Method for fabricating a mask read-only memory.

Method for fabricating a mask read-only memory

Номер патента: US6562548B2
Опубликовано: 13-05-2003
Автор(ы): Chia-Hsing Chen, Liu Cheng-Jye, Tai-Liang Hsiung
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating a mask read-only memory

Номер патента: US20020155388A1. Автор: Liu Cheng-Jye,Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for producing mask-type read-only-memory

Номер патента: TW480679B. Автор: Cheng-Jye Liu,Jia-Shing Chen,Dai-Liang Shiung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for coding mask read-only memory

Номер патента: US5891781A. Автор: Sung Gon Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Mask read-only memory device

Номер патента: US20180158831A1. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a read only memory device

Номер патента: US4904615A. Автор: Satoshi Meguro,Kazuhiro Komori,Ken Uchida,Hisao Katto,Kousuke Okuyama,Kouichi Kusuyama. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-02-27.

Read-only memory and its manufacturing method

Номер патента: US20140151815A1. Автор: Peng Du,Kai Huang,Tsung-nten HSU,Jianxiang Cai. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Read-only memory and its manufacturing method

Номер патента: US9368505B2. Автор: Peng Du,Kai Huang,Tsung-nten HSU,Jianxiang Cai. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor read-only memory device

Номер патента: GB2315596A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Mask-programmable read only memory with electrically isolated cells

Номер патента: US20220384463A1. Автор: Mingyu LIM. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Mask Read-Only Memory(ROM) Devices And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100456579B1. Автор: 강민규,류원형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-09.

Stacked double dense read only memory

Номер патента: US4603341A. Автор: Claude L. Bertin,Howard L. Kalter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-07-29.

Read-only memory for chip security that is mosfet process compatible

Номер патента: US20230092137A1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of fabricating flat-cell mask read-only memory devices

Номер патента: US20030153153A1. Автор: Hee-Jueng Lee,Myung-Ho Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for fabricating NAND type dual bit nitride read only memory

Номер патента: US20060001078A1. Автор: Chien-Hung Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050001259A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060108633A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for making late programmable read-only memory devices

Номер патента: US4359817A. Автор: John E. Dickman,William B. Donley. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1982-11-23.

Electrical erasable programmable read-only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130092995A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongou HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Electrically erasable and programmable read only memory device comprising common source region and method of manufacturing same

Номер патента: US8097913B2. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-17.

Programming of semiconductor read only memory

Номер патента: US4208726A. Автор: David J. McElroy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-06-17.

Method of making post-metal ion beam programmable MOS read only memory

Номер патента: US4272303A. Автор: Al F. Tasch, Jr.,Pallab K. Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-06-09.

Method for preventing electron secondary injection in a pocket implantation process

Номер патента: US20020119645A1. Автор: Kent Chang,Samuel Pan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for fabricating read only memory

Номер патента: US20030181013A1. Автор: Ching-Yu Chang,Henry Chung,Cheng-Chen Calvin Hsueh,Tahorng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for fabricating read only memory including forming masking layers with openings and pre-coding the cell and peripheral regions

Номер патента: US6734064B2. Автор: Ching-Yu Chang,Henry Chung,Cheng-Chen Calvin Hsueh,Tahorng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Read-only memory for a gate array arrangement

Номер патента: US5018103A. Автор: Martin Geiger,Michael Pomper. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-05-21.

Method for manufacturing one-time electrically programmable read only memory

Номер патента: US7074674B1. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ko-Hsing Chang,Tung-Po Chen,Tung-Ming Lai. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Method for manufacturing one-time electrically programmable read only memory

Номер патента: US20060154418A1. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ko-Hsing Chang,Tung-Po Chen,Tung-Ming Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US20020168822A1. Автор: Chun-Jung Lin,Ful-Long Ni,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Read-only memory device coded with selectively insulated gate electrodes

Номер патента: US20040256637A1. Автор: Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Method for forming cells array of mask read only memory

Номер патента: US20020136989A1. Автор: Chun-Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Data writing method for mask read only memory

Номер патента: US20050090065A1. Автор: Meng-Yu Pan,Julian Chang,Yuan-Wei Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Data writing method for mask read only memory

Номер патента: US7084036B2. Автор: Meng-Yu Pan,Julian Chang,Yuan-Wei Zheng. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2006-08-01.

Tri-state read-only memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5859460A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US6649526B2. Автор: Chun Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Cells array of mask read only memory

Номер патента: US6570235B2. Автор: Chun-Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-27.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US6569713B2. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-27.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US20020192877A1. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US5933735A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

CMOS-compatible read only memory and method for fabricating the same

Номер патента: EP1463119A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong,Shih-Chan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-29.

Process for fabricating read only memories, with programming step performed midway through the fabrication process

Номер патента: US5736420A. Автор: Heikyung Chun Min,Jeffrey Kent Whitney. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Method for producing mask read-only storage of flat unit structure

Номер патента: CN1409389A. Автор: 韩昌勋. Владелец: TONG-BOO ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-09.

Method for the selective etching of a mask disposed on a silicon substrate

Номер патента: EP3072149A1. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-28.

INTEGRATED CIRCUIT READ ONLY MEMORY (ROM) STRUCTURE

Номер патента: US20220285375A1. Автор: Chang Meng-Sheng,Lin Geng-Cing,CHEN Yen-Huei,HUANG Chia-En,YANG Jung-Ping,LU Ze-Sian. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Read-only memory architecture

Номер патента: US20040233693A1. Автор: Hai Pham,Donald Evans,Ross Kohler,Richard McPartland,Nghia Lam. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-11-25.

Memory unit of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102088000B. Автор: 杨震,詹奕鹏,黄声河. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

Memory unit of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102088000A. Автор: 杨震,詹奕鹏,黄声河. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-08.

Low thermal budget fabrication method for a mask read only memory device

Номер патента: US20030207539A1. Автор: Jen-Chuan Pan,Shui-Chin Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: GB2325338A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of manufacturing mask read-only-memory

Номер патента: US6165850A. Автор: Jyh-Ren Wu. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Method for arranging a read-only memory for reading out updating status information in an integrated circuit

Номер патента: US4975876A. Автор: Tord L. Haulin. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1990-12-04.

Read-only-memory cell arrangement using vertical MOS transistors and gate dielectrics of different thicknesses and method for its production

Номер патента: US5973373A. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Krautschneider,Lothar Risch,Wolfgang Rosner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

Read-only memory cell configuration with trench MOS transistor and widened drain region

Номер патента: US6043543A. Автор: Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-28.

Read only memory manufacturing method

Номер патента: US5264386A. Автор: Ming T. Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1993-11-23.

Virtual ground read only memory circuit

Номер патента: US5377153A. Автор: Elmer H. Guritz,Tsiu C. Chan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1994-12-27.

Flat memory cell read only memory

Номер патента: US6430079B1. Автор: Jiann-Ming Shiau. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

Small-area high-efficiency read-only memory (rom) array and method for operating the same

Номер патента: US20240260260A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Process for fabricating read-only memory cells

Номер патента: US5633187A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Architecture for mask read-only memory

Номер патента: US20020113258A1. Автор: Yi-Min Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Read-only memory (ROM) device structure and method for forming the same

Номер патента: US09941290B2. Автор: Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

VMOS Read only memory

Номер патента: US4198693A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-15.

Ion implanted programmable cell for read only memory applications

Номер патента: US5550075A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High-density low-cost read-only memory circuit

Номер патента: US20020184433A1. Автор: Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read-only memory

Номер патента: RU2640631C1. Автор: Боон Бинг НГ,Ханг Ру ГОЙ. Владелец: Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П.. Дата публикации: 2018-01-10.

Method for programming multi-level nitride read-only memory cells

Номер патента: US20070247925A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US20220343986A1. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-27.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US12080363B2. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Read only memory

Номер патента: US12063775B2. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory cell for use in a read only memory

Номер патента: WO1986006540A2. Автор: John Louis Janning. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1986-11-06.

Electrically erasable programmable read only memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20240260263A1. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Chao-Sheng Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional read-only memory

Номер патента: US5835396A. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-11-10.

Compact three-dimensional mask-programmed read-only memory

Номер патента: US10079239B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Read-only memory (rom) device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170352670A1. Автор: Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Means for 'rogramming integrated read-only memories

Номер патента: GB1440167A. Автор: . Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1976-06-23.

Memory implant profile for improved channel shielding in electrically alterable read only memory semiconductor device

Номер патента: US4521796A. Автор: Jagir S. Multani,Kamal Rajkanan. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1985-06-04.

Voltage sensitive resistor (vsr) read only memory

Номер патента: WO2012012070A1. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L. Kane. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Voltage sensitive resistor (VSR) read only memory

Номер патента: US8536555B2. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L. Kane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Electrically erasable programmable read only memory cell and programming method thereof

Номер патента: US6903410B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: EP4451332A2. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: US09773556B2. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Mask programmable read-only memory stacked above a semiconductor substrate

Номер патента: CA1184300A. Автор: Bruce B. Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1985-03-19.

Electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US4477883A. Автор: Masashi Wada. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-16.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Programmable read only memory

Номер патента: US4420504A. Автор: Kersi F. Cooper,Jerry W. Drake. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1983-12-13.

Programme read-only memory and memory cell for use in such a memory

Номер патента: IE53422B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-11-09.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US20220328115A1. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US11837299B2. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Jmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Read only memory

Номер патента: US20240040781A1. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Dischargeable electrical programmable read only memory (eprom) cell

Номер патента: US20180006045A1. Автор: Boon Bing NG,Reynaldo V Villavelez,Lui Cheat Thin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-04.

Read-only memory with vertical transistors

Номер патента: US20230076056A1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: US20240349497A1. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: US09928912B2. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-03-27.

Large bit-per-cell three-dimensional mask-programmable read-only memory

Номер патента: US8884376B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-11-11.

Embedded electrically programmable read only memory devices

Номер патента: US6756645B2. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-29.

Programmable read only memory cell

Номер патента: CA1135854A. Автор: Michel Moussie. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Shorted junction type programmable read only memory semi-conductor devices

Номер патента: CA1177957A. Автор: Eisuke Arai,Kazuhide Kiuchi,Hideo Yoshino. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1984-11-13.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory array

Номер патента: CA1067208A. Автор: Antony G. Bell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Read-only memory circuit

Номер патента: US20230378160A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Array of electrically erasable programmable read only memory (eeprom) and forming method thereof

Номер патента: US20220230689A1. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Programmable read-only memory

Номер патента: US20230301074A1. Автор: Patrick Calenzo,Sandra Mattei. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-09-21.

Read-only memory using linear passive elements

Номер патента: US7423905B2. Автор: Gong Gu,Michael G. Kane,Arthur Herbert Firester. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Electrically erasable and programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness

Номер патента: US5606521A. Автор: Mark Simpson,Satyendranath Mukherjee,Di-Son Kuo,Len-Yuan Tsou. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1997-02-25.

Electronically rewritable read-only memory using via connections

Номер патента: US3717852A. Автор: S Abbas,P Stern. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-02-20.

Read only memory

Номер патента: US10580499B2. Автор: Hsin-Pang Lu,Chung-Hao Chen,Chi-Hsiu Hsu,Ya-Nan Mou,Chung-Cheng Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Electrically erasable and programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness

Номер патента: WO1997001847A3. Автор: Mark Simpson,Satyendranath Mukherjee,Di-Son Kuo,Len-Yuan Tsou. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-02-20.

Read-only memory employing metal-insulator-semiconductor type field effect transistors

Номер патента: US3708787A. Автор: T Wada,R Igarashi,K Onoda,S Nakanuma,T Tsujide. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1973-01-02.

Voltage sensitive resistor (vsr) read only memory

Номер патента: US20130189824A1. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L. Kane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: US20090061609A1. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for fabricating nitride read only memory

Номер патента: US6607957B1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-19.

Method for growing monocrystalline silicon on a mask layer

Номер патента: US4549926A. Автор: Lubomir L. Jastrzebski,Scott C. Blackstone,Robert H. Pagliaro, Jr.,John F. Corboy, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-29.

Read-only memory for chip security that is MOSFET process compatible

Номер патента: US11744065B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Read-only memory for chip security that is mosfet process compatible

Номер патента: US20230354592A1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US6613632B2. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-02.

Fabrication method for an electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US6306708B1. Автор: Nai-Chen Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-23.

Programmable read-only memory device

Номер патента: GB2572148A. Автор: RACHINSKY Rumen,IVANOV Valeri,Radv Aleksandar. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2019-09-25.

Semiconductor device for electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) with only one layer of gate material, and corresponding memory array

Номер патента: FR2838554A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray,Philippe Gendrier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-17.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7408221B2. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Ferroelectric memory with read-only memory cells, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040061155A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Read only memory (rom) and method for forming the same

Номер патента: US20040213028A1. Автор: Ying-Tzuo Chen,Jung-Ren Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of fabricating nitride read only memory

Номер патента: US20030190785A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

Process for forming an electrically programmable read-only memory cell

Номер патента: US5382540A. Автор: Hisao Kawasaki,Umesh Sharma. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Electrically erasable and programmable read only memory (eeprom) having multiple overlapping metallization layers

Номер патента: WO1998024127A1. Автор: Satyendranath Mukherjee. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-06-04.

Complementary read-only memory (rom) cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120163063A1. Автор: Jitendra Dasani. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2012-06-28.

Folded read-only memory

Номер патента: US5825683A. Автор: Ling-Yueh Chang. Владелец: Utron Technology Inc. Дата публикации: 1998-10-20.

Structure for read-only-memory

Номер патента: US5847442A. Автор: Philip Moss Platzman,Allen Paine Mills, Jr.. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Technique for programming junction-programmable read- only memories

Номер патента: CA1193009A. Автор: Fu C. Chong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-09-03.

STACKED VERTICAL TRANSISTOR ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND PROGRAMMABLE INVERTER DEVICES

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Ning Tak,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Apparatus and method for examining a surface of a mask

Номер патента: US9910065B2. Автор: Pawel Szych,Klaus Edinger,Gabriel Baralia,Michael Budach,Thorsten Hofmann. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-03-06.

Field-Repair System and Method for Large-Capacity Mask-Programmed Read-Only Memory

Номер патента: US20150269034A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Mask-Programmed Read-Only Memory with Reserved Space

Номер патента: US20130227204A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-29.

Apparatus and method for examining a surface of a mask

Номер патента: US20160341763A1. Автор: Pawel Szych,Klaus Edinger,Gabriel Baralia,Michael Budach,Thorsten Hofmann. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of making a cell structure for a programmable read only memory device

Номер патента: US5360751A. Автор: Roger R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Bit and block erasing of an electrically erasable and programmable read-only memory array

Номер патента: US5047981A. Автор: David McElroy,Sung-Wei Lin,Manzur Gill,Iano D'arrigo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-09-10.

Method for eliminating mask self-magnetization, substrate manufacturing method and mask testing device

Номер патента: US9885104B2. Автор: Yan Wu,Bo Zhang,Guoping Zhang,Junyu Li,Yuedong SHANG,Yongkai WU,Jianbin FENG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory devices for use in electrically alterable read only memory (ROM) and semiconductor thin film devices (spintrons and spin-orbitrons)

Номер патента: US09865811B2. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)

Номер патента: US20170069839A1. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-09.

Methods of code programming a mask rom

Номер патента: US20040029347A1. Автор: Ching-Yu Chang,Ta-Horng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-12.

Low thermal budget fabrication method for a mask read only memory device

Номер патента: TW530331B. Автор: Jen-Chuan Pan,Shui-Chin Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Amorphous semiconductor memory device for employment in an electrically alterable read-only memory

Номер патента: CA1124857A. Автор: Vernon A. Bluhm. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-06-01.

Method for manufacturing a mask read only memory device

Номер патента: GB2251724B. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Chul-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-03.

Process for manufacturing a masked read-only memory device

Номер патента: FR2670316A1. Автор: Shin Chul-Ho,CHOI Jeong-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-06-12.

Method and structure in the manufacture of mask read only memory

Номер патента: US20050224892A1. Автор: Lawrence Liu,Yuan Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Method and structure in the manufacture of mask read only memory

Номер патента: US7244653B2. Автор: Lawrence Liu,Yuan Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-17.

Method for making mask read-only memory

Номер патента: CN1428848A. Автор: 金锡铢. Владелец: TONG-BOO ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-09.

Method of fabricating flat-cell mask read-only memory (ROM) devices

Номер патента: US5846865A. Автор: Yi-Chung Sheng,Jih-Wen Chou,Cheng-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US6670247B2. Автор: Cheng-Chen Calvin Hsueh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-30.

Read-only memory device coded with selectively insulated gate electrodes

Номер патента: TW200501332A. Автор: Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-01.

Method of making a read only memory device

Номер патента: US5635417A. Автор: Kiyoshi Natsume. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of modulating threshold voltage of a mask ROM

Номер патента: US20040208040A1. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Mask read only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030205770A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Memory cells for read only memories

Номер патента: US8106463B2. Автор: Sudhir S. Moharir,Zhigeng Liu. Владелец: ARM Inc. Дата публикации: 2012-01-31.

Memory cells for read only memories

Номер патента: US20070126049A1. Автор: Zhigeng Liu,Sudhir Moharir. Владелец: ARM Physical IP Inc. Дата публикации: 2007-06-07.

Memory cells for read only memories

Номер патента: TW200733356A. Автор: Sudhir Moharir,zhi-geng Liu. Владелец: ARM Physical IP Inc. Дата публикации: 2007-09-01.

Read only memory (ROM) cell, program method of ROM cell, layout method of ROM cell, and ROM device comprising ROM cell

Номер патента: TW200404299A. Автор: Yong-jae Choo,Nak-woo Sung,Hyoung-Yun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-16.

Read only memory (ROM) cell, program method of ROM cell, layout method of ROM cell, and ROM device comprising ROM cell

Номер патента: TWI238416B. Автор: Yong-jae Choo,Nak-woo Sung,Hyoung-Yun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-21.

Method for fabricating of mask Read Only Memory Device

Номер патента: KR100443241B1. Автор: 정용식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-04.

