автор: 올리비에르 라셰르,엠마뉴엘 로아트,스테판 베르디에르,헤더 브래드쇼,클리브 버틀러,데보라 해리스,마이레드 피레이,귈라옴 크리니에르. Владелец: 마그네슘 일렉트론 리미티드. Дата публикации: 2012-05-25.

A kind of preparation method of the graphene oxide of controlled release corrosion inhibiter-mesoporous silicon oxide two-dimensional nano container

Номер патента: CN109608923A. Автор: 刘建华,李松梅,于美,熊亮亮,李应权. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-12.

Circuit and method for eliminating influence of word line coupling on read margin of SONOS (silicon oxide nitride oxide semiconductor) device

Номер патента: CN107507639B. Автор: 刘芳芳,姚翔,李祖渠. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: WO2008129901A1. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2008-10-30.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: EP2141205A1. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-06.

Process for producing hydrophobized silicon oxide-coated metal oxide particles comprising primary and secondary hydrophobizing steps

Номер патента: US8282991B2. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: EP2141205A4. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: CN101652434A. Автор: 片山肇. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Silicon oxide-coated oxide composition for coating and a method for producing a composition for coating, which are required to have weather resistance.

Номер патента: JP6879487B2. Автор: 榎村　眞一,眞一榎村,大介本田. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Flexible titanium oxide/silicon oxide/carbon composite nanofiber membrane and preparation method thereof

Номер патента: CN107376888B. Автор: 吴小琼,郑煜铭,邵再东. Владелец: Institute of Urban Environment of CAS. Дата публикации: 2020-04-24.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: CN101652434B. Автор: 片山肇. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

COSMETIC COMPOSITION FOR MAKE-UP CONTAINING A TRANSPARENT PIGMENT OF TITANIUM OXIDE AND SILICON OXIDE.

Номер патента: FR2686793B1. Автор: Beatrice Defossez,Sylvie Rossignol. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1994-04-15.

COSMETIC COMPOSITION FOR MAKE-UP CONTAINING A TRANSPARENT PIGMENT OF TITANIUM OXIDE AND SILICON OXIDE.

Номер патента: FR2686793A1. Автор: Rossignol Sylvie,Defossez Beatrice. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1993-08-06.

Producing propylene oxide, comprises reaction of propylene with hydroperoxide in presence of a silicon oxide catalyst containing titanium, which is prepared by reaction of metal halide compound with metal ether/metal hydroxyl compound

Номер патента: FR2941945A1. Автор: Tetsuo Suzuki,Masaru Ishino,Pierre Hubert Mutin,Andre Vioux,Olivier Lorret. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-13.

PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF METAL OXIDES, SINGLE OR MIXED, OR OF SILICON OXIDE

Номер патента: FR2763258A1. Автор: Christian Gilbert Guizard,Anne Julbe,Stephane Sarrade,Luc Schrive. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-11-20.

Methods of programming silicon oxide nitride oxide semiconductor (SONOS) memory devices

Номер патента: US7349262B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han,Youn-seok Jeong,Hee-soon Chae,Jae-woong Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-25.

Silicon oxide and magnesium oxide composite material and synthesis method thereof

Номер патента: CN111087032A. Автор: 范峰,凌凤香,张会成,王少军,杨春雁. Владелец: Sinopec Dalian Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2020-05-01.

A kind of fiber reinforcement aluminium oxide-silicon oxide binary aerogel composite material and preparation method

Номер патента: CN109095883A. Автор: 吴杰,姚其胜. Владелец: Shanghai Yining New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

Zinc oxide/silicon oxide composite gel chemical adsorbent, its preparation method and its application

Номер патента: CN102423681B. Автор: 刘国强,康飞宇,黄正宏. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-04.

Components with crystalline coatings of the aluminum oxide / silicon oxide system and process for their production

Номер патента: DE10219812A1. Автор: Dirk Meyer,Alexandr Levin,Peter Paufler. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2003-11-13.

