• Главная
  • Method for forming high purity silicon oxide field oxide isolation region

Method for forming high purity silicon oxide field oxide isolation region

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method and apparatus for forming ultra-shallow doped regions using doped silicon oxide films

Номер патента: TW358971B. Автор: Li-Qun Xia,Ellie Yieh,Bang Nguyen,Paul Gee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-05-21.

Two mask technique for planarized trench oxide isolation of integrated devices

Номер патента: CA1243425A. Автор: Daniel L. Ellsworth,Scott H. Cravens,Maurice M. Moll. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-10-18.

Two mask technique for planarized trench oxide isolation of integrated devices

Номер патента: US4753901A. Автор: Daniel L. Ellsworth,Scott H. Cravens,Maurice M. Moll. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1988-06-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232503A1. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6825128B2. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Multi-gate FETs and methods for forming the same

Номер патента: US10103025B2. Автор: Wen-Tai Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for forming high density patterns

Номер патента: WO2009075959A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Ardavan Niroomand,Baosuo Zhou. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for manufacturing metal wiring and method for manufacturing solid state imaging device

Номер патента: US20150263057A1. Автор: Masaki Kikuchi,Takuto Inoue,Masaharu Ogasawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for Forming Mixed Substrate

Номер патента: US20240186140A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

High voltage oxidation method for highly reliable flash memory devices

Номер патента: US20020127799A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for making a silicon substrate comprising a buried thin silicon oxide film

Номер патента: US6607968B1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2003-08-19.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09804492B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming ONO top oxide in NROM structure

Номер патента: US20040228969A1. Автор: Ching Wang,Hsian Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor wafer isolation structure formed by field oxidation

Номер патента: US6762475B2. Автор: Viju K. Mathews,Nanseng Jeng,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-13.

Method of forming an isolation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US5834359A. Автор: Erik S. Jeng,Fu-Liang Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Method for Growing Very Thick Thermal Local Silicon Oxide Structures and Silicon Oxide embedded Spiral Inductors

Номер патента: US20200105860A1. Автор: Osman Ersed Akcasu. Владелец: Nanohenry Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of making dual isolation regions for logic and embedded memory devices

Номер патента: US5858830A. Автор: Mong-Song Liang,Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Method for generating mask data, mask and computer readable recording media

Номер патента: US20010039647A1. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for forming high aspect ratio patterning structure

Номер патента: US09991116B1. Автор: Peng Liu,Jun Zhu,Yu Ren,Hsusheng CHANG,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Gas for plasma reaction and method for production thereof

Номер патента: US6884365B1. Автор: Toshiro Yamada,Tatsuya Sugimoto,Mitsuru Sugawara,Toshinobu Hirayama. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Polycrystalline silicon oxidation method for making shallow and deep isolation trenches

Номер патента: US4238278A. Автор: Igor Antipov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-09.

Method for fabricating microchips using metal oxide masks

Номер патента: US20050181557A1. Автор: Thomas Hecht,Stefan Jakschik,Matthias Goldbach,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-18.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A2. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12119222B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for improving local interconnects of multi-level interconnects process

Номер патента: US20020072224A1. Автор: Jui-Tsen Huang,Michael Wc Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for Forming SiGe Channel

Номер патента: US20240072168A1. Автор: Xinhua Cheng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods for forming fin field-effect transistors

Номер патента: US12068199B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)

Номер патента: EP3201952A1. Автор: Jung Han,Cheng Zhang. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-09.

Method for forming trench isolation

Номер патента: US20020098660A1. Автор: Jian Chen,Choh-Fei Yeap,Franklin Nkansah. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

FinFET contact structure and method for forming the same

Номер патента: US09917088B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Che-Yuan Hsu,Yen-Po Lin,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Etch system and method for single substrate processing

Номер патента: US09852920B2. Автор: Ian J. Brown,Wallace P. Printz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6518633B2. Автор: Katsumi Mori,Kenji Kojima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190129A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor device with deep oxide isolation

Номер патента: US4466012A. Автор: Toshitaka Fukushima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010017394A1. Автор: Katsumi Mori,Kenji Kojima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for forming silicon-containing film, and silicon-containing film formed thereby

Номер патента: US20240318305A1. Автор: Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Apparatuses including a semiconductor transistor and methods for forming same

Номер патента: US20240014289A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for forming thin film layers by simultaneous doping and sintering

Номер патента: EP1483784A2. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-12-08.

Method for forming contact window

Номер патента: US20010046782A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Methods and apparatus for forming resist pattern using EUV light with electric field

Номер патента: US11754925B2. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods and apparatus for forming resist pattern using euv light with electric field

Номер патента: US20220244646A1. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for Forming Hole Pattern and Method for Manufacturing TFT Display Using the Same

Номер патента: US20160225801A1. Автор: Seong-jung YUN,Je-Geon YOO. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for forming silicon dots

Номер патента: US20100260944A1. Автор: Hirokazu Kaki,Eiji Takahashi,Atsushi Tomyo. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for fabricating oxide layers with different thicknesses

Номер патента: US20020081798A1. Автор: Yi-Shi Chen,Hao-Chieh Yung,Shing-Sing Chiang,Kuo-Shi Teng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for one-to-one polishing of silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US7629258B2. Автор: Suryadevara V. Babu,Anita Natarajan. Владелец: Infotonics Technology Center Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Method for Combustion Chemical Vapor Deposition to enhance wetting of silicon oxide flim

Номер патента: KR100742857B1. Автор: 박상훈,이동열,김태엽. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2007-07-25.

Recessed sidewall-sealed and sandwiched poly-buffered LOCOS isolation regions, VLSI structures and methods

Номер патента: US5608256A. Автор: Kalipatnam V. Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-03-04.

