Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1
Опубликовано: 05-05-2016
Автор(ы): Carsten Grass, Martin Trentzsch, Sören Jansen
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods for Forming Interconnect Structures of Integrated Circuits

Номер патента: US20130052818A1. Автор: Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for Shrinking Openings in Forming Integrated Circuits

Номер патента: US20200135546A1. Автор: WANG Peng,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Methods for fabricating a cmos integrated circuit having a dual stress layer (dsl)

Номер патента: US20120220086A1. Автор: Peter Baars,Clemens Fitz,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for manufacturing gate structure and integrated circuit with interface layer

Номер патента: CN111106065B. Автор: 赵皇麟,程仲良,吴俊毅,方子韦. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for establishing contacts on conducting structures in circuits with very high integration density

Номер патента: FR2674371A1. Автор: Burmer Christian. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-25.

Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly

Номер патента: US20160027685A1. Автор: Ji xU,Gerard Schmid,Guillaume Bouche,Richard A. Farrell,Deniz Elizabeth Civay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Integrated electronic circuit with airgaps

Номер патента: US20200152503A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for producing an integrated circuit, at least partially transforming an oxide layer into a conductive layer

Номер патента: US20040048473A1. Автор: Matthias Lehr,Wolfram Karcher,Dieter Zeiler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

Integrated circuits including barrier polish stop layers and methods for the manufacture thereof

Номер патента: US20120319285A1. Автор: Carsten Peters,Jens Heinrich,Egon Ronny PFÜTZNER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods for fabricating integrated circuits using non-oxidizing resist removal

Номер патента: US20130029464A1. Автор: Thomas Feudel,Stefan Flachowsky,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for fabricating low-k dielectric and Cu interconnect

Номер патента: US8354346B2. Автор: Keng-Chu Lin,Tzu-Li Lee,Chih-hao Chen,Ming-Chung Liang,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-15.

Method for generating mask data, mask and computer readable recording media

Номер патента: US20010039647A1. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: WO2015179052A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for enhancing field oxide and integrated circuit with enhanced field oxide

Номер патента: EP1751794B1. Автор: Steven M. Leibiger,Daniel J. Hahn. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-04-14.

Methods for pfet fabrication using apm solutions

Номер патента: US20130203244A1. Автор: Richard J. Carter,Stephan Kronholz,Berthold Reimer,Joanna WASYLUK,Yew-Tuck Chow,Kai Tern Sih. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Methods for pfet fabrication using apm solutions

Номер патента: US20130203245A1. Автор: John Foster,Stephan Kronholz,Berthold Reimer,Paul Besser,Joanna WASYLUK,Gregory Nowling,Sven Metzger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor integrated circuit (IC)

Номер патента: TW201535607A. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Shiu-Ko Jangjian,Ying-Min Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US11930721B2. Автор: Jeremy P. Hilton,Paul I. Bunyk,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: 1372934 BC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Stepped isolation regions

Номер патента: US20240282636A1. Автор: Hsin Fu Lin,Hsin Heng WANG,Hui Hung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Stacked wafer integrated circuit

Номер патента: US20190371681A1. Автор: Stephen L. Morein. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-ON-INSULATOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2564241B1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-03-27.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a cmos integrated circuit

Номер патента: US20160372376A1. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for fabricating a merged integrated circuit device

Номер патента: US20010016391A1. Автор: William Cochran,Isik Kizilyalli,Morgan Thoma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US11957065B2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: 1372934 BC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating GaAs bipolar integrated circuit devices

Номер патента: US4654960A. Автор: Han-Tzong Yuan,William V. McLevige,Walter M. Duncan,Friedrich H. Doerbeck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-07.

Methods, apparatuses, and systems for fabricating three dimensional integrated circuits

Номер патента: WO2008079913A1. Автор: Shijian Li,Yezdi Dordi,Fritz Redeker. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-07-03.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Design layout method for metal lines of an integrated circuit

Номер патента: US20040043591A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for fabricating a semiconductor integrated circuit device including the self-aligned formation of a contact window

Номер патента: US5275972A. Автор: Yasushi Naito,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-01-04.

Method for Forming Contact in an Integrated Circuit

Номер патента: US20130072014A1. Автор: Paul R. Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20150348898A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-12-03.

Process for fabricating a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5700704A. Автор: Shigeru Takahashi,Yutaka Kobayashi,Naotaka Hashimoto,Shuji Ikeda,Satoshi Meguro,Soichiro Hashiba,Isamu Kuramoto,Atsuyoshi Koike,Katsuro Sasaki,Koichiro Ishibashi,Toshiaki Yamanaka,Nobuyuki Moriwaki,Atsushi Hiraishi,Seigou Yukutake. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-23.

Method for fabricating semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6855642B2. Автор: Yoshikazu Tanabe,Satoshi Sakai,Nobuyoshi Natsuaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Method of making integrated circuits with tub-ties

Номер патента: US6054342A. Автор: Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Thi-Hong-Ha Vuong. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Methods for fabricating multiple-gate integrated circuits

Номер патента: US20150187909A1. Автор: LIN Kun-Hsien,Ran Yan,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US11699594B2. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US20220051903A1. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

METHOD FOR FORMING INTERCONNECTIONS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2748601A1. Автор: Constantin Papadas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-11-14.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

METHOD FOR PRODUCING INTERCONNECTIONS FOR 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160111330A1. Автор: Coronel Philippe,Fenouillet-Beranger Claire. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-04-21.

METHOD FOR REMOVING SILICON OXIDE AND INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20190244828A1. Автор: MA Zhenguo. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Method for reworking metal layers on integrated circuit bond pads

Номер патента: US6534327B2. Автор: Gregory B. Shinn,Roger J. Stierman,Thomas M. Moore. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Method for reworking metal layers on integrated circuit bond pads

Номер патента: US6821791B2. Автор: Gregory B. Shinn,Roger J. Stierman,Thomas M. Moore. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-23.

METHOD FOR MAKING OPENINGS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2640810B1. Автор: Pierre Blanchard,Patrick Baussand. Владелец: Thomson Composants Militaires et Spatiaux. Дата публикации: 1992-10-30.

METHOD FOR PRODUCING CONNECTION HOLES ON INTEGRATED CIRCUITS.

Номер патента: DE3784751T2. Автор: Robert L Brown,Michael E Thomas. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-09-23.

Integrated circuits having and adjacent p-type doped regions having shallow trench isolation structures without liner layers therein therebetween and methods of forming same

Номер патента: EP1213757A3. Автор: Yong-Chul Oh,Gyo-Young Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-03.

Methods for Forming STI Regions in Integrated Circuits

Номер патента: US20180247935A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Shih Chi-Yuan,Lin Yi-Tang,CHANG Chih-Sheng,Sheu Jyh-Cherng,Hsu Chih-Yu,Tsai Wei-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Methods for forming sti regions in integrated circuits

Номер патента: KR101524945B1. Автор: 치유 수,이탕 린,클레멘트 시젠 완,치쉥 창,웨이춘 차이,지청 슈,치위안 시. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-06-10.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Apparatus and method for facilitating planar delayering of integrated circuit die

Номер патента: US11810808B2. Автор: Joshua Joseph Trujillo,Robert Allen Williams. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Three dimensional integrated circuit having redundant through silicon via base on rotatable cube

Номер патента: US20190181061A1. Автор: Minho Cheong,Sungho Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for fabricating laterally insulated integrated circuit chips

Номер патента: US20190019687A1. Автор: Mohamed Boufnichel,Eric Laconde,Mathieu Rouviere. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2019-01-17.

Three dimensional integrated circuit having redundant through silicon via base on rotatable cube

Номер патента: US10403555B2. Автор: Minho Cheong,Sungho Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-09-03.

HIGH PERFORMANCE ISOLATED VERTICAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING IN A CMOS INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160372376A1. Автор: Chatterjee Amitava,ROBINSON Derek W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for manufacturing semiconductor devices and integrated circuit capacitors whereby degradation of surface morphology of a metal layer from thermal oxidation is suppressed

Номер патента: US20040097033A1. Автор: Cha-young Yoo,Doo-Sup Hwang,Eun-ae Chung. Владелец: Hwang Doo-Sup. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for fabricating merging semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190013324A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chun-Yao Wang,Ming-Hua Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Process for fabricating Bi-CMOS integrated circuit

Номер патента: US5179036A. Автор: Ryoichi Matsumoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20030071294A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20020117701A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20180047705A1. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Methods for fabricating integrated circuits including generating photomasks for directed self-assembly

Номер патента: US20150242555A1. Автор: Yi Zou,Azat Latypov,Tamer Coskun,Wei-Long Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Integrated Circuit Comprising Group III-N Transistors Monolithically Integrated on a Silicon Substrate and a Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20160163695A1. Автор: Niels Posthuma,Stefaan Decoutere,Shuzhen You. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: EP1570525A1. Автор: TSAI Wilman,Matty Caymax,Jerry Chen,Jan-Willem Maes. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for forming a dielectric stack

Номер патента: US20090079016A1. Автор: TSAI Wilman,Jan Willem Maes,Mathieu Caymax,Peijun Jerry Chen. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-03-26.

A method for contacting a buried interconnect rail from the back side of an ic

Номер патента: EP3651188A1. Автор: Mr. Eric Beyne,Mrs. Anne Jourdain,Mr. Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-13.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATION OF SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200274050A1. Автор: Bunyk Paul I.,Ladizinsky Eric,Hilton Jeremy P.,Oh Byong Hyop. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

System and method for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: JP7212002B2. Автор: ブニク，ポール，アイ．,ラディジンスキー，エリック,ヒルトン，ジェレミー，ピー．,オ，ビョン，ヒョプ. Владелец: ディー－ウェイブ システムズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2023-01-24.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for fabricating integrated circuits

Номер патента: US4393574A. Автор: Masafumi Shimbo. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-19.

Methods for fabricating integrated circuits

Номер патента: US20140154854A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Erik P. Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Self-aligned trench filling for narrow gap isolation regions

Номер патента: EP1949443A1. Автор: Jack H. Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for isolating areas of an integrated circuit and semiconductor device with an integrated circuit

Номер патента: DE19840385C2. Автор: Eugene Disimone,Pramjit Singh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a cmos integrated circuit

Номер патента: US20140183655A1. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming trench isolation in integrated circuit

Номер патента: TW471115B. Автор: Chung-Shr Tsai,De-Tsz Fan. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

Methods for fabricating integrated circuits with stressed semiconductor material

Номер патента: US20140017903A1. Автор: Abhijeet Paul,Abner Bello. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US6025619A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-15.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160163824A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Thermal shunts and thermal management in monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US20190189580A1. Автор: Robert Bayruns,Ali Badar Alamin DOW,David Osika,John Ueng-McHale. Владелец: Duet Microelectronics Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4142457B1. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

METHOD FOR FABRICATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT RENDERING A REVERSE ENGINEERING OF THE INTEGRATED CIRCUIT MORE DIFFICULT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160064339A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian,Bouton Guilhem. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD FOR FABRICATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT RENDERING A REVERSE ENGINEERING OF THE INTEGRATED CIRCUIT MORE DIFFICULT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170194267A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian,Bouton Guilhem. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabrication of an integrated circuit rendering a reverse engineering of the integrated circuit more difficult and corresponding integrated circuit

Номер патента: US9780045B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Guilhem Bouton. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same, integrated circuit die and method for packaging the same, and packaged integrated circuit

Номер патента: TW200541000A. Автор: Ker-Min Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-16.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US9263548B2. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-16.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US20080254587A1. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Methods, apparatuses, and systems for fabricating three dimensional integrated circuits

Номер патента: TW200847312A. Автор: Shijian Li,Yezdi Dordi,Fritz Redeker. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATION OF SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200144476A1. Автор: Bunyk Paul I.,Harris Richard G.,Swenson Loren J.,Whittaker Jed D.,Huang Shuiyuan,Enderud Colin C.,Ladizinsky Eric G.,Altomare Fabio,Oh Byong H.,Stadtler Douglas P.,Sterpka Edward G.,Ladizinsky Nicolas C.,Yao Jason J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US11038095B2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

METHOD FOR MANUFACTURING PORTABLE DEVICE WITH INTEGRATED CIRCUIT WITH ELECTRICAL CONDUCTION PATHS

Номер патента: FR2794570B1. Автор: Jean Christophe Fidalgo,Bernard Calvas. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2003-07-18.

METHOD FOR MANUFACTURING PORTABLE DEVICE WITH INTEGRATED CIRCUIT WITH ELECTRICAL CONDUCTION WAYS

Номер патента: FR2794570A1. Автор: Jean Christophe Fidalgo,Bernard Calvas. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2000-12-08.

Process for fabricating multilevel metal integrated circuits and structures produced thereby

Номер патента: EP0248668A3. Автор: Tim Roger Koch. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1988-07-06.

Method for wafer level packaging of integrated circuit dies, composite wafers obtained using the method and wafer level package

Номер патента: JP4977388B2. Автор: チャオ ヤン. Владелец: Memsic Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for reducing cross contamination in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20160020146A1. Автор: HONG Shen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

APPARATUS AND METHOD FOR PLACING STRESSORS WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE TO MANAGE ELECTROMIGRATION FAILURES

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.,Travis Edward O.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20150333056A1. Автор: Du Yang,Arabi Karim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-19.

APPARATUS AND METHOD FOR PLACING STRESSORS WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE TO MANAGE ELECTROMIGRATION FAILURES

Номер патента: US20150348898A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.,Travis Edward O.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for forming interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: CA2082771C. Автор: Ismail T. Emesh,Vu Quoc Ho,Gurvinder Jolly. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Method for forming interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US5354712A. Автор: Ismail T. Emesh,Gurvinder Jolly,Yu Q. Ho. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE ELEMENTS FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2466102A1. Автор: William Russel Cady. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-03-27.

METHOD FOR FORMING CAPACITY ON AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2781603B1. Автор: Yvon Gris,Jocelyne Mourier,Germaine Troillard,Jean Claude Oberlin,Henri Banvillet,Jos Guelen,Genevieve Lunardi,Catherine Maddalon. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-10-06.

METHOD FOR PRODUCING METAL INTERCONNECTIONS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2771854A1. Автор: Philippe Gayet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-06-04.

METHOD FOR PRODUCING METAL INTERCONNECTIONS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2771854B1. Автор: Philippe Gayet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2001-06-15.

MANUFACTURING METHOD FOR A LINE STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: DE69527484D1. Автор: Wei-Ming Chung. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for manufacturing interposer substrate mounting integrated circuit

Номер патента: JP4285629B2. Автор: 修 谷口,正孝 水越,孝司 表. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-06-24.

Method for forming contact structures in integrated circuits

Номер патента: EP0566253A1. Автор: Girish A. Dixit,Fu-Tai Liou,Fusen E. Chen. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-10-20.

Method for forming contact vias in integrated circuits

Номер патента: EP0568385A2. Автор: Michael Edward Haslam,Charles Ralph Spinner Iii. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-11-03.

Method for reducing cross contamination in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US10340186B2. Автор: HONG Shen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-02.

Apparatus, system, and method for mitigating warpage of lidless integrated circuits during reflow processes

Номер патента: US10242941B1. Автор: Peng Su,Gautam Ganguly,Marc D. Hartranft,Helen L. Turner,Guhan Subbarayan. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Structures and methods for improved capacitor cells in integrated circuits

Номер патента: US6590246B1. Автор: Vishnu K. Agarwal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-08.

Method for producing interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US8252659B2. Автор: Cedric Huyghebaert,Jan Van Olmen,Jan Vaes. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-08-28.

Apparatus and method for reducing pitch in an integrated circuit

Номер патента: US20100133705A1. Автор: Richard Joseph Saia,Paul Alan McConnelee,Raymond Albert Fillion,Kevin M. Durocher. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2010-06-03.

Systems and Methods for Main Distribution on an Integrated Circuit

Номер патента: US20160260662A1. Автор: Donald E. Hawk,Larry Golick,Bei Qi Wang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

System and method for forming one or more integrated circuit packages using a flexible leadframe structure

Номер патента: US20050263862A1. Автор: Akira Matsunami. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US20200084891A1. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-12.

Device and method for removing heatspreader from an integrated circuit package

Номер патента: US6061889A. Автор: Steven Scott,Kristine Griley,Dan Sullivan. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US11109486B2. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-08-31.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for fabricating partial SOI substrate

Номер патента: US7927965B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for fabricating partial soi substrate

Номер патента: US20100120218A1. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Ultrathin body fully depleted silicon-on-insulator integrated circuits and methods for fabricating same

Номер патента: US20130341722A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Methods for fabricating integrated circuits having substrate contacts and integrated circuits having substrate contacts

Номер патента: US20130256901A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Methods for fabricating integrated circuits using self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US20150170973A1. Автор: Jason CANTONE,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180005897A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Integrated circuits having device contacts and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160035623A1. Автор: Wei Lu,Fan Zhang,Wei Shao,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Vish SRINIVASAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for fabricating a semiconductor integrated circuit with a litho-etch, litho-etch process for etching trenches

Номер патента: US20140235055A1. Автор: Norman Chen,Jeong Soo Kim,Yuyang Sun,Shyam Pal,Sohan Mehta,Matthew Herrick. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

METHODS FOR FABRICATING HIGH-DENSITY INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20150143306A1. Автор: Moroz Victor,Lin Xi-Wei. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2015-05-21.

Methods for fabricating high-density integrated circuit devices

Номер патента: KR101573130B1. Автор: 시-웨이 린,빅터 모로즈. Владелец: 시놉시스, 인크.. Дата публикации: 2015-11-30.

