Method for forming high purity silicon oxide field oxide isolation region
Номер патента: US6818495B1
Опубликовано: 16-11-2004
Автор(ы): Jenn Ming Huang, Jin-Yuan Lee, Min-Hsiung Chiang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-11-2004
Автор(ы): Jenn Ming Huang, Jin-Yuan Lee, Min-Hsiung Chiang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device that includes forming dummy patterns in an isolation region prior to filling with insulating material
Номер патента: US7074691B2. Автор: Akira Takamatsu,Norio Suzuki,Hidenori Sato,Takeshi Saikawa,Hiroyuki Maruyama,Katsuhiko Hotta,Hiroyuki Ichizoe. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-11.