Silicon oxidation method

Номер патента: US20040262682A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for surface treatment of substrate and method for forming fine wiring

Номер патента: US20080311312A1. Автор: Jae-Woo Joung,Hyun-Chul Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Method for surface treatment of substrate and method for forming fine wiring

Номер патента: US7776407B2. Автор: Jae-Woo Joung,Hyun-Chul Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Method for forming deposition film

Номер патента: EP4443478A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Moe TANIWAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Improved purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices

Номер патента: US20010007241A1. Автор: Gerald Dietze,Zbigniew Radzimski,Sean Hanna. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for integrating high-voltage device and low-voltage device

Номер патента: US20020197812A1. Автор: Yung-Chieh Fan. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7875512B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090186472A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050059196A1. Автор: Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki,Akihiko-Ebina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7592684B2. Автор: Akihiko Ebina,Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Method for manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US20060286733A1. Автор: Masahiro Hayashi,Akihiro Shiraishi,Takahisa Akiba. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Solar cell and preparation method for solar cell

Номер патента: EP4407695A1. Автор: Bin Chen,Xiulin Jiang,Guangliang DUAN. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for forming high-k charge storage device

Номер патента: SG144931A1. Автор: HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for forming tunnel oxide film of flash memory

Номер патента: US20030027388A1. Автор: Chin-Ta Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for producing silicon

Номер патента: US20100059118A1. Автор: Kunio Saegusa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for producing high purity silicon

Номер патента: WO2006095663A2. Автор: Jiro Kondo,Nobuaki Ito,Kensuke Okazawa,Masaki Okajima. Владелец: Nippon Steel Materials Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-09-14.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09785049B2. Автор: Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Preparation method for solar cell and solar cell

Номер патента: AU2022454233A1. Автор: Jianbin Fan,Guoqiang Xing,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for forming templated materials

Номер патента: US8865484B2. Автор: Michael Miller,Prashant B. Phatak,Monica Mathur. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for doping high purity silicon in an arc heater

Номер патента: CA1109568A. Автор: Maurice G. Fey. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1981-09-22.

High-purity silicone ladder polymer and process producing the same

Номер патента: US5399648A. Автор: Hiroshi Adachi,Shigeyuki Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming capacitor opening hole, and method for forming memory capacitor

Номер патента: EP4002504A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Ultra high purity gas distribution component with integral valved coupling and methods for its use

Номер патента: SG72748A1. Автор: Bryce Evans,Helen Rebenne. Владелец: Aeroquip Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Photo sensor and method for forming the same

Номер патента: US6097074A. Автор: Shinji Takakura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for manufacturing a mosfet with a surrounding gate of bulk si

Номер патента: US20110159656A1. Автор: Yi Song,Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-06-30.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20090159941A1. Автор: Sang Tae Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for making isolation region of CIS device

Номер патента: US12125866B2. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING 3.5-VALENCE HIGH-PURITY VANADIUM ELECTROLYTE

Номер патента: US20190044173A1. Автор: Yang Haitao,ZHU Qingshan,FAN Chuanlin,MU Wenheng,LIU Jibin,WANG Cunhu,BAN Qixun. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

High-density field emission elements and a method for forming said emission elements

Номер патента: US20090280585A1. Автор: Seong Jin Koh,Gerald W. Gibson, Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for producing a lithium hexafluorophosphate concentrated liquid

Номер патента: EP2608307A4. Автор: Keiji Sato,Toshinori Mitsui,Meguru Oe,Mitsuya Ohashi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-25.

Method for producing high-purity aqueous lithium salt solution

Номер патента: AU2021352040A9. Автор: Yukio Sakuma,Keita Yamada,Hiroto Inoue. Владелец: Asaka Riken Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for Producing Metal Strips

Номер патента: US20070262123A1. Автор: Theodor Stuth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Novel method for preparing lithium bis(fluorosulfonyl)imide

Номер патента: US20180370799A1. Автор: Kwang Min LIM. Владелец: Cls Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for preparing vanadium electrolyte for all-vanadium redox flow battery

Номер патента: US20230231170A1. Автор: Jia Liu,Mianyan Huang,Qiming GE. Владелец: VRB Energy Operations Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Negative-electrode active material, and method for production of negative-electrode active material

Номер патента: US9136525B2. Автор: Hideyuki Yamamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Negative-electrode active material, and method for production of negative-electrode active material

Номер патента: EP2724402A1. Автор: Hideyuki Yamamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-04-30.

High purity sulfur-doped copper sputtering target assembly and method for producing same

Номер патента: US20230260769A1. Автор: Eduardo Del-Rio Perez,Harrison Collin Whitt. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

High-purity copper sputtering target

Номер патента: US09773651B2. Автор: Shigeru Watanabe,Takeo Okabe,Tomio Otsuki. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Cold Forming Method for Forming Power Pins and Power Pin Formed Thereof

Номер патента: US20160336675A1. Автор: Manzhi Zhou,Guangdong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for producing iron-based oxide magnetic particle powder

Номер патента: US20180208479A1. Автор: Kenji Sakane,Tetsuya KAWAHITO. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Method and system for forming high precision patterns using charged particle beam lithography

Номер патента: US20130205264A1. Автор: Akira Fujimura,Robert C. Pack. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for manufacturing solid electrolytic capacitor, and solid electrolytic capacitor

Номер патента: US09865401B2. Автор: Kiyofumi Aoki,Koji Inazawa,Hiromasa Ageo,Junya Tatsuno. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming a multiple sectional ring

Номер патента: US3562898A. Автор: Leonard D Minutillo. Владелец: Griffiths Electronics Inc. Дата публикации: 1971-02-16.

Method for forming gate segments for an integrated circuit

Номер патента: US5976930A. Автор: Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Method for preparing atelocollagen prepared in high purity and high yield and use thereof

Номер патента: US20230331771A1. Автор: Jung Seok KIM,Bying Ha BACK. Владелец: Union Korea Life Sciences Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

A method for large-scale preparation of high-purity exosomes

Номер патента: WO2023142219A1. Автор: Xudong Wang,Xian Zhao,Wenlin AN,Jiuheng SHEN,Youxiu ZHONG. Владелец: National Vaccine & Serum Institute. Дата публикации: 2023-08-03.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US20060194394A1. Автор: Heung Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US7645672B2. Автор: Heung Jin Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell

Номер патента: US5429977A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chin-Yuan Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-04.

Apparatus and method for production of high purity copper-based alloys

Номер патента: US20230349026A1. Автор: Timothy Frederick Strelitz. Владелец: Doggone Investment Co LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for generating high purity and finely dispersed nanoparticles by inductive local heating

Номер патента: WO2024150027A1. Автор: George BISKOS. Владелец: The Cyprus Institute. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for production of high purity copper-based alloys

Номер патента: US20240279775A1. Автор: Timothy Frederick Strelitz. Владелец: Doggone Investment Co LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates

Номер патента: CA1087377A. Автор: Maurice G. Fey,Francis J. Ii Harvey. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-10-14.