Method, a non-transitory computer-readable medium, and/or an apparatus for determining whether to order a mask structure

Номер патента: US20180348641A1. Автор: Seongjong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

MASK READ-ONLY MEMORY ARRAY, MEMORY DEVICE, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Zhang Chao. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method for fabricating a nitride read-only -memory (nrom)

Номер патента: US20020142569A1. Автор: Kent Chang,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for fabricating a nitride read-only-memory (NROM)

Номер патента: US6461949B1. Автор: Kent Kuohua Chang,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-08.

Method for arranging a read memory for reading out updating status information in an integrated circuit

Номер патента: CA1327647C. Автор: Tord Lennart Haulin. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1994-03-08.

Method for etching features using a targeted deposition for selective passivation

Номер патента: WO2021003224A1. Автор: Qing Xu,Yasushi Ishikawa,Yoshie Kimura,Yoko Yamaguchi,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Juan Valdivia,Wenchi Liu,Colin Richard REMENTER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-01-07.

Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask

Номер патента: US20130100428A1. Автор: Johannes Ruoff,Daniel Kraehmer. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2013-04-25.

Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask

Номер патента: KR101727783B1. Автор: 요하네스 루오프,다니엘 크뢰메르. Владелец: 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하. Дата публикации: 2017-04-17.

Mask for EUV lithography, EUV lithography system and method for optimising the imaging of a mask

Номер патента: TW201224643A. Автор: Johannes Ruoff,Daniel Kraehmer. Владелец: Zeiss Carl Smt Gmbh. Дата публикации: 2012-06-16.

Method for ion implant programming NMOS read-only memories and NMOS read-only memory obtained thereby

Номер патента: EP0227965A2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Franco Maggioni. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1987-07-08.

Flat-cell read-only memory

Номер патента: US20070014154A1. Автор: Hsu-Shun Chen. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-01-18.

METHOD FOR FORMING MONOCRISTALLINE SILICON ON A MASK LAYER

Номер патента: DE3300716A1. Автор: Scott Carlton Hopewell N.J. Blackstone,John Francis Ringoes N.J. Corboy jun.,Lubomir Leon Plainsboro N.J. Jastrzebski,Robert Henry Trenton N.J. Pagliaro. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-07-21.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Read only memory using series connected depletion transistors as bus lines

Номер патента: US4494218A. Автор: Kenneth L. Naiff. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1985-01-15.

Read-only memory cell array and method for the fabrication thereof

Номер патента: KR100365567B1. Автор: 헬무트 클로제. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2003-04-21.

Method for operating one-time programmable read-only memory

Номер патента: US8089798B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Shao-Chang Huang,Chun-Hung Lu,Ming-Chou Ho,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

Improvements in or relating to semiconductor matrices for integrated read-only memories

Номер патента: GB2004687A. Автор: . Владелец: OVCHINNIKOV V. Дата публикации: 1979-04-04.

Programmable read only memory (ROM) integrated in tight pitch vertical transistor structures

Номер патента: US9893207B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated read only memory

Номер патента: US4139907A. Автор: James A. Cooper, Jr.,Donald E. Blahut. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1979-02-13.

Programmable read only memory mfr. - forming two groups of conductive strips, mutually perpendicular and insulated and doped zones for memory cells using mos techniques

Номер патента: FR2468185A1. Автор: Joseph Shappir. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1981-04-30.

Read-only memory semiconductor memory storage

Номер патента: JPS616856A. Автор: 禎一郎西坂,Teiichirou Nishisaka. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-13.

Multiple storage planes read only memory integrated circuit device and method of manufacture thereof

Номер патента: SG50819A1. Автор: Bob Hsiao-Lun Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1998-07-20.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20060046451A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: TW200913164A. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-16.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20020187611A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20040038460A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Ultraviolet ray erasable type rewritable read-only memory

Номер патента: JPS5642377A. Автор: Kenji Koyama,Kanetake Takasaki,Mikio Takagi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-04-20.

Read only memory

Номер патента: JPS583192A. Автор: Takehide Shirato,猛英白土. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-01-08.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Read only memory control circuit for use in a phase lock loop

Номер патента: US4692713A. Автор: Brian Cordwell,Paul M. Hayes. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1987-09-08.

Dynamic compression in an electrically erasable programmble read only memory (eeprom) emulation system

Номер патента: US20190138228A1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

System with virtual update capable read-only memory

Номер патента: US5644782A. Автор: Anthony J. Yeates,Michael R. Landis,Jeffrey K. Berger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-01.

Read-only memory arrays in which a portion of the memory-addressing circuitry is integral to the array

Номер патента: US3618050A. Автор: Charles R Winston,Richard H Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Quaternary FET read only memory

Номер патента: USRE32401E. Автор: Harish N. Kotecha,Kenneth E. Beilstein, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Method and system for securely patching read-only-memory code

Номер патента: US20210319107A1. Автор: Sandeep Jain,Atul Dahiya. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

MASK READ-ONLY MEMORY (ROM) AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140183741A1. Автор: PARK Sang-Hoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming programmable memory

Номер патента: US11832444B2. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Electrically erasable and programmable read only memory, nonvolatile memory, memory cell and method for programming a memory cell

Номер патента: TW434895B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2001-05-16.

MASK READ-ONLY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180158831A1. Автор: Zhang Chao,CHAN YIPENG. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

MASK READ-ONLY MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160197087A1. Автор: Zhang Chao,CHAN YIPENG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Nand type mask read only memory

Номер патента: KR960005564B1. Автор: 최정달,문희만,전영달. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-04-26.

Method for eliminating mask self-magnetization, substrate manufacturing method and mask testing device

Номер патента: US20160268175A1. Автор: Yan Wu,Bo Zhang,Guoping Zhang,Junyu Li,Yuedong SHANG,Yongkai WU,Jianbin FENG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Apparatus and method for fabricating and repairing a mask

Номер патента: TW559939B. Автор: Ted Liang,Alan Stivers. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

Electrically erasable programmable read only memory (eeprom) cell and method for making the same

Номер патента: TWI311799B. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell and method for making the same

Номер патента: TW200644177A. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-16.

Read-only memory circuit

Номер патента: US11764202B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Multi-bit read-only memory device

Номер патента: US20200402574A1. Автор: Xiaofei Wang,ZHENG GUO,Dinesh Somasekhar,Clifford Ong,Eric A Karl,Gordon Carskadon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

METHOD FOR CONVERTING A FLOATING GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL TO A READ-ONLY MEMORY CELL AND CIRCUIT STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20200258885A1. Автор: DE SANTIS Fabio,RANA Vikas. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

METHOD FOR CONVERTING A FLOATING GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL TO A READ-ONLY MEMORY CELL AND CIRCUIT STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20190267380A1. Автор: DE SANTIS Fabio,RANA Vikas. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Read-only memory array with dielectric breakdown programmability

Номер патента: EP1883964A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Meng Ding,Zhizheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-02-06.

Nucleic acid-based electrically readable, read-only memory

Номер патента: US11943940B2. Автор: Yonggang KE,Manjeri P. Anantram,Joshua Hihath. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-26.

Nucleic acid-based electrically readable, read-only memory

Номер патента: EP3820880A1. Автор: Yonggang KE,Manjeri P. Anantram,Joshua Hihath. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-05-19.

Read only memory

Номер патента: US20220199632A1. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-06-23.

Nitride read-only memory cell for improving second-bit effect and method for making thereof

Номер патента: US6649971B1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Wen-Jer Tsai,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Electrically erasable programmable read-only memory with electric field decreasing controller

Номер патента: US5402373A. Автор: Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Yoshihisa Iwata,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

READ-ONLY MEMORY (ROM) DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20180233508A1. Автор: Hsieh Chih-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-08-16.

READ-ONLY MEMORY (ROM) DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170352670A1. Автор: Hsieh Chih-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-12-07.

Hybrid Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) Systems And Methods For Forming Related Applications

Номер патента: US20180366479A1. Автор: Wang Yigong. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacturing electrically erasable & programmable read only memory

Номер патента: KR970011161B1. Автор: 구정석. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-07-07.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) cell and methods for forming and reading the same

Номер патента: US7839680B2. Автор: Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Soung-Youb Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-23.

Method for forming nitride read only memory

Номер патента: US6576511B2. Автор: Chun-Jung Lin,Samuel Pan,Chia-Hsing Chen,Minnie Hsiung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US6417053B1. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-09.

[methods for forming pn junction, one-time programmable read-only memory and fabricating processes thereof]

Номер патента: US20050062079A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Method for Forming Gate of Electrically Erasable Programmable Read Only Memory Cell

Номер патента: KR100994396B1. Автор: 김윤장. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-11-15.

Dual floating gate programmable read only memory cell structure and method for its fabrication and operation

Номер патента: US6178113B1. Автор: Fernando Gonzalez,Francis L. Bensistant. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-01-23.

System and method for providing low cost high endurance low voltage electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US20100259996A1. Автор: Jiankang Bu,David Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for forming and motion of read only memory

Номер патента: KR100732391B1. Автор: 김학윤. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-06-27.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060054966A1. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)

Номер патента: US20170069839A1. Автор: Troyan Eugeniy. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)

Номер патента: US20160233420A1. Автор: Troyan Eugeniy. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Complementary MOS read only memory for storing information, has memory cells with storage transistors having gate in shape of window whose inner and outer borders delimit respectively central drain region and source regions in substrate

Номер патента: FR2880982A1. Автор: Jean Pierre Schoellkopf,Bertrand Borot. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-07-21.

Electrically erasable programmable read only memory cell structure for smart card, has memory transistor with gate having dielectric layer defining adjacent channel region with thickness greater than tunnel region thickness

Номер патента: FR2855325A1. Автор: Seung Beom Yoon,Jeong Uk Han,Sung Taeg Kang,Sung Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-26.

Mask programmable read-only memory arrangement with a multi-level memory cell matrix and its production method

Номер патента: DE69230017D1. Автор: Shoji Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-28.

Semiconductor device comprising an electrically erasable programmable read only memory and a flash-erasable programmable read only memory, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW529160B. Автор: Johannes Dijkstra,Guido Jozef Maria Dormans,Robertus Dominicus Jos Verhaar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-04-21.

Operating method of an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell

Номер патента: US11004857B1. Автор: Cheng-Yu Chung,Wen-Chien Huang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory cells for a programmable read-only memory

Номер патента: GB2090468B. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-05-30.

Read only memory

Номер патента: US11818883B2. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Operating method of an electrically erasable programmable read only memory (eeprom) cell

Номер патента: US20210167074A1. Автор: Cheng-Yu Chung,Wen-Chien Huang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Voltage sensitive resistor (VSR) read only memory

Номер патента: TW201230082A. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L Kane. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-07-16.

Flash electrically erasable programmable read only memory cell and process thereof

Номер патента: TW293948B. Автор: Jin Ahn Byung. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-12-21.

Programmable read-only memory device and method of writing the same

Номер патента: US20130039116A1. Автор: Meinolf Blawat,Holger Kropp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Flat-cell read only memory suitable for word line strap

Номер патента: TW200603164A. Автор: Hsu-Shun Chen. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-16.

Thermally programmable semiconductor read only memory

Номер патента: GB2075256A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-11.

Semiconductor matrices for integrated read-only memories

Номер патента: GB2004688A. Автор: . Владелец: OVCHINNIKOV V. Дата публикации: 1979-04-04.

Semiconductor matrices for integrated read-only memories

Номер патента: GB2004688B. Автор: . Владелец: OVCHINNIKOV V. Дата публикации: 1982-05-06.

VOLTAGE SENSITIVE RESISTOR (VSR) READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20130189824A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Kane Terence L.,Wang Yun-Yu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

SINGLE POLY ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (SINGLE POLY EEPROM) DEVICE

Номер патента: US20130234229A1. Автор: Huang Chih-Jen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-09-12.

Large Bit-Per-Cell Three-Dimensional Mask-Programmable Read-Only Memory

Номер патента: US20140015103A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-01-16.

NUCLEIC ACID-BASED ELECTRICALLY READABLE, READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20220005870A1. Автор: Ke Yonggang,ANANTRAM Manjeri P.,Hihath Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20220005936A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

DISCHARGEABLE ELECTRICAL PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EPROM) CELL

Номер патента: US20180006045A1. Автор: Ng Boon Bing,Villavelez Reynaldo V,Thin Lui Cheat. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2018-01-04.

Three-Dimensional Mask-Programmed Read-Only Memory With Reserved Space

Номер патента: US20170025389A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20190043587A1. Автор: Lu Hsin-Pang,Hsu Chi-Hsiu,Chen Chung-Hao,Mou Ya-Nan,Tsai Chung-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20200066874A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20200066875A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

READ-ONLY MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140151815A1. Автор: HUANG KAI,DU Peng,CAI JIANXIANG,HSU Tsung-nten. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

ONE TIME PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (ROM) IN SOI CMOS

Номер патента: US20180102179A1. Автор: Ning Tak H.,Shahidi Ghavam G.,Yau Jeng-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

THREE-DIMENSIONAL ADDRESSING FOR ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20180114579A1. Автор: Ng Boon Bing,Goy Hang Ru. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2018-04-26.

SINGLE POLY ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM)

Номер патента: US20180114793A1. Автор: CHEN Tzu-Ping,Lee Chih-Haw. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

EMBEDDED CHARGE TRAP MULTI-TIME-PROGRAMMABLE-READ-ONLY-MEMORY FOR HIGH PERFORMANCE LOGIC TECHNOLOGY

Номер патента: US20150138891A1. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Moy Dan,Kirihata Toshiaki,Iyer Subramanian S.,Leu Derek H.. Владелец: International Business Machiness Corporation. Дата публикации: 2015-05-21.

OPERATING METHOD OF AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) CELL

Номер патента: US20210167074A1. Автор: HUANG WEN-CHIEN,CHUNG CHENG-YU,Wu Cheng-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

STACKED FINFET READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20200135747A1. Автор: Reznicek Alexander,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Compact Three-Dimensional Mask-Programmed Read-Only Memory

Номер патента: US20170186811A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-06-29.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: US20170221566A1. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-08-03.

HYBRID MAGNETORESISTIVE READ ONLY MEMORY (MRAM) CACHE MIXING SINGLE-ENDED AND DIFFERENTIAL SENSING

Номер патента: US20150332750A1. Автор: Kim Taehyun,Dong Xiangyu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-19.

Stacked vertical transport field effect transistor electrically erasable programmable read only memory (eeprom) devices

Номер патента: US20190355830A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

MULTI-BIT READ-ONLY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200402574A1. Автор: Somasekhar Dinesh,Wang Xiaofei,GUO Zheng,Ong Clifford,Karl Eric A,Carskadon Gordon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Layout techniques for read-only memory and the like

Номер патента: KR101333436B1. Автор: 데니스 이 두덱크,도널드 에이 에반스,하이 큐 팜,웨인 이 워너,로널드 제이 워즈니악. Владелец: 에이저 시스템즈 엘엘시. Дата публикации: 2013-11-26.

Decoding techniques for read-only memory

Номер патента: KR101357482B1. Автор: 데니스 이 두덱크,도널드 에이 에반스,하이 큐 팜,웨인 이 워너,로널드 제이 워즈니악. Владелец: 에이저 시스템즈 엘엘시. Дата публикации: 2014-02-03.

Hybrid magnetoresistive read only memory (mram) cache mixing single-ended and differential sensing

Номер патента: KR101913489B1. Автор: 샹유 동,태현 김. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2018-10-30.

Read-only memory cell device

Номер патента: JP3636475B2. Автор: クローゼ、ヘルムート,ベルタグノリ、エンメリッヒ. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-04-06.

Semiconductor read-only memory

Номер патента: JP2845414B2. Автор: 泰裕堀田. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1999-01-13.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: JP2688492B2. Автор: スチュワート・ロージー. Владелец: アドバンスト・マイクロ・デバイシズ・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1997-12-10.

Hybrid magnetoresistive read only memory (mram) cache mixing single-ended and differential sensing

Номер патента: KR20170002642A. Автор: 샹유 동,태현 김. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-01-06.

Method of manufacturing mask read-only memory cell

Номер патента: US20010013599A1. Автор: Ming-Jing Ho,Le-Tein Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Programmable read only memory cell and a method for fabricating same

Номер патента: IL111038A0. Автор: . Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1994-11-28.

Improvements in or relating to read only memory circuits

Номер патента: MY7500227A. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1975-12-31.

Method for modifying an instruction sequence that is memorized in a read only memory (ROM) of a smart card and a corresponding smart card

Номер патента: EP2275935A2. Автор: Giovanni Fontana,Giovanni Di Sirio. Владелец: Incard SA. Дата публикации: 2011-01-19.

Method for fabricating a vertical nitride read-only memory (NROM) cell

Номер патента: TW200409298A. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Integrated read-only memory, method for operating such a read-only memory and manufacturing method

Номер патента: DE10207300B4. Автор: Johannes R. Dr. Luyken,Franz Dr. Hofmann,Till Dr. Schlösser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for forming multi-level mask ROM cell and NAND multi-level mask ROM

Номер патента: US20050170588A1. Автор: Chien-Hsing Lee,Jhyy-Cheng Liou,Chin-Hsi Lin. Владелец: Solid State System Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Process for forming an electrically programmable read-only memory cell

Номер патента: US5498560A. Автор: Umesh Sharma,Michael P. Woo. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-03-12.

Complementary read-only memory (rom) cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120163063A1. Автор: Jitendra Dasani. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2012-06-28.

Nitride read only memory device with buried diffusion spacers and method for making the same

Номер патента: US20070085129A1. Автор: Chien Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Nitride read only memory device with buried diffusion spacers and method for making the same

Номер патента: US20110198686A1. Автор: Chien Hung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for producing electrically erasable and programmable read-only memory cells with a single polysilicon level

Номер патента: EP0545074A2. Автор: Carlo Riva,Paolo Ghezzi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1993-06-09.

Nitride read only memory device with buried diffusion spacers and method for making the same

Номер патента: TW200715476A. Автор: Chien-Hung Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-16.

Read-only memory store of type FAMOS, comprises a memory transistor and two access transistors in each cell, and an isolating transistor between neighbouring cells

Номер патента: FR2823900A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-25.

Non-volatile read only memory and its manufacturing method

Номер патента: US6487119B2. Автор: Hitoshi Kokubun,Noboru Egawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-26.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2584728C1. Автор: Олег Михайлович Орлов,Владимир Алексеевич Гриценко,Геннадий Яковлевич Красников,Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of fabricating an nitride read only memory

Номер патента: TWI223414B. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Method of fabricating an nitride read only memory

Номер патента: TW200515542A. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-01.

