Method for depositing a silicon oxide layer.

Method for depositing a silicon oxide layer

Номер патента: US5965203A
Опубликовано: 12-10-1999
Автор(ы): Oswald Spindler, Zvonimir Gabric
Принадлежит: SIEMENS AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

METHOD FOR DEPOSITING A THIN LAYER ON AN OXIDE LAYER OF A SUBSTRATE

Номер патента: FR2869325B1. Автор: Jean Francois Damlencourt,Olivier Renault. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2006-06-16.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050268851A1. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7276444B2. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide

Номер патента: EP4025722A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Sukti Chatterjee,Thomas Knisley,Lance A Scudder,David Alexander Britz,Eric H. Liu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-13.

Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide

Номер патента: US20210071299A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Lance A. Scudder,Sukti Chatterjee,Thomas Knisley,David Alexander Britz,Eric H. Liu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Method for forming high-quality film by cvd process

Номер патента: US20240200187A1. Автор: Dan Li,Tiezhu Xu. Владелец: Piotech Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368044A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20190368045A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same

Номер патента: US20170002469A1. Автор: Alfred Grill,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Process for depositing a layer of silicon oxide bonded to a polyolefin substrate

Номер патента: FR2670506A1. Автор: Jacques,Maria,Bouard Pascal,Gastiger Michel,Slottman Franciscus,Carolus,Willemot Antoine. Владелец: Air Liquide SA. Дата публикации: 1992-06-19.

Method for coating metal

Номер патента: EP3899086A1. Автор: Eric Michel,Grégory ARNOULT. Владелец: AGC Glass Europe SA. Дата публикации: 2021-10-27.

Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film

Номер патента: US20020182343A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Katsuhisa Yuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5928428A. Автор: Yasuhiko Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method for manufacturing nanowires

Номер патента: US20160047048A1. Автор: Kyung Min Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for manufacturing nanowires

Номер патента: US9453283B2. Автор: Kyung Min Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for producing high quality fuese silica

Номер патента: GB1430681A. Автор: . Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1976-03-31.

Method for producing high quality fused silica

Номер патента: GB1430682A. Автор: . Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1976-03-31.

Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components

Номер патента: EP3983570A1. Автор: Jeffrey ANTHIS,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Lance A. Scudder,Mark Saly,Sukti Chatterjee,Thomas Knisley,David A. BRITZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Method and apparatus for depositing a silicon oxide film

Номер патента: US20020090455A1. Автор: Katsuhisa Yuda,Manabu Ikemoto. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for depositing ultra fine grain polysilicon thin film

Номер патента: US20110294284A1. Автор: Sang Ho Woo,Song Hwan Park,Hai Won Kim,Sung Gil Cho,Kyung Soo Jung. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Apparatus and method for the deposition of ruthenium containing films

Номер патента: EP1969154A1. Автор: Helmuth Treichel. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

System and method for depositing of a first and second layer on a substrate

Номер патента: US11761088B2. Автор: Kevin Johannes Hendrikus LAGARDE. Владелец: Innoflex Technologies BV. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for forming low-k dielectric materials

Номер патента: US20240363337A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Chi-I Lang,Shankar Venkataraman,Bo Xie,Michael Haverty,Shanshan Yao,Rui Lu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for applying thin layer of amorphous silicon

Номер патента: RU2635981C2. Автор: Владимир Сергеевич Ермолаев,Владимир Александрович Усачев,Борис Петрович Папченко,Михаил Владимирович Пузык,Дмитрий Климович Хегай,Евгений Викторович Васильченко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2017-11-17.

Methods for forming low-κ dielectric materials

Номер патента: WO2024226342A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Chi-I Lang,Shankar Venkataraman,Bo Xie,Michael Haverty,Shanshan Yao,Rui Lu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Chemical vapor deposition process for depositing zinc oxide coatings, method for forming a conductive glass article and the coated glass articles produced thereby

Номер патента: US09776914B2. Автор: Yu Wang,Srikanth Varanasi,David Alan Strickler. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for forming silicon-containing film, and silicon-containing film formed thereby

Номер патента: US20240318305A1. Автор: Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for depositing large-area graphene layer and apparatus for continuous graphene deposition

Номер патента: US20210172059A1. Автор: Chul Kyu Song,Ji Hye Han,Dong Ho YOON,Soon Gil Yoon,Ji Ho Eom. Владелец: Kuk Il Graphene Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method and an apparatus for depositing a layer onto a workpiece using plasma

Номер патента: US09915000B2. Автор: Hyunsoo Yang,Young Jun Shin,Xuepeng Qiu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-03-13.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3802913A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: WO2019241183A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US12049694B2. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and system for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers

Номер патента: US20230349043A1. Автор: Takashi Yoshida,René Vervuurt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

A method for forming silicon carbide onto a silicon substrate

Номер патента: WO2019122126A1. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn,Roland PÜSCHE. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2019-06-27.

Apparatus for depositing silicon-based thin film and method for depositing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107593A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same

Номер патента: US20210363630A1. Автор: Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240290611A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Bo Xie,Ruitong Xiong,Kang S. Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus for depositing silicon-based thin film and method for depositing silicon-based thin film

Номер патента: US7927981B2. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for depositing a multi-layer moisture barrier on electronic devices and electronic devices protected by a multi-layer moisture barrier

Номер патента: US09831466B2. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Polymer substrate with hardcoat layer, and manufacturing method for same

Номер патента: US20180265731A1. Автор: Hiroshi Kishimoto,Takehiro Suga,Tatsuya Ekinaka,Satoshi Ogata,Tatsuichirou KON,Yume Morita,Masato NAKAGOMI. Владелец: Tsukishima Kikai Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: US12049695B2. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,William Robert Entley,Robert Gordon Ridgeway,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatus and method for thin-film processing applications

Номер патента: WO2015124207A1. Автор: Thomas Deppisch. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Thin film deposition apparatus and method for the same

Номер патента: EP2478128A1. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2012-07-25.

Thin film deposition apparatus with an expanding thermal plasma source and method for depositing a thin film using the same

Номер патента: US8609556B2. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2013-12-17.

Thin film deposition apparatus and method for the same

Номер патента: WO2011034429A1. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar B.V.. Дата публикации: 2011-03-24.

Substrate for chemical vapour deposition (cvd) of diamond and method for obtaining thereof

Номер патента: RU2577638C2. Автор: Евгений А. ЛЕВАШОВ,Екатерина В. АЗАРОВА,Виктор Г. РАЛЬЧЕНКО,Андрей БОЛЬШАКОВ,Евгений Э. АШКИНАЗИ,Хироси ИСИДЗУКА,Сатору ХОСОМИ. Владелец: Томеи Дайамонд Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-03-20.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087881A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for depositing silicon dioxide using low temperatures

Номер патента: US6096661A. Автор: Minh Van Ngo,Khanh Nguyen,Terri Jo Kitson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Crack and residue free conformal deposited silicon oxide with predictable and uniform etching characteristics

Номер патента: US20050106318A1. Автор: Markus Lutz,Aaron Partridge,Silvia Kronmueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Systems and methods for depositing low-κ dielectric films

Номер патента: WO2024044462A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for depositing layers having reduced interfacial contamination

Номер патента: WO2010102089A2. Автор: Yihwan Kim,Satheesh Kuppurao,Jean R. Vatus,Jinsong Tang,Errol Sanchez. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-10.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US11967498B2. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Bo Xie,Ruitong Xiong,Kang S. Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: US20230246078A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Shinichi Shioi. Владелец: Sanan Japan Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Deposition of aln on a silicon substrate and gan semiconductor transition layer structure

Номер патента: EP4407065A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-07-31.

DEPOSITION OF AIN ON A SILICON SUBSTRATE AND GaN SEMICONDUCTOR TRANSITION LAYER STRUCTURE

Номер патента: WO2024156745A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-02.

Laminated film structure and method for manufacturing laminated film structure

Номер патента: EP4311381A3. Автор: Kazuya Shimada,Toshihiko Sakata,Masahito Hayamizu,Makoto CHAKUNO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for producing a coated cutting tool and a coated cutting tool

Номер патента: US12037675B2. Автор: Veit Schier,Dominic Diechle. Владелец: WALTER AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Laminated film structure and method for manufacturing laminated film structure

Номер патента: US12069809B2. Автор: Kazuya Shimada,Toshihiko Sakata,Masahito Hayamizu,Makoto CHAKUNO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for calculating film thickness of grain boundary oxide layer, method for determining platability, method for producing plated steel sheet, and apparatus for calculating film thickness

Номер патента: EP4407063A1. Автор: Kazushi Hayashi,Masanori Kobayashi,Koji Sasaki,Masahiro Inui,Koki Fukushima. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Coating structure and method for forming the same

Номер патента: US20130143017A1. Автор: Sang Ho Cho,Cheol Ham,Myung Gon Kim,Byung Ha Park,Ki Yong Song,In Oh Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

METHOD FOR PRODUCING A PRODUCT CONTAINING A SILICON SUBSTRATE WITH A SILICON CARBIDE FILM ON ITS SURFACE

Номер патента: RU2005103321A. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Сергей Константинович Гордеев (RU),Светлана Борисовна Корчагина (RU),Сергей Арсеньевич Кукушкин (RU),Андрей Викторович Осипов (RU). Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие") (Ru). Дата публикации: 2006-07-20.

Laminated film structure and method for manufacturing laminated film structure

Номер патента: EP4311381A2. Автор: Kazuya Shimada,Toshihiko Sakata,Masahito Hayamizu,Makoto CHAKUNO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Laminated film structure and method for manufacturing laminated film structure

Номер патента: MY197502A. Автор: SHIMADA Kazuya,HAYAMIZU Masahito,Sakata Toshihiko,CHAKUNO Makoto. Владелец: Panasonic Ip Man Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-19.

Laminated film structure and method for manufacturing laminated film structure

Номер патента: US20230389189A1. Автор: Kazuya Shimada,Toshihiko Sakata,Masahito Hayamizu,Makoto CHAKUNO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Laminated film structure and method for manufacturing laminated film structure

Номер патента: US11825608B2. Автор: Kazuya Shimada,Toshihiko Sakata,Masahito Hayamizu,Makoto CHAKUNO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for producing substrate having carbon-doped titanium oxide layer

Номер патента: CA2540778C. Автор: Masahiro Furuya. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2011-02-15.

Method for producing an open-pored metal body having an oxide layer and metal body produced by said method

Номер патента: CA3106485C. Автор: Tillmann Andreas,René Poss,Bernd KIEBACK,Tilo BÜTTNER,Gunnar Walther,Hans-Dietrich BÖHM,Thomas WEISSGÄRBER,Robin Kolvenbach,Lars Torkuhl,Arne Boden,Alexandra GERSTLE. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for producing substrate having carbon-doped titanium oxide layer

Номер патента: NZ545830A. Автор: Masahiro Furuya. Владелец: Central Res Inst Elect. Дата публикации: 2010-03-26.

Sputter target, method for manufacturing a layer, particularly a tco (transparent conductive oxide) layer, and method for manufacturing a thin layer solar cell

Номер патента: WO2009133076A2. Автор: Markus Kress,Joachim Mueller,Daniel Severin. Владелец: Applied Materials Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for preparing by thermal spraying a silicon- and zirconium-based target

Номер патента: WO2006085020A1. Автор: Nicolas Nadaud,Dominique Billieres. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2006-08-17.

Method for preparing by thermal spraying a silicon- and zirconium-based target

Номер патента: KR101331828B1. Автор: 니콜라 나도,도미니끄 빌리르. Владелец: 쌩-고벵 글래스 프랑스. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for preparing by thermal spraying a silicon- and zirconium-based target

Номер патента: CA2596622A1. Автор: Nicolas Nadaud,Dominique Billieres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Method for preparing by thermal spraying a silicon- and zirconium-based target

Номер патента: CA2596622C. Автор: Nicolas Nadaud,Dominique Billieres. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for producing an open-pore metal body with an oxide layer and a metal body produced by means of the method

Номер патента: EP4029630A1. Автор: Tillmann Andreas,René Poss,Bernd KIEBACK,Tilo BÜTTNER,Gunnar Walther,Hans-Dietrich BÖHM,Thomas WEISSGÄRBER,Robin Kolvenbach,Lars Torkuhl,Arne Boden,Alexandra GERSTLE. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-07-20.

METHOD FOR MANUFACTURING AN OPEN-PORED METAL BODY WITH AN OXIDE LAYER AND A METAL BODY MANUFACTURED BY THE METHOD

Номер патента: DK3823780T3. Автор: Tillmann Andreas,René Poss,Bernd KIEBACK,Tilo BÜTTNER,Gunnar Walther,Hans-Dietrich BÖHM,Thomas WEISSGÄRBER,Robin Kolvenbach,Lars Torkuhl,Arne Boden,Alexandra GERSTLE. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2022-05-23.

Method for producing a substrate having a carbon-doped titanium oxide layer

Номер патента: JP3948738B2. Автор: 正裕古谷. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2007-07-25.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Silicon Compounds And Methods For Depositing Films Using Same

Номер патента: US20230123377A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William R. Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Method and apparatus for depositing a silicon-containing film

Номер патента: US20160379868A1. Автор: Jun Sato,Masahiro Murata,Hiroyuki Kikuchi,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Methods for silicide deposition

Номер патента: US20200013625A1. Автор: Patricia M. Liu,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods for silicide deposition

Номер патента: WO2020009753A1. Автор: Patricia M. Liu,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for processing a semiconductor layer, method for processing a silicon substrate, and method for processing a silicon layer

Номер патента: US09941111B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Philipp Koch,Christian Maier,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Controlled growth of thin silicon oxide film at low temperature

Номер патента: US20190189435A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kurtis LESCHKIES,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Crystalline strontium titanate (sto) and method for deposition of the sto on a substrate

Номер патента: US20240242964A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Manjunath Gangaiah,Balaji Sompalle,Purnima Sethi Josan,Subhash Kannappa Manoharan. Владелец: Superq Technologies India Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures

Номер патента: US11923192B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Fu Tang,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures

Номер патента: US20240186138A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Fu Tang,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for forming thin film layers by simultaneous doping and sintering

Номер патента: EP1483784A2. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-12-08.

Method for manufacturing silicon timepiece components

Номер патента: US20210026299A1. Автор: Sylvain Jeanneret. Владелец: PATEK PHILIPPE SA GENEVE. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for manufacturing silicon timepiece components

Номер патента: US11880165B2. Автор: Sylvain Jeanneret. Владелец: PATEK PHILIPPE SA GENEVE. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for providing doped silicon using a diffusion barrier layer

Номер патента: US12125705B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph R. Abel,Gengwei Jiang,Tengfei MIAO. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for zinc deposition on the surface of embedded parts and reinforcement of reinforced concrete structures

Номер патента: RU2750671C1. Автор: Михаил Иванович Сердюк. Владелец: Михаил Иванович Сердюк. Дата публикации: 2021-06-30.

