集積回路内の金属相互接続を形成する方法および集積回路内の金属相互接続
Номер патента: JPH1174528A
Опубликовано: 16-03-1999
Автор(ы): Joseph Borel, ジョセフ・ボレル
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SA
Опубликовано: 16-03-1999
Автор(ы): Joseph Borel, ジョセフ・ボレル
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SA
Реферат: (57)【要約】
【課題】 集積回路内で、トランジスタの絶縁ゲート を複数の金属層に沿って放電ダイオードに接続するため の相互接続を形成する際、相互接続要素が、あらかじめ 決められた長さより長い場合でも、その最初の幾何的構 成を基本的に変更せずに、該相互接続要素を形成する。
【解決手段】相互接続は、一端がゲートに接続される、 あらかじめ決められた限界長より長い第１の相互接続要 素を含む。第１の相互接続要素の、該一端から限界長よ り短い距離隔てた箇所に中断部分を形成する。第１の相 互接続要素の上に絶縁層を堆積し、下の中断部分と並ぶ 位置に穴を形成する。中断部分および穴に金属を充填す ることによって、中断された相互接続要素は、再び接続 される。これらのステップは、各金属レベルついて繰り 返される。
Method for containing a silicided gate within a sidewall spacer in integrated circuit technology
Номер патента: US20100219486A1. Автор: Kelley Kyle Higgins,Ibrahim Khan Burki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-09-02.