Programable read only memory

Номер патента: JPS6420668A. Автор: Machio Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-01-24.

Clock synchronous type read only memory

Номер патента: JPH1139894A. Автор: Yasuhiro Hotta,泰裕堀田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-02-12.

Heat insulation for aircraft components and method for assembly and use thereof

Номер патента: RU2753048C2. Автор: Дж. Марк Джозеф КЛЕМЕН,Джерри Ли ВЕРТ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for compensation of distortions of amplitude-phase distribution of field in an opening of an adaptive antenna array, caused by influence of climatic factors

Номер патента: RU2717351C1. Автор: Дмитрий Викторович Сергеев,Юрий Аркадьевич Шишов,Виталий Владимирович Подъячев,Михаил Григорьевич Вахлов,Сергей Евгеньевич Шалдаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-23.

Method for sealing and fabricating cap for field emission display

Номер патента: US6881116B2. Автор: Sang-Jo Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Substrate alignment apparatus aligning substrate and mask and method for aligning substrate and mask

Номер патента: WO2008082049A1. Автор: Seung-hoon Nam,Yoon-Seok Lee. Владелец: Doosan Mecatec Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-07-10.

Multi-bit rom cell with bi-directional read and a method for making thereof

Номер патента: US20050035414A1. Автор: Bomy Chen,Andrew Chen,Kai Yue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit read-only memory device

Номер патента: WO2020257067A1. Автор: Xiaofei Wang,ZHENG GUO,Dinesh Somasekhar,Eric A. KARL,Clifford Ong,Gordon Carskadon. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for forming single-level electrically erasable and programmable read only memory operated in environment with high/low-voltage

Номер патента: US6900097B2. Автор: Ching-Chun Huang,Rong-ching Chen,Jy-Hwang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

Systems and methods for distribution of wireless network access

Номер патента: IE85209B1. Автор: B Quinn Liam,B Pirzada Fahd. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2009-04-29.

Method for determining direct connection category, terminal device and network device

Номер патента: RU2750815C1. Автор: Цяньси ЛУ,Хуэй-Мин ЛИНЬ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-07-05.

Method for controlling data flows in communication networks with integrated access and backhaul connections

Номер патента: RU2766428C1. Автор: Оумер ТЕЙЕБ,Гуннар МИЛЬДХ,Хосе Луис ПРАДАС,Аджмаль МУХАММАД. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2022-03-15.

Method for predicting the image and the device for predicting the image

Номер патента: RU2675092C1. Автор: Хайтао ЯН,Сисинь ЛИНЬ,Жуопу ХУАН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-14.

Method for transmission of emergency call with packet switching between wireless access network of first and second types and communication centre used in it

Номер патента: RU2562768C2. Автор: Цзюнь Ли,И Сун,Ке-Чи ДЖЕНГ. Владелец: МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for indicating control channel resources, subscriber device and network device

Номер патента: RU2760155C2. Автор: Сюй ЧЖАН,Лися СЮЭ,Бинюй ЦЮЙ,Цзюньчао ЛИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-22.

Methods for receiving and transmitting information on the trajectory of an unmanned aerial vehicle

Номер патента: RU2760205C1. Автор: Вэй ХУН. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-22.

Base station device, user equipment and method for transmisting information report on channel state

Номер патента: RU2635546C1. Автор: Бо ЛИ,Чаоцзюнь ЛИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for reconfiguration of resources, base station and user equipment

Номер патента: RU2599619C1. Автор: Бо ЛИНЬ,Тао ЖАН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-10-10.

Method for adjusting the beam and corresponding apparatus

Номер патента: RU2768848C2. Автор: Цзюнь ЛО,Цзиньфан ЧЖАН,Чженчжен СЯН,Лэй ЛУ,Хунцзя СУ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-25.

Mobile station, access node and various methods for implementation of accelerated procedure of access to system

Номер патента: RU2638568C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Пауль ШЛИВА-БЕРТЛИНГ,Мортен СУНДБЕРГ,Стефан ЭРИКССОН ЛЁВЕНМАРК,Джон Уолтер ДИАЧИНА. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2017-12-14.

Method and system for applying a pattern on a mask layer

Номер патента: CA3131546A1. Автор: Dirk Ludo Julien DE RAUW. Владелец: Xeikon Prepress NV. Дата публикации: 2020-09-24.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2688256C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2019-05-21.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2675053C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-12-14.

Method for detecting downlink control information and communication device

Номер патента: RU2769837C2. Автор: Жуйсян МА,Юнся ЛЮЙ,Цзяфэн ШАО,Синхуа СУН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-07.

Method for using timer to periodically update notification area based on radio access network (ran) (rna)

Номер патента: RU2760204C1. Автор: Гуннар МИЛЬДХ,Икаро Леонардо Дж. ДА СИЛЬВА. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-11-22.

Method for implementing communication and communication device

Номер патента: RU2683582C1. Автор: И Го,Хунпин ЧЖАН,Минцзэн ДАЙ,Лэ ЯНЬ,Сюэхуа ВАН,Илэй ЦИНЬ,Сюнфэй ЧЭНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-03-29.

Method for determining the scheduling parameter, method for configuring the scheduling parameter, subscriber equipment and device on the network side

Номер патента: RU2763946C1. Автор: Йу ЙАНГ,Пенг СУН. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-01-11.

Device and method for listening to the uplink channel

Номер патента: RU2747845C1. Автор: Лэй ГУАНЬ,Юань ЛИ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-05-17.

Methods for efficient use of unauthorized spectrum area

Номер патента: RU2742047C1. Автор: Томас НИЛЬССОН,Петер АЛЬРИКССОН,Тхэ ТО. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-02-02.

Device and method for adaptive compensation of distortion and restoration of carrier signal for coherent receivers

Номер патента: RU2664019C9. Автор: Ашот Эрнстович Кочарян. Владелец: Ашот Эрнстович Кочарян. Дата публикации: 2019-08-15.

Karaoke mobile system, method for keeping electromagnetic compatibility for karaoke mobile system, mobile wireless transmitter, cartridge, method for prohibition of usage of unauthorized cartridges and method for preventing unauthorized access to data stored in karaoke mobile system

Номер патента: RU2148862C1. Автор: Я.Ш.-Б. Ровнер,М.А. Агаджанова. Владелец: Агаджанова Марина Алексеевна. Дата публикации: 2000-05-10.

Transmitter and method for communication performed in it

Номер патента: RU2748764C1. Автор: Торстен ДУДДА,Микаэль ВИТТБЕРГ,Мартин СКАРВЕ,Самир ШАХ,Торбьёрн ОРТЕНГРЕН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-05-31.

Method for compression of ethernet headers, the method for decompression of ethernet headers and the device for compression/decompression of ethernet headers

Номер патента: RU2763035C1. Автор: Янься Чжан,Юйминь У. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-27.

Method for calculating the channel quality cqi indicator, terminal and network device

Номер патента: RU2749089C1. Автор: Чжи ЧЖАН,Вэньхун ЧЭНЬ,Чжихуа ШИ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-04.

Electronic apparatus, method for wireless connection and machine-readable information carrying medium

Номер патента: RU2748615C1. Автор: Дзяньфэй КАО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2021-05-28.

Method for random data access and terminal apparatus for random data access

Номер патента: RU2769097C1. Автор: Юйминь У. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-28.

Method for accessing a local area network and a corresponding device

Номер патента: RU2693326C1. Автор: Вэйшэн ЦЗИНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-02.

Method for monitoring quality of communication channel and subscriber equipment

Номер патента: RU2759861C1. Автор: Кай ВУ,Ксуеминг ПАН. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for processing of single-range service and device

Номер патента: RU2630182C2. Автор: Хайфэн ДУАНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for quick establishment of multicast service and corresponding apparatus and system

Номер патента: RU2601187C1. Автор: Синь СЮН,Лисюэ ЧЖАНГ,Вэйхуа ЛИУ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-10-27.

System and method for generating certificate for self-ordering trip

Номер патента: RU2761461C1. Автор: Тао ЛЮ,Тоя УЛАНЬ. Владелец: Бейджин Диди Инфинити Текнолоджи Энд Девелопмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-08.

Direct memory download in a voice data and RF integrated circuit and method for use therewith

Номер патента: US20080146266A1. Автор: Weidong Li,Nelson R. Sollenberger. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

An efficient and scalable architecture and method for isogeny-based cryptosystems

Номер патента: US20240184699A1. Автор: Brian C. Koziel,Rami El Khatib. Владелец: PQSecure Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Image processing apparatus and method for executing effective blocking removal

Номер патента: RU2766557C1. Автор: Чжицзе ЧЖАО,Ананд Мехер КОТРА,Семих ЕСЕНЛИК,Хань ГАО. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-15.

Terminal, method for radio communication and base station

Номер патента: RU2758469C1. Автор: Сатоси НАГАТА,Юки МАЦУМУРА,Хидеюки МОРОГА,Юити КАКИСИМА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus and method for media access control

Номер патента: WO2001008366A8. Автор: Manoj Bhatnagar,Robert D Hoover,Frank Zdybel Jr,Kerry E Lynn,Marie-Dominique Baudot,Philip J Pines,Roger C Meike,Saba Rahman,Timothy A Ryan. Владелец: Centillium Communications Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Device and method for configuring frequency and time resource transmission direction

Номер патента: RU2730967C1. Автор: Лили ЧЖАН,Гожун ЛИ,Хунчэн ЧЖУАНЬ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-26.

Arrangement and method for rf high power generation

Номер патента: RU2652458C2. Автор: Александр Юрьевич Смирнов,Степан Александрович Полихов,Евгений Валерьевич Иванов,Андрей Александрович Краснов,Константин Игоревич Никольский,Георгий Борисович Шарков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс". Дата публикации: 2018-04-26.

System and method for updating read-only memory in smart card memory modules

Номер патента: US09979540B2. Автор: Ksheerabdhi Krishna,Mehdi Asnaashari,Ruchirkumar D. Shah,Sylvain Prevost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for evolving root of trust and electronic device using the same

Номер патента: US20230072351A1. Автор: Mu-Lin Chao,Lung-Chih CHIEN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Control device and method for assuming control

Номер патента: US12099355B2. Автор: Fridtjof Stein. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for evolving root of trust and electronic device using the same

Номер патента: US12093191B2. Автор: Mu-Lin Chao,Lung-Chih CHIEN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Encoder, decoder and method for encoding and encrypting input data

Номер патента: RU2638639C1. Автор: Туомас КЯРККЯЙНЕН. Владелец: Гурулоджик Микросистемс Ой. Дата публикации: 2017-12-14.

System, device and method for data transmission

Номер патента: RU2754679C2. Автор: Хао БИ,Цюфан ХУАН,Тинтин ВАН,Явэй ЛУ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-09-06.

Event-based apparatus and method for securing BIOS in a trusted computing system during execution

Номер патента: US09836610B2. Автор: G. Glenn Henry. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and system for applying a pattern on a mask layer

Номер патента: WO2020188041A1. Автор: Dirk Ludo Julien DE RAUW. Владелец: XEIKON PREPRESS N.V.. Дата публикации: 2020-09-24.

Method and system for applying a pattern on a mask layer

Номер патента: EP3941753A1. Автор: Dirk Ludo Julien DE RAUW. Владелец: Xeikon Prepress NV. Дата публикации: 2022-01-26.

Apparatus and method for improving linearity of transmitter

Номер патента: EP2404383A2. Автор: Jae-Sup Lee,Bum-man Kim,Jin-Sung Choi,Jong-Wook Zeong,Han-Gue Park. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2012-01-11.

Event-based apparatus and method for securing bios in a trusted computing system during execution

Номер патента: US09836609B2. Автор: G. Glenn Henry. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Event-based apparatus and method for securing bios in a trusted computing system during execution

Номер патента: US09805198B2. Автор: G. Glenn Henry. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus and method for initialisation and mapping of reference signals in communication system

Номер патента: RU2515567C2. Автор: Питер СКОВ,Томми КОЙВИСТО,Тимо РОМАН,Мешко ХИМЕЛЬ,Сян Гуан ЧЕ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2014-05-10.

Method for processing a failure, handover method, terminal apparatus and network apparatus

Номер патента: RU2762387C2. Автор: И Го,Вэньцзе ПЭН,Минцзэн ДАЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-20.

Event-based apparatus and method for securing bios in a trusted computing system during execution

Номер патента: US09910991B2. Автор: G. Glenn Henry. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for changing the channel and the corresponding device

Номер патента: RU2753576C2. Автор: Ган СИН,Чжибин ВАН,Чжиган ВЭЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-08-17.

Method for signaling frequency domain resources allocation

Номер патента: RU2743667C1. Автор: Чжипэн ЛИНЬ,Цзяньвэй ЧЖАН,Цзиня ЛИ,Синцинь ЛИНЬ,Стефан ПАРКВАЛЛ,Роберт БАЛДЕМАЙР. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-02-24.

Method for controlling a message of a paging system, subscriber mobile communication equipment, and server

Номер патента: RU2757574C1. Автор: Венджин ЛИ,Байганг ВАНГ. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-10-18.

System and method for detecting obstacles in air traffic systems

Номер патента: RU2762151C2. Автор: Цзэ-Ву ЧОЙ,Джеймс Д. ПАДУАНО,Джеффри Сондерс. Владелец: Аурора Флайт Сайенсиз Корпорейшн. Дата публикации: 2021-12-16.

Touch keys and method for implementing fingerprint recognition, apparatus and terminal device

Номер патента: RU2643460C2. Автор: Чжуншен ЦЗЯН,Кунь ЯН,Цзюнь ТАО. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-02-01.

System and method for sending and responding to information requests in a communications network

Номер патента: US5604869A. Автор: Richard W. Mincher,Kerry E. Lynn. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1997-02-18.

Method for communication and apparatus

Номер патента: RU2771065C1. Автор: Фэн ХАНЬ,Инхао ЦЗИНЬ,Вэй ТАНЬ,Вэньци СУНЬ. Владелец: Хонор Девайс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-26.

Method for communication and communication apparatus

Номер патента: RU2760156C1. Автор: Цзукан ШЭНЬ,Янь Чэн,Хао СУНЬ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-22.

System and method for vehicle power supply using rf-band generators

Номер патента: RU2403154C2. Автор: Стивен Г. ПЕРЛМАН. Владелец: РИЭРДЕН, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-11-10.

Mask frame assembly and method for aligning a substrate and a mask with the mask frame assembly

Номер патента: KR20050053426A. Автор: 강창호. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2005-06-08.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for receiving information on emergency situation, user equipment and base radio station

Номер патента: RU2454029C1. Автор: Микио ИВАМУРА,Хироаки ЯМАГИШИ. Владелец: Нтт Досомо, Инк.. Дата публикации: 2012-06-20.

Signal conversion device, radio frequency identification (rfid) tag, and method for operating the rfid tag

Номер патента: US20090267738A1. Автор: Jean-Fu Kiang,Chi-En Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2009-10-29.

Systems and methods for managing read-only memory

Номер патента: US20150186294A1. Автор: LEI Liu,Brian D. HATFIELD,Wenjeng Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for improving gprs key, sgsn device, user device, hlr / hss and gprs system

Номер патента: RU2683853C1. Автор: Цуйли ГЭ,Лицзя ЧЖАН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-02.

Method for transmitting cell visiting history and wireless equipment for its implementation

Номер патента: RU2640793C2. Автор: Санвон КИМ,Сонхун ЧОН,Ёндэ ЛИ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2018-01-12.

Method for making electronic components using a masking material and a masking material therefor

Номер патента: CA2009274A1. Автор: Bernard VanWert,Donnie R. Juen,Manuel Buentello Iii. Владелец: Manuel Buentello Iii. Дата публикации: 1990-08-22.

Method for making electronic components using a masking material and a masking material therefor

Номер патента: AU4997490A. Автор: Donnie Ray Juen,Bernard VanWert,Manuel Buentello Iii. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1990-08-30.

Method for making electronic components using a masking material and a masking material therefor

Номер патента: AU630665B2. Автор: Donnie Ray Juen,Bernard VanWert,Manuel Buentello Iii. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1992-11-05.

Method for making electronic components using a masking material and a masking material therefor

Номер патента: EP0384616A2. Автор: Donnie Ray Juen,Bernard VanWert,Manuel Buentello, Iii. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1990-08-29.

Device and method for wireless communication, and program

Номер патента: RU2768266C2. Автор: Юити МОРИОКА,Сигэру СУГАЯ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for indicating the possibility, the subscriber equipment and the network element

Номер патента: RU2758834C1. Автор: Сяовань КЭ. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-02.

System and method for controlling volume with a single knob

Номер патента: US7596233B2. Автор: Kuan-Hong Hsieh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-29.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Message expansion decoder and decoding method for a communication channel

Номер патента: US5136290A. Автор: James W. Bond,Paul A. Singer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1992-08-04.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

System and method for storing data in read-only memory

Номер патента: US20020003739A1. Автор: Baher Haroun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

System and method for over erase reduction of nitride read only memory

Номер патента: US20060007734A1. Автор: Han-Sung Chen,Ching-Chung Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

System and method for storing data in read-only memory

Номер патента: US6418047B2. Автор: Baher S. Haroun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-09.

System and method for updating read-only memory in smart card memory modules

Номер патента: US20140229745A1. Автор: Ksheerabdhi Krishna,Mehdi Asnaashari,Ruchirkumar D. Shah,Sylvain Prevost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING READ-ONLY MEMORY IN SMART CARD MEMORY MODULES

Номер патента: US20150280912A1. Автор: Asnaashari Mehdi,PREVOST Sylvain,Shah Ruchirkumar D.,Krishna Ksheerabdhi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Device, system and method for protecting network devices

Номер патента: WO2018060992A1. Автор: YEHEZKEL Erez,Naftaly Sharir,Ayal Avrech. Владелец: Terafence Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Adaptable sense circuitry and method for read-only memory

Номер патента: US20180033472A1. Автор: Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Apparatus and method for increasing the sinusoidal line-to-line output voltage level of any multi-phase power amplifier operating at a maximum line-to-ground output voltage level

Номер патента: US3904949A. Автор: James A Ross. Владелец: Rohr Industries Inc. Дата публикации: 1975-09-09.