PROCESS FOR PREPARING SILICON OXIDE ALUMINUM OXIDE EXTRUDATES, AS WELL AS A PROCESS FOR PREPARING A CATALYST CARRIER FROM THESE EXTRUDATES.

Номер патента: NL7712703A. Автор: . Владелец: Nalco Chemical Co. Дата публикации: 1979-03-02.

Silicon oxide-coated oxide composition for coating in which weather resistance is required, and method of producing composition for coating

Номер патента: US10835458B2. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

TREATMENT FLUIDS ACIDS CONTAINING ADDITIVES FOR THE CONTROL OF NON-POLYMER OXIDE SILICON OXIDE, AND RELATED METHODS

Номер патента: AR084258A1. Автор: . Владелец: Halliburton Energy Serv Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

The preparation method of silicon oxide coated ferriferrous oxide core-shell type nano compound particle

Номер патента: CN105366734B. Автор: 傅毛生. Владелец: NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-03-29.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF METAL OXIDES, SINGLE OR MIXED, OR OF SILICON OXIDE

Номер патента: FR2763258B1. Автор: Christian Gilbert Guizard,Anne Julbe,Stephane Sarrade,Luc Schrive. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-06-25.

METHOD OF OLEFIN METATHESIS USING A CATALYST BASED ON HIERARCHISTIC POROSITY SPHERICAL MATERIAL COMPRISING OXIDE METALLIC PARTICLES PITCHED IN A MATRIX COMPRISING SILICON OXIDE

Номер патента: FR3007029B1. Автор: Alexandra Chaumonnot,Clement Sanchez,Damien DEBECKER,Fréderic COLBEAU-JUSTIN. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2015-07-24.

COSMETIC COMPOSITION FOR MAKEUP CONTAINING A TRANSPARENT PIGMENT OF TITANIUM OXIDE AND SILICON OXIDE.

Номер патента: ES2086932T3. Автор: Beatrice Defossez,Sylvie Rossignol. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1996-07-01.

Zeolite with silicon oxide and titanium oxide and its method

Номер патента: KR100218550B1. Автор: 김용우,정경택,윤경식,정현종,설용건. Владелец: 남창우. Дата публикации: 1999-09-01.

Method for producing hydrophobized silicon oxide-coated metal oxide particles

Номер патента: JPWO2008129901A1. Автор: 肇片山. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Highly acidic composition containing zirconium and silicon oxides and an oxide of at least one element selected from titanium, aluminium, tungsten, molybdenum, cerium, iron, tin, zinc, and manganese

Номер патента: KR20090082186A. Автор: 올리비에르 라셰르,엠마뉴엘 로아트,스테판 베르디에르,헤더 브래드쇼,클리브 버틀러,데보라 해리스,마이레드 피레이,귈라옴 크리니에르. Владелец: 마그네슘 일렉트론 리미티드. Дата публикации: 2009-07-29.

Process for producing glass substrate provided with aluminum oxide-containing silicon oxide film

Номер патента: US8973403B2. Автор: Keisuke Abe,Yuichi KUWAHARA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for producing glass substrate with aluminum oxide-containing silicon oxide film

Номер патента: JPWO2011155543A1. Автор: 啓介阿部,雄一 ▲桑▼原,阿部　啓介. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Silicon oxide-coated oxide composition for paint requiring weather resistance and method for producing coating composition

Номер патента: KR20180002721A. Автор: 마사카즈 에노무라,다이수케 혼다. Владелец: 엠. 테크닉 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-01-08.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: AU2016334775A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Mesostructured aluminosilicate material, useful in refining and petrochemical industries, comprises two elementary spherical particles comprising a mesostructured matrix with a base of silicon oxide and aluminum oxide

Номер патента: FR2872151A1. Автор: Alexandra Chaumonnot,Patrick Euzen,David Grosso,Cédric BOISSIÈRE,Clement Sanchez,Aurelie Coupe. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2005-12-30.

Silicon oxide-coated oxide composition for paint requiring weather resistance and method for producing coating composition

Номер патента: KR102004743B1. Автор: 마사카즈 에노무라,다이수케 혼다. Владелец: 엠. 테크닉 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-07-29.