Silicon precursor having a heterocyclic group, composition for depositing a silicon-containing layer comprising the same and method of depositing a silicon-containing layer using the same

Номер патента: US20230307227A1. Автор: Younjoung CHO,Jihyun Lee,Sung Gi Kim,Seung Son,Byungkeun Hwang,Sunhye HWANG,Yujin Cho,Gyun Sang LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for depositing cobalt

Номер патента: US6117771A. Автор: William J. Murphy,Prabhat Tiwari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film

Номер патента: EP1050600A1. Автор: Frederic Gaillard,Li-Qun Xia,Fabrice Geiger,Ellie Yieh,Tian Lim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Method for growing rare earth oxide crystal on a semiconductor substrate

Номер патента: US11920256B2. Автор: Tomohiro INABA,Takehiko Tawara,Hiroo Omi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230387216A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11764270B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for Growing Rare Earth Oxide Crystal

Номер патента: US20220259761A1. Автор: Tomohiro INABA,Takehiko Tawara,Hiroo Omi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Deposition source, deposition apparatus for depositing evaporated material, and methods therefor

Номер патента: EP4237593A1. Автор: Frank Schnappenberger,Wolfgang Buschbeck,Thomas Deppisch,Susanne Wolff. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material

Номер патента: US12107005B2. Автор: YU Xu,Viljami Pore,Zecheng Liu,Mikko Ruoho,Tommi Paavo Tynell. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen

Номер патента: US7825038B2. Автор: ZHENG Yuan,Nitin K. Ingle,Paul Gee,Kedar Sapre. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US12131947B2. Автор: Satoshi Takagi,Keisuke Fujita,Yutaka Motoyama,Akari Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: EP2909356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2015-08-26.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: US10128467B2. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2018-11-13.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: WO2014060356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: SOLMATES B.V.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for depositing layer

Номер патента: US09932660B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for depositing films on sensitive substrates

Номер патента: US09786570B2. Автор: Hu Kang,Jon Henri,Shankar Swaminathan,Adrien Lavoie. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Cyclic deposition method for thin film and manufacturing method for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US09741574B2. Автор: Hai-Won Kim,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for depositing film and film deposition apparatus

Номер патента: US20100078113A1. Автор: Nobutaka Ukigaya,Tomokazu Sushihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: WO2001059174A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus, Inc.. Дата публикации: 2001-08-16.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: EP1255875A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Methods for reducing material overhang in a feature of a substrate

Номер патента: US20150221486A1. Автор: Alan A. Ritchie,Zhenbin Ge,Sally Lou,Jenn Yue Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for depositing a cover layer, euv lithography system and optical element

Номер патента: US20240302756A1. Автор: Stefan Schmidt,Moritz Becker,Dirk Ehm. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for depositing layer

Номер патента: US09951426B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for depositing a rare material in a thin layer on an horological or jewellery external part and external part obtained by this method

Номер патента: US20220267891A1. Автор: Michel Willemin,Simon Springer,Loïc Curchod. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for directional deposition using a gas cluster ion beam

Номер патента: WO2009042484A1. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2009-04-02.

Unidirectional perspective film, single-sided mirror and method for preparing same, and electronic device

Номер патента: US20240230967A9. Автор: YUAN Li,Chao Li,Yuyang Liu,Jihou WANG,Xinhai PENG. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing high-silicon textured electrotechnical thick-sheet steel

Номер патента: RU2760149C1. Автор: Гобао ЛИ,Каньи ШЭНЬ,Хуабин ЧЖАН,Юнзцзе ЯН,Шуанцзе ЧУ,Вэнь СЯО,Баоцзунь ЛЮ,Дань ХАНЬ,Чжинин ХУ. Владелец: Баошань Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-22.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and methods for photo-excitation processes

Номер патента: US20180274099A1. Автор: Stephen Moffatt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for curing low dielectric constant film using direct current bias

Номер патента: WO2004063422A2. Автор: Li-Qun Xia,Maosheng Zhao,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Lihua Li,Tzu-Fang Huang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: US20210079515A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: US20220325403A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same

Номер патента: EP4029146A1. Автор: Robert Kraft,Matthew Wasilik,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Compositions comprising silacycloalkanes and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3990676A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-05-04.

Method for producing machine parts having at least one sliding surface

Номер патента: RU2276199C2. Автор: Лех МОЧУЛЬСКИ. Владелец: Ман Б Энд В Диесель А/С. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: WO2022048908A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: US20230326750A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for coating a component

Номер патента: US11753713B2. Автор: Glen Harold Kirby,Justin Michael Nagy,Jeffery Allen Bross,Guruvenket Srinivasan,Alan David Gerken. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-09-12.

Selectively depositing a metal oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024205914A1. Автор: Kevin McLaughlin,Nupur BIHARI,Yunshan FAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087880A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for depositing tungsten or molybdenum films

Номер патента: US11761081B2. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Robert WRIGHT, JR.,Shawn D. NGUYEN. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

A method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress

Номер патента: WO2007040749A2. Автор: John Gumpher. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2007-04-12.

Device and method for even power supply to silicon rod

Номер патента: RU2499768C2. Автор: Петер ВАЛЬМАЙЕР. Владелец: Аег Пауэр Солюшнс Б.В.. Дата публикации: 2013-11-27.

Silicon compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: EP4325548A2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond Nicholas VIRTIS. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-21.

Silicon compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: EP4325548A3. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond Nicholas VIRTIS. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Deposition of silicon oxide films

Номер патента: US20020155730A1. Автор: Kevin Mukai,Srinivas Nemani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for depositing a coating on a substrate

Номер патента: US20230193454A1. Автор: Simon Springer,Stéphane Lauper,Gregory Kissling,Marion Gstalter,Loïc Curchod,Loïc OBERSON,Ahmad Odeh. Владелец: Omega SA. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for producing a graphene film

Номер патента: US12037248B2. Автор: Xinyuan Liu,Zhen Song,Fuqiang Huang,Tongping XIU,Hui Bi,Yufeng Tang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing a graphene film

Номер патента: US11708271B2. Автор: Xinyuan Liu,Zhen Song,Fuqiang Huang,Tongping XIU,Hui Bi,Yufeng Tang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-07-25.

Methods for depositing a monolayer on a substrate

Номер патента: US09899212B2. Автор: James McGrath,Alexander Shestopalov,Xunzhi Li. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for depositing a layer on a substrate using surface energy modulation

Номер патента: US20110209982A1. Автор: Jick M. Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US12055863B2. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for depositing of coating onto sliding surface of fire-resistant member, fire-resistant member, and electrode for electric discharge treatment of surface

Номер патента: RU2320775C2. Автор: Акихиро ГОТО,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Масао АКИЙОСИ,Хироюки ОТИАЙ,Мики АРАЙ,Микия АРАЙ,Сигеру САБУРИ,Эйдзи НАКАЯМА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for nitriding of oxide compounds in a solid phase

Номер патента: RU2713008C1. Автор: Александр Семенович Тюфтяев,Владимир Михайлович Каневский,Махач Хайрудинович Гаджиев,Андрей Викторович Буташин,Арсен Эмирбегович Муслимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АГНИ-К". Дата публикации: 2020-02-03.

Method for deposition of gradient heat-resistant coatings y-mo-o of plasma of vacuum-arc discharge

Номер патента: RU2728117C1. Автор: Эдуард Леонидович Варданян,Алмаз Юнирович Назаров,Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Алексей Андреевич Маслов,Сергей Тихонович Милейко,Сергей Николаевич Галышев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-07-28.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Receiving vessel for melt silicon or vessel for melting silicon and method for making it

Номер патента: RU2303663C2. Автор: Фредерик КАЙО,Койчи ШИМИЗУ,Казуми ТАНИ,Ёшифуми КОБАЯШИ. Владелец: Везувиус Франс С.А.. Дата публикации: 2007-07-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for coating a workpiece

Номер патента: US20150340224A1. Автор: Markus Kahn,Helmut Schoenherr,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for forming microelectrode-pair arrays on silicon substrate surface with hydrophobic silicon pillars

Номер патента: US20140120271A1. Автор: Lei Jiang,Jie Ma,Bin Su,Yanlin Song,Shutao Wang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for depositing a piezoelectric film containing AIN, and a piezoelectric film containing AIN

Номер патента: US09994950B2. Автор: Hagen Bartzsch,Peter Frach,Daniel Gloss,Stephan Barth. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-06-12.

Device for automatic recovery of lithium target and method for automatic recovery of lithium target

Номер патента: RU2597879C2. Автор: Масару НАКАМУРА,Рио ФУДЗИИ,Йосио ИМАХОРИ,Масахару ХОСИ. Владелец: Кэнсэр Интеллидженс Кэа Системс, Инк.. Дата публикации: 2016-09-20.

Method to produce ultrathin porous silicon-oxide layer

Номер патента: US5830532A. Автор: Yi Wei,Robert M. Wallace,Shaoping Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Method and device for depositing silicon onto substrates

Номер патента: US11901179B2. Автор: John Tolle,Robert Vyne. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and device for depositing silicon onto substrates

Номер патента: US20240079231A1. Автор: John Tolle,Robert Vyne. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Method for preparing ER- or ER/O-doped silicon-based luminescent material emitting communication band at room temperature, the luminescent material and ER- or ER/O-SI lasers

Номер патента: US11367998B2. Автор: Yaping Dan,Huimin Wen,Jiajing He. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of post-deposition treatment for silicon oxide film

Номер патента: US12100588B2. Автор: Toshiya Suzuki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for preparing silicon-carbon composite anode material and use thereof

Номер патента: US20240372083A1. Автор: Changdong LI,Dingshan Ruan,Xingyu Wu,Maohua Feng,Baoye Liu. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing an organic element

Номер патента: US09887357B2. Автор: Jwo-huei Jou,Tsung-Han LI,Saulius Grigalevi{hacek over (c)}ius,Gintare Kru{hacek over (c)}aite. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film

Номер патента: US10636649B2. Автор: Koji Sasaki,Toshiyuki Ikeuchi,Kyungseok KO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Deposition apparatus, method for depositing, method for packaging a die in a chip package

Номер патента: WO2024151163A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Fabien Bernard Jacques Bruning. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for depositing a p-type oxide layer on a substrate

Номер патента: US20220013354A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Cornelis Henrikus Frijters,Aprizal Akbar Sengrian. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for preparing a laminate including a silicone pressure sensitive adhesive adhered to fluorosilicone rubber or silicone foam

Номер патента: WO2023172340A1. Автор: Timothy Mitchell,Binbin LUO. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2023-09-14.

Article And Method For Producing An Article With A Silicone-Type Base Material And Solid Material Particles Introduced Into A Surface Of The Article

Номер патента: US20150075841A1. Автор: Michael Dreiner,Albert Nording. Владелец: LEONI KABEL HOLDING GMBH. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for treating the surface of a silicon-carbide substrate including a removal step in which a modified layer produced by polishing is removed by heating under Si vapor pressure

Номер патента: US09978597B2. Автор: Noboru Ohtani,Tadaaki Kaneko,Kenta Hagiwara. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for detecting crystal defects in a silicon single crystal substrate

Номер патента: US5766976A. Автор: Masaki Majima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: CA2667781C. Автор: Dawn A. Smith,Lynn Cook Winterton,John Dallas Pruitt,Sai Ramamurthy Kumar. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2015-12-01.

Method for the additive manufacturing of a silicone elastomer article

Номер патента: EP3898241A1. Автор: Jean-Marc Frances,Gerald Guichard,Karsten SCHLICHTER. Владелец: ELKEM SILICONES FRANCE SAS. Дата публикации: 2021-10-27.

Method for the additive manufacturing of a silicone elastomer article

Номер патента: US11760890B2. Автор: Jean-Marc Frances,Gerald Guichard,Karsten SCHLICHTER. Владелец: ELKEM SILICONES FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-09-19.

Article and method for producing an article with a silicone-type base material and solid material particles introduced into a surface of the article

Номер патента: US9412501B2. Автор: Michael Dreiner,Albert Nording. Владелец: LEONI KABEL HOLDING GMBH. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: WO2007115027A3. Автор: Yasuo Matsuzawa. Владелец: Yasuo Matsuzawa. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: EP1999197A2. Автор: Yasuo Matsuzawa. Владелец: Novartis Pharma Gmbh. Дата публикации: 2008-12-10.

Aqueous dispersion of a condensation-curable silicone, a method for preparing the same, and a silicone coating

Номер патента: US20220275209A1. Автор: Yoshinori Inokuchi,Hanako Tawata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: SG11201903865TA. Автор: Manchao Xiao,Richard Ho,Daniel Spence. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: WO2018085093A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Richard Ho. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-05-11.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: EP3535436A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Richard Ho. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-09-11.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Color metallic pigment, method for producing same, and coating composition and cosmetic containing same

Номер патента: US09982139B2. Автор: Yoshiki Hashizume,Takayuki Nakao,Taro Morimitsu. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2018-05-29.

Processing method for soi substrate

Номер патента: US20110111600A1. Автор: Jae-Woo Joung,Young-Seuck Yoo,Chung-Mo Yang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD

Номер патента: US09909214B2. Автор: Hidemi Suemori. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Aqueous, alkaline electrolyte for depositing zinc-containing layers onto surfaces of metal piece goods

Номер патента: US20200115814A1. Автор: Anders Skalsky,Patricia Preikschat. Владелец: Provexa Ab. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for producing silicon particles for use as anode material in lithium ion rechargeable batteries, use of a rotating reactor for the method and particles produced by the method and a reactor for operating the method

Номер патента: WO2018052318A1. Автор: Werner O. Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2018-03-22.

Interior material for thin film deposition device and method for manufacturing same

Номер патента: US09963772B2. Автор: Sung Jin Choi,Sung Soo JANG,Hyun Chul Ko,Kyung Ic JANG. Владелец: Komico Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components

Номер патента: US20240076776A1. Автор: Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Tunneling oxide layer, n-type double-sided solar crystalline silicon battery, and preparation methods

Номер патента: EP4254517A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Anti-static silicone release coatings and methods for their preparation and use

Номер патента: EP4396289A1. Автор: Xin Fang,Zhihua Liu,Fuming Huang,Jiayin Zhu. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Anti-static silicone release coatings and methods for their preparation and use

Номер патента: US20240279512A1. Автор: Xin Fang,Zhihua Liu,Fuming Huang,Jiayin Zhu. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Oled translucent diffusion substrate and method for making such substrate

Номер патента: RU2693123C2. Автор: Йоунг Сеонг Ли,Дзин Воо Хан,Еуи Дзин ШИН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-07-01.

Method for hydroskimming vacuum gas oil (variants)

Номер патента: RU2753597C2. Автор: Анна Николаевна Логинова,Вадим Владимирович Фадеев,Сергей Александрович Свидерский,Янина Владиславовна Морозова,Иван Александрович Баканев. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2021-08-18.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Slurry composition and method for polishing copper layer, silicon layer and silicon oxide layer

Номер патента: KR101955391B1. Автор: 김대환,박종대,김택래,김재현. Владелец: 주식회사 동진쎄미켐. Дата публикации: 2019-03-08.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US20170002480A1. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for producing semiconductor wafers composed of silicon having a diameter of at least 450 mm, and semiconductor wafer composed of silicon having a diameter of 450 mm

Номер патента: SG173278A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-29.