Systems and methods for supporting bios accessibility to traditionally nonaddressable read-only memory space

Номер патента: US20210349727A1. Автор: Xiaomei Miller,Chih Yung LAI,Chia Chien Chuang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-11-11.

Oscillator and method for controlling the same

Номер патента: GB2319912A. Автор: Soichi Tsumura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-03.

Event-based apparatus and method for securing bios in a trusted computing system during execution

Номер патента: US20170098080A1. Автор: G. Glenn Henry. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-06.

Device and method for repeatedly updating the function of a monitor

Номер патента: KR100465752B1. Автор: 치아이터-흐시우,타이치아오-옌. Владелец: 노바텍 마이크로일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2005-01-13.

Methods for making mos read-only memories

Номер патента: CA1031079A. Автор: John R. Edwards,Glen T. Cheney. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1978-05-09.

System and method for supporting multiple independent silicon-rooted trusts per system-on-a-chip

Номер патента: US11775690B2. Автор: Mukund Khatri,Eugene Cho. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-10-03.

Mask-programmed read only memory with enhanced security

Номер патента: US9484110B2. Автор: Chulmin Jung,Esin Terzioglu,Sei Seung Yoon,Steven Mark Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Read-only memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20010034099A1. Автор: Hiroshi Mizuhashi,Teruo Katoh. Владелец: Teruo Katoh. Дата публикации: 2001-10-25.

Integrated circuit for performing confidential transaction, has central processing unit, random access memory and read only memory that are connected by data bus that routes encrypted data produced from plain data

Номер патента: FR2862150A1. Автор: Frank Lhermet. Владелец: Innova Card SARL. Дата публикации: 2005-05-13.

Procedure for preparing a read-only memory for use in a digital converter circuit assigned to a resolver, and resolver digital converter circuit with a memory prepared in this way

Номер патента: DE3520643A1. Автор: Michael L. Racine Wis. Gasperi,William G. Milwaukee Wis. Onarheim. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1985-12-12.

Read-only memory and read-only memory device

Номер патента: RU2212716C2. Автор: Пер-Эрик Нордаль,Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2003-09-20.

A read-only memory and read-only memory device

Номер патента: KR100368820B1. Автор: 퍼-에릭 노르달,게이르 아이. 레이스타드,한스 구드 구데센. Владелец: 띤 필름 일렉트로닉스 에이에스에이. Дата публикации: 2003-01-25.

Read-only memory and read-only memory devices

Номер патента: RU2216055C2. Автор: Пер-Эрик Нордаль,Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2003-11-10.

Read only memory and read only memory device

Номер патента: JP2002500430A. Автор: レイスタド、ゲイル、アイ,− エリクノルダル、ペル,グデセン、ハンス、グデ. Владелец: シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ. Дата публикации: 2002-01-08.

Chip for microprocessor card, has read only memory, which contains read only memory-program code, processor for execution of program code

Номер патента: DE102007009212A1. Автор: Frank Schmalz. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2008-08-28.

A read-only memory and read-only memory devices

Номер патента: CA2302014A1. Автор: Per-Erik Nordal,Geirr I. Leistad,Hans Gude Gudesen. Владелец: Hans Gude Gudesen. Дата публикации: 1999-03-25.

Telephone line unit having programmable read-only memory

Номер патента: CA2055803A1. Автор: Claude M. Hurlocker,Michael J. Gingell,Richard M. Czerwiec,Richard R. Rzonca,Benjamin M. Rice,Gus C. Sanders. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-05-21.

Electrically programmable read only memory devices having uniform program characteristic and methods of programming the same

Номер патента: US09805800B1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Microcontroller integrated circuit with read only memory containing a generic program

Номер патента: US5590273A. Автор: Jean-Pierre Balbinot. Владелец: Alcatel Mobile Communication France SA. Дата публикации: 1996-12-31.

WORDLINE DECODER CIRCUITS FOR EMBEDDED CHARGE TRAP MULTI-TIME-PROGRAMMABLE-READ-ONLY-MEMORY

Номер патента: US20150138867A1. Автор: Kirihata Toshiaki,Yin Ming,Leu Derek H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

Physically unclonable function (puf) in programmable read-only memory (prom)

Номер патента: US20200365222A1. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Hybrid magnetoresistive read only memory (mram) cache mixing single-ended and differential sensing

Номер патента: CN106463167A. Автор: X·董,T·金. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

Systems and methods for managing read-only memory

Номер патента: US20160041920A1. Автор: LEI Liu,Brian D. HATFIELD,Wenjeng Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Leakage reduction circuit for read-only memory (rom) structures

Номер патента: US20210398594A1. Автор: Minh Nguyen,Shigeki Shimomura,Ryuji Yamashita,Henry Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Programmable magnetic read only memory (mrom)

Номер патента: WO2008137999A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: MagSil Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Optical disk, method and control mean of defective zone on optical disk of read only memory

Номер патента: RU2348989C2. Автор: Ён Чхол ПАК,Сын Тэ КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-03-10.

Circuit and method for page addressing read only memory

Номер патента: US4831522A. Автор: Kenneth J. Henderson,Ajaykumar A. Amin. Владелец: Microlytics Inc. Дата публикации: 1989-05-16.

Method for starting a system-on-a-chip without read only memory, system-on-a-chip without read only memory and headphone

Номер патента: WO2021122543A1. Автор: Michael Boehm. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for starting a system-on-a-chip without read only memory, system on-a-chip without read only memory and headphone

Номер патента: US20230015614A1. Автор: Michael Böhm. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: US20030002346A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Shang Tarng Jan. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Cost saving electrically-erasable-programmable read-only memory (eeprom) array

Номер патента: US20120039129A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin Chang Lin,Ming-Tsang Yang,Chia-Hao Tai,Yang-Sen Yen. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

System and method for managing expansion read-only memory and management host thereof

Номер патента: US20150317089A1. Автор: Kuan-Jui Ho. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Nitride read-only memory (NROM) device and method for reading the same

Номер патента: US20060268617A1. Автор: Hsien-Wen Hsu,Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Programmable semi-fusible link read only memory and method of margin testing same

Номер патента: EP1774531A4. Автор: Denis Doyle,Oliver Brennan. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: WO2020092406A8. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-12-03.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: EP3874506A1. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (rom) or a one time programmable non volatile memory (otp nvm)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for tightening erase threshold voltage distribution in flash electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM)

Номер патента: US6052310A. Автор: Ravi S. Sunkavalli. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Adaptable sense circuitry and method for read-only memory

Номер патента: US9899069B1. Автор: Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Synchronizer with out-of-line monitors for shared objects in read-only memory

Номер патента: US7685600B1. Автор: Peter D. Shipton,Angela Lin,Andrew R. Low,Peter W. Burka,Gianni S. Duimovich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Electrically erasable and programmable read only memory with an error check and correction circuit

Номер патента: US5448578A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Read only memory character generator system

Номер патента: US4187552A. Автор: Brian P. Verstegen. Владелец: DURANGO SYSTEMS Inc. Дата публикации: 1980-02-05.

Read only memory device

Номер патента: US20040151015A1. Автор: Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

System and method for authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: US20240126865A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Option read-only memory firmware-based remediation

Номер патента: US12086436B2. Автор: Shekar Babu Suryanarayana,Karunakar Poosapalli. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-09-10.

Patching boot code of read-only memory

Номер патента: US09880856B2. Автор: Deniz Karakoyunlu,Kahraman D. Akdemir,Tolga Nihat AYTEK. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Multiple programmable initialize words in a programmable read only memory

Номер патента: US4646269A. Автор: Johnny Chen,Sing Y. Wong. Владелец: Monolithic Memories Inc. Дата публикации: 1987-02-24.

Systems and methods for providing a read only memory cell array

Номер патента: EP4193359A1. Автор: Paramjeet Singh,Bipin Duggal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

System and Method to Emulate an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

Номер патента: US20150039805A1. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto,Xiangting Bi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-05.

Systems and methods for providing a read only memory cell array

Номер патента: WO2022031443A1. Автор: Paramjeet Singh,Bipin Duggal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor read only memory device

Номер патента: CA1166747A. Автор: Jyoji Murakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-01.

Programmable read only memory integrated circuit device

Номер патента: US4045784A. Автор: Hiroshi Mayumi,Yoshinobu Natsui,Norio Kusunose. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-08-30.

Sense amplifier for programmable read only memory

Номер патента: US4758748A. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-07-19.

Read-only memory device

Номер патента: US4384345A. Автор: Koichi Mikome. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-05-17.

Read only memory bitline load-balancing

Номер патента: US20140268985A1. Автор: Rahul K. Nadkarni,Daniel R. Baratta,Konark Patel,Hoan H. Nguyen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Techniques to store configuration information in an option read-only memory

Номер патента: US20130073801A1. Автор: Timofey V. Kutergin,Sergey Samylin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Read-Only Memory (ROM) Security

Номер патента: US20240361923A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Read only memory optical disk method and device for record of operating information on read only memory optical disk

Номер патента: RU2349971C2. Автор: Ён Чхол ПАК,Сын Тэ КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-03-20.

Read-only memory device

Номер патента: US4426686A. Автор: Hitoshi Takahashi,Tsuyoshi Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

High density read-only memory

Номер патента: GB1374881A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1974-11-20.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB1498741A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1978-01-25.

Read-only memory with few programming signal lines

Номер патента: US5224072A. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-29.

Electrically erasable and programmable read only memory device verifiable with standard external power voltage level

Номер патента: US5305260A. Автор: Kazuhisa Ninomiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Read-only memory diagnosis and repair

Номер патента: EP4268229A1. Автор: Benoit Nadeau-Dostie,Jongsin Yun. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Method and apparatus for printed resistive read-only memory

Номер патента: WO2009038942A1. Автор: Daniel R. Gamota,Jie Zhang,Kin P. Tsui,Krishna Kalyanasundaram,John B. Szczech,Xiangcheng Tang,Jerzy Wielgus. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

Read Only Memory and Operating Method Thereof

Номер патента: US20110242904A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Cheng-Hung Lee,Wei-Yang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Read-only memory diagnosis and repair

Номер патента: US20240087665A1. Автор: Benoit Nadeau-Dostie,Jongsin Yun. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of Accessing On-Chip Read Only Memory and Computer System Thereof

Номер патента: US20140344502A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Cheng Tu,Yun-Chin Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Programmable reference voltage generator for a read only memory

Номер патента: CA1250954A. Автор: Qazi Mahmood,Cecil Conkle. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Virtual ground read-only-memory for electronic calculator or digital processor

Номер патента: US4021781A. Автор: Edward R. Caudel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1977-05-03.

Programmable read only memory adaptive row driver circuit

Номер патента: US4698790A. Автор: Walter L. Davis. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-10-06.

Semiconductor read only memory

Номер патента: CA1070428A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Data processor performing a decimal multiply operation using a read only memory

Номер патента: CA1171181A. Автор: Virendra S. Negi,Steven A. Tague. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1984-07-17.

Electrically programmable read only memory device with timing detector for increasing address decoding signal

Номер патента: US5291441A. Автор: Ichiro Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Nonvolatile read only memory device

Номер патента: US4494219A. Автор: Sumio Tanaka,Shigeyoshi Watanabe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-15.

Programmable read only memory with high speed differential sensing at low operating voltage

Номер патента: US6147893A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Read only memory coded print wheel cartridge

Номер патента: CA1162317A. Автор: Gordon Sohl. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Manipulatable read only memories

Номер патента: GB1510731A. Автор: . Владелец: Heimann GmbH. Дата публикации: 1978-05-17.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: CA1185369A. Автор: Andrew C. Tickle. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-04-09.

Programmable read only memory operable with reduced programming power consumption

Номер патента: US4761764A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-02.

Option read-only memory firmware-based remediation

Номер патента: US20240020032A1. Автор: Shekar Babu Suryanarayana,Karunakar Poosapalli. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-18.

Read only memory cell for storing a multiple bit value

Номер патента: US20110051487A1. Автор: Christophe Denis Lucien Frey,Nicolaas Klarinus Johannes Van Winkelhoff,Yannick Marc Nevers,Mikael Brun. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Secure read only memory

Номер патента: US4583196A. Автор: James T. Koo. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1986-04-15.

Bidirectional dual port serially controlled programmable read-only memory

Номер патента: US4402067A. Автор: Ury Priel,William E. Moss,Shlomo Waser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-08-30.

Read only memory

Номер патента: US4090190A. Автор: Vladimir Stepanovich Rostkovsky,Ljubov Dmitrievna Rostkovskaya. Владелец: Rostkovsky Vladimir S. Дата публикации: 1978-05-16.

Mechanically programmable read only memory

Номер патента: CA1215779A. Автор: Oliver C. Ames. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-12-23.

Ternary read-only memory

Номер патента: US3656117A. Автор: Gerald A Maley,James L Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-04-11.

Programmable reference voltage generator for a read only memory

Номер патента: US4754167A. Автор: Cecil Conkle,Qazi A. S. M. Mahmood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-06-28.

Video game having video disk read only memory

Номер патента: US4799677A. Автор: Jeffrey E. Frederiksen. Владелец: Bally Manufacturing Corp. Дата публикации: 1989-01-24.

Read-only memory

Номер патента: US20150310924A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Read only memory and data read method thereof

Номер патента: US10008279B1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Read-only memory (rom) security

Номер патента: EP4281893A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-29.

Read-only memory (rom) security

Номер патента: EP4281891A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-29.

Read only memory (rom) with redundancy

Номер патента: US20130275821A1. Автор: Rohit Shetty,Albert M. Chu,Kevin W. Gorman,Michael R. Ouellette,George M. Braceras,Ronald A. Piro,Daryl M. Seitzer,Thomas W. Wyckoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Read only memory and method of reading same

Номер патента: US20100208506A1. Автор: Ashish Sharma,Manmohan Rana,Bikas Maiti. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-19.

Read-Only Memory (ROM) Security

Номер патента: US20240184932A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: WO2024129847A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: EllansaLabs Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for detecting the position of a mask holder on a measuring table

Номер патента: US20190056674A1. Автор: Hans-Michael Solowan. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2019-02-21.

Apparatus and method for determining physical properties of a mask blank

Номер патента: US7289231B2. Автор: Tarek Lutz,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-30.

Apparatus and method for determining physical properties of a mask blank

Номер патента: US20040194039A1. Автор: Tarek Lutz,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-30.

Systems and methods for treating an eye with a mask device

Номер патента: EP4400089A3. Автор: Marc D. Friedman,Desmond Adler. Владелец: Avedro Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Systems and methods for treating an eye with a mask device

Номер патента: EP4400089A2. Автор: Marc D. Friedman,Desmond Adler. Владелец: Avedro Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

System and method for identfying dummy features on a mask layer

Номер патента: EP1425787A2. Автор: Christophe Pierrat,Fang-Cheng Chang,Jacqueline C. c/o W.P. Thompson & Co. FREEMAN. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-09.

System and method for identifying dummy features on a mask layer

Номер патента: WO2003021654A2. Автор: Christophe Pierrat,Fang-Cheng Chang,Jacqueline Carol Freeman. Владелец: Numerical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2003-03-13.

Method for estimating repair accuracy of a mask shop

Номер патента: US20030065475A1. Автор: Yuan-Hsun Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for estimating repair accuracy of a mask shop

Номер патента: US6654703B2. Автор: Yuan-Hsun Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-25.

System and method for controlling deposition thickness using a mask with a shadow that varies with respect to a target

Номер патента: US20020131182A1. Автор: David Baldwin,Todd Hylton. Владелец: 4 Wave Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for removing a particle from a mask system

Номер патента: US11774870B2. Автор: Sergey Oshemkov,Shao-Chi Wei,Martin Voelcker,Joerg Frederik Blumrich,Thomas Franz Karl Scheruebl. Владелец: Carl Zeiss SMS Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Read-only memory device with securing function and accessing method thereof

Номер патента: US8452935B2. Автор: Chuen-An Lin,Ching-Tsung Tung. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

System and method for identifying dummy features on a mask layer

Номер патента: WO2003021654A3. Автор: Christophe Pierrat,Fang-Cheng Chang,Jacqueline Carol Freeman. Владелец: Jacqueline Carol Freeman. Дата публикации: 2003-05-22.

High-density read-only memory

Номер патента: CA2170087C. Автор: Masakazu Shoji. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

High-density read-only memory employing multiple bit-line interconnection

Номер патента: US5528534A. Автор: Masakazu Shoji. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-06-18.

System and method for use in fabricating a structure

Номер патента: US20170157912A1. Автор: Dallas Steven Scholes,John F. Spalding,Robert J. Keeler,Richard M. Sutherland. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-06-08.

System and method for use in fabricating a structure

Номер патента: US20140261959A1. Автор: Dallas Steven Scholes,John F. Spalding,Robert J. Keeler,Richard M. Sutherland. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and structure for fabricating patterns on phase shift mask for the manufacture of semiconductor wafers

Номер патента: US20050069783A1. Автор: Chi-Yuan Hung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

System and method for facial mask detection and disinfection for reuse

Номер патента: US20240289935A1. Автор: Carlos Velásquez,Shidin BALAKRISHNAN,Julien Abi Nahed,Abdulla Al-Ansari,Nazmul Ahsan,Sarada Prasad Dakua,Joji Abraham. Владелец: New Four Leaves Trading And Contracting Wll. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for facial mask detection and disinfection for reuse

Номер патента: EP4412665A1. Автор: Carlos Velásquez,Shidin BALAKRISHNAN,Julien Abi Nahed,Abdulla Al-Ansari,Nazmul Ahsan,Sarada Prasad Dakua,Joji Abraham. Владелец: New Four Leaves Trading And Contracting Wll. Дата публикации: 2024-08-14.

A semiconductor memory having a mask read only memory (ROM) capable of being set to a plurality of threshold levels

Номер патента: KR960032498A. Автор: 미찌노리 카마야. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-09-17.

System and method for controlling and adjusting a decorator for containers

Номер патента: RU2759174C1. Автор: Джон ЭФНЕР. Владелец: Бол Корпорейшн. Дата публикации: 2021-11-09.

Method for detecting mechanical exposure for user identification and device for its implementation

Номер патента: RU2631977C1. Автор: Иван Сергеевич Холопов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2017-09-29.