Manufactured articles in silicon oxide and/or other mixed metallic oxides and process for their preparation in "final" or "almost final" dimensions

Номер патента: CA2159975A1. Автор: Paolo Chiurlo,Lorenzo Costa. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 1996-04-07.

METHOD FOR RECOVERY OF ALUMINUM OXIDE AND SILICON OXIDE

Номер патента: DE69603289D1. Автор: Shlomo Nehari,Chanoch Gorin,Israel Lin,Amos Berkovich. Владелец: Mashal Alumina Industries Ltd. Дата публикации: 1999-08-19.

METHOD FOR MANUFACTURING AN OXIDATION OR EPOXIDATION CATALYST BASED ON SILICON OXIDE AND A METAL

Номер патента: FR2811244B1. Автор: Jean Paul Schoebrechts. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2003-02-07.

High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer

Номер патента: US7651793B2. Автор: Junji Tominaga,Joo-Ho Kim. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-01-26.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: EP3360937A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-15.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF METAL OXIDES AND SILICON OXIDE IN VERY FINISHED PARTICLES

Номер патента: IT1047224B. Автор: . Владелец: Degussa. Дата публикации: 1980-09-10.

Use of compounds containing aluminium oxide and silicon oxide for producing a hydrophilic building product

Номер патента: WO2012035455A1. Автор: Michael Kutschera,Florian Ellenrieder,Uwe Gehrig,Michael Melchart,Steffen Wache,Joachim Riedmiller,Mathias Degenkolb,Katja Voland. Владелец: Basf (China) Company Limited. Дата публикации: 2012-03-22.

Reduce hafnium oxide-silicon oxide multi-layer surface roughness method

Номер патента: CN106835020B. Автор: 王建国,邵建达,孙建,朱美萍,易葵,张伟丽,许诺,王胭脂. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2019-05-17.

Use of compounds containing aluminium oxide and silicon oxide for producing a hydrophilic building product

Номер патента: CA2809748A1. Автор: Michael Kutschera,Florian Ellenrieder,Uwe Gehrig,Michael Melchart,Steffen Wache,Joachim Riedmiller,Mathias Degenkolb,Katja Voland. Владелец: CONSTRUCTION RESEARCH AND TECHNOLOGY GmbH. Дата публикации: 2012-03-22.

Preparation method of germanium oxide-silicon oxide hybrid aerogel composite material

Номер патента: CN105693271A. Автор: 杨卓舒,纪勇,孟宪娴. Владелец: Zhuoda New Material Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-22.

Process for the production of optical articles from silicon oxide and / or other mixed metal oxides in "end" or "almost end" dimensions

Номер патента: DE69515953T2. Автор: Paolo Chiurlo,Lorenzo Costa. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 2000-10-05.

Core-shell nano silicon oxide @ zirconium oxide particle-polypropylene maleic anhydride grafted polypropylene composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN112358674A. Автор: 程璐,刘文凤,张子琦,李盛涛,张羽欣. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-02-12.

Impervious coatings for making metal, metal oxide, and silicon oxide surfaces resistant to graffiti

Номер патента: WO2020128728A1. Автор: John C. Clark,Dennis E. Vogel,George W. Griesgraber,Karl J. Manske,Kim M. Vogel,Bruce E. Tait,Mark E. Mueller,James R. Imbertson. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2020-06-25.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF AN ALUMINUM OXIDE AND SILICON OXIDE CONTAINING CATALYST FOR THE VAPOR PHASE CONVERSION OF AMMONIA WITH AN ALCOHOL AND / OR ETHER TO ALKYLAMINS.

Номер патента: NL155003B. Автор: . Владелец: Leonard Jackson D. Дата публикации: 1977-11-15.

Glass coating composition based on a tin oxide precursor, a silicon oxide precursor and an accelerator

Номер патента: PT101160A. Автор: David A Russo,Glenn P Florczak,Ryan Richard Dirkx. Владелец: Atochem North America Elf. Дата публикации: 1994-05-31.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: WO2017061519A1. Автор: 榎村眞一,本田大介. Владелец: エム・テクニック株式会社. Дата публикации: 2017-04-13.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide.