Method for forming via hole in substrate for flexible printed circuit board

Номер патента: EP1884147A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-02-06.

Method For Forming Via Hole in Substrate For Flexible Printed Circuit Board

Номер патента: US20080210661A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for embedding non-volatile memory with logic circuitry

Номер патента: WO2008065644A1. Автор: Eli Lusky,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd.. Дата публикации: 2008-06-05.

Circuit board with a substrate made of silicon and the methods for forming the same

Номер патента: US20190191554A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Preparation method for and use of high-purity powder material and biphasic powder material

Номер патента: AU2020464490B2. Автор: Li Liu,Yuanyun ZHAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-12.

Preparation method for and use of high-purity powder material and biphasic powder material

Номер патента: AU2020464490A9. Автор: Li Liu,Yuanyun ZHAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Process for making high purity xanthates

Номер патента: WO2001047876A1. Автор: Tom L. Young,Michael G. Greene,Kathy Bauer,Sharon K. Young. Владелец: Versitech, Inc.. Дата публикации: 2001-07-05.

High purity isoamylene production from tertiary amyl methyl ether decomposition

Номер патента: EP4237395A1. Автор: LIANG Chen,Rosette Barias,Michael Jon Scott. Владелец: Lummus Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for producing at least one first and one second micromirror device

Номер патента: US20230066345A1. Автор: Heiko Stahl,Rainer Straub. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-02.

Adsorbent-type storage and delivery vessels with high purity delivery of gas, and related methods

Номер патента: EP4409194A1. Автор: Oleg Byl,Ed A. Sturm,Joe R. DESPRES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for producing lead-212 from an aqueous solution comprising thorium-228 and its descendants

Номер патента: AU2019349791B2. Автор: Julien Torgue,Remy Dureau. Владелец: Orano Med SAS. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing diisocyanate

Номер патента: EP4414361A1. Автор: Eun Ji Woo,Juyoung Park,Yujin SIM,Jongseong PARK. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for producing peptide, reagent for forming protective group, and fused polycyclic compound

Номер патента: EP4269423A1. Автор: Hiroaki Tsuyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for producing nebivolol hydrochloride of high purity

Номер патента: US09822090B2. Автор: Ilia Freifeld,Kurt Kesseler,Gerhard Jas,Alexandre CLAVEL. Владелец: Corden Pharma International GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Process for production of high purity beta-carotene and lycopene crystals from fungal biomass

Номер патента: US20130066124A1. Автор: Suresh Joseph,Arnaud Anandane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Process for production of high purity beta-carotene and lycopene crystals from fungal biomass

Номер патента: EP2571996A2. Автор: Suresh Joseph,Arnaud Anandane. Владелец: Dynadis Biotech India Pvt Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Method for preparing lycopene crystals with high purity and low harm

Номер патента: IL274216B1. Автор: . Владелец: Chenguang Biotech Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-01.

High purity isoamylene production from tertiary amyl methyl ether decomposition

Номер патента: US11999672B2. Автор: LIANG Chen,Rosette Barias,Michael Jon Scott. Владелец: LUMMUS TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for producing ether phospholipids

Номер патента: US20180127680A1. Автор: Takehiko Fujino,Shiro Mawatari. Владелец: Institute of Rheological Function of Food Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Absorption method for recovering gas contaminants at high purity

Номер патента: WO2010129167A3. Автор: Lamar A. Davis,David A. Bahr. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Preparation method of high-purity monodisperse porous silicon oxide spheres

Номер патента: CN112156730B. Автор: 蒋学鑫,王韶晖,马珍珍,张轲轲. Владелец: Anhui Estone Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

Preparation method of high-purity monodisperse porous silicon oxide spheres

Номер патента: CN112156730A. Автор: 蒋学鑫,王韶晖,马珍珍,张轲轲. Владелец: Anhui Estone Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-01.

Method for producing cobalt sulfate

Номер патента: CA2860149C. Автор: Shin-Ichi Heguri,Takayuki Nakai,Noriyuki Nagase. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for deoxygenating ammonia with reduced oxides of iron and manganese

Номер патента: US20050074382A1. Автор: Marco Succi,Carolina Solcia,Giorgio Vergani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Method for producing nickel powder

Номер патента: US20190047052A1. Автор: Shin-Ichi Heguri,Yoshitomo Ozaki. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for producing peptide, protective group-forming reagent, and condensed polycyclic compound

Номер патента: US20230357311A1. Автор: Hiroaki Tsuyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for producing 3-l-methoxypropane-1,2-diol

Номер патента: CA2382863A1. Автор: Toshimitsu Hagiwara,Akira Amano,Takashi Miura,Teruyoshi Akiyama. Владелец: Takasago International Corp. Дата публикации: 2002-10-23.

Method for welding pipes for transporting high purity media

Номер патента: DE102017121824A1. Автор: Thomas Wünsche,Torsten Köcher,Martin Neth. Владелец: Dockweiler AG. Дата публикации: 2019-03-21.

Method For The Preparation Of A High-Purity Rice Protein Concentrate

Номер патента: US20140087023A1. Автор: Duan Gang,Dunn-Coleman Nigel,Qian Ying,Shetty Jayarma K.,Sung Alex. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Methods For Treating Liquid Waste With High Purity Oxygen

Номер патента: US20140124457A1. Автор: Hannay Neil,Boussemaere Roel. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2014-05-08.

A NEW METHOD FOR PRODUCING NEBIVOLOL HYDROCHLORIDE OF HIGH PURITY

Номер патента: US20170183323A1. Автор: Jas Gerhard,Freifeld Ilia,Kesseler Kurt,CLAVEL Alexandre. Владелец: CORDON PHARMA INTERNATIONAL GmbH. Дата публикации: 2017-06-29.