Systems and methods for animated head of a character

Номер патента: RU2749000C2. Автор: Шон Дэвид МАККРАКЕН,Эниша ВАЙАС,Кэтлин Аманда КОРРЕЛЛ,Уилльям В. МАКДЖИХИ. Владелец: ЮНИВЕРСАЛ СИТИ СТЬЮДИОС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for compression of neural network model and method and apparatus for language corpora translation

Номер патента: RU2749970C1. Автор: Сян Ли,Цзяньвэй ЦУЙ,Юхуэй СУНЬ,Цзялян ЦЗЯН. Владелец: Бейдзин Сяоми Интиллиджент Текнолоджи Ко., ЛТД.. Дата публикации: 2021-06-21.

Method for adjusting the trajectory, method for motion control and apparatus for adjusting the trajectory

Номер патента: RU2770714C1. Автор: Томоко КУРОТОБИ,Сатоси ТАНГЕ,Масафуми ЦУДЗИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for automatically adding scale symbol to operation formula during operation and system executing the method

Номер патента: US20040078400A1. Автор: Gaai Chong. Владелец: Kinpo Electronics Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for reconfiguring software parameters in a microcontroller as well as a microcontroller and control unit

Номер патента: US09760367B2. Автор: Matthias PETERS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

System and method for determining the efficiency of industrial machine

Номер патента: RU2750054C2. Автор: Кристофер СТЮАРТ. Владелец: ДЖОЙ ГЛОБАЛ АНДЕРГРАУНД МАЙНИНГ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-06-21.

Systems and methods for determining potential malicious event

Номер патента: RU2768512C1. Автор: Синь Ван,Пэнчэн ФЭН,Сяотан ЛИ,Вэньши ЧЖАНЬ,Шаофэй ЧЖАН,Юэ ЦЗЯН. Владелец: Бейджин Диди Инфинити Текнолоджи Энд Девелопмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-24.

Robust method for tracing lines of table

Номер патента: US09898683B2. Автор: Darrell Eugene Bellert. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for determining width of lines in hand drawn table

Номер патента: US09898653B2. Автор: Darrell Eugene Bellert. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for detecting and classifying scene events

Номер патента: RU2686566C2. Автор: Тьерри МИДАВЭН,Оливье ГАРЭН. Владелец: Таль. Дата публикации: 2019-04-29.

Method for predicting the service time, machine-readable data carrier, including the program for predicting the service time, and device for predicting the service life

Номер патента: RU2643471C2. Автор: Ёсикадзу САКАИ. Владелец: ЭЙДЗО Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-01.

System and method for reconstruction with "soft field"

Номер патента: RU2590321C2. Автор: Раджеш В В Л ЛАНГОДЖУ,Уричик БАСУ,КОЙИТИТТА МЕЕТАЛЬ Манодж КУМАР,Сакетраман МАХАЛИНГАМ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2016-07-10.

Memory flash apparatus and method for providing device upgrades over a standard interface

Номер патента: US09870220B2. Автор: Mikhael Lerman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Multivalued mask read-only memory

Номер патента: TW487914B. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2002-05-21.

Read data correction system of mask read-only memory

Номер патента: JPS551607A. Автор: Yasumi Takahashi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-08.

Apparatus and method for software security

Номер патента: WO2021148134A1. Автор: Jan-Erik Ekberg,Carlos CHINEA PEREZ,Rémi Robert Michel DENIS-COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for coupling a digital artwork to a frame and corresponding frame

Номер патента: EP4432203A1. Автор: David Santucci,Giacomo Chiarot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for coupling a digital artwork to a frame and corresponding frame

Номер патента: WO2024188886A1. Автор: David Santucci,Giacomo Chiarot,Antonio Emanuele CINA'. Владелец: Giacomo Chiarot. Дата публикации: 2024-09-19.

Data programming circuit and method for otp memory

Номер патента: US20120066437A1. Автор: Yung-Wei Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Processor and processing method for reusing arbitrary sections of program code

Номер патента: US20070239973A1. Автор: Sanjay Pillay,Ronald WIESE,Nariankadu Hemkumar. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-10-11.

System and method for increasing performance in a compilable read-only memory (ROM)

Номер патента: US6587364B1. Автор: Deepak Sabharwal,Adam Aleksan Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Method for performing configuration management, and associated data storage device and controller thereof

Номер патента: US20200210085A1. Автор: Chien-Chung Chung,Wei-Chia Su,Da-Ru YU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

A method for determining the necessity for refreshing memory cells of an electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: TWI229869B. Автор: Ming-Hung Chou,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-21.

Memory based computation systems and methods for high performance and/or fast operations

Номер патента: US20070244947A1. Автор: Bipul PAUL. Владелец: Toshiba America Research Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

A method for basic input-output system (bios) code compression/decompression dispatcher

Номер патента: WO1996013772A1. Автор: Mark S. Shipman,Christeson Orville. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1996-05-09.

METHOD FOR MANUFACTURING A MASK BLANK SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING A MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSFER MASK, METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE, A MASK BLANK SUBSTRATE, A MASK BLANK, AND A TRANSFER MASK

Номер патента: US20190227428A1. Автор: Tanabe Masaru. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-07-25.

Point of sale (POS) docking station system and method for a mobile barcode scanner gun system with mobile tablet device or stand alone mobile tablet device

Номер патента: US09881292B2. Автор: Bruce J. HICKS,Brian K. McWHIRTER. Владелец: RETAIL TECHNOLOGIES Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

System and method for identifying dummy features on a mask layer

Номер патента: TW548714B. Автор: Christophe Pierrat,Fang-Cheng Chang. Владелец: Numerical Technology Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Arrangement and method for transferring a pattern from a mask to a wafer

Номер патента: TW200401170A. Автор: Karl E Mautz,John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-16.

Integrated circuit with self-verification function, verification method and method for generating a BIST signature adjustment code

Номер патента: US09885754B2. Автор: Chun-Yi Kuo,Chi-Shun Weng. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Apparatus and method for decreasing the memory requirements for bios in a personal computer system

Номер патента: CA2020521C. Автор: Richard Bealkowski,Richard Alan Dayan,Scott Gerard Kinnear,Robert Sachsenmaier,George D. Kovach,John Wiley Blackledge Jr.,Doyle Stanfill Cronk,Matthew Stephen Palka Jr.,Kevin Marshall Zyvoloski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-09.

A system and method for bidirectionally based electrical information storage, processing and communication.

Номер патента: US20220075554A1. Автор: Mitchell Miller. Владелец: Atlas Power Generation Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

A system and method for bidirectionally based electrical information storage, processing and communication

Номер патента: EP3915112A1. Автор: Mitchell Miller. Владелец: Atlas Power Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

A system and method for bidirectionally based electrical information storage, processing and communication.

Номер патента: WO2020150810A1. Автор: Mitchell Miller. Владелец: Mitchell Miller. Дата публикации: 2020-07-30.

A system and method for bidirectionally based electrical information storage, processing and communication

Номер патента: CA3030723C. Автор: Mitchell B. Miller. Владелец: Atlas Power Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

System and method for bidirectionally based electrical information storage, processing and communication

Номер патента: US11954355B2. Автор: Mitchell Miller. Владелец: Atlas Power Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

A system and method for bidirectionally based electrical information storage, processing and communication.

Номер патента: AU2020212630B2. Автор: Mitchell Miller. Владелец: Atlas Power Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Systems and methods for authenticating industrial automation components

Номер патента: US12038741B2. Автор: Daniel E. Killian,Bret S. Hildebran,Chandresh R. Chaudhari,Sean P. Overberger,Neal R. Krejci. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

A system and method for the imparting of optical digital cpus and rom's to diverse physical objects

Номер патента: US20230289547A1. Автор: Gavin Randall Tame. Владелец: Think4ir Pty Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

A system and method for the imparting of optical digital cpus and roms to diverse physical objects

Номер патента: ZA202209070B. Автор: Randall Tame Gavin. Владелец: Think4ir Pty Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

A system and method for the imparting of optical digital cpus and rom's to diverse physical objects

Номер патента: EP4091102A1. Автор: Gavin Randall Tame. Владелец: Think4ir Pty Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

System and method for the imparting of optical digital CPUS and ROM's to diverse physical objects

Номер патента: US12112233B2. Автор: Gavin Randall Tame. Владелец: Think4ir Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for diagonal blowing of engine cylinders for discharge of exhaust gases (embodiments)

Номер патента: RU2699866C2. Автор: Брэд Алан БОЙЕР,Джозеф Норман УЛРЕЙ,Брэд Алан ВАНДЕРВЕГ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-09-11.

Apparatus and method for preventing unauthorized modification to bios in a personal computer system

Номер патента: CA2020520C. Автор: Richard Bealkowski,Richard Alan Dayan,Scott Gerard Kinnear,Robert Sachsenmaier,George D. Kovach,Doyle Stanfill Cronk,Kevin Marshall Zyvoloski,Andrew Boyce Mcneill,John Wiley Blackledge, Jr.,Jerry Duane Dixon,Matthew Stephen Palka, Jr.,Edward Irving Wachtel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-08-15.

Apparatus and method for decreasing the memory requirements for bios in a personal computer system

Номер патента: US5136713A. Автор: Richard Bealkowski,Robert Sachsenmaier,John W. Blackledge, Jr.,Doyle S. Cronk,Richard A. Dayan,Scott G. Kinnear,George D. Kovach,Matthew S. Palka, Jr.,Kevin M. Zyvoloski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-08-04.

Signal processing system with ROM storing instructions encoded for reducing power consumpton during reads and method for encoding such instructions

Номер патента: US5732255A. Автор: Ingrid Verbauwhede. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Memory system and method for protecting the contents of a ROM type memory

Номер патента: US5687354A. Автор: James T. Koo. Владелец: Harry M. Weiss. Дата публикации: 1997-11-11.

Circuit and method for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20210133052A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Alejandro Gabriel Milesi. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Circuit and method for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20190370125A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Alejandro Gabriel Milesi. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Read-only memory (ROM) architecture with selective encoding

Номер патента: US09799409B2. Автор: Wei Zhang,Roy M. Carlson,Dechang Sun,Sudeep Ashok POMAR,Mai T. MacLennan. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Systems and methods for creating two independent different spatial position values, two independent different inertial values or both, using one improved navigation device

Номер патента: RU2691119C2. Автор: Майкл Г. МИЛЛЕР,Адам Росс ХОРНЕР. Владелец: Ханивелл Интернешнл Инк.. Дата публикации: 2019-06-11.

Method for scrubbing regions in central storage

Номер патента: US7100004B2. Автор: Judy S. Chen Johnson,Kevin W. Kark,George C. Wellwood. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-29.

Method for protecting against manipulation of a controller for at least one motor vehicle component and controller

Номер патента: US20060143472A1. Автор: Oliver Feilen,Rüdiger STADTMÜLLER. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2006-06-29.

System and method for modifying firmware used to initialize a computing device

Номер патента: EP3126970A1. Автор: Dhamim Packer Ali,Eugen Pirvu,Ashutosh Jagdish Shrivastava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Read-Only Memory (ROM) Architecture with Selective Encoding

Номер патента: US20170278582A1. Автор: Wei Zhang,Roy M. Carlson,Dechang Sun,Mai T. MAC LENNAN,Sudeep Ashok POMAR. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

User interface, device and method for displaying special locations on map

Номер патента: RU2500016C2. Автор: Санна Маарит БЕЛИТЦ,Йорма Тапио СУУТАРИНЕН,Ари Пекка ХИРВОНЕН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2013-11-27.

Method for storing the control code of a processor allowing effective code modification and addressing circuit therefor

Номер патента: CA1250665A. Автор: Joaquin Picon,Clement Y.G. Poiraud,Daniel Sazbon-Natansohn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-02-28.

Flash memory controller, memory device and method for accessing flash memory module

Номер патента: US20200379674A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Device and method for monitoring indications of malfunction from vehicle, computer-readable media

Номер патента: RU2757436C2. Автор: Робаб САФА-БАКХШ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2021-10-15.

Device and method for patching code residing on a read only memory module utilizing a random access memory for storing a set of fields, each field indicating validity of content of a group, and for receiving an address of a memory portion of the read only memory

Номер патента: US6463549B1. Автор: Shai Shperber,Dmitri Akselrod. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-10-08.

Portable device and method for exchanging data securely with a remote computer

Номер патента: WO2009137946A1. Автор: Thomas Avedik,Stéphane Martignoni. Владелец: Crealogix Holding Ag. Дата публикации: 2009-11-19.

Emulation process and circuit for a read-only memory

Номер патента: US20240330518A1. Автор: Nicolas Anquet,Gilles Pelissier,Ruggero Susella,Julien MONTMASSON. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for ROM program development

Номер патента: US5768563A. Автор: Jeffrey W. Porter,Anthony Overfield. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for forming an optical image, a mask used in the method, a method for manufacturing a device using the method, and an apparatus for performing the method

Номер патента: JP2004501405A. Автор: アントニウス、ジェイ．エム．ネリッセン. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US20180217834A1. Автор: Hee Dong SHIN,Sang Uk Park,Bong Chun Kang,Cheong Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-02.

Read only memory structure

Номер патента: US20020196652A1. Автор: Allen MILLS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods for enhancing erase of a memory device, programmable read-only memory device and method for preventing over-erase of an NROM device

Номер патента: TWI238413B. Автор: Chen-Chin Liu,Samuel C Pan. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-21.

Display method for variable function programmed system

Номер патента: US4342094A. Автор: Gary W. Boone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-07-27.

Method for controlling electronic device

Номер патента: US20230168903A1. Автор: Ye Chen,Lijin Chen,Suzhen Liu. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for controlling electronic device

Номер патента: US11989566B2. Автор: Ye Chen,Lijin Chen,Suzhen Liu. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

METHOD FOR CHARACTERIZING A STRUCTURE ON A MASK AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: US20130308125A1. Автор: Perlitz Sascha. Владелец: Carl Zeiss SMS GmbH. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD FOR CHARACTERIZING A STRUCTURE ON A MASK AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: US20160091300A1. Автор: Perlitz Sascha. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Method for control of recording medium control information on speed of reproduction, recording medium with information on speed of reproduction of video content recorded on it and method of reproduction for recording medium

Номер патента: RU2385502C2. Автор: Сан Вун СУ,Чин Ён Ким. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-03-27.

Apparatus and method for loading a system reference diskette image from a system partition in a personal computer system

Номер патента: CA2044522C. Автор: Richard Bealkowski,Richard Alan Dayan,Robert Sachsenmaier,John Wiley Blackledge Jr.,Doyle Stanfill Cronk,Matthew Stephen Palka Jr.,Kevin Marshall Zyvoloski,Lisa Ruotolo Arnold,Douglas Richard Geisler,Matthew Todd Mittelstedt,John David Paul,Kenneth Donald Smeltzer,Peter Andrew Woytovech. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-10-17.

Apparatus and method for loading a system reference diskette image from a system partition in a personal computer system

Номер патента: CA2044522A1. Автор: Richard Bealkowski,Richard Alan Dayan,Robert Sachsenmaier,John Wiley Blackledge Jr.,Doyle Stanfill Cronk,Matthew Stephen Palka Jr.,Kevin Marshall Zyvoloski,Lisa Ruotolo Arnold,Douglas Richard Geisler,Matthew Todd Mittelstedt,John David Paul,Kenneth Donald Smeltzer,Peter Andrew Woytovech. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-01-24.

Apparatus and method for loading a system reference diskette image from a system partition in a personal computer system

Номер патента: US5214695A. Автор: Richard Bealkowski,Robert Sachsenmaier,John W. Blackledge, Jr.,Doyle S. Cronk,Richard A. Dayan,Matthew S. Palka, Jr.,Kevin M. Zyvoloski,Kenneth D. Smeltzer,Peter A. Woytovech,Lisa R. Arnold,Douglas R. Geisler,Matthew T. Mittelstedt,John D. Paul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Method for characterizing a structure on a mask and device for carrying out said method

Номер патента: WO2012084142A1. Автор: Sascha Perlitz. Владелец: Carl Zeiss SMS GmbH. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for characterizing a structure on a mask and device for carrying out the method

Номер патента: DE102010045135A1. Автор: Dr. Klose Gerd,Dr. Arnz Michael,Dr. Seidel Dirk. Владелец: Carl Zeiss SMS GmbH. Дата публикации: 2012-03-15.

Information processing device comprising a read-only memory and a method for patching the read-only memory

Номер патента: US20120290773A1. Автор: David Naccache. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2012-11-15.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20210098068A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

SYSTEM AND METHOD FOR MODIFICATION OF CODED INSTRUCTIONS IN READ-ONLY MEMORY USING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150242213A1. Автор: Wang Zhongze,Li Yanru,CHUN Dexter Tamio,Uvieghara Gregory Ameriada,Ali Dhamim Packer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS WITH READ-ONLY MEMORY FEATURES AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Parry Jonathan S.,Raad George B.,Rehmeyer James S.,Cowles Timothy B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS WITH READ-ONLY MEMORY FEATURES AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Parry Jonathan S.,Raad George B.,Rehmeyer James S.,Cowles Timothy B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Information processing device comprising a read-only memory and a method for patching the read-only memory

Номер патента: EP2523105B1. Автор: David Naccache. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2019-12-04.

Method for manufacturing precision gears and a masking tool useful in practicing the method

Номер патента: WO1998050596A1. Автор: Edward H. Bittner,Walter S. Koscomb, Iii,George D. Mitchell, Jr.. Владелец: SIKORSKY AIRCRAFT CORPORATION. Дата публикации: 1998-11-12.

Programmable read-only memory and method for operating the read-only memory

Номер патента: US6525963B2. Автор: Thomas Kern,Jurgen Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-25.

Programmable read-only memory and method for operating the read-only memory

Номер патента: DE19916065A1. Автор: Thomas Kern,Juergen Peter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-10-19.

Method for reading memory cell of read-only memory (ROM) type

Номер патента: FR2802697A1. Автор: Rosa Francesco La. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-06-22.

Method for marking intraocular lenses using a mask of opaques forming the configuration of coding characters

Номер патента: CA1099561A. Автор: Emil W. Deeg,Edward Z. Zdrok. Владелец: American Optical Corp. Дата публикации: 1981-04-21.