Номер патента: MX2018003977A. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-08.

Resin-made packaging container having composite silicon oxide film or composite metal oxide film, and method for manufacturing same

Номер патента: EP3951007A4. Автор: Hitoshi Sakamoto,Hiroshi Fujimori,Emiko Takemoto,Natsuki YAMADA. Владелец: Takemoto Yoki Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Process for removing oxide (silicon oxide) deposits from periheral surfaces of furnace roller journals

Номер патента: YU273573A. Автор: L J Hamilton,W J Jenks,F J Milberger. Владелец: Uss Eng & Consult. Дата публикации: 1982-02-28.

Wet etching silicon oxide during the formation of a damascene pole and adjacent structure

Номер патента: US20120113544A1. Автор: Christian R. Bonhôte,Kanaiyalal C. Patel. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-05-10.

PROCESS FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE PROVIDED WITH INORGANIC FINE PARTICLE-CONTAINING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20130098112A1. Автор: Kuwahara Yuichi,Abe Keisuke. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE NANO WIRES

Номер патента: US20130156951A1. Автор: SEO Jung Wook,KIM Dong Hoon,Cho Su Hwan,JANG Seon Hee,LEE Young Il. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS

Номер патента: US20130168348A1. Автор: Li Yuzhuo,Chu Jea-Ju,Venkataraman Shyam Sundar,Pinder Harvey Wayne,Chiu Wei Lan William. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-04.

Protective Fluorine-Doped Silicon Oxide Film For Optical Components

Номер патента: US20130265572A1. Автор: Delgado Gildardo. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-10.

ELECTRONIC DEVICES CONTAINING SWITCHABLY CONDUCTIVE SILICON OXIDES AS A SWITCHING ELEMENT AND METHODS FOR PRODUCTION AND USE THEREOF

Номер патента: US20140036576A1. Автор: HE Tao,Zhong Lin,Yao Jun,Tour James M.,Natelson Douglas. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD FOR FABRICATING A TITANIUM-CONTAINING SILICON OXIDE MATERIAL WITH HIGH THERMAL STABILITY AND APPLICATIONS OF THE SAME

Номер патента: US20190015817A1. Автор: Hsu Yu-Chuan,TSAI Hsi-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD FOR FABRICATING TITANIUM-CONTAINING SILICON OXIDE MATERIAL AND APPLICATION OF THE SAME

Номер патента: US20180022720A1. Автор: Hsu Yu-Chuan,TSAI Hsi-Chin,Tseng Chia-Yao,Wu Po-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Compositions and Methods for the Deposition of Silicon Oxide Films

Номер патента: US20200040192A9. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ho Richard,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang,Rajaraman Suresh Kalpatu. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Reactive Silicon Oxide Precursor Facilitated Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20140154441A1. Автор: Pranov Henrik. Владелец: SiOx ApS. Дата публикации: 2014-06-05.

POROUS SILICON OXIDE DRYING AGENTS FOR WATERBORNE LATEX PAINT COMPOSITIONS

Номер патента: US20140178128A1. Автор: Jeganathan Suruliappa,Davies Chris,Goforth Kevin. Владелец: Potters Industries, LLC. Дата публикации: 2014-06-26.

ORGANOAMINODISILAZANES FOR HIGH TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20220178028A1. Автор: Li Ming,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang,XINJIAN LEI. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an euv mirror, euv mirror, and euv lithography apparatus

Номер патента: US20140211178A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2014-07-31.

Compositions and Methods for the Deposition of Silicon Oxide Films

Номер патента: US20180127592A1. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ho Richard,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang,Rajaraman Suresh Kalpatu. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-05-10.

DEPOSITION OF SILICON OXIDE BY ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20140227512A1. Автор: Smith Ryan C.,Stricker Jeffery L.. Владелец: Arkema Inc.. Дата публикации: 2014-08-14.