Method for hydrogeneration processing of raw materials

Номер патента: RU2680386C1. Автор: Роман Эдуардович Болдушевский,Наталья Яковлевна Виноградова,Алёна Игоревна Гусева,Павел Анатольевич Никульшин,Кирилл Александрович Овчинников,Евгений Русланович Наранов,Людмила Николаевна Алексеенко,Елена Евгеньевна Малкина. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт по переработке нефти" (АО "ВНИИ НП"). Дата публикации: 2019-02-20.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US11939497B2. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

AQUEOUS DISPERSION OF A CONDENSATION-CURABLE SILICONE, A METHOD FOR PREPARING THE SAME, AND A SILICONE COATING

Номер патента: US20220275209A1. Автор: INOKUCHI Yoshinori,Tawata Hanako. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

A METHOD FOR FORMING SILICON CARBIDE ONTO A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20200332438A1. Автор: Derluyn Joff,Püsche Roland,Degroote Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Silicon wafer and method for the thermal treatment of a silicon wafer

Номер патента: DE102005013831B4. Автор: Wilfried von Ammon,Reinhold Wahlich,Timo Dr. Müller,Erich Dr. Daub,Peter Dipl.-Ing. Krottenthaler (FH),Klaus Messmann,Friedrich Dr. Passek,Johannes Studener,Arnold Dr. Kühhorn. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-10-16.

Method for producing thin layers of a silicon, and thin silicon

Номер патента: CN101484312A. Автор: 库尔特·施塔克,韦尔纳·施密特,瓦尔特·冈特. Владелец: 4P Folie Forchheim GmbH. Дата публикации: 2009-07-15.

Method for producing thin layers of a silicone, thin silicone layer and use

Номер патента: DE502005009556D1. Автор: Josef Mueller,Kurt Dr Stark,Walter Guenter,Michael Dr Bauer. Владелец: Huhtamaki Forchheim Zweigniederlassung der Hutamaki Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-06-24.

A method for plating a support for a silicon wafer in the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: GB1022604A. Автор: . Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1966-03-16.

PLANARIZATION METHOD FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING A SILICON-CONTAINING COMPOSITION

Номер патента: US20190051518A1. Автор: Nakajima Makoto,Yaguchi Hiroaki,SHIGAKI Shuhei. Владелец: NISSAN CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-14.

METHOD FOR CLEANING A SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE AND APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF INTEGRATED ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: FR2793264B1. Автор: Jean Pierre Lazzari,Pawlowski Michael Korwin,Claude Sebenne,Gilles Borsoni,Michel Froment. Владелец: X Ion SA. Дата публикации: 2001-06-15.

Method for feeding arsenic dopant into a silicon crystal growing apparatus

Номер патента: US8696811B2. Автор: Steve Garner,Massoud Javidi. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Method for regenerating an element in a silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: DE112016003008T5. Автор: Toshiro Kotooka. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Planarization method for a semiconductor substrate using a silicon-containing composition

Номер патента: US10910220B2. Автор: Shuhei Shigaki,Makoto Nakajima,Hiroaki Yaguchi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

A method for making an article from a silicone pressure sensitive adhesive composition

Номер патента: EP1870443B1. Автор: Frank John Traver,Jeffrey H. Wengrovius,Shaow Burn Lin,Roy Melvin Griswold. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2014-12-10.

A method for cleaning the surface of a silicon substrate

Номер патента: KR20120051046A. Автор: 마리오 모레노,아이 카바로카스 페레 로카. Владелец: 에꼴레 폴리테크닉. Дата публикации: 2012-05-21.

Method for cleaning the surface of a silicon substrate

Номер патента: WO2011023893A1. Автор: Mario Moreno,Pere Roca I Cabarrocas. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: CN101410441B. Автор: 松泽康夫. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2012-06-13.

Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing binary metal oxide layers

Номер патента: TW536740B. Автор: Ravindranath Droopad,Zhiyi Yu,William Ooms. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-06-11.

Method for blister-free passivation of a silicon surface

Номер патента: US20120306058A1. Автор: Bart Vermang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming diffusion regions in a silicon substrate

Номер патента: US20140048133A1. Автор: Steven M. Kraft,Paul LOSCUTOFF,Kahn C. Wu,Steven Edward Molesa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055257A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010024875A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US6413885B2. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010027021A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for verifying the source of a silicon containing material

Номер патента: WO2023172150A1. Автор: Russell David FREW,Samuel James LIND,Joshua WAKEFIELD. Владелец: Oritain Global Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus, systems, and methods for purifying a fluid with a silicon carbide membrane

Номер патента: US20230294048A1. Автор: Brian E. Butters,Anthony L. Powell. Владелец: 1934612 Ontario Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A9. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2001-04-19.

An epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof

Номер патента: WO2000034999A3. Автор: Charles C Yang,Gregory M Wilson,Jon A Rossi. Владелец: Jon A Rossi. Дата публикации: 2000-11-16.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Microwave CVD method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: EP1252822A2. Автор: Masatsugu Izu,Buddie Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for forming silicon-phosphorous materials

Номер патента: US20230243068A1. Автор: Schubert Chu,Mark J. Saly,Errol Antonio C. Sanchez,Abhishek Dube,Srividya Natarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods for etch of SiN films

Номер патента: US09842744B2. Автор: Nitin Ingle,Anchuan Wang,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Composite body comprising silicon carbide and method for producing same

Номер патента: US20240149565A1. Автор: Hideki Takagi,Hitoshi Umezawa,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for producing negative electrode active material for lithium ion secondary batteries

Номер патента: US20190131621A1. Автор: YOSHIHITO Takano,TETSURO Kizaki,MASAKAZU Kondo. Владелец: JNC Petrochemical Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: WO2018234620A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2018-12-27.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US20200105576A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: EP3642867A1. Автор: Pekka Laukkanen,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN,Jaakko M KEL,Juha-Pekka LEHTI. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2020-04-29.

Modified polymer composition and a method for production thereof

Номер патента: RU2737375C2. Автор: Сергей Владимирович Лепендин,Александр Сергеевич Сойкин. Владелец: Александр Сергеевич Сойкин. Дата публикации: 2020-11-27.

Silicon oxide-coated iron powder, method for producing the same, molded body for inductor using the same, and inductor

Номер патента: US12057260B2. Автор: Masahiro Gotoh,Daisuke Kodama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for depositing silicon feedstock material, silicon wafer, solar cell and PV module

Номер патента: US10392725B2. Автор: Frank Asbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-27.

Layered substrate with a miscut angle comprising a silicon single crystal substrate and a group-III nitride single crystal layer

Номер патента: US09728609B2. Автор: Kenji Ito,Masaki Matsui,Kazuyoshi Tomita,Nobuyuki Otake,Tetsuo Narita,Shinichi Hoshi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon Oxide for Anode of Secondary Battery, Method for Preparing the Same and Anode of Secondary Battery Using the Same

Номер патента: US20140349190A1. Автор: Yun-Kyu Kang. Владелец: YEIL ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for forming a semiconductor structure having a strained silicon layer

Номер патента: US20070277728A1. Автор: Mariam G. Sadaka,Bich-Yen Nguyen,Ted R. White,Voon-Yew Thean,Alexander L. Barr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: WO1996032846A1. Автор: Masatsugu Izu,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-10-24.

Method for producing silicon fine particles

Номер патента: US20130189177A1. Автор: Masato Yoshikawa,Shingo Ono,Shigeki Endo,Seiichi Sato,Osamu Shino,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Nucleic acid separating vessel, a method of manufacturing the nucleic acid separating vessel, and a method for separating the nucleic acid

Номер патента: US6326189B1. Автор: Tetsuo Yokoyama,Shinichi Fukuzono,Yoshishige Endo,Yukiko Ikeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-12-04.

Silicon Etching Solution, Method for Treating Substrate, and Method for Manufacturing Silicon Device

Номер патента: US20240170294A1. Автор: Tatsuya Hitomi,Yoshiki Seike,Kohsuke NORO,Kohshiro OKIMURA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for preparing silicon oxide-carbon composite for negative electrode of lithium secondary battery

Номер патента: US09734928B2. Автор: Young Min Lee,Yong Mook Kang,Kyeong Se Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kongju National University. Дата публикации: 2017-08-15.

Silicon oxygen material, negative electrode material, method for preparing the same, and lithium ion battery

Номер патента: US20240021819A1. Автор: Xi Chen,Jianguo Ren,Xueqin He,Chunlei PANG,Tengyu LIANG,Zhiqiang DENG. Владелец: Dingyuan New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Negative-electrode active material, and method for production of negative-electrode active material

Номер патента: US9136525B2. Автор: Hideyuki Yamamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Negative-electrode active material, and method for production of negative-electrode active material

Номер патента: EP2724402A1. Автор: Hideyuki Yamamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

Polishing composition, polishing method, and method for producing semiconductor substrate

Номер патента: US20240327674A1. Автор: Ryota Mae,Akane KUMAYAMA. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US9828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US11923236B2. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2024-03-05.

Light-assisted deposition method for fabricating a compliant substrate for epitaxial growth of monocrystalline materials

Номер патента: US20030022520A1. Автор: Barbara Barenburg,Zhiyi Yu,Alexander Demkov. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for Depositing a Metal Onto A Porous Carbon Layer

Номер патента: US20120325672A1. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-12-27.

Silicon-based molded body and method for continuously preparing silicon oxide by using same

Номер патента: EP4403518A1. Автор: Sunho Choi,Jaewoo Lee,Junghoon Cheon,Jingee PARK. Владелец: Posco Silicon Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US09828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Alternative methods for fabrication of substrates and heterostructures made of silicon compounds and alloys

Номер патента: US20050287770A1. Автор: Mohamed-Ali Hasan. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for electric cladding of an uncoated steel strip with a cladding layer

Номер патента: RU2743357C2. Автор: Жак Хюберт Ольга Йозеф ВЕЙЕНБЕРГ,Адрианус Якобус ВИТТЕБРОД. Владелец: Тата Стил Эймейден Б.В.. Дата публикации: 2021-02-17.

System and method for transistor pathogen detector

Номер патента: US12031987B2. Автор: Adam Khan,Ernest Schirmann,Kiran Kumar KOVI. Владелец: AKHAN SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Cleaning agent for semiconductor substrates and method for processing semiconductor substrate surface

Номер патента: US09803161B2. Автор: Hiromi Kawada,Hironori Mizuta,Tsuneaki Maesawa. Владелец: Wako Pure Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for producing multilayer body, and multilayer body

Номер патента: US20240190105A1. Автор: Chihiro Nakagawa,Takashi Namikawa,Takayuki Matsunaga. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Structure and method for improved adhesion between two polymer films

Номер патента: US20020195197A1. Автор: Frank Egitto,Luis Matienzo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for producing iron-based oxide magnetic particle powder

Номер патента: US20180208479A1. Автор: Kenji Sakane,Tetsuya KAWAHITO. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

method for purifying protein

Номер патента: US20100029905A1. Автор: Takeshi Ikeda,Akio Kuroda. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-02-04.

A method for depositing a metallic material on a surface of at least one solar cell

Номер патента: WO2024197336A1. Автор: Alison Joan Lennon,Jonathan BRUCK,Storm DRURY,Peter BUGGS,Matthew EYLES,Lalith VUDATA. Владелец: Sundrive Solar Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for depositing a bronze alloy on a printed circuit and printed circuit obtained by said method

Номер патента: AU2021402198A9. Автор: Jerome Sanson,Stéphanie COQUILLARD. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for purifying protein

Номер патента: US8283443B2. Автор: Takeshi Ikeda,Akio Kuroda. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-10-09.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Coated phosphor, method for producing same, phosphor sheet, and light-emitting device

Номер патента: EP3719101A1. Автор: Tsuneo Kusunoki,Moriaki Abe,Takehiro Yamasuge,Kazuhiro Yagihashi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-07.

Coated Phosphor Method for Producing Same, Phosphor Sheet, and Light-Emitting Device

Номер патента: US20230056208A1. Автор: Tsuneo Kusunoki,Moriaki Abe,Takehiro Yamasuge,Kazuhiro Yagihashi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Silicon-oxide-coated soft magnetic powder, and method for manufacturing same

Номер патента: US12121965B2. Автор: Keisuke Yamada,Hidefumi Fujita,Tetsuya KAWAHITO,Koji Tanoue. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

METHOD OF MASS-PRODUCING SILICON OXIDE (SiOx) POWDER AND ANODE FOR LITHIUM-ION BATTERIES

Номер патента: US20240317593A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for storing emulsion-adjuvanted vaccine in lubricated medical injection device

Номер патента: RU2684400C2. Автор: Себастьян ЖУФФРЕЙ,Жан-Бернар АМЕЛЬ,Фабьен БОНУР,Никола БРАЛЕ. Владелец: Бектон Дикинсон Франс. Дата публикации: 2019-04-09.

Method for growing silicon whisker crystals

Номер патента: RU2750732C1. Автор: Нада Свайкат. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образования учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-07-01.

Method for producing a low-silica vanadium pentoxide from solution containing vanadium, chrome and silicon

Номер патента: RU2645535C1. Автор: Юй ЧЗАН,Хунбинь Цао,Пэнгэ НИН. Владелец: Инститьют Оф Процесс Инжениринг, Чайниз Академи Оф Сайенсез. Дата публикации: 2018-02-21.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon containing thin film using the same

Номер патента: US20220139704A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20200111664A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Ceramic composition, ceramic sintered body, capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230420187A1. Автор: Chun-Ju Tseng,Li-Wen Chu. Владелец: Walsin Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Ceramic composition, ceramic sintered body, capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12100554B2. Автор: Chun-Ju Tseng,Li-Wen Chu. Владелец: Walsin Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Coating composition, heater of washing machine having the same, and coating method for the heater

Номер патента: US20130251355A1. Автор: Joo Ho Kim,Kyung Kook Kim,Hye Jeong Lee,Kyong II Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Direct bonded environmental barrier coatings for sic/sic composites and methods for preparing the same

Номер патента: US20230312424A1. Автор: Bahram Jadidian,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for producing insulating composite material for silicone rubber socket and method for manufacturing silicone rubber socket including same

Номер патента: US20240161941A1. Автор: Hansang KWON. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2024-05-16.

Negative electrode material for a rechargeable battery and method for producing the same

Номер патента: EP2936586A1. Автор: Jing Wang,Stijn Put,Kris Driesen,Jean-Sébastien BRIDEL,Hailei Zhao. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2015-10-28.

Method for manufacturing silicon clathrate active material, and method for manufacturing lithium ion battery

Номер патента: US20240343590A1. Автор: Mitsutoshi OTAKI,Takayuki Uchiyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for electrochemically depositing metal on a reactive metal film

Номер патента: US09840788B2. Автор: Ismail T. Emesh,Roey Shaviv,Serdar Aksu,Dimitrios Argyris. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for electrochemically depositing metal on a reactive metal film

Номер патента: US09828687B2. Автор: Ismail T. Emesh,Roey Shaviv,Serdar Aksu,Dimitrios Argyris. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Negative electrode material for a rechargeable battery and method for producing the same

Номер патента: US09705128B2. Автор: Jing Wang,Stijn Put,Kris Driesen,Jean-Sébastien BRIDEL,Hailei Zhao. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for production of precursor particles, precursor particle produced by this method, and method for production of active cathode particles

Номер патента: RU2749604C1. Автор: Сяо ЧЖАН,Брайан ЙОНЕМОТО,Хуэйцзе ГО,Цзяньчжао ЛЮ. Владелец: Микроваст Пауэр Системс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-16.