Method and apparatus for compressing system read only memory in a computing system

Номер патента: US5836013A. Автор: Todd Michael Greene,John Edward Hallin, Jr.. Владелец: Phoenix Technologies Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Liquid crystal displays, a method for manufacturing the same, and a mask for optical treatment of an alignment layer of the same

Номер патента: TWI259314B. Автор: Baek-woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-01.

Systems and methods for self correcting secure computer systems

Номер патента: US11868205B1. Автор: Joshua Neustrom,Edward Neustrom. Владелец: Keep Security LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for starting a system-on-a-chip without read only memory, system-on-a-chip without read only memory and headphone

Номер патента: EP3839730B1. Автор: Michael Böhm. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2023-11-29.

Read only memory (ROM)-emulated memory (REM) profile mode of memory device

Номер патента: US11798601B2. Автор: Qisong Lin,Fulvio Rori,Preston A. Thomson,Jonathan Wen Jian Oh,Allison Jayne Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Partitioned random access and read only memory

Номер патента: WO2008005057A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honoeywell International Inc.. Дата публикации: 2008-01-10.

Non-volatile memory storage system and method for reading an expansion read only memory image thereof

Номер патента: TW200933368A. Автор: Yung-Hsiang Cho. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-01.

Partitioned random access and read only memory

Номер патента: EP2013879A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-14.

Partitioned random access and read only memory

Номер патента: WO2008005057A3. Автор: Romney R Katti. Владелец: Honoeywell Internat Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

METHOD FOR DETECTING THE POSITION OF A MASK HOLDER ON A MEASURING TABLE

Номер патента: US20190056674A1. Автор: Solowan Hans-Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR TREATING AN EYE WITH A MASK DEVICE

Номер патента: US20170156926A1. Автор: Friedman Marc D.,Adler Desmond. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR TREATING AN EYE WITH A MASK DEVICE

Номер патента: US20200229974A1. Автор: Friedman Marc D.,Adler Desmond. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

APPARATUS AND METHOD FOR EXAMINING A SURFACE OF A MASK

Номер патента: US20160341763A1. Автор: Edinger Klaus,Budach Michael,Hofmann Thorsten,Baralia Gabriel,Szych Pawel. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

System and method for predicting turbine rub

Номер патента: RU2602318C2. Автор: Молли Энн МАЛКОЛЬМСОН,Дебасис БАЛЬ,Раджагопалан ЧАНДРАСЕХАРАН,Раджан РУПЕШ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2016-11-20.

System and method for curing polymeric moldings having a masking collar

Номер патента: US7387759B2. Автор: Allen Gilliard,George Burnett,William Michael Kelly,John Michael Dilworth. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2008-06-17.

System and method for controlling deposition thickness using a mask with a shadow that varies along a radius of a substrate

Номер патента: US6402905B1. Автор: Todd Lanier Hylton,David Alan Baldwin. Владелец: 4 Wave Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

High-density optical disc, method for recording and reproducing encrypted data thereon

Номер патента: US7599279B2. Автор: Jin Yong Kim,Sang Woon Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-10-06.

A method for performing transmission tuning of a mask pattern to improve process latitude

Номер патента: CN1674226A. Автор: X·施,D·范登布罗克,J·F·陈,S·D·苏. Владелец: ASML FRISKET TOOLS BV. Дата публикации: 2005-09-28.

High-density optical disc, method for recording and reproducing encrypted data thereon

Номер патента: EP1509912A1. Автор: Jin Yong Kim,Sang Woon Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-02.

Method and apparatus to conditionally precharge a partitioned read-only memory with shared wordlines for low power operation

Номер патента: US20030107933A1. Автор: Robert Rogenmoser,Daniel Dobberpuhl,Steve Nishimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: EP3874506A4. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Memory system and read-only-memory system

Номер патента: TW200703344A. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Cheng-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-16.

Data processing method for an electronic compass system

Номер патента: US5828984A. Автор: Rafi A. Al-Attar,Russell E. Cage. Владелец: Chrysler Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Method for controlling an integrated microprocessor with a programmable read-only-memory and integrated circuit for implementing said method

Номер патента: AU7923198A. Автор: Frederic Heurtaux,William Parin. Владелец: Sagem SA. Дата публикации: 1998-12-30.

Point of sale (pos) docking station system and method for a mobile barcode scanner gun system with mobile tablet device or stand alone mobile tablet device

Номер патента: CA3052000C. Автор: Bruce J. HICKS,Brian K. McWHIRTER. Владелец: RETAIL TECHNOLOGIES Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Method for simulating the filling of a sedimentary basin

Номер патента: US5844799A. Автор: Philippe Joseph,Didier Granjeon. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 1998-12-01.

Split footer topology to improve vmin and leakage power for register file and read only memory designs

Номер патента: US20230410905A1. Автор: Arindrajit Ghosh,Gaurav Kabra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for dynamically selecting a booting operating system and apparatuses using the same

Номер патента: US20150268964A1. Автор: Shu-Lin Chao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method of reading the bits of nitride read-only memory cell

Номер патента: US20080205135A1. Автор: Hsien-Wen Hsu,Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Flash memory device configurable to provide read only memory functionality

Номер патента: EP3259758B1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-07.

Memory system and read-only-memory system

Номер патента: TWI301979B. Автор: Cheng Hung Lee,Ching Wei Wu,Hung Jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-11.

System, information processing apparatus, method for determining type of recording medium, and storage medium

Номер патента: US20240001692A1. Автор: Keiko Harada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

COMPLEMENTARY READ-ONLY MEMORY (ROM) CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140003121A1. Автор: Dasani Jitendra. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2014-01-02.

ADAPTABLE SENSE CIRCUITRY AND METHOD FOR READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20180033472A1. Автор: Yang Jianan. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20160041920A1. Автор: LIU Lei,HATFIELD Brian D.,KO Wenjeng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-11.

READ ONLY MEMORY (ROM)-EMULATED MEMORY (REM) PROFILE MODE OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220093145A1. Автор: Thomson Preston A.,Rori Fulvio,Lin Qisong,Oh Jonathan Wen Jian,Olson Aaron James. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

System, Apparatus And Method For Dynamic Update To Code Stored In A Read-Only Memory (ROM)

Номер патента: US20200104119A1. Автор: Nyshadham Phani Kumar,Carsten Bendixen,Kroon Peter. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Read only memory (rom)-emulated memory (rem) profile mode of memory device

Номер патента: US20210193199A1. Автор: Qisong Lin,Fulvio Rori,Preston A. Thomson,Jonathan Wen Jian Oh,Aaron James Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20150186294A1. Автор: LIU Lei,HATFIELD Brian D.,KO Wenjeng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-02.

Field-Repair System and Method for Large-Capacity Mask-Programmed Read-Only Memory

Номер патента: US20150269034A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR SUPPORTING BIOS ACCESSIBILITY TO TRADITIONALLY NONADDRESSABLE READ-ONLY MEMORY SPACE

Номер патента: US20210349727A1. Автор: MILLER Xiaomei,LAI Chih Yung,CHUANG Chia Chien. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2021-11-11.

SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING EXPANSION READ-ONLY MEMORY AND MANAGEMENT HOST THEREOF

Номер патента: US20150317089A1. Автор: Ho Kuan-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Medical data entry, consulting and processing device for providing medical assistance to patient to be diagnosed, has compact disc-read only memory with application software for reading data from memory and writing new data to memory

Номер патента: FR2865822A1. Автор: Pierre Rabischong,Yves Arnail,Bernard Delbourg. Владелец: Bernard Delbourg. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for read only memory shadowing

Номер патента: US6216224B1. Автор: Dean A. Klein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-04-10.

Memory element with a definite number of write cycles, comprises memory units of programmable read-only memory (PROM) type controlled by a chain of selection units

Номер патента: FR2840443A1. Автор: Richard Fournel,Philippe Candelier,Jean Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-12-05.

Read only memory devices with independently precharged virtual ground and bit lines and methods for operating the same

Номер патента: US6801446B2. Автор: In-Gyu Park,Yong-jae Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-05.

Method for programming data into an electrically programmable read-only-memory

Номер патента: EP0251889B1. Автор: Gilles Lisimaque. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1990-10-10.

Method for recording power-on accumulated time of task machine by using EEPROM (electrically erasable programmable read-Only memory) under battery-free condition

Номер патента: CN111797031A. Автор: 廖晓明,李建华,彭云龙,曹珊,邹敏怀,胡逸,谢锦涛,游彬,刘昌健,李浔,胡朝纲,蓝武. Владелец: Jiangxi Hongdu Aviation Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for booting up a software in the boot sector of a programmable read-only memory

Номер патента: WO2004114131A1. Автор: Burkhard Kuhls,Thomas Kalverkamp. Владелец: Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for flashing a read only memory (ROM) chip of a host adapter with updated option ROM bios code

Номер патента: US6282647B1. Автор: Nilesh R. Shah,Wendy Q. Leung. Владелец: Adaptec Inc. Дата публикации: 2001-08-28.

Programmable read only memory integrated circuit with bit-check and deprogramming modes and methods for programming and testing said circuit

Номер патента: EP0031380B1. Автор: Vernon G. Mckenney,John K. Hampton. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1986-12-30.

Method for processing data in read only memory drive

Номер патента: KR100524946B1. Автор: 김인구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-01.

Method for eliminating crosstalk interference of contact/via-programmed read-only-memory

Номер патента: TW200623143A. Автор: Kuei-Ann Wen,Meng-Fan Chang. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2006-07-01.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: EP1856673A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-11-21.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: CA2600501A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: Nadeem A. Quraishi. Дата публикации: 2006-09-21.

Microcontroller and update method for microcontroller

Номер патента: US20230315482A1. Автор: Kenichi Morioka. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

INITIATING OPERATION OF A TIMING DEVICE USING A READ ONLY MEMORY (ROM) OR A ONE TIME PROGRAMMABLE NON VOLATILE MEMORY (OTP NVM)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: Li Hui,Hsu John. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

TESTING READ-ONLY MEMORY USING MEMORY BUILT-IN SELF-TEST CONTROLLER

Номер патента: US20200135290A1. Автор: Singh Jasbir,Narayanan Prakash,NARESH Nikita,INUGANTI Prathyusha Teja,YARADUYATHINAHALLI Rakesh Channabasappa,ACHARYA Aravinda,NARAYANAN Naveen Ambalametil. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

TESTING READ-ONLY MEMORY USING MEMORY BUILT-IN SELF-TEST CONTROLLER

Номер патента: US20200388346A1. Автор: Singh Jasbir,Narayanan Prakash,NARESH Nikita,INUGANTI Prathyusha Teja,YARADUYATHINAHALLI Rakesh Channabasappa,ACHARYA Aravinda,NARAYANAN Naveen Ambalametil. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Programmable read-only memory with improved fetch time

Номер патента: RU2162254C2. Автор: Хольгер Седлак. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-01-20.

Semiconductor memory device, for use in read-only memory type units.

Номер патента: FR2799874A1. Автор: Masaki Uekubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-20.

Read only memory device having memory cells each storing one of three states

Номер патента: EP0256935A3. Автор: Yasuo Suzuki,Yasuaki Suzuki,Nobuo Ikuta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-04-18.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US20020181269A1. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory management logic for expanding the utilization of read-only memories

Номер патента: WO2002039457A2. Автор: Peter Mahrla. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-16.

Arrangement for generating a programming voltage of a programmable read-only memory, in particular of the EPROM type, and associated methods and memories

Номер патента: DE69219058T2. Автор: Emilio Yero. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-07-24.

Semiconductor read-only memory device having means for replacing defective memory cells

Номер патента: EP1039385B1. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) and memory array thereof

Номер патента: CN103811060A. Автор: 张博,张�雄,孔蔚然,李冰寒,顾靖. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Method of fast access to a read-only memory and fast-access memory using this method.

Номер патента: FR2535886A1. Автор: Claude Paul Henri Lerouge,Joel Serge Gerard Colardelle. Владелец: Laboratoire Central de Telecommunications SA. Дата публикации: 1984-05-11.

Memory management logic for expanding utilization of read-only memories

Номер патента: CN1473336A. Автор: P,P·马赫拉. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-04.

Circuit for generating a programming voltage for a programmable read-only memory, especially of an EPROM type, and method and memory relating to it

Номер патента: EP0538121B1. Автор: Emilio Yero. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-04-16.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US20050018465A1. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: Do Young-Sook. Дата публикации: 2005-01-27.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US6771528B2. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-03.

Read-only memory and how to address this memory

Номер патента: KR19990071848A. Автор: 홀거 제들라크. Владелец: 피터 토마스. Дата публикации: 1999-09-27.

Data processor using read only memory for optimizing access of main-memory and identifying starting position of operand

Номер патента: JPS57172439A. Автор: Ei Teigu Suteiibun,Esu Neji Buirendora. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1982-10-23.

Read-only memory circuit and design method thereof, read-only memory and electronic equipment

Номер патента: CN111968696B. Автор: 赵慧,黄瑞锋. Владелец: Haiguang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Information processing device, having read-only memory, and method of making corrections to read-only memory

Номер патента: RU2582862C2. Автор: Давид НАККАШ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-04-27.

A flash memory device configurable to provide a read-only memory function

Номер патента: KR101882641B1. Автор: 헝 큐옥 구엔,히예우 반 트란,안 리,투안 부. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2018-08-24.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US20060215436A1. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: Do Young-Sook. Дата публикации: 2006-09-28.

Read-only memory with optimised line capacity and method of encoding such a memory

Номер патента: FR2583203A1. Автор: Jacques Meyer. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1986-12-12.

Flash memory device configurable to provide read only memory functionality

Номер патента: US9620216B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: US10818374B2. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Split read only memory architecture for storage option read only memories

Номер патента: US20070186089A1. Автор: WEI Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: WO2006098932A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: IGT. Дата публикации: 2006-09-21.

Testing computer program stored in read=only memory - transferring data into read-write memory during program run to enable check of testing completeness

Номер патента: DE4024138A1. Автор: Gerald Helmstaedter,Titus Dreismann. Владелец: Mannesmann VDO AG. Дата публикации: 1992-02-06.

Boot read-only memory (rom) configuration optimization

Номер патента: US20080022033A1. Автор: Richard A. Dayan,William E. Atherton,Scott N. Dunham,William B. Schwartz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20150262692A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20150255164A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20140140141A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US9111628B1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Read-only memory with twisted bit lines

Номер патента: US20060256604A1. Автор: Francois Jacquet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-11-16.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: AU2006223528A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2006-09-21.

Encoded Read-Only Memory (ROM) Decoder

Номер патента: US20110242927A1. Автор: Myron Buer,Brandon Bartz,Dechang Sun. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method and apparatus for emulating an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) using non-volatile floating gate memory cells

Номер патента: TW200511318A. Автор: Shane C Hollmer,Trevor Blyth,David Sowards. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2005-03-16.

Memory device, in particular programmable read-only memory, capable of being checked under conditions identical to those present during use

Номер патента: FR2544906A1. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-10-26.

Method and apparatus to conditionally precharge a partitioned read-only memory with shared wordlines for low power operation

Номер патента: US20020167854A1. Автор: Robert Rogenmoser,Daniel Dobberpuhl,Steve Nishimoto. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Read only memory device

Номер патента: TW200416737A. Автор: Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-01.

Read only memory device

Номер патента: TWI231507B. Автор: Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-21.

Sequence controller for read only memory

Номер патента: WO1981001337A1. Автор: Y Kuze. Владелец: Y Kuze. Дата публикации: 1981-05-14.

Read only memory

Номер патента: JPS56153581A. Автор: Hisanori Hamano,Hiromi Nagayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-11-27.

Patching of a read only memory

Номер патента: AU2607900A. Автор: James L. Porter,Steven W. Bennett,Kurt Schurecht. Владелец: PRAIRIECOMM Inc. Дата публикации: 2000-09-04.

Programmable semi-fusible link read only memory and method of margin testing same

Номер патента: TWI283410B. Автор: Denis Doyle,Oliver Brennan. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-07-01.

Programmable logic array and read-only memory area reduction using context-sensitive logic for data space manipulation

Номер патента: US20120159129A1. Автор: Kameswar Subramaniam,Jonathan D. Combs,Anthony Wojciechowski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Read-only memory for microprocessor systems having shared address/data lines

Номер патента: GB8907803D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-05-17.

Read-only memory for microprocessor systems having shared address/data lines

Номер патента: HK1001574A1. Автор: Terry I Kendall. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-06-26.

Basic input-output system (BIOS) read-only memory (ROM) including expansion table for expanding monochrome image into color image

Номер патента: TW480403B. Автор: Timothy A Lewis. Владелец: Phoenix Tech Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Virtual ground read only memory

Номер патента: GB2170671B. Автор: James David Sproch,Jr Henry William Pechar. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1989-06-14.

Simulator for read only memory

Номер патента: JPS53132230A. Автор: Koji Fujimoto,Shinichi Hayashi,Iwao Asakawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-17.

Fabricating method of binary code pattern for read only memory

Номер патента: TW440851B. Автор: Chun-Jung Lin,Chun-Yi Yang,Bing-Yiing Wang,Jui-Chin Chang,Mim-Tsung Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-16.

Computer controller system with a reprogrammable read only memory

Номер патента: GB1492081A. Автор: . Владелец: Modicon Corp. Дата публикации: 1977-11-16.

Sequence controller for read-only memory

Номер патента: WO1981001338A1. Автор: Y Kuze. Владелец: Y Kuze. Дата публикации: 1981-05-14.

Read-only memory device

Номер патента: JPS56134393A. Автор: Hideyuki Kobayashi,Hiromi Nagayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-10-21.

Programmable semi-fusible link read only memory and method of margin testing same

Номер патента: TW200617974A. Автор: Denis Doyle,Oliver Brennan. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Read only memory capable of realizing high-speed read operation

Номер патента: GB9907238D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-26.

Read only memory capable of realizing high-speed read operation

Номер патента: TW466496B. Автор: Byeng-Sun Choi,Kang-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-01.

Circuit for generating the programming voltage for an¹erasable read-only memory

Номер патента: IE850132L. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1985-07-25.

Circuit for generating the programming voltage for an erasable read-only memory

Номер патента: IE56266B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-05.

Programmable read - only memory devices

Номер патента: KR900006140B1. Автор: Manabu Tsuchida,Masanobu Yosida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-08-24.

Electrically erasable programmable read only memory(eeprom)device

Номер патента: GB9224833D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-01-13.