METHOD FOR FABRICATING A TITANIUM-CONTAINING SILICON OXIDE MATERIAL WITH HIGH THERMAL STABILITY AND APPLICATIONS OF THE SAME

Номер патента: US20180147560A1. Автор: Hsu Yu-Chuan,TSAI Hsi-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

CELLULOSE-SILICON OXIDE COMPOSITE SUPERHYDROPHOBIC MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210180255A1. Автор: WANG Jian,Zhao Yuan,ZHAO Hui,LI Cuicui,HUANG Lijie,Huang Chongxing,Xu Yangfan,Duan Qingshan,Su Hongxia,Zhang Linyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

COMPOSITE OF SILICON OXIDE NANOPARTICLES AND SILSESQUIOXANE POLYMER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND COMPOSITE MATERIAL PRODUCED USING COMPOSITE THEREOF

Номер патента: US20180179337A1. Автор: Yoshida Naofumi,Yokoyama Daishi,Tashiro Yuji,Nonaka Toshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

COMPOSITE OF SILICON OXIDE NANOPARTICLES AND SILSESQUIOXANE POLYMER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND COMPOSITE MATERIAL PRODUCED USING COMPOSITE THEREOF

Номер патента: US20160194451A1. Автор: Yoshida Naofumi,Yokoyama Daishi,Tashiro Yuji,Nonaka Toshiaki. Владелец: AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.A.R.L.. Дата публикации: 2016-07-07.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

Selectively depositing silicon oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024215620A1. Автор: Dennis Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Kevin McLaughlin,Kapu Sirish Reddy,Joel David Smith,Nupur BIHARI,Jason Nathaniel BELLING. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Method of hydrogen fluoride and metal or silicon oxides production

Номер патента: RU2061649C1. Автор: А.И. Соловьев,Н.В. Дедов,В.П. Коробцев. Владелец: Сибирский химический комбинат. Дата публикации: 1996-06-10.

Method of producing silicon from silicon oxide

Номер патента: RU2562717C1. Автор: Ашот Александрович Навасардян. Владелец: Ашот Александрович Навасардян. Дата публикации: 2015-09-10.

Electrolyte for deposition of nickel-cobalt-silicon oxide-plastic fluor composite coating

Номер патента: RU2489530C1. Автор: Валерий Владимирович Иванов,Владимир Ильич Балакай,Игорь Николаевич Щербаков,Ксения Владимировна Мурзенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-08-10.

Method of separating and purifying quantum dots enclosed in silicon oxide envelope

Номер патента: RU2570830C2. Автор: Глеб Борисович Сухоруков,Ирина Юрьевна Горячева,Валентина Вадимовна Гофтман,Елена Сергеевна Сперанская. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2015-12-10.

Oxidation method of titanium alloy for antifrictional building-up

Номер патента: RU2367728C1. Автор: Владимир Иванович Михайлов,Игорь Васильевич Козлов,Владимир Федорович Щербинин,Сталь Сергеевич Ушков,Игорь Сосипатрович Фатиев,Валерий Константинович Шаталов,Андрей Леонидович Грошев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Конструкционных Материалов "Прометей" (Фгуп "Цнии Км "Прометей"). Дата публикации: 2009-09-20.

Oxidative method disintegration of ammonium salts

Номер патента: RU2329554C2. Автор: Михаил Васильевич Логунов,Борис Яковлевич Зильберман,Сергей Александрович Бартенев,Вячеслав Михайлович Есимантовский,Николай Григорьевич Фирсин,Сергей Александрович Стрелков,Дмитрий Николаевич Быховский,Александр Николаевич Машкин,Константин Константинович Корченкин,Михаил Васильевич Логунов (RU),Борис Яковлевич Зильберман (RU),Сергей Александрович Бартенев (RU),В чеслав Михайлович Есимантовский (RU),Николай Григорьевич Фирсин (RU),Сергей Александрович Стрелков (RU),Дмитрий Николаевич Быховский (RU),Александр Николаевич Машкин (RU),Константин Константинович Корченкин (RU). Владелец: ФГУП Научно-производственное Объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2008-07-20.