Apparatus and method for facilitating planar delayering of integrated circuit die

Номер патента: US20200144091A1. Автор: Joshua Joseph Trujillo,Robert Allen Williams. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

Apparatus and method for facilitating planar delayering of integrated circuit die

Номер патента: US10573547B1. Автор: Joshua Joseph Trujillo,Robert Allen Williams. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2020-02-25.

Method for forming field effect transistor integrated circuits having a pattern of narrow dimensioned dielectric regions and resulting structures

Номер патента: EP0043943B1. Автор: Ingrid Emese Magdo,Shakir Ahmed Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-11-12.

Method for forming field effect transistor integrated circuits having a pattern of narrow dimensioned dielectric regions and resulting structures

Номер патента: DE3175618D1. Автор: Ingrid Emese Magdo,Shakir Ahmed Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-01-02.

Novel process for controlling shallow trench isolation step height

Номер патента: US20100112732A1. Автор: Harry Chuang,Gary Shen,Kong-Beng Thei,Su-Chen Lai,Shun-Jang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: US20110316085A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Luona Goh,Jeff Shu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for designing soi water and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: SG183422A1. Автор: Susumu Kuwabara. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2012-09-27.

Integrated circuit with active region jogs

Номер патента: US20230387129A1. Автор: Lei Pan,Kuo-Ji Chen,Xin-Yong WANG,Tian-Yu Xie. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Process for fabricating monolithic circuits having matched complementary transistors and product

Номер патента: US4054899A. Автор: William F. Cashion,Robert A. Stehlin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1977-10-18.

Methods for fabricating integrated circuits with improved active regions

Номер патента: US9620418B2. Автор: Wei Lu,Liang Li,Alex See,Yung Fu Alfred Chong,Lian Choo Goh,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for fabricating an integrated circuit with undercut etching

Номер патента: US6524917B2. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-25.

Finfet device and method for fabricating same

Номер патента: US20170229561A1. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Gwan-Sin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Fabricating waveguides in conjunction with interconnect fabrication in back-ends of integrated circuits and structures thereof

Номер патента: US8761552B1. Автор: Jeremy Witzens,Michael J. Hochberg. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US20160218168A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Ic structure with single active region having different doping profile than set of active regions

Номер патента: US20210351283A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Harold Mendoza,Jay A. Mody,Clynn J. Mathew,Yea-Sen Lin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for forming LDD CMOS

Номер патента: US6020231A. Автор: Chih-Hsien Wang,Min-Liang Chen. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with gate electrode structure protection

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and system for fabricating semiconductor components with through interconnects and back side redistribution conductors

Номер патента: WO2008070429A1. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for fabricating merging semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190013324A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chun-Yao Wang,Ming-Hua Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Integrated circuit device with deep trench isolation regions for all inter-well and intra-well isolation and with a shared contact to a junction between adjacent device diffusion regions andan underlying floating well section

Номер патента: US20100301419A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Integrated circuit device with deep trench isolation regions for all inter-well and intra-well isolation and with shared contact to junction between adjacent device diffusion regions and underlying floating well section

Номер патента: CN102428556B. Автор: B.A.安德森,A.布赖恩特,E.J.诺瓦克. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-12.

Methods for fabricating integrated circuits with semiconductor substrate protection

Номер патента: US20140273375A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US9312189B2. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Method for the production of an integrated circuit and integrated circuit with a bipolar transistor and a hetero bipolar transistor

Номер патента: WO2003096412A2. Автор: Karlheinz Mueller,Claus Dahl,Cajetan Wagner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-20.

Integrated circuits including selectively deposited metal capping layers on copper lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150194344A1. Автор: Moosung Chae,Larry Zhao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Enhancing Integrated Circuit Density with Active Atomic Reservoir

Номер патента: US20180218976A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20020182808A1. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058390A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Process for fabricating a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5395782A. Автор: Satoru Kaneko,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-07.

METHOD FOR PROTECTING A WAFER OF INTEGRATED CIRCUITS, AND WAFER OF INTEGRATED CIRCUITS OBTAINED

Номер патента: FR2750250B1. Автор: Sophie Siettler,Jean Noel Audoux. Владелец: Solaic SA. Дата публикации: 1998-08-21.

Gas immersion laser annealing method suitable for use in the fabrication of reduced-dimension integrated circuits

Номер патента: WO2000013213A1. Автор: Somit Talwar,Kurt Weiner. Владелец: Ultratech Stepper, Inc.. Дата публикации: 2000-03-09.

Method for re-utilizing rubber-coated integrated circuit and tin implanting clamp required for the method

Номер патента: CN105489544A. Автор: 李艳,高发明,卢雄,冯容,黄南达. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

SYSTEM AND METHOD FOR FORMING AND AUTHENTICATING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180040566A1. Автор: Ewing Daniel,REED WAYNE,WILL JAMES. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR HIERARCHICAL EXPOSURE OF AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING MULTIPLE INTERCONNECTED DIE

Номер патента: US20200203308A1. Автор: Fricker Jean-Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method for Making Lead Frames for Integrated Circuit Packages

Номер патента: US20180261469A1. Автор: How You Chye. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Method for making high-performance RF integrated circuits

Номер патента: US6759275B1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2004-07-06.

Method for making high-performance rf integrated circuits

Номер патента: US20110175195A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Methods for fabricating integrated circutis and components thereof

Номер патента: US20150303117A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers

Номер патента: US20020142538A1. Автор: Eugene Marsh,Brenda Kraus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabricating integrated circuit device

Номер патента: US11894267B2. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Fu-Ting Sung,Fa-Shen JIANG,Tzu-Hsuan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536B1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma,Steven J. c/o IBM United Kingdom Limited HOLMES. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

METHOD FOR MAKING A THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2979481A1. Автор: Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-03-01.

METHOD FOR MAKING A THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2979481B1. Автор: Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-07-01.

METHOD FOR GENERATING TOPOGRAPHY OF FDSOI INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2999746A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Boulaire Matthieu Le. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-06-20.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits having metal gate electrodes

Номер патента: US8835244B2. Автор: Shom Ponoth,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070069304A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly including a substantially periodic array of topographical features that includes etch resistant topographical features for transferability control

Номер патента: US20160247686A1. Автор: Azat Latypov,Moshe Preil,Tamer Coskun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240138268A1. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Built-up substrate, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit package

Номер патента: US20140124777A1. Автор: Koji Kawakita,Yoshihisa Yamashita,Seiichi Nakatani,Susumu Sawada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Materials and Methods for Fabricating Superconducting Quantum Integrated Circuits

Номер патента: US20230337553A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US11991935B2. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US9035674B2. Автор: HONG Xiao,Jack Y. Jau,CHANG CHUN YEH. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Systems and methods for providing distributed batteries in integrated circuits

Номер патента: US20240234345A1. Автор: Swarup Bhunia,Peyman Dehghanzadeh. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and methods for bidirectional esd protection in integrated circuit

Номер патента: WO2013181328A1. Автор: Gianluca Boselli,Farzan Farbiz,Ann Margaret Concannon,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-12-05.

Through-silicon via (TSV) fault-tolerant circuit, method for TSV fault-tolerance and integrated circuit (IC)

Номер патента: US11892502B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for deleting unused gates and method for manufacturing master-slice semiconductor integrated circuit device using the deleting method

Номер патента: US4960724A. Автор: Shoichi Watanabe,Terumine Hayashi,Takayuki Takei,Takashi Natabe. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Circuit and method for providing interconnections among individual integrated circuit chips in a multi-chip module

Номер патента: US20010030361A1. Автор: Thaddeus Gabara,King Tai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2015038466A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Apparatus and method for detecting damage to an integrated circuit

Номер патента: EP3749968A1. Автор: Lennart Karl-Axel Mathe,Vijayakumar Dhanasekaran,Qubo Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-03-30.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for forming c4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: EP2020023A2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kevin S. Petrarca,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Mukta G. Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-04.

Method for forming c4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: WO2007127816A2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kevin S. Petrarca,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Mukta G. Farooq. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-08.

System and method for de-latch of an integrated circuit

Номер патента: US8472276B1. Автор: Bruce Barbara,Morgan Whately. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-06-25.

Method for optimising transistor performance in integrated circuits

Номер патента: US20060186478A1. Автор: Peter Hughes,Trevor Monk,Shannon Morton. Владелец: Icera LLC. Дата публикации: 2006-08-24.

Method for producing an opto-electronic integrated circuit

Номер патента: CA1301897C. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-05-26.

System and method for providing scalability in an integrated circuit

Номер патента: US20060049496A1. Автор: HONG Hao,Michael Casey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Calculating method for inductance in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040075436A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Hiroo Masuda. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2004-04-22.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for Fabricating a Neo-Layer Using Stud Bumped Bare Die

Номер патента: US20120068336A1. Автор: W. Eric Boyd,James Yamaguchi,Randy Bindrup,Peter Lieu. Владелец: Irvine Sensors Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for Depackaging Prepackaged Integrated Circuit Die and a Product from the Method

Номер патента: US20120068341A1. Автор: W. Eric Boyd,Peter Lieu. Владелец: Irvine Sensors Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: EP3747042A1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240136211A1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Packaged Integrated Circuit With Interposing Functionality and Method for Manufacturing Such a Packaged Integrated Circuit

Номер патента: US20190326188A1. Автор: Vockenberger Christian,Tuominen Mikael. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Packaged integrated circuit with interposing functionality and method for manufacturing such a packaged integrated circuit

Номер патента: EP3557608A1. Автор: Christian Vockenberger,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2019-10-23.

Leadframe for integrated circuit die packaging in a molded package and a method for preparing such a leadframe

Номер патента: US20130319744A1. Автор: Tsung Yi Wu,Chyi Keh Chern,Tsung Wen Chang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-12-05.

CHIP ARRANGEMENT, A METHOD FOR MANUFACTURING A CHIP ARRANGEMENT, INTEGRATED CIRCUITS AND A METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140197552A1. Автор: Mahler Joachim,Otremba Ralf,Hoeglauer Josef,Schredl Juergen,Schloegel Xaver,Kalz Franz-Peter,Hosseini Khalil,Mengel Manfred,Hable Wolfram. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-17.

Integrated circuit packaging process and structure

Номер патента: US4870476A. Автор: Russell V. Solstad. Владелец: VTC Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Integrated circuit packaging process

Номер патента: US4689875A. Автор: Russell V. Solstad. Владелец: VTC Inc. Дата публикации: 1987-09-01.

HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR MAKING HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200084891A1. Автор: Ma Zhenqiang,Qin Guoxuan,Cho Namki. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

An integrated circuit package and a method for dissipating heat in an integrated circuit package

Номер патента: KR20090089399A. Автор: 콕 후아 시몬 츄아,부디 엔조만. Владелец: 에이저 시스템즈 인크. Дата публикации: 2009-08-21.

Integrated circuit package and a method for dissipating heat in an integrated circuit package

Номер патента: US20100120206A1. Автор: Kok Hua Chua,Budi Njoman. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-05-13.

Method for dry etching vias in integrated circuit layers

Номер патента: US5017511A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Method for dry etching openings in integrated circuit layers

Номер патента: US5157000A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-10-20.

APPARATUS AND METHOD FOR SECURING COMPONENTS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200006097A1. Автор: Kennedy Paul,Fricker Jean-Philippe,Jun Frank. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

APPARATUS AND METHOD FOR SECURING COMPONENTS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190067052A1. Автор: Kennedy Paul,Fricker Jean-Philippe,Jun Frank. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

APPARATUS AND METHOD FOR SECURING COMPONENTS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190172736A1. Автор: Kennedy Paul,Fricker Jean-Philippe,Jun Frank. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160211325A1. Автор: Mori Takahiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Apparatus and method for securing components of an integrated circuit

Номер патента: US20200381274A1. Автор: Paul Kennedy,Jean-Philippe Fricker,Frank Jun. Владелец: Cerebras Systems Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods for multi-stage molding of integrated circuit package

Номер патента: US20100330708A1. Автор: William P. Taylor,Nirmal Sharma,Raymond W. Engel. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods for multi-stage molding of integrated circuit package

Номер патента: US8143169B2. Автор: William P. Taylor,Nirmal Sharma,Raymond W. Engel. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2012-03-27.

TAPE MANUFACTURING METHOD FOR THE AUTOMATIC MANUFACTURE OF INTEGRATED CIRCUITS AND TAPE OBTAINED BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2575965A1. Автор: Brett Sharenow. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1986-07-18.

Methods for use with tray-based integrated circuit device handling systems

Номер патента: US7104748B2. Автор: Russell S. Bjork. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Apparatus and method for securing components of an integrated circuit

Номер патента: US11631600B2. Автор: Paul Kennedy,Jean-Philippe Fricker,Frank Jun. Владелец: Cerebras Systems Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for dry etching vias in integrated circuit layers

Номер патента: EP0408276B1. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-08.

Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits

Номер патента: EP0379289A2. Автор: Roger J. Stierman,Robert J. Lessard. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-07-25.

System and method for manufacturing a plurality of integrated circuits

Номер патента: EP3747042C0. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Nathaniel James GREEN,Den Heever Thomas Stanley Van. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

System and method for manufacturing a plurality of integrated circuits

Номер патента: EP3747042B1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor construction with isolation regions for dram cell and production method

Номер патента: SG140608A1. Автор: Steven Cummings,Gordon Haller,Randal W Chance,Shanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-28.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with improved silicide contacts

Номер патента: US9029214B2. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with improved silicide contacts

Номер патента: US20140197498A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Nicolas Sasiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US9054135B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising a junction field effect transistor (JFET)

Номер патента: US11830776B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020160572A1. Автор: Da Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030201510A1. Автор: Da Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Integrated circuits having improved metal gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US20130270646A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor construction with isolation regions for dram cell and production method

Номер патента: EP1782467A1. Автор: Steven Cummings,Gordon Haller,Sanh D. Tang,Randal W. Chance. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-09.

Semiconductor integrated circuit device and related fabrication method

Номер патента: US20100240197A1. Автор: Jong-wook Lee,Young-Pil Kim,Si-Young Choi,Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit device and related fabrication method

Номер патента: US20080105930A1. Автор: Jong-wook Lee,Young-Pil Kim,Si-Young Choi,Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-08.

Structure and method for fabricating a computing system with an integrated voltage regulator module

Номер патента: US10818632B1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Structure and Method for Fabricating a Computing System with an Integrated Voltage Regulator Module

Номер патента: US20240243012A1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for integrating high-voltage device and low-voltage device

Номер патента: US20020197812A1. Автор: Yung-Chieh Fan. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7875512B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090186472A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method for fabricating semiconductor device with super junction structure

Номер патента: US20150056771A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Methods for fabricating integrated circuits with narrow, metal filled openings

Номер патента: US20130224927A1. Автор: HAO Zhang,Robert Binder,Sven Schmidbauer,Dina H. Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device having a lightly doped semiconductor gate and method for fabricating same

Номер патента: US20110186926A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120235248A1. Автор: Ho-Ung KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Vertical transistors having uniform channel length

Номер патента: US20200312722A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Laser-cut lead-frame for integrated circuit (ic) packages

Номер патента: US20230063278A1. Автор: Tiange Xie,Alex Chin Sern Ting,Li Xiang Zheng,Zhenzhen He. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Laser-cut lead frame for integrated circuit (ic) packages

Номер патента: US20240258120A1. Автор: Yuntao Xu,Chong Han Lim,Li Xiang Zheng,Chin Sern Alex TING. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for fabricating multiple thickness insulator layers

Номер патента: US6916674B2. Автор: Pang-Shiu Chen,Chee-Wee Liu,Buo-Chin Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-07-12.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor packages and method for fabricating the same

Номер патента: US20240258276A1. Автор: Jingu Kim,Wooyoung Kim,Sangkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US8338970B2. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US20060255887A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated Circuit with Adjusting Elements and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20110147065A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: EP4162540A4. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: US20150061728A1. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-05.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: EP2842228A1. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-04.

Method for manufacturing and packaging integrated circuit

Номер патента: US20040148774A1. Автор: Ching-Shun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: CA2751897C. Автор: Geordie Rose,Jeremy P. Hilton,Eugene Dantsker,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames

Номер патента: US4079511A. Автор: Dimitry G. Grabbe. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1978-03-21.

Method of forming complementary bipolar and MOS transistor having power and logic structures on the same integrated circuit substrate

Номер патента: US5256582A. Автор: Dan M. Mosher,Joe R. Trogolo,Cornelia H. Blanton,Larry Latham,David R. Cotton,Bob Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-26.

Apparatus for dissipating heat from an integrated circuit

Номер патента: US5590026A. Автор: James D. Warren,Carl R. Vogt,Charles D. Klooz. Владелец: Borg Warner Automotive Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: CA3208433A1. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Monolithic integrated circuit with a built-in inductive component and procedure for fabricating such an integrated circuit

Номер патента: CA2301988A1. Автор: Ahmed Mhani,Laurent Basteres,François Valentin,Jean-Michel Karam. Владелец: PLANHEAD-SILMAG PHS. Дата публикации: 2000-09-23.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and integrated circuit

Номер патента: US20220384447A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: EP2842228A4. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-01-06.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: TWI376760B. Автор: HONG Xiao,Jack Jau,CHANG CHUN YEH. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2012-11-11.