An electrically erasable and programmable read-only memory having a small unit for program and erase

Номер патента: TW425558B. Автор: Sohrab Kianian,Dana Lee. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2001-03-11.

Virtual ground read only memory

Номер патента: GB8602198D0. Автор: . Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1986-03-05.

High read speed multivalued read only memory device

Номер патента: TW372318B. Автор: Masanori Hirano. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-21.

Read-only memory

Номер патента: JPS56159898A. Автор: Shinji Morozumi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1981-12-09.

Selecting alternate addressing mode in a read-only memory

Номер патента: GB2176324A. Автор: George R Canepa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1986-12-17.

Apparatus for selecting alternate addressing mode and read-only memory

Номер патента: GB2176324B. Автор: George R Canepa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-07-05.

Basic input-output system (bios) read-only memory (rom) with capability for vertical scrolling of bitmapped graphic data by columns

Номер патента: AU1190799A. Автор: Timothy A. Lewis. Владелец: Phoenix Technologies Ltd. Дата публикации: 1999-05-10.

Programmable read only memory

Номер патента: GB9104743D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-04-17.

Method of programming a read only memory

Номер патента: AU5129373A. Автор: Karstetter Rudolf. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1974-07-25.

Programmable read only memory

Номер патента: HK1000223A1. Автор: Burri Michel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-02-06.

Basic input-output system (BIOS) read-only memory (ROM) with capability for vertical scrolling of bitmapped graphic text by columns

Номер патента: TW449733B. Автор: Timothy A Lewis. Владелец: Phoenix Tech Ltd. Дата публикации: 2001-08-11.

Electrically programmable read-only memory

Номер патента: HK63894A. Автор: Gregory E Atwood,Owen W Jungroth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-07-15.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Encoded Read-Only Memory (ROM) Bitcell, Array, and Architecture

Номер патента: US20130170277A1. Автор: BUER Myron,SUN Dechang,JACOBSON Duane,KNEBELSBERGER David William,LeCLAIR Kevin. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-04.

Mask-Programmed Read-Only Memory with Reserved Space

Номер патента: US20130227204A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Read only memory (rom) with redundancy

Secure Three-Dimensional Mask-Programmed Read-Only Memory

Номер патента: US20130311790A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

SECURE DATA PROTECTION WITH IMPROVED READ-ONLY MEMORY LOCKING DURING SYSTEM PRE-BOOT

Номер патента: US20140047174A1. Автор: Zimmer Vincent J.,Swanson Robert C.,Sakthikumar Palsamy,Nallusamy Eswaramoorthi. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

READ ONLY MEMORY ARCHITECTURE FOR ANALOG MATRIX OPERATIONS

Номер патента: US20220028444A1. Автор: KASHMIRI Sayyed Mahdi,WOJCIECHOWSKI Kenneth,PAPAGEORGIOU Efthymios. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

MASK-PROGRAMMED READ ONLY MEMORY WITH ENHANCED SECURITY

Номер патента: US20150029778A1. Автор: Terzioglu Esin,Yoon Sei Seung,Jung Chulmin,Millendorf Steven. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-29.

System and Method to Emulate an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

High-Performance Scalable Read-Only-Memory Cell

Номер патента: US20140140121A1. Автор: Clinton Michael Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20140140141A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Three-Dimensional Mask-Programmed Read-Only Memory With Reserved Space

Номер патента: US20160085671A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

pBIST READ ONLY MEMORY IMAGE COMPRESSION

Номер патента: US20140164855A1. Автор: Damodaran Raguram,Bhoria Naveen,Kokrady Aman. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-12.

BITLINE CIRCUITS FOR EMBEDDED CHARGE TRAP MULTI-TIME-PROGRAMMABLE-READ-ONLY-MEMORY

Номер патента: US20150138868A1. Автор: Kirihata Toshiaki,Castalino Pamela,Leu Derek H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

Lookup Tables Utilizing Read Only Memory and Combinational Logic

Номер патента: US20140223136A1. Автор: Chang Wu,Guo Xiangdong,SHEN Rui,KARABED Razmik,Li Zhi Bin,Wu Zhiwei. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-08-07.

DYNAMIC COMPRESSION IN AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMBLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) EMULATION SYSTEM

Номер патента: US20190138228A1. Автор: Mu Fuchen,Shao Botang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

OPTION READ-ONLY MEMORY USE

Номер патента: US20140237226A1. Автор: BERLIN Kimon. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

Two-bit read-only memory cell

Номер патента: US20140241028A1. Автор: Vikash,Rajiv Kumar Roy. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

FAST ACCESS WITH LOW LEAKAGE AND LOW POWER TECHNIQUE FOR READ ONLY MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140241061A1. Автор: Roy Rajiv Kumar,Singh Disha,Singh Sahilpreet. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-08-28.

Patching Boot Code of Read-Only Memory

Номер патента: US20140244991A1. Автор: Aytek Tolga Nihat,Karakoyunlu Deniz,Akdemir Kahraman D.. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

READ ONLY MEMORY BITLINE LOAD-BALANCING

Номер патента: US20140268985A1. Автор: Nadkarni Rahul K.,Baratta Daniel R.,Patel Konark,Nguyen Hoan H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Read Only Memory Array Architecture and Methods of Operation

Номер патента: US20140268986A1. Автор: BUER Myron,SUN Dechang,VEDULA Narayana Rao. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Differential Read-Only Memory (ROM) Device

Номер патента: US20200168256A1. Автор: Kuoyuan Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Option read-only memory use

Номер патента: US20160188347A1. Автор: Kimon Berlin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-06-30.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND STORAGE ARRAY OF THE SAME

Номер патента: US20150255124A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Xiong,Kong Weiran,Li Binghan,Gu Jing. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND STORAGE ARRAY OF THE SAME

Номер патента: US20150255125A1. Автор: Gu Jing. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

READ MARGIN MEASUREMENT IN A READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20150255164A1. Автор: Grant David Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

DIFFERENTIAL READ-ONLY MEMORY (ROM) DEVICE

Номер патента: US20190237113A1. Автор: HSU Kuoyuan,CHANG Jacklyn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-08-01.

READ MARGIN MEASUREMENT IN A READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20150262692A1. Автор: Grant David Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Method of Accessing On-Chip Read Only Memory and Computer System Thereof

Номер патента: US20140344502A1. Автор: Hsu Chia-Jung,TU CHIH-CHENG,Lin Yun-Chin. Владелец: SKYMEDI CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-20.

Field-Repair System and Method of Mask-Programmed Read-Only Memory

Номер патента: US20170255516A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-09-07.

READ ONLY MEMORY (ROM) WITH REDUNDANCY

Номер патента: US20140351662A1. Автор: Gorman Kevin W.,Ouellette Michael R.,SHETTY ROHIT,Chu Albert M.,Seitzer Daryl M.,Braceras George M.,PIRO Ronald A.,WYCKOFF Thomas W.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Read-Only Memory (ROM) Architecture with Selective Encoding

Номер патента: US20170278582A1. Автор: ZHANG Wei,SUN Dechang,MAC LENNAN Mai T.,POMAR Sudeep Ashok,CARLSON Roy M.. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-28.

BOOTING A SERVER USING A REMOTE READ-ONLY MEMORY IMAGE

Номер патента: US20140372745A1. Автор: YU Richard Wei Chieh,Haas Terry T.,Young Erik Levon. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190287636A1. Автор: RACHINSKY Rumen,RADEV Aleksandar,IVANOV Valeri. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20150310924A1. Автор: WU Ching-Wei,CHEN Kuang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-10-29.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Optimizing Read Only Memory Surface Accesses

Номер патента: US20180300929A1. Автор: Koker Altug,Ray Joydeep,Vembu Balaji,Appu Abhishek R.,Surti Prasoonkumar,Ranganathan Vasanth,Sinha Kamal,Borole Bhushan M.,Fu Wenyin. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD AND APPARATUS FOR USING A DEFECTIVE DYNAMIC READ-ONLY MEMORY REGION

Номер патента: US20150331623A1. Автор: Dong Xiangyu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-19.

THREE-DIMENSIONAL ADDRESSING FOR ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20160343439A1. Автор: Ng Boon Bing,Goy Hang Ru. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2016-11-24.

ELECTRICALLY PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY DEVICES HAVING UNIFORM PROGRAM CHARACTERISTIC AND METHODS OF PROGAMMING THE SAME

Номер патента: US20170337970A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

High-density read only memory and digital signal fetching method

Номер патента: KR100220760B1. Автор: 쇼지 마사까주. Владелец: 에이티 앤드 티 아이피엠 코포레이션. Дата публикации: 1999-10-01.

Semiconductor read only memory

Номер патента: KR950010300B1. Автор: 야수히로 홋타. Владелец: 쓰지 하루오. Дата публикации: 1995-09-14.

Data changing device for read only memory

Номер патента: JPS589291A. Автор: Hideyuki Kumasaka,Toshiharu Suzuki,熊坂　秀行,鈴木　敏治. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-19.

Method and system for file system management using a flash-erasable, programmable, read-only memory

Номер патента: US6256642B1. Автор: William J. Krueger,Sriram Rajagopalan. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

Programmable read?only memory

Номер патента: KR100880058B1. Автор: 수나이 샤흐,올리비어 카임 아베드-메라임,패트릭 제베디. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-01-22.

data programing device of read only memory and the same method

Номер патента: KR100613498B1. Автор: 조인호. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2006-08-17.

VOLTAGE SENSITIVE RESISTOR (VSR) READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20120001140A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Kane Terence L.,Wang Yun-Yu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Bit reading method for silicon nitride read-only memory unit

Номер патента: CN100466105C. Автор: 朱季龄,许献文,沈建元. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for manufacturing tunnel oxide layer window in electrically erasable programmable read only memory (EEPROM)

Номер патента: CN102543697B. Автор: 赵晓燕,彭坤,赵连国,王刚宁,陈宗高. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-02-26.

Methods and tools for creation of read-only-memory software binary images and corresponding software patches

Номер патента: CA2691282C. Автор: Sean Simmons,Conrad KREEK,Phat Tran,Jacob Burkholder,Jonathan Swoboda. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Mask read only memory and method for fabricating the same

Номер патента: TWI234241B. Автор: Guoqing Chen,Herb Huang. Владелец: Semiconductor Mfg Int Shanghai. Дата публикации: 2005-06-11.

Mask read only memory and method for fabricating the same

Номер патента: TW200531219A. Автор: Herb Huang,Guo-Qing Chen. Владелец: Semiconductor Mfg Int Shanghai. Дата публикации: 2005-09-16.

Method for fabricating a mask read-only-memory with diode cells

Номер патента: TW591762B. Автор: Chun-Pei Wu,Wen-Bin Tsai,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Dynamic Changes to a User Profile Based on External Service Integration

Номер патента: US20120003931A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Information Sharing After Proximity Connection Has Ended

Номер патента: US20120003965A1. Автор: Hollinger Michael C.,Eisinger Jacob D.,King Jennifer E.,Lauridsen Christina K.,Morgan Fabian F.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISPLAYING FIXED-SCALE CONTENT ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20120001914A1. Автор: Pan Wayne,HAMOUI Omar. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH NON-SYNTAX REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002719A1. Автор: Wang Limin,Zhao Xu Gang. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH VIDEO DECODER REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002720A1. Автор: . Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FAST SCENE MATCHING

Номер патента: US20120002868A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR TRACKING OF MAIL USING A UNIVERSAL CODING SYSTEM

Номер патента: US20120004765A1. Автор: Hamilton Daryl. Владелец: United States Postal Service. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MANAGING POWER CONSUMPTION IN A SENSOR NETWORK

Номер патента: US20120004782A1. Автор: KOSKAN PATRICK D.,SWOPE CHARLES B.. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR OPTIMIZING MAINTENANCE AND OTHER OPERATIONS OF FIELD DEVICES IN A PROCESS CONTROL SYSTEM USING USER-DEFINED DEVICE CONFIGURATIONS

Номер патента: US20120004743A1. Автор: . Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Post-ionizing method for mask read only memory

Номер патента: TW231371B. Автор: Shing-Ren Sheu,Jenn-Chyou Shyu,Jeng-Huei Jong,Guann-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-10-01.

Fabricating method for mask read only memory

Номер патента: TW243554B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Fabricating method for multi-level mask read only memory

Номер патента: TW276363B. Автор: Herng-Shenq Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Fabricating method for mask read only memory with multiple states

Номер патента: TW276364B. Автор: Yih-Jong Shenq,Jenn-Huei Jong,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Fabrication method for high-density and high-speed NAND-type mask read-only memories

Номер патента: TW425676B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

PROVIDING A BUFFERLESS TRANSPORT METHOD FOR MULTI-DIMENSIONAL MESH TOPOLOGY

Номер патента: US20120002675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR VOICEMAIL TO TEXT CONVERSION

Номер патента: US20120002794A1. Автор: Zubas Michael,Jackson Jacqueline. Владелец: AT&T Mobility II LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONDITIONALLY ATTEMPTING AN EMERGENCY CALL SETUP

Номер патента: US20120003954A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Storing and Retrieving Digital Content with Physical File Systems

Номер патента: US20120002244A1. Автор: ROTHSCHILD LEIGH M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR QOS AUTHORIZATION

Номер патента: US20120002540A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ENERGY MANAGEMENT

Номер патента: US20120004784A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PICKUP APPARATUS FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE AND METHOD FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE THEREOF

Номер патента: US20120002094A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING SHORT-RANGE WIRELESS COMMUNICATIONS BETWEEN A MOBILE WIRELESS DEVICE AND AN AUXILIARY SYSTEM

Номер патента: US20120003936A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR UPDATING DIGITAL MAPS USING ALTITUDE INFORMATION

Номер патента: US20120004845A1. Автор: Kmiecik Marcin Michal,Nowak Wojciech Tomasz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR SIGNAL SPACE PARTITION AND ASSIGNMENT AND APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120002622A1. Автор: MAHADEVAPPA Ravishankar H.,ULN Kiran,PARE,JR. Thomas E.. Владелец: Ralink Technology (Singapore) Corporation PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING 3D AUGMENTED REALITY

Номер патента: US20120001901A1. Автор: PARK Sun-Hyung. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Extending Ethernet over Twisted Pair Conductors and to the Telephone Network and Plug-In Apparatus for Same Employing Standard Mechanics

Номер патента: US20120002666A1. Автор: MILLER,Corp David O.,III William V.,Miller Gary M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Playing Poker-Style Games Involving a Draw

Номер патента: US20120004022A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR WIRELESS CHANNEL SOUNDING

Номер патента: US20120002735A1. Автор: McCoy James W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR DATA COMMUNICATIONS, ROUTER, AND METHOD FOR DATA TRANSMISSION AND MOBILITY MANAGEMENT

Номер патента: US20120002600A1. Автор: ZHANG Gong,He Cheng,Xiang Yanping. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR TRANSMITTING A SIGNAL AND COMMUNICATIONS APPARATUS

Номер патента: US20120002660A1. Автор: Lv Yongxia,HOU Yunzhe,Wan Lei,Ren Xiaotao. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for remote control of bank account, getting receipts on bank accounts and device which implements said method

Номер патента: RU2110840C1. Автор: А.С. Кузьмин,А.В. Гайдай. Владелец: Закрытое акционерное общество "Арсеналъ". Дата публикации: 1998-05-10.

Method of coding mask read only memory

Номер патента: TWI240377B. Автор: Tien-Chu Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Process for PN diode mask read only memory

Номер патента: TW245830B. Автор: Yeun-Ding Horng,Jenn-Chyou Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

Process for mask read only memory

Номер патента: TW245827B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

Data write-in method of mask read only memory

Номер патента: TWI232552B. Автор: Yuan-Wei Jeng,Meng-Yu Pan,You-Jr Jang. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2005-05-11.

Post-metal-process ion implantation for programming mask read only memory

Номер патента: TW330308B. Автор: Der-Tsyr Fann,Chorng-Shiun Jou,Guan-Jou Sonq,Ching-Shyan Wang. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1998-04-21.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TWI251336B. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-03-11.

Method of coding mask read only memory

Номер патента: TW200616156A. Автор: Tien-Chu Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TW200623397A. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Multi-level high density mask read only memory

Номер патента: TW312042B. Автор: Shing-Ren Sheu,Jeng-Jyh Gong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-08-01.

Method for fabricating nitride read-only memory

Номер патента: TW571400B. Автор: Cheng-Jye Liu,Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-11.

Method for fabricating nitride read-only memory

Номер патента: TW200408066A. Автор: Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen,Cheng Jye Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-16.

Device for usage with information carrier, containing configuration information of improved audio/video av buffer, method for reproducing it and buffer control method

Номер патента: RU2298846C2. Автор: Сунг-Воок ПАРК,Хиун-квон ЧУНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for manufacturing of mos memory register, memory register and matrix memory unit which uses this register

Номер патента: RU2105383C1. Автор: Виктор Анатольевич Марков,Виталий Дмитриевич Костюк. Владелец: Виталий Дмитриевич Костюк. Дата публикации: 1998-02-20.

Mask read-only memory and its manufacturing method

Номер патента: CN101197375A. Автор: 王庆东,江柳,高文玉. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Masked read-only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104600072A. Автор: 马斌,陈瑜,陈华伦,罗啸,郭振强. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-05-06.

Sensing amplifier of mask read-only-memory

Номер патента: TW200516596A. Автор: Yuan-Wei Jeng,Meng-Yu Pan,You-Zhi Zhang. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2005-05-16.

Process for mask read only memory with buried bit line

Номер патента: TW245829B. Автор: Yeun-Ding Horng,Jenn-Chyou Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

The method of fabricating and operating multi-bits masked read-only-memory

Номер патента: TWI253717B. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: Applied Intellectual Propertie. Дата публикации: 2006-04-21.

Fabricating process for mask read only memory

Номер патента: TW434896B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-16.

Manufacturing method of mask read only memory

Номер патента: TWI300607B. Автор: Shang Ping Lin. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

The method of fabricating and operating multi-bits masked read-only-memory

Номер патента: TW200423309A. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: Applied Intellectual Properties Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Means and method for structuring a substrate with a mask

Номер патента: AU2002210356A1. Автор: Gerhard Franz,Robert Kachel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for memory addressing and control with reversal of higher and lower address

Номер патента: CA1318413C. Автор: Jeffrey Inskeep. Владелец: Hayes Microcomputer Products Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Fabricating method for erasable programmable read only memory

Номер патента: TW230276B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-11.