METHOD FOR PREPARING LYCOPENE CRYSTALS WITH HIGH PURITY AND LOW HARM

Номер патента: US20200347234A1. Автор: Gao Wei,Zhang Zhiming,LIAN Yunhe,Lu Qingguo,An Xiaodong,Li Qianli. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Methods for treating liquid waste with high purity oxygen

Номер патента: EP2727886A1. Автор: Neil Hannay,Roel Albert Boussemaere. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for preparing zirconium tetrachloride of high purity and zirconium sponge

Номер патента: KR20130076195A. Автор: 정재영,이창규,최미선,이고기. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2013-07-08.

Apparatus and method for producing purified, in particular high-purity magnesium

Номер патента: CN110446793B. Автор: M.温德勒,T.尤廷. Владелец: BIOTRONIK AG. Дата публикации: 2022-01-04.

Method for refining stainless steel with high purity

Номер патента: US20040173055A1. Автор: Jong Park,Hyo Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Method for preparing n-hydroxyalkanamide with high purity

Номер патента: KR102244371B1. Автор: 이해민,권현달. Владелец: 대달산업주식회사. Дата публикации: 2021-04-27.

Method for removing carbon dioxide in high-purity gas

Номер патента: CN114522504A. Автор: 廖能,唐敏,肖静,王维龙,罗家柱,彭俊洁. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-24.

A new method for producing nebivolol hydrochloride of high purity

Номер патента: EP2907810A1. Автор: Ilia Freifeld,Kurt Kesseler,Gerhard Jas,Alexandre CLAVEL. Владелец: Corden Pharma International GmbH. Дата публикации: 2015-08-19.

A kind of method for preparing high whiteness and high-purity sulfuric acid barium

Номер патента: CN107954460A. Автор: 王强,吴强,黄建新. Владелец: DEYANG WEIXU LITHIUM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

System and method for using bent pipes in high-purity fluid handling systems

Номер патента: EP1260745A3. Автор: Nicolae M. Erdei,Todd A. Mays. Владелец: Therma Corp Inc. Дата публикации: 2003-08-13.

Method for producing soluble thrombomodulin of high purity

Номер патента: CN101641368A. Автор: 大东晋. Владелец: Asahi Kasei Pharma Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

METHOD FOR MANUFACTURING AN OXIDATION OR EPOXIDATION CATALYST BASED ON SILICON OXIDE AND A METAL

Номер патента: FR2811244B1. Автор: Jean Paul Schoebrechts. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2003-02-07.

Method for extraction and separating of high purity resveratrol from peanut root

Номер патента: CN104163754A. Автор: 刘臣,唐长波. Владелец: Suzhou Vocational University. Дата публикации: 2014-11-26.

Method for removing trace impurities of high-purity boron-10 acid

Номер патента: CN111232998A. Автор: 王明辉,李长虹,魏娇,周鸿刚,韩启超. Владелец: Liaoning Honghao Chemical Industry Co ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

Culture device and culture method for culturing stem cells with high purity

Номер патента: CN113773960A. Автор: 唐闪光,黎鸠鸠. Владелец: Hunan Yige Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Method for manufacturing metal film having high purity

Номер патента: US20030124267A1. Автор: Younsoo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for preparing silicon carbide-based porous ceramic by using silicon oxide-based solid waste

Номер патента: WO2020057093A1. Автор: 苏畅,于景坤,马北越,任鑫明. Владелец: 东北大学. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for producing glass substrate provided with inorganic-microparticle-containing silicon oxide film

Номер патента: EP2581352A1. Автор: Keisuke Abe,Yuichi KUWAHARA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for preparing photocuring-formed high-density ceramic

Номер патента: CN105198449A. Автор: 刘伟,伍尚华,伍海东,周茂鹏,古尚贤,程利霞. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-12-30.

Oxygen transport membrane for silicon oxide plant

Номер патента: EP1280731A1. Автор: Nitin Ramesh Keskar,Kevin Bruce Albaugh. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-05.

Reactor for producing high-purity granular silicon

Номер патента: US09751066B2. Автор: Xi Chu. Владелец: Sunnyside Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Oxygen transport membrane for silicon oxide plant

Номер патента: WO2001077014A1. Автор: Nitin Ramesh Keskar,Kevin Bruce Albaugh. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

Fused quartz tubing for pharmaceutical packaging and methods for making the same

Номер патента: US20150218047A1. Автор: Robert Koch,Guangjun Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-06.

Fused quartz tubing for pharmaceutical packaging and methods for making the same

Номер патента: EP3102173A1. Автор: Robert Koch,Guangjun Xu. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-14.

Method for producing solar cell-grade silicon from rice hulls

Номер патента: CA1118582A. Автор: Franklin J. Wright,James A. Amick,John V. Milewski. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1982-02-23.

High purity manganese and method for producing same

Номер патента: US09725814B2. Автор: Eiji Hino,Kazuto Yagi,Yuichiro Shindo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming dendritic metal particles

Номер патента: WO1997030809A1. Автор: Robert S. Zeller,Christopher J. Vroman. Владелец: Millipore Corporation. Дата публикации: 1997-08-28.

Method for producing high-purity, granular silicon

Номер патента: AU2002216014A1. Автор: Sigurd Buchholz,Leslaw Mleczko,Oliver Felix-Karl SCHLÜTER,Ezpeleta Maria Pilar Tejero. Владелец: SOLARWORLD AG. Дата публикации: 2002-06-18.

Method for forming high-quality film by cvd process

Номер патента: US20240200187A1. Автор: Dan Li,Tiezhu Xu. Владелец: Piotech Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing high purity manganese and high purity manganese

Номер патента: US20160002749A1. Автор: Kazuto Yagi. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Commercial purification method for high-purity bacterial extracellular vesicles

Номер патента: US20240293776A1. Автор: Chang Jin Lee,Tae Ryong Lee,Si Won Kim,Sung Hyun SONG. Владелец: Rosetta Exosome Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for extracting flake graphitized carbon body in human hair with transition metal alloy as catalyst

Номер патента: EP4206128A1. Автор: Kexiao YE. Владелец: Zhe Jiang Tip Top Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

System and method for ultra high purity (uhp) carbon dioxide purification

Номер патента: US20170044019A1. Автор: Marco Succi,Cristian Landoni,Charles H. Applegarth,Sarah VOGT. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2017-02-16.