Method of defining silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide dielectric layer

Номер патента: TW564472B. Автор: Kuang-Chao Chen,Hsueh-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-01.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon: the process of non-volatile memory cell

Номер патента: TWI265602B. Автор: Po-Tsun Liu,Kow-Ming Chang,Bo-Chun Lin,Chiung-Hui Lai,Yi-Lung Lai. Владелец: Chiung-Hui Lai. Дата публикации: 2006-11-01.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon: the process of non-volatile memory cell

Номер патента: TW200608527A. Автор: Po-Tsun Liu,Bo-Chun Lin,Chiung-Hui Lai,Hui Lung Lai. Владелец: Chiung-Hui Lai. Дата публикации: 2006-03-01.

Manufacturing method of silicon oxide in nitride and silicon nitride in oxide

Номер патента: TW546706B. Автор: Shr-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

SILICON OXIDE FILM IMPLANTED BY IONS OF TIN ON A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2013127976A. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-27.

SLURRY COMPOSITIONS FOR SELECTIVELY POLISHING SILICON NITRIDE RELATIVE TO SILICON OXIDE, METHODS OF POLISHING A SILICON NITRIDE LAYER AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120007018A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

STARTING MATERIAL FOR USE IN FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM USING SAME

Номер патента: US20120071006A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Silicon oxide-coated UV-shielding particles, silicon oxide-coated UV-shielding particles-containing water-based composition, cosmetics

Номер патента: JP6988488B2. Автор: 哲朗板垣,浩和松下,徳人森下. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2022-01-05.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) device

Номер патента: CN102130179B. Автор: 陈广龙. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) device

Номер патента: CN102931196B. Автор: 陈广龙,陈昊瑜,梅绍宁. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-04-08.

Forming method of silicon oxide film and silicon oxide film forming equipment

Номер патента: JPH11204517A. Автор: Atsushi Suzuki,篤鈴木,Akihide Kashiwagi,章秀柏木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-07-30.

Novel double-bit line SONOS (silicon oxide nitride oxide silicon) unit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102446862A. Автор: 杨斌,郭明升,黄奕仙. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

Silicon nitride trap layer olive-shaped energy band gap structure and manufacturing method thereof of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) component

Номер патента: CN101872767A. Автор: 王函,林钢. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-27.

Silicon oxide film, manufacturing method thereof, and silicon oxide film manufacturing apparatus

Номер патента: JP6183965B2. Автор: 彰一村上,晶保畑下. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-23.

METHOD FOR DEPOSITING A SILICON OXIDE LAYER OF SAME THICKNESS ON SILICON AND ON SILICON-GERMANIUM

Номер патента: US20130072032A1. Автор: Dutartre Didier,Campidelli Yves,Breil Nicolas,Gourhant Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD FOR OBTAINING A VACUUM UV RADIATION CONVERTER IN THE RADIATION OF A VISIBLE RANGE IN THE TYPE OF A SURFACE SILICON OXIDE SILICON FILM ON A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2013101402A. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-07-20.

Stack structure etching method for silicon, silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: CN102403213A. Автор: 李芳�,周海锋. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of producing silicon oxide layer

Номер патента: TW424115B. Автор: Huang-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-01.

A method of etching silicon oxide to produce a tapered edge thereon

Номер патента: AU485868B2. Автор: John Ham Ralph Robert Soden Edward. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-02-19.

Methyl silicon oxide polymers and method of preparation

Номер патента: AU121902B2. Автор: . Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1946-08-15.

A method to prevent the recess of silicon oxide layer in the shallow trench isolation process

Номер патента: TW439198B. Автор: Jr-Shiang Shiau,Guo-Tai Huang,Jau-Yan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

Methyl silicon oxide polymers and method of preparation

Номер патента: AU1463044A. Автор: . Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1946-08-15.

Silicon oxidation film pattern formation method

Номер патента: JPS51123563A. Автор: Nobuo Tsuda,Tadamasa Ogawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-10-28.