Process for fabricating thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and its fabrication process

Номер патента: CN1894796B. Автор: 山崎舜平,荻田香,小森美帆,佐藤由里香,细木和江. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATION OF SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200006421A1. Автор: Rose Geordie,Ladizinsky Eric,Hilton Jeremy P.,Dantsker Eugene,Oh Byong Hyop. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATION OF SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180033944A1. Автор: Bunyk Paul I.,Ladizinsky Eric,Hilton Jeremy P.,Oh Byong Hyop. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATION OF SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170098682A1. Автор: Rose Geordie,Ladizinsky Eric,Hilton Jeremy P.,Dantsker Eugene,Oh Byong Hyop. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATION OF SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150119252A1. Автор: Bunyk Paul I.,Ladizinsky Eric,Hilton Jeremy P.,Oh Byong Hyop. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATION OF SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150187840A1. Автор: Rose Geordie,Ladizinsky Eric,Hilton Jeremy P.,Dantsker Eugene,Oh Byong Hyop. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US20180308896A1. Автор: Geordie Rose,Jeremy P. Hilton,Eugene Dantsker,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers

Номер патента: CA2409435C. Автор: Brian Moore. Владелец: Scanimetrics Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Three dimensional integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: US9214926B2. Автор: Tsugio Takahashi. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Method for fabricating semiconductor light integrated circuit

Номер патента: EP0661783B1. Автор: Tomoaki C/O Nec Corporation Kato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-15.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: EP4162540A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Monolithic integrated circuit incorporating an inductive component and process for fabricating such an integrated circuit

Номер патента: US6548365B2. Автор: Ahmed Mhani,Laurent Basteres,François Valentin,Jean-Michel Karam. Владелец: MEMSCAP AND PLANHEAD-SILMAG PHS S A SA. Дата публикации: 2003-04-15.

Method of forming a three dimensional integrated circuit structure

Номер патента: US4954458A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Monolithic integrated circuit incorporating an inductive component and process for fabricating such an integrated circuit

Номер патента: US20020160576A1. Автор: Ahmed Mhani,Laurent Basteres,François Valentin,Jean-Michel Karam. Владелец: Memscap SA. Дата публикации: 2002-10-31.

Metal programmable integrated circuit capable of utilizing a plurality of clock sources and capable of eliminating clock skew

Номер патента: US6902957B2. Автор: Hsin-Shih Wang,Shang-Jyh Shieh. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-07.

Method for integrated circuit design and manufacture using diagonal minimum-width patterns

Номер патента: WO2011143013A2. Автор: Akira Fujimura,Larry Lam Chau,Tam Dinh Thanh Nguyen. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Packaged integrated circuits and methods of producing thereof

Номер патента: EP1356718A2. Автор: Avner Badihi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2003-10-29.

Cell row arrangement in regions of integrated circuit layout

Номер патента: US20210240901A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: EP2375451A3. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey. B Casady. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Programmable interposers for electrically connecting integrated circuits

Номер патента: US20210090649A1. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Metal programmable integrated circuit capable of utilizing a plurality of clock sources and capable of eliminating clock skew

Номер патента: US20040224443A1. Автор: Hsin-Shih Wang,Shang-Jyh Shieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Programmable interposers for electrically connecting integrated circuits

Номер патента: US11984157B2. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-05-14.

METHOD FOR WELDING AND POSITIONING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH SURFACE MOUNTING ON A SUBSTRATE WITH INSULATED METAL RANGES AND ASSEMBLY MADE THEREBY

Номер патента: FR2932314A1. Автор: Michaël Chemin,Thierry Mandion. Владелец: Valeo Equipements Electriques Moteur SAS. Дата публикации: 2009-12-11.

Integrated circuit packaging system with isolated pads and method of manufacture thereof

Номер патента: US7998790B2. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Jose Alvin Caparas,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Removal of a heat spreader from an integrated circuit package to permit testing of the integrated circuit and other elements of the package

Номер патента: US6117352A. Автор: Kevin Weaver,Steve E. Scott. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Apparatus and method for changing the functionality of an integrated circuit using charge trap transistors

Номер патента: WO2021202575A1. Автор: Subramanian Iyer,Sepideh NOURI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-10-07.

Structure and Method for Cooling Three-Dimensional Integrated Circuits

Номер патента: US20200006325A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Structure and Method for Cooling Three-Dimensional Integrated Circuits

Номер патента: US20170358572A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Structure and Method for Cooling Three-Dimensional Integrated Circuits

Номер патента: US20210159225A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Structure and method for cooling three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US11532613B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Structure and method for cooling three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US10910365B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Structure and method for cooling three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US10763253B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Apparatus and method for changing the functionality of an integrated circuit using charge trap transistors

Номер патента: US20230178146A1. Автор: Subramanian Iyer,Sepideh NOURI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-08.

COMPUTER READABLE MEDIUM ENCODED WITH A PROGRAM FOR FABRICATING A 3D INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20130189813A1. Автор: Purushothaman Sampath,Liu Fei,Farooq Mukta G.,Yu Roy R.,Hannon Robert,Iyer Subramanian S.,Koester Steven J.,Young Albert M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

Lithium Battery, Method for Manufacturing a Lithium Battery, Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20160164134A1. Автор: Bernhard Goller,Guenter Zieger,Magdalena Forster,Michael Sorger,Katharina Schmut,Philemon Schweizer,Michael Sternad. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-09.

Lithium Battery, Method for Manufacturing a Lithium Battery, Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20140319649A1. Автор: Sorger Michael,Schmut Katharina,Sternad Michael,Goller Bernhard,Zieger Guenter,Forster Magdalena,Schweizer Philemon. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Lithium battery, method for manufacturing a lithium battery, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: WO2013075810A1. Автор: Bernhard Goller,Magdalena Forster,Michael Sorger,Katharina Schmut,Günter ZIEGER,Philemon Schweizer,Michael Sternad. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-05-30.

Chip manufacturing method for cutting test pads from integrated circuits by sectioning circuit chips from circuit substrate

Номер патента: US6686224B2. Автор: Kunihiko Higashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Lithium battery, method for manufacturing a lithium battery, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US9531035B2. Автор: Bernhard Goller,Guenter Zieger,Magdalena Forster,Michael Sorger,Katharina Schmut,Philemon Schweizer,Michael Sternad. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit device, method for forming and operating an integrated circuit, method for forming and operating a semiconductor device

Номер патента: TW200830475A. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-16.

Method for generating a layout of integrated circuit and method for processing layout of integrated circuit

Номер патента: TWI775000B. Автор: 曾健庭,蕭錦濤. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-21.

METHOD FOR DETECTING MOISTURE IN AN INTEGRATED CIRCUIT, AND ASSOCIATED INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210018458A1. Автор: Fornara Pascal,Hubert Quentin,VIDAL-DHO Matthias. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD FOR DETECTING THINNING OF AN INTEGRATED CIRCUIT SUBSTRATE VIA ITS REAR FACE, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190081011A1. Автор: Sarafianos Alexandre,Marzaki Abderrezak. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2019-03-14.

THROUGH-SILICON VIA (TSV) FAULT-TOLERANT CIRCUIT, METHOD FOR TSV FAULT-TOLERANCE AND INTEGRATED CIRCUIT (IC)

Номер патента: US20210156908A1. Автор: YANG Cheng-Jer. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

INTEGRATED CIRCUIT ARRAY AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ARRAY OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160256133A1. Автор: Dekker Ronald,Henneken Vincent Adrianus,Savov Angel Metodiev. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Systems and methods for inhibiting backend access to integrated circuits by integrating photon and electron sensing latch-up circuits

Номер патента: US20180301427A1. Автор: Brett Hamilton,Adam Duncan,Matthew Gadlage,Matthew Kay,Brett Werner,Austin Roach. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for forming metal interconnection in integrated circuit and the metal interconnection in the circuit

Номер патента: JPH1174528A. Автор: Joseph Borel,ジョセフ・ボレル. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 1999-03-16.

Method for manufacturing and assembling electronic integrated circuit cards and corresponding electronic integrated circuit cards

Номер патента: KR960002771A. Автор: 로네이 프랑수와,베낭브르 쟈크. Владелец: 에프. 제이. 스미트. Дата публикации: 1996-01-26.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Circuit and method for implementing gain stage in integrated circuit

Номер патента: TWI647715B. Автор: 梵希利 奇里弗. Владелец: 吉林克斯公司. Дата публикации: 2019-01-11.

Integrated circuit, method for forming a layout of integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20230099326A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Through-silicon via (tsv) fault-tolerant circuit, method for tsv fault-tolerance and integrated circuit (ic)

Номер патента: WO2020043089A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Circuit and method for providing interconnections among individual integrated circuit chips in a multi-chip module

Номер патента: SG78287A1. Автор: King Lien Tai,Thaddeus John Gabara. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-02-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR HARVESTING DISSIPATED HEAT FROM INTEGRATED CIRCUITS (ICS) IN ELECTRONIC DEVICES INTO ELECTRICAL ENERGY FOR PROVIDING POWER FOR THE ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20140252531A1. Автор: Rangan Venkat,Govindaswamy Senthil Kumar,Aryan Babak. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Systems and methods for harvesting dissipated heat from integrated circuits (ics) in electronic devices into electrical energy for providing power for the electronic devices

Номер патента: WO2014138181A1. Автор: Venkat Rangan,Babak Aryan,Senthil Kumar GOVINDASWAMY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Method for forming a fuse in integrated circuit application

Номер патента: US6162686A. Автор: Yu-Hua Lee,Tse-Liang Ying,Ming-Hsin Li,Kuo Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-12-19.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE FOR INTEGRATED CIRCUIT MODULES

Номер патента: US20130323409A1. Автор: Nguyen Hoang Mong,Read Matthew Sean,GONZALEZ Sergio Joaquin,HERRERA Luis Eduardo. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR INTEGRATING BATTERIES WITH STACKED INTEGRATED CIRCUIT DIE ELEMENTS

Номер патента: US20210004070A1. Автор: Liu Wei-Ti,Guzy Darrel James. Владелец: Arbor Company, LLLP. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods for Forming STI Regions in Integrated Circuits

Номер патента: US20150021710A1. Автор: Shih Chi-Yuan,Lin Yi-Tang,CHANG Chih-Sheng,Sheu Jyh-Cherng,Hsu Chih-Yu,Tsai Wei-Chun,Wann Clement Hsinjen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

BUILT-UP SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20140124777A1. Автор: YAMASHITA Yoshihisa,KAWAKITA Koji,NAKATANI Seiichi,Sawada Susumu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-08.

DEVICES AND METHODS FOR HEAT DISSIPATION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190067150A1. Автор: Liu Sa-Lly,Peng Yung-Chow,Hsieh Chung-Peng,Yang Chung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

DEVICES AND METHODS FOR HEAT DISSIPATION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200083134A1. Автор: Liu Sa-Lly,Peng Yung-Chow,Hsieh Chung-Peng,Yang Chung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

DEVICES AND METHODS FOR HEAT DISSIPATION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20210125890A1. Автор: Liu Sa-Lly,Peng Yung-Chow,Hsieh Chung-Peng,Yang Chung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Apparatus and method for protecting rf and microwave integrated circuits

Номер патента: US20150138678A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Rodrigo Carrillo-Ramirez. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR HIERARCHICAL EXPOSURE OF AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING MULTIPLE INTERCONNECTED DIE

Номер патента: US20210167037A1. Автор: Fricker Jean-Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR THERMAL MANAGEMENT OF MULTILAYERED INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190171262A1. Автор: Ghosh Tapabrata. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Du Yang,Arabi Karim. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Systems and Methods for Main Distribution on an Integrated Circuit

Номер патента: US20160260662A1. Автор: Golick Larry,Hawk Donald E.,Wang Bei Qi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Apparatus and method for detecting damage to an integrated circuit

Номер патента: US20190250208A1. Автор: Lennart Karl-Axel Mathe,Vijayakumar Dhanasekaran,Qubo Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

METHOD FOR MANUFACTURING A DEVICE WITH INTEGRATED-CIRCUIT CHIP BY DIRECT DEPOSIT OF CONDUCTIVE MATERIAL

Номер патента: US20180323139A1. Автор: Dossetto Lucile,Fidalgo Jean-Christophe,DEGEILH Line,"LE LOCH Alain",Janvrin Remy. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for local curing of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3623961B2. Автор: ジュ キム、サン. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-23.

Method for providing near-hermetically coated integrated circuit assemblies

Номер патента: US8581108B1. Автор: Nathan P. Lower,Alan P. Boone,Ross K. Wilcoxon. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2013-11-12.

Single twist layout and method for paired line conductors of integrated circuits

Номер патента: KR100187875B1. Автор: 케네스 드브로스 존,에디스 래리 제니퍼,주리스 스프로기스 에드먼드. Владелец: 윌리엄 티. 엘리스. Дата публикации: 1999-06-01.

Apparatus and methods for microchannel cooling of semiconductor integrated circuit packages

Номер патента: US7139172B2. Автор: Evan George Colgan,Raschid Jose Bezama,John Harold Magerlein,Roger Ray Schmidt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-21.

Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing

Номер патента: KR100430174B1. Автор: 존스마크.엘.,바네트그레고리에이.. Владелец: 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-05-03.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL TRACKS FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2805084B1. Автор: Srdjan Kordic,Pascale Motte,Joaquim Torres,Brigitte Descouts. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-09-26.

METHOD FOR MOUNTING A CHIP WITH INTEGRATED CIRCUIT ON A WIRING SUBSTRATE.

Номер патента: FR2675946A1. Автор: Massiot Michel. Владелец: SOREP. Дата публикации: 1992-10-30.

COMPOSITE ELECTRONIC ASSEMBLY AND METHOD FOR IMPROVING POWER SUPPLY DAMPING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2583251A1. Автор: John A Maxwell,Lonnie Hopkins. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 1986-12-12.

METHOD FOR MANUFACTURING PORTABLE DEVICE WITH INTEGRATED CIRCUITS, TYPE CHIP CARD WITH REDUCED FORMAT FORMAT IN RELATION TO STANDARD FORMAT

Номер патента: FR2797075A1. Автор: Philippe Patrice,Isabelle Limousin,Olivier Brunet,Henri Boccia. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2001-02-02.

Method for forming pixel unit and integrated circuit

Номер патента: CN101290945B. Автор: B·A·麦克卢尔. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Apparatus and method for detecting spot defects in integrated circuits

Номер патента: EP0281227A1. Автор: Michael E. Thomas,Wojciech Maly. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1988-09-07.

Method for manufacturing substrate for hybrid integrated circuit

Номер патента: JP3257953B2. Автор: 直己 米村,誠 福田,智寛 宮腰. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2002-02-18.

Method For Smoothing Current Consumed By Integrated Circuit And Corresponding Device

Номер патента: CN106560757A. Автор: N·德曼吉,J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-12.

Forming method for power source wiring of integrated circuit

Номер патента: JPS6464337A. Автор: Toshio Tazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-03-10.

Method for manufacturing dual voltage flash integrated circuit

Номер патента: US6399443B1. Автор: Yung Tao Lin,Siow Lee Chwa. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-06-04.

Method for making interconnections in an integrated circuit

Номер патента: EP1146550A3. Автор: Srdjan Kordic,Joaquin Torres,Pascale Motte,Brigitte Descouts. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-16.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: TW201013687A. Автор: HONG Xiao. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Method for packaging electronic devices and integrated circuits

Номер патента: US20100059877A1. Автор: Hidefumi Yamamoto,Juergen Leib. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for marking defective locations in integrated circuits or on their carrier

Номер патента: DE2809359C2. Автор: Marcel Joseph San Jose Calif. Vogel,Siegfried Friedrich Los Gatos Calif. Vogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-01-26.

Device and method for characterizing the version of integrated circuits and use for controlling operations

Номер патента: WO2002018960A2. Автор: Manfred Kirschner,Juergen Eckhardt,Axel Aue,Christian Zimmermann,Beate Leibbrand,Thomas Mocken. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for encasing electronic components and integrated circuits

Номер патента: AU2007276494A1. Автор: Hidefumi Yamamoto,Jürgen LEIB. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Structure and method for local resistor element in integrated circuit technology

Номер патента: US20050167786A1. Автор: Jason Gill,William Murphy,Randy Mann,Terence Hook,William Tonti,Steven Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for supplying power to an integrated circuit

Номер патента: JP2691478B2. Автор: フアン，チン・チン,リャン，ルイス. Владелец: ブイ・エル・エス・アイ・テクノロジー・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1997-12-17.

Method for manufacturing a device with integrated-circuit chip by direct deposit of conductive material

Номер патента: US10658283B2. Автор: Lucile Dossetto,Jean-Christophe Fidalgo,Alain Le Loc'h,Line Degeilh,Remy Janvrin. Владелец: THALES DIS FRANCE SA. Дата публикации: 2020-05-19.

METHOD FOR MANUFACTURING GRIDS FOR AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2573919B1. Автор: Pierre Blanchard,Jean-Paul Cortot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-07-17.

Method for encasing electronic components and integrated circuits

Номер патента: CN101479844A. Автор: J·莱布,山本英文. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 2009-07-08.

System and method for monitoring copper corrosion in integrated circuit devices

Номер патента: CN113330542A. Автор: 冷耀俭. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for producing a three-dimensional integrated circuit while achieving high system yields

Номер патента: DE4433833A1. Автор: Peter Dr Ramm,Reinhold Dipl Phys Buchner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1996-03-28.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with whirlwind cold plate

Номер патента: US10126356B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Method for incorporating a flip chip integrated circuit

Номер патента: MA43370B1. Автор: Eng Seng Ng,Sze Yong Pang. Владелец: Eng Seng Ng. Дата публикации: 2019-10-31.

Assembly and method for constructing a multi-die integrated circuit

Номер патента: US6404648B1. Автор: James P. Slupe,Timothy V. Harper. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-06-11.