Checking method for read-only memory

Номер патента: JPS55125600A. Автор: Akio Takahashi,Jinichi Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-09-27.

Method for increasing the density of read only memory unit

Номер патента: TW230821B. Автор: Herng-Sheng Hwang,Kuen-Luh Chen,Der-Shuenn Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-21.

Method for measuring pressure, calibration, and pressure sensor based on nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2498250C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Павел Сергеевич Чернов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ). Дата публикации: 2013-11-10.

Method for fabricating nitride read-only memory

Номер патента: TW584942B. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for fabricating nitride read-only memory

Номер патента: TW200421558A. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-16.

Nitride read-only memory cell and screen method thereof, nitride read-only memory array and testing method thereof, and method for determining marginal memory cells in a nitride read-only memory array

Номер патента: TWI308338B. Автор: Chun Hsiung Hung,Ching Chung Lin,Ken Hui Chen,Wen Yi Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Nitride read-only memory cell and screen method thereof, nitride read-only memory array and testing method thereof, and method for determining marginal memory cells in a nitride read-only memory array

Номер патента: TW200636729A. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-16.

Method for determining protective ammunition subject to launching, and device for its implementation (versions)

Номер патента: RU2471138C1. Автор: Виктор Леонидович Семенов. Владелец: Виктор Леонидович Семенов. Дата публикации: 2012-12-27.

METHOD FOR CHARACTERIZING A FEATURE ON A MASK AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD

Номер патента: US20120075456A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING READ-ONLY MEMORY IN SMART CARD MEMORY MODULES

Номер патента: US20130010519A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

Adaptive control device, neuron-like base element and method for operation of said device

Номер патента: RU2475843C1. Автор: Владимир Николаевич Шумилов,Владимир Николаевич Воронин,Владимир Иванович Соломонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2013-02-20.

Updating speed improving method for read-only memory of device with flash memory

Номер патента: CN101131649A. Автор: 亚在镛,郑泰焕. Владелец: LG Electronics Kunshan Computer Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Read only memory cell to provide a production method for manufacturing the read only memory cell, and its distinguishing is the MOS transistor is arranged at special angle.

Номер патента: TW331665B. Автор: Klose Helmut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-05-11.

Method for manufacturing optical-mask type read-only memory with diode memory unit

Номер патента: CN100403519C. Автор: 陈辉煌,吴俊沛,蔡文彬,高瑄苓. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method for optimizing optical transfer of a mask pattern, lithographic projection apparatus and machine-readable medium

Номер патента: JP4639120B2. Автор: ジョージハンセンスティーブン. Владелец: エーエスエムエルネザーランズビー．ブイ．. Дата публикации: 2011-02-23.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20120151167A1. Автор: LIU Lei,HATFIELD Brian D.,KO Wenjeng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20120254498A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: RU2433501C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for operating low-current electrically erasable programmable read only memory array using a special bias voltage setting to provide the functions of byte writing and erasing

Номер патента: TW202009938A. Автор: 林信章,鍾承諭,黃文謙. Владелец: 億而得微電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-01.

Contents diagnosis method for read-only memory

Номер патента: JPS5668843A. Автор: Takao Watanabe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-09.

Production method for preventing nitride internal storage crystal cell from being charged and its device

Номер патента: CN1235283C. Автор: 宋建龙,周立业,刘振钦. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-04.

Method for writing programmable read only memory

Номер патента: JPS63220499A. Автор: Mitsuhiro Hamada,濱田　満広. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-09-13.

Method for making four-step shaded read-only memory

Номер патента: CN1220491A. Автор: 盛义忠,钟振辉. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

Method for producing shaded read-only memory with self-aligning metal silicide component unit

Номер патента: CN1378275A. Автор: 萧建铭. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-06.

Three-level coding method for read only memory and device thereof

Номер патента: TW265473B. Автор: Ferng-Chuen Lii. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-12-11.

Manufacturing method for read only memory

Номер патента: TW495928B. Автор: Ding-Yi Lin,Jeng-Yu Ju,Jeng-Dung Shiu,Yi-Jing Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-07-21.

Memory cell for read-only memory

Номер патента: SU1418815A1. Автор: Лев Николаевич Буреев. Владелец: Л.Н. Буреев. Дата публикации: 1988-08-23.

Memory for capacitive read-only memory

Номер патента: SU1072098A1. Автор: Евгений Семенович Андрианов,Анатолий Дмитриевич Горохов,Сергей Федорович Матвейцев. Владелец: Предприятие П/Я Г-4273. Дата публикации: 1984-02-07.

Method, device and chip for data erasing and writing control on electrically erasable and programmable read-only memory, and data writing method and consumable container for such memory

Номер патента: CN102509557A. Автор: 秦正南. Владелец: Print Rite Technology Development Co Ltd of Zhuhai. Дата публикации: 2012-06-20.

Memory register for transformer-type read-only memory

Номер патента: SU1249582A1. Автор: Мампре Мелконович Момджян,Левон Овсепович Ваганян,Вилик Согомонович Асламазян,Генрих Арсенович Азарян,Георгий Матевосович Аревян,Радик Крмоевич Крмоян. Владелец: Предприятие П/Я Р-6509. Дата публикации: 1986-08-07.

One time voltage programmable read only memory array having memory cell IGFETs each connected to a reference voltage line through an anti-fuse element

Номер патента: JP2783398B2. Автор: タイラー・エイ・ロウリー,ルオジア・リー. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-06.

A kind of read-only memory unit and read-only memory

Номер патента: CN105448343B. Автор: 王林,于跃,黄瑞锋,吴守道. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Memory element for electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: RU2287865C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Александр Леонидович Асеев,Камиль Ахметович Насыров,Дарь Владимировна Гриценко,Дарья Владимировна Гриценко,Виктор Григорьевич Лифшиц. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2006-11-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2381575C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-02-10.

Read-only memory

Номер патента: CA905544A. Автор: G. Varadi Andrew,B. Rubinstein Richard. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1972-07-18.

Read-only memory

Номер патента: CA905545A. Автор: A. Luisi James,C. Cassen Quentin,D. Salman Naif. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1972-07-18.

Read-only memory

Номер патента: CA917301A. Автор: G. Varadi Andrew,B. Rubinstein Richard. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1972-12-19.

Read-only memory

Номер патента: CA913226A. Автор: G. Varadi Andrew,B. Rubinstein Richard. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1972-10-24.

Contact efuse structure, method of making a contact efuse device containing the same, and method of making a read only memory containing the same

Номер патента: TW201023344A. Автор: Hui-Shen Shih,Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,San-Fu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Read only memory and process thereof

Номер патента: TW264571B. Автор: Jenn-Huei Jong,Yih-Jong Sheng,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-12-01.

Process of read only memory with etching field coding

Номер патента: TW250587B. Автор: Jeng-Tsong Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-07-01.

Process for the read only memory

Номер патента: TW238425B. Автор: Jenn-Chyou Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-01-11.

Automatic burning device for read only memory

Номер патента: TW585340U. Автор: Yan-Sheng Lin. Владелец: Behavior Tech Computer Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

One time programmable read only memory and programming method thereof

Номер патента: TW201101466A. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-01.

Select gate enhancing type high-density read only memory (ROM)

Номер патента: TW296102U. Автор: Ling Chen,qi-yong Wu,Yong-Dian Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-11.

Process for read only memory

Номер патента: TW236037B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-12-11.

One time programmable read only memory

Номер патента: TW399306B. Автор: Guang-Ye Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-21.

Quality improvement method of read only memory tunnel oxide layer

Номер патента: TW492086B. Автор: Ying-Jen Lin,Tzung-Shi Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Alterable read-only memory element with high and low resistance junction

Номер патента: CA1029858A. Автор: Sebastian V.R. Mastrangelo. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1978-04-18.

Process of read only memory device and structure thereof

Номер патента: TW293176B. Автор: Jenn-Tsong Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-12-11.

Process of read only memory with selectively etching coding

Номер патента: TW246743B. Автор: Ming-Tzong Yang,Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-05-01.

Fabrication method of mask multi-state read only memory

Номер патента: TW285775B. Автор: Yih-Jong Shenq,Jenn-Huei Jong,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-09-11.

Read only memory self-aligned implantation coding method

Номер патента: TW276365B. Автор: Yih-Jong Shenq,Jenn-Huei Jong,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Three level read only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TW308738B. Автор: Rong-Maw Uen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-21.

Woven read-only memory

Номер патента: CA876981A. Автор: Anthony J. Kolk, Jr.. Владелец: General Precision Systems Inc. Дата публикации: 1971-07-27.

Structure and manufacturing method of electrically erasable and programmable read only memory

Номер патента: TW498545B. Автор: Jr-Ren Huang,Jia-Huei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-11.

Charge coupled device read only memory

Номер патента: CA994910A. Автор: George E. Smith. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1976-08-10.

Heat sink for read only memory device

Номер патента: USD610557S1. Автор: Wei-Hau Chen,Shih-Hsi Yen. Владелец: Comptake Tech Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Process of read only memory

Номер патента: TW264570B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-12-01.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB8703029D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-03-18.

Thick film read-only memory

Номер патента: CA720979A. Автор: E. Matick Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1965-11-02.

The sense circuit for read only memory

Номер патента: TW461651U. Автор: Ming-Chuen Shiau,Bo-Sheng Liou,Shiang-Lin Su. Владелец: Su Shiang Lin. Дата публикации: 2001-10-21.

Process for read only memory

Номер патента: TW235368B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-12-01.

Method of bidirectional communication between microcomputer and microcontroller with read-only memory

Номер патента: TW370641B. Автор: Chun-Mu Jiang. Владелец: Chun-Mu Jiang. Дата публикации: 1999-09-21.

Compiler for sea-of-gate gate array read only memory and programmable logic array

Номер патента: TW229306B. Автор: Ruenn-Hwa Pyng,Yuh-Fen Lin. Владелец: Hualon Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-01.

One time programmable read only memory

Номер патента: TW392344B. Автор: Guang-Ye Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

Read only memories

Номер патента: AU2747167A. Автор: LEONARD DUDA and ERHARD MAX WILLIAM. Владелец: . Дата публикации: 1969-03-27.

Self-aligned implantation coding method of read only memory

Номер патента: TW301057B. Автор: Jenn-Huei Jong,Yih-Jong Sheng,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-03-21.

Fixation structure for CD-ROM (compact disc read-only memory) drive and floppy

Номер патента: TW200740354A. Автор: Hsien-Sheng Chiu. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Process for voice read only memory

Номер патента: TW245831B. Автор: Min-Liang Chen. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1995-04-21.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB8525205D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-11-13.

Method of manufacturing mask - only read - only memory

Номер патента: TWI552274B. Автор: Kuang Chu Chen,Cheng Tao Chen,Chung Lung Hsu,Chun Yao Chiu,Chin Yung Chang. Владелец: Nyquest Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2016-10-01.

Read-only memory

Номер патента: SU1156139A1. Автор: Vladimir P Sidorenko,Aleksandr G Solod,Aleksandr M Kopytov,Vladimir A Yarandin,Svetlana V Vysochina. Владелец: Svetlana V Vysochina. Дата публикации: 1985-05-15.

Read-only memory

Номер патента: SU1156144A1. Автор: Valerij K Konopelko. Владелец: Mi Radiotekh Inst. Дата публикации: 1985-05-15.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB8525206D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-11-13.

Writing a read-only memory while protecting non-selected elements

Номер патента: CA892268A. Автор: T. Koo James. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-02-01.

OPERATION METHOD OF AN ANTI-VIRUS STORAGE DEVICE HAVING A STORAGE DISK AND A READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20120030765A1. Автор: Chiu Chih-Heng,Shu Chung-Won,Cheng Shian-Luen,Lien Li-Min,Chen Tsang-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

COST SAVING ELECTRICALLY-ERASABLE-PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) ARRAY

Номер патента: US20120039129A1. Автор: . Владелец: YIELD MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-02-16.

AREA SAVING ELECTRICALLY-ERASABLE-PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) ARRAY

Номер патента: US20120051147A1. Автор: LIN HSIN-CHANG,TAI CHIA-HAO,YEN YANG-SEN,YANG MING-TSANG,FAN YA-TING. Владелец: YIELD MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-03-01.

Mask-Programmed Read-Only Memory with Reserved Space

Номер патента: US20120144091A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY AND READ-ONLY MEMORY AREA REDUCTION USING CONTEXT-SENSITIVE LOGIC FOR DATA SPACE MANIPULATION

Номер патента: US20120159129A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

Secure Three-Dimensional Mask-Programmed Read-Only Memory

Номер патента: US20120210438A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

READ-ONLY MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120276700A1. Автор: Yang Ching-Sung,Hsu Ching-Hsiang,Shen Shih-Jye. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

FIELD PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130039115A1. Автор: Blawat Meinolf,Kropp Holger. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING THE SAME

Номер патента: US20130039116A1. Автор: Blawat Meinolf,Kropp Holger. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

Techniques to store configuration information in an option read-only memory

Номер патента: US20130042048A1. Автор: Kutergin Timofey V.,Samylin Sergey. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

TECHNIQUES TO STORE CONFIGURATION INFORMATION IN AN OPTION READ-ONLY MEMORY

Номер патента: US20130073801A1. Автор: Kutergin Timofey V.,Samylin Sergey. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130092995A1. Автор: CHOI Yong Keon. Владелец: Dongou HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

LOGIC DEVICE HAVING A COMPRESSED CONFIGURATION IMAGE STORED ON AN INTERNAL READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20130145074A1. Автор: Ball James L.. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2013-06-06.

MANAGING CONFIGURATION AND OPERATION OF AN ADAPTER AS A VIRTUAL PERIPHERAL COMPONENT INTERCONNECT ROOT TO EXPANSION READ-ONLY MEMORY EMULATION

Номер патента: US20130159686A1. Автор: Graham Charles S.,Nordstrom Gregory M.,Oberly,III John R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

Номер патента: SU1088068A1. Автор: Константин Григорьевич Самофалов,Яков Васильевич Мартынюк,Александр Андреевич Верба. Владелец: Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции. Дата публикации: 1984-04-23.

Read-only memory checking device

Номер патента: SU754486A1. Автор: Vladimir P Lomanov. Владелец: Vladimir P Lomanov. Дата публикации: 1980-08-07.

Read-only memory integrated circuit check unit

Номер патента: SU1478258A1. Автор: Андрей Васильевич Изюмов,Сергей Евгеньевич Николаев,Олег Владимирович Росницкий,Дмитрий Викторович Чабров,Зоя Алексеевна Чумакова,Татьяна Алексеевна Богунова. Владелец: Предприятие П/Я Г-4677. Дата публикации: 1989-05-07.

Programmable read-only memory with checkup capability

Номер патента: SU951398A1. Автор: Валентин Иванович Кнышев,Юрий Андреевич Сливицкий,Анатолий Петрович Васильковский,Владимир Леонтьевич Скибинский,Геннадий Михайлович Чекаловец,Эдгар Павлович Савостьянов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6429. Дата публикации: 1982-08-15.

Read-only memory

Номер патента: JPS6413299A. Автор: Toshihide Tsuboi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-01-18.

Read only memory

Номер патента: SU733028A1. Автор: Виктор Иванович Корнейчук,Александр Васильевич Городний,Лариса Николаевна Бандуровская,Елена Николаевна Сосновчик,Красимир Георгиев Вълков,Виктор Васильевич Бастрыгин,Вячеслав Дмитриевич Рогожин. Владелец: Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции. Дата публикации: 1980-05-05.

Номер патента: SU705521A1. Автор: Евгений Павлович Балашов,Олег Григорьевич Кокаев,Виктор Валентинович Спиридонов,Александр Юрьевич Гельман. Владелец: Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им. В.И.Ульянова (Ленина). Дата публикации: 1979-12-25.

Read-only memory

Номер патента: SU1112411A1. Автор: Виталий Дмитриевич Гридчин,Игорь Николаевич Квилинский,Владимир Моисеевич Корсунский,Алексей Григорьевич Максимчук,Олег Григорьевич Мороз-Подворчан,Ирина Васильевна Мельничук. Владелец: Ордена Ленина Институт Кибернетики Им.В.М.Глушкова. Дата публикации: 1984-09-07.

Device for programming read-only memory chips

Номер патента: RU2047920C1. Автор: В.И. Лебедев,В.Г. Сараев,С.Г. Матросов. Владелец: Сараев Василий Григорьевич. Дата публикации: 1995-11-10.

Device for recording and monitoring programmable read-only memory units

Номер патента: SU796909A1. Автор: Олег Николаевич Шаромет,Леонид Михайлович Попель,Николай Николаевич Данилин,Юрий Николаевич Дьяков,Людмила Николаевна Скворцова,Валентина Ивановна Пашкова. Владелец: Предприятие П/Я В-8495. Дата публикации: 1981-01-15.

Address system for read-only memory with linear access

Номер патента: SU1067532A2. Автор: Алексей Алексеевич Яковлев,Валерий Дмитриевич Глушков,Светлана Васильевна Журова,Валерий Васильевич Хижняк. Владелец: Предприятие П/Я В-8466. Дата публикации: 1984-01-15.

Read-only memory

Номер патента: SU767841A2. Автор: Михаил Дмитриевич Кардащук,Владимир Моисеевич Корсунский,Геннадий Захарович Карманов,Вячеслав Александрович Липилин. Владелец: Ордена Ленина Институт Кибернетики Ан Украинской Сср. Дата публикации: 1980-09-30.

Storage member for read only memory

Номер патента: SU739652A1. Автор: Константин Григорьевич Самофалов,Владимир Александрович Завадский,Юрий Павлович Заика. Владелец: Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им. 50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции. Дата публикации: 1980-06-05.

Device for substitution of information in read-only memory

Номер патента: SU1536443A1. Автор: Андрей Васильевич Изюмов,Олег Владимирович Росницкий,Владимир Николаевич Ковалев,Олег Вячеславович Исаев,Лев Владимирович Алексеев,Семен Петрович Вельмакин,Вадим Александрович Городецкий. Владелец: Предприятие П/Я Г-4677. Дата публикации: 1990-01-15.

Method for fabricating a mask read-only memory

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты