Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights
Номер патента: US20160126132A1
Опубликовано: 05-05-2016
Автор(ы): Carsten Grass, Martin Trentzsch, Sören Jansen
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-05-2016
Автор(ы): Carsten Grass, Martin Trentzsch, Sören Jansen
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for Forming Interconnect Structures of Integrated Circuits
Номер патента: US20130052818A1. Автор: Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.