Apparatus and method for detecting spot defects in integrated circuits

Номер патента: EP0281227B1. Автор: Michael E. Thomas,Wojciech Maly. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-05-06.

Method for manufacturing dual voltage flash integrated circuit

Номер патента: SG95691A1. Автор: Lee Chwa Siow,Tao Lin Yung. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-04-23.

System and method for array diagnostics in superconducting integrated circuit

Номер патента: US10222416B1. Автор: Jie Ren,Amol Inamdar,Denis Amparo. Владелец: Hypres Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for encasing electronic components and integrated circuits

Номер патента: WO2008009328A1. Автор: Hidefumi Yamamoto,Jürgen LEIB. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2008-01-24.

METHOD FOR MANUFACTURING A HIGH VOLTAGE INTEGRATED CIRCUIT.

Номер патента: FR2652448B1. Автор: Deleonibus Simon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1994-04-29.

Probing test method for probe card and semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100328408B1. Автор: 도모미 모모하라. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-07-06.

Method for forming c4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: WO2007127816A3. Автор: Wolfgang Sauter,Timothy H Daubenspeck,Jeffrey P Gambino,Mukta G Farooq,Kevin S Petrarca,Christopher D Muzzy. Владелец: Christopher D Muzzy. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for optimizing transistor performance in integrated circuits by diffusion sharing across cell boundaries

Номер патента: WO2006090124A3. Автор: Peter William Hughes,Trevor Kenneth Monk,Shannon Vance Morton. Владелец: Shannon Vance Morton. Дата публикации: 2006-10-12.

System and method for reducing voltage drops in integrated circuits

Номер патента: US20060192297A1. Автор: Matthew Kaufmann,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Electronic assembly and method for encapsulating electronic components and integrated circuits

Номер патента: DE102006032925B8. Автор: Jürgen Dr. Leib,Hidefumi Dr. Takatsuki Yamamoto. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2008-11-06.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: CA3174254A1. Автор: Adrian Van Wijk,Nikolas Radosevic (Deceased). Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Systems and methods for adapting test tooling to integrated circuit devices with whirlwind cooling plates

Номер патента: KR102438150B1. Автор: 나세르 바라비,치 와 호,조벤 알. 티엔조,옥사나 크리야첵,엘레나 브이. 나자로브. Владелец: 에세, 아이엔씨.. Дата публикации: 2022-08-29.

Devices and methods for heat dissipation of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20210125890A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Sa-Lly Liu,Yung-Chow Peng,Chung-Peng Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A4. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-08-03.

Method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20200194627A1. Автор: Akira Goto,Kenji Ozeki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for producing micromechanical components in integrated circuits and arrangement of a semiconductor on a substrate

Номер патента: US20070085192A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for forming C4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: TW200807590A. Автор: Wolfgang Sauter,Timothy H Daubenspeck,Jeffrey P Gambino,Mukta G Farooq,Kevin S Petrarca,Christopher D Muzzy. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-02-01.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: SG11201602186VA. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD FOR INTERCONNECTING ELEMENTARY CIRCUITS ON A PREDIFFUSED CIRCUIT WITH FREE INTERCONNECTIONS.

Номер патента: FR2581271B1. Автор: Pierre Charransol,Jean-Claude Audrix,Jacques Gouit. Владелец: Le Materiel Telephonique Thomson CSF. Дата публикации: 1987-05-29.

Integrated circuits having a continuous active area and methods for fabricating same

Номер патента: US20130328205A1. Автор: Frank Johnson,Olivier Menut,Marc Tarabbia,Gregory A. Northrop. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-12-12.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Apparatus and methods for integrated circuit with devices with body contact and devices with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080232011A1. Автор: Minchang Liang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuits having magnetic tunnel junctions (MTJ) and methods for fabricating the same

Номер патента: US9299745B2. Автор: Xunyuan Zhang,Kunaljeet Tanwar,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits using guard rings for esd, systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20130084680A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Integrated circuits using guard rings for ESD, systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US8772092B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Methods for fabricating integrated circuits with robust gate electrode structure protection

Номер патента: US20150132914A1. Автор: Markus Lenski,Joanna WASYLUK,Dominic Thurmer,Ardechir Pakfar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device

Номер патента: US20130089933A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US20180006158A1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuits including magnetic random access memory structures having reduced switching energy barriers for dual bit operation and methods for fabricating the same

Номер патента: US20190259809A1. Автор: Jaiswal Akhilesh,Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Method of fabricating integrated infrared sensitive bolometers

Номер патента: WO1993013561A1. Автор: Michael S. Liu,Jeffrey S. Haviland,Cheisan Jerry Yue. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1993-07-08.

Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US5723361A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Thin films of ABO3 with excess B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US5814849A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Ldmos device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2012065485A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20010014494A1. Автор: Brian Doyle,Rafael Rios,Brian Roberds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20170186741A9. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20140299913A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US9748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: EP3729514A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: US20240113161A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20200027926A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20190013359A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20180138242A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for fabricating a 3-d integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

Номер патента: WO2009003091A1. Автор: Michael W. Konevecki,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for producing a packaged integrated circuit with a microcavity

Номер патента: WO2004037712A8. Автор: Oleg Grudin,Leslie M Landsberger. Владелец: Leslie M Landsberger. Дата публикации: 2004-10-14.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Layout modification method for exposure manufacturing process

Номер патента: US20190131290A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chun-Kuang Chen,Chih-Tsung Shih,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Hung-Wen Cho,Fu-Jye Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the esd protection circuits

Номер патента: US20160284689A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Shu-Chuan Lee,Wade MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory and method for fabricating it

Номер патента: US20060275981A1. Автор: Thomas Hecht,Andreas Orth,Olaf Storbeck,Stefan Jakschik,Matthias Goldbach,Michael Stadtmueller,Uwe Schröder,Alejandro Avellan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US20200357787A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for forming a fet

Номер патента: US20010012668A1. Автор: Serge Vanhaelemeersch,Goncal Badenes,Ludo Deferm,Stephan Beckx. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Method for fabricating an electrically addressable silicon-on-sapphire light valve

Номер патента: CA2324451C. Автор: Stephen D. Russell,Randy L. Shimabukuro,Bruce W. Offord. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-17.

Method for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20030060002A1. Автор: Walter Hartner,Gerhard Enders,Rainer Bruchhaus,Volker Weinrich,Nicolas Nagel,Matthias Kronke,Thomas Mikolajick,Igor Kasko,Michael Rohner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Method for manufacturing semiconductor structure with isolation strips

Номер патента: US12051693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Co-Fired Passive Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20200028071A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Shawn Searles,David Cappabianca. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Electronic device and method for fabricating the same, spiral inductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2416358A3. Автор: Ja-Hao Chen. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for examining structures on a wafer

Номер патента: US20020090747A1. Автор: Frank Richter,Guenter Gerstmeier,Valentin Rosskopf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Substrate for semiconductor package having a reinforcing member that prevents distortions and method for fabricating the same

Номер патента: US20100117200A1. Автор: Ki Il MOON,Jae Sung OH,Jin Ho Gwon,Chan Sun Lee,Young Hy JUNG,Ki Chae KIM,Jae Youn CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Device and method for radiation image retrieval and radiation image retrieval system

Номер патента: RU2325780C2. Автор: Минору ВАТАНАБЕ,Тиори МОТИЗУКИ,Кейити НОМУРА,Такамаса ИСИИ,Масаказу МОРИСИТА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2008-05-27.

Semiconductor wafers employing a fixed-coordinate metrology scheme and methods for fabricating integrated circuits using the same

Номер патента: US9318399B2. Автор: Soon Yoeng Tan,Hui Leang Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for fabricating solid-state image pickup device using charged-coupled devices

Номер патента: WO2006080595A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US20030232476A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Circuit die with isolation test structure

Номер патента: US20230268237A1. Автор: Darrell Glenn Hill,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for computer aided design of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060288321A1. Автор: Akinori Shibayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

Integrated circuit testing assembly and method

Номер патента: US5680057A. Автор: Kenneth W. Johnson. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1997-10-21.

Integrated circuit comprising an organic semiconductor, and method for the production of an integrated circuit

Номер патента: KR20060087533A. Автор: 마르쿠스 하리크,하겐 클라우크,안드레아스 월터,귄터 슈미드,우테 제스치스창. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2006-08-02.

Integrated circuit comprising an organic semiconductor, and method for the production of an integrated circuit

Номер патента: WO2005023940A2. Автор: Günter Schmid,Andreas Walter,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-17.

Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits

Номер патента: US7195939B2. Автор: Philip D. Floyd,Christopher L. Chua,Decai Sun,Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatus and methods for electronic testing using beamforming integrated circuits as impedance tuners

Номер патента: US20240275500A1. Автор: Islam A. ESHRAH. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US20230251310A1. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-08-10.

System and method for independent power sequencing of integrated circuits

Номер патента: AU5779700A. Автор: Agnes N. Woo. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2001-01-31.

Method for provisioning an embedded universal integrated circuit entity within an electronic device

Номер патента: EP3205065A1. Автор: Thorsten Sinning,Sven Krey. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2017-08-16.

Integrated Circuit and Data Processing Method for Enhancing Security of the Integrated Circuit

Номер патента: US20200021437A1. Автор: Hsin-Chou Liu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

A method for configuring a reconfigurable photonic integrated circuit

Номер патента: EP4322072A1. Автор: Michiel DE GOEDE,Benjamin Willem KASSENBERG,Hendrik Joannes SNIJDERS,Caterina TABALLIONE,Jelmer Jan RENEMA,Pim VENDERBOSCH. Владелец: Quix Quantum BV. Дата публикации: 2024-02-14.

System and method for parallel real-time photonic integrated circuit (PIC) optical phased array calibration and ultraviolet laser micro-ring wavelength offset trimming

Номер патента: US11888515B1. Автор: Stephen P. Palese. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-30.

System and method for parallel real-time photonic integrated circuit (pic) optical phased array calibration and ultraviolet laser micro-ring wavelength offset trimming

Номер патента: US20240022324A1. Автор: Stephen P. Palese. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-18.

System and method for design and implementation of integrated-circuit digital filters

Номер патента: WO2006014214A3. Автор: Dennis Best,Robert Silco. Владелец: Quickfilter Technologies, Inc.. Дата публикации: 2011-08-11.

System and method for design and implementation of integrated-circuit digital filters

Номер патента: WO2006014214A2. Автор: Dennis Best,Robert Silco. Владелец: Quickfilter Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-02-09.

System and method for design and implementation of integrated-circuit digital filters

Номер патента: EP1763785A2. Автор: Dennis Best,Robert Silco. Владелец: QUICKFILTER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

System and method for power gating of an integrated circuit

Номер патента: US7568177B1. Автор: Richard Chou,Ankur Gupta,Tobing Soebroto,Hendy Kosasih. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2009-07-28.

A method for configuring a reconfigurable photonic integrated circuit

Номер патента: GB2621182A. Автор: De Goede Michiel,Willem Kassenberg Benjamin,Joannes Snijders Hendrik,Taballione Caterina,Jan Renema Jelmer,Venderbosch Pim. Владелец: Quix Quantum BV. Дата публикации: 2024-02-07.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: US20240160545A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method for detecting processing speed of integrated circuit

Номер патента: US7236033B2. Автор: Ying Jyh Yeh,Chung Yin Fang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2007-06-26.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: EP4372596A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US11879939B2. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Lamination structure for second generation high-temperature superconducting (2g-hts) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274326A1. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating a micro resistance layer and method for fabricating a micro resistor

Номер патента: US20230207164A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Chih-Wei Chi. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Cavity resonator for reducing phase noise of voltage controlled oscillator and method for fabricating the same

Номер патента: EP1041667A3. Автор: Changyul Cheon,Cimoo Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Chungwoo Samsung Advanced Institute of Tec. Kim,Seokjin Samsung Advanced Institute of Tec. Kang,Insang Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Yongwoo 123-902 Park Town Samik Apt. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-16.

Methods for fabrication of intercalated lithium batteries

Номер патента: US20170005359A1. Автор: Erik K. Koep. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for Manufacturing PCB, Display Module and Method for Fabricating Display Module

Номер патента: US20120252301A1. Автор: Chien-Hung Chen,Wen-Hsin Lin,Ching-Kun Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for fabricating Bi thin film and device using the same

Номер патента: US20040179309A1. Автор: Woo Lee,Kwan Lee,Joon Chang,Suk Han,Hi Kim,Kyoung Lee,Kyung Shin,Dal KIM,Min Jeun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-16.

Method for fabricating a magneto-optic modulator

Номер патента: US6500498B1. Автор: Carol M. Ford,Randy J. Ramberg. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Method for changing a background-target image of an object formed by a radar station

Номер патента: RU2664885C1. Автор: Анатолий Анатольевич Хорев,Виталий Алексеевич Щербаков,Сергей Вениаминович Протасов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-08-23.

Method for fabricating gallium-doped lithium lanthanum zirconium oxide, and all-solid-state battery including the same

Номер патента: US12068450B2. Автор: Chun-Chen Yang,Yi-Shiuan Wu,Kumlachew Zelalem WALLE. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for scan test access using bond pad test access circuits

Номер патента: US20050039097A1. Автор: Amar Guettaf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Apparatus and method for smart vcc trip point design for testability

Номер патента: US20150054554A1. Автор: ONG Mee-Choo,Teoh Boon-Weng,Hor Ching-Kooi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for data transmission and circuit arrangement thereof

Номер патента: US11914534B2. Автор: Patrick Moser. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for data transmission and circuit arrangement thereof

Номер патента: US20220043763A1. Автор: Patrick Moser. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2022-02-10.

INTERNET OF THINGS (IOT) DEVICE AND METHOD FOR MANAGING PROVISIONING OF ONE OR MORE UNIVERSAL INTEGRATED CIRCUIT CARDS (UICCs)

Номер патента: US20240205665A1. Автор: Byron Rojas. Владелец: Easymetering LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits having flip-chip arrangements with high coherence devices

Номер патента: WO2024102504A2. Автор: Andrew J. Berkley,Mohammad H. Amin,Timothy L. DUTY,Berta TRULLAS CLAVERA. Владелец: 1372934 B.C. Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Ic card and method for controlling ic card

Номер патента: SG10201801705UA. Автор: SAWAMURA Satoshi. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Method for surface mounting of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR970008850B1. Автор: Won-Kyu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-05-29.

Method for the personalization of integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20190306697A1. Автор: Amedeo Veneroso,Pasquale Vastano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-03.

Distribution of signals throughout a spine of an integrated circuit

Номер патента: US7292062B2. Автор: II Jon Stanley Berry. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

METHOD FOR MANAGING IDENTIFIERS IN AN INTEGRATED CIRCUIT BOARD AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT BOARD

Номер патента: FR2997205A1. Автор: Raphael Geslain,Cyrille Pepin,Francois Lecocq. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2014-04-25.

Automatic self-activation of universal integrated circuit card

Номер патента: US20190327610A1. Автор: Rajavelsamy Rajadurai,Suresh Chitturi,Duckey Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Provisioning an embedded universal integrated circuit entity within an electronic device

Номер патента: US20170311152A1. Автор: Thorsten Sinning,Sven Krey. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for designing a digital integrated circuit chip, computer-readable storage medium, method for optimizing an application specific integrated circuit, method for optimizing a digital design, ASIC cell library for use in creation of custom integrated

Номер патента: TWI233175B. Автор: Sterling R Whitaker,Eric G Cameron,Gregory W Donohoe,Jody W Gambles,Lowell H Miles. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2005-05-21.

Circuits and methods for alignment of signals in integrated circuits

Номер патента: US20050001664A1. Автор: Inder Sodhi,Kedar Mangrulkar,Tanveer Khondker,Vijay Vuppaladadium,Venkatesh Prasanna,Miguel Corvacho,Nakul Arora. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for implementing circuit design for integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20130055189A1. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Kazutaka IKEGAMI,Masato Oda,Tetsufumi Tanamoto,Kumiko Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Amplifier bias circuit, method for biasing an amplifier and integrated circuit comprising an amplifier bias circuit

Номер патента: US7286016B2. Автор: Jordan Konstantinov Svechtarov,Josephus Henricus Bartholomeaus Van Der Zanden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-10-23.

Circuit for obscuring gate switching noise and method for providing the same and integrated circuit

Номер патента: TWI647587B. Автор: 薇薇安 戴波特. Владелец: 微晶片科技公司. Дата публикации: 2019-01-11.

Sensing system, method for obtaining working clock signal, integrated circuit, radio device, and device

Номер патента: US20240015001A1. Автор: Tao Gong,Wenting Zhou,Yafei Shi,Fazhi AN. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR MAKING HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130229776A1. Автор: Ma Zhenqiang,Qin Guoxuan,Cho Namki. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-09-05.

Integrated Circuit and Data Processing Method for Enhancing Security of the Integrated Circuit

Номер патента: US20200021437A1. Автор: Liu Hsin-Chou. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Method for Managing Identifiers in an Integrated Circuit Board and Corresponding Integrated Circuit Board

Номер патента: US20150288686A1. Автор: Lecocq Francois,Pepin Cyrille,Geslain Raphaël. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Circuit and method for minimizing power consumption in integrated circuit devices

Номер патента: JP5123401B2. Автор: ラッカプラガダ，シャンカール,リーン，スコット・テ−シェン,ジャン，テツェ,ジェンキンス，ジェシー・エイチ，ザ・フォース,ン，マーク・メン・ボン. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-01-23.