Method for upgrading silicon oxide layer quality and chemical vapor deposition apparatus thereof

Номер патента: TWI223671B. Автор: Stephen Chen,Eric Chou,Gilbert Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Tube mounting fixture for silicon oxide layer homogenization process

Номер патента: TW504745B. Автор: Yung-Bin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-10-01.

METHOD FOR LOW TEMPERATURE GROWING SILICON OXIDE

Номер патента: RU2013116496A. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Петр Борисович Лагов,Александр Михайлович Мусалитин,Андрей Сергеевич Дренин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2014-10-20.

Method of joining silicon oxide material substrates

Номер патента: TW200837031A. Автор: Shu-Hui Chen,Jia-Wei Huang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2008-09-16.

SILICON OXIDE REMOVAL APPARATUS AND FACILITY FOR RECYCLING INERT GAS FOR USE IN SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20120114531A1. Автор: HIGUCHI Takashi,HORIUCHI Tadahiko. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM AND SILICON NITRIDE FILM, FILM FORMING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120252224A1. Автор: Endo Atsushi,KUROKAWA Masaki,IRIUDA Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for preparing nano silicon oxide modified silicone acrylate emulsifier-free emulsion

Номер патента: CN102020817B. Автор: 张琳,周建华,马建中. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for preparing silicon nitride/silicon oxide composite crucible

Номер патента: CN103803955A. Автор: 赵丽丽,吕铁铮. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2014-05-21.

Method of decreasing defectiveness of double-layer dielectric in conductor-silicon nitride-silicon oxide- semiconductor structure

Номер патента: SU1108962A1. Автор: А.П. Нагин,В.А. Милошевский,В.М. Тюлькин,А.И. Мальцев,Ю.Р. Чернышев. Владелец: В.М. Тюлькин. Дата публикации: 1995-04-10.

Silicon wafer and silicon oxide cleaning liquid

Номер патента: JPH1098018A. Автор: 進大塚,賢一上村,良弘森,Susumu Otsuka,Yoshihiro Mori,Kenichi Kamimura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-04-14.

FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20120164327A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-06-28.

HIGHLY ACIDIC COMPOSITIONS COMPRISING ZIRCONIUM AND SILICON OXIDES AND AN OXIDE OF AT LEAST ONE OTHER ELEMENT SELECTED FROM AMONG TITANIUM, ALUMINUM, TUNGSTEN, MOLYBDENUM, CERIUM, IRON, TIN, ZINC, AND MANGANESE

Номер патента: US20120328500A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

CATALYSTS CONTAINING COPPER, ZINC OXIDE, ALUMINUM AND SILICON OXIDES

Номер патента: EA202192055A1. Автор: Моника Гарсия-Дигес,Полин Элизабет Глен,Норман Маклод,Нитиша Мистри,Майкл Томас Николсон,Симоне Ролофф-Стэндринг,Мелани Андреа Стенуэй. Владелец: Джонсон Мэттей Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-10-21.

The Hydrogenation active protective agent being carrier with the aluminium oxide-silicon oxide of titaniferous and Synthesis and applications thereof

Номер патента: CN102909084B. Автор: 戴立顺,牛传峰,刘涛,邵志才,杨清河,刘佳,聂红,胡大为,王奎,孙淑玲. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2016-04-27.

Method for preparing silica gel surface periodic zirconium oxide-silicon oxide composite material

Номер патента: CN102172520A. Автор: 徐伟,高子伟,高焕萍,卜珊,李金灵,姚平利. Владелец: Shaanxi Normal University. Дата публикации: 2011-09-07.

Composition for laminated coating film comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: JP6092492B1. Автор: 榎村　眞一,眞一榎村,大介本田. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

Method for preparing high-transparency cerium oxide and silicon oxide ultraviolet ray absorbing film

Номер патента: CN102180599B. Автор: 崔洪涛. Владелец: YANTAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Titanium-containing silicon oxide-aluminum oxide forming composition and preparation method thereof

Номер патента: CN102908971B. Автор: 戴立顺,牛传峰,刘涛,邵志才,杨清河,刘佳,聂红,胡大为,王奎,孙淑玲. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2014-12-31.