Silicon Compounds and Methods for Depositing Films Using Same

Номер патента: US20190385840A1. Автор: XINJIAN LEI,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for improving the adhesion of silicone elastomers to pre-cured silicone elastomeric substrates, and primer composition for silicone rubber compositions and elastomeric materials

Номер патента: US20240262970A1. Автор: Patrick Beyer,Roman Vanecek. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing additively-manufactured article, and additively-manufactured article

Номер патента: US20230126443A1. Автор: Eisuke KUROSAWA. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Metal-coated flake glass, resin composition including same, and method for producing same

Номер патента: US20120296026A1. Автор: Kazuya Fujimoto,Yoshiki Hashizume,Takayuki Nakao,Shuichi Takenaka. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for producing bismuth silicate bi12sio20 by crystalization method in crubicle

Номер патента: RU2665626C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2018-09-03.

Method for producing catalyst and catalytic product

Номер патента: RU2751774C2. Автор: Юрген БАУЭР. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-07-16.

Catalyst with bimodal porosity, method for preparing same by comulling active phase and use thereof for hydrotreatment of hydrocarbon residuum

Номер патента: RU2687084C2. Автор: Бертран ГИШАР,Малика БУАЛЛЕГ. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2019-05-07.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for adsorption purification of alkyl esters of methacrylic acid

Номер патента: RU2460718C2. Автор: Удо ГРОПП,Роберт ВЕБЕР,Томас ШЭФЕР,Андреас ПЕРЛ,Рудольф ЗИНГ,Томас МЕРТЦ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2012-09-10.

Electroplating composition for depositing a chromium or chromium alloy layer on a substrate

Номер патента: US20240200219A1. Автор: Simon Pape,Anke WALTER,Oleksandra YEVTUSHENKO. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Zeolitic materials with modified surface composition, crystal structure, crystal size, and/or porosity, methods for making the same, and methods for converting oxygenates to olefins via reactions catalyzed by the same

Номер патента: WO2015187644A1. Автор: Jaime G. Moscoso,Deng-Yang Jan,Nick J. SCHOENFELDT,David STICKLEY,Benjamin Daniel YUHAS. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of depositing a metal layer on a component

Номер патента: US11767607B1. Автор: Elzbieta Kryj-Kos,Lakshmi Krishnan,Sriram Krishnamurthy,Justin M. Welch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-09-26.

Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Method for Producing Same, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material for Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Slurry Containing Same

Номер патента: US20140158858A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Uv-curable ink composition based on red-emitting quantum dots, method for depositing ink composition and light emitting device

Номер патента: WO2024177522A1. Автор: Marta SZYMAŃSKA,Monika CZARNECKA,Maciej ZIĘBA,Artur Podhorodecki,Barbara BANASIUK,Mateusz Bański. Владелец: Qna Technology S.A.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of depositing a metal layer on a component

Номер патента: US12091768B2. Автор: Elzbieta Kryj-Kos,Lakshmi Krishnan,Sriram Krishnamurthy,Justin M. Welch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-09-17.

Silicon oxide-coated iron oxide composition for coating comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: US09949898B2. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Low-emissivity coating film, method for manufacturing same, and functional construction material for window and doors including same

Номер патента: US09903154B2. Автор: Hyun-Woo YOU,Youn-Ki Jun,Dae-Hoon Kwon. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: US10238589B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for production of bioactive membrane of osmotic-active filter for water treatment

Номер патента: RU2756552C1. Автор: Татьяна Анатольевна Цыганова,Ольга Викторовна Рахимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ"). Дата публикации: 2021-10-01.

Naphtha reforming catalyst and a method for production thereof

Номер патента: RU2693018C2. Автор: Тао ВАН,Юйхун ЧЖАН,Дацин ЧЖАН,Гаошань ЦЗАН,Цзясинь ВАН. Владелец: Рисерч Инститьют Оф Петролеум Просессинг, Синопек. Дата публикации: 2019-07-01.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for electrodeposition of metal and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2241072C2. Автор: Дэвид БЭЙЛИ,Джон КАТМОР. Владелец: Коппер Рефайнериз Пти Лтд.. Дата публикации: 2004-11-27.

Silicon oxide-based negative electrode active material for secondary battery, method of producing silicon oxide-based negative electrode active material, and negative electrode for secondary battery including silicon oxide-based negative electrode active material

Номер патента: US20240116765A1. Автор: Eun Jun Park,Joon Hyung Moon,Sang Hye Shin,Jung Hyun Yun,Nak Won Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicone-coated mineral wool insulation materials and methods for making and using them

Номер патента: US11746192B2. Автор: John J. BOZEK,Kevin J. Gallagher,Pawan Saxena,Kathleen H. Saylor. Владелец: Certainteed LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and apparatus for a silicon die preparation including auxetic and electrostatic dissipatative features

Номер патента: US20240222182A1. Автор: Mukul Renavikar,Amey Anant APTE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and apparatus for a silicon die preparation including auxetic and electrostatic dissipatative features

Номер патента: EP4394855A2. Автор: Mukul Renavikar,Amey Anant APTE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Method and apparatus for a silicon die preparation including auxetic and electrostatic dissipatative features

Номер патента: EP4394855A3. Автор: Mukul Renavikar,Amey Anant APTE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for forming perovskite layer

Номер патента: US20240334719A1. Автор: Kwan Wook Jung. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same

Номер патента: US09994454B2. Автор: Sang Whan Park,Mi Rae YOUM,Sung Il YOUN,Gyoung Sun CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for producing an elastomeric composite reinforced with silicon dioxide, and products containing an elastomeric composite

Номер патента: RU2685310C1. Автор: Цзиньчэн СЮН,Мартин К. ГРИН,Уилльям Р. УИЛЛЬЯМС,Дмитрий ФОМИЧЕВ,Джеральд Д. АДЛЕР,Дуэйн Г. МАКДОНАЛЬД,Рон ГРОШ. Владелец: Кабот Корпорейшн. Дата публикации: 2019-04-17.

Method for producing aircraft fuel

Номер патента: RU2750728C1. Автор: Роман Эдуардович Болдушевский,Наталья Яковлевна Виноградова,Алёна Игоревна Гусева,Павел Анатольевич Никульшин,Алексей Вячеславович Юсовский,Павел Петрович Минаев,Людмила Алексеевна Гуляева,Ольга Ивановна Шмелькова,Людмила Николаевна Алексеенко,Георгий Владимирович Битиев. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2021-07-01.

METHOD FOR OBTAINING BISMUTH SILICATE Bi2SiO5

Номер патента: RU2654968C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Controlled method for deposition of chrome layer or chrome alloy on at least one substrate

Номер патента: RU2764454C2. Автор: Анке ВАЛЬТЕР,Олександра ЕВТУШЕНКО,Франциска ПАУЛИГ. Владелец: Атотех Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2022-01-17.

Method for deposition of composite coating

Номер патента: RU2761573C1. Автор: Юрий Александрович Стекольников,Юлия Евгеньевна Мамонтова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина". Дата публикации: 2021-12-10.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Method and system for depositing a solid electrolyte on electrode active material

Номер патента: US20200075931A1. Автор: Patrick Schichtel,Dominik Alexander Weber,Enrica Jochler. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2020-03-05.

Hydrophilic silicone particles and method for producing same

Номер патента: EP4071190A1. Автор: Mamoru Hagiwara,Kazuyuki Takewaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Device and method for manufacturing a preform for optical fibres by chemical vapour deposition

Номер патента: EP1412298A1. Автор: Giacomo Stefano Roba,Franco Veronelli,Massimo Nutini,Marco Ruzzier. Владелец: Prysmian Cavi e Sistemi Energia SRL. Дата публикации: 2004-04-28.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing silicon-containing oxide-coated aluminum nitride particle

Номер патента: US20240327646A1. Автор: Naoki Minorikawa,Hiroki Sugimoto,Ikue KOBAYASHI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for determining the surface concentration of carboxyl groups on a lens

Номер патента: US09950483B2. Автор: Frank Chang,Yongxing Qiu,Venkat Shankar,Xinming Qian,Troy Vernon Holland. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and system for the production of silicon oxide deposit

Номер патента: US09790095B2. Автор: Hirofumi Fukuoka,Masanobu Nishimine. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Block copolymer composition and method for its preparation

Номер патента: RU2767539C1. Автор: Наталия Владимировна Аветисова,Кирилл Владимирович Аксенов,Алина Эдуардовна Сетракова. Владелец: Публичное акционерное общество «СИБУР Холдинг». Дата публикации: 2022-03-17.

Composite poorly soluble rhenium electrode for multifunctional purposes and method for its preparation

Номер патента: RU2759381C1. Автор: Владимир Владимирович Жуликов,Михаил Владимирович Герасимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук (ИФХЭ РАН). Дата публикации: 2021-11-12.

Boron doped silicon oxide protective layer and method for making the same

Номер патента: WO2024028173A1. Автор: Eric Michel,Eric Tixhon. Владелец: AGC Glass Europe. Дата публикации: 2024-02-08.

3d network-structured silicon-containing preploymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150252194A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

3d network-structured silicon-containing prepolymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150309212A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Epitaxial silicon wafer and method for producing the epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20170076959A1. Автор: Toshiaki Ono,Jun Fujise. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal

Номер патента: US7157354B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals

Номер патента: US20200399783A1. Автор: Naoki Matsushima,Hideki Sakamoto,Wataru Sugimura,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Surface treatment method for semiconductor substrates and surface treatment agent composition

Номер патента: US20230282474A1. Автор: Yoshiharu Terui,Yuzo Okumura,Soichi Kumon,Saori Shiota,Yuki Fukui. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for producing silicon monoxide

Номер патента: US20240336488A1. Автор: Shuji Tanaka,Hirofumi Fukuoka,Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for heat-treating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20210062366A1. Автор: Tadashi Nakasugi,wei feng Qu,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon carbon composite materials and methods for making same

Номер патента: AU2021366256A9. Автор: Geoffrey Edwards. Владелец: Sicona Battery Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbon composite materials and method for making same

Номер патента: US20240347705A1. Автор: Geoffrey Edwards. Владелец: Sicona Battery Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicone material, silicone tube, implant, pharmaceutical composition, and test method for amount of drug released

Номер патента: AU2023236675A1. Автор: Hong Yu,Rui Shen,Yuanhang SUN,Linling PI,Xinggang YANG. Владелец: Shenyang Xinghua Pharmaceutical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09785049B2. Автор: Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Catalyst and method for hydroisomerisation of normal c5-c8 hydrocarbons using said catalyst

Номер патента: RU2658018C1. Автор: Андрей Борисович Пономарев,Михаил Вячеславович Шостаковский,Вячеслав Евгеньевич Вахмистров,Виталий Николаевич Писаренко,Елена Витальевна Писаренко,Валентина Антоновна Ольшевская,Антонина Павловна Косолапова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова Российской академии наук (ИНЭОС РАН). Дата публикации: 2018-06-19.

Method for producing zeolites of the zsm-12 type with the mtw structure

Номер патента: RU2745824C1. Автор: Антон Львович Максимов,Эдуард Аветисович Караханов,Леонид Андреевич Куликов,Дмитрий Евгеньевич Цаплин,Сергей Владимирович Егазарьянц. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова» (МГУ). Дата публикации: 2021-04-01.

Method for selecting slag composition for extraction of platinum group metals from spent catalyst using iron as a collector

Номер патента: RU2770393C1. Автор: Шэнъэнь ЧЖАН,Юньцзи ДИН. Владелец: Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи Бейджинг. Дата публикации: 2022-04-15.

Method for producing negative electrode active material for lithium ion secondary batteries

Номер патента: US10777809B2. Автор: YOSHIHITO Takano,TETSURO Kizaki,MASAKAZU Kondo. Владелец: JNC Petrochemical Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Nano-structured carbon coated silicon material and manufacturing method for use in lithium ion based secondary batteries

Номер патента: US20240208828A1. Автор: Axel Georg SCHÖNECKER,Pierre-Yves PICHON,Marco Alberto SPREAFICO,Pierre Aymeric Fernand BERNERON,Adrianus Maria GROENLAND,Bernard Jan KRAAIJVELD. Владелец: E Magy BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for continuously generating silicon monoxide gas

Номер патента: US12024437B2. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Method for measuring thickness of silicon epitaxial layer

Номер патента: US20240282646A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Jiaqi Hong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon oxidation method

Номер патента: US20040262682A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-12-30.

Systems and methods for integration of thin film optical materials in silicon photonics

Номер патента: US20240255696A1. Автор: Ping Piu Kuo. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: US20070123008A1. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: EP1908097A2. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: EP1908097A4. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-06-03.

Method for forming via interconnects for 3-d wafer/chip stacking

Номер патента: WO2011063552A1. Автор: Darrell LaRue McReynolds. Владелец: C Sun Mfg, Ltd.. Дата публикации: 2011-06-03.

Method for forming a nickel silicide layer on a silicon substrate

Номер патента: WO2003096407A8. Автор: Soo Jin Chua,Dongzhi Chi,Syamal Kumar Lahiri,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Rinus Tek Po Lee. Дата публикации: 2004-04-01.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Negative electrode material for secondary battery having lithium-doped silicon-silicon oxide composite

Номер патента: US8753774B2. Автор: Nobuo Kawada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-17.

Method for making ink jet printheads

Номер патента: WO2003016831A1. Автор: Gary Raymond Williams,Brian Christopher Hart,Shauna Marie Leis. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2003-02-27.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Systems and methods for direct silicon epitaxy thickness measuring

Номер патента: US20070004056A1. Автор: Lianzhong Yu,Ken Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Cellular structure of silicon carbide device, preparation method for cellular structure of silicon carbide device, and silicon carbide device

Номер патента: EP4191680A1. Автор: Yafei Wang,Chengzhan LI,Haihui Luo,Qijun LIU,Yachao MA. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for fabricating thin film transistors

Номер патента: US20050186719A1. Автор: Kunhong Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-08-25.

Volume change compensated silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon: silicon lithium silicate composite matrix, and cyclical ex-situ manufacturing processes

Номер патента: MY190556A. Автор: Yongbong Han,Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20020039815A1. Автор: Samuel Nawaz,Jeffrey Brighton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for constructing heat resistant electrode structures on silicon substrates

Номер патента: WO1999010108A1. Автор: Leonard Boyer. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 1999-03-04.

Method for manufacturing semiconductor structure and capable of controlling thicknesses of oxide layers

Номер патента: US20210111273A1. Автор: Wein-Town Sun,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods for improving within-wafer uniformity of gate oxide

Номер патента: US20040058497A1. Автор: Chi-Chun Chen,Shih-Chang Chen,Ming-Fang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Method for creating barriers to metal contamination in silicon oxides

Номер патента: US20040121550A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

METHOD FOR THE DIRECT BONDING OF A SILICON OXIDE LAYER

Номер патента: US20140342528A1. Автор: Di Cioccio Lea,Vandroux Laurent,Sabbione Chiara,Nieto Jean-Pierre. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for the direct bonding of a silicon oxide layer

Номер патента: WO2013060726A1. Автор: Laurent Vandroux,Léa Di Cioccio,Chiara Sabbione,Jean-Pierre NIETO. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2013-05-02.

Silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon:silicon lithium silicate composite matrix, and a process for manufacture thereof

Номер патента: MY188547A. Автор: Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: US20240139878A1. Автор: Lukas Hoppe. Владелец: Directedmetal 3d Sl. Дата публикации: 2024-05-02.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: WO2024089171A1. Автор: Lukas KENO HOPPE. Владелец: Directedmetal 3D S.L.. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for making a DRAM capacitor using a rotated photolithography mask

Номер патента: US6133085A. Автор: Kung Linliu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-10-17.