Method for allocating eps bearer resources in epc gateway system with isolated control and data processing function and apparatus therefor

Номер патента: KR101627805B1. Автор: 김재성. Владелец: 콘텔라 주식회사. Дата публикации: 2016-06-07.

Static digital data protecting method for electronic circuit i.e. integrated circuit, involves converting data to dynamic data flow by feedback registers, transmitting data flow to element, and decoding flow by another register

Номер патента: FR2910998A1. Автор: Stephane Chesnais,Loic Bonizec. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-07-04.

Boost circuit capable of adjusting boost voltage, method for generating boost voltage, and integrated circuit including the same

Номер патента: JP3660906B2. Автор: ▲ひー▼ 哲 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-15.

CIRCUIT AND METHOD FOR REDUCING TRANSIENT NOISE IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2613888A1. Автор: Kenneth Wisheng Ouyang,Timothy Glen O'shaughnessy,Victor Guy Pierotti. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1988-10-14.

Charge pump circuit, method for controlling same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: CN102640405B. Автор: 小泉佳彦,浜田刚志. Владелец: Asahi Kasei EMD Corp. Дата публикации: 2014-10-01.

METHOD FOR MANAGING IDENTIFIERS IN AN INTEGRATED CIRCUIT BOARD AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT BOARD

Номер патента: FR2997205B1. Автор: Raphael Geslain,Cyrille Pepin,Francois Lecocq. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2014-10-31.

Integrated circuit and method for the operation of an integrated circuit

Номер патента: WO2007045202A1. Автор: Georg Georgakos,Christian Pacha,Doris Schmitt-Landsiedel,Stephan Henzler,Jörg Berthold,Matthias Eireiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-26.

METHOD FOR RE-CENTERING A VCO, INTEGRATED CIRCUIT AND WIRELESS DEVICE

Номер патента: US20160065225A1. Автор: Yin Yi,Goumballa Birama,PAVAO-MOREIRA CRISTIAN. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150070049A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20140187170A1. Автор: Forstner Hans Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

APPARATUS AND METHOD FOR DYNAMIC THERMAL MANAGEMENT OF INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170111988A1. Автор: WANG Wei-Ting,Pan Yingshiuan,LIN Kang-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

System and Method for Managing Pipelines in Reconfigurable Integrated Circuit Architectures

Номер патента: US20160149580A1. Автор: Nousias Ioannis,Khawam Sami,Muir Mark Ian Roy. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR RECEIVING A RADIO SIGNAL, INTEGRATED CIRCUIT IMPLEMENTING SUCH A DEVICE

Номер патента: US20200144980A1. Автор: LAURY Cyril. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Apparatus and Method for Controlling Transaction Flow in Integrated Circuits

Номер патента: US20140241376A1. Автор: Balkan Deniz,Saund Gurjeet S,Fukami Munetoshi,Wong Kevin C. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-08-28.

METHODS FOR COORDINATED SIGNAL RECEPTION ACROSS INTEGRATED CIRCUIT BOUNDARIES

Номер патента: US20140242925A1. Автор: Chaudhary Madhusudan,Mujtaba Syed A.,Elangovan Thanigaivelu,Anantharaman Karthik,Dou Weiping,Mahe Isabel G.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-08-28.

APPARATUS AND METHODS FOR DETECTING INVASIVE ATTACKS WITHIN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20210216626A1. Автор: LEE Yongki,Noh Mijung,PARK Jieun,KARPINSKYY Bohdan,Lee Juyeon. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190245539A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Apparatus and methods for locked quantum communicationusing photonic integrated circuits

Номер патента: US20170293082A1. Автор: Dirk Robert Englund,Jacob C. Mower,Seth Lloyd,Jelena NOTAROS,Mikkel HEUCK,Cosmo LUPO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-12.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150341033A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160359486A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170353187A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING SECURITY TO AN INTEGRATED CIRCUIT IN AN ENDPOINT DEVICE USING A DYNAMIC SECURITY ARCHITECTURE ENVIRONMENT (DSAE)

Номер патента: US20190364071A1. Автор: VARGAS Anthony Joseph,SHARPE Christopher Robert. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Organic field-effect transistor, method for structuring an ofet and integrated circuit

Номер патента: WO2002047183A1. Автор: Wolfgang Clemens,Adolf Bernds,Peter Haring,Heinrich Kurz,Borislav Vratzov. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2002-06-13.

The method for managing charge/discharge and integrated circuit of a kind of portable power source

Номер патента: CN105553002B. Автор: 张征,胡央维. Владелец: NANTONG YUTAI ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Apparatus and method for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100925389B1. Автор: 전병득. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-09.

Apparatus and method for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR20090107828A. Автор: 전병득. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-14.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR RECEIVING A RADIOELECTRIC SIGNAL, INTEGRATED CIRCUIT IMPLEMENTING SUCH A DEVICE

Номер патента: FR3088157A1. Автор: Cyril Laury. Владелец: Parrot Faurecia Automotive SAS. Дата публикации: 2020-05-08.

SELF-CALIBRATION METHOD FOR CAPACITORS IN A MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2591753B1. Автор: David R Welland,Michael Callahan Jr. Владелец: Crystal Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-09-15.

Device and method for testing capacitor array in integrated circuit

Номер патента: CN1598603B. Автор: E·瓦格纳,G·里普马,D·普哈姆-斯特纳. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-05-26.

System and method for controlling current in an integrated circuit

Номер патента: US6826730B2. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-30.

System and method for controlling current in an integrated circuit

Номер патента: US20010047506A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Houston Theodore W.. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for protecting a reconfigurable digital integrated circuit against reversible errors

Номер патента: US20230051943A1. Автор: Yann Oster. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-02-16.

Apparatus and method for generating reference voltage, and integrated circuit including the same

Номер патента: KR100911149B1. Автор: 이동석,노정진. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-08-07.

Method for clock synchronization validation in integrated circuit design

Номер патента: US7506292B2. Автор: Mohamed Shaker Sarwary,Mohammad Movahed Ezazi,Bernard Murphy. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

System and method for regulating loading on an integrated circuit power supply

Номер патента: US8339102B2. Автор: Alexander Kushnarenko,Ifat Nitzan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2012-12-25.

System and method for managing pipelines in reconfigurable integrated circuit architectures

Номер патента: WO2016085679A1. Автор: Mark Ian Roy Muir,Sami Khawam,Ioannis Nousias. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-02.

Nonvolatile switching element, method for manufacturing the same, and integrated circuit having nonvolatile switching element

Номер патента: JP4950490B2. Автор: 山 正 人 小,野 恒 洋 井. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-13.

Non-volatile switching element, method for manufacturing the same, and integrated circuit having non-volatile switching elements

Номер патента: US20070145345A1. Автор: Masato Koyama,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Methods for coordinated signal reception across integrated circuit boundaries

Номер патента: WO2012097332A3. Автор: Madhusudan CHAUDHARY,Karthik Anantharaman,Thanigaivelu Elangovan,Weiping Dou,Syed A. Mujtaba,Isabel G. Mahe. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Apparatus and method for preventing snap back in integrated circuits

Номер патента: CN101409547A. Автор: 王立琦,克里斯·李,菲利普·额,曾赛凯,孙晋书. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Systems and methods for detecting interference in an integrated circuit

Номер патента: US20110121865A1. Автор: Alfredo Olmos,Ricardo Maltione,Eduardo Riberiro da Silva. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-05-26.

Oversampling fir filter, method for controlling the same, semiconductor integrated circuit having the same, and communication system for transmitting data filtered by the same

Номер патента: KR100648538B1. Автор: 구로이와고이치,다니구치쇼지,가나수기마사미,히키타마히로. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-11-24.

System and method for reducing ground bounce in integrated circuit output buffers

Номер патента: JP3431151B2. Автор: ホ ダイ トロング，. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-28.

Charge and discharge management method for mobile power supply and integrated circuit

Номер патента: CN105553002A. Автор: 张征,胡央维. Владелец: NANTONG YUTAI ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-04.

Method for re-centering a VCO, integrated circuit and wireless device

Номер патента: US9515666B2. Автор: Yi Yin,Birama GOUMBALLA,Cristian Pavao-Moreira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

System and method for secure online payment using integrated circuit card

Номер патента: WO2016118087A1. Автор: GUOHUA Sun. Владелец: JING KING TECH HOLDINGS PTE. LTD.. Дата публикации: 2016-07-28.

Organic field-effect transistor, method for structuring an ofet and integrated circuit

Номер патента: EP1346422A1. Автор: Wolfgang Clemens,Adolf Bernds,Peter Haring,Heinrich Kurz,Borislav Vratzov. Владелец: Amo GmbH. Дата публикации: 2003-09-24.

Organic field-effect transistor, method for structuring and ofet and integrated circuit

Номер патента: US20040063267A1. Автор: Wolfgang Clemens,Adolf Bernds,Peter Haring,Heinrich Kurz,Borislav Vratzov. Владелец: Amo GmbH. Дата публикации: 2004-04-01.

Electronic device and method for receiving a radio signal, integrated circuit implementing such a device

Номер патента: EP3651369B1. Автор: Cyril Laury. Владелец: Parrot Faurecia Automotive SAS. Дата публикации: 2023-08-16.

A method for configuring a reconfigurable photonic integrated circuit

Номер патента: GB202211473D0. Автор: . Владелец: Quix Quantum BV. Дата публикации: 2022-09-21.

Apparatus and method for providing data transfer between two digital circuits with different clock domains and for solving metastability problems

Номер патента: US7027542B1. Автор: Elias Shihadeh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-04-11.

Method for Operating a Transistor Device and Electronic Circuit with a Transistor Device

Номер патента: US20190199342A1. Автор: Mayer Alexander,Illing Robert,Djelassi-Tscheck Christian. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

METHOD FOR OPERATING A TRANSISTOR DEVICE AND ELECTRONIC-CIRCUIT WITH A TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20190267983A1. Автор: Illing Robert,Djelassi-Tscheck Christian. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Device and method for monitoring functional saffety in integrated circuits (ics)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: Radha Krishna Moorthy Sadhu. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for non-destructive diagnostics of integrated circuits

Номер патента: RU2743708C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин,Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-02-24.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A2. Автор: C. Trevor Bowen. Владелец: ADTRAN, INC.. Дата публикации: 2008-02-21.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A3. Автор: C Trevor Bowen. Владелец: C Trevor Bowen. Дата публикации: 2008-09-04.

Display substrate and method for repairing lead of driver integrated circuit

Номер патента: US20150212379A1. Автор: HUI Wang,Long Xia. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for manufacturing identification codes of integrated circuits

Номер патента: US20040002830A1. Автор: Chien-Tsai Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Apparatus, system, and method for automatically resetting an inter-integrated circuit bus

Номер патента: US20080177917A1. Автор: Donald Scott Smith,Brian James Cagno,Kenny Nian Gau Qiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Apparatus and method for demounting and mounting an integrated circuit

Номер патента: US20060005378A1. Автор: Yeh Chan. Владелец: Arima Display Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Clock Distribution Network, Structure, And Method For Providing Balanced Loading In Integrated Circuit Clock Trees

Номер патента: US20080148204A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Sebastian T. Ventrone,Serafino Bueti,Pradeep Thiagarajan,Hayden C. Cranford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Clock Distribution Network, Structure, And Method For Providing Balanced Loading In Integrated Circuit Clock Trees

Номер патента: US20080143416A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Sebastian T. Ventrone,Serafino Bueti,Pradeep Thiagarajan,Hayden C. Cranford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Computing apparatus and method for vector inner product, and integrated circuit chip

Номер патента: US20220366006A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu. Владелец: Anhui Cambricon Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for optimizing light source in integrated circuit manufacturing and electronic device

Номер патента: US20230288816A1. Автор: GE Yan,Ming Ding. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Apparatus and method for reducing leakage currents of integrated circuits having at least one transistor

Номер патента: US7477552B2. Автор: Josef Haid,Bernd Zimek,Thomas Kuenemund,Thomas Leutgeb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-13.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US20150302135A1. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for trading and trial running integrated circuit design code

Номер патента: US20120303473A1. Автор: Chia-Fen Huang,Yu-Ju Yeh,Chiao-Leng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Built-in self-test system and method for self test of an integrated circuit

Номер патента: US5515383A. Автор: Mehdi Katoozi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1996-05-07.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: WO1999044752A3. Автор: Troy A Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-21.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: EP1060027A2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: US20010002461A1. Автор: Troy Manning. Владелец: Manning Troy A.. Дата публикации: 2001-05-31.

Method for analyzing design of an integrated circuit

Номер патента: US10592632B2. Автор: Jae Uk Lee,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-17.

Method for Analyzing Design of an Integrated Circuit

Номер патента: US20180307792A1. Автор: Jae Uk Lee,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for arranging modules in an integrated circuit

Номер патента: US5206815A. Автор: Shawn M. Purcell. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-04-27.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US6504754B2. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: EP4239480A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-06.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US20150309114A1. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Systems and methods for creating block constraints in integrated circuit designs

Номер патента: US20170286587A1. Автор: Ilan Cohen,Alon Dvir,Uzi Magini,Inbar Neeman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-05.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: US20230280909A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for design and layout of integrated circuits

Номер патента: WO2002003266A3. Автор: Gerd Frankowsky. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for physical placement of an integrated circuit based on timing constraints

Номер патента: US20070055952A1. Автор: Stephen Cadieux. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for analyzing electromigration (em) in integrated circuit

Номер патента: US20210209278A1. Автор: Chin-Shen LIN,Ming-Hsien Lin,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Resistive capacitance determination method for multiple-patterning-multiple spacer integrated circuit layout

Номер патента: US20150205905A1. Автор: Chia-Ming Ho,Hsiu-Wen Hsueh,jun-fu Huang,Shao-Heng Chou,Y. Chen C. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

System and method for verification and validation of integrated circuit

Номер патента: US20240169512A1. Автор: Adam KIMURA,Adam R. Waite,Vince A. McKinsey. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Resistive capacitance determination method for multiple-patterning-multiple spacer integrated circuit layout

Номер патента: US20160103948A1. Автор: Chia-Ming Ho,Hsiu-Wen Hsueh,jun-fu Huang,Shao-Heng Chou,C. Y. (Chia-Yi) CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for programming secure data into integrated circuits

Номер патента: WO2008020840A3. Автор: Amit Gordhanbhai Babaria,Kevin Dale Bittick,Dennis Harold Burke Jr,Chen-Yi Shannon Us Su. Владелец: Chen-Yi Shannon Us Su. Дата публикации: 2009-04-16.

System and method for implementing neural networks in integrated circuits

Номер патента: US11586908B1. Автор: Christopher H. Dick,Albert T. Gural,Sambhav R. Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-02-21.

Apparatus and method for in-system programming of integrated circuits containing programmable elements

Номер патента: US6134707A. Автор: Alan L. Herrmann,Timothy J. Southgate. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US20060194394A1. Автор: Heung Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US7645672B2. Автор: Heung Jin Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US20150188541A1. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Method and apparatus for coupling integrated circuit packages to bonding pads having vias

Номер патента: US20020108777A1. Автор: Stephen Joy,Dan Shier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20030132792A1. Автор: CHRISTIAN Weis,Stefan Dietrich,Peter Schrögmeier,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-17.

Control device and method for actuation of vehicle safety means

Номер патента: RU2518200C2. Автор: ЗИВЕРС Фалько,ШУМАХЕР Хартмут,ГШВИНД-ШИЛЛИНГ Райнер,ФЮРСТ Райнер,ЛИСТ Карстен. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for fabricating a memory cell configuration

Номер патента: US20020055247A1. Автор: Hans Reisinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for improved storage node isolation

Номер патента: US6124173A. Автор: Fernando Gonzalez,David Y. Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Integrated optical transducer and method for fabricating an integrated optical transducer

Номер патента: US20210400397A1. Автор: Colin Steele,Anderson Pires Singulani,Goran Stojanovic,Erik Jan Lous. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-12-23.

Integrated optical transducer and method for fabricating an integrated optical transducer

Номер патента: WO2020064239A1. Автор: Colin Steele,Goran Stojanovic,Erik Jan Lous,Anderson Singulani. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-04-02.

Ion Thruster and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20220341404A1. Автор: Lei Zhang,Yongwei Zhang,Wendong Zhang,Qiulin Tan. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2022-10-27.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2688256C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2019-05-21.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2675053C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-12-14.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: WO2016196572A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: EP3304005A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Personalized circuit module package and method for packaging Circuit modules

Номер патента: US20030000722A1. Автор: Paul Hoffman,John Miranda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Detection unit and method for the detection of data symbols

Номер патента: US8000380B2. Автор: Frank Poegel. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Systems and methods for designing and making integrated circuits with consideration of wiring demand ratio

Номер патента: US8875081B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Wai-Kei Mak,Ren-Song Tsay,Tung-Chieh Chen. Владелец: Synopsys Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Reduced power consumption in integrated circuits with fuse controlled redundant circuits

Номер патента: WO2005017913A1. Автор: Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit, and method for transferring data

Номер патента: US20090196110A1. Автор: Konrad Seidel,Mario Wallisch,Reinhard Ronneberger. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2009-08-06.

Systems and methods for optimal trim calibrations in integrated circuits

Номер патента: WO2017106830A1. Автор: Partha Ghosh,Rubin Ajit Parekhji,Pankaj BONGALE. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for frame memory access and display driver using the same

Номер патента: US8390637B2. Автор: Shih Chuan Huang,Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

System and method for integrated circuit design and implementation using mixed cell libraries

Номер патента: US20140019932A1. Автор: William R. Griesbach,Clayton E. Schneider, Jr.. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for frame memory access and display driver using the same

Номер патента: US20100123730A1. Автор: Shih Chuan Huang,Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

System and Method for Manipulating Security of Integrated Circuit Layout

Номер патента: US20130298262A1. Автор: Yi-Jen Su,Ying-Sung Huang. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

System and method for high speed integrated circuit device testing utilizing a lower speed test environment

Номер патента: US20020135393A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for shielding logic signals

Номер патента: US20020046390A1. Автор: Robert Walsh,Olivia Wu,Kristian Miller,Joseph Ferguson. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Scan stream sequencing for testing integrated circuits

Номер патента: US7454678B2. Автор: Burnell G. West,Jamie S. Cullen. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Scan stream sequencing for testing integrated circuits

Номер патента: US20040255212A1. Автор: Burnell West,Jamie Cullen. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Characterization of spatial correlation in integrated circuit development

Номер патента: US20200257769A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Testing of integrated circuits during at-speed mode of operation

Номер патента: US20200132763A1. Автор: Srivaths Ravi,Khushboo Agarwal,Wilson Pradeep,Rajesh Kumar Tiwari,Raashid Moin Shaikh,Sanjay Krishna Hulical Vijayaraghavachar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for creating patterns for producing integrated circuits

Номер патента: EP1644855A4. Автор: Kenji Yoshida,Aki Fujimura,Robert C Pack,Yoshikuni Abe,Louis K Sheffer. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Method and structure for fabricating a halftone mask for the manufacture of semiconductor wafers

Номер патента: US20050142892A1. Автор: Cong LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for testing signals of an integrated circuit

Номер патента: TW584734B. Автор: Alexander Kurz,Matthias Eichin. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for trading and trial running integrated circuit design code

Номер патента: TW201248528A. Автор: Chia-Fen Huang,Yu-Ju Yeh,Chiao-Leng Wang. Владелец: Chiao-Leng Wang. Дата публикации: 2012-12-01.

System for optimizing buffers in integrated circuit design timing fixes

Номер патента: US20040261046A1. Автор: Umesh Nair. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Method and system for evaluating timing in an integrated circuit

Номер патента: US7089143B2. Автор: David J. Hathaway,Jerry D. Hayes,Anthony D. Polson,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Integrated circuit operation adjustment using redundant elements

Номер патента: US20190278741A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Robert James Ray,Andres Felipe Hernandez,Peter A. Atkinson. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Systems and methods for controlling integrated circuit operation with below ground pin voltage

Номер патента: US20110122671A1. Автор: Michael R. May. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Systems and methods for optimal trim calibrations in integrated circuits

Номер патента: US20170177456A1. Автор: Partha Ghosh,Rubin Ajit Parekhji,Pankaj BONGALE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of generating application specific integrated circuits using a programmable hardware architecture

Номер патента: WO1999028840A1. Автор: Raymond Ryan,Cary Ussery,Oz Levia. Владелец: Improv Systems, Inc.. Дата публикации: 1999-06-10.

METHOD FOR CONNECTING A NON-CONTACT INTEGRATED CIRCUIT TO AN NFC COMPONENT

Номер патента: FR2905782A1. Автор: Bruno Charrat. Владелец: Inside Contactless SA. Дата публикации: 2008-03-14.

Method of performing rework test on integrated circuit packages

Номер патента: US6159838A. Автор: Ming-Cheng Tsai,Heng-Chen Ho. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

System and method for self-test of integrated circuits

Номер патента: US20080172585A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

System and method for efficient device testing and validation of fast transients

Номер патента: US10068044B1. Автор: Joel Phillips,Yinghong Zhou,Ilya Yusim. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

METHOD FOR DESIGNING AND MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT, SYSTEM FOR CARRYING OUT THE METHOD, AND SYSTEM FOR VERIFYING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150302135A1. Автор: KIM Su-hyeon,JUNG Seung-Jae,Ahn Sung-Wook,BAEK Sang-hoon,OH Sang-Kyu,PARK Chul-hong,BAEK Kyoung-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Heat ice, adjustment procedure, method for definition of engine dimension and vehicle with engine

Номер патента: RU2521529C2. Автор: Себастьен ПОТТО,Филипп ЛУЦ,Дамьен ФУРНИГО. Владелец: Валео Систем Де Контроль Мотёр. Дата публикации: 2014-06-27.

System and method for manipulating security of integrated circuit layout

Номер патента: US8910303B2. Автор: Yi-Jen Su,Ying-Sung Huang. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

System and method for monitoring negative bias in integrated circuits

Номер патента: US20080203996A1. Автор: Chen-Hui Hsieh,Chi-Ting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MONITORING BUS STATUS IN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130246859A1. Автор: Tang Wei,WANG Haijun,Sun Xingguo. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR SELF TEST OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140289576A1. Автор: MAEKAWA Tomoyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

METHOD FOR MODELING AND PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AT LEAST ONE ISOLATED GRID FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2834575B1. Автор: Raul Andreas Bianchi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-09.

Method for reducing power consumption of integrated circuit and control circuit thereof

Номер патента: CN108984440B. Автор: 王祎磊. Владелец: Chengdu Yixin Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

System and method for testing circuits and programming integrated circuit devices

Номер патента: GB2381875B. Автор: Kevin Lee Wible,Jr Eddie L Williamson,Stephen P Rozum. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-04-27.

Methods for protecting data on an integrated circuit including a memory and related memory circuit

Номер патента: CN104916306A. Автор: 洪俊雄,张坤龙,陈耕晖,罗思觉. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Integrated circuit and a method for testing a multi-tap integrated circuit

Номер патента: CN101065679A. Автор: 约西·阿蒙,迪米特里·阿克塞尔罗德,埃亚尔·谢尔盖耶. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-31.

Integrated circuit and method for testing memory on the integrated circuit

Номер патента: US20070106923A1. Автор: Robert Aitken,Gary Waggoner. Владелец: ARM Physical IP Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Device and method for isolating a short-circuited integrated circuit (IC) from other ICs on a semiconductor wafer

Номер патента: US6636068B2. Автор: Eugene H. Cloud,Warren M. Farnworth,Raymond J. Beffa,Leland R. Nevill,William K. Waller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-21.

Device and method for isolating a short-circuited integrated circuit (IC) from other ICs on a semiconductor wafer

Номер патента: US20070075722A1. Автор: Warren Farnworth,Raymond Beffa,William Waller,Eugene Cloud,Leland Nevill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-05.

WRITE PROTECTION METHOD FOR A MEMORY IN AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2732151B1. Автор: Laurent Sourgen,Sylvie Wuidart. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-04-25.

Logic circuit and method for avoiding hot spots on integrated circuits

Номер патента: JP3026776B2. Автор: クリストファー・マッコール・ダラム,ピーター・ジェイ・クリム,ウィレム・ビー・ファン＝デル＝フーフェン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-03-27.

Stitch and trim methods for double patterning compliant standard cell design

Номер патента: US20130339911A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Huang-Yu Chen,Chin-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for generating test signal of integrated circuit and test method

Номер патента: CN115421020A. Автор: 陈晓鸽,赵连林. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-02.

Transaction routing device and method for routing transactions in an integrated circuit

Номер патента: US20130227186A1. Автор: Arthur Laughton. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-08-29.

METHOD FOR SETTING BREAKPOINTS, AND AN INTEGRATED CIRCUIT AND DEBUG TOOL THEREFOR

Номер патента: US20130227256A1. Автор: Maiolani Mark,Robertson Alistair. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-08-29.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device Profiles with Feedback Temperature Control

Номер патента: US20130271170A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH COMPLIANT PEDESTALS

Номер патента: US20140015556A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH SOCKETS HAVING SECURED AND REPLACEABLE BUSHINGS

Номер патента: US20140021972A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: ESSAI, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH EJECTION MECHANISMS

Номер патента: US20140055154A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: ESSAI, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH COAXIAL SOCKET

Номер патента: US20150022226A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device With Pressure Relief Valve

Номер патента: US20170030964A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20160041221A1. Автор: Forstner Johann-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR GROUP CONSTRAINTS IN AN INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20170053057A1. Автор: Riviere-Cazaux Lionel. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

APPARATUS AND METHODS FOR SUBSTRATE PROCESSING AND MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20160059277A1. Автор: Hong Dong-kwan,Jang Won-ho,Kong Sung-bae. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MAINTAINING FUNCTIONALITY OF AN INTEGRATED CIRCUIT DURING ELECTRICAL AGGRESSIONS

Номер патента: US20150061728A1. Автор: BESSE PATRICE,Bernon-Enjalbert Valerie,Givelin Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-03-05.

System and method for leakage estimation for standard integrated circuit cells with shared polycrystalline silicon-on-oxide definition-edge (pode)

Номер патента: US20150067624A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,King-Ho Tam,Zhe-Wei Jiang,Yeh-Chi CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR FRACTURE DETECTION IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140159764A1. Автор: Al-Dahle Ahmad,Bi Yafei,WURZEL Joshua G.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-06-12.

SYSTEM AND METHOD FOR IMPLEMENTING NEURAL NETWORKS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190080223A1. Автор: Fraser Nicholas,Blott Michaela. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2019-03-14.

RESISTIVE CAPACITANCE DETERMINATION METHOD FOR MULTIPLE-PATTERNING-MULTIPLE SPACER INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20160103948A1. Автор: Hsueh Hsiu-Wen,HO Chia-Ming,CHEN C. Y. (Chia-Yi),HUANG Jun-Fu,CHOU Shao-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device With Pressure Relief Valve

Номер патента: US20150109009A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

System and Method for Calibrating Temperatures Sensor for Integrated Circuits

Номер патента: US20150117486A1. Автор: Zhai Jun,Yang Yizhang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2015-04-30.

DETERMINISTIC CLUSTERING AND PACKING METHOD FOR RANDOM LOGIC ON PROGRAMMABLE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200125780A1. Автор: Langhammer Martin,Baeckler Gregg William. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD FOR DETERMINING INTERFACE TIMING OF INTEGRATED CIRCUIT AUTOMATICALLY AND RELATED MACHINE READABLE MEDIUM THEREOF

Номер патента: US20140223398A1. Автор: Kao Shu-Yi,YU Mei-Li,WANG Ting-Hsiung,LO Yu-Lan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-08-07.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20190137564A1. Автор: Forstner Johann Peter. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH CONVEX SUPPORT STRUCTURE

Номер патента: US20140232426A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: ESSAI, INC.. Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD FOR EQUIPPING REGISTERS OF AN INTEGRATED CIRCUIT TO DETECT TIMING VIOLATIONS

Номер патента: US20170161416A1. Автор: Miro Panades Ivan. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2017-06-08.

SYSTEM AND METHOD FOR SYNCHRONIZING SENSING SIGNALS OF INTEGRATED CIRCUIT CHIPS

Номер патента: US20210200259A1. Автор: Roberson Jeremy,Sobel David. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR OPTIMAL TRIM CALIBRATIONS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170177456A1. Автор: Parekhji Rubin Ajit,Ghosh Partha,BONGALE Pankaj. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Method for analyzing electromigration (em) in integrated circuit

Номер патента: US20210209278A1. Автор: Chin-Shen LIN,Ming-Hsien Lin,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

System and Method for Processing Quotes Using an Integrated Circuit

Номер патента: US20140279342A1. Автор: MAYNARD Greg J.. Владелец: INTERNATIONAL SECURITIES EXCHANGE, LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

RESISTIVE CAPACITANCE DETERMINATION METHOD FOR MULTIPLE-PATTERNING-MULTIPLE SPACER INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20150205905A1. Автор: Hsueh Hsiu-Wen,HO Chia-Ming,HUANG Jun-Fu,CHOU Shao-Heng,CHEN C,Y.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-07-23.

Display substrate and method for repairing lead of driver integrated circuit

Номер патента: US20150212379A1. Автор: HUI Wang,Long Xia. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

DEVICE AND METHOD FOR MONITORING FUNCTIONAL SAFFETY IN INTEGRATED CIRCUITS (ICS)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: SADHU Radha Krishna Moorthy. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

DEVICE AND METHOD FOR GENERATING INHERENT INFORMATION OF INTEGRATED CIRCUITS FOR AUTHENTICATION PURPOSE

Номер патента: US20180261262A1. Автор: LEE MING-HSIU. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

SYSTEMS AND METHODS FOR CREATING BLOCK CONSTRAINTS IN INTEGRATED CIRCUIT DESIGNS

Номер патента: US20170286587A1. Автор: Cohen Ilan,MAGINI UZI,NEEMAN INBAR,DVIR ALON. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2017-10-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH HEATER SOCKET

Номер патента: US20150309114A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WHIRLWIND COLD PLATE

Номер патента: US20160313390A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Method for Analyzing Design of an Integrated Circuit

Номер патента: US20180307792A1. Автор: Kim Ryan Ryoung Han,Lee Jae Uk. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2018-10-25.

COMPUTING APPARATUS AND METHOD FOR VECTOR INNER PRODUCT, AND INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20220366006A1. Автор: Zhang Yao,Liu Shaoli. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: WO2000042615A2. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Agate Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-07-20.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US6282145B1. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-28.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: WO2000042615A3. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M Khan,George J Korsh. Владелец: Agate Semiconductor Inc. Дата публикации: 2000-11-30.

Design support apparatus, design support program, and design support method for supporting design of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP4326462B2. Автор: 則之 伊藤,良一 山下. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits

Номер патента: US20030146761A1. Автор: Nader Pakdaman,Steven Kasapi,Itzik Goldberger. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

Method for generating net-list for integrated circuit device design

Номер патента: KR100486274B1. Автор: 이진용,권용훈,김용관,박현식,송혜경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-29.

The on-line calibration system and method for AC measurment unit in integrated circuit test system

Номер патента: CN107765202A. Автор: 周厚平. Владелец: 709th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2018-03-06.

Sharable memory space access management method for multi-user type contactless integrated circuit, involves assigning same password for protection of blocks, and allocating access rights to each block

Номер патента: FR2895108A1. Автор: Christophe Mani. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-06-22.

METHOD FOR CONNECTING A NON-CONTACT INTEGRATED CIRCUIT TO AN NFC COMPONENT

Номер патента: FR2905782B1. Автор: Bruno Charrat. Владелец: Inside Contactless SA. Дата публикации: 2008-12-05.

METHOD FOR GENERATING MODELING FILES OF INTEGRATED CIRCUIT DESIGN FLOT, COMPUTER PROGRAM AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: FR3003973A1. Автор: Gerald Cibrario. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-10-03.

METHOD FOR MANUFACTURING A SUBSTRATE WITH INTEGRATED CIRCUITS COMPRISING DIFFERENT INDEPENDENTS

Номер патента: FR2598233A1. Автор: Edward Stuart Eccles,James Curry Green. Владелец: SMITHS GROUP PLC. Дата публикации: 1987-11-06.

METHOD FOR EQUIPPING REGISTERS OF AN INTEGRATED CIRCUIT FOR DETECTING TIME VIOLATIONS

Номер патента: FR3044772B1. Автор: Ivan MIRO PANADES. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-05.

System and method for operating components of an integrated circuit at independent frequencies and/or voltages

Номер патента: CN101351759A. Автор: S·A·怀特,W·A·休斯,P·E·马德里. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for coupling substrate of optical integrated circuit and optical fiber

Номер патента: JPS6429810A. Автор: Makoto Suzuki,Yukihiro Sako,Hitomi Otoshi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

System and method for timing analysis of an integrated circuit clocked by mixed clock types

Номер патента: US6522989B1. Автор: John Gover,Charles Corey Pie′. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-18.

Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits

Номер патента: TW200408029A. Автор: Nader Pakdaman,Steven Kasapi,Itzik Goldberger. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-05-16.

Methods for producing structured application-specific integrated circuits and its physical layout

Номер патента: CN1873646B. Автор: 陈金彬,蔡家庆. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

System and method for testing a radio frequency integrated circuit

Номер патента: CN102540052B. Автор: J-P.福斯特纳. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-08.

System and method for reducing surface defects in integrated circuits

Номер патента: US6935926B2. Автор: Thad L. Brunelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

A method for refreshing a memory and integrated circuit containing a refreshable memory

Номер патента: DE112004001704B4. Автор: Dr. Pöchmüller Peter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-07-18.

System and method for testing and providing an integrated circuit having multiple modules or submodules

Номер патента: US7669100B2. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for making a card with integrated circuit

Номер патента: EP1055195B1. Автор: Jean-Luc Poirier,Hayat El Yamani,Yves Delserieys. Владелец: Schlumberger Systemes SA. Дата публикации: 2003-05-02.

Method for Functional Verification of an Integrated Circuit Model for constituting a Verification Platform, Equipment Emulator and Verification Platform

Номер патента: US20080270103A1. Автор: Anne Kaszynski,Jacques Abily. Владелец: Jacques Abily. Дата публикации: 2008-10-30.

Design support apparatus, design support program and design support method for supporting design of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060112365A1. Автор: Noriyuki Ito,Ryoichi Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for developing an application specific integrated circuit (ASIC) and emulator therefor

Номер патента: EP0831408A1. Автор: Jean Marie Chieppa. Владелец: Info technologies. Дата публикации: 1998-03-25.

Method for static timing verification of integrated circuits having voltage islands

Номер патента: US20040221252A1. Автор: Susan Lichtensteiger,Phillip Normand,Timothy Platt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

System and method for operating components of an integrated circuit at independent frequencies and/or voltages

Номер патента: CN101351759B. Автор: S·A·怀特,W·A·休斯,P·E·马德里. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-10.