High purity 2-naphthylacetonitrile and method for producing same

Номер патента: US12084404B2. Автор: Masaki NAGAHAMA,Daiki OKADO,Hirotsugu TANIIKE. Владелец: API Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for producing catalyst and catalytic product

Номер патента: RU2751774C2. Автор: Юрген БАУЭР. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-07-16.

Method for Production of Carbon Nanotube and Method for Purification of the Same

Номер патента: US20120082613A1. Автор: Yoshinori Ando,Sakae Inoue,Xinluo Zhao. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for extracting high-purity polydeoxyribonucleotide from salmon testes

Номер патента: US11795447B2. Автор: Sun-Hee Kim,Tae-hyun Kim,O Nam KWON. Владелец: Bio Medi Pharm Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Apparatus and method for production of high purity copper-based alloys

Номер патента: US20240271248A1. Автор: Timothy Frederick Strelitz. Владелец: Doggone Investment Co LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for production of high purity copper-based alloys

Номер патента: US20240255224A1. Автор: Timothy Frederick Strelitz. Владелец: Doggone Investment Co LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for Extracting Duckweed Turion Starch

Номер патента: US20220195073A1. Автор: Li Cheng,YAN Hong,XU Wang,Qiwei Zhou,Zhaofeng Li,Zhengbiao Gu,Caiming Li,Xiaofeng BAN,Yuzhen JIN. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-23.

System and method for co-producing ultra-high purity oxygen and ultra-high purity hydrogen

Номер патента: US20230212759A1. Автор: Brian R. Kromer,Daniel Palaniswamy OTTE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for pesticide production

Номер патента: RU2269518C2. Автор: Жан-Франсуа РУССО,Альбер БЮФОРН. Владелец: Байер Кропсайенс С.А.. Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing high purity silicon

Номер патента: CA2744802C. Автор: Khalil Zeaiter. Владелец: Elkem Solar As. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for producing lithium hydroxide

Номер патента: AU2022423803A9. Автор: Satoshi Asano,Masatoshi Takano,Shin-Ichi Heguri,Yusuke Senba. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for separating and refining high purity 2,6-naphthalene dicarboxylic acid using crystallization

Номер патента: WO2009045016A3. Автор: Young Gyo Choi,Yang Ho Cheon. Владелец: Yang Ho Cheon. Дата публикации: 2009-05-28.

Method for recovering of high purity betulin from birch bark

Номер патента: FI20225170A1. Автор: Sami Selkälä. Владелец: Innomost Oy. Дата публикации: 2023-08-25.

Method for melamine treatment obtained by synthesis in high- pressure reactor

Номер патента: RU2252216C2. Автор: Герхард КОУФАЛЬ. Владелец: Агролинц Меламин Гмбх. Дата публикации: 2005-05-20.

Sulfatation method for metal recovery from sulfide ores

Номер патента: RU2252271C2. Автор: Соломон ФЛАКС. Владелец: ЙОМА КЕМИКАЛ ЭйЭс. Дата публикации: 2005-05-20.

Method for pre-purification of a feed gas stream

Номер патента: US20240252976A1. Автор: Matthias Grahl,Helko Schneider,Cem E. Celik,Arthur C. SELOVER,Ralph J. Mancini,Sesha Hari Vemuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-01.

Purification method for obtaining high-purity pmda

Номер патента: US20020188140A1. Автор: Shiao-Jung Chu,Chien-Liang Hwang. Владелец: Chinese Petroleum Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Preparation method for high-purity arabinose crystal

Номер патента: EP4424693A1. Автор: Dongxu Li,Chengjun LIAO,Shufang QIN,Jiaxing LUO,Xinfeng HAN,Minqian YANG. Владелец: Zhejiang Huakang Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for achieving good adhesion between dielectric and organic material

Номер патента: US09908774B2. Автор: Mickael Renault. Владелец: Cavendish Kinetics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing synthetic pentapeptide

Номер патента: RU2664545C2. Автор: Асами МУРАЯМА,Такааки КАНО. Владелец: Маруиси Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-08-20.

High-purity germanium hydride preparation method

Номер патента: RU2230830C1. Автор: В.М. Воротынцев. Владелец: Воротынцев Владимир Михайлович. Дата публикации: 2004-06-20.

High-purity amphipathic arylsulfonic acid amine salt vinyl monomer and copolymer thereof

Номер патента: US20200172643A1. Автор: Yusuke SHIGETA,Shinji Ozoe,Akihiro Fuji. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for filling, on wafer, chip-level atomic clock absorption bubbles with high-purity alkali metal

Номер патента: EP3112315A8. Автор: Jian Zhu,Erwin HELL. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2017-06-28.

High purity polysiloxane macromers and method for making the same

Номер патента: US20230183273A1. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for producing high-purity diaryl carbonate

Номер патента: EP4414357A1. Автор: Hiroyuki Ochi. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

High purity polysiloxane macromers and method for making the same

Номер патента: CA3240330A1. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

High purity polysiloxane macromers and method for making the same

Номер патента: EP4448536A1. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

System and method for treatment of produced waters

Номер патента: US09719179B2. Автор: Mark A. Marcin,Thomas R. Sage. Владелец: High Sierra Energy LP. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and apparatus for manufacturing high-purity silicon rods

Номер патента: US4150168A. Автор: Yoshifumi Yatsurugi,Atsushi Yusa,Nagao Takahashi. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1979-04-17.

Method for producing argon and nitrogen

Номер патента: RU2764773C2. Автор: Джакомо КОЛЬМЕНЬЯ. Владелец: Касале Са. Дата публикации: 2022-01-21.

Method for preparing d-psicose crystal

Номер патента: US20190177351A1. Автор: Seong Bo Kim,Seung Won Park,Joo Hang Lee,Jun Gap An. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for preparation of silicate salt

Номер патента: WO2007139276A1. Автор: Hyoung-Nam Kwon. Владелец: Hyoung-Nam Kwon. Дата публикации: 2007-12-06.