Method for fabricating abrupt source/drain extensions with controllable gate electrode overlap

Номер патента: US20020025639A1. Автор: Peter Smeys,Paul Agnello. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Method for fabricating a ferroelectric device

Номер патента: US20240128308A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Tony SCHENK,Alireza KASHIR,Stefan Ferdinand Mueller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for fabricating a ferroelectric device

Номер патента: WO2024086529A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Tony SCHENK,Alireza KASHIR,Stefan Ferdinand Mueller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Coupling alignment device and method for laser chip and silicon-based optoelectronic chip

Номер патента: US11803019B2. Автор: Chao Peng,Heng ZHAO,Junbo FENG. Владелец: United Microelectronics Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using uv curing in ammonia

Номер патента: US20140020259A1. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Preparation method for solar cell and silicon film

Номер патента: EP4318609A1. Автор: Xiaolu Sun,Junbing Zhang,Wenshuai TANG. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Preparation method for solar cell and silicon film

Номер патента: US20240145616A1. Автор: Xiaolu Sun,Junbing Zhang,Wenshuai TANG. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for p-type doping of silicon carbide by al/be co-implantation

Номер патента: EP3602609A1. Автор: Giovanni ALFIERI,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-05.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia

Номер патента: TW201120239A. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of straining a silicon island for mobility improvement

Номер патента: EP1999785A1. Автор: Paul S. Fechner,Eric E. Vogt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-12-10.

Gate structure and method for fabricating the same, and method for fabricating memory and CMOS transistor layout

Номер патента: US7538018B2. Автор: Jung-Wu Chien. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-26.

Gate structure and method for fabricating the same, and method for fabricating memory and cmos transistor layout

Номер патента: US20080138970A1. Автор: Jung-Wu Chien. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device including capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145531A1. Автор: Do Hee KIM,Sei Yon KIM,Min Chul SUNG,Jung Wook WOO,Yeon Gyu LEE,Ja Yong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for monitoring a thickness of a silicon wafer with a highly doped layer at least at a backside of the silicon wafer and apparatus for thinning a silicon wafer

Номер патента: TWI475625B. Автор: Christoph Dietz,Martin Schoenleber. Владелец: PRECITEC OPTRONIK GMBH. Дата публикации: 2015-03-01.

Method for fabricating a mask read-only memory

Номер патента: US6562548B2. Автор: Liu Cheng-Jye,Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-13.

Method for fabricating a mask read-only memory

Номер патента: US20020155388A1. Автор: Liu Cheng-Jye,Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

A manufacturing apparatus and method for silicon insulating film and a silicon nano-dot nonvolatile memory manufacturing method using it

Номер патента: KR100730990B1. Автор: 박경완. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-06-22.

Method for shallow trench isolation fabrication and partial oxide layer removal

Номер патента: US6794270B2. Автор: Yi-Nan Chen,Chang Rong Wu,Pei-Ing Lee,Tzu En Ho,Hsien Wen Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

METHOD FOR TEXTURING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE AND SILICON TEXTURE SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL

Номер патента: FR2949276A1. Автор: Mario Moreno,I Cabarrocas Pere Roca,Dimitri Daineka. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2011-02-25.

Method for texturing the surface of a silicon substrate, and textured silicon substrate for a solar cell

Номер патента: EP2471103B1. Автор: Mario Moreno,Pere Roca I Cabarrocas,Dimitri Daineka. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 2019-01-02.

Apparatus for thinning a silicon wafer and method for monitoring a thickness of a silicon wafer

Номер патента: GB2478657B. Автор: Christoph Dietz,Martin SCHÖNLEBER. Владелец: PRECITEC OPTRONIK GMBH. Дата публикации: 2014-10-29.

Method for manufacturing a soft magnetic powder material

Номер патента: US7270718B2. Автор: Yurio Nomura,Kouichi Yamaguchi,Yoshiaki Nishijima,Hidekazu Hayama,Yuuichi Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-09-18.

Device and method for spinning and depositing a tow

Номер патента: AU2003233334A1. Автор: Olaf Schwarz,Bernhard Schoennagel. Владелец: Neumag GmbH and Co KG. Дата публикации: 2003-12-02.

Selective emitter structure realization method for photovoltaic cell, involves applying laser irradiation to phosphorus oxide layer formed above doped semiconductor layer at dose higher than or equal to specific Joule per square cm

Номер патента: FR2971627A1. Автор: Samuel Gall,Bertrand Paviet-Salomon,Sylvain Manuel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-08-17.

METHOD FOR TREATING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20130309449A1. Автор: Le Tiec Yannick,Grenouillet Laurent,Vinet Maud,WACQUEZ Romain. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD FOR FORMING DIFFUSION REGIONS IN A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20140048133A1. Автор: Loscutoff Paul,Molesa Steven Edward,Kraft Steven M.,Wu Kahn C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

Article And Method For Producing An Article With A Silicone-Type Base Material And Solid Material Particles Introduced Into A Surface Of The Article

Номер патента: US20150075841A1. Автор: DREINER MICHAEL,NORDING ALBERT. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD FOR APPLYING A COATING ONTO A SILICONE HYDROGEL LENS

Номер патента: US20140174031A1. Автор: Qiu Yongxing,Medina Arturo Norberto,Pruitt John Dallas. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2014-06-26.

APPARATUS, SYSTEMS, AND METHODS FOR PURIFYING A FLUID WITH A SILICON CARBIDE MEMBRANE

Номер патента: US20170144109A1. Автор: Powell Anthony L.,Butters Brian E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Apparatus and Method for Monitoring a Thickness of a Silicon Wafer with a Highly Doped Layer

Номер патента: US20140315333A1. Автор: Schoenleber Martin,Dietz Christoph. Владелец: PRECITEC OPTRONIK GMBH. Дата публикации: 2014-10-23.

METHOD FOR PRODUCING CMOS TRANSISTORS ON A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: DE3324332A1. Автор: James A. 95050 Santa Clara Calif. Matthews. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1984-01-12.

Structure and method for reducing forward voltage across a silicon carbide-group III nitride interface

Номер патента: US7646024B2. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-01-12.

Method for manufacturing a wafer comprising a silicon single crystal substrate having a front surface and a back surface and a layer of SiGe deposited on said front surface

Номер патента: JP5159824B2. Автор: ブッシュハルトトーマス,シュトルクペーター. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-03-13.

METHOD FOR TEXTURING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE, STRUCTURED SUBSTRATE, AND PHOTOVOLTAIC DEVICE COMPRISING SUCH A STRUCTURED SUBSTRATE

Номер патента: FR2984769B1. Автор: I Cabarrocas Pere Roca,Nada Habka,Pavel Bulkin. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 2014-03-07.

METHOD FOR MAKING A CONTACT ON A SILICON VARBIDE

Номер патента: FR2814856B1. Автор: Olivier Noblanc,Emmanuel Collard,Dominique Defives. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-07-11.

METHOD FOR TEXTURING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE, STRUCTURED SUBSTRATE, AND PHOTOVOLTAIC DEVICE COMPRISING SUCH A STRUCTURED SUBSTRATE

Номер патента: FR2984769A1. Автор: I Cabarrocas Pere Roca,Nada Habka,Pavel Bulkin. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 2013-06-28.

METHOD FOR MODIFYING THE DOPING OF A SILICON LAYER

Номер патента: FR2739491B1. Автор: Alexander Kalnitsky,Arnaud Lepert. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for obtaining a transistor with a silicon-germanium gate

Номер патента: JP4601734B2. Автор: サーニュイザベル. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2010-12-22.

Method for frosting some parts of a silicon timepiece component

Номер патента: EP3764169A1. Автор: Remy Fournier. Владелец: PATEK PHILIPPE SA GENEVE. Дата публикации: 2021-01-13.

Methods for etching the edge of a silicon wafer

Номер патента: TW201003758A. Автор: Judith Schmidt,Peter Albrecht,Henry F Erk,Gene Hollander,Thomas E Doane,Roland R Vandamme,Guoqiang David Zhang. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2010-01-16.

Flattening method for forming through conductors in a silicon wafer

Номер патента: JPH0775235B2. Автор: エフパッシュ，ニコラス. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1995-08-09.

Apparatus, Systems, and Methods for Purifying a Fluid with a Silicon Carbide Membrane

Номер патента: US20210146314A1. Автор: Brian E. Butters,Anthony L. Powell. Владелец: 1934612 Ontario Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

METHOD FOR MODIFYING THE DOPING OF A SILICON LAYER

Номер патента: FR2739491A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Arnaud Lepert. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-04-04.

Method for making a novel graded silicon nitride/silicon oxide (SNO) hard mask for improved deep sub-micrometer semiconductor processing

Номер патента: US6429538B1. Автор: Shih-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS WITH A SILICON NITRIDE COATING

Номер патента: DE3890569T1. Автор: Ronald C Gonsiorawski,George Czernienko. Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1989-07-06.

Apparatus, systems, and methods for purifying a fluid with a silicon carbide membrane

Номер патента: CA3005698A1. Автор: Brian E. Butters,Anthony L. Powell. Владелец: 1934612 Ontario Inc. Дата публикации: 2017-05-26.

Apparatus, systems, and methods for purifying a fluid with a silicon carbide membrane

Номер патента: US10940443B2. Автор: Brian E. Butters,Anthony L. Powell. Владелец: 1934612 Ontario Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: EP2931504A1. Автор: Arturo Norberto Medina,Yongxing Qiu,John Dallas Pruitt. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2015-10-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20140020259A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Varadarajan Bhadri N.. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an euv mirror, euv mirror, and euv lithography apparatus

Номер патента: US20140211178A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for producing a cap layer made of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror and EUV lithographic apparatus

Номер патента: JP5860539B2. Автор: ハインリッヒエームディルク,ハインリッヒエームディルク,フォンブランケンハーゲンジゼラ,フォンブランケンハーゲンジゼラ. Владелец: カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for producing a semiconductor device with differently thick gate oxide layers

Номер патента: DE19857095B4. Автор: Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for manufacturing a semiconductor device using a nitrogen containing oxide layer

Номер патента: US20070196970A1. Автор: Hiroaki Niimi,Reima Laaksonen,Jarvis Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for producing contact holes with sloping walls in intermediate oxide layers

Номер патента: EP0282820A1. Автор: Virinder Dr.-Ing. Grewal,Peter Dipl.-Ing. Mokrisch,Hans-Peter Dr.Rer.Nat. Erb. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-09-21.

Method for decontaminating component of nuclear facility or surface including oxide layer of system

Номер патента: JP2011169910A. Автор: Horst-Otto Bertholdt,Franz Strohmer,ベルトルト、ホルスト−オツトー,Terezinha Claudete Maciel,クラウデテマチエル、テレジンハ,シュトロ−マー、フランツ. Владелец: AREVA NP GMBH. Дата публикации: 2011-09-01.

Mechanically stable diffusion barrier stack and method for fabricating the same

Номер патента: US20100013099A1. Автор: Mason Thomas,Haluk Sankur. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2010-01-21.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: US20240139877A1. Автор: Lukas Hoppe. Владелец: Directedmetal 3d Sl. Дата публикации: 2024-05-02.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: WO2024089173A1. Автор: Lukas KENO HOPPE. Владелец: Directedmetal 3D S.L.. Дата публикации: 2024-05-02.

Lifting mechanism for a shuttle of a channel store and method for lifting and depositing a loading bridge of the shuttle

Номер патента: DE102008022322A1. Автор: . Владелец: Ssi Schafer AG. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for removing and depositing a package consisting of flat products

Номер патента: DE10347167B4. Автор: Uwe Kietzmann. Владелец: Wilhelm Bahmueller Maschinenbau Praezisionswerkzeuge GmbH. Дата публикации: 2006-07-27.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming ONO top oxide in NROM structure

Номер патента: US20040228969A1. Автор: Ching Wang,Hsian Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Preparation method for solar cell and solar cell

Номер патента: AU2022454233A1. Автор: Jianbin Fan,Guoqiang Xing,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

TOPCon cell, method for manufacturing the same, and electrical device

Номер патента: AU2022331906B2. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Yu He,Fan Zhou,Guoqiang Xing,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for producing at least one first and one second micromirror device

Номер патента: US20230066345A1. Автор: Heiko Stahl,Rainer Straub. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for improving local interconnects of multi-level interconnects process

Номер патента: US20020072224A1. Автор: Jui-Tsen Huang,Michael Wc Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for fabricating a 3-d integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

Номер патента: WO2009003091A1. Автор: Michael W. Konevecki,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for Simultaneously Forming Features of Different Depths in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20130295773A1. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for simultaneously forming features of different depths in a semiconductor substrate

Номер патента: US8901005B2. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Method for manufacturing a MOS transistor having multi-layered gate oxide

Номер патента: US6284580B1. Автор: Shinobu Takehiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-04.

Method for Forming SiGe Channel

Номер патента: US20240072168A1. Автор: Xinhua Cheng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Method for reducing silicide spiking in a gate

Номер патента: US20020168591A1. Автор: Chiu-Te Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Photoelectric conversion device, image pickup system, and method for manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US09871072B2. Автор: Nobutaka Ukigaya,Akihiro Kawano,Takeshi Aoki,Yukinobu Suzuki,Hiroshi Takakusagi,Takayasu Kanesada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for manufacturing a microphone

Номер патента: US09998843B2. Автор: Jung-Huei Peng,Yao-Te Huang,Chia-Hua Chu,Li-Min Hung,Chun-Wen Cheng,Chin-Yi Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma treatment to improve adhesion between hardmask film and silicon oxide film

Номер патента: US09865459B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: US20240170325A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for fabricating a patterned fd-soi wafer

Номер патента: WO2024107824A1. Автор: Bomy Chen,Steve Nagel. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Encapsulated nanostructures and method for fabricating

Номер патента: US20180248007A1. Автор: Christopher Hatem,Kevin S. JONES,William M. Brewer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20180082907A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for manufacturing a Si-based high-mobility CMOS device with stacked channel layers, and resulting devices

Номер патента: US09947591B2. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing an advanced substrate for hybrid integration

Номер патента: US12074056B2. Автор: Walter Schwarzenbach. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-27.

Through-silicon-via structure and method for preparing same, through-silicon-via interconnection structure and method for preparing same, and electronic device

Номер патента: US20230197572A1. Автор: Xiaowei Li,Weiwen Zheng,Dengfeng Li,Wenlong Zhang,Kanglin Xiong,Kunliang BU,Jiagui FENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

NMOS and PMOS transistor gates with hafnium oxide layers and lanthanum oxide layers

Номер патента: US12107015B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Chieh Wang,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

NMOS and PMOS Transistor Gates with Hafnium Oxide Layers and Lanthanum Oxide Layers

Номер патента: US20240363442A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Chieh Wang,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Method of Forming a Nitrogen-Enriched Region within Silicon-Oxide-Containing Masses

Номер патента: US20090215253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John T. Moore,Neal R. Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232503A1. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for Forming Oxide on Ono Structure

Номер патента: US20070117353A1. Автор: Chong-Jen Huang,Chih Hao Wang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou,Chong-Mu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001093312A3. Автор: Amit S Kelkar. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: MY134254A. Автор: S Kelkar Amit. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: CA2409156A1. Автор: Amit S. Kelkar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: EP1290722A2. Автор: Amit S. Kelkar. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2003-03-12.

Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001093312A2. Автор: Amit S. Kelkar. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2001-12-06.

Substrate for diaphragm-type resonant mems devices, diaphragm-type resonant mems device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160107880A1. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6825128B2. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Method for achieving good adhesion between dielectric and organic material

Номер патента: US09908774B2. Автор: Mickael Renault. Владелец: Cavendish Kinetics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Photovoltaic cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: EP4421880A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Methods for depositing dielectric films with increased stability

Номер патента: US20240332005A1. Автор: Prayudi LIANTO,Li-Qun Xia,Bo Xie,Wenhui Li,Shanshan Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for depositing dielectric films with increased stability

Номер патента: WO2024205991A1. Автор: Prayudi LIANTO,Li-Qun Xia,Bo Xie,Wenhui Li,Shanshan Yao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Photovoltaic cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: US20240282882A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for making solar cell and solar cell

Номер патента: US20240258441A1. Автор: Wu Zhang,Wei Fan,Jiaji Lin. Владелец: Laplace Renewable Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for local thinning of top silicon layer of SOI wafer

Номер патента: US9601389B1. Автор: Zhangli LIU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and a method for manufacturing thereof

Номер патента: US6130130A. Автор: Noriyuki Shimoji,Masataka Tsuruta,Takuya Yonezawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-10.

Semiconductor device and a method for manufacturing thereof

Номер патента: US5886377A. Автор: Noriyuki Shimoji,Masataka Tsuruta,Takuya Yonezawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-03-23.

Methods for depositing gap-filling fluids and related systems and devices

Номер патента: US20240339359A1. Автор: YongMin Yoo,Timothee Blanquart,Dieter Pierreux,Steven Van Aerde,Andrey Sokolov,Maarten Stokhof,René Henricus Jozef Vervuurt,Jihee Jeon,Hussein Mehdi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-10.

Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp ii process

Номер патента: WO2009029441A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Timothy W. Weidman,Abhijit Basu Mallick. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for storing silicon substrate having silicon oxide film formed thereon

Номер патента: US20060207688A1. Автор: Toshiyuki Fujimoto,Shingo Ichimura,Akira Kurokawa,Hidehiko Nonaka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-09-21.

Selective removal of a silicon oxide layer

Номер патента: US20100041189A1. Автор: Markus Müller,Pascal Besson,Alexandre Mondot. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of continuous hills and method of fabricating the same

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of fabricating a nitrogenated silicon oxide layer and mos device having same

Номер патента: SG151229A1. Автор: YANG Bin,Lee Jae Gon,Zhou Meisheng,Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Ben Ong,Lydia Wong,Alex See Kh,Zhang Zhengquan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for Forming Mixed Substrate

Номер патента: US20240186140A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Transparent conductive film having improved visibility and method for manufacturing same

Номер патента: US20150279501A1. Автор: Kyung-Taek Kim,Min-Hee Lee,In-sook Kim,Jung Cho,Keun Jung. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Methods for fabricating artificial neural networks (ANN) based on doped semiconductor resistive random access memory (RRAM) elements

Номер патента: US11024803B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Methods for Fabricating Artificial Neural Networks (ANN) Based on Doped Semiconductor Elements

Номер патента: US20180294410A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023248146A1. Автор: Ding Yu,HAO WANG,Xu Liu,Wenqi Li,Jiahao Wu. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module

Номер патента: EP4411840A1. Автор: Ding Yu,HAO WANG,Xu Liu,Wenqi Li,Jiahao Wu. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device, method for producing same, and electronic device

Номер патента: EP4425535A1. Автор: Keisuke Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Uniform sidewall profile etch method for forming low contact leakage schottky diode contact

Номер патента: US6096629A. Автор: Yen-Shih Ho,Jun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for forming twin-tub wells in substrate

Номер патента: US5773335A. Автор: Fang-Ching Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Structure and method for fabricating and facilitating dataflow processor

Номер патента: US20030034488A1. Автор: Mihir Pandya,Peter Wilson,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for fabricating schottky barrier tunnel transistor

Номер патента: US20080132049A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Byoung-Chul Park,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of forming a silicon oxide layer using pulsed nitrogen plasma implantation

Номер патента: US20020127882A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for fabricating Schottky barrier tunnel transistor

Номер патента: US7745316B2. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Byoung-Chul Park,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-29.

Methods for fabricating a laser cavity

Номер патента: US20030030062A1. Автор: Joyce Yamamoto,Paige Holm,Barbara Barenburg,Fred Richard. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Color film substrate, touch display and method for manufacturing the color film substrate

Номер патента: US09887292B2. Автор: Fengjuan LIU,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Method for doping polysilicon and method for fabricating a dual poly gate using the same

Номер патента: US20090061602A1. Автор: Jin-Ku Lee,Jae-Geun Oh,Sun-Hwan Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Plasma treatment process to densify oxide layers

Номер патента: US12094709B2. Автор: Jingmei Liang,Jun Lee,Praket Prakash JHA,Timothy Miller,Mun Kyu Park,Kyu-Ha Shim,Jung Chan LEE,Sanjay G. KAMATH,Sungho Jo,Deven Matthew Raj MITTAL,Euhngi Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10043702B2. Автор: Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Anti-oxidation layer formation by carbon incorporation

Номер патента: US5756391A. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having instruction decoders and dispatchers formed of monocrystaline compound semiconductor material

Номер патента: US20030034503A1. Автор: Timothy Johnson,David Gurney,Raymond Essick,Dale Bengtson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Vertical type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119327A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing a sige channel field effect transistor

Номер патента: US20240194485A1. Автор: Sebastien Kerdiles,Shay REBOH,Claire Fenouillet-Beranger,Pablo Acosta Alba,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for conditioning silicon part

Номер патента: US09947558B2. Автор: LIN Xu,Hong Shih,John Daugherty,Satish Srinivasan,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for depositing insulating film on recessed portion having high aspect ratio

Номер патента: US09818604B2. Автор: Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim,Choon-Sik JEONG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Dual-tank etch method for oxide thickness control

Номер патента: US7405165B2. Автор: Yang Kai Fan,Yong Rong Chang,Yi Song Chiu,Ping Yin Shin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Methods for fabricating reticle blanks for use in making charged-particle-beam microlithography reticles, and reticle blanks and reticles formed using such methods

Номер патента: US6428937B1. Автор: Norihiro Katakura. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: US20240204116A1. Автор: BIN Li,Ning Zhang,Ruifeng Li,Yankai QIU,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacture method for semiconductor device having field oxide film

Номер патента: US20060189106A1. Автор: Syuusei Takami,Hiroaki Fukami. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Low Temperature Poly-Silicon Thin Film, Method for Making The Thin Film, and Transistor Made from The Thin Film

Номер патента: US20150194310A1. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for making a silicon separation microcolumn for chromatography or gas chromatography

Номер патента: EP2764357A1. Автор: Stefano Galli,Stefano ZAMPOLLI,Ivan ELMI,Antonella POGGI,Fulvio MANCARELLA,Mario Galli,Giancarlo CARDINALI,Maddalena BELLUCE,Filippo BARAVELLI. Владелец: Cardinali Giancarlo. Дата публикации: 2014-08-13.

Manufacture Method for Semiconductor Device Having Field Oxide Film

Номер патента: US20080003776A1. Автор: Syuusei Takami,Hiroaki Fukami. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Low temperature poly-silicon thin film, method for making the thin film, and transistor made from the thin film

Номер патента: US9209025B2. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US12057507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: US11955571B2. Автор: BIN Li,Ning Zhang,Ruifeng Li,Yankai QIU,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: US20230317863A1. Автор: BIN Li,Ning Zhang,Ruifeng Li,Yankai QIU,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200152652A1. Автор: Tomohiro Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Method for producing a metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20020094699A1. Автор: Yeong-Her Wang,Mau-Phon Houng,Zhen-Song Ya. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for making a high density ROM or EPROM integrated circuit

Номер патента: US5318921A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-06-07.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11848211B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120129287A1. Автор: Keiji Sato,Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Kengo Akimoto,Naoya Sakamoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Soi substrate, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200058737A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Yi Yu,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Simox substrate and method for production thereof

Номер патента: EP1264339A1. Автор: Keisuke c/o NIPPON STEEL CORPORATION KAWAMURA,Atsuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MATSUMURA,Toshiyuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MIZUTANI. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9087825B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20140035140A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181684A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Fabrication method for a multi-layered thin film protective layer

Номер патента: US20050054129A1. Автор: Kao-Su Huang,Wei-Shiau Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Fabrication method for a multi-layered thin film protective layer

Номер патента: US20020076863A1. Автор: Kao-Su Huang,Wei-Shiau Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US09755089B2. Автор: Sangwook Park,Junyong Ahn,Juhwa Cheong,Manhyo Ha. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-05.

SOI substrate and method for producing the same, solid-state image pickup device and method for producing the same, and image pickup apparatus

Номер патента: US8101999B2. Автор: Ritsuo Takizawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Method of fabricating a silicon-on-insulator structure

Номер патента: EP1846321B1. Автор: Philippe Renaud,Isabelle Bertrand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-22.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Battery negative electrode material, method for manufacturing same, negative electrode for secondary battery, and secondary battery

Номер патента: US20190221835A1. Автор: Daisuke Katou,Ryohei Miyamae,Makoto IMAJI,Shota Kobayashi,Yukitaro SAKAKIBARA,Kenichi Hotehama. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Solar cell and method for producing same

Номер патента: EP4365967A3. Автор: Ding Yu,Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Xiaowen Zhang,Wenqi Li,Shijie Zhao,Jialei CHAI. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for fabricating a MOS transistor

Номер патента: US6423587B1. Автор: Yong-Hong Chen. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-23.

A method of forming a silicon oxynitride layer

Номер патента: EP1700330A2. Автор: Christopher Olsen,Thai Cheng Chua,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming photoresist pattern and method for forming pattern on a substrate

Номер патента: US20230386841A1. Автор: Seungkyo Lee,Woojin Jung,Soonmok Ha,Gyeyoung KIM,Junsik Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for controlling defects for extreme ultraviolet lithography (euvl) photomask substrate

Номер патента: WO2014028192A1. Автор: AJAY Kumar,Banqiu Wu,Omkaram Nalamasu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-02-20.

Housing for electronic devices and method for making housing

Номер патента: US20130257237A1. Автор: Xu Liu,Da-Hua Cao. Владелец: Fih Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10347640B1. Автор: Keng-Jen Lin,Ya-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Chip bonding alignment structure, chip bonding structure and methods for fabricating the same

Номер патента: US20220208727A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Methods for controlling defects for extreme ultraviolet lithography (euvl) photomask substrate

Номер патента: US20140045103A1. Автор: AJAY Kumar,Banqiu Wu,Omkaram Nalamasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Inverter empolying thin-film trasistor fabricated by adjusting silicon content and method for manufacturing same

Номер патента: US20210376161A1. Автор: Sang Yeol LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Cheongju University. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Negative electrode, lithium ion secondary battery, and manufacturing method for lithium ion secondary battery

Номер патента: EP4379833A1. Автор: Reiko Sakai,Takakazu Hirose,Ayumu Kiyomori,Shotaro Aoki,Shuhei KANESATO. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Optical element and method for producing the same

Номер патента: US20170212278A1. Автор: Susumu Abe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Image sensor and method for manufacturing deep trench and through-silicon via of the image sensor

Номер патента: US20210036048A1. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating a self-limiting silicon based interconnect for testing bare semiconductor dice

Номер патента: AU4232396A. Автор: Salman Akram,Warren M Farnworth,Alan G Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-31.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09972524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide substrate and method for producing silicon carbide substrate

Номер патента: US09882010B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus and method for a diamond substrate for a multi-layered dielectric diffraction grating

Номер патента: US09835778B1. Автор: Eric C. Honea,Andrew Xing. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride read-only memory cell for improving second-bit effect and method for making thereof

Номер патента: US6649971B1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Wen-Jer Tsai,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Probe guide plate having a silicon oxide layer formed on surfaces and on an inner wall of a through hole thereof, and a protective insulating layer formed on the silicon oxide layer, and probe apparatus including the probe guide plate

Номер патента: US10261110B2. Автор: Yuichiro Shimizu,Chikaomi Mori,Tomoo Yamasaki,Kosuke FUJIHARA. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for fabricating merging semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190013324A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chun-Yao Wang,Ming-Hua Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240087897A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Submount for light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US20130126923A1. Автор: Cheng-I Chien,Le-Sheng Yeh. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2023270247A1. Автор: Lin Kairui. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Submount for light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US8664022B2. Автор: Cheng-I Chien,Le-Sheng Yeh. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2014-03-04.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A3. Автор: George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for manufacturing a photonic chip

Номер патента: US20230393338A1. Автор: Karim Hassan,Bertrand Szelag. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-12-07.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A2. Автор: George Valliath. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing contact holes

Номер патента: US5728609A. Автор: Martin Kerber. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-03-17.

Method for forming insulating film and for manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20030008523A1. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Takahashi,Hiroaki Uchida,Toshio Nagata,Hirotaka Mori,Katsuji Yoshida,Hidetsugu Uchida,Yoshirou Tsurugida,Akihiko Ohara,Takashi Ohsako. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for etching features in a stack

Номер патента: WO2024178234A1. Автор: Eric Hudson,Leonid Belau. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-08-29.

Multilevel integrated circuits employing fused oxide layers

Номер патента: US4829018A. Автор: Sven E. Wahlstrom. Владелец: Wahlstrom Sven E. Дата публикации: 1989-05-09.

System and method for forming radiation hardened circuitry

Номер патента: US20230275585A1. Автор: Clayton Fullwood,Timothy Hossain. Владелец: Cerium Laboratories LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4376099A3. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for depositing materials on a substrate

Номер патента: WO2005048329A1. Автор: Noriaki Fukiage,Katherina Babich. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12051615B2. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: WO2020112311A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-06-04.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP4216683A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-07-26.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP3888428A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-10-06.

Method for oxidizing a silicon carbide based on microwave plasma at an ac voltage

Номер патента: US20200152451A1. Автор: HONG Chen,Yun Bai,Xinyu Liu,Xiaoli Tian,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengkai WANG,Zhonglin Han. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-14.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Anti-hacking printed circuit board having high-molecular material deposited thereon and deposition method for the same

Номер патента: US20050283794A1. Автор: Eun-lai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming of a silicon oxide layer on a topography

Номер патента: US5780103A. Автор: Michael Rogalli,Oswald Spindler,Dirk Toebben,Doerthe Groteloh. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-07-14.

Method of forming buried oxide layers in silicon

Номер патента: US6090689A. Автор: Devendra Kumar Sadana,Orin Wayne Holland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Method for fabricating a silicon force transducer

Номер патента: CA1288172C. Автор: Edward N. Sickafus,Mati Mikkor. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1991-08-27.