System and method for improving the yield of integrated circuits containing memory

Номер патента: US7747915B2. Автор: Anthony M. Tamasi,Sean J. Treichler,Srihari Vegesna,Oren Rubenstein,Jue Wu. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

System, apparatus and method for controlling temperature of an integrated circuit under test

Номер патента: US7218129B2. Автор: Daniel Paul Beaman,Howard Victor Mahaney, Jr.,Robert F. Florence, Jr.,Frederic William Wright, IV. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Encryption method for stream file in FPGA integrated circuit

Номер патента: JP4213585B2. Автор: ウェイン・ウォング. Владелец: アクテル・コーポレイシヨン. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for reducing power consumption of integrated circuit

Номер патента: US7917880B2. Автор: Wai Kei Mak,Wei Chung Chao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-03-29.

Method for optical inspection analysis of integrated circuits

Номер патента: EP0166270A2. Автор: Jon Raymond Mandeville. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-01-02.

Method for simulating leakage distribution of integrated circuit design

Номер патента: US20100332206A1. Автор: Iyun Leu. Владелец: Iyun Leu. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for refreshing a memory and integrated circuit including a refreshable memory

Номер патента: WO2005027137A1. Автор: Peter Pöchmüller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Method for determining interface timing of integrated circuit and the related machine readable medium

Номер патента: TWI503682B. Автор: mei li Yu,Ting Hsiung Wang,Yu Lan Lo,Shu Yi Kao. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-11.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM MATS WITH INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT

Номер патента: DE60103667D1. Автор: Laurent Poizat,Yves Doremus,Hayat Elghazal. Владелец: Pechiney Rhenalu SAS. Дата публикации: 2004-07-08.

System and method for testing a radio frequency integrated circuit

Номер патента: US8686736B2. Автор: Hans-Peter Forstner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-01.

Methods for producing structured application-specific integrated circuits that are equivalent to field-programmable gate arrays

Номер патента: US20060271899A1. Автор: KIM TAN,Kar Chua. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

System and method for configuring information handling system integrated circuits

Номер патента: HK1109807A1. Автор: . Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2008-06-20.

Method for producing aluminum panels with integrated circuit

Номер патента: RU2281828C2. Автор: Ив ДОРЕМЮ,Лоран ПУАЗА,Айат ЭЛЬГАЗАЛЬ. Владелец: Пешинэ Рэналю. Дата публикации: 2006-08-20.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US20020039322A1. Автор: Hieu Tran,Sakhawat Khan,George Korsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for legalizing a multi-patterning integrated circuit layout and system thereof

Номер патента: EP2854050A1. Автор: Sambuddha Bhattacharya,Subramanian Rajagopalan,Shabbir Batterywala. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Method for controlling result parameter of integrated circuit manufacturing procedure

Номер патента: CN101571714B. Автор: 马宏. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Architecture, circuitry and method for testing one or more integrated circuits and/or receiving test information therefrom

Номер патента: US6430718B1. Автор: Anup K. Nayak. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Arrangement and method for adapting output drivers of integrated circuits to the given conditions

Номер патента: DE59812025D1. Автор: Franz Renner,Jens Rosenbusch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-04.

Computing apparatus and method for vector inner product, and integrated circuit chip

Номер патента: WO2021078212A1. Автор: 张尧,刘少礼. Владелец: 安徽寒武纪信息科技有限公司. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for reducing modification layers during integrated circuit engineering modification

Номер патента: CN106709154A. Автор: 谢勇,何凡,朱顺痣,王晓栋,何一凡,叶文佳. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-05-24.

Method for diagnosing bridging faults in integrated circuits

Номер патента: US6560736B2. Автор: Brian Chess,F. Joel Ferguson,Tracy Larabee,David B. Lavo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-05-06.

Apparatus and method for performing parallel test on integrated circuit devices

Номер патента: US20050007140A1. Автор: Hyun-seop Shim,Jeong-Ho Bang,Woo-Il Kim,Hyoung-Young Lee,Young-Ki Kwak,Ki-Bong Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

System and Method for Ordering the Selection of Integrated Circuit Chips

Номер патента: US20090288057A1. Автор: Rex W. Pirkle,Sean M. Malolepszy,Adam R. Pirkle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for setting breakpoints, and an integrated circuit and debug tool therefor

Номер патента: WO2012069872A1. Автор: Mark Maiolani,Alistair Robertson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-05-31.

System and method for loading commands into an integrated circuit card

Номер патента: EP1208519B1. Автор: Avner Cohen Solal,Remi Deh. Владелец: Schlumberger Systemes SA. Дата публикации: 2003-12-10.

Systems and methods for reducing testing times on integrated circuit dies

Номер патента: US20070236238A1. Автор: Chien-Jung Chiu,Hsing-Ya Huo,Tsung-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

METHOD FOR EXCHANGE MANAGEMENT BETWEEN TWO INTEGRAL CIRCUITS

Номер патента: RU2014104029A. Автор: Бипин БАЛАКРИШНАН,Абделазиз ГОУЛАХСЕН. Владелец: Эрикссон Модемс Са. Дата публикации: 2015-08-20.

Systems and methods for managing power supplied to integrated circuits

Номер патента: US20070188186A1. Автор: Naoki Kiryu. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

System and method for implementing neural networks in integrated circuits

Номер патента: EP3682378A1. Автор: Michaela Blott,Nicholas Fraser. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Method for design and layout of integrated circuits

Номер патента: TW518488B. Автор: Gerd Frankowsky. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Method for determining abnormal characteristics in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: TW200945469A. Автор: HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2009-11-01.

System and method for implementing neural networks in integrated circuits

Номер патента: US20190080223A1. Автор: Michaela Blott,Nicholas Fraser. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for creating patterns for producing integrated circuits

Номер патента: EP1644855A1. Автор: Kenji Yoshida,Robert C. Pack,Aki Fujimura,Louis K. Sheffer,Yoshikuni Abe. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

METHOD FOR AUTOMATED ASSISTANCE TO DESIGN NONLINEAR ANALOG CIRCUIT WITH TRANSIENT SOLVER

Номер патента: US20160171136A1. Автор: Kaiser Andreas,ISKANDER Ramy,Javid Farakh,Louerat Marie-Minerve. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Method for generating logic diagrams of parametrable multiplier circuits with a booth decoder, by means of a computer and corresponding multiplier circuits

Номер патента: FR2650088A1. Автор: Laurent Bathellier,Jean-Pierre Giacalone,Christian Mach. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1991-01-25.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Interweaved integrated circuit interconnects

Номер патента: US20020112220A1. Автор: Brian Miller. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-08-15.

Systems and methods of automatic generation of integrated circuit IP blocks

Номер патента: US11741284B2. Автор: Danny Rittman,Mo Jacob. Владелец: GBT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for fabricating integrated model of flexible human esophagus, stomach, duodenum, and small intestine, and dynamic in vitro biomimetic digestive system thereof

Номер патента: AU2018318791A1. Автор: Yong Wang,Xiaodong Chen,Minghui Liu,Zhizhong DONG,Zhenkai LIAO,Jinfeng MENG. Владелец: Cofco Nutrition and Health Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for fabricating multi-colored ball, and method for fabricating display device

Номер патента: US20030071379A1. Автор: Mitsuo Ozaki,Naoyuki Hayashi,Norio Sawatari,Shino Tokuyo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Client-specific circuit board with isolated redundant systems

Номер патента: US7243326B2. Автор: Andreas Kirschbaum. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2007-07-10.

Method for manufacturing a tag for a textile

Номер патента: EP4162398A1. Автор: Julien Buros,Luca Cerea. Владелец: DATAMARS SA. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for manufacturing a tag for a textile

Номер патента: WO2021245567A1. Автор: Julien Buros,Luca Cerea. Владелец: DATAMARS SA. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for manufacturing a tag for a textile

Номер патента: EP4398151A2. Автор: BUROS Julien,Cerea Luca. Владелец: DATAMARS SA. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for design of partial circuit

Номер патента: US20010027553A1. Автор: Masakazu Tanaka,Masahiro Fukui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US20050246676A1. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for integrated circuit layout

Номер патента: EP1089204A3. Автор: Walter Stadler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-06-17.

Method and Structure for Fabricating Dark-Periphery Mask for the Manufacture of Semicondutor Wafers

Номер патента: US20090325080A1. Автор: Guang Yea (Simon) Tarng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Method and an integrated circuit for performing a test

Номер патента: US7650554B2. Автор: Dieter Wendel,Gottfried Goldrian,Otto Andreas Torreiter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Methods for fabricating integrated circuits including generating photomasks for directed self-assembly

Номер патента: US20150012897A1. Автор: Yi Zou,Azat Latypov,Vito Dai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Chip design method for designing integrated circuit chips with embedded memories

Номер патента: US20030221177A1. Автор: David Morgan,Viswanathan Lakshmanan,Michael Josephides,Tom O'Brien. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method for processing nitride snf in salt melts with removal of the residual amount of the chlorinating agent

Номер патента: RU2758450C1. Автор: Вадим Юрьевич Селявский,Александр Сергеевич Житков,Дмитрий Александрович Ушаков,Сергей Геннадьевич Овченков,Артем Олегович Харитонов. Владелец: Акционерное общество «Прорыв». Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for fabricating and/or finishing structural insulated panels

Номер патента: WO2024098155A1. Автор: Michael Dombowsky,Mark Dombowsky,Louis Dombowsky,Benedict DOMBOWSKY,Braden DOMBOWSKY. Владелец: Nexii Building Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Autonomous method and apparatus for mitigating soft-errors in integrated circuit memory storage devices at run-time

Номер патента: EP1746505A3. Автор: Robert Morton,David Motz,Toby James Koktan,James Wisener,David Henry Graham,Saida Benlarbi,David Ambrose Stortz. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2010-02-17.

System and method for configuring an integrated circuit

Номер патента: WO2006053320A3. Автор: Andrew S Brown. Владелец: Andrew S Brown. Дата публикации: 2007-06-14.

Optical integrated circuits comprising a waveplate and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2003012509A1. Автор: Anthony J. Ticknor. Владелец: Lightwave Microsystems Corp.. Дата публикации: 2003-02-13.

Device and method for creating channel in soft tissue

Номер патента: RU2766387C2. Автор: Вадим ШМУКЛЕР,Гилад ЛАВИ,Иосеф ГЛОВИНСКИ,Нир ИСРАЭЛИ. Владелец: Тель Хашомер Медикал Рисерч Инфрастракчер Энд Сервисес Лтд.. Дата публикации: 2022-03-15.

Carbon-containing moldings and a method for fabrication thereof

Номер патента: RU2246530C1. Автор: . Владелец: Лурий Валерий Григорьевич. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Tests for integrated circuit (IC) chips

Номер патента: US11994559B2. Автор: Lakshmanan Balasubramanian,Rubin Parekhji,Kalyan Chakravarthi Chekuri,Swathi G. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Hierarchical design of integrated circuits with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140359547A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Magnesium oxide sorbents for room temperature carbon dioxide adsorption and methods for their fabrication

Номер патента: US20220193631A1. Автор: Ping Wu,Franklin ANARIBA,Andrei LEBEDEV,Victor CHEN YAOHUI. Владелец: SINGAPORE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND DESIGN. Дата публикации: 2022-06-23.

Systems and methods for utilizing information of a 3d modeling application to facilitate operation of fabrication machines

Номер патента: US20240273247A1. Автор: Brian D. Nickel. Владелец: Allied Bim Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating microrobot for delivery of cell therapy product and microrobot according thereto

Номер патента: US20240024643A1. Автор: Jin Young Kim,Sung Won Kim,Hong Soo Choi,Sun Hwa Park,Sung Woong JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Catholic University of Korea. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for fabrication of the pellets of ceramic nuclear fuel, device for its realization and container

Номер патента: RU2262756C2. Автор: В.А. Астафьев,А.Е. Глушенков,М.В. Скупов,М.И. Столяров,И.А. Шкабура,В.А. Астафьев (RU),А.Е. Глушенков (RU),М.В. Скупов (RU),ров М.И. Стол (RU),И.А. Шкабура (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара". Дата публикации: 2005-10-20.

Method for fabrication of complex-combined axially symmetric welded article

Номер патента: RU2741737C1. Автор: Иван Олегович Неймышев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-01-28.

Method for evaluating clinical effectiveness in patients with isolated form of acantholytic vesicular disease of oral cavity

Номер патента: RU2688212C1. Автор: Альбина Ирековна Булгакова,Зарема Римовна Хисматуллина,Гульнара Ринатовна Хамзина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Башкирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-05-21.

Methods for fabrication of optical structures on photonic glass layer substrates

Номер патента: US20240111107A1. Автор: Paul Meissner,Anup Pancholi,Ronald Huemoeller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods for fabrication of optical structures on photonic glass layer substrates

Номер патента: WO2024076463A1. Автор: Paul Meissner,Anup Pancholi,Ronald Huemoeller. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for the testing and commissioning of an electrical circuit unit as well as such circuit units

Номер патента: US20030057992A1. Автор: Carsten Friedrich. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Method and system for fabricating liquid crystal film and method for fabricating brightening film

Номер патента: US20050280767A1. Автор: Charles Chang,Chun-Fa Chen,Kun-Mao Yu. Владелец: Charmica Photoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Optical integrated circuit

Номер патента: US20240264373A1. Автор: Jeroen Antonius Maria Duis,Johannes Cornelis VAN KERKHOF. Владелец: Phix BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for supply voltage drop analysis during placement phase of chip design

Номер патента: US20020112212A1. Автор: Ivan Wemple,John Cohn,James Venuto,Paul Zuchowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7634698B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-15.

Optical integrated circuit

Номер патента: CA3227255A1. Автор: Jeroen Antonius Maria Duis,Johannes Cornelis VAN KERKHOF. Владелец: Phix BV. Дата публикации: 2023-02-02.

Optical integrated circuit

Номер патента: EP4377730A1. Автор: Jeroen Antonius Maria Duis,Johannes Cornelis VAN KERKHOF. Владелец: Phix BV. Дата публикации: 2024-06-05.

Mobile stand for testing electronic control system and method for development and testing of automatic control system

Номер патента: RU2755027C9. Автор: Юрий Владимирович Трофимов,Наталья Георгиевна Якунина. Владелец: Акционерное общество "ОДК-Климов". Дата публикации: 2021-10-08.

Method for combined treatment of metastatic colorectal cancer in patients with resectable hepatic metastases and in the absence of mutations in the kras and braf genes

Номер патента: RU2764955C1. Автор: Ольга Владимировна Черемисина,Сергей Геннадьевич Афанасьев,Ирина Георгиевна Фролова,Алексей Юрьевич Добродеев,Дмитрий Николаевич Костромицкий,Анна Сергеевна Тарасова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Томский национальный исследовательский медицинский центр" Российской академии наук ("Томский НИМЦ"). Дата публикации: 2022-01-24.

Method for producing two-deck complex of gadolinium with tetrabenzoporphyrin

Номер патента: RU2649402C1. Автор: Геннадий Павлович Шапошников,Николай Евгеньевич Галанин,Анатолий Александрович Распутин,Андрей Игоревич Коптяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2018-04-03.

Method for making sleeves of prosthetic and orthopedic articles from composite material

Номер патента: RU2725082C1. Автор: Владимир Иванович Новиков,Иван Владимирович Новиков,Наталья Сергеевна Шмакова,Валерий Сергеевич Ашмарин,Дарья Станиславовна Степура. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Протезно-ортопедическое малое предприятие "ОРТЕЗ" (ООО "ПРОП МП "ОРТЕЗ"). Дата публикации: 2020-06-29.

Method for measuring cross-section shape on roundness measurement instruments

Номер патента: RU2637368C1. Автор: Владимир Викторович Королев,Алексей Анатольевич Никольский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-12-04.

Photonic glass layer substrate with embedded optical structures for communicating with an electro optical integrated circuit

Номер патента: US20240111106A1. Автор: Paul Meissner,Anup Pancholi,Ronald Huemoeller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

A photonic glass layer substrate with embedded optical structures for communicating with an electro optical integrated circuit

Номер патента: WO2024076466A1. Автор: Paul Meissner,Anup Pancholi,Ronald Huemoeller. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US20080115338A1. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for fabricating an assembly for a card and a card comprising a metallized film, a microcircuit card and an assembly for said card

Номер патента: US20230364899A1. Автор: Sylvie Pompeani,Joseph GUYON LE BOUFFY. Владелец: Idemia France SAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Digital printing and finishing method for fabrics and the like

Номер патента: US12043046B2. Автор: Luigi Milini. Владелец: Dover Europe Sàrl. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US7635839B2. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2009-12-22.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Devices and methods for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030080362A1. Автор: Simon Dodd,Frank Bryant,Paul Mikulan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-01.

Structural building panels, apparatus and method for fabricating structural building panels

Номер патента: US20070204557A1. Автор: Robert Timbrook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Electrospray emitters, associated methods for their use, and associated methods and devices for their fabrication

Номер патента: US20240227237A1. Автор: Sadaf Sobhani,Elaine Marie Petro,Suhail Chamieh. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for fabricating energy plastic masterbatch and plastic product derived therefrom

Номер патента: MY155859A. Автор: XU Wenji,Lee Kwok Sing. Владелец: South China Reborn Resources Zhongshan Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Device for fabrication of fibers, 3d printer comprising the device and method for fabrication of fibers

Номер патента: EP4375067A1. Автор: Leonid Ionov,Alla Synytska. Владелец: Biovature GmbH. Дата публикации: 2024-05-29.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Mask Plate, Color Filter Substrate and Method for Fabricating the Same, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20160291221A1. Автор: Qingyong Meng. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Floorplan of a design for an integrated circuit

Номер патента: US20210287036A1. Автор: Siegmund Schlechter,Manuel Beck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for producing tin-indium alloy coated copper wire

Номер патента: RU2764277C1. Автор: Михаил Владимирович Кузьмин,Владислав Львович Семенов,Лина Геннадьевна Рогожина,Рустам Иванович Александров,Кристина Юрьевна Иванова,Алиса Олеговна Патьянова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова". Дата публикации: 2022-01-17.