Process for preparing high purity azithromycin

Номер патента: US20050222052A1. Автор: Pietro Massardo,Stefano Turchetta,Paolo Casellato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Process and method for separating rare earth elements from leach solutions

Номер патента: AU2023249134A1. Автор: Joseph Brewer. Владелец: RARE EARTH SALTS SEPARATION AND REFINING LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for recovering critical elements from leach solutions

Номер патента: WO2023133458A2. Автор: QI Li,Wencai Zhang,Rick Honaker. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc.. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for controlling heat treatment in process of fabricating high purity silica glass

Номер патента: US20010007195A1. Автор: Won-il Jeong,Young-Min Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for producing a cryostatic stabilizer

Номер патента: US5488850A. Автор: Akihiko Takahashi,Masahiro Hasegawa,Hitoshi Yasuda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Method for purifying ropinirole hydrochloride

Номер патента: US20200172482A1. Автор: Wenfeng Huang,Tao Zhou,Shiwen Zhang,Guoliang TU,Zhongming XU. Владелец: Zhejiang Huahai Licheng Pharmaceutical Co ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for purifying ropinirole hydrochloride

Номер патента: EP3640240A1. Автор: Wenfeng Huang,Tao Zhou,Shiwen Zhang,Guoliang TU,Zhongming XU. Владелец: Zhejiang Huahai Licheng Pharmaceutical Co ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

High purity tin compounds containing unsaturated substituent and method for preparation thereof

Номер патента: US12060377B2. Автор: LI YANG,Christopher Michael CAROFF. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A2. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method for purification of electrolytic salt

Номер патента: US20160060772A1. Автор: MENG Tao,Xiaofei Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for purifying pregabalin

Номер патента: EP4424664A1. Автор: Jun Tan,Changqing CAI,Yuanxun Zhu,Yougui WANG,Fengfeng YAN. Владелец: Zhejiang Huahai Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

System and Method for Processing High Purity Materials

Номер патента: US20100307602A1. Автор: Todd Graves,David Kandiyeli,Rhey Yang. Владелец: Mega Fluid Systems Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Compositions and methods for treating hepatitis-c

Номер патента: US20010018416A1. Автор: Todor Dimitrov,Vladimir I. Slesarev. Владелец: APOGEN PHARMACEUTICAL Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for preparing high-purity losartan

Номер патента: EP4455138A1. Автор: Yang Zheng,Jing Liu,Xian Yang,Zunjun LIANG,Aixing LI,Fengfeng YAN. Владелец: Zhejiang Huahai Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A3. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for producing antimony trisulfide

Номер патента: US09926205B2. Автор: Shota ISHIDA,Satoshi Kitazono. Владелец: NIHON SEIKO CO Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for producing paraffins

Номер патента: US09862656B2. Автор: Akihiro Kuwana,Hiroyuki Hata,Jun-Ichi Sakamoto. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

System and method for purification of electrolytic salt

Номер патента: US09783898B2. Автор: MENG Tao,Xiaofei Han. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for production of l-glutamic acid

Номер патента: RU2282662C2. Автор: Такаюки КОДА,Хироси УЕДА,Масаказу САТО. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2006-08-27.

Device and method for filing and processing requests

Номер патента: RU2263957C2. Автор: Шерман Чинг МА. Владелец: Минерва Холдингс Нв. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for producing silicon using microwave, and microwave reduction furnace

Номер патента: US9550681B2. Автор: Kazuhiro Nagata,Miyuki KANAZAWA. Владелец: Shimizu Densetsu Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

High purity phthalein derivatives and method for preparing same

Номер патента: US7518002B2. Автор: Francois Scherninski,Joanne Tran-Guyon. Владелец: Patent-Pharma. Дата публикации: 2009-04-14.

Method for forming carbon-carbon bond

Номер патента: EP3971156A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yoshinari Sawama. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Device and method for continuously preparing high-purity AKD without solvent

Номер патента: US9562027B2. Автор: Baochi SUN,Anqi TAN. Владелец: Suzhou Tianma Specialty Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for making a high purity alcohol

Номер патента: US20160229776A1. Автор: Raymond Prescott Cottle,Xianchun Wu,Chad A. Johnson,Kenneth Wayne Hampton, JR.,Eugene H. BROWN. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2016-08-11.

Novel improved method for synthesizing diaminophenothiazine compounds

Номер патента: WO2020250186A1. Автор: Achal Narendrakumar Agrawal. Владелец: Achal Narendrakumar Agrawal. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for purifying nucleic acids from feces

Номер патента: US20020068292A1. Автор: Kouichi Kojima. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Method for producing high-purity 1,3-butylene glycol

Номер патента: EP4414351A1. Автор: Shun Kamihigashi,Masaharu Kuboki,Jun KANADA. Владелец: KH Neochem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

High efficiency method for purifying human papillomavirus virus-like particles

Номер патента: US09994618B2. Автор: Hyoung Jin Kim,Hong-Jin Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for producing a solid scandium-containing material of enhanced scandium content

Номер патента: US09970078B2. Автор: David Gregory Nakon. Владелец: Element 21 Pty Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Production of high purity chondroitinase ABC

Номер патента: US09796970B1. Автор: Bing Lou Wong,Wai Hong Chung. Владелец: Advantek Serum Laboratories Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Cladding and the method for its formation

Номер патента: RU2759409C1. Автор: Константин Юрьевич Севенард. Владелец: Константин Юрьевич Севенард. Дата публикации: 2021-11-12.

Heat exchanger, method for formation thereof and use thereof

Номер патента: RU2667565C2. Автор: Петер Ян КОЛ. Владелец: Интергэс Хитинг Эссетс Б.В.. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for forming glass products

Номер патента: RU2763578C1. Автор: Вячеслав Владимирович Головин. Владелец: Вячеслав Владимирович Головин. Дата публикации: 2021-12-30.

Shaver blade, method for making it

Номер патента: RU2302333C2. Автор: Николае НЕАМТУ,Стефен Ф. ХОББС. Владелец: Дзе Джиллетт Компани. Дата публикации: 2007-07-10.

Method for crystallization of carboxylic acid

Номер патента: RU2221770C2. Автор: Эрик ФАШ,Мишель КОСТАНТИНИ. Владелец: Родиа Полиамид Интермедиэйтс. Дата публикации: 2004-01-20.

High purity iron-bearing materials and systems and methods of production thereof

Номер патента: WO2023211968A1. Автор: William Henry Woodford,Thomas CONRY,Alex LUYIMA. Владелец: Form Energy, Inc.. Дата публикации: 2023-11-02.