Pixel electrode, method for forming the same, electrooptical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20060268210A1. Автор: Atsushi Denda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for producing a solar cell

Номер патента: US20150064835A1. Автор: Henning Nagel,Jens Dirk MOSCHNER,Agata Lachowicz,Markus Fiedler. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-03-05.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: WO2002027777A3. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: EP1320877A2. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: WO2002027777A2. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-04.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4376099A2. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Pixel electrode, method for forming the same, electrooptical device, and electronic apparatus

Номер патента: US7847903B2. Автор: Atsushi Denda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050255709A1. Автор: Jae-Suk Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Method for forming a released microstructure suitable for a microelectromechanical device

Номер патента: WO2003104141A8. Автор: Zhihong Li,Eng Hock Francis Tay,Bee Lee Chua,Xiaosong Tang,Norman C Tien. Владелец: Norman C Tien. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for producing a semiconductor device with surrounding gate transistor

Номер патента: US20150140755A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Apparatus for evaluating amount of charge, method for fabricating the same, and method for evaluating amount of charge

Номер патента: US20050263833A1. Автор: Michikazu Matsumoto,Naohisa Sengoku. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Method for manufacturing imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09887220B2. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Method for making high-voltage thick gate oxide

Номер патента: US11967520B2. Автор: Junwen LIU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Optical Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20220328704A1. Автор: Tai Tsuchizawa,Tatsuro Hiraki,Takuma AIHARA. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Optical module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11996489B2. Автор: Tai Tsuchizawa,Tatsuro Hiraki,Takuma AIHARA. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Thin-film photoelectric conversion device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150221802A1. Автор: Kenji Yamamoto,Tomomi Meguro. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Low cost approach for depositing solder and adhesives in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: US20200171609A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: EP4429417A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-11.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: WO2024186206A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for depositing horizontal rib on unequal-height section by laser cladding

Номер патента: US11759891B2. Автор: Gang Li,Hao Su,Dongsheng Li,Tuo SHI,Weiwei JIANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for patterning a microstructure

Номер патента: US09904386B2. Автор: Muthu Sebastian,Michael W. Dolezal. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a device in a silicon wafer

Номер патента: CA1149968A. Автор: Herbert A. Waggener,Richard H. Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1983-07-12.

Method of forming multiple gate oxide layers with different thicknesses in one ion implantation process

Номер патента: US20020127806A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

A method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: EP3836198A1. Автор: Christopher Wilson,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim,Martin O´TOOLE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-16.

SOI substrate with selective oxide layer thickness control

Номер патента: US20070087514A1. Автор: Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for mems structure with dual-level structural layer and acoustic port

Номер патента: US20160083247A1. Автор: Martin Lim,Mei-Lin Chan,Michael Julian Daneman,Erhan Polatkan Ata,Fariboz Assaderaghi. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Interdigitated back contact solar cell and method for producing an interdigitated back contact solar cell

Номер патента: WO2023110534A1. Автор: Florian Buchholz,Jan Hoß,Jonathan Linke. Владелец: International Solar Energy Research Center Konstanz E.V.. Дата публикации: 2023-06-22.

Doping methods for fully-depleted SOI structures, and device comprising the resulting doped regions

Номер патента: US20040169227A1. Автор: Andy Wei,Derick Wristers,Mark fuselier. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Apparatus and methods for fiber mat deposition

Номер патента: EP4241970A1. Автор: Daniel Schlichting KIRKEGAARD. Владелец: LM Wind Power AS. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for reducing base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US6475849B2. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2002-11-05.

Method for making isolation region of CIS device

Номер патента: US12125866B2. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Thin-film transistor and method for forming the same

Номер патента: US09899534B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for MEMS structure with dual-level structural layer and acoustic port

Номер патента: US09802815B2. Автор: Martin Lim,Mei-Lin Chan,Michael Julian Daneman,Erhan Polatkan Ata,Fariboz Assaderaghi. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of producing zeolites and zeolite-like structures doped with metals, and methods for use thereof for catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2595336C2. Автор: Даниель ХЕРАЙН,Фэй ВЭНЬ,Барри У. Л. САУТУОРД,Лисбет ЙОНГЕН,Александр ХОФМАНН. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-08-27.

Method for the prevention of misfit dislocation in silicon wafer and silicon wafer structure manufactured thereby

Номер патента: US5828114A. Автор: Ho Jun Lee,Choong Ki Kim,Chul Hi Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1998-10-27.

Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers

Номер патента: US6053984A. Автор: Steve I. Petvai,Leslie Jane Bohnenkamp,Michael P. Buet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140357032A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for Preventing Wafer Edge Peeling in Metal Wiring Process

Номер патента: US20080124891A1. Автор: YIN Long,Wenlei Chen,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Kegang Zhang,Yanbo Shangguan,Xiaorong Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Methods for pfet fabrication using apm solutions

Номер патента: US20130203245A1. Автор: John Foster,Stephan Kronholz,Berthold Reimer,Paul Besser,Joanna WASYLUK,Gregory Nowling,Sven Metzger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for growing barium titanate thin film

Номер патента: US20010004547A1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-06-21.

Method for isolating active regions in germanium-based mos device

Номер патента: US20150031188A1. Автор: Min Li,Ming Li,Xing Zhang,Ru Huang,Xia An. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for making isolation region of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220199659A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200227680A1. Автор: Ryoichi Nozawa,Suguru Akagawa,Takefumi Fukagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Method for forming inside nitride spacer for deep trench device dram cell

Номер патента: US20030062557A1. Автор: Arnd Scholz,Prakash Dev. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Negative electrode for lithium-ion secondary battery, method for manufacturing negative electrode for lithium-ion secondary battery, and lithium-ion secondary battery

Номер патента: US20240250252A1. Автор: Masaharu Senoue. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Negative electrode for lithium-ion secondary battery, method for manufacturing negative electrode for lithium-ion secondary battery, and lithium-ion secondary battery

Номер патента: EP4415067A1. Автор: Masaharu Senoue. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160268412A1. Автор: Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods for deposition of a thermal interface material and circuit assemblies formed therefrom

Номер патента: WO2024192062A1. Автор: Navid Kazem,Hing Jii Mea. Владелец: Arieca Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Optoelectronic device and method for manufacturing an optoelectronic device

Номер патента: WO2024184148A1. Автор: Bastian Galler,Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Bi-level resist structure and fabrication method for contact holes on semiconductor substrates

Номер патента: US6780782B1. Автор: Hun-Jan Tao,Ming-Huan Tsai,Tsang Jiuh Wu,Ju Wang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a silicon body, in which a sunken oxide layer is locally provided

Номер патента: US4622096A. Автор: Jan G. Dil,Johan W. Bartsen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1986-11-11.

Substrate for a front-side-type image sensor and method for producing such a substrate

Номер патента: US11855120B2. Автор: Oleg Kononchuk,Walter Schwarzenbach,Ludovic Ecarnot,Christelle MICHAU. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for forming trench liner passivation

Номер патента: US20180174888A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Tsun-Kai Tsao,Hung-Ling Shih,Kuo-Hwa Tzeng,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

System and method for dumping material

Номер патента: AU2018203324B2. Автор: Mo Wei. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Solid-phase source doping method for finfet structure

Номер патента: US20210407860A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for Manufacturing Dummy Gate in Gate-Last Process and Dummy Gate in Gate-Last Process

Номер патента: US20140273426A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Junfeng Li,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming tunnel oxide film of flash memory

Номер патента: US20030027388A1. Автор: Chin-Ta Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Solar cell and preparation method for solar cell

Номер патента: EP4407695A1. Автор: Bin Chen,Xiulin Jiang,Guangliang DUAN. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

System and method for receiving deposits in cash-dispensing automatic teller machine

Номер патента: RU2308087C2. Автор: Джеффри М. ЭНРАЙТ,Уилль м Д. БЕСКИТТ,Уилльям Д. БЕСКИТТ,Джеффри ИСТМЕН,Эдвард Л. ЛАСКОВСКИ,Мэттью ФОРС,Майк РАЙАН,Франклин М. ТЕРИО,Р. Мэттью ДАНЛЭП,Шон ХАНИ,Колин ФИТЦПАТРИК,Билл ЛАВЕЛЛЬ,Дэвид ШУЛЬТЦ. Владелец: Дайболд, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2007-10-10.

Method for determining thickness of layers of multilayer coating in process for deposition of optical elements

Номер патента: RU2671927C1. Автор: Николай Юрьевич Никаноров,Роман Сергеевич Алтухов. Владелец: Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод". Дата публикации: 2018-11-07.

Method for viksint silicon sealant disposal from surface of mixing mills

Номер патента: RU2661216C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Дмитрий Викторович Харитонов,Антонина Александровна Анашкина,Раиса Сергеевна Конкина,Мария Сергеевна Моторнова. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2018-07-13.

Piezoelectric thin-film element, liquid discharge head, head module, liquid discharge device, liquid discharge apparatus, and method for manufacturing piezoelectric thin-film element

Номер патента: US11130335B2. Автор: Takahiko Kuroda,Toshiaki Masuda,Keishi Miwa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Assembly of piezoelectric material substrate and supporting substrate, and method for manufacturing same

Номер патента: US11871671B2. Автор: Yuji Hori,Tatsuro Takagaki,Takahiro Yamadera. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Systems and methods for depositing low-κ dielectric films

Номер патента: WO2024044460A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Piezoelectric thin-film element, liquid discharge head, head module, liquid discharge device, liquid discharge apparatus, and method for manufacturing piezoelectric thin-film element

Номер патента: US20200298570A1. Автор: Takahiko Kuroda,Toshiaki Masuda,Keishi Miwa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20170345657A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for reducing contact resistance

Номер патента: US20240105464A1. Автор: Wensheng Xu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Liquid crystal display device having esd protection circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1704443A1. Автор: Hideo c/o Philips Japan Ltd. TANAKA. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-09-27.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7348249B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060148230A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for manufacturing semiconductor device with semiconductor capping layer

Номер патента: US12094757B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for implementing non-volatile memory on a semiconductor substrate

Номер патента: US6344395B1. Автор: Chih-Jen Huang,Chia-Te Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Method and device for depositing a nano-object

Номер патента: US11854801B2. Автор: Matthieu DELBECQ,Tino CUBAYNES,José PALOMO,Matthieu DARTIAILH,Takis KONTOS,Matthieu DESJARDINS. Владелец: Université de Paris. Дата публикации: 2023-12-26.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768342B2. Автор: Kyoungsoo Lee,Manhyo Ha. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-19.

Device and method for processing banknotes

Номер патента: RU2583747C1. Автор: Акихиро ТЮГО. Владелец: Оки Электрик Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-05-10.

METHOD FOR OBTAINING GAS-SENSITIVE ELEMENT BASED ON MULTI-LAYERED STRUCTURE OF POROUS SILICON ON THE INSULATOR AND SnOX

Номер патента: RU2674406C1. Автор: Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев,Егор Владимирович Князев,Владислав Евгеньевич Росликов,Екатерина Александровна Росликова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2018-12-07.

Method for manufacturing an intermediate portion of adhesive bridge prostheses using individual silicone patterns (direct method)

Номер патента: RU2698998C1. Автор: Лидия Николаевна Смердина,Юлия Геннадьевна Смердина,Елена Александровна Те. Владелец: Елена Александровна Те. Дата публикации: 2019-09-02.

Laminated silicon oxide film capacitors and method for their production

Номер патента: CA2023842A1. Автор: Hiroshi Yamamura,Yoshitaka Kubota,Naomichi Sakai,Hiroya Nagata,Masanaga Kikusawa. Владелец: Masanaga Kikusawa. Дата публикации: 1991-02-25.

Fabricating method of oxide layer within peripheral circuit region

Номер патента: US20190363093A1. Автор: Yi-Wei Chen,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen,Han-Yung Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Silicon carbide (SiC) MOSFET with a silicon oxide layer capable of suppressing deterioration of carrier mobility and variation in threshold voltage

Номер патента: US10186596B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Optical phased array, method for preparing optical phased array and phase-shifting control system

Номер патента: US20230400630A1. Автор: Li Jin,JIN Guo,Ping Jiang,Rui CAO,Junbo FENG,Tonghui Li,Zuwen LIU,Qixin LIU,Youxi LU,Jianzhong HAN,Beibei Wu,Mijie YANG. Владелец: United Microelectronics Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20040082084A1. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US6649526B2. Автор: Chun Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: EP3658323A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for fabricating fully depleted silicon-on-insulator pmos devices

Номер патента: US20240186402A1. Автор: LIAN Lu,Xiangguo Meng,Siyuan CHE. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Packaging structure of silicon condenser microphone and method for producing thereof

Номер патента: WO2007007929A1. Автор: Sung Ho Park,Jun Lim. Владелец: BSE CO., LTD.. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for alkylation of benzene with ethylene and catalyst for realising said method

Номер патента: RU2410368C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Борис Иванович Кутепов,Михаил Леонардович Павлов,Рашида Алмагиевна Басимова,Сергей Иванович Мячин,Альфира Наилевна Хазипова,Алексей Владимирович Прокопенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Салаватнефтеоргсинтез". Дата публикации: 2011-01-27.

AMPULE OF DEFINED TEMPERATURE POINTS OF HIGH RELIABILITY AND METHOD FOR CALIBRATION OF SMALL-SIZE AND MINIATURE PRECISION PLATINUM RESISTANCE TEMPERATURE CONVERTERS WITH METALLIC BODY OF LENGTH OF 250 mm MAXIMUM, WITH THIN FILM AND WIRE SENSITIVE ELEMENTS INTENDED FOR APPLICATION OF HIGH-PRECISION TEMPERATURE MEASUREMENTS IN SMALL OBJECTS

Номер патента: RU2666956C2. Автор: Евгений Васильевич Васильев,Александр Александрович Игнатов,Леонид Дмитриевич Маркин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы" (ФГУП "ВНИИМС"). Дата публикации: 2018-09-13.

Method for fabricating stacked capacitors with increased capacitance in a DRAM cell

Номер патента: US5434812A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-18.

Material structure and method for deep silicon carbide etching

Номер патента: WO2018049081A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Eugene A. Imhoff. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150037969A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US6890776B2. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: WO2019022967A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: SIEMENS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of forming silicon oxide film

Номер патента: US9472394B2. Автор: Jun Sato,Yuichiro Morozumi,Hiroki Murakami,Toshiyuki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fabricating AND-type flash memory cell

Номер патента: US20040157403A1. Автор: Chang Han,Bong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for forming an interface free layer of silicon on a substrate of monocrystalline silicon

Номер патента: US20030060028A1. Автор: Giuseppe Ferla,Peter Ward,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-03-27.

Processing method for coating glass container with silicone rubber and glass container coated with silicone rubber

Номер патента: AU2021200975A1. Автор: Min Shen. Владелец: TINYSGOOD DESIGN PTY LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Device and method for additive manufacturing of a component

Номер патента: US20240328144A1. Автор: Carsten Kamp. Владелец: Peri SE. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for depositing thin film

Номер патента: US09891521B2. Автор: Dongseok Kang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for determining therapeutic position of lower jaw with enhanced dental abrasion

Номер патента: RU2737584C1. Автор: Александр Михайлович Назаров,Михаил Владимирович Сунгуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Российская медицинская академия непрерывного профессионального образования" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ДПО РМАНПО Минздрава России). Дата публикации: 2020-12-01.

Method for targeted minimally invasive access for cell transplantation into bone regenerate

Номер патента: RU2748544C1. Автор: Алексей Вячеславович Ковалев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Международный Центр Медицинских Исследований И Разработок" (Ооо "Мц Миир"). Дата публикации: 2021-05-26.

Method for formation of silicon oxynitride

Номер патента: RU2747421C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220068656A1. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20190181050A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for semiconductor cross pitch doubled patterning process

Номер патента: US20150056810A1. Автор: Lars Heineck,Vinay Nair. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for manufacturing smart cards

Номер патента: EP2791873A1. Автор: Lucile Dossetto,Stephane Ottobon. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2014-10-22.