Method for the surgical treatment of large and recurrent macular ruptures

Номер патента: RU2763477C1. Автор: Виктор Николаевич Казайкин,Андрей Юрьевич Клейменов,Константин Андреевич Ткаченко. Владелец: Акционерное общество "Екатеринбургский центр МНТК "Микрохирургия глаза". Дата публикации: 2021-12-29.

Patient's table comprising position control system, as well as method for using this patient's table

Номер патента: RU2561512C2. Автор: Даниэль Симон Анна РЮЭЙТЕРС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for fabricating a patterned core for a light guide plate

Номер патента: US20040248049A1. Автор: Kun-Jung Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Fabricating method for sleeve-type ornament of display device

Номер патента: US20100283170A1. Автор: Wen-Hung Huang. Владелец: Hannspree Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Method for fabrication of optical fibre soot preform

Номер патента: US20210047226A1. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Imprint template, method of fabricating imprint template, apparatus for performing method of fabricating imprint template, imprint mold for fabricating an imprint template

Номер патента: US20220001580A1. Автор: Kang GUO,Zhen Liu,Wei Tan,Xin Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical fiber mirror and method for fabricating the same

Номер патента: US20020034370A1. Автор: Duck Kim,Young Yook. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2002-03-21.

Electrical circuit unit and a method for testing the electrical circuit unit via an electrical test interface

Номер патента: US7089469B2. Автор: Carsten Friedrich. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-08-08.

Systems and Methods for Optimizing Energy Efficiency of Analog Neuromorphic Circuits

Номер патента: US20220004861A1. Автор: Boris Maslov,Aleksandrs TIMOFEJEVS,Nikolai Kovshov,Dmitri Godovskiy. Владелец: Polyn Technology Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Circuits and methods for matching device characteristics for analog and mixed-signal designs

Номер патента: US20050132314A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Charlie Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor structure and method for operating the same

Номер патента: US20170153287A1. Автор: Ting-Sheng Huang,Shih-Hsin Chen,Jiaw-Ren Shih,Jen-Hao Lee,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: ZA202213473B. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: CA3181152A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: AU2021362256A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: EP4228440A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for fabricating a solid surface countertop in a mobile fabrication unit

Номер патента: US5915748A. Автор: Paul C. Dubuc. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-06-29.

Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment

Номер патента: US4392893A. Автор: Nguyen T. Du,Akihide Asao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Methods for modifying an integrated circuit layout design

Номер патента: US20150040091A1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for fabricating and electroconducting plate, means for implementing such method and conducting plate thus obtained

Номер патента: AU4963993A. Автор: Pierre Berthe,Yves Duthoit,Martial Legardez. Владелец: Batiss Plastiques Sa. Дата публикации: 1994-03-29.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: IL278059B. Автор: . Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Method for fabricating composite pressure vessels and products fabricated by the method

Номер патента: EP1112170A1. Автор: James C. Murphy,Gerald S. Boyce,Erik Coeckelbergs. Владелец: Essef Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Method for fabricating composite pressure vessels and products fabricated by the method

Номер патента: AU5924499A. Автор: James C. Murphy,Gerald S. Boyce,Erik Coeckelbergs. Владелец: Essef Corp. Дата публикации: 2000-04-03.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Method which tests correctness of integral circuit topology

Номер патента: RU2077752C1. Автор: С.А. Гаряинов. Владелец: Предприятие перспективных исследований "Научный центр". Дата публикации: 1997-04-20.

METHODS FOR FABRICATING A PHOTOLITHOGRAPHIC MASK AND FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING SUCH A MASK

Номер патента: US20120252199A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-10-04.

METHOD FOR FABRICATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT IN A TECHNOLOGY REDUCED WITH RESPECT TO A NATIVE TECHNOLOGY, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130181294A1. Автор: Bouton Guilhem,Bidal Virginie. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for forming insulating layer of integrated circuit

Номер патента: TW516159B. Автор: Ming-Sheng Yang,Jeng-Yuan Tsai,Jr-Jian Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-01-01.

Removing method for edge bead particle of integrated circuit

Номер патента: TW265460B. Автор: Lai-Juh Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1995-12-11.

METHODS FOR FABRICATING A CMOS INTEGRATED CIRCUIT HAVING A DUAL STRESS LAYER (DSL)

Номер патента: US20120220086A1. Автор: Baars Peter,Fitz Clemens,LEPPER Marco. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-30.

METHODS FOR FABRICATING HIGH-DENSITY INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20120280354A1. Автор: Moroz Victor,Lin Xi-Wei. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2012-11-08.

METHODS FOR FABRICATING A FINFET INTEGRATED CIRCUIT ON A BULK SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20130005103A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

APPARATUSES AND SYSTEMS FOR FABRICATING THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120024230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

Lithium Battery, Method for Manufacturing a Lithium Battery, Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20130128488A1. Автор: Sorger Michael,Schmut Katharina,Sternad Michael,Goller Bernhard,Zieger Guenter,Forster Magdalena,Schweizer Philemon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-05-23.

Integrated circuit and method for testing memory on the integrated circuit

Номер патента: US20120204069A1. Автор: HUGHES Paul Stanley. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2012-08-09.

Integrated Circuit Including Field Effect Transistor Structures with Gate and Field Electrodes and Methods for Manufacturing and Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20130187196A1. Автор: Kadow Christoph. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for filling redundant metal into integrated circuit layout and integrated circuit

Номер патента: CN102385656A. Автор: 陈岚,杨飞,李志刚,胡超,马天宇,阮文彪. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for determining line with ground contact in electric networks with isolated neutral

Номер патента: RU2294585C1. Автор: Валерий Георгиевич Васильев,Вадим Алексеевич Чернышов. Владелец: Федеральное государственное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2007-02-27.

Integrated circuit device and method for establishing electrical conductor in integrated circuit device

Номер патента: CN103094245A. Автор: 陈士弘,陈彦儒,林烙跃. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGN APPARATUS, METHOD FOR HAVING COMPUTER DESIGN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE MEDIUM

Номер патента: US20120072881A1. Автор: Kobayashi Norifumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

STRUCTURE AND METHOD FOR DETERMINING A DEFECT IN INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20120083055A1. Автор: . Владелец: Hermes-Microvision, Inc.. Дата публикации: 2012-04-05.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20120126821A1. Автор: Forstner Hans-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

NANO-WIRE FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE TRANSISTOR

Номер патента: US20120238082A1. Автор: . Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-09-20.

METHOD FOR TRADING AND TRIAL RUNNING INTEGRATED CIRCUIT DESIGN CODE

Номер патента: US20120303473A1. Автор: HUANG Chia-Fen,YEH Yu-Ju,Wang Chiao-Leng. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Methods for Coordinated Signal Reception Across Integrated Circuit Boundaries

Номер патента: US20130016632A1. Автор: Chaudhary Madhusudan,Mujtaba Syed A.,Elangovan Thanigaivelu,Anantharaman Karthik,Dou Weiping,Mahe Isabel G.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device Profiles

Номер патента: US20130021049A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

Methods for Forming Interconnect Structures of Integrated Circuits

Номер патента: US20130052818A1. Автор: Lin Keng-Chu,Ko Chung-Chi,SHIH Po-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for Forming Contact in an Integrated Circuit

Номер патента: US20130072014A1. Автор: Besser Paul R.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-03-21.

Surface temperature distribution detecting method for micron-scale region of integrated circuit chip based on colloidal PbSe quantum dots

Номер патента: CN103674318A. Автор: 张宇,张铁强,王一丁,王国光,王鹤林,翟微微,于伟泳,刘文闫. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2014-03-26.

Heat treating method for substrate for gallium arsenide integrated circuit

Номер патента: JPS62265717A. Автор: Shintaro Miyazawa,Fumiaki Hiuga,宮澤　信太郎,日向　文明. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1987-11-18.

Method for determining interconnection pattern of integrated circuit device

Номер патента: JPH1126588A. Автор: Tsuguyasu Hatsuda,次康 初田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-29.

Method for determining malfunction of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3011591B2. Автор: 敦 黒川,隆夫 名野. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-21.

Method for manufacturing metal oxide semiconductor integrated circuit comprising Zener diode

Номер патента: CN102254859B. Автор: 潘光燃,张立荣. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-20.

Testing method for ball grid array type integrated circuit

Номер патента: JPH1138079A. Автор: Takashi Morita,隆士 森田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-12.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

Method for extracting simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model of field effect transistor

Номер патента: CN101976274B. Автор: 余泳. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Method for manufacturing InP monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: CN102509721B. Автор: 汪宁,苏永波,金智,郭建楠,王显泰. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-03-12.

System and method for configuring information handling system integrated circuits

Номер патента: IE85332B1. Автор: F Sauber William,D. Huber Gary. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2009-09-16.

Method for providing for reliability of integration circuits in process of serial manufacture

Номер патента: RU2284042C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-09-20.

Implementation method for variable parameter unit of integrated circuit (IC)

Номер патента: CN103034741A. Автор: 李飞,李志雄,李起宏,谢光益. Владелец: Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Quick evaluation method for ultimate stress strength of integrated circuit for spaceflight

Номер патента: CN104596719A. Автор: 钟征宇. Владелец: BEIJING RESEARCH INST OF AUTOMATIC MEASUREMENT TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-06.

Method for screening resin sealed semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPS63179534A. Автор: Shinichi Mori,森　真一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-07-23.

Method for forming resistor in hybrid integrated circuit

Номер патента: JPH0787262B2. Автор: 光博 星井. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-20.

Method for inspecting layout design of integrated circuit

Номер патента: CN101539954A. Автор: 苏士益. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-09-23.

Method for manufacturing cases of hybrid integrated circuits

Номер патента: RU2076391C1. Автор: Станислав Степанович Волков,Анатолий Дмитриевич Митрофанов,Алексей Михайлович Хасьянов,Николай Иванович Стрелец. Владелец: Николай Иванович Стрелец. Дата публикации: 1997-03-27.

Method for inspecting layout design of integrated circuit

Номер патента: CN101539954B. Автор: 苏士益. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-01-19.

Device and method for calculating delay time for integrated circuit and storage medium recording delay time calculation program

Номер патента: JPH11282891A. Автор: Tadashi Yokoyama,端 横山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming super large scale integrated circuit refractory metal silicide

Номер патента: CN100416778C. Автор: 陈华伦. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-03.

A kind of method for designing of the analog integrated circuit layout improving layout efficiency

Номер патента: CN103268380B. Автор: 吕江萍. Владелец: China North Industries Group Corp No 214 Research Institute Suzhou R&D Center. Дата публикации: 2016-09-21.

Wiring design method for standard cell type semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP4494537B2. Автор: 圭一 吉岡. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-30.

Method for designing layout of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP2000150659A. Автор: Fumihiro Kimura,文浩 木村. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Quick method for implementing noise optimization of integrated circuit supply network using decoupling capacitor

Номер патента: CN1305127C. Автор: 洪先龙,谭向东,蔡懿慈,潘著,傅静静,骆祖莹. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-14.

Method for extracting simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model of field effect transistor

Номер патента: CN101976274A. Автор: 余泳. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

Method for determining delay parameter of integrated circuit

Номер патента: JPH1063710A. Автор: Hideki Sakai,秀樹 酒井,Nobuto Toyama,Yasuo Jinbo,安男 神保,Naoki Shimohakamada,直樹 下袴田,登山　　伸人. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1998-03-06.

Method for washing back etching in integrated circuit production

Номер патента: CN100442450C. Автор: 林德成,常延武. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Improving method for peeling issue in the integrated circuit processing

Номер патента: TW468237B. Автор: Tzung-Han Lee,Wen-Yi Tan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

Method for detecting defects in an integrated circuit

Номер патента: UA66535A. Автор: Ivan Mykhailovych Vikulin,Pavlo Yuriiovych Markolenko. Владелец: . Дата публикации: 2004-05-17.

Method for protecting converter by parallel twelve-pulse circuit with magnetically coupled equalizing reactor

Номер патента: SU1658276A1. Автор: Сергей Васильевич Рождественский,Исаак Львович Коляндр,Игорь Иосифович Левитан,Александр Гершович Элькин. Владелец: Научно-Исследовательский Электротехнический Институт Производственного Объединения "Хэмз". Дата публикации: 1991-06-23.

A method for the adhesive joint of components of circuits with heat dissipation. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

Номер патента: ES408649A1. Автор: . Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1976-03-16.

Method for studying immunocompetent cells for evaluating immune state in minks

Номер патента: RU2263310C2. Автор: Т.А. Беспалова,О.А. Приступа,Д.А. Хитрова,Ю.И. Пацула,И.В. Архипов,Е.А. Хитрова,В.И. Варбанский,Д.И. Варбанский. Владелец: Институт ветеринарной медицины Омского государственного аграрного университета. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for grading batch of integral memory circuits with respect to their radiation stability

Номер патента: RU2149417C1. Автор: В.И. Бутин,Н.Н. Давыдов,С.Н. Бушевой,С.В. Кудаев. Владелец: Кудаев Сергей Валентинович. Дата публикации: 2000-05-20.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for comparative assessment of reliability of intergral circuits batches

Номер патента: RU2386975C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-04-20.

Organ- retaining method for treating uveal melanoma cases

Номер патента: RU2288740C2. Автор: Ирина Евгеньевна Панова,Андрей Владимирович Важенин,Людмила Евгеньевна Семёнова,Анастаси Владимировна Пилат,Анастасия Владимировна Пилат,Инна Николаевна Ефименко,рова Наталь Владимировна Бухти,Наталья Владимировна Бухтиярова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения России. Дата публикации: 2006-12-10.

Method for obtaining fibrinous film

Номер патента: RU2268056C1. Автор: Валентин Александрович Фигурнов,Елена Валентиновна Фигурнова,Андрей Валентинович Фигурнов. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования Амурская Государственная Медицинская Академия Мз Рф. Дата публикации: 2006-01-20.

Method for treating-bottom-hole zone of well bed

Номер патента: RU2147330C1. Автор: В.А. Моисеев,В.В. Дегтярев,А.Н. Лысенко,В.А. Губарь,В.И. Червяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компомаш-ГИРС". Дата публикации: 2000-04-10.

Method for predicting the dvelopment for hypertonic disease according to genetic risk factors

Номер патента: RU2287158C1. Автор: Ольга Евгеньевна Мустафина,Гюльнар Муратовна Сахаутдинова,Ильси р Авхатовна Туктарова,Ильсияр Авхатовна Туктарова,Тимур Русланович Насибуллин,Лира Набиулловна Мингазетдинова. Владелец: Институт биохимии и генетики Уфимского научного центра Российской академии наук (ИБГ УНЦ РАН). Дата публикации: 2006-11-10.

Method for selective isolation of water influxes into oil wells by means of compositions based on solutions of polyvinylbuterene (variants)

Номер патента: RU2235856C2. Автор: И.У. Байсаев,Н.А.-В. Тепсаев,А.А. Галаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Ингушнефтегазпром". Дата публикации: 2004-09-10.

Method for preparing monoammonium phosphate

Номер патента: RU2259941C1. Автор: А.В. Гриневич,В.А. Гриневич,М.И. Резеньков,Б.В. Левин,А.М. Кержнер. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт по удобрениям и инсектофунгицидам им. проф. Я.В. Самойлова" (ОАО "НИУИФ"). Дата публикации: 2005-09-10.

Preparation for normalizing female reproductive function and method for its obtaining

Номер патента: RU2303454C1. Автор: Владимир Хацкелевич Хавинсон,Владимир Викторович Малинин,Галина Анатольевна Рыжак,Владимир Викторович Малинин (RU),Владимир Хацкелевич Хавинсон (RU),Галина Анатольевна Рыжак (RU). Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Сиа Пептайдс". Дата публикации: 2007-07-27.

Method for removing dimethylamine from isobutanol dehydration line in manufacturing high-tension aramid filaments

Номер патента: RU2539599C1. Автор: Владимир Юрьевич Лакунин,Галина Борисовна Склярова,Сергей Владимирович Комиссаров,Владимир Викторович Ведехин,Александр Семенович Шрайфель. Владелец: Открытое акционерное общество "Каменскволокно". Дата публикации: 2015-01-20.

Method for wiring integrated circuit with multiple-component photodetector

Номер патента: RU2121731C1. Автор: В.Ю. Иванов,В.И. Стафеев. Владелец: Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион". Дата публикации: 1998-11-10.

Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles

Номер патента: RU2538032C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Fuel briquet and a method for fabrication thereof

Номер патента: RU2292382C1. Автор: Павел Павлович Безруких,Сергей Федотович Боев,Абдулрахман Усманович Сембиев,Георгий Александрович Козырев,Лерий Табризович Салехов,Валерий Григорьевич Котов. Владелец: Закрытое акционерное общество "РТИ-Системы вторичного электропитания". Дата публикации: 2007-01-27.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Method for selecting duodenal peptic ulcer treatment type

Номер патента: RU2252709C1. Автор: С.А. Вавринчук,Е.Л. Никонов,В.И. Федченко,С.О. Гурьев. Владелец: Дальневосточный государственный медицинский университет. Дата публикации: 2005-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.