High purity iron-bearing materials and systems and methods of production thereof

Номер патента: US20230339770A1. Автор: William Henry Woodford,Thomas CONRY,Alex LUYIMA. Владелец: Form Energy Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

A method for the purification of factor xiii by affinity chromatography

Номер патента: AU3122489A. Автор: Werner Stuber,Jürgen Römisch,Hartmut Lobermann. Владелец: Behringwerke AG. Дата публикации: 1989-09-14.

High purity phthalein derivatives and method for preparing same

Номер патента: US20100179334A1. Автор: Francois Scherninski,Joanne Tran-Guyon. Владелец: Patent-Pharma. Дата публикации: 2010-07-15.

Sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110042673A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Tomoaki Yamabayashi,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Method for forming fixed images

Номер патента: EP2649495A1. Автор: YASUHIRO Hidaka,Akihiro Eida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

Method for producing hydrogenated biphenol

Номер патента: US9206099B2. Автор: Mitsuru Ohno,Tomohiro Hashizume. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2015-12-08.

Method for forming three-dimensional object

Номер патента: US20180147775A1. Автор: Hirofumi Hara,Masaya Nagahari. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for manufacturing press-molded article

Номер патента: EP4011517A1. Автор: Shohei Yamazaki,Tohru Yoshida,Ryuichi Nishimura,Koichi Hamada,Takuya Oishi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2022-06-15.

Method for forming in-mold coating multi-layer coating film

Номер патента: EP4431192A1. Автор: Takashi Kitamura,Haruka Nakaoka,Katsuto Komura. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for manufacturing constant velocity drive shaft

Номер патента: EP4434652A1. Автор: Tsuyoshi Muramatsu,Munemasa Kamizaiku,Motoharu NUKA,Smit Jaradswong. Владелец: Sigma & Hearts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and apparatus for forming elliptical hollow cylinder

Номер патента: US09821358B2. Автор: Shinji Hioki,Dai KAWASHIMA,Shuji Tokita. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

System and method for forming three-dimensional body

Номер патента: RU2759969C2. Автор: Клаус ШТАДЛЬМАНН. Владелец: Клаус ШТАДЛЬМАНН. Дата публикации: 2021-11-19.

Non-slumping, pumpable castable high purity silica composition

Номер патента: CA2324356C. Автор: Mark C. Langenohl. Владелец: Harbison Walker Refractories Co. Дата публикации: 2005-01-11.

A system and method for manufacturing high purity silicon

Номер патента: CA3020262C. Автор: Kevin Allan Dooley,Elwood A. Morris. Владелец: Kevin Allan Dooley Inc. Дата публикации: 2019-11-12.

A system and method for manufacturing high purity silicon

Номер патента: CA3020262A1. Автор: Kevin Allan Dooley,Elwood A. Morris. Владелец: Kevin Allan Dooley Inc. Дата публикации: 2018-12-05.

Resistive metal oxide gas sensor, manufacturing method thereof and method for operating the sensor

Номер патента: WO2020178203A1. Автор: Daniel EGLI,Sebastian Bartsch. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Manufacturing method for vehicle knuckle using preform

Номер патента: US20230128647A1. Автор: Ki Ho Kim,Se Woong JEONG,Ig Jin KWON,Ju Hyoung Cho,Hyun Tae BANG. Владелец: Iljin Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for forming micro-electro-mechanical system (mems) structure

Номер патента: US20190315620A1. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for preparing metallic titanium by molten salt electrolysis reduction of titanium dioxide

Номер патента: US20240240344A1. Автор: Zhongwei ZHAO. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: CA3076175A1. Автор: Nobuhiko Narita,Hirokazu OKAZAKI,Tatsuo Kuramochi,Yuya Hirai. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Production method for hematite for iron production

Номер патента: US20180037470A1. Автор: Hideki Sasaki,Hiroyuki Mitsui,Yasumasa Kan. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for making mold for forming anti-flare lens

Номер патента: US8454864B2. Автор: Chien-Feng Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Kind of method for preparing l-citrulline by using aeromonas sp.

Номер патента: US20220112530A1. Автор: Shijin Wu. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for forming a sheet blank as a workpiece in a forming tool

Номер патента: US12064800B2. Автор: Peter Amborn. Владелец: Hodforming GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for preparing iron phosphate dihydrate by decomplexing iron phosphate complex

Номер патента: EP4410742A1. Автор: Xiaoling MA. Владелец: Huanggang Linli New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for the preparation of optical waveguide devices and optical waveguide devices

Номер патента: US20040228595A1. Автор: Toshihiro Kuroda,Madoka Kondou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

System and method for ultra high purity (uhp) carbon dioxide purification

Номер патента: EP3077336A1. Автор: Marco Succi,Cristian Landoni,Charles H. Applegarth,Sarah VOGT. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2016-10-12.

Device and method for forming a non-ground vial

Номер патента: WO2006127843A2. Автор: Herbert A. Gerretz,Wayne Mozzo,Ivan E. Perez. Владелец: Alcan Global Pharmaceutical Packaging Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for forming a panel, particularly skin for a hollow core door, and a method of manufacturing a hollow core door

Номер патента: WO2016081958A3. Автор: Fahiem Amod BUX. Владелец: Bux Fahiem Amod. Дата публикации: 2016-08-25.

Optical modulator, method for forming the same, and method for controlling the same

Номер патента: SG11201909486XA. Автор: Guozhen Liang,Qijie Wang,Bo Meng,Xiaonan Hu. Владелец: Univ Nanyang Tech. Дата публикации: 2019-11-28.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: AU2245001A. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2001-06-25.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: WO2001044569A1. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: EP1266087A1. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: METSO PAPER KARLSTAD AB. Дата публикации: 2002-12-18.

Aromatic diamine and method for manufacturing the same, and aramid fiber and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2519497A2. Автор: In Sik Han,Hyojin Lee. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-11-07.

Method for forming resist underlayer film and patterning process

Номер патента: EP4435516A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Alpha Alumina with High Purity and High Relative Density, A Method for Its Production and Its Use

Номер патента: US20240253999A1. Автор: Reiner Glockler,Holger Mitzel. Владелец: Sasol Germany GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Method For Forming Resist Underlayer Film And Patterning Process

Номер патента: US20240345483A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

A pressing module for forming cellulose products and a method for forming cellulose products

Номер патента: EP4448266A1. Автор: Neil Anthony Litten,Adrian MORDUE,Mattias BERGFJORD. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-10-23.

METHOD FOR ENANTIOSELECTIVE HYDROGENATION OF CHROMENES

Номер патента: US20120004427A1. Автор: SETCHELL Kenneth David Reginald,Sorokin Victor Dmitrievich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing amino-cumoles of high purity

Номер патента: HU912960D0. Автор: . Владелец: Nitroil Vegyipari Termeloe Fej. Дата публикации: 1992-01-28.

Method for preparing silica gel in high purity

Номер патента: CN100443406C. Автор: 韦少义,王海,李忠,姚培洪,罗杰盛,曲其昌,张兰波. Владелец: China Petroleum and Natural Gas Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-17.

Method for preparing ammonium fluoride with high purity

Номер патента: CN101671036A. Автор: 李天祥,刘松林,杨丽萍,刘海,解田,李子燕,隋岩峰,骆吉林. Владелец: Wengfu Group Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-17.

Method for preparing super-clean and high-purity isopropanol and apparatus thereof

Номер патента: CN101362675B. Автор: 戈士勇. Владелец: JIANGYIN RUNMA ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Method for fermenting, extracting and preparing high purity pleuromutilin raw material

Номер патента: CN101676257A. Автор: 张文,徐开辉. Владелец: Great Enjoyhood Biochemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR DISINFECTING WATER

Номер патента: US20120000862A1. Автор: Belluati Mario,Colombi Giorgio,Danesi Enrico,Donnini Nicola,Petrucci Giuseppe,Rosellini Massimiliano,Giuseppina Peri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIVIDING WALL DISTILLATION COLUMNS FOR PRODUCTION OF HIGH-PURITY 2-ETHYLHEXANOL AND FRACTIONATION METHOD USING SAME

Номер патента: US20120004473A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METHACRYLIC ACID

Номер патента: US20120004460A9. Автор: Protzmann Guido,Gropp Udo,Sohnemann Stefanie,Mertz Thomas. Владелец: Evonik Roehm GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Biogas Purification

Номер патента: US20120000357A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NOVEL METHOD FOR PRODUCING ENAMINOCARBONYL COMPOUNDS

Номер патента: US20120004416A1. Автор: LUI Norbert,HEINRICH Jens-Dietmar. Владелец: Bayer CropScience AG. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION AND METHOD FOR CONTROLLING PLANT DISEASES

Номер патента: US20120004099A1. Автор: Kurahashi Makoto,Matsuzaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for complex processing of oyster plant

Номер патента: RU2421031C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-06-20.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGNING METHOD FOR DIMPLE PATTERN OF GOLF BALL

Номер патента: US20120004053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for actualization of digital area map and device for realization of said method

Номер патента: RU2246695C2. Автор: В.Л. Кашин,Л.И. Яблонский. Владелец: 29 Нии Мо Рф. Дата публикации: 2005-02-20.

Silicon metal upgrading for high purity applications

Номер патента: CA1222125A. Автор: Adolfo R. Zambrano. Владелец: Hanna Mining Co. Дата публикации: 1987-05-26.

NUCLEIC ACID CODING FUNCTIONALLY ACTIVE RECOMBINANT IgAL PROTEASE NEISSERIA MENINGITIDIS OF SEROGROUP B, RECOMBINANT PLASMID DNA CONTAINING NUCLEOTIDE SEQUENCE CODING ACTIVE IgAL PROTEASE, PRODUCER STRAIN CONTAINING PLASMID DNA PRODUCING MATURE FORM OF IgAL PROTEASE, RECOMBINANT Ig PROTEASE NEISSERIA MENINGITIDIS OF SEROGROUP B, METHOD FOR PRODUCING MATURE FORM IgAL PROTEASE SHOWING IMMUNOGENIC AND PROTECTIVE PROPERTIES

Номер патента: RU2453599C1. Автор: Леонид Васильевич Козлов,Виталий Павлович Зубов,Анна Мироновна Бичучер,Ирина Викторовна Анохина,Анатолий Эдуардович Аваков,Александр Павлович Аллилуев,Ольга Викторовна Котельникова,Лев Давыдович Румш,Елена Юрьевна Ягудаева,Лариса Стефановна Жигис,Вера Сергеевна Зуева,Эдвард Эдуардович Мельников,Оксана Викторовна Серова,Леонид Васильевич Козлов (RU),Анна Мироновна Бичучер (RU),Лев Давыдович Румш (RU),Эдвард Эдуардович Мельников (RU),Александр Павлович Аллилуев (RU),Ольга Викторовна Котельникова (RU),Лариса Стефановна Жигис (RU),Оксана Викторовна Серова (RU),Елена Юрьевна Ягудаева (RU),Виталий Павлович Зубов (RU),Ирина Викторовна Анохина (RU),Вера Сергеевна Зуева (RU),Анатолий Эдуардович Аваков (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for preparing disinfecting agent (variants)

Номер патента: RU2223791C2. Автор: И.П. Седишев. Владелец: Седишев Игорь Павлович. Дата публикации: 2004-02-20.

Method for forming thz images of cancer and skin pathologies

Номер патента: RU2559938C2. Автор: Владимир Анатольевич Макаров,Александр Сергеевич Колесников,Валерий Викторович Тучин,Дарья Кирилловна Тучина,Сергей Рудольфович Утц,Гариф Газизович Акчурин,Георгий Гарифович Акчурин,Александр Николаевич Якунин,Юрий Арташесович Аветисян,Алексей Петрович Попов,Екатерина Михайловна Галкина,Андрей Александрович Ангелуц,Екатерина Александровна Колесникова,Илья Александрович Ожередов,Александр Александрович Скапцов,Александр Павлович Шкуринов,Алексей Вячеславович Балакин,Михаил Маратович Стольниц,Кристина Николаевна Колесникова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2015-08-20.

Method for forming involute plastic articles from thermoplastic sheet material

Номер патента: CA1077668A. Автор: Robert F. Mulvany (Jr.). Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-05-20.