Swelling-inhibited silicon-carbon composite anode material with increased capacitance, method for preparing the same, and battery having the same

Номер патента: US20230187613A1. Автор: Mao-Sung Chen,Hong-zheng LAI,Tseng-Lung Chang. Владелец: Solidedge Solution Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Swelling-inhibited silicon-carbon composite anode material with increased capacitance, method for preparing the same, and battery having the same

Номер патента: EP4195319A1. Автор: Mao-Sung Chen,Hong-zheng LAI,Tseng-Lung Chang. Владелец: Solidedge Solution Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Method for evaluating edge shape of silicon wafer, apparatus for evaluating thereof, silicon wafer, method for selecting and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200240929A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1796148A3. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Method for preparing heterojunction solar cell, heterojunction solar cell and application thereof

Номер патента: US20240274741A1. Автор: Hui Zhao,Liping Zhang,Haichuan Zhang,Fanying Meng,Jianhua SHI,Junlin DU,Zhengxin Liu,Haoxin FU,Shihu LAN. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20110306185A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Circuit board with a substrate made of silicon and the methods for forming the same

Номер патента: US20190191554A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Electrical tree test device for silicone rubber material for cable accessory and method for preparing sample

Номер патента: US12055577B2. Автор: Man XU,Sunjiaxing WEI,Yangtao PENG,Yunshun PENG. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for implementing a 6-mask cathode process

Номер патента: WO2003030200A3. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Matthew A Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2004-03-18.

Method for implementing a 6-mask cathode process

Номер патента: WO2003030200A9. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Matthew A Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for manufacturing laser diode chip, optical transmitting/receiving module and method for aligning positions thereof

Номер патента: US20020039805A1. Автор: HONG Jun,Ho Lee,Jun Song,Ki Shin,Bon Koo,Euy Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Silicone co-extrusion method for LED light strip, mold and its extrusion structure

Номер патента: US12123585B1. Автор: Wenhai Liu,Hailong Zhu,Tiejun Wu,Yongbo Zhu,Ji'an Wei,Wenmao Wei. Владелец: Signcomplex Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Device and method for additive manufacturing of a component

Номер патента: US20240328178A1. Автор: Carsten Kamp. Владелец: Peri SE. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Method for forming an ordered array of silicon nanocrystals or nanoclusters in a dielectric matrix

Номер патента: RU2692406C2. Автор: Александр Афанасьевич Попов,Денис Михайлович Жигунов,Ирина Александровна Каменских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-24.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for producing nanocomposition powder anode materials for lithium-ion accumulators

Номер патента: RU2634561C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-10-31.

Trench filling method employing silicon liner layer and gap filling silicon oxide trench fill layer

Номер патента: US5869384A. Автор: Chen-Hua Yu,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2072262C. Автор: Keizo Harada,Takao Maeda,Shosaku Yamanaka,Takatoshi Takikawa,Shunsuke Ban. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method for manufacturing an oxram type resistive memory cell

Номер патента: US20220336744A1. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Gaël CASTELLAN,Jean-François NODIN. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: EP3365710A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: US20170107797A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: WO2017069860A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2017-04-27.

Method for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120018817A1. Автор: Ouyang Hui,Yi-Chen Huang,Matt Yeh,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243152A1. Автор: Kuem Ju LEE,Jeong Mook CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Patterning method for semiconductor device and structures resulting therefrom

Номер патента: US20200006082A1. Автор: Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

High-density field emission elements and a method for forming said emission elements

Номер патента: US20090280585A1. Автор: Seong Jin Koh,Gerald W. Gibson, Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for decreasing an excess carrier induced degradation in a silicon substrate

Номер патента: EP2761666A1. Автор: Hele Savin,Antti Haarahiltunen,Marko Veli Yli-Koski. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for fabricating defect free silicon mold insert

Номер патента: US20140353277A1. Автор: Chong-Ming Lee,Chung-Hua Lee. Владелец: Greencore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for manufacturing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20240304458A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Tatsuhiko Aoki,Toru Yamashita,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Porous Carbon Structure-Hosted Silicon Oxide (SiOx), Anode, Lithium-ion Battery, and Production Method

Номер патента: US20240347698A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for fabricating integrated circuits using flowable chemical vapor deposition techniques with low-temperature thermal annealing

Номер патента: US09831098B2. Автор: TAO Han,Sukwon Hong,Sandeep Gaan,Xinyuan Dou,Shimpei Yamaguchi,Satyajit Shinde,Carlos Chacon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for prepectoral reconstruction with implant with textured coating for small and medium-sized mammary glands, “pinch test” more than 1 cm, ii-iii degree ptosis

Номер патента: RU2756184C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Мария Юрьевна Власова,Мария Владимировна Ермощенкова,Всеволод Николаевич Галкин,Азизжон Дилшодович Зикиряходжаев,Алана Руслановна Босиева. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения города Москвы "Городская клиническая онкологическая больница" Департамента здравоохранения города Москвы» (ГБУЗ "ГКОБ" ДЗМ). Дата публикации: 2021-09-28.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method for manufacturing a semiconductor substrate having a compound semiconductor layer on a single-crystal silicon wafer

Номер патента: US5244830A. Автор: Kyoung-Soo Lee,Sang-Won Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1993-09-14.

System and method for fabricating super conducting circuitry on both sides of an ultra-thin layer

Номер патента: US9577177B1. Автор: Ari D. Brown,Vilem Mikula. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon wafer and method for filling silicon hole therein

Номер патента: EP4379773A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Mos transistors for thin soi integration and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2186123A1. Автор: John A. Iacoponi,Kingsuk Maitra. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

Method for manufacturing porous metal body

Номер патента: US20240082911A1. Автор: Shougo TSUMAGARI. Владелец: Toho Titanium Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US10775692B2. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Doping methods for fully-depleted soi structures, and device comprising the resulting doped regions

Номер патента: WO2003081678A1. Автор: Derick J. Wristers,Andy C. Wei,Mark B. Fuselier. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-10-02.

Photodiode and method for making the same

Номер патента: CA3128702A1. Автор: Peter D. Brewer,Keith J. Davis,Larken E. Euliss,Nicole L. Abueg,Brett Nosho,G. Michael Granger. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-01-16.

Methods for making reticle blanks, and for making reticles therefrom, for charged-particle-beam microlithography

Номер патента: US6355385B1. Автор: Shin-Ichi Takahashi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-03-12.

Method for forming image sensor

Номер патента: US20210118939A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Shyh-Fann Ting,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for improving the ohmic contact behavior between a contact grid and an emitter layer of a silicon solar cell

Номер патента: US20230335668A1. Автор: Hongming Zhao,Christian Hagendorf,Marko Turek,Eckehard Hofmüller,Stephan Großer,Stefan Stöckel,Eve Krassowski. Владелец: Ce Cell Engineering GmbH. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method for producing semiconductor optical device

Номер патента: US20110306155A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for filling structural gaps and integrated circuitry

Номер патента: US6787877B2. Автор: Chris W. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-07.

Electronic device and method for slot-die depositing layers of the same

Номер патента: US12069936B2. Автор: Tobias Meyer,Frank NÜESCH,David MARTINEAU,Anand Verma,Jacob HEIER. Владелец: Solaronix SA. Дата публикации: 2024-08-20.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11715768B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-01.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Thermally matched readout/detector assembly and method for fabricating same

Номер патента: GB9418859D0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-11-09.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230140664A1. Автор: Hiroyuki Harada,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for filling structural gaps and integrated circuitry

Номер патента: US6500730B1. Автор: Chris W. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Packaging method for circuit units comprising circuit baseplate

Номер патента: US12074037B2. Автор: Haisheng Wang,Qinglin Song,Dewen TIAN. Владелец: Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for evaluating concentration of defect in silicon single crystal substrate

Номер патента: US09773710B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for producing multilayer high-temperature superconducting material

Номер патента: RU2627130C1. Автор: Галина Васильевна Котина,Фатима Христофоровна Чибирова. Владелец: Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет". Дата публикации: 2017-08-03.

Methods for treatment of patients with decompensated and subcompensated form of increased teeth abrasion (versions)

Номер патента: RU2615121C1. Автор: Елена Александровна Пономарева,Роман Александрович Фадеев,Анзор Владимирович Емгахов,Мария Романовна Фадеева,Наталья Владимировна Прозорова,Павел Викторович Ли,Игорь Валентинович Мартынов,Константин Залманович Ронкин,Кирилл Николаевич Маркасов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2017-04-03.

Method for manufacturing high-breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: US4780426A. Автор: Yutaka Koshino,Yoshiro Baba,Jiro Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Method for preparing a protective amorphous silicon passivating film on a semiconductor device

Номер патента: US4362766A. Автор: Karl Kempter,Manfred Schnoller,Friedrich Dannhauser,Jurgen Krausse. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-12-07.

Method for manufacturing FDSOI

Номер патента: US11640923B2. Автор: Ming Tian,Nan Li,Yufeng Chen,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-02.

Reduced temperature etching of doped silicon oxide

Номер патента: WO2023235188A1. Автор: HAO Chi,Pramod Subramonium,John Hoang,Joseph James VEGH,Jonathan CHURCH,Mehmet Fatih Yilmaz. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-07.

Dispenser head for adhesive material and method for depositing adhesive material using said head

Номер патента: EP2078689A3. Автор: Andrea Paulotto. Владелец: Biemme Adesivi Srl. Дата публикации: 2010-01-06.

Silicon wafer and method for filling silicon via thereof

Номер патента: US20230307293A1. Автор: Dengfeng Li,Wenlong Zhang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for producing substrate having through-silicon vias, substrate having through-silicon vias, and copper paste for through-silicon via formation

Номер патента: US20220230918A1. Автор: Masahiro Kimura,Michiko Natori,Masaru Fujita,Manabu Ishii,Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Yuki Kawana,Ryo HONNA,Motoki YONEKURA,Shinichirou Sukata. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for etching silicon-containing film and semiconductor device manufacturing method comprising same

Номер патента: US20230420261A1. Автор: Jung Hun KWAK,Yong Jun Cho,Woo Jae Kim,Gi Chung Kwon,Byung Hyang KWON. Владелец: Sk Specialty Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Photodiode and method for making the same

Номер патента: CA2815482C. Автор: Peter D. Brewer,Keith J. Davis,Larken E. Euliss,Nicole L. Abueg,Brett Nosho,G. Michael Granger. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-09-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

System and method for depositing material at a target location with a work vehicle

Номер патента: US20210277627A1. Автор: Natalia Lucas,Stojan Arezina,Brad Anthony Stemper,Andrea Maria Cardona Alfaro,Alex Wei. Владелец: CNH INDUSTRIAL AMERICA LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US20180059530A1. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for making silicon wafers

Номер патента: US4597822A. Автор: John L. Benjamin,William R. Van Dell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-01.

Negative electrode for lithium ion battery and method for producing negative electrode for lithium ion battery

Номер патента: MY174406A. Автор: Hideaki Horie,Hiroshi Akama,Yasuhiko Ohsawa,Hajime Satou,Yuki Kusachi,Yusuke Nakashima,Kazuya Tsuchida. Владелец: Nissan Motor. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing a functional device by forming 45-degree-surface on (100) silicon

Номер патента: US20020048962A1. Автор: Masayuki Sekimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Raman detecting chip for thin layer chromatography and method for separating and detecting an analyte

Номер патента: US20180245981A1. Автор: Chih-Hao Huang,Ding-Zheng Lin,Bi-Shen LEE,Ta-Jen Yen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-08-30.

Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same

Номер патента: EP2695215A1. Автор: Eric Rubingh,Tim Johannes Van Lammeren. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-02-12.

Method for decreasing an excess carrier induced degradation in a silicon substrate

Номер патента: US20140238490A1. Автор: Hele Savin,Antti Haarahiltunen,Marko Veli Yli-Koski. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2014-08-28.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING A PRODUCT CONTAINING A SILICON SUBSTRATE WITH A SILICON CARBIDE FILM ON ITS SURFACE

Номер патента: RU2005124203A. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Сергей Константинович Гордеев (RU),Светлана Борисовна Корчагина (RU),Сергей Арсеньевич Кукушкин (RU),Андрей Викторович Осипов (RU). Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие") (Ru). Дата публикации: 2007-01-27.

Method for local dry etching of silicon oxide oxide layers

Номер патента: SU1304666A1. Автор: Г.М. Цейтлин,М.Р. Бакланов,С.М. Репинский,Н.Н. Герасименко,Ф.Н. Дульцев,Л.Я. Соломатина. Владелец: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср. Дата публикации: 1999-11-10.

System and method for locating dies cut from a silicon wafer on a wafer table

Номер патента: SG770003A1. Автор: Subramanian Balamurugan. Владелец: Texas Instr Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2000-01-25.

Method for preparing high-transparency cerium oxide and silicon oxide ultraviolet ray absorbing film

Номер патента: CN102180599B. Автор: 崔洪涛. Владелец: YANTAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1168873A. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 1997-12-31.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1053650C. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-06-21.

METHOD FOR CLEANING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20120145185A1. Автор: Moreno Mario,Roca i Cabarrocas Pére. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

METHOD FOR BLISTER-FREE PASSIVATION OF A SILICON SURFACE

Номер патента: US20120306058A1. Автор: Vermang Bart. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR FORMING DIFFUSION REGIONS IN A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20130081687A1. Автор: Loscutoff Paul,Molesa Steven Edward,Kraft Steven M.,Wu Kahn C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20120036732A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,Schravendijk Bart Van. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A NITROGEN CONTAINING OXIDE LAYER

Номер патента: US20120028431A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for Forming Lead-Free Solder Balls with a Stable Oxide Layer Based on a Plasma Process

Номер патента: US20120052677A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for forming SOI (Silicon On Insulator) with stepped buried oxide layer

Номер патента: CN102148183A. Автор: 李乐. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

Method for forming SOI (Silicon On Insulator) with stepped buried oxide layer

Номер патента: CN102148183B. Автор: 李乐. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-04-29.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing g.v. stepanov's therapeutic retainer

Номер патента: RU2551973C1. Автор: Григорий Викторович Степанов,Людмила Григорьевна Ульянова,Альфия Минвалиевна Хамадеева,Ирина Олеговна Аюпова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-06-10.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Selectively depositing silicon oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024215620A1. Автор: Dennis Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Kevin McLaughlin,Kapu Sirish Reddy,Joel David Smith,Nupur BIHARI,Jason Nathaniel BELLING. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for producing silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2265255C2. Автор: В.П. Попов,Н.В. Дудченко,Д.В. Николаев,И.В. Антонова. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2005-11-27.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MAKING IN-PLANE AND OUT-OF-PLANE SENSING MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS (MEMS)

Номер патента: US20120001277A1. Автор: Liu Lianjun,Park Woo Tae,Loreck Heinz,KARLIN LISA H.,Desai Hemant D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

AQUEOUS FORMULATION FOR AN ANTIFOULING COATING SYSTEM FOR SUBMERGED SUBSTRATES, METHOD FOR TREATING SAME, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120004357A1. Автор: Roulleaux Veronique,Frangoulis Patrick. Владелец: SEAWAX MARINE COATINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Plasma cvd apparatus, method for manufacturing magnetic recording medium and method for depositing film

Номер патента: SG10201805811SA. Автор: Watanabe Toshiyuki,Abe Koji,Honda Yuji. Владелец: Advanced Material Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.