Method for producing fine particle silicon oxide / cerium oxide composite

Номер патента: JP3981483B2. Автор: 重禎百瀬,栄吉田,信良矢部,浩太東福寺,一之田平,次雄佐藤. Владелец: Daito Kasei Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-26.

Method for preparing ferric oxide composite pigment doped with rare earth and silicon oxide

Номер патента: CN101671499B. Автор: 李云,王晨雪,肖林久,尚世智. Владелец: Shenyang University Of Chemical Technology. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for producing silicon oxide thin film or titanium oxide thin film

Номер патента: JP4133353B2. Автор: 和志林,敏洋釘宮,裕史後藤,勇藏森. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Preparation method of zirconium oxide-silicon oxide composite aerogel

Номер патента: CN103214034A. Автор: 孙晓红,何健,李晓雷,王庆浦,季惠明. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-24.

Fischer-Tropsch synthesis catalyst taking silicon oxide-aluminum oxide as carrier and application thereof

Номер патента: CN102233282A. Автор: 李大东,聂红,吴玉,夏国富,王奎,王倩,刘斌,孙霞,侯朝鹏. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2011-11-09.

Titanium-containing silicon oxide-aluminum oxide forming composition and preparation method thereof

Номер патента: CN102908971A. Автор: 戴立顺,牛传峰,刘涛,邵志才,杨清河,刘佳,聂红,胡大为,王奎,孙淑玲. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2013-02-06.

Method for improving data retention of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) and structure of SONOS

Номер патента: CN102420233A. Автор: 张�雄. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

Manufacture method for forming thick silicon oxide isolation layer in radio frequency (RF) laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS)

Номер патента: CN103035514A. Автор: 蔡莹,周正良,遇寒,李琳松. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for local dry etching of silicon oxide oxide layers

Номер патента: SU1304666A1. Автор: Г.М. Цейтлин,М.Р. Бакланов,С.М. Репинский,Н.Н. Герасименко,Ф.Н. Дульцев,Л.Я. Соломатина. Владелец: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср. Дата публикации: 1999-11-10.

Method for preparing aluminium oxide-silicon oxide fibre

Номер патента: CN1434156A. Автор: 王心葵,温月芳,王浩静,宋士玮. Владелец: Shanxi Institute of Coal Chemistry of CAS. Дата публикации: 2003-08-06.

Method for enhancing reliability of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) flash memory device by means of selective epitaxy

Номер патента: CN102117779A. Автор: 杨欣,孙勤. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Method for embedding high-voltage device in silicon oxide-nitride-oxide semiconductor (SONOS) nonvolatile memory process

Номер патента: CN102446851B. Автор: 陈瑜,熊涛,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

BE-SONOS (Band-gap Engineering SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)) structure device with low operation voltage and forming method

Номер патента: CN102709330A. Автор: 田志. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Method for preparing aza titanium oxides-silicon oxide nucleocapsid nanometer complex ordered stephanoporate big sphere

Номер патента: CN101157022A. Автор: 朱仕惠,周爱军,韦磊,刘长生,李铭果. Владелец: Wuhan Institute of Technology. Дата публикации: 2008-04-09.

Cerium oxide composite abrasive material using silicon oxide as core and preparation method of abrasive material

Номер патента: CN103666372A. Автор: 李福清,吴秋芳,马新胜,史运宝,高纬. Владелец: Shanghai Huaming Hi Tech Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Mesoporous silicon oxide of surface clad metal oxide and preparation and application thereof

Номер патента: CN102059091A. Автор: 梁鑫淼,于龙,李秀玲,柳林,薛兴亚,闫竞宇,万慧慧. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2011-05-18.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1168873A. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 1997-12-31.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1053650C. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-06-21.

Composition for laminated coating film comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: JPWO2017061519A1. Автор: 榎村　眞一,眞一榎村,大介本田. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

silicon oxide/titanium oxide composite mesoporous flexible non-woven fiber membrane, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN103316625A. Автор: 王洋,于吉红,温强,邸建城. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2